JP2001015493A - プラズマ処理装置及び方法 - Google Patents
プラズマ処理装置及び方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板面へのガスの吹き出しを均一化し、天板
にかかる負荷を抑制し、プラズマに励起される前のプロ
セスガスに天板が曝されるのを抑制する。 【解決手段】 誘電体から成る２枚構成の天板の内、第
１の天板２に形成されたその内部の一点を通過点とする
１又は複数の空洞から成るガス主通路７及び天板の底面
からガス主通路７に到達するように設けたガス吹き出し
穴８を通り、第２の天板３にガス吹き出し穴８と一致す
るように形成された貫通穴９から基板１２上に向けて均
一分布でガスを供給しつつ基板１２を処理するように
し、第１及び第２の天板２、３の間にガスが拡散するこ
とのない構造とすることで、第２の天板３にかかるガス
圧を抑制し、またプラズマに励起される前のプロセスガ
スに曝されることを抑制するようにした。
にかかる負荷を抑制し、プラズマに励起される前のプロ
セスガスに天板が曝されるのを抑制する。 【解決手段】 誘電体から成る２枚構成の天板の内、第
１の天板２に形成されたその内部の一点を通過点とする
１又は複数の空洞から成るガス主通路７及び天板の底面
からガス主通路７に到達するように設けたガス吹き出し
穴８を通り、第２の天板３にガス吹き出し穴８と一致す
るように形成された貫通穴９から基板１２上に向けて均
一分布でガスを供給しつつ基板１２を処理するように
し、第１及び第２の天板２、３の間にガスが拡散するこ
とのない構造とすることで、第２の天板３にかかるガス
圧を抑制し、またプラズマに励起される前のプロセスガ
スに曝されることを抑制するようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体等の電子デ
バイスの製造に利用されるドライエッチング等のプラズ
マ処理装置及び方法に関し、特に真空処理室内のガスを
電磁波を用いて励起して発生させたプラズマを利用する
プラズマ処理装置及び方法に関するものである。
バイスの製造に利用されるドライエッチング等のプラズ
マ処理装置及び方法に関し、特に真空処理室内のガスを
電磁波を用いて励起して発生させたプラズマを利用する
プラズマ処理装置及び方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】真空処理室内のガスを電磁波を用いて励
起し、発生したプラズマを利用して基板を処理するプラ
ズマ処理装置においては、その誘電体からなる天板から
基板面に向けてシャワー状に均一にガスを吹き出すよう
に構成されている。
起し、発生したプラズマを利用して基板を処理するプラ
ズマ処理装置においては、その誘電体からなる天板から
基板面に向けてシャワー状に均一にガスを吹き出すよう
に構成されている。
【０００３】この種の従来のプラズマ処理装置の概略構
成を図３に示す。図３において、真空処理室２１の上壁
が誘電体から成る上側と下側の天板２２、２３にて構成
され、かつ上側の天板２２上にコイル２４が配設されて
高周波電源２５に接続されている。また、上側の天板２
２に設けたガス導入経路２６を通してガスを導入し、上
下の天板２２、２３の間に設けた溝からなるガス経路２
７、及び下側の天板２３に設けたガス吹き出し穴２８を
通して真空処理室２１内に均等な状態でガスが吹き出す
ように構成されている。
成を図３に示す。図３において、真空処理室２１の上壁
が誘電体から成る上側と下側の天板２２、２３にて構成
され、かつ上側の天板２２上にコイル２４が配設されて
高周波電源２５に接続されている。また、上側の天板２
２に設けたガス導入経路２６を通してガスを導入し、上
下の天板２２、２３の間に設けた溝からなるガス経路２
７、及び下側の天板２３に設けたガス吹き出し穴２８を
通して真空処理室２１内に均等な状態でガスが吹き出す
ように構成されている。
【０００４】真空処理室２１内のガスは、コイル２４に
高周波電源２５から高周波電力を印加することによって
発せられた電磁波により励起され、生じたプラズマによ
って真空処理室２１内の基板ステージ２９上に載置され
た基板３０が処理される。
高周波電源２５から高周波電力を印加することによって
発せられた電磁波により励起され、生じたプラズマによ
って真空処理室２１内の基板ステージ２９上に載置され
た基板３０が処理される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】一般に、プラズマ処理
を行う場合、真空処理室２１内の目的の場所に均一にプ
ラズマを生じさせることで基板上の薄膜を均一に加工す
ることができるが、そのように均一にプラズマを生成さ
せる手段としてプロセスガスを基板面に均一になるよう
に供給することが有効であるとされている。
を行う場合、真空処理室２１内の目的の場所に均一にプ
ラズマを生じさせることで基板上の薄膜を均一に加工す
ることができるが、そのように均一にプラズマを生成さ
せる手段としてプロセスガスを基板面に均一になるよう
に供給することが有効であるとされている。
【０００６】しかし、従来のガスの吹き出し方法では、
上側と下側の天板２２、２３が完全に密着していなけれ
ば両者の間に隙間が生じ、上下の天板２２、２３間に設
けた溝からなるガス経路２７以外の部分にもプロセスガ
スが流入し、そのためにプロセスガスを基板面に対して
均一に供給することが難しいという問題を引き起こして
いた。
上側と下側の天板２２、２３が完全に密着していなけれ
ば両者の間に隙間が生じ、上下の天板２２、２３間に設
けた溝からなるガス経路２７以外の部分にもプロセスガ
スが流入し、そのためにプロセスガスを基板面に対して
均一に供給することが難しいという問題を引き起こして
いた。
【０００７】また、上下の天板２２、２３間に導入した
ガスにより、下側の天板２３は常にガス圧を受けること
になり、従って下側の天板２３にはそのガス圧に耐える
ことのできる素材を選定することが要求される。天板２
３の選定に際しては、真空処理室２１内に発生させるプ
ラズマに対して耐プラズマ性のある素材を選定しなけれ
ばならず、そのために素材によってはガス圧に耐え得る
ための強度を持たせるために天板２３の板厚を大きくし
なければならない。しかしながら、天板２３の板厚を大
とした場合、コイル２４から発せられる電磁波が板厚に
比例して弱められ、真空処理室２１内に発生するプラズ
マ密度が下がるという問題があった。
ガスにより、下側の天板２３は常にガス圧を受けること
になり、従って下側の天板２３にはそのガス圧に耐える
ことのできる素材を選定することが要求される。天板２
３の選定に際しては、真空処理室２１内に発生させるプ
ラズマに対して耐プラズマ性のある素材を選定しなけれ
ばならず、そのために素材によってはガス圧に耐え得る
ための強度を持たせるために天板２３の板厚を大きくし
なければならない。しかしながら、天板２３の板厚を大
とした場合、コイル２４から発せられる電磁波が板厚に
比例して弱められ、真空処理室２１内に発生するプラズ
マ密度が下がるという問題があった。
【０００８】さらに、プラズマ処理を行う場合、処理中
に生じる副生成物等が天板に付着し、その付着物が成長
とともに天板２３より落下して基板３０表面を汚染する
のを防止する目的で、処理中に天板２３を加熱し、副生
成物の付着を防止することが有効とされている。
に生じる副生成物等が天板に付着し、その付着物が成長
とともに天板２３より落下して基板３０表面を汚染する
のを防止する目的で、処理中に天板２３を加熱し、副生
成物の付着を防止することが有効とされている。
【０００９】しかし、下側の天板２３に真空処理室２１
内に発生させるプラズマに対して耐プラズマ性のある素
材を用いても、上下の天板２２、２３間にガスを分布さ
せる構造のため、下側の天板２３はプラズマに励起され
る前のプロセスガスにも直接曝されることになり、その
ために下側の天板２３の素材がプロセスガスに対する耐
蝕性に劣っていれば、下側の天板２３はプロセスガスに
よって浸食され、天板２３を加熱することで浸食はさら
に加速されるという問題があった。
内に発生させるプラズマに対して耐プラズマ性のある素
材を用いても、上下の天板２２、２３間にガスを分布さ
せる構造のため、下側の天板２３はプラズマに励起され
る前のプロセスガスにも直接曝されることになり、その
ために下側の天板２３の素材がプロセスガスに対する耐
蝕性に劣っていれば、下側の天板２３はプロセスガスに
よって浸食され、天板２３を加熱することで浸食はさら
に加速されるという問題があった。
【００１０】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、基板
面へのガスの吹き出しを均一化できるとともに天板にか
かる負荷を抑制できて、均一に高密度なプラズマを生成
させることができ、またプラズマに励起される前のプロ
セスガスに天板が曝されるのを抑制できるプラズマ処理
装置及び方法を提供することを目的としている。
面へのガスの吹き出しを均一化できるとともに天板にか
かる負荷を抑制できて、均一に高密度なプラズマを生成
させることができ、またプラズマに励起される前のプロ
セスガスに天板が曝されるのを抑制できるプラズマ処理
装置及び方法を提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマ処理装
置は、真空処理室内にガスを供給するためのガス供給手
段と、真空処理室内を排気するための排気手段と、真空
処理室の誘電体からなる天板上に配設されたコイルとを
備え、コイルから真空処理室内に電磁波を放射すること
でプラズマを発生させ、真空処理室内の基板ステージ上
に載置された基板を処理するように構成されたプラズマ
処理装置において、天板内の１点を通過点として形成さ
れた１又は複数の空洞から成るガス主通路と天板の底面
からガス主通路に到達するように形成されたガス吹き出
し穴を通して基板面上へガスを分布する手段を設けたも
のであり、ガス圧にて天板の板面間に隙間を生じてガス
分布が不均一になるというようなことがなく、またガス
圧による負荷が天板に加わることもなく、負荷に耐える
ように板厚を大きくする必要もないので、基板上へのガ
ス分布を均等にして真空処理室内の目的の場所に均一に
かつ高密度のプラズマを生じさせることができる。
置は、真空処理室内にガスを供給するためのガス供給手
段と、真空処理室内を排気するための排気手段と、真空
処理室の誘電体からなる天板上に配設されたコイルとを
備え、コイルから真空処理室内に電磁波を放射すること
でプラズマを発生させ、真空処理室内の基板ステージ上
に載置された基板を処理するように構成されたプラズマ
処理装置において、天板内の１点を通過点として形成さ
れた１又は複数の空洞から成るガス主通路と天板の底面
からガス主通路に到達するように形成されたガス吹き出
し穴を通して基板面上へガスを分布する手段を設けたも
のであり、ガス圧にて天板の板面間に隙間を生じてガス
分布が不均一になるというようなことがなく、またガス
圧による負荷が天板に加わることもなく、負荷に耐える
ように板厚を大きくする必要もないので、基板上へのガ
ス分布を均等にして真空処理室内の目的の場所に均一に
かつ高密度のプラズマを生じさせることができる。
【００１２】また、天板を第１の天板と第２の天板から
なる２枚構成とし、第１の天板にガス主通路とガス吹き
出し穴を形成し、第２の天板にガス吹き出し穴と同じ位
置にガス吹き出し用の貫通穴を形成すると、天板を２枚
構成としても第２の天板にガス圧が作用するのを防止で
き、第２の天板の板厚を薄くできてプラズマ密度を高く
できるとともに、両天板間がプラズマに励起される前の
プロセスガスに曝されるのを抑制でき、第２の天板は耐
プラズマ性のある素材の選定を重要視すればよく、最適
な素材を選定することができる。
なる２枚構成とし、第１の天板にガス主通路とガス吹き
出し穴を形成し、第２の天板にガス吹き出し穴と同じ位
置にガス吹き出し用の貫通穴を形成すると、天板を２枚
構成としても第２の天板にガス圧が作用するのを防止で
き、第２の天板の板厚を薄くできてプラズマ密度を高く
できるとともに、両天板間がプラズマに励起される前の
プロセスガスに曝されるのを抑制でき、第２の天板は耐
プラズマ性のある素材の選定を重要視すればよく、最適
な素材を選定することができる。
【００１３】さらに、第２の天板に形成した貫通穴の口
径を、第１の天板に形成したガス吹き出し穴の口径より
も大きくすると、第２の天板にガス圧が作用するのをさ
らに確実に防止できる。
径を、第１の天板に形成したガス吹き出し穴の口径より
も大きくすると、第２の天板にガス圧が作用するのをさ
らに確実に防止できる。
【００１４】また、本発明のプラズマ処理方法は、真空
処理室内にガスを供給しながら排気して所定の圧力に制
御し、真空処理室の誘電体からなる天板上に配設された
コイルにより電磁波を放射することによって真空処理室
内にプラズマを発生させ、真空処理室内の基板ステージ
上に載置された基板を処理するプラズマ処理方法におい
て、天板内の１点を通過点として形成された１又は複数
の空洞から成るガス主通路及び天板の底面からガス主通
路に到達するように形成されたガス吹き出し穴を通して
基板面上へガスを分布しながら処理するものであり、上
記作用効果が得られる。
処理室内にガスを供給しながら排気して所定の圧力に制
御し、真空処理室の誘電体からなる天板上に配設された
コイルにより電磁波を放射することによって真空処理室
内にプラズマを発生させ、真空処理室内の基板ステージ
上に載置された基板を処理するプラズマ処理方法におい
て、天板内の１点を通過点として形成された１又は複数
の空洞から成るガス主通路及び天板の底面からガス主通
路に到達するように形成されたガス吹き出し穴を通して
基板面上へガスを分布しながら処理するものであり、上
記作用効果が得られる。
【００１５】また、好適には、天板を第１の天板と第２
の天板からなる２枚構成とし、第１の天板に形成された
ガス主通路とガス吹き出し穴を通り、第２の天板にガス
吹き出し穴と同じ位置に形成されたガス吹き出し用の貫
通穴から基板にガスを分布し、さらに第１の天板のガス
主通路からガス吹き出し穴を通ったガスを、第２の天板
の口径の大きい貫通穴から基板上に分布させることによ
り、上記作用効果が得られる。
の天板からなる２枚構成とし、第１の天板に形成された
ガス主通路とガス吹き出し穴を通り、第２の天板にガス
吹き出し穴と同じ位置に形成されたガス吹き出し用の貫
通穴から基板にガスを分布し、さらに第１の天板のガス
主通路からガス吹き出し穴を通ったガスを、第２の天板
の口径の大きい貫通穴から基板上に分布させることによ
り、上記作用効果が得られる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明のプラズマ処理装置
及び方法の一実施形態について、図１、図２を参照して
説明する。
及び方法の一実施形態について、図１、図２を参照して
説明する。
【００１７】図１において、真空処理室１の上壁が誘電
体から成る上側と下側の第１と第２の天板２、３にて構
成され、かつ第１の天板２上に多重のコイル４が配設さ
れて高周波電源５に接続されている。また、ガス導入経
路６から第１の天板２に向けてプロセスガスを供給する
ように構成されている。第１の天板２には、ガス導入経
路６に連通するように、内部の１点を通過点とする１又
は複数の空洞から成るガス主通路７が形成され、かつこ
のガス主通路７に天板２の底面から到達するようにガス
吹き出し穴８が形成されている。第２の天板３にはガス
吹き出し穴８と同じ位置にガス吹き出し用の貫通穴９が
形成されている。
体から成る上側と下側の第１と第２の天板２、３にて構
成され、かつ第１の天板２上に多重のコイル４が配設さ
れて高周波電源５に接続されている。また、ガス導入経
路６から第１の天板２に向けてプロセスガスを供給する
ように構成されている。第１の天板２には、ガス導入経
路６に連通するように、内部の１点を通過点とする１又
は複数の空洞から成るガス主通路７が形成され、かつこ
のガス主通路７に天板２の底面から到達するようにガス
吹き出し穴８が形成されている。第２の天板３にはガス
吹き出し穴８と同じ位置にガス吹き出し用の貫通穴９が
形成されている。
【００１８】ガス主通路７を構成する空洞の断面形状は
円形であっても、多角形であってもよく、その断面積は
３〜２０ｍｍ2 程度とすればよく、ガス吹き出し穴８は
例えば直径０．５〜２ｍｍ程度とすればよい。また、貫
通穴９はガス吹き出し穴８より大口径とされている。
円形であっても、多角形であってもよく、その断面積は
３〜２０ｍｍ2 程度とすればよく、ガス吹き出し穴８は
例えば直径０．５〜２ｍｍ程度とすればよい。また、貫
通穴９はガス吹き出し穴８より大口径とされている。
【００１９】真空処理室１は排気経路１０にて排気可能
に構成され、真空処理室１内の下部には基板ステージ１
１が配設され、その上に被処理物である基板１２を保持
するように構成されている。
に構成され、真空処理室１内の下部には基板ステージ１
１が配設され、その上に被処理物である基板１２を保持
するように構成されている。
【００２０】以上の構成において、基板１２の処理時に
は、基板ステージ１１上に基板１２を載置し、排気経路
１０から真空排気する。真空排気後は、ガス導入経路６
からプラズマ処理に必要なプロセスガスを導入する。プ
ロセスガスは、第１の天板２に設けたガス主経路７を通
って第１の天板２内で均等に拡がり、ガス吹き出し穴８
を通って第１及び第２の天板２、３間の境界面に一様に
到達し、第２の天板３に設けたガス吹き出し用の貫通穴
９を通って基板１２上に均一に分布される。
は、基板ステージ１１上に基板１２を載置し、排気経路
１０から真空排気する。真空排気後は、ガス導入経路６
からプラズマ処理に必要なプロセスガスを導入する。プ
ロセスガスは、第１の天板２に設けたガス主経路７を通
って第１の天板２内で均等に拡がり、ガス吹き出し穴８
を通って第１及び第２の天板２、３間の境界面に一様に
到達し、第２の天板３に設けたガス吹き出し用の貫通穴
９を通って基板１２上に均一に分布される。
【００２１】ここで、第２の天板３の貫通穴９は、第１
の天板２のガス吹き出し穴８と同じ位置に配置され、か
つガス吹き出し穴８より大口径であることにより、プロ
セスガスの導入あるいはＮ2 ガス等の不活性ガスによる
大気開放の際に、ガス吹き出し穴８から吹き出したガス
が貫通穴９から容易に通過するため、第１及び第２の天
板２、３間にガスが拡散することがない。これにより、
第２の天板３にはガス圧による負荷が発生することはな
く、負荷に耐えるように第２の天板３の板厚を厚くする
必要はなく、コイル４から真空処理室１内に伝播される
電磁波が弱められる程度を抑制できる。
の天板２のガス吹き出し穴８と同じ位置に配置され、か
つガス吹き出し穴８より大口径であることにより、プロ
セスガスの導入あるいはＮ2 ガス等の不活性ガスによる
大気開放の際に、ガス吹き出し穴８から吹き出したガス
が貫通穴９から容易に通過するため、第１及び第２の天
板２、３間にガスが拡散することがない。これにより、
第２の天板３にはガス圧による負荷が発生することはな
く、負荷に耐えるように第２の天板３の板厚を厚くする
必要はなく、コイル４から真空処理室１内に伝播される
電磁波が弱められる程度を抑制できる。
【００２２】こうして、真空処理室１内へのプロセスガ
スを導入した後、コイル４に高周波電源５から高周波電
力を印加することにより、真空処理室１内のガスがコイ
ル４から真空処理室１内に発せられた電磁波により励起
され、天板２、３の下部で生じたプラズマによって真空
処理室１内の基板ステージ１１上に載置された基板１２
が処理される。
スを導入した後、コイル４に高周波電源５から高周波電
力を印加することにより、真空処理室１内のガスがコイ
ル４から真空処理室１内に発せられた電磁波により励起
され、天板２、３の下部で生じたプラズマによって真空
処理室１内の基板ステージ１１上に載置された基板１２
が処理される。
【００２３】また、本実施形態によれば、第１及び第２
の天板２、３間にガスが拡散することがない構造のた
め、第２の天板３はプラズマに励起される前のプロセス
ガスに曝されることが抑制される。これにより、第２の
天板３がプロセスガスに浸食されることが相当量抑制で
きるため、第２の天板３の素材として、耐プラズマ性の
ある最適な素材の選定を重要視すれば良くなる。
の天板２、３間にガスが拡散することがない構造のた
め、第２の天板３はプラズマに励起される前のプロセス
ガスに曝されることが抑制される。これにより、第２の
天板３がプロセスガスに浸食されることが相当量抑制で
きるため、第２の天板３の素材として、耐プラズマ性の
ある最適な素材の選定を重要視すれば良くなる。
【００２４】また、第２の天板３に設けられる貫通穴９
の口径は、真空処理室１内でプラズマ処理中に第２の天
板３が温度上昇する場合には、第２の天板３の最高到達
温度に応じて、第１の天板２の素材と第２の天板３の素
材の線膨張係数の差を考慮して算出されている。これに
より、常温であっても、最高到達温度であっても、常に
第１の天板２のガス吹き出し穴８から吹き出したプロセ
スガスは第２の天板３の貫通穴９を容易に通過できる。
の口径は、真空処理室１内でプラズマ処理中に第２の天
板３が温度上昇する場合には、第２の天板３の最高到達
温度に応じて、第１の天板２の素材と第２の天板３の素
材の線膨張係数の差を考慮して算出されている。これに
より、常温であっても、最高到達温度であっても、常に
第１の天板２のガス吹き出し穴８から吹き出したプロセ
スガスは第２の天板３の貫通穴９を容易に通過できる。
【００２５】以上の実施形態以外にも、第１の天板２が
プラズマにて励起される前のプロセスガスに対する耐蝕
性を有し、かつ基板処理中に発生するプラズマに対して
も耐プラズマ性を有していれば、第１の天板２のみによ
る１枚構成の天板としても、基板処理を行うことができ
る。
プラズマにて励起される前のプロセスガスに対する耐蝕
性を有し、かつ基板処理中に発生するプラズマに対して
も耐プラズマ性を有していれば、第１の天板２のみによ
る１枚構成の天板としても、基板処理を行うことができ
る。
【００２６】
【発明の効果】本発明のプラズマ処理装置及び方法によ
れば、以上のように天板内の１点を通過点として天板内
に形成された１又は複数の空洞から成るガス主通路と天
板の底面からガス主通路に到達するように形成されたガ
ス吹き出し穴を通して基板面上へガスを分布するように
構成したので、ガス圧にて天板の板面間に隙間が生じて
ガス分布が不均一になるというようなことがなく、また
ガス圧による負荷が天板に加わることもなく、負荷に耐
えるように板厚を大きくする必要もないので、基板上へ
のガス分布を均等にして真空処理室内の目的の場所に均
一にかつ高密度のプラズマを生じさせることができる。
れば、以上のように天板内の１点を通過点として天板内
に形成された１又は複数の空洞から成るガス主通路と天
板の底面からガス主通路に到達するように形成されたガ
ス吹き出し穴を通して基板面上へガスを分布するように
構成したので、ガス圧にて天板の板面間に隙間が生じて
ガス分布が不均一になるというようなことがなく、また
ガス圧による負荷が天板に加わることもなく、負荷に耐
えるように板厚を大きくする必要もないので、基板上へ
のガス分布を均等にして真空処理室内の目的の場所に均
一にかつ高密度のプラズマを生じさせることができる。
【００２７】また、天板を第１の天板と第２の天板から
なる２枚構成とし、第１の天板にガス主通路とガス吹き
出し穴を形成し、第２の天板にガス吹き出し穴と同じ位
置にガス吹き出し用の貫通穴を形成すると、天板を２枚
構成としても第２の天板にガス圧が作用するのを防止で
き、第２の天板の板厚を薄くできてプラズマ密度を高く
できるとともに、両天板間がプラズマに励起される前の
プロセスガスに曝されるのを抑制でき、第２の天板は耐
プラズマ性のある素材の選定を重要視すればよく、最適
な素材を選定することができる。
なる２枚構成とし、第１の天板にガス主通路とガス吹き
出し穴を形成し、第２の天板にガス吹き出し穴と同じ位
置にガス吹き出し用の貫通穴を形成すると、天板を２枚
構成としても第２の天板にガス圧が作用するのを防止で
き、第２の天板の板厚を薄くできてプラズマ密度を高く
できるとともに、両天板間がプラズマに励起される前の
プロセスガスに曝されるのを抑制でき、第２の天板は耐
プラズマ性のある素材の選定を重要視すればよく、最適
な素材を選定することができる。
【００２８】さらに、第２の天板に形成した貫通穴の口
径を、第１の天板に形成したガス吹き出し穴の口径より
も大きくすると、第２の天板にガス圧が作用するのをさ
らに確実に防止できる。
径を、第１の天板に形成したガス吹き出し穴の口径より
も大きくすると、第２の天板にガス圧が作用するのをさ
らに確実に防止できる。
【図１】本発明の一実施形態のプラズマ処理装置の概略
構成図である。
構成図である。
【図２】同実施形態の天板におけるガス主通路、ガス吹
き出し穴及び貫通穴の配設状態の模式平面図である。
き出し穴及び貫通穴の配設状態の模式平面図である。
【図３】従来例のプラズマ処理装置の概略構成図であ
る。
る。
１ 真空処理室 ２ 第１の天板 ３ 第２の天板 ４ コイル ６ ガス導入経路 ７ ガス主通路 ８ ガス吹き出し穴 ９ 貫通穴 １０ 排気経路 １１ 基板ステージ １２ 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松田 出 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 奥村 智洋 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 三橋 章男 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F004 AA15 BA20 BB13 BB28 BB29 BC01 BC03 5F045 AA08 BB14 EB03 EB05 EE14 EF05 EF08 EF13 EH11
Claims (6)
- 【請求項１】 真空処理室内にガスを供給するためのガ
ス供給手段と、真空処理室内を排気するための排気手段
と、真空処理室の誘電体からなる天板上に配設されたコ
イルとを備え、コイルから真空処理室内に電磁波を放射
することでプラズマを発生させ、真空処理室内の基板ス
テージ上に載置された基板を処理するように構成された
プラズマ処理装置において、天板内の１点を通過点とし
て形成された１又は複数の空洞から成るガス主通路と天
板の底面からガス主通路に到達するように形成されたガ
ス吹き出し穴を通して基板面上へガスを分布する手段を
設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 天板を第１の天板と第２の天板からなる
２枚構成とし、第１の天板にガス主通路とガス吹き出し
穴を形成し、第２の天板にガス吹き出し穴と同じ位置に
ガス吹き出し用の貫通穴を形成したことを特徴とする請
求項１記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 第２の天板に形成した貫通穴の口径を、
第１の天板に形成したガス吹き出し穴の口径よりも大き
くしたことを特徴とする請求項２記載のプラズマ処理装
置。 - 【請求項４】 真空処理室内にガスを供給しながら排気
して所定の圧力に制御し、真空処理室の誘電体からなる
天板上に配設されたコイルにより電磁波を放射すること
によって真空処理室内にプラズマを発生させ、真空処理
室内の基板ステージ上に載置された基板を処理するプラ
ズマ処理方法において、天板内の１点を通過点として形
成された１又は複数の空洞から成るガス主通路及び天板
の底面からガス主通路に到達するように形成されたガス
吹き出し穴を通して基板面上へガスを分布しながら処理
することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 【請求項５】 天板を第１の天板と第２の天板からなる
２枚構成とし、第１の天板に形成されたガス主通路とガ
ス吹き出し穴を通り、第２の天板にガス吹き出し穴と同
じ位置に形成されたガス吹き出し用の貫通穴から基板に
ガスを分布することを特徴とする請求項４記載のプラズ
マ処理方法。 - 【請求項６】 第１の天板のガス主通路からガス吹き出
し穴を通ったガスを、第２の天板の口径の大きい貫通穴
から基板上に分布させることを特徴とする請求項５記載
のプラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18643999A JP3935642B2 (ja) | 1999-06-30 | 1999-06-30 | プラズマ処理装置及び方法 |
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|---|---|---|---|
| JP18643999A JP3935642B2 (ja) | 1999-06-30 | 1999-06-30 | プラズマ処理装置及び方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001015493A true JP2001015493A (ja) | 2001-01-19 |
| JP3935642B2 JP3935642B2 (ja) | 2007-06-27 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18643999A Expired - Lifetime JP3935642B2 (ja) | 1999-06-30 | 1999-06-30 | プラズマ処理装置及び方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3935642B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007083795A1 (ja) * | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Tokyo Electron Limited | プラズマ処理装置 |
| JP2011187902A (ja) * | 2010-03-11 | 2011-09-22 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| US8925351B2 (en) | 2006-01-20 | 2015-01-06 | Tokyo Electron Limited | Manufacturing method of top plate of plasma processing apparatus |
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| JPH0773997A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-03-17 | Kobe Steel Ltd | プラズマｃｖｄ装置と該装置を用いたｃｖｄ処理方法及び該装置内の洗浄方法 |
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| JP2001028299A (ja) * | 1999-05-13 | 2001-01-30 | Tokyo Electron Ltd | 誘導結合プラズマ処理装置 |
-
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- 1999-06-30 JP JP18643999A patent/JP3935642B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3935642B2 (ja) | 2007-06-27 |
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