JP5503427B2 - ゲート駆動回路 - Google Patents
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Description
IGBTは、ゲート電圧を絞ることにより短絡電流を減じることができるパワー半導体であり、従来の保護回路は、過電流・短絡を検知し、IGBTのゲート電位を独立回路で直接低下させる構成が知られている(例えば、特許文献1、2参照)。また、過電流・短絡時には保護回路がゲート電位を低下させると同時に、駆動回路を停止させる動作が行われる。
ゲート電位がトランジスタのベース電位よりも上昇すると、NPNトランジスタのエミッタからベースに電荷が供給されてトランジスタのベース電位が下がらず、保護回路が駆動回路を停止させようとしても電荷が抜けきるまでトランジスタがオン状態となり、結果的に短絡遮断遅延が発生してしまう。
また、ターンオフ時にコンデンサに充電された電荷が電荷消費回路内の抵抗で瞬間的に消費されるので、オフへの切替速度を早くできるため、IGBTスイッチング損失を低減することができる。
図1は、本発明の実施形態を適用したモーター駆動装置の概要構成図である。
このモーター駆動装置100は、電気自動車或いはハイブリッド自動車に搭載される車載装置であり、車載バッテリーである外部電源12からの電力を、負荷としての車両駆動用のモーター30を駆動するための駆動電力に変換する電力変換装置10を備えている。
この電力変換装置10は、コントローラー23の制御下で動作し、外部電源12から供給される直流電圧を、複数(本構成では6個)のスイッチング素子(IGBT31H,31L)を用いて三相交流電圧に変換し、各出力端子15〜17から車両駆動用の三相交流モーター30に出力することで、三相交流モーター30を回転駆動する。
インバーター回路24は、U相出力端子15、V相出力端子16及びW相出力端子17の各々に対応するIGBT直列回路24U、24V、24Wを備えており、各IGBT直列回路24U、24V、24Wは、直列接続された一対のIGBT31H,31Lを備えている。
IGBT直列回路24UのIGBT31Hは、高圧側入力端子13とU相出力端子15との間に接続され、U相出力端子15と低圧側入力端子14との間にIGBT32Lが接続され、これらIGBT31H,31LによりU相電流が出力される。
各IGBT31H,31Lのコレクタ−エミッタ間には、転流ダイオード32Hが接続され、転流ダイオード32Hには、IGBT31H,31Lがオフの間にIGBT31H,31Lのエミッタ側からコレクタ側に電流が流れる。
図2は、ゲート駆動回路25を示す図であり、図3は、ゲート駆動回路25を簡略的に示している。図2に示すように、ゲート駆動回路25は、トーテムポールゲート駆動回路で構成されており、プッシュプル回路を構成する相補型の対のトランジスタ41A,41Bを有する駆動回路部41と、駆動回路部41のトランジスタ41A,41Bのベースに共通接続されるベースライン42に設けられるベースライン回路部43と、ベースライン42に接続されるゲートドライバー(ゲートIC)44と、IGBT31の短絡や過電流を検出するための検出回路部45とを備えている。なお、ゲートドライバー44には、コントローラー23からモーター駆動信号が入力される端子や、コントローラー23へエラー出力する端子等が設けられている。
トランジスタ41Bは、PNP型バイポーラトランジスタであり、このトランジスタ41BのコレクタがIGBT31のゲートに接続され、エミッタがアースライン(低圧側入力端子14につながるライン(GND))LLに接続され、オン状態の時にゲート放電経路を与える。
このゲート電位上昇は、トランジスタ(NPNトランジスタ)41Aのエミッタからベースに電荷が供給されてトランジスタ41Aのベース電位が低下しなくなる状況を招いてしまい、電荷が抜けきれるまでトランジスタ41Aがオフに切り替わらず、短絡遮断が遅れてしまう。
そこで、本構成では、トランジスタ41A,41Bのベースライン42に設けられるベースライン回路部43を、図2及び図3に示すように、電流制限抵抗Rb1と、抵抗Rb2とコンデンサCsとを並列接続した回路(電荷消費回路)43Aとを直列接続した回路構成にしている。
まず、IGBT31をオンに切り替える場合を説明する。オフからオンへ切り替える場合、ゲートドライバー44は、ベースライン42をHiレベルにしてトランジスタ41A,41Bのベースに電流を供給する。この場合、電流制限抵抗Rb1を通過してコンデンサCsに貫通電流が流れると共に、このコンデンサCsに電荷がチャージされるため、コンデンサCsを付加したことによるIGBTオンスピードの低下はほぼなくなる。
従って、ゲート駆動回路25内の電荷消費回路43Aは、通常のターンオン・オフに悪影響を与えることなく、ベースライン42の残存電荷を強制的に消費する回路として機能することができる。
この図5(A)(B)では、横軸が時間(Time[μsec])を示し、縦軸が、電圧値或いは電流値を示しており、短絡時のトランジスタ41Aのオン時間を符号T1で各々示している。
また、図5中、符号Vgeは、IGBT31のゲート−エミッタ間電圧であるゲート電位であり、符号Icは、IGBT31のコレクタ電流であり、符号Vceは、IGBT31のコレクタ−エミッタ間電圧である。
トランジスタ41Aのオン時間T1が短ければ、図5(A)(B)に示すように、ゲート電位Vgeが高い時間、及び、コレクタ電流Icが供給され続ける時間(コレクタ電流印可時間)を短くすることができ、IGBT31の耐量をオーバーする事態を効果的に回避できることが判る。
これらにより、本構成では、異常時のゲート電位上昇に起因するキャリアの注入があっても遮断時間の遅延を抑制でき、遮断時間を短縮できるという効果に加え、通常のスイッチングにおけるターンオフスピードが向上し、特にトランジスタ蓄積時間が改善されることでオフ性能が向上し、IGBT損失低減にも効果がある。
また、本構成では、上記電力消費回路43Aを、車両駆動用モーター30を駆動するモーター駆動装置100の電力変換装置10に使用しているので、ターンオフスピードの向上などで車両の燃費向上、モーター制御のタイムラグ短縮などに有利である。
25 ゲート駆動回路
31,31H,31L 絶縁ゲート型トランジスタ(IGBT)
41A,41B トランジスタ
42 ベースライン
43A 電荷消費回路
44 ゲートドライバー
Cs コンデンサ
Rb1 電流制限抵抗
Rb2 抵抗
Claims (2)
- 絶縁ゲート型トランジスタのゲートに、相補型の対のトランジスタを接続し、対のトランジスタのベースラインの電流制御により絶縁ゲート型トランジスタを駆動するゲート駆動回路において、
前記トランジスタのベースラインに、ターンオン時にベースライン電流で充電されるコンデンサと、ターンオフ時に前記コンデンサに充電された電荷を消費すると共に前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電位上昇により前記トランジスタのベースに供給された電荷を消費する抵抗とを並列接続した電荷消費回路を設けると共に、前記電荷消費回路と直列に接続される電流制限抵抗を設け、
前記電荷消費回路は、前記電流制限抵抗よりも前記相補型の対のトランジスタ側に配置されることを特徴とするゲート駆動回路。 - 前記ゲート駆動回路は、車載バッテリーから供給される直流電圧を、直列接続された前記絶縁ゲート型トランジスタをスイッチングさせて車両駆動用のモーターを駆動する交流電圧に変換するインバータ回路に用いられる前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート駆動回路であることを特徴とする請求項1に記載のゲート駆動回路。
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