JP2000334585A - レーザマーキング装置、及びレーザマーキング方法 - Google Patents
レーザマーキング装置、及びレーザマーキング方法Info
- Publication number
- JP2000334585A JP2000334585A JP11145205A JP14520599A JP2000334585A JP 2000334585 A JP2000334585 A JP 2000334585A JP 11145205 A JP11145205 A JP 11145205A JP 14520599 A JP14520599 A JP 14520599A JP 2000334585 A JP2000334585 A JP 2000334585A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- marking
- laser beam
- heat
- fiber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67282—Marking devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/082—Scanning systems, i.e. devices involving movement of the laser beam relative to the laser head
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/163—Solid materials characterised by a crystal matrix
- H01S3/164—Solid materials characterised by a crystal matrix garnet
- H01S3/1643—YAG
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02407—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
- H01S5/02415—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling by using a thermo-electric cooler [TEC], e.g. Peltier element
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02476—Heat spreaders, i.e. improving heat flow between laser chip and heat dissipating elements
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/007—Marks, e.g. trade marks
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/45—Nc applications
- G05B2219/45134—Marking
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/45—Nc applications
- G05B2219/45165—Laser machining
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Lasers (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の課題は、レーザ光のビームスポット
の径をより小さくすることを可能とし、また、省エネル
ギー、省スペース化の実現を可能とするレーザマーキン
グ装置及びレーザマーキング方法を提供することであ
る。 【解決手段】 ＬＤ１から出力されるレーザ光４をファ
イバ２により伝送し、出射部３に出力し、出射部３のレ
ンズ５（図２）によりファイバ２のコア径とほぼ等しい
ビームスポットに集光して加工対象物７に照射し、ＮＣ
制御回路１５により出射部３が取り付けられた移動体８
を移動して、加工対象物７の表面に外部機器１４から入
力される入力指示及びマーキングパターンに応じたマー
キングを実行する。また、ＬＤ１から発生する熱により
温度が上昇した場合には、ペルチェ制御回路１１により
ＬＤ１の熱をペルチェ素子１０によって吸収し、フィン
１６の表面から放出する。
の径をより小さくすることを可能とし、また、省エネル
ギー、省スペース化の実現を可能とするレーザマーキン
グ装置及びレーザマーキング方法を提供することであ
る。 【解決手段】 ＬＤ１から出力されるレーザ光４をファ
イバ２により伝送し、出射部３に出力し、出射部３のレ
ンズ５（図２）によりファイバ２のコア径とほぼ等しい
ビームスポットに集光して加工対象物７に照射し、ＮＣ
制御回路１５により出射部３が取り付けられた移動体８
を移動して、加工対象物７の表面に外部機器１４から入
力される入力指示及びマーキングパターンに応じたマー
キングを実行する。また、ＬＤ１から発生する熱により
温度が上昇した場合には、ペルチェ制御回路１１により
ＬＤ１の熱をペルチェ素子１０によって吸収し、フィン
１６の表面から放出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、加工対象物にレー
ザ光を照射して、加工対象物の表面を蒸発、または燃焼
させてマーキングするレーザマーキング装置、及びレー
ザマーキング方法に関する。
ザ光を照射して、加工対象物の表面を蒸発、または燃焼
させてマーキングするレーザマーキング装置、及びレー
ザマーキング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、黒色、またはそれに近い色の樹
脂、紙、プラスチック等の材料からなる加工対象物にレ
ーザ光を照射して、加工対象物の表面を蒸発、または燃
焼することにより、例えば、製品のロット番号や型名等
の文字や絵柄のマーキングを行なうレーザマーキング装
置が知られている。
脂、紙、プラスチック等の材料からなる加工対象物にレ
ーザ光を照射して、加工対象物の表面を蒸発、または燃
焼することにより、例えば、製品のロット番号や型名等
の文字や絵柄のマーキングを行なうレーザマーキング装
置が知られている。
【０００３】図３は、従来のレーザマーキング装置２０
０の概略構成を示す図である。この図３に示すように、
従来のレーザマーキング装置２００は、ＹＡＧ（Yttriu
m Aluminum Garnet）レーザ２０をレーザ光源としてお
り、このＹＡＧレーザ２０から出力されたレーザ光２１
をコリメータレンズ２２によって平行光にし、この平行
光にされたレーザ光２３をスキャナ２４とスキャナ２４
に取り付けられたミラー２５とによってＸ軸方向に走査
し、Ｘ軸方向に走査されたレーザ光２６をスキャナ２７
とスキャナ２７に取り付けられたミラー２８とによって
Ｙ軸方向に走査し、このＸ軸方向及びＹ軸方向に走査さ
れたレーザ光２９をＦθレンズ（光の入射角θとレンズ
の焦点距離Ｆとに像の長さが比例するレンズ）３１によ
って集光し加工対象物３０に照射してマーキングを行な
っていた。
０の概略構成を示す図である。この図３に示すように、
従来のレーザマーキング装置２００は、ＹＡＧ（Yttriu
m Aluminum Garnet）レーザ２０をレーザ光源としてお
り、このＹＡＧレーザ２０から出力されたレーザ光２１
をコリメータレンズ２２によって平行光にし、この平行
光にされたレーザ光２３をスキャナ２４とスキャナ２４
に取り付けられたミラー２５とによってＸ軸方向に走査
し、Ｘ軸方向に走査されたレーザ光２６をスキャナ２７
とスキャナ２７に取り付けられたミラー２８とによって
Ｙ軸方向に走査し、このＸ軸方向及びＹ軸方向に走査さ
れたレーザ光２９をＦθレンズ（光の入射角θとレンズ
の焦点距離Ｆとに像の長さが比例するレンズ）３１によ
って集光し加工対象物３０に照射してマーキングを行な
っていた。
【０００４】また、クーラー３２は、ＹＡＧレーザ２０
に取り付けられ、ＹＡＧレーザ２０を冷却し、電源３４
は、ＹＡＧレーザ２０を発振させるための電力をＹＡＧ
レーザ２０に供給する。コントローラ３３は、ＹＡＧレ
ーザ２０の発振とスキャナ２４及びスキャナ２７の走査
とを制御し、スキャナ２４とスキャナ２７とによりＦθ
レンズ３１へのレーザー光２９の入射角を変化させて、
加工対象物３０上のレーザー光２９の照射位置を変化さ
せて、文字や絵柄をマーキングしていた。
に取り付けられ、ＹＡＧレーザ２０を冷却し、電源３４
は、ＹＡＧレーザ２０を発振させるための電力をＹＡＧ
レーザ２０に供給する。コントローラ３３は、ＹＡＧレ
ーザ２０の発振とスキャナ２４及びスキャナ２７の走査
とを制御し、スキャナ２４とスキャナ２７とによりＦθ
レンズ３１へのレーザー光２９の入射角を変化させて、
加工対象物３０上のレーザー光２９の照射位置を変化さ
せて、文字や絵柄をマーキングしていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＹＡＧ
レーザ２０から出力されたレーザ光２１を加工対象物３
０の任意の位置に照射するためには、コリメータレンズ
２２、ミラー２３、ミラー２５、及びＦθレンズ３１に
おける複雑な光軸調整が必要であり、また、光軸調整後
に輸送時などの振動により光軸がずれることもあり、そ
の度に光軸調整をし直さなければならず、利用者の負担
が大きいという問題があった。
レーザ２０から出力されたレーザ光２１を加工対象物３
０の任意の位置に照射するためには、コリメータレンズ
２２、ミラー２３、ミラー２５、及びＦθレンズ３１に
おける複雑な光軸調整が必要であり、また、光軸調整後
に輸送時などの振動により光軸がずれることもあり、そ
の度に光軸調整をし直さなければならず、利用者の負担
が大きいという問題があった。
【０００６】また、近年、対環境性を重視して、省エネ
ルギー、省スペースでのレーザマーキング装置が望まれ
ているが、ＹＡＧレーザ２０から出力されるレーザ光２
１は、レーザビームのビーム品質が悪い等の問題があ
り、そのため、光学レンズを組み合わせても加工対象物
３０に照射するビームスポットの径を小さくすることは
難しい。また、一般にＹＡＧレーザは、レーザ光への変
換効率が悪いため、ＹＡＧレーザ２０から出力されるレ
ーザ光２１の波長帯において、黒色またはそれに近い色
の樹脂、または紙、またはプラスチック等の材料からな
る加工対象物３０にマーキングを行なうために必要な数
十ＫＷ／ｃｍ2のパワー密度を得るためには、電源３４
として大容量電源を用いてレーザパワーの大きいＹＡＧ
レーザ２０を使用しなければならず、そのため、ＹＡＧ
レーザ２０から発生する熱量も多くなりクーラー３２に
よる冷却が必要となり、装置の大型化が避けられないと
いう問題があった。
ルギー、省スペースでのレーザマーキング装置が望まれ
ているが、ＹＡＧレーザ２０から出力されるレーザ光２
１は、レーザビームのビーム品質が悪い等の問題があ
り、そのため、光学レンズを組み合わせても加工対象物
３０に照射するビームスポットの径を小さくすることは
難しい。また、一般にＹＡＧレーザは、レーザ光への変
換効率が悪いため、ＹＡＧレーザ２０から出力されるレ
ーザ光２１の波長帯において、黒色またはそれに近い色
の樹脂、または紙、またはプラスチック等の材料からな
る加工対象物３０にマーキングを行なうために必要な数
十ＫＷ／ｃｍ2のパワー密度を得るためには、電源３４
として大容量電源を用いてレーザパワーの大きいＹＡＧ
レーザ２０を使用しなければならず、そのため、ＹＡＧ
レーザ２０から発生する熱量も多くなりクーラー３２に
よる冷却が必要となり、装置の大型化が避けられないと
いう問題があった。
【０００７】本発明の課題は、上記問題を解決するため
に、レーザ光のビームスポットの径をより小さくするこ
とを可能とし、また、省エネルギー、省スペース化の実
現を可能とするレーザマーキング装置、及びレーザマー
キング方法を提供することである。
に、レーザ光のビームスポットの径をより小さくするこ
とを可能とし、また、省エネルギー、省スペース化の実
現を可能とするレーザマーキング装置、及びレーザマー
キング方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
レーザ光を加工対象物の表面に照射して、マーキングを
行なうレーザマーキング装置において、前記レーザ光を
出力するレーザ光源は、レーザダイオード（例えば、Ｌ
Ｄ１）であり、このレーザダイオードから出力されたレ
ーザ光を伝送する伝送手段（例えば、ファイバ２）と、
前記伝送手段により伝送されたレーザ光を集光して加工
対象物の表面に照射する照射手段（例えば、レンズ５）
と、前記照射手段により加工対象物の表面に照射される
レーザ光の位置をマーキングパターンに応じて移動させ
る移動手段（例えば、移動体８）と、を備えることを特
徴としている。
レーザ光を加工対象物の表面に照射して、マーキングを
行なうレーザマーキング装置において、前記レーザ光を
出力するレーザ光源は、レーザダイオード（例えば、Ｌ
Ｄ１）であり、このレーザダイオードから出力されたレ
ーザ光を伝送する伝送手段（例えば、ファイバ２）と、
前記伝送手段により伝送されたレーザ光を集光して加工
対象物の表面に照射する照射手段（例えば、レンズ５）
と、前記照射手段により加工対象物の表面に照射される
レーザ光の位置をマーキングパターンに応じて移動させ
る移動手段（例えば、移動体８）と、を備えることを特
徴としている。
【０００９】この請求項１記載の発明によれば、レーザ
光を加工対象物の表面に照射して、マーキングを行なう
レーザマーキング装置において、前記レーザ光を出力す
るレーザ光源は、レーザダイオードであり、伝送手段
は、このレーザダイオードから出力されたレーザ光を伝
送し、照射手段は、前記伝送手段により伝送されたレー
ザ光を集光して加工対象物の表面に照射し、移動手段
は、前記照射手段により加工対象物の表面に照射される
レーザ光の位置をマーキングパターンに応じて移動させ
る。
光を加工対象物の表面に照射して、マーキングを行なう
レーザマーキング装置において、前記レーザ光を出力す
るレーザ光源は、レーザダイオードであり、伝送手段
は、このレーザダイオードから出力されたレーザ光を伝
送し、照射手段は、前記伝送手段により伝送されたレー
ザ光を集光して加工対象物の表面に照射し、移動手段
は、前記照射手段により加工対象物の表面に照射される
レーザ光の位置をマーキングパターンに応じて移動させ
る。
【００１０】請求項４記載の発明は、レーザ光を加工対
象物の表面に照射して、マーキングを行なうレーザマー
キング方法において、前記レーザ光を出力するレーザ光
源は、レーザダイオード（例えば、ＬＤ１）であり、こ
のレーザダイオードから出力されたレーザ光を伝送する
伝送工程（例えば、ファイバ２）と、前記伝送工程によ
り伝送されたレーザ光を集光して加工対象物の表面に照
射する照射工程（例えば、レンズ５）と、前記照射工程
により加工対象物の表面に照射されるレーザ光の位置を
マーキングパターンに応じて移動させる移動工程（例え
ば、移動体８）と、を含むことを特徴としている。
象物の表面に照射して、マーキングを行なうレーザマー
キング方法において、前記レーザ光を出力するレーザ光
源は、レーザダイオード（例えば、ＬＤ１）であり、こ
のレーザダイオードから出力されたレーザ光を伝送する
伝送工程（例えば、ファイバ２）と、前記伝送工程によ
り伝送されたレーザ光を集光して加工対象物の表面に照
射する照射工程（例えば、レンズ５）と、前記照射工程
により加工対象物の表面に照射されるレーザ光の位置を
マーキングパターンに応じて移動させる移動工程（例え
ば、移動体８）と、を含むことを特徴としている。
【００１１】この請求項４記載の発明によれば、レーザ
光を加工対象物の表面に照射して、マーキングを行なう
レーザマーキング方法において、前記レーザ光を出力す
るレーザ光源は、レーザダイオードであり、伝送工程
は、レーザダイオードから出力されたレーザ光を伝送
し、照射工程は、前記伝送工程により伝送されたレーザ
光を集光して加工対象物の表面に照射し、移動工程は、
前記照射工程により加工対象物の表面に照射されるレー
ザ光の位置をマーキングパターンに応じて移動させる。
光を加工対象物の表面に照射して、マーキングを行なう
レーザマーキング方法において、前記レーザ光を出力す
るレーザ光源は、レーザダイオードであり、伝送工程
は、レーザダイオードから出力されたレーザ光を伝送
し、照射工程は、前記伝送工程により伝送されたレーザ
光を集光して加工対象物の表面に照射し、移動工程は、
前記照射工程により加工対象物の表面に照射されるレー
ザ光の位置をマーキングパターンに応じて移動させる。
【００１２】一般に、レーザダイオードは、小型であ
り、変換効率が良いことは周知である。したがって、レ
ーザダイオードをレーザ光源とすることにより、装置の
小型化を図ることができ、省スペース化の実現が可能と
なるとともに、変換効率の良いレーザダイオードを光源
とするレーザ光を伝送し、加工対象物の表面に照射して
マーキングを行なうことにより、より小容量の電源によ
って加工対象物の表面でマーキングに必要なパワー密度
を得ることができ、省エネルギー化の実現が可能とな
る。
り、変換効率が良いことは周知である。したがって、レ
ーザダイオードをレーザ光源とすることにより、装置の
小型化を図ることができ、省スペース化の実現が可能と
なるとともに、変換効率の良いレーザダイオードを光源
とするレーザ光を伝送し、加工対象物の表面に照射して
マーキングを行なうことにより、より小容量の電源によ
って加工対象物の表面でマーキングに必要なパワー密度
を得ることができ、省エネルギー化の実現が可能とな
る。
【００１３】請求項２記載の発明は、請求項１記載のレ
ーザマーキング装置において、前記伝送手段は、ファイ
バを伝送路として前記レーザダイオードから出力された
レーザ光を伝送し、前記照射手段は、ファイバのコア径
とほぼ同じ大きさにレーザ光を集光して加工対象物の表
面に照射することを特徴としている。
ーザマーキング装置において、前記伝送手段は、ファイ
バを伝送路として前記レーザダイオードから出力された
レーザ光を伝送し、前記照射手段は、ファイバのコア径
とほぼ同じ大きさにレーザ光を集光して加工対象物の表
面に照射することを特徴としている。
【００１４】この請求項２記載の発明によれば、請求項
１記載のレーザマーキング装置において、前記伝送手段
は、ファイバを伝送路として前記レーザダイオードから
出力されたレーザ光を伝送し、前記照射手段は、ファイ
バのコア径とほぼ同じ大きさにレーザ光を集光して加工
対象物の表面に照射する。
１記載のレーザマーキング装置において、前記伝送手段
は、ファイバを伝送路として前記レーザダイオードから
出力されたレーザ光を伝送し、前記照射手段は、ファイ
バのコア径とほぼ同じ大きさにレーザ光を集光して加工
対象物の表面に照射する。
【００１５】請求項５記載の発明は、請求項４記載のレ
ーザマーキング方法において、前記伝送工程は、ファイ
バを伝送路として前記レーザダイオードから出力された
レーザ光を伝送し、前記照射工程は、ファイバのコア径
とほぼ同じ大きさにレーザ光を集光して加工対象物の表
面に照射することを特徴としている。
ーザマーキング方法において、前記伝送工程は、ファイ
バを伝送路として前記レーザダイオードから出力された
レーザ光を伝送し、前記照射工程は、ファイバのコア径
とほぼ同じ大きさにレーザ光を集光して加工対象物の表
面に照射することを特徴としている。
【００１６】この請求項５記載の発明によれば、請求項
４記載のレーザマーキング方法において、前記伝送工程
は、ファイバを伝送路として前記レーザダイオードから
出力されたレーザ光を伝送し、前記照射工程は、ファイ
バのコア径とほぼ同じ大きさにレーザ光を集光して加工
対象物の表面に照射する。
４記載のレーザマーキング方法において、前記伝送工程
は、ファイバを伝送路として前記レーザダイオードから
出力されたレーザ光を伝送し、前記照射工程は、ファイ
バのコア径とほぼ同じ大きさにレーザ光を集光して加工
対象物の表面に照射する。
【００１７】したがって、ファイバのコア径とほぼ同じ
大きさのビームスポット、すなわち非常に小さいビーム
スポットのレーザ光を加工対象物の表面に照射すること
ができるため、加工対象物に照射されるレーザ光のパワ
ー密度は高くなり、より小容量の電源によって加工対象
物の表面でマーキングに必要なパワー密度を得ることが
でき、省エネルギー化の実現が可能となる。
大きさのビームスポット、すなわち非常に小さいビーム
スポットのレーザ光を加工対象物の表面に照射すること
ができるため、加工対象物に照射されるレーザ光のパワ
ー密度は高くなり、より小容量の電源によって加工対象
物の表面でマーキングに必要なパワー密度を得ることが
でき、省エネルギー化の実現が可能となる。
【００１８】また、ファイバを伝送路としてレーザ光を
伝送することにより、光学部品としては、レーザ光を集
光するためのレンズのみとなるため、光軸調整が簡単に
なり、保守も簡単に行なうことができ、利用者の負担が
少なくなる。
伝送することにより、光学部品としては、レーザ光を集
光するためのレンズのみとなるため、光軸調整が簡単に
なり、保守も簡単に行なうことができ、利用者の負担が
少なくなる。
【００１９】請求項３記載の発明は、請求項１または２
記載のレーザマーキング装置において、前記レーザ光源
としてのレーザダイオードから発生する熱による温度上
昇を検知する温度検知手段（例えば、熱電対１７）と、
前記温度検知手段によりレーザダイオードの温度上昇を
検知された場合に、熱を吸収する熱吸収手段（例えば、
ペルチェ素子１０）と、前記熱吸収手段により吸収され
た熱を外部に放出する熱放出手段（例えば、フィン１
６）と、を更に備えることを特徴としている。
記載のレーザマーキング装置において、前記レーザ光源
としてのレーザダイオードから発生する熱による温度上
昇を検知する温度検知手段（例えば、熱電対１７）と、
前記温度検知手段によりレーザダイオードの温度上昇を
検知された場合に、熱を吸収する熱吸収手段（例えば、
ペルチェ素子１０）と、前記熱吸収手段により吸収され
た熱を外部に放出する熱放出手段（例えば、フィン１
６）と、を更に備えることを特徴としている。
【００２０】この請求項３記載の発明によれば、請求項
１または２記載のレーザマーキング装置において、温度
検知手段は、前記レーザ光源としてのレーザダイオード
から発生する熱による温度上昇を検知し、熱吸収手段
は、前記温度検知手段によりレーザダイオードの温度上
昇を検知された場合に、熱を吸収し、熱放出手段は、前
記熱吸収手段により吸収された熱を外部に放出する。
１または２記載のレーザマーキング装置において、温度
検知手段は、前記レーザ光源としてのレーザダイオード
から発生する熱による温度上昇を検知し、熱吸収手段
は、前記温度検知手段によりレーザダイオードの温度上
昇を検知された場合に、熱を吸収し、熱放出手段は、前
記熱吸収手段により吸収された熱を外部に放出する。
【００２１】請求項６記載の発明は、請求項４または５
記載のレーザマーキング方法において、前記レーザ光源
としてのレーザダイオードから発生する熱による温度上
昇を検知する温度検知工程（例えば、熱電対１７）と、
前記温度検知工程によりレーザダイオードの温度上昇が
検知された場合に、熱を吸収する熱吸収工程（例えば、
ペルチェ素子１０）と、前記熱吸収工程により吸収され
た熱を外部に放出する熱放出工程（例えば、フィン１
６）と、を更に含むことを特徴としている。
記載のレーザマーキング方法において、前記レーザ光源
としてのレーザダイオードから発生する熱による温度上
昇を検知する温度検知工程（例えば、熱電対１７）と、
前記温度検知工程によりレーザダイオードの温度上昇が
検知された場合に、熱を吸収する熱吸収工程（例えば、
ペルチェ素子１０）と、前記熱吸収工程により吸収され
た熱を外部に放出する熱放出工程（例えば、フィン１
６）と、を更に含むことを特徴としている。
【００２２】この請求項６記載の発明によれば、請求項
４または５記載のレーザマーキング方法において、温度
検知工程は、前記レーザ光源としてのレーザダイオード
から発生する熱による温度上昇を検知し、熱吸収工程
は、前記温度検知工程によりレーザダイオードの温度上
昇が検知された場合に、熱を吸収し、熱放出工程は、前
記熱吸収工程により吸収された熱を外部に放出する。
４または５記載のレーザマーキング方法において、温度
検知工程は、前記レーザ光源としてのレーザダイオード
から発生する熱による温度上昇を検知し、熱吸収工程
は、前記温度検知工程によりレーザダイオードの温度上
昇が検知された場合に、熱を吸収し、熱放出工程は、前
記熱吸収工程により吸収された熱を外部に放出する。
【００２３】したがって、レーザ光源としてのレーザダ
イオードから発生する熱によって温度が上昇した場合に
は、その熱を吸収して放出することができ、レーザダイ
オードの冷却が可能となり、また、レーザダイオードは
変換効率が良く発生する熱量が少ないため、クーラーの
ような冷却装置を更に備える必要がなく、省スペース化
の実現が可能となる。
イオードから発生する熱によって温度が上昇した場合に
は、その熱を吸収して放出することができ、レーザダイ
オードの冷却が可能となり、また、レーザダイオードは
変換効率が良く発生する熱量が少ないため、クーラーの
ような冷却装置を更に備える必要がなく、省スペース化
の実現が可能となる。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図２を参照して本発
明に係るレーザマーキング装置の実施の形態を詳細に説
明する。まず構成を説明する。
明に係るレーザマーキング装置の実施の形態を詳細に説
明する。まず構成を説明する。
【００２５】図１は、本実施の形態におけるレーザマー
キング装置１００の概略構成を示すブロック図である。
この図１に示すように、レーザマーキング装置１００
は、ＬＤコントローラ６、出射部３、移動体８、及びＮ
Ｃ（Numerical Control：数値制御）制御回路１５から
構成されており、ＮＣ制御回路１５にはパーソナルコン
ピュータまたはシーケンサ等から構成される外部機器１
４が接続されている。
キング装置１００の概略構成を示すブロック図である。
この図１に示すように、レーザマーキング装置１００
は、ＬＤコントローラ６、出射部３、移動体８、及びＮ
Ｃ（Numerical Control：数値制御）制御回路１５から
構成されており、ＮＣ制御回路１５にはパーソナルコン
ピュータまたはシーケンサ等から構成される外部機器１
４が接続されている。
【００２６】ＬＤコントローラ６は、ファイバ２が取り
付けられたＬＤ（Laser Diode：レーザダイオード）
１、ＬＤ制御回路９、ペルチェ素子１０、ペルチェ制御
回路１１、電源１２、熱電対１７から構成されており、
ペルチェ素子１０が吸収した熱量を放出するためのフィ
ン１６が外側に取り付けられている。
付けられたＬＤ（Laser Diode：レーザダイオード）
１、ＬＤ制御回路９、ペルチェ素子１０、ペルチェ制御
回路１１、電源１２、熱電対１７から構成されており、
ペルチェ素子１０が吸収した熱量を放出するためのフィ
ン１６が外側に取り付けられている。
【００２７】ＬＤ１及びファイバ２は、例えば、ファイ
バカップリング付きＬＤ等により構成されており、ＬＤ
１は、ＬＤ制御回路９から入力される制御信号に従っ
て、電源１２から供給される電力をレーザ光４に変換
し、そのレーザ光４をファイバ２に出力する。ファイバ
２は、ＬＤ１と出射部３とに接続されており、ＬＤ１か
ら入力されるレーザ光４を伝送し、出射部３に出力す
る。
バカップリング付きＬＤ等により構成されており、ＬＤ
１は、ＬＤ制御回路９から入力される制御信号に従っ
て、電源１２から供給される電力をレーザ光４に変換
し、そのレーザ光４をファイバ２に出力する。ファイバ
２は、ＬＤ１と出射部３とに接続されており、ＬＤ１か
ら入力されるレーザ光４を伝送し、出射部３に出力す
る。
【００２８】ＬＤ制御回路９は、ＮＣ制御回路１５から
入力されるレーザ出力信号に従って、ＬＤ１によるレー
ザ光４の出力を開始または停止するための制御信号をＬ
Ｄ１に出力する。
入力されるレーザ出力信号に従って、ＬＤ１によるレー
ザ光４の出力を開始または停止するための制御信号をＬ
Ｄ１に出力する。
【００２９】ペルチェ素子１０は、吸熱側がＬＤ１側
に、発熱側がフィン１６側になるように、ペルチェ制御
回路１１から電流を流され、ＬＤ１から発生する熱を吸
収し、フィン１６に放出する。ペルチェ制御回路１１
は、ＬＤ１に取り付けられた熱電対１７から入力される
検知信号に応じて、ペルチェ素子１０に電流を流す。
に、発熱側がフィン１６側になるように、ペルチェ制御
回路１１から電流を流され、ＬＤ１から発生する熱を吸
収し、フィン１６に放出する。ペルチェ制御回路１１
は、ＬＤ１に取り付けられた熱電対１７から入力される
検知信号に応じて、ペルチェ素子１０に電流を流す。
【００３０】熱電対１７は、ＬＤ１に取り付けられ、Ｌ
Ｄ１の温度を検知し、その検知信号をペルチェ制御回路
１１に出力する。フィン１６は、熱を放出するための面
積を大きくするために複数のプレート等により構成さ
れ、ＬＤ１の熱量を吸収したことによりペルチェ素子１
０から発生する熱量を表面から外部に放出する。
Ｄ１の温度を検知し、その検知信号をペルチェ制御回路
１１に出力する。フィン１６は、熱を放出するための面
積を大きくするために複数のプレート等により構成さ
れ、ＬＤ１の熱量を吸収したことによりペルチェ素子１
０から発生する熱量を表面から外部に放出する。
【００３１】電源１２は、例えば、ＡＣ１００Ｖ、２．
８Ａ程度の容量の電源であり、ＬＤ１、ＬＤ制御回路
９、ペルチェ素子１０、及びペルチェ制御回路１１に電
力を供給する。
８Ａ程度の容量の電源であり、ＬＤ１、ＬＤ制御回路
９、ペルチェ素子１０、及びペルチェ制御回路１１に電
力を供給する。
【００３２】出射部３は、図２に示すように、円筒状の
金属等により構成され、その円筒のの内側に設置された
レンズ５を有する。図２は、レーザマーキング装置１０
０においてレーザ光４が出力される様子を示す図であ
る。この図２において、ＬＤ１は、ＬＤ制御回路９から
の制御信号に従ってファイバ２を介してファイバ２の先
端２ａからレーザ光４を出射部３に出力し、出射部３
は、ファイバ２の先端２ａから入力され、ファイバ２の
ＮＡ（Numerical Aperture：開口数）に従って拡散する
レーザ光４を、レンズ５により集光し、ファイバ２が取
り付けられていない方の先端から出力する。すなわち、
出射部３は、円筒の内側に設置されたレンズ５によって
集光されたレーザ光４が、円筒の先端から出力されると
いうペン型構造になっている。また、出射部３は、移動
体８に取り付けられており、レンズ５によって集光した
レーザ光４を加工対象物７に照射する。
金属等により構成され、その円筒のの内側に設置された
レンズ５を有する。図２は、レーザマーキング装置１０
０においてレーザ光４が出力される様子を示す図であ
る。この図２において、ＬＤ１は、ＬＤ制御回路９から
の制御信号に従ってファイバ２を介してファイバ２の先
端２ａからレーザ光４を出射部３に出力し、出射部３
は、ファイバ２の先端２ａから入力され、ファイバ２の
ＮＡ（Numerical Aperture：開口数）に従って拡散する
レーザ光４を、レンズ５により集光し、ファイバ２が取
り付けられていない方の先端から出力する。すなわち、
出射部３は、円筒の内側に設置されたレンズ５によって
集光されたレーザ光４が、円筒の先端から出力されると
いうペン型構造になっている。また、出射部３は、移動
体８に取り付けられており、レンズ５によって集光した
レーザ光４を加工対象物７に照射する。
【００３３】出射部３のレンズ５は、ファイバ２の先端
２ａからレンズ５の焦点距離の２倍離れた位置に設置さ
れ、ファイバ２のＮＡに従って拡散するレーザ光４をす
べて入射させることができる径を有する。レーザ光４が
拡散し始めるファイバ２の先端２ａからレンズ５までの
距離が、レンズ５の焦点距離の２倍であるため、レンズ
５により集光されるレーザ光４は、レンズ５からレンズ
５の焦点距離の２倍離れた位置で、ファイバ２のコア径
とほぼ同じ大きさに結像する。そのため、加工対象物７
をレンズ５からレンズ５の焦点距離の２倍離れた位置に
設置することによって、ファイバ２のコア径とほぼ等し
い径のビームスポットを加工対象物に照射することがで
きる。
２ａからレンズ５の焦点距離の２倍離れた位置に設置さ
れ、ファイバ２のＮＡに従って拡散するレーザ光４をす
べて入射させることができる径を有する。レーザ光４が
拡散し始めるファイバ２の先端２ａからレンズ５までの
距離が、レンズ５の焦点距離の２倍であるため、レンズ
５により集光されるレーザ光４は、レンズ５からレンズ
５の焦点距離の２倍離れた位置で、ファイバ２のコア径
とほぼ同じ大きさに結像する。そのため、加工対象物７
をレンズ５からレンズ５の焦点距離の２倍離れた位置に
設置することによって、ファイバ２のコア径とほぼ等し
い径のビームスポットを加工対象物に照射することがで
きる。
【００３４】移動体８は、直交ロボット等により構成さ
れ、取り付けられた出射部３を保持し、ＮＣ制御回路１
５から入力される数値信号に従って移動し、移動体８に
取り付けられた出射部３から出力され、加工対象物７の
表面に照射されるレーザ光４のビームスポットを移動さ
せる。移動体８に取り付けられた出射部３は、取り外し
可能な構成としてもよい。
れ、取り付けられた出射部３を保持し、ＮＣ制御回路１
５から入力される数値信号に従って移動し、移動体８に
取り付けられた出射部３から出力され、加工対象物７の
表面に照射されるレーザ光４のビームスポットを移動さ
せる。移動体８に取り付けられた出射部３は、取り外し
可能な構成としてもよい。
【００３５】ＮＣ制御回路１５は、外部機器１４から入
力される入力指示及びマーキングパターンに従って、移
動体８を移動させるための数値信号を出力するととも
に、ＬＤコントローラ６内のＬＤ制御回路９にＬＤ１に
よるレーザ光４の出力を開始または停止させるためのレ
ーザ出力信号を出力する。
力される入力指示及びマーキングパターンに従って、移
動体８を移動させるための数値信号を出力するととも
に、ＬＤコントローラ６内のＬＤ制御回路９にＬＤ１に
よるレーザ光４の出力を開始または停止させるためのレ
ーザ出力信号を出力する。
【００３６】外部機器１４は、パーソナルコンピュー
タ、またはシーケンサ等により構成され、ＮＣ制御回路
１５にマーキングを実行させるための指示及びマーキン
グパターン等を出力する。
タ、またはシーケンサ等により構成され、ＮＣ制御回路
１５にマーキングを実行させるための指示及びマーキン
グパターン等を出力する。
【００３７】次に動作を説明する。外部機器１４からマ
ーキングを実行するための指示、及びマーキングパター
ンが入力されると、ＮＣ制御回路１５は、入力されたマ
ーキングパターンに応じて、移動体８を所定の位置に移
動させ、ＬＤコントローラ６内のＬＤ制御回路９にレー
ザ光４をＬＤ１から出力させるためのレーザ出力信号を
出力する。ＬＤ制御回路９は、ＮＣ制御回路１５から入
力されたレーザ出力信号に従って、ＬＤ１にファイバ２
を介して出射部３にレーザ光４を出力させ、出射部３
は、ＬＤ１からファイバ２を介して入力されたレーザ光
４をレンズ５により集光して出力し、加工対象物７の表
面に照射する。
ーキングを実行するための指示、及びマーキングパター
ンが入力されると、ＮＣ制御回路１５は、入力されたマ
ーキングパターンに応じて、移動体８を所定の位置に移
動させ、ＬＤコントローラ６内のＬＤ制御回路９にレー
ザ光４をＬＤ１から出力させるためのレーザ出力信号を
出力する。ＬＤ制御回路９は、ＮＣ制御回路１５から入
力されたレーザ出力信号に従って、ＬＤ１にファイバ２
を介して出射部３にレーザ光４を出力させ、出射部３
は、ＬＤ１からファイバ２を介して入力されたレーザ光
４をレンズ５により集光して出力し、加工対象物７の表
面に照射する。
【００３８】次いで、ＮＣ制御回路１５は、外部機器１
４から入力されたマーキングパターンに従って移動体８
を移動させ、照射部３から出力されるレーザ光４によっ
て加工対象物７の表面にマーキングを行なう。そして、
マーキングパターンに従った移動体８の移動が終了する
と、ＮＣ制御回路１５は、ＬＤコントローラ６内のＬＤ
制御回路９にレーザ光４の出力を停止するためのレーザ
出力信号を出力し、ＬＤ制御回路９は、そのレーザ出力
信号に従って、ＬＤ１にレーザ光４の出力を停止させ
る。
４から入力されたマーキングパターンに従って移動体８
を移動させ、照射部３から出力されるレーザ光４によっ
て加工対象物７の表面にマーキングを行なう。そして、
マーキングパターンに従った移動体８の移動が終了する
と、ＮＣ制御回路１５は、ＬＤコントローラ６内のＬＤ
制御回路９にレーザ光４の出力を停止するためのレーザ
出力信号を出力し、ＬＤ制御回路９は、そのレーザ出力
信号に従って、ＬＤ１にレーザ光４の出力を停止させ
る。
【００３９】ＬＤ１がレーザ光４を出力している際に、
ＬＤ１から発生する熱によりＬＤ１の温度が上昇する
と、ペルチェ制御回路１１は、ＬＤ１に取り付けられた
熱電対１７から入力される検知信号に応じて、ペルチェ
素子１０に電流を流し、ＬＤ１から発生した熱をペルチ
ェ素子１０によって吸収する。そして、ペルチェ素子１
０により吸収された熱は、フィン１６の表面から放出さ
れ、ＬＤ１の冷却が行われる。
ＬＤ１から発生する熱によりＬＤ１の温度が上昇する
と、ペルチェ制御回路１１は、ＬＤ１に取り付けられた
熱電対１７から入力される検知信号に応じて、ペルチェ
素子１０に電流を流し、ＬＤ１から発生した熱をペルチ
ェ素子１０によって吸収する。そして、ペルチェ素子１
０により吸収された熱は、フィン１６の表面から放出さ
れ、ＬＤ１の冷却が行われる。
【００４０】以上のように、ＬＤ１から出力されるレー
ザ光４をファイバ２により伝送し、出射部３に出力し、
出射部３のレンズ５によりファイバ２のコア径とほぼ等
しいビームスポットに集光して加工対象物７に照射し、
ＮＣ制御回路１５により出射部３が取り付けられた移動
体８を移動して、加工対象物７の表面に外部機器１４か
ら入力される入力指示及びマーキングパターンに応じた
マーキングを実行する。また、ＬＤ１から発生する熱に
より温度が上昇した場合には、ペルチェ制御回路１１に
よりＬＤ１の熱をペルチェ素子１０によって吸収し、フ
ィン１６の表面から放出する。
ザ光４をファイバ２により伝送し、出射部３に出力し、
出射部３のレンズ５によりファイバ２のコア径とほぼ等
しいビームスポットに集光して加工対象物７に照射し、
ＮＣ制御回路１５により出射部３が取り付けられた移動
体８を移動して、加工対象物７の表面に外部機器１４か
ら入力される入力指示及びマーキングパターンに応じた
マーキングを実行する。また、ＬＤ１から発生する熱に
より温度が上昇した場合には、ペルチェ制御回路１１に
よりＬＤ１の熱をペルチェ素子１０によって吸収し、フ
ィン１６の表面から放出する。
【００４１】したがって、ファイバ２のコア径とほぼ等
しい大きさのビームスポット、すなわち、小さいビーム
スポットを加工対象物７に照射することができ、また、
ＬＤ１は、レーザ光４への変換効率が良いため、より小
さい容量の電源１２によって、マーキングに必要なパワ
ー密度を得ることができ、省エネルギー化の実現が可能
となる。
しい大きさのビームスポット、すなわち、小さいビーム
スポットを加工対象物７に照射することができ、また、
ＬＤ１は、レーザ光４への変換効率が良いため、より小
さい容量の電源１２によって、マーキングに必要なパワ
ー密度を得ることができ、省エネルギー化の実現が可能
となる。
【００４２】また、ＬＤ１は、変換効率が良いため発生
する熱量が少なく、フィン１６における自然空冷により
冷却することができ、クーラー３２のような冷却装置は
必要なく、また、ＬＤ１は、より小型のレーザであるた
め、省スペース化の実現が可能となる。
する熱量が少なく、フィン１６における自然空冷により
冷却することができ、クーラー３２のような冷却装置は
必要なく、また、ＬＤ１は、より小型のレーザであるた
め、省スペース化の実現が可能となる。
【００４３】更に、レーザマーキング装置１００に用い
る光学部品は、レンズ５のみであり、コリメータレン
ズ、Ｆθレンズ、スキャナ、ミラー等の多くの光学部品
は必要ないため、光軸調整が簡単になり、保守も簡単に
行なうことができ、利用者の負担が少なくなる。
る光学部品は、レンズ５のみであり、コリメータレン
ズ、Ｆθレンズ、スキャナ、ミラー等の多くの光学部品
は必要ないため、光軸調整が簡単になり、保守も簡単に
行なうことができ、利用者の負担が少なくなる。
【００４４】なお、上記実施の形態においては、ファイ
バ２を取り付けたＬＤ１を光源として用いて、移動体８
に取り付けた出射部３にレーザ光を出力する構成とした
が、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、
ＬＤ１を移動体８に取り付け、ＬＤ１から出力されるレ
ーザ光をレンズ５により集光して加工対象物７に照射す
る構成としてもよく、その他細部の構成についても本発
明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。ま
た、光学レンズの組合せを変更し、ファイバ２のコア径
より小さいビームスポットのレーザ光を加工対象物７に
照射する構成としてもよい。
バ２を取り付けたＬＤ１を光源として用いて、移動体８
に取り付けた出射部３にレーザ光を出力する構成とした
が、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、
ＬＤ１を移動体８に取り付け、ＬＤ１から出力されるレ
ーザ光をレンズ５により集光して加工対象物７に照射す
る構成としてもよく、その他細部の構成についても本発
明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。ま
た、光学レンズの組合せを変更し、ファイバ２のコア径
より小さいビームスポットのレーザ光を加工対象物７に
照射する構成としてもよい。
【００４５】
【発明の効果】請求項１記載のレーザマーキング装置及
び請求項４記載のレーザマーキング方法によれば、一般
に、レーザダイオードは、小型であり、変換効率が良い
ことは周知である。したがって、レーザダイオードをレ
ーザ光源とすることにより、装置の小型化を図ることが
でき、省スペース化の実現が可能となるとともに、変換
効率の良いレーザダイオードを光源とするレーザ光を伝
送し、加工対象物の表面に照射してマーキングを行なう
ことにより、より小容量の電源によって加工対象物の表
面でマーキングに必要なパワー密度を得ることができ、
省エネルギー化の実現が可能となる。
び請求項４記載のレーザマーキング方法によれば、一般
に、レーザダイオードは、小型であり、変換効率が良い
ことは周知である。したがって、レーザダイオードをレ
ーザ光源とすることにより、装置の小型化を図ることが
でき、省スペース化の実現が可能となるとともに、変換
効率の良いレーザダイオードを光源とするレーザ光を伝
送し、加工対象物の表面に照射してマーキングを行なう
ことにより、より小容量の電源によって加工対象物の表
面でマーキングに必要なパワー密度を得ることができ、
省エネルギー化の実現が可能となる。
【００４６】請求項２記載のレーザマーキング装置及び
請求項５記載のレーザマーキング方法によれば、ファイ
バのコア径とほぼ同じ大きさのビームスポット、すなわ
ち非常に小さいビームスポットのレーザ光を加工対象物
の表面に照射することができるため、加工対象物に照射
されるレーザ光のパワー密度は高くなり、より小容量の
電源によって加工対象物の表面でマーキングに必要なパ
ワー密度を得ることができ、省エネルギー化の実現が可
能となる。
請求項５記載のレーザマーキング方法によれば、ファイ
バのコア径とほぼ同じ大きさのビームスポット、すなわ
ち非常に小さいビームスポットのレーザ光を加工対象物
の表面に照射することができるため、加工対象物に照射
されるレーザ光のパワー密度は高くなり、より小容量の
電源によって加工対象物の表面でマーキングに必要なパ
ワー密度を得ることができ、省エネルギー化の実現が可
能となる。
【００４７】また、ファイバを伝送路としてレーザ光を
伝送することにより、光学部品としては、レーザ光を集
光するためのレンズのみとなるため、光軸調整が簡単に
なり、保守も簡単に行なうことができ、利用者の負担が
少なくなる。
伝送することにより、光学部品としては、レーザ光を集
光するためのレンズのみとなるため、光軸調整が簡単に
なり、保守も簡単に行なうことができ、利用者の負担が
少なくなる。
【００４８】請求項３記載のレーザマーキング装置及び
請求項６記載のレーザマーキング方法によれば、レーザ
光源としてのレーザダイオードから発生する熱によって
温度が上昇した場合には、その熱を吸収して放出するこ
とができ、レーザダイオードの冷却が可能となり、ま
た、レーザダイオードは変換効率が良く発生する熱量が
少ないため、クーラーのような冷却装置を更に備える必
要がなく、省スペース化の実現が可能となる。
請求項６記載のレーザマーキング方法によれば、レーザ
光源としてのレーザダイオードから発生する熱によって
温度が上昇した場合には、その熱を吸収して放出するこ
とができ、レーザダイオードの冷却が可能となり、ま
た、レーザダイオードは変換効率が良く発生する熱量が
少ないため、クーラーのような冷却装置を更に備える必
要がなく、省スペース化の実現が可能となる。
【図１】本発明を適用した実施の形態としてのレーザマ
ーキング装置１００の概略構成を示すブロック図であ
る。
ーキング装置１００の概略構成を示すブロック図であ
る。
【図２】図１のレーザ光４が出射部３から出力される様
子を示す図である。
子を示す図である。
【図３】従来のレーザマーキング装置２００の概略構成
を示す図である。
を示す図である。
１ ＬＤ ２ ファイバ ２ａ ファイバの先端 ３ 出射部 ４ レーザ光 ５ レンズ ６ ＬＤコントローラ ７ 加工対象物 ８ 移動体 ９ ＬＤ制御回路 １０ ペルチェ素子 １１ ペルチェ制御回路 １２ 電源 １４ 外部機器 １５ ＮＣ制御回路 １６ フィン １７ 熱電対 １００ レーザマーキング装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4E068 AB01 CA18 CB06 CC03 CD01 CE02 CE08 5F072 AB13 HH02 HH04 JJ01 JJ08 KK30 MM08 MM12 TT22 TT29 YY07 5F073 BA09 EA18 FA25 GA14 GA23
Claims (6)
- 【請求項１】レーザ光を加工対象物の表面に照射して、
マーキングを行なうレーザマーキング装置において、 前記レーザ光を出力するレーザ光源は、レーザダイオー
ドであり、 このレーザダイオードから出力されたレーザ光を伝送す
る伝送手段と、 前記伝送手段により伝送されたレーザ光を集光して加工
対象物の表面に照射する照射手段と、 前記照射手段により加工対象物の表面に照射されるレー
ザ光の位置をマーキングパターンに応じて移動させる移
動手段と、 を備えることを特徴とするレーザマーキング装置。 - 【請求項２】前記伝送手段は、ファイバを伝送路として
前記レーザダイオードから出力されたレーザ光を伝送
し、 前記照射手段は、ファイバのコア径とほぼ同じ大きさに
レーザ光を集光して加工対象物の表面に照射することを
特徴とする請求項１記載のレーザマーキング装置。 - 【請求項３】前記レーザ光源としてのレーザダイオード
から発生する熱による温度上昇を検知する温度検知手段
と、 前記温度検知手段によりレーザダイオードの温度上昇を
検知された場合に、熱を吸収する熱吸収手段と、 前記熱吸収手段により吸収された熱を外部に放出する熱
放出手段と、 を更に備えることを特徴とする請求項１または２記載の
レーザマーキング装置。 - 【請求項４】レーザ光を加工対象物の表面に照射して、
マーキングを行なうレーザマーキング方法において、 前記レーザ光を出力するレーザ光源は、レーザダイオー
ドであり、 このレーザダイオードから出力されたレーザ光を伝送す
る伝送工程と、 前記伝送工程により伝送されたレーザ光を集光して加工
対象物の表面に照射する照射工程と、 前記照射工程により加工対象物の表面に照射されるレー
ザ光の位置をマーキングパターンに応じて移動させる移
動工程と、 を含むことを特徴とするレーザマーキング方法。 - 【請求項５】前記伝送工程は、ファイバを伝送路として
前記レーザダイオードから出力されたレーザ光を伝送
し、 前記照射工程は、ファイバのコア径とほぼ同じ大きさに
レーザ光を集光して加工対象物の表面に照射することを
特徴とする請求項４記載のレーザマーキング方法。 - 【請求項６】前記レーザ光源としてのレーザダイオード
から発生する熱による温度上昇を検知する温度検知工程
と、 前記温度検知工程によりレーザダイオードの温度上昇が
検知された場合に、熱を吸収する熱吸収工程と、 前記熱吸収工程により吸収された熱を外部に放出する熱
放出工程と、 を更に含むことを特徴とする請求項４または５記載のレ
ーザマーキング方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11145205A JP2000334585A (ja) | 1999-05-25 | 1999-05-25 | レーザマーキング装置、及びレーザマーキング方法 |
| KR1020000027029A KR20000077343A (ko) | 1999-05-25 | 2000-05-19 | 레이저 마킹 시스템 및 방법 |
| EP00110832A EP1057578A3 (en) | 1999-05-25 | 2000-05-22 | Laser marking system and method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11145205A JP2000334585A (ja) | 1999-05-25 | 1999-05-25 | レーザマーキング装置、及びレーザマーキング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000334585A true JP2000334585A (ja) | 2000-12-05 |
Family
ID=15379841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11145205A Pending JP2000334585A (ja) | 1999-05-25 | 1999-05-25 | レーザマーキング装置、及びレーザマーキング方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1057578A3 (ja) |
| JP (1) | JP2000334585A (ja) |
| KR (1) | KR20000077343A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004058103A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Central Glass Co Ltd | 基板へのマーキング方法及び装置 |
| JP2013528494A (ja) * | 2010-04-22 | 2013-07-11 | トルンプフ ヴェルクツォイクマシーネン ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト | レーザー光をフォーカシングするためのビーム整形ユニット、および、ビーム整形ユニットの駆動方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100479580B1 (ko) * | 2002-09-04 | 2005-04-06 | (주)하드램 | 고속이송중인 피가공물을 위한 레이저 마킹장치 |
| WO2005058536A1 (en) | 2003-12-18 | 2005-06-30 | Retainagroup Limited | Portable laser apparatus for marking an object |
| KR100688551B1 (ko) * | 2005-06-07 | 2007-03-02 | 삼성전자주식회사 | 인터록기능을 구비한 반도체 웨이퍼 마킹장치 및 이를이용한 반도체 웨이퍼 마킹방법 |
| DE102006002573A1 (de) | 2006-01-18 | 2007-07-19 | Murrplastik Systemtechnik Gmbh | Vorrichtung zur Beschriftung von Kennzeichnungsschildern |
| DE102010010071A1 (de) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Bundesdruckerei Gmbh | Markierungsvorrichtung und Verfahren zum Markieren von Wert- oder Sicherheitsdokumenten unter Verwendung von Lichtleitfasern |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5187714A (en) * | 1990-10-19 | 1993-02-16 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Laser-diode-pumped solid-state laser |
| US5705788A (en) * | 1993-05-19 | 1998-01-06 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Process for treatment of materials with diode radiation |
| US6075223A (en) * | 1997-09-08 | 2000-06-13 | Thermark, Llc | High contrast surface marking |
| ES2140341B1 (es) * | 1998-03-17 | 2000-10-16 | Macsa Id Sa | Sistema de marcaje laser. |
-
1999
- 1999-05-25 JP JP11145205A patent/JP2000334585A/ja active Pending
-
2000
- 2000-05-19 KR KR1020000027029A patent/KR20000077343A/ko not_active Application Discontinuation
- 2000-05-22 EP EP00110832A patent/EP1057578A3/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004058103A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Central Glass Co Ltd | 基板へのマーキング方法及び装置 |
| JP2013528494A (ja) * | 2010-04-22 | 2013-07-11 | トルンプフ ヴェルクツォイクマシーネン ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト | レーザー光をフォーカシングするためのビーム整形ユニット、および、ビーム整形ユニットの駆動方法 |
| US9329368B2 (en) | 2010-04-22 | 2016-05-03 | Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg | Beam shaping unit for focusing a laser beam |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20000077343A (ko) | 2000-12-26 |
| EP1057578A2 (en) | 2000-12-06 |
| EP1057578A3 (en) | 2001-12-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5458243B2 (ja) | Ｅｕｖ光の放射方法、および前記ｅｕｖ光を用いた感応基板の露光方法 | |
| US20160036194A1 (en) | Laser Processing Device | |
| JPH02142695A (ja) | レーザ加工装置 | |
| JP2000334585A (ja) | レーザマーキング装置、及びレーザマーキング方法 | |
| JP2008155246A (ja) | レーザ加工機 | |
| JP2009178720A (ja) | レーザ加工装置 | |
| JP6261472B2 (ja) | レーザ加工装置 | |
| JPH03104661A (ja) | 画像記録装置 | |
| CN1190293C (zh) | 激光加工法 | |
| JP3194248B2 (ja) | レーザドリル装置及びレーザ穴あけ加工方法 | |
| JP2008062259A (ja) | レーザ加工装置、レーザ加工方法及びレーザ加工プログラム | |
| JPWO2020138357A1 (ja) | 光透過性部品の製造方法、及び、光透過性部品の製造システム | |
| JP6684472B2 (ja) | レーザ加工装置 | |
| JP2016221579A (ja) | ダイレクトダイオードレーザ加工装置及びこれを用いた板金の加工方法 | |
| US8421834B2 (en) | Exposure device and engraving apparatus | |
| JP2733297B2 (ja) | レーザ発振器 | |
| JP2021104518A (ja) | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 | |
| JP2007268583A (ja) | レーザ加工装置 | |
| JPH1117268A (ja) | 半導体レーザーアレイ装置 | |
| JPH04237589A (ja) | レーザ加工装置 | |
| JPH07290266A (ja) | レーザ加工装置 | |
| KR100492748B1 (ko) | 셀렉터블 다중 스캔헤드를 이용한 시분할 레이저 마킹장치및 방법 | |
| JPH112763A (ja) | レーザー加工機用照明光学系 | |
| JPH0522212B2 (ja) | ||
| JPH11347765A (ja) | レーザドリル装置 |