JP2000327312A - 球形窒化ホウ素及びその先駆物質の製造方法、製造設備、及び生成物 - Google Patents
球形窒化ホウ素及びその先駆物質の製造方法、製造設備、及び生成物Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ターボストラティック又は六方晶窒化ホウ素
球形粒子の製造方法及び製造装置、並びにそのような方
法によって製造された球形窒化ホウ素先駆物質を提供す
る。 【解決手段】 水溶液にホウ素化合物を溶解させ、この
ホウ素含有水溶液からエアロゾル滴を作り(10)、不活性
キャリアーガス(15)とエアロゾル滴を組み合わせて所定
の流量のガス流れを作り、この流れを前記所定の流量で
炉(17)に供給し、前記炉の温度を少なくとも６００℃に
維持し、そしてガス流れの注入と同時に、気体窒素処理
剤(18)を炉に注入することを含む球形ＢＮx Ｏy 先駆物
質粒子の製造方法等とする。
球形粒子の製造方法及び製造装置、並びにそのような方
法によって製造された球形窒化ホウ素先駆物質を提供す
る。 【解決手段】 水溶液にホウ素化合物を溶解させ、この
ホウ素含有水溶液からエアロゾル滴を作り(10)、不活性
キャリアーガス(15)とエアロゾル滴を組み合わせて所定
の流量のガス流れを作り、この流れを前記所定の流量で
炉(17)に供給し、前記炉の温度を少なくとも６００℃に
維持し、そしてガス流れの注入と同時に、気体窒素処理
剤(18)を炉に注入することを含む球形ＢＮx Ｏy 先駆物
質粒子の製造方法等とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ターボストラティ
ック（ｔｕｒｂｏｓｔｒａｔｉｃ）又は六方晶窒化ホウ
素球形粒子の製造方法及び製造装置、並びに特にそのよ
うな方法によって製造された球形窒化ホウ素の先駆物質
に関する。
ック（ｔｕｒｂｏｓｔｒａｔｉｃ）又は六方晶窒化ホウ
素球形粒子の製造方法及び製造装置、並びに特にそのよ
うな方法によって製造された球形窒化ホウ素の先駆物質
に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】窒化ホ
ウ素「ＢＮ」は、良好な電気的な絶縁性及び高い熱伝導
性を有する化学的に不活性な耐熱材料である。従って窒
化ホウ素は、電子産業において、特に電子部品、集積回
路及びソリッドステートデバイスを封入するための有機
ポリマーにおけるフィラー材料の理想的な候補である。
しかしながら、そのような有益な性質にも関わらず、現
在製造されるような窒化ホウ素の形態は、熱的な取り扱
いの用途におけるその有用性を小さくする。現在は窒化
ホウ素粉末は、単純な無機原料間の高温反応によって製
造されており、粉末はペレット状の形態で六方晶構造を
有する。窒化ホウ素のペレット状の形態は、処理の間の
ポリマー組成物の粘度と並んで、ＢＮ粒子の容積装填量
に好ましい影響を与える。しかしながらこれは、特に熱
的な取り扱いの用途のためのフィラー材料としての有用
性を制限する。またそのペレット状の形態は、電子産業
における熱的な取り扱いの用途に必要とされる熱的に伝
導性であり且つ電気的に絶縁性の型及びアンダーフィル
を作るのに必要なポリマーとフィラーの体積比を本質的
に制限する。しかしながら、球形にされたＢＮ粒子は比
較的効率的に充填され、且つポリマー材料中で比較的密
な母材の複合材料を作ることが期待される。またこれ
は、電子産業における熱的な取り扱いの用途に望まれる
性質を持つ所望の型、封入材、及びアンダーフィルの化
合物を作るのに必要とされる粘度を持つ好ましいポリマ
ー複合材料で装填体積を達成することを可能にするべき
である。
ウ素「ＢＮ」は、良好な電気的な絶縁性及び高い熱伝導
性を有する化学的に不活性な耐熱材料である。従って窒
化ホウ素は、電子産業において、特に電子部品、集積回
路及びソリッドステートデバイスを封入するための有機
ポリマーにおけるフィラー材料の理想的な候補である。
しかしながら、そのような有益な性質にも関わらず、現
在製造されるような窒化ホウ素の形態は、熱的な取り扱
いの用途におけるその有用性を小さくする。現在は窒化
ホウ素粉末は、単純な無機原料間の高温反応によって製
造されており、粉末はペレット状の形態で六方晶構造を
有する。窒化ホウ素のペレット状の形態は、処理の間の
ポリマー組成物の粘度と並んで、ＢＮ粒子の容積装填量
に好ましい影響を与える。しかしながらこれは、特に熱
的な取り扱いの用途のためのフィラー材料としての有用
性を制限する。またそのペレット状の形態は、電子産業
における熱的な取り扱いの用途に必要とされる熱的に伝
導性であり且つ電気的に絶縁性の型及びアンダーフィル
を作るのに必要なポリマーとフィラーの体積比を本質的
に制限する。しかしながら、球形にされたＢＮ粒子は比
較的効率的に充填され、且つポリマー材料中で比較的密
な母材の複合材料を作ることが期待される。またこれ
は、電子産業における熱的な取り扱いの用途に望まれる
性質を持つ所望の型、封入材、及びアンダーフィルの化
合物を作るのに必要とされる粘度を持つ好ましいポリマ
ー複合材料で装填体積を達成することを可能にするべき
である。
【０００３】Robert Panine らの「Boron Nitride Powd
er Formed By Aerosol Decomposition of Poly(borazin
ylamine) Solutions」（J. Am. Ceram. Soc.74(12) 31
26〜28、1991年）という文献では、トリクロロボラジン
と適当なアミノシランとの反応によって球形ＢＮ粒子を
製造できることを示唆している。ポリ（ボラジニルアミ
ン）生成物は続いて液体アンモニアに溶解させて、エア
ロゾルとして高温で反応炉に注入する。これは、アモル
ファス構造を持つ粉末状窒化ホウ素生成物を作る。その
後、1600℃の温度において窒素雰囲気でＢＮ粉末をか焼
（熱処理）することによって、少なくとも８時間の期間
が経過した後で、突起のある不均一の結晶化ブレードを
持つ全体的に球状の形状の六方晶ＢＮ粒子を作ることが
できる。この方法を商業的に利用することはできない。
これは、ポリ（ボラジニルアミン）が非常に高価であ
り、且つ現在は商業的に利用することができないためで
ある。更に、後熱処理操作は、均一の球形状粒子もたら
さない。
er Formed By Aerosol Decomposition of Poly(borazin
ylamine) Solutions」（J. Am. Ceram. Soc.74(12) 31
26〜28、1991年）という文献では、トリクロロボラジン
と適当なアミノシランとの反応によって球形ＢＮ粒子を
製造できることを示唆している。ポリ（ボラジニルアミ
ン）生成物は続いて液体アンモニアに溶解させて、エア
ロゾルとして高温で反応炉に注入する。これは、アモル
ファス構造を持つ粉末状窒化ホウ素生成物を作る。その
後、1600℃の温度において窒素雰囲気でＢＮ粉末をか焼
（熱処理）することによって、少なくとも８時間の期間
が経過した後で、突起のある不均一の結晶化ブレードを
持つ全体的に球状の形状の六方晶ＢＮ粒子を作ることが
できる。この方法を商業的に利用することはできない。
これは、ポリ（ボラジニルアミン）が非常に高価であ
り、且つ現在は商業的に利用することができないためで
ある。更に、後熱処理操作は、均一の球形状粒子もたら
さない。
【０００４】球形状のＢＮ粒子を作る他の方法は、1990
年11月７日に公開されたヨーロッパ特許公開第 0369448
号明細書において教示されている。これは、高温におけ
る三塩化ホウ素と気体アンモニアの反応、そして減圧下
のグラファイト炉における高温でのか焼に基づいてい
る。ＢＣｌ3 は非常に高価な原料であるだけでなく非常
に反応性であり、腐食性の危険な副生成物である塩化水
素ガスＨＣｌ（ｇ）を発生させるので、この方法は魅力
的ではない。加えて、熱的な取り扱いの用途での使用で
は、Ｃｌも望ましくない汚染物質である。
年11月７日に公開されたヨーロッパ特許公開第 0369448
号明細書において教示されている。これは、高温におけ
る三塩化ホウ素と気体アンモニアの反応、そして減圧下
のグラファイト炉における高温でのか焼に基づいてい
る。ＢＣｌ3 は非常に高価な原料であるだけでなく非常
に反応性であり、腐食性の危険な副生成物である塩化水
素ガスＨＣｌ（ｇ）を発生させるので、この方法は魅力
的ではない。加えて、熱的な取り扱いの用途での使用で
は、Ｃｌも望ましくない汚染物質である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】球形状先駆物質ＢＮx Ｏ
y 粒子を経済的に製造し、且つそれらを、高度に結晶性
の六方晶構造又は比較的低い結晶性のターボストラティ
ック構造のいずれかの球形ＢＮ粒子にする方法を本発明
では開示する。この方法は、所定の大きさの範囲の粒子
のＢＮ結晶性及び粒子の大きさに並んで生成物の結晶性
の程度に実質的な制御も行う。更に、先駆物質生成物中
の酸素の濃度を正確に制御することができる。
y 粒子を経済的に製造し、且つそれらを、高度に結晶性
の六方晶構造又は比較的低い結晶性のターボストラティ
ック構造のいずれかの球形ＢＮ粒子にする方法を本発明
では開示する。この方法は、所定の大きさの範囲の粒子
のＢＮ結晶性及び粒子の大きさに並んで生成物の結晶性
の程度に実質的な制御も行う。更に、先駆物質生成物中
の酸素の濃度を正確に制御することができる。
【０００６】本発明の方法は一般に、水溶液にホウ素化
合物を加える工程、エアロゾル滴の形でホウ素含有水溶
液からエアロゾルスプレーをもたらす工程、Ｎ2 又はＡ
ｒのような不活性キャリアーガスでアロゾル滴を所定の
流量で炉に注入する工程、炉の温度を６００℃〜１５０
０℃、好ましくは１０００℃〜１２００℃の範囲に維持
する工程、並びにエアロゾル滴の注入と同時に気体窒素
処理剤を炉に注入し、この気体窒素処理剤の流量をエア
ロゾルの流量に比例するようにする工程、を含み、キャ
リアーガス及びエアロゾル滴の前記所定の流量に対する
気体窒素処理剤の流量の比を、球形のＢＮx Ｏy 先駆物
質粒子が形成されるようにし、その後、このＢＮx Ｏy
先駆物質粒子を加熱処理して、ターボストラティック又
は六方晶構造のいずれかの球形ＢＮの粒子にする。
合物を加える工程、エアロゾル滴の形でホウ素含有水溶
液からエアロゾルスプレーをもたらす工程、Ｎ2 又はＡ
ｒのような不活性キャリアーガスでアロゾル滴を所定の
流量で炉に注入する工程、炉の温度を６００℃〜１５０
０℃、好ましくは１０００℃〜１２００℃の範囲に維持
する工程、並びにエアロゾル滴の注入と同時に気体窒素
処理剤を炉に注入し、この気体窒素処理剤の流量をエア
ロゾルの流量に比例するようにする工程、を含み、キャ
リアーガス及びエアロゾル滴の前記所定の流量に対する
気体窒素処理剤の流量の比を、球形のＢＮx Ｏy 先駆物
質粒子が形成されるようにし、その後、このＢＮx Ｏy
先駆物質粒子を加熱処理して、ターボストラティック又
は六方晶構造のいずれかの球形ＢＮの粒子にする。
【０００７】本発明の球形ＢＮ製造装置は、水性のホウ
素含有化合物の滴からなるエアロゾルスプレーを作るエ
アロゾル発生装置；前記エアロゾル滴を含む気体Ｎ2 キ
ャリアーを制御された流量で加熱した炉に注入する手
段、及び気体窒素処理剤を同時に炉に注入する手段を具
備する。
素含有化合物の滴からなるエアロゾルスプレーを作るエ
アロゾル発生装置；前記エアロゾル滴を含む気体Ｎ2 キ
ャリアーを制御された流量で加熱した炉に注入する手
段、及び気体窒素処理剤を同時に炉に注入する手段を具
備する。
【０００８】本発明によれば更に、か焼の前の製造され
たＢＮ先駆物質生成物は、好ましい条件では酸素濃度が
約１０〜３５％で制御されており、且つ錯体ＢＮx Ｏy
組成物を伴う主にアモルファスの球形粒子からなること
が見出された。他の条件においては、比較的高い酸素濃
度を利用することができる。
たＢＮ先駆物質生成物は、好ましい条件では酸素濃度が
約１０〜３５％で制御されており、且つ錯体ＢＮx Ｏy
組成物を伴う主にアモルファスの球形粒子からなること
が見出された。他の条件においては、比較的高い酸素濃
度を利用することができる。
【０００９】本発明の利点は、添付の図面と関連する以
下の本発明の詳細な説明を参照することよって明らかに
なる。
下の本発明の詳細な説明を参照することよって明らかに
なる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明のエアロゾル補助蒸気相反
応器設備の概略は図１に示しており、これは、ホウ素含
有化合物の水性溶液から作った水性の滴からなるエアロ
ゾルを製造するエアロゾル発生装置１０を具備してい
る。ホウ酸及びアンモニウムペンタボレートは好ましい
ホウ素先駆物質である。使用することができる他の比較
的好ましくないホウ素先駆物質は、他のアンモニウムボ
レート類、例えばアンモニウムテトラボレート（Ｎ
Ｈ4 ）2 Ｂ4 Ｏ7 ・ｎＨ2 Ｏ；メタホウ酸（ＨＢ
2 Ｏ）、無水ホウ酸（Ｂ2 Ｏ3 ）、及び無水ホウ酸とヒ
ドラジン、アルキルアミン類、窒素に富むポリアミン
類、アルキル置換ヒドラジン類、特にメチルヒドラジン
及びジメチルヒドラジン、ヒドロキシルアミン、トリア
ゾ水素酸、メラミン、ウレア、ビウレット、シアナミ
ド、及びジシアナミドとの錯体類又は混合物類を包含す
るホウ酸又は無水ホウ酸と比較的炭素含有率が低い単純
な有機試薬との錯体を包含する。
応器設備の概略は図１に示しており、これは、ホウ素含
有化合物の水性溶液から作った水性の滴からなるエアロ
ゾルを製造するエアロゾル発生装置１０を具備してい
る。ホウ酸及びアンモニウムペンタボレートは好ましい
ホウ素先駆物質である。使用することができる他の比較
的好ましくないホウ素先駆物質は、他のアンモニウムボ
レート類、例えばアンモニウムテトラボレート（Ｎ
Ｈ4 ）2 Ｂ4 Ｏ7 ・ｎＨ2 Ｏ；メタホウ酸（ＨＢ
2 Ｏ）、無水ホウ酸（Ｂ2 Ｏ3 ）、及び無水ホウ酸とヒ
ドラジン、アルキルアミン類、窒素に富むポリアミン
類、アルキル置換ヒドラジン類、特にメチルヒドラジン
及びジメチルヒドラジン、ヒドロキシルアミン、トリア
ゾ水素酸、メラミン、ウレア、ビウレット、シアナミ
ド、及びジシアナミドとの錯体類又は混合物類を包含す
るホウ酸又は無水ホウ酸と比較的炭素含有率が低い単純
な有機試薬との錯体を包含する。
【００１１】任意の従来のエアロゾル発生装置１０（図
１）を使用して、ホウ素含有化合物の水性滴のエアロゾ
ルスプレーを、対応するホウ素化合物が溶解した水溶液
から作ることができる。従来のエアロゾル発生装置は、
アトマイザー類、スプレーノズル類、噴霧装置類、及び
超音波エアロゾル発生装置類、又は変換器類のような既
知のエアロゾル発生装置からなる群より選択することが
できる。様々な形状の滴発生装置を使用できること、及
び図１の反応炉にエアロゾルを輸送するために様々な手
段を選択できることを理解すべきである。特定のエアロ
ゾル（滴）の発生装置とエアロゾル輸送設備の選択は、
エアロゾル滴の所望のサイズ、滴の分散、目標とするエ
アロゾルの輸送量、及びエアロゾルを作る溶液の化学組
成に依存している。例えば、エアロゾル輸送設備におい
て管路にインパクター（バリアー）を導入して、粒度分
布を変化させ、反応器へのエアロゾルの輸送量を減少さ
せることができる。加えて、様々なスプレーノズル設計
を使用して、エアロゾルの粒度を０．１〜１００μｍの
範囲で変化させることができる。
１）を使用して、ホウ素含有化合物の水性滴のエアロゾ
ルスプレーを、対応するホウ素化合物が溶解した水溶液
から作ることができる。従来のエアロゾル発生装置は、
アトマイザー類、スプレーノズル類、噴霧装置類、及び
超音波エアロゾル発生装置類、又は変換器類のような既
知のエアロゾル発生装置からなる群より選択することが
できる。様々な形状の滴発生装置を使用できること、及
び図１の反応炉にエアロゾルを輸送するために様々な手
段を選択できることを理解すべきである。特定のエアロ
ゾル（滴）の発生装置とエアロゾル輸送設備の選択は、
エアロゾル滴の所望のサイズ、滴の分散、目標とするエ
アロゾルの輸送量、及びエアロゾルを作る溶液の化学組
成に依存している。例えば、エアロゾル輸送設備におい
て管路にインパクター（バリアー）を導入して、粒度分
布を変化させ、反応器へのエアロゾルの輸送量を減少さ
せることができる。加えて、様々なスプレーノズル設計
を使用して、エアロゾルの粒度を０．１〜１００μｍの
範囲で変化させることができる。
【００１２】例として図１において示されているエアロ
ゾル発生装置１０は、商業的な加湿器１１（例えばＨｏ
ｌｍｅｓのＭｏｄｅｌ ６４３−Ｂ）及び変換器１２を
具備している。溶解したホウ素先駆物質を含有する水溶
液で満たされているガラス容器（図示せず）は、加湿器
１１の基部装置に配置されている。このガラス容器の底
部にはポリエチレン隔膜（図示せず）が取り付けられて
いる。加湿器１１の水溶液は、脱塩した水から作り又は
蒸留水を含んでいるべきである。変換器１２は例えば、
加湿器１１に隣接して取り付けられた圧電性結晶（図示
せず）によって示すことができる。変換器１２の活性化
は、ガラス容器を振動させる容器隔膜の超音波振動をも
たらして、先駆物質ホウ素溶液からエアロゾルスプレー
を発生させる。
ゾル発生装置１０は、商業的な加湿器１１（例えばＨｏ
ｌｍｅｓのＭｏｄｅｌ ６４３−Ｂ）及び変換器１２を
具備している。溶解したホウ素先駆物質を含有する水溶
液で満たされているガラス容器（図示せず）は、加湿器
１１の基部装置に配置されている。このガラス容器の底
部にはポリエチレン隔膜（図示せず）が取り付けられて
いる。加湿器１１の水溶液は、脱塩した水から作り又は
蒸留水を含んでいるべきである。変換器１２は例えば、
加湿器１１に隣接して取り付けられた圧電性結晶（図示
せず）によって示すことができる。変換器１２の活性化
は、ガラス容器を振動させる容器隔膜の超音波振動をも
たらして、先駆物質ホウ素溶液からエアロゾルスプレー
を発生させる。
【００１３】Ｎ2 又はＡｒのような不活性キャリアーガ
ス供給物は、加湿器１１のエアロゾル容器に通して、加
湿器１１において作ったエアロゾル滴を輸送させる。エ
アロゾル滴を保持するキャリアーガス１５は、キャリア
ーガス１５の流量に対応する流量で導管１６に噴出させ
る。導管１６は炉１７に接続されており、この炉１７に
キャリアーガス１５及びエアロゾル滴を流す。同時に、
窒素処理ガス１８供給物を別に、キャリアーガス１５の
流量に比例した流量で炉１７に供給する。様々なガスの
混合物を使用することができるが、好ましいガス混合物
の割合は２（窒素）以下：１（アンモニア）である。２
以上：１の割合は窒素処理の特性を減少させるので、２
以下：１の割合が好ましい。窒素処理ガス１８を炉に供
給されるエアロゾル滴と混合すると、ＢＮx Ｏy 窒化ホ
ウ素先駆物質の粒子を作る反応を起こす。エアロゾル滴
をここで教示したように製造し且つ炉を適当に加熱した
場合、ＢＮx Ｏy の粒子は球形状となる。反応性窒素処
理ガスは好ましくはアンモニアであるが、他の多少好ま
しい反応性ガスとしては窒素、窒素／水素混合物、アル
キルアミン類、ヒドラジン、シアナミド、及びジシアナ
ミド、又はそれらの混合物を挙げることができる。
ス供給物は、加湿器１１のエアロゾル容器に通して、加
湿器１１において作ったエアロゾル滴を輸送させる。エ
アロゾル滴を保持するキャリアーガス１５は、キャリア
ーガス１５の流量に対応する流量で導管１６に噴出させ
る。導管１６は炉１７に接続されており、この炉１７に
キャリアーガス１５及びエアロゾル滴を流す。同時に、
窒素処理ガス１８供給物を別に、キャリアーガス１５の
流量に比例した流量で炉１７に供給する。様々なガスの
混合物を使用することができるが、好ましいガス混合物
の割合は２（窒素）以下：１（アンモニア）である。２
以上：１の割合は窒素処理の特性を減少させるので、２
以下：１の割合が好ましい。窒素処理ガス１８を炉に供
給されるエアロゾル滴と混合すると、ＢＮx Ｏy 窒化ホ
ウ素先駆物質の粒子を作る反応を起こす。エアロゾル滴
をここで教示したように製造し且つ炉を適当に加熱した
場合、ＢＮx Ｏy の粒子は球形状となる。反応性窒素処
理ガスは好ましくはアンモニアであるが、他の多少好ま
しい反応性ガスとしては窒素、窒素／水素混合物、アル
キルアミン類、ヒドラジン、シアナミド、及びジシアナ
ミド、又はそれらの混合物を挙げることができる。
【００１４】炉１７は６００℃〜１５００℃又はそれ以
上の温度に加熱して、ホウ素含有エアロゾル滴と窒素処
理剤ガスとの反応をもたらして、ＢＮx Ｏy の球形粒子
先駆物質生成物を形成するようにすべきである。球形先
駆物質粒子は不活性キャリアーガス／窒素処理ガスによ
って炉１７を通して、最大気孔サイズが０．４５μｍの
ナイロンファイバー１９で粒子を捕らえる。実質的に密
な粒子は温度範囲の低温側で得て、中空な粒子と密な粒
子の混合物は高温端で得る。フィルター装置を開放し
て、回収された粉末を直接にデシケーター（図示せず）
に移動させて先駆物質生成物を貯蔵し、又はもう１つの
他の炉（図示せず）に移動させて、好ましくはアンモニ
アに富む雰囲気において炉の温度を１０００℃又はそれ
以上にして追加のか焼を行って、Ｂ／Ｎ＝１／１で六方
晶構造又はターボストラティック構造を有する球形の密
なＢＮ粒子を作る。追加のか焼及び後窒素処理の時間及
び温度は、残留酸素含有率、従ってＢＮ生成物の最終的
な結晶度を決定する。しかしながら、か焼時間と温度と
が反比例することは本発明において更に議論する。従っ
て、か焼温度を高くすることによって加熱処理時間は比
例して短くすることができる。加熱処理工程は、か焼条
件に依存して、ＢＮ粒子の球形の形態を変化させること
もさせないこともある。
上の温度に加熱して、ホウ素含有エアロゾル滴と窒素処
理剤ガスとの反応をもたらして、ＢＮx Ｏy の球形粒子
先駆物質生成物を形成するようにすべきである。球形先
駆物質粒子は不活性キャリアーガス／窒素処理ガスによ
って炉１７を通して、最大気孔サイズが０．４５μｍの
ナイロンファイバー１９で粒子を捕らえる。実質的に密
な粒子は温度範囲の低温側で得て、中空な粒子と密な粒
子の混合物は高温端で得る。フィルター装置を開放し
て、回収された粉末を直接にデシケーター（図示せず）
に移動させて先駆物質生成物を貯蔵し、又はもう１つの
他の炉（図示せず）に移動させて、好ましくはアンモニ
アに富む雰囲気において炉の温度を１０００℃又はそれ
以上にして追加のか焼を行って、Ｂ／Ｎ＝１／１で六方
晶構造又はターボストラティック構造を有する球形の密
なＢＮ粒子を作る。追加のか焼及び後窒素処理の時間及
び温度は、残留酸素含有率、従ってＢＮ生成物の最終的
な結晶度を決定する。しかしながら、か焼時間と温度と
が反比例することは本発明において更に議論する。従っ
て、か焼温度を高くすることによって加熱処理時間は比
例して短くすることができる。加熱処理工程は、か焼条
件に依存して、ＢＮ粒子の球形の形態を変化させること
もさせないこともある。
【００１５】ガスの流量を変化させて、炉１７における
粒子の滞留時間を変化させることができる。ある反応器
の形状では、５．５リットル／分程度の全流量を使用し
て、約１分間の滞留時間を与える。流量は、所望とする
接触時間に依存して、増加させること又は減少させるこ
とができる。しかしながら、Ｎ2 ／ＮＨ3 比は重要であ
るが、本発明の決定的なパラメーターではない。上述の
比が約２を超えると、ホウ酸、メタホウ酸、又は無水ホ
ウ酸の熱分解生成物が形成される。
粒子の滞留時間を変化させることができる。ある反応器
の形状では、５．５リットル／分程度の全流量を使用し
て、約１分間の滞留時間を与える。流量は、所望とする
接触時間に依存して、増加させること又は減少させるこ
とができる。しかしながら、Ｎ2 ／ＮＨ3 比は重要であ
るが、本発明の決定的なパラメーターではない。上述の
比が約２を超えると、ホウ酸、メタホウ酸、又は無水ホ
ウ酸の熱分解生成物が形成される。
【００１６】ｘ線電子分光法（ＸＰＳ）及び粉末ｘ線回
析（ＸＲＤ）を使用して、本発明の方法によって製造し
たＢＮx Ｏy 及びＢＮ球形粉末の組成及び結晶性を特徴
付けした。図３において示されるようにＸＲＤは、Ｂ
Ｎ、ＢＮx Ｏy 先駆物質、及びホウ酸の熱分解生成物を
識別することができる。生成物粒子の形状、形態、及び
粒度分布は、図２、４、及び６においてそれぞれ示され
ている様に走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を使用して決定
することができる。
析（ＸＲＤ）を使用して、本発明の方法によって製造し
たＢＮx Ｏy 及びＢＮ球形粉末の組成及び結晶性を特徴
付けした。図３において示されるようにＸＲＤは、Ｂ
Ｎ、ＢＮx Ｏy 先駆物質、及びホウ酸の熱分解生成物を
識別することができる。生成物粒子の形状、形態、及び
粒度分布は、図２、４、及び６においてそれぞれ示され
ている様に走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を使用して決定
することができる。
【００１７】以下の表１は、本発明を確証させる様々な
処理条件及び／又は反応体に対応する７つの試験を挙げ
ている。
処理条件及び／又は反応体に対応する７つの試験を挙げ
ている。
【００１８】［表１］球形ＢＮx Ｏy 先駆物質粒子のエ
アロゾル補助蒸気合成
アロゾル補助蒸気合成
【表１】
【００１９】試験ＧＰ１０１での生成物は白色粉末から
なっていた。ＧＰ１０１のＳＥＭ（図２）は、直径が約
０．２〜３．０μｍの球形粒子からなるような粉末を示
している。特に１２，０００倍のＳＥＭでは、少量の凝
集及びネッキング（ｎｅｃｋｉｎｇ）が存在している。
しかしながら、ほとんどの部分においては粉末は個々の
球形粒子からなっている。図３のＧＰ１０１のＸＲＤパ
ターンは２つの領域において強く幅広い回析を示してい
る。これらの領域は、よく結晶化した六方晶ＢＮ（ｈ−
ＢＮ）からの強力な回析ピークに関連している。鋭い回
析ピークは存在しておらず、これは主にアモルファスで
ある特徴を証明している。表２のＸＰＳ解析は、Ａｒ+
でスパッタリングする前のＧＰ１０１のＢ／Ｎ比が１．
８であることを示す（純粋なＢＮではＢ／Ｎ＝１．０で
ある）。このＸＰＳ解析は、酸素がＧＰ１０１粉末の他
の主要成分であることを確証していた。
なっていた。ＧＰ１０１のＳＥＭ（図２）は、直径が約
０．２〜３．０μｍの球形粒子からなるような粉末を示
している。特に１２，０００倍のＳＥＭでは、少量の凝
集及びネッキング（ｎｅｃｋｉｎｇ）が存在している。
しかしながら、ほとんどの部分においては粉末は個々の
球形粒子からなっている。図３のＧＰ１０１のＸＲＤパ
ターンは２つの領域において強く幅広い回析を示してい
る。これらの領域は、よく結晶化した六方晶ＢＮ（ｈ−
ＢＮ）からの強力な回析ピークに関連している。鋭い回
析ピークは存在しておらず、これは主にアモルファスで
ある特徴を証明している。表２のＸＰＳ解析は、Ａｒ+
でスパッタリングする前のＧＰ１０１のＢ／Ｎ比が１．
８であることを示す（純粋なＢＮではＢ／Ｎ＝１．０で
ある）。このＸＰＳ解析は、酸素がＧＰ１０１粉末の他
の主要成分であることを確証していた。
【００２０】試験ＧＰ１１１は、ＮＨ3 を用いずに試験
ＧＰ１０１を反復している。図４におけるＳＥＭは、得
られる粉末が高度に凝集した不規則な形状の粒子からな
ることを示している。表２のＸＰＳ解析は、粒子が主に
ホウ素、窒素、及び酸素からなることを明らかにする
（Ｂ／Ｎ＝５．７）。ＸＲＤパターンは粒子が主にＨＢ
Ｏ2 であることを示す。ＮＨ3 が存在する条件において
得られる結果（ＧＰ１０１）と比較すると、以下の２つ
の結果が示唆されている： １．アンモニアは、ホウ酸の水溶液から球形粒子を製造
するのに好ましい反応性ガスである。 ２．使用した実験条件においては、アンモニアは、ホウ
酸水溶液から球形粒子を作るのに窒素処理剤として窒素
よりもふさわしい。言い換えると、窒素は特に、窒素処
理剤としてではなく不活性キャリアーガスとして作用す
る。
ＧＰ１０１を反復している。図４におけるＳＥＭは、得
られる粉末が高度に凝集した不規則な形状の粒子からな
ることを示している。表２のＸＰＳ解析は、粒子が主に
ホウ素、窒素、及び酸素からなることを明らかにする
（Ｂ／Ｎ＝５．７）。ＸＲＤパターンは粒子が主にＨＢ
Ｏ2 であることを示す。ＮＨ3 が存在する条件において
得られる結果（ＧＰ１０１）と比較すると、以下の２つ
の結果が示唆されている： １．アンモニアは、ホウ酸の水溶液から球形粒子を製造
するのに好ましい反応性ガスである。 ２．使用した実験条件においては、アンモニアは、ホウ
酸水溶液から球形粒子を作るのに窒素処理剤として窒素
よりもふさわしい。言い換えると、窒素は特に、窒素処
理剤としてではなく不活性キャリアーガスとして作用す
る。
【００２１】［表２］エアロゾル補助蒸気合成（ＡＡＶ
Ｓ）によって製造されたＢＮx Ｏy 先駆物質粉末の、Ｘ
ＰＳ（ｘ線電子分光法）で得られたＢ／Ｎの元子％
Ｓ）によって製造されたＢＮx Ｏy 先駆物質粉末の、Ｘ
ＰＳ（ｘ線電子分光法）で得られたＢ／Ｎの元子％
【表２】
【００２２】表２においては、試験ＧＰ１０５の実験条
件は、ホウ酸の代わりにアンモニウムペンタボレートを
使用したことを除いてＧＰ１０１で使用した実験条件と
同一である。ペンタボレート溶液は、ホウ酸での試験で
得られた球形粒子の粒度分布と同様な粒度分布を有する
エアロゾルを容易にもたらした。これは、０．２〜３．
０μｍ（図５）である。試験ＧＰ１０５及びＧＰ１０１
のＸＰＳによって得られたＢ／Ｎ比は、スパッタリング
の後でも同一である。ペンタボレートを使用する大きな
利点は、ホウ素含有量に対して比較的大きい理論収量と
比較的多量の生産量であると考えられる。
件は、ホウ酸の代わりにアンモニウムペンタボレートを
使用したことを除いてＧＰ１０１で使用した実験条件と
同一である。ペンタボレート溶液は、ホウ酸での試験で
得られた球形粒子の粒度分布と同様な粒度分布を有する
エアロゾルを容易にもたらした。これは、０．２〜３．
０μｍ（図５）である。試験ＧＰ１０５及びＧＰ１０１
のＸＰＳによって得られたＢ／Ｎ比は、スパッタリング
の後でも同一である。ペンタボレートを使用する大きな
利点は、ホウ素含有量に対して比較的大きい理論収量と
比較的多量の生産量であると考えられる。
【００２３】得られる粒子の粒度分布はエアロゾルを発
生させるのに使用する方法に関することにも注意すべき
である。１．６ＭＨｚ以下で操作する超音波変換器を使
用して、ＧＰ１０１及びＧＰ１０５において得られる粒
子をもたらした。比較的高い振動数で操作する超音波変
換器は比較的小さい粒子をもたらし、対称的に、比較的
小さい振動数で操作する超音波変換器は比較的大きい粒
子をもたらす。スプレーノズル類及びアトマイザー類の
ような他のエアロゾル発生方法を使用することもでき
る。
生させるのに使用する方法に関することにも注意すべき
である。１．６ＭＨｚ以下で操作する超音波変換器を使
用して、ＧＰ１０１及びＧＰ１０５において得られる粒
子をもたらした。比較的高い振動数で操作する超音波変
換器は比較的小さい粒子をもたらし、対称的に、比較的
小さい振動数で操作する超音波変換器は比較的大きい粒
子をもたらす。スプレーノズル類及びアトマイザー類の
ような他のエアロゾル発生方法を使用することもでき
る。
【００２４】ホウ酸水溶液から本発明によって製造した
先駆物質ＢＮx Ｏy 粉末のＢ／Ｎ比を決定するのには、
炉の温度が重要な役割を果たす。以下の表３は、温度が
異なることを除いて同一の条件の４つの試験で得られた
スパッタリングする前のＢ／Ｎ比を挙げている。温度を
６００℃から１，１００℃に上昇させると、Ｂ／Ｎ比は
安定して減少する。このことは、元々の粉末、及び５分
及び２０分にわたってスパッタリングした粉末で事実で
ある。比較的高い温度は窒素によって酸素を置換するの
に好ましいと考えられる。言い換えると、製造温度が６
００℃から１，１００℃に上昇すると、ＮＨ3 はより効
果的な窒素処理剤である。
先駆物質ＢＮx Ｏy 粉末のＢ／Ｎ比を決定するのには、
炉の温度が重要な役割を果たす。以下の表３は、温度が
異なることを除いて同一の条件の４つの試験で得られた
スパッタリングする前のＢ／Ｎ比を挙げている。温度を
６００℃から１，１００℃に上昇させると、Ｂ／Ｎ比は
安定して減少する。このことは、元々の粉末、及び５分
及び２０分にわたってスパッタリングした粉末で事実で
ある。比較的高い温度は窒素によって酸素を置換するの
に好ましいと考えられる。言い換えると、製造温度が６
００℃から１，１００℃に上昇すると、ＮＨ3 はより効
果的な窒素処理剤である。
【００２５】スパッタリング時間に関する様々なＢ／Ｎ
比は、酸素濃度が粒子の外側表面から粒子の芯に向かっ
て上昇することを示す。これは、アンモニアがエアロゾ
ル滴の表面と反応して芯に向かって拡散することを含む
拡散プロセスと一貫している。複数の粉末のバルク化学
解析は、表４に示している。これらのデータは、反応温
度が上昇するにつれて窒素含有率が増加する傾向を示し
ており、これはＸＰＳによる特徴付けによって観察され
る。ゆっくりとしたアンモニア流れ中においてアニーリ
ングしたＢＮx Ｏy 先駆物質粉末のバルク化学組成（Ｇ
ＰＩＩ２５２７ａｌ）は、アンモニアによる後処理は、
現在製造されている工業的な粉末に相当する酸素の少な
い組成を示す。
比は、酸素濃度が粒子の外側表面から粒子の芯に向かっ
て上昇することを示す。これは、アンモニアがエアロゾ
ル滴の表面と反応して芯に向かって拡散することを含む
拡散プロセスと一貫している。複数の粉末のバルク化学
解析は、表４に示している。これらのデータは、反応温
度が上昇するにつれて窒素含有率が増加する傾向を示し
ており、これはＸＰＳによる特徴付けによって観察され
る。ゆっくりとしたアンモニア流れ中においてアニーリ
ングしたＢＮx Ｏy 先駆物質粉末のバルク化学組成（Ｇ
ＰＩＩ２５２７ａｌ）は、アンモニアによる後処理は、
現在製造されている工業的な粉末に相当する酸素の少な
い組成を示す。
【００２６】［表３］温度が異なることを除いて同一の
条件において調製した４つのＢＮx Ｏ y 先駆物質粉末
の、ＸＰＳによるＢ／Ｎ比
条件において調製した４つのＢＮx Ｏ y 先駆物質粉末
の、ＸＰＳによるＢ／Ｎ比
【表３】
【００２７】［表４］球形粉末のバルク化学組成
【表４】
【００２８】そのように製造したＢＮx Ｏy 生成物及び
後か焼した試料の表面積及び密度は、表５において示
す。後窒素処理か焼は、表面積及び密度の両方に影響を
与える。６００℃〜１，５００℃において製造したＢＮ
x Ｏy 先駆物質粉末の大部分は一般に、同様な表面積及
び密度を有する。後窒素処理か焼におけるＢＮx Ｏy か
らＢＮへの転化のための酸素共存物の除去は、２ｍ2 ／
ｇ未満から１００ｍ2 ／ｇ超の表面積を持つＢＮをもた
らすことができる。約１．６〜２．２ｇ／ｃｃの密度が
観察される。窒化ホウ素のバルク密度は２．１９ｇ／ｃ
ｃであるので、かなり小さい密度は、閉じた気孔を有す
る中空粒子を示唆している。従って、後処理の条件に依
存して、表面積が小さい粉末若しくは大きい粉末、又は
閉じた気孔若しくは開いた気孔を有する粉末を製造する
ことができる。
後か焼した試料の表面積及び密度は、表５において示
す。後窒素処理か焼は、表面積及び密度の両方に影響を
与える。６００℃〜１，５００℃において製造したＢＮ
x Ｏy 先駆物質粉末の大部分は一般に、同様な表面積及
び密度を有する。後窒素処理か焼におけるＢＮx Ｏy か
らＢＮへの転化のための酸素共存物の除去は、２ｍ2 ／
ｇ未満から１００ｍ2 ／ｇ超の表面積を持つＢＮをもた
らすことができる。約１．６〜２．２ｇ／ｃｃの密度が
観察される。窒化ホウ素のバルク密度は２．１９ｇ／ｃ
ｃであるので、かなり小さい密度は、閉じた気孔を有す
る中空粒子を示唆している。従って、後処理の条件に依
存して、表面積が小さい粉末若しくは大きい粉末、又は
閉じた気孔若しくは開いた気孔を有する粉末を製造する
ことができる。
【００２９】［表５］選択した球形粉末の表面積及びバ
ルク密度
ルク密度
【表５】
【００３０】図３のＸＲＤパターンは、エアロゾル反応
器炉の温度が高くなると、先駆物質ＢＮ粉末の結晶性も
増加することを示している。４０°の２θにおける小さ
い回析ピークは実験誤差であり、試料に起因するもので
はない。温度が高くなるにつれて結晶性が増加する傾向
は、同様な試験（表３）において温度が高くなるにつれ
てＢ／Ｎ比が小さくなる傾向と良好に合致している。
器炉の温度が高くなると、先駆物質ＢＮ粉末の結晶性も
増加することを示している。４０°の２θにおける小さ
い回析ピークは実験誤差であり、試料に起因するもので
はない。温度が高くなるにつれて結晶性が増加する傾向
は、同様な試験（表３）において温度が高くなるにつれ
てＢ／Ｎ比が小さくなる傾向と良好に合致している。
【００３１】炉の温度が１，０００℃であり流量を制御
した条件においてＮＨ3 と反応するホウ酸水溶液から得
られるＢＮx Ｏy 先駆物質の場合において、表２及び表
３のＸＰＳデータから、球形先駆物質粉末が１０〜３５
％の範囲の高濃度の酸素を含有すること分かる。ＮＨ3
中における先駆物質粉末の高温処理の間に、Ｈ2 Ｏ（ガ
ス）及び揮発性Ｂ−Ｎ−Ｏ種を失ってＢ／Ｎ比は１／１
まで上昇する。得られるＢＮ種は約２％未満の酸素を含
有し、且つターボストラティックＢＮと一致するＸＲＤ
パターンを示す。これは、１，０００℃のＮＨ3 中での
７日間にわたるＧＰ１０１の加熱処理によって示されて
いる。図６におけるＳＥＭ顕微鏡写真は、ＮＨ3 中での
長時間のアニーリングが球形粒子の形態を変化させない
ことを示している。最も顕著な結果は表４に示されてい
る。アンモニア加熱処理の後で、Ａｒ+ 中での２０分間
にわたるスパッタリングの後でさえも、酸素残留量が少
ない場合のみＢ／Ｎ比は１／１に近づく（表４のＧＰ１
１３）。加熱処理した粉末のＸＲＤ解析は、結晶性の増
加を示さない。
した条件においてＮＨ3 と反応するホウ酸水溶液から得
られるＢＮx Ｏy 先駆物質の場合において、表２及び表
３のＸＰＳデータから、球形先駆物質粉末が１０〜３５
％の範囲の高濃度の酸素を含有すること分かる。ＮＨ3
中における先駆物質粉末の高温処理の間に、Ｈ2 Ｏ（ガ
ス）及び揮発性Ｂ−Ｎ−Ｏ種を失ってＢ／Ｎ比は１／１
まで上昇する。得られるＢＮ種は約２％未満の酸素を含
有し、且つターボストラティックＢＮと一致するＸＲＤ
パターンを示す。これは、１，０００℃のＮＨ3 中での
７日間にわたるＧＰ１０１の加熱処理によって示されて
いる。図６におけるＳＥＭ顕微鏡写真は、ＮＨ3 中での
長時間のアニーリングが球形粒子の形態を変化させない
ことを示している。最も顕著な結果は表４に示されてい
る。アンモニア加熱処理の後で、Ａｒ+ 中での２０分間
にわたるスパッタリングの後でさえも、酸素残留量が少
ない場合のみＢ／Ｎ比は１／１に近づく（表４のＧＰ１
１３）。加熱処理した粉末のＸＲＤ解析は、結晶性の増
加を示さない。
【００３２】通常はアンモニア雰囲気における、高温で
の後処理で得られる窒化ケイ素の結晶性及び形態は、最
終的なか焼温度への過程の比較的低い温度、か焼温度に
さらす時間、及びか焼温度によって制御することができ
る。最終的な生成物の結晶性は、か焼温度の上昇と共に
増加する。ターボストラティックＢＮは通常、触媒又は
結晶化剤の存在しない条件において１７００℃よりも低
い温度において製造する。
の後処理で得られる窒化ケイ素の結晶性及び形態は、最
終的なか焼温度への過程の比較的低い温度、か焼温度に
さらす時間、及びか焼温度によって制御することができ
る。最終的な生成物の結晶性は、か焼温度の上昇と共に
増加する。ターボストラティックＢＮは通常、触媒又は
結晶化剤の存在しない条件において１７００℃よりも低
い温度において製造する。
【００３３】得られるＢＮ粒子の形態は、結晶サイズを
操作することによって変化させることができる。滑らか
表面及び粗い表面（結晶サイズの増加による）を持つ粒
子を製造することができる。マイクロメートル以下のプ
レートからなる回転楕円体粒子はを製造することもでき
る。球形の形態ではないものを全てなくすこと、及びプ
レート状のｈ−ＢＮを製造することも可能である。後か
焼の条件を制御することによって達成することができる
代表的な形態は図７に示している。
操作することによって変化させることができる。滑らか
表面及び粗い表面（結晶サイズの増加による）を持つ粒
子を製造することができる。マイクロメートル以下のプ
レートからなる回転楕円体粒子はを製造することもでき
る。球形の形態ではないものを全てなくすこと、及びプ
レート状のｈ−ＢＮを製造することも可能である。後か
焼の条件を制御することによって達成することができる
代表的な形態は図７に示している。
【００３４】特定の遷移金属、特に銅は、アモルファス
又はターボストラティックＢＮからｈ−ＢＮへの結晶化
を促進することが知られている。アルカリ土類金属酸化
物類、例えばＣａＯ、及び三酸化ホウ素の存在も結晶化
を促進することを文献は示している。アルカリ金属及び
アルカリ土類金属の窒化物類、特にＬｉ3 Ｎ、Ｍｇ3Ｎ
2 、及びＣａ3 Ｎ2 は、ｈ−ＢＮから立方晶ＢＮへの転
化を促進することが報告されている。これらの化合物は
結晶化剤としても機能して、高温においてアモルファス
又はターボストラティックＢＮからｈ−ＢＮへの転化を
促進することも考えられる。可溶性銅、アルカリ金属、
及びアルカリ土類金属の塩類又はホウ酸塩類の、ホウ酸
又はアンモニウムボレートエアロゾル溶液への付加は、
潜在的な結晶化剤でドープされたＢＮx Ｏy 先駆物質粉
末を提供して、ｈ−ＢＮの製造を促進する。銅はおそら
く元素の銅として存在する。対称的に、アルカリ及びア
ルカリ土類金属類は窒化物類及び／又はホウ酸塩類の形
で存在する。
又はターボストラティックＢＮからｈ−ＢＮへの結晶化
を促進することが知られている。アルカリ土類金属酸化
物類、例えばＣａＯ、及び三酸化ホウ素の存在も結晶化
を促進することを文献は示している。アルカリ金属及び
アルカリ土類金属の窒化物類、特にＬｉ3 Ｎ、Ｍｇ3Ｎ
2 、及びＣａ3 Ｎ2 は、ｈ−ＢＮから立方晶ＢＮへの転
化を促進することが報告されている。これらの化合物は
結晶化剤としても機能して、高温においてアモルファス
又はターボストラティックＢＮからｈ−ＢＮへの転化を
促進することも考えられる。可溶性銅、アルカリ金属、
及びアルカリ土類金属の塩類又はホウ酸塩類の、ホウ酸
又はアンモニウムボレートエアロゾル溶液への付加は、
潜在的な結晶化剤でドープされたＢＮx Ｏy 先駆物質粉
末を提供して、ｈ−ＢＮの製造を促進する。銅はおそら
く元素の銅として存在する。対称的に、アルカリ及びア
ルカリ土類金属類は窒化物類及び／又はホウ酸塩類の形
で存在する。
【００３５】［例１］ ［球形ＢＮx Ｏy 球体の製造］５ｇのホウ酸（Ｈ3 ＢＯ
3 ）を１５０ｍｌの蒸留水に溶解して溶液を作った。こ
の溶液を、底部にポリエチレン隔膜を具備したガラス容
器に供給した。このガラス容器をホームズ加湿器の基部
装置に配置した。この加湿器及び変換器を作動させる
と、ガラス容器の隔膜に超音波振動が発生して、先駆物
質容器からエアロゾルが発生する。３リットル／分の速
度でガラス容器に窒素ガスを通す。エアロゾル蒸気をガ
ラス容器から、ムライト管（直径８．８９ｃｍ（３．
５”）、長さ１５２．４ｃｍ（６０”））につながるポ
リプロピレン管を通して、１０００℃において操作する
リンドバーグ３領域管炉に入れる。同時にアンモニアを
２．２リットル／分で管炉に供給する。ガス混合物はエ
アロゾル滴と反応して、ＢＮxＯy 先駆物質球体を作
る。球形先駆物質粒子は、最大気孔サイズが０．４５μ
ｍのナイロンフィルターで捕らえる。
3 ）を１５０ｍｌの蒸留水に溶解して溶液を作った。こ
の溶液を、底部にポリエチレン隔膜を具備したガラス容
器に供給した。このガラス容器をホームズ加湿器の基部
装置に配置した。この加湿器及び変換器を作動させる
と、ガラス容器の隔膜に超音波振動が発生して、先駆物
質容器からエアロゾルが発生する。３リットル／分の速
度でガラス容器に窒素ガスを通す。エアロゾル蒸気をガ
ラス容器から、ムライト管（直径８．８９ｃｍ（３．
５”）、長さ１５２．４ｃｍ（６０”））につながるポ
リプロピレン管を通して、１０００℃において操作する
リンドバーグ３領域管炉に入れる。同時にアンモニアを
２．２リットル／分で管炉に供給する。ガス混合物はエ
アロゾル滴と反応して、ＢＮxＯy 先駆物質球体を作
る。球形先駆物質粒子は、最大気孔サイズが０．４５μ
ｍのナイロンフィルターで捕らえる。
【００３６】［ＢＮx Ｏy 先駆物質球体のか焼及び結晶
質ＢＮの製造］５ｇのＢＮx Ｏy 先駆物質球体を発熱Ｂ
Ｎボートに配置した。このボートはその後、リンドバー
グ炉の内側のアルミナ管（直径５．０８ｃｍ（２”）、
長さ１０６．６８ｃｍ（４２”））に配置した。この炉
はステンレス鋼の蓋でシールして、窒素ガス（１リット
ル／分）で５分間にわたってパージした。その後アンモ
ニア流れを０．１リットル／分にして、か焼の間中この
流量を維持した。その後炉を過熱して、４℃／分の温度
上昇で１７００℃にした。炉を８時間にわたって１７０
０℃に維持して、４℃／分の速度で室温にした。
質ＢＮの製造］５ｇのＢＮx Ｏy 先駆物質球体を発熱Ｂ
Ｎボートに配置した。このボートはその後、リンドバー
グ炉の内側のアルミナ管（直径５．０８ｃｍ（２”）、
長さ１０６．６８ｃｍ（４２”））に配置した。この炉
はステンレス鋼の蓋でシールして、窒素ガス（１リット
ル／分）で５分間にわたってパージした。その後アンモ
ニア流れを０．１リットル／分にして、か焼の間中この
流量を維持した。その後炉を過熱して、４℃／分の温度
上昇で１７００℃にした。炉を８時間にわたって１７０
０℃に維持して、４℃／分の速度で室温にした。
【図１】図１は、本発明のエアロゾル補助蒸気相反応器
設備の概略図である。
設備の概略図である。
【図２】図２は、ホウ酸とアンモニアから１０００℃に
おいて製造した本発明のＢＮxＯy 先駆物質生成物の
１，５００倍及び４，０００倍での走査型電子顕微鏡写
真を示している。
おいて製造した本発明のＢＮxＯy 先駆物質生成物の
１，５００倍及び４，０００倍での走査型電子顕微鏡写
真を示している。
【図３】図３は、図２で示したＢＮx Ｏy 先駆物質生成
物の７，０００倍及び１２，０００倍での走査型電子顕
微鏡写真を示している。
物の７，０００倍及び１２，０００倍での走査型電子顕
微鏡写真を示している。
【図４】図４は、４つの異なる温度条件においてホウ酸
とアンモニアから製造した本発明のＢＮx Ｏy 先駆物質
粉末の粉末ｘ線回析パターンを示す図である。
とアンモニアから製造した本発明のＢＮx Ｏy 先駆物質
粉末の粉末ｘ線回析パターンを示す図である。
【図５】図５は、アンモニア無しでホウ酸と窒素から本
発明に従って１０００℃において製造したＢＮx Ｏy 先
駆物質生成物の、図２と同じ倍率での複数の走査型電子
顕微鏡写真を示している。
発明に従って１０００℃において製造したＢＮx Ｏy 先
駆物質生成物の、図２と同じ倍率での複数の走査型電子
顕微鏡写真を示している。
【図６】図６は、図５で示したＢＮx Ｏy 先駆物質生成
物の図３と同じ倍率での複数の走査型電子顕微鏡写真を
示している。
物の図３と同じ倍率での複数の走査型電子顕微鏡写真を
示している。
【図７】図７は、アンモニウムペンタボレート（Ｎ
Ｈ4 ）2 Ｂ10Ｏ16・８Ｈ2 Ｏとアンモニアから本発明に
従って１０００℃において製造したＢＮx Ｏy 先駆物質
生成物の、図２及び図５と同じ倍率での他の一連の走査
型電子顕微鏡写真を示している。
Ｈ4 ）2 Ｂ10Ｏ16・８Ｈ2 Ｏとアンモニアから本発明に
従って１０００℃において製造したＢＮx Ｏy 先駆物質
生成物の、図２及び図５と同じ倍率での他の一連の走査
型電子顕微鏡写真を示している。
【図８】図８は、図７で示したＢＮx Ｏy 先駆物質生成
物の図３及び図６と同じ倍率での他の一連の走査型電子
顕微鏡写真を示している。
物の図３及び図６と同じ倍率での他の一連の走査型電子
顕微鏡写真を示している。
【図９】図９は、本発明に従って製造し、且つ７日間に
わたってアンモニア中で１０００℃においてアニーリン
グしたＢＮx Ｏy 先駆物質生成物の、図２と同じ倍率で
の更に他の一連の走査型電子顕微鏡写真を示している。
わたってアンモニア中で１０００℃においてアニーリン
グしたＢＮx Ｏy 先駆物質生成物の、図２と同じ倍率で
の更に他の一連の走査型電子顕微鏡写真を示している。
【図１０】図１０は、図９で示したＢＮx Ｏy 先駆物質
生成物の図３と同じ倍率での更に他の一連の走査型電子
顕微鏡写真を示している。
生成物の図３と同じ倍率での更に他の一連の走査型電子
顕微鏡写真を示している。
【図１１】図１１は、本発明に従って製造し、且つ様々
な条件でアンモニア中において１７００℃でアニーリン
グしたか焼ＢＮx Ｏy 先駆物質生成物の、更に他の一連
の走査型電子顕微鏡写真を示しており、これら２つの例
は結晶性ｈ−ＢＮで得ることができる２つの可能な形態
を示している。
な条件でアンモニア中において１７００℃でアニーリン
グしたか焼ＢＮx Ｏy 先駆物質生成物の、更に他の一連
の走査型電子顕微鏡写真を示しており、これら２つの例
は結晶性ｈ−ＢＮで得ることができる２つの可能な形態
を示している。
【図１２】図１２は、図１１で示したＢＮx Ｏy 先駆物
質生成物の更に他の一連の走査型電子顕微鏡写真を示し
ており、これら２つの例は結晶性ｈ−ＢＮで得ることが
できる更に２つの可能な形態を示している。
質生成物の更に他の一連の走査型電子顕微鏡写真を示し
ており、これら２つの例は結晶性ｈ−ＢＮで得ることが
できる更に２つの可能な形態を示している。
１０…エアロゾル発生装置 １１…加湿器 １２…変換器 １６…導管 １５…キャリアーガス源 １７…炉 １８…反応体ガス源 １９…フィルター
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ユージーン プラス アメリカ合衆国，ニューメキシコ 87104, アルブクエーク，マキシミリアン ノース ウエスト 2901
Claims (14)
- 【請求項１】 （ａ）ホウ素化合物を水溶液に溶解させ
る工程、 （ｂ）ホウ素を含有する前記水溶液からエアロゾル滴を
作る工程、 （ｃ）好ましくはＮ2 及びＡｒからなる群より選択する
不活性キャリアーガスと前記エアロゾル滴を組み合わせ
て、前記キャリアーガスと前記エアロゾル滴とを組み合
わせた所定の流量のガス流れを作る工程、 （ｄ）組み合わせた前記ガス流れを前記所定の流量で炉
に供給する工程、 （ｅ）前記炉の温度を少なくとも６００℃に維持する工
程、及び （ｆ）前記組み合わせたガス流れの注入と同時に、気体
窒素処理剤を前記炉に注入する工程、を含む球形ＢＮx
Ｏy 先駆物質粒子の製造方法。 - 【請求項２】 アモルファス、ターボストラティック、
又は六方晶ＢＮの全体に回転楕円体の粒子を与えるよう
に選択した条件下で、約７００℃を超える温度のＮ
Ｈ3 、Ｎ2 、又はＮＨ3 とＮ2 の混合物中において、前
記球形ＢＮx Ｏy先駆物質粒子をか焼する請求項１に記
載の方法。 - 【請求項３】 平滑、粗い、及びペレット状（葉片状）
の形態の結晶質ＢＮの球形粒子を与えるように選択した
条件下で、約７００℃を超える温度の、ＮＨ 3 、Ｎ2 、
ＮＨ3 とＮ2 との混合物、ＮＨ3 とＡｒとの混合物、Ｎ
Ｈ3 とＮ2 とＨ2 との混合物、又はＮＨ3 とＡｒとＨ2
との混合物のような気体窒素処理剤中において、前記球
形ＢＮx Ｏy 先駆物質粒子をか焼する請求項１に記載の
方法。 - 【請求項４】 （前記組み合わせたガス流れの前記所定
の流量）／（前記気体窒素処理剤の流量）の値を約２よ
りも小さく維持して、実質的に球形のＢＮxＯy 粒子を
作る工程を更に含む請求項１に記載の方法。 - 【請求項５】 （ａ）ホウ素化合物を水溶液に溶解させ
る工程、 （ｂ）ホウ素を含有する前記水溶液からエアロゾル滴を
作る工程、 （ｃ）Ｎ2 及びＡｒからなる群より選択される不活性キ
ャリアーガスと前記エアロゾル滴を組み合わせて、前記
不活性キャリアーガスと前記エアロゾル滴とを組み合わ
せた所定の流量のガス流れを作る工程、 （ｄ）組み合わせた前記ガス流れを前記所定の流量で炉
に供給する工程、 （ｅ）前記炉の温度を６００℃〜１５００℃又はそれ以
上に維持する工程、 （ｆ）前記組み合わせたガス流れの注入と同時に、気体
窒素処理剤を前記炉に注入する工程、並びに （ｇ）（前記組み合わせたガス流れの前記所定の流量）
／（前記気体窒素処理剤の流量）の値を約２よりも小さ
く維持して、実質的に球形のＢＮx Ｏy 粒子を作る工
程、を含む球形ＢＮx Ｏy 粒子の製造方法。 - 【請求項６】 超音波振動、微細粒子化、ノズルによる
噴霧、及び霧状化からなる群より選択されるエアロゾル
形成工程でホウ素を含有する前記水溶液から前記エアロ
ゾル滴を作る請求項５に記載の方法。 - 【請求項７】 球形ＢＮx Ｏy 先駆物質粒子をか焼し
て、球形のターボストラティック又は六方晶結晶構造の
密な窒化ホウ素粒子を作る請求項６に記載の方法。 - 【請求項８】 前記球形ＢＮ粒子の直径が約０．１〜１
００μｍである請求項７に記載の方法。 - 【請求項９】 前記気体窒素処理剤を、窒素、窒素／水
素、アンモニア、アルキルアミン類、ヒドラジン、シア
ナミド、及びジシアナミドからなる群より選択する請求
項６に記載の方法。 - 【請求項１０】 前記水溶液に溶解させる前記ホウ素化
合物を、ホウ酸、アンモニウムボレート、アンモニウム
ペンタボレート、メタホウ酸、無水ホウ酸、並びにホウ
酸又は無水ホウ酸と比較的炭素含有率が低い単純な有機
試薬との錯体類、並びにホウ酸又は無水ホウ酸とヒドラ
ジン、アルキルアミン類、窒素に富むポリアミン類、ア
ルキル置換ヒドラジン類、特にメチルヒドラジン及びジ
メチルヒドラジン、ヒドロキシルアミン、トリアゾ水素
酸、メラミン、ウレア、ビウレット、シアナミド、及び
ジシアナミドとの錯体類又は混合物類からなる群より選
択する請求項９に記載の方法。 - 【請求項１１】 結晶性ｈ−ＢＮの形成を促進する薬剤
を、水溶性の塩又は錯体、好ましくは溶液のホウ素含有
物に基づいて約１〜１０原子％の濃度でアルカリ金属、
アルカリ土類金属、銅からなる群から選択される金属硝
酸塩又はホウ酸塩の形で前記エアロゾル溶液に加える請
求項１０に記載の方法。 - 【請求項１２】 ホウ素含有水溶液からエアロゾルを作
るエアロゾル滴発生装置；キャリアーガス源；前記キャ
リアーガスと共に前記エアロゾルを第１の所定の流量で
炉に注入する手段；前記炉を６００℃〜１５００℃又は
それ以上の温度に加熱する手段；第２の所定の流量で前
記炉に気体窒素処理剤を同時に注入して、ここで、（こ
の第２の所定の流量）／（前記第１の所定の流量）の値
が約２以下になるようにする手段；及び前記炉において
製造されたＢＮx Ｏy をか焼する手段、を具備した球形
ＢＮx Ｏy 先駆物質粒子の製造設備。 - 【請求項１３】 約７００℃〜２０００℃の温度で気体
窒素処理剤の存在下においてか焼することによって、前
記炉において製造された前記ＢＮx Ｏy 先駆物質粒子を
ＢＮに転化させる請求項１２に記載の設備。 - 【請求項１４】 実質的に均一な球形でホウ素、窒素、
及び酸素を含有し且つサイズが約０．０１〜１００μｍ
であり、原子組成がおよそＢＮx Ｏy （ｘ＝０．１〜
０．９及びｙ＝０．１〜０．９）である固体窒化ホウ素
粒子をもたらす先駆物質組成物。
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Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005336009A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | National Institute For Materials Science | 窒化ホウ素ナノシートで被覆された窒化珪素ナノワイヤー及びその製造方法 |
| JP2006045032A (ja) * | 2004-08-09 | 2006-02-16 | National Institute For Materials Science | 窒化ホウ素膜で被覆された窒化アルミニウムナノチューブ及びその製造方法 |
| JP2006188411A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-20 | General Electric Co <Ge> | 窒化ホウ素の製造方法 |
| CN100402417C (zh) * | 2005-12-01 | 2008-07-16 | 华中师范大学 | 一种六方氮化硼纳米微球及合成方法和应用 |
| WO2011021366A1 (ja) * | 2009-08-20 | 2011-02-24 | 株式会社カネカ | 球状化窒化ほう素の製造法 |
| JP2012520823A (ja) * | 2009-03-19 | 2012-09-10 | ボロン コンパウンズ エルティーディー． | 窒化ホウ素粉末の調製のための方法 |
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Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1227531A (zh) * | 1996-08-06 | 1999-09-01 | 大塚化学株式会社 | 氮化硼及其制造方法 |
| US6685762B1 (en) * | 1998-08-26 | 2004-02-03 | Superior Micropowders Llc | Aerosol method and apparatus for making particulate products |
| US6824753B2 (en) * | 2001-04-24 | 2004-11-30 | Science & Technology Corporation @Unm | Organoboron route and process for preparation of boron nitride |
| US6652822B2 (en) * | 2001-05-17 | 2003-11-25 | The Regents Of The University Of California | Spherical boron nitride particles and method for preparing them |
| US6645612B2 (en) * | 2001-08-07 | 2003-11-11 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | High solids hBN slurry, hBN paste, spherical hBN powder, and methods of making and using them |
| US7192644B2 (en) * | 2002-04-22 | 2007-03-20 | Stc.Unm | Non-aqueous borate routes to boron nitride |
| US7060237B1 (en) | 2002-04-22 | 2006-06-13 | Science & Technology Corporation @ Unm | Non-aqueous borate routes to boron nitride |
| US7494635B2 (en) | 2003-08-21 | 2009-02-24 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Boron nitride agglomerated powder |
| US20050164143A1 (en) * | 2004-01-14 | 2005-07-28 | Holcombe Cressie E. | Continuous pusher-type furnacing system for the production of high-quality uniform boron nitride |
| US7297317B2 (en) * | 2004-12-28 | 2007-11-20 | Momentive Performance Materials Inc. | Process for producing boron nitride |
| US7361213B2 (en) * | 2005-08-22 | 2008-04-22 | Ut-Battelle, Llc | Borazine-boron nitride hybrid hydrogen storage system |
| JP5105372B2 (ja) * | 2009-02-03 | 2012-12-26 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 窒化ホウ素球状ナノ粒子とその製造方法 |
| US20150232336A1 (en) * | 2011-10-11 | 2015-08-20 | Ph Matter, Llc | Method for producing bn-based nanoparticles and products therefrom |
| US9045623B2 (en) * | 2011-10-11 | 2015-06-02 | Ph Matter, Llc | Method for producing BN-based nanoparticles and products therefrom |
| CN103043633B (zh) * | 2013-01-09 | 2015-02-04 | 广西大学 | 一种制备六方氮化硼微纳米复合结构的方法 |
| TWI505985B (zh) * | 2013-03-07 | 2015-11-01 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Boron nitride powder and a resin composition containing the same |
| WO2023089452A1 (en) | 2021-11-22 | 2023-05-25 | 3M Innovative Properties Company | Spherical boron nitride particles having low surface roughness |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1050932A (ja) * | 1963-05-30 | |||
| JPS60151202A (ja) | 1983-08-25 | 1985-08-09 | Yuka Meramin Kk | 窒化ホウ素の製造方法 |
| JPS60155507A (ja) | 1984-01-26 | 1985-08-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 窒化ほう素の連続的製造方法 |
| JPS60200811A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-11 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 窒化ホウ素の製造法 |
| CA1260671A (en) | 1984-06-07 | 1989-09-26 | Takahisa Koshida | High-purity powder of hexagonal boron nitride and a method for the preparation thereof |
| US4971779A (en) * | 1989-02-17 | 1990-11-20 | University Of New Mexico | Process for the pyrolytic conversion of a polymeric precursor composition to boron nitride |
| FR2646663B1 (fr) | 1989-05-02 | 1991-12-27 | Rhone Poulenc Chimie | Nitrure de bore amorphe ou turbostratique a morphologie spherique et son procede de preparation |
| JPH0620811A (ja) | 1992-07-01 | 1994-01-28 | Tokin Corp | 磁性線及びその製造方法 |
| WO1998036887A1 (en) | 1997-02-24 | 1998-08-27 | Superior Micropowders Llc | Aerosol method and apparatus for making particulate products |
-
1999
- 1999-05-19 US US09/315,097 patent/US6348179B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
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- 2000-05-19 JP JP2000148893A patent/JP2000327312A/ja active Pending
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4581121B2 (ja) * | 2004-05-27 | 2010-11-17 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 窒化ホウ素ナノシートで被覆された窒化珪素ナノワイヤー及びその製造方法 |
| JP2005336009A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | National Institute For Materials Science | 窒化ホウ素ナノシートで被覆された窒化珪素ナノワイヤー及びその製造方法 |
| JP2006045032A (ja) * | 2004-08-09 | 2006-02-16 | National Institute For Materials Science | 窒化ホウ素膜で被覆された窒化アルミニウムナノチューブ及びその製造方法 |
| JP2006188411A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-20 | General Electric Co <Ge> | 窒化ホウ素の製造方法 |
| CN100402417C (zh) * | 2005-12-01 | 2008-07-16 | 华中师范大学 | 一种六方氮化硼纳米微球及合成方法和应用 |
| JP2012520823A (ja) * | 2009-03-19 | 2012-09-10 | ボロン コンパウンズ エルティーディー． | 窒化ホウ素粉末の調製のための方法 |
| JP5673539B2 (ja) * | 2009-08-20 | 2015-02-18 | 株式会社カネカ | 球状化窒化ほう素の製造法 |
| US8617503B2 (en) | 2009-08-20 | 2013-12-31 | Kaneka Corporation | Process for production of spheroidized boron nitride |
| WO2011021366A1 (ja) * | 2009-08-20 | 2011-02-24 | 株式会社カネカ | 球状化窒化ほう素の製造法 |
| KR20160120289A (ko) | 2014-02-12 | 2016-10-17 | 덴카 주식회사 | 질화붕소 미립자 및 그 제조 방법 |
| KR20160122725A (ko) | 2014-02-12 | 2016-10-24 | 덴카 주식회사 | 구상 질화붕소 미립자 및 그 제조 방법 |
| US10017387B2 (en) | 2014-02-12 | 2018-07-10 | Denka Company Limited | Boron nitride fine particles and production method thereof |
| US10017386B2 (en) | 2014-02-12 | 2018-07-10 | Denka Company Limited | Spherical boron nitride fine particles and production method thereof |
| KR102258544B1 (ko) | 2014-02-12 | 2021-05-28 | 덴카 주식회사 | 구상 질화붕소 미립자 및 그 제조 방법 |
| KR20180048612A (ko) | 2015-08-26 | 2018-05-10 | 덴카 주식회사 | 열전도성 수지 조성물 |
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| WO2019073690A1 (ja) | 2017-10-13 | 2019-04-18 | デンカ株式会社 | 窒化ホウ素粉末、その製造方法及びそれを用いた放熱部材 |
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