JP2000331335A - Apparatus for production of magnetic recording medium - Google Patents
Apparatus for production of magnetic recording mediumInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体の製
造装置に関する。そして、この発明は、ドロップアウト
が少なく、スチル特性を向上させることができ、信頼性
に優れた磁気記録媒体が得られる磁気記録媒体の製造装
置を提供することを目的としている。The present invention relates to an apparatus for manufacturing a magnetic recording medium. It is another object of the present invention to provide a magnetic recording medium manufacturing apparatus capable of obtaining a magnetic recording medium with reduced dropout, improved still characteristics, and excellent reliability.
【０００２】[0002]
【従来の技術】磁気テ−プの記録密度は近年急速に高密
度化が図られている。この過程で、磁気テ−プは高抗磁
力、高磁束密度を有する酸化鉄テープ、メタルテ−プ、
及び薄膜テ−プへと高性能なものに移行している。この
磁気テ−プの応用として、ＶＴＲ分野では今後、デジタ
ル化、高精細化を達成するために、特に薄膜テ−プが注
目されている。2. Description of the Related Art The recording density of a magnetic tape has been rapidly increased in recent years. In this process, the magnetic tape is made of iron oxide tape, metal tape, which has high coercive force and high magnetic flux density.
And to high performance thin film tapes. As an application of this magnetic tape, in the field of VTRs, in order to achieve digitization and high definition, a thin film tape is particularly attracting attention.
【０００３】この薄膜テ−プとしては磁性膜が斜方蒸着
法により形成された、いわゆる蒸着テープが実用化され
ている。これは、具体的には真空中でピアス型電子銃を
用いて、電子ビームをルツボ中のＣｏ，ＣｏＮｉなどの
磁性材料に照射して、これらの材料を溶融、蒸発させ、
酸素を導入しながら、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレ
ート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＩ
（ポリイミド）、ＰＡ（アラミド）などのベースフィル
ム（非磁性基板）上にＣｏＯ、ＣｏＮｉＯよりなる薄膜
が形成される。As this thin film tape, a so-called evaporation tape in which a magnetic film is formed by an oblique evaporation method has been put to practical use. Specifically, a magnetic material such as Co or CoNi in a crucible is irradiated with an electron beam using a pierce-type electron gun in a vacuum to melt and evaporate these materials.
While introducing oxygen, PET (polyethylene terephthalate), PEN (polyethylene naphthalate), PI
A thin film made of CoO or CoNiO is formed on a base film (nonmagnetic substrate) such as (polyimide) or PA (aramid).
【０００４】次に、磁気テープの耐久性、耐蝕性を向上
させるために磁性膜の上に保護膜が形成される。保護膜
としてはＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）が多く
利用されている。これは硬度が大きく、摩擦係数が低い
ため記録再生時のヘッドとの摺動時における耐摩耗性に
効果を発揮する。また、ＤＬＣ膜は１００オングストロ
ーム程度の薄い膜でも緻密で、磁性膜表面にムラなく均
一に成膜することができるため、磁気記録媒体の出力低
下の一原因となるスペーシングロスを低減できる。また
磁性膜単独では酸化しやすいため、ＤＬＣ保護膜により
酸化を防止し、耐蝕性を向上させることができる。耐摩
耗性、耐蝕性は保護膜の上に形成するフッ素系潤滑剤と
の相互作用により更に向上する。Next, a protective film is formed on the magnetic film in order to improve the durability and corrosion resistance of the magnetic tape. DLC (diamond-like carbon) is often used as a protective film. This is effective in abrasion resistance when sliding with the head at the time of recording and reproduction because of high hardness and low coefficient of friction. In addition, the DLC film can be formed densely and uniformly on the surface of the magnetic film even if the DLC film is as thin as about 100 angstroms, so that a spacing loss which causes a decrease in output of the magnetic recording medium can be reduced. Further, since the magnetic film alone is easily oxidized, the oxidation can be prevented by the DLC protective film, and the corrosion resistance can be improved. Abrasion resistance and corrosion resistance are further improved by interaction with a fluorine-based lubricant formed on the protective film.
【０００５】ＤＬＣ膜は一般的にスパッタ法、ＣＶＤ法
などにより形成される。一般的な保護膜成膜装置を図２
に示す。真空槽１内に、巻出しロール２、巻取りロール
３、ガイドロール４、５及び冷却キャンロール７が配置
されており、これらのロール間に磁性膜が形成されたフ
ィルム６が巻き回され、巻出しロール２から巻取りロー
ル３に至るまで図中矢印方向に走行する。冷却キャンロ
ール７の内部には、冷却装置が配置され、上記フィルム
６の磁性膜上への保護膜形成時の温度上昇によるフィル
ム６の熱変形等を防止している。The DLC film is generally formed by a sputtering method, a CVD method, or the like. Figure 2 shows a general protective film deposition system.
Shown in An unwinding roll 2, a take-up roll 3, guide rolls 4, 5 and a cooling can roll 7 are arranged in a vacuum chamber 1, and a film 6 on which a magnetic film is formed is wound between these rolls. It travels from the unwinding roll 2 to the winding roll 3 in the direction of the arrow in the figure. A cooling device is disposed inside the cooling can roll 7 to prevent a thermal deformation of the film 6 due to a rise in temperature when a protective film is formed on the magnetic film of the film 6.
【０００６】スパッタ法では、カーボンターゲット８は
スパッタ用電源９に接続されている。このスパッタ用電
源９はＤＣ、ＡＣ、ＲＦあるいはそれらの重畳である。
ＡＣ、ＲＦ電源を用いる場合は電源９とターゲット８と
の間に整合器１０を設置する。１１はガス導入口で、Ar
ガスを導入してプラズマを形成し、カーボンターゲット
８をスパッタすることによりＤＬＣ膜を形成する。この
際に、Ｎ2、Ｈ2などの添加ガスを導入して、膜質を改善
する方法も考案されている。In the sputtering method, the carbon target 8 is connected to a power supply 9 for sputtering. The power source 9 for sputtering is DC, AC, RF, or a superposition thereof.
When using an AC or RF power supply, a matching device 10 is provided between the power supply 9 and the target 8. 11 is a gas inlet, and Ar
A plasma is formed by introducing a gas, and a DLC film is formed by sputtering the carbon target 8. At this time, a method of improving the film quality by introducing an additional gas such as N 2 or H 2 has been devised.
【０００７】また、ＣＶＤ法では、図２のカーボンター
ゲット８がプラズマ発生用電極に相当する。プラズマ発
生用電極８はプラズマ用電源９に接続されている。この
プラズマ用電源９はＤＣ、ＡＣ、ＲＦあるいはそれらの
重畳である。ＡＣ，ＲＦ電源を用いる場合は電源９と電
極８間に整合器１０を設置する。In the CVD method, the carbon target 8 shown in FIG. 2 corresponds to a plasma generating electrode. The plasma generating electrode 8 is connected to a plasma power source 9. This plasma power source 9 is DC, AC, RF or a superposition thereof. When an AC or RF power supply is used, a matching device 10 is provided between the power supply 9 and the electrode 8.
【０００８】ガス導入口１１より、メタン、アセチレ
ン、エチレン、ベンゼン、トルエン、キシレンなどのＣ
Ｈ系のガスを導入し、電極にＤＣ、ＡＣ、ＲＦ電圧を印
加してプラズマを形成し、導入ガスをプラズマのエネル
ギーにより一度分解し、カーボンを基板上で再結合させ
ることによりＤＬＣ膜を形成する。この際に、Ｎ2、Ｈ2
などの添加ガスを導入して、膜質を改善する方法も考案
されている。[0008] From the gas inlet 11, C such as methane, acetylene, ethylene, benzene, toluene, xylene
A H-based gas is introduced, DC, AC, and RF voltages are applied to the electrodes to form plasma, the introduced gas is once decomposed by the energy of the plasma, and the DLC film is formed by recombining the carbon on the substrate. I do. At this time, N 2 , H 2
A method of improving the film quality by introducing an additive gas such as the above has also been devised.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スパッ
タ法では、成膜速度を上げるに従い、ＤＬＣ膜への０．
１μｍ〜１ｍｍ程度の微粒子の付着が目立つてくる。こ
れは、磁性膜上にＤＬＣ膜が形成される際に、磁性面以
外に付着したＤＬＣ膜やカーボン膜（スス）が剥離し、
細かい粒子となりプラズマ中に浮遊しており、これが磁
性面に付着しものや、スパッターの異常放電時にカーボ
ンターゲット面に局所的に大電流が流れ、ターゲットを
破損した際に生じたカーボン微粒子が磁性面に付着した
ものである。However, in the sputtering method, as the film forming speed is increased, the amount of the DLC film is reduced to 0.1%.
The attachment of fine particles of about 1 μm to 1 mm becomes conspicuous. This is because when the DLC film is formed on the magnetic film, the DLC film or carbon film (soot) attached to other than the magnetic surface is peeled off,
Fine particles are suspended in the plasma, which are attached to the magnetic surface, and a large current flows locally on the carbon target surface during abnormal discharge of spatter, and the carbon fine particles generated when the target is damaged are removed from the magnetic surface. Is attached to
【００１０】ＣＶＤ法の場合もスパッター法と同様に、
成膜速度を上げるに従い、ＤＬＣ膜への微粒子の付着が
目立ってくる。これはスパッタ法と同様に磁性面以外に
付着したＤＬＣ膜やカーボン膜（スス）やＣＨ系高分子
が剥離し、細かい粒子となりプラズマ中に浮遊してお
り、これが磁性面に付着しものや、ＣＶＤの異常放電時
に局所的に大電流が流れ、導入ガスの分解、反応が正常
に進行せず、ＤＬＣ膜ではなく、グラファイなどの中間
体微粒子やCH系高分子の微粒子が生成し、これが磁性面
に付着したものである。さらには、異常放電により電極
等に付着したカーボン膜が剥離してカーボン粒子が発生
し、磁性面に付着したものなどである。以下これらの微
粒子を総称してカーボンダストと呼ぶ。In the case of the CVD method, similarly to the sputtering method,
As the film formation rate is increased, the attachment of the fine particles to the DLC film becomes conspicuous. This is because, like the sputtering method, the DLC film, carbon film (soot) and CH polymer adhered to the surface other than the magnetic surface are peeled off, and fine particles are suspended in the plasma. During the abnormal discharge of CVD, a large current flows locally, the decomposition of the introduced gas and the reaction do not proceed normally, and intermediate particles such as graphite and fine particles of CH polymer are generated instead of DLC film, which is magnetic. It has adhered to the surface. Further, the carbon film adhered to an electrode or the like is peeled off due to abnormal discharge to generate carbon particles, and the carbon film adheres to a magnetic surface. Hereinafter, these fine particles are collectively referred to as carbon dust.
【００１１】磁性膜、ＤＬＣ膜が形成されたフィルム６
のＤＬＣ膜表面にカーボンダストが付着した状態でフィ
ルム６（テープ原反）が巻き取りロール３に巻かれる
と、カーボンダストがテープ原反間に挟まれ、ＤＬＣ面
の表面に凹凸が形成される。これにより磁気テープの表
面粗さが粗くなると、磁気ヘッドとこの磁気テープのス
ペーシングが大きくなり、記録再生時の出力が低下す
る。さらには、磁気ヘッドとの摺動によりＤＬＣ膜や磁
性膜は剥離しやすくなり、剥離物のヘッドへの付着によ
りスペーシングが増加して、出力が低下したり、スチル
特性が劣化する。またドロップアウトも増加する。Film 6 on which magnetic film and DLC film are formed
When the film 6 (raw tape) is wound around the take-up roll 3 with carbon dust attached to the surface of the DLC film, the carbon dust is sandwiched between the raw tapes, and irregularities are formed on the surface of the DLC surface. . As a result, when the surface roughness of the magnetic tape becomes coarse, the spacing between the magnetic head and the magnetic tape increases, and the output during recording and reproduction decreases. Further, the DLC film and the magnetic film are easily peeled off by sliding with the magnetic head, the spacing increases due to the adhesion of the peeled matter to the head, the output is reduced, and the still characteristics are deteriorated. Dropout also increases.
【００１２】また、磁気テープ表面に付着しているカー
ボンダスト自身も磁気ヘッドとの摺動時に剥離し、上記
問題を引き起こすおそれがある。このため、ＤＬＣ膜を
形成したテープ原反を巻き取る前に、カーボンダストを
除去する必要がある。Further, the carbon dust itself adhering to the surface of the magnetic tape may peel off when sliding with the magnetic head, causing the above problem. For this reason, it is necessary to remove carbon dust before winding the tape raw material on which the DLC film is formed.
【００１３】この発明は、微粒子を効果的に除去でき、
ドロプアウトが少なく、スチル特性を向上させることが
でき、信頼性に優れた磁気記録媒体が得られる磁気記録
媒体の製造装置を提供することを目的としている。According to the present invention, fine particles can be effectively removed,
It is an object of the present invention to provide a magnetic recording medium manufacturing apparatus capable of improving the still characteristics with little dropout and obtaining a highly reliable magnetic recording medium.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】そこで、上記課題を解決
するために本発明は、 （１）強磁性金属薄膜が積層された非磁性基板を一定方
向に走行させつつキャンロールに巻き回して、スパッタ
法またはプラズマＣＶＤ法により前記強磁性金属薄膜上
に保護膜を形成し、その後巻取りロールに巻き取る磁気
記録媒体の製造装置において、前記キャンロールと前記
巻取りロールとの間の前記非磁性基板走行経路近傍で前
記保護膜側の位置に、微粒子除去装置としてプラズマ電
極及びイオンガンの内の少なくとも１つを設置したこと
を特徴とする磁気記録媒体の製造装置。 （２）強磁性金属薄膜が積層された非磁性基板を一定方
向に走行させつつキャンロールに巻き回して、スパッタ
法またはプラズマＣＶＤ法により前記強磁性金属薄膜上
に保護膜を形成し、その後巻取りロールに巻き取る磁気
記録媒体の製造装置において、前記キャンロールと前記
巻取りロールとの間の前記非磁性基板走行経路近傍で前
記保護膜とは反対側の位置に、微粒子除去装置として振
動板を設置したことを特徴とする磁気記録媒体の製造装
置。 （３）上記（１）記載の磁気記録媒体の製造装置におい
て、微粒子除去時にアルゴンガスと共に酸素及び水素の
内の少なくとも一方のガスを導入する微粒子除去用ガス
導入口を設けたことを特徴とする磁気記録媒体の製造装
置。の各装置を提供するものである。In order to solve the above problems, the present invention provides: (1) a non-magnetic substrate on which a ferromagnetic metal thin film is laminated is wound around a can roll while traveling in a certain direction; In a magnetic recording medium manufacturing apparatus in which a protective film is formed on the ferromagnetic metal thin film by a sputtering method or a plasma CVD method and then wound on a take-up roll, the non-magnetic layer between the can roll and the take-up roll An apparatus for manufacturing a magnetic recording medium, wherein at least one of a plasma electrode and an ion gun is provided as a particulate removing device near the substrate traveling path at a position on the protective film side. (2) A non-magnetic substrate on which a ferromagnetic metal thin film is laminated is wound around a can roll while traveling in a certain direction, and a protective film is formed on the ferromagnetic metal thin film by a sputtering method or a plasma CVD method. In the apparatus for manufacturing a magnetic recording medium to be wound around a take-up roll, a diaphragm is provided as a particulate removing device at a position near the non-magnetic substrate running path between the can roll and the take-up roll and opposite to the protective film. An apparatus for manufacturing a magnetic recording medium, comprising: (3) The apparatus for manufacturing a magnetic recording medium according to the above (1), further comprising a gas inlet for removing fine particles for introducing at least one of oxygen and hydrogen together with argon gas when removing fine particles. Equipment for manufacturing magnetic recording media. Are provided.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】上記の問題点を解消すべく種々検
討を重ねた結果、形成されたＤＬＣ膜表面に微粒子（カ
ーボンダスト）が付着したテープ原反が巻き取りロール
３に巻かれる前に、プラズマ、イオンビーム及び振動板
の内の少なくとも１つにより微粒子を除去することによ
り、良好な結果が得られることを見い出した。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS As a result of various investigations to solve the above problems, the tape raw material having fine particles (carbon dust) adhered to the surface of the formed DLC film before being wound on the take-up roll 3. It has been found that good results can be obtained by removing fine particles by at least one of plasma, ion beam and diaphragm.
【００１６】図１のように、キャンロール７と巻取りロ
ール３との間のフィルム６（テープ原反）が巻かれる前
のフィルム６走行系のＤＬＣ膜形成面側に第１の除去装
置１２を、ＤＬＣ膜形成面側とは反対側の面側に第２の
除去装置１３を設置する。第１の除去装置１２としては
プラズマ電極及びイオンガンの内の少なくとも１つであ
る。第２の除去装置１３としては振動板である。除去装
置１２，１３は必ずしも両方設ける必要はなく、どちら
か一方のみを設けてもよい。As shown in FIG. 1, a first removing device 12 is provided on the DLC film forming surface side of the running system of the film 6 before the film 6 (raw tape) is wound between the can roll 7 and the take-up roll 3. Is installed on the surface side opposite to the DLC film formation surface side. The first removing device 12 is at least one of a plasma electrode and an ion gun. The second removing device 13 is a diaphragm. It is not always necessary to provide both of the removing devices 12 and 13, and only one of them may be provided.
【００１７】カーボンダストはプラズマエネルギー、イ
オンビームエネルギー、振動エネルギーにより除去され
る。また、除去装置１２の動作時には、フィルム６の静
電気がイオンにより中和されるため、カーボンダストの
ＤＬＣ膜表面への付着力が弱まり、除去効果が高まる。
この結果、ＤＬＣ膜表面はカーボンダストがない状態と
なり、テープ原反が巻かれる。The carbon dust is removed by plasma energy, ion beam energy and vibration energy. Further, when the removing device 12 is operated, the static electricity of the film 6 is neutralized by the ions, so that the adhesion of the carbon dust to the surface of the DLC film is weakened, and the removing effect is enhanced.
As a result, the surface of the DLC film has no carbon dust, and the original tape is wound.
【００１８】除去装置１２（プラズマ電極、イオンガ
ン）と除去装置１３（振動板）とはそれぞれ単独で用い
てもよいが、これらを組み合わせて設置しても効果が向
上する。特に、除去装置１２とフィルム６をはさんで対
抗する位置に除去装置１３を設置して、フィルム６の両
面に同時に除去動作を行うことは効果的である。また、
除去装置１２をＤＬＣ膜形成面側だけでなくフィルム６
の両側に設置することにより、除去効果が向上する。
（振動板による除去装置１３の設置はＤＬＣ膜形成面側
とは反対側の面側のみである。）Although the removing device 12 (plasma electrode, ion gun) and the removing device 13 (vibrating plate) may be used alone, the effect is improved even if they are installed in combination. Particularly, it is effective to install the removing device 13 at a position where the removing device 12 and the film 6 are opposed to each other and perform the removing operation on both surfaces of the film 6 at the same time. Also,
The removal device 12 is used not only for the DLC film forming surface side but also for the film 6
The removal effect is improved by installing on both sides.
(Installation of the removing device 13 by the diaphragm is only on the surface side opposite to the DLC film forming surface side.)
【００１９】さらに、除去装置１２の除去動作時にプラ
ズマ生成用としてアルゴン以外に酸素、水素を導入し
て、カーボンダストを酸化または還元することにより、
カーボンダストのＤＬＣ膜表面への付着強度を低減で
き、カーボンダストの除去効果をより一層向上させるこ
とができる。Further, at the time of the removing operation of the removing device 12, oxygen and hydrogen other than argon are introduced for generating plasma to oxidize or reduce the carbon dust.
The adhesion strength of carbon dust to the surface of the DLC film can be reduced, and the effect of removing carbon dust can be further improved.
【００２０】以下に示す実施例により、本発明を具体的
に説明する。 ＜実施例１＞図１に示すスパッター法による装置では、
真空槽４１内に、巻出しロール２、巻取りロール３、ガ
イドロール４，５及び冷却キャンロール７が配置されて
おり、これらのロール間に磁性膜が形成されたフィルム
６が巻き回され、巻出しロール２から巻取りロール３に
至るまで図中矢印方向に走行する。冷却キャンロール７
の内部には、冷却装置が配置され、上記フィルム６の磁
性膜上への保護膜形成時の温度上昇によるフィルム６の
熱変形等を防止している。The present invention will be specifically described with reference to the following examples. <Embodiment 1> In the apparatus according to the sputtering method shown in FIG.
The unwinding roll 2, the winding roll 3, the guide rolls 4, 5 and the cooling can roll 7 are arranged in the vacuum chamber 41, and the film 6 on which the magnetic film is formed is wound between these rolls. It travels from the unwinding roll 2 to the winding roll 3 in the direction of the arrow in the figure. Cooling can roll 7
A cooling device is disposed in the inside of the substrate 6 to prevent a thermal deformation of the film 6 due to a rise in temperature when a protective film is formed on the magnetic film of the film 6.
【００２１】カーボンターゲット２１，２２，２３はス
パッタ用電源９に接続されている。このスパッタ用電源
９はＤＣ、ＡＣ、ＲＦあるいはそれらの重畳である。Ａ
Ｃ、ＲＦ電源を用いる場合は電源９とターゲット２１，
２２，２３との間に整合器１０を設置する。１１はガス
導入口で、Arガスを導入してプラズマを形成し、カーボ
ンターゲット８をスパッタすることによりＤＬＣ膜を形
成する。The carbon targets 21, 22, 23 are connected to a power supply 9 for sputtering. The power source 9 for sputtering is DC, AC, RF, or a superposition thereof. A
C, when an RF power supply is used, the power supply 9 and the target 21,
The matching device 10 is provided between the matching devices 22 and 23. Numeral 11 denotes a gas inlet, which forms a DLC film by introducing Ar gas to form plasma and sputtering the carbon target 8.
【００２２】図１のように、直径１０００ｍｍの冷却キ
ャンロール７を用いて、２００mmＸ５００mmの大きさの
カーボンターゲット２１、２２，２３を３カ所に設置し
て、スパッタ法によりＤＬＣ膜を形成した。ＤＬＣ膜を
形成するにはＡｒガスを導入して、ガス圧力を２mmTorr
として、６．４μｍPETフィルム上に、予め０．２μｍ
ＣｏＯ薄膜を形成したフイルムを走行させてＤＬＣ膜１
００オングストロームをＣｏＯ磁性膜の上に形成した。As shown in FIG. 1, using a cooling can roll 7 having a diameter of 1000 mm, carbon targets 21, 22, and 23 having a size of 200 mm × 500 mm were set at three places, and a DLC film was formed by a sputtering method. To form a DLC film, Ar gas is introduced and the gas pressure is set to 2 mmTorr.
0.2 μm in advance on a 6.4 μm PET film
The film on which the CoO thin film is formed is run to make the DLC film 1
00 angstrom was formed on the CoO magnetic film.
【００２３】成膜後にフィルム６（テープ原反）が巻き
取りロール３に巻き取られる前に（キャンロール７と巻
取りロール３との間のフィルム６走行系のＤＬＣ膜形成
面側に）除去装置１２としてプラズマ電極１２を設置
し、クリーニングガス導入口１５からＡｒガスを導入し
て、ガス圧力１０mmTorrで、プラズマ放電を発生させ、
カーボンダストを除去した。（実施例１では除去装置１
３は未設置）After film formation, the film 6 (raw tape) is removed before being taken up by the take-up roll 3 (on the side of the DLC film forming surface of the running system of the film 6 between the can roll 7 and the take-up roll 3). A plasma electrode 12 is installed as an apparatus 12, Ar gas is introduced from a cleaning gas inlet 15, and a plasma discharge is generated at a gas pressure of 10 mmTorr.
Carbon dust was removed. (In the first embodiment, the removing device 1
3 is not installed)
【００２４】磁性膜を形成していないベースフィルムの
裏面にバックコート層を形成し、ＤＬＣ面にフッ素系潤
滑膜を２ｎｍ形成した後、１／４インチ幅にスリットし
磁気テープを作成した。A back coat layer was formed on the back surface of the base film on which no magnetic film was formed, and a fluorine-based lubricating film was formed on the DLC surface to a thickness of 2 nm, and slit to a 1/4 inch width to prepare a magnetic tape.
【００２５】この後、磁気テープのドロップアウト、信
頼性の評価を行った。ドロップアウトは出力が３ｄＢ低
下し、その継続時間が２μｓｅｃ以上の１秒当たりのド
ロップアウト数により評価した。信頼性は出力が３ｄＢ
低下するまでのスチル耐久時間により評価した。After that, dropout and reliability of the magnetic tape were evaluated. The dropout was evaluated by the number of dropouts per second whose output decreased by 3 dB and whose duration was 2 μsec or more. Reliability is 3dB output
The evaluation was made based on the still durability time until the temperature decreased.
【００２６】＜実施例２＞プラズマ電極１２をイオンガ
ンに変え、イオンガン中のＡｒガス圧力を５mmTorrとし
た以外は実施例１と同様な条件でテープを作成し、評価
を行った。Example 2 A tape was prepared and evaluated under the same conditions as in Example 1 except that the plasma electrode 12 was changed to an ion gun and the Ar gas pressure in the ion gun was changed to 5 mmTorr.
【００２７】＜実施例３＞プラズマ電極１２を用いず
に、フィルム６走行系のＤＬＣ膜形成面側とは反対側の
面側に除去装置１３として振動板１３をフィルム６に接
触する状態で設置した以外は実施例１と同様な条件でテ
ープを作成し、評価を行った。振動板１３は周波数５０
ｋＨｚ、振幅１０μｍで振動させた。<Embodiment 3> Without using the plasma electrode 12, a diaphragm 13 is installed as a removing device 13 on the surface of the running system of the film 6 opposite to the surface on which the DLC film is formed, in contact with the film 6. A tape was prepared and evaluated under the same conditions as in Example 1 except that the evaluation was performed. The diaphragm 13 has a frequency of 50
Vibration was performed at kHz and an amplitude of 10 μm.
【００２８】＜実施例４＞プラズマ電極１２と共に実施
例３と同様の振動板１３を設置した以外は実施例１と同
一条件でテープを作成し、評価を行った。振動板１３の
振動条件は実施例３と同一である。Example 4 A tape was prepared and evaluated under the same conditions as in Example 1 except that the same diaphragm 13 as in Example 3 was installed together with the plasma electrode 12. The vibration conditions of the diaphragm 13 are the same as in the third embodiment.
【００２９】＜実施例５＞イオンガン１２と共に実施例
３と同様の振動板１３を設置した以外は実施例２と同一
条件でテープを作成し、評価を行った。振動板１３の振
動条件は実施例３と同一である。Example 5 A tape was prepared and evaluated under the same conditions as in Example 2 except that the same diaphragm 13 as in Example 3 was installed together with the ion gun 12. The vibration conditions of the diaphragm 13 are the same as in the third embodiment.
【００３０】＜実施例６＞実施例１で、プラズマ電極１
２にクリーニングガス導入口１５からArと共に酸素を１
０％添加し、ガス圧を1mmTorrで、プラズマを発生させ
た以外は同様に行った。<Embodiment 6> In Embodiment 1, the plasma electrode 1
2 oxygen and 1 oxygen together with Ar from the cleaning gas inlet 15
The same operation was performed except that 0% was added, the gas pressure was 1 mmTorr, and plasma was generated.
【００３１】＜実施例７＞実施例１で、プラズマ電極１
２にクリーニングガス導入口１５からArと共に水素を１
０％添加し、ガス圧を1mmTorrで、プラズマを発生させ
た以外は同様に行った。<Embodiment 7> In Embodiment 1, the plasma electrode 1
2 and hydrogen together with Ar from the cleaning gas inlet 15
The same operation was performed except that 0% was added, the gas pressure was 1 mmTorr, and plasma was generated.
【００３２】＜実施例８＞…プラズマＣＶＤ法によりＤ
ＬＣ膜を形成する例 図1のように、直径1000mmの冷却キャンロール７を用い
て、２００mmＸ５００mmの大きさのプラズマ発生電極２
１、２２，２３を３カ所の成膜ゾーンに設置し、整合器
１０、ＡＣ電源９に接続した。Embodiment 8: D by plasma CVD
Example of forming an LC film As shown in FIG. 1, a plasma generating electrode 2 having a size of 200 mm × 500 mm is formed by using a cooling can roll 7 having a diameter of 1000 mm.
1, 22, and 23 were set in three film forming zones, and connected to the matching device 10 and the AC power supply 9.
【００３３】ＤＬＣ膜を形成するプラズマ発生電極２
１、２２，２３にエチレンガスを導入し、ガス圧力を50
mmTorrとして、６．４μｍPETフィルム上に、予め０．
２μｍＣｏＯ薄膜を形成したフイルムを走行させてＣＶ
Ｄ法によりＤＬＣ膜を１００オングストローム形成し
た。Plasma generating electrode 2 for forming DLC film
Ethylene gas was introduced into 1, 22, and 23, and the gas pressure was increased to 50
As 0.1 mmTorr, a 0.4 mm thickness PET film was prepared in advance.
A film on which a 2 μm CoO thin film is formed is run and CV
A DLC film was formed to a thickness of 100 Å by Method D.
【００３４】成膜後にテープ原反が巻き取りロール３に
巻き取られる前にプラズマ電極１２を設置し、クリーニ
ングガス導入口１５からＡｒガスを導入して、ガス圧力
を１０mmTorrで、プラズマ放電を発生させて、カーボン
ダストを除去した。After the film is formed, the plasma electrode 12 is installed before the raw tape is wound on the winding roll 3, Ar gas is introduced from the cleaning gas inlet 15, and plasma discharge is generated at a gas pressure of 10 mmTorr. Then, carbon dust was removed.
【００３５】実施例１と同様に磁性膜を形成していない
ベースフィルムの裏面にバックコート層を形成し、面に
フッ素系潤滑膜を２ｎｍ形成した後、１／４インチ幅に
スリットしテープを作成し、評価した。In the same manner as in Example 1, a back coat layer was formed on the back surface of the base film having no magnetic film formed thereon, and a fluorine-based lubricating film was formed on the surface to a thickness of 2 nm. Created and evaluated.
【００３６】＜実施例９＞プラズマ電極１２をイオンガ
ンに変え、イオンガン中のＡｒガス圧力を５mmTorrとし
た以外は実施例８と同様な条件でテープを作成し、評価
を行った。Example 9 A tape was prepared and evaluated under the same conditions as in Example 8 except that the plasma electrode 12 was changed to an ion gun and the Ar gas pressure in the ion gun was changed to 5 mmTorr.
【００３７】＜実施例１０＞プラズマ電極１２を用いず
に、フィルム６走行系のＤＬＣ膜形成面側とは反対側の
面側に除去装置１３として振動板１３をフィルム６に接
触する状態で設置した以外は実施例８と同様な条件でテ
ープを作成し、評価を行った。振動板１３は周波数５０
ｋＨｚ、振幅１０μｍで振動させた。<Embodiment 10> Without using the plasma electrode 12, a diaphragm 13 was set as a removing device 13 on the surface of the running system of the film 6 opposite to the surface on which the DLC film was formed, in contact with the film 6. A tape was prepared and evaluated under the same conditions as in Example 8 except that the evaluation was performed. The diaphragm 13 has a frequency of 50
Vibration was performed at kHz and an amplitude of 10 μm.
【００３８】＜実施例１１＞プラズマ電極１２と共に実
施例１０と同様の振動板１３を設置した以外は実施例８
と同様な条件でテープを作成し、評価を行った。振動板
１３の振動条件は実施例１０と同一である。<Embodiment 11> Embodiment 8 is the same as Embodiment 10 except that a diaphragm 13 similar to that of Embodiment 10 is provided together with the plasma electrode 12.
A tape was prepared under the same conditions as described above and evaluated. The vibration conditions of the diaphragm 13 are the same as in the tenth embodiment.
【００３９】＜実施例１２＞イオンガン１２と共に実施
例１０と同様の振動板１３を設置した以外は実施例９と
同様な条件でテープを作成し、評価を行った。振動板１
３の振動条件は実施例１０と同一である。Example 12 A tape was prepared and evaluated under the same conditions as in Example 9 except that the same diaphragm 13 as in Example 10 was installed together with the ion gun 12. Diaphragm 1
The vibration condition 3 is the same as that of the tenth embodiment.
【００４０】＜実施例１３＞実施例８で、プラズマ電極
１２にクリーニングガス導入口１５からArと共に酸素を
１０％添加し、ガス圧を1mmTorrで、プラズマを発生さ
せた以外は同様に行った。Example 13 The same operation as in Example 8 was carried out except that 10% of oxygen was added to the plasma electrode 12 together with Ar from the cleaning gas inlet 15 and the plasma was generated at a gas pressure of 1 mmTorr.
【００４１】＜実施例１４＞実施例８で、プラズマ電極
１２にクリーニングガス導入口１５からArと共に水素を
１０％添加し、ガス圧を1mmTorrで、プラズマを発生さ
せた以外は同様に行った。 ＜実施例１５＞実施例９で、イオンガン１２にクリーニ
ングガス導入口１５からArと共に酸素を１０％添加し、
イオンガン中のガス圧を５mmTorrとしてイオンビームを
発生させた以外は同様に行った。 ＜実施例１６＞実施例９で、イオンガン１２にクリーニ
ングガス導入口１５からArと共に水素を１０％添加し、
イオンガン中のガス圧を５mmTorrとしてイオンビームを
発生させた以外は同様に行った。Example 14 The same operation as in Example 8 was carried out except that 10% of hydrogen was added together with Ar from the cleaning gas inlet 15 to the plasma electrode 12 and the plasma was generated at a gas pressure of 1 mmTorr. <Example 15> In Example 9, 10% oxygen was added to the ion gun 12 together with Ar from the cleaning gas inlet 15;
The same operation was performed except that the ion beam was generated at a gas pressure of 5 mmTorr in the ion gun. <Example 16> In Example 9, 10% of hydrogen was added to the ion gun 12 together with Ar through the cleaning gas inlet 15;
The same operation was performed except that the ion beam was generated at a gas pressure of 5 mmTorr in the ion gun.
【００４２】＜比較例１＞プラズマ電極１２を設置しな
い以外は実施例１と同様にしてテープを作成し、評価し
た。Comparative Example 1 A tape was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the plasma electrode 12 was not provided.
【００４３】＜比較例２＞イオンガン１２を設置しない
以外は実施例８と同様にしてテープを作成し、評価し
た。Comparative Example 2 A tape was prepared and evaluated in the same manner as in Example 8 except that the ion gun 12 was not installed.
【００４４】 表１ ＤＬＣ成膜法 除去装置 ドロップアウト数 スチル 耐久時間 実施例１ Ｓ Ｐ １０個／ｓｅｃ ８０分 実施例２ Ｓ Ｉ ７ １００ 実施例３ Ｓ Ｕ １５ ６０ 実施例４ Ｓ Ｐ＋Ｕ ６ １２０ 実施例５ Ｓ Ｉ＋Ｕ ３ ＞１５０ 実施例６ Ｓ Ｐ ７ １００ 実施例７ Ｓ Ｐ ５ １２０ 実施例８ Ｃ Ｐ ７ ９０ 実施例９ Ｃ Ｉ ５ １２０ 実施例１０ Ｃ Ｕ １０ ７０ 実施例１１ Ｃ Ｐ＋Ｕ ４ １３０ 実施例１２ Ｃ Ｉ＋Ｕ ２ ＞１５０ 実施例１３ Ｃ Ｐ ５ １１０ 実施例１４ Ｃ Ｐ ３ １４０ 実施例１５ Ｃ Ｉ ３ １４０ 実施例１６ Ｃ Ｉ ２ ＞１５０ 比較例１ Ｓ なし ２５ ３０ 比較例２ Ｃ なし ２１ ４０ 但し、Ｓ：スパッタ法、Ｃ：ＣＶＤ法 Ｐ：プラズマ電極、Ｉ：イオンガン、Ｕ：振動板Table 1 DLC film forming method Removal apparatus Number of dropouts Still durability time Example 1 SP 10 pieces / sec 80 minutes Example 2 SI 7 100 Example 3 SU 15 60 Example 4 SP + U 6 120 Example 5 SI + U 3> 150 Example 6 SP 7 100 Example 7 SP 5 120 Example 8 CP 7 90 Example 9 CI 5 120 Example 10 CU 10 70 Example 11 CP + U 4 130 Example Example 12 CI + U2> 150 Example 13 CP5110 Example 14 CP3140 Example 15 CI3140 Example 16 CI2> 150 Comparative Example 1 S None 25 30 Comparative Example 2 C None 21 40 However, S: sputtering method, C: CVD method, P: plasma electrode, I: ion gun, U: diaphragm
【００４５】実施例１〜１４、比較例１，２の評価結果
を上記表１に示す。実施例１〜１４は、スパッタ法また
はＣＶＤ法によりＤＬＣ膜を形成した後、巻取りロール
３の前段に設けられたプラズマ電極、イオンガン、振動
板から発生するプラズマエネルギー、イオンビームエネ
ルギー、振動エネルギーにより、ＤＬＣ膜が成膜される
過程でフィルム６表面に付着したカーボンダストを除去
する。よって、本製造装置は、ＤＬＣ表面のカーボンダ
ストが少なくなった状態で、フィルム６が巻き取られる
ので、ドロプアウトが少なく、スチル特性が向上し、信
頼性に優れた磁気テープを作成することができる。ま
た、カーボンダスト除去ゾーンにプラズマ生成用及びイ
オンビーム生成用のアルゴン以外に酸素、水素を導入す
ることによりクリーニング効果を向上させることができ
る。さらに、実施例４，５，１１，１２の結果より、プ
ラズマ電極、イオンガン、振動板の組み合わせにより効
果が向上する場合もあることが分かる。Table 1 shows the evaluation results of Examples 1 to 14 and Comparative Examples 1 and 2. In Examples 1 to 14, after a DLC film was formed by a sputtering method or a CVD method, plasma energy, ion beam energy, and vibration energy generated from a plasma electrode, an ion gun, and a vibration plate provided in a stage preceding the winding roll 3 were used. The carbon dust adhered to the surface of the film 6 during the process of forming the DLC film is removed. Therefore, in the present manufacturing apparatus, since the film 6 is wound in a state in which the carbon dust on the DLC surface is reduced, a magnetic tape with reduced dropout, improved still characteristics, and excellent reliability can be produced. . Further, by introducing oxygen and hydrogen into the carbon dust removal zone in addition to argon for plasma generation and ion beam generation, the cleaning effect can be improved. Further, from the results of Examples 4, 5, 11, and 12, it is understood that the effect may be improved by the combination of the plasma electrode, the ion gun, and the diaphragm.
【００４６】[0046]
【発明の効果】以上の通り、本発明の磁気記録媒体の製
造装置によれば、ＤＬＣ膜成膜後のロール状態での非磁
性基板表面にカーボンダスト等の微粒子が少ないため、
ドロプアウトが少なく、スチル特性を向上させた、信頼
性に優れた磁気記録媒体を作成することができる。As described above, according to the magnetic recording medium manufacturing apparatus of the present invention, the fine particles such as carbon dust are small on the surface of the non-magnetic substrate in the roll state after the formation of the DLC film.
A highly reliable magnetic recording medium with little dropout and improved still characteristics can be produced.
【図１】一実施例を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing one embodiment.
【図２】従来例を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a conventional example.
【符号の説明】 ２ 巻出しロール ３ 巻取りロール ４，５ ガイドロール ６ 磁性膜が形成されたフィルム ７ 冷却キャンロール １２ プラズマ電極（またはイオンガン） １３ 振動板 ２１〜２３ カーボンターゲット（プラズマ発生電極）[Description of Signs] 2 Unwinding roll 3 Take-up roll 4, 5 Guide roll 6 Film on which magnetic film is formed 7 Cooling can roll 12 Plasma electrode (or ion gun) 13 Vibration plate 21-23 Carbon target (Plasma generating electrode)
Claims (3)
一定方向に走行させつつキャンロールに巻き回して、ス
パッタ法またはプラズマＣＶＤ法により前記強磁性金属
薄膜上に保護膜を形成し、その後巻取りロールに巻き取
る磁気記録媒体の製造装置において、 前記キャンロールと前記巻取りロールとの間の前記非磁
性基板走行経路近傍で前記保護膜側の位置に、微粒子除
去装置としてプラズマ電極及びイオンガンの内の少なく
とも１つを設置したことを特徴とする磁気記録媒体の製
造装置。A non-magnetic substrate on which a ferromagnetic metal thin film is laminated is wound around a can roll while traveling in a certain direction, and a protective film is formed on the ferromagnetic metal thin film by sputtering or plasma CVD. In a manufacturing apparatus of a magnetic recording medium that is then wound around a take-up roll, at a position on the protective film side near the non-magnetic substrate traveling path between the can roll and the take-up roll, a plasma electrode as a particulate removing device and An apparatus for manufacturing a magnetic recording medium, wherein at least one of the ion guns is installed.
一定方向に走行させつつキャンロールに巻き回して、ス
パッタ法またはプラズマＣＶＤ法により前記強磁性金属
薄膜上に保護膜を形成し、その後巻取りロールに巻き取
る磁気記録媒体の製造装置において、 前記キャンロールと前記巻取りロールとの間の前記非磁
性基板走行経路近傍で前記保護膜とは反対側の位置に、
微粒子除去装置として振動板を設置したことを特徴とす
る磁気記録媒体の製造装置。2. A non-magnetic substrate on which a ferromagnetic metal thin film is laminated is wound around a can roll while traveling in a certain direction, and a protective film is formed on the ferromagnetic metal thin film by a sputtering method or a plasma CVD method. In the apparatus for manufacturing a magnetic recording medium that is then wound around a take-up roll, at a position opposite to the protective film in the vicinity of the non-magnetic substrate traveling path between the can roll and the take-up roll,
An apparatus for manufacturing a magnetic recording medium, comprising a diaphragm installed as a particle removing apparatus.
おいて、 微粒子除去時にアルゴンガスと共に酸素及び水素の内の
少なくとも一方のガスを導入する微粒子除去用ガス導入
口を設けたことを特徴とする磁気記録媒体の製造装置。3. An apparatus for manufacturing a magnetic recording medium according to claim 1, wherein a gas inlet for removing at least one of oxygen and hydrogen together with argon gas is provided when removing the particles. For manufacturing magnetic recording media.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11141268A JP2000331335A (en) | 1999-05-21 | 1999-05-21 | Apparatus for production of magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11141268A JP2000331335A (en) | 1999-05-21 | 1999-05-21 | Apparatus for production of magnetic recording medium |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000331335A true JP2000331335A (en) | 2000-11-30 |
Family
ID=15287952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11141268A Pending JP2000331335A (en) | 1999-05-21 | 1999-05-21 | Apparatus for production of magnetic recording medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000331335A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010055680A (en) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | Method of forming protection film for magnetic recording medium, protection film formed by the method, and magnetic recording medium including the protection film |
| JP2014231628A (en) * | 2013-05-29 | 2014-12-11 | 住友金属鉱山株式会社 | Surface treatment apparatus and surface treatment method for long resin film, and roll-to-roll film deposition apparatus with the surface treatment apparatus |
-
1999
- 1999-05-21 JP JP11141268A patent/JP2000331335A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010055680A (en) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | Method of forming protection film for magnetic recording medium, protection film formed by the method, and magnetic recording medium including the protection film |
| JP2014231628A (en) * | 2013-05-29 | 2014-12-11 | 住友金属鉱山株式会社 | Surface treatment apparatus and surface treatment method for long resin film, and roll-to-roll film deposition apparatus with the surface treatment apparatus |
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