JP3402053B2 - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法Info
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Description
グ、スパッタリング、プラズマCVD等のプラズマ処理
装置に関し、特に高周波誘導方式のプラズマ処理装置お
よびプラズマ処理方法に関するものである。
ドライエッチング技術においては高アスペクト比の加工
等を実現するために、またプラズマCVD技術において
は高アスペクト比の埋め込み等を実現するために、より
高真空でプラズマ処理を行なうことが求められている。
は、高真空において高密度プラズマを発生させると、基
板表面に形成されるイオンシース中でイオンが中性ガス
粒子等と衝突する確率が小さくなるために、イオンの方
向性が基板に向かって揃うことになる。また、処理ガス
の電離度が高いために基板に到達するイオン対中性ラジ
カルの入射粒子束の比が大きくなる。従って、エッチン
グ異方性が高められ、高アスペクト比の加工が可能とな
る。
高真空において高密度プラズマを発生させると、イオン
によるスパッタリング効果によって微細パターンの埋め
込み、平坦化作用が得られ、高アスペクト比の埋め込み
が可能になる。この高真空において高密度プラズマを発
生させることができるプラズマ処理装置の1つとして、
渦形放電コイルに高周波電圧を印加することによって真
空容器内にプラズマを発生させる高周波誘導方式のプラ
ズマ処理装置が知られている。この方式のプラズマ処理
装置は、真空容器内に高周波磁界を発生させ、その高周
波磁界によって真空容器内に誘導電界を発生させて電子
の加速を行い、プラズマを発生させるもので、コイル電
流を大きくすれば高真空においても高密度プラズマを発
生することができ、十分な処理速度を得ることができ
る。
の一例を図8に示す。図8は従来のプラズマ処理装置の
断面を示したものである。真空容器1の上壁は第1の誘
電板3で構成される。この第1の誘電板3上には図10
の平面図に示す平面状渦形放電コイル4が接着されてい
る。この平面状渦形放電コイル4に高周波電圧を印加す
るために、平面状渦形放電コイル4の中心、点Aは高周
波電源2に接続されており、また平面状渦形放電コイル
4の他端、点Bは接地されている。
気を行い、真空容器1内を適当な圧力に保つ。このとき
平面状渦形放電コイル4に高周波電圧を印加すると真空
容器1内にプラズマが発生し、電極5上に載置された基
板6に対してエッチング、堆積、表面改質等のプラズマ
処理を行うことができる。このとき高周波電源2を用い
て電極5にも高周波電圧を印加することにより、基板6
に到達するイオンエネルギーを制御することができる。
示した従来のプラズマ処理の方式では、第1の誘電板3
の内壁面のうち、中心付近がスパッタリングされ、第1
の誘電板3を構成する物質が基板6上に降り落ちたり、
基板6の表面に不純物として取り込まれてしまうという
問題点や、第1の誘電板3の寿命が短いという問題点が
あった。これは第1の誘電板3の上に配される平面状渦
形放電コイル4に印加される高周波電圧の振幅が平面状
渦形放電コイル4の中心ほど大きく、第1の誘電板3の
内壁面のうち、中心付近が大きく負に帯電するためであ
る。
理を重ねていくにつれて、第1の誘電板3に衝突する高
エネルギーイオンによる加熱で第1の誘電板3の温度が
上昇し、平面状渦形放電コイル4が加熱し、第1の誘電
板3との接着がはがれ、変形してしまうという問題があ
った。平面状渦形放電コイル4が変形すると、真空容器
1内のプラズマ分布密度が変化してしまい、処理の面内
均一性が悪化する。実験から、Arガスを用いて連続1
時間放電させると、第1の誘電板3の温度は200℃ま
で上昇することが分かっている。
コイル4をコイル固定用誘電板13に接着し、このコイ
ル固定用誘電板13を第1の誘電板3の上に設けた場
合、平面状渦形放電コイル4が膨張することによってコ
イル固定用誘電板13が割れてしまうという問題が発生
した。コイル固定用誘電板13が割れた場合は、大気中
での異常放電を引き起こすことがある。
の誘電板3の内壁面のうち、中心付近で特に発生するス
パッタリングを抑制するとともに、第1の誘電板3やコ
イル固定用誘電板13の割れや渦形コイルの変形を抑制
し、大気中で異常放電することのないプラズマ処理装置
を提供することを目的としている。
るプラズマ処理方法は、真空容器内にガスを供給しつつ
排気し、前記真空容器内を所定の圧力に制御しながら、
渦形放電コイルの中心に高周波電圧を印加することで、
前記真空容器内の電極上に配置された基板を処理するプ
ラズマ処理方法であって、前記真空容器の上壁は、平板
状の第1の誘電板で構成され、前記第1の誘電板上に配
されたセラミックで平板状の第2の誘電板とを有し、か
つ、前記第2の誘電板には、前記渦形放電コイルを配す
る渦形放電コイル固定用溝が設けられ、かつ、前記渦形
放電コイル固定用溝の溝幅は、前記渦形放電コイルの線
幅よりも若干広く、前記渦形放電コイルは前記渦形放電
コイル固定用溝にはめ込むように配されることを特徴と
する。 また、本発明の第2の発明に係るプラズマ処理装
置は、上壁が平板状の第1の誘電板で構成された真空容
器と、前記第1の誘電板上に配された平板状の第2の誘
電板と、前記第2の誘電板上に配された渦形放電コイル
と、前記渦形放電コイルの中心に接続された高周波電源
からなるプラズマ処理装置であって、前記第2の誘電板
はセラミックであり、前記第2の誘電板の前記渦形放電
コイルに対向する面には渦形放電コイル固定用溝が設け
られ、前記渦形放電コイル固定用溝の溝幅は、前記渦形
放電コイルの線幅よりも若干広く、前記渦形放電コイル
は前記渦形放電コイル固定用溝にはめ込むように配され
ることを特徴とする。
側に近いほど深くなるように施し、渦形放電コイルは、
中心に近いほど第1の誘電板の内壁面との距離が大きい
構造(以下、ドーム状渦形放電コイル)にする。これに
より、第1の誘電板の内壁面のうち、中心付近が特にス
パッタリングされることを防ぐことができる。
1から図7、および図10から図12を用いて説明す
る。 (実施の形態1) 図1および図2は実施の形態1のプラズマ処理装置の断
面図を示す図である。図1において、真空容器1内に適
当なガスを導入しつつ排気を行い、真空容器1内を適当
な圧力に保つ。真空容器1の上壁を構成する第1の誘電
板3は、内壁側が真空に接しているので、被プラズマ処
理物に有害なガスを真空中に発生することのない誘電体
を用いる必要がある。第2の誘電板として、アルミナで
構成されるセラミック板8を用いる。セラミック板8の
外壁側には、渦形放電コイル固定用溝9が、その中心に
近いほど浅くなるように加工されており、浅くなる割合
は直線的である。また、渦形放電コイル固定用溝9の溝
幅は室温時のドーム状渦形放電コイル16の線幅よりも
若干広い。
されているドーム状渦形放電コイル16は図11に示す
ように多重すなわち4つのドーム状渦形放電コイルによ
って構成されている。これら4つのドーム状渦形放電コ
イル16に高周波電圧を印加するために、それぞれのド
ーム状渦形放電コイル16の中心、点Aは高周波電源2
に接続されている。またドーム状渦形放電コイル16の
それぞれの他端、点B1ないしB4は接地されている。
を印加すると、第1の誘電板3を介して真空容器1内に
高周波電場が誘起されることにより、真空容器1内にプ
ラズマが発生し、電極5上に載置された基板6に対して
エッチング、堆積、表面改質等のプラズマ処理を行なう
ことができる。図1に示すように、電極5にも高周波電
源2により高周波電圧を印加することで、基板6に到達
するイオンエネルギーを制御することができる。
6を、ガス種及びその流量、圧力、ドーム状渦形放電コ
イル16に印加する高周波電力、電極5に印加する高周
波電力をそれぞれ、C4F8/H2=50/15scc
m、10mTorr、1000W、300Wという条件
で複数枚連続でエッチングしたところ、第1の誘電板3
に衝突する高エネルギーイオンによる加熱で第1の誘電
板3の温度が上昇し、10枚目で第1の誘電板3の温度
が200℃に達した。しかし、セラミック板8に設けた
渦形放電コイル固定用溝9の溝幅は、室温時のドーム状
渦形放電コイル16の線幅よりも若干広く、ドーム状渦
形放電コイル16は渦形放電コイル固定用溝9に、接着
せずにはめ込むように配しているため、ドーム状渦形放
電コイル16が昇温により膨張したが、セラミック板8
の割れは発生しなかった。
8の材質としてアルミナを用いた例について説明した
が、ジルコニア等、他の誘電体材料を用いても良い。ま
た、図2に示すように、セラミック板8と第1の誘電板
3の間に平面状ヒータ10を設けてもよく、この場合第
1の誘電板3の温度を安定化させ、ダスト防止、メンテ
ナンスサイクルの増大、再現性の向上を図ることができ
る。
11を用いてもよい。 (実施の形態2)図3および図6は実施の形態2のプラ
ズマ処理装置の断面図を示す図である。また、図4およ
び図5は本実施の形態のプラズマ処理装置に用いられる
快削性セラミック板の平面図である。図3に示すプラズ
マ処理装置は図1に示したプラズマ処理装置を構成する
セラミック8板を快削性セラミック板12に置き換えた
ものである。さらに、快削性セラミック板12と第1の
誘電板3との間に放電防止板15が設けられている。
面積は1400cm2である。我々の実験では、厚さは5
mmの快削性セラミック板12を用いた場合、その面積
が350cm2を超えるものであるとき、快削性セラミッ
ク板12は熱によって割れてしまうことがあることがわ
かっている。第2の誘電板である快削性セラミック板1
2が割れてしまうと、その上に配されたドーム状渦形放
電コイル16が変形し、さらに割れた箇所において異常
放電が発生してしまうという不具合が起こりうる。
防止するために、図4に示すように快削性セラミック板
12を4分割して、分割された各々の快削性セラミック
板12の面積が350cm2となるようにした。これによ
って、快削性セラミック板12の割れを防止することが
できるが、快削性セラミック板12が分割された箇所で
は異常放電が起こってしまう。そこで、快削性セラミッ
ク板12と第1の誘電板3との間に誘電体で構成される
放電防止板15を配することによって異常放電を防止し
ている。
快削性セラミック板12の面積が350cm2以下である
ときは、快削性セラミック板12が熱によって割れてし
まうことがないので、快削性セラミック板12を分割す
る必要はなく、従って放電防止板15を用いる必要もな
い。500nm厚のシリコン酸化膜付きの基板6を、ガ
ス種及びその流量、圧力、ドーム状渦形放電コイル16
に印加する高周波電力、電極5に印加する高周波電力を
それぞれ、C4F8/H2=50/15sccm、10m
Torr、1000W、300Wという条件で複数枚連
続でエッチングしたところ、第1の誘電板3に衝突する
高エネルギーイオンによる加熱で第1の誘電板3の温度
が上昇し、10枚目で第1の誘電板3の温度が200℃
に達した。しかし、快削性セラミック板12に設けた渦
形放電コイル固定用溝9の溝幅は、室温時のドーム状渦
形放電コイル16の線幅よりも若干広く、ドーム状渦形
放電コイル16は渦形放電コイル固定用溝9に、接着せ
ずにはめ込むように配しているため、ドーム状渦形放電
コイル16が昇温により膨張しても、快削性セラミック
板12の割れは発生しなかった。
と第1の誘電板3との間に平面状ヒータ10を設けるこ
とにより、第1の誘電板3の温度を安定化させ、ダスト
防止、メンテナンスサイクルの増大、再現性の向上を図
ることができる。快削性セラミック板の構成を示す平面
図5において4つのドーム状渦形放電コイル16のう
ち、1つのドーム状渦形放電コイルに着目する。このド
ーム状渦形放電コイル16に沿う溝をそれぞれ9−a、
9−b、9−c、9−d、溝の深さをそれぞれ一定値(9
−a)、(9−b)、(9−c)、(9−d)とする。ただ
し、それぞれの関係は(9−a)<(9−b)<(9−
c)<(9−d)である。このようにそれぞれの溝の深さ
を一定とし、それぞれを渦の中心から外側に向かって渦
形階段的に深く加工すれば、渦状の溝を直線的に深く加
工することに比べて溝加工のコストは小さい。
ク板12の分割数を4として説明したが、分割数は4に
限定されるものではない。なお、一般によく知られてい
る快削性セラミックとしては、三井鉱山マテリアル
(株)の「マセライト」(商標)や、住金ホトンセラミ
ック(株)の「ホトベール」(商標)等がある。
ラズマ処理装置の断面図を示す図である。実施の形態1
において、ドーム状渦形放電コイル16の上方に、図7
に示すような第3の誘電板14を設けた構成とすれば、
ドーム状渦形放電コイル16が熱によって若干変形して
も、ドーム状渦形放電コイル16が渦形放電コイル用溝
9から浮き上がってしまうことを防止することができ
る。
形放電コイル16として、多重のドーム状渦形放電コイ
ルを用いたが、図12(a)または(b)に示すような一
部多重のドーム状渦形放電コイル、あるいは多重ではな
い単一のドーム状渦形放電コイル、すなわち図10の平
面図に示した平面状渦形放電コイル4をドーム状とした
ものを用いてもよい。
空容器内にガスを供給しつつ排気し、前記真空容器内を
所定の圧力に制御しながら、渦形放電コイルの中心に高
周波電圧を印加することで、前記真空容器内の電極上に
配置された基板を処理するプラズマ処理方法であって、
前記真空容器の上壁は、平板状の第1の誘電板で構成さ
れ、前記第1の誘電板上に配されたセラミックで平板状
の第2の誘電板とを有し、かつ、前記第2の誘電板に
は、前記渦形放電コイルを配する渦形放電コイル固定用
溝が設けられ、かつ、前記渦形放電コイル固定用溝の溝
幅は、前記渦形放電コイルの線幅よりも若干広く、前記
渦形放電コイルは前記渦形放電コイル固定用溝にはめ込
むように配されることにより、誘電体から伝導する熱に
よって渦形放電コイルが線方向に膨張し、渦形放電コイ
ルが半径方向に膨らんでも、第2の誘電板が割れること
を防止することができることから、真空容器内に安定し
たプラズマを発生させることが固定できる。 また、本発
明のプラズマ処理装置によれば、上壁が平板状の第1の
誘電板で構成された真空容器と、前記第1の誘電板上に
配された平板状の第2の誘電板と、前記第2の誘電板上
に配された渦形放電コイルと、前記渦形放電コイルの中
心に接続された高周波電源からなるプラズマ処理装置で
あって、前記第2の誘電板はセラミックであり、前記第
2の誘電板の前記渦形放電コイルに対向する面には渦形
放電コイル固定用溝が設けられ、前記渦形放電コイル固
定用溝の溝幅は、前記渦形放電コイルの線幅よりも若干
広く、前記渦形放電コイルは前記渦形放電コイル固定用
溝にはめ込むように配されることにより、誘電体から伝
導する熱によって渦形放電コイルが線方向に膨張し、渦
形放電コイルが半径方向に膨らんでも、第2の誘電板が
割れることを防止し、渦形放電コイルを安定的に固定で
きる。
側に近いほど深くなるように施し、前記渦形放電コイル
をドーム状とすることにより、第1の誘電板の内壁面の
うち、中心付近が特にスパッタリングされることを防ぐ
ことができる。
面図
の構成例を示す断面図
面図
ラミック板の平面図
の構成例を示す断面図
成を示す断面図
面図
放電コイルの平面図
Claims (12)
- 【請求項1】 真空容器内にガスを供給しつつ排気し、
前記真空容器内を所定の圧力に制御しながら、渦形放電
コイルの中心に高周波電圧を印加することで、前記真空
容器内の電極上に配置された基板を処理するプラズマ処
理方法であって、 前記真空容器の上壁は、平板状の第1の誘電板で構成さ
れ、前記第1の誘電板上に配されたセラミックで平板状
の第2の誘電板とを有し、かつ、前記第2の誘電板に
は、前記渦形放電コイルを配する渦形放電コイル固定用
溝が設けられ、かつ、前記渦形放電コイル固定用溝の溝
幅は、前記渦形放電コイルの線幅よりも若干広く、前記
渦形放電コイルは前記渦形放電コイル固定用溝にはめ込
むように配されることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 【請求項2】 上壁が平板状の第1の誘電板で構成され
た真空容器と、前記第1の誘電板上に配された平板状の
第2の誘電板と、前記第2の誘電板上に配された渦形放
電コイルと、前記渦形放電コイルの中心に接続された高
周波電源からなるプラズマ処理装置であって、 前記第2の誘電板はセラミックであり、前記第2の誘電
板の前記渦形放電コイルに対向する面には渦形放電コイ
ル固定用溝が設けられ、前記渦形放電コイル固定用溝の
溝幅は、前記渦形放電コイルの線幅よりも若干広く、前
記渦形放電コイルは前記渦形放電コイル固定用溝にはめ
込むように配されることを特徴とするプラズマ処理装
置。 - 【請求項3】 渦形放電コイル固定用溝は、渦形放電コ
イルの渦の外側に近いほど深く、前記渦形放電コイル
は、その中心に近いほど前記第1の誘電板の内壁面との
距離が大きくなるように構成されることを特徴とする請
求項2記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項4】 渦形放電コイル固定用溝は、渦形放電コ
イルの渦の外側に近いほど深く、その深くなる割合は一
定であることを特徴とする請求項3記載のプラズマ処理
装置。 - 【請求項5】 渦形放電コイル固定用溝は、渦形放電コ
イルの渦の外側に近いほど段階的に深くなるように構成
されることを特徴とする請求項3記載のプラズマ処理装
置。 - 【請求項6】 第2の誘電板は複数に分割され、前記第
2の誘電板と前記第1の誘電板との間に放電防止板が配
されることを特徴とする請求項2から請求項5の何れか
1項に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項7】 放電防止板の厚さが5mm以下であるこ
とを特徴とする請求項6記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項8】 第2の誘電板の厚さが5mm以下である
ことを特徴とする請求項1から請求項7の何れか1項に
記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項9】 第1の誘電板を加熱する手段を設けたこ
とを特徴とする請求項2から請求項8の何れか1項に記
載のプラズマ処理装置。 - 【請求項10】 渦形放電コイルは、渦形放電コイル固
定用溝の底部に密着され、第2及び第3の誘電板との間
に挟み込まれた構成であることを特徴とする請求項2記
載のプラズマ処理装置。 - 【請求項11】 渦形放電コイルは、渦形放電コイル固
定用溝の底部に密着され、第2及び第3の誘電板との間
に挟み込まれた構成のプラズマ処理装置であって、前記
第3の誘電板の前記渦形放電コイルに対向する面が凹面
であることを特徴とする請求項3から請求項9の何れか
1項に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項12】 渦形放電コイルの一部または全部が多
重の渦形であることを特徴とする請求項2から請求項1
1の何れか1項に記載のプラズマ処理装置。
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