JP2000309753A - 膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜として適
当な、酸素プラズマ耐性を有し、しかもクラックが生じ
難く、誘電率特性などに優れた膜形成用組成物を提供す
ること。 【解決手段】 Ｒ¹ _a Ｓｉ（ＯＲ² ）_4-a （Ｒ¹ および
Ｒ² は１価の有機基を示し、ａは１〜２の整数を表す）
で表される化合物、ならびに（Ｂ）（Ｂ−１）下記（化
１）（Ｒ³ およびＲ⁴ は１価の有機基を示し、ｎは３〜
１０の整数を表す）で表される化合物および／または
（Ｂ−２）−Ｓｉ（ＯＲ⁵ ）_2-b （Ｒ⁶ ）_bＯ−（Ｒ⁵
およびＲ⁶ は１価の有機基を示し、ｂは０〜１の整数を
表す）の繰り返し単位を有するポリマーからなる化合物
の、加水分解物および／または縮合物を含有する膜形成
用組成物。 【化１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、膜形成用組成物に
関し、さらに詳しくは、半導体素子などにおける層間絶
縁膜として適当な、良好な酸素プラズマ耐性を有し、し
かもクラックが生じ難く、誘電率特性などに優れた膜形
成用組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体素子などにおける層間絶縁
膜として、ＣＶＤ法などの真空プロセスにより形成され
たシリカ（ＳｉＯ₂ ）膜が多用されている。そして、近
年、より均一な層間絶縁膜を形成することを目的とし
て、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）膜と呼ばれ
るテトラアルコキシランの加水分解生成物を主成分とす
る塗布型の絶縁膜も使用されるようになっている。ま
た、半導体素子などの高集積化に伴い、有機ＳＯＧと呼
ばれるオルガノポリシロキサンを主成分とする低誘電率
の層間絶縁膜が開発されている。しかしながら、半導体
素子などのさらなる高集積化や多層化に伴い、より優れ
た導体間の電気絶縁性が要求されており、したがって、
より低誘電率でかつクラック耐性に優れる層間絶縁膜材
料が求められるようになっている。

【０００３】そこで、特開平６−１８１２０１号公報に
は、層間絶縁膜材料として、より低誘電率の絶縁膜形成
用塗布型組成物が開示されている。この塗布型組成物
は、吸水性が低く、耐クラック性に優れた半導体装置の
絶縁膜を提供することを目的としており、その構成は、
チタン、ジルコニウム、ニオブおよびタンタルから選ば
れる少なくとも１種の元素を含む有機金属化合物と、分
子内にアルコキシ基を少なくとも１個有する有機ケイ素
化合物とを縮重合させてなる、数平均分子量が５００以
上のオリゴマーを主成分とする絶縁膜形成用塗布型組成
物である。

【０００４】また、ＷＯ９６／００７５８号公報には、
多層配線基板の層間絶縁膜の形成に使用される、アルコ
キシシラン類、シラン以外の金属アルコキシドおよび有
機溶媒などからなる、厚膜塗布が可能で、かつ耐酸素プ
ラズマアッシング性に優れるシリカ系塗布型絶縁膜形成
用材料が開示されている。

【０００５】さらに、特開平３−２０３７７号公報に
は、電子部品などの表面平坦化、層間絶縁などに有用な
酸化物被膜形成用塗布液が開示されている。この酸化物
被膜形成用塗布液は、ゲル状物の発生のない均一な塗布
液を提供し、また、この塗布液を用いることにより、高
温での硬化、酸素プラズマによる処理を行った場合であ
っても、クラックのない良好な酸化物被膜を得ることを
目的としている。そして、その構成は、所定のシラン化
合物と、同じく所定のキレート化合物とを有機溶媒の存
在化で加水分解し、重合して得られる酸化物被膜形成用
塗布液である。

【０００６】しかし、上記のようにシラン化合物にチタ
ンやジルコニウムなどの金属キレート化合物を組み合せ
た場合、酸素プラズマ耐性、さらに誘電率、クラック耐
性などをバランスよく有するものではない。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を解決するための膜形成用組成物に関し、さらに詳しく
は、半導体素子などにおける層間絶縁膜として適当な、
酸素プラズマ耐性を有し、しかもクラックが生じ難く、
誘電率特性などに優れた膜形成用組成物を提供すること
を目的とする。

【０００８】本発明は、（Ａ）下記一般式（１）で表さ
れる化合物（以下「（Ａ）成分」ともいう）、 Ｒ¹ _a Ｓｉ（ＯＲ² ）_4-a ・・・（１） （Ｒ¹ およびＲ² は同一でも異なっていてもよく、１価
の有機基を示し、ａは０〜２の整数を表す。）ならびに
（Ｂ）（Ｂ−１）下記一般式（２）で表される化合物
（以下「（Ｂ−１）成分」ともいう）、

【０００９】

【化２】

【００１０】（Ｒ³ およびＲ⁴ は同一でも異なっていて
もよく、それぞれ１価の有機基を示し、ｎは３〜１０の
整数を表す。）（Ｂ−２）下記一般式（３）の繰り返し
単位を有するポリマー（以下「（Ｂ−２）成分」ともい
う） −Ｓｉ（ＯＲ⁵ ）_2-b （Ｒ⁶ ）_b Ｏ− ・・・（３） （Ｒ⁵ およびＲ⁶ は同一でも異なっていてもよく、それ
ぞれ１価の有機基を示し、ｂは０〜１の整数を表す。）
からなるシラン化合物の、加水分解物および／または縮
合物（以下「加水分解縮合物」ともいう）を含有するこ
とを特徴とする膜形成用組成物に関するものである。こ
こで、（Ａ）成分（完全加水分解縮合物換算）１００重
量部に対して、（Ｂ）成分の重量は１〜８０重量部であ
ることが好ましい。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明は、膜を形成する成分とし
て、（Ａ）成分および（Ｂ）成分の加水分解・縮合を行
なうことによって、これらの加水分解物および／または
その縮合物（加水分解縮合物）が二次元〜三次元的な構
造をとり、高分子量を有するポリオルガノシランが生成
するものである。そして、この生成されたポリオルガノ
シランを含有する本発明の組成物を、浸漬またはスピン
コート法などにより、シリコンウエハなどの基材に塗布
すると、例えば、微細パターン間の溝を充分に埋めるこ
とができ、加熱により、有機溶剤の除去と熱縮重合を行
なうと、ガラス質または巨大高分子の膜を形成すること
ができる。得られる膜は、密着性が良好で、平坦化に優
れ、クラックの発生がない、厚膜の絶縁体を形成するこ
とができる。

【００１２】ここで、上記加水分解物とは、上記（Ａ）
〜（Ｂ）成分に含まれるＲ² Ｏ−，Ｒ⁴ Ｏ−およびＲ⁵
Ｏ−基すべてが加水分解されている必要はなく、例え
ば、１個だけが加水分解されているもの、２個以上が加
水分解されているもの、あるいは、これらの混合物であ
ってもよい。また、上記縮合物は、（Ａ）〜（Ｂ）成分
の加水分解物のシラノール基が縮合してＳｉ−Ｏ−Ｓｉ
結合を形成したものであるが、本発明では、シラノール
基がすべて縮合している必要はなく、僅かな一部のシラ
ノール基が縮合したもの、縮合の程度が異なっているも
のの混合物などをも包含した概念である。

【００１３】以下、本発明に用いられる（Ａ）成分、
（Ｂ）成分などについて説明し、次いで、本発明の組成
物の調製方法について詳述する。

【００１４】（Ａ）成分 上記一般式（１）において、１価の有機基としては、ア
ルキル基、アリール基、アリル基、グリシジル基などを
挙げることができる。ここで、アルキル基としては、メ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などが挙げら
れ、好ましくは炭素数１〜５であり、これらのアルキル
基は鎖状でも、分岐していてもよく、さらに水素原子が
フッ素原子などに置換されていてもよい。一般式（１）
においてアリール基としては、フェニル基、ナフチル
基、メチルフェニル基、エチルフェニル基、クロロフェ
ニル基、ブロモフェニル基、フルオロフェニル基などを
挙げることができる。

【００１５】一般式（１）で表される化合物の具体例と
しては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラ
ン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｉｓｏ−
プロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシラン、テトラ
−ｓｅｃ−ブトキシシラン、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキ
シシラン、テトラフェノキシシラン、メチルトリメトキ
シシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ
−プロポキシシラン、メチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシ
シラン、メチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、メチルトリ
−ｓｅｃ−ブトキシシラン、メチルトリ−ｔｅｒｔ−ブ
トキシシラン、メチルトリフェノキシシラン、エチルト
リメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチル
トリ−ｎ−プロポキシシラン、エチルトリ−ｉｓｏ−プ
ロポキシシラン、エチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、エ
チルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、エチルトリ−ｔｅ
ｒｔ−ブトキシシラン、エチルトリフェノキシシラン、
ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラ
ン、ビニルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ビニルトリ−
ｉｓｏ−プロポキシシラン、ビニルトリ−ｎ−ブトキシ
シラン、ビニルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ビニル
トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ビニルトリフェノキ
シシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロ
ピルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｎ−プロ
ポキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｉｓｏ−プロポキシ
シラン、ｎ−プロピルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｎ−
プロピルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｎ−プロピル
トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリフ
ェノキシシラン、ｉ−プロピルトリメトキシシラン、ｉ
−プロピルトリエトキシシラン、ｉ−プロピルトリ−ｎ
−プロポキシシラン、ｉ−プロピルトリ−ｉｓｏ−プロ
ポキシシラン、ｉ−プロピルトリ−ｎ−ブトキシシラ
ン、ｉ−プロピルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｉ−
プロピルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｉ−プロピ
ルトリフェノキシシラン、ｎ−ブチルトリメトキシシラ
ン、ｎ−ブチルトリエトキシシラン、ｎ−ブチルトリ−
ｎ−プロポキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｉｓｏ−プロ
ポキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、
ｎ−ブチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｎ−ブチル
トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリフェ
ノキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリメトキシシラン、ｓ
ｅｃ−ブチル−ｉ−トリエトキシシラン、ｓｅｃ−ブチ
ル−トリ−ｎ−プロポキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−ト
リ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ
−ｎ−ブトキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｓｅｃ
−ブトキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｔｅｒｔ−
ブトキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリフェノキシシラ
ン、ｔ−ブチルトリメトキシシラン、ｔ−ブチルトリエ
トキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｎ−プロポキシシラ
ン、ｔ−ブチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｔ−
ブチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｓ
ｅｃ−ブトキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｔｅｒｔ−ブ
トキシシラン、ｔ−ブチルトリフェノキシシラン、フェ
ニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラ
ン、フェニルトリ−ｎ−プロポキシシラン、フェニルト
リ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、フェニルトリ−ｎ−ブ
トキシシラン、フェニルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラ
ン、フェニルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、フェニ
ルトリフェノキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、
ジメチルジエトキシシラン、ジメチル−ジ−ｎ−プロポ
キシシラン、ジメチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラ
ン、ジメチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジメチル−ジ
−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジメチル−ジ−ｔｅｒｔ−
ブトキシシラン、ジメチルジフェノキシシラン、ジエチ
ルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエ
チル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジエチル−ジ−ｉｓ
ｏ−プロポキシシラン、ジエチル−ジ−ｎ−ブトキシシ
ラン、ジエチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジエチ
ル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジエチルジフェノ
キシシラン、ジ−ｎ−プロピルジメトキシシラン、ジ−
ｎ−プロピルジエトキシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ
−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｉｓ
ｏ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｎ−ブ
トキシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｓｅｃ−ブトキ
シシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ
シラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−フェノキシシラン、ジ
−ｉｓｏ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プ
ロピルジエトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−
ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｉ
ｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−
ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｓｅ
ｃ−ブトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｔｅ
ｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−フ
ェノキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジメトキシシラン、ジ
−ｎ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−
ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｉｓｏ−
プロポキシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｎ−ブトキシ
シラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラ
ン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、
ジ−ｎ−ブチル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｓｅｃ−
ブチルジメトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジエトキ
シシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチル−ジ−ｎ−プロポキシシ
ラン、ジ−ｓｅｃ−ブチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシ
ラン、ジ−ｓｅｃ−ブチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、
ジ−ｓｅｃ−ブチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ
−ｓｅｃ−ブチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ
−ｓｅｃ−ブチル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｔｅｒ
ｔ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ
エトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｎ−プロ
ポキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｉｓｏ−プ
ロポキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｎ−ブト
キシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｓｅｃ−ブト
キシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブ
トキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−フェノキシ
シラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニル−ジ
−エトキシシラン、ジフェニル−ジ−ｎ−プロポキシシ
ラン、ジフェニル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ
フェニル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジフェニル−ジ−
ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジフェニル−ジ−ｔｅｒｔ−
ブトキシシラン、ジフェニルジフェノキシシラン、ジビ
ニルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメト
キシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グ
リシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−トリフロ
ロプロピルトリメトキシシラン、γ−トリフロロプロピ
ルトリエトキシシランなどを挙げることができる。

【００１６】好ましくは、テトラメトキシシラン、テト
ラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テ
トラ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、テトラフェノキシシ
ラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシ
シラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルト
リ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、エチルトリメトキシシ
ラン、エチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシ
シラン、ビニルトリエトキシシラン、フェニルトリメト
キシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ジメチルジ
メトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチル
ジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジフェ
ニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、
トリメチルモノメトキシシラン、トリメチルモノエトキ
シシラン、トリエチルモノメトキシシラン、トリエチル
モノエトキシシラン、トリフェニルモノメトキシシラ
ン、トリフェニルモノエトキシシランである。これら
は、１種あるいは２種以上を同時に使用してもよい。

【００１７】（Ｂ）成分 （Ｂ−１）成分；上記一般式（２）において、１価の有
機基としては、先の一般式（１）と同様な有機基を挙げ
ることができる。一般式（２）で表される化合物の具体
例としては、１，３，５−トリメトキシ−１，３，５−
トリメチルシクロトリシロキサン、１，３，５−トリエ
トキシ−１，３，５−トリメチルシクロトリシロキサ
ン、１，３，５−トリメトキシ−１，３，５−トリフェ
ニルシクロトリシロキサン、１，３，５−トリエトキシ
−１，３，５−トリフェニルシクロトリシロキサン、
１，３，５，７−テトラメトキシ−１，３，５，７−テ
トラメチルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７−
テトラエトキシ−１，３，５，７−テトラメチルシクロ
テトラシロキサン、１，３，５，７−テトラ−ｎ−プロ
ポキシ−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシ
ロキサン、１，３，５，７−テトラ−ｉｓｏ−プロポキ
シ−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキ
サン、１，３，５，７−テトラ−ｎ−ブトキシ−１，
３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、
１，３，５，７−テトラ−ｓｅｃ−ブトキシ−１，３，
５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１，
３，５，７−テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−１，３，
５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１，
３，５，７−テトラフェノキシ−１，３，５，７−テト
ラメチルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７−テ
トラメトキシ−１，３，５，７−テトラビニルシクロテ
トラシロキサン、１，３，５，７−テトラエトキシ−
１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサ
ン、１，３，５，７−テトラ−ｎ−プロポキシ−１，
３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサン、
１，３，５，７−テトラ−ｉｓｏ−プロポキシ−１，
３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサン、
１，３，５，７−テトラ−ｎ−ブトキシ−１，３，５，
７−テトラビニルシクロテトラシロキサン、１，３，
５，７−テトラ−ｓｅｃ−ブトキシ−１，３，５，７−
テトラビニルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７
−テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−１，３，５，７−テト
ラビニルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７−テ
トラフェノキシ−１，３，５，７−テトラビニルシクロ
テトラシロキサン、１，３，５，７−テトラメトキシ−
１，３，５，７−テトラフェニルシクロテトラシロキサ
ン、１，３，５，７−テトラエトキシ−１，３，５，７
−テトラフェニルシクロテトラシロキサン、１，３，
５，７−テトラ−ｎ−プロポキシ−１，３，５，７−テ
トラフェニルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７
−テトラ−ｉｓｏ−プロポキシ−１，３，５，７−テト
ラフェニルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７−
テトラ−ｎ−ブトキシ−１，３，５，７−テトラフェニ
ルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラ−
ｓｅｃ−ブトキシ−１，３，５，７−テトラフェニルシ
クロテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラ−ｔｅ
ｒｔ−ブトキシ−１，３，５，７−テトラフェニルシク
ロテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラフェノキ
シ−１，３，５，７−テトラフェニルシクロテトラシロ
キサン、１，３，５，７，９−ペンタメトキシ−１，
３，５，７，９−ペンタメチルシクロペンタシロキサ
ン、１，３，５，７，９−ペンタエトキシ−１，３，
５，７，９−ペンタメチルシクロペンタシロキサン、
１，３，５，７，９−ペンタ−ｎ−プロポキシ−１，
３，５，７，９−ペンタメチルシクロペンタシロキサ
ン、１，３，５，７，９−ペンタ−ｉｓｏ−プロポキシ
−１，３，５，７，９−ペンタメチルシクロペンタシロ
キサン、１，３，５，７，９−ペンタ−ｎ−ブトキシ−
１，３，５，７，９−ペンタメチルシクロペンタシロキ
サン、１，３，５，７，９−ペンタ−ｓｅｃ−ブトキシ
−１，３，５，７，９−ペンタメチルシクロペンタシロ
キサン、１，３，５，７，９−ペンタ−ｔｅｒｔ−ブト
キシ−１，３，５，７，９−ペンタメチルシクロペンタ
シロキサン、１，３，５，７，９−ペンタフェノキシ−
１，３，５，７，９−ペンタメチルシクロペンタシロキ
サン、１，３，５，７，９−ペンタメトキシ−１，３，
５，７，９−ペンタビニルシクロペンタシロキサン、
１，３，５，７，９−ペンタエトキシ−１，３，５，
７，９−ペンタビニルシクロペンタシロキサン、１，
３，５，７，９−ペンタ−ｎ−プロポキシ−１，３，
５，７，９−ペンタビニルシクロペンタシロキサン、
１，３，５，７，９−ペンタ−ｉｓｏ−プロポキシ−
１，３，５，７，９−ペンタビニルシクロペンタシロキ
サン、１，３，５，７，９−ペンタ−ｎ−ブトキシ−
１，３，５，７，９−ペンタビニルシクロペンタシロキ
サン、１，３，５，７，９−ペンタ−ｓｅｃ−ブトキシ
−１，３，５，７，９−ペンタビニルシクロペンタシロ
キサン、１，３，５，７，９−ペンタ−ｔｅｒｔ−ブト
キシ−１，３，５，７，９−ペンタビニルシクロペンタ
シロキサン、１，３，５，７，９−ペンタフェノキシ−
１，３，５，７，９−ペンタビニルシクロペンタシロキ
サン、１，３，５，７，９−ペンタメトキシ−１，３，
５，７，９−ペンタフェニルシクロペンタシロキサン、
１，３，５，７，９−ペンタエトキシ−１，３，５，
７，９−ペンタフェニルシクロペンタシロキサン、１，
３，５，７，９−ペンタ−ｎ−プロポキシ−１，３，
５，７，９−ペンタフェニルシクロペンタシロキサン、
１，３，５，７，９−ペンタ−ｉｓｏ−プロポキシ−
１，３，５，７，９−ペンタフェニルシクロペンタシロ
キサン、１，３，５，７，９−ペンタ−ｎ−ブトキシ−
１，３，５，７，９−ペンタフェニルシクロペンタシロ
キサン、１，３，５，７，９−ペンタ−ｓｅｃ−ブトキ
シ−１，３，５，７，９−ペンタフェニルシクロペンタ
シロキサン、１，３，５，７，９−ペンタ−ｔｅｒｔ−
ブトキシ−１，３，５，７，９−ペンタフェニルシクロ
ペンタシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタフェノ
キシ−１，３，５，７，９−ペンタフェニルシクロペン
タシロキサン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサメト
キシ−１，３，５，７，９，１１−ヘキサメチルシクロ
ヘキサシロキサン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサ
エトキシ−１，３，５，７，９，１１−ヘキサメチルシ
クロヘキサシロキサン、１，３，５，７，９，１１−ヘ
キサ−ｎ−プロポキシ−１，３，５，７，９，１１−ヘ
キサメチルシクロヘキサシロキサン、１，３，５，７，
９，１１−ヘキサ−ｉｓｏ−プロポキシ−１，３，５，
７，９，１１−ヘキサメチルシクロヘキサシロキサン、
１，３，５，７，９，１１−ヘキサ−ｎ−ブトキシ−
１，３，５，７，９，１１−ヘキサメチルシクロヘキサ
シロキサン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサ−ｓｅ
ｃ−ブトキシ−１，３，５，７，９，１１−ヘキサメチ
ルシクロヘキサシロキサン、１，３，５，７，９，１１
−ヘキサ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−１，３，５，７，９，
１１−ヘキサメチルシクロヘキサシロキサン、１，３，
５，７，９，１１−ヘキサフェノキシ−１，３，５，
７，９，１１−ヘキサメチルシクロヘキサシロキサン、
１，３，５，７，９，１１−ヘキサメトキシ−１，３，
５，７，９，１１−ヘキサビニルシクロヘキサシロキサ
ン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサエトキシ−１，
３，５，７，９，１１−ヘキサビニルシクロヘキサシロ
キサン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサ−ｎ−プロ
ポキシ−１，３，５，７，９，１１−ヘキサビニルシク
ロヘキサシロキサン、１，３，５，７，９，１１−ヘキ
サ−ｉｓｏ−プロポキシ−１，３，５，７，９，１１−
ヘキサビニルシクロヘキサシロキサン、１，３，５，
７，９，１１−ヘキサ−ｎ−ブトキシ−１，３，５，
７，９，１１−ヘキサビニルシクロヘキサシロキサン、
１，３，５，７，９，１１−ヘキサ−ｓｅｃ−ブトキシ
−１，３，５，７，９，１１−ヘキサビニルシクロヘキ
サシロキサン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサ−ｔ
ｅｒｔ−ブトキシ−１，３，５，７，９，１１−ヘキサ
ビニルシクロヘキサシロキサン、１，３，５，７，９，
１１−ヘキサフェノキシ−１，３，５，７，９，１１−
ヘキサビニルシクロヘキサシロキサン、１，３，５，
７，９，１１−ヘキサメトキシ−１，３，５，７，９，
１１−ヘキサフェニルシクロヘキサシロキサン、１，
３，５，７，９，１１−ヘキサエトキシ−１，３，５，
７，９，１１−ヘキサフェニルシクロヘキサシロキサ
ン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサ−ｎ−プロポキ
シ−１，３，５，７，９，１１−ヘキサフェニルシクロ
ヘキサシロキサン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサ
−ｉｓｏ−プロポキシ−１，３，５，７，９，１１−ヘ
キサフェニルシクロヘキサシロキサン、１，３，５，
７，９，１１−ヘキサ−ｎ−ブトキシ−１，３，５，
７，９，１１−ヘキサフェニルシクロヘキサシロキサ
ン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサ−ｓｅｃ−ブト
キシ−１，３，５，７，９，１１−ヘキサフェニルシク
ロヘキサシロキサン、１，３，５，７，９，１１−ヘキ
サ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−１，３，５，７，９，１１−
ヘキサフェニルシクロヘキサシロキサン、１，３，５，
７，９，１１−ヘキサフェノキシ−１，３，５，７，
９，１１−ヘキサフェニルシクロヘキサシロキサンなど
を挙げることができる。

【００１８】これらのうち、好ましくは、１，３，５，
７−テトラメトキシ−１，３，５，７−テトラメチルシ
クロテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラエトキ
シ−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキ
サン、１，３，５，７−テトラ−ｎ−プロポキシ−１，
３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、
１，３，５，７−テトラ−ｉｓｏ−プロポキシ−１，
３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、
１，３，５，７−テトラ−ｎ−ブトキシ−１，３，５，
７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１，３，
５，７−テトラ−ｓｅｃ−ブトキシ−１，３，５，７−
テトラメチルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７
−テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−１，３，５，７−テト
ラメチルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７−テ
トラフェノキシ−１，３，５，７−テトラメチルシクロ
テトラシロキサン、１，３，５，７−テトラメトキシ−
１，３，５，７−テトラフェニルシクロテトラシロキサ
ン、１，３，５，７−テトラエトキシ−１，３，５，７
−テトラフェニルシクロテトラシロキサン、１，３，
５，７−テトラ−ｎ−プロポキシ−１，３，５，７−テ
トラフェニルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７
−テトラ−ｉｓｏ−プロポキシ−１，３，５，７−テト
ラフェニルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７−
テトラ−ｎ−ブトキシ−１，３，５，７−テトラフェニ
ルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラ−
ｓｅｃ−ブトキシ−１，３，５，７−テトラフェニルシ
クロテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラ−ｔｅ
ｒｔ−ブトキシ−１，３，５，７−テトラフェニルシク
ロテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラフェノキ
シ−１，３，５，７−テトラフェニルシクロテトラシロ
キサン、１，３，５，７，９−ペンタメトキシ−１，
３，５，７，９−ペンタメチルシクロペンタシロキサ
ン、１，３，５，７，９−ペンタエトキシ−１，３，
５，７，９−ペンタメチルシクロペンタシロキサン、
１，３，５，７，９−ペンタ−ｎ−プロポキシ−１，
３，５，７，９−ペンタメチルシクロペンタシロキサ
ン、１，３，５，７，９−ペンタ−ｉｓｏ−プロポキシ
−１，３，５，７，９−ペンタメチルシクロペンタシロ
キサン、１，３，５，７，９−ペンタ−ｎ−ブトキシ−
１，３，５，７，９−ペンタメチルシクロペンタシロキ
サン、１，３，５，７，９−ペンタ−ｓｅｃ−ブトキシ
−１，３，５，７，９−ペンタメチルシクロペンタシロ
キサン、１，３，５，７，９−ペンタ−ｔｅｒｔ−ブト
キシ−１，３，５，７，９−ペンタメチルシクロペンタ
シロキサン、１，３，５，７，９−ペンタフェノキシ−
１，３，５，７，９−ペンタメチルシクロペンタシロキ
サン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサメトキシ−
１，３，５，７，９，１１−ヘキサフェニルシクロヘキ
サシロキサン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサエト
キシ−１，３，５，７，９，１１−ヘキサフェニルシク
ロヘキサシロキサン、１，３，５，７，９，１１−ヘキ
サ−ｎ−プロポキシ−１，３，５，７，９，１１−ヘキ
サフェニルシクロヘキサシロキサン、１，３，５，７，
９，１１−ヘキサ−ｉｓｏ−プロポキシ−１，３，５，
７，９，１１−ヘキサフェニルシクロヘキサシロキサ
ン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサ−ｎ−ブトキシ
−１，３，５，７，９，１１−ヘキサフェニルシクロヘ
キサシロキサン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサ−
ｓｅｃ−ブトキシ−１，３，５，７，９，１１−ヘキサ
フェニルシクロヘキサシロキサン、１，３，５，７，
９，１１−ヘキサ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−１，３，５，
７，９，１１−ヘキサフェニルシクロヘキサシロキサ
ン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサフェノキシ−
１，３，５，７，９，１１−ヘキサフェニルシクロヘキ
サシロキサンが挙げられる。。これらは、１種あるいは
２種以上を同時に使用してもよい。

【００１９】（Ｂ−２）成分；上記一般式（３）におい
て、１価の有機基としては、先の一般式（１）と同様な
有機基を挙げることができる。一般式（３）で表される
ポリマーの具体例としては、例えば、ポリメチルメトキ
シシロキサン、ポリメチルエトキシシロキサン、ポリメ
チル−ｎ−プロポキシシロキサン、ポリメチル−ｉｓｏ
−プロポキシシロキサン、ポリメチル−ｎ−ブトキシシ
ロキサン、ポリメチル−ｓｅｃ−ブトキシシロキサン、
ポリメチル−ｔｅｒｔ−ブトキシシロキサン、ポリメチ
ルフェノキシシロキサン、ポリビニルメトキシシロキサ
ン、ポリビニルエトキシシロキサン、ポリビニル−ｎ−
プロポキシシロキサン、ポリビニル−ｉｓｏ−プロポキ
シシロキサン、ポリビニル−ｎ−ブトキシシロキサン、
ポリビニル−ｓｅｃ−ブトキシシロキサン、ポリビニル
−ｔｅｒｔ−ブトキシシロキサン、ポリビニルフェノキ
シシロキサン、ポリフェニルメトキシシロキサン、ポリ
フェニルエトキシシロキサン、ポリフェニル−ｎ−プロ
ポキシシロキサン、ポリフェニル−ｉｓｏ−プロポキシ
シロキサン、ポリフェニル−ｎ−ブトキシシロキサン、
ポリフェニル−ｓｅｃ−ブトキシシロキサン、ポリフェ
ニル−ｔｅｒｔ−ブトキシシロキサン、ポリフェニルフ
ェノキシシロキサン、ポリジメトキシシロキサン、ポリ
ジエトキシシロキサン、ポリジ−ｎ−プロポキシシロキ
サン、ポリジ−ｉｓｏ−プロポキシシロキサン、ポリジ
−ｎ−ブトキシシロキサン、ポリジ−ｓｅｃ−ブトキシ
シロキサン、ポリジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシロキサン、
ポリジフェノキシシロキサンなどを挙げることができ
る。

【００２０】これらのうち、好ましくは、ポリメチルメ
トキシシロキサン、ポリメチルエトキシシロキサン、ポ
リメチル−ｎ−プロポキシシロキサン、ポリメチル−ｉ
ｓｏ−プロポキシシロキサン、ポリメチル−ｎ−ブトキ
シシロキサン、ポリメチル−ｓｅｃ−ブトキシシロキサ
ン、ポリメチル−ｔｅｒｔ−ブトキシシロキサン、ポリ
メチルフェノキシシロキサン、ポリジメトキシシロキサ
ン、ポリジエトキシシロキサン、ポリジ−ｎ−プロポキ
シシロキサン、ポリジ−ｉｓｏ−プロポキシシロキサ
ン、ポリジ−ｎ−ブトキシシロキサン、ポリジ−ｓｅｃ
−ブトキシシロキサン、ポリジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシ
ロキサン、ポリジフェノキシシロキサンが挙げられる。
この際、一般式（３）の繰り返し単位を有するポリマー
の分子量としては、ポリスチレン換算の重量平均分子量
で、３００〜２００，０００、好ましくは３００〜１０
０，０００である。これらは、１種あるいは２種以上を
同時に使用してもよい。

【００２１】上記（Ａ）成分ならびに（Ｂ）成分を加水
分解、縮合させる際に、Ｒ² Ｏ−，Ｒ⁴ Ｏ−およびＲ⁵
Ｏ−で表される基１モル当たり、０．２５〜３モルの水
を用いることが好ましく、０．３〜２．５モルの水を加
えることが特に好ましい。添加する水の量が０．２５〜
３モルの範囲内の値であれば、塗膜の均一性が低下する
恐れが無く、また、膜形成用組成物の保存安定性が低下
する恐れが少ないためである。

【００２２】また、（Ａ）成分ならびに（Ｂ）成分を加
水分解、縮合させる際には、触媒を使用してもよい。こ
の際に使用する触媒としては、金属キレート化合物、有
機酸、無機酸、有機塩基、無機塩基を挙げることができ
る。金属キレート化合物としては、例えば、トリエトキ
シ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｎ−
プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、ト
リ−ｉ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）チ
タン、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナー
ト）チタン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（アセチル
アセトナート）チタン、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（ア
セチルアセトナート）チタン、ジエトキシ・ビス（アセ
チルアセトナート）チタン、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス
（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｉ−プロポキシ
・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｎ−ブト
キシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｓｅ
ｃ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、
ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタ
ン、モノエトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チ
タン、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（アセチルアセト
ナート）チタン、モノ−ｉ−プロポキシ・トリス（アセ
チルアセトナート）チタン、モノ−ｎ−ブトキシ・トリ
ス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｓｅｃ−ブ
トキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ
−ｔ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタ
ン、テトラキス（アセチルアセトナート）チタン、トリ
エトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、ト
リ−ｎ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）
チタン、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ（エチルアセトア
セテート）チタン、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（エチル
アセトアセテート）チタン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・
モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｔ−ブ
トキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、ジエ
トキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−
ｎ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタ
ン、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテー
ト）チタン、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（エチルアセトア
セテート）チタン、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（エチ
ルアセトアセテート）チタン、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス
（エチルアセトアセテート）チタン、モノエトキシ・ト
リス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｎ−プ
ロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、
モノ−ｉ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテー
ト）チタン、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（エチルアセ
トアセテート）チタン、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリ
ス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｔ−ブト
キシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、テト
ラキス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ（アセ
チルアセトナート）トリス（エチルアセトアセテート）
チタン、ビス（アセチルアセトナート）ビス（エチルア
セトアセテート）チタン、トリス（アセチルアセトナー
ト）モノ（エチルアセトアセテート）チタンなどのチタ
ンキレート化合物；トリエトキシ・モノ（アセチルアセ
トナート）ジルコニウム、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ
（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｉ−プ
ロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウ
ム、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナー
ト）ジルコニウム、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（ア
セチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｔ−ブトキ
シ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジエ
トキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、
ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジ
ルコニウム、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチルアセ
トナート）ジルコニウム、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（ア
セチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｓｅｃ−ブト
キシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ
−ｔ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコ
ニウム、モノエトキシ・トリス（アセチルアセトナー
ト）ジルコニウム、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（ア
セチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｉ−プロポ
キシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、
モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）
ジルコニウム、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（アセ
チルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｔ−ブトキシ
・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、テト
ラキス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリエ
トキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウ
ム、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテ
ート）ジルコニウム、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ（エ
チルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｎ−ブト
キシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、
トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテー
ト）ジルコニウム、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（エチル
アセトアセテート）ジルコニウム、ジエトキシ・ビス
（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｎ−プ
ロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウ
ム、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテー
ト）ジルコニウム、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（エチルア
セトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ
・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−
ｔ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコ
ニウム、モノエトキシ・トリス（エチルアセトアセテー
ト）ジルコニウム、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（エ
チルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｉ−プロ
ポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウ
ム、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテ
ート）ジルコニウム、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス
（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｔ−
ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニ
ウム、テトラキス（エチルアセトアセテート）ジルコニ
ウム、モノ（アセチルアセトナート）トリス（エチルア
セトアセテート）ジルコニウム、ビス（アセチルアセト
ナート）ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウ
ム、トリス（アセチルアセトナート）モノ（エチルアセ
トアセテート）ジルコニウムなどのジルコニウムキレー
ト化合物；トリス（アセチルアセトナート）アルミニウ
ム、トリス（エチルアセトアセテート）アルミニウムな
どのアルミニウムキレート化合物；などを挙げることが
できる。

【００２３】有機酸としては、例えば、酢酸、プロピオ
ン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン
酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、シュウ酸、マレ
イン酸、メチルマロン酸、アジピン酸、セバシン酸、没
食子酸、酪酸、メリット酸、アラキドン酸、シキミ酸、
２−エチルヘキサン酸、オレイン酸、ステアリン酸、リ
ノール酸、リノレイン酸、サリチル酸、安息香酸、ｐ−
アミノ安息香酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ベンゼンス
ルホン酸、モノクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ
酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸、マロン酸、スルホン
酸、フタル酸、フマル酸、クエン酸、酒石酸などを挙げ
ることができる。無機酸としては、例えば、塩酸、硝
酸、硫酸、フッ酸、リン酸などを挙げることができる。

【００２４】有機塩基としては、例えば、ピリジン、ピ
ロール、ピペラジン、ピロリジン、ピペリジン、ピコリ
ン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、モノエタノ
ールアミン、ジエタノールアミン、ジメチルモノエタノ
ールアミン、モノメチルジエタノールアミン、トリエタ
ノールアミン、ジアザビシクロオクラン、ジアザビシク
ロノナン、ジアザビシクロウンデセン、テトラメチルア
ンモニウムハイドロオキサイドなどを挙げることができ
る。無機塩基としては、例えば、アンモニア、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム、水酸化バリウム、水酸化カ
ルシウムなどを挙げることができる。

【００２５】これら触媒のうち、金属キレート化合物、
有機酸、無機酸が好ましく、より好ましくはチタンキレ
ート化合物、有機酸を挙げることができる。これらは、
１種あるいは２種以上を同時に使用してもよい。

【００２６】上記触媒の使用量は、（Ａ）成分および
（Ｂ）成分の合計量１００重量部に対して、通常、０．
００１〜１０重量部、好ましくは０．０１〜１０重量部
の範囲である。

【００２７】本発明の膜形成用組成物は、（Ａ）成分な
らびに（Ｂ）成分の加水分解物および／または縮合物を
有機溶剤に溶解または分散してなる。本発明に使用する
有機溶剤としては、例えば、ｎ−ペンタン、ｉ−ペンタ
ン、ｎ−ヘキサン、ｉ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｉ−
ヘプタン、２，２，４−トリメチルペンタン、ｎ−オク
タン、ｉ−オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘ
キサンなどの脂肪族炭化水素系溶媒；ベンゼン、トルエ
ン、キシレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、
メチルエチルベンゼン、ｎ−プロピルベンセン、ｉ−プ
ロピルベンセン、ジエチルベンゼン、ｉ−ブチルベンゼ
ン、トリエチルベンゼン、ジ−ｉ−プロピルベンセン、
ｎ−アミルナフタレン、トリメチルベンゼンなどの芳香
族炭化水素系溶媒；メタノール、エタノール、ｎ−プロ
パノール、ｉ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｉ−ブ
タノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔ−ブタノール、ｎ−
ペンタノール、ｉ−ペンタノール、２−メチルブタノー
ル、ｓｅｃ−ペンタノール、ｔ−ペンタノール、３−メ
トキシブタノール、ｎ−ヘキサノール、２−メチルペン
タノール、ｓｅｃ−ヘキサノール、２−エチルブタノー
ル、ｓｅｃ−ヘプタノール、ヘプタノール−３、ｎ−オ
クタノール、２−エチルヘキサノール、ｓｅｃ−オクタ
ノール、ｎ−ノニルアルコール、２，６−ジメチルヘプ
タノール−４、ｎ−デカノール、ｓｅｃ−ウンデシルア
ルコール、トリメチルノニルアルコール、ｓｅｃ−テト
ラデシルアルコール、ｓｅｃ−ヘプタデシルアルコー
ル、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘ
キサノール、３，３，５−トリメチルシクロヘキサノー
ル、ベンジルアルコール、フェニルメチルカルビノー
ル、ジアセトンアルコール、クレゾールなどのモノアル
コール系溶媒；エチレングリコール、１，２−プロピレ
ングリコール、１，３−ブチレングリコール、ペンタン
ジオール−２，４、２−メチルペンタンジオール−２，
４、ヘキサンジオール−２，５、ヘプタンジオール−
２，４、２−エチルヘキサンジオール−１，３、ジエチ
レングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレ
ングリコール、トリプロピレングリコール、グリセリン
などの多価アルコール系溶媒；アセトン、メチルエチル
ケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチル−ｎ−ブ
チルケトン、ジエチルケトン、メチル−ｉ−ブチルケト
ン、メチル−ｎ−ペンチルケトン、エチル−ｎ−ブチル
ケトン、メチル−ｎ−ヘキシルケトン、ジ−ｉ−ブチル
ケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、２−
ヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、２，４−ペンタ
ンジオン、アセトニルアセトン、ジアセトンアルコー
ル、アセトフェノン、フェンチョンなどのケトン系溶
媒；エチルエーテル、ｉ−プロピルエーテル、ｎ−ブチ
ルエーテル、ｎ−ヘキシルエーテル、２−エチルヘキシ
ルエーテル、エチレンオキシド、１，２−プロピレンオ
キシド、ジオキソラン、４−メチルジオキソラン、ジオ
キサン、ジメチルジオキサン、エチレングリコールモノ
メチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテ
ル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレング
リコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、エチレングリコー
ルモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、エチレングリコールモ
ノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ−２−エ
チルブチルエーテル、エチレングリコールジブチルエー
テル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエ
チレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリ
コールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−
ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−ブ
チルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ヘキシ
ルエーテル、エトキシトリグリコール、テトラエチレン
グリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエ
チルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエー
テル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプ
ロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレン
グリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコ
ールモノメチルエーテル、テトラヒドロフラン、２−メ
チルテトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒；ジエチ
ルカーボネート、酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブチロ
ラクトン、γ−バレロラクトン、酢酸ｎ−プロピル、酢
酸ｉ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、酢
酸ｓｅｃ−ブチル、酢酸ｎ−ペンチル、酢酸ｓｅｃ−ペ
ンチル、酢酸３−メトキシブチル、酢酸メチルペンチ
ル、酢酸２−エチルブチル、酢酸２−エチルヘキシル、
酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロ
ヘキシル、酢酸ｎ−ノニル、アセト酢酸メチル、アセト
酢酸エチル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸
ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチ
レングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレング
リコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、酢酸プロピレング
リコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコー
ルモノエチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノ
プロピルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノブチ
ルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエ
ーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテ
ル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、
プロピオン酸エチル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピ
オン酸ｉ−アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−ｎ
−ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル、
乳酸ｎ−アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチ
ル、フタル酸ジエチルなどのエステル系溶媒；Ｎ−メチ
ルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，
Ｎ−ジエチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチル
アセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メ
チルプロピオンアミド、Ｎ−メチルピロリドンなどの含
窒素系溶媒；硫化ジメチル、硫化ジエチル、チオフェ
ン、テトラヒドロチオフェン、ジメチルスルホキシド、
スルホラン、１，３−プロパンスルトンなどの含硫黄系
溶媒などを挙げることができる。これらは１種あるいは
２種以上を混合して使用することができる。

【００２８】本発明の膜形成用組成物は、上記の有機溶
剤を含有するが、（Ａ）成分ならびに（Ｂ）成分を加水
分解および／または縮合する際に同様な溶剤を使用する
ことができる。

【００２９】具体的には、（Ａ）成分ならびに（Ｂ）成
分を溶解させた有機溶剤中に水を断続的あるいは連続的
に添加する。この際、触媒は、有機溶剤中に予め添加し
ておいてもよいし、水添加時に水中に溶解あるいは分散
させておいてもよい。この際の反応温度としては、通
常、０〜１００℃、好ましくは１５〜８０℃である。

【００３０】また、膜形成用組成物を構成するにあた
り、組成物中の沸点１００℃以下のアルコールの含量
が、２０重量％以下、特に５重量％以下であることが好
ましい。沸点１００℃以下のアルコールは、上記（Ａ）
成分ならびに（Ｂ）成分の加水分解および／またはその
縮合の際に生じる場合があり、その含量が２０重量％以
下、好ましくは５重量％以下になるように蒸留などによ
り除去することが好ましい。

【００３１】本発明の膜形成用組成物中における（Ａ）
成分と（Ｂ）成分の使用割合は、（Ａ）成分（完全加水
分解縮合物換算）１００重量部に対して、（Ｂ）成分が
１〜８０重量部、より好ましくは１〜６０重量部であ
る。（Ｂ）成分の使用割合が１〜８０重量部であるとク
ラック耐性および組成物の保存安定性がより良好とな
る。なお、本発明において完全加水分解縮合物とは、化
合物（１）中のＯＲ² で表される基が１００％加水分解
してＯＨ基となり、完全に縮合したものを示す。

【００３２】本発明の膜形成用組成物は、さらに下記の
ような成分を添加してもよい。

【００３３】β−ジケトン β−ジケトンとしては、アセチルアセトン、２，４−ヘ
キサンジオン、２，４−ヘプタンジオン、３，５−ヘプ
タンジオン、２，４−オクタンジオン、３，５−オクタ
ンジオン、２，４−ノナンジオン、３，５−ノナンジオ
ン、５−メチル−２，４−ヘキサンジオン、２，２，
６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン、１，
１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ヘプタ
ンジオンなどの１種または２種以上である。本発明にお
いて、膜形成用組成物中のβ−ジケトン含有量は、全溶
剤の１〜５０重量％、好ましくは３〜３０重量％とする
ことが好ましい。このような範囲でβ−ジケトンを添加
すれば、一定の保存安定性が得られるとともに、膜形成
用組成物の塗膜均一性などの特性が低下するおそれが少
ない。

【００３４】その他の添加剤 本発明で得られる膜形成用組成物には、さらにコロイド
状シリカ、コロイド状アルミナ、有機ポリマー、界面活
性剤などの成分を添加してもよい。コロイド状シリカと
は、例えば、高純度の無水ケイ酸を上記親水性有機溶媒
に分散した分散液であり、通常、平均粒径が５〜３０ｍ
μ、好ましくは１０〜２０ｍμ、固形分濃度が１０〜４
０重量％程度のものである。このような、コロイド状シ
リカとしては、例えば、日産化学工業（株）製、メタノ
ールシリカゾルおよびイソプロパノールシリカゾル；触
媒化成工業（株）製、オスカルなどが挙げられる。コロ
イド状アルミナとしては、日産化学工業（株）製のアル
ミナゾル５２０、同１００、同２００；川研ファインケ
ミカル（株）製のアルミナクリアーゾル、アルミナゾル
１０、同１３２などが挙げられる。有機ポリマーとして
は、例えば、ポリアルキレンオキサイド構造を有する化
合物、糖鎖構造を有する化合物、ビニルアミド系重合
体、（メタ）アクリレート化合物、芳香族ビニル化合
物、デンドリマー、ポリイミド，ポリアミック酸、ポリ
アリーレン、ポリアミド、ポリキノキサリン、ポリオキ
サジアゾール、フッ素系重合体などを挙げることができ
る。界面活性剤としては、例えば、ノニオン系界面活性
剤、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、両
性界面活性剤などが挙げられ、さらには、シリコーン系
界面活性剤、ポリアルキレンオキシド系界面活性剤、含
フッ素界面活性剤などを挙げることができる。

【００３５】膜形成用組成物の調製方法 本発明の膜形成用組成物を調製するに際しては、上記の
ように、溶媒中、（Ａ）成分ならびに（Ｂ）成分を混合
して、水を連続的または断続的に添加して、加水分解
し、縮合すればよく、特に限定されない。しかしなが
ら、上記金属キレート化合物とβ−ジケトン類を使用す
る場合には、組成物を調製後、最後にβ−ジケトンを添
加する方法が採用される。

【００３６】本発明の組成物の調製法の具体例として
は、下記〜の方法などを挙げることができる。 （Ａ）成分ならびに（Ｂ）成分と、必要量の有機溶剤
および金属キレート化合物らなる混合物に、所定量の水
を加えて加水分解・縮合反応を行ったのち、得られる組
成物にβ−ジケトンを添加し、反応液中の低沸点アルコ
ール成分を除去する方法。 （Ａ）成分および（Ｂ）成分と、必要量の有機溶剤お
よび触媒からなる混合物に、所定量の水を加えて加水分
解・縮合反応を行ったのち、反応液中の低沸点アルコー
ル成分を除去する方法。 （Ａ）成分および（Ｂ）成分と、必要量の有機溶剤お
よび触媒からなる混合物に、水を連続的あるいは断続的
に添加して、加水分解、縮合反応を行なったのち、得ら
れる組成物に、β−ジケトンを添加し、反応液中の低沸
点アルコール成分を除去する方法。 （Ａ）成分および（Ｂ）成分と、必要量の有機溶剤お
よび触媒からなる混合物に、水を連続的あるいは断続的
に添加して、加水分解、縮合反応を行なったのち、反応
液中の低沸点アルコール成分を除去する方法。 （Ａ）成分および（Ｂ）成分をそれぞれ別の反応容器
中で、有機溶剤および触媒の存在下、所定量の水を加え
て加水分解・縮合反応を行ったのち、反応液中の低沸点
アルコール成分を除去し、それぞれの加水分解・縮合物
を混合する方法。 （Ａ）成分および（Ｂ）成分をそれぞれ別の反応容器
中で、有機溶剤および触媒の存在下、所定量の水を加え
て加水分解・縮合反応を行ったのち、得られる組成物
に、β−ジケトンを添加し、反応液中の低沸点アルコー
ル成分を除去し、それぞれの加水分解・縮合物を混合す
る方法。

【００３７】このようにして得られる本発明の組成物の
全固形分濃度は、好ましくは、２〜３０重量％であり、
使用目的に応じて適宜調整される。組成物の全固形分濃
度が２〜３０重量％であると、塗膜の膜厚が適当な範囲
となり、保存安定性もより優れるものである。また、こ
のようにして得られる組成物中の全ポリオルガノシラン
成分〔（Ａ）成分ならびに（Ｂ）成分の加水分解物およ
び／または縮合物〕の重量平均分子量は、通常、１，０
００〜１２０，０００、好ましくは１，２００〜１０
０，０００程度である。

【００３８】このようにして得られる本発明の組成物
を、シリコンウエハ、ＳｉＯ₂ ウエハ、ＳｉＮウエハな
どの基材に塗布する際には、スピンコート、浸漬法、ロ
ールコート法、スプレー法などの塗装手段が用いられ
る。

【００３９】この際の膜厚は、乾燥膜厚として、１回塗
りで厚さ０．０５〜１．５μｍ程度、２回塗りでは厚さ
０．１〜３μｍ程度の塗膜を形成することができる。そ
の後、常温で乾燥するか、あるいは８０〜６００℃程度
の温度で、通常、５〜２４０分程度加熱して乾燥するこ
とにより、ガラス質または巨大高分子の絶縁膜を形成す
ることができる。この際の加熱方法としては、ホットプ
レート、オーブン、ファーネスなどを使用することが出
来、加熱雰囲気としては、大気下、窒素雰囲気、アルゴ
ン雰囲気、真空下、酸素濃度をコントロールした減圧下
などで行うことができる。

【００４０】このようにして得られる層間絶縁膜は、絶
縁性に優れ、塗布膜の均一性、誘電率特性、塗膜の耐ク
ラック性、塗膜の表面硬度に優れることから、ＬＳＩ、
システムＬシ、ＤＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、ＲＤＲＡＭ、Ｄ
−ＲＤＲＡＭなどの半導体素子用層間絶縁膜、半導体素
子の表面コート膜などの保護膜、多層配線基板の層間絶
縁膜、液晶表示素子用の保護膜や絶縁防止膜などの用途
に有用である。

【００４１】

【実施例】以下、実施例を挙げて、本発明をさらに具体
的に説明する。なお、実施例および比較例中の部および
％は、特記しない限り、それぞれ重量部および重量％で
あることを示している。また、実施例中における膜形成
用組成物の評価は、次のようにして測定したものであ
る。

【００４２】重量平均分子量（Ｍｗ） 下記条件によるゲルパーミエーションクロマトグラフィ
ー（ＧＰＣ）法により測定した。 試料：テトラヒドロフランを溶媒として使用し、加水分
解縮合物１ｇを、１００ｃｃのテトラヒドロフランに溶
解して調製した。 標準ポリスチレン：米国プレッシャーケミカル社製の標
準ポリスチレンを使用した。 装置：米国ウオーターズ社製の高温高速ゲル浸透クロマ
トグラム（モデル１５０−Ｃ ＡＬＣ／ＧＰＣ） カラム：昭和電工（株）製のＳＨＯＤＥＸ Ａ−８０Ｍ
（長さ５０ｃｍ） 測定温度：４０℃ 流速：１ｃｃ／分

【００４３】酸素プラズマアッシング耐性 ８インチシリコンウエハ上に、スピンコート法を用いて
組成物試料を塗布し、ホットプレート上で８０℃で５分
間、２００℃で５分間基板を乾燥し、さらに３８０℃の
真空オーブン中で６０分基板を焼成した。得られた塗膜
における有機基の吸収強度を、フーリエ変換型赤外分光
光度計（ＦＴ−ＩＲ）（日本電子（株）製、ＪＩＲ−５
５００）を用いて測定した。次いで、バレル型酸素プラ
ズマアッシング装置を用い、この塗膜に対して、１ｔｏ
ｒｒ、８００Ｗ、５００Ｓｃｃｍの条件で、２０分間、
酸素プラズマ処理を行った。次いで、酸素プラズマ処理
後の塗膜における有機基の１，２７０ｃｍ^-1付近のＳｉ
に結合したメチル基の変角振動の強度を、上記ＦＴ−Ｉ
Ｒを用いて測定した。このようにして測定した強度の変
化から、以下の基準で、酸素プラズマアッシング性を評
価した。 ○：有機基の吸収強度の変化が４０％未満 △：有機基の吸収強度の変化が４０％以上６０％未満 ×：有機基の吸収強度の変化が６０％以上

【００４４】耐クラック性 ８インチシリコンウエハ上に、スピンコート法を用いて
組成物試料を塗布し、ホットプレート上で８０℃で５分
間、２００℃で５分間基板を乾燥し、さらに３８０℃の
真空オーブン中で６０分基板を焼成した。得られた塗膜
の外観を３５万ルクスの表面観察用ランプで観察し、下
記基準で評価した。 ○：塗膜表面にクラックが認められない。 ×：塗膜表面にクラックが認められる。

【００４５】誘電率 ８インチシリコンウエハ上に、スピンコート法を用いて
組成物試料を塗布し、ホットプレート上で８０℃で５分
間、２００℃で５分間基板を乾燥し、さらに３８０℃の
真空オーブン中で６０分基板を焼成した。得られた基板
上にアルミニウムを蒸着し、誘電率評価用基板を作製し
た。誘電率は、横川・ヒューレットパッカード（株）製
のＨＰ１６４５１Ｂ電極およびＨＰ４２８４Ａプレシジ
ョンＬＣＲメーター用いて、１０ｋＨｚにおける容量値
から算出した。

【００４６】合成例１ １，３，５，７−テトラエトキシ−１，３，５，７−テ
トラメチルシクロテトラシロキサン２６．０ｇをプロピ
レングリコールモノメチルエーテル１７０ｇに溶解させ
たのち、スリーワンモーターで攪拌させ、溶液温度を６
０℃に安定させた。次に、マレイン酸４．４ｇを溶解さ
せたイオン交換水６４ｇとメチルトリメトキシシラン１
３５．７ｇと同時に１時間かけて溶液に添加した。その
後、６０℃で３時間反応させたのち、反応液を室温まで
冷却した。この反応液にプロピレングリコールモノメチ
ルエーテル２１５ｇ添加し、５０℃で反応液からメタノ
ールおよびエタノールを含む溶液を２１５ｇエバポレー
ションで除去し、反応液（Ａ−１）を得た。このように
して得られた加水分解縮合物の重量平均分子量は、３，
６００であった。

【００４７】合成例２ メチルトリメトキシシラン３０５．４ｇとポリスチレン
換算重量平均分子量約２，０００のポリジエトキシシロ
キサン６．４ｇをプロピレングリコールモノプロピルエ
ーテル１４３ｇに溶解させたのち、スリーワンモーター
で攪拌させ、溶液温度を６０℃に安定させた。次に、マ
ロン酸４．４ｇを溶解させたイオン交換水７０ｇを１時
間かけて溶液に添加した。その後、６０℃で２時間反応
させたのち、反応液を室温まで冷却した。この反応液に
プロピレングリコールモノプロピルエーテル４８２ｇ添
加し、５０℃で反応液からメタノールとエタノールを含
む溶液を４８２ｇエバポレーションで除去し、反応液
（Ａ−２）を得た。このようにして得られた加水分解縮
合物の重量平均分子量は、５，４００であった。

【００４８】合成例３ メチルトリメトキシシラン３０５．４ｇとポリスチレン
換算重量平均分子量約２，０００のポリジエトキシシロ
キサン６．４ｇとジイソプロポキシチタンビスエチルア
セチルアセテート１．１ｇをプロピレングリコールモノ
プロピルエーテル１４３ｇに溶解させたのち、スリーワ
ンモーターで攪拌させ、溶液温度を６０℃に安定させ
た。次に、イオン交換水７０ｇを１時間かけて溶液に添
加した。その後、６０℃で２時間反応させたのち、反応
液を室温まで冷却した。この反応液にプロピレングリコ
ールモノプロピルエーテル４８２ｇ添加し、５０℃で反
応液からメタノールとエタノールを含む溶液を４８２ｇ
エバポレーションで除去し、反応液（Ａ−３）を得た。
このようにして得られた加水分解縮合物の重量平均分子
量は、５，１００であった。

【００４９】合成例４ 合成例３において、ポリスチレン換算重量平均分子量約
２，０００のポリジエトキシシロキサンを添加しなかっ
たこと以外は、合成例３と同様にして、反応液（Ｂ−
１）を得た。このようにして得られた加水分解縮合物の
重量平均分子量は、３，５００であった。

【００５０】実施例１ 合成例１で得られた反応液（Ａ−１）を０．２μｍ孔径
のテフロン製フィルターでろ過を行い、スピンコート法
でシリコンウエハ上に塗布した。得られた塗膜の酸素プ
ラズマアッシング耐性を評価したところ、有機基の吸収
強度の変化は２２％と良好であった。塗膜の膜厚を変え
てクラックの発生しない最大膜厚を評価したところ、
１，７５０ｎｍと優れたクラック耐性を示した。また、
塗膜の誘電率を評価したところ、２．６８と非常に低い
誘電率を示した。

【００５１】実施例２〜３ 合成例２および３で得られた反応液（Ａ−２）および
（Ａ−３）を使用した以外は、実施例１と同様に塗膜を
評価した。評価結果を表１に示す。

【００５２】

【表１】

【００５３】比較例１ 合成例４で得られた反応液（Ｂ−１）を使用した以外
は、実施例１と同様に塗膜の評価を行った。塗膜の誘電
率は２．６３と良好であったが、酸素プラズマアッシン
グ耐性は４３％、得られた塗膜のクラック限界膜厚は９
５０ｎｍと劣るものであった。

【００５４】

【発明の効果】本発明によれば、特定のアルコキシシラ
ンの加水分解物および／またはその縮合物を含有させる
ことにより、塗膜の酸素プラズマアッシング耐性、クラ
ック耐性、誘電率特性などのバランスに優れた膜形成用
組成物（層間絶縁膜用材料）を提供することが可能であ
る。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 欣司 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 (72)発明者 後藤 幸平 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 Ｆターム(参考） 4J038 DL051 DL052 JC32 NA11 NA12 NA17 NA21 5F033 QQ74 RR25 SS22 WW04 XX17 XX24 5F058 AA02 AA10 AC03 AC06 AD01 AD05 AF04 AG01 AG04 AH01 AH02

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）下記一般式（１）で表される化合
   物、 Ｒ¹ _a Ｓｉ（ＯＲ² ）_4-a ・・・（１） （Ｒ¹ およびＲ² は同一でも異なっていてもよく、それ
   ぞれ１価の有機基を示し、ａは０〜２の整数を表す。）
   ならびに（Ｂ）（Ｂ−１） 下記一般式（２）で表され
   る化合物、および／または 【化１】 （Ｒ³ およびＲ⁴ は同一でも異なっていてもよく、それ
   ぞれ１価の有機基を示し、ｎは３〜１０の整数を表
   す。）および／または（Ｂ−２） 下記一般式（３）で
   表される繰り返し単位を有するポリマー −Ｓｉ（ＯＲ⁵ ）_2-b （Ｒ⁶ ）_b Ｏ− ・・・（３） （Ｒ⁵ およびＲ⁶ は同一でも異なっていてもよく、それ
   ぞれ１価の有機基を示し、ｂは０〜１の整数を表す。）
   からなるシラン化合物の、加水分解物および／または縮
   合物を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
2. 【請求項２】 （Ａ）成分（完全加水分解縮合物換算）
   １００重量部に対して、（Ｂ）成分が１〜８０重量部で
   ある請求項１記載の膜形成用組成物。
3. 【請求項３】 請求項１記載の組成物からなることを特
   徴とする絶縁膜形成用材料。