JP2000344600A - Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体結晶の成長方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 昇華法又はハロゲン化学輸送法で種結晶上に
結晶性に優れたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶を高い歩
留まりで成長させる方法、及びそのための装置を提供す
ること。 【解決手段】 成長室中に原料多結晶と種結晶とを対向
配置し、前記成長室を加熱炉に挿入して前記種結晶上に
昇華法又はハロゲン化学輸送法でＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体結晶を成長させる方法において、前記成長室と前記
加熱炉との間に結晶成長温度において安定で可視光及び
／又は赤外光を透過しない材料からなる遮光部材を配置
して加熱炉から成長結晶に向かう輻射光を遮断しながら
結晶成長を行うことを特徴とするＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体結晶の成長方法、及びそのための装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、昇華法又はハロゲ
ン化学輸送法で種結晶上にＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＣｄＴ
ｅ、ＣｄＳ等のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶を成長す
る方法、及びそのための装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶の成長方
法は大きく分けて融液成長法、固相成長法、溶液成長
法、気相成長法の４種の方法に分類される。その中で、
気相成長法には、原料の昇華及び晶出を利用して結晶成
長を行う昇華法（ＰＶＴ法、Physical Vapor Transport
法）、及びハロゲンを原料と反応させることにより原
料のハロゲン化物を生成し、その分解を利用する化学輸
送法（ＣＶＴ法、ChemicalVapor Transport 法）があ
る。例えば、J.Crystal Growth, 94(1989) p.1-5 に
は、石英管中の一端に原料として５ｇのＺｎＳｅ粉末
を、他端に成長結晶の種結晶としてＺｎＳｅ単結晶を設
置して封入することによりアンブルを作製し、このアン
ブルを加熱し、ＺｎＳｅ原料粉末側の温度を約１０８０
℃、種結晶側の温度を１０７０℃に設定することによ
り、原料を種結晶側へと輪送し、種結晶上にＺｎＳｅ結
晶を成長させる方法が開示されている。

【０００３】気相成長法では、種結晶の周囲に種結晶よ
りも低温の部分が存在すると、種結晶の一部が昇華して
低温部へ輸送されるため、種結晶の結晶性劣化やボイド
の発生、場合によっては完全な多結晶化を引き起こす。
このような種結晶の結晶性低下はその上に成長する結晶
に引き継がれ、その結晶性を低下させるので、気相成長
法においては、種結晶を保護するためには少なくとも局
所的最低温部に種結晶を位置させることにより、種結晶
自体が輸送されてしまうのを防止することが重要とな
る。

【０００４】この問題を解決する方法として、透明な材
質からなるロッド状種結晶支持部材上に種結晶を保持し
て結晶成長を行う方法が提案されている（J.Crystal Gr
owth, 161(1996) p.51-59 ; Yu.V.Korostelin ）。図３
はその方法を説明する装置構成と温度分布を示す模式図
である。種結晶支持部材１と石英アンプル２の内壁との
間には小さな隙間が設けられている。この方法では、透
明な種結晶支持部材１を通して石英アンプル２の下方に
熱を放出して種結晶４だけを局所的に冷却し、周囲の容
器壁は加熱炉１０のヒーター５で高温に保持する。その
結果、種結晶４は熱的に安定な状態で保持されるため、
周囲への輸送により結晶が劣化することもない。同時
に、容器壁を十分高温とすることができるので、成長結
晶を周囲の容器壁に接触させることなく成長させること
ができる。ＺｎＳｅ多結晶６から昇華した気体原料は、
種結晶支持部材１と石英アンプル２の内壁との間の隙間
を拡散してアンプル下部の最低温部３にも晶出する。こ
の成長方法は、成長結晶が種結晶４を介して支持部材に
接するだけで容器壁には接しないので、結晶に加わる応
力がかなり低減され、結晶性にすぐれた結晶の成長が可
能となる。なお、図中の７は原料保持用メッシュ、８は
アンプルの封入ふたを示す。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体結晶の結晶性において最も間題となる欠陥は転位で
あり、結晶成長方法においてはできるだけ低転位密度の
結晶を得ることが重要な技術課題である。結晶中の転位
発生原因としては、主に次の３点が挙げられる。すなわ
ち、(1) 種結晶中に存在する転位の引き継ぎ、(2) 結晶
成長中に加わる外部応力、(3) 結晶冷却時に加わる外部
又は内部応力の３点である。結晶の低転位密度化にはこ
れらをできるかぎり抑制することが重要である。

【０００６】前記の結晶成長方法は、外部からの応力を
小さく抑えることができるため、成長中に新たに転位が
発生することはほとんどない。主たる転位は種結晶から
引き継がれた転位である。種結晶に存在する転位は成長
結晶に確実に引き継がれるが、引き継がれた転位は成長
結晶周囲に抜けたり、極性の反対の転位同士が結合して
ループを形成して結晶成長につれて徐々に減少する。従
って、結晶の長尺化は結晶性の向上に有利である。ま
た、長尺成長した結晶の先端部近傍からスライスしたウ
エハを新たに種結晶として使用すると、種結晶自身の転
位密度を下げることができる。しかし、前記の結晶成長
方法は、容器壁と無接触で結晶を成長できるという優れ
た長所があるが、容器壁と無接触であるがゆえに結晶形
状制御が難しいという問題点がある。

【０００７】また、透明な種結晶支持部材は、種結晶背
面の熱を石英アンプルの下方に放出し種結晶を局所的に
冷却できるため、成長初期は種結晶上全面に結晶を成長
させることができる。しかし、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体結晶は一般に熱伝導率が低いため、成長結晶の長さが
長くなるにつれて種結晶裏面と成長界面の温度差が大き
くなり、成長界面温度は徐々に上昇する。なお、ＺｎＳ
ｅのように赤外光に対して透過率の高い材料で結晶を成
長するときには、結晶成長界面中央部は輻射熱が成長結
晶自身と種結晶支持部材を通して石英アンプル部の下方
にある程度放出される。他方、成長結晶は周囲のヒータ
ーから加熱されるため、特に結晶成長表面外周部が高温
化する。一方、結晶の成長により原料多結晶と結晶成長
表面との距離は短くなるので、結晶成長界面への原料成
分の輸送は十分に維持される。その結果、結晶が成長す
るにつれて結晶中央部の成長速度が結晶外周部の成長速
度よりも大きくなり、成長結晶の直径が小さくなる傾向
がある。そのため、結晶性に優れた先端部の結晶体積も
小さくなり、成長結晶の先端部からスライスできるウエ
ハのサイズも小さくなる。そして、そのようなウエハは
種結晶として使用することができなくなる。このよう
に、前記の結晶成長方法は優れた結晶性を有する結晶を
高い歩留まりで作製することができないという問題があ
った。

【０００８】本発明は、このような問題を解消し、昇華
法又はハロゲン化学輸送法で種結晶上に結晶性に優れた
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶を高い歩留まりで成長さ
せる方法、及びそのための装置を提供しようとするもの
である。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、次の構成を採
用することにより、前記の課題の解決に成功したもので
ある。 （１）成長室中に原料多結晶と種結晶とを対向配置し、
前記成長室を加熱炉に挿入して前記種結晶上に昇華法又
はハロゲン化学輸送法でＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶
を成長させる方法において、前記成長室と前記加熱炉と
の間に結晶成長温度において安定で可視光及び／又は赤
外光を透過しない材料からなる遮光部材を配置して加熱
炉から成長結晶に向かう輻射光を遮断しながら結晶成長
を行うことを特徴とするＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶
の成長方法。 （２）前記種結晶は、結晶成長温度において安定で可視
光及び／又は赤外光の透過性材料で作られたロッド状支
持部材上端の平滑平面に保持し、前記支持部材の少なく
とも前記平滑平面近傍が前記成長室内壁と接触しないよ
うに配置することを特徴とする前記（１）のＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体結晶の成長方法。 （３）前記支持部材の平滑平面に、種結晶付着防止用の
コーティング膜を施すことを特徴とする前記（２）のＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体結晶の成長方法。

【００１０】（４）原料多結晶と種結晶とを対向配置す
る成長室と、前記成長室を挿入する加熱炉とを有する、
昇華法又はハロゲン化学輸送法によるＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体結晶の成長装置において、前記加熱炉から成長
結晶に向かう輻射光を遮断する大きさの結晶成長温度に
おいて安定で可視光及び／又は赤外光を透過しない材料
からなる遮光部材を前記成長室と前記加熱炉との間に配
置したことを特徴とするＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶
の成長装置。 （５）前記種結晶を前記成長室内に保持するために結晶
成長温度において安定で可視光及び／又は赤外光の透過
性材料で構成されたロッド状の種結晶支持部材を用い、
該支持部材の種結晶保持端面を平滑平面に加工し、前記
支持部材の少なくとも前記平滑平面近傍が前記成長室内
壁と接触しないように前記成長室内に配置したことを特
徴とする前記（４）のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶の
成長装置。 （６）前記支持部材の平滑平面に、種結晶付着防止用の
コーティング膜を施したことを特徴とする前記（５）の
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶の成長装置。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明は、昇華法又はハロゲン化
学輸送法で種結晶上にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶を
成長させる際に、加熱炉から成長結晶に向かう輻射光を
遮断することにより、結晶成長界面の周囲の温度上昇を
抑制し、成長結晶の直径の変動を抑え、結晶性に優れた
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶を成長させるようにした
ことを特徴とする。

【００１２】図１は本発明の１実施態様についてその装
置構成と温度分布を示す模式図である。従来技術を示す
図３の装置と異なる点は、成長室（石英アンプル２）の
外側に遮光部材９を設置した点である。なお、図３と同
一の部位には同一の番号を付し、一部説明を省略した。
この装置は成長室（石英アンプル２）中に原料多結晶
（ＺｎＳｅ多結晶６）と支持部材１上に保持された種結
晶４とを対向配置し、種結晶４上に昇華法又はハロゲン
化学輸送法でＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶を成長させ
る。支持部材１の上端面は平滑平面とし、その上に種結
晶４を載置する。支持部材１の少なくとも平滑平面近傍
を成長室内壁と接触しないように配置するのが好まし
い。これによって、成長室壁面が高温になっても、伝導
熱で種結晶の温度が上昇するのを抑制することができ
る。

【００１３】図１の装置では、遮光部材９が結晶成長温
度において安定（分解又は融解、昇華しない）で可視光
及び／又は赤外光を透過しない材料（可視光及び／又は
赤外光に対して不透明な材料）からなる円筒状の部材で
構成され、成長室の結晶成長部近傍の側壁に対向配置さ
れている。成長室（石英アンプル２）は加熱炉１０内に
設置され、ヒーター５により外周部から加熱されてい
る。従来の図３のような構造では成長結晶側面はヒータ
ー５からの輻射光により加熱されるが、結晶成長表面中
央部の熱は成長結晶自身と種結晶支持部材を通して石英
アンプル部の下方にある程度輻射光として放出されるの
で、特に結晶成長界面周囲が相対的に高温化する。その
結果、結晶が成長するにつれて結晶中央部の成長速度が
結晶外周部の成長速度よりも大きくなり、成長結晶の直
径が小さくなるという問題が生じる。図１の構成では成
長室の周囲に遮光部材９を設置することにより、ヒータ
ー５からの輻射光が直接成長結晶を加熱するのを防いで
いる。

【００１４】図１の装置では、遮光部材９は円筒状の部
材とし、成長室の外側に別個に設置する構造としたが、
図２に示すように遮光部材９を成長室の側壁に直接巻き
付けるような構造としてもよいし、結晶成長温度におい
て安定で可視光及び／又は赤外光を透過しない材料を成
長室外側表面にコーティングした膜としてもよい。

【００１５】本発明で使用する遮光部材を形成する材料
としては、結晶成長温度において安定で分解又は融解、
昇華せず、かつ可視光及び／又は赤外光を透過しない材
料の中から選ぶ必要がある。そのような材料としては、
アルミナ、ムライト、ジルコニア等のセラミックス、ア
ルミナ・シリカ系セラミックスファイバー、それらの成
形部材等の断熱材、白金、イリジウム、ロジウム等の金
属又はそれらの金属の化合物、あるいはこれらの材料の
中から選ばれる２種以上を複合させた複合材等を挙げる
ことができる。

【００１６】また、種結晶支持部材の材料としては、結
晶成長環境下において分解又は融解、昇華せず、かつ種
結晶と反応せず、ハロゲン化輸送法においてはハロゲン
と反応しない材料を使用するが、さらに、可視光及び／
又は赤外光を透過する材料の中から選ぶのが好ましい。
このような材料を選ぶことにより支持部材下方への輻射
光の放出を可能にし種結晶を局所的に低温化することが
できる。そのような材料としては、石英ガラス、マグネ
シア、水晶、サファイア等を挙げることができる。

【００１７】本発明において、種結晶が種結晶支持部材
に固着すると、両者の熱膨張率差により冷却時に種結晶
及び成長結晶に応力が加わる。この応力により結晶性の
悪化が引き起こされるため、この固着を防止することも
重要となる。そこで、種結晶支持部材を、成長結晶に固
着しにくい材料で構成するか、種結晶支持部材の表面に
付着防止用のコーティング膜を形成させて種結晶を載せ
ることにより、前記応力を緩和することが好ましい。コ
ーティング膜も種結晶支持部材と同様に、結晶成長環境
下において分解又は融解、昇華せず、かつ種結晶及び種
結晶支持部材と反応せず、ハロゲン化学輸送法において
はハロゲンと反応しない材料とする必要がある。そのよ
うなコーティング膜としては、カーボン、炭化珪素、炭
化チタン等の炭化物、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒
化ホウ素等の窒化物、又は酸化アルミニウム、酸化亜鉛
等の酸化物を用いることができる。

【００１８】固着防止用コーティング膜を窒化珪素、窒
化アルミニウム、窒化ホウ素等の窒化物、又は酸化アル
ミニウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化イットリ
ウム等の酸化物のような可視光及び／又は赤外光を透過
する材料で形成すれば、コーティング膜及び種結晶支持
部材を通して直接輻射により種結晶及び成長結晶を冷却
することができるので、より効果的である。

【００１９】

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに具体的に
説明する。 （比較例１）図３の構成の装置を用いてＺｎＳｅ結晶を
成長させた。石英製アンプルは内径２１ｍｍ、長さ５０
０ｍｍで平底に整形したものを用い、種結晶支持部材は
直径２０ｍｍ、長さ１００ｍｍで両端面を研磨した石英
ロッドを用いた。石英ロッドは石英製アンプルの平底に
載せて石英ロッド側面と石英アンプル内壁との間に約
０．５ｍｍの隙間に維持するようにセットした。種結晶
は直径２０ｍｍ、厚さ０．８ｍｍで表面をミラー研磨、
裏面をラッピング研磨した（１１１）Ｂ面のＺｎＳｅ単
結晶ウエハを用い、石英ロッドの上面に設置した。結晶
成長に先だって測定した種結晶の転位密度は、６×１０
⁴ 〜１０×１０⁴ ｃｍ^-2であった。種結晶上方４０ｍｍ
の位置に原料保持用メッシユをセットし、その上に約５
ｍｍ角のＺｎＳｅ多結晶原料を合計で約４０ｇを載せ
た。次に、アンプルを１×１０^-7Ｔｏｒｒまで真空排気
した後、アルゴンガスを２０Ｔｏｒｒ導入し、封入ふた
部分で封着した。

【００２０】このアンプルを縦型管状加熱炉内に配置
し、多結晶原料部温度を１１００℃、種結晶部温度を１
０８０℃、アンプル下端部温度を１０００℃に加熱して
約３０日間結晶成長を行った。得られた結晶は底面の直
径２０ｍｍ、先端部の直径１４ｍｍ、結晶長２０ｍｍの
円錐台状の形状であり、重量２３．２ｇで結晶成長速度
は約０．６６ｍｍ／ｄａｙであった。この結晶から（１
００）ウエハをスライスし、片面を研磨後、臭素メタノ
ール溶液でエッチングしてエッチピットを出し、結晶中
の転位密度分布を測定した。転位密度は、種結晶近傍で
は約２×１０⁵ ｃｍ^-2で、成長に従い低下し、結晶先端
部近傍では約８×１０³ ｃｍ^-2であった。結晶径が成長
とともに小さくなっていたため、低転位密度の結晶性に
すぐれた部分の体積は小さく、転位密度１×１０⁴ ｃｍ
^-2以下の部分の体積は全体の約１０％であった。また、
結晶性に優れた部分から、直径２０ｍｍの種結晶用（１
１１）ウエハを採取することはできなかった。

【００２１】（実施例１）図１の構成の装置を用いてＺ
ｎＳｅ結晶を成長させた。アンプル作製手順は比較例１
と同様に行った。結晶成長に先だって測定した種結晶の
転位密度は、６×１０⁴ 〜１０×１０⁴ ｃｍ^-2であっ
た。遮光部材はアルミナ系セラミックスを内径３０ｍ
ｍ、外径４０ｍｍ、長さ５０ｍｍの円筒形に成形したも
のを使用した。

【００２２】このアンプルを縦型管状加熱炉に配置し、
アンプル外側に、円筒の上面が原料保持用メッシュと同
じ高さになるように前記の円筒状の遮光部材を配置し
た。図１に示すような温度プロファイルで多結晶原料部
温度を１１００℃、種結晶部温度を１０８０℃、石英ロ
ッド下端の最低温部を１０００℃に加熱して約３０日間
結晶成長を行った。得られた結晶は、底面の直径２０ｍ
ｍで、結晶長２４ｍｍ、重量３０．８ｇ、結晶成長速度
は約０．８０ｍｍ／ｄａｙであった。底面から高さが約
１２ｍｍまではほぼ一定の直径で成長し、そこから徐々
に細って先端部の直径は１７ｍｍであった。

【００２３】この結晶から（１００）ウエハをスライス
し、片面を研磨後、臭素メタノール溶液でエッチングし
てエッチピットを出し、結晶中の転位密度分布を測定し
た。転位密度は種結晶近傍で約２×１０⁵ ｃｍ^-2で、成
長につれて低下し、結晶先端部近傍では約６×１０³ ｃ
ｍ^-2であった。成長に伴う結晶径縮小が抑制されたた
め、比較例１と比べて低転位密度で結晶性に優れた部分
の体積は大きく、転位密度１×１０⁴ ｃｍ^-2以下の部分
の体積は全体の約４０％であった。また、種結晶から１
０ｍｍの位置で、直径２０ｍｍの種結晶用（１１１）ウ
エハを採取することができた。採取した（１１１）ウエ
ハの転位密度は約２×１０⁴ 〜４×１０⁴ｃｍ^-2であ
り、結晶成長に使用した種結晶よりも結晶性に優れたウ
エハを得ることができた。

【００２４】（実施例２）実施例１と基本的構造は同じ
装置を使用し、種結晶支持部材の石英ロッド上面を熱Ｃ
ＶＤ法でカーボン薄膜をコーティングして使用した。他
の条件は実施例１と同様にして３０日間結晶成長を行っ
た。結晶成長に先だって測定した種結晶の転位密度は６
×１０⁴ 〜１０×１０⁴ ｃｍ^-2であった。得られた結晶
は、底面の直径２０ｍｍで、結晶長２１ｍｍ、重量２
６．６ｇ、結晶成長速度は約０．７０ｍｍ／ｄａｙであ
った。底面からの高さが約１１ｍｍまではほぼ一定の径
で成長し、そこから徐々に細って先端部では直径１８ｍ
ｍとなっていた。

【００２５】この結晶から（１００）ウエハをスライス
し、片面を研磨後、臭素メタノール溶液でエッチングし
てエッチピットを出して結晶中の転位密度分布を測定し
た。種結晶近傍の転位密度は約１×１０⁵ ｃｍ^-2で、成
長につれて低下し、結晶先端部近傍では約５×１０³ ｃ
ｍ^-2であった。実施例１と比較して、種結晶近傍での転
位密度増加が抑制されていることが分かる。これは、冷
却過程で種結晶に加わる外部応力がカーボン薄膜により
抑制されたことによると考えられる。転位密度が１×１
０⁴ ｃｍ^-2以下の部分の体積は全体の約４５％であっ
た。また、種結晶からの長さが１０ｍｍの位置で、直径
２０ｍｍの種結晶用（１１１）ウエハを採取できた。採
取した（１１１）ウエハの転位密度は約１×１０⁴ 〜３
×１０⁴ ｃｍ^-2であり、結晶成長に使用した種結晶より
も結晶性にすぐれたウエハを得ることができた。

【００２６】なお、以上の実施例では、アルゴンガス雰
囲気中でのＺｎＳｅ結晶の昇華法による成長方法につい
てのみ述べたが、他のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶の
昇華法による成長方法に対しても同様に適用可能であ
り、成長雰囲気もアルゴン等の不活性ガス雰囲気のみで
なく、リザーバを用いたＩＩ族あるいはＶＩ族元素の雰
囲気での成長に対しても適用可能である。また、昇華法
だけでなく、ハロゲン化学輸送法に対しても同様に適用
可能である。

【００２７】

【発明の効果】本発明の方法によれば、昇華法及び／又
はハロゲン化学輸送法により、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体結晶を種結晶上に成長するときに、成長結晶の形状制
御が容易となり、結晶性に優れたＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体結晶を安定して再現性よく高い歩留まりで作製する
ことが可能となった。また、本発明の装置によれば、前
記方法を効果的に実施することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の１実施態様である装置構成と温度分布
を示す模式図である。

【図２】本発明の他の実施態様である装置構成を示す模
式図である。

【図３】従来技術の装置構成と温度分布を示す模式図で
ある。

【符号の説明】

１ 種結晶支持部材 ２ 石英アンプル ３ 最低
温部 ４ 種結晶 ５ ヒーター ６ ＺｎＳｅ多結晶 ７ 原料保持
用メッシュ ８ 封入ふた ９ 遮光部材 １０ 加熱炉

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 成長室中に原料多結晶と種結晶とを対向
   配置し、前記成長室を加熱炉に挿入して前記種結晶上に
   昇華法又はハロゲン化学輸送法でＩＩ−ＶＩ族化合物半
   導体結晶を成長させる方法において、前記成長室と前記
   加熱炉との間に結晶成長温度において安定で可視光及び
   ／又は赤外光を透過しない材料からなる遮光部材を配置
   して加熱炉から成長結晶に向かう輻射光を遮断しながら
   結晶成長を行うことを特徴とするＩＩ−ＶＩ族化合物半
   導体結晶の成長方法。
2. 【請求項２】 前記種結晶は、結晶成長温度において安
   定で可視光及び／又は赤外光の透過性材料で作られたロ
   ッド状支持部材上端の平滑平面に保持し、前記支持部材
   の少なくとも前記平滑平面近傍が前記成長室内壁と接触
   しないように配置することを特徴とする請求項１記載の
   ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶の成長方法。
3. 【請求項３】 前記支持部材の平滑平面に、種結晶付着
   防止用のコーティング膜を施すことを特徴とする請求項
   ２記載のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶の成長方法。
4. 【請求項４】 原料多結晶と種結晶とを対向配置する成
   長室と、前記成長室を挿入する加熱炉とを有する、昇華
   法又はハロゲン化学輸送法によるＩＩ−ＶＩ族化合物半
   導体結晶の成長装置において、前記加熱炉から成長結晶
   に向かう輻射光を遮断する大きさの結晶成長温度におい
   て安定で可視光及び／又は赤外光を透過しない材料から
   なる遮光部材を前記成長室と前記加熱炉との間に配置し
   たことを特徴とするＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶の成
   長装置。
5. 【請求項５】 前記種結晶を前記成長室内に保持するた
   めに結晶成長温度において安定で可視光及び／又は赤外
   光の透過性材料で構成されたロッド状の種結晶支持部材
   を用い、該支持部材の種結晶保持端面を平滑平面に加工
   し、前記支持部材の少なくとも前記平滑平面近傍が前記
   成長室内壁と接触しないように前記成長室内に配置した
   ことを特徴とする請求項４記載のＩＩ−ＶＩ族化合物半
   導体結晶の成長装置。
6. 【請求項６】 前記支持部材の平滑平面に、種結晶付着
   防止用のコーティング膜を施したことを特徴とする請求
   項５記載のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶の成長装置。