JP2000351696A - フッ化物バルク単結晶の製造方法 - Google Patents
フッ化物バルク単結晶の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来方法よりも簡単に、純度が低い（例え
ば、９９．９重量％）級のフッ化物粉末原料を使って、
高品質のフッ化物単結晶を製造することを可能とする製
造方法を提供する。 【解決手段】 １０-6ｔｏｒｒ以上の高真空を保ちなが
ら、粉末フッ化物原料を室温から５００℃以上で所定の
温度以下の範囲内の温度まで加熱し、炉内において原料
中に含まれる水分・酸素を除去し、原料を融解後、作製
炉内にフロン系ガスを導入し、 融液又は溶液表面に発
生する不純物および融液又は溶液内に存在する不純物
と、作製炉内のフロン系ガスとを、不純物を除去するのに
十分な時間反応させることによって不純物を除去し、得
られた融液あるいは溶液から融液成長法によってフッ化
物バルク単結晶を製造することを特徴とするフッ化物バ
ルク単結晶の製造方法。
ば、９９．９重量％）級のフッ化物粉末原料を使って、
高品質のフッ化物単結晶を製造することを可能とする製
造方法を提供する。 【解決手段】 １０-6ｔｏｒｒ以上の高真空を保ちなが
ら、粉末フッ化物原料を室温から５００℃以上で所定の
温度以下の範囲内の温度まで加熱し、炉内において原料
中に含まれる水分・酸素を除去し、原料を融解後、作製
炉内にフロン系ガスを導入し、 融液又は溶液表面に発
生する不純物および融液又は溶液内に存在する不純物
と、作製炉内のフロン系ガスとを、不純物を除去するのに
十分な時間反応させることによって不純物を除去し、得
られた融液あるいは溶液から融液成長法によってフッ化
物バルク単結晶を製造することを特徴とするフッ化物バ
ルク単結晶の製造方法。
Description
【発明の属する技術分野】本発明は、フッ化物バルク単
結晶の製造方法に関する。本発明の製造方法により、レ
ーザー用の高品質フッ化物単結晶を製造することが可能
となる。
結晶の製造方法に関する。本発明の製造方法により、レ
ーザー用の高品質フッ化物単結晶を製造することが可能
となる。
【０００２】
【従来の技術】フッ化物系単結晶材料は、その広範囲に
わたる高い透過性、小さな結晶場、屈折率の温度係数が
負であることなどの特性から、レーザー用結晶として大
きな期待を集めている。しかしながら,フッ化物単結晶
は作製雰囲気、作製温度、原料の純度や組成の制御等、
作製を困難にする要因が多数存在する。YLiF4（YLF）単
結晶は紫外線領域や赤外線領域でのレーザー発振におい
て用いられる優れた素材の一つであるが、その作製条件
は明確ではなかった。
わたる高い透過性、小さな結晶場、屈折率の温度係数が
負であることなどの特性から、レーザー用結晶として大
きな期待を集めている。しかしながら,フッ化物単結晶
は作製雰囲気、作製温度、原料の純度や組成の制御等、
作製を困難にする要因が多数存在する。YLiF4（YLF）単
結晶は紫外線領域や赤外線領域でのレーザー発振におい
て用いられる優れた素材の一つであるが、その作製条件
は明確ではなかった。
【０００３】従来、フッ化物バルク単結晶を製造する際
には、純度が９９．９９９重量％（９が５つ並ぶので
“５Ｎ”と呼ぶ。以下“３Ｎ”においても同じ）以上の
紛末原料を用いるか、或いは水分量が１ｐｐｍ以下の粉
末原料を用いなければならないとされていた。このた
め、出発原料をゾーン精製したり、あるいは乾燥フッ化
水素（以下にＨＦとする）気流中で水分等を除去するこ
とより高純度化することによってフッ化物バルク単結晶
を製造する方法、或いは乾燥ＨＦ中でフッ化物バルク単
結晶を製造する方法が提案されている。
には、純度が９９．９９９重量％（９が５つ並ぶので
“５Ｎ”と呼ぶ。以下“３Ｎ”においても同じ）以上の
紛末原料を用いるか、或いは水分量が１ｐｐｍ以下の粉
末原料を用いなければならないとされていた。このた
め、出発原料をゾーン精製したり、あるいは乾燥フッ化
水素（以下にＨＦとする）気流中で水分等を除去するこ
とより高純度化することによってフッ化物バルク単結晶
を製造する方法、或いは乾燥ＨＦ中でフッ化物バルク単
結晶を製造する方法が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の方法は高純度のフッ化物粉末原料を使用することを必
要としたり、煩雑な処理工程を必要とする。そこで、従
来技術の方法よりも簡単で、かつ例えば、純度３Ｎ（９
９．９重量％）級程度のフッ化物粉末原料を使っても、
高品質な単結晶を製造することを可能とする方法が要望
されている。
の方法は高純度のフッ化物粉末原料を使用することを必
要としたり、煩雑な処理工程を必要とする。そこで、従
来技術の方法よりも簡単で、かつ例えば、純度３Ｎ（９
９．９重量％）級程度のフッ化物粉末原料を使っても、
高品質な単結晶を製造することを可能とする方法が要望
されている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、全固体(波
長可変)紫外・赤外(近赤外・遠赤外)域レーザーに有用で
ある高品質フッ化物バルク単結晶の作製方法を検討した
結果、純度が左程高くないフッ化物粉末原料を使用する
場合にも高品質な単結晶を製造するために、フロン系ガ
スの利用等が有効であることを見出した。即ち、市販の
フッ化物粉末をゾーン精製または乾燥HF気流中での水分
除去等の高純度化を行わない、或いはHF雰囲気中で結晶
作製を行わなくも、以下の乃至の工程からなる方法
を用いることによって高品質フッ化物バルク単結晶が製
造できることを見出したものである。
長可変)紫外・赤外(近赤外・遠赤外)域レーザーに有用で
ある高品質フッ化物バルク単結晶の作製方法を検討した
結果、純度が左程高くないフッ化物粉末原料を使用する
場合にも高品質な単結晶を製造するために、フロン系ガ
スの利用等が有効であることを見出した。即ち、市販の
フッ化物粉末をゾーン精製または乾燥HF気流中での水分
除去等の高純度化を行わない、或いはHF雰囲気中で結晶
作製を行わなくも、以下の乃至の工程からなる方法
を用いることによって高品質フッ化物バルク単結晶が製
造できることを見出したものである。
【０００６】即ち、本発明のフッ化物バルク単結晶の製
造方法は、１０-6ｔｏｒｒ以上の高真空を保ちなが
ら、粉末フッ化物原料を室温から５００〜１０００℃の
範囲の温度まで加熱し、炉内において原料中に含まれる
水分・酸素を除去し、原料を融解後、作製炉内にフロ
ン系ガスを導入し、融液あるいは溶液表面に発生する不
純物および融液あるいは溶液内に存在する不純物と、作
製炉内のフロン系ガスとを、不純物を除去するのに十分
な時間反応させることによって不純物を除去し、得ら
れた融液あるいは溶液から融液成長法によってフッ化物
バ ルク単結晶を製造することを特徴とする。
造方法は、１０-6ｔｏｒｒ以上の高真空を保ちなが
ら、粉末フッ化物原料を室温から５００〜１０００℃の
範囲の温度まで加熱し、炉内において原料中に含まれる
水分・酸素を除去し、原料を融解後、作製炉内にフロ
ン系ガスを導入し、融液あるいは溶液表面に発生する不
純物および融液あるいは溶液内に存在する不純物と、作
製炉内のフロン系ガスとを、不純物を除去するのに十分
な時間反応させることによって不純物を除去し、得ら
れた融液あるいは溶液から融液成長法によってフッ化物
バ ルク単結晶を製造することを特徴とする。
【０００７】上記製造方法によって、例えば、純度３N
（９９．９重量％）級のフッ化物粉末原料を使った場合
でも、従来技術の方法に比してより簡便に、高品質な単
結晶を製造することが可能となる。
（９９．９重量％）級のフッ化物粉末原料を使った場合
でも、従来技術の方法に比してより簡便に、高品質な単
結晶を製造することが可能となる。
【０００８】また、本発明のフッ化物バルク単結晶の製
造方法は、不純物を除去して得た融液又は溶液からArな
どの不活性ガス雰囲気下で融液成長法によってフッ化物
バルク単結晶を作製することが好ましい。このようにす
ることによって、融液成長法によりフッ化物バルク単結
晶を成長・作製する際に不純物の混入をより効果的に防
止することが可能となる。
造方法は、不純物を除去して得た融液又は溶液からArな
どの不活性ガス雰囲気下で融液成長法によってフッ化物
バルク単結晶を作製することが好ましい。このようにす
ることによって、融液成長法によりフッ化物バルク単結
晶を成長・作製する際に不純物の混入をより効果的に防
止することが可能となる。
【００１０】
【発明の実施の態様】以下に、本発明のフッ化物バルク
単結晶の製造方法をより詳細に説明する。 粉末フッ化物原料の溶解・水分および酸素の除去 １０-6ｔｏｒｒ以上の高真空を保ちながら、粉末フッ化
物原料を室温から５００〜１０００℃の範囲の所定の温
度まで加熱し、炉内において原料中に含まれる水分・酸
素を除去する。
単結晶の製造方法をより詳細に説明する。 粉末フッ化物原料の溶解・水分および酸素の除去 １０-6ｔｏｒｒ以上の高真空を保ちながら、粉末フッ化
物原料を室温から５００〜１０００℃の範囲の所定の温
度まで加熱し、炉内において原料中に含まれる水分・酸
素を除去する。
【００１１】この場合、粉末フッ化物原料は所望の単結
晶の組成に応じて適宜選択して用いる。粒度等も特に制
限が無く当業者であれば適宜設定できる範囲内である。
また、１０-6ｔｏｒｒ以上の高真空とするのは水分およ
び酸素の除去を容易とするためである。１０-6ｔｏｒｒ
未満だと十分に水分除去できない。
晶の組成に応じて適宜選択して用いる。粒度等も特に制
限が無く当業者であれば適宜設定できる範囲内である。
また、１０-6ｔｏｒｒ以上の高真空とするのは水分およ
び酸素の除去を容易とするためである。１０-6ｔｏｒｒ
未満だと十分に水分除去できない。
【００１２】粉末フッ化物原料を室温から５００以上で
例えば１０００℃の範囲内の所定の温度まで加熱し、原
料中に含まれる水分・酸素を除去する。５００℃未満で
あると十分な効果が望めず、また上限温度は、水分、酸
素除去という観点から設定し、例えば１０００℃とす
る。
例えば１０００℃の範囲内の所定の温度まで加熱し、原
料中に含まれる水分・酸素を除去する。５００℃未満で
あると十分な効果が望めず、また上限温度は、水分、酸
素除去という観点から設定し、例えば１０００℃とす
る。
【００１３】 不純物の除去 原料を融解後、作製炉内にフロン系ガスを導入し、融液
又は溶液表面に発生する不純物および融液又は溶液内に
存在する不純物と、作製炉内のフロン系ガスとを、不純物
を除去するのに十分な時間反応させることによって不純
物を除去する。フロン系ガスであれば本工程で用いるこ
とができるが、例えばCF4を用いることができる。また
フロン系ガスと他のガス、例えばC2H6との混合ガスを用
いることもできる。「不純物を除去するのに十分な時
間」とは、例えば３０分以内等とすることができる。な
お、成長結晶の組成と液体の組成が等しい場合を「融
液」といい、そうでない場合を溶液という。
又は溶液表面に発生する不純物および融液又は溶液内に
存在する不純物と、作製炉内のフロン系ガスとを、不純物
を除去するのに十分な時間反応させることによって不純
物を除去する。フロン系ガスであれば本工程で用いるこ
とができるが、例えばCF4を用いることができる。また
フロン系ガスと他のガス、例えばC2H6との混合ガスを用
いることもできる。「不純物を除去するのに十分な時
間」とは、例えば３０分以内等とすることができる。な
お、成長結晶の組成と液体の組成が等しい場合を「融
液」といい、そうでない場合を溶液という。
【００１４】 融液成長法によるフッ化物バルク単結
晶の製造 得られた融液あるいは溶液から融液成長法によってフッ
化物バルク単結晶を製造する。
晶の製造 得られた融液あるいは溶液から融液成長法によってフッ
化物バルク単結晶を製造する。
【００１５】以下に、本発明のフッ化物バルク単結晶の
製造方法の好ましい実施態様を具体的に述べる。原料成
分として、所望の単結晶の化学組成を得るため、例えば
ＣａF2, AｌF3,LiF, BaF2, YF3, CeF3など、純度99.95%
の市販のフッ化物粉末原料を適宜選択して所定の量で調
合混合する。粉末フッ化物混合原料を坩堝内にスプーン
などで押し込め、そのまま単結晶作製炉内に置く。ここ
で１０-6ｔｏｒｒ程度まで真空に引き、室温から５００
〜１０００℃の範囲の温度まで、例えば７００℃程度ま
で昇温して真空状態で加熱し、粉末フッ化物原料中の水
分・酸素を除去する。
製造方法の好ましい実施態様を具体的に述べる。原料成
分として、所望の単結晶の化学組成を得るため、例えば
ＣａF2, AｌF3,LiF, BaF2, YF3, CeF3など、純度99.95%
の市販のフッ化物粉末原料を適宜選択して所定の量で調
合混合する。粉末フッ化物混合原料を坩堝内にスプーン
などで押し込め、そのまま単結晶作製炉内に置く。ここ
で１０-6ｔｏｒｒ程度まで真空に引き、室温から５００
〜１０００℃の範囲の温度まで、例えば７００℃程度ま
で昇温して真空状態で加熱し、粉末フッ化物原料中の水
分・酸素を除去する。
【００１６】ここで例えばCF4などのフロン系ガスを単
結晶作製炉に導入する。その後、さらに昇温し、粉末原
料を融解し、そのまま30分、液体状態で保つ。この時、
粉末原料中、或いは炉内に存在する水分などの影響によ
り液体表面に現れる不純物(酸化物、酸フツ化物、カー
ボン等)は、フロン系ガスと反応することにより、全て
消滅する。これにより不純物のない、融液(あるいは溶
液)が得られる。この融液(あるいは溶液)から溶液成長
法によって単結晶を作製することにより高品質フッ化物
バルク単結晶が得られる。
結晶作製炉に導入する。その後、さらに昇温し、粉末原
料を融解し、そのまま30分、液体状態で保つ。この時、
粉末原料中、或いは炉内に存在する水分などの影響によ
り液体表面に現れる不純物(酸化物、酸フツ化物、カー
ボン等)は、フロン系ガスと反応することにより、全て
消滅する。これにより不純物のない、融液(あるいは溶
液)が得られる。この融液(あるいは溶液)から溶液成長
法によって単結晶を作製することにより高品質フッ化物
バルク単結晶が得られる。
【００１７】単結晶の製造方法には種々あるが、例えば
引き上げ法では以下のように行う。融液の温度は各化合
物の融点近辺に保ち、種結晶を1〜50rpmで回転させなが
ら0.1〜10mm／hの速度で引き上げることによって、結晶
中に気泡やスキャツタリングセンターなどのない、透明
な高品質単結晶が得られる。他の単結晶の製造方法とし
ては、ブリッジマン法等が考えられる。
引き上げ法では以下のように行う。融液の温度は各化合
物の融点近辺に保ち、種結晶を1〜50rpmで回転させなが
ら0.1〜10mm／hの速度で引き上げることによって、結晶
中に気泡やスキャツタリングセンターなどのない、透明
な高品質単結晶が得られる。他の単結晶の製造方法とし
ては、ブリッジマン法等が考えられる。
【００１８】なお、得られた単結晶の相は粉末Ｘ線解析
（ＸＲＤ）で、またＯＨ-基の存在の有無はＦＲ−ＩＲ
により調べた。
（ＸＲＤ）で、またＯＨ-基の存在の有無はＦＲ−ＩＲ
により調べた。
【００１９】
【実施例】以下に、本発明の実施例を比較例を参照しつ
つ説明する。
つ説明する。
【実施例１】純度3NのLiF, CaF2, AIF3市販粉末原料を
モル比で１：１：１として準備し、それらを混合せずに
坩堝内に充填した。原料の全重量は１４０gであった。
そのまま単結晶作製炉内に坩堝を置き、１０-6ｔｏｒｒ
程度まで真空に引き、そのまま約７００℃程度まで真空
状態で加熱し混合物中の水分・酸素を除去した。
モル比で１：１：１として準備し、それらを混合せずに
坩堝内に充填した。原料の全重量は１４０gであった。
そのまま単結晶作製炉内に坩堝を置き、１０-6ｔｏｒｒ
程度まで真空に引き、そのまま約７００℃程度まで真空
状態で加熱し混合物中の水分・酸素を除去した。
【００２０】ここでCF4 ガスを単結晶作製炉に導入し、
CF4ガス雰囲気中で粉末原料を加熱融解し、そのまま30
分、液体状態で保った。この時、液体表面に現れた不純物
は、CF4ガスと反応することにより、全て消滅した。次に融
液に種結晶を接触させ、 c 軸方向に引き上げ速度1mm/h、
回転数１５rpmで引き上げ単結晶を成長・作製した。作製
した結晶は、直径約２０mm、長さ約８０mmで、気泡、クラッ
ク、スキャッタリングセンターなどの無く、透明かつ高品
質なＬiCaAIF 6単結晶であった。結晶内にはレーザー特
性の劣化をもたらすＯＨ-基等の存在は一切観察されな
かった。
CF4ガス雰囲気中で粉末原料を加熱融解し、そのまま30
分、液体状態で保った。この時、液体表面に現れた不純物
は、CF4ガスと反応することにより、全て消滅した。次に融
液に種結晶を接触させ、 c 軸方向に引き上げ速度1mm/h、
回転数１５rpmで引き上げ単結晶を成長・作製した。作製
した結晶は、直径約２０mm、長さ約８０mmで、気泡、クラッ
ク、スキャッタリングセンターなどの無く、透明かつ高品
質なＬiCaAIF 6単結晶であった。結晶内にはレーザー特
性の劣化をもたらすＯＨ-基等の存在は一切観察されな
かった。
【００２１】
【比較例１】純度5NのLiF, CaF2, AIF3の市販粉末原料
をモル比で１：１：１として準備し、それらを混合し、
混合物を坩堝内に充填した。原料の全量量は１３０gで
あった。そのまま単結晶作製炉内に坩堝を置き, １０
-2ｔｏｒｒ程度まで真空に引き、真空状態で約７００℃
程度まで加熱した。
をモル比で１：１：１として準備し、それらを混合し、
混合物を坩堝内に充填した。原料の全量量は１３０gで
あった。そのまま単結晶作製炉内に坩堝を置き, １０
-2ｔｏｒｒ程度まで真空に引き、真空状態で約７００℃
程度まで加熱した。
【００２２】ここでArガス(又はCF4ガス)を単結晶作製
炉に充填し、そのまま１ｌ/minの流量で流し続けた。そ
の後、昇温し、粉末原料を融解したところ、液体表面に
多量の不純物が発生した。そこで一度室温まで冷却し、
表面の不純物を取り除いた。その後再び同様のプロセス
で昇温したが再び同じ不純物が発生した。そこで、液体
に種結晶を接触させ、 c軸方向に引き上げ速度1mm/h、回
転数１５rpmで単結晶を作製した結果、多量の不純物が結
晶表面に付着したLiCaAIF6結晶が得られた。
炉に充填し、そのまま１ｌ/minの流量で流し続けた。そ
の後、昇温し、粉末原料を融解したところ、液体表面に
多量の不純物が発生した。そこで一度室温まで冷却し、
表面の不純物を取り除いた。その後再び同様のプロセス
で昇温したが再び同じ不純物が発生した。そこで、液体
に種結晶を接触させ、 c軸方向に引き上げ速度1mm/h、回
転数１５rpmで単結晶を作製した結果、多量の不純物が結
晶表面に付着したLiCaAIF6結晶が得られた。
【００２３】
【実施例２】純度3NのYF3, LiF, CeF3市販粉末原料をYF
3：LiF＝０．４８：０．５２（モル比）として準備し、
それらを混合せずに坩堝内に充填した。原料の全重量は
２５０gであった。そのまま単結晶作製炉内に坩堝を置
き、１０-6ｔｏｒｒ程度まで真空に引き、そのまま約７０
０℃程度まで真空状態で加熱した。
3：LiF＝０．４８：０．５２（モル比）として準備し、
それらを混合せずに坩堝内に充填した。原料の全重量は
２５０gであった。そのまま単結晶作製炉内に坩堝を置
き、１０-6ｔｏｒｒ程度まで真空に引き、そのまま約７０
０℃程度まで真空状態で加熱した。
【００２４】ここでCF4ガスを単結晶作製炉に導入した。
その後、昇温し、粉末原料を融解し、そのまま30分、液体状
態に保った。この時、液体表面に現れた不純物は、CF4ガス
と反応することにより、全て消滅した。液体に種結晶を接
触させ、 c軸方向に引き上げ速度1mm/h、回転数１５rpmで
引き上げ単結晶を作製した。作製した単結晶は、直径約
２０mm、長さ約９０mmで、気泡、タラツタ、スキャッタリン
グ センターなどの無い、透明な高品質Ce:YLiF4単結晶で
あった。結晶内にはレーザー 特性の劣化をもたらすＯＨ
等の存在は一切観察されなかった。
その後、昇温し、粉末原料を融解し、そのまま30分、液体状
態に保った。この時、液体表面に現れた不純物は、CF4ガス
と反応することにより、全て消滅した。液体に種結晶を接
触させ、 c軸方向に引き上げ速度1mm/h、回転数１５rpmで
引き上げ単結晶を作製した。作製した単結晶は、直径約
２０mm、長さ約９０mmで、気泡、タラツタ、スキャッタリン
グ センターなどの無い、透明な高品質Ce:YLiF4単結晶で
あった。結晶内にはレーザー 特性の劣化をもたらすＯＨ
等の存在は一切観察されなかった。
【００２５】
【比較例２】純度5NのYF3, LiF, CeF3市販粉末原料をYF
3：LiF＝０．４８：０．５２（モル比）として準備し、
それらを混合した後、坩堝内に充填した。原料の全重量
は２５０gであった。そのまま単結晶作製炉内に坩堝を
置き、１０-2ｔｏｒｒ程度まで真空に引き、そのまま約
７００℃程度まで真空状態で加熱した。
3：LiF＝０．４８：０．５２（モル比）として準備し、
それらを混合した後、坩堝内に充填した。原料の全重量
は２５０gであった。そのまま単結晶作製炉内に坩堝を
置き、１０-2ｔｏｒｒ程度まで真空に引き、そのまま約
７００℃程度まで真空状態で加熱した。
【００２６】ここでArガス(又はCF4ガス)を単結晶作製
炉に充填し、 そのまま１ｌ/minの流量で流し続けた。そ
の後、昇温し、粉末原料を融解したところ、液体表面に多
量の不純物が発生した。そこで一度室温まで冷却し、表面
の不純物を取り除いた。その後再び同様のプロセスで昇
温したが再び同じ不純物が発生した。そこで、液体に種結
晶を接触させ、 c軸方向に引き上げ速度1mm/h,回転数15r
pmで引き上げ単結晶を作製した結果、完全に白濁し、 Ce:
YLiF4及び YOF、 CeOFの混じった結晶が得られた。
炉に充填し、 そのまま１ｌ/minの流量で流し続けた。そ
の後、昇温し、粉末原料を融解したところ、液体表面に多
量の不純物が発生した。そこで一度室温まで冷却し、表面
の不純物を取り除いた。その後再び同様のプロセスで昇
温したが再び同じ不純物が発生した。そこで、液体に種結
晶を接触させ、 c軸方向に引き上げ速度1mm/h,回転数15r
pmで引き上げ単結晶を作製した結果、完全に白濁し、 Ce:
YLiF4及び YOF、 CeOFの混じった結晶が得られた。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１２年３月３日（２０００．３．３）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G075 AA23 BB03 CA02 CA65 4G077 AA02 BE02 CD01 CF10 EA08
Claims (2)
- 【請求項１】 １０-6ｔｏｒｒ以上の高真空を保ちなが
ら、粉末フッ化物原料を室温から５００以上で所定範囲
以下の範囲内の温度まで加熱し、炉内において原料中に
含まれる水分・酸素を除去し、原料を融解後、作製炉内に
フロン系ガスを導入し、 融液あるいは溶液表面に発生
する不純物および融液あるいは溶液内に存在する不純物
と、作製炉内のフロン系ガスとを、不純物を除去するのに
十分な時間反応させることによって不純物を除去し、得
られた融液あるいは溶液から融液成長法によってフッ化
物バルク単結晶を製造することを特徴とするフッ化物バ
ルク単結晶の製造方法。 - 【請求項２】 不純物を除去して得た融液あるいは溶液
からＡｒ等の不活性ガス雰囲気下で融液成長法によって
フッ化物バルク単結晶を製造することを特徴とする請求
項１に記載した製造方法。 【０００１】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP11167116A JP3062753B1 (ja) | 1999-06-14 | 1999-06-14 | フッ化物バルク単結晶の製造方法 |
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| JP11167116A JP3062753B1 (ja) | 1999-06-14 | 1999-06-14 | フッ化物バルク単結晶の製造方法 |
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| JP11167116A Expired - Lifetime JP3062753B1 (ja) | 1999-06-14 | 1999-06-14 | フッ化物バルク単結晶の製造方法 |
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004083497A1 (ja) * | 2003-03-20 | 2004-09-30 | Riken | フッ化物単結晶の製造方法および波長変換素子 |
| JP2005029418A (ja) * | 2003-07-11 | 2005-02-03 | Mitsubishi Materials Corp | ＬｉＦ蒸着材及びその製造方法 |
| US7060982B2 (en) | 2003-09-24 | 2006-06-13 | Hokushin Corporation | Fluoride single crystal for detecting radiation, scintillator and radiation detector using the single crystal, and method for detecting radiation |
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-
1999
- 1999-06-14 JP JP11167116A patent/JP3062753B1/ja not_active Expired - Lifetime
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|---|---|---|---|---|
| WO2004083497A1 (ja) * | 2003-03-20 | 2004-09-30 | Riken | フッ化物単結晶の製造方法および波長変換素子 |
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| WO2012046323A1 (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-12 | 株式会社光学技研 | 位相子 |
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