JP2000331346A - 光情報記録媒体の初期化方法及び初期化済み光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体の初期化方法及び初期化済み光情報記録媒体Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 不十分な初期化を行った場合、ディスク
上の反射率変動がノイズとなってしまい良好な信号が記
録できない。 【解決手段】 書き換え型光情報記録媒体を初期化する
にあたり、初期化用ビームスポット径をａ、初期化する
ディスクの１回転あたりの送りピッチをｂとした場合、
ａ＞2ｂとしてそれを行うようにした光情報記録媒体の
初期化方法。
上の反射率変動がノイズとなってしまい良好な信号が記
録できない。 【解決手段】 書き換え型光情報記録媒体を初期化する
にあたり、初期化用ビームスポット径をａ、初期化する
ディスクの１回転あたりの送りピッチをｂとした場合、
ａ＞2ｂとしてそれを行うようにした光情報記録媒体の
初期化方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光の照射により記
録層を構成する原子の配列が変化して情報の記録および
消去が行なわれる光学的情報記録用媒体に関する。
録層を構成する原子の配列が変化して情報の記録および
消去が行なわれる光学的情報記録用媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザビームの照射による情報の記録、
再生及び消去可能な光メモリー媒体の一つとして、結晶
−非晶質間、あるいは結晶１−結晶２の２つの結晶相間
の転移を利用する、いわゆる相変化型記録媒体がよく知
られている。相変化形型記録媒体は、Ｔｅ、Ｓｅ等のカ
ルコゲンを主成分とし基板上に形成された記録層と、こ
の記録層を両面から挟み込む２枚の透光性誘電体層と、
レーザビームの入射側（基板側）とは反対に設けた反射
層と、保護層とから構成されている。この記録層の代表
的な材料系としては、ゲルマニウム・アンチモン・テル
ル系（ＧｅＳｂＴｅ系）、銀・インジウム・アンチモン
・テルル系（ＡｇＩｎＳｂＴｅ系）が良く知られてい
て、実用化されている。
再生及び消去可能な光メモリー媒体の一つとして、結晶
−非晶質間、あるいは結晶１−結晶２の２つの結晶相間
の転移を利用する、いわゆる相変化型記録媒体がよく知
られている。相変化形型記録媒体は、Ｔｅ、Ｓｅ等のカ
ルコゲンを主成分とし基板上に形成された記録層と、こ
の記録層を両面から挟み込む２枚の透光性誘電体層と、
レーザビームの入射側（基板側）とは反対に設けた反射
層と、保護層とから構成されている。この記録層の代表
的な材料系としては、ゲルマニウム・アンチモン・テル
ル系（ＧｅＳｂＴｅ系）、銀・インジウム・アンチモン
・テルル系（ＡｇＩｎＳｂＴｅ系）が良く知られてい
て、実用化されている。
【０００３】記録原理は次の通りである。成膜直後の記
録層は非晶質（アモルファス）状態で反射率は低い。ま
ず始めに、レーザビームを照射して記録層を加熱し、媒
体全面を反射率の高い結晶状態にする、すなわち、初期
化を行う。初期化した媒体にレーザビームを局所的に照
射して記録層を溶融、急冷し、アモルファス状態に相変
化させる。相変化に伴い記録層の光学的性質（反射率、
透過率、複屈折率等）が変化して、情報が記録される。
再生は、記録時より弱いレーザ光を照射して結晶とアモ
ルファスとの反射率差、または位相差を検出して行う。
書き換えは、結晶化を引き起こす低エネルギーの消去パ
ワーの上に重畳した記録ピークパワーを記録層に投入す
ることにより消去過程を経ることなくすでに記録された
記録マーク上にオーバーライトする。
録層は非晶質（アモルファス）状態で反射率は低い。ま
ず始めに、レーザビームを照射して記録層を加熱し、媒
体全面を反射率の高い結晶状態にする、すなわち、初期
化を行う。初期化した媒体にレーザビームを局所的に照
射して記録層を溶融、急冷し、アモルファス状態に相変
化させる。相変化に伴い記録層の光学的性質（反射率、
透過率、複屈折率等）が変化して、情報が記録される。
再生は、記録時より弱いレーザ光を照射して結晶とアモ
ルファスとの反射率差、または位相差を検出して行う。
書き換えは、結晶化を引き起こす低エネルギーの消去パ
ワーの上に重畳した記録ピークパワーを記録層に投入す
ることにより消去過程を経ることなくすでに記録された
記録マーク上にオーバーライトする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】光ディスクを初期化す
る装置が既に市販されているが、初期化条件は、各種パ
ラメータをそれぞれのディスクに適応するように調整す
ることではじめて初期化が可能になる。これまでに最適
な初期化を行う手段として、初期化に用いるレーザー光
のプロファイルを出来るだけ均一にする方法が、例え
ば、特開平10-11826号公報として提案されている。この
方法は、困難な初期化条件の決定を容易にする方法とし
て有効である。
る装置が既に市販されているが、初期化条件は、各種パ
ラメータをそれぞれのディスクに適応するように調整す
ることではじめて初期化が可能になる。これまでに最適
な初期化を行う手段として、初期化に用いるレーザー光
のプロファイルを出来るだけ均一にする方法が、例え
ば、特開平10-11826号公報として提案されている。この
方法は、困難な初期化条件の決定を容易にする方法とし
て有効である。
【０００５】しかしながら、かかる従来方法は、初期化
時にディスクを回転させながらビームを照射していくも
のであるから、ビーム照射済み領域が徐々に広がって行
くものではあるが、照射済み領域のすぐ隣の領域を照射
するときにその境界線に初期化不十分領域が僅かに発生
することが起こりうる。これは、いくらビーム内のプロ
ファイルを均一にしても解消できるものではない。また
実際、初期化した後の光ディスクが最適状態で初期化さ
れているかどうかは、実際に記録再生装置を用いて信号
を記録しその特性を測定することで、始めて初期化が十
分かどうかを判定することが出来る。しかしながら、実
際には多少最適初期化状態からずれていてもある程度の
記録は出来てしまうため初期化状態の判定は困難であ
る。仮に、不十分な初期化を行ってしまうと、ディスク
上の反射率変動がノイズとなってしまい良好な信号が記
録できないという問題が発生する。
時にディスクを回転させながらビームを照射していくも
のであるから、ビーム照射済み領域が徐々に広がって行
くものではあるが、照射済み領域のすぐ隣の領域を照射
するときにその境界線に初期化不十分領域が僅かに発生
することが起こりうる。これは、いくらビーム内のプロ
ファイルを均一にしても解消できるものではない。また
実際、初期化した後の光ディスクが最適状態で初期化さ
れているかどうかは、実際に記録再生装置を用いて信号
を記録しその特性を測定することで、始めて初期化が十
分かどうかを判定することが出来る。しかしながら、実
際には多少最適初期化状態からずれていてもある程度の
記録は出来てしまうため初期化状態の判定は困難であ
る。仮に、不十分な初期化を行ってしまうと、ディスク
上の反射率変動がノイズとなってしまい良好な信号が記
録できないという問題が発生する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされたものであり、第１の発明として、
書き換え型光情報記録媒体を初期化するにあたり、初期
化用ビームスポット径をａ、初期化するディスクの１回
転あたりの送りピッチをｂとした場合、ａ＞2ｂとして
それを行うようにした光情報記録媒体の初期化方法を、
第２の発明として、基板上に記録層を有し、光の照射に
より前記記録層を構成する原子の配列が変化して情報の
記録および消去が行われる光情報記録媒体であって、前
記記録層は、少なくともテルル、アンチモンを含有する
合金からなり、記録前のディスクの反射率変動幅が平均
反射率に対して10％以下である光情報記録媒体をそれぞ
れ提供するものである。
決するためになされたものであり、第１の発明として、
書き換え型光情報記録媒体を初期化するにあたり、初期
化用ビームスポット径をａ、初期化するディスクの１回
転あたりの送りピッチをｂとした場合、ａ＞2ｂとして
それを行うようにした光情報記録媒体の初期化方法を、
第２の発明として、基板上に記録層を有し、光の照射に
より前記記録層を構成する原子の配列が変化して情報の
記録および消去が行われる光情報記録媒体であって、前
記記録層は、少なくともテルル、アンチモンを含有する
合金からなり、記録前のディスクの反射率変動幅が平均
反射率に対して10％以下である光情報記録媒体をそれぞ
れ提供するものである。
【０００７】以下、それぞれの発明につき解説する。第
１の発明としては、光ディスクの製造工程において記録
膜にレーザースポット光を照射して、記録膜の結晶化を
行うものであり、次の特徴を有している。すなわち、レ
ーザースポット光の径（幅）ａに対し、初期化するとき
の光ディスクの１回転あたりの送りピッチｂをａ＞2ｂ
とすることを特徴とする。このような条件で初期化を行
うと光ディスク上の初期化領域は２回以上レーザー光が
照射され、かつ境界領域も確実に照射される。この方法
により光ディスクの結晶化をさらに均一に行うことが出
来る。
１の発明としては、光ディスクの製造工程において記録
膜にレーザースポット光を照射して、記録膜の結晶化を
行うものであり、次の特徴を有している。すなわち、レ
ーザースポット光の径（幅）ａに対し、初期化するとき
の光ディスクの１回転あたりの送りピッチｂをａ＞2ｂ
とすることを特徴とする。このような条件で初期化を行
うと光ディスク上の初期化領域は２回以上レーザー光が
照射され、かつ境界領域も確実に照射される。この方法
により光ディスクの結晶化をさらに均一に行うことが出
来る。
【０００８】第２の発明としては、前記の方法で初期化
した光ディスクの初期化状態は、記録前のディスクの反
射率変動幅が平均反射率に対して10％以下に設定されて
いることにより良好な記録が可能になる。すなわち、記
録前の反射率の変動を見ることで、記録する前に光ディ
スクの初期化が良好かどうかの判定が出来るものであ
る。
した光ディスクの初期化状態は、記録前のディスクの反
射率変動幅が平均反射率に対して10％以下に設定されて
いることにより良好な記録が可能になる。すなわち、記
録前の反射率の変動を見ることで、記録する前に光ディ
スクの初期化が良好かどうかの判定が出来るものであ
る。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明になる光情報記録媒
体１０の代表的な層構成の模式的断面図を図１，図２に
示す。図１は、その具体例を示すもので、透明基板１上
に第１誘電体層２を、この第１誘電体層２上に記録層３
を、この記録層３上に第２誘電体層４をこの順でそれぞ
れ積層したものである。また図２は、透明基板１上に第
１誘電体層２を、この第１誘電体層２上に記録層３を、
この記録層３上に第２誘電体層４を積層するとともに、
さらにこの第２誘電体層４上に反射層５をこの順でそれ
ぞれ積層したものである。本発明の光情報記録媒体１０
は、透明基板１上に記録層３を有し、光の照射により記
録層３を構成する原子の配列が変化して情報の記録およ
び消去が行われる光情報記録媒体１０がその前提であ
る。
体１０の代表的な層構成の模式的断面図を図１，図２に
示す。図１は、その具体例を示すもので、透明基板１上
に第１誘電体層２を、この第１誘電体層２上に記録層３
を、この記録層３上に第２誘電体層４をこの順でそれぞ
れ積層したものである。また図２は、透明基板１上に第
１誘電体層２を、この第１誘電体層２上に記録層３を、
この記録層３上に第２誘電体層４を積層するとともに、
さらにこの第２誘電体層４上に反射層５をこの順でそれ
ぞれ積層したものである。本発明の光情報記録媒体１０
は、透明基板１上に記録層３を有し、光の照射により記
録層３を構成する原子の配列が変化して情報の記録およ
び消去が行われる光情報記録媒体１０がその前提であ
る。
【００１０】ここでレーザービームは透明基板１側から
入射される。但し、本発明の光情報記録媒体１０の構成
はこれに限定されるものではなく、前記した反射層５上
に本発明の効果を損なわない範囲で、ＳｉＯ、Ｓｉ
Ｏ2、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｉｎ
2Ｏ3、ＭｇＯ、ＺｒＯ2等の金属酸化物、Ｓｉ3Ｎ4、Ａ
ｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮ、ＧｅＮなどの窒化物、Ｚ
ｎＳ、Ｉｎ2Ｓ3、ＴａＳ4等の硫化物、ＳｉＣ、Ｔａ
Ｃ、Ｂ2Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物などの
保護層や紫外線硬化樹脂などの樹脂層、他の基板と貼り
合わせるための接着剤層などを設けてもよい。また、記
録感度を重視する（高める）用途には、前記した反射層
を設けない前記した図１の構成が好ましく、高記録密度
で記録する場合、あるいは、記録の繰返し耐久性を重視
する用途では、前記した図２の構成のように反射層５を
設けた構成が好ましい。
入射される。但し、本発明の光情報記録媒体１０の構成
はこれに限定されるものではなく、前記した反射層５上
に本発明の効果を損なわない範囲で、ＳｉＯ、Ｓｉ
Ｏ2、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｉｎ
2Ｏ3、ＭｇＯ、ＺｒＯ2等の金属酸化物、Ｓｉ3Ｎ4、Ａ
ｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮ、ＧｅＮなどの窒化物、Ｚ
ｎＳ、Ｉｎ2Ｓ3、ＴａＳ4等の硫化物、ＳｉＣ、Ｔａ
Ｃ、Ｂ2Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物などの
保護層や紫外線硬化樹脂などの樹脂層、他の基板と貼り
合わせるための接着剤層などを設けてもよい。また、記
録感度を重視する（高める）用途には、前記した反射層
を設けない前記した図１の構成が好ましく、高記録密度
で記録する場合、あるいは、記録の繰返し耐久性を重視
する用途では、前記した図２の構成のように反射層５を
設けた構成が好ましい。
【００１１】前記した第１、第２誘電体層２，４は、記
録時に前記した透明基板１、記録層３などがレーザビー
ムの照射熱によって変形し、記録特性が劣化することを
防止するなど、透明基板１、記録層３を熱から保護する
効果、光学的な干渉効果により、再生時の信号コントラ
ストを改善する効果がある。さらに、記録層３の結晶化
を促進して、消去率を向上する効果もある。この第１、
第２誘電体層２，４としては、ＺｎＳ，ＳｉＯ2 、窒化
シリコン、酸化アルミニウムなどの無機薄膜がある。特
にＳｉ，Ｇｅ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｔａなどの金属ある
いは半導体の酸化物の薄膜、Ｓｉ、Ｇｅ，Ａｌなどの金
属あるいは半導体の窒化物の薄膜、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、
Ｓｉなどの金属あるいは半導体の炭化物の薄膜、Ｚｎ
Ｓ、Ｉｎ2Ｓ3、ＴａＳ4、ＧｅＳ2等の金属あるいは半導
体の硫化物の薄膜、及びこれらの化合物の２種類以上の
混合物の膜が、耐熱性が高く、化学的に安定なことから
好ましい。さらに、記録層３への第１、第２誘電体層
２，４を構成する原子の拡散がないものが好ましい。こ
れらの酸化物、硫化物、窒化物、炭化物は必ずしも化学
量論的組成をとる必要はなく、屈折率等の制御のために
組成を制御したり、混合して用いることも有効である。
録時に前記した透明基板１、記録層３などがレーザビー
ムの照射熱によって変形し、記録特性が劣化することを
防止するなど、透明基板１、記録層３を熱から保護する
効果、光学的な干渉効果により、再生時の信号コントラ
ストを改善する効果がある。さらに、記録層３の結晶化
を促進して、消去率を向上する効果もある。この第１、
第２誘電体層２，４としては、ＺｎＳ，ＳｉＯ2 、窒化
シリコン、酸化アルミニウムなどの無機薄膜がある。特
にＳｉ，Ｇｅ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｔａなどの金属ある
いは半導体の酸化物の薄膜、Ｓｉ、Ｇｅ，Ａｌなどの金
属あるいは半導体の窒化物の薄膜、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、
Ｓｉなどの金属あるいは半導体の炭化物の薄膜、Ｚｎ
Ｓ、Ｉｎ2Ｓ3、ＴａＳ4、ＧｅＳ2等の金属あるいは半導
体の硫化物の薄膜、及びこれらの化合物の２種類以上の
混合物の膜が、耐熱性が高く、化学的に安定なことから
好ましい。さらに、記録層３への第１、第２誘電体層
２，４を構成する原子の拡散がないものが好ましい。こ
れらの酸化物、硫化物、窒化物、炭化物は必ずしも化学
量論的組成をとる必要はなく、屈折率等の制御のために
組成を制御したり、混合して用いることも有効である。
【００１２】また、これらにＭｇＦ2などのフッ化物を
混合してなる第１、第２誘電体層２，４も、膜（層）の
残留応力が小さいことから好ましい。特にＺｎＳとＳｉ
Ｏ2の混合膜は、記録、消去の繰り返しによっても、記
録感度、Ｃ／Ｎ、消去率などの劣化が起きにくいことか
ら好ましい。第１、第２誘電体層２，４の厚さは、およ
そ１０〜５００ｎｍである。第１誘電体層２は、透明基
板１や記録層３から剥離し難く、クラックなどの欠陥が
生じ難いことから、８０〜３００ｎｍが好ましい。また
第２誘電体層４は、Ｃ／Ｎ、消去率などの記録特性、安
定に多数回の書換が可能なことから１０〜５０ｎｍが好
ましい。第１誘電体層２と第２誘電体層４は、同一では
なく異なる化合物から構成されてもよい。
混合してなる第１、第２誘電体層２，４も、膜（層）の
残留応力が小さいことから好ましい。特にＺｎＳとＳｉ
Ｏ2の混合膜は、記録、消去の繰り返しによっても、記
録感度、Ｃ／Ｎ、消去率などの劣化が起きにくいことか
ら好ましい。第１、第２誘電体層２，４の厚さは、およ
そ１０〜５００ｎｍである。第１誘電体層２は、透明基
板１や記録層３から剥離し難く、クラックなどの欠陥が
生じ難いことから、８０〜３００ｎｍが好ましい。また
第２誘電体層４は、Ｃ／Ｎ、消去率などの記録特性、安
定に多数回の書換が可能なことから１０〜５０ｎｍが好
ましい。第１誘電体層２と第２誘電体層４は、同一では
なく異なる化合物から構成されてもよい。
【００１３】前記した記録層３の厚さとしては、特に限
定するものではないが、１０〜１００ｎｍである。特に
記録、消去感度が高く、多数回の記録消去が可能である
ことから１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下とすることが好まし
い。
定するものではないが、１０〜１００ｎｍである。特に
記録、消去感度が高く、多数回の記録消去が可能である
ことから１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下とすることが好まし
い。
【００１４】前記した反射層５の材質としては、光反射
性を有するＡｌ、Ａｕ，Ａｇなどの金属、及びこれらを
主成分とし、Ｔｉなどの添加元素を含む合金及びＡｌ，
Ａｕ、Ａｇなどの金属にＡｌ、Ｓｉなどの金属窒化物、
金属酸化物、金属カルコゲン化物などの金属化合物を混
合したものなどがあげられる。Ａｌ、Ａｕ、Ａｇなどの
金属、及びこれらを主成分とする合金は、光反射性が高
く、かつ熱伝導率を高くできることから好ましい。
性を有するＡｌ、Ａｕ，Ａｇなどの金属、及びこれらを
主成分とし、Ｔｉなどの添加元素を含む合金及びＡｌ，
Ａｕ、Ａｇなどの金属にＡｌ、Ｓｉなどの金属窒化物、
金属酸化物、金属カルコゲン化物などの金属化合物を混
合したものなどがあげられる。Ａｌ、Ａｕ、Ａｇなどの
金属、及びこれらを主成分とする合金は、光反射性が高
く、かつ熱伝導率を高くできることから好ましい。
【００１５】前述の合金の例として、ＡｌにＳｉ、Ｍ
ｇ、Ｃｕ，Ｐｄ、Ｔｉ、Ｃｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｎｂ、Ｍ
ｎ，Ｐｄ，Ｚｒなどの少なくとも１種の元素を合計で５
原子％以下、１原子％以上加えたもの、あるいは、Ａｕ
にＣｒ，Ａｇ、Ｃｕ，Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉなどの少なくと
も１種の元素を合計で２０原子％以下１原子％以上加え
たものなどがある。とりわけ、耐腐食性が良好でかつ繰
り返し性能がのびることから、反射層を添加元素を合計
で０．５原子％以上３原子％未満含む、Ａｌ−Ｃｒ合
金、Ａｌ−Ｔｉ合金、Ａｌ−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｚｒ合
金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｎ合金のい
ずれかのＡｌを主成分とする合金で構成することが好ま
しい。
ｇ、Ｃｕ，Ｐｄ、Ｔｉ、Ｃｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｎｂ、Ｍ
ｎ，Ｐｄ，Ｚｒなどの少なくとも１種の元素を合計で５
原子％以下、１原子％以上加えたもの、あるいは、Ａｕ
にＣｒ，Ａｇ、Ｃｕ，Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉなどの少なくと
も１種の元素を合計で２０原子％以下１原子％以上加え
たものなどがある。とりわけ、耐腐食性が良好でかつ繰
り返し性能がのびることから、反射層を添加元素を合計
で０．５原子％以上３原子％未満含む、Ａｌ−Ｃｒ合
金、Ａｌ−Ｔｉ合金、Ａｌ−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｚｒ合
金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｎ合金のい
ずれかのＡｌを主成分とする合金で構成することが好ま
しい。
【００１６】前記した反射層５の厚さとしては、おおむ
ね１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。特に、記録感度
が高く、高速でシングルビーム・オーバーライトが可能
であり、かつ消去率が大きく消去特性が良好であること
から、次のごとく、本発明の光情報記録媒体１０の主要
部を構成することが好ましい。
ね１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。特に、記録感度
が高く、高速でシングルビーム・オーバーライトが可能
であり、かつ消去率が大きく消去特性が良好であること
から、次のごとく、本発明の光情報記録媒体１０の主要
部を構成することが好ましい。
【００１７】前記した基板１の材料としては、透明な各
種の合成樹脂、透明ガラスなどが使用できる。ほこり、
基板の傷などの影響をさけるために、透明基板を用い、
集束した光ビーム（レーザビーム）で基板側から前記し
た記録層への記録を行なうことが好ましい。この様な透
明基板材料としては、ガラス、ポリカーボネイト、ポリ
メチル・メタクリレート、ポリオレフィン樹脂、エポキ
シ樹脂、ポリイミド樹脂などがあげられる。特に、光学
的複屈折が小さく、吸湿性が小さく、成形が容易である
ことからポリカーボネイト樹脂が好ましい。
種の合成樹脂、透明ガラスなどが使用できる。ほこり、
基板の傷などの影響をさけるために、透明基板を用い、
集束した光ビーム（レーザビーム）で基板側から前記し
た記録層への記録を行なうことが好ましい。この様な透
明基板材料としては、ガラス、ポリカーボネイト、ポリ
メチル・メタクリレート、ポリオレフィン樹脂、エポキ
シ樹脂、ポリイミド樹脂などがあげられる。特に、光学
的複屈折が小さく、吸湿性が小さく、成形が容易である
ことからポリカーボネイト樹脂が好ましい。
【００１８】さらに記録密度を向上するため、こうした
透明基板上に積層媒体を設け極薄い板厚の透光性基板を
通して、いわゆる表読みを行ってもよく、この場合には
光ビームは基板を通過しないので不透明な基板を用いる
ことが可能となる。基板の厚さは特に限定するものでは
ないが、０．０１ｍｍ〜５ｍｍが実用的である。０．０
１ｍｍ未満では、基板側から集束した光ビ−ムで記録す
る場合でも、ごみの影響を受け易くなり、５ｍｍ以上で
は、対物レンズの開口数を大きくすることが困難にな
り、照射光ビームスポットサイズが大きくなるため、記
録密度をあげることが困難になる。
透明基板上に積層媒体を設け極薄い板厚の透光性基板を
通して、いわゆる表読みを行ってもよく、この場合には
光ビームは基板を通過しないので不透明な基板を用いる
ことが可能となる。基板の厚さは特に限定するものでは
ないが、０．０１ｍｍ〜５ｍｍが実用的である。０．０
１ｍｍ未満では、基板側から集束した光ビ−ムで記録す
る場合でも、ごみの影響を受け易くなり、５ｍｍ以上で
は、対物レンズの開口数を大きくすることが困難にな
り、照射光ビームスポットサイズが大きくなるため、記
録密度をあげることが困難になる。
【００１９】基板１はフレキシブルなものであっても良
いし、リジッドなものであっても良い。フレキシブルな
基板は、テープ状、シート状、カ−ド状で使用する。リ
ジッドな基板は、カード状、あるいはディスク状で使用
する。また、これらの基板は、記録層などを形成した
後、２枚の基板を用いて、エアーサンドイッチ構造、エ
アーインシデント構造、密着貼り合せ構造としてもよ
い。
いし、リジッドなものであっても良い。フレキシブルな
基板は、テープ状、シート状、カ−ド状で使用する。リ
ジッドな基板は、カード状、あるいはディスク状で使用
する。また、これらの基板は、記録層などを形成した
後、２枚の基板を用いて、エアーサンドイッチ構造、エ
アーインシデント構造、密着貼り合せ構造としてもよ
い。
【００２０】本発明の光情報記録媒体１０の記録に用い
る光源としては、レーザ光（レーザビーム）を用いるこ
とが好ましく、主に近赤外域の波長８３０ｎｍから紫外
域の３００ｎｍの範囲にあるレーザ光である。１次光を
２次高調波発生素子（ＳＨＧ素子）を用いて短波長化し
た光源を利用することもできる。
る光源としては、レーザ光（レーザビーム）を用いるこ
とが好ましく、主に近赤外域の波長８３０ｎｍから紫外
域の３００ｎｍの範囲にあるレーザ光である。１次光を
２次高調波発生素子（ＳＨＧ素子）を用いて短波長化し
た光源を利用することもできる。
【００２１】本発明の光情報記録媒体１０への記録は結
晶状態の記録層にレーザ光パルスなどを照射して加熱し
てから急冷した後にアモルファスの記録マークを形成し
て行う。実用的には、結晶化を引き起こす低エネルギー
の消去パワーの上に重畳した記録ピークパワーを記録層
に投入することにより消去過程を経ることなくすでに記
録された記録マーク上にオーバーライトする。このとき
記録レーザパルスは、記録マーク長より短い複数のパル
スに分割される。分割パルスパターンの例を図３に示
す。
晶状態の記録層にレーザ光パルスなどを照射して加熱し
てから急冷した後にアモルファスの記録マークを形成し
て行う。実用的には、結晶化を引き起こす低エネルギー
の消去パワーの上に重畳した記録ピークパワーを記録層
に投入することにより消去過程を経ることなくすでに記
録された記録マーク上にオーバーライトする。このとき
記録レーザパルスは、記録マーク長より短い複数のパル
スに分割される。分割パルスパターンの例を図３に示
す。
【００２２】以下に本発明の実施例を示すが、本発明は
以下の実施例に限定されるものではない。なお、以下の
実施例１，２及び比較例１，２では、それぞれ波長６３
５ｎｍのレーザダイオード、開口数ＮＡ＝０．６０の光
学レンズ（対物レンズ）を搭載したパルステック社製光
ディスクドライブテスタ（ＤＤＵ１０００）を用いて記
録（１ビーム・オーバーライト）を行った。再生光パワ
ーＰrは０．７ｍＷで線速によらず一定とした。初期化
装置はシバソク社製イニシャライザ（ＬＫ２０１Ａ）を
使用した。
以下の実施例に限定されるものではない。なお、以下の
実施例１，２及び比較例１，２では、それぞれ波長６３
５ｎｍのレーザダイオード、開口数ＮＡ＝０．６０の光
学レンズ（対物レンズ）を搭載したパルステック社製光
ディスクドライブテスタ（ＤＤＵ１０００）を用いて記
録（１ビーム・オーバーライト）を行った。再生光パワ
ーＰrは０．７ｍＷで線速によらず一定とした。初期化
装置はシバソク社製イニシャライザ（ＬＫ２０１Ａ）を
使用した。
【００２３】
【実施例１】図４の如く、レーザービームスポット径
（a）１２０μmのイニシャライザで初期化条件を線速度
３ｍ／ｓ、送りピッチ（b）３６μm、レーザー出力５０
０ｍＷとして初期化を行い、線速度３．５ｍ／ｓでＰ１
＝１２ｍＷ、Ｐ２＝８ｍＷ、Ｐ３＝０．５ｍＷ、Ｐ４＝
０．５ｍＷで８−１６変調ランダムパターンを図３に示
すストラテジでＴ１＝０．５Ｔ、Ｔ２＝０．３Ｔ、Ｔ３
＝０．７Ｔ、Ｔ４＝０．６Ｔでグルーブに記録し、再生
信号の振幅の中心でスライスしてクロック・トゥー・デ
ータ・ジッタ（clock to data jitter）を測定した。イ
ニシャルのＬＥは７．３％、ＴＥは７．１％であり、良
好な信号を記録することができた。また、初期化後、記
録前の光ディスクの反射率レベル変動を記録再生装置で
モニターした。この時の反射率変動レベルが全反射率に
対して10％以内であることを確認した。（図５）
（a）１２０μmのイニシャライザで初期化条件を線速度
３ｍ／ｓ、送りピッチ（b）３６μm、レーザー出力５０
０ｍＷとして初期化を行い、線速度３．５ｍ／ｓでＰ１
＝１２ｍＷ、Ｐ２＝８ｍＷ、Ｐ３＝０．５ｍＷ、Ｐ４＝
０．５ｍＷで８−１６変調ランダムパターンを図３に示
すストラテジでＴ１＝０．５Ｔ、Ｔ２＝０．３Ｔ、Ｔ３
＝０．７Ｔ、Ｔ４＝０．６Ｔでグルーブに記録し、再生
信号の振幅の中心でスライスしてクロック・トゥー・デ
ータ・ジッタ（clock to data jitter）を測定した。イ
ニシャルのＬＥは７．３％、ＴＥは７．１％であり、良
好な信号を記録することができた。また、初期化後、記
録前の光ディスクの反射率レベル変動を記録再生装置で
モニターした。この時の反射率変動レベルが全反射率に
対して10％以内であることを確認した。（図５）
【００２４】
【実施例２】レーザービームスポット径（a）２１０μm
のイニシャライザで初期化条件を線速度３ｍ／ｓ、送り
ピッチ（b）１０μm、レーザー出力６６０ｍＷとして初
期化を行い、線速度３．５ｍ／ｓでＰ１＝１１ｍＷ、Ｐ
２＝８ｍＷ、Ｐ３＝０．５ｍＷ、Ｐ４＝０．５ｍＷで８
−１６変調ランダムパターンを図３に示すストラテジで
Ｔ１＝０．５Ｔ、Ｔ２＝０．３Ｔ、Ｔ３＝０．７Ｔ、Ｔ
４＝０．６Ｔでグルーブに記録し、再生信号の振幅の中
心でスライスしてクロック・トゥー・データ・ジッタ
（clock to data jitter）を測定した。イニシャルのＬ
Ｅは７．２％、ＴＥは７．４％であり、良好な信号を記
録することができた。また、初期化後、記録前の光ディ
スクの反射率レベル変動を記録再生装置でモニターし
た。この時の反射率変動レベルは全反射率に対して約７
％以内であった。（図５）
のイニシャライザで初期化条件を線速度３ｍ／ｓ、送り
ピッチ（b）１０μm、レーザー出力６６０ｍＷとして初
期化を行い、線速度３．５ｍ／ｓでＰ１＝１１ｍＷ、Ｐ
２＝８ｍＷ、Ｐ３＝０．５ｍＷ、Ｐ４＝０．５ｍＷで８
−１６変調ランダムパターンを図３に示すストラテジで
Ｔ１＝０．５Ｔ、Ｔ２＝０．３Ｔ、Ｔ３＝０．７Ｔ、Ｔ
４＝０．６Ｔでグルーブに記録し、再生信号の振幅の中
心でスライスしてクロック・トゥー・データ・ジッタ
（clock to data jitter）を測定した。イニシャルのＬ
Ｅは７．２％、ＴＥは７．４％であり、良好な信号を記
録することができた。また、初期化後、記録前の光ディ
スクの反射率レベル変動を記録再生装置でモニターし
た。この時の反射率変動レベルは全反射率に対して約７
％以内であった。（図５）
【００２５】
【比較例１】レーザービームスポット径（a）１２０μm
のイニシャライザで初期化条件を線速度３ｍ／ｓ、送り
ピッチ（b）７０μm、レーザー出力６００ｍＷとして初
期化を行い、線速度３．５ｍ／ｓでＰ１＝１５ｍＷ、Ｐ
２＝９ｍＷ、Ｐ３＝０．５ｍＷ、Ｐ４＝０．５ｍＷで８
−１６変調ランダムパターンを図３に示すストラテジで
Ｔ１＝０．５Ｔ、Ｔ２＝０．３Ｔ、Ｔ３＝０．７Ｔ、Ｔ
４＝０．６Ｔでグルーブに記録し、再生信号の振幅の中
心でスライスしてクロック・トゥー・データ・ジッタ
（clock to data jitter）を測定した。イニシャルのＬ
Ｅは８．７％、ＴＥは８．９％であった。また、初期化
後、記録前の光ディスクの反射率レベル変動を記録再生
装置でモニターした。この時の反射率変動レベルは全反
射率に対して約１４％であった。
のイニシャライザで初期化条件を線速度３ｍ／ｓ、送り
ピッチ（b）７０μm、レーザー出力６００ｍＷとして初
期化を行い、線速度３．５ｍ／ｓでＰ１＝１５ｍＷ、Ｐ
２＝９ｍＷ、Ｐ３＝０．５ｍＷ、Ｐ４＝０．５ｍＷで８
−１６変調ランダムパターンを図３に示すストラテジで
Ｔ１＝０．５Ｔ、Ｔ２＝０．３Ｔ、Ｔ３＝０．７Ｔ、Ｔ
４＝０．６Ｔでグルーブに記録し、再生信号の振幅の中
心でスライスしてクロック・トゥー・データ・ジッタ
（clock to data jitter）を測定した。イニシャルのＬ
Ｅは８．７％、ＴＥは８．９％であった。また、初期化
後、記録前の光ディスクの反射率レベル変動を記録再生
装置でモニターした。この時の反射率変動レベルは全反
射率に対して約１４％であった。
【００２６】
【比較例２】レーザービームスポット径（a）２１０μm
のイニシャライザで初期化条件を線速度３ｍ／ｓ、送り
ピッチ（b）１２０μm、レーザー出力９００ｍＷとして
初期化を行い、線速度３．５ｍ／ｓでＰ１＝１５ｍＷ、
Ｐ２＝９ｍＷ、Ｐ３＝０．５ｍＷ、Ｐ４＝０．５ｍＷで
８−１６変調ランダムパターンを図３に示すストラテジ
でＴ１＝０．５Ｔ、Ｔ２＝０．３Ｔ、Ｔ３＝０．７Ｔ、
Ｔ４＝０．６Ｔでグルーブに記録し、再生信号の振幅の
中心でスライスしてクロック・トゥー・データ・ジッタ
（clock to data jitter）を測定した。イニシャルのＬ
Ｅは９．２％、ＴＥは８．８％であった。また、初期化
後、記録前の光ディスクの反射率レベル変動を記録再生
装置でモニターした。この時の反射率変動レベルは全反
射率に対して約１５％であった。
のイニシャライザで初期化条件を線速度３ｍ／ｓ、送り
ピッチ（b）１２０μm、レーザー出力９００ｍＷとして
初期化を行い、線速度３．５ｍ／ｓでＰ１＝１５ｍＷ、
Ｐ２＝９ｍＷ、Ｐ３＝０．５ｍＷ、Ｐ４＝０．５ｍＷで
８−１６変調ランダムパターンを図３に示すストラテジ
でＴ１＝０．５Ｔ、Ｔ２＝０．３Ｔ、Ｔ３＝０．７Ｔ、
Ｔ４＝０．６Ｔでグルーブに記録し、再生信号の振幅の
中心でスライスしてクロック・トゥー・データ・ジッタ
（clock to data jitter）を測定した。イニシャルのＬ
Ｅは９．２％、ＴＥは８．８％であった。また、初期化
後、記録前の光ディスクの反射率レベル変動を記録再生
装置でモニターした。この時の反射率変動レベルは全反
射率に対して約１５％であった。
【００２７】
【発明の効果】本発明は、書き換え型光情報記録媒体を
初期化するにあたり、初期化用ビームスポット径をａ、
初期化するディスクの１回転あたりの送りピッチをｂと
した場合、ａ＞2ｂとしてそれを行うようにしたこと
で、光ディスクの結晶化をさらに均一化し、反射率変動
を激減させることが出来る。それにより良好な信号の記
録が可能となる。
初期化するにあたり、初期化用ビームスポット径をａ、
初期化するディスクの１回転あたりの送りピッチをｂと
した場合、ａ＞2ｂとしてそれを行うようにしたこと
で、光ディスクの結晶化をさらに均一化し、反射率変動
を激減させることが出来る。それにより良好な信号の記
録が可能となる。
【図１】本発明になる光情報記録媒体の層構成を示す模
式的断面図である。
式的断面図である。
【図２】本発明になる光情報記録媒体の層構成を示す模
式的断面図である。
式的断面図である。
【図３】本発明になる光情報記録媒体に記録するレーザ
ビームの波形を説明するための図である。
ビームの波形を説明するための図である。
【図４】本発明の初期化の様子を説明するための図であ
る。
る。
【図５】本発明の初期化後の反射率変動を示す図であ
る。
る。
Ｔ クロック周期 Ｔ１〜Ｔ４ パルス周期 Ａ ビームスポット ａ ビームスポット径 ｂ ディスク１回転あたりの送りピッチ
Claims (2)
- 【請求項１】書き換え型光情報記録媒体を初期化するに
あたり、初期化用ビームスポット径をａ、初期化するデ
ィスクの１回転あたりの送りピッチをｂとした場合、ａ
＞2ｂとしてそれを行うようにしたことを特徴とする光
情報記録媒体の初期化方法。 - 【請求項２】基板上に記録層を有し、光の照射により前
記記録層を構成する原子の配列が変化して情報の記録お
よび消去が行われる光情報記録媒体であって、前記記録
層は、少なくともテルル、アンチモンを含有する合金か
らなり、記録前のディスクの反射率変動幅が平均反射率
に対して10％以下であることを特徴とする光情報記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11139806A JP2000331346A (ja) | 1999-05-20 | 1999-05-20 | 光情報記録媒体の初期化方法及び初期化済み光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11139806A JP2000331346A (ja) | 1999-05-20 | 1999-05-20 | 光情報記録媒体の初期化方法及び初期化済み光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000331346A true JP2000331346A (ja) | 2000-11-30 |
Family
ID=15253882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11139806A Pending JP2000331346A (ja) | 1999-05-20 | 1999-05-20 | 光情報記録媒体の初期化方法及び初期化済み光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000331346A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003010764A1 (fr) * | 2001-07-27 | 2003-02-06 | Tdk Corporation | Procede d'inspection d'un support d'enregistrement optique |
-
1999
- 1999-05-20 JP JP11139806A patent/JP2000331346A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003010764A1 (fr) * | 2001-07-27 | 2003-02-06 | Tdk Corporation | Procede d'inspection d'un support d'enregistrement optique |
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