JP2000319311A - 感光性ペーストおよびそれを用いたディスプレイ用部材、プラズマディスプレイ並びにディスプレイ部材の製造方法 - Google Patents

感光性ペーストおよびそれを用いたディスプレイ用部材、プラズマディスプレイ並びにディスプレイ部材の製造方法

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JP2000319311A
JP2000319311A JP13019499A JP13019499A JP2000319311A JP 2000319311 A JP2000319311 A JP 2000319311A JP 13019499 A JP13019499 A JP 13019499A JP 13019499 A JP13019499 A JP 13019499A JP 2000319311 A JP2000319311 A JP 2000319311A
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憲一 田畑
Hiromitsu Takahashi
宏光 高橋
Hiroko Uegaki
博子 植垣
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Abstract

(57)【要約】 【課題】高アスペクト比かつ高精細度のパターン加工を
高感度に行える感光性ペーストであって、かつ焼成後の
脱バインダー性の良好な感光性ペーストを提供する。 【解決手段】無機微粒子と感光性有機成分からなる感光
性ペーストであって、感光性有機成分が、(a)エチレ
ン性不飽和基およびカルボキシル基を有するセルロース
誘導体、(b)エチレン性不飽和化合物ならびに(c)
光重合開始剤を含有することを特徴とする感光性ペース
ト。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は感光性ペーストおよ
びそれを用いたディスプレイ用部材、プラズマディスプ
レイ並びにディスプレイ用部材の製造方法に関するもの
であり、本発明によって得られた感光性ペーストおよび
ディスプレイ部材はプラズマディスプレイ、プラズマア
ドレス液晶ディスプレイ、フィールドエミションディス
プレイをはじめとする各種のディスプレイ、回路材料な
どのパターン加工およびその製造に用いることができ
る。
【0002】
【従来の技術】近年、回路材料やディスプレイにおいて
小型化・高精細化が進んでおり、これに対応することが
できるパターン加工技術が求められている。特に、プラ
ズマディスプレイの隔壁形成においてはガラスなどの無
機材料を高精度かつ高アスペクト比でパターン加工がで
きる材料が望まれている。
【0003】従来、無機材料のパターン加工を行う場
合、無機粉末と有機バインダーからなるペーストを用い
たスクリーン印刷法が多く用いられてきた。しかしなが
ら、スクリーン印刷法は精度の高いパターンが形成でき
ないという欠点があった。
【0004】これに対して、特開平1−296534号
公報、特開平2−165538号公報、特開平5−34
2992号公報では、感光性ペーストを用いてフォトリ
ソグラフィ技術にてパターンを形成する方法が提案され
ている。しかしながら、感光性ペーストの感度や解像度
が低いために高アスペクト比、高精細の隔壁が得られ
ず、例えば80μmを越えるような厚みのパターン加工
を行う場合、複数回の加工工程(塗布、露光、現像)を
必要とし、工程が長くなるという欠点があった。
【0005】一方、特公昭54−25957号公報に
は、光重合性組成物のバインダー樹脂としてカルボン酸
を含有するセルロース誘導体が開示されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特公昭
54−25957号公報記載のセルロース誘導体は、無
機化合物を多く含む感光性ペーストに適用すると、焼成
後の脱バインダー性は良好であったが、露光後のパター
ンが現像液に対して膨潤し易く、また感光感度が低いと
いう問題があった。
【0007】そこで、本発明者らは、高アスペクト比か
つ高精細度のパターン加工を高感度に行える感光性ペー
ストであって、かつ焼成後の脱バインダー性の良好な感
光性ペーストを提供することを目的として鋭意検討を行
い、本発明を完成するに至った。
【0008】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、無
機微粒子と感光性有機成分からなる感光性ペーストであ
って、感光性有機成分が、(a)エチレン性不飽和基お
よびカルボキシル基を有するセルロース誘導体、(b)
エチレン性不飽和化合物ならびに(c)光重合開始剤を
含有することを特徴とする感光性ペーストであり、ま
た、本発明はこれらの感光性ペーストを使用したディス
プレイ用部材であり、ディスプレイ用部材の製造方法で
あり、さらに本発明はこれらのディスプレイ用部材を使
用したディスプレイである。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明の感光性ペーストは、無機
微粒子と感光性有機成分からなり、フォトリソグラフィ
を用いたパターンを形成する目的で使用する。本発明の
感光性ペーストを用いて製造されたパターンは、焼成な
どの工程を経て、ディスプレイ用途、とりわけプラズマ
ディスプレイ部材として、プラズマディスプレイパネル
背面板の隔壁や電極として好適に用いられる。
【0010】本発明の感光性有機成分は感光性ペースト
中の有機成分の総体を指し、感光性ペーストの内無機成
分を除いた成分全体を意味する。感光性有機成分は感光
性ペースト中の5〜49重量%を占めることが好まし
い。
【0011】本発明の感光性ペーストを構成する感光性
有機成分は、反応性モノマー、反応性オリゴマー、反応
性ポリマーから選ばれた少なくとも1種、および必要に
応じてバインダポリマ、光重合開始剤、光酸発生剤、光
塩基発生剤、増感剤、増感助剤、紫外線吸収剤、有機染
料、分散剤、可塑剤、増粘剤、有機溶媒、酸、塩基、沈
降防止剤、酸化防止剤などの添加剤成分を加えて構成さ
れる。ここで、反応性モノマー、反応性オリゴマー、反
応性ポリマーにおける反応性とは、感光性ペーストが活
性光線の照射を受けた場合に、反応性モノマ、反応性オ
リゴマ、反応性ポリマが光架橋、光重合、光解重合、光
変性などの反応を通して化学構造が変化することを意味
する。
【0012】本発明で使用するセルロース誘導体(a)
は、エチレン性不飽和基およびカルボキシル基を有する
ことが必須である。本発明のセルロース誘導体(a)
は、セルロースにエチレン性不飽和基およびカルボキシ
ル基を化学反応により導入することにより得ることがで
きる。。ここで用いるセルロースとしては、ヒドロキシ
プロピルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ヒ
ドロキシエチルセルロース、メチルセルロース、エチル
セルロース、ヒドロキシエチルエチルセルロース、カル
ボキシメチルエチルセルロース、ヒドロキシブチルメチ
ルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、
ヒドロキシエチルメチルセルロース、ヒドロキシブチル
セルロース、ヒドロキシプロピルエチルセルロース、ヒ
ドロキシブチルエチルセルロース、およびヒドロキシプ
ロピルヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシブチル
ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシブチルヒドロ
キシプロピルセルロース、ヒドロキシプロピルヒドロキ
シエチルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルヒドロ
キシエチルエチルセルロース、ヒドロキシブチルヒドロ
キシエチルメチルセルロース、ヒドロキシブチルヒドロ
キシエチルエチルセルロース、ヒドロキシブチルヒドロ
キシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシブチルヒド
ロキシプロピルエチルセルロースなどのセルロースエー
テルなどが挙げられる。また、これらセルロースのアセ
チル化物も用いることができる。これらセルロースの
内、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシ
プロピルメチルセルロースアセテートが好ましく用いら
れる。
【0013】これらセルロースへのカルボキシル基の導
入には例えば酸無水物を用い、セルロースの水酸基と酸
無水物を反応させて得ることができる。酸無水物として
は、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水安息香酸、無水
コハク酸、無水マレイン酸、無水グルタル酸、無水ヘキ
サヒドロフタル酸、無水フタル酸などの脂肪族、脂環
族、芳香族のジカルボン酸から誘導されるものなどを挙
げることができる。
【0014】このようなカルボキシル基を有するセルロ
ースとしては、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキ
シプロピルメチルセルロースフタレート、ヒドロキシプ
ロピルメチルセルロースアセテートフタレート、ヒドロ
キシプロピルメチルセルロースアセテートサクシネー
ト、ヒドロキシプロピルメチルセルロースヘキサヒドロ
フタレートなどが好ましく用いられるが、これらに限定
されるものではない。
【0015】本発明のセルロース誘導体のエチレン性不
飽和基としては、ビニル基、アリル基、アクリル基、メ
タクリル基などが挙げられる。好ましくは、エチレン性
不飽和基がセルロースとメタクリル酸誘導体との反応に
より得られたものである。このような官能基を有する部
位を側鎖に付加させる方法は、主鎖であるセルロース中
のメルカプト基、アミノ基、水酸基やカルボキシル基に
対して、グリシジル基やイソシアネート基を有するエチ
レン性不飽和化合物やアクリル酸クロライド、メタクリ
ル酸クロライドまたはアリルクロライドを付加反応させ
て作る方法がある。
【0016】グリシジル基を有するエチレン性不飽和化
合物としては、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グ
リシジル、アリルグリシジルエーテル、エチルアクリル
酸グリシジル、クロトニルグリシジルエーテル、クロト
ン酸グリシジルエーテル、イソクロトン酸グリシジルエ
ーテルなどが挙げられる。
【0017】イソシアネート基を有するエチレン性不飽
和化合物としては、(メタ)アクリロイルイソシアナー
ト、(メタ)アクリロイルエチルイソシアネートなどが
ある。また、グリシジル基やイソシアネート基を有する
エチレン性不飽和化合物やアクリル酸クロライド、メタ
クリル酸クロライドまたはアリルクロライドは、ポリマ
ー中のメルカプト基、アミノ基、水酸基やカルボキシル
基に対して0.05〜1モル等量付加させることが好ま
しい。
【0018】とりわけ、既述のセルロース、またはセル
ロースにカルボキシル基を導入した化合物が有する水酸
基やカルボキシル基を利用して、これら官能基とエチレ
ン性不飽和化合物誘導体を化学反応させて得られるエチ
レン性不飽和基を有するセルロース誘導体が好ましい。
カルボキシル基を利用する場合には、エポキシ基を有す
るエチレン性不飽和化合物が好ましく、グリシジルメタ
クリレートが特に好ましく用いられる。水酸基を利用す
る場合には、イソシアネート基を有するエチレン性不飽
和化合物が好ましく、2−イソシアナトエチルメタクリ
レートが特に好ましく用いられる。また、水酸基を利用
する場合に、無水マレイン酸を用いるとエチレン性不飽
和基とカルボキシル基を同時にセルロースに導入するこ
とが可能で、ワンステップのためセルロース誘導体の合
成上有利である。
【0019】本発明のセルロース誘導体の分子量は、1
0,000〜200,000が好ましく、20,000
〜150,000がさらに好ましい。本発明のセルロー
ス誘導体(a)の樹脂酸価は、20〜150mgKOH
/g−ポリマであることが好ましく、30〜100mg
KOH/g−ポリマであることがさらに好ましい。酸価
が150を越えると、現像時の許容幅が狭くなる傾向と
なる。また、酸価が20以下になると未露光部の現像液
に対する溶解性が低下するため現像液濃度を高くする必
要があり、その結果露光部まで剥がれが発生し易くな
り、高精細なパターンが得られにくくなる。
【0020】本発明のセルロース誘導体(a)の有する
エチレン性不飽和結合は、ポリマ106g当たり300
〜3000当量(すなわち300〜3000個)の範囲
で存在することが好ましい。300当量/106g−ポ
リマ未満の場合セルロースへのエチレン性不飽和結合の
導入量が少なく、現像時に膨潤し易く、感光感度が不十
分な傾向となる。3000当量/106g−ポリマを越
えると、感光性ペーストの光反応時の架橋密度が高くな
り過ぎ、焼成時の脱バイダー性が不十分となるおそれが
ある。
【0021】バインダー成分が必要な場合にはポリマー
として、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラー
ル、メタクリル酸エステル重合体、アクリル酸エステル
重合体、アクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共
重合体、ブチルメタクリレート樹脂などを用いることが
できる。
【0022】本発明においては、エチレン性不飽和化合
物(b)が必須である。このような重合性モノマーとし
ては、1個以上の光重合可能な(メタ)アクリレート基
またはアリル基を有するモノマーなどが挙げられる。こ
れらの具体例としては、アルコール類(例えばエタノー
ル、プロパノール、ヘキサノール、オクタノール、シク
ロヘキサノール、グリセリン、トリメチロールプロパ
ン、ペンタエリスリトールなど)のアクリル酸またはメ
タクリル酸エステル、カルボン酸(例えば酢酸、プロピ
オン酸、安息香酸、アクリル酸、メタクリル酸、コハク
酸、マレイン酸、フタル酸、酒石酸、クエン酸など)と
アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、アリ
ルグリシジル、またはテトラグリシジルメタキシリレン
ジアミンとの反応生成物、アミド誘導体(例えば、アク
リルアミド、メタクリルアミド、N−メチロールアクリ
ルアミド、メチレンビスアクリルアミドなど)、エポキ
シ化合物とアクリル酸またはメタクリル酸との反応物な
どを挙げることができる。また、多官能モノマーにおい
て、不飽和基は、アクリル、メタクリル、ビニル、アリ
ル基が混合して存在してもよい。これらは単独で用いて
もよく、また組み合わせて用いてもよい。
【0023】本発明に用いる光重合開始剤(c)は、ラ
ジカル種を発生するものから選んで用いられる。光重合
開始剤としては、ジエトキシアセトフェノン、2−ヒド
ロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オ
ン、ベンジルジメチルケタール、1−(4−イソプロピ
ルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−
1−オン、4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル−
(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ケトン、1−ヒドロ
キシシクロヘキシル−フェニルケトン、1−フェニル−
1,2−プロパンジオン−2−(o−エトキシカルボニ
ル)オキシム、2−メチル−[4−(メチルチオ)フェ
ニル]−2−モルフォリノプロパン−1−オン、2−ベ
ンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノ
フェニル)−ブタノン−1、ベンゾイン、ベンゾインメ
チルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾイン
イソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテ
ル、ベンゾフェノン、o−ベンゾイル安息香酸メチル、
4−フェニルベンゾフェノン、4,4−ジクロロベンゾ
フェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、4−ベンゾイル
−4’−メチル−ジフェニルサルファイド、アルキル化
ベンゾフェノン、3,3’,4,4’−テトラ(t−ブ
チルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノン、4−ベン
ゾイル−N,N−ジメチル−N−[2−(1−オキソ−
2−プロペニルオキシ)エチル]ベンゼンメタナミニウ
ムブロミド、(4−ベンゾイルベンジル)トリメチルア
ンモニウムクロリド、2−ヒドロキシ−3−(4−ベン
ゾイルフェノキシ)−N,N,N−トリメチル−1−プ
ロペンアミニウムクロリド一水塩、2−イソプロピルチ
オキサントン、2,4−ジメチルチオキサントン、2,
4−ジエチルチオキサントン、2,4−ジクロロチオキ
サントン、2ーヒドロキシ−3−(3,4−ジメチル−
9−オキソ−9H−チオキサンテン−2−イロキシ)−
N,N,N−トリメチル−1−プロパナミニウムクロリ
ド、2,4,6−トリメチルベンゾイルフェニルホスフ
ィンオサイド、2,2’−ビス(o−クロロフェニル)
−4,5,4’,5’−テトラフェニル−1,2−ビイ
ミダゾール、10−ブチル−2−クロロアクリドン、2
−エチルアンスラキノン、ベンジル、9,10−フェナ
ンスレンキノン、カンファーキノン、メチルフェニルグ
リオキシエステル、η5−シクロペンタジエニル−η6
クメニル−アイアン(1+)−ヘキサフルオロフォスフ
ェイト(1−)、ジフェニルスルフィド誘導体、ビス
(η 5−2,4−シクロペンタジエン−1−イル)−ビ
ス(2,6−ジフルオロ−3−(1H−ピロール−1−
イル)−フェニル)チタニウム、4,4−ビス(ジメチ
ルアミノ)ベンゾフェノン、4,4−ビス(ジエチルア
ミノ)ベンゾフェノン、チオキサントン、2−メチルチ
オキサントン、2−クロロチオキサントン、4−ベンゾ
イル−4−メチルフェニルケトン、ジベンジルケトン、
フルオレノン、2,3−ジエトキシアセトフェノン、
2,2−ジメトキシ−2−フェニル−2−フェニルアセ
トフェノン、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオフェ
ノン、p−t−ブチルジクロロアセトフェノン、ベンジ
ルメトキシエチルアセタール、アントラキノン、2−t
−ブチルアントラキノン、2−アミノアントラキノン、
β−クロルアントラキノン、アントロン、ベンズアント
ロン、ジベンズスベロン、メチレンアントロン、4−ア
ジドベンザルアセトフェノン、2,6−ビス(p−アジ
ドベンジリデン)シクロヘキサン、2,6−ビス(p−
アジドベンジリデン)−4−メチルシクロヘキサノン、
2−フェニル−1,2−ブタジオン−2−(o−メトキ
シカルボニル)オキシム、1,3−ジフェニルプロパン
トリオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム、
ナフタレンスルフォニルクロライド、キノリンスルホニ
ルクロライド、N−フェニルチオアクリドン、4,4−
アゾビスイソブチロニトリル、ベンズチアゾールジスル
フィド、トリフェニルホスフィン、四臭素化炭素、トリ
ブロモフェニルスルホン、過酸化ベンゾイルおよびエオ
シン、メチレンブルーなどの光還元性の色素とアスコル
ビン酸、トリエタノールアミンなどの還元剤の組み合わ
せなどが挙げられる。
【0024】本発明では、これらを1種または2種以上
使用することができる。光重合開始剤は、感光性有機成
分に対し、通常0.05〜10重量%の範囲で添加さ
れ、より好ましくは、0.1〜10重量%である。重合
開始剤の量が少なすぎると感光感度が不良となり、光重
合開始剤の量が多すぎる場合には露光部の残存率が小さ
くなるおそれがある。
【0025】光重合開始剤と共に増感剤を使用し、感度
を向上させたり、反応に有効な波長範囲を拡大すること
ができる。
【0026】増感剤の具体例としては、2,4−ジメチ
ルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、
2−イソプロピルチオキサントン、2,3−ビス(4−
ジエチルアミノベンザル)シクロペンタノン、2,6−
ビス(4−ジメチルアミノベンザル)シクロヘキサノ
ン、2,6−ビス(4−ジメチルアミノベンザル)−4
−メチルシクロヘキサノン、ミヒラーケトン、4,4−
ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4−ビス
(ジメチルアミノ)カルコン、4,4−ビス(ジエチル
アミノ)カルコン、p−ジメチルアミノシンナミリデン
インダノン、p−ジメチルアミノベンジリデンインダノ
ン、2−(p−ジメチルアミノフェニルビニレン)イソ
ナフトチアゾール、1,3−ビス(4−ジメチルアミノ
フェニルビニレン)イソナフトチアゾール、1,3−ビ
ス(4−ジメチルアミノベンザル)アセトン、1,3−
カルボニルビス(4−ジエチルアミノベンザル)アセト
ン、3,3−カルボニルビス(7−ジエチルアミノクマ
リン)、トリエタノールアミン、メチルジエタノールア
ミン、トリイソプロパノールアミン、N−フェニル−N
−エチルエタノールアミン、N−フェニルエタノールア
ミン、N−トリルジエタノールアミン、4−ジメチルア
ミノ安息香酸メチル、4−ジメチルアミノ安息香酸エチ
ル、ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、ジエチルアミ
ノ安息香酸イソアミル、安息香酸(2−ジメチルアミ
ノ)エチル、4−ジメチルアミノ安息香酸(n−ブトキ
シ)エチル、4−ジメチルアミノ安息香酸2−エチルヘ
キシル、3−フェニル−5−ベンゾイルチオテトラゾー
ル、1−フェニル−5−エトキシカルボニルチオテトラ
ゾールなどが挙げられる。
【0027】本発明ではこれらを1種または2種以上使
用することができる。なお、増感剤の中には光重合開始
剤としても使用できるものがある。増感剤を本発明の感
光性ペーストに添加する場合、その添加量は感光性有機
成分に対して通常0.05〜10重量%、より好ましく
は0.1〜10重量%である。増感剤の量が少なすぎれ
ば光感度を向上させる効果が発揮されず、増感剤の量が
多すぎれば露光部の残存率が小さくなるおそれがある。
【0028】本発明では酸化防止剤を添加することが好
ましい。ここで言う酸化防止剤とは、ラジカル連鎖禁止
作用、三重項の消光作用、ハイドロパーオキサイドの分
解作用をもつものを指す。
【0029】感光性ペーストは多くのガラス微粒子成分
を分散状態で含有するので、露光光によるペースト内部
の光散乱は避け難く、それに起因すると考えられるパタ
ーン形状の太りやパターン間の埋り(残膜形成)が発生
しやすい。パターンの壁は垂直に切り立ち、矩形になる
ことが望ましい。理想的には、ある露光量以下では現像
液に溶解し、それ以上では現像液に不溶となることであ
る。つまり、光散乱によって低い露光量で硬化しても現
像液に溶解し、パターン形状の太りやパターン間の埋ま
りが解消され、露光量を多くしても解像できる範囲が広
いことが好ましい。
【0030】感光性ペーストに酸化防止剤を添加する
と、酸化防止剤がラジカルを捕獲したり、励起された光
重合開始剤や増感剤のエネルギー状態を基底状態に戻し
たりすることにより散乱光による余分な光反応が抑制さ
れ、酸化防止剤で抑制できなくなる露光量で急激に光反
応が起こることにより、現像液への溶解と、不溶のコン
トラストを高くすることができる。
【0031】具体的には、酸化防止剤としてp−ベンゾ
キノン、ナフトキノン、p−キシロキノン、p−トルキ
ノン、2,6−ジクロロキノン、2,5−ジアセトキシ
−p−ベンゾキノン、2,5−ジカプロキシ−p−ベン
ゾキノン、ヒドロキノン、p−t−ブチルカテコール、
2,5−ジブチルヒドロキノン、モノ−t−ブチルヒド
ロキノン、2,5−ジ−t−アミルヒドロキノン、ジ−
t−ブチル−p−クレゾール、ヒドロキノンモノメチル
エーテル、α−ナフトール、ヒドラジン塩酸塩、トリメ
チルベンジルアンモニウムクロリド、トリメチルベンジ
ルアンモニウムオキザレート、フェニル−β−ナフチル
アミン、パラベンジルアミノフェノール、ジ−β−ナフ
チルパラフェニレンジアミン、ジニトロベンゼン、トリ
ニトロベンゼン、ピクリン酸、キノンジオキシム、シク
ロヘキサノンオキシム、ピロガロール、タンニン酸、ト
リエチルアミン塩酸塩、ジメチルアニリン塩酸塩、クペ
ロン、(2,2’−チオビス(4−t−オクチルフェノ
レート)−2−エチルヘキシルアミノニッケル−(I
I)、4,4’−チオビス−(3−メチル−6−t−ブ
チルフェノール)、2,2’−メチレンビス−(4−メ
チル−6−t−ブチルフェノール)、2,2’−チオビ
ス−(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、トリ
エチレングリコール−ビス[3−(t−ブチル−5−メ
チル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、
1,6−ヘキサンジオール−ビス[(3,5−ジ−t−
ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、
1,2,3−トリヒドロキシベンゼン、などが挙げられ
るがこれらに限定されない。本発明では、これらを1種
以上使用することができる。
【0032】酸化防止剤の添加量は、感光性ペースト中
に通常0.1〜30重量%、より好ましくは、0.5〜
20%の範囲である。これらの範囲より少ない場合、現
像液への溶解、不溶のコントラストが小さく、またこの
範囲を越えると感光性ペーストの感度が低下し、多くの
露光量を必要とする傾向となり、重合度が上がらずパタ
ーン形状が維持が難しい傾向となる。
【0033】また、紫外線吸収剤を添加することで、露
光光によるペースト内部の散乱光を吸収し、散乱光を弱
めることができる。紫外線吸収剤としては、ベンゾフェ
ノン系化合物、シアノアクリレート系化合物、サリチル
酸系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、インドール
系化合物、無機系の微粒子酸化金属などが挙げられる。
これらの中でもベンゾフェノン系化合物、シアノアクリ
レート系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、インド
ール系化合物が特に有効である。これらの具体例として
は、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2−ヒドロ
キシ−4−メトキシベンゾフェノン、2,2’−ジヒド
ロキシ−4−メトキシベンゾフェノン、2,2’−ジヒ
ドロキシ−4,4’−ジメトキシベンゾフェノン、2,
2’−ジヒドロキシ−4,4’−ジメトキシ−5−スル
ホベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−メトキシ−
2’−カルボキシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4
−メトキシ−5−スルホベンゾフェノントリヒドレー
ト、2−ヒドロキシ−4−n−オクトキシベンゾフェノ
ン、2−ヒドロキシ−4−オクタデシロキシベンゾフェ
ノン、2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノン、4−ドデシロキシ−2−ヒドロキシベンゾフェ
ノン、2−ヒドロキシ−4−(2−ヒドロキシ−3−メ
タクリロキシ)プロポキシベンゾフェノン、2−(2’
−ヒドロキシ−5’−メチルフェニル)ベンゾトリアゾ
ール、2−(2’−ヒドロキシ−3’,5’−ジ−t−
ブチルフェニル)ベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒ
ドロキシ−3’−t−ブチル−5’−メチルフェニル)
−5−クロロベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒドロ
キシ−3’,5’−ジ−t−ブチルフェニル)−5−ク
ロロベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ−
4’−n−オクトキシフェニル)ベンゾトリアゾール、
2−エチルヘキシル−2−シアノ−3,3−ジフェニル
アクリレート、2−エチル−2−シアノ−3,3−ジフ
ェニルアクリレート、インドール系の吸収剤であるBO
NASORB UA−3901(オリエント化学社
製)、BONASORB UA−3902(オリエント
化学社製)SOM−2−0008(オリエント化学社
製)などが挙げられるがこれらに限定されない。さら
に、これら紫外線吸収剤の骨格にメタクリル基などを導
入し反応型として用いてもよい。本発明では、これらを
1種以上使用することができる。
【0034】紫外線吸収剤の添加量は、ペースト中に通
常0.001〜10重量%、より好ましくは、0.00
5〜5%の範囲である。これらの範囲を外れると、透過
限界波長および波長傾斜幅が変化し、散乱光の吸収能力
が不足したり、露光光の透過率が下がる傾向となり、感
光性ペーストの感度が低下する傾向となるので注意を要
する。
【0035】また、本発明では、露光、現像の目印とし
て有機系染料を添加することができる。染料を添加して
着色することにより視認性が良くなり、現像時にペース
トが残存している部分と除去された部分との区別が容易
になる。有機染料としては、特に限定はされないが、焼
成後の絶縁膜中に残存しないものが好ましい。具体的に
はアゾ系染料、アントラキノン系染料、インジゴイド系
染料、フタロシアニン系染料、カルボニウム系染料、キ
ノンイミン系染料、メチン系染料、キノリン系染料、ニ
トロ系染料、ニトロソ系染料、ベンゾキノン系染料、ナ
フトキノン系染料、フタルイミド系染料、ペリノン系染
料などが使用できる。特に、h線とi線付近の波長の光
を吸収するもの、例えばベーシックブルー等のカルボニ
ウム系染料を選択すると、本発明の効果がより出やすく
なり好ましい。有機染料の添加量は0.001〜1重量
%であることが好ましい。
【0036】感光性ペーストを基板に塗布する時の粘度
を塗布方法に応じて調整するために有機溶媒が使用され
る。このとき使用される有機溶媒としては、メチルセロ
ソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチル
エチルケトン、ジオキサン、アセトン、シクロヘキサノ
ン、シクロペンタノン、イソブチルアルコール、イソプ
ロピルアルコール、テトラヒドロフラン、ジメチルスル
ホキシド、γ−ブチロラクトン、ブロモベンゼン、クロ
ロベンゼン、ジブロモベンゼン、ジクロロベンゼン、ブ
ロモ安息香酸、クロロ安息香酸などやこれらのうちの1
種以上を含有する有機溶媒混合物が用いられる。
【0037】本発明における無機微粒子とは、ガラス、
セラミックス、金属の微粒子であり、特に有用であるの
はガラス粉末を用いた場合である。
【0038】ガラス粉末としては、ガラス転移点430
〜500℃、軟化点が470〜580℃のガラス粉末を
ペースト中に50重量%以上含有することによって、通
常のディスプレイに用いられる基板上にパターン加工が
できる。
【0039】このようなガラス転移点および軟化点を有
し、かつガラス微粒子の屈折率が1.5〜1.65にな
るように金属酸化物を配合してなるガラス微粒子を用い
ることにより、ガラス粉末と感光性有機成分の屈折率と
整合させ、光散乱を抑制することにより高精度のパター
ン加工が可能になる。例えば、酸化ケイ素:22、酸化
アルミニウム:23、酸化ホウ素:33、酸化リチウ
ム:9、酸化マグネシウム:7、酸化バリウム:4およ
び酸化亜鉛2(重量%)からなるガラス粉末は、ガラス
転移点:490℃、軟化点:528℃そしてg線波長
(436nm)においての屈折率:1.59であり、本
発明の無機微粒子として好ましく使用することができ
る。
【0040】本発明の感光性ペーストとしてに用いる無
機微粒子として好ましく使用できるガラス粉末は下記の
組成を有するものである。 酸化リチウム : 3〜10重量% 酸化ケイ素 :10〜30重量% 酸化ホウ素 :20〜40重量% 酸化バリウム : 2〜15重量% 酸化アルミニウム :10〜25重量%。
【0041】酸化リチウムを3〜10重量%含有するガ
ラス粉末を用いることによって、熱軟化温度、熱膨脹係
数のコントロールが容易になるだけでなく、ガラスの平
均屈折率を低くできるため、有機成分との屈折率差を小
さくすることが容易になる。アルカリ金属の酸化物の添
加量はペーストの安定性を向上させるためには、10重
量%以下が好ましく、より好ましくは8重量%以下であ
る。
【0042】酸化ケイ素は10〜30重量%の範囲で配
合することが好ましく、10重量%未満の場合はガラス
層の緻密性、強度や安定性が低下し、また熱膨脹係数が
所望の値から外れ、ガラス基板とのミスマッチが起こり
やすい。また、30重量%以下にすることによって、軟
化点が低くなり、ガラス基板への焼き付けが可能になる
などの利点がある。
【0043】酸化ホウ素は20〜40重量%の範囲で配
合することが好ましい。40重量%を越えるとガラスの
安定性が低下する傾向となる。酸化硼素はガラス粉末を
800〜1200℃付近の温度で溶解するため、および
ガラスペーストの焼き付け温度を酸化ケイ素が多い場合
でも電気絶縁性、強度、熱膨脹係数、絶縁層の緻密性な
どの電気、機械および熱的特性を損なうことないように
焼き付け温度を540〜610℃の範囲に制御するため
に配合される。20重量%未満では絶縁層の強度が低下
し、ガラスの安定性が低下する傾向となる。
【0044】酸化バリウムは2〜15重量%の範囲で配
合することが好ましい。2重量%未満では、ガラス焼き
付け温度および電気絶縁性を制御するのが難しくなる。
また、15重量%を越えるとガラス層の安定性や緻密性
が低下する。
【0045】酸化アルミニウムは10〜25重量%の範
囲で配合するのが好ましい。酸化アルミニウムはガラス
の歪み点を高めるために添加される。10重量%未満で
はガラス層の強度が低下する。25重量%を越えるとガ
ラスの耐熱温度が高くなり過ぎてガラス基板上に焼き付
けが難しくなる傾向となる。また、緻密な絶縁層が60
0℃以下の温度で得られ難くなる傾向となる。
【0046】ガラス粉末には、プラズマの放電特性を劣
化させる酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化イットリ
ウムなどを含まないことが好ましい。また、含有する場
合であっても5重量%以下であることが好ましい。
【0047】また、ガラス粉末中に、酸化チタン、酸化
ジルコニウムなどを含有することができるが、その量は
2重量%未満であることが好ましい。酸化ジルコニウム
はガラスの軟化点、転移点および電気絶縁性を制御する
のに効果がある。
【0048】ガラス粉末の作製法としては、例えば原料
である酸化リチウム、酸化ケイ素、酸化硼素、酸化バリ
ウムおよび酸化アルミニウムなどを所定の配合組成とな
るように混合し、900〜1200℃で溶融後、急冷
し、ガラスフリットにしてから粉砕して1〜5μmの微
細な粉末にする。原料は高純度の炭酸塩、酸化物、水酸
化物などを使用できる。また、ガラス粉末の種類や組成
によっては99.99%以上の超高純度なアルコキシド
や有機金属の原料を使用し、ゾル・ゲル法で均質化に作
製した粉末を使用すると高電気抵抗で緻密な気孔の少な
い、高強度な絶縁層が得られるので好ましい。
【0049】上記において使用されるガラス粉末粒子径
は、作製しようとするパターンの形状を考慮して選ばれ
るが、粉末は、50重量%粒子径(平均粒子径)が2〜
3.5μm、トップサイズ15μm以下であることが必
要である。さらに、10重量%粒子径が0.6〜1.5
μm、90重量%粒子径が4〜8μm、比表面積1.5
〜2.5m2/gを有していることが好ましい。より好
ましくは平均粒子径2.5〜3.5μm、比表面積1.
7〜2.4m2/gである。この範囲にあると紫外線露
光時に光が十分透過し、上下で線幅差の少ない隔壁パタ
ーンが得られる。平均粒子径2.0μm以下、比表面積
2.5m2/gを越えると粉末が細かくなり過ぎて露光
時において光が散乱されて未露光部分を硬化させるので
好ましくない。
【0050】感光性ペーストは、通常、紫外線吸収剤、
酸化防止剤、有機染料、分散剤、吸光剤、および溶媒な
どを含む感光性有機成分および無機微粒子を所定の組成
となるように調合した後、3本ローラや混練機で均質に
混合分散し作製する。
【0051】ペーストの粘度は無機微粒子、増粘剤、有
機溶媒、可塑剤および沈降防止剤など添加割合によって
適宜調整されるが、その範囲は通常2000〜20万c
ps(センチ・ポイズ)である。例えば、基板への塗布
をスピンコート法で行う場合は、2000〜5000c
psが好ましい。スクリーン印刷法で1回塗布して膜厚
10〜20μmを得るには、5万〜20万cpsが好ま
しい。ブレードコーター法やダイコーター法などを用い
る場合は、1万〜5万cpsが好ましい。
【0052】感光性ペーストを用いてパターン加工を行
う一例について説明するが、本発明はこれに限定されな
い。基板上に、感光性ペーストを全面塗布、もしくは部
分的に塗布する。塗布方法としては、スクリーン印刷
法、バーコーター、ロールコーター、ダイコーター、ブ
レードコーターなどの方法を用いることができる。塗布
厚みは、塗布回数、スクリーンのメッシュ、ペーストの
粘度を選ぶことによって調整できる。
【0053】ここでペーストを基板上に塗布する場合、
基板と塗布膜との密着性を高めるために基板の表面処理
を行うことができる。表面処理液としては、シランカッ
プリング剤、例えば、ビニルトリクロロシラン、ビニル
トリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、トリ
ス(2−メトキシエトキシ)ビニルシラン、γ−グリシ
ドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−(メタクリロ
キシプロピル)トリメトキシシラン、γ−(2−アミノ
エチル)アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロ
ロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピ
ルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキ
シシランなど、あるいは有機金属例えば、有機チタン、
有機アルミニウム、有機ジルコニウムなどである。シラ
ンカップリング剤あるいは有機金属を有機溶媒、例え
ば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレン
グリコールモノエチルエーテル、メチルアルコール、エ
チルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコー
ルなどで0.1〜5%の濃度に希釈したものを用いる。
次にこの表面処理液をスピナーなどで基板上に均一に塗
布した後に80〜140℃で10〜60分間乾燥するこ
とによって表面処理ができる。
【0054】塗布した後、露光装置を用いて露光を行
う。露光装置としては、プロキシミティ露光機などを用
いることができる。また、大面積の露光を行う場合は、
基板上に感光性ペーストを塗布した後に、搬送しながら
露光を行うことによって、小さな露光面積の露光機で、
大きな面積を露光することができる。
【0055】露光後、露光部分と未露光部分の現像液に
対する溶解度差を利用して、現像を行うが、この場合、
浸漬法やスプレー法、ブラシ法で行う。現像液には、感
光性ペースト中の有機成分が溶解可能である有機溶媒を
用いる。また、該有機溶媒にその溶解力が失われない範
囲で水を添加してもよい。感光性ペースト中にカルボキ
シル基などの酸性基をもつ化合物が存在する場合、アル
カリ水溶液で現像できる。アルカリ水溶液としては水酸
化ナトリウムや炭酸ナトリウム、水酸化カルシウム水溶
液などが使用できるが、有機アルカリ水溶液を用いると
焼成時にアルカリ成分を除去し易く、好ましい。
【0056】有機アルカリとしては、一般的なアミン化
合物を用いることができる。具体的には、テトラメチル
アンモニウムヒドロキサイド、トリメチルベンジルアン
モニウムヒドロキサイド、モノエタノールアミン、ジエ
タノールアミンなどが挙げられる。
【0057】アルカリ水溶液の濃度は通常0.05〜5
重量%、より好ましくは0.1〜1重量%である。アル
カリ濃度が低すぎれば可溶部が除去されず、アルカリ濃
度が高すぎれば、パターン部を剥離させ、また非可溶部
を腐食させるおそれがあり良くない。また、現像時の現
像温度は、通常20〜50℃で行うことが工程管理上好
ましい。
【0058】次に焼成炉にて焼成を行う。焼成雰囲気や
温度は、ペーストや基板の種類によって異なるが、空気
中、窒素、水素などの雰囲気中で焼成する。焼成炉とし
ては、バッチ式の焼成炉やベルト式の連続型焼成炉を用
いることができる。
【0059】焼成温度は通常400〜1000℃で行
う。ガラス基板上にパターン加工する場合は、通常48
0〜610℃の温度で10〜60分間保持して焼成を行
う。
【0060】かくして、本発明のPDP用部材を作製す
ることができる。このPDP用部材を背面板として用い
て、前面板と封着後、前背面の基板間隔に形成された空
間に、ヘリウム、ネオン、キセノンなどから構成される
放電ガスを封入後、駆動回路を装着して本発明のプラズ
マディスプレイを作製できる。前面板は、基板上に所定
のパターンで透明電極、バス電極、誘電体、保護膜(M
gO)を形成した基板であり、背面基板上に形成された
RGB各色蛍光体層に一致する部分にカラーフィルター
層を形成しても良い。また、コントラストを向上するた
めに、ブラックストライプを形成しても良い。
【0061】
【実施例】以下に、本発明を実施例により具体的に説明
する。ただし、本発明はこれに限定されるものではな
い。 合成例1 300mLの3つ口フラスコにジメチルホルムアミド1
70g、ヒドロキシプロピルメチルセルロースヘキサヒ
ドロフタレート(信越化学工業社製、酸価140)30
gを75℃にて攪拌し、均一に溶解させた。グリシジル
メタクリレート5.7g、トリエチルベンジルクロライ
ド0.36g、ジメチルホルムアミド10gを混合し、
滴下ロートで30分かけて滴下した。5時間反応させた
後、常温に戻し、精製水中に投入して沈殿物を十分に乾
燥し、セルロース誘導体−1を得た(重量平均分子量8
8000、樹脂酸価50mgKOH/g−ポリマ)。グ
リシジルメタクリレートの付加反応量は、反応前後の酸
価の変化から算出すると1200当量/106g−ポリ
マであった。
【0062】合成例 2 300mLの3つ口フラスコにジメチルホルムアミド1
35g、ヒドロキシプロピルメチルセルロースアセテー
トフタレート(信越化学工業社製、酸価110)30g
を40℃にて攪拌し、均一に溶解させた。2−イソシア
ナトエチルメタクリレート6.1g、ジブチルスズジラ
ウレート0.01g、ジメチルホルムアミド10gを混
合し、滴下ロートで30分かけて滴下した。3時間反応
させた後、常温に戻し、精製水中に投入して沈殿物を十
分に乾燥し、セルロース誘導体−2を得た(重量平均分
子量120000、樹脂酸価90mgKOH/g−ポリ
マ)。グリシジルメタクリレートの付加反応量は、反応
前後の酸価の変化から算出すると400当量/106
−ポリマであった。
【0063】合成例 3 500mLの4つ口フラスコにイソプロピルアルコール
100gを仕込み、オイルバス中で80℃に保ち、窒素
シール、攪拌を行いながら、メタクリル酸メチル30
g、スチレン40g、メタクリル酸30g、N,N−ア
ゾビスイソブチロニトリル2gを混合して、滴下ロート
で30分かけて滴下した。4時間反応を続けた後、ハイ
ドロキノン1gを添加してから常温に戻し、精製水中に
投入、乾燥してアクリル樹脂−1を得た。
【0064】実施例1 セルロース誘導体−1:15重量部、エチレン性不飽和
化合物としてトリメチロールプロパントリアクリレー
ト:15重量部、光重合開始剤として(2−ベンジル−
2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニ
ル)ブタノン):4.8重量部、増感剤(2,4−ジエ
チルチオキサントン):4.8重量部、酸化防止剤
(1,6−ヘキサンジオール−ビス[(3,5−ジ−t
−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネー
ト]):3.0重量部、紫外線吸収剤(2−エチルヘキ
シル−2−シアノ−3,3−ジフェニルアクリレート、
吸収極大波長:320nm):0.5重量部および有機
染料(ベーシックブルー26、吸収極大波長:592n
m)0.01重量部の各成分を50℃に加熱しながら溶
解し、その後、下記の無機微粒子70重量部を添加し、
混練機で混練するという手順で感光性ペーストを作成し
た。ペースト中の溶媒量は30%になるように調整し
た。
【0065】無機微粒子としては、組成が、Li2O:
9%、SiO2:22%、Al23:23%、B23
33%、BaO:4%、ZnO:2%、MgO:7%で
あるガラス微粒子を用いた。このガラス微粒子の平均屈
折率は1.586、ガラス転移点、軟化点はそれぞれ4
76℃、519℃、平均粒子径は2.6μmである。
【0066】ソーダガラス基板上に、スクリーン印刷に
より、感光性ペーストを均一に塗布した。塗布膜にピン
ホールなどの発生を回避するために塗布、乾燥を数回以
上繰り返し行い、乾燥厚みが180μmになるように塗
布した。途中の乾燥は80℃で10分間行った。その
後、80℃で60分乾燥した。
【0067】次に、プラズマディスプレイ用の隔壁パタ
ーン形成を目的としたフォトマスク(ストライプ状パタ
ーン、パターンピッチ130μm、線幅20μm)を介
して露光を行った。この時、該マスクが汚染されるのを
防ぐため、マスクと塗膜面に100μmのギャップを設
けた。その後、35℃に保持したモノエタノールアミン
の0.3重量%水溶液をシャワーで300秒間かけるこ
とにより現像し、その後シャワースプレーを用いて水洗
浄し、光硬化していないスペース部分を除去してガラス
基板上にストライプ状の隔壁パターンを形成した。
【0068】隔壁パターンを顕微鏡で観察し、100m
J/cm2の露光量において、露光部の剥がれ、パター
ンの蛇行およびパターン間の埋まり(残膜)の発生は全
く見られなかった。
【0069】隔壁パターンの加工を終了したガラス基板
を80℃で15分乾燥した後、540℃で15分焼成し
隔壁を形成した。焼成により約30%程度の収縮が生じ
たが、焼成残渣による着色はなく、脱バインダ性に優れ
ていた。
【0070】次に、隣り合う隔壁間に蛍光体を塗布し
た。蛍光体の塗布は、256カ所の穴(口径:130μ
m)が形成されたノズル先端から蛍光体ペーストを吐出
するディスペンサー法により形成した。蛍光体は隔壁側
面に焼成後厚み25μm、誘電体上に焼成後厚み25μ
mになるように塗布した後に、500℃で10分間の焼
成を行った。さらに、作製した前面基板と背面基板を封
着ガラスを用いて封着して、Xe5%含有のNeガスを
内部ガス圧66500Paになるように封入した。さら
に、駆動回路を実装してPDPを作製した。
【0071】比較例 1 セルロース誘導体−1に代えて、側鎖にエチレン性不飽
和基を持たないセルロースであるヒドロキシプロピルメ
チルセルロースヘキサヒドロフタレートを用いたこと以
外は実施例1と同様にして隔壁パターンの形成を試みた
が、露光量を1000mJ/cm2としても現像時に露
光部が完全に剥がれ、所望のパターンは得られなかっ
た。側鎖にエチレン性不飽和基を持たないセルロースで
は、感光感度が不十分であった。
【0072】比較例 2 セルロース誘導体−1に代えて、アクリル樹脂−1を用
いたこと以外は実施例1と同様にして隔壁パターンの形
成を行い(露光量600mJ/cm2)、焼成を行った
ところ、パターンは褐色の着色が見られ、脱バインダー
が不十分であった。
【0073】実施例2 セルロース誘導体−2:15重量部、エチレン性不飽和
化合物としてノナンジアクリレート:15重量部、光重
合開始剤として(2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−
1−(4−モルフォリノフェニル)ブタノン):6.0
重量部、増感剤(2,4−ジエチルチオキサントン):
6.0重量部、紫外線吸収剤(2−エチルヘキシル−2
−シアノ−3,3−ジフェニルアクリレート、吸収極大
波長:320nm):0.5重量部および有機染料(ベ
ーシックブルー26、吸収極大波長:592nm)0.
01重量部の各成分を50℃に加熱しながら溶解し、そ
の後、実施例1で使用したものと同じ無機微粒子70重
量部を添加し、混練機で混練するという手順で感光性ペ
ーストを作成した。ペースト中の溶媒量は30%になる
ように調整した。
【0074】ペーストの塗布、乾燥、露光、現像、焼成
は実施例1と同様の方法で行った。80mJ/cm2
露光量で露光部の剥がれ、パターンの蛇行およびパター
ン間の埋まり(残膜)の発生なく隔壁パターンを形成す
ることができ、焼成後の焼成残さによる着色もなく、脱
バインダー性に優れていた。
【0075】
【発明の効果】本発明の感光性ペーストは、高アスペク
ト比かつ高精細度のパターン加工を高感度に行うことが
でき、かつ焼成後の脱バイダー性に優れている。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G03F 7/027 G03F 7/027 5C027 7/032 7/032 5C040 7/40 7/40 H01J 9/02 H01J 9/02 F 11/02 11/02 B Fターム(参考) 2H025 AA00 AA01 AB15 AB17 AC01 AD01 BC14 BC31 BC51 BC81 BC85 BC92 CA00 CA01 CC08 FA03 FA14 FA29 2H096 AA00 AA26 AA27 BA05 BA06 BA20 EA02 GA03 GA08 HA01 LA17 4G062 AA08 AA09 AA15 BB05 DA04 DB04 DC04 DC05 DD01 DE01 DF01 EA03 EB01 EC01 ED01 EE01 EF01 EG03 EG04 FA01 FA10 FB01 FC01 FD01 FE01 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GA10 GB01 GC01 GD01 GE01 HH01 HH03 HH05 HH07 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM07 MM12 NN17 PP13 PP15 PP16 4J002 AB021 DL006 ED088 EE038 EH077 EK048 EV118 GP03 4J011 QA03 QA06 QA12 QA13 QA15 QA17 QB20 QB28 SA06 SA12 SA22 SA24 SA26 SA32 SA34 SA42 SA52 SA62 SA63 SA64 SA65 SA73 SA76 SA78 SA83 SA84 SA85 SA87 SA88 TA09 UA01 VA01 WA02 5C027 AA09 5C040 GF18 GF19 JA02 JA15 JA22 KA04 KA08 KA09 KA16 KB02 KB04 KB11 KB13 KB19 KB28 MA23 MA24

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】無機微粒子と感光性有機成分からなる感光
    性ペーストであって、感光性有機成分が、(a)エチレ
    ン性不飽和基およびカルボキシル基を有するセルロース
    誘導体、(b)エチレン性不飽和化合物ならびに(c)
    光重合開始剤を含有することを特徴とする感光性ペース
    ト。
  2. 【請求項2】セルロース誘導体(a)の重量平均分子量
    が20000〜150000、樹脂酸価が20〜150
    mgKOH/g−ポリマであることを特徴とする請求項
    1記載の感光性ペースト。
  3. 【請求項3】セルロース誘導体(a)のエチレン性不飽
    和基がセルロースとメタクリル酸誘導体との反応により
    得られたことを特徴とする請求項1または2に記載の感
    光性ペースト。
  4. 【請求項4】セルロース誘導体(a)がエチレン性不飽
    和基としてグリシジルメタクリレート残基または2−イ
    ソシアナトエチルメタクリレート残基を有することを特
    徴とする請求項1または2記載の感光性ペースト。
  5. 【請求項5】無機微粒子が感光ペーストの主成分である
    ことを特徴とする請求項1〜4のいずれか記載の感光性
    ペースト。
  6. 【請求項6】無機微粒子が平均屈折率1.5〜1.65
    の範囲であるガラス粉末である請求項1〜4のいずれか
    記載の感光性ペースト。
  7. 【請求項7】無機微粒子が、酸化物換算表記で、酸化リ
    チウム3〜10重量%、酸化ケイ素10〜30重量%、
    酸化ホウ素20〜40重量%、酸化バリウム2〜15重
    量%および酸化アルミニウム10〜25重量%を含有す
    るガラス粉末である請求項1〜4のいずれか記載の感光
    性ペースト。
  8. 【請求項8】ガラス粉末が、ガラス転移点が430〜5
    00℃および軟化点が470〜580℃である請求項6
    または7記載の感光性ペースト。
  9. 【請求項9】ガラス基板上に請求項1〜8のいずれか記
    載の感光性ペースト層を塗設し、活性光線を照射した後
    に、現像処理により感光性ペースト層の不要部分を除去
    し、さらに焼成することにより感光性有機成分を除去し
    て実質的に無機物のみからなるディスプレイ用部材を製
    造することを特徴とするディスプレイ用部材の製造方
    法。
  10. 【請求項10】ディスプレイ用部材がプラズマディスプ
    レイ用部材である請求項9記載のディスプレイ用部材の
    製造方法。
  11. 【請求項11】ディスプレイ用部材がプラズマディスプ
    レイ用背面板の隔壁である請求項10記載のディスプレ
    イ用部材の製造方法。
  12. 【請求項12】請求項1〜8のいずれか記載の感光性ペ
    ーストから製造されるディスプレイ用部材。
  13. 【請求項13】請求項12記載のディスプレイ用部材か
    ら製造されるプラズマディスプレイ。
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