JP2001004850A - 光部品用基板とその製造方法、および該基板の熱膨張率制御方法 - Google Patents
光部品用基板とその製造方法、および該基板の熱膨張率制御方法Info
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- JP2001004850A JP2001004850A JP11171414A JP17141499A JP2001004850A JP 2001004850 A JP2001004850 A JP 2001004850A JP 11171414 A JP11171414 A JP 11171414A JP 17141499 A JP17141499 A JP 17141499A JP 2001004850 A JP2001004850 A JP 2001004850A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 表面の平滑性に優れ、かつ熱膨張係数が４×
１０-5／℃以上１．２×１０-4／℃以下である、高分子
光導波路用の高分子基板を簡便に作製できる光部品用基
板およびその製造方法と、前記基板の熱膨張係数を部品
材料に合わせて制御する方法とを提供する。 【解決手段】 表面が平滑な高分子薄膜を積層して良好
な表面平滑性の積層体を形成し、この積層体を光部品用
基板として適用する。さらに、１種類または熱膨張係数
の異なる２種類以上のポリイミドフィルムを用い、これ
らを適当な順序で重ねた積層体を作製して、これを基板
として用い、ポリイミドの化学構造および積層の構成を
変化させることで、光部品用基板の熱膨張係数を幅広い
範囲で制御する。
１０-5／℃以上１．２×１０-4／℃以下である、高分子
光導波路用の高分子基板を簡便に作製できる光部品用基
板およびその製造方法と、前記基板の熱膨張係数を部品
材料に合わせて制御する方法とを提供する。 【解決手段】 表面が平滑な高分子薄膜を積層して良好
な表面平滑性の積層体を形成し、この積層体を光部品用
基板として適用する。さらに、１種類または熱膨張係数
の異なる２種類以上のポリイミドフィルムを用い、これ
らを適当な順序で重ねた積層体を作製して、これを基板
として用い、ポリイミドの化学構造および積層の構成を
変化させることで、光部品用基板の熱膨張係数を幅広い
範囲で制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数層の高分子フ
ィルムを積層一体化してなる光部品用基板とその製造方
法、および該基板の熱膨張率制御方法に関する。
ィルムを積層一体化してなる光部品用基板とその製造方
法、および該基板の熱膨張率制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】低損失光ファイバの開発による光通信シ
ステムの実用化に伴い、種々の光通信用部品の開発が望
まれている。また、これら光部品を高密度に実装する光
配線技術、特に光導波路技術の確立が望まれている。
ステムの実用化に伴い、種々の光通信用部品の開発が望
まれている。また、これら光部品を高密度に実装する光
配線技術、特に光導波路技術の確立が望まれている。
【０００３】一般に、光導波路材料には、光損失が小さ
いこと、光導波路の作製が容易なこと、コアとクラッド
の屈折率差を制御できること、耐熱性に優れているこ
と、等の条件が要求される。光導波路材料として、これ
までに最も精力的に検討されているのが石英系材料であ
る。光ファイバで実証済のように、石英は光透過性が極
めて良好であるため、光導波路とした場合も、波長が
１．３μｍにおいて０．１ｄＢ／ｃｍ以下の低光損失化
が達成されている。しかし、その光導波路には、作製に
長時間を必要とする、作製時に高温が必要である、大面
積化が困難であるなど、製造上の問題がある。
いこと、光導波路の作製が容易なこと、コアとクラッド
の屈折率差を制御できること、耐熱性に優れているこ
と、等の条件が要求される。光導波路材料として、これ
までに最も精力的に検討されているのが石英系材料であ
る。光ファイバで実証済のように、石英は光透過性が極
めて良好であるため、光導波路とした場合も、波長が
１．３μｍにおいて０．１ｄＢ／ｃｍ以下の低光損失化
が達成されている。しかし、その光導波路には、作製に
長時間を必要とする、作製時に高温が必要である、大面
積化が困難であるなど、製造上の問題がある。
【０００４】これに対して、ポリメチルメタクリレート
などのプラスチック光学材料は、低い温度で光導波路形
成が可能であり、低価格が期待できるなどの長所がある
一方、耐熱性，耐湿性に劣るという欠点がある。また、
ポリイミドはプラスチックの中で最も耐熱性に優れてい
るが、従来のポリイミドは光透過性に劣るという問題が
あった。
などのプラスチック光学材料は、低い温度で光導波路形
成が可能であり、低価格が期待できるなどの長所がある
一方、耐熱性，耐湿性に劣るという欠点がある。また、
ポリイミドはプラスチックの中で最も耐熱性に優れてい
るが、従来のポリイミドは光透過性に劣るという問題が
あった。
【０００５】そこで、本発明者らはポリイミドの化学構
造を検討することにより光透過性に優れたポリイミド光
学材料の研究を行ってきた。本発明者らは特開平３−７
２５２８号公報で光透過性に優れたフッ素化ポリイミド
を明らかにしている。さらに、特開平４−８７３４号公
報では、このフッ素化ポリイミドを共重合することによ
り、例えば、光導波路の形成に必要な屈折率制御が可能
であることを明らかにしている。また、このフッ素化ポ
リイミドを用いた光導波路については、特開平４−９８
０７号公報、同４−２３５５０５号公報、同４−２３５
５０６号公報で明らかにしている。このように光透過性
に優れたポリイミドで耐熱性に優れたプラスチック光導
波路が実現されている。
造を検討することにより光透過性に優れたポリイミド光
学材料の研究を行ってきた。本発明者らは特開平３−７
２５２８号公報で光透過性に優れたフッ素化ポリイミド
を明らかにしている。さらに、特開平４−８７３４号公
報では、このフッ素化ポリイミドを共重合することによ
り、例えば、光導波路の形成に必要な屈折率制御が可能
であることを明らかにしている。また、このフッ素化ポ
リイミドを用いた光導波路については、特開平４−９８
０７号公報、同４−２３５５０５号公報、同４−２３５
５０６号公報で明らかにしている。このように光透過性
に優れたポリイミドで耐熱性に優れたプラスチック光導
波路が実現されている。
【０００６】しかしながら、ポリイミド光導波路におい
ても、幾つかの問題がある。例えば、ポリイミドは耐熱
性に優れている反面、化学構造中の芳香族環が配向し易
いという面も持っている。これは、光学材料としてみた
場合、複屈折を発現し易いということが言える。複屈折
自体は、光学材料としてはある場合は好ましい特性であ
り、ある場合は好ましくない特性となる。また、光導波
路用材料としてみた場合も、同じことが言える。例え
ば、直線偏光の偏波面を保存しながら導波させたい場合
は、複屈折があった方が良いが、無偏波の光を導波させ
たい場合は、複屈折を持たない方が良い。このように、
複屈折をいかようにも制御できることが期待されてい
る。本発明者らのこれまでの検討により、このうち低複
屈折ポリイミド膜については、基板の熱膨張係数とポリ
イミドの熱膨張係数を合わせること、すなわち、基板と
してポリイミド基板を用いることにより低複屈折ポリイ
ミド膜が実現できることを、見いだした（特願平７−１
８７６５２号明細書）。このように光部品を作製するに
当り、光導波路材料に合わせて、基板の熱膨張係数を制
御することは高性能な光部品を作製するために極めて有
効かつ重要な手法である。
ても、幾つかの問題がある。例えば、ポリイミドは耐熱
性に優れている反面、化学構造中の芳香族環が配向し易
いという面も持っている。これは、光学材料としてみた
場合、複屈折を発現し易いということが言える。複屈折
自体は、光学材料としてはある場合は好ましい特性であ
り、ある場合は好ましくない特性となる。また、光導波
路用材料としてみた場合も、同じことが言える。例え
ば、直線偏光の偏波面を保存しながら導波させたい場合
は、複屈折があった方が良いが、無偏波の光を導波させ
たい場合は、複屈折を持たない方が良い。このように、
複屈折をいかようにも制御できることが期待されてい
る。本発明者らのこれまでの検討により、このうち低複
屈折ポリイミド膜については、基板の熱膨張係数とポリ
イミドの熱膨張係数を合わせること、すなわち、基板と
してポリイミド基板を用いることにより低複屈折ポリイ
ミド膜が実現できることを、見いだした（特願平７−１
８７６５２号明細書）。このように光部品を作製するに
当り、光導波路材料に合わせて、基板の熱膨張係数を制
御することは高性能な光部品を作製するために極めて有
効かつ重要な手法である。
【０００７】また、ＬＳＩ等の基板やモジュール基板、
プリズム基板等の電子部品の回路基板においても、回路
を構成する金属材料や絶縁材料に合わせて、基板の熱膨
張係数を制御することは、電子部品の応力を低減し、部
品の歩留まりや信頼性を大きく向上させることが期待で
きる。
プリズム基板等の電子部品の回路基板においても、回路
を構成する金属材料や絶縁材料に合わせて、基板の熱膨
張係数を制御することは、電子部品の応力を低減し、部
品の歩留まりや信頼性を大きく向上させることが期待で
きる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前述の光部
品用基板には、以下のような問題点があることが明らか
となった。すなわち、ポリイミド基板上にポリイミド膜
を形成する場合、低複屈折化は実現できるが、この基板
上に作製したポリイミド光導波路は光を通しにくいとい
う問題点が生じた。これはポリイミド基板が光学用途に
適した基板ではないということが原因であると考えられ
る。そこで、本発明者らは、圧縮成型等で作製したポリ
イミド成型体から切り出したポリイミド基板の表面の平
均粗さを５００Å以下に研磨することで光学用基板とし
て適用できることを、特願平９−１８７１９４号明細書
において、明らかにした。しかし、この方法では、成型
直後のポリイミド成型体はその表面粗さが著しく大きい
ため、表面を平滑にするための研磨に長時間を要し、基
板の製造コストが著しく高くなるという問題点を有して
いた。
品用基板には、以下のような問題点があることが明らか
となった。すなわち、ポリイミド基板上にポリイミド膜
を形成する場合、低複屈折化は実現できるが、この基板
上に作製したポリイミド光導波路は光を通しにくいとい
う問題点が生じた。これはポリイミド基板が光学用途に
適した基板ではないということが原因であると考えられ
る。そこで、本発明者らは、圧縮成型等で作製したポリ
イミド成型体から切り出したポリイミド基板の表面の平
均粗さを５００Å以下に研磨することで光学用基板とし
て適用できることを、特願平９−１８７１９４号明細書
において、明らかにした。しかし、この方法では、成型
直後のポリイミド成型体はその表面粗さが著しく大きい
ため、表面を平滑にするための研磨に長時間を要し、基
板の製造コストが著しく高くなるという問題点を有して
いた。
【０００９】また、前述のように、光部品や電光部品の
基板の熱膨張係数を制御することは部品の製造における
歩留まりや部品の性能を向上する極めて効果的な方法で
あるが、これまで光部品（特に光学用ポリイミドを用い
た光部品）や電子部品の作製に必要な熱処理に耐え得る
材料を用いた基板で、簡便にその熱膨張係数を制御でき
る基板はなかった。
基板の熱膨張係数を制御することは部品の製造における
歩留まりや部品の性能を向上する極めて効果的な方法で
あるが、これまで光部品（特に光学用ポリイミドを用い
た光部品）や電子部品の作製に必要な熱処理に耐え得る
材料を用いた基板で、簡便にその熱膨張係数を制御でき
る基板はなかった。
【００１０】したがって、本発明の第１の課題は、表面
の平滑性に優れ、かつ熱膨張係数が４×１０-5／℃以上
１．２×１０-4／℃以下である、高分子光導波路用の高
分子基板を簡便に作製できる光部品用基板およびその製
造方法を提供することにある。
の平滑性に優れ、かつ熱膨張係数が４×１０-5／℃以上
１．２×１０-4／℃以下である、高分子光導波路用の高
分子基板を簡便に作製できる光部品用基板およびその製
造方法を提供することにある。
【００１１】また、本発明の第２の課題は、光部品や電
子部品の基板の熱膨張係数を部品材料に合わせて制御す
る方法を提供することにある。
子部品の基板の熱膨張係数を部品材料に合わせて制御す
る方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、光部品用
の高分子基板の作製を鋭意検討した結果、表面が平滑な
高分子薄膜を積層して得られる積層体が良好な表面平滑
性を有し、この積層体が光部品用の基板として適用でき
ることをつきとめた。さらに、本発明者らは、光部品、
特にポリイミド光導波路に用いる基板や、電子部品の基
板の熱膨張率制御方法について鋭意検討した結果、１種
類または熱膨張係数の異なる２種類以上のポリイミドフ
ィルムを用い、これらを適当な順序で重ねた積層体を作
製して、これを基板として用い、ポリイミドの化学構造
および積層の構成を変化させることで、光部品や電子部
品の基板の熱膨張係数を幅広い範囲で制御できることを
明らかにし、この積層体が光部品や電子部品用の基板と
して適用できることをつきとめた。本発明は、これら知
見に基づいて成されたものである。
の高分子基板の作製を鋭意検討した結果、表面が平滑な
高分子薄膜を積層して得られる積層体が良好な表面平滑
性を有し、この積層体が光部品用の基板として適用でき
ることをつきとめた。さらに、本発明者らは、光部品、
特にポリイミド光導波路に用いる基板や、電子部品の基
板の熱膨張率制御方法について鋭意検討した結果、１種
類または熱膨張係数の異なる２種類以上のポリイミドフ
ィルムを用い、これらを適当な順序で重ねた積層体を作
製して、これを基板として用い、ポリイミドの化学構造
および積層の構成を変化させることで、光部品や電子部
品の基板の熱膨張係数を幅広い範囲で制御できることを
明らかにし、この積層体が光部品や電子部品用の基板と
して適用できることをつきとめた。本発明は、これら知
見に基づいて成されたものである。
【００１３】すなわち、本発明を概説すれば、本発明の
請求項１の光部品用基板は、１種類または２種類以上の
高分子フィルムが複数層積層されるとともに加熱圧着さ
れてなる積層体からなることを特徴とする。
請求項１の光部品用基板は、１種類または２種類以上の
高分子フィルムが複数層積層されるとともに加熱圧着さ
れてなる積層体からなることを特徴とする。
【００１４】また、本発明の請求項２の光部品用基板
は、前記請求項１の光部品用基板において、前記積層体
を構成する高分子フィルムがポリイミドであることを特
徴とする。
は、前記請求項１の光部品用基板において、前記積層体
を構成する高分子フィルムがポリイミドであることを特
徴とする。
【００１５】また、本発明の請求項３の光部品用基板
は、前記請求項１の光部品用基板において、前記積層体
を構成する１種類または２種類以上の高分子フィルムと
して、下記構造式（１）、（２）：
は、前記請求項１の光部品用基板において、前記積層体
を構成する１種類または２種類以上の高分子フィルムと
して、下記構造式（１）、（２）：
【００１６】
【化９】
【００１７】
【化１０】
【００１８】で表される繰り返し単位のいずれかからな
るポリイミドのフィルムまたは前記繰り返し単位の２種
類以上からなる共重合ポリイミドのフィルムを用いるこ
とを特徴とする。
るポリイミドのフィルムまたは前記繰り返し単位の２種
類以上からなる共重合ポリイミドのフィルムを用いるこ
とを特徴とする。
【００１９】また、本発明の請求項４の光部品用基板の
製造方法は、下記構造式（１）、（２）：
製造方法は、下記構造式（１）、（２）：
【００２０】
【化１１】
【００２１】
【化１２】
【００２２】で表される繰り返し単位のいずれかからな
るポリイミドまたは前記繰り返し単位の２種類以上から
なる共重合ポリイミドを用いて、ロール延伸法または溶
液塗布法により１種類または２種類以上のポリイミドフ
ィルムまたは共重合ポリイミドフィルムを作製し、前記
１種類または２種類以上のポリイミドフィルムまたは共
重合ポリイミドフィルムを複数層に重ね、前記複数層に
重ねたポリイミドフィルム積層体を加熱圧縮により一体
化して光部品用の基板を得ることを特徴とする。
るポリイミドまたは前記繰り返し単位の２種類以上から
なる共重合ポリイミドを用いて、ロール延伸法または溶
液塗布法により１種類または２種類以上のポリイミドフ
ィルムまたは共重合ポリイミドフィルムを作製し、前記
１種類または２種類以上のポリイミドフィルムまたは共
重合ポリイミドフィルムを複数層に重ね、前記複数層に
重ねたポリイミドフィルム積層体を加熱圧縮により一体
化して光部品用の基板を得ることを特徴とする。
【００２３】さらに、本発明の請求項５の光部品用基板
の熱膨張率制御方法は、熱膨張率の異なる複数のポリイ
ミドフィルムから１種類または２種類以上のポリイミド
フィルムを選択して複数層積層し、これを加熱圧着して
得られる光部品用基板の熱膨張係数を制御する方法であ
って、前記複数のポリイミドフィルムを積層する際に、
前記１種類または２種類以上のポリイミドフィルムの積
層順または／および積層数を変化させることにより、該
基板の熱膨張率を所望値に制御することを特徴とする。
の熱膨張率制御方法は、熱膨張率の異なる複数のポリイ
ミドフィルムから１種類または２種類以上のポリイミド
フィルムを選択して複数層積層し、これを加熱圧着して
得られる光部品用基板の熱膨張係数を制御する方法であ
って、前記複数のポリイミドフィルムを積層する際に、
前記１種類または２種類以上のポリイミドフィルムの積
層順または／および積層数を変化させることにより、該
基板の熱膨張率を所望値に制御することを特徴とする。
【００２４】また、本発明の請求項６の光部品用基板の
熱膨張率制御方法は、前記請求項５の制御方法におい
て、前記１種類または２種類以上のポリイミドフィルム
を構成するポリイミドのうちの１種類のポリイミドとし
て、下記構造式（１）、（２）：
熱膨張率制御方法は、前記請求項５の制御方法におい
て、前記１種類または２種類以上のポリイミドフィルム
を構成するポリイミドのうちの１種類のポリイミドとし
て、下記構造式（１）、（２）：
【００２５】
【化１３】
【００２６】
【化１４】
【００２７】で表される繰り返し単位からなるポリイミ
ドまたは前記繰り返し単位の２種類以上からなる共重合
ポリイミドを用いることを特徴とする。
ドまたは前記繰り返し単位の２種類以上からなる共重合
ポリイミドを用いることを特徴とする。
【００２８】また、本発明の請求項７の光部品用基板の
熱膨張率制御方法は、前記請求項６の制御方法におい
て、前記熱膨張率を制御するための低熱膨張率ポリイミ
ドフィルムとして、下記構造式（３）または（４）：
熱膨張率制御方法は、前記請求項６の制御方法におい
て、前記熱膨張率を制御するための低熱膨張率ポリイミ
ドフィルムとして、下記構造式（３）または（４）：
【００２９】
【化１５】
【００３０】
【化１６】
【００３１】で表される繰り返し単位からなるポリイミ
ドのフィルムを用いることを特徴とする。
ドのフィルムを用いることを特徴とする。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体的に説明す
る。
る。
【００３３】本発明の光部品用基板に用いる高分子薄膜
は、ロール延伸や溶液塗布法で得られた均一膜厚で表面
の平滑性に優れた薄膜フィルムを使用することが可能で
ある。高分子薄膜の材質については、膜厚が１０μｍ程
度以上の薄膜形成が可能であって、加熱圧着や多層化等
の手法により積層可能な材料であれば、特に制限はな
い。しかし、この高分子薄膜材料は、基板の熱安定性の
観点からポリイミドがよく、さらに、ポリイミド光導波
路に用いる積層体の材料としては、光導波路材料との熱
膨張率整合の観点から前記構造式（１）、（２）で表さ
れる繰り返し単位からなるポリイミドフィルムまたは前
記構造式で表されるイミド化合物を組み合わせて重合し
てなる共重合ポリイミドフィルム、または、熱膨張係数
が４×１０-5／℃以上１．２×１０-4／℃以下であるポ
リイミドフィルムが好ましい。なぜなら、耐熱性に関し
ては、これらのポリイミドフィルムで作製したポリイミ
ド基板上にポリイミド膜を形成することを予定してお
り、そのためにはポリアミド酸からポリイミドへ熱イミ
ド化する時の温度に耐える必要があるからである。ま
た、熱膨張係数に関しては、基板上に形成されるポリイ
ミド膜からなる光導波路の熱膨張係数が概ね８×１０-5
／℃であるため、光導波路のひずみを防止するために
は、光導波路部分と基板部分の熱膨張係数をある程度合
わせておくことが必要となるためである。基板の熱膨張
係数が４×１０-5／℃以上１．２×１０-4／℃以下の範
囲から外れると、光導波路部分と基板部分の熱膨張係数
差に基づく大きなひずみを生じて、光導波路に剥離やひ
び割れを引き起こし、また、光導波路の複屈折が著しく
大きくなるといった不具合を生じることとなる。
は、ロール延伸や溶液塗布法で得られた均一膜厚で表面
の平滑性に優れた薄膜フィルムを使用することが可能で
ある。高分子薄膜の材質については、膜厚が１０μｍ程
度以上の薄膜形成が可能であって、加熱圧着や多層化等
の手法により積層可能な材料であれば、特に制限はな
い。しかし、この高分子薄膜材料は、基板の熱安定性の
観点からポリイミドがよく、さらに、ポリイミド光導波
路に用いる積層体の材料としては、光導波路材料との熱
膨張率整合の観点から前記構造式（１）、（２）で表さ
れる繰り返し単位からなるポリイミドフィルムまたは前
記構造式で表されるイミド化合物を組み合わせて重合し
てなる共重合ポリイミドフィルム、または、熱膨張係数
が４×１０-5／℃以上１．２×１０-4／℃以下であるポ
リイミドフィルムが好ましい。なぜなら、耐熱性に関し
ては、これらのポリイミドフィルムで作製したポリイミ
ド基板上にポリイミド膜を形成することを予定してお
り、そのためにはポリアミド酸からポリイミドへ熱イミ
ド化する時の温度に耐える必要があるからである。ま
た、熱膨張係数に関しては、基板上に形成されるポリイ
ミド膜からなる光導波路の熱膨張係数が概ね８×１０-5
／℃であるため、光導波路のひずみを防止するために
は、光導波路部分と基板部分の熱膨張係数をある程度合
わせておくことが必要となるためである。基板の熱膨張
係数が４×１０-5／℃以上１．２×１０-4／℃以下の範
囲から外れると、光導波路部分と基板部分の熱膨張係数
差に基づく大きなひずみを生じて、光導波路に剥離やひ
び割れを引き起こし、また、光導波路の複屈折が著しく
大きくなるといった不具合を生じることとなる。
【００３４】これらの材料を用いた高分子薄膜を重ねて
加熱圧着し、または複数回コーティングして、膜厚５０
０μｍ以上の積層体を作製する。
加熱圧着し、または複数回コーティングして、膜厚５０
０μｍ以上の積層体を作製する。
【００３５】なお、前記積層体を構成するポリイミドフ
ィルムとしては、その熱膨張率の制御範囲を広くするた
めには、ポリイミドの中でも熱膨張係数が非常に大きい
前記構造式（１）または（２）で表される繰り返し単位
からなるポリイミドを高熱膨張成分として用いることが
好ましい。また、ポリイミド光導波路に用いる積層体の
材料としては、光導波路材料との整合性の観点からも前
記構造式（１）で表される繰り返し単位からなるポリイ
ミドを用いることが好ましい。
ィルムとしては、その熱膨張率の制御範囲を広くするた
めには、ポリイミドの中でも熱膨張係数が非常に大きい
前記構造式（１）または（２）で表される繰り返し単位
からなるポリイミドを高熱膨張成分として用いることが
好ましい。また、ポリイミド光導波路に用いる積層体の
材料としては、光導波路材料との整合性の観点からも前
記構造式（１）で表される繰り返し単位からなるポリイ
ミドを用いることが好ましい。
【００３６】また、２種類目の低熱膨張成分のポリイミ
ドフィルムとしては、フィルムの製膜と積層後の加熱圧
着が可能であって、前記構造式（１）で表される繰り返
し単位からなるポリイミドより熱膨張率の小さいポリイ
ミドであれば、特に分子構造の制限はなく、市販のポリ
イミドフィルムの使用も可能である。例えば、前記構造
式（３）で表される繰り返し単位からなるポリイミド
は、汎用性が高く、低熱膨張成分のポリイミド材料とし
て好適である。また、第２成分のポリイミドとして、さ
らに低熱膨張性を有するポリイミドを用いることで、積
層体基板の熱膨張率はさらに広い範囲で制御可能とな
る。そのようなものとしては、前記構造式（４）で表さ
れる繰り返し単位からなるポリイミドが好適であり、ま
たはそれ以外には、下記の酸無水物とジアミンから合成
されるポリイミド等が挙げられる。酸無水物としては、
ピロメリット酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、
等を挙げることができ、ジアミンとしては、パラフェニ
レンジアミン、メタフェニレンジアミン、２，２′−ジ
メチル−４，４′−ジアミノビフェニル、３，３′−ジ
アミノ−４，４′−ビフェニル、２，２′−ジトリフル
オロメチル−４，４′−ジアミノビフェニル、４，４′
−ジアミノビフェニル、４，４″−ジアミノ−Ｐ−テル
フェニル等を用いたポリイミドを挙げることができる。
ドフィルムとしては、フィルムの製膜と積層後の加熱圧
着が可能であって、前記構造式（１）で表される繰り返
し単位からなるポリイミドより熱膨張率の小さいポリイ
ミドであれば、特に分子構造の制限はなく、市販のポリ
イミドフィルムの使用も可能である。例えば、前記構造
式（３）で表される繰り返し単位からなるポリイミド
は、汎用性が高く、低熱膨張成分のポリイミド材料とし
て好適である。また、第２成分のポリイミドとして、さ
らに低熱膨張性を有するポリイミドを用いることで、積
層体基板の熱膨張率はさらに広い範囲で制御可能とな
る。そのようなものとしては、前記構造式（４）で表さ
れる繰り返し単位からなるポリイミドが好適であり、ま
たはそれ以外には、下記の酸無水物とジアミンから合成
されるポリイミド等が挙げられる。酸無水物としては、
ピロメリット酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、
等を挙げることができ、ジアミンとしては、パラフェニ
レンジアミン、メタフェニレンジアミン、２，２′−ジ
メチル−４，４′−ジアミノビフェニル、３，３′−ジ
アミノ−４，４′−ビフェニル、２，２′−ジトリフル
オロメチル−４，４′−ジアミノビフェニル、４，４′
−ジアミノビフェニル、４，４″−ジアミノ−Ｐ−テル
フェニル等を用いたポリイミドを挙げることができる。
【００３７】また、前記構造式（３）（４）で表される
繰り返し単位からなる低熱膨張性ポリイミドは高いガラ
ス転移温度を有している。従って、これらのポリイミド
のフィルムを積層体の一部として用いることで、得られ
る基板の形状安定性を高めることができる。
繰り返し単位からなる低熱膨張性ポリイミドは高いガラ
ス転移温度を有している。従って、これらのポリイミド
のフィルムを積層体の一部として用いることで、得られ
る基板の形状安定性を高めることができる。
【００３８】これらの材料を用いたポリイミドフィルム
を重ねて加熱圧着し、または、複数回コーティングし
て、膜厚５００μｍ以上の積層体を作製する。積層体の
熱膨張率は、用いる２種類以上のポリイミドの分子構造
とそれらのフィルムを積層する際の比率を変えること
で、最も低熱膨張成分のポリイミドフィルムの熱膨張係
数と、最も高熱膨張成分のポリイミドフィルムの熱膨張
係数との範囲内で、任意に制御することができる。
を重ねて加熱圧着し、または、複数回コーティングし
て、膜厚５００μｍ以上の積層体を作製する。積層体の
熱膨張率は、用いる２種類以上のポリイミドの分子構造
とそれらのフィルムを積層する際の比率を変えること
で、最も低熱膨張成分のポリイミドフィルムの熱膨張係
数と、最も高熱膨張成分のポリイミドフィルムの熱膨張
係数との範囲内で、任意に制御することができる。
【００３９】
【実施例】以下、いくつかの実施例を用いて本発明をさ
らに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に限定
されるものではない。
らに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に限定
されるものではない。
【００４０】以下の各実施例において、作製したポリイ
ミド積層体の平均表面粗さ（Ｒａ）は表面粗さ計を用
い、積層体表面の５点を無作為に選んだ測定カ所で測定
長さ３ｍｍ、測定針加重２５ｍｇの条件で測定した平均
値として求めた。また、ポリイミド積層体の熱膨張係数
は作製した積層体を長さ３ｍｍ、幅５ｍｍの大きさに切
り出し、熱機械試験機に取り付けて圧縮モードで５℃／
分の速度で昇温し、５０℃から３００℃までの平均熱膨
張係数として求めた。また、ポリイミド積層体上に形成
したポリイミド膜の複屈折は、プリズムカップリング法
を用いて測定した波長１．３μｍでの、基板面に平行な
偏波方向の屈折率（ｎTE）と、基板面に垂直な偏波方向
の屈折率（ｎTM）との差として、求めた。
ミド積層体の平均表面粗さ（Ｒａ）は表面粗さ計を用
い、積層体表面の５点を無作為に選んだ測定カ所で測定
長さ３ｍｍ、測定針加重２５ｍｇの条件で測定した平均
値として求めた。また、ポリイミド積層体の熱膨張係数
は作製した積層体を長さ３ｍｍ、幅５ｍｍの大きさに切
り出し、熱機械試験機に取り付けて圧縮モードで５℃／
分の速度で昇温し、５０℃から３００℃までの平均熱膨
張係数として求めた。また、ポリイミド積層体上に形成
したポリイミド膜の複屈折は、プリズムカップリング法
を用いて測定した波長１．３μｍでの、基板面に平行な
偏波方向の屈折率（ｎTE）と、基板面に垂直な偏波方向
の屈折率（ｎTM）との差として、求めた。
【００４１】（実施例１）ロール延伸法により作製した
前記構造式（１）で表される繰り返し単位からなる厚さ
６５μｍのポリイミドフィルム（日本電信電話株式会社
製；商品名ＦＬＵＰＩ−０１）からなるポリイミド層Ａ
を１０層重ね合わせて加熱プレス機に挟み、４０ｋｇ／
ｃｍ2の圧力下、１５０℃で５時間加熱後、さらに最大
３９０℃まで昇温し、１時間保持した後、室温まで徐冷
した。これを直径２インチに切り出して、円板状のポリ
イミド積層体を得た。このポリイミド積層体の平均表面
粗さ（Ｒａ）は９６５Åであり、面方向の熱膨張係数は
８×１０-5／℃であった。
前記構造式（１）で表される繰り返し単位からなる厚さ
６５μｍのポリイミドフィルム（日本電信電話株式会社
製；商品名ＦＬＵＰＩ−０１）からなるポリイミド層Ａ
を１０層重ね合わせて加熱プレス機に挟み、４０ｋｇ／
ｃｍ2の圧力下、１５０℃で５時間加熱後、さらに最大
３９０℃まで昇温し、１時間保持した後、室温まで徐冷
した。これを直径２インチに切り出して、円板状のポリ
イミド積層体を得た。このポリイミド積層体の平均表面
粗さ（Ｒａ）は９６５Åであり、面方向の熱膨張係数は
８×１０-5／℃であった。
【００４２】そして、この積層体上に前記構造式（１）
で表される繰り返し単位からなるポリイミドの前躯体溶
液をスピンコートした後、３８０℃で１時間の熱処理を
行い、前記ポリイミド積層体上に膜厚８μｍのポリイミ
ド膜（平面光導波路）を得た。このポリイミド膜の複屈
折は０．００１以下であった。
で表される繰り返し単位からなるポリイミドの前躯体溶
液をスピンコートした後、３８０℃で１時間の熱処理を
行い、前記ポリイミド積層体上に膜厚８μｍのポリイミ
ド膜（平面光導波路）を得た。このポリイミド膜の複屈
折は０．００１以下であった。
【００４３】（実施例２）前記厚さ６５μｍのポリイミ
ド層Ａを７層と、厚さ２５μｍの東レ・デュポン（株）
製のポリイミドフィルム（商品名；１００ＫＪ）からな
るポリイミド層Ｂを６層とを用意し、前者の７層のポリ
イミド層Ａの間に後者の６層のポリイミド層Ｂを交互に
入れて積層し、これを加熱プレス機に挟み、４０ｋｇ／
ｃｍ2の圧力下、１５０℃で５時間加熱後、さらに最大
３９０℃まで昇温し、１時間保持した後、室温まで徐冷
した。これを直径２インチに切り出して、円板状のポリ
イミド積層体を得た。このポリイミド積層体の平均表面
粗さ（Ｒａ）は７５４Åであり、面方向の熱膨張係数は
６×１０-5／℃であった。
ド層Ａを７層と、厚さ２５μｍの東レ・デュポン（株）
製のポリイミドフィルム（商品名；１００ＫＪ）からな
るポリイミド層Ｂを６層とを用意し、前者の７層のポリ
イミド層Ａの間に後者の６層のポリイミド層Ｂを交互に
入れて積層し、これを加熱プレス機に挟み、４０ｋｇ／
ｃｍ2の圧力下、１５０℃で５時間加熱後、さらに最大
３９０℃まで昇温し、１時間保持した後、室温まで徐冷
した。これを直径２インチに切り出して、円板状のポリ
イミド積層体を得た。このポリイミド積層体の平均表面
粗さ（Ｒａ）は７５４Åであり、面方向の熱膨張係数は
６×１０-5／℃であった。
【００４４】そして、この積層体上に前記構造式（１）
で表されるポリイミドの前躯体溶液をスピンコートした
後、３８０℃で１時間の熱処理を行い、前記ポリイミド
積層体上に膜厚８μｍのポリイミド膜（平面光導波路）
を得た。このポリイミド膜の複屈折は０．００１以下で
あった。
で表されるポリイミドの前躯体溶液をスピンコートした
後、３８０℃で１時間の熱処理を行い、前記ポリイミド
積層体上に膜厚８μｍのポリイミド膜（平面光導波路）
を得た。このポリイミド膜の複屈折は０．００１以下で
あった。
【００４５】（実施例３）前記厚さ６５μｍのポリイミ
ド層Ａと、前記厚さ２５μｍの東レ・デュポン（株）製
ポリイミドフィルム（商品名；１００ＨＡ）からなるポ
リイミド層Ｂ’とを用い、順に、層Ａ×３，層Ｂ’×
１、層Ａ×１，層Ｂ’×１，層Ａ×１，層Ｂ’×１，層
Ａ×３というように、合計１１層重ね、これを加熱プレ
ス機にはさみ、４０ｋｇ／ｃｍ2の圧力下、１５０℃で
５時間加熱後、さらに最大３９０℃まで昇温し、１時間
保持した後、室温まで徐冷した。これを直径２インチに
切り出して、円板状のポリイミド積層体を得た。このポ
リイミド積層体の平均表面粗さ（Ｒａ）は４４Å、面方
向の熱膨張係数は７×１０-5／℃であった。
ド層Ａと、前記厚さ２５μｍの東レ・デュポン（株）製
ポリイミドフィルム（商品名；１００ＨＡ）からなるポ
リイミド層Ｂ’とを用い、順に、層Ａ×３，層Ｂ’×
１、層Ａ×１，層Ｂ’×１，層Ａ×１，層Ｂ’×１，層
Ａ×３というように、合計１１層重ね、これを加熱プレ
ス機にはさみ、４０ｋｇ／ｃｍ2の圧力下、１５０℃で
５時間加熱後、さらに最大３９０℃まで昇温し、１時間
保持した後、室温まで徐冷した。これを直径２インチに
切り出して、円板状のポリイミド積層体を得た。このポ
リイミド積層体の平均表面粗さ（Ｒａ）は４４Å、面方
向の熱膨張係数は７×１０-5／℃であった。
【００４６】そして、この積層体上に前記構造式（１）
で表されるポリイミドの前躯体溶液をスピンコートした
後、３８０℃で１時間の熱処理を行い、前記ポリイミド
積層体上に膜厚８μｍのポリイミド膜（平面光導波路）
を得た。このポリイミド膜の複屈折は０．００１であっ
た。
で表されるポリイミドの前躯体溶液をスピンコートした
後、３８０℃で１時間の熱処理を行い、前記ポリイミド
積層体上に膜厚８μｍのポリイミド膜（平面光導波路）
を得た。このポリイミド膜の複屈折は０．００１であっ
た。
【００４７】（実施例４）前記構造式（１）で表される
繰り返し単位からなるポリイミドを用いてロール延伸法
により作製した厚さ６５μｍのポリイミドフィルムから
なるポリイミド層Ａと、前記厚さ２５μｍの東レ・デュ
ポン（株）製ポリイミドフィルム（１００ＫＪ）からな
るポリイミド層Ｂと、厚さ５０μｍの東レ・デュポン
（株）製ポリイミドフィルム（商品名；カプトン）から
なるポリイミド層Ｃとを用い、順に、層Ａ×１，層Ｂ×
７，層Ｃ×１，層Ｂ×７，層Ａ×１というように、合計
１７層重ね、これを加熱プレス機にはさみ、４０ｋｇ／
ｃｍ2の圧力下、１５０℃で５時間加熱後、さらに最大
３９０℃まで昇温し、１時間保持した後、室温まで徐冷
した。これを直径２インチに切り出して、円板状のポリ
イミド積層体を得た。このポリイミド積層体の平均表面
粗さ（Ｒａ）は５０Å、面方向の熱膨張係数は５×１０
-5／℃であった。
繰り返し単位からなるポリイミドを用いてロール延伸法
により作製した厚さ６５μｍのポリイミドフィルムから
なるポリイミド層Ａと、前記厚さ２５μｍの東レ・デュ
ポン（株）製ポリイミドフィルム（１００ＫＪ）からな
るポリイミド層Ｂと、厚さ５０μｍの東レ・デュポン
（株）製ポリイミドフィルム（商品名；カプトン）から
なるポリイミド層Ｃとを用い、順に、層Ａ×１，層Ｂ×
７，層Ｃ×１，層Ｂ×７，層Ａ×１というように、合計
１７層重ね、これを加熱プレス機にはさみ、４０ｋｇ／
ｃｍ2の圧力下、１５０℃で５時間加熱後、さらに最大
３９０℃まで昇温し、１時間保持した後、室温まで徐冷
した。これを直径２インチに切り出して、円板状のポリ
イミド積層体を得た。このポリイミド積層体の平均表面
粗さ（Ｒａ）は５０Å、面方向の熱膨張係数は５×１０
-5／℃であった。
【００４８】そして、この積層体上に前記構造式（１）
で表される繰り返し単位からなるポリイミドの前躯体溶
液をスピンコートした後、３８０℃で１時間の熱処理を
行い、前記ポリイミド積層体上に膜厚８μｍのポリイミ
ド膜（平面光導波路）を得た。このポリイミド膜の複屈
折は０．００３であった。
で表される繰り返し単位からなるポリイミドの前躯体溶
液をスピンコートした後、３８０℃で１時間の熱処理を
行い、前記ポリイミド積層体上に膜厚８μｍのポリイミ
ド膜（平面光導波路）を得た。このポリイミド膜の複屈
折は０．００３であった。
【００４９】（比較例）前記構造式（３）で表される繰
り返し単位からなる厚さ５０μｍの東レ・デュポン
（株）製ポリイミドフィルム（商品名；カプトン）から
なるポリイミド層Ｃと、厚さ２５μｍの東レ・デュポン
（株）ポリイミドフィルム（商品名；１００ＫＪ）から
なるポリイミド層Ｂとを用い、前者の７層の間に後者の
６層を交互に入れて、加熱プレス機にはさみ、４０ｋｇ
／ｃｍ2の圧力下、１５０℃で５時間加熱後、さらに最
大３９０℃まで昇温し、１時間保持した後、室温まで徐
冷した。これを直径２インチに切り出して、円板状のポ
リイミド積層体を得た。このポリイミド積層体の平均表
面粗さ（Ｒａ）は１６３５Å、面方向の熱膨張係数は３
×１０-5／℃であった。
り返し単位からなる厚さ５０μｍの東レ・デュポン
（株）製ポリイミドフィルム（商品名；カプトン）から
なるポリイミド層Ｃと、厚さ２５μｍの東レ・デュポン
（株）ポリイミドフィルム（商品名；１００ＫＪ）から
なるポリイミド層Ｂとを用い、前者の７層の間に後者の
６層を交互に入れて、加熱プレス機にはさみ、４０ｋｇ
／ｃｍ2の圧力下、１５０℃で５時間加熱後、さらに最
大３９０℃まで昇温し、１時間保持した後、室温まで徐
冷した。これを直径２インチに切り出して、円板状のポ
リイミド積層体を得た。このポリイミド積層体の平均表
面粗さ（Ｒａ）は１６３５Å、面方向の熱膨張係数は３
×１０-5／℃であった。
【００５０】そして、この積層体上に前記構造式（１）
で表される繰り返し単位からなるポリイミドの前躯体溶
液をスピンコートした後、３８０℃で１時間の熱処理を
行い、前記ポリイミド積層体上に膜厚８μｍのポリイミ
ド膜（平面光導波路）を得た。このポリイミド膜の複屈
折は０．００６であった。
で表される繰り返し単位からなるポリイミドの前躯体溶
液をスピンコートした後、３８０℃で１時間の熱処理を
行い、前記ポリイミド積層体上に膜厚８μｍのポリイミ
ド膜（平面光導波路）を得た。このポリイミド膜の複屈
折は０．００６であった。
【００５１】さらに上記実施例１〜４では、高分子光導
波路用基板の材料として前記構造式（１）で表される繰
り返し単位からなる厚さ６５μｍのポリイミドフィルム
からなるポリイミド層を用いたが、前記構造式（２）で
表される繰り返し単位からなるポリイミドを用いても、
同様の結果が得られた。さらに、前記構造式（１）、
（３）、（４）でそれぞれ表される繰り返し単位からな
るそれぞれイミド化合物を組み合わせて重合してなる共
重合ポリイミドを用いても、同様の結果が得られた。
波路用基板の材料として前記構造式（１）で表される繰
り返し単位からなる厚さ６５μｍのポリイミドフィルム
からなるポリイミド層を用いたが、前記構造式（２）で
表される繰り返し単位からなるポリイミドを用いても、
同様の結果が得られた。さらに、前記構造式（１）、
（３）、（４）でそれぞれ表される繰り返し単位からな
るそれぞれイミド化合物を組み合わせて重合してなる共
重合ポリイミドを用いても、同様の結果が得られた。
【００５２】次に、光部品用基板の熱膨張率を制御する
ことを目的に行った実施例を示す。以下の実施例には、
前記実施例１〜４と同じ内容の実施例もあるが、前述の
ように、熱膨張率を制御する実施例であるとの観点か
ら、省略せずに記載した。
ことを目的に行った実施例を示す。以下の実施例には、
前記実施例１〜４と同じ内容の実施例もあるが、前述の
ように、熱膨張率を制御する実施例であるとの観点か
ら、省略せずに記載した。
【００５３】（実施例５）前記構造式（１）で表される
繰り返し単位からなるポリイミドを用いてロール延伸法
により作製した厚さ６５μｍのポリイミドフィルム（商
品名；ＦＬＵＰＩ−０１）からなるポリイミド層Ａを１
０層重ね合わせて加熱プレス機に挟み、４０ｋｇ／ｃｍ
2の圧力下、１５０℃で５時間加熱後、さらに最大３９
０℃まで昇温し、１時間保持した後、室温まで徐冷し
た。これを直径２インチに切り出して、円板状のポリイ
ミド積層体を得た。このポリイミド積層体の面方向の熱
膨張係数は８×１０-5／℃であった。
繰り返し単位からなるポリイミドを用いてロール延伸法
により作製した厚さ６５μｍのポリイミドフィルム（商
品名；ＦＬＵＰＩ−０１）からなるポリイミド層Ａを１
０層重ね合わせて加熱プレス機に挟み、４０ｋｇ／ｃｍ
2の圧力下、１５０℃で５時間加熱後、さらに最大３９
０℃まで昇温し、１時間保持した後、室温まで徐冷し
た。これを直径２インチに切り出して、円板状のポリイ
ミド積層体を得た。このポリイミド積層体の面方向の熱
膨張係数は８×１０-5／℃であった。
【００５４】（実施例６）前記厚さ６５μｍのポリイミ
ド層Ａと、前記厚さ２５μｍの東レ・デュポン（株）製
ポリイミドフィルム（商品名；１００ＨＡ）からなるポ
リイミド層Ｂ’とを用い、順に、層Ａ×３、層Ｂ’×
１、層Ａ×１、層Ｂ’×１、層Ａ×１、層Ｂ’×１、層
Ａ×３というように、合計１１層重ね、これを加熱プレ
ス機に挟み、４０ｋｇ／ｃｍ2の圧力下、１５０℃で５
時間加熱後、さらに最大３９０℃まで昇温し、１時間保
持した後、室温まで徐冷した。これを直径２インチに切
り出して、円板状のポリイミド積層体を得た。このポリ
イミド積層体の面方向の熱膨張係数は７×１０-5／℃で
あった。
ド層Ａと、前記厚さ２５μｍの東レ・デュポン（株）製
ポリイミドフィルム（商品名；１００ＨＡ）からなるポ
リイミド層Ｂ’とを用い、順に、層Ａ×３、層Ｂ’×
１、層Ａ×１、層Ｂ’×１、層Ａ×１、層Ｂ’×１、層
Ａ×３というように、合計１１層重ね、これを加熱プレ
ス機に挟み、４０ｋｇ／ｃｍ2の圧力下、１５０℃で５
時間加熱後、さらに最大３９０℃まで昇温し、１時間保
持した後、室温まで徐冷した。これを直径２インチに切
り出して、円板状のポリイミド積層体を得た。このポリ
イミド積層体の面方向の熱膨張係数は７×１０-5／℃で
あった。
【００５５】（実施例７）前記厚さ６５μｍのポリイミ
ド層Ａと、厚さ２５μｍの東レ・デュポン（株）ポリイ
ミドフィルム（商品名；１００ＫＪ）からなるポリイミ
ド層Ｂとを用い、前者の７層の間に後者の６層を交互に
入れて積層し、これを加熱プレス機に挟み、４０ｋｇ／
ｃｍ2の圧力下、１５０℃で５時間加熱後、さらに最大
３９０℃まで昇温し、１時間保持した後、室温まで徐冷
した。これを直径２インチに切り出して、円板状のポリ
イミド積層体を得た。このポリイミド積層体の面方向の
熱膨張係数は６×１０-5／℃であった。
ド層Ａと、厚さ２５μｍの東レ・デュポン（株）ポリイ
ミドフィルム（商品名；１００ＫＪ）からなるポリイミ
ド層Ｂとを用い、前者の７層の間に後者の６層を交互に
入れて積層し、これを加熱プレス機に挟み、４０ｋｇ／
ｃｍ2の圧力下、１５０℃で５時間加熱後、さらに最大
３９０℃まで昇温し、１時間保持した後、室温まで徐冷
した。これを直径２インチに切り出して、円板状のポリ
イミド積層体を得た。このポリイミド積層体の面方向の
熱膨張係数は６×１０-5／℃であった。
【００５６】（実施例８）ロール延伸法により作製した
厚さ６５μｍのポリイミド層Ａと、前記厚さ２５μｍの
東レ・デュポン（株）製ポリイミドフィルム（商品名；
１００ＫＪ）からなるポリイミド層Ｂと、前記構造式
（３）で表される繰り返し単位からなる厚さ５０μｍの
東レ・デュポン（株）製ポリイミドフィルム（商品名；
カプトン）からなるポリイミド層Ｃを用いて、順に、層
Ａ×１、層Ｂ×７、層Ｃ×１、層Ｂ×７、層Ａ×１とい
うように、合計１７層重ね、これを加熱プレス機に挟
み、４０ｋｇ／ｃｍ2の圧力下、１５０℃で５時間加熱
後、さらに最大３９０℃まで昇温し、１時間保持した
後、室温まで徐冷した。これを直径２インチに切り出し
て、円板状のポリイミド積層体を得た。このポリイミド
積層体の面方向の熱膨張係数は５×１０-5℃であった。
厚さ６５μｍのポリイミド層Ａと、前記厚さ２５μｍの
東レ・デュポン（株）製ポリイミドフィルム（商品名；
１００ＫＪ）からなるポリイミド層Ｂと、前記構造式
（３）で表される繰り返し単位からなる厚さ５０μｍの
東レ・デュポン（株）製ポリイミドフィルム（商品名；
カプトン）からなるポリイミド層Ｃを用いて、順に、層
Ａ×１、層Ｂ×７、層Ｃ×１、層Ｂ×７、層Ａ×１とい
うように、合計１７層重ね、これを加熱プレス機に挟
み、４０ｋｇ／ｃｍ2の圧力下、１５０℃で５時間加熱
後、さらに最大３９０℃まで昇温し、１時間保持した
後、室温まで徐冷した。これを直径２インチに切り出し
て、円板状のポリイミド積層体を得た。このポリイミド
積層体の面方向の熱膨張係数は５×１０-5℃であった。
【００５７】（実施例９）前記厚さ５０μｍの東レ・デ
ュポン（株）製ポリイミドフィルム（１００ＨＡ）から
なるポリイミド層Ｂ’と、前記厚さ２５μｍの東レ・デ
ュポン（株）製ポリイミドフィルム（１００ＫＪ）から
なるポリイミド層Ｂとを用い、前者の７層の間に後者の
６層を交互に入れて積層し、これを加熱プレス機に挟
み、４０ｋｇ／ｃｍ2の圧力下、１５０℃で５時間加熱
後、さらに最大３９０℃まで昇温し、１時間保持した
後、室温まで徐冷した。これを直径２インチに切り出し
て、円板状のポリイミド積層体を得た。このポリイミド
積層体の面方向の熱膨張係数は４×１０-5℃であった。
ュポン（株）製ポリイミドフィルム（１００ＨＡ）から
なるポリイミド層Ｂ’と、前記厚さ２５μｍの東レ・デ
ュポン（株）製ポリイミドフィルム（１００ＫＪ）から
なるポリイミド層Ｂとを用い、前者の７層の間に後者の
６層を交互に入れて積層し、これを加熱プレス機に挟
み、４０ｋｇ／ｃｍ2の圧力下、１５０℃で５時間加熱
後、さらに最大３９０℃まで昇温し、１時間保持した
後、室温まで徐冷した。これを直径２インチに切り出し
て、円板状のポリイミド積層体を得た。このポリイミド
積層体の面方向の熱膨張係数は４×１０-5℃であった。
【００５８】（実施例１０）前記構造式（３）で表され
る繰り返し単位からなる厚さ２５μｍの東レ・デュポン
（株）製ポリイミドフィルム（カプトン）からなるポリ
イミド層Ｃと、厚さ２５μｍの東レ・デュポン（株）製
ポリイミドフィルム（１００ＫＪ）からなるポリイミド
層Ｂとを用い、前者の７層の間に後者の６層を交互に入
れて積層し、これを加熱プレス機に挟み、４０ｋｇ／ｃ
ｍ2の圧力下、１５０℃で５時間加熱後、さらに最大３
９０℃まで昇温し、１時間保持した後、室温まで徐冷し
た。これを直径２インチに切り出して、円板状のポリイ
ミド積層体を得た。このポリイミド積層体の面方向の熱
膨張係数は３×１０-5／℃であった。
る繰り返し単位からなる厚さ２５μｍの東レ・デュポン
（株）製ポリイミドフィルム（カプトン）からなるポリ
イミド層Ｃと、厚さ２５μｍの東レ・デュポン（株）製
ポリイミドフィルム（１００ＫＪ）からなるポリイミド
層Ｂとを用い、前者の７層の間に後者の６層を交互に入
れて積層し、これを加熱プレス機に挟み、４０ｋｇ／ｃ
ｍ2の圧力下、１５０℃で５時間加熱後、さらに最大３
９０℃まで昇温し、１時間保持した後、室温まで徐冷し
た。これを直径２インチに切り出して、円板状のポリイ
ミド積層体を得た。このポリイミド積層体の面方向の熱
膨張係数は３×１０-5／℃であった。
【００５９】前述の実施例５〜１０に示したように、用
いた２種類以上のポリイミドフィルムの分子構造とそれ
らのフィルムを積層する際の比率を変えることにより、
積層体の熱膨張率を３×１０-5／℃から８×１０-5／℃
の範囲で制御できた。
いた２種類以上のポリイミドフィルムの分子構造とそれ
らのフィルムを積層する際の比率を変えることにより、
積層体の熱膨張率を３×１０-5／℃から８×１０-5／℃
の範囲で制御できた。
【００６０】さらに、上記実施例５〜１０では、高分子
光導波路用基板として、前記構造式（１）、（３）で表
される繰り返し単位からなるポリイミドフィルムからな
るポリイミド層を用いたが、前記構造式（２）、（４）
で表される繰り返し単位からなるポリイミドを用いて
も、同様の結果が得られた。さらに、前記構造式（１）
〜（４）でそれぞれ表される繰り返し単位からなる、そ
れぞれイミド化合物を組み合わせて重合してなる共重合
ポリイミドを用いても、同様の結果が得られた。
光導波路用基板として、前記構造式（１）、（３）で表
される繰り返し単位からなるポリイミドフィルムからな
るポリイミド層を用いたが、前記構造式（２）、（４）
で表される繰り返し単位からなるポリイミドを用いて
も、同様の結果が得られた。さらに、前記構造式（１）
〜（４）でそれぞれ表される繰り返し単位からなる、そ
れぞれイミド化合物を組み合わせて重合してなる共重合
ポリイミドを用いても、同様の結果が得られた。
【００６１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光部品用
基板およびその製造方法によれば、表面粗さが小さく、
かつ熱膨張係数が大きい光学用ポリイミドと近い熱膨張
係数を有する光学用ポリイミド基板が作製でき、この基
板上に作製した光学用ポリイミドの複屈折を低減できる
ため、偏波依存性が小さいポリイミド光導波路を作製で
きるという効果がある。
基板およびその製造方法によれば、表面粗さが小さく、
かつ熱膨張係数が大きい光学用ポリイミドと近い熱膨張
係数を有する光学用ポリイミド基板が作製でき、この基
板上に作製した光学用ポリイミドの複屈折を低減できる
ため、偏波依存性が小さいポリイミド光導波路を作製で
きるという効果がある。
【００６２】また、本発明の光部品用基板の熱膨張率制
御方法によれば、分子構造の相異なる２種類以上のポリ
イミドフィルムを加熱圧着または複数回コーティング
し、用いるポリイミドの分子構造とフィルムを積層する
際の比率を変えることにより、積層体の熱膨張率が制御
可能であることが明らかとなり、この積層体を光部品や
電子部品の基板として用いることで部品製造の歩留ま
り、部品の信頼性、性能を向上できるという効果があ
る。
御方法によれば、分子構造の相異なる２種類以上のポリ
イミドフィルムを加熱圧着または複数回コーティング
し、用いるポリイミドの分子構造とフィルムを積層する
際の比率を変えることにより、積層体の熱膨張率が制御
可能であることが明らかとなり、この積層体を光部品や
電子部品の基板として用いることで部品製造の歩留ま
り、部品の信頼性、性能を向上できるという効果があ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 重邦 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 松浦 徹 東京都武蔵野市御殿山一丁目１番３号 エ ヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株 式会社内 (72)発明者 山本 二三男 東京都武蔵野市御殿山一丁目１番３号 エ ヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株 式会社内 (72)発明者 横山 博一 愛知県東海市新宝町31番地の６ 東レ・デ ュポン株式会社東海事業場内 (72)発明者 杉本 範巳 大阪市北区中之島３丁目４番18号 東レ・ デュポン株式会社大阪本社内 Ｆターム(参考） 2H047 KA02 PA01 PA02 PA28 QA05 TA00 TA42 4F071 AA66 AA66X AF43 AH19 BC02 4J043 PA02 PA04 PA08 PC146 QB16 QB26 RA35 SA06 SB01 SB03 TA22 TB01 UA132 UB062 UB121 UB401 VA021 VA041 ZA35 ZB21
Claims (7)
- 【請求項１】 １種類または２種類以上の高分子フィル
ムが複数層積層されるとともに加熱圧着されてなる積層
体からなる光部品用基板。 - 【請求項２】 前記積層体を構成する高分子フィルムが
ポリイミドであることを特徴とする請求項１記載の光部
品用基板。 - 【請求項３】 前記積層体を構成する１種類または２種
類以上の高分子フィルムとして、下記構造式（１）、
（２）： 【化１】 【化２】 で表される繰り返し単位のいずれかからなるポリイミド
フィルムまたは前記繰り返し単位の２種類以上からなる
共重合ポリイミドフィルムを用いることを特徴とする請
求項１記載の光部品用基板。 - 【請求項４】 下記構造式（１）、（２）： 【化３】 【化４】 で表される繰り返し単位のいずれかからなるポリイミド
または前記繰り返し単位の２種類以上からなる共重合ポ
リイミドを用いて、ロール延伸法または溶液塗布法によ
り１種類または２種類以上のポリイミドフィルムまたは
共重合ポリイミドフィルムを作製し、 前記１種類または２種類以上のポリイミドフィルムまた
は共重合ポリイミドフィルムを複数層に重ね、 前記複数層に重ねたポリイミドフィルム積層体を加熱圧
縮により一体化して光部品用の基板を得ることを特徴と
する光部品用基板の製造方法。 - 【請求項５】 熱膨張率の異なる複数のポリイミドフィ
ルムから１種類または２種類以上のポリイミドフィルム
を選択して複数層積層し、これを加熱圧着して得られる
光部品用基板の熱膨張率を制御する方法であって、 前記複数のポリイミドフィルムを積層する際に、前記１
種類または２種類以上のポリイミドフィルムの積層順ま
たは／および積層数を変化させることにより、該基板の
熱膨張率を所望値に制御することを特徴とする光部品用
基板の熱膨張率制御方法。 - 【請求項６】 前記１種類または２種類以上のポリイミ
ドフィルムを構成するポリイミドのうちの１種類のポリ
イミドとして、下記構造式（１）、（２）： 【化５】 【化６】 で表される繰り返し単位からなるポリイミドまたは前記
繰り返し単位の２種類以上からなる共重合ポリイミドを
用いることを特徴とする請求項５記載の光部品用基板の
熱膨張率制御方法。 - 【請求項７】 前記熱膨張率を制御するための低熱膨張
率ポリイミドフィルムとして、下記構造式（３）または
（４）： 【化７】 【化８】 で表される繰り返し単位からなるポリイミドのフィルム
を用いることを特徴とする請求項６に記載の光部品用基
板の熱膨張率制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11171414A JP2001004850A (ja) | 1999-06-17 | 1999-06-17 | 光部品用基板とその製造方法、および該基板の熱膨張率制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11171414A JP2001004850A (ja) | 1999-06-17 | 1999-06-17 | 光部品用基板とその製造方法、および該基板の熱膨張率制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001004850A true JP2001004850A (ja) | 2001-01-12 |
Family
ID=15922705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11171414A Pending JP2001004850A (ja) | 1999-06-17 | 1999-06-17 | 光部品用基板とその製造方法、および該基板の熱膨張率制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001004850A (ja) |
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1999
- 1999-06-17 JP JP11171414A patent/JP2001004850A/ja active Pending
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