JP2001006594A - ライナーチューブ及びそれを有する荷電粒子線装置 - Google Patents
ライナーチューブ及びそれを有する荷電粒子線装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高価な装置を開発する必要はなく、大気圧に
押し潰される恐れもない等の利点を有するライナーチュ
ーブを提供する。 【解決手段】 本ライナーチューブ4は、セラミックス
製の筒体と、その内面に形成されたメタライズ層及び白
金メッキ層12を有する。セラミックス製の筒体は絶縁
体であって高周波の交番磁界を遮蔽することがないた
め、ライナーチューブ外側の電磁レンズや電磁偏向器の
作用を妨害しない。メタライズ層は、ライナーチューブ
内面の帯電を防止し、有害な電界の発生を防止できる。
白金メッキ層の存在により、ライナーチューブ表面にコ
ンタミネーションが成長しにくい。
押し潰される恐れもない等の利点を有するライナーチュ
ーブを提供する。 【解決手段】 本ライナーチューブ4は、セラミックス
製の筒体と、その内面に形成されたメタライズ層及び白
金メッキ層12を有する。セラミックス製の筒体は絶縁
体であって高周波の交番磁界を遮蔽することがないた
め、ライナーチューブ外側の電磁レンズや電磁偏向器の
作用を妨害しない。メタライズ層は、ライナーチューブ
内面の帯電を防止し、有害な電界の発生を防止できる。
白金メッキ層の存在により、ライナーチューブ表面にコ
ンタミネーションが成長しにくい。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線露光装置等
の光学鏡筒体内に配置されるライナーチューブに関す
る。また、そのようなライナーチューブを有する荷電粒
子線装置に関する。特には、最小線幅0.1μm 以下の
高密度パターンを高スループットで形成することを企図
した電子線転写露光装置に適したライナーチューブに関
する。
の光学鏡筒体内に配置されるライナーチューブに関す
る。また、そのようなライナーチューブを有する荷電粒
子線装置に関する。特には、最小線幅0.1μm 以下の
高密度パターンを高スループットで形成することを企図
した電子線転写露光装置に適したライナーチューブに関
する。
【0002】
【従来の技術】電子線露光装置においては、光軸周辺の
電子線光路を真空雰囲気に保つためのライナーチューブ
が光学鏡筒内に設けられており、このライナーチューブ
の外側に電磁レンズや電磁偏向器が配置されている。こ
のようなライナーチューブの具体的な材質・構造とし
て、セラミックス筒体の内面にTiや白金をスパッタコ
ーティングしたものや、Ti等の高抵抗金属を薄く削っ
たもの等が公知である(特開昭57−68027、57
−88660、57−92745、59−5742
5)。
電子線光路を真空雰囲気に保つためのライナーチューブ
が光学鏡筒内に設けられており、このライナーチューブ
の外側に電磁レンズや電磁偏向器が配置されている。こ
のようなライナーチューブの具体的な材質・構造とし
て、セラミックス筒体の内面にTiや白金をスパッタコ
ーティングしたものや、Ti等の高抵抗金属を薄く削っ
たもの等が公知である(特開昭57−68027、57
−88660、57−92745、59−5742
5)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述の従来技術のう
ち、スパッタコーティングによるものは、通常のスパッ
タコーティング装置は筒体内面にコーティングするのに
は適していないので、専用の装置を開発する必要があり
高価となる。一方、Tiを薄く削る方法は、加工コスト
がかかる。また、どこかに薄すぎるところがあると、ラ
イナーチューブが大気圧で押し潰される恐れがある。さ
らに、ライナーチューブの内側に開口を設ける必要があ
る場合には、上記の二つの技術ではライナーチューブを
2分割する必要があり構造が複雑になる。その場合、真
空機器の表面積が増える等の問題があった。
ち、スパッタコーティングによるものは、通常のスパッ
タコーティング装置は筒体内面にコーティングするのに
は適していないので、専用の装置を開発する必要があり
高価となる。一方、Tiを薄く削る方法は、加工コスト
がかかる。また、どこかに薄すぎるところがあると、ラ
イナーチューブが大気圧で押し潰される恐れがある。さ
らに、ライナーチューブの内側に開口を設ける必要があ
る場合には、上記の二つの技術ではライナーチューブを
2分割する必要があり構造が複雑になる。その場合、真
空機器の表面積が増える等の問題があった。
【0004】本発明はこのような従来の問題点に鑑みて
なされたもので、高価な装置を開発する必要はなく、大
気圧に押し潰される恐れもない、あるいは途中に開口を
設けることもできる等の利点を有するライナーチューブ
を提供することを目的とする。また、そのようなライナ
ーチューブを備える荷電粒子線装置を提供することを目
的とする。
なされたもので、高価な装置を開発する必要はなく、大
気圧に押し潰される恐れもない、あるいは途中に開口を
設けることもできる等の利点を有するライナーチューブ
を提供することを目的とする。また、そのようなライナ
ーチューブを備える荷電粒子線装置を提供することを目
的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】上
記課題を解決するため、本発明のライナーチューブは、
荷電粒子線光学鏡筒内に配置されるライナーチューブで
あって;セラミックス製の筒体と、筒体の内面に形成さ
れたメタライズ層と、を有することを特徴とする。
記課題を解決するため、本発明のライナーチューブは、
荷電粒子線光学鏡筒内に配置されるライナーチューブで
あって;セラミックス製の筒体と、筒体の内面に形成さ
れたメタライズ層と、を有することを特徴とする。
【0006】セラミックス製の筒体は絶縁体であって高
周波の交番磁界を遮蔽することがないため、ライナーチ
ューブ外側の電磁レンズや電磁偏向器の作用を妨害しな
い。メタライズ層は、ライナーチューブ内面の帯電を防
止し、有害な電界の発生を防止できる。なお、本明細書
においてメタライズ層とは、金属層をセラミックス表面
に焼き付けた層という意味であって、スパッタコーティ
ングのような方法によりセラミックス表面に形成した金
属層を含まぬものである。
周波の交番磁界を遮蔽することがないため、ライナーチ
ューブ外側の電磁レンズや電磁偏向器の作用を妨害しな
い。メタライズ層は、ライナーチューブ内面の帯電を防
止し、有害な電界の発生を防止できる。なお、本明細書
においてメタライズ層とは、金属層をセラミックス表面
に焼き付けた層という意味であって、スパッタコーティ
ングのような方法によりセラミックス表面に形成した金
属層を含まぬものである。
【0007】本発明のライナーチューブにおいては、上
記メタライズ層の内面に形成された白金メッキ層をさら
に有することが好ましい。白金メッキ層の存在により、
ライナーチューブ表面にコンタミネーションが成長しに
くい。また、コンタミネーション除去のための酸素ラジ
カル洗浄を行うときに酸化されにくい。
記メタライズ層の内面に形成された白金メッキ層をさら
に有することが好ましい。白金メッキ層の存在により、
ライナーチューブ表面にコンタミネーションが成長しに
くい。また、コンタミネーション除去のための酸素ラジ
カル洗浄を行うときに酸化されにくい。
【0008】また、本発明のライナーチューブにおいて
は、上記メタライズ層がチタンを含むことを特徴とす
る。Tiは金属中で電気抵抗が比較的高いため、高周波
の交番磁界中では渦電流の発生が多くなく、多少メタラ
イズ層の厚みが大きくなってもライナーチューブとして
使用することができる。また、白金メッキを行う場合
は、メタライズ層にメッキが付着しやすくなる。
は、上記メタライズ層がチタンを含むことを特徴とす
る。Tiは金属中で電気抵抗が比較的高いため、高周波
の交番磁界中では渦電流の発生が多くなく、多少メタラ
イズ層の厚みが大きくなってもライナーチューブとして
使用することができる。また、白金メッキを行う場合
は、メタライズ層にメッキが付着しやすくなる。
【0009】また、本発明のライナーチューブにおいて
は、上記筒体がAlN又は高熱伝導SiCからなること
を特徴とする。AlN、例えば95〜99.5%のもの
は、熱伝導率が60〜170W/m °K程度である。ま
た、高熱伝導SiC、例えば日立製作所社製ヒタセラム
SC−101は、熱伝導率が270W/m °K 程度であ
る。この場合、高加速電圧のビームを用いた場合にも効
率よく熱を外部に逃せるので、ライナーチューブの温度
上昇に伴う問題点(ガス放出、レンズや偏向器の温度変
動等)を回避できる。
は、上記筒体がAlN又は高熱伝導SiCからなること
を特徴とする。AlN、例えば95〜99.5%のもの
は、熱伝導率が60〜170W/m °K程度である。ま
た、高熱伝導SiC、例えば日立製作所社製ヒタセラム
SC−101は、熱伝導率が270W/m °K 程度であ
る。この場合、高加速電圧のビームを用いた場合にも効
率よく熱を外部に逃せるので、ライナーチューブの温度
上昇に伴う問題点(ガス放出、レンズや偏向器の温度変
動等)を回避できる。
【0010】また、本発明の他の態様のライナーチュー
ブは、チューブ内面に段部を有し、この段部に開口板が
配置されており、該開口板がスポット的にロウ材でチュ
ーブに固定されていることを特徴とする。開口板として
は、差動排気用の開口板や、ビーム成形用・トリム用の
開口板がある。渦電流による偏向磁場の遅れも問題なく
できる。このロウ付けは真空封止を行うのではなく単に
開口が外れないようにするもので十分であるので量は少
なくてよい。
ブは、チューブ内面に段部を有し、この段部に開口板が
配置されており、該開口板がスポット的にロウ材でチュ
ーブに固定されていることを特徴とする。開口板として
は、差動排気用の開口板や、ビーム成形用・トリム用の
開口板がある。渦電流による偏向磁場の遅れも問題なく
できる。このロウ付けは真空封止を行うのではなく単に
開口が外れないようにするもので十分であるので量は少
なくてよい。
【0011】本発明の荷電粒子線装置は、請求項1〜5
のいずれか1項記載のライナーチューブと、その外側に
配置された電磁レンズ又は電磁偏向器とを具備すること
を特徴とする。
のいずれか1項記載のライナーチューブと、その外側に
配置された電磁レンズ又は電磁偏向器とを具備すること
を特徴とする。
【0012】以下、図面を参照しつつ説明する。図1
は、本発明の1実施例に係るライナーチューブの断面図
である。このライナーチューブ4は、全体として中空円
筒状のものであって、大径部分4aと細径部分4c及び
両者を結ぶ段部4bを有する。各部は、セラミックス製
の筒体の内面にチタンメタライズ層+白金メッキ層12
を有する。このライナーチューブ4の内孔は電子線の光
路となる。
は、本発明の1実施例に係るライナーチューブの断面図
である。このライナーチューブ4は、全体として中空円
筒状のものであって、大径部分4aと細径部分4c及び
両者を結ぶ段部4bを有する。各部は、セラミックス製
の筒体の内面にチタンメタライズ層+白金メッキ層12
を有する。このライナーチューブ4の内孔は電子線の光
路となる。
【0013】段部4bの上には、白金製の開口板13が
置かれている。この開口板13の中央部には電子線の通
過する開口13aが開けられている。この開口13aの
端部は、ロウ材14を用いてロウ付け固定されている。
このロウ付けは真空封止を行う必要はなく、機械的に固
定されていれば十分なのでロウ材は最小限として、問題
となるほどの渦電流の発生は生じない。
置かれている。この開口板13の中央部には電子線の通
過する開口13aが開けられている。この開口13aの
端部は、ロウ材14を用いてロウ付け固定されている。
このロウ付けは真空封止を行う必要はなく、機械的に固
定されていれば十分なのでロウ材は最小限として、問題
となるほどの渦電流の発生は生じない。
【0014】このライナーチューブの製造方法について
説明する。セラミック製筒体としてAl2 O3 を用い、
その内面にチタンメタライズを行う。
説明する。セラミック製筒体としてAl2 O3 を用い、
その内面にチタンメタライズを行う。
【0015】図2は、図1のライナーチューブを白金メ
ッキする方法の説明図である。ライナーチューブ4の内
面は、上述のようにチタンでメタライズされている。こ
の円筒の内孔4dに白金棒3を入れ、白金棒電極が円筒
内部のほぼ中心に固定するため、絶縁物の冶具2、5で
固定する。そして、全体をメッキ液6に浸してメッキ用
電源1に接続し、電流を流して白金メッキを行う。段部
4bにも十分メッキされるよう白金電極のしかるべき所
には白金円板7を設ける。ライナーチューブが長い場合
にはメッキ液が十分供給されるようプロペラ8でメッキ
液を流動させる。メッキは約10μm の厚さとする。
ッキする方法の説明図である。ライナーチューブ4の内
面は、上述のようにチタンでメタライズされている。こ
の円筒の内孔4dに白金棒3を入れ、白金棒電極が円筒
内部のほぼ中心に固定するため、絶縁物の冶具2、5で
固定する。そして、全体をメッキ液6に浸してメッキ用
電源1に接続し、電流を流して白金メッキを行う。段部
4bにも十分メッキされるよう白金電極のしかるべき所
には白金円板7を設ける。ライナーチューブが長い場合
にはメッキ液が十分供給されるようプロペラ8でメッキ
液を流動させる。メッキは約10μm の厚さとする。
【0016】次に、図1に示すように、白金メッキを行
ったライナーチューブ4の大径側4aを上にし、白金製
開口13を落とし込む。白金製開口13の周辺部には、
予め銀と銅の合金でできたロウ材14をごく少量2ヵ所
に配置しておく。開口板13が正規の位置に収まったの
を確認して、水素炉に入れ、外部から高周波加熱によっ
て開口板とライナーチューブをロウ付けを行う。
ったライナーチューブ4の大径側4aを上にし、白金製
開口13を落とし込む。白金製開口13の周辺部には、
予め銀と銅の合金でできたロウ材14をごく少量2ヵ所
に配置しておく。開口板13が正規の位置に収まったの
を確認して、水素炉に入れ、外部から高周波加熱によっ
て開口板とライナーチューブをロウ付けを行う。
【0017】図3は、本発明の一実施例に係る電子線転
写露光装置の光学系の全体構成を示す模式的断面図であ
る。図の最上部には電子銃のカソード113が示されて
いる。このカソード113は電子放出面113aを有す
る。このカソード113には負の高電圧(Vk、一例−
60KV)が印加される。電子放出面113aからは中空
ビームを放出する。
写露光装置の光学系の全体構成を示す模式的断面図であ
る。図の最上部には電子銃のカソード113が示されて
いる。このカソード113は電子放出面113aを有す
る。このカソード113には負の高電圧(Vk、一例−
60KV)が印加される。電子放出面113aからは中空
ビームを放出する。
【0018】カソード113の下方にはアノードを兼ね
る照明レンズ系のライナーチューブ117が配置されて
いる。ライナーチューブ117は上端につばのついた中
空円筒形をしており、本体は絶縁材であるセラミックス
製である。ライナーチューブ117の上端面(つば部の
上面)と内面には金属膜117a(チタンメタライズ層
プラス白金メッキ)がコーティングされている。この金
属膜117aには、正の高電圧(一例+40KV)が印加
される。ライナーチューブ117の上端面の金属膜11
7aは、電子銃のアノードの役割をする。なお、この例
におけるカソード113とアノード117a間の加速電
圧は40−(−60)=100KVである。
る照明レンズ系のライナーチューブ117が配置されて
いる。ライナーチューブ117は上端につばのついた中
空円筒形をしており、本体は絶縁材であるセラミックス
製である。ライナーチューブ117の上端面(つば部の
上面)と内面には金属膜117a(チタンメタライズ層
プラス白金メッキ)がコーティングされている。この金
属膜117aには、正の高電圧(一例+40KV)が印加
される。ライナーチューブ117の上端面の金属膜11
7aは、電子銃のアノードの役割をする。なお、この例
におけるカソード113とアノード117a間の加速電
圧は40−(−60)=100KVである。
【0019】この電子線転写露光装置の照明光学系は合
計3個のレンズ(第1コンデンサレンズ123、第2コ
ンデンサレンズ129、照明レンズ133)を備える。
各レンズ123、129、133は、断面が内向きコの
字状で回転対称中空形の磁極123a、129a、13
3aを存する。各磁極は各レンズの磁気回路を構成す
る。各磁極123a、129a、133aの内側には、
コイルを光軸周りに巻いた励磁コイル(×印の部分)が
配置されている。
計3個のレンズ(第1コンデンサレンズ123、第2コ
ンデンサレンズ129、照明レンズ133)を備える。
各レンズ123、129、133は、断面が内向きコの
字状で回転対称中空形の磁極123a、129a、13
3aを存する。各磁極は各レンズの磁気回路を構成す
る。各磁極123a、129a、133aの内側には、
コイルを光軸周りに巻いた励磁コイル(×印の部分)が
配置されている。
【0020】各レンズ123、129、133の内径に
は上述のライナーチューブ117が嵌め込まれている。
第1コンデンサレンズ123の内側の下部にはブランキ
ング偏向器125が配置されている。ライナーチューブ
117内側における、第2コンデンサレンズ129の上
磁極と同じ高さ位置には成形開口127が配置されてい
る。同じくライナーチューブ117内側における、照明
レンズ133の上磁極と同じ高さ位置にはブランキング
開口131が配置されている。
は上述のライナーチューブ117が嵌め込まれている。
第1コンデンサレンズ123の内側の下部にはブランキ
ング偏向器125が配置されている。ライナーチューブ
117内側における、第2コンデンサレンズ129の上
磁極と同じ高さ位置には成形開口127が配置されてい
る。同じくライナーチューブ117内側における、照明
レンズ133の上磁極と同じ高さ位置にはブランキング
開口131が配置されている。
【0021】照明レンズ33の内周部にはフェライトス
タック135が嵌め込まれており、さらにその内側には
照明ビーム偏向器137が嵌め込まれている。フェライ
トスタック135は、絶縁物リングとフェライトリング
を交互に積み重ねたものであり、その内側の偏向器13
7の高周波磁気が外に漏れないようにシールドする。偏
向器137は、ライナーチューブ117の外周部に光軸
方向に5段設けられている。照明レンズ133の磁極1
33aの内周部にはフェライト磁極139が配置されて
いる。
タック135が嵌め込まれており、さらにその内側には
照明ビーム偏向器137が嵌め込まれている。フェライ
トスタック135は、絶縁物リングとフェライトリング
を交互に積み重ねたものであり、その内側の偏向器13
7の高周波磁気が外に漏れないようにシールドする。偏
向器137は、ライナーチューブ117の外周部に光軸
方向に5段設けられている。照明レンズ133の磁極1
33aの内周部にはフェライト磁極139が配置されて
いる。
【0022】照明光学系の作用について説明する。第1
コンデンサレンズ123は、カソード113の電子放出
面113aからでた電子線の作るクロスオーバ像を成形
開口127に結像させる。同成形開口127は照明ビー
ムの外形を成形し、マスク上の1つの単位露光パターン
領域(サブフィールド)を照明する形状・寸法とする
(例えばマスク上で1辺1mm強の正方形)。ブランキン
グ偏向器125は、マスク151に照明ビームを当てた
くない時に電子線を偏向してブランキング開口131の
開口板に当ててビームを遮断する。
コンデンサレンズ123は、カソード113の電子放出
面113aからでた電子線の作るクロスオーバ像を成形
開口127に結像させる。同成形開口127は照明ビー
ムの外形を成形し、マスク上の1つの単位露光パターン
領域(サブフィールド)を照明する形状・寸法とする
(例えばマスク上で1辺1mm強の正方形)。ブランキン
グ偏向器125は、マスク151に照明ビームを当てた
くない時に電子線を偏向してブランキング開口131の
開口板に当ててビームを遮断する。
【0023】第2コンデンサレンズ129は、ブランキ
ング開口131の位置にクロスオーバを結像する。照明
レンズ133は、成形開口127の像をマスク151上
に結像する。照明レンズ133内の照明ビーム偏向器1
37は、光軸垂直面内で照明ビームを高速で偏向する。
この偏向によりマスク151上に多数形成されている多
数のサブフィールドを順次照明する。なお、マスクを載
置するステージとウエハを載置するステージを走査すれ
ば、光学系の視野を超える広い領域を露光することもで
きる。
ング開口131の位置にクロスオーバを結像する。照明
レンズ133は、成形開口127の像をマスク151上
に結像する。照明レンズ133内の照明ビーム偏向器1
37は、光軸垂直面内で照明ビームを高速で偏向する。
この偏向によりマスク151上に多数形成されている多
数のサブフィールドを順次照明する。なお、マスクを載
置するステージとウエハを載置するステージを走査すれ
ば、光学系の視野を超える広い領域を露光することもで
きる。
【0024】照明レンズ133の下には、マスク151
が配置されている。マスク151にはウエハに転写する
パターンが形成されている。マスク151には正の高電
圧(例えば60KV)が印加される。電子銃カソード11
3とマスク151の間にかかる加速電圧は+60KV−
(−60KV)=120KVである。マスク151と照明光
学系のライナーチューブ117との間の電圧差は+60
KV−40KV=20KVである。
が配置されている。マスク151にはウエハに転写する
パターンが形成されている。マスク151には正の高電
圧(例えば60KV)が印加される。電子銃カソード11
3とマスク151の間にかかる加速電圧は+60KV−
(−60KV)=120KVである。マスク151と照明光
学系のライナーチューブ117との間の電圧差は+60
KV−40KV=20KVである。
【0025】マスク151とウエハ191の間には、2
段の投影レンズ(第1投影レンズ159、第2投影レン
ズ173)を備える投影光学系が備えられている。これ
らの投影レンズ159、173によって、マスク上のパ
ターンが縮小(例えば1/4)されてウエハ上に転写さ
れる。なお、この露光装置では、露光はマスクのサブフ
ィールド毎に行われ、サブフィールドの像はウエハ上の
しかるべき位置に投影される。各投影レンズ159、1
73は、断面が内向きコの字状で回転対称中空形の磁極
を存する。各磁極は各レンズの磁気回路を構成する。各
磁極の内側には、コイルを光軸周りに巻いた励磁コイル
(×印の部分)が配置されている。
段の投影レンズ(第1投影レンズ159、第2投影レン
ズ173)を備える投影光学系が備えられている。これ
らの投影レンズ159、173によって、マスク上のパ
ターンが縮小(例えば1/4)されてウエハ上に転写さ
れる。なお、この露光装置では、露光はマスクのサブフ
ィールド毎に行われ、サブフィールドの像はウエハ上の
しかるべき位置に投影される。各投影レンズ159、1
73は、断面が内向きコの字状で回転対称中空形の磁極
を存する。各磁極は各レンズの磁気回路を構成する。各
磁極の内側には、コイルを光軸周りに巻いた励磁コイル
(×印の部分)が配置されている。
【0026】各レンズ159、173の内周にはライナ
ーチューブ155及び177が嵌め込まれている。ライ
ナーチューブ155、177は、上端又は下端につばの
ついた中空円筒形をしており、本体は絶縁材であるセラ
ミックス製である。上のライナーチューブ155の上端
面(つば部の上面)と内面には金属膜155aがコーテ
ィングされている。一方、下のライナーチューブ177
の下端面と内面にも金属膜177aがコーティングされ
ている。これらの金属膜155a、177aには、正の
高電圧(一例+40KV)が印加される。
ーチューブ155及び177が嵌め込まれている。ライ
ナーチューブ155、177は、上端又は下端につばの
ついた中空円筒形をしており、本体は絶縁材であるセラ
ミックス製である。上のライナーチューブ155の上端
面(つば部の上面)と内面には金属膜155aがコーテ
ィングされている。一方、下のライナーチューブ177
の下端面と内面にも金属膜177aがコーティングされ
ている。これらの金属膜155a、177aには、正の
高電圧(一例+40KV)が印加される。
【0027】ライナーチューブ155の下端部内面には
コントラスト開口171が配置されている。このコント
ラスト開口171の置かれている位置は、マスクとウエ
ハ間を縮小率で内分する点であり、照明系の電子銃のク
ロスオーバの像が形成される点でもある。コントラスト
開口171は、マスク151の非パターン部で散乱され
た電子線を遮断する。
コントラスト開口171が配置されている。このコント
ラスト開口171の置かれている位置は、マスクとウエ
ハ間を縮小率で内分する点であり、照明系の電子銃のク
ロスオーバの像が形成される点でもある。コントラスト
開口171は、マスク151の非パターン部で散乱され
た電子線を遮断する。
【0028】第1投影レンズ159の内周部の上下磁極
157の間のレンズ励磁コイルの内側には、絶縁物リン
グとフェライトリングとを積み重ねたフェライトスタッ
ク161が嵌め込まれている。このフェライトスタック
161は、その内側の諸コイルの高周波磁気が外に洩れ
ないようにシールするためのものである。上下磁極15
7の内径(ボーア径)はフェライトスタック161の内
径より小さく形成されている。
157の間のレンズ励磁コイルの内側には、絶縁物リン
グとフェライトリングとを積み重ねたフェライトスタッ
ク161が嵌め込まれている。このフェライトスタック
161は、その内側の諸コイルの高周波磁気が外に洩れ
ないようにシールするためのものである。上下磁極15
7の内径(ボーア径)はフェライトスタック161の内
径より小さく形成されている。
【0029】フェライトスタック161の内側には、4
段の収差補正用偏向器163、非点補正コイル165、
ダイナミックフォーカスコイル兼倍率・回転補正用コイ
ル166が配置されている。収差補正用偏向器163
は、3次の幾何光学収差を除去する(T. Hosokawa, Opt
ik, 56, No.1 (1980) 21-30 参照)。非点補正コイル1
65は非点収差補正用のコイルである。ダイナミックフ
ォーカスコイル兼倍率・回転補正用コイル166は投影
レンズ12の焦点調整を行うとともに、回転調整と倍率
調整を行う。
段の収差補正用偏向器163、非点補正コイル165、
ダイナミックフォーカスコイル兼倍率・回転補正用コイ
ル166が配置されている。収差補正用偏向器163
は、3次の幾何光学収差を除去する(T. Hosokawa, Opt
ik, 56, No.1 (1980) 21-30 参照)。非点補正コイル1
65は非点収差補正用のコイルである。ダイナミックフ
ォーカスコイル兼倍率・回転補正用コイル166は投影
レンズ12の焦点調整を行うとともに、回転調整と倍率
調整を行う。
【0030】第2投影レンズ173は、基本的には、第
1投影レンズ159を相似形に縮小率(一例で1/4)
で小形化し倒立させた形をしている。さらに以下の対称
磁気ダブレットの条件を満たすよう構成されている。す
なわち、クロスオーバC.O.から両レンズの磁極までの距
離、ボーア径(磁極内径)比、レンズギャップ(磁極の
光軸方向高さ)比を、第1投影レンズ159と第2投影
レンズ173で4:1としている。
1投影レンズ159を相似形に縮小率(一例で1/4)
で小形化し倒立させた形をしている。さらに以下の対称
磁気ダブレットの条件を満たすよう構成されている。す
なわち、クロスオーバC.O.から両レンズの磁極までの距
離、ボーア径(磁極内径)比、レンズギャップ(磁極の
光軸方向高さ)比を、第1投影レンズ159と第2投影
レンズ173で4:1としている。
【0031】第2投影レンズ173の内径部には、第1
投影レンズ同様に、4段の収差補正偏向器183及び非
点補正コイル185、ダイナミックフォーカスコイル兼
倍率・回転補正用コイル186が配置されている。両レ
ンズ内の収差補正偏向器及び諸コイルは、クロスオーバ
C.O.を中心として相似点対称に配置されている。各ペア
をなす偏向器、コイルは、それぞれ一台の制御電源(図
示されず)に直列に接続されている。
投影レンズ同様に、4段の収差補正偏向器183及び非
点補正コイル185、ダイナミックフォーカスコイル兼
倍率・回転補正用コイル186が配置されている。両レ
ンズ内の収差補正偏向器及び諸コイルは、クロスオーバ
C.O.を中心として相似点対称に配置されている。各ペア
をなす偏向器、コイルは、それぞれ一台の制御電源(図
示されず)に直列に接続されている。
【0032】この実施例の投影光学系では、第1投影レ
ンズ159と第2投影レンズ173の間のコントラスト
開口171の位置にも非点補正コイル181が配置され
ている。
ンズ159と第2投影レンズ173の間のコントラスト
開口171の位置にも非点補正コイル181が配置され
ている。
【0033】第2の投影レンズ173の下にはウエハ
(感応基板)191が配置されている。ウエハ191の
上にはレジストが塗布されており、そのレジストに電子
線ドーズが与えられてマスク151上のパターンが転写
される。この例では、ウエハ191は電気的に接地され
ている。したがって、第2投影レンズ173のライナー
チューブ177の下端面の金属膜177aとウエハ19
1の間には、Vp−0=40KVの減速電界が存在する。
(感応基板)191が配置されている。ウエハ191の
上にはレジストが塗布されており、そのレジストに電子
線ドーズが与えられてマスク151上のパターンが転写
される。この例では、ウエハ191は電気的に接地され
ている。したがって、第2投影レンズ173のライナー
チューブ177の下端面の金属膜177aとウエハ19
1の間には、Vp−0=40KVの減速電界が存在する。
【0034】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、ライナーチューブ内面の帯電を防止できる内
面メタライズ層を有するライナーチューブを、高価な製
造装置を開発することなく提供できる。また、そのよう
なライナーチューブを備える、高精度のパターン形成が
可能な荷電粒子線装置を提供することができる。
によれば、ライナーチューブ内面の帯電を防止できる内
面メタライズ層を有するライナーチューブを、高価な製
造装置を開発することなく提供できる。また、そのよう
なライナーチューブを備える、高精度のパターン形成が
可能な荷電粒子線装置を提供することができる。
【図1】本発明の1実施例に係るライナーチューブの断
面図である。
面図である。
【図2】図1のライナーチューブに白金メッキを行う方
法の説明図である。
法の説明図である。
【図3】本発明の一実施例に係る電子線転写露光装置の
光学系の全体構成を示す模式的断面図である。
光学系の全体構成を示す模式的断面図である。
2、5 絶縁物の冶具 3 白金棒 4 ライナー
チューブ 4a 大径部 4b 段部 4c 小径部 4d
内孔 6 メッキ液 7 白金円板 8 プロペラ 13 白金製開
口 113 カソード 113a 電子
放出面 115 制御アノード 117 ライ
ナーチューブ 123 第1コンデンサレンズ 123a、129a、133a 磁極 125 偏向器 127 成形
開口 129 第2コンデンサレンズ 131 ブラ
ンキング開口 133 照明レンズ 135 フェ
ライトスタック 137 偏向器 139 フェ
ライト磁極 141、153 中空円板 151 マスク 155、177 ライナーチューブ 155a、17
7a 金属膜 157 上下磁極 159 第1
投影レンズ 161 フェライトスタック 163 収差
補正用偏向器 165 非点補正コイル 166 ダイナミックフォーカスコイル兼倍率・回転
補正用コイル 171 コントラスト開口 173 第2投影レンズ 181 非点補正コイル 183 収差
補正偏向器 185 非点補正コイル185 186 ダイナミックフォーカスコイル兼倍率・回転
補正用コイル 191 ウエハ
チューブ 4a 大径部 4b 段部 4c 小径部 4d
内孔 6 メッキ液 7 白金円板 8 プロペラ 13 白金製開
口 113 カソード 113a 電子
放出面 115 制御アノード 117 ライ
ナーチューブ 123 第1コンデンサレンズ 123a、129a、133a 磁極 125 偏向器 127 成形
開口 129 第2コンデンサレンズ 131 ブラ
ンキング開口 133 照明レンズ 135 フェ
ライトスタック 137 偏向器 139 フェ
ライト磁極 141、153 中空円板 151 マスク 155、177 ライナーチューブ 155a、17
7a 金属膜 157 上下磁極 159 第1
投影レンズ 161 フェライトスタック 163 収差
補正用偏向器 165 非点補正コイル 166 ダイナミックフォーカスコイル兼倍率・回転
補正用コイル 171 コントラスト開口 173 第2投影レンズ 181 非点補正コイル 183 収差
補正偏向器 185 非点補正コイル185 186 ダイナミックフォーカスコイル兼倍率・回転
補正用コイル 191 ウエハ
Claims (6)
- 【請求項1】 荷電粒子線光学鏡筒内に配置されるライ
ナーチューブであって;セラミックス製の筒体と、 筒体の内面に形成されたメタライズ層と、を有すること
を特徴とするライナーチューブ。 - 【請求項2】 上記メタライズ層の内面に形成された白
金メッキ層をさらに有することを特徴とする請求項1記
載のライナーチューブ。 - 【請求項3】 上記メタライズ層がチタンを含むことを
特徴とする請求項1又は2記載のライナーチューブ。 - 【請求項4】 上記筒体がAlN、Al2 O3 又は高熱
伝導SiCからなることを特徴とする請求項1又は2記
載のライナーチューブ。 - 【請求項5】 荷電粒子線光学鏡筒内に配置されるライ
ナーチューブであって;チューブ内面に段部を有し、こ
の段部に開口板が配置されており、該開口板がスポット
的にロウ材でチューブに固定されていることを特徴とす
るライナーチューブ。 - 【請求項6】 請求項1〜5のいずれか1項記載のライ
ナーチューブと、その外側に配置された電磁レンズ又は
電磁偏向器とを具備することを特徴とする荷電粒子線装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11177797A JP2001006594A (ja) | 1999-06-24 | 1999-06-24 | ライナーチューブ及びそれを有する荷電粒子線装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11177797A JP2001006594A (ja) | 1999-06-24 | 1999-06-24 | ライナーチューブ及びそれを有する荷電粒子線装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001006594A true JP2001006594A (ja) | 2001-01-12 |
Family
ID=16037266
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11177797A Pending JP2001006594A (ja) | 1999-06-24 | 1999-06-24 | ライナーチューブ及びそれを有する荷電粒子線装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001006594A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010153382A (ja) * | 2008-12-23 | 2010-07-08 | Carl Zeiss Nts Gmbh | 磁気手段を備える粒子光学装置 |
JP2016081802A (ja) * | 2014-10-20 | 2016-05-16 | 株式会社 テクネックス工房 | 電子線放射管 |
-
1999
- 1999-06-24 JP JP11177797A patent/JP2001006594A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010153382A (ja) * | 2008-12-23 | 2010-07-08 | Carl Zeiss Nts Gmbh | 磁気手段を備える粒子光学装置 |
JP2015072917A (ja) * | 2008-12-23 | 2015-04-16 | カール ツァイス マイクロスコーピー ゲーエムベーハーCarl Zeiss Microscopy GmbH | 磁気手段を備える粒子光学装置 |
JP2016081802A (ja) * | 2014-10-20 | 2016-05-16 | 株式会社 テクネックス工房 | 電子線放射管 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20040629 |