JP2000358198A - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

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JP2000358198A
JP2000358198A JP11168897A JP16889799A JP2000358198A JP 2000358198 A JP2000358198 A JP 2000358198A JP 11168897 A JP11168897 A JP 11168897A JP 16889799 A JP16889799 A JP 16889799A JP 2000358198 A JP2000358198 A JP 2000358198A
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solid
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state imaging
pixel
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Fumihiko Ando
文彦 安藤
Toshiki Saito
敏紀 斉藤
Yoshio Nakayama
美穂 中山
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Nippon Hoso Kyokai NHK
Japan Broadcasting Corp
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    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/79—Arrangements of circuitry being divided between different or multiple substrates, chips or circuit boards, e.g. stacked image sensors
    • H—ELECTRICITY
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    • H04N25/50—Control of the SSIS exposure
    • H04N25/57—Control of the dynamic range

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  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 小型にも拘わらず開口部の比率を上げること
ができる、平面構成の固体撮像装置を提供する。 【解決手段】 １つの画素領域ＰJ,Kは９つの小ブロッ
クに区分されており、１つのブロックはフォトダイオー
ド１２Ａとパルス発生器２０Ａを含む。他の８つのブロ
ックは、第１ビット出力〜第８ビット出力を得るための
カウンタ５１〜５８をそれぞれ含む。カウンタ５１〜５
８から得られた第１ビット出力〜第８ビット出力は、水
平走査回路３４によるＯＮ／ＯＦＦ制御に従い、スイッ
チＳＷを介して外部に出力される。垂直走査回路４４
は、固体撮像装置ＳＩＤに含まれる行方向の画素領域群
を選択する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光電変換された電
気信号を直ちにデジタル信号として取り出す固体撮像装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】既に周知の如く、デジタル信号の形式に
て信号伝送や各種の信号処理を行うことにより、ＳＮ比
の劣化を極めて少なくすることができる。かかる観点か
ら、撮像装置においても、できるだけ初期の信号処理段
階にて映像信号をデジタル化し、その後に各種の処理を
行おうとする試みがなされている。
【０００３】しかし、従来の撮像装置においては、光電
変換された信号を、できるだけ早くデジタル信号に変換
する場合でも、固体撮像素子の画素から得られる各々の
アナログ情報を時系列のアナログ情報として一度素子外
に取り出した後に、ＡＤ（アナログ・デジタル）変換器
によりデジタル信号に変換していた。
【０００４】このような構成を採る限り、ＡＤ変換を行
う以前の撮像素子におけるアナログ信号処理は従来通り
であり、そこでの問題は何ら解決されずに残ることにな
る。すなわち、各種の雑音が重畳してＳＮ比を十分に高
めることができないなど、良好な撮像ができないという
欠点がみられた。
【０００５】上述の点に鑑み、各画素において光電変換
された画素毎の電気信号を、デジタル信号に直接変換し
て信号処理するよう構成した固体撮像装置が本出願人に
より既に提案されている（特公平７−９９８６８号「固
体撮像装置」）。
【０００６】上記出願にかかる固体撮像装置は、到来す
るフォトン（光子）の数をデジタル的に計測して、画素
ごとのデジタル信号を送出するものであって、図１に示
すような構成を備えている。すなわち、まず複数の光セ
ンサ部８Ａを直線状に配置してラインセンサを形成し、
このラインセンサを約１０μｍの厚さに薄片化して、所
定枚数だけ垂直方向に貼り合わせることにより、２次元
像の撮像が可能な固体撮像装置を構成している。ここ
で、垂直走査回路１６は、各ラインセンサ毎に備えられ
ている水平走査回路１４のいずれか一つを指定して水平
走査線を特定する機能を果たしている。
【０００７】このように、図１の構成では、２次元平面
上に光センサ部８Ａをマトリクス状に配列するにあた
り、各々のラインセンサ相互を電気的に絶縁して重ね合
わせることにより、通常の２次元走査を可能にしてい
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１に
示したような従来の固体撮像装置は、２次元像の撮像を
行うためには、薄片化したラインセンサを電気的に絶縁
しながら積み重ねなければならないので、高度な技術を
要するばかりでなく、生産効率も上がらないという問題
がある。
【０００９】そこで、薄片化したラインセンサを積み重
ねることなく２次元像の撮像を可能にするために、平面
基板上に、光センサ部・カウンタ・水平走査回路・垂直
走査回路等を全て実装した平面構成を採ることを考え
た。
【００１０】しかし、斯かる平面構成を採った場合に
は、１画素に対応する平面領域中に、光センサおよびそ
の他の多数の回路を含ませなければならないので、入射
光を直接検出するための面積、すなわち開口部の比率が
非常に小さくなってしまうという問題が生じる。
【００１１】よって、本発明の第１の目的は上述の点に
鑑み、高度な技術を要することなく、生産効率の向上を
可能とした、平面構成の固体撮像装置を提供することに
ある。
【００１２】本発明の第２の目的は、小型にも拘わらず
開口部の比率を上げることができる、平面構成の固体撮
像装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明に係る固体撮像装置は、入射フォトン数に
応じたパルス状信号を送出する受光手段を、平面基板上
に２次元的に、複数個配列してなる固体撮像装置であっ
て、１画素に対応する平面領域内に、前記受光手段と、
前記受光手段から送出されたパルス状信号を計数する手
段とを配置したものである。
【００１４】また、上記の固体撮像装置において、さら
に加えて、前記受光手段の開口率を上げる手段を備える
ことも可能である。ここで、前記受光手段の開口率を上
げる手段として、撮像面を形成する複数の画素領域と、
これら画素領域のそれぞれに対応する前記受光手段とを
接続する光ファイバを用いることができる。また、前記
受光手段の開口率を上げる手段として、撮像レンズの後
段に配置した拡大光学系と、該拡大光学系からの出力光
を導入するために前記受光手段の入射表面に貼り付けた
マイクロレンズとを用いることも可能である。さらに、
前記受光手段の開口率を上げる手段として、１画素領域
の全入射表面にわたって光電変換膜を貼付し、該光電変
換膜と前記受光手段との間に電荷収集用電極を配置する
ことも可能である。
【００１５】
【発明の実施の形態】実施の形態１ 本実施の形態による固体撮像装置を説明するにあたり、
まず本実施の形態における回路構成を説明し、その後
に、具体的な基板上の画素配置について説明する。
【００１６】図２は、本固体撮像装置における１画素分
の光検知回路を示す。本図において、１２Ａは光検出素
子であるフォトダイオード、１１Ａは蓄積電荷を放電す
るためのＦＥＴスイッチ、９Ａは放電時定数決定用のオ
ン（ＯＮ）抵抗である。２０Ａはパルス発生回路であ
り、フォトダイオード１２Ａからの出力電圧がスレッシ
ュホールド電圧を超えた時にパルスを出力すると共に、
フォトダイオード１２Ａを初期状態に戻すためのリセッ
トパルスを発生する。５１〜５８は、第１ビット出力〜
第８ビット出力を得るための２進カウンタである。
【００１７】図３は、図２に示した１画素分の光検知回
路を含んだラインセンサを示す。本図は、通常のＩＣプ
ロセスに従って単一の基板上にラインセンサを構成する
態様を表している。
【００１８】図３において、９Ａ〜９Ｎは蓄積電荷の放
電時定数を決めるオン抵抗、２０Ａ〜２０Ｎはパルス発
生回路、３０Ａ〜３０Ｎはパルス発生回路２０Ａ〜２０
Ｎからそれぞれ送出されるパルス信号をカウントするカ
ウンタ回路（具体的には、フリップフロップを縦続接続
してある）である。
【００１９】１２Ａ〜１２Ｎはフォトダイオードであ
り、これらのフォトダイオードはフォトンが到来する受
光面上に１列に配列してある。なお、これらフォトダイ
オード１２Ａ〜１２Ｎの替わりに、光導電膜などの光電
変換素子あるいは高速光電子増倍素子（例えば、アバラ
ンシェフォトダイオード、または光電面とマイクロチャ
ンネルプレートの組合わせ等）から成る光検出素子を用
いることも可能である。
【００２０】１１Ａ〜１１Ｎは、各々のフォトダイオー
ド１２Ａ〜１２Ｎに蓄えられた電荷をリセットするため
の放電用のスイッチである（具体的には、図２に示した
ように、ＦＥＴスイッチを用いる）。２４は水平走査回
路であり、カウンタ回路３０Ａ〜３０Ｎからデジタル計
数値を逐次読み出すと同時にリセットを行う。この読み
出しを行う為の方法として、従来から知られているアド
レススイッチング手法を用いるのが好適である。
【００２１】図３に示したラインセンサを動作させる場
合は、まず１フレーム時間に相当する１／３０秒間につ
いて、入射フォトン数に対応したパルス信号をカウンタ
回路３０Ａ〜３０Ｎに導入し、カウントが終了した時点
で水平走査回路２４を用いて、これら各カウンタ回路３
０Ａ〜３０Ｎからそれらの計数値を逐次読み出す。そし
て、計数値の読み出し後に各カウンタ回路３０Ａ〜３０
Ｎを零にリセットし、以下同じ動作を繰り返す。このこ
とにより、受光面における照度を各画素単位でデジタル
信号に直接変換し、出力することができる。
【００２２】そして、図３に示したラインセンサを並列
に配置することにより、２次元センサを構成する（図示
せず）。
【００２３】図４は、本実施の形態における基板構成を
模式的に示した平面図である。本図において、ＳＩＤは
平面基板上に形成された固体撮像素子（Solid Imaging
Device）であり、マトリクス状に配置されたＭ行Ｎ列の
画素領域Ｐ1,1〜ＰM,Nを含んでいる。本図の右側には、
１つの画素領域ＰJ,Kを拡大して描いてある。また、３
４は水平走査回路、４４は垂直走査回路、ＳＷは水平走
査回路３４により制御されるスイッチである。
【００２４】図４の右側に示したように、１つの画素領
域ＰJ,Kは９つの小ブロックに区分されており、中央の
ブロックにはフォトダイオード１２Ａとパルス発生回路
２０Ａ（図２参照）が含まれている。そして、上記中央
のブロックを取り囲む８つの周辺ブロックには、それぞ
れ、第１ビット出力〜第８ビット出力を得るためのカウ
ンタ５１〜５８（図２参照）が含まれている。これらカ
ウンタ５１〜５８から得られた第１ビット出力〜第８ビ
ット出力は、水平走査回路３４によるＯＮ／ＯＦＦ制御
に従い、スイッチＳＷを介して外部に出力される。この
とき、垂直走査回路４４は、本固体撮像素子ＳＩＤに含
まれる行方向（図４の横方向）の画素領域群を選択す
る。すなわち、水平走査回路３４と垂直走査回路４４に
より１つの画素領域ＰJ,Kが選択され、この画素領域Ｐ
J,Kから各ビット出力が得られる。
【００２５】図５は、垂直走査回路４４により行方向の
画素領域群が選択される状態を説明した図である。本図
において、図４と同じ構成要素には、同じ符号を付して
ある。この図５から明らかなように、各カウンタ５１〜
５８の出力端と出力取り出し線との間にはＦＥＴスイッ
チがそれぞれ接続されており、垂直走査回路４４から出
力されるゲート制御信号により各ＦＥＴスイッチがＯＮ
／ＯＦＦされる。かくして、選択された特定の画素領域
ＰJ,Kからは、第１ビット出力Ｂ１〜第８ビット出力Ｂ
８がスイッチＳＷ（図４）に供給される。図６は、この
状態を別の視点から描いたものである。
【００２６】本実施の形態は、１画素に対応する平面領
域内の中央部に受光手段を配置し、その受光手段を取り
囲むように受光手段から送出されたパルス状信号を計数
する手段を配列した例を説明したが、配列のやり方はこ
れに限られるわけではなく、さまざまなバリエーション
が考えられる。
【００２７】本実施の形態では、フォトダイオードおよ
び他の複数の回路を平面的に構成することにより、第１
ビット出力Ｂ１〜第８ビット出力Ｂ８から成る並列信号
を画素毎に順次（すなわち時系列的に）出力することが
できる。
【００２８】実施の形態２ 上述した実施の形態１は、平面基板上に形成された固体
撮像素子ＳＩＤそのものについて述べたものであるが、
図４〜図６に示した平面構成だけでは、撮像素子として
の開口率が限定されてしまう。
【００２９】そこで、ここで述べる実施の形態２では、
より開口率を上げるために、図７に示すように、光電変
換膜７０を固体撮像素子ＳＩＤの入射光線側に貼り付け
ることにより、実質的な開口率を１００％にしている。
すなわち、フォトダイオード１２Ａの上に電荷収集用の
画素電極７２を設けると同時に、その画素電極７２の上
に光電変換膜７０を積層したものである。
【００３０】このような構成とすることにより、光電変
換膜７０で変換された電子（または正孔）をフォトダイ
オードの部分のみに集めることができ、光信号を無駄な
く利用することができる。
【００３１】実施の形態３ 上記実施の形態２では撮像面が大きくなるので、撮影レ
ンズも大型のものが必要となる。一方、撮像装置全体を
敢えて大型化するという考え方はあり得ないので、撮影
レンズの後段に拡大光学系を用いるという発想はなかっ
た。しかるに、画素単位毎に処理を行うようにした本撮
像素子ＳＩＤでは、１画素領域の面積に対して、フォト
ダイオード（感光部）の占める割合が非常に小さくなる
ので、それと共に撮像素子自体が大型化してしまうこと
になる。この場合には、大型の撮影レンズを用いればよ
いのであるが、レンズ自体が大きくなり、特殊なものを
設計しなければならないことになる。
【００３２】そこで、ここで述べる実施の形態３では、
図８に示すように、撮像素子ＳＩＤの前段側に拡大光学
系６８を設け、さらに撮像素子ＳＩＤの直前にマイクロ
レンズ６６を設けることにより、１画素領域に入射した
光をフォトダイオード（感光部）のみに集中させる構成
としてある。
【００３３】すなわち、撮影レンズ６０には従来のまま
小型のものを用いて通常の焦点面を小さくしたまま、撮
像素子ＳＩＤの大きさに見合った拡大光学系６８で像を
拡大し、さらに１画素領域内の必要な部分にだけ光を集
めるために、画素単位にマイクロレンズ６６を設ける。
【００３４】本実施の形態３では、従来から用いられて
いる小型の撮影レンズ６０を利用でき、かつ入射光も無
駄なく利用できるため、外見上は小型の撮像素子で撮影
し、別の処理回路で画像処理したのと同等の効果が得ら
れる。その上、１画素内での画像処理を自由に行えると
いう大きなメリットが付加される。
【００３５】以上述べた通り、撮影レンズ６０で結像さ
れた映像を拡大光学系６８で必要な大きさまで拡大し、
その後マイクロレンズ６６によってフォトダイオード部
分に集光させることにより、各画素内の光感度のある部
分のみに光情報を集めることができると同時に、撮影レ
ンズは通常の一般的な小型レンズを使用できる、という
格別な効果が得られる。
【００３６】実施の形態４ 図８に示した実施の形態３では、第１の焦点面（図８に
は、「通常の焦点面」と記載してある）から撮像素子Ｓ
ＩＤまでの距離が長くなるという問題がある。
【００３７】そこで、本実施の形態４では、撮像部全体
を小型化するため、図９に示すように、光ファイバＯＰ
ＴＦの一方の端面を撮像素子ＳＩＤの各画素領域のフォ
トダイオードに接続し、かつ各光ファイバＯＰＴＦの相
対的位置関係が変わらないように、他方の端面をできる
だけ小さく束ね、その面を撮像面とする。これにより、
撮像面を小さくできるので、従来の小型撮影レンズ６０
を使うことができると共に、入射光を無駄なく各画素の
受光部（フォトダイオード）に導くことができる。その
結果として、撮影レンズ６０と撮像素子ＳＩＤとの間の
距離を、図８の場合より短くすることが可能である。
【００３８】このように、本実施の形態４では、光ファ
イバＯＰＴＦの一方の端面を画素領域のピッチに等しく
配置し、他方の端面をできるだけ小面積に配列した構成
としてあるので、受光面に入射した光は各々の光ファイ
バＯＰＴＦを通り、所定のフォトダイオードに無駄なく
導かれる。
【００３９】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、高
度な技術を要することなく、生産効率の向上を可能とし
た、平面構成の固体撮像装置を実現することができる。
【００４０】さらに、本発明によれば、小型にも拘わら
ず開口部の比率を上げることができる、平面構成の固体
撮像装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に関連した従来技術の説明図である。
【図２】本発明固体撮像装置の１画素分の光検知回路を
示す回路図である。
【図３】図２に示した１画素分の光検知回路を含んだラ
インセンサの構成図である。
【図４】実施の形態１における基板構成を模式的に示し
た平面図である。
【図５】実施の形態１における基板構成を模式的に示し
た平面図である。
【図６】実施の形態１における基板構成を模式的に示し
た平面図である。
【図７】実施の形態２を示す説明図である。
【図８】実施の形態３を示す説明図である。
【図９】実施の形態４を示す説明図である。
【符号の説明】
９Ａ〜９Ｎ オン抵抗 １２Ａ〜１２Ｎ フォトダイオード ２０Ａ〜２０Ｎ パルス発生回路 ３０Ａ〜３０Ｎ カウンタ回路 ３４ 水平走査回路 ４４ 垂直走査回路 ５１〜５８ ２進カウンタ ＳＩＤ 平面基板上に形成された固体撮像素子 ＰJ,K １つの画素領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中山 美穂 東京都世田谷区砧一丁目10番11号 日本放 送協会 放送技術研究所内 Ｆターム(参考） 4M118 AA10 AB01 BA05 CA02 CA14 DD09 DD12 GD03 HA23 5C024 AA01 CA12 DA07 EA04 FA01 FA11 GA01 GA04 GA31 HA16

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 入射フォトン数に応じたパルス状信号を
    送出する受光手段を、平面基板上に２次元的に、複数個
    配列してなる固体撮像装置であって、 １画素に対応する平面領域内に、前記受光手段と、前記
    受光手段から送出されたパルス状信号を計数する手段と
    を配置したことを特徴とする固体撮像装置。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の固体撮像装置におい
    て、さらに加えて、 前記受光手段の開口率を上げる手段を備えたことを特徴
    とする固体撮像装置。
  3. 【請求項３】 請求項２に記載の固体撮像装置におい
    て、 前記受光手段の開口率を上げる手段として、撮像面を形
    成する複数の画素領域と、これら画素領域のそれぞれに
    対応する前記受光手段とを接続する光ファイバを用いた
    ことを特徴とする固体撮像装置。
  4. 【請求項４】 請求項２に記載の固体撮像装置におい
    て、 前記受光手段の開口率を上げる手段として、撮像レンズ
    の後段に配置した拡大光学系と、該拡大光学系からの出
    力光を導入するために前記受光手段の入射表面に貼り付
    けたマイクロレンズとを用いたことを特徴とする固体撮
    像装置。
  5. 【請求項５】 請求項２に記載の固体撮像装置におい
    て、 前記受光手段の開口率を上げる手段として、１画素領域
    の全入射表面にわたって光電変換膜を貼付し、該光電変
    換膜と前記受光手段との間に電荷収集用電極を配置した
    ことを特徴とする固体撮像装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007116437A (ja) * 2005-10-20 2007-05-10 Nikon Corp 撮像素子および撮像システム
JP4816457B2 (ja) * 2004-09-02 2011-11-16 ソニー株式会社 撮像装置及び撮像結果の出力方法
WO2013084839A1 (ja) * 2011-12-09 2013-06-13 ソニー株式会社 撮像装置、電子機器、輝尽発光検出スキャナーおよび撮像方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8885080B2 (en) 2004-02-09 2014-11-11 Sony Corporation Image pickup device and image pickup result outputting method
JP4816457B2 (ja) * 2004-09-02 2011-11-16 ソニー株式会社 撮像装置及び撮像結果の出力方法
US8144227B2 (en) 2004-09-02 2012-03-27 Sony Corporation Image pickup device and image pickup result outputting method
JP2007116437A (ja) * 2005-10-20 2007-05-10 Nikon Corp 撮像素子および撮像システム
WO2013084839A1 (ja) * 2011-12-09 2013-06-13 ソニー株式会社 撮像装置、電子機器、輝尽発光検出スキャナーおよび撮像方法
CN103975580A (zh) * 2011-12-09 2014-08-06 索尼公司 成像设备、电子装置、光激励发光检测扫描器和成像方法
US9462190B2 (en) 2011-12-09 2016-10-04 Sony Corporation Imaging apparatus, an electronic device, and imaging method to uniformize distribution of incident light, and a photostimulated luminescence detection scanner
US10063784B2 (en) 2011-12-09 2018-08-28 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging apparatus, an electronic device, and imaging method to uniformize distribution of incident light, and a photostimulated luminescence detection scanner
CN103975580B (zh) * 2011-12-09 2018-10-23 索尼半导体解决方案公司 成像设备、电子装置、光激励发光检测扫描器和成像方法

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