JP2000306917A - Substrate heater - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、基板、例えば半導
体ウエハを加熱する加熱装置に関し、例えば、基板温度
の上昇時及び基板温度の安定時における基板の温度分布
を均一化させることができる基板加熱装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heating apparatus for heating a substrate, for example, a semiconductor wafer. For example, the present invention relates to a heating apparatus for a substrate, which can make the temperature distribution of the substrate uniform when the substrate temperature rises and when the substrate temperature is stable. Related to the device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば、半導体ウエハ製造工程において
は、ＣＶＤ膜形成工程、エピタキシャル膜形成工程、酸
化膜形成工程、拡散膜形成工程等の熱処理を必要とする
工程が数多く存在する。これらの工程においては、半導
体ウエハの高集積化、大径化がすすむにつれ、ウエハ内
の温度均一性をいかに確保するかが重要な課題となって
いる。2. Description of the Related Art In a semiconductor wafer manufacturing process, for example, there are many processes requiring heat treatment, such as a CVD film forming process, an epitaxial film forming process, an oxide film forming process, and a diffusion film forming process. In these processes, as semiconductor wafers become more highly integrated and larger in diameter, how to ensure temperature uniformity within the wafer has become an important issue.
【０００３】また、この温度均一性は、工程内の温度上
昇時および温度安定時でそれぞれ維持されている必要が
あるが、基板温度の上昇時の熱移動は主に基板に対して
垂直方向に起こり、基板温度の安定時の熱移動は主に基
板に対して平行に起こる。そのため、基板温度の上昇
時、及び基板温度の安定時のいずれの場合にも基板温度
の温度均一性を維持するためには、基板加熱装置に２通
りの発熱分布を持たせる必要があり、そのために従来
は、加熱装置を構成するヒーターをいくつかのゾーンに
分割し、各ゾーン毎に適宜加熱温度の調節を行うことが
出来るよう、供給電力の増減を行うことにより対応して
いる。Further, this temperature uniformity needs to be maintained when the temperature rises in the process and when the temperature stabilizes. However, when the substrate temperature rises, the heat transfer mainly occurs in the direction perpendicular to the substrate. As a result, heat transfer when the substrate temperature is stable mainly occurs parallel to the substrate. Therefore, in order to maintain the temperature uniformity of the substrate temperature both when the substrate temperature rises and when the substrate temperature is stable, it is necessary to provide the substrate heating device with two kinds of heat distributions. Conventionally, a heater constituting a heating device is divided into several zones, and the supply power is increased or decreased so that the heating temperature can be appropriately adjusted for each zone.
【０００４】しかしながら、ヒーターをゾーン分割して
各ヒーター毎に温度制御を行うには、ヒーターの分割数
と同数の温度制御装置及び電源装置を必要とし、その結
果、加熱装置の占有スペースの増大や、コストの上昇の
一因となるという問題点があった。However, in order to control the temperature of each heater by dividing the heater into zones, the same number of temperature control devices and power supplies as the number of divided heaters are required. As a result, the space occupied by the heating device is increased. However, there is a problem that the cost increases.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来の技
術が有する上記問題点に鑑みなされたものであり、その
ために設定された具体的な課題は、ヒーターをゾーン分
割して各ヒーター毎に制御を行う必要がなく、ヒーター
の分割数と同数の温度制御装置、電源装置の設置を不要
とし、もって、加熱装置の占有スペースの増大やコスト
の上昇の原因とならない基板加熱装置を提供することに
ある。DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and the specific problems set for that purpose are to divide the heater into zones and to set the To provide a substrate heating apparatus which does not need to perform control, does not require the same number of temperature control apparatuses and power supply apparatuses as the number of divided heaters, and thus does not cause an increase in the space occupied by the heating apparatus or an increase in cost. It is in.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】かかる課題は、通電加熱
型の面状ヒーターが設置された基板加熱装置を、次の構
成要件（ａ）〜（ｃ）を具備するよう構成することによ
り、解決することができる。 （ａ） 前記面状ヒーターは、主ヒーターと、前記主ヒ
ーターと同一平面内で、かつ前記主ヒーターのパターン
隙間に、前記基板に対する加熱範囲が重複するよう設置
された補助ヒーターとから形成される。 （ｂ） 前記主ヒーターは前記基板の外周部を主として
加熱するよう形成される。 （ｃ） 前記主ヒーターと前記補助ヒーターとは直列に
接続されると共に、前記補助ヒーターに並列にスイッチ
付きの短絡回路が形成され、この短絡回路を温度制御器
からの信号によりＯＮ／ＯＦＦするよう構成される。The above object can be attained by constructing a substrate heating apparatus provided with an electric heating type planar heater so as to satisfy the following requirements (a) to (c). can do. (A) The planar heater is formed of a main heater and an auxiliary heater installed in the same plane as the main heater and in a pattern gap of the main heater so that a heating range for the substrate overlaps. . (B) The main heater is formed so as to mainly heat an outer peripheral portion of the substrate. (C) The main heater and the auxiliary heater are connected in series, and a short circuit with a switch is formed in parallel with the auxiliary heater, and the short circuit is turned on / off by a signal from a temperature controller. Be composed.
【０００７】[0007]
【発明の実施の形態】以下、実施の形態を掲げ、本発明
を詳細に説明する。なお、この実施の形態は発明の趣旨
を説明するためのものであり、特に限定のない限り発明
内容を限定するものではない。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to embodiments. This embodiment is for explaining the purpose of the invention, and does not limit the content of the invention unless otherwise limited.
【０００８】本実施の形態に係る基板加熱装置は、面ヒ
ーターを主ヒーターと補助ヒーターとから構成し、かつ
前記補助ヒーターを前記主ヒーターと同一平面内で、か
つ前記主ヒーターのパターン隙間に、前記基板に対する
加熱範囲が重複するよう設置したことにより、基板に加
熱されない部分ができ難くなるため、前記補助ヒーター
の単純なＯＮ／ＯＦＦのみによって、基板温度の上昇時
と、基板温度の安定時のいずれの場合にも、基板面内の
温度を均一に加熱出来るようになる。[0008] In the substrate heating apparatus according to the present embodiment, the surface heater includes a main heater and an auxiliary heater, and the auxiliary heater is provided in the same plane as the main heater and in a pattern gap of the main heater. Since the heating range for the substrate is set so as to be overlapped, a portion that is not heated to the substrate is difficult to be formed. Therefore, only when the auxiliary heater is simply turned on / off, when the substrate temperature rises and when the substrate temperature stabilizes, In any case, the temperature within the substrate surface can be uniformly heated.
【０００９】また、前記主ヒーターは主として前記基板
の外周部を加熱するよう構成される。前記基板の外周部
を主として加熱するための具体的な手段としては、例え
ば、前記主ヒーターを、前記基板と同等もしくは大きい
サイズとし、かつ前記補助ヒーターを前記主ヒーターよ
り小さいサイズで、且つ前記基板の径の内側に位置する
よう構成する。そして、熱の移動が主に基板に対して垂
直方向に起こる基板温度の上昇時には、前記主ヒーター
と前記補助ヒーターの両方に電力の供給をおこなって基
板全体を均等に加熱し、また熱の移動が主に基板に平行
に起こる基板温度の安定時には、前記主ヒーターのみに
電力の供給を行って基板の外周部を中心に加熱する。そ
の結果、基板温度の上昇時、基板温度の安定時のいずれ
の場合にも、基板面内の温度を均一に加熱できる。Further, the main heater is configured to mainly heat the outer peripheral portion of the substrate. As a specific means for mainly heating the outer peripheral portion of the substrate, for example, the main heater has a size equal to or larger than the substrate, and the auxiliary heater has a size smaller than the main heater, and the substrate It is constituted so that it may be located inside the diameter of. When the temperature of the substrate rises, in which heat transfer mainly occurs in a direction perpendicular to the substrate, power is supplied to both the main heater and the auxiliary heater to uniformly heat the entire substrate, and the heat transfer. When the substrate temperature is stable, which occurs mainly in parallel with the substrate, power is supplied only to the main heater to heat the substrate around the outer periphery. As a result, the temperature in the substrate surface can be uniformly heated regardless of whether the substrate temperature is rising or the substrate temperature is stable.
【００１０】更に、前記主ヒーターと前記補助ヒーター
とは直列に接続されると共に、前記補助ヒーターに並列
にスイッチ付きの短絡回路が形成され、この短絡回路を
温度制御器からの信号によりＯＮ／ＯＦＦするよう構成
されている。そして、基板加熱装置をこのように構成し
たことにより、一つの温度制御装置および電源装置で基
板温度の制御が可能となり、その結果、占有スペース及
びコストが、一枚のヒーターで構成された加熱装置並み
に低減することが出来る。Further, the main heater and the auxiliary heater are connected in series, and a short circuit with a switch is formed in parallel with the auxiliary heater. This short circuit is turned on / off by a signal from a temperature controller. It is configured to be. By configuring the substrate heating device in this manner, the substrate temperature can be controlled by one temperature control device and one power supply device. As a result, the occupied space and cost are reduced by the heating device configured by one heater. It can be reduced to the same level.
【００１１】更に、前記面状ヒーター（主ヒーター及び
補助ヒーター）は、常温時の熱伝導率が１２０Ｗ／ｍ・
Ｋ以上、かつ輻射率が０．７５以上である炭化珪素材料
で形成されている。このような優れた熱伝導率を有する
炭化珪素材料としては、例えば特開平２−１９９０６４
（特許第２７２６６９４号）公報に記載された炭化珪素
材料を例示することができる。このように面状ヒーター
材料（発熱体）を優れた熱伝導率を持つ材料で構成する
ことにより、補助ヒーターＯＦＦ時に、補助ヒーターは
隣接する主ヒーターによって加熱され、この加熱された
補助ヒーターが基板にとって熱源となる。その結果、基
板内に加熱されない部分がなくなるため、補助ヒーター
ＯＦＦ時（温度安定時）の基板温度の均一性が向上す
る。Further, the planar heater (main heater and auxiliary heater) has a thermal conductivity of 120 W / m ·
It is formed of a silicon carbide material having an emissivity of 0.75 or more and K or more. Examples of such a silicon carbide material having excellent thermal conductivity include, for example, JP-A-2-199064.
(Japanese Patent No. 2726694) can be exemplified. By configuring the sheet heater material (heating element) with a material having excellent thermal conductivity in this way, when the auxiliary heater is turned off, the auxiliary heater is heated by the adjacent main heater, and the heated auxiliary heater is heated by the substrate. It is a heat source for As a result, since there is no unheated portion in the substrate, the uniformity of the substrate temperature when the auxiliary heater is OFF (when the temperature is stable) is improved.
【００１２】なお、上述のヒーター構成は、主ヒーター
と補助ヒーターのサイズや、発熱分布を変更することに
より、温度上昇時と温度安定時の温度均一性の維持のみ
でなく、半導体製造の際のプロセスガスの導入、排気と
いった加熱雰囲気の変化時（このような場合にも熱移動
の変化が起こるため、温度均一性が崩れる）における温
度均一性の維持にも応用可能である。また補助ヒーター
の枚数を増やすことにより、温度上昇時、温度安定時、
加熱雰囲気の変化時等、複数の温度均一性の維持にも応
用可能である。The above-described heater configuration not only maintains the temperature uniformity at the time of temperature rise and temperature stabilization but also changes the size of the main heater and the auxiliary heater and the heat generation distribution. The present invention can also be applied to maintaining the temperature uniformity when the heating atmosphere changes, such as the introduction and exhaust of the process gas (in such a case, the change in heat transfer occurs and the temperature uniformity is lost). Also, by increasing the number of auxiliary heaters, when the temperature rises, when the temperature is stable,
It is also applicable to maintaining a plurality of temperature uniformities such as when the heating atmosphere changes.
【００１３】[0013]
【実施例】以下、図示実施例に基づき更に本発明を詳細
に説明する。 「基板加熱装置」基板加熱装置は、図１に示すように平
面上に渦巻き状に設置された主ヒーター１、及び主ヒー
ター１の中央部に形成されたパターン隙間に同様に渦巻
き状に設置された補助ヒーター２と、それぞれのヒータ
ー部材の端部を支持して各ヒーターに電力を供給し、ま
た両ヒーター１、２を互いに接続するための電極３、４
と、ヒーター１、２を内部に収納する断熱性の容器５
と、基板（ウエハ）７を載置するための試料台６と、ス
イッチ８と、温度制御器９とから構成されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the illustrated embodiments. "Substrate Heating Device" The substrate heating device is similarly spirally installed in a main heater 1 which is spirally disposed on a plane and in a pattern gap formed in a central portion of the main heater 1 as shown in FIG. The auxiliary heater 2 and the ends of the respective heater members are supported to supply power to the respective heaters, and the electrodes 3 and 4 for connecting the heaters 1 and 2 to each other.
And a heat insulating container 5 for housing the heaters 1 and 2 therein.
, A sample table 6 on which a substrate (wafer) 7 is placed, a switch 8, and a temperature controller 9.
【００１４】主ヒーター１と補助ヒーター２とは、各１
個の電極３、４により互いに直列に接続され、また、ス
イッチ８は、補助ヒーター２に並列に接続された短絡回
路に設けられている。温度制御器９は、スイッチ８に信
号を出力してこれをＯＮにすることにより、補助ヒータ
ー２を実質的にＯＦＦとし、またスイッチ８をＯＦＦに
することにより、補助ヒーター２を実質的にＯＮにする
ものである。なお、前記主ヒーター１と前記補助ヒータ
ー２とは、共に、室温時の熱伝導率が１７５Ｗ／ｍ・
Ｋ、輻射率が０．９である炭化珪素焼結体により形成さ
れている。符号１０はサイリスタである。The main heater 1 and the auxiliary heater 2 are
The switches 8 are connected in series with each other by the electrodes 3 and 4, and the switch 8 is provided in a short circuit connected in parallel to the auxiliary heater 2. The temperature controller 9 outputs a signal to the switch 8 and turns it on, thereby turning off the auxiliary heater 2 substantially, and turning off the switch 8 turns on the auxiliary heater 2 substantially. It is to be. The main heater 1 and the auxiliary heater 2 both have a thermal conductivity at room temperature of 175 W / m ·
K, formed of a silicon carbide sintered body having an emissivity of 0.9. Reference numeral 10 denotes a thyristor.
【００１５】「基板温度の均一性評価」Ｋ熱電対９対を
取り付けたＳｉウエハ７を試料台６上に載置してヒータ
ーに電力を供給することにより、昇温速度２００℃／分
で基板温度５００℃まで昇温し、この温度に維持した。
なお、基板温度（ウエハ７の温度）の上昇時には、主ヒ
ーター１及び補助ヒーター２の両方に電力を供給し、基
板温度の安定時には主ヒーター１のみに電力を供給して
測定を行った。昇温時、及び昇温後の５００℃維持時の
Ｓｉウエハ７の温度分布、つまり、上記９対の熱電対間
の最大温度差（Δｔ）を評価した。その結果は表１に示
すとおりであった。[Evaluation of Substrate Temperature Uniformity] A Si wafer 7 with 9 pairs of K thermocouples is mounted on a sample stage 6 and electric power is supplied to a heater. The temperature was raised to 500 ° C. and maintained at this temperature.
When the substrate temperature (the temperature of the wafer 7) was increased, power was supplied to both the main heater 1 and the auxiliary heater 2, and when the substrate temperature was stabilized, power was supplied only to the main heater 1 for measurement. The temperature distribution of the Si wafer 7 when the temperature was raised and when it was maintained at 500 ° C. after the temperature rise, that is, the maximum temperature difference (Δt) between the nine pairs of thermocouples was evaluated. The results were as shown in Table 1.
【００１６】「比較例」従来使用されている、温度安定
時に温度均一性を実現するよう設計された１枚のヒータ
ーで構成された基板加熱装置を使用し、実施例に準じ
て、基板温度の均一性を評価したところ、温度上昇時及
び温度安定時の温度分布は表１に示すとおりであった。
結局、本発明では、温度上昇時の温度均一性が大きく改
善されていることが分かる。[Comparative Example] A substrate heating apparatus which is conventionally used and is constituted by a single heater designed to realize temperature uniformity when the temperature is stabilized is used. When the uniformity was evaluated, the temperature distribution at the time of temperature rise and temperature stabilization was as shown in Table 1.
After all, in the present invention, it can be seen that the temperature uniformity at the time of temperature rise is greatly improved.
【００１７】[0017]
【表１】 [Table 1]
【００１８】[0018]
【発明の効果】以上のように、本発明の基板加熱装置に
より、従来の１枚のヒーターでは、例えば温度安定時の
みといった一条件での温度均一性しか達成できなかった
ものが、その場合における温度均一性を維持したまま、
さらに温度上昇時といったもう一条件においても基板温
度の均一性を達成することが可能となった。また、一の
温度制御装置および電源装置で基板温度の制御が可能と
なり、基板加熱装置用の占有スペース及びコストを低減
することができる。As described above, according to the substrate heating apparatus of the present invention, a single heater of the related art can attain temperature uniformity only under one condition, for example, only when the temperature is stable. While maintaining temperature uniformity,
Further, even under another condition such as a temperature rise, uniformity of the substrate temperature can be achieved. Further, the substrate temperature can be controlled by one temperature control device and the power supply device, so that the occupied space and cost for the substrate heating device can be reduced.
【図１】 実施例における基板加熱装置の縦断面側面図
である。FIG. 1 is a longitudinal sectional side view of a substrate heating device in an embodiment.
【図２】 実施例におけるヒーター部材の形状を示す平
面図である。FIG. 2 is a plan view showing a shape of a heater member in the embodiment.
【図３】 実施例における電源回路構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram of a power supply circuit according to the embodiment.
１ 主ヒーター ２ 補助ヒーター ３ 主ヒーター用電極 ４ 補助ヒーター
用電極 ５ 容器 ６ 試料台 ７ ウエハ（基板） ８ スイッチ ９ 温度制御器DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Main heater 2 Auxiliary heater 3 Electrode for main heater 4 Electrode for auxiliary heater 5 Container 6 Sample table 7 Wafer (substrate) 8 Switch 9 Temperature controller
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村上 嘉彦 千葉県船橋市豊富町585番地 住友大阪セ メント株式会社新材料事業部内 (72)発明者 橋本 昌幸 千葉県船橋市豊富町585番地 住友大阪セ メント株式会社新材料事業部内 Ｆターム(参考） 3K058 AA86 AA91 AA95 BA00 CB02 CE13 CE19 5F045 BB08 EK08 EK22 EK27 GB15 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Yoshihiko Murakami 585 Tomicho, Funabashi-shi, Chiba Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. New Materials Division (72) Inventor Masayuki Hashimoto 585 Tomicho, Funabashi-shi, Chiba Sumitomo Osaka F-term (reference) in the New Materials Division of Mento Co., Ltd. 3K058 AA86 AA91 AA95 BA00 CB02 CE13 CE19 5F045 BB08 EK08 EK22 EK27 GB15
Claims (3)
基板加熱装置であって、 前記面状ヒーターは、基板の外周部を主として加熱する
よう形成された主ヒーターと、前記主ヒーターと同一平
面内で、かつ前記主ヒーターのパターン隙間に設置され
た補助ヒーターとから構成されると共に、 前記主ヒーターと前記補助ヒーターとは直列に接続さ
れ、 前記補助ヒーターには並列にスイッチ付きの短絡回路が
形成され、 この短絡回路を温度制御器からの信号によりＯＮ／ＯＦ
Ｆするよう構成されてなることを特徴とする基板加熱装
置。1. A substrate heating apparatus provided with an electrically heated planar heater, wherein the planar heater is the same as the main heater formed so as to mainly heat an outer peripheral portion of the substrate. The main heater and the auxiliary heater are connected in series with each other, and a short circuit with a switch is connected to the auxiliary heater in parallel. Is formed, and this short circuit is turned ON / OF by a signal from the temperature controller.
F. A substrate heating apparatus, wherein
時の基板温度を、ＯＦＦ時には温度安定時の基板温度を
均一化するよう構成されてなることを特徴とする請求項
１記載の基板加熱装置。2. The substrate heating apparatus according to claim 1, wherein the substrate temperature is made uniform when the auxiliary heater is turned on, and the substrate temperature when the temperature is stabilized when the auxiliary heater is turned off.
が１２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、かつ輻射率が０．７５以上の
材料で形成されてなる請求項１又は２記載の基板加熱装
置。3. The substrate heating apparatus according to claim 1, wherein the sheet heater is formed of a material having a thermal conductivity of at least 120 W / m · K at room temperature and an emissivity of at least 0.75. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP11114253A JP2000306917A (en) | 1999-04-21 | 1999-04-21 | Substrate heater |
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| JP11114253A JP2000306917A (en) | 1999-04-21 | 1999-04-21 | Substrate heater |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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ID=14633158
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP11114253A Withdrawn JP2000306917A (en) | 1999-04-21 | 1999-04-21 | Substrate heater |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000306917A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009081185A (en) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Nuflare Technology Inc | Vapor deposition apparatus and vapor deposition method |
| JP2012052739A (en) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Itochu Corp | Electric kotatsu |
| CN107342207A (en) * | 2016-04-29 | 2017-11-10 | 细美事有限公司 | Substrate temperature control apparatus, substrate board treatment and control method |
| JP2018078328A (en) * | 2018-01-11 | 2018-05-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Plasma processing method |
-
1999
- 1999-04-21 JP JP11114253A patent/JP2000306917A/en not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009081185A (en) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Nuflare Technology Inc | Vapor deposition apparatus and vapor deposition method |
| JP2012052739A (en) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Itochu Corp | Electric kotatsu |
| CN107342207A (en) * | 2016-04-29 | 2017-11-10 | 细美事有限公司 | Substrate temperature control apparatus, substrate board treatment and control method |
| US10563919B2 (en) | 2016-04-29 | 2020-02-18 | Semes Co., Ltd. | Method, system, and apparatus for controlling a temperature of a substrate in a plasma processing chamber |
| JP2018078328A (en) * | 2018-01-11 | 2018-05-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Plasma processing method |
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