JP2000341960A - 半導体装置 - Google Patents
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- H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
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- H02M7/53—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
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- Power Engineering (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
- Control Of Ac Motors In General (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】インバータ装置の電力変換用ブリッジ回路を構
成するＩＧＢＴ１Ｕ〜１Ｚと、抵抗０４を介しモータ０
３の回生電力を消費する電流を断続するＩＧＢＴ１ＤＢ
と、対応するＩＧＢＴのドライブ回路及び保護回路を内
蔵するプリドライバ３Ｕ〜３Ｚ，３ＤＢとを一体に収納
した半導体装置であるインテリジェント・パワーモジュ
ール（ＩＰＭ）０１にて、ＩＧＢＴ部分の異常時に保護
回路が当該ＩＧＢＴを遮断し、インバータ装置が突然停
止して工場の操業等に重大な影響を与えることを防ぐ。 【解決手段】保護回路は異常時にはアラームイネーブル
ライン５を介しＩＰＭの外部に警報ＡＬＭ１を出力する
が、その前にＩＧＢＴのコレクタ電流又はチップ温度
が、正常値より高く、警報ＡＬＭ１を発する時のレベル
より低い所定値を越えた時点に異常発生の兆しがあると
判別して、ＩＧＢＴは遮断せず予告警報ライン６を介し
予告警報ＡＬＭ２をＩＰＭの外部へ出力する。
成するＩＧＢＴ１Ｕ〜１Ｚと、抵抗０４を介しモータ０
３の回生電力を消費する電流を断続するＩＧＢＴ１ＤＢ
と、対応するＩＧＢＴのドライブ回路及び保護回路を内
蔵するプリドライバ３Ｕ〜３Ｚ，３ＤＢとを一体に収納
した半導体装置であるインテリジェント・パワーモジュ
ール（ＩＰＭ）０１にて、ＩＧＢＴ部分の異常時に保護
回路が当該ＩＧＢＴを遮断し、インバータ装置が突然停
止して工場の操業等に重大な影響を与えることを防ぐ。 【解決手段】保護回路は異常時にはアラームイネーブル
ライン５を介しＩＰＭの外部に警報ＡＬＭ１を出力する
が、その前にＩＧＢＴのコレクタ電流又はチップ温度
が、正常値より高く、警報ＡＬＭ１を発する時のレベル
より低い所定値を越えた時点に異常発生の兆しがあると
判別して、ＩＧＢＴは遮断せず予告警報ライン６を介し
予告警報ＡＬＭ２をＩＰＭの外部へ出力する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えばモータ可
変速制御用インバータ装置等の電力変換装置に組込まれ
る半導体装置であって、パワー用の半導体スイッチング
素子と、そのドライブ回路と、各種の保護回路等を同一
のパッケージに内蔵させた、いわゆるインテリジェント
・ パワー・モジュール（以下ＩＰＭとも略記する）と呼
ばれる半導体装置に関する。なお、以下各図において同
一の符号は同一もしくは相当部分を示す。
変速制御用インバータ装置等の電力変換装置に組込まれ
る半導体装置であって、パワー用の半導体スイッチング
素子と、そのドライブ回路と、各種の保護回路等を同一
のパッケージに内蔵させた、いわゆるインテリジェント
・ パワー・モジュール（以下ＩＰＭとも略記する）と呼
ばれる半導体装置に関する。なお、以下各図において同
一の符号は同一もしくは相当部分を示す。
【０００２】
【従来の技術】図６はインテリジェント・ パワー・モジ
ュール（ＩＰＭ）を含むモータ可変速制御用インバータ
装置の要部の構成例を示す。同図において、０１はＩＰ
Ｍ、０２はこのインバータ装置の本体側０５の図外の整
流回路によって作られる主直流電源、０３はこのインバ
ータ装置によって可変速駆動される外部のモータ、０４
はインバータ装置本体側０５に設けられた後述の回生電
力消費抵抗である。なお、インバータ装置本体側０５
は、前記した主直流電源０２を作る整流回路や、ＩＰＭ
０１に対する各種制御信号を生成する制御回路等を備え
ている。
ュール（ＩＰＭ）を含むモータ可変速制御用インバータ
装置の要部の構成例を示す。同図において、０１はＩＰ
Ｍ、０２はこのインバータ装置の本体側０５の図外の整
流回路によって作られる主直流電源、０３はこのインバ
ータ装置によって可変速駆動される外部のモータ、０４
はインバータ装置本体側０５に設けられた後述の回生電
力消費抵抗である。なお、インバータ装置本体側０５
は、前記した主直流電源０２を作る整流回路や、ＩＰＭ
０１に対する各種制御信号を生成する制御回路等を備え
ている。
【０００３】次にＩＰＭ０１内において、１（１Ｕ〜１
Ｚ，１ＤＢ）は自身のエミッタ電流の一部を分流して、
負荷短絡等のエミッタ電流の異常を検出するセンス端子
ＳＥを持つ半導体スイッチング素子としてのセンスＩＧ
ＢＴで、ここでは便宜上、６つのＩＧＢＴ１Ｕ〜１Ｚを
インバータ部素子と呼び、ＩＧＢＴ１ＤＢをブレーキ部
素子と呼ぶ。
Ｚ，１ＤＢ）は自身のエミッタ電流の一部を分流して、
負荷短絡等のエミッタ電流の異常を検出するセンス端子
ＳＥを持つ半導体スイッチング素子としてのセンスＩＧ
ＢＴで、ここでは便宜上、６つのＩＧＢＴ１Ｕ〜１Ｚを
インバータ部素子と呼び、ＩＧＢＴ１ＤＢをブレーキ部
素子と呼ぶ。
【０００４】２（２Ｕ〜２Ｚ，２ＤＢ）は転流ダイオー
ドで、転流ダイオード２Ｕ〜２Ｚは、それぞれインバー
タ部素子としてのＩＧＢＴ１Ｕ〜１Ｚのコレクタ・エミ
ッタ間に逆極性に接続され、転流ダイオード２ＤＢは回
生電力消費抵抗０４と並列に、且つカソードが主直流電
源の正極Ｐ側となるように接続されている。
ドで、転流ダイオード２Ｕ〜２Ｚは、それぞれインバー
タ部素子としてのＩＧＢＴ１Ｕ〜１Ｚのコレクタ・エミ
ッタ間に逆極性に接続され、転流ダイオード２ＤＢは回
生電力消費抵抗０４と並列に、且つカソードが主直流電
源の正極Ｐ側となるように接続されている。
【０００５】また、３（３Ｕ〜３Ｚ，３ＤＢ）は各ＩＧ
ＢＴ１（１Ｕ〜１Ｚ，１ＤＢ）に１対１に対応して設け
られたプリドライバである。この例ではプリドライバ３
とＩＧＢＴ１とが１対１となっているが、この他にイン
バータ部素子に対するプリドライバ３をまとめて１つに
したものや、上アーム用と下アーム用のプリドライバを
各１つにまとめたものや、ブレーキ部素子のプリドライ
バを含めて１つのプリドライバとしたもの等、１つのプ
リドライバ３が複数のＩＧＢＴ１に対応するように設け
られたものもある。
ＢＴ１（１Ｕ〜１Ｚ，１ＤＢ）に１対１に対応して設け
られたプリドライバである。この例ではプリドライバ３
とＩＧＢＴ１とが１対１となっているが、この他にイン
バータ部素子に対するプリドライバ３をまとめて１つに
したものや、上アーム用と下アーム用のプリドライバを
各１つにまとめたものや、ブレーキ部素子のプリドライ
バを含めて１つのプリドライバとしたもの等、１つのプ
リドライバ３が複数のＩＧＢＴ１に対応するように設け
られたものもある。
【０００６】ここで、ＩＧＢＴ１Ｕと１Ｘは主直流電源
０２の正極Ｐと負極Ｎの間に１Ｕが上アーム、１Ｘが下
アームとなるように直列、且つ順方向に接続されてお
り、同様にＩＧＢＴ１Ｖと１Ｙ，１Ｗと１Ｚも、それぞ
れ主直流電源の極Ｐ，Ｎの間に１Ｖ，１Ｗが上アーム、
１Ｙ，１Ｚが下アームとなるように直列、且つ順方向に
接続されている。
０２の正極Ｐと負極Ｎの間に１Ｕが上アーム、１Ｘが下
アームとなるように直列、且つ順方向に接続されてお
り、同様にＩＧＢＴ１Ｖと１Ｙ，１Ｗと１Ｚも、それぞ
れ主直流電源の極Ｐ，Ｎの間に１Ｖ，１Ｗが上アーム、
１Ｙ，１Ｚが下アームとなるように直列、且つ順方向に
接続されている。
【０００７】そして、インバータ部素子としての６つの
ＩＧＢＴ１Ｕ〜１Ｚで３相のインバータ・ブリッジ回路
を構成しており、ＩＧＢＴ１Ｕと１Ｘの接続点が３相交
流のＵ相出力端子、ＩＧＢＴ１Ｖと１Ｙの接続点が３相
交流のＶ相出力端子、ＩＧＢＴ１Ｗと１Ｚの接続点が３
相交流のＷ相出力端子となって、各出力端子Ｕ〜Ｗが外
部のモータ（この例では３相誘導電動機）０３に接続さ
れている。また、ブレーキ部素子としてのＩＧＢＴ１Ｄ
Ｂは、回生電力消費抵抗０４と直列に接続され、主直流
電源の極Ｐ，Ｎの間に順方向に設けられている。
ＩＧＢＴ１Ｕ〜１Ｚで３相のインバータ・ブリッジ回路
を構成しており、ＩＧＢＴ１Ｕと１Ｘの接続点が３相交
流のＵ相出力端子、ＩＧＢＴ１Ｖと１Ｙの接続点が３相
交流のＶ相出力端子、ＩＧＢＴ１Ｗと１Ｚの接続点が３
相交流のＷ相出力端子となって、各出力端子Ｕ〜Ｗが外
部のモータ（この例では３相誘導電動機）０３に接続さ
れている。また、ブレーキ部素子としてのＩＧＢＴ１Ｄ
Ｂは、回生電力消費抵抗０４と直列に接続され、主直流
電源の極Ｐ，Ｎの間に順方向に設けられている。
【０００８】プリドライバ３Ｕ〜３Ｚ，３ＤＢは、それ
ぞれ対応するＩＧＢＴのゲートを駆動するための回路及
び保護回路等を内蔵すると共に、ドライブ電源（この例
では直流１５Ｖ）を入力しており、基本的な機能とし
て、インバータ装置本体側０５の制御回路（図外）から
オン／オフ指令（ドライバ入力ともいう）を端子ＶinＵ
〜ＶinＺ，ＶinＤＢに入力し、対応するＩＧＢＴ１Ｕ〜
１Ｚ，１ＤＢのゲート・エミッタ間にオン／オフのゲー
ト信号を与えて、このＩＧＢＴをオン／オフさせるドラ
イブ回路の機能を持っている。このようにして、常時は
ＩＧＢＴ１Ｕ〜１Ｚを介し、主直流電源０２から可変周
波数，可変電圧の３相交流電圧が変換生成され、モータ
０３が可変速制御される。
ぞれ対応するＩＧＢＴのゲートを駆動するための回路及
び保護回路等を内蔵すると共に、ドライブ電源（この例
では直流１５Ｖ）を入力しており、基本的な機能とし
て、インバータ装置本体側０５の制御回路（図外）から
オン／オフ指令（ドライバ入力ともいう）を端子ＶinＵ
〜ＶinＺ，ＶinＤＢに入力し、対応するＩＧＢＴ１Ｕ〜
１Ｚ，１ＤＢのゲート・エミッタ間にオン／オフのゲー
ト信号を与えて、このＩＧＢＴをオン／オフさせるドラ
イブ回路の機能を持っている。このようにして、常時は
ＩＧＢＴ１Ｕ〜１Ｚを介し、主直流電源０２から可変周
波数，可変電圧の３相交流電圧が変換生成され、モータ
０３が可変速制御される。
【０００９】また、モータ０３の運転中、モータの減速
または停止のためにインバータ装置の出力周波数を下げ
ると、モータ０３のエネルギが主直流電源０２側へ回生
され、主直流電源０２の極Ｐ，Ｎ間の電圧が上昇し、Ｉ
ＧＢＴや主直流電源０２を構成する平滑コンデンサ等の
耐圧が脅かされる恐れがある。
または停止のためにインバータ装置の出力周波数を下げ
ると、モータ０３のエネルギが主直流電源０２側へ回生
され、主直流電源０２の極Ｐ，Ｎ間の電圧が上昇し、Ｉ
ＧＢＴや主直流電源０２を構成する平滑コンデンサ等の
耐圧が脅かされる恐れがある。
【００１０】このため、インバータ装置本体側０５の制
御回路は、主直流電源０２の極Ｐ，Ｎ間電圧を監視し、
この電圧が所定値を越えると、ブレーキ部素子であるＩ
ＧＢＴ１ＤＢに対するプリドライバ３ＤＢの入力端子Ｖ
inＤＢにオン／オフ指令を与えてＩＧＢＴ１ＤＢを断続
導通させ、モータ０３から電源０２側へ送られる回生電
流を回生電力消費抵抗０４を介しバイパスして消費さ
せ、主直流電源０２の極間電圧が過大になることを防
ぐ。
御回路は、主直流電源０２の極Ｐ，Ｎ間電圧を監視し、
この電圧が所定値を越えると、ブレーキ部素子であるＩ
ＧＢＴ１ＤＢに対するプリドライバ３ＤＢの入力端子Ｖ
inＤＢにオン／オフ指令を与えてＩＧＢＴ１ＤＢを断続
導通させ、モータ０３から電源０２側へ送られる回生電
流を回生電力消費抵抗０４を介しバイパスして消費さ
せ、主直流電源０２の極間電圧が過大になることを防
ぐ。
【００１１】プリドライバ３は上述した、ＩＧＢＴの
ドライブ機能、の他に次のような各種の保護機能を持っ
ている。 短絡保護機能、 低電圧保護機能、 過電流保護機能、 ＩＧＢＴチップ過熱保護機能。
ドライブ機能、の他に次のような各種の保護機能を持っ
ている。 短絡保護機能、 低電圧保護機能、 過電流保護機能、 ＩＧＢＴチップ過熱保護機能。
【００１２】ここで、短絡保護機能は、対応するＩＧ
ＢＴのセンス端子ＳＥからＩＧＢＴの出力電流が所定値
（例えば定格電流の４〜５倍）以上の過大な値になった
ことを高速に検出して極めて短時間に対応するＩＧＢＴ
をオフ（一旦ゲート電圧を絞ってからオフさせるソフト
遮断）し、ＩＧＢＴを保護する機能である。
ＢＴのセンス端子ＳＥからＩＧＢＴの出力電流が所定値
（例えば定格電流の４〜５倍）以上の過大な値になった
ことを高速に検出して極めて短時間に対応するＩＧＢＴ
をオフ（一旦ゲート電圧を絞ってからオフさせるソフト
遮断）し、ＩＧＢＴを保護する機能である。
【００１３】低電圧保護機能は、ＩＧＢＴのオン時の
ゲート電圧を最適値に保つために、自身が入力している
ドライブ電源の電圧を監視し、この電圧が所定値を下回
ったとき対応するＩＧＢＴをオフする機能である。
ゲート電圧を最適値に保つために、自身が入力している
ドライブ電源の電圧を監視し、この電圧が所定値を下回
ったとき対応するＩＧＢＴをオフする機能である。
【００１４】過電流保護機能は、対応するＩＧＢＴの
センス端子ＳＥからＩＧＢＴの出力電流が所定値（例え
ば定格電流の１．５〜２倍）以上の過大な値になったこ
とを検出して対応するＩＧＢＴをオフする機能である。
前記短絡保護機能との違いは検出のスピードとトリッ
プレベルである。
センス端子ＳＥからＩＧＢＴの出力電流が所定値（例え
ば定格電流の１．５〜２倍）以上の過大な値になったこ
とを検出して対応するＩＧＢＴをオフする機能である。
前記短絡保護機能との違いは検出のスピードとトリッ
プレベルである。
【００１５】また、ＩＧＢＴチップ過熱保護機能は、
対応するＩＧＢＴのチップに埋め込まれたダイオードの
順方向電圧からチップ温度を検出し、このチップ温度が
所定値以上となったとき、対応するＩＧＢＴをオフする
機能である。
対応するＩＧＢＴのチップに埋め込まれたダイオードの
順方向電圧からチップ温度を検出し、このチップ温度が
所定値以上となったとき、対応するＩＧＢＴをオフする
機能である。
【００１６】次に、図６の下端に示される過熱保護回路
４は、各ＩＧＢＴ１Ｕ〜１Ｚ，１ＤＢのチップを金属の
放熱基板から絶縁する金属あるいはセラミックの絶縁基
板の温度が所定値以上になったとき、常時はＨｉである
アラームイネーブルライン５をＬｏとし、外部へＬｏの
警報ＡＬＭを出力する回路である。
４は、各ＩＧＢＴ１Ｕ〜１Ｚ，１ＤＢのチップを金属の
放熱基板から絶縁する金属あるいはセラミックの絶縁基
板の温度が所定値以上になったとき、常時はＨｉである
アラームイネーブルライン５をＬｏとし、外部へＬｏの
警報ＡＬＭを出力する回路である。
【００１７】インバータ・ブリッジ回路の下アームとな
るＩＧＢＴ１Ｘ〜１Ｚを駆動するプリドライバ３Ｘ〜３
Ｚと、ブレーキ部ＩＧＢＴ１ＤＢを駆動するプリドライ
バ３ＤＢとの何れかが、上記〜の何れかの保護動作
を行ったときも、当該のプリドライバ３は過熱保護回路
４と同様にアラームイネーブルライン５をＬｏとし、外
部へＬｏの警報ＡＬＭを出力する。
るＩＧＢＴ１Ｘ〜１Ｚを駆動するプリドライバ３Ｘ〜３
Ｚと、ブレーキ部ＩＧＢＴ１ＤＢを駆動するプリドライ
バ３ＤＢとの何れかが、上記〜の何れかの保護動作
を行ったときも、当該のプリドライバ３は過熱保護回路
４と同様にアラームイネーブルライン５をＬｏとし、外
部へＬｏの警報ＡＬＭを出力する。
【００１８】この警報ＡＬＭの出力時、アラームイネー
ブルライン５が接続されているプリドライバ３Ｘ〜３
Ｚ，３ＤＢのうち、警報ＡＬＭを出力しなかったプリド
ライバは、アラームイネーブルライン５がＬｏ（アクテ
ィブ）になったことを検知して自身に対応するＩＧＢＴ
をオフする。
ブルライン５が接続されているプリドライバ３Ｘ〜３
Ｚ，３ＤＢのうち、警報ＡＬＭを出力しなかったプリド
ライバは、アラームイネーブルライン５がＬｏ（アクテ
ィブ）になったことを検知して自身に対応するＩＧＢＴ
をオフする。
【００１９】また、インバータ装置本体側０５の図外の
保護回路は、Ｌｏの警報ＡＬＭを検知すると、インバー
タ・ブリッジ回路の上アームのＩＧＢＴ１Ｕ〜１Ｗを駆
動するプリドライバ３Ｕ〜３Ｗにもオフ指令を出力する
ので、上アームのＩＧＢＴ１Ｕ〜１Ｗもオフされる。こ
のようにして、プリドライバ３Ｕ〜３Ｚ，３ＤＢと過熱
保護回路４の何れかが保護動作を行うと全てのＩＧＢＴ
１Ｕ〜１Ｚ，１ＤＢが遮断されることになる。
保護回路は、Ｌｏの警報ＡＬＭを検知すると、インバー
タ・ブリッジ回路の上アームのＩＧＢＴ１Ｕ〜１Ｗを駆
動するプリドライバ３Ｕ〜３Ｗにもオフ指令を出力する
ので、上アームのＩＧＢＴ１Ｕ〜１Ｗもオフされる。こ
のようにして、プリドライバ３Ｕ〜３Ｚ，３ＤＢと過熱
保護回路４の何れかが保護動作を行うと全てのＩＧＢＴ
１Ｕ〜１Ｚ，１ＤＢが遮断されることになる。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の
ＩＰＭが内蔵する保護機能の主目的はＩＰＭ内の半導体
素子を異常状態から保護し、その破壊を回避する事であ
り、ＩＰＭが異常を検出すると即座に、全てのＩＧＢＴ
が遮断されインバータ装置の停止が行われていた。
ＩＰＭが内蔵する保護機能の主目的はＩＰＭ内の半導体
素子を異常状態から保護し、その破壊を回避する事であ
り、ＩＰＭが異常を検出すると即座に、全てのＩＧＢＴ
が遮断されインバータ装置の停止が行われていた。
【００２１】このため、インバータ装置の異常時、半導
体素子の破壊は回避できるものの、例えば、製造ライン
等に使用されているインバータ装置が、その過負荷状態
に気づかず運転している最中に突然停止し、工場システ
ム全体の操業が低下するということが発生し得る。
体素子の破壊は回避できるものの、例えば、製造ライン
等に使用されているインバータ装置が、その過負荷状態
に気づかず運転している最中に突然停止し、工場システ
ム全体の操業が低下するということが発生し得る。
【００２２】このことは、特に大きな製造ラインにおい
ては多大な損失につながるので、装置を異常停止させる
以前に、装置の異常停止になりそうな兆しを検出して予
告警報を出力し、インバータ装置の操作者等に異常停止
を招く要因を早期に排除することを促し、工場システム
の操業低下を回避することが望まれている。
ては多大な損失につながるので、装置を異常停止させる
以前に、装置の異常停止になりそうな兆しを検出して予
告警報を出力し、インバータ装置の操作者等に異常停止
を招く要因を早期に排除することを促し、工場システム
の操業低下を回避することが望まれている。
【００２３】また、前述のようにインバータ部素子用の
プリドライバ３Ｘ〜３Ｚの何れかが異常を検出したとき
は、アラームイネーブルライン５をＬｏとすることによ
ってブレーキ部素子のＩＧＢＴ１ＤＢまで停止状態とな
る。
プリドライバ３Ｘ〜３Ｚの何れかが異常を検出したとき
は、アラームイネーブルライン５をＬｏとすることによ
ってブレーキ部素子のＩＧＢＴ１ＤＢまで停止状態とな
る。
【００２４】ところで、インバータ部素子に異常状態が
発生して、インバータ回路が運転状態から急に停止状態
になった場合、負荷である回転中のモータ０３等より回
生エネルギが主直流電源０２側に戻り主直流電源０２の
電圧が上昇する。
発生して、インバータ回路が運転状態から急に停止状態
になった場合、負荷である回転中のモータ０３等より回
生エネルギが主直流電源０２側に戻り主直流電源０２の
電圧が上昇する。
【００２５】前述のように、通常時はインバータ装置本
体側０５の制御回路が主直流電源０２の電圧上昇を検出
したときは、ブレーキ部ＩＧＢＴ１ＤＢを動作させ電圧
上昇を抑えるが、プリドライバ３ＤＢがイネーブルライ
ン５のＬｏを検出してブレーキ部ＩＧＢＴ１ＤＢを遮断
したときは、プリドライバ３ＤＢの入力端子ＶinＤＢに
オン指令を与えても動作せず、このため主直流電源０２
の電圧上昇を抑制できず、最悪時には素子破壊を招く可
能性があった。
体側０５の制御回路が主直流電源０２の電圧上昇を検出
したときは、ブレーキ部ＩＧＢＴ１ＤＢを動作させ電圧
上昇を抑えるが、プリドライバ３ＤＢがイネーブルライ
ン５のＬｏを検出してブレーキ部ＩＧＢＴ１ＤＢを遮断
したときは、プリドライバ３ＤＢの入力端子ＶinＤＢに
オン指令を与えても動作せず、このため主直流電源０２
の電圧上昇を抑制できず、最悪時には素子破壊を招く可
能性があった。
【００２６】この発明の目的は上記問題点を除去し、Ｉ
ＰＭ側の異常発生の兆しを検出して、インバータ装置を
停止せずに予告警報を出力し、インバータ装置の異常停
止を招く要因の排除を促して、工場システムの突然の操
業低下を防ぐことができるＩＰＭとしての半導体装置、
およびインバータ部素子のＩＧＢＴが異常によって遮断
され、インバータ装置が停止しても、ブレーキ部素子の
ＩＧＢＴのオン／オフ動作を可能として主直流電源の電
圧上昇を抑制できるＩＰＭとしての半導体装置を提供す
ることにある。
ＰＭ側の異常発生の兆しを検出して、インバータ装置を
停止せずに予告警報を出力し、インバータ装置の異常停
止を招く要因の排除を促して、工場システムの突然の操
業低下を防ぐことができるＩＰＭとしての半導体装置、
およびインバータ部素子のＩＧＢＴが異常によって遮断
され、インバータ装置が停止しても、ブレーキ部素子の
ＩＧＢＴのオン／オフ動作を可能として主直流電源の電
圧上昇を抑制できるＩＰＭとしての半導体装置を提供す
ることにある。
【００２７】
【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
めに、請求項１の半導体装置は、電力変換用の少なくと
も１つの半導体スイッチング素子（ＩＧＢＴ１Ｕ〜１
Ｚ，１ＤＢなど）と、この半導体スイッチング素子に付
設され、外部から当該半導体スイッチング素子に対する
オン／オフ指令（ＶinＵ〜ＶinＺ，ＶinＤＢなど）を入
力して、当該半導体スイッチング素子をその制御端子
（ゲートなど）を介してそれぞれオン／オフ駆動するド
ライブ回路（プリドライバ３Ｕ〜３Ｚ，３ＤＢの内蔵回
路など）と、半導体スイッチング素子（ＩＧＢＴ１Ｕ〜
１Ｚ，１ＤＢなど）に付設され、当該半導体スイッチン
グ素子部分の異常の有無を監視し、異常有りと判別した
とき（時点ｔ１に）は当該のドライブ回路に当該半導体
スイッチング素子のオフ駆動を行わせる異常保護手段
（プリドライバ３Ｕ〜３Ｚ，３ＤＢの内蔵回路など）と
を備えた半導体装置（ＩＰＭ０１）において、半導体ス
イッチング素子（ＩＧＢＴ１Ｕ〜１Ｚ，１ＤＢなど）に
付設され、当該の半導体スイッチング素子部分の異常発
生の兆しを検出したとき（時点ｔ２に）は予告警報（Ａ
ＬＭ２）を（予告警報ライン６を介し）外部へ出力する
異常予告手段（プリドライバ３Ｕ〜３Ｚ，３ＤＢの内蔵
回路など）を備えたものとする。
めに、請求項１の半導体装置は、電力変換用の少なくと
も１つの半導体スイッチング素子（ＩＧＢＴ１Ｕ〜１
Ｚ，１ＤＢなど）と、この半導体スイッチング素子に付
設され、外部から当該半導体スイッチング素子に対する
オン／オフ指令（ＶinＵ〜ＶinＺ，ＶinＤＢなど）を入
力して、当該半導体スイッチング素子をその制御端子
（ゲートなど）を介してそれぞれオン／オフ駆動するド
ライブ回路（プリドライバ３Ｕ〜３Ｚ，３ＤＢの内蔵回
路など）と、半導体スイッチング素子（ＩＧＢＴ１Ｕ〜
１Ｚ，１ＤＢなど）に付設され、当該半導体スイッチン
グ素子部分の異常の有無を監視し、異常有りと判別した
とき（時点ｔ１に）は当該のドライブ回路に当該半導体
スイッチング素子のオフ駆動を行わせる異常保護手段
（プリドライバ３Ｕ〜３Ｚ，３ＤＢの内蔵回路など）と
を備えた半導体装置（ＩＰＭ０１）において、半導体ス
イッチング素子（ＩＧＢＴ１Ｕ〜１Ｚ，１ＤＢなど）に
付設され、当該の半導体スイッチング素子部分の異常発
生の兆しを検出したとき（時点ｔ２に）は予告警報（Ａ
ＬＭ２）を（予告警報ライン６を介し）外部へ出力する
異常予告手段（プリドライバ３Ｕ〜３Ｚ，３ＤＢの内蔵
回路など）を備えたものとする。
【００２８】また請求項２の半導体装置は、請求項１に
記載の半導体装置において、前記異常保護手段が、当該
の半導体スイッチング素子の主端子間に流れる電流（コ
レクタ電流など）が、この半導体スイッチング素子の正
常値を上回る第１の所定値（警報レベルＩｍ１）を越え
たときに異常有りと判別し、前記異常予告手段が、当該
の半導体スイッチング素子の主端子間に流れる電流が前
記正常値より大きく、且つ第１の所定値より小さい第２
の所定値（予告警報レベルＩｍ２）を越えたときに前記
予告警報を出力するようにする。
記載の半導体装置において、前記異常保護手段が、当該
の半導体スイッチング素子の主端子間に流れる電流（コ
レクタ電流など）が、この半導体スイッチング素子の正
常値を上回る第１の所定値（警報レベルＩｍ１）を越え
たときに異常有りと判別し、前記異常予告手段が、当該
の半導体スイッチング素子の主端子間に流れる電流が前
記正常値より大きく、且つ第１の所定値より小さい第２
の所定値（予告警報レベルＩｍ２）を越えたときに前記
予告警報を出力するようにする。
【００２９】また請求項３の半導体装置は、請求項１ま
たは２に記載の半導体装置において、前記異常保護手段
が、当該の半導体スイッチング素子のチップ温度が、こ
の半導体スイッチング素子の正常値を上回る第１の所定
値（θｍ１）を越えたときに異常有りと判別し、前記異
常予告手段が、当該の半導体スイッチング素子のチップ
温度が前記正常値より大きく、且つ第１の所定値より小
さい第２の所定値（θｍ２）を越えたときに前記予告警
報を出力するようにする。
たは２に記載の半導体装置において、前記異常保護手段
が、当該の半導体スイッチング素子のチップ温度が、こ
の半導体スイッチング素子の正常値を上回る第１の所定
値（θｍ１）を越えたときに異常有りと判別し、前記異
常予告手段が、当該の半導体スイッチング素子のチップ
温度が前記正常値より大きく、且つ第１の所定値より小
さい第２の所定値（θｍ２）を越えたときに前記予告警
報を出力するようにする。
【００３０】また請求項４の半導体装置は、請求項１な
いし３のいずれかに記載の半導体装置において、半導体
スイッチング素子の前記異常保護手段が、異常有りの判
別時に（アラームイネーブルライン５を介し）外部へ警
報を出力するようにする。
いし３のいずれかに記載の半導体装置において、半導体
スイッチング素子の前記異常保護手段が、異常有りの判
別時に（アラームイネーブルライン５を介し）外部へ警
報を出力するようにする。
【００３１】また請求項５の半導体装置は、請求項４に
記載の半導体装置において、前記予告警報と警報との外
部への出力端子を共通とし、この２つの警報を互いに異
なるパルス幅（予告警報出力幅Ｔ２と警報出力幅Ｔ１）
のデジタル信号とする。
記載の半導体装置において、前記予告警報と警報との外
部への出力端子を共通とし、この２つの警報を互いに異
なるパルス幅（予告警報出力幅Ｔ２と警報出力幅Ｔ１）
のデジタル信号とする。
【００３２】また請求項６の半導体装置（ＩＰＭ０１）
は、モータ駆動用インバータ装置の主回路を構成する少
なくとも１つの半導体スイッチング素子（インバータ部
素子としてのＩＧＢＴ１Ｕ〜１Ｚなど）と、モータの回
生エネルギを消費する電流を断続するブレーキ用半導体
スイッチング素子（ブレーキ部素子としてのＩＧＢＴ１
ＤＢ）と、半導体スイッチング素子及びブレーキ用半導
体スイッチング素子に付設され、外部から当該半導体ス
イッチング素子に対するオン／オフ指令（ＶinＵ〜Ｖin
Ｚなど及びＶinＤＢ）を入力して、当該半導体スイッチ
ング素子をその制御端子（ゲートなど）を介してそれぞ
れオン／オフ駆動するドライブ回路（プリドライバ３Ｕ
〜３Ｚなど及び３ＤＢの内蔵回路）と、半導体スイッチ
ング素子（ＩＧＢＴ１Ｕ〜１Ｚなど）及びブレーキ用半
導体スイッチング素子に付設され、当該半導体スイッチ
ング素子部分の異常の有無を監視し、異常有りと判別し
たときは当該のドライブ回路に当該半導体スイッチング
素子のオフ駆動を行わせる異常保護手段（プリドライバ
３Ｕ〜３Ｚなど及び３ＤＢの内蔵回路）と、半導体スイ
ッチング素子（ＩＧＢＴ１Ｕ〜１Ｚなど）及びブレーキ
用半導体スイッチング素子に付設され、当該の半導体ス
イッチング素子部分の異常時に警報（ＡＬＭ１）を外部
への共通の信号線（アラームイネーブルライン５）に出
力する警報送信手段（プリドライバ３Ｕ〜３Ｚなど及び
３ＤＢの内蔵回路）と、半導体スイッチング素子に付設
され、この共通信号線を介し少なくとも他の半導体スイ
ッチング素子が出力する警報を受信して、当該の異常保
護手段を介し当該半導体スイッチング素子のオフ駆動を
行わせる警報受信手段（プリドライバ３Ｘ〜３Ｚなどの
内蔵回路）とを備えたものとする。
は、モータ駆動用インバータ装置の主回路を構成する少
なくとも１つの半導体スイッチング素子（インバータ部
素子としてのＩＧＢＴ１Ｕ〜１Ｚなど）と、モータの回
生エネルギを消費する電流を断続するブレーキ用半導体
スイッチング素子（ブレーキ部素子としてのＩＧＢＴ１
ＤＢ）と、半導体スイッチング素子及びブレーキ用半導
体スイッチング素子に付設され、外部から当該半導体ス
イッチング素子に対するオン／オフ指令（ＶinＵ〜Ｖin
Ｚなど及びＶinＤＢ）を入力して、当該半導体スイッチ
ング素子をその制御端子（ゲートなど）を介してそれぞ
れオン／オフ駆動するドライブ回路（プリドライバ３Ｕ
〜３Ｚなど及び３ＤＢの内蔵回路）と、半導体スイッチ
ング素子（ＩＧＢＴ１Ｕ〜１Ｚなど）及びブレーキ用半
導体スイッチング素子に付設され、当該半導体スイッチ
ング素子部分の異常の有無を監視し、異常有りと判別し
たときは当該のドライブ回路に当該半導体スイッチング
素子のオフ駆動を行わせる異常保護手段（プリドライバ
３Ｕ〜３Ｚなど及び３ＤＢの内蔵回路）と、半導体スイ
ッチング素子（ＩＧＢＴ１Ｕ〜１Ｚなど）及びブレーキ
用半導体スイッチング素子に付設され、当該の半導体ス
イッチング素子部分の異常時に警報（ＡＬＭ１）を外部
への共通の信号線（アラームイネーブルライン５）に出
力する警報送信手段（プリドライバ３Ｕ〜３Ｚなど及び
３ＤＢの内蔵回路）と、半導体スイッチング素子に付設
され、この共通信号線を介し少なくとも他の半導体スイ
ッチング素子が出力する警報を受信して、当該の異常保
護手段を介し当該半導体スイッチング素子のオフ駆動を
行わせる警報受信手段（プリドライバ３Ｘ〜３Ｚなどの
内蔵回路）とを備えたものとする。
【００３３】また請求項７の半導体装置は、請求項６に
記載の半導体装置において、警報受信手段がブレーキ用
半導体スイッチング素子を除く半導体スイッチング素子
のオフ駆動を行わせるようにする。
記載の半導体装置において、警報受信手段がブレーキ用
半導体スイッチング素子を除く半導体スイッチング素子
のオフ駆動を行わせるようにする。
【００３４】即ち、本発明の作用は次の如くである。 （１）請求項１に関わる発明（以下第１発明という）で
は、半導体スイッチング素子部分の異常時に素子を遮断
するＩＰＭ保護回路動作の前段階の動作として、半導体
スイッチング素子部分の異常発生の兆しを検出し、ＩＰ
Ｍの動作は継続しながら、予告警報ＡＬＭ２をＩＰＭよ
り出力する。なお、ＩＧＢＴのコレクタ電流又はチップ
温度が、正常値より高く、異常値より低い所定値を越え
た時点に異常発生の兆しがあると判別する（請求項２，
３）。
は、半導体スイッチング素子部分の異常時に素子を遮断
するＩＰＭ保護回路動作の前段階の動作として、半導体
スイッチング素子部分の異常発生の兆しを検出し、ＩＰ
Ｍの動作は継続しながら、予告警報ＡＬＭ２をＩＰＭよ
り出力する。なお、ＩＧＢＴのコレクタ電流又はチップ
温度が、正常値より高く、異常値より低い所定値を越え
た時点に異常発生の兆しがあると判別する（請求項２，
３）。
【００３５】また、異常時に警報をＩＰＭの外部に出力
するための端子と、予告警報をＩＰＭの外部に出力する
ための端子とを共通にするときは、警報と予告警報との
パルス幅が異なるようにする（請求項４，５）。
するための端子と、予告警報をＩＰＭの外部に出力する
ための端子とを共通にするときは、警報と予告警報との
パルス幅が異なるようにする（請求項４，５）。
【００３６】これにより、インバータ装置が異常停止す
る以前に、異常停止となる要因を排除できるようにし、
異常停止を未然に回避する。 （２）請求項６に関わる発明（以下第２発明という）で
は、インバータ部素子やブレーキ部素子の素子部での異
常時には当該素子のプリドライバが当該素子を遮断し、
共通の信号線を使って外部へ警報出力を行い、更にこの
共通信号線から他のプリドライバの出力警報を受信した
インバータ部素子のプリドライバは当該素子を遮断す
る。
る以前に、異常停止となる要因を排除できるようにし、
異常停止を未然に回避する。 （２）請求項６に関わる発明（以下第２発明という）で
は、インバータ部素子やブレーキ部素子の素子部での異
常時には当該素子のプリドライバが当該素子を遮断し、
共通の信号線を使って外部へ警報出力を行い、更にこの
共通信号線から他のプリドライバの出力警報を受信した
インバータ部素子のプリドライバは当該素子を遮断す
る。
【００３７】しかし、ブレーキ部素子のプリドライバは
インバータ部素子のプリドライバから警報が出力されて
もブレーキ部素子の遮断は行わないようにする（請求項
７）。これにより、インバータ装置が異常停止し、モー
タのエネルギ回生により、電源電圧が上昇しても、イン
バータ部素子のオン／オフ動作で回生エネルギを消費
し、電源電圧の上昇を抑制できるようにする。
インバータ部素子のプリドライバから警報が出力されて
もブレーキ部素子の遮断は行わないようにする（請求項
７）。これにより、インバータ装置が異常停止し、モー
タのエネルギ回生により、電源電圧が上昇しても、イン
バータ部素子のオン／オフ動作で回生エネルギを消費
し、電源電圧の上昇を抑制できるようにする。
【００３８】
【発明の実施の形態】〔実施の形態１〕 （実施例１）図１は第１発明の一実施例としてのＩＰＭ
０１を含むモータ可変速制御用インバータ装置の要部の
構成を示す回路図である。同図と従来の図６との相違
は、図１ではＩＰＭ０１のプリドライバ３Ｘ〜３Ｚ及び
３ＤＢが、インバータ装置本体側０５へ従来通り、警報
ＡＬＭ（ここではＡＬＭ１として区別する）をアラーム
イネーブルライン５を介して出力する他に、新たに接続
された予告警報ライン６を介して予告警報ＡＬＭ２をも
出力するようにした点と、上アームのプリドライバ３Ｕ
〜３Ｗからも個々に警報ＡＬＭ（ＡＬＭ１Ｕ〜ＡＬＭ１
Ｗ）と予告警報ＡＬＭ（ＡＬＭ２Ｕ〜ＡＬＭ２Ｗ）を出
力するようにした点である。
０１を含むモータ可変速制御用インバータ装置の要部の
構成を示す回路図である。同図と従来の図６との相違
は、図１ではＩＰＭ０１のプリドライバ３Ｘ〜３Ｚ及び
３ＤＢが、インバータ装置本体側０５へ従来通り、警報
ＡＬＭ（ここではＡＬＭ１として区別する）をアラーム
イネーブルライン５を介して出力する他に、新たに接続
された予告警報ライン６を介して予告警報ＡＬＭ２をも
出力するようにした点と、上アームのプリドライバ３Ｕ
〜３Ｗからも個々に警報ＡＬＭ（ＡＬＭ１Ｕ〜ＡＬＭ１
Ｗ）と予告警報ＡＬＭ（ＡＬＭ２Ｕ〜ＡＬＭ２Ｗ）を出
力するようにした点である。
【００３９】なお、このように上アームのプリドライバ
３Ｕ〜３Ｗからも個々に警報ＡＬＭ１Ｕ〜ＡＬＭ１Ｗと
予告警報ＡＬＭ２Ｕ〜ＡＬＭ２Ｗを出力するようにする
と、より正確な制御を行うことができる。また、従来例
と同じプリドライバは１つまたはいくつかにまとめても
よい。
３Ｕ〜３Ｗからも個々に警報ＡＬＭ１Ｕ〜ＡＬＭ１Ｗと
予告警報ＡＬＭ２Ｕ〜ＡＬＭ２Ｗを出力するようにする
と、より正確な制御を行うことができる。また、従来例
と同じプリドライバは１つまたはいくつかにまとめても
よい。
【００４０】図３は第１発明の第１の実施例としての過
電流保護機能の動作説明用のタイミングチャートであ
る。ここで、同図ａ）はインバータ装置本体側０５の制
御回路からプリドライバ３Ｘ〜３Ｚ又は３ＤＢに入力さ
れるオン／オフ指令（ドライバ入力）ＶinＸ〜ＶinＺ又
はＶinＤＢの波形を一般的に示し、同図ｂ）はこのオン
／オフ指令によって流れる当該のＩＧＢＴ３Ｘ〜３Ｚ又
は３ＤＢのコレクタ電流の過電流異常発生時の波形を一
般的に示す。
電流保護機能の動作説明用のタイミングチャートであ
る。ここで、同図ａ）はインバータ装置本体側０５の制
御回路からプリドライバ３Ｘ〜３Ｚ又は３ＤＢに入力さ
れるオン／オフ指令（ドライバ入力）ＶinＸ〜ＶinＺ又
はＶinＤＢの波形を一般的に示し、同図ｂ）はこのオン
／オフ指令によって流れる当該のＩＧＢＴ３Ｘ〜３Ｚ又
は３ＤＢのコレクタ電流の過電流異常発生時の波形を一
般的に示す。
【００４１】また、同図ｃ）は同図ｂ）のコレクタ電流
によって当該のプリドライバ３Ｘ〜３Ｚ又は３ＤＢから
出力される予告警報ＡＬＭ２の発生のタイミングを示
し、同図ｄ）は同じく警報ＡＬＭ１の発生のタイミング
を示す。
によって当該のプリドライバ３Ｘ〜３Ｚ又は３ＤＢから
出力される予告警報ＡＬＭ２の発生のタイミングを示
し、同図ｄ）は同じく警報ＡＬＭ１の発生のタイミング
を示す。
【００４２】〔なお上アームにアラーム出力を付けない
場合には、図３のａ），ｂ）の波形が、上アームのイン
バータ部素子ＩＧＢＴ１Ｕ〜１Ｗに対しても同様に当て
はまり、また同図ｂ）におけるコレクタ電流の警報レベ
ルＩｍ１での保護動作（但し警報ＡＬＭ１は出力しな
い）が、上アームのインバータ部素子用のプリドライバ
３Ｕ〜３Ｗに対しても同様にあてはまる。〕 図３に示
すように、本実施例ではプリドライバ３Ｘ〜３Ｚ又は３
ＤＢが、自身に対応するＩＧＢＴのコレクタ電流が異常
に増大し、時点ｔ１に警報レベルＩｍ１に達したことを
検出すると、従来通り対応するＩＧＢＴの動作を停止
し、アラームイネーブルライン５をＬｏとして警報ＡＬ
Ｍ１を出力するが、その前の段階で、コレクタ電流が正
常値より増加して予告警報レベルＩｍ２に達すると、そ
の時点ｔ２に予告警報ライン６をＬｏとして、インバー
タ装置本体側０５へＬｏの予告警報ＡＬＭ２を出力す
る。
場合には、図３のａ），ｂ）の波形が、上アームのイン
バータ部素子ＩＧＢＴ１Ｕ〜１Ｗに対しても同様に当て
はまり、また同図ｂ）におけるコレクタ電流の警報レベ
ルＩｍ１での保護動作（但し警報ＡＬＭ１は出力しな
い）が、上アームのインバータ部素子用のプリドライバ
３Ｕ〜３Ｗに対しても同様にあてはまる。〕 図３に示
すように、本実施例ではプリドライバ３Ｘ〜３Ｚ又は３
ＤＢが、自身に対応するＩＧＢＴのコレクタ電流が異常
に増大し、時点ｔ１に警報レベルＩｍ１に達したことを
検出すると、従来通り対応するＩＧＢＴの動作を停止
し、アラームイネーブルライン５をＬｏとして警報ＡＬ
Ｍ１を出力するが、その前の段階で、コレクタ電流が正
常値より増加して予告警報レベルＩｍ２に達すると、そ
の時点ｔ２に予告警報ライン６をＬｏとして、インバー
タ装置本体側０５へＬｏの予告警報ＡＬＭ２を出力す
る。
【００４３】但し、この場合は当該のプリドライバは当
該のＩＧＢＴの遮断は行わず、また予告警報ライン６を
Ｌｏとした情報が予告警報ライン６に接続されている他
のプリドライバに影響を与えることも無い。
該のＩＧＢＴの遮断は行わず、また予告警報ライン６を
Ｌｏとした情報が予告警報ライン６に接続されている他
のプリドライバに影響を与えることも無い。
【００４４】（実施例２）図２は第１発明の第２の実施
例としてのＩＧＢＴチップ過熱保護機能の動作説明用の
タイミングチャートである。ここで、同図ａ）は図３と
同様にインバータ装置本体側０５からプリドライバ３Ｘ
〜３Ｚ又は３ＤＢに入力されるドライバ入力ＶinＸ〜Ｖ
inＺ又はＶinＤＢの波形、同図ｃ）はこのオン／オフ指
令によって流れる当該のＩＧＢＴ１Ｘ〜１Ｚ又は１ＤＢ
のコレクタ電流の波形、同図ｂ）はこのコレクタ電流に
よって生ずるＩＧＢＴチップ温度の異常上昇時の波形を
それぞれ一般的に示す。
例としてのＩＧＢＴチップ過熱保護機能の動作説明用の
タイミングチャートである。ここで、同図ａ）は図３と
同様にインバータ装置本体側０５からプリドライバ３Ｘ
〜３Ｚ又は３ＤＢに入力されるドライバ入力ＶinＸ〜Ｖ
inＺ又はＶinＤＢの波形、同図ｃ）はこのオン／オフ指
令によって流れる当該のＩＧＢＴ１Ｘ〜１Ｚ又は１ＤＢ
のコレクタ電流の波形、同図ｂ）はこのコレクタ電流に
よって生ずるＩＧＢＴチップ温度の異常上昇時の波形を
それぞれ一般的に示す。
【００４５】また、同図ｄ）は同図ｂ）のチップ温度の
検出によって当該のプリドライバ３Ｘ〜３Ｚ又は３ＤＢ
から出力される予告警報ＡＬＭ２の発生のタイミングを
示し、同図ｅ）は同じく警報ＡＬＭ１の発生のタイミン
グを示す。
検出によって当該のプリドライバ３Ｘ〜３Ｚ又は３ＤＢ
から出力される予告警報ＡＬＭ２の発生のタイミングを
示し、同図ｅ）は同じく警報ＡＬＭ１の発生のタイミン
グを示す。
【００４６】〔なお、図２のａ），ｃ）の波形は、上ア
ームのインバータ部素子ＩＧＢＴ１Ｕ〜１Ｗに対しても
同様に当てはまり、また同図ｂ）におけるチップ温度の
警報レベルθｍ１での保護動作（但し警報ＡＬＭ１は出
力しない）は、上アームのインバータ部素子用のプリド
ライバ３Ｕ〜３Ｗに対しても同様にあてはまる。〕図２
に示すように、本実施例ではプリドライバ３Ｘ〜３Ｚ又
は３ＤＢが、自身に対応するＩＧＢＴのチップ温度が異
常に上昇し、時点ｔ１に警報レベルθｍ１（約１６０〜
１７０°Ｃ）に達したことを検出すると、従来通り対応
するＩＧＢＴの動作を停止し、アラームイネーブルライ
ン５をＬｏとして警報ＡＬＭ１を出力するが、その前の
段階で、チップ温度が正常値より上昇して予告警報レベ
ルθｍ２（例えば１３０°Ｃ）に達すると、その時点ｔ
２に予告警報ライン６をＬｏとして、インバータ装置本
体側０５へＬｏの予告警報ＡＬＭ２を出力する。
ームのインバータ部素子ＩＧＢＴ１Ｕ〜１Ｗに対しても
同様に当てはまり、また同図ｂ）におけるチップ温度の
警報レベルθｍ１での保護動作（但し警報ＡＬＭ１は出
力しない）は、上アームのインバータ部素子用のプリド
ライバ３Ｕ〜３Ｗに対しても同様にあてはまる。〕図２
に示すように、本実施例ではプリドライバ３Ｘ〜３Ｚ又
は３ＤＢが、自身に対応するＩＧＢＴのチップ温度が異
常に上昇し、時点ｔ１に警報レベルθｍ１（約１６０〜
１７０°Ｃ）に達したことを検出すると、従来通り対応
するＩＧＢＴの動作を停止し、アラームイネーブルライ
ン５をＬｏとして警報ＡＬＭ１を出力するが、その前の
段階で、チップ温度が正常値より上昇して予告警報レベ
ルθｍ２（例えば１３０°Ｃ）に達すると、その時点ｔ
２に予告警報ライン６をＬｏとして、インバータ装置本
体側０５へＬｏの予告警報ＡＬＭ２を出力する。
【００４７】但し、この場合は当該のプリドライバは当
該のＩＧＢＴの遮断は行わず、また予告警報ライン６を
Ｌｏとした情報が予告警報ライン６に接続されている他
のプリドライバに影響を与えることも無い。
該のＩＧＢＴの遮断は行わず、また予告警報ライン６を
Ｌｏとした情報が予告警報ライン６に接続されている他
のプリドライバに影響を与えることも無い。
【００４８】（実施例３）以上に述べた実施例では、警
報を出力するためのラインを、警報ＡＬＭ１を出力する
ためのアラームイネーブルライン５と、予告警報ＡＬＭ
２を出力するための予告警報ライン６との２本にした例
を述べたが、従来の図６と同様に警報ＡＬＭ１，ＡＬＭ
２の出力ライン（従ってＩＰＭ外部への警報の出力端
子）を共通にすることもできる。
報を出力するためのラインを、警報ＡＬＭ１を出力する
ためのアラームイネーブルライン５と、予告警報ＡＬＭ
２を出力するための予告警報ライン６との２本にした例
を述べたが、従来の図６と同様に警報ＡＬＭ１，ＡＬＭ
２の出力ライン（従ってＩＰＭ外部への警報の出力端
子）を共通にすることもできる。
【００４９】図４はこの時の共通の警報出力ライン（従
ってＩＰＭ外部への警報の共通の出力端子）上の警報の
波形の例を示す。即ち、Ｌｏの予告警報ＡＬＭ２の出力
幅Ｔ２と、同じくＬｏの警報ＡＬＭ１の出力幅Ｔ１とが
異なるようにして、２つの警報を区別することができ
る。
ってＩＰＭ外部への警報の共通の出力端子）上の警報の
波形の例を示す。即ち、Ｌｏの予告警報ＡＬＭ２の出力
幅Ｔ２と、同じくＬｏの警報ＡＬＭ１の出力幅Ｔ１とが
異なるようにして、２つの警報を区別することができ
る。
【００５０】〔実施の形態２〕次に第２発明の実施例を
説明する。例えば図３又は図２において予告警報ＡＬＭ
２が出力された後、なおもコレクタ電流又はチップ温度
が増加を続けて警報ＡＬＭ１の発生レベルＩｍ１又はθ
ｍ１に達したときは、当該のプリドライバ３Ｘ〜３Ｚ又
は３ＤＢは、当該のＩＧＢＴを遮断すると共に、アラー
ムイネーブルライン５をＬｏとして、インバータ装置本
体側０５へＬｏの警報ＡＬＭ１を出力する。
説明する。例えば図３又は図２において予告警報ＡＬＭ
２が出力された後、なおもコレクタ電流又はチップ温度
が増加を続けて警報ＡＬＭ１の発生レベルＩｍ１又はθ
ｍ１に達したときは、当該のプリドライバ３Ｘ〜３Ｚ又
は３ＤＢは、当該のＩＧＢＴを遮断すると共に、アラー
ムイネーブルライン５をＬｏとして、インバータ装置本
体側０５へＬｏの警報ＡＬＭ１を出力する。
【００５１】またこの時、プリドライバ３Ｘ〜３Ｚのう
ち、警報ＡＬＭ１を出力しなかったプリドライバはアラ
ームイネーブルライン５がＬｏとなったことを検知して
対応するＩＧＢＴを遮断する。しかし本第２発明では、
ブレーキ部素子用のプリドライバ３ＤＢは、アラームイ
ネーブルライン５がＬｏになっても対応するＩＧＢＴ１
ＤＢを遮断しない。
ち、警報ＡＬＭ１を出力しなかったプリドライバはアラ
ームイネーブルライン５がＬｏとなったことを検知して
対応するＩＧＢＴを遮断する。しかし本第２発明では、
ブレーキ部素子用のプリドライバ３ＤＢは、アラームイ
ネーブルライン５がＬｏになっても対応するＩＧＢＴ１
ＤＢを遮断しない。
【００５２】このように第２発明では、アラームイネー
ブルライン５が接続されたプリドライバ３Ｘ〜３Ｚのい
ずれかの何らかの保護動作と警報ＡＬＭ１の出力に伴っ
て、アラームイネーブルライン５がＬｏになっても、ブ
レーキ部素子のＩＧＢＴ１ＤＢのプリドライバ３ＤＢは
（自身が警報ＡＬＭ１を出力した場合でない限り）、Ｉ
ＧＢＴ１ＤＢの遮断は行わず、ＩＧＢＴ１ＤＢのオン／
オフ動作が可能な状態を保つようにする。
ブルライン５が接続されたプリドライバ３Ｘ〜３Ｚのい
ずれかの何らかの保護動作と警報ＡＬＭ１の出力に伴っ
て、アラームイネーブルライン５がＬｏになっても、ブ
レーキ部素子のＩＧＢＴ１ＤＢのプリドライバ３ＤＢは
（自身が警報ＡＬＭ１を出力した場合でない限り）、Ｉ
ＧＢＴ１ＤＢの遮断は行わず、ＩＧＢＴ１ＤＢのオン／
オフ動作が可能な状態を保つようにする。
【００５３】図５は第２発明におけるブレーキ部素子Ｉ
ＧＢＴ１ＤＢの動作説明用のタイミングチャートであ
る。同図ａ）はインバータ装置本体側０５の制御回路か
ら下アームのインバータ部素子のプリドライバ３Ｘ〜３
Ｚに入力されるオン／オフ指令（ドライバ入力）ＶinＸ
〜ＶinＺの波形を一般的に示し、同図ｂ）はこのオン／
オフ指令によって流れる当該のＩＧＢＴ３Ｘ〜３Ｚのコ
レクタ電流の過電流異常発生時の波形を一般的に示す。
ＧＢＴ１ＤＢの動作説明用のタイミングチャートであ
る。同図ａ）はインバータ装置本体側０５の制御回路か
ら下アームのインバータ部素子のプリドライバ３Ｘ〜３
Ｚに入力されるオン／オフ指令（ドライバ入力）ＶinＸ
〜ＶinＺの波形を一般的に示し、同図ｂ）はこのオン／
オフ指令によって流れる当該のＩＧＢＴ３Ｘ〜３Ｚのコ
レクタ電流の過電流異常発生時の波形を一般的に示す。
【００５４】また、同図ｃ）は、同図ｂ）におけるＩＧ
ＢＴ１Ｘ〜１Ｚのいずれかの過大なコレクタ電流によっ
て当該ＩＧＢＴに対応するプリドライバが当該ＩＧＢＴ
を遮断して、警報ＡＬＭ１を出力するタイミングを示
し、同図ｄ）は主直流電源０２の極Ｐ，Ｎ間電圧の推移
を示す。
ＢＴ１Ｘ〜１Ｚのいずれかの過大なコレクタ電流によっ
て当該ＩＧＢＴに対応するプリドライバが当該ＩＧＢＴ
を遮断して、警報ＡＬＭ１を出力するタイミングを示
し、同図ｄ）は主直流電源０２の極Ｐ，Ｎ間電圧の推移
を示す。
【００５５】また、同図ｅ）は同図ｄ）の直流電源０２
の電圧を監視しているインバータ装置本体側０５の制御
回路が、ブレーキ部素子のＩＧＢＴ１ＤＢのプリドライ
バ３ＤＢにオン／オフ指令（ドライバ入力）ＶinＤＢを
出力するタイミングを示し、同図ｆ）は同図ｅ）のドラ
イバ入力ＶinＤＢに基づいてブレーキ部素子ＩＧＢＴ１
ＤＢがオン／オフ駆動され、この素子に電流が流れるタ
イミングを示す。
の電圧を監視しているインバータ装置本体側０５の制御
回路が、ブレーキ部素子のＩＧＢＴ１ＤＢのプリドライ
バ３ＤＢにオン／オフ指令（ドライバ入力）ＶinＤＢを
出力するタイミングを示し、同図ｆ）は同図ｅ）のドラ
イバ入力ＶinＤＢに基づいてブレーキ部素子ＩＧＢＴ１
ＤＢがオン／オフ駆動され、この素子に電流が流れるタ
イミングを示す。
【００５６】（但し図５のｅ），ｆ）はマクロ的な時間
的推移を示すもので、実際には同図ｅ）のドライバ入力
ＶinＤＢのオン信号（Ｌｏ）は、短い周期のオン／オフ
の断続信号であり、同図ｆ）のブレーキ部素子電流もド
ライバ入力ＶinＤＢに対応した断続波形となる。） 図５のｂ）のようにＩＧＢＴ（１Ｘ〜１Ｚ）のいずれか
の電流が異常に増加して、時点ｔ１に警報レベルＩｍ１
に達すると、前述のように当該ＩＧＢＴのプリドライバ
は当該ＩＧＢＴを遮断し、アラームイネーブルライン５
をＬｏにして警報ＡＬＭ１を出力し、同時に、アラーム
イネーブルライン５のＬｏを検知した他の下アームのイ
ンバータ素子のプリドライバもそれぞれ対応するＩＧＢ
Ｔを遮断する。
的推移を示すもので、実際には同図ｅ）のドライバ入力
ＶinＤＢのオン信号（Ｌｏ）は、短い周期のオン／オフ
の断続信号であり、同図ｆ）のブレーキ部素子電流もド
ライバ入力ＶinＤＢに対応した断続波形となる。） 図５のｂ）のようにＩＧＢＴ（１Ｘ〜１Ｚ）のいずれか
の電流が異常に増加して、時点ｔ１に警報レベルＩｍ１
に達すると、前述のように当該ＩＧＢＴのプリドライバ
は当該ＩＧＢＴを遮断し、アラームイネーブルライン５
をＬｏにして警報ＡＬＭ１を出力し、同時に、アラーム
イネーブルライン５のＬｏを検知した他の下アームのイ
ンバータ素子のプリドライバもそれぞれ対応するＩＧＢ
Ｔを遮断する。
【００５７】また警報ＡＬＭ１を検知したインバータ装
置本体側０５の制御回路からのオフ指令によって上アー
ムのインバータ部素子のＩＧＢＴも全て遮断され、これ
により、モータ０３からの電力回生によって主直流電源
０２の極Ｐ−Ｎ間電圧は上昇する。
置本体側０５の制御回路からのオフ指令によって上アー
ムのインバータ部素子のＩＧＢＴも全て遮断され、これ
により、モータ０３からの電力回生によって主直流電源
０２の極Ｐ−Ｎ間電圧は上昇する。
【００５８】インバータ装置本体側０５の制御回路は、
時点ｔ３に極Ｐ−Ｎ間電圧が所定値を越えたことを検出
すると、ブレーキ部素子ＩＧＢＴ１ＤＢのプリドライバ
３ＤＢに対しオン指令（厳密には短周期のオン／オフ指
令）としてのドライブ入力ＶinＤＢを与えてＩＧＢＴ１
ＤＢを断続導通させ、回生電力消費抵抗０４によりモー
タエネルギを消費させ、主直流電源０２の電圧上昇を抑
え、半導体素子等の耐圧破壊を防止する。
時点ｔ３に極Ｐ−Ｎ間電圧が所定値を越えたことを検出
すると、ブレーキ部素子ＩＧＢＴ１ＤＢのプリドライバ
３ＤＢに対しオン指令（厳密には短周期のオン／オフ指
令）としてのドライブ入力ＶinＤＢを与えてＩＧＢＴ１
ＤＢを断続導通させ、回生電力消費抵抗０４によりモー
タエネルギを消費させ、主直流電源０２の電圧上昇を抑
え、半導体素子等の耐圧破壊を防止する。
【００５９】
【発明の効果】第１発明（請求項１〜５）によれば、半
導体スイッチング素子と、そのドライブ回路及び保護回
路とを同一のパッケージに収納した半導体装置であるイ
ンテリジェント・パワーモジュール（ＩＰＭ）におい
て、半導体スイッチング素子部分の異常時に素子を遮断
する保護回路動作の前段階の動作として、素子のコレク
タ電流又はチップ温度が、正常値より高く、異常値より
低い所定値を越えた時点に異常発生の兆しがあると判別
して、ＩＰＭの動作は継続しながら、予告警報ＡＬＭ２
をＩＰＭより出力するようにしたので、半導体スイッチ
ング素子部分が異常となりＩＰＭを組み込んだインバー
タ装置等が停止する以前に、異常停止を招きそうな要因
を排除することが可能となり、従来のように異常時に突
然、装置が停止して、工場の操業に重大な影響を与える
といったことを無くすことができる。
導体スイッチング素子と、そのドライブ回路及び保護回
路とを同一のパッケージに収納した半導体装置であるイ
ンテリジェント・パワーモジュール（ＩＰＭ）におい
て、半導体スイッチング素子部分の異常時に素子を遮断
する保護回路動作の前段階の動作として、素子のコレク
タ電流又はチップ温度が、正常値より高く、異常値より
低い所定値を越えた時点に異常発生の兆しがあると判別
して、ＩＰＭの動作は継続しながら、予告警報ＡＬＭ２
をＩＰＭより出力するようにしたので、半導体スイッチ
ング素子部分が異常となりＩＰＭを組み込んだインバー
タ装置等が停止する以前に、異常停止を招きそうな要因
を排除することが可能となり、従来のように異常時に突
然、装置が停止して、工場の操業に重大な影響を与える
といったことを無くすことができる。
【００６０】また、第２発明（請求項６）によれば、イ
ンバータ装置の電力変換用ブリッジ回路を構成する半導
体スイッチング素子（インバータ部素子）と、モータの
回生電力を消費する電流を断続する半導体スイッチング
素子（ブレーキ部素子）と、これらの素子の各々のドラ
イブ回路及び保護回路とを同一のパッケージに収納した
半導体装置であるインテリジェント・パワーモジュール
（ＩＰＭ）において、保護回路が、インバータ部素子や
ブレーキ部素子の素子部での異常時には当該素子を遮断
し、共通の信号線を使って外部へ警報出力を行い、更に
この共通信号線から他の素子部の警報を受信してインバ
ータ部素子は遮断するが、ブレーキ部素子の保護回路
は、インバータ部素子側の警報を受けてのブレーキ部素
子の遮断を行わないようにしたので、インバータ部素子
の異常によってインバータ装置が停止し、モータのエネ
ルギが電源側に回生されて、電源電圧が上昇しても、こ
の上昇の途中のレベルを検出してブレーキ部素子の断続
導通を行うことが可能となり、電源電圧の異常な上昇に
よる半導体素子等の耐圧破壊を防ぐことができる。
ンバータ装置の電力変換用ブリッジ回路を構成する半導
体スイッチング素子（インバータ部素子）と、モータの
回生電力を消費する電流を断続する半導体スイッチング
素子（ブレーキ部素子）と、これらの素子の各々のドラ
イブ回路及び保護回路とを同一のパッケージに収納した
半導体装置であるインテリジェント・パワーモジュール
（ＩＰＭ）において、保護回路が、インバータ部素子や
ブレーキ部素子の素子部での異常時には当該素子を遮断
し、共通の信号線を使って外部へ警報出力を行い、更に
この共通信号線から他の素子部の警報を受信してインバ
ータ部素子は遮断するが、ブレーキ部素子の保護回路
は、インバータ部素子側の警報を受けてのブレーキ部素
子の遮断を行わないようにしたので、インバータ部素子
の異常によってインバータ装置が停止し、モータのエネ
ルギが電源側に回生されて、電源電圧が上昇しても、こ
の上昇の途中のレベルを検出してブレーキ部素子の断続
導通を行うことが可能となり、電源電圧の異常な上昇に
よる半導体素子等の耐圧破壊を防ぐことができる。
【図１】第１発明の一実施例としてのＩＰＭを含むモー
タ可変速制御用インバータ装置の要部の構成を示す回路
図
タ可変速制御用インバータ装置の要部の構成を示す回路
図
【図２】第１発明の第２の実施例としてのＩＧＢＴチッ
プ過熱保護機能説明用のタイミングチャート
プ過熱保護機能説明用のタイミングチャート
【図３】第１発明の第１の実施例としての過電流保護機
能説明用のタイミングチャート
能説明用のタイミングチャート
【図４】第１発明の第３の実施例としての共通警報出力
ライン上の警報の波形図
ライン上の警報の波形図
【図５】第２発明の一実施例としてブレーキ部素子の動
作説明用のタイミングチャート
作説明用のタイミングチャート
【図６】図１に対応する従来の回路図
０１ インテリジェント・バワーモジュール（Ｉ
ＰＭ） ０２ 主直流電源 ０３ モータ ０４ 回生電力消費抵抗 ０５ インバータ装置本体側 １（１Ｕ〜１Ｚ，１ＤＢ） ＩＧＢＴ １Ｕ〜１Ｚ インバータ部素子 １ＤＢ ブレーキ部素子 ２（２Ｕ〜２Ｚ，２ＤＢ） 転流ダイオード ３（３Ｕ〜３Ｚ，３ＤＢ） プリドライバ ４ 過熱保護回路 ５ アラームイネーブルライン ６ 予告警報ライン ＡＬＭ１ 警報 ＡＬＭ２ 予告警報 Ｉｍ１ コレクタ電流の警報レベル Ｉｍ２ コレクタ電流の予告警報レベル θｍ１ チップ温度の警報レベル θｍ２ チップ温度の予告警報レベル ｔ１ 警報出力時点 ｔ２ 予告警報出力時点 ｔ３ ブレーキ部素子の動作開始時点 Ｔ１ 警報出力幅 Ｔ２ 予告警報出力幅
ＰＭ） ０２ 主直流電源 ０３ モータ ０４ 回生電力消費抵抗 ０５ インバータ装置本体側 １（１Ｕ〜１Ｚ，１ＤＢ） ＩＧＢＴ １Ｕ〜１Ｚ インバータ部素子 １ＤＢ ブレーキ部素子 ２（２Ｕ〜２Ｚ，２ＤＢ） 転流ダイオード ３（３Ｕ〜３Ｚ，３ＤＢ） プリドライバ ４ 過熱保護回路 ５ アラームイネーブルライン ６ 予告警報ライン ＡＬＭ１ 警報 ＡＬＭ２ 予告警報 Ｉｍ１ コレクタ電流の警報レベル Ｉｍ２ コレクタ電流の予告警報レベル θｍ１ チップ温度の警報レベル θｍ２ チップ温度の予告警報レベル ｔ１ 警報出力時点 ｔ２ 予告警報出力時点 ｔ３ ブレーキ部素子の動作開始時点 Ｔ１ 警報出力幅 Ｔ２ 予告警報出力幅
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5H007 AA17 BB01 BB06 CA01 CC01 CC03 DB03 DB07 FA01 FA03 FA13 5H576 BB06 BB07 CC04 DD02 DD04 HA04 HB02 LL22 LL24 LL44 LL55 MM01 MM02 MM03 MM06 MM10 PP02
Claims (7)
- 【請求項１】電力変換用の少なくとも１つの半導体スイ
ッチング素子と、この半導体スイッチング素子に付設さ
れ、外部から当該半導体スイッチング素子に対するオン
／オフ指令を入力して、当該半導体スイッチング素子を
その制御端子を介してそれぞれオン／オフ駆動するドラ
イブ回路と、 半導体スイッチング素子に付設され、当該半導体スイッ
チング素子部分の異常の有無を監視し、異常有りと判別
したときは当該のドライブ回路に当該半導体スイッチン
グ素子のオフ駆動を行わせる異常保護手段とを備えた半
導体装置において、 半導体スイッチング素子に付設され、当該の半導体スイ
ッチング素子部分の異常発生の兆しを検出したときは予
告警報を外部へ出力する異常予告手段を備えたことを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項２】請求項１に記載の半導体装置において、 前記異常保護手段が、当該の半導体スイッチング素子の
主端子間に流れる電流が、この半導体スイッチング素子
の正常値を上回る第１の所定値を越えたときに異常有り
と判別し、前記異常予告手段が、当該の半導体スイッチ
ング素子の主端子間に流れる電流が前記正常値より大き
く、且つ第１の所定値より小さい第２の所定値を越えた
ときに前記予告警報を出力するようにしたことを特徴と
する半導体装置。 - 【請求項３】請求項１または２に記載の半導体装置にお
いて、 前記異常保護手段が、当該の半導体スイッチング素子の
チップ温度が、この半導体スイッチング素子の正常値を
上回る第１の所定値を越えたときに異常有りと判別し、
前記異常予告手段が、当該の半導体スイッチング素子の
チップ温度が前記正常値より大きく、且つ第１の所定値
より小さい第２の所定値を越えたときに前記予告警報を
出力するようにしたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】請求項１ないし３のいずれかに記載の半導
体装置において、 半導体スイッチング素子の前記異常保護手段が、異常有
りの判別時に外部へ警報を出力するようにしたことを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項５】請求項４に記載の半導体装置において、前
記予告警報と警報との外部への出力端子を共通とし、こ
の２つの警報を互いに異なるパルス幅のデジタル信号と
したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項６】モータ駆動用インバータ装置の主回路を構
成する少なくとも１つの半導体スイッチング素子と、 モータの回生エネルギを消費する電流を断続するブレー
キ用半導体スイッチング素子と、 半導体スイッチング素子及びブレーキ用半導体スイッチ
ング素子に付設され、外部から当該半導体スイッチング
素子に対するオン／オフ指令を入力して、当該半導体ス
イッチング素子をその制御端子を介してそれぞれオン／
オフ駆動するドライブ回路と、 半導体スイッチング素子及びブレーキ用半導体スイッチ
ング素子に付設され、当該半導体スイッチング素子部分
の異常の有無を監視し、異常有りと判別したときは当該
のドライブ回路に当該半導体スイッチング素子のオフ駆
動を行わせる異常保護手段と、 半導体スイッチング素子及びブレーキ用半導体スイッチ
ング素子に付設され、当該の半導体スイッチング素子部
分の異常時に警報を外部への共通の信号線に出力する警
報送信手段と、 半導体スイッチング素子に付設され、この共通信号線を
介し少なくとも他の半導体スイッチング素子が出力する
警報を受信して、当該の異常保護手段を介し当該半導体
スイッチング素子のオフ駆動を行わせる警報受信手段と
を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項７】請求項６に記載の半導体装置において、 警報受信手段がブレーキ用半導体スイッチング素子を除
く半導体スイッチング素子のオフ駆動を行わせることを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14755099A JP3635988B2 (ja) | 1999-05-27 | 1999-05-27 | 半導体装置 |
| US09/576,383 US6459380B1 (en) | 1999-05-27 | 2000-05-22 | Semiconductor apparatus with alarm predicting means |
| EP00304324A EP1056205B1 (en) | 1999-05-27 | 2000-05-23 | Semiconductor apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14755099A JP3635988B2 (ja) | 1999-05-27 | 1999-05-27 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000341960A true JP2000341960A (ja) | 2000-12-08 |
| JP3635988B2 JP3635988B2 (ja) | 2005-04-06 |
Family
ID=15432871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14755099A Expired - Lifetime JP3635988B2 (ja) | 1999-05-27 | 1999-05-27 | 半導体装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6459380B1 (ja) |
| EP (1) | EP1056205B1 (ja) |
| JP (1) | JP3635988B2 (ja) |
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- 1999-05-27 JP JP14755099A patent/JP3635988B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
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