JP2000356855A - 照明領域設定装置および露光装置 - Google Patents

照明領域設定装置および露光装置

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JP2000356855A
JP2000356855A JP11168336A JP16833699A JP2000356855A JP 2000356855 A JP2000356855 A JP 2000356855A JP 11168336 A JP11168336 A JP 11168336A JP 16833699 A JP16833699 A JP 16833699A JP 2000356855 A JP2000356855 A JP 2000356855A
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mask
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exposure apparatus
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JP11168336A
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Eiji Goto
英司 後藤
Masamitsu Yanagihara
政光 柳原
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Nikon Corp
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 結像面の汚染やスパークを発生させることな
く、十分なエッジ精度を得る。 【解決手段】 ビームBが照明する照明領域を設定する
照明領域設定装置18であって、ビームBが通過する光
路方向に沿って離間して設けられ、照明領域を設定する
設定部51、52を備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、マスクへ照射され
るビームの照明領域を設定する照明領域設定装置、およ
び光源からのビームを照明領域設定装置を介してマスク
上に照射し、照明されたマスクの像を基板の露光領域に
投影露光する露光装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、パソコンやテレビ等の表示素子と
しては、薄型化を可能とする液晶表示パネルが多用され
るようになっている。この種の液晶表示パネルは、平面
視矩形状の感光基板上に透明薄膜電極をフォトリソグラ
フィの手法で所望の形状にパターニングすることにより
製造されている。そして、このフォトリソグラフィの装
置として、マスク(レチクル)上に形成されたパターン
を投影光学系を介して感光基板上のフォトレジスト層に
露光する露光装置が用いられている。
【0003】ところで、上記の液晶表示パネルは、画面
の見やすさから大面積化が進んでいる。この要請に応え
る露光装置としては、例えば、特開平7−57986号
に開示されているように、マスクのパターンを正立像で
基板上に投影する複数の投影光学系を組み合わせ、マス
クとガラス基板とを所定方向に同期移動して、投影光学
系に対して走査することによって、照明光学系で照明さ
れ、且つブラインドで設定されたマスクの照明領域に形
成されたLCD(Liquid Crystal Di
splay)等のパターンをガラス基板上の露光領域に
順次転写する走査型の露光装置が考案されている。
【0004】この際、投影領域が大きくても装置を大型
化させず、且つ良好な結像特性を得る投影光学系とし
て、複数の投影光学系を、隣り合う投影領域が走査方向
で所定量変位するように、且つ隣り合う投影領域の端部
同士が走査方向と直交する方向に重複するように二列に
配列されたものが使用されている。この場合、各投影光
学系の視野絞りは台形形状で、走査方向の視野絞りの開
口幅の合計は常に等しくなるように設定されている。そ
のため、上記のような走査型の露光装置は、隣り合う投
影光学系の継ぎ部が重複して露光され、投影光学系の光
学収差や露光照度が滑らかに変化するという利点を持っ
ている。
【0005】一方、上記の露光装置では、良好な精度範
囲内にマスクとガラス基板との位置関係を保つために、
投影光学系の光軸方向に関するマスクとガラス基板との
相対距離を検出している。これは、所定の焦点距離を確
保することで解像度の低下に起因するデバイスの動作不
良を防ぐためである。そこで、マスクとガラス基板との
間に発光素子および受光素子からなるフォーカスセンサ
を配置し、発光素子からマスクおよびガラス基板の面上
に照明光をそれぞれ照射し、受光素子でこの反射光を受
光することにより、マスクとガラス基板との相対的な距
離を計測している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の照明領域設定装置および露光装置には、
以下のような問題が存在する。一般に、上記ブラインド
は、照明光学系内でマスクに対して略共役の位置に配置
される。ところが、各投影光学系毎に光ファイバーで露
光光を導入している場合などでは、照明光学系内に共役
面が存在しないことがある。この場合でも、ブラインド
機能は必須であるので、ブラインドが結像面とは異なる
位置に配置される、いわゆる非結像式ブラインドを構成
する必要がある。
【0007】図7に、非結像式のブラインドLを投影光
学系PLとガラス基板Pとの間に配置した一例を示す。
この図に示すように、ブラインドLが結像面(ガラス基
板Pの表面)から離間して配置される場合、離間する距
離が大きければ大きい程、照明のNAの影響から滲み量
Sも大きくなり、ブラインドのエッジの部分がぼけてし
まうという問題が生じる。
【0008】一方、ブラインドLを動作させるためのブ
ラインド駆動系Dは、機構系の構成を簡単にするため
に、ブラインドLに接近して配置することが好ましい
が、上記の問題を回避するために、ブラインドを結像面
であるマスクのパターン面、またはガラス基板の露光面
に極力近くなるように配置すると、ブラインド駆動系D
もガラス基板Pに接近し、ブラインド駆動系Dから発す
る塵埃によりガラス基板Pが汚染されるという問題があ
る。さらに、ブラインドLとガラス基板Pとの間の距離
は、ブラインドLの平面度によっても規制されるため、
ブラインドLをガラス基板Pに近付けるのにも限界があ
り、十分なエッジ精度が得られなかった。
【0009】加えて、ガラス基板Pを搬出する際にはガ
ラス基板Pが剥離帯電し、ブラインドLの金属部分とス
パークすることでガラス基板P上に露光されたパターン
を破壊してしまうという虞もあるため、ブラインドLと
ガラス基板Pとの間の距離を大きくせざるを得ず、十分
なエッジ精度が得られないという問題を回避することは
困難であった。
【0010】また、ブラインドは、露光領域の四辺を遮
光することになるので、ブラインドLの枚数は少なくと
も二枚は必要になり、ブラインドLの肉厚もある程度大
きくなる。そのため、二枚のブラインドのうちガラス基
板Pからより離れて配置したブラインドの方がエッジ精
度が悪くなる。特に、大型のガラス基板を露光する場
合、露光領域が広くなり、ブラインドの面積も大きくな
るため、平面度を考慮するとブラインドの肉厚をさらに
大きくする必要があり、ブラインド間でエッジ精度に差
が生じるという問題もあった。これらの問題は、ブライ
ンドLをガラス基板Pの近傍に設ける場合に限られるも
のではなく、マスクの近傍に設ける場合も同様に発生す
るものである。
【0011】一方、光軸方向に関するマスクとガラス基
板Pとの相対距離を計測する際には、マスクのパターン
面およびガラス基板Pの露光面、即ちマスク、ガラス基
板Pにおける結像面に照明光を照射する必要がある。ま
た、マスクおよびガラス基板Pにおける計測点は、上記
二列の投影領域の間に設定することが好ましい。ところ
が、上述したように、ブラインドLをマスクまたはガラ
ス基板Pの近傍に配置することにより、発光素子からの
照明光がブラインドLに遮光される虞がある。この場
合、計測点をブラインドに遮光されない位置に変更する
と、実際に露光する位置と離れることになり、マスクと
ガラス基板Pとの相対距離を高精度に得ることが困難に
なるという問題があった。
【0012】本発明は、以上のような点を考慮してなさ
れたもので、結像面の汚染やスパークを発生させること
なく、十分なエッジ精度が得られる照明領域設定装置、
およびこの照明領域設定装置を有する露光装置を提供す
ることを第1の目的とする。また、本発明は、大型の基
板を露光する際にも、エッジ精度に差が生じない露光装
置を提供することを第2の目的とする。さらに、本発明
は、照明領域設定装置により遮光されることなく、マス
クと基板との相対距離を計測することができる露光装置
を提供することを第3の目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、実施の形態を示す図1ないし図6に対応
付けした以下の構成を採用している。本発明の照明領域
設定装置は、ビーム(B)が照明する照明領域を設定す
る照明領域設定装置(18)であって、ビーム(B)が
通過する光路方向に沿って離間して設けられ、照明領域
を設定する設定部(51、52)を備えることを特徴と
するものである。
【0014】従って、本発明の照明領域設定装置では、
照明領域を設定する設定部(51、52)がビーム
(B)の光路方向に沿って離間して設けられているの
で、照明領域設定装置(18)を動作させるための駆動
系(53、54)を設定部(51、52)と離間して配
置することができる。そのため、設定部(51、52)
を結像面に接近して配置しても、結像面と駆動系(5
3、54)とが離れることになり、結像面の汚染を防止
することができる。また、平面度に関しては、設定部
(51、52)だけ考慮すれば済み、設定部(51、5
2)を照明領域設定に必要な最小限の大きさに抑えるこ
とにより、平面度を小さくすることが可能になり、設定
部(51、52)をより結像面に接近させることができ
るようになる。
【0015】また、本発明の露光装置は、ビーム(B)
の照明領域を照明領域設定装置で設定してマスク(M)
のパターンを基板(P)に露光する露光装置(1)にお
いて、マスク(M)と基板(P)との少なくとも一方の
近傍に、照明領域設定装置として請求項1記載の照明領
域設定装置(18)が配設されることを特徴とするもの
である。
【0016】従って、本発明の露光装置では、マスク
(M)の照明領域と基板(P)の照明領域との少なくと
も一方を請求項1記載の照明領域設定装置(18)によ
り、設定することができるため、設定部(51、52)
を結像面に接近して配置しても、結像面と駆動系(5
3、54)とが離れることになり、結像面の汚染を防止
することができる。また、設定部(51、52)を照明
領域設定に必要な最小限の大きさに抑えることにより、
平面度を小さくすることが可能になり、設定部(51、
52)をより結像面に接近させることができるようにな
る。
【0017】そして、本発明の露光装置は、互いに間隔
をあけて並列する複数のビーム(B)の照明領域を照明
領域設定装置(18)で設定し、複数のビーム(B)の
光路に対しマスク(M)と基板(P)とを同期移動し
て、設定された照明領域に対応するマスク(M)のパタ
ーンを基板(P)に露光する露光装置(1)において、
照明領域設定装置(18)は、照明領域を設定する設定
部(51、52)を並列する光路の列毎に有しているこ
とを特徴とするものである。
【0018】従って、本発明の露光装置では、設定部
(52)を光路の列毎に設けているので、設定部(5
2)間に間隔が開くことになる。そのため、マスク
(M)と基板(P)との光路方向の相対距離を計測する
ための照明光を、この設定部(52)によって遮光され
ることなく、設定部(52)間の間隔からマスク(M)
または基板(P)上の結像面に照射することができる。
【0019】さらに、本発明の露光装置は、ビーム
(B)の照明領域を照明領域設定装置(18)で設定し
て、設定された照明領域に対応するマスク(M)のパタ
ーンを基板に露光する露光装置(1)において、照明領
域設定装置(18)を、マスクを保持するマスクホルダ
(4)と基板(P)を保持する基板ホルダ(5)との少
なくとも一方のホルダと同じ電位に維持する電位維持装
置(59、60)を備えることを特徴とするものであ
る。
【0020】従って、本発明の露光装置では、マスクホ
ルダ(4)と基板ホルダ(5)との少なくとも一方と、
照明領域設定装置(18)とを電位維持装置(59、6
0)により同じ電位に維持することができるので、照明
領域設定装置(18)を結像面に接近して配置しても、
マスク(M)と基板(P)との少なくとも一方をマスク
ホルダ(4)、基板ホルダ(5)から搬出する際にも剥
離帯電によりスパークが発生することを防止できる。
【0021】
【発明の実施の形態】以下、本発明の照明領域設定装置
および露光装置の実施の形態を、図1ないし図6を参照
して説明する。ここでは、基板を液晶表示デバイス製造
用のガラス基板とし、露光装置をマスクとガラス基板と
を同期移動してマスクのパターン(例えば、液晶表示素
子パターン)を角形のガラス基板に走査露光する走査型
の露光装置とする場合の例を用いて説明する。また、こ
こでは、五つの投影光学系の投影領域の一部分をオーバ
ーラップして露光する場合の例を用いて説明する。な
お、図2において、投影光学系の光軸方向(光路方向)
をZ方向とし、Z方向に垂直な方向でマスクおよびガラ
ス基板Pの同期移動方向(走査方向)をX方向(第1方
向)とし、Z方向およびX方向に直交する方向(非走査
方向)をY方向(第2方向)とする。
【0022】図2は、本発明による走査型の露光装置1
の概略的な構成を示す斜視図である。露光装置1は、照
明光学系2と、複数の投影系モジュール3a〜3eから
なる投影光学系3と、マスク(レチクル)Mを保持する
マスクステージ(マスクホルダ)4と、ガラス基板(基
板)Pを保持する基板ステージ(基板ホルダ)5と、照
明光学系2から照射されるビーム(露光光)Bの照明領
域を設定する照明領域設定装置18とを主体として構成
されている。
【0023】図3に示すように、照明光学系2は、超高
圧水銀ランプ等の光源6から射出されたビームBをマス
クM上に照明するものであって、ダイクロイックミラー
7、波長選択フィルタ8、ライトガイド9および投影系
モジュール照明系3a〜3eのそれぞれに対応して配設
された照明系モジュール10a〜10e(ただし図3に
おいては、便宜上照明光学系10aに対応するもののみ
を示している)とから構成されている。
【0024】そして、光源6から射出したビームBは、
楕円鏡6aで集光された後に、ダイクロイックミラー7
に入射する。ダイクロイックミラー7は、露光に必要な
波長のビームBを反射し、その他の波長の光束を透過さ
せるものである。ダイクロイックミラー7で反射された
ビームBは、波長選択フィルタ8に入射し、投影光学系
3が露光を行うのに適した波長(通常は、g、h、i線
の内、少なくとも1つの帯域)の光束となり、ライトガ
イド9に入射する。ライトガイド9は、入射した光束を
5本に分岐して、反射ミラー11を介して各照明系モジ
ュール10a〜10eに入射させる。
【0025】各照明系モジュール10a〜10eは、照
明シャッタ12とフィルタ21とリレーレンズ13とフ
ライアイレンズ14とコンデンサレンズ15とから概略
構成されている。なお、本実施の形態では、この照明系
モジュール10aと同じ構成の照明系モジュール10b
〜10eが、X方向とY方向とに一定の間隔をもって配
置されている。そして、各照明系モジュール10a〜1
0eからの光束は、マスクM上の異なる照明領域を照明
する構成になっている。
【0026】照明シャッタ12は、ライトガイド9の後
方に、ビームBの光路に対して進退自在に配置されてい
る。照明シャッタ12は、光路を遮蔽したときに該光路
からのビームBを遮光して、光路を開放したときにビー
ムBへの遮光を解除するものである。フィルタ21は、
ガラス板上にCr等で簾状にパターニングされたもので
あって、透過率がY方向に沿ってある範囲で線形に漸次
変化するように形成されており、各光路中の照明シャッ
タ12とリレーレンズ13との間に配置されている。
【0027】照明シャッタ12により光路を開放された
ビームBは、フィルタ21で所定の光量に調整され、リ
レーレンズ13を介してフライアイレンズ14に達す
る。このフライアイレンズ14の射出面側には、二次光
源が形成され、コンデンサレンズ15を介してマスクM
の照明領域を均一な照度で照射することができるように
なっている。
【0028】マスクMを透過したビームBは、投影系モ
ジュール3a〜3eにそれぞれ入射する。投影系モジュ
ール3a〜3eには、マスクMのパターン像をX方向も
しくはY方向にシフトさせる像シフト機構、マスクMの
パターン像を回転させる像回転機構、マスクMのパター
ン像の倍率を変化させる倍率調整機構、ガラス基板P上
でのビームBのイメージフィールド(投影領域)を設定
する視野絞り(いずれも不図示)等がそれぞれ備えられ
ている。
【0029】そして、照明領域設定装置18で設定され
た照明領域に位置するマスクMのパターンは、マスクM
とガラス基板Pとの間に配設された投影系モジュール3
a〜3eを通過し所定の結像特性をもって、レジストが
塗布されたガラス基板P上に正立等倍で投影転写され
る。なお、照明領域設定装置18の詳細については後述
する。
【0030】図4に、ガラス基板P上での投影系モジュ
ール3a〜3eのイメージフィールド(投影領域)34
a〜34eを示す。この図に示すように、各イメージフ
ィールド34a〜34eは、台形形状を呈している。イ
メージフィールド34a、34c、34eとイメージフ
ィールド34b、34dとは、互いに間隔をあけてX方
向に対向して配置されている。さらに、イメージフィー
ルド34a〜34eは、隣り合うイメージフィールド
(例えば、34aと34b、34bと34c)の端部同
士がY方向に重複するように並列配置され、X方向のイ
メージフィールドの幅の総計がほぼ等しくなるように設
定されている。すなわち、X方向に走査露光したときの
露光量が等しくなるようになっている。
【0031】このように、各投影系モジュール3a〜3
eによるイメージフィールド34a〜34eが走査方向
と直交する方向に重複することにより、継ぎ部における
光学収差の変化や照度変化を滑らかにすることができる
ようになっている。なお、本実施の形態のイメージフィ
ールド34a〜34eの形状は、台形であるが、六角形
や菱形、平行四辺形等であっても構わない。
【0032】マスクステージ4は、マスクMを保持する
ものであって、一次元の走査露光を行うべくX方向に長
いストロークと、走査方向と直交するY方向に数mm程
度の微小量のストロークとを有している。図3に示すよ
うに、マスクステージ4には、該マスクステージ4を上
記方向に駆動するマスクステージ駆動部37が備えられ
ている。
【0033】図2に示すように、マスクステージ4上の
端縁には、互いに直交する方向に移動鏡38a、38b
がそれぞれ設置されている。移動鏡38aには、レーザ
ー干渉計39aが、また、移動鏡38bには、レーザー
干渉計39bがそれぞれ対向して配置されている。これ
らレーザー干渉計39a、39bは、それぞれ移動鏡3
8a、38bにレーザー光を射出して当該移動鏡38
a、38bとの間の距離を計測することにより、マスク
ステージ4のX方向、Y方向の位置、すなわち、マスク
Mの位置を高分解能、高精度に検出することが可能にな
っている。そして、検出された位置に基づいて、マスク
ステージ駆動部37を制御することでマスクステージ4
(ひいてはマスクM)を所望の位置へ移動することがで
きるようになっている。
【0034】基板ステージ5は、ガラス基板Pを保持す
るものであって、マスクステージ4と同様に、一次元の
走査露光を行うべくX方向に長いストロークと、走査方
向と直交するY方向にステップ移動するための長いスト
ロークとを有している。また、基板ステージ5には、該
基板ステージ5を上記方向に駆動する基板ステージ駆動
部40が備えられている。さらに、基板ステージ5は、
Z方向にも移動自在になっている。
【0035】基板ステージ5上の端縁には、互いに直交
する方向に移動鏡42a、42bがそれぞれ設置されて
いる。移動鏡42aには、レーザー干渉計43aが、ま
た、移動鏡42bには、レーザー干渉計43bがそれぞ
れ対向して配置されている。これらレーザー干渉計43
a、43bは、それぞれ移動鏡42a、42bにレーザ
ー光を射出して当該移動鏡42a、42bとの間の距離
を計測することにより、基板ステージ5のX方向、Y方
向の位置、すなわち、ガラス基板Pの位置を高分解能、
高精度に検出することが可能になっている。そして、検
出された位置に基づいて、基板ステージ駆動部40を制
御することで基板ステージ5(ひいてはガラス基板P)
を所望の位置へ移動することができるようになってい
る。
【0036】すなわち、マスクステージ4および基板ス
テージ5の位置をモニターしながら両駆動部37,40
を制御することにより、マスクMとガラスプレートPと
を投影系モジュール3a〜3eに対して、任意の走査速
度(同期移動速度)でX方向に同期移動させるようにな
っている。
【0037】図2に示すように、照明領域設定装置18
は、マスクMの近傍に配置されたブラインド(第1設定
部)51、51と、ガラス基板Pの近傍に配置されたブ
ラインド(第2設定部)52、52と、図5に示すよう
にブラインド51を動作させるブラインド駆動系(駆動
系)53、53と、図6に示すようにブラインド52を
動作させるブラインド駆動系(駆動系)54、54とか
ら構成されている。
【0038】ブラインド51、51は、図4に示すよう
に、ビームBの照明領域のうち、X方向の照明領域を設
定するものであって、イメージフィールド34a〜34
eを挟んだX方向両側に対向配置され、それぞれがブラ
インド駆動系53、53によってX方向に移動自在にな
っている。図5に示すように、各ブラインド51は、マ
スクMの上面に沿って延在し、照明領域を規定するエッ
ジを有するエッジ部(第2部分)51aと、該エッジ部
51aと接続されエッジ部51aの外側端縁から屈曲し
て+Z方向に向けて立設された垂直部(第1部分)51
bと、この垂直部51bの上端縁から屈曲してそれぞれ
X方向外側に向けて延び、ブラインド駆動系53、53
に結合された駆動部51cとから構成されている。換言
すると、駆動部51cは、マスクMからの距離が大きく
なるように、エッジ部51aに対してビームBの光路方
向に沿って離間して設けられている。
【0039】また、ブラインド51、51とマスクステ
ージ4との間には、これらの間の電位を同一に維持する
ようにブラインド51、51とマスクステージ4とをそ
れぞれ電気的に接続する接続部(電位維持装置)59、
59が設けられている。
【0040】ブラインド52、52は、図4に示すよう
に、ビームBの照明領域のうち、Y方向の照明領域を設
定するものであって、イメージフィールド34a〜34
eを挟んだY方向両側に対向配置され、それぞれがブラ
インド駆動系54、54によってY方向に移動自在にな
っている。図6に示すように、各ブラインド52は、ガ
ラス基板Pの上面に沿って延在し、照明領域を規定する
エッジを有するエッジ部(第2部分)52aと、該エッ
ジ部52aに接続されエッジ部52aの外側端縁から屈
曲して+Z方向に向けて立設された垂直部(第1部分)
52bと、垂直部52bの上端縁から屈曲してそれぞれ
Y方向外側に向けて延び、ブラインド駆動系54、54
に結合された駆動部52cとから構成されている。換言
すると、駆動部52cは、ガラス基板Pからの距離が大
きくなるように、エッジ部52aに対してビームBの光
路方向に沿って離間して設けられている。
【0041】ここで、エッジ部52a、垂直部52bの
寸法関係は、図1に示すように、ビームBの光路とほぼ
直交する方向のエッジ部52aの長さをaとし、光路に
沿った垂直部52bの長さをbとし、投影光学系3の開
口数をNAとしたときに、 a≧b×NA ……(1) の関係式を満足するように設定されている。なお、上記
ブラインド51においても、エッジ部51aと垂直部5
1bとの寸法関係は式(1)を満足するように設定され
ている。この場合、NAは、照明光学系2の開口数であ
る。
【0042】また、図4に示すように、ブラインド52
のエッジ部52aは、互いに間隔をあけて二列に配列さ
れたイメージフィールド34a、34c、34eおよび
34b、34dの列毎に、互いに隙間52dを隔てて設
けられている。すなわち、隙間52dは、二列のイメー
ジフィールド間に位置するように設定されている。
【0043】また、ブラインド52、52と基板ステー
ジ5との間には、これらの間の電位を同一に維持するよ
うにブラインド52、52と基板ステージ5とをそれぞ
れ電気的に接続する接続部(電位維持装置)60、60
が設けられている。
【0044】一方、図2に示すように、マスクMのパタ
ーン領域の周囲には、マスクMの隅部に位置するマスク
マーク46a〜46dおよびX方向に沿った両側縁中央
近傍に位置するアライメントマーク56a、56bがそ
れぞれ形成されている。マスクマーク46a〜46d
は、マスクMのアライメントの際の各種補正量算出に用
いられるものであって、Cr等により十字形状に形成さ
れている。アライメントマーク56a、56bは、ガラ
ス基板Pとの位置決めの際に用いられるものであって、
上記マスクマーク46a〜46dと同様に、Cr等によ
り十字形状に形成されている。
【0045】マスクMと同様に、ガラス基板Pの投影領
域の周囲には、ガラス基板Pの隅部に位置する基板マー
ク47a〜47dおよびX方向に沿った両側縁中央近傍
に位置するアライメントマーク57a、57bがそれぞ
れ形成されている。基板マーク47a〜47dは、ガラ
ス基板Pのアライメントの際の各種補正量算出に用いら
れるものであって、Cr等により十字形状に形成されて
いる。アライメントマーク57a、57bは、マスクM
との位置決めの際に用いられるものであって、上記基板
マーク47a〜47dと同様に、Cr等により十字形状
に形成されている。
【0046】これらマスクマーク46a〜46d、基板
マーク47a〜47dおよびアライメントマーク56
a、56b、57a、57bは、図2においてマスクM
の上方に設置されたアライメント系49a,49bによ
って検出されるようになっている。アライメント系49
a,49bは、X方向に移動する駆動機構(不図示)を
有しており、走査露光時には照明領域内から退避する構
成になっている。
【0047】また、マスクステージ4と基板ステージ5
との間には、マスクMのパターン面とガラス基板Pの露
光面とのZ方向の相対距離を計測するフォーカスセンサ
が設けられ、マスクMのパターン面とガラス基板Pの露
光面とが常に所定の間隔になるように位置制御されてい
る。図2および図6に示すように、フォーカスセンサ
は、エッジ部52、52間の隙間52dの上方に位置す
るようにY方向に沿って配置された発光素子58aと受
光素子58bとからなり、発光素子58aから照射され
るスリット形状の照明光をマスクMおよびガラス基板P
の面上に照射し、各面上に結像させたスリット像を受光
素子58bで再結像させ、それぞれの像の相対距離を計
測することによりマスクMとガラス基板Pとの相対的な
距離を計測するようになされている。
【0048】上記の構成の露光装置1によりマスクMの
パターンをガラス基板Pに露光する前に、まず、マスク
Mとガラス基板Pとを位置決めする手順を説明する。初
期設定時、露光装置1においては、投影光学系3から外
れた位置に停止しているマスクステージ4および基板ス
テージ5に対して不図示の搬送系により、マスクMおよ
びガラス基板Pを取り付けた後、マスクステージ駆動部
37および基板ステージ駆動部40を介して、マスクス
テージ4および基板ステージ5を露光位置へそれぞれ移
動させる。
【0049】この移動の際には、予め設定されている走
査方向(X方向)に対する一定の測定間隔または位置ご
とにマスクMとガラス基板Pとの光路方向の相対距離を
逐一計測する。ここで、上記の移動時には、光源6から
のビームBでガラス基板P上のレジストが露光しないよ
うに、ブラインド駆動系53、54によりブラインド5
1、52が移動して、イメージフィールド34a〜34
eを遮光している。そのため、フォーカスセンサの発光
素子58aは、ガラス基板Pに対しては、ブラインド5
2のエッジ部52a、52a間の隙間52dを介して照
明光を照射し、同様に受光素子58bはガラス基板Pで
反射したスリット像を隙間52dを介して支障なく受光
することができる。
【0050】また、この移動の途中、アライメントマー
クの位置においてマスクステージ4および基板ステージ
5を一旦停止させ、各位置においてマスクMとガラス基
板Pとの相対的な位置ずれを計測する。具体的には、ま
ずマスクマーク46a、基板マーク47aがアライメン
ト系49a、49bの計測位置に到達すると、マスクス
テージ4および基板ステージ5が停止し、レジストに非
感光である波長からなる照明光をアライメント系49a
から不図示の反射鏡を介して−Z方向に射出する。
【0051】射出された照明光は、マスクMのマスクマ
ーク46aに照射されるとともに、マスクMを透過し、
外側に位置する投影系モジュール3aを介してガラス基
板P上の基板マーク47aに照射される。基板マーク4
7aで反射した反射光は、投影系モジュール3a、マス
クMおよび反射鏡を介してアライメント系49aに入射
する。一方、マスクマーク46aで反射した反射光も、
反射鏡を介してアライメント系49aに入射する。
【0052】アライメント系49aは、マスクMおよび
ガラス基板Pからの反射光に基づいて各マーク46a、
47aの位置を検出する。具体的には、アライメント系
49aは、該アライメント系49a中の図示しない結像
光学系を介して二次元CCDの撮像面上にマスクMおよ
びガラス基板Pからの反射光を同時に結像し、マスクマ
ーク46aが基板マーク47aに重なった撮像画像を画
像処理する。これにより、マスクマーク46aと基板マ
ーク47aとの位置ずれ量、すなわち、マスクMとガラ
ス基板Pとの位置ずれ量が計測される。
【0053】そして、上記と同様の手順により、アライ
メントマーク56a、57aとマスクマーク46d、基
板マーク47dとを順次計測し、各計測位置にて位置ず
れ量を計測する。また、同様に、アライメント系49b
を用いてマスクマーク46b、基板マーク47bとアラ
イメントマーク56b、57bとマスクマーク46c、
基板マーク47cとを計測することにより各計測位置に
おける位置ずれ量を求める。なお、このときの照明光
は、マスクMのマークに照射されるとともに、マスクM
を透過して外側に位置する投影系モジュール3eを介し
てガラス基板P上のマークに照射される。
【0054】計測された位置ずれ量のうち、アライメン
トマーク56a、57aおよび56b、57bを用いて
求められた位置ずれ量と、マスクMとガラス基板Pとの
相対距離とからマスクステージ4または基板ステージ5
の少なくとも一方を微動させて、マスクMとガラス基板
Pとの位置合わせを行う。
【0055】また、計測された位置ずれ量のうち、マス
クマーク46a〜46d、基板マーク47a〜47dを
用いて求められた位置ずれ量から最小二乗法等を用いた
手法で、マスクMとガラス基板Pとの相対的なシフト、
回転、スケーリング、直交(走査方向に垂直な軸の傾
き)の補正量を算出し、各補正量に基づいて投影系モジ
ュール3a〜3eの像シフト機構、倍率調整機構、像回
転機構等の補正を行う。なお、マスクMとガラス基板P
との相対距離の計測結果から、マスクMとガラス基板P
とが共に焦点深度内に設定されるような近似面を、マス
クMを基準面として作成し、ガラス基板Pの傾きが上記
近似面と一致するようにマスクMおよびガラス基板Pの
位置を補正する。
【0056】位置決めが完了すると、アライメント系4
9a、49bが照明領域内から退避し、走査露光を開始
する。マスクステージ4および基板ステージ5は、マス
クステージ駆動部37、基板ステージ駆動部40にそれ
ぞれ駆動されて、マスクMおよびガラス基板Pがビーム
Bの照明領域から外れた位置でX方向に助走し、マスク
Mおよびガラス基板Pが照明領域へ到達する際には等速
度で移動する。
【0057】このとき、ブラインド51、52は、ブラ
インド駆動系53、54の駆動により移動し、各エッジ
部51a、52aでマスクMおよびガラス基板Pに対し
て所定の照明領域を設定する。そして、この照明領域に
存在するマスクMのパターンの像が、投影光学系3を介
して所定の結像特性でガラス基板P上に逐次露光され
る。ここで、例えば投影光学系3を透過したビームB
は、図1に示すように、ブラインド52の垂直部52b
の上端において投影光学系3の開口数に応じて発生する
滲みがエッジ部52aで遮光される。同様に、ブライン
ド51の駆動部51cの端部で照明光学系2に応じて発
生するビームBの滲みは、エッジ部51aで遮光され
る。
【0058】そして、ガラス基板Pに対する走査露光が
完了すると、次のガラス基板に交換するために基板ステ
ージ5上に保持されたガラス基板Pは搬送系によって搬
出される。ガラス基板Pを基板ステージ5から剥離する
際には剥離帯電が発生するが、接続部60により基板ス
テージ5を介してガラス基板Pとブラインド52とが同
じ電位に維持されるので、ブラインド52の金属部分と
ガラス基板Pとの間でスパークすることを防止できる。
同様に、マスクステージ4上に保持されたマスクMを交
換する際にもマスクMが剥離帯電するが、接続部59に
よりマスクステージ4を介してマスクMとブラインド5
1とが同じ電位に維持されるため、これらの間でスパー
クが発生することを防止できる。特に、マスクMとして
反射タイプのマスクを用い、マスクMの裏面(非パター
ン面)を全面で吸着保持する場合に、接続部59により
剥離帯電を防止できる。
【0059】本実施の形態の照明領域設定装置および露
光装置では、非結像式のブラインド51、52のエッジ
部51a、52aと駆動部51c、52cとをそれぞれ
光路方向に沿って離間して設けているので、エッジ部5
1a、52aをマスクMおよびガラス基板Pに近付ける
ことで十分なエッジ精度が得られるとともに、駆動部5
1c、52cおよびブラインド駆動系53、54を共に
マスクMおよびガラス基板Pから離間して配置すること
で、ブラインド駆動系53、54からの発塵でマスクM
およびガラス基板Pが汚染されることを未然に防ぐこと
ができる。
【0060】加えて、本実施の形態では、ブラインド5
1、52に段差を設けることで、エッジ部51a、52
aの面積を小さくすることができるので、良好な平面度
が得易くなり、エッジ部51a、52aをマスクMおよ
びガラス基板Pに一層近付けることができる。そして、
本実施の形態では、ビームBの光路とほぼ直交する方向
のエッジ部51a、52aの長さと、光路に沿った垂直
部51b、52bの長さを上記式(1)を満足するよう
にそれぞれ設定してあるので、垂直部51b、52bの
上端において照明光学系2、投影光学系3の開口数に応
じて発生する滲みをエッジ部51a、52aで遮光する
ことが可能になり、エッジ精度を一層良好に得ることが
できる。
【0061】また、本実施の形態の照明領域設定装置お
よび露光装置では、ブラインド51、52をマスクM近
傍とガラス基板Pの近傍とに分離して配置しているの
で、マスクMまたはガラス基板Pからの距離、すなわち
結像面からの距離を等しくできるので、大型のガラス基
板Pを露光する際にブラインドの面積および肉厚が大き
くなっても、ブラインド間でエッジ精度に差が生じるこ
とを防止できる。
【0062】さらに、本実施の形態の照明領域設定装置
および露光装置では、接続部59、60によりブライン
ド51、52をマスクステージ4、基板ステージ5とそ
れぞれ同じ電位に維持しているので、ブラインド51、
52をマスクM、ガラス基板Pに近付けた状態でマスク
M、ガラス基板Pを剥離しても剥離帯電に起因するスパ
ークが発生しない。そのため、スパークによってガラス
基板P上に露光されたパターンが破壊されたり、マスク
M上に形成されたパターンが焼き切れたりすることを回
避できる。
【0063】一方、本実施の形態の照明領域設定装置お
よび露光装置では、ブラインド52のエッジ部52a
を、二列に配列されたイメージフィールドの列毎に隙間
52dを隔てて設けているので、ブラインド52でイメ
ージフィールド34a〜34eを遮光した際にも、フォ
ーカスセンサの発光素子58aは隙間52dを介してガ
ラス基板P上のイメージフィールドの列間に照明光を照
射できるとともに、受光素子58bもガラス基板Pで反
射したスリット像を隙間52dを介して受光できる。そ
のため、マスクMとガラス基板Pとの相対距離を高精度
に計測できることになり、所定の結像特性にて露光する
ことが可能になる。
【0064】なお、上記実施の形態において、X方向の
照明領域を設定するブラインド51をマスクMの近傍に
配置し、Y方向の照明領域を設定するブラインド52を
ガラス基板Pの近傍に配置する構成としたが、これに限
られることなく、例えばブラインド51をガラス基板P
の近傍に配置し、ブラインド52をマスクMの近傍に配
置する構成であってもよい。また、マスクMの近傍に+
Y方向、+X方向(または−Y方向、−X方向)の照明
領域を設定するL字形状のブラインドを配置し、ガラス
基板Pの近傍に−Y方向、−X方向(または+Y方向、
+X方向)の照明領域を設定するL字形状のブラインド
を配置するような構成であってもよい。さらに、マスク
Mの近傍にブラインド51、52の双方を設ける構成や
ガラス基板Pの近傍にブラインド51、52の双方を設
けるような構成であってもよい。
【0065】また、本実施の形態の照明領域設定装置お
よび露光装置では、イメージフィールドの列毎にエッジ
部52aを設けたブラインド52が垂直部52bを有す
る構成としたが、垂直部52を備えず、エッジ部52a
と駆動部52cとが面一に形成されるような構成であっ
てもよい。
【0066】一方、上記実施の形態では、電位維持装置
としてブラインド51とマスクステージ4とを接続する
接続部59、およびブラインド52と基板ステージ5と
を接続する接続部60を設ける構成としたが、これに限
られず、例えばマスクステージ4、基板ステージ5、ブ
ラインド51、52をいずれも接地する構成としてもよ
い。この場合も、ブラインド51、52をマスクステー
ジ4および基板ステージ5と同じ電位に維持することが
できる。
【0067】なお、本実施の形態の基板としては、液晶
ディスプレイデバイス用のガラスプレートのみならず、
半導体デバイス用の半導体ウエハや、薄膜磁気ヘッド用
のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマ
スクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエ
ハ)等が適用される。
【0068】露光装置1としては、マスクMとガラス基
板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光す
るステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置
(スキャニング・ステッパー;USP5,473,410)の他に、
マスクMとガラス基板Pとを静止した状態でガラス基板
Pのパターンを露光し、ガラス基板Pを順次ステップ移
動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装
置(ステッパー)にも適用することができる。
【0069】露光装置1の種類としては、ガラス基板P
に液晶表示素子パターンを露光する液晶用の露光装置に
限られず、半導体製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッ
ド、撮像素子(CCD)あるいはレチクルなどを製造す
るための露光装置などにも広く適用できる。
【0070】また、照明光学系2の光源6として、超高
圧水銀ランプから発生する輝線(g線(436nm)、
h線(404.nm)、i線(365nm))、KrF
エキシマレーザ(248nm)、ArFエキシマレーザ
(193nm)、F2レーザ(157nm)のみなら
ず、X線や電子線などの荷電粒子線を用いることができ
る。例えば、電子線を用いる場合には電子銃として、熱
電子放射型のランタンヘキサボライト(LaB6)、タ
ンタル(Ta)を用いることができる。また、YAGレ
ーザや半導体レーザ等の高周波などを用いてもよい。
【0071】投影系モジュール3a〜3eの倍率は、等
倍系のみならず縮小系および拡大系のいずれでもよい。
また、投影系モジュール3a〜3eとしては、エキシマ
レーザなどの遠紫外線を用いる場合は硝材として石英や
蛍石などの遠紫外線を透過する材料を用い、F2レーザ
やX線を用いる場合は反射屈折系または屈折系の光学系
にし(マスクMも前述の反射型タイプのものを用い
る)、また電子線を用いる場合には光学系として電子レ
ンズおよび偏向器からなる電子光学系を用いればよい。
なお、電子線が通過する光路は、真空状態にすることは
いうまでもない。また、投影光学系PL1〜PL5を用
いることなく、マスクMとガラス基板Pとを密接させて
マスクMのパターンを露光するプロキシミティ露光装置
にも適用可能である。
【0072】基板ステージ5やマスクステージ4にリニ
アモータ(USP5,623,853またはUSP5,528,118参照)を用
いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型および
ローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型
のどちらを用いてもよい。また、各ステージ4、5は、
ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを設け
ないガイドレスタイプであってもよい。
【0073】各ステージ4、5の駆動機構としては、二
次元に磁石を配置した磁石ユニットと、二次元にコイル
を配置した電機子ユニットとを対向させ電磁力により各
ステージ4、5を駆動する平面モータを用いてもよい。
この場合、磁石ユニットと電機子ユニットとのいずれか
一方をステージ4、5に接続し、磁石ユニットと電機子
ユニットとの他方をステージ4、5の移動面側に設けれ
ばよい。
【0074】基板ステージ5の移動により発生する反力
は、特開平8−166475号公報(USP5,528,118)に
記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に
床(大地)に逃がしてもよい。マスクステージ4の移動
により発生する反力は、特開平8−330224号公報
(US S/N 08/416,558)に記載されているように、フレ
ーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がしてもよ
い。
【0075】複数の光学素子から構成される照明光学系
2(照明系モジュール10a〜10e)および投影光学
系3(投影系モジュール3a〜3e)をそれぞれ露光装
置本体に組み込んでその光学調整をするとともに、多数
の機械部品からなるマスクステージ4や基板ステージ5
を露光装置本体に取り付けて配線や配管を接続し、ブラ
インド51、52や接続部59、60を取り付け、さら
に総合調整(電気調整、動作確認等)をすることにより
本実施の形態の露光装置1を製造することができる。な
お、露光装置1の製造は、温度およびクリーン度等が管
理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【0076】液晶表示素子や半導体デバイス等のデバイ
スは、各デバイスの機能・性能設計を行うステップ、こ
の設計ステップに基づいたマスクMを製作するステッ
プ、ガラス基板P、ウエハ等を製作するステップ、前述
した実施の形態の露光装置1によりマスクMのパターン
をガラス基板P、ウエハに露光するステップ、各デバイ
スを組み立てるステップ(ウエハの場合、ダイシング工
程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)、検査
ステップ等を経て製造される。
【0077】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1に係る照
明領域設定装置は、照明領域を設定する設定部がビーム
の光路方向に沿って離間して設けられる構成となってい
る。これにより、この照明領域設定装置では、駆動系を
設定部と離間して配置することで、駆動系からの発塵に
起因する汚染を未然に防ぎながら設定部を結像面に近付
けることが可能になり、汚染防止と十分なエッジ精度と
を両立して得られるという効果を奏する。また、設定部
を光路方向に離間して設けることで、結像面に接近する
設定部の面積を小さくすることが可能になるので、良好
な平面度が得易くなり、設定部を一層結像面に近付ける
ことができ、エッジ精度を向上させることができる。
【0078】請求項2に係る露光装置は、マスクと基板
との少なくとも一方の近傍に、請求項1記載の照明領域
設定装置が配設される構成となっている。これにより、
この露光装置では、設定部の駆動系からの発塵に起因す
るマスク、基板の汚染を未然に防ぎながら設定部をマス
ク、基板の結像面に近付けることが可能になり、汚染防
止と十分なエッジ精度とを両立して得られるという効果
を奏する。また、設定部を光路方向に離間して設けるこ
とで、マスク、基板の結像面に接近する設定部の面積を
小さくすることが可能になるので、良好な平面度が得易
くなり、設定部を一層結像面に近付けることができ、エ
ッジ精度が向上するという効果が得られる。
【0079】請求項3に係る露光装置は、パターンを基
板に投影する投影光学系と基板との間に設定部を配設す
る構成となっている。これにより、この露光装置では、
汚染防止と基板に投影される投影像に関する十分なエッ
ジ精度とを両立して得られるという効果を奏する。ま
た、設定部を光路方向に離間して設けることで、基板の
結像面に接近する設定部の面積を小さくすることが可能
になるので、良好な平面度が得易くなり、設定部を一層
結像面に近付けることができ、エッジ精度が向上すると
いう効果が得られる。
【0080】請求項4に係る露光装置は、第1部分の光
路方向に沿った長さbと、第2部分の光路方向とほぼ直
交する方向の長さaとが、投影光学系の開口数をNAと
したときに、a≧b×NAの関係式を満足する構成とな
っている。これにより、この露光装置では、第1部分に
おいて投影光学系の開口数に応じて発生する滲みを第2
部分で遮光することが可能になり、エッジ精度を一層良
好に得ることができるという効果を奏する。
【0081】請求項5に係る露光装置は、第1設定部が
マスクの近傍に配置され第1方向の照明領域を設定し、
第2設定部が基板の近傍に配置され第1方向とは異なる
第2方向の照明領域を設定する構成となっている。これ
により、この露光装置では、第1設定部とマスクとの間
の距離、および第2設定部と基板との間の距離、すなわ
ち両設定部と結像面との間の距離を等しくすることがで
きるので、大型の基板を露光する際に設定部の面積およ
び肉厚が大きくなっても、設定部間でエッジ精度に差が
生じることを防止できるという効果が得られる。
【0082】請求項6に係る露光装置は、照明領域設定
装置が並列する光路の列毎に設定部を有する構成となっ
ている。これにより、この露光装置では、設定部で照明
領域を遮光した際にも、設定部間の隙間を介してマスク
と基板との相対距離を高精度に計測することが可能にな
り、所定の結像特性にて露光できるという効果が得られ
る。
【0083】請求項7に係る露光装置は、光路の列毎に
設けられた設定部が請求項1記載の設定部である構成と
なっている。これにより、この露光装置では、設定部間
の隙間を介してマスクと基板との相対距離を高精度に計
測することが可能になるとともに、汚染防止と十分なエ
ッジ精度とを両立して得られるという効果を奏する。
【0084】請求項8に係る露光装置は、電位維持装置
が照明領域設定装置をマスクホルダと基板ホルダとの少
なくとも一方のホルダと同じ電位に維持する構成となっ
ている。これにより、この露光装置では、設定部をマス
ク、基板に近付けた状態でマスク、基板を剥離しても剥
離帯電に起因するスパークが発生しないため、スパーク
によって基板上に露光されたパターンが破壊されたり、
マスク上に形成されたパターンが焼き切れたりすること
を回避できるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態を示す図であって、投影
光学系とガラス基板との間に配置されたブラインドの詳
細図である。
【図2】 本発明の実施の形態を示す図であって、ブラ
インドがマスク、ガラス基板の近傍にそれぞれ分離して
配置された露光装置の外観斜視図である。
【図3】 同露光装置の概略構成図である。
【図4】 本発明の実施の形態を示す図であって、イメ
ージフィールドとブラインドとの位置関係を示す平面図
である。
【図5】 本発明の実施の形態を示す図であって、マス
クの近傍にブラインドが配置された正面図である。
【図6】 本発明の実施の形態を示す図であって、ガラ
ス基板の近傍にブラインドが配置された正面図である。
【図7】 従来技術のブラインドの一例を示す構成図で
ある。
【符号の説明】
B ビーム(露光光) M マスク(レチクル) P ガラス基板(基板) 1 露光装置 3 投影光学系 4 マスクステージ(マスクホルダ) 5 基板ステージ(基板ホルダ) 18 照明領域設定装置 51 ブラインド(設定部、第1設定部) 51a、52a エッジ部(第2部分) 51b、52b 垂直部(第1部分) 52 ブラインド(設定部、第2設定部) 59、60 接続部(電位維持装置)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H097 AA03 AB07 CA12 CA13 CA15 CA16 GB01 GB02 GB03 LA10 LA12 5F046 BA05 CA02 CA04 CB05 CB08 CB13 CB23 CB24 CC01 CC02 CC03 CC16 DA05 DA12 DA14 DB08 EA02 EB01 EB02 ED01 FA03 FA11 FC04

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ビームが照明する照明領域を設定する照
    明領域設定装置であって、 前記ビームが通過する光路方向に沿って離間して設けら
    れ、前記照明領域を設定する設定部を備えることを特徴
    とする照明領域設定装置。
  2. 【請求項2】 ビームの照明領域を照明領域設定装置で
    設定してマスクのパターンを基板に露光する露光装置に
    おいて、 前記マスクと前記基板との少なくとも一方の近傍に、前
    記照明領域設定装置として請求項1記載の照明領域設定
    装置が配設されることを特徴とする露光装置。
  3. 【請求項3】 請求項2記載の露光装置において、 前記マスクと前記基板との間に配設され、前記パターン
    を前記基板に投影する投影光学系を備え、 前記設定部を前記投影光学系と前記基板との間に配設し
    たことを特徴とする露光装置。
  4. 【請求項4】 請求項3記載の露光装置において、 前記設定部は、前記光路方向に沿って長さbを有した第
    1部分と、該第1部分と接続し前記光路方向とほぼ直交
    する方向に長さaを有した第2部分とを有し、前記投影
    光学系の開口数をNAとしたときに、 a≧b×NA の関係式を満足することを特徴とする露光装置。
  5. 【請求項5】 請求項2記載の露光装置において、 前記設定部は、前記マスクの近傍に配置され前記照明領
    域のうち第1方向の照明領域を設定する第1設定部と、 前記基板の近傍に配置され前記第1方向とは異なる第2
    方向の照明領域を設定する第2設定部とを備えているこ
    とを特徴とする露光装置。
  6. 【請求項6】 互いに間隔をあけて並列する複数のビー
    ムの照明領域を照明領域設定装置で設定し、前記複数の
    ビームの光路に対しマスクと基板とを同期移動して前記
    設定された照明領域に対応する前記マスクのパターンを
    前記基板に露光する露光装置において、 前記照明領域設定装置は、前記照明領域を設定する設定
    部を、前記並列する光路の列毎に有していることを特徴
    とする露光装置。
  7. 【請求項7】 請求項6記載の露光装置において、 前記設定部は、請求項1記載の設定部であることを特徴
    とする露光装置。
  8. 【請求項8】 ビームの照明領域を照明領域設定装置で
    設定し、該設定された照明領域に対応するマスクのパタ
    ーンを基板に露光する露光装置において、 前記照明領域設定装置を、前記マスクを保持するマスク
    ホルダと前記基板を保持する基板ホルダとの少なくとも
    一方のホルダと同じ電位に維持する電位維持装置を備え
    ることを特徴とする露光装置。
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