JP2000339648A - 磁気ヘッド装置の製造方法 - Google Patents

磁気ヘッド装置の製造方法

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JP2000339648A
JP2000339648A JP11143414A JP14341499A JP2000339648A JP 2000339648 A JP2000339648 A JP 2000339648A JP 11143414 A JP11143414 A JP 11143414A JP 14341499 A JP14341499 A JP 14341499A JP 2000339648 A JP2000339648 A JP 2000339648A
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JP
Japan
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chip
magnetic head
underfill material
bonding
bump
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JP11143414A
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English (en)
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Kazumasa Shiraishi
一雅 白石
Takeshi Wada
健 和田
Mitsuyoshi Kawai
満好 川合
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TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 作業時間及び検査時間の短縮化並びに検査項
目の簡略化が図れ、製造コストの低減化を図ることがで
きる磁気ヘッド装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 薄膜磁気ヘッド素子用の回路を搭載した
ＩＣチップを実装すべき位置にアンダーフィル材を添着
し、添着したアンダーフィル材の上からＩＣチップを載
置してＩＣチップを超音波ボンディングする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
に用いられる磁気ヘッド装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の磁気ディスク装置では、磁気ヘ
ッド装置のサスペンションの先端部に取り付けられた磁
気ヘッドスライダを、回転する磁気ディスクの表面から
浮上させ、その状態で、この磁気ヘッドスライダに搭載
された薄膜磁気ヘッド素子により磁気ディスクへの記録
及び／又は磁気ディスクからの再生が行われる。
【０００３】近年の磁気ディスク装置の大容量化及び高
密度記録化に伴い、記録周波数の高周波数化が進んでお
り、これを実現する手段の一つとして提案されているの
が、磁気ヘッド素子用の駆動回路をＩＣチップ化し、支
持機構であるサスペンション上に搭載するようにした磁
気ヘッド装置構造である。この構造をとることにより、
駆動回路から磁気ヘッド素子までの配線距離が短くなる
ので、ヘッド駆動信号に付加される不要なノイズを低減
することが可能となり、その結果、高周波領域における
記録特性が向上する。
【０００４】従来、この種の磁気ヘッド装置を製造する
場合、そのＩＣチップの実装には、ハンダリフロー工程
によるフリップチップボンディング技術が用いられてい
た。即ち、ＩＣチップのバンプボールとしてハンダ材料
を使用し、フラックスを塗布し、リフロー加熱による接
合を行なっていた。より具体的には、Ｃ４と呼ばれる以
下の工程、フラックス転写工程→フリップチップボンデ
ィシグ工程→ハンダリフロー工程→洗浄工程→乾燥工程
→アンダーフィル材注入充填工程を実施していた。
【０００５】このように、フラックスを使用するハンダ
リフロー工程を用いると、接合後に洗浄工程を行うこと
が必須となる。即ち、リフロー加熱接合では、リフロー
時のハンダ溶融促進と仮接着効果を狙い、ＩＣチップを
載せる位置にフラックスを塗布するが、このフラックス
がアウトガス等の悪影響を及ぼす可能性を含んでいるの
で、接合後に必ず洗浄工程を行うことが必要となる。
【０００６】この種のＩＣチップとサスペンション上の
配線部材との間隙には、放熱特性の向上、機械的強度の
向上及びＩＣチップの被覆を図る目的で、アンダーフィ
ル材を充填することが望ましいが、このアンダーフィル
材の充填は、必ず洗浄工程の後に行う必要がある。そこ
で、従来技術においては、前述のごとく、ＩＣチップが
配線部材に接合されさらに洗浄工程が終了した後、注入
によって、このＩＣチップと配線部材と間にアンダーフ
ィル材を充填していた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＩＣチ
ップがボンディングされた後に、そのわずかな隙間（典
型的には５０μｍ以下）にアンダーフィル材を注入充填
することは、非常に難しく、そのための作業時間及び検
査時間が長くなることから、製造工程全体の処理時間で
あるリードタイムが長くなり、また、製造コストが高く
なってしまう。
【０００８】従って本発明は、従来技術の上述した問題
点を解消するものであり、その目的は、作業時間及び検
査時間の短縮化並びに検査項目の簡略化が図れ、製造コ
ストの低減化を図ることができる磁気ヘッド装置の製造
方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、薄膜磁
気ヘッド素子用の回路を搭載したＩＣチップを実装すべ
き位置にアンダーフィル材を添着し、添着したアンダー
フィル材の上からＩＣチップを載置してＩＣチップを超
音波ボンディングする磁気ヘッド装置の製造方法が提供
される。
【００１０】本発明によれば、さらに、少なくとも１つ
の薄膜磁気ヘッド素子を有する磁気ヘッドスライダと、
磁気ヘッドスライダを支持する支持機構と、薄膜磁気ヘ
ッド素子用の回路を搭載したＩＣチップと、ＩＣチップ
がボンディングされる配線部材と、ＩＣチップの底面と
配線部材との間隙に充填されているアンダーフィル材と
を備えた磁気ヘッド装置の製造方法であって、配線部材
のＩＣチップを実装すべき位置にアンダーフィル材を添
着した後、ＩＣチップを超音波ボンディングする磁気ヘ
ッド装置の製造方法が提供される。
【００１１】アンダーフィル材の充填が、ＩＣチップの
ボンディング前にこれを添着するのみで済むので、その
工程が著しく簡易となり、作業時間及び検査時間の短縮
化が図れるのみならず、検査項目の簡略化が図れ、その
結果、製造コストの低減化を図ることができる。
【００１２】また、超音波ボンディングを行うことによ
り、熱ストレスに弱いＩＣチップを高熱のリフロー炉内
に通す必要がなくなり、完成品の信頼性向上及び歩留ま
りの向上を図ることができる。さらに、処理時間の非常
に長いリフロー工程がなくなるので、その意味でも作業
時間の短縮化が図れる。
【００１３】加えて、リフロー工程がなくなるので洗浄
工程も不用となる。一般に、磁気ヘッドスライダは、磁
気ディスク表面との間にごく微小な隙間を確保しつつ、
ある姿勢を保ちながら浮上して動作する。この姿勢を保
つために、スライダ支持機構であるサスペンションのバ
ネ曲げ角度のコントロールが非常に重要となっている。
洗浄工程では、多くの場合、洗浄液を噴射するか超音波
振動させるために、このバネの曲げ角度を変化させない
ように洗浄を行なう工夫が重要なポイントになる。本発
明のように、洗浄工程がなくなることは、この問題をも
改善させることとなる。さらに、フラックスが不要とな
るのでフラックス塗布工程自体も不要となり、工程数が
より低減する。
【００１４】また、リフロー工程によると、ハンダの溶
け量の制御が難しく、ＩＣチップの自重によって沈み込
みさせている従来技術によると、接合後の寸法安定性が
十分に得られないが、本発明のごとく超音波接合を用い
れば、エネルギーコントロールによる接合後の寸法安定
性の大幅な改善が可能となる。
【００１５】ＩＣチップを支持機構上に配置する場合、
支持機構は板バネ構造のため、取付け部に対してある傾
きを持っている。従来のリフロー工程では、熱伝導の効
率化の点とＩＣチップのハンダバンプの溶け量の均一性
の点で、接合部を水平に保つ必要があったが、本発明の
ように、超音波溶着により接合することにより、この傾
きを大きく意識せずに、ただ、接合面を水平にしておく
ことだけを考えれば良く、組立が非常に容易となる。
【００１６】ＩＣチップが、支持機構上の配線部材又は
支持機構より外に伸びる配線部材上に搭載されているこ
とが好ましい。
【００１７】ＩＣチップの接続電極上に又はＩＣチップ
の接続電極にボンディングされる接続電極上に、Ａｕ又
はＣｕバンプを形成して、超音波ボンディングを行うこ
とが好ましい。この場合、Ａｕ又はＣｕバンプがＡｕ又
はＣｕボールを用いて形成されることがより好ましい。
【００１８】ＩＣチップの接続電極にボンディングされ
る接続電極又はＩＣチップの接続電極がＡｕ又はＣｕパ
ッドを用いていることも好ましい。
【００１９】ヘッド用のＩＣチップが非常に小型である
ため、従来のごとくハンダボールを用いると、そのバン
プサイズボールを小さくし、バンプ間のピッチを大きく
とる必要がある。しかしながら、本発明のごとくＡｕ又
はＣｕボールを用いることにより、リフロー工程が行わ
れないのでバンプサイズを小さくすることが可能であ
り、バンプ形成を非常に容易に行うことができる。逆
に、バンプピッチを小さくできるのでバンプの高密度化
を図ることができ、その結果、チップサイズをより小さ
くすることが可能となる。
【００２０】また、一般に、ハンダにＡｕが多く含まれ
ると、ハンダの機械的強度が低下するため、ハンダボー
ルを用いる従来技術によると、配線部材側の接続電極に
おけるＡｕ層は非常に薄くする必要があった。しかし、
ＩＣチップのバンプをハンダボールからＡｕボールとす
ることにより、接続電極側のＡｕ層の厚みを自由に設定
可能となる。
【００２１】さらに、ハンダボールを用いる従来技術に
よると、ハンダバンプの溶け高さの制御手段がなく、Ｉ
Ｃチップ側のバンプレイアウトによっては、ＩＣチップ
が自重による沈み込みで傾く可能性があったが、本発明
のように、Ａｕ又はＣｕボールを超音波接合することに
よって、ＩＣチップの接合部を水平に保つと共にＩＣチ
ップ底面と配線部材との距離を所望値に制御することが
可能となる。
【００２２】アンダーフィル材の添着が、ＩＣチップを
実装すべき位置にアンダーフィル材を滴下してなされる
ことが好ましい。この場合、アンダーフィル材は、添着
後に中央部が上方に向かって凸形状となるように滴下さ
れることがより好ましい。中央部が上方に向かって凸形
状となるようにアンダーフィル材を滴下することによ
り、その上にＩＣチップを載置した際に、その底面と配
線部材表面との隙間に空隙が残るような不都合を未然に
防止することができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の一実施形態とし
て、磁気ヘッド装置の全体を示す平面図である。
【００２４】同図に示すように、磁気ヘッド装置は、サ
スペンション１０の先端部に磁気ヘッド素子を備えたス
ライダ１１を固着すると共に、そのサスペンション１０
の途中にヘッド駆動用ＩＣチップ１２を装着して構成さ
れるヘッド−サスペンションアセンブリである。スライ
ダ１１及びヘッド駆動用ＩＣチップ１２は、磁気ディス
ク媒体の表面に対向するように、サスペンション１０の
磁気ディスク媒体と対向する側の面上に取り付けられて
いる。
【００２５】サスペンション１０は、スライダ１１を一
方の端部に設けられた舌部で担持しかつＩＣチップ１２
をその途中で支持する弾性を有するフレクシャ１３と、
フレクシャ１３を支持固着しておりこれも弾性を有する
ロードビーム１４と、ロードビーム１４の基部に設けら
れたベースプレート１５とから主として構成されてい
る。
【００２６】ロードビーム１４は、スライダ１１を磁気
ディスク方向に押さえつけるための弾性を持っている。
一方、フレクシャ１３は、ロードビーム１４との間に設
けられたディンプルを中心とする軟らかい舌部を持ち、
この舌部でスライダ１１を柔軟に支えるような弾性を持
っている。本実施形態のように、フレクシャ１３とロー
ドビーム１４とが独立した部品である３ピース構造のサ
スペンションでは、フレクシャ１３の剛性はロードビー
ム１４の剛性より低くなっている。
【００２７】ＩＣチップ１２内には、ヘッドアンプであ
る駆動回路がＩＣ化されて搭載されている。ＩＣチップ
１２の大きさとしては、単なる一例であるが、１．０ｍ
ｍ×１．０ｍｍ×０．２５ｍｍである。また、ＩＣチッ
プ１２の取り付け位置は、本実施形態では、サスペンシ
ョン１０上の、冷却効果及び電磁気特性の向上、並びに
実装における容易性等から決まる位置とする。
【００２８】フレクシャ１３は、本実施形態では、厚さ
約２５μｍのステンレス鋼板（例えばＳＵＳ３０４Ｔ
Ａ）によって構成されており、ロードビーム１４の幅よ
り小さい一様な幅を有する形状に形成されている。
【００２９】フレクシャ１３上には、さらに、入出力信
号線として薄膜パターンによる複数のリード導体１６が
形成されており、これらリード導体１６の一端はフレク
シャ１３の先端に設けられた磁気ヘッドスライダ１１の
端子電極に接続されており、他端はＩＣチップ１２を介
して外部回路と接続するための接続パッド１７に接続さ
れている。
【００３０】ロードビーム１４は、先端に向けて幅が狭
くなる形状の約６０〜６５μｍ厚の弾性を有するステン
レス鋼板で構成されており、フレクシャ１３をその全長
に渡って支持している。ただし、フレクシャ１３とロー
ドビーム１４との固着は、複数の溶接点によるピンポイ
ント固着によってなされている。
【００３１】ベースプレート１５は、ステンレス鋼又は
鉄で構成されており、ロードビーム１４の基部に溶接に
よって固着されている。このベースプレート１５を取り
付け部１８で固定することによって、サスペンション１
０の可動アーム（図示なし）への取り付けが行われる。
なお、フレクシャ１３とロードビーム１４とを別個に設
けず、ベースプレートとフレクシャ−ロードビームとの
２ピース構造のサスペンションとしてもよい。
【００３２】前述したように、サスペンション１０の先
端部において、フレクシャ１３の舌部上には、磁気ヘッ
ド素子を備えたスライダ１１が実装されている。図に示
すように、必要数の入出力信号線を構成するリード導体
１６は、スライダ１１の両側を通り、フレクシャ１３の
先端に延びており、この先端から折り返されて、スライ
ダ１１に設けられた入出力電極に接続されている。この
接続部は、樹脂による絶縁性材料層により覆われてい
る。
【００３３】前述のように、サスペンション１０の長さ
方向の中間部には、スライダ１１が取り付けられる面と
同一の面上（磁気ディスク媒体と対向する側の面上）に
ＩＣチップ１２が実装されている。
【００３４】このＩＣチップ１２は、ベアチップであ
り、サスペンション１０のフレクシャ１３上に絶縁性材
料層を介して形成されている導体層の途中に設けられた
接続パッド上に接合されている。ＩＣチップ１２の底面
と薄膜パターンとの間隙には、放熱特性の向上、機械的
強度の向上及びＩＣチップ１２の被覆のためのアンダー
フィル材が充填されている。
【００３５】以下、本発明によるＩＣチップの接合及び
アンダーフィル材の充填工程について、図２を用いて説
明する。
【００３６】同図（Ａ）に示すように、ステンレス鋼板
によって構成されるフレクシャ１３上には、フレクシブ
ルプリント基板（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔ Ｃｉ
ｒｃｕｉｔ、ＦＰＣ）のごとく金属薄板上にプリント基
板を作成するのと同じ公知のパターニング方法で薄膜パ
ターンが形成されている。例えば、厚さ約５μｍのポリ
イミド等の樹脂材料による第１の絶縁性材料層２０、パ
ターン化された厚さ約４μｍのＣｕ層（導体層）２１及
び厚さ約５μｍのポリイミド等の樹脂材料による第２の
絶縁性材料層２２をこの順序でフレクシャ１３側から順
次積層することによって形成される。ただし、磁気ヘッ
ドスライダ及び外部回路と接続するための接続電極部分
並びにＩＣチップ１２との接続パッド２３の部分は、Ｃ
ｕ層２１上にＡｕ層２４が積層形成されており、その上
に絶縁性材料層は形成されていない。
【００３７】まず、同図（Ａ）に示すように、この薄膜
パターンの接続パッド２３の部分に、放熱特性の向上、
機械的強度の向上及びＩＣチップ１２の被覆のためのア
ンダーフィル材、例えば、エポキシのような樹脂と高熱
伝導率の絶縁材との混合物のごとき熱伝導性の良好な液
状の材料２５を滴下して添着する。この場合、添着され
たアンダーフィル材２５の中央部が上方に向かって凸形
状となるようにする。このような形状とすることによ
り、その上にＩＣチップ１２を載置して荷重を印可した
際に、その底面と薄膜パターン表面との隙間に空隙が残
るような不都合を未然に防止することができる。
【００３８】アンダーフィル材２５を形成する高熱伝導
性樹脂としては、例えば、溶融シリカを含む例えばエポ
キシ樹脂のごとき樹脂（熱伝導率が約１２×１０−４ｃ
ａｌ／ｃｍ ｓｅｃ ｄｅｇ）、アルミナを含む樹脂
（熱伝導率が約４０×１０−４ｃａｌ／ｃｍ ｓｅｃ
ｄｅｇ）、結晶シリカを含む樹脂（熱伝導率が約３５×
１０−４ｃａｌ／ｃｍ ｓｅｃ ｄｅｇ）、及び窒化ア
ルミを含む樹脂（熱伝導率が約４０×１０−４ｃａｌ／
ｃｍ ｓｅｃ ｄｅｇ）等がある。
【００３９】一方、同図（Ｂ）に示すように、ＩＣチッ
プ１２の底面上に設けられた図示のない接続電極には、
Ａｕボールによるバンプ２６があらかじめ形成されてい
る。このＩＣチップ１２を、同図（Ｂ）に示すように、
超音波ヘッド２７をその表面に押し当てた状態で把持
（ピックアップ）し、接続パッド２３の部分に位置合わ
せする。
【００４０】次いで、同図（Ｃ）に示すように、ＩＣチ
ップ１２のＡｕボールバンプ２６が薄膜パターンの接続
パッド２３にそれぞれ押し当たるように、添着されたア
ンダーフィル材２５の上からこのＩＣチップ１２を矢印
２８方向に押圧し、さらに、矢印２９方向（横方向）に
振動する超音波を超音波ヘッド２７から印加する。
【００４１】このように、一定の圧力（荷重）による押
圧と超音波振動が印加されることにより、ＩＣチップ１
２のＡｕボールバンプ２６と接続パッド２３のＡｕ層２
４とが溶融接合される。
【００４２】その結果、同図（Ｄ）に示すように、ＩＣ
チップ１２の接続電極が接続パッド２３に接合され、同
時にアンダーフィル材２５もＩＣチップ１２の底面と薄
膜パターンの表面との間隙に空隙なく全て満たされる。
このアンダーフィル材２５は、その後に行われる加熱乾
燥により硬化せしめられる。特に、添着されたアンダー
フィル材２５の中央部が上方に向かって凸形状となるよ
うにこれを滴下することにより、その上にＩＣチップ１
２を載置して押圧した際に、その底面と薄膜パターン表
面との隙間に空隙が残ることがなく、両者の間隙が完全
にアンダーフィル材２５で満たされる。
【００４３】本実施形態によれば、超音波による溶融接
合でＩＣチップ１２のＡｕボールバンプ２６と接続パッ
ド２３のＡｕ層２４とが電気的及び機械的接合がなされ
るため、仮固定及びリフローを必要としない。しかも、
超音波と荷重負荷との両方により接合をとること等から
アンダーフィル材２５の充填も、ＩＣチップ接合前に行
なうことが可能となっている。前述したように、従来
は、リフロー工程及び洗浄工程の後にしかアンダーフィ
ル材の充填を行えなかったため、その注入充填工程が難
しいのみならず、リフロー工程後に再加熱する必要があ
り、さらに、アンダーフィル材の選定にもタクトタイム
（機械処理時間）からの制約が多かった。しかしなが
ら、Ａｕボールバンプによる超音波接合を行う本実施形
態によれば、アンダーフィル材を事前にサスペンション
のＩＣチップ接合位置に対応する位置に添着しておき、
ＩＣチップ接合後に加熱乾燥が可能となる。このため、
アンダーフィル材用の樹脂選定及び工程設計の自由度が
高まるのみならずタクトタイムの大幅な短縮化も期待で
きる。
【００４４】以上説明した実施形態によれば、ハンダフ
ラックスの転写工程が不要となり、リフロー工程が不要
となり、さらに、洗浄工程が不要となる。しかも、アン
ダーフィル材の充填がＩＣチップ接合前に可能となるの
で、その充填工程が著しく簡易となる。その結果、タク
トタイムの大幅短縮化、品質の向上という両者を達成さ
せることが可能となる。
【００４５】上述の実施形態では、ＩＣチップ１２のＡ
ｕボールバンプ２６と接続パッド２３のＡｕ層２４とを
超音波接合しているが、Ａｕボール及びＡｕ層の代わり
にＣｕボール及びＣｕ層、又はその他の金属ボール及び
金属層を用いて超音波接合してもよいことは明らかであ
る。また、バンプを薄膜パターンの接続パッド側に設け
てもよいことも明らかである。
【００４６】以上述べた実施形態は全て本発明を例示的
に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明
は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することがで
きる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均
等範囲によってのみ規定されるものである。
【００４７】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、アンダーフィル材の充填がＩＣチップのボンディン
グ前に、これを添着するのみで済むので、その工程が著
しく簡易となり、作業時間及び検査時間の短縮化が図れ
るのみならず、検査項目の簡略化が図れ、その結果、製
造コストの低減化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態として磁気ヘッド装置の全
体を示す平面図である。
【図２】図１の実施形態における磁気ヘッド装置の製造
工程の一部を示す断面図である。
【符号の説明】
１０ サスペンション １１ 磁気ヘッドスライダ １２ ＩＣチップ １３ フレクシャ １４ ロードビーム １５ ベースプレート １６ リード導体 １７ 接続パッド １８ 取り付け部 ２０、２２ 絶縁性材料層 ２１ Ｃｕ層 ２３ 接続パッド ２４ Ａｕ層 ２５ アンダーフィル材 ２６ Ａｕボールバンプ ２７ 超音波ヘッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川合 満好 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー ディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 5D042 NA01 PA09 TA07 TA09

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 薄膜磁気ヘッド素子用の回路を搭載した
    ＩＣチップを実装すべき位置にアンダーフィル材を添着
    し、該添着したアンダーフィル材の上から前記ＩＣチッ
    プを載置して該ＩＣチップを超音波ボンディングするこ
    とを特徴とする磁気ヘッド装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子を
    有する磁気ヘッドスライダと、該磁気ヘッドスライダを
    支持する支持機構と、前記薄膜磁気ヘッド素子用の回路
    を搭載したＩＣチップと、該ＩＣチップがボンディング
    される配線部材と、該ＩＣチップの底面と該配線部材と
    の間隙に充填されているアンダーフィル材とを備えた磁
    気ヘッド装置の製造方法であって、前記配線部材の前記
    ＩＣチップを実装すべき位置に前記アンダーフィル材を
    添着した後、該ＩＣチップを超音波ボンディングするこ
    とを特徴とする磁気ヘッド装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記ＩＣチップが、前記支持機構上の配
    線部材上に搭載されていることを特徴とする請求項２に
    記載の方法。
  4. 【請求項４】 前記ＩＣチップが、前記支持機構より外
    に伸びる配線部材上に搭載されていることを特徴とする
    請求項２に記載の方法。
  5. 【請求項５】 前記ＩＣチップの接続電極上にＡｕ又は
    Ｃｕバンプを形成して、前記超音波ボンディングを行う
    ことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載
    の方法。
  6. 【請求項６】 前記Ａｕ又はＣｕバンプがＡｕ又はＣｕ
    ボールを用いて形成されることを特徴とする請求項５に
    記載の方法。
  7. 【請求項７】 前記ＩＣチップの接続電極にボンディン
    グされる接続電極がＡｕ又はＣｕパッドを用いているこ
    とを特徴とする請求項５又は６に記載の方法。
  8. 【請求項８】 前記ＩＣチップの接続電極にボンディン
    グされる接続電極上にＡｕ又はＣｕバンプを形成して、
    前記超音波ボンディングを行うことを特徴とする請求項
    １から４のいずれか１項に記載の方法。
  9. 【請求項９】 前記Ａｕ又はＣｕバンプがＡｕ又はＣｕ
    ボールを用いて形成されることを特徴とする請求項８に
    記載の方法。
  10. 【請求項１０】 前記ＩＣチップの接続電極がＡｕ又は
    Ｃｕパッドを用いていることを特徴とする請求項８又は
    ９に記載の方法。
  11. 【請求項１１】 前記アンダーフィル材の添着が、前記
    ＩＣチップを実装すべき位置に該アンダーフィル材を滴
    下してなされることを特徴とする請求項１から１０のい
    ずれか１項に記載の方法。
  12. 【請求項１２】 前記アンダーフィル材は、添着後に中
    央部が上方に向かって凸形状となるように滴下されるこ
    とを特徴とする請求項１１に記載の方法。
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