JP2024048721A - Electrostatic Chuck - Google Patents

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淳平 上藤
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Abstract

【課題】処理対象物の面内の温度分布の均一性を向上させることができる静電チャックを提供することを目的とする。【解決手段】処理対象物を載置するセラミック誘電体基板と、セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、セラミック誘電体基板を加熱するヒータ部と、を備え、ヒータ部は、第１ヒータ層を含む少なくとも１つのヒータ層と、ヒータ層への給電経路である第１バイパス部と、を有し、第１ヒータ層は、複数の第１ゾーンを有し、複数の第１ゾーンのそれぞれは、２つの第１給電部と、２つの第１給電部を電気的に接続する第１ヒータラインと、を有し、第１ゾーンの１つは、第１ゾーンの別の１つと、第１ゾーン間領域を介して隣接し、第１バイパス部は、Ｚ方向において第１ゾーン間領域と重なり、第１ゾーン間領域に沿って延びる線状部分を有する、静電チャックが提供される。【選択図】図４[Problem] To provide an electrostatic chuck capable of improving the uniformity of the temperature distribution within the surface of a processing object. [Solution] An electrostatic chuck is provided, comprising: a ceramic dielectric substrate on which a processing object is placed, a base plate that supports the ceramic dielectric substrate, and a heater section that heats the ceramic dielectric substrate, the heater section having at least one heater layer including a first heater layer and a first bypass section that is a power supply path to the heater layer, the first heater layer having a plurality of first zones, each of the plurality of first zones having two first power supply sections and a first heater line that electrically connects the two first power supply sections, one of the first zones being adjacent to another of the first zones via a first inter-zone region, and the first bypass section having a linear portion that overlaps with the first inter-zone region in the Z direction and extends along the first inter-zone region. [Selected Figure] Figure 4

Description

本発明の態様は、一般的に、静電チャックに関する。 Aspects of the present invention generally relate to electrostatic chucks.

半導体ウェーハやガラス基板などの処理対象物が載置される静電チャックが知られている。静電チャックは、例えばエッチング、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）、スパッタリング、イオン注入、またはアッシングなどを行う半導体製造装置のプラズマ処理チャンバ内において、処理対象物を吸着保持する手段として用いられる。静電チャックは、例えば内蔵する電極に静電吸着用電力を印加し、シリコンウェーハ等の基板を静電力によって吸着するものである。 Electrostatic chucks are known on which processing objects such as semiconductor wafers and glass substrates are placed. Electrostatic chucks are used as a means for attracting and holding processing objects in plasma processing chambers of semiconductor manufacturing equipment that performs processes such as etching, CVD (Chemical Vapor Deposition), sputtering, ion implantation, and ashing. Electrostatic chucks apply electrostatic attraction power to built-in electrodes, for example, and attract substrates such as silicon wafers by electrostatic force.

静電チャックにおいては、ウェーハ等の処理対象物の面内の温度分布を制御することが求められる。そこで、例えば、複数のゾーンに分割されたヒータを設けることが検討されている。各ゾーンの出力を独立に調整することにより、処理対象物の面内の温度分布を制御することができる。例えば、ゾーンの数を増やすことにより、面内の温度分布をより細かく制御することができる。このようなゾーンの数は、近年増加傾向にあり、例えば１００を超える場合もある。 In electrostatic chucks, it is necessary to control the temperature distribution within the surface of the processing object, such as a wafer. Therefore, for example, the provision of a heater divided into multiple zones has been considered. By independently adjusting the output of each zone, it is possible to control the temperature distribution within the surface of the processing object. For example, by increasing the number of zones, it is possible to control the temperature distribution within the surface more precisely. The number of such zones has been increasing in recent years, and may exceed 100, for example.

例えば、各ゾーンに対応して発熱抵抗体が設けられ、発熱抵抗体には電源からの電流を発熱抵抗体に流す経路となる導通部が接続される。しかし、導通部の発熱によって試料保持面の均熱性が低下する恐れがあった（特許文献１）。 For example, a heating resistor is provided for each zone, and a conductive part that serves as a path for passing current from a power source to the heating resistor is connected to the heating resistor. However, there is a risk that the heat generated by the conductive part will reduce the uniformity of the temperature on the sample support surface (Patent Document 1).

特開２０２０－００４８２０号公報JP 2020-004820 A

本発明は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、処理対象物の面内の温度分布の均一性を向上させることができる静電チャックを提供することを目的とする。 The present invention was made based on the recognition of such problems, and aims to provide an electrostatic chuck that can improve the uniformity of the temperature distribution within the surface of the processing object.

第１の発明は、処理対象物を載置する第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、を有するセラミック誘電体基板と、前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、前記セラミック誘電体基板を加熱するヒータ部と、を備え、前記ヒータ部は、第１ヒータ層を含む少なくとも１つのヒータ層と、前記少なくとも１つのヒータ層への給電経路である第１バイパス部と、を有し、前記第１ヒータ層は、複数の第１ゾーンを有し、前記複数の第１ゾーンのそれぞれは、２つの第１給電部と、前記２つの第１給電部を電気的に接続する第１ヒータラインと、を有し、前記複数の第１ゾーンの１つは、前記複数の第１ゾーンの別の１つと、第１ゾーン間領域を介して隣接し、前記第１バイパス部は、前記第１主面に対して垂直なＺ方向において前記第１ゾーン間領域と重なり、前記第１ゾーン間領域に沿って延びる線状部分を有する、静電チャックである。 The first invention is an electrostatic chuck comprising a ceramic dielectric substrate having a first main surface on which an object to be processed is placed and a second main surface opposite to the first main surface, a base plate supporting the ceramic dielectric substrate, and a heater section for heating the ceramic dielectric substrate, the heater section having at least one heater layer including a first heater layer and a first bypass section which is a power supply path to the at least one heater layer, the first heater layer having a plurality of first zones, each of the plurality of first zones having two first power supply sections and a first heater line electrically connecting the two first power supply sections, one of the plurality of first zones being adjacent to another of the plurality of first zones via a first inter-zone region, and the first bypass section having a linear portion overlapping the first inter-zone region in the Z direction perpendicular to the first main surface and extending along the first inter-zone region.

隣接する第１ゾーン同士の間の第１ゾーン間領域は、第１ヒータラインが配置されないため、温度が低いクールスポットとなり、面内の温度分布にムラが生じやすい。一方、ヒータ層に比べて発熱量は小さいが、第１バイパス部においても、電流が流れることで熱が生じる。特に、線状部分において電流が集中すると発熱量が増大する。この静電チャックによれば、第１バイパス部の線状部分が第１ゾーン間領域と重なり、第１ゾーン間領域に沿って延びることにより、線状部分の発熱によって、第１ゾーン間領域によって生じる面内の温度分布のムラを抑制することができる。これにより、処理対象物の面内の温度分布の均一性を向上させることができる。 The first inter-zone region between adjacent first zones is a cool spot with a low temperature because the first heater line is not arranged, and is prone to unevenness in the temperature distribution within the surface. On the other hand, although the amount of heat generated is smaller than that of the heater layer, heat is also generated in the first bypass section when a current flows. In particular, the amount of heat generated increases when the current concentrates in the linear portion. With this electrostatic chuck, the linear portion of the first bypass section overlaps with the first inter-zone region and extends along the first inter-zone region, so that the heat generated by the linear portion can suppress unevenness in the temperature distribution within the surface caused by the first inter-zone region. This can improve the uniformity of the temperature distribution within the surface of the processing object.

第２の発明は、第１の発明において、前記ヒータ部は、前記Ｚ方向に沿って見たときに、前記ヒータ部の中央に位置する中央領域と、前記中央領域よりも外側に位置し前記ヒータ部の外周端を含む外周領域と、を有し、前記線状部分は、少なくとも前記外周領域に配置された前記第１ゾーン間領域と重なり、少なくとも前記外周領域に配置された前記第１ゾーン間領域に沿って延びる、静電チャックである。 The second invention is an electrostatic chuck according to the first invention, in which the heater section has a central region located at the center of the heater section when viewed along the Z direction, and a peripheral region located outside the central region and including the peripheral end of the heater section, and the linear portion overlaps with at least the first inter-zone region located in the peripheral region and extends at least along the first inter-zone region located in the peripheral region.

ヒータ部において、外周領域の温度分布ばらつきは、中央領域の温度分布ばらつきよりも大きくなりやすい場合がある。これに対して、外周領域の第１ゾーン間領域に沿ってバイパス部の線状部分を設けることにより、外周領域における温度分布のばらつきを抑制することができる。 In the heater section, the temperature distribution variation in the outer peripheral region may tend to be greater than the temperature distribution variation in the central region. In response to this, by providing a linear portion of the bypass section along the first inter-zone region of the outer peripheral region, the temperature distribution variation in the outer peripheral region can be suppressed.

第３の発明は、第１または第２の発明において、平面視において、前記線状部分の幅は、前記第１ゾーン間領域の幅と同じ、または、前記第１ゾーン間領域の幅よりも狭い、静電チャックである。 The third invention is an electrostatic chuck according to the first or second invention, in which the width of the linear portion in a plan view is the same as or narrower than the width of the first inter-zone region.

この静電チャックによれば、線状部分の幅が第１ゾーン間領域の幅以下であることにより、線状部分と第１ゾーンとの重なりが抑制される。これにより、線状部分の発熱が第１ゾーンの温度に与える影響を抑制し、処理対象物を載置する面全体の温度ばらつきを抑制することができる。 With this electrostatic chuck, the width of the linear portion is equal to or less than the width of the region between the first zones, thereby preventing overlap between the linear portion and the first zone. This reduces the effect of heat generated by the linear portion on the temperature of the first zone, and reduces temperature variation across the entire surface on which the workpiece is placed.

第４の発明は、第１または第２の発明において、平面視において、前記線状部分の幅は、前記複数の第１ゾーンの１つにおける前記第１ヒータラインの一部と前記第１ヒータラインの別の一部との間の最小間隔よりも広い、静電チャックである。 The fourth invention is an electrostatic chuck according to the first or second invention, in which the width of the linear portion in a plan view is wider than the minimum distance between a part of the first heater line and another part of the first heater line in one of the plurality of first zones.

この静電チャックによれば、線状部分の幅が狭くなり線状部分において過度な熱が生じることを抑制できる。 This electrostatic chuck narrows the width of the linear portion, preventing excessive heat from being generated in the linear portion.

第５の発明は、第１または第２の発明において、平面視において、前記複数の第１ゾーンの１つにおける前記第１ヒータラインの幅は、前記第１ゾーン間領域の幅よりも狭い、静電チャックである。 The fifth invention is an electrostatic chuck according to the first or second invention, in which, in a plan view, the width of the first heater line in one of the first zones is narrower than the width of the region between the first zones.

この静電チャックによれば、線状部分の幅が狭くなり線状部分において過度な熱が生じることを抑制できる。 This electrostatic chuck narrows the width of the linear portion, preventing excessive heat from being generated in the linear portion.

第６の発明は、第１または第２の発明において、前記第１ヒータ層に含まれる前記複数の第１ゾーンの数は、５０以上である静電チャックである。 The sixth invention is an electrostatic chuck according to the first or second invention, in which the number of the first zones included in the first heater layer is 50 or more.

この静電チャックによれば、第１ヒータ層を細かく分割して第１ゾーンの数を５０以上とすることにより、処理対象物の載置面の温度（ひいては処理対象物の面内の温度）の微調整を行うことができる。一方、第１ゾーンの数が増えると、第１ゾーン間領域も増えることとなる。これに対して、この静電チャックによれば、第１ゾーン間領域と重なるように第１バイパス部の線状部分が配置されている。そのため、第１ゾーンを細分化した場合であっても、処理対象物の面内の温度分布の均一性を向上させることができる。 With this electrostatic chuck, the temperature of the surface on which the workpiece is placed (and therefore the temperature within the surface of the workpiece) can be finely adjusted by finely dividing the first heater layer to have 50 or more first zones. On the other hand, as the number of first zones increases, the area between the first zones also increases. In contrast, with this electrostatic chuck, the linear portion of the first bypass section is arranged so as to overlap with the area between the first zones. Therefore, even if the first zones are subdivided, the uniformity of the temperature distribution within the surface of the workpiece can be improved.

第７の発明は、第６の発明において、前記ヒータ部は、複数の第２ゾーンを有する第２ヒータ層をさらに有し、前記複数の第２ゾーンのそれぞれは、２つの第２給電部と、前記２つの第２給電部を電気的に接続する第２ヒータラインと、を有し、前記複数の第２ゾーンの数は、前記複数の第１ゾーンの数よりも少なく、前記複数の第２ゾーンの１つは、前記複数の第２ゾーンの別の１つと第２ゾーン間領域を介して隣接し、前記第１ゾーン間領域は、前記Ｚ方向において前記第２ゾーン間領域と重なる重複領域を有し、前記線状部分は、前記Ｚ方向において前記重複領域と重なる、静電チャックである。 The seventh invention is an electrostatic chuck according to the sixth invention, in which the heater section further includes a second heater layer having a plurality of second zones, each of the plurality of second zones includes two second power supply parts and a second heater line electrically connecting the two second power supply parts, the number of the plurality of second zones is smaller than the number of the plurality of first zones, one of the plurality of second zones is adjacent to another of the plurality of second zones via a second inter-zone region, the first inter-zone region has an overlap region that overlaps with the second inter-zone region in the Z direction, and the linear portion overlaps with the overlap region in the Z direction.

隣接する第２ゾーン同士の間の第２ゾーン間領域は、第２ヒータラインが配置されないため、温度が低いクールスポットとなり、面内の温度分布にムラが生じやすい。例えば、第１ゾーン間領域と第２ゾーン間領域とが重なる重複領域は、クールスポットとなりやすい。これに対して、この静電チャックによれば、第１バイパス部の線状部分が重複領域と重なることにより、線状部分の発熱によって、重複領域によって生じる面内の温度分布のムラを抑制することができる。これにより、処理対象物の面内の温度分布の均一性を向上させることができる。 In the second inter-zone region between adjacent second zones, where the second heater line is not arranged, the region becomes a cool spot with a low temperature, and the temperature distribution within the surface is likely to become uneven. For example, the overlapping region where the first inter-zone region and the second inter-zone region overlap is likely to become a cool spot. In contrast, with this electrostatic chuck, the linear portion of the first bypass section overlaps with the overlapping region, and the heat generated by the linear portion can suppress the unevenness in the temperature distribution within the surface caused by the overlapping region. This can improve the uniformity of the temperature distribution within the surface of the processing object.

本発明の態様によれば、処理対象物の面内の温度分布の均一性を向上させることができる静電チャックが提供される。 According to an aspect of the present invention, an electrostatic chuck is provided that can improve the uniformity of the temperature distribution within the surface of the processing object.

図１は、実施形態に係る静電チャックを模式的に表す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view that illustrates a schematic diagram of an electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention. 図２（ａ）及び図２（ｂ）は、実施形態に係る静電チャックの一部を模式的に表す断面図である。2A and 2B are cross-sectional views that diagrammatically illustrate a portion of the electrostatic chuck according to the embodiment. 図３（ａ）及び図３（ｂ）は、実施形態の変形例に係る静電チャックの一部を模式的に表す断面図である。3A and 3B are cross-sectional views that diagrammatically show a portion of an electrostatic chuck according to a modified example of the embodiment. 図４は、実施形態に係る静電チャックの一部を模式的に表す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view that illustrates a schematic view of a portion of the electrostatic chuck according to the embodiment. 図５は、実施形態に係る第２ヒータエレメントのメインゾーンを模式的に表す平面図である。FIG. 5 is a plan view that illustrates a schematic view of a main zone of the second heater element according to the embodiment. 図６は、実施形態に係る第１ヒータエレメントのサブゾーンを模式的に表す平面図である。FIG. 6 is a plan view that illustrates a schematic representation of a subzone of the first heater element according to the embodiment. 図７は、実施形態に係る第２ヒータエレメントを模式的に表す平面図である。FIG. 7 is a plan view that illustrates a schematic diagram of the second heater element according to the embodiment. 図８は、実施形態に係る第１ヒータエレメントのサブゾーンの一部を模式的に表す平面図である。FIG. 8 is a plan view that illustrates a part of a subzone of a first heater element according to an embodiment. 図９は、実施形態に係るバイパス層のバイパス部を例示する平面図である。FIG. 9 is a plan view illustrating a bypass portion of the bypass layer according to the embodiment. 図１０（ａ）は、実施形態に係るバイパス層のバイパス部と第１ヒータエレメントとの接続を模式的に表す斜視図であり、図１０（ｂ）は、バイパス部の変形例を模式的に表す平面図である。FIG. 10A is a perspective view that illustrates the connection between the bypass portion of the bypass layer according to the embodiment and the first heater element, and FIG. 10B is a plan view that illustrates a modified example of the bypass portion. 図１１は、実施形態に係るバイパス層のバイパス部の変形例を例示する平面図である。FIG. 11 is a plan view illustrating a modified example of the bypass portion of the bypass layer according to the embodiment. 図１２は、実施形態に係るウェーハ処理装置を模式的に表す断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view that illustrates a wafer processing apparatus according to an embodiment.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図１は、実施形態に係る静電チャックを模式的に表す斜視図である。
図２（ａ）及び図２（ｂ）は、実施形態に係る静電チャックの一部を模式的に表す断面図である。
図１では、説明の便宜上、静電チャックの一部において断面図を表している。
図２（ａ）は、図１に示したＡ１－Ａ１線による断面図である。
図２（ｂ）は、図２（ａ）に示した領域Ｂ１の拡大図である。なお、図２（ｂ）では、処理対象物Ｗを省略している。
図１、図２（ａ）、及び図２（ｂ）に表したように、実施形態に係る静電チャック１０は、セラミック誘電体基板１００と、ヒータ部２００と、べースプレート３００と、を備える。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, like components are designated by like reference numerals and detailed description thereof will be omitted as appropriate.
FIG. 1 is a perspective view that illustrates a schematic diagram of an electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention.
2A and 2B are cross-sectional views that diagrammatically show a portion of the electrostatic chuck according to the embodiment.
For convenience of explanation, FIG. 1 shows a cross-sectional view of a part of the electrostatic chuck.
FIG. 2A is a cross-sectional view taken along line A1-A1 shown in FIG.
Fig. 2(b) is an enlarged view of an area B1 shown in Fig. 2(a), in which the processing target W is omitted.
As shown in FIGS. 1, 2( a ), and 2 ( b ), the electrostatic chuck 10 according to the embodiment includes a ceramic dielectric substrate 100 , a heater portion 200 , and a base plate 300 .

セラミック誘電体基板１００は、例えば多結晶セラミック焼結体による平板状の基材であり、半導体ウェーハ等の処理対象物Ｗを載置する第１主面１０１と、第１主面１０１とは反対側の第２主面１０２と、を有する。 The ceramic dielectric substrate 100 is a flat base material, for example, made of a polycrystalline ceramic sintered body, and has a first main surface 101 on which a processing object W, such as a semiconductor wafer, is placed, and a second main surface 102 opposite the first main surface 101.

本願明細書では、第１主面１０１に対して垂直な方向をＺ方向とする。Ｚ方向は、換言すれば、第１主面１０１と第２主面１０２とを結ぶ方向である。Ｚ方向は、換言すれば、ベースプレート３００からセラミック誘電体基板１００に向かう方向である。また、Ｚ方向と直交する方向の１つをＸ方向、Ｚ方向及びＸ方向に直交する方向をＹ方向とする。本願明細書において、「面内」とは、例えばＸ－Ｙ平面内である。また、本願明細書において、「平面視」とは、Ｚ方向に沿って見た状態を示す。 In this specification, the direction perpendicular to the first main surface 101 is defined as the Z direction. In other words, the Z direction is the direction connecting the first main surface 101 and the second main surface 102. In other words, the Z direction is the direction from the base plate 300 toward the ceramic dielectric substrate 100. One of the directions perpendicular to the Z direction is defined as the X direction, and the direction perpendicular to the Z direction and the X direction is defined as the Y direction. In this specification, "in-plane" refers to, for example, within the X-Y plane. In this specification, "planar view" refers to a state viewed along the Z direction.

セラミック誘電体基板１００に含まれる結晶の材料としては、例えばＡｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＹＡＧなどが挙げられる。このような材料を用いることで、セラミック誘電体基板１００における赤外線透過性、絶縁耐性及びプラズマ耐久性を高めることができる。あるいは当該材料は、ＳｉＣ、ＡｌＮであってもよい。 Examples of the crystal material contained in the ceramic dielectric substrate 100 include Al2O3 , Y2O3 , and YAG. By using such materials, it is possible to improve the infrared transmittance, insulation resistance, and plasma durability of the ceramic dielectric substrate 100. Alternatively, the material may be SiC or AlN.

セラミック誘電体基板１００の内部には、電極層１１１が設けられている。電極層１１１は、第１主面１０１と、第２主面１０２と、の間に介設されている。すなわち、電極層１１１は、セラミック誘電体基板１００の中に挿入されるように形成されている。電極層１１１は、セラミック誘電体基板１００に一体焼結されている。 An electrode layer 111 is provided inside the ceramic dielectric substrate 100. The electrode layer 111 is interposed between the first main surface 101 and the second main surface 102. In other words, the electrode layer 111 is formed so as to be inserted into the ceramic dielectric substrate 100. The electrode layer 111 is sintered integrally with the ceramic dielectric substrate 100.

なお、電極層１１１は、第１主面１０１と、第２主面１０２と、の間に介設されていることに限定されず、第２主面１０２に付設されていてもよい。 The electrode layer 111 is not limited to being disposed between the first main surface 101 and the second main surface 102, but may be disposed on the second main surface 102.

静電チャック１０は、電極層１１１に吸着保持用電圧を印加することによって、電極層１１１の第１主面１０１側に電荷を発生させ、静電力によって処理対象物Ｗを吸着保持する。 The electrostatic chuck 10 generates an electric charge on the first main surface 101 side of the electrode layer 111 by applying an attraction/holding voltage to the electrode layer 111, and attracts and holds the workpiece W by electrostatic force.

電極層１１１は、第１主面１０１及び第２主面１０２に沿って設けられている。電極層１１１は、処理対象物Ｗを吸着保持するための吸着電極である。電極層１１１は、単極型でも双極型でもよい。また、電極層１１１は、三極型やその他の多極型であってもよい。電極層１１１の数や電極層１１１の配置は、適宜選択される。 The electrode layer 111 is provided along the first main surface 101 and the second main surface 102. The electrode layer 111 is an adsorption electrode for adsorbing and holding the workpiece W. The electrode layer 111 may be a monopolar or bipolar type. The electrode layer 111 may also be a tripolar or other multipolar type. The number of electrode layers 111 and the arrangement of the electrode layers 111 are selected appropriately.

ベースプレート３００は、セラミック誘電体基板１００の第２主面１０２側に設けられ、セラミック誘電体基板１００を支持する。ベースプレート３００には、連通路３０１が設けられている。つまり、連通路３０１は、ベースプレート３００の内部に設けられている。ベースプレート３００の材料としては、例えばアルミニウムが挙げられる。 The base plate 300 is provided on the second main surface 102 side of the ceramic dielectric substrate 100, and supports the ceramic dielectric substrate 100. The base plate 300 is provided with a communication passage 301. In other words, the communication passage 301 is provided inside the base plate 300. An example of the material for the base plate 300 is aluminum.

ベースプレート３００は、セラミック誘電体基板１００の温度調整を行う役目を果たす。例えば、セラミック誘電体基板１００を冷却する場合には、連通路３０１へ冷却媒体を流入し、連通路３０１を通過させ、連通路３０１から冷却媒体を流出させる。これにより、冷却媒体によってベースプレート３００の熱を吸収し、その上に取り付けられたセラミック誘電体基板１００を冷却することができる。 The base plate 300 serves to adjust the temperature of the ceramic dielectric substrate 100. For example, when cooling the ceramic dielectric substrate 100, a cooling medium is caused to flow into the communicating passage 301, pass through the communicating passage 301, and then flow out from the communicating passage 301. This allows the cooling medium to absorb the heat of the base plate 300, thereby cooling the ceramic dielectric substrate 100 mounted thereon.

また、セラミック誘電体基板１００の第１主面１０１側には、必要に応じて凸部１１３が設けられている。互いに隣り合う凸部１１３の間には、溝１１５が設けられている。溝１１５は、互いに連通している。静電チャック１０に搭載された処理対象物Ｗの裏面と、溝１１５と、の間には、空間が形成される。 In addition, convex portions 113 are provided on the first main surface 101 side of the ceramic dielectric substrate 100 as necessary. Grooves 115 are provided between adjacent convex portions 113. The grooves 115 are connected to each other. A space is formed between the back surface of the processing object W mounted on the electrostatic chuck 10 and the grooves 115.

溝１１５には、ベースプレート３００及びセラミック誘電体基板１００を貫通する導入路３２１が接続されている。処理対象物Ｗを吸着保持した状態で導入路３２１からヘリウム（Ｈｅ）等の伝達ガスを導入すると、処理対象物Ｗと溝１１５との間に設けられた空間に伝達ガスが流れ、処理対象物Ｗを伝達ガスによって直接加熱もしくは冷却することができるようになる。 An introduction passage 321 that penetrates the base plate 300 and the ceramic dielectric substrate 100 is connected to the groove 115. When a transfer gas such as helium (He) is introduced from the introduction passage 321 while the workpiece W is held by suction, the transfer gas flows into the space between the workpiece W and the groove 115, and the workpiece W can be directly heated or cooled by the transfer gas.

ヒータ部２００は、セラミック誘電体基板１００を加熱する。ヒータ部２００は、セラミック誘電体基板１００を加熱することで、セラミック誘電体基板１００を介して処理対象物Ｗを加熱する。この例では、ヒータ部２００は、セラミック誘電体基板１００と別体であり、セラミック誘電体基板１００の外に設けられている。より具体的には、ヒータ部２００は、セラミック誘電体基板１００とベースプレート３００との間に設けられている。 The heater section 200 heats the ceramic dielectric substrate 100. The heater section 200 heats the ceramic dielectric substrate 100, thereby heating the processing object W through the ceramic dielectric substrate 100. In this example, the heater section 200 is separate from the ceramic dielectric substrate 100 and is provided outside the ceramic dielectric substrate 100. More specifically, the heater section 200 is provided between the ceramic dielectric substrate 100 and the base plate 300.

ベースプレート３００とヒータ部２００との間には、接着層４０３が設けられている。ヒータ部２００とセラミック誘電体基板１００との間には、接着層４０３が設けられている。接着層４０３の材料としては、比較的高い熱伝導性を有するシリコーン等の耐熱性樹脂が挙げられる。接着層４０３の厚さは、例えば約０．１ミリメートル（ｍｍ）以上、１．０ｍｍ以下程度である。 An adhesive layer 403 is provided between the base plate 300 and the heater section 200. An adhesive layer 403 is provided between the heater section 200 and the ceramic dielectric substrate 100. The material of the adhesive layer 403 may be a heat-resistant resin such as silicone that has relatively high thermal conductivity. The thickness of the adhesive layer 403 is, for example, about 0.1 millimeters (mm) or more and 1.0 mm or less.

図３（ａ）及び図３（ｂ）は、実施形態の変形例に係る静電チャックの一部を模式的に表す断面図である。
図３（ｂ）は、図３（ａ）に示した領域Ｂ２の拡大図である。なお、図３（ｂ）では、処理対象物Ｗを省略している。
図３（ａ）及び図３（ｂ）に表したように、この例では、ヒータ部２００は、第１主面１０１と、第２主面１０２と、の間に設けられている。すなわち、ヒータ部２００は、セラミック誘電体基板１００の中に挿入されるように形成されてもよい。言い換えれば、ヒータ部２００は、セラミック誘電体基板１００に内蔵されていてもよい。この場合、接着層４０３は、省略される。 3A and 3B are cross-sectional views that diagrammatically show a portion of an electrostatic chuck according to a modified example of the embodiment.
Fig. 3(b) is an enlarged view of an area B2 shown in Fig. 3(a), in which the processing target W is omitted.
3(a) and 3(b), in this example, the heater section 200 is provided between the first main surface 101 and the second main surface 102. That is, the heater section 200 may be formed so as to be inserted into the ceramic dielectric substrate 100. In other words, the heater section 200 may be built into the ceramic dielectric substrate 100. In this case, the adhesive layer 403 is omitted.

図４は、実施形態に係る静電チャックの一部を模式的に表す断面図である。
図４においては、ヒータ部２００が、セラミック誘電体基板１００に設けられているが、実施形態においては、ヒータ部２００の少なくとも一部は、セラミック誘電体基板１００とベースプレート３００との間に設けられていてもよい。 FIG. 4 is a cross-sectional view that illustrates a schematic view of a portion of the electrostatic chuck according to the embodiment.
In FIG. 4 , the heater portion 200 is provided on the ceramic dielectric substrate 100 , but in an embodiment, at least a portion of the heater portion 200 may be provided between the ceramic dielectric substrate 100 and the base plate 300 .

ヒータ部２００は、第１ヒータエレメント２３１（例えば第１ヒータ層）を含む少なくとも１つのヒータエレメント（ヒータ層）を有する。各ヒータエレメントは、セラミック誘電体基板１００を加熱する。例えば、ヒータ部２００は、第１ヒータエレメント２３１と、第２ヒータエレメント２３２（例えば第２ヒータ層）と、を有する。さらに、ヒータ部２００には、バイパス層２５０が設けられる。バイパス層２５０は、複数のヒータエレメントへの給電経路の一部となる。ヒータ部２００には、適宜、ヒータエレメントを支持するための支持板が設けられてもよい。支持板とヒータエレメントとの間、ヒータエレメント同士の間、バイパス層２５０とヒータエレメントとの間などを絶縁する絶縁層が設けられてもよい。バイパス層２５０は、ヒータ部２００とは別に設けられたものでもよい。例えば、バイパス層２５０はセラミック誘電体基板１００に内蔵される。この場合、バイパス層２５０と、第１ヒータエレメント２３１および第２ヒータエレメント２３２との距離を近づけることができるため、面内温度均一化の効果をより高めることができる。また、ヒータ部２００において、第１ヒータエレメント２３１および第２ヒータエレメント２３２をセラミック誘電体基板１００に内蔵し、バイパス層２５０をセラミック誘電体基板１００の外に設けることもできる。具体的にはバイパス層２５０をセラミック誘電体基板１００の第２主面１０２よりも下方に配置してもよい。それによって、ヒータ部２００の給電機構の取り回しが容易となる。 The heater section 200 has at least one heater element (heater layer) including a first heater element 231 (e.g., a first heater layer). Each heater element heats the ceramic dielectric substrate 100. For example, the heater section 200 has a first heater element 231 and a second heater element 232 (e.g., a second heater layer). Furthermore, a bypass layer 250 is provided in the heater section 200. The bypass layer 250 is a part of the power supply path to the multiple heater elements. The heater section 200 may be provided with a support plate for supporting the heater element as appropriate. An insulating layer may be provided between the support plate and the heater element, between the heater elements, between the bypass layer 250 and the heater element, etc. to insulate the heater element. The bypass layer 250 may be provided separately from the heater section 200. For example, the bypass layer 250 is built into the ceramic dielectric substrate 100. In this case, the bypass layer 250 can be closer to the first heater element 231 and the second heater element 232, which can further improve the effect of uniforming the temperature in the surface. In addition, in the heater section 200, the first heater element 231 and the second heater element 232 can be built into the ceramic dielectric substrate 100, and the bypass layer 250 can be provided outside the ceramic dielectric substrate 100. Specifically, the bypass layer 250 can be disposed below the second main surface 102 of the ceramic dielectric substrate 100. This makes it easier to handle the power supply mechanism of the heater section 200.

第１ヒータエレメント２３１と第２ヒータエレメント２３２とは、Ｚ方向に離れている。つまり、第２ヒータエレメント２３２は、第１ヒータエレメント２３１が設けられた層とは、異なる層に設けられている。例えば第１ヒータエレメント２３１は、第２ヒータエレメント２３２と絶縁されており、電気的に独立している。この例では、第２ヒータエレメント２３２は、第１ヒータエレメント２３１よりも上方に位置する。第２ヒータエレメント２３２の少なくとも一部は、Ｚ方向において、第１ヒータエレメント２３１と重なってもよい。 The first heater element 231 and the second heater element 232 are separated in the Z direction. That is, the second heater element 232 is provided in a layer different from the layer in which the first heater element 231 is provided. For example, the first heater element 231 is insulated from the second heater element 232 and is electrically independent. In this example, the second heater element 232 is located above the first heater element 231. At least a portion of the second heater element 232 may overlap the first heater element 231 in the Z direction.

第２ヒータエレメント２３２は、複数のメインゾーン６００を有する。各メインゾーン６００は、メインヒータライン２３２ｃ（後述の図７参照）を有する。第１ヒータエレメント２３１は、複数のサブゾーン７００を有する。各サブゾーン７００は、サブヒータライン２３１ｃ（後述の図８参照）を有する。 The second heater element 232 has multiple main zones 600. Each main zone 600 has a main heater line 232c (see FIG. 7 below). The first heater element 231 has multiple subzones 700. Each subzone 700 has a subheater line 231c (see FIG. 8 below).

第１ヒータエレメント２３１がセラミック誘電体基板１００に内蔵される場合、第１ヒータエレメント２３１（サブヒータライン２３１ｃ）の材料としては、例えばチタン、クロム、ニッケル、銅、アルミニウム、モリブデン、タングステン、パラジウム、白金、銀、タンタル、モリブデンカーバイド、及びタングステンカーバイドの少なくともいずれかを含む金属などが挙げられる。なお第１ヒータエレメント２３１の材料は上記金属とセラミックス材料とを含むことが好ましい。セラミックス材料としては、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、イットリウムアルミニウムガーネット（ＹＡＧ_Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）等が挙げられる。第１ヒータエレメント２３１に含まれるセラミックス材料はセラミック誘電体基板１００の成分と同じであることが好ましい。第１ヒータエレメント２３１がセラミック誘電体基板１００の外に設けられる場合、第１ヒータエレメント２３１の材料としては、例えば、ステンレス、チタン、クロム、ニッケル、銅、アルミニウム、インコネル（登録商標）、モリブデン、タングステン、パラジウム、白金、銀、タンタル、モリブデンカーバイド、及びタングステンカーバイドの少なくともいずれかを含む金属などが挙げられる。第１ヒータエレメント２３１の厚さ（Ｚ方向の長さ）は、例えば約０．０１ｍｍ以上、０．２０ｍｍ以下程度である。第２ヒータエレメント２３２（メインヒータライン２３２ｃ）の材料及び厚さは、第１ヒータエレメント２３１の材料及び厚さとそれぞれ同様である。例えば、第２ヒータエレメント２３２がセラミック誘電体基板１００に内部に設けられる場合の第２ヒータエレメント２３２の材料としては、第１ヒータエレメント２３１がセラミック誘電体基板１００の内部に設けられる場合の第１ヒータエレメント２３１の材料と同じものが挙げられる。例えば、第２ヒータエレメント２３２がセラミック誘電体基板１００に外部に設けられる場合の第２ヒータエレメント２３２の材料としては、第１ヒータエレメント２３１がセラミック誘電体基板１００の外部に設けられる場合の第１ヒータエレメント２３１の材料と同じものが挙げられる。第２ヒータエレメント２３２の材料及び厚さは、第１ヒータエレメント２３１の材料及び厚さと異なっていてもよい。 When the first heater element 231 is built into the ceramic dielectric substrate 100, the material of the first heater element 231 (sub-heater line 231c) may be, for example, a metal containing at least one of titanium, chromium, nickel, copper, aluminum, molybdenum, tungsten, palladium, platinum, silver, tantalum, molybdenum carbide, and tungsten carbide. The material of the first heater element 231 preferably contains the above metal and a ceramic material. Examples of the ceramic material include aluminum oxide (Al 2 O 3 ), yttrium oxide (Y 2 O 3 ), yttrium aluminum garnet (YAG_Y 3 Al 5 O 12 ), aluminum nitride (AlN), silicon carbide (SiC), and the like. The ceramic material contained in the first heater element 231 is preferably the same as the component of the ceramic dielectric substrate 100. When the first heater element 231 is provided outside the ceramic dielectric substrate 100, the material of the first heater element 231 may be, for example, a metal containing at least one of stainless steel, titanium, chromium, nickel, copper, aluminum, Inconel (registered trademark), molybdenum, tungsten, palladium, platinum, silver, tantalum, molybdenum carbide, and tungsten carbide. The thickness (length in the Z direction) of the first heater element 231 is, for example, about 0.01 mm or more and 0.20 mm or less. The material and thickness of the second heater element 232 (main heater line 232c) are the same as the material and thickness of the first heater element 231. For example, when the second heater element 232 is provided inside the ceramic dielectric substrate 100, the material of the second heater element 232 may be the same as the material of the first heater element 231 when the first heater element 231 is provided inside the ceramic dielectric substrate 100. For example, the material of the second heater element 232 when the second heater element 232 is provided outside the ceramic dielectric substrate 100 may be the same as the material of the first heater element 231 when the first heater element 231 is provided outside the ceramic dielectric substrate 100. The material and thickness of the second heater element 232 may be different from the material and thickness of the first heater element 231.

第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２の少なくとも一方は、バイパス層２５０と電気的に接続されている。例えば、第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２は、それぞれ、バイパス層２５０と電気的に接続されている。 At least one of the first heater element 231 and the second heater element 232 is electrically connected to the bypass layer 250. For example, the first heater element 231 and the second heater element 232 are each electrically connected to the bypass layer 250.

第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２は、それぞれ、電流が流れると発熱する。第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２は、発熱することで、セラミック誘電体基板１００を加熱する。第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２は、例えば、セラミック誘電体基板１００を介して処理対象物Ｗを加熱することで、処理対象物Ｗの面内の温度分布を均一にする。あるいは、第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２は、例えば、セラミック誘電体基板１００を介して処理対象物Ｗを加熱することで、処理対象物Ｗの面内の温度に意図的に差をつけることもできる。 The first heater element 231 and the second heater element 232 each generate heat when a current flows through them. The first heater element 231 and the second heater element 232 generate heat to heat the ceramic dielectric substrate 100. The first heater element 231 and the second heater element 232 heat the processing object W, for example, via the ceramic dielectric substrate 100, to make the temperature distribution within the surface of the processing object W uniform. Alternatively, the first heater element 231 and the second heater element 232 can intentionally create a difference in temperature within the surface of the processing object W, for example, by heating the processing object W via the ceramic dielectric substrate 100.

具体的には、ヒータ部２００は、第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２のそれぞれと電気的に接続される複数の給電端子（図示せず）を有する。給電端子は、静電チャック１０の外部から供給された電力を、第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２に供給する。すなわち、給電端子を介して、メインヒータライン２３２ｃ（例えば第２ヒータライン）に、外部からの電流が流される。これにより、メインヒータライン２３２ｃが発熱する。同様に、給電端子を介してサブヒータライン２３１ｃ（例えば第１ヒータライン）に、外部からの電流が流される。これにより、サブヒータライン２３１ｃが発熱する。 Specifically, the heater unit 200 has a plurality of power supply terminals (not shown) electrically connected to each of the first heater element 231 and the second heater element 232. The power supply terminals supply power supplied from outside the electrostatic chuck 10 to the first heater element 231 and the second heater element 232. That is, an external current is passed through the main heater line 232c (e.g., the second heater line) via the power supply terminals. This causes the main heater line 232c to generate heat. Similarly, an external current is passed through the sub-heater line 231c (e.g., the first heater line) via the power supply terminals. This causes the sub-heater line 231c to generate heat.

バイパス層２５０は、導電性を有し、例えば板状を呈する。バイパス層２５０は、例えば、第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２と電気的に接続されており、第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２の給電経路である。例えば、バイパス層２５０は、メインヒータライン２３２ｃと給電端子とを電気的に接続する導電部である。例えば、バイパス層は、サブヒータライン２３１ｃと給電端子とを電気的に接続する導電部である。なお、給電端子は、第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２に直接的に接続されてもよい。この場合、バイパス層２５０の一部は省略可能である。 The bypass layer 250 is conductive and has, for example, a plate shape. The bypass layer 250 is, for example, electrically connected to the first heater element 231 and the second heater element 232, and is a power supply path for the first heater element 231 and the second heater element 232. For example, the bypass layer 250 is a conductive part that electrically connects the main heater line 232c and the power supply terminal. For example, the bypass layer is a conductive part that electrically connects the sub-heater line 231c and the power supply terminal. Note that the power supply terminal may be directly connected to the first heater element 231 and the second heater element 232. In this case, a part of the bypass layer 250 can be omitted.

バイパス層２５０の厚さ（Ｚ方向の長さ）は、例えば約０．０３ｍｍ以上、０．３０ｍｍ以下程度である。 The thickness (length in the Z direction) of the bypass layer 250 is, for example, approximately 0.03 mm or more and 0.30 mm or less.

例えば、バイパス層２５０がセラミック誘電体基板１００の外に設けられる場合、バイパス層２５０の材料としては、ステンレス、チタン、クロム、ニッケル、銅、アルミニウム、インコネル（登録商標）、モリブデン、タングステン、パラジウム、白金、銀、タンタル、モリブデンカーバイド、及びタングステンカーバイドの少なくともいずれかを含む金属などが挙げられる。例えば、ヒータ部２００（バイパス層２５０、第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２）がセラミック誘電体基板１００に内蔵される場合、バイパス層２５０の材料は、第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２の材料と同じである。一方で、バイパス層２５０の厚さは、第１ヒータエレメント２３１の厚さよりも厚く、第２ヒータエレメント２３２の厚さよりも厚い。そのため、バイパス層２５０の電気抵抗は、第１ヒータエレメント２３１の電気抵抗よりも低く、第２ヒータエレメント２３２の電気抵抗よりも低い。これにより、バイパス層２５０の材料が第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２の材料と同じ場合でも、バイパス層２５０が第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２のように発熱することを抑えることができる。つまり、バイパス層２５０の電気抵抗を抑え、バイパス層２５０の発熱量を抑えることができる。 For example, when the bypass layer 250 is provided outside the ceramic dielectric substrate 100, the material of the bypass layer 250 may be a metal containing at least one of stainless steel, titanium, chromium, nickel, copper, aluminum, Inconel (registered trademark), molybdenum, tungsten, palladium, platinum, silver, tantalum, molybdenum carbide, and tungsten carbide. For example, when the heater section 200 (the bypass layer 250, the first heater element 231, and the second heater element 232) is built into the ceramic dielectric substrate 100, the material of the bypass layer 250 is the same as the material of the first heater element 231 and the second heater element 232. On the other hand, the thickness of the bypass layer 250 is thicker than the thickness of the first heater element 231 and thicker than the thickness of the second heater element 232. Therefore, the electrical resistance of the bypass layer 250 is lower than the electrical resistance of the first heater element 231 and lower than the electrical resistance of the second heater element 232. This makes it possible to prevent the bypass layer 250 from generating heat like the first heater element 231 and the second heater element 232, even if the material of the bypass layer 250 is the same as the material of the first heater element 231 and the second heater element 232. In other words, the electrical resistance of the bypass layer 250 can be reduced, and the amount of heat generated by the bypass layer 250 can be reduced.

なお、バイパス層２５０の電気抵抗を抑え、バイパス層２５０の発熱量を抑える手段は、バイパス層２５０の厚さではなく、体積抵抗率が比較的低い材料を用いることで実現されてもよい。すなわち、バイパス層２５０の材料は、第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２の材料と異なってもよい。バイパス層２５０の材料としては、例えばステンレス、チタン、クロム、ニッケル、銅、アルミニウム、インコネル（登録商標）、モリブデン、タングステン、パラジウム、白金、銀、タンタル、モリブデンカーバイド、及びタングステンカーバイドの少なくともいずれかを含む金属などが挙げられる。 The means for reducing the electrical resistance of the bypass layer 250 and reducing the amount of heat generated by the bypass layer 250 may be achieved by using a material with a relatively low volume resistivity, rather than the thickness of the bypass layer 250. That is, the material of the bypass layer 250 may be different from the material of the first heater element 231 and the second heater element 232. Examples of materials for the bypass layer 250 include metals containing at least one of stainless steel, titanium, chromium, nickel, copper, aluminum, Inconel (registered trademark), molybdenum, tungsten, palladium, platinum, silver, tantalum, molybdenum carbide, and tungsten carbide.

例えば、バイパス層２５０がセラミック誘電体基板１００に内部に設けられる場合のバイパス層２５０の材料としては、第１ヒータエレメント２３１がセラミック誘電体基板１００の内部に設けられる場合の第１ヒータエレメント２３１の材料と同じものが挙げられる。例えば、バイパス層２５０がセラミック誘電体基板１００に外部に設けられる場合のバイパス層２５０の材料としては、第１ヒータエレメント２３１がセラミック誘電体基板１００の外部に設けられる場合の第１ヒータエレメント２３１の材料と同じものが挙げられる。 For example, the material of the bypass layer 250 when the bypass layer 250 is provided inside the ceramic dielectric substrate 100 may be the same as the material of the first heater element 231 when the first heater element 231 is provided inside the ceramic dielectric substrate 100. For example, the material of the bypass layer 250 when the bypass layer 250 is provided outside the ceramic dielectric substrate 100 may be the same as the material of the first heater element 231 when the first heater element 231 is provided outside the ceramic dielectric substrate 100.

バイパス層２５０は、複数のバイパス部２５１を含む。各バイパス部２５１は、いずれかのヒータエレメントへの給電経路の一部となる。例えば、いずれかのヒータエレメントは、あるバイパス部２５１と電気的に接続される。そして、そのバイパス部２５１に外部からの電力を供給するための給電端子が接続される。つまり、バイパス部２５１は、電流の経路においてヒータエレメントと給電端子との間に位置し、給電端子とヒータエレメントとを電気的に接続する。言い換えれば、ヒータエレメントは、バイパス部２５１を介して給電端子と電気的に接続される。 The bypass layer 250 includes multiple bypass sections 251. Each bypass section 251 is part of a power supply path to one of the heater elements. For example, one of the heater elements is electrically connected to a certain bypass section 251. A power supply terminal for supplying power from the outside is connected to that bypass section 251. In other words, the bypass section 251 is located between the heater element and the power supply terminal in the current path, and electrically connects the power supply terminal and the heater element. In other words, the heater element is electrically connected to the power supply terminal via the bypass section 251.

例えば、バイパス層２５０は、第１ヒータエレメント２３１への給電経路の一部となる第１サブバイパス部２５１ａ（例えば第１バイパス部）を有する。第１ヒータエレメント２３１は、第１サブバイパス部２５１ａを介して、給電端子と電気的に接続される。 For example, the bypass layer 250 has a first sub-bypass section 251a (e.g., a first bypass section) that is part of the power supply path to the first heater element 231. The first heater element 231 is electrically connected to the power supply terminal via the first sub-bypass section 251a.

図示を省略するが、例えば、複数のバイパス部２５１は、第２サブバイパス部、第１メインバイパス部、及び第２メインバイパス部などをさらに含んでいてもよい。第２サブバイパス部（例えば第２バイパス部）は、第１ヒータエレメント２３１と電気的に接続され、第１ヒータエレメント２３１への給電経路の別一部となる。第１メインバイパス部（例えば第３バイパス部）は、第２ヒータエレメント２３２と電気的に接続され、第２ヒータエレメント２３２への給電経路の一部となる。第２メインバイパス部（例えば第４バイパス部）は、第２ヒータエレメント２３２と電気的に接続され、第２ヒータエレメント２３２への給電経路の別の一部となる。バイパス部の数は、特に限定されず、１以上でよい。実施形態においては、少なくとも第１バイパス部が設けられればよい。 Although not shown, for example, the multiple bypass sections 251 may further include a second sub-bypass section, a first main bypass section, and a second main bypass section. The second sub-bypass section (e.g., the second bypass section) is electrically connected to the first heater element 231 and is another part of the power supply path to the first heater element 231. The first main bypass section (e.g., the third bypass section) is electrically connected to the second heater element 232 and is another part of the power supply path to the second heater element 232. The second main bypass section (e.g., the fourth bypass section) is electrically connected to the second heater element 232 and is another part of the power supply path to the second heater element 232. The number of bypass sections is not particularly limited and may be one or more. In the embodiment, it is sufficient that at least the first bypass section is provided.

第１ヒータエレメント２３１及び／または第２ヒータエレメント２３２が、例えば２０以上、または５０以上、あるいは１００以上の多数のゾーンを有する場合、各ゾーンに対応する給電端子を配置することが困難となる場合がある。バイパス層２５０を設けることで、ゾーン毎に配置した場合と比較して給電端子の配置自由度が向上する。 When the first heater element 231 and/or the second heater element 232 have a large number of zones, for example 20 or more, 50 or more, or 100 or more, it may be difficult to arrange the power supply terminals corresponding to each zone. By providing the bypass layer 250, the freedom of arrangement of the power supply terminals is improved compared to when they are arranged for each zone.

例えば、第１ヒータエレメント２３１に流れる電流及び第２ヒータエレメント２３２に流れる電流は、別々に制御される。例えば、第１ヒータエレメント２３１（後述の第１サブ給電部２３１ａ及び第２サブ給電部２３１ｂ）に接続されるバイパス部２５１は、第２ヒータエレメント２３２（後述の第１メイン給電部２３２ａ及び第２メイン給電部２３２ｂ）に接続されるバイパス部２５１と異なる。ただし、第１ヒータエレメント２３１に接続されるバイパス部２５１は、第２ヒータエレメント２３２に接続されるバイパス部２５１と、同じであってもよい。 For example, the current flowing through the first heater element 231 and the current flowing through the second heater element 232 are controlled separately. For example, the bypass section 251 connected to the first heater element 231 (first sub-power supply section 231a and second sub-power supply section 231b described below) is different from the bypass section 251 connected to the second heater element 232 (first main power supply section 232a and second main power supply section 232b described below). However, the bypass section 251 connected to the first heater element 231 may be the same as the bypass section 251 connected to the second heater element 232.

第１ヒータエレメント２３１は、第２ヒータエレメント２３２よりも少ない熱量を生成する。すなわち、第１ヒータエレメント２３１は低出力のサブヒータであり、第２ヒータエレメント２３２は高出力のメインヒータである。 The first heater element 231 generates less heat than the second heater element 232. That is, the first heater element 231 is a low-output sub-heater, and the second heater element 232 is a high-output main heater.

このように、第１ヒータエレメント２３１が第２ヒータエレメント２３２よりも少ない熱量を生成することで、第２ヒータエレメント２３２のパターンに起因する処理対象物Ｗの面内の温度ムラを、第１ヒータエレメント２３１によって抑制することができる。したがって、処理対象物Ｗの面内の温度分布の均一性を向上させることができる。 In this way, the first heater element 231 generates less heat than the second heater element 232, so that the first heater element 231 can suppress temperature unevenness within the surface of the processing object W caused by the pattern of the second heater element 232. Therefore, the uniformity of the temperature distribution within the surface of the processing object W can be improved.

第１ヒータエレメント２３１の体積抵抗率は、例えば、第２ヒータエレメント２３２の体積抵抗率よりも高い。なお、第１ヒータエレメント２３１の体積抵抗率は、サブヒータライン２３１ｃの体積抵抗率である。つまり、第１ヒータエレメント２３１の体積抵抗率は、サブヒータライン２３１ｃの一端（後述の第１サブ給電部２３１ａ）と、他端（後述の第２サブ給電部２３１ｂ）と、の間の体積抵抗率である。言い換えれば、第１ヒータエレメント２３１の体積抵抗率は、第１サブ給電部２３１ａからサブヒータライン２３１ｃを通って第２サブ給電部２３１ｂへ至る電流経路における体積抵抗率である。同様に、第２ヒータエレメント２３２の体積抵抗率は、メインヒータライン２３２ｃの体積抵抗率である。つまり、第２ヒータエレメント２３２の体積抵抗率は、メインヒータライン２３２ｃの一端（後述の第１メイン給電部２３２ａ）と、他端（後述の第２メイン給電部２３２ｂ）と、の間の体積抵抗率である。言い換えれば、第２ヒータエレメント２３２の体積抵抗率は、第１メイン給電部２３２ａからメインヒータライン２３２ｃを通って第２メイン給電部２３２ｂへ至る電流経路における体積抵抗率である。 The volume resistivity of the first heater element 231 is, for example, higher than the volume resistivity of the second heater element 232. The volume resistivity of the first heater element 231 is the volume resistivity of the sub-heater line 231c. In other words, the volume resistivity of the first heater element 231 is the volume resistivity between one end (first sub-power supply section 231a described below) and the other end (second sub-power supply section 231b described below) of the sub-heater line 231c. In other words, the volume resistivity of the first heater element 231 is the volume resistivity in the current path from the first sub-power supply section 231a through the sub-heater line 231c to the second sub-power supply section 231b. Similarly, the volume resistivity of the second heater element 232 is the volume resistivity of the main heater line 232c. That is, the volume resistivity of the second heater element 232 is the volume resistivity between one end (the first main power supply 232a described below) of the main heater line 232c and the other end (the second main power supply 232b described below). In other words, the volume resistivity of the second heater element 232 is the volume resistivity of the current path from the first main power supply 232a through the main heater line 232c to the second main power supply 232b.

このように、第１ヒータエレメント２３１の体積抵抗率を第２ヒータエレメント２３２の体積抵抗率よりも高くすることで、第１ヒータエレメント２３１の出力（発熱量、消費電力）を、第２ヒータエレメント２３２の出力（発熱量、消費電力）よりも低くすることができる。これにより、第２ヒータエレメントのパターンに起因する処理対象物の面内の温度ムラを、第１ヒータエレメントによって抑制することができる。したがって、処理対象物の面内の温度分布の均一性を向上させることができる。 In this way, by making the volume resistivity of the first heater element 231 higher than that of the second heater element 232, the output (heat generation, power consumption) of the first heater element 231 can be made lower than the output (heat generation, power consumption) of the second heater element 232. This allows the first heater element to suppress temperature unevenness within the surface of the processing object caused by the pattern of the second heater element. Therefore, the uniformity of the temperature distribution within the surface of the processing object can be improved.

あるいは、サブヒータライン２３１ｃの体積抵抗率は、例えば、メインヒータライン２３２ｃの体積抵抗率よりも低くてもよい。例えば、サブヒータライン２３１ｃの一端から他端までの電気抵抗は、メインヒータライン２３２ｃの一端から他端までの電気抵抗よりも低くてもよい。この場合であっても、第２ヒータエレメント２３２（例えば第２ヒータ層）の出力（発熱量）は、第１ヒータエレメント２３１（例えば第１ヒータ層）のそれよりも大きくなるよう構成される。 Alternatively, the volume resistivity of the sub-heater line 231c may be, for example, lower than the volume resistivity of the main heater line 232c. For example, the electrical resistance from one end to the other end of the sub-heater line 231c may be lower than the electrical resistance from one end to the other end of the main heater line 232c. Even in this case, the output (heat generation amount) of the second heater element 232 (e.g., the second heater layer) is configured to be larger than that of the first heater element 231 (e.g., the first heater layer).

給電端子の周辺は、温度の特異点（温度が周囲の領域と比較的大きく異なる点）となりやすい。これに対して、バイパス層２５０が設けられることで、給電端子の配置の自由度を高くすることができる。例えば、温度の特異点となりやすい給電端子を分散して配置することができ、特異点の周辺で熱が拡散しやすくなる。これにより、処理対象物Ｗの面内の温度分布の均一性を向上させることができる。 The area around the power supply terminals is prone to becoming temperature singular points (points where the temperature differs relatively greatly from the surrounding areas). In response to this, the provision of the bypass layer 250 allows for greater freedom in the placement of the power supply terminals. For example, power supply terminals that are prone to becoming temperature singular points can be placed in a dispersed manner, making it easier for heat to diffuse around the singular points. This can improve the uniformity of the temperature distribution within the surface of the processing object W.

バイパス層２５０が設けられることで、熱容量が大きい給電端子を第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２に直接接続させない構成とすることができる。これにより、処理対象物Ｗの面内の温度分布の均一性を向上させることができる。また、バイパス層２５０が設けられることで、比較的薄い第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２に給電端子を直接接続させなくともよい。これにより、ヒータ部２００の信頼性を向上させることができる。 By providing the bypass layer 250, it is possible to configure the power supply terminals, which have a large heat capacity, not to be directly connected to the first heater element 231 and the second heater element 232. This can improve the uniformity of the temperature distribution within the surface of the processing object W. In addition, by providing the bypass layer 250, it is not necessary to directly connect the power supply terminals to the relatively thin first heater element 231 and the second heater element 232. This can improve the reliability of the heater section 200.

給電端子は、ヒータ部２００からベースプレート３００へ向かって設けられている。そのため、ベースプレート３００の下面３０３（図２（ａ）及び図２（ｂ）参照）の側からソケットなどと呼ばれる部材を介して給電端子に電力を供給することができる。これにより、静電チャック１０が設置されるチャンバ内に給電端子が露出することを抑えつつ、ヒータの配線が実現される。 The power supply terminal is provided from the heater section 200 toward the base plate 300. Therefore, power can be supplied to the power supply terminal from the lower surface 303 (see FIGS. 2(a) and 2(b)) of the base plate 300 via a member such as a socket. This allows wiring of the heater to be achieved while preventing the power supply terminal from being exposed in the chamber in which the electrostatic chuck 10 is installed.

この例では、第２ヒータエレメント２３２は、第１ヒータエレメント２３１よりも上方に位置している。ただし、第２ヒータエレメント２３２は、第１ヒータエレメント２３１よりも下方に位置していてもよい。 In this example, the second heater element 232 is located above the first heater element 231. However, the second heater element 232 may be located below the first heater element 231.

第１ヒータエレメント２３１が第２ヒータエレメント２３２よりも上方に位置する場合、第１ヒータエレメント２３１が処理対象物Ｗに比較的近いことにより、第１ヒータエレメント２３１によって処理対象物Ｗの温度を制御しやすくなる。すなわち、第２ヒータエレメント２３２のパターンに起因して生じる処理対象物Ｗの面内の温度ムラを、第１ヒータエレメント２３１によって抑制しやすくなる。したがって、処理対象物Ｗの面内の温度分布の均一性を向上させることができる。 When the first heater element 231 is positioned higher than the second heater element 232, the first heater element 231 is relatively close to the processing object W, making it easier for the first heater element 231 to control the temperature of the processing object W. In other words, the first heater element 231 can easily suppress temperature unevenness within the surface of the processing object W caused by the pattern of the second heater element 232. Therefore, the uniformity of the temperature distribution within the surface of the processing object W can be improved.

一方、第２ヒータエレメント２３２が第１ヒータエレメント２３１よりも上方に位置する場合、高出力の第２ヒータエレメント２３２が処理対象物Ｗに比較的近い。これにより、処理対象物Ｗの温度の応答性（昇温速度・降温速度）を向上させることができる。 On the other hand, when the second heater element 232 is positioned higher than the first heater element 231, the high-output second heater element 232 is relatively close to the object to be treated W. This improves the temperature responsiveness (heating rate and cooling rate) of the object to be treated W.

また、この例では、第１ヒータエレメント２３１は、Ｚ方向において、バイパス層２５０と第２ヒータエレメント２３２との間に設けられている。つまり、バイパス層２５０は、第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２よりも下方に位置している。これにより、バイパス層２５０に給電端子を接続する際に、第１ヒータエレメント２３１や第２ヒータエレメント２３２とは反対側からバイパス層２５０に給電端子を接続することができる。したがって、第１ヒータエレメント２３１や第２ヒータエレメント２３２に給電端子を通すための孔部を設ける必要がなく、ヒータパターン上の温度特異点を減らすことができ、第１ヒータエレメント２３１や第２ヒータエレメント２３２の面内の温度分布の均一性を向上させることができる。 In this example, the first heater element 231 is provided between the bypass layer 250 and the second heater element 232 in the Z direction. That is, the bypass layer 250 is located below the first heater element 231 and the second heater element 232. This allows the power supply terminal to be connected to the bypass layer 250 from the opposite side to the first heater element 231 and the second heater element 232 when connecting the power supply terminal to the bypass layer 250. Therefore, there is no need to provide holes in the first heater element 231 and the second heater element 232 for passing the power supply terminal, and the temperature singularities on the heater pattern can be reduced, and the uniformity of the temperature distribution in the surface of the first heater element 231 and the second heater element 232 can be improved.

なお、バイパス層２５０は、第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２よりも上方に位置していてもよい。また、バイパス層２５０は、第１ヒータエレメント２３１と第２ヒータエレメント２３２との間に位置していてもよい。 The bypass layer 250 may be located above the first heater element 231 and the second heater element 232. The bypass layer 250 may be located between the first heater element 231 and the second heater element 232.

また、ヒータ部２００が有するヒータエレメントの数は、「２」には限定されない。つまり、ヒータ部２００は、第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２とは異なる層に設けられた、別のヒータエレメントをさらに有していてもよい。 The number of heater elements in the heater section 200 is not limited to "2". In other words, the heater section 200 may further include another heater element provided in a layer different from the first heater element 231 and the second heater element 232.

図５は、実施形態に係る第２ヒータエレメントのメインゾーンを模式的に表す平面図である。
図５は、第２ヒータエレメント２３２をＺ方向に垂直な平面に投影した図である。図５に表したように、第２ヒータエレメント２３２は、径方向Ｄｒに分割された複数のメインゾーン６００（例えば第２ゾーン）を有する。第２ヒータエレメント２３２では、各メインゾーン６００において、独立した温度制御が行われる。 FIG. 5 is a plan view that typically illustrates the main zone of the second heater element according to the embodiment.
Fig. 5 is a diagram of the second heater element 232 projected onto a plane perpendicular to the Z direction. As shown in Fig. 5, the second heater element 232 has a plurality of main zones 600 (e.g., second zones) divided in the radial direction Dr. In the second heater element 232, independent temperature control is performed in each main zone 600.

本願明細書において、「径方向Ｄｒ」とは、ヒータエレメント（ヒータ部）の中心から半径に沿って外周に向かう方向である。「周方向Ｄｃ」とは、ヒータエレメントの外周に沿う方向である。周方向Ｄｃは、例えば、平面視におけるセラミック誘電体基板１００の外周に沿う方向、または、平面視におけるベースプレート３００の外周に沿う方向と実質的に同じでよい。 In this specification, the "radial direction Dr" is the direction from the center of the heater element (heater portion) toward the outer periphery along the radius. The "circumferential direction Dc" is the direction along the outer periphery of the heater element. The circumferential direction Dc may be, for example, substantially the same as the direction along the outer periphery of the ceramic dielectric substrate 100 in a plan view, or the direction along the outer periphery of the base plate 300 in a plan view.

この例では、複数のメインゾーン６００は、径方向Ｄｒに並ぶ３つのメインゾーン６０１～６０３を有する。つまり、例えば第２ヒータエレメント２３２は、径方向Ｄｒにおいて３つに分割されている。各メインゾーン６００は、第２ヒータエレメント２３２の中心ＣＴ２から径方向Ｄｒの外側に向かってメインゾーン６０１、メインゾーン６０２、メインゾーン６０３の順に配置されている。 In this example, the multiple main zones 600 have three main zones 601 to 603 aligned in the radial direction Dr. That is, for example, the second heater element 232 is divided into three in the radial direction Dr. The main zones 600 are arranged in the order of main zone 601, main zone 602, and main zone 603 from the center CT2 of the second heater element 232 toward the outside in the radial direction Dr.

メインゾーン６０１は、平面視において、中心ＣＴ２を中心とする円状である。メインゾーン６０２は、平面視において、メインゾーン６０１の外側に位置し中心ＣＴ２を中心とする環状である。メインゾーン６０３は、平面視において、メインゾーン６０２の外側に位置し中心ＣＴ２を中心とする環状である。 In a plan view, the main zone 601 is circular and centered on the center CT2. In a plan view, the main zone 602 is annular and located outside the main zone 601 and centered on the center CT2. In a plan view, the main zone 603 is annular and located outside the main zone 602 and centered on the center CT2.

なお、メインゾーン６００の数やメインゾーン６００の平面視における形状は、任意でよい。例えば、図４の例においては、４つのメインゾーン６００が図示されている。また、メインゾーン６００は、周方向Ｄｃに分割されていてもよいし、周方向Ｄｃ及び径方向Ｄｒに分割されていてもよい。各メインゾーン６００内の構成については、後述する。 The number of main zones 600 and the shape of the main zones 600 in plan view may be arbitrary. For example, four main zones 600 are illustrated in the example of FIG. 4. The main zones 600 may be divided in the circumferential direction Dc, or in the circumferential direction Dc and the radial direction Dr. The configuration within each main zone 600 will be described later.

各メインゾーン６００を構成するメインヒータライン２３２ｃは、互いに独立している。これにより、各メインゾーン６００（メインヒータライン２３２ｃ）ごとに異なる電圧を印加することができる。したがって、各メインゾーン６００ごとに出力（生成する熱量）を独立して制御することができる。言い換えれば、各メインゾーン６００は、互いに独立した温度制御を行うことができるヒータユニットであり、第２ヒータエレメント２３２は、このヒータユニットを複数有するヒータユニットの集合体である。 The main heater lines 232c that make up each main zone 600 are independent of each other. This allows a different voltage to be applied to each main zone 600 (main heater line 232c). Therefore, the output (amount of heat generated) can be controlled independently for each main zone 600. In other words, each main zone 600 is a heater unit that can perform temperature control independently of each other, and the second heater element 232 is an assembly of heater units that has multiple such heater units.

各メインゾーン６００は、隣接するメインゾーン６００と所定間隔で配置されている。つまり、第２ヒータエレメント２３２は、メインゾーン間領域６５０（例えば第２ゾーン間領域）を有する。メインゾーン間領域６５０は、互いに隣接するメインゾーン６００同士の間に設けられる。メインゾーン間領域６５０は、互いに隣接する２つのゾーンを分離する領域である。つまり、メインゾーン６００の１つは、メインゾーン６００の別の１つとメインゾーン間領域６５０を介して隣接する。メインゾーン間領域６５０は、１つのメインゾーン６００内のメインヒータライン２３２ｃから、そのメインゾーン６００に隣接する別のメインゾーン６００内のメインヒータライン２３２ｃまでの領域（メインヒータライン２３２ｃ間の領域）を含む。例えば、メインゾーン間領域６５０には、適宜、絶縁性の材料が配置されている。 Each main zone 600 is disposed at a predetermined interval from the adjacent main zone 600. That is, the second heater element 232 has an inter-main zone region 650 (e.g., a second inter-zone region). The inter-main zone region 650 is provided between adjacent main zones 600. The inter-main zone region 650 is a region that separates two adjacent zones. That is, one of the main zones 600 is adjacent to another of the main zones 600 via the inter-main zone region 650. The inter-main zone region 650 includes a region from the main heater line 232c in one main zone 600 to the main heater line 232c in another main zone 600 adjacent to that main zone 600 (the region between the main heater lines 232c). For example, an insulating material is appropriately disposed in the inter-main zone region 650.

具体的には、メインゾーン間領域６５０は、メインゾーン間領域６５１と、メインゾーン間領域６５２と、を有する。メインゾーン間領域６５１は、メインゾーン６０１とメインゾーン６０２との間に設けられた所定間隔である。つまり、メインゾーン間領域６５１は、メインゾーン６０１のメインヒータライン２３２ｃから、メインゾーン６０２のメインヒータライン２３２ｃまでの間隔を含む。メインゾーン間領域６５２は、メインゾーン６０２とメインゾーン６０３との間に設けられた所定間隔である。つまり、メインゾーン間領域６５２は、メインゾーン６０２のメインヒータライン２３２ｃから、メインゾーン６０３のメインヒータライン２３２ｃまでの間隔を含む。メインゾーン間領域６５１及びメインゾーン間領域６５２は、それぞれ、平面視において、中心ＣＴ２を中心とする環状である。例えば、メインゾーン間領域６５０は、周方向Ｄｃに沿ってカーブしている。ただし、周方向Ｄｃに沿ったカーブに限らず、メインゾーン間領域６５０の少なくとも一部は、周方向Ｄｃと異なる方向に沿ってカーブしていてもよいし、直線状であってもよい。 Specifically, the main zone area 650 includes an inter-main zone area 651 and an inter-main zone area 652. The inter-main zone area 651 is a predetermined interval provided between the main zones 601 and 602. That is, the inter-main zone area 651 includes the interval from the main heater line 232c of the main zone 601 to the main heater line 232c of the main zone 602. The inter-main zone area 652 is a predetermined interval provided between the main zones 602 and 603. That is, the inter-main zone area 652 includes the interval from the main heater line 232c of the main zone 602 to the main heater line 232c of the main zone 603. The inter-main zone area 651 and the inter-main zone area 652 are each annular about the center CT2 in a plan view. For example, the inter-main zone area 650 is curved along the circumferential direction Dc. However, the curve is not limited to the curve along the circumferential direction Dc, and at least a portion of the inter-main zone region 650 may be curved in a direction different from the circumferential direction Dc, or may be linear.

メインゾーン間領域６５１の径方向Ｄｒの幅ＬＭａは、メインゾーン６０１の径方向Ｄｒの幅ＬＭ１（半径）、及び、メインゾーン６０２の径方向Ｄｒの幅ＬＭ２のそれぞれよりも狭くてもよい。メインゾーン間領域６５２の径方向Ｄｒの幅ＬＭｂは、幅ＬＭ２、及び、メインゾーン６０２の径方向Ｄｒの幅ＬＭ３のそれぞれよりも狭くてもよい。なお、線状または帯状に延在する要素の平面視における幅とは、言い換えれば、平面視における太さであり、その延在方向に垂直な方向に沿う長さである。環状において、幅は、内縁から外縁までの距離（内径と外径との差の半分）である。 The width LMa in the radial direction Dr of the inter-main zone region 651 may be narrower than each of the width LM1 (radius) in the radial direction Dr of the main zone 601 and the width LM2 in the radial direction Dr of the main zone 602. The width LMb in the radial direction Dr of the inter-main zone region 652 may be narrower than each of the width LM2 and the width LM3 in the radial direction Dr of the main zone 602. Note that the width of an element extending linearly or band-like in a planar view is, in other words, the thickness in a planar view, and is the length along a direction perpendicular to the extension direction. In an annular shape, the width is the distance from the inner edge to the outer edge (half the difference between the inner diameter and the outer diameter).

メインゾーン間領域６５０の平面視における幅（例えば幅ＬＭａまたは幅ＬＭｂ）は、任意であるが、一例として、０．５ｍｍ以上４ｍｍ以下、好ましくは１ｍｍ以上３ｍｍ以下である。メインゾーン間領域６５０の平面視における幅は、一定でもよいし、その延在方向に沿って変化してもよい。 The width of the inter-main zone region 650 in a planar view (e.g., width LMa or width LMb) is arbitrary, but as an example, it is 0.5 mm or more and 4 mm or less, and preferably 1 mm or more and 3 mm or less. The width of the inter-main zone region 650 in a planar view may be constant or may vary along its extension direction.

図６は、実施形態に係る第１ヒータエレメントのサブゾーンを模式的に表す平面図である。
図６は、第１ヒータエレメント２３１をＺ方向に垂直な平面に投影した図である。図６に表したように、この例では、第１ヒータエレメント２３１は、径方向Ｄｒ及び周方向Ｄｃに分割された複数のサブゾーン７００（例えば第１ゾーン）を有する。第１ヒータエレメント２３１では、各サブゾーン７００において、独立した温度制御が行われる。 FIG. 6 is a plan view that illustrates a schematic representation of a subzone of the first heater element according to the embodiment.
Fig. 6 is a diagram of the first heater element 231 projected onto a plane perpendicular to the Z direction. As shown in Fig. 6, in this example, the first heater element 231 has a plurality of subzones 700 (e.g., first zones) divided in the radial direction Dr and the circumferential direction Dc. In the first heater element 231, independent temperature control is performed in each subzone 700.

この例では、複数のサブゾーン７００は、第１領域７０１～第３領域７０３を含む。第１領域７０１は、第１ヒータエレメント２３１の中心ＣＴ１を中心とする円形状である。第２領域７０２及び第３領域７０３は、それぞれ、中心ＣＴ１を中心とする環状である。平面視において、第１領域７０１～第３領域７０３は、中心ＣＴ１から径方向Ｄｒの外側に向かって第１領域７０１、第２領域７０２、第３領域７０３の順に配置されている。 In this example, the multiple subzones 700 include a first region 701 to a third region 703. The first region 701 is circular and centered on the center CT1 of the first heater element 231. The second region 702 and the third region 703 are each annular and centered on the center CT1. In a plan view, the first region 701 to the third region 703 are arranged in the order of the first region 701, the second region 702, and the third region 703 from the center CT1 outward in the radial direction Dr.

第１領域７０１～第３領域７０３は、それぞれ、周方向Ｄｃに並ぶ複数のサブゾーン７００を有する。第１領域７０１における各サブゾーン７００の平面形状は、扇状である。第２領域７０２、第３領域７０３における各サブゾーン７００の平面形状は、環状の一部である。 The first region 701 to the third region 703 each have a number of subzones 700 arranged in the circumferential direction Dc. The planar shape of each subzone 700 in the first region 701 is fan-shaped. The planar shape of each subzone 700 in the second region 702 and the third region 703 is part of a ring.

このように、例えば、第２ヒータエレメント２３２は、径方向Ｄｒにおいて３つに分割されている。さらに、第１領域７０１～第３領域７０３は、それぞれ、周方向Ｄｃにおいて複数に分割されている。 In this way, for example, the second heater element 232 is divided into three in the radial direction Dr. Furthermore, the first region 701 to the third region 703 are each divided into multiple regions in the circumferential direction Dc.

具体的には、図６の例では、第１領域７０１は、周方向Ｄｃに並ぶ８個のサブゾーン７００を有する。第２領域７０２は、周方向Ｄｃに並ぶ１０個のサブゾーン７００を有する。第３領域７０３は、周方向Ｄｃに並ぶ１２個のサブゾーン７００を有する。 Specifically, in the example of FIG. 6, the first region 701 has eight subzones 700 arranged in the circumferential direction Dc. The second region 702 has ten subzones 700 arranged in the circumferential direction Dc. The third region 703 has twelve subzones 700 arranged in the circumferential direction Dc.

この例では、第１領域７０１の径方向Ｄｒの幅ＬＳ１（半径）は、第２領域７０２の径方向Ｄｒの幅ＬＳ２よりも広い。また、この例では、第３領域７０３の径方向Ｄｒの幅ＬＳ３は、幅ＬＳ２と同じである。ただし、各領域の幅は、互いに異なっていてもよい。 In this example, the width LS1 (radius) of the first region 701 in the radial direction Dr is wider than the width LS2 of the second region 702 in the radial direction Dr. Also, in this example, the width LS3 of the third region 703 in the radial direction Dr is the same as the width LS2. However, the widths of each region may be different from each other.

複数のサブゾーン７００の数は、複数のメインゾーン６００の数よりも多い。つまり、第１ヒータエレメント２３１は、第２ヒータエレメント２３２よりも多くのゾーンに分割されている。 The number of subzones 700 is greater than the number of main zones 600. In other words, the first heater element 231 is divided into more zones than the second heater element 232.

第１ヒータエレメント２３１に含まれる複数のサブゾーン７００の数を、第２ヒータエレメント２３２に含まれる複数のメインゾーン６００の数よりも多くすることで、第１ヒータエレメント２３１によって、第２ヒータエレメント２３２よりも狭い領域の温度調整を行うことができる。これにより、第１ヒータエレメント２３１によってより細かい温度の微調整が可能となり、処理対象物Ｗの面内の温度分布の均一性を向上させることができる。 By making the number of subzones 700 included in the first heater element 231 greater than the number of main zones 600 included in the second heater element 232, the first heater element 231 can adjust the temperature in a smaller area than the second heater element 232. This allows the first heater element 231 to perform fine temperature adjustments more precisely, improving the uniformity of the temperature distribution within the surface of the processing object W.

サブゾーン７００の数やサブゾーン７００の平面視における形状は、任意でよい。また、サブゾーン７００は、周方向Ｄｃに分割されていなくてもよい。つまり、第１領域７０１や第２領域７０２は、周方向Ｄｃに分割された複数のサブゾーン７００を含まなくてもよい。各サブゾーン７００内の構成については、後述する。 The number of subzones 700 and the shape of the subzones 700 in a plan view may be arbitrary. In addition, the subzones 700 do not have to be divided in the circumferential direction Dc. In other words, the first region 701 and the second region 702 do not have to include multiple subzones 700 divided in the circumferential direction Dc. The configuration within each subzone 700 will be described later.

各サブゾーン７００を構成するサブヒータライン２３１ｃは、互いに独立している。これにより、各サブゾーン７００（サブヒータライン２３１ｃ）ごとに異なる電圧を印加することができる。したがって、各サブゾーン７００ごとに出力（生成する熱量）を独立して制御することができる。言い換えれば、各サブゾーン７００は、互いに独立した温度制御を行うことができるヒータユニットであり、第１ヒータエレメント２３１は、このヒータユニットを複数有するヒータユニットの集合体である。 The sub-heater lines 231c that make up each sub-zone 700 are independent of each other. This allows a different voltage to be applied to each sub-zone 700 (sub-heater line 231c). Therefore, the output (amount of heat generated) can be controlled independently for each sub-zone 700. In other words, each sub-zone 700 is a heater unit that can perform temperature control independently of each other, and the first heater element 231 is an assembly of heater units that has multiple such heater units.

各サブゾーン７００は、隣接するサブゾーン７００と所定間隔で配置されている。第２ヒータエレメント２３２は、サブゾーン間領域７５０（例えば第１ゾーン間領域）を有する。サブゾーン間領域７５０は、互いに隣接するサブゾーン７００同士の間に設けられる。サブゾーン間領域７５０は、互いに隣接する２つのゾーンを分離する領域である。つまり、サブゾーン７００の１つは、サブゾーン７００の別の１つとサブゾーン間領域７５０を介して隣接する。サブゾーン間領域７５０は、１つのサブゾーン７００内のサブヒータライン２３１ｃから、そのサブゾーン７００に隣接する別のサブゾーン７００内のサブヒータライン２３１ｃまでの領域（サブヒータライン２３１ｃ間の領域）を含む。例えば、サブゾーン間領域７５０には、適宜、絶縁性の材料が配置されている。 Each subzone 700 is disposed at a predetermined interval from the adjacent subzone 700. The second heater element 232 has an inter-subzone region 750 (e.g., a first inter-zone region). The inter-subzone region 750 is provided between the adjacent subzones 700. The inter-subzone region 750 is a region that separates two adjacent zones. That is, one of the subzones 700 is adjacent to another of the subzones 700 via the inter-subzone region 750. The inter-subzone region 750 includes a region from a subheater line 231c in one subzone 700 to a subheater line 231c in another subzone 700 adjacent to the subzone 700 (a region between the subheater lines 231c). For example, an insulating material is appropriately disposed in the inter-subzone region 750.

サブゾーン間領域７５０は、平面視において湾曲した複数のカーブ領域７５０ｃ（カーブ領域７５１ｃ及びカーブ領域７５２ｃ）を有する。カーブ領域７５０ｃは、例えば径方向Ｄｒにおいて隣接するサブゾーン７００同士の間に設けられた所定間隔である。つまり、カーブ領域７５０ｃは、１つのサブゾーン７００のサブヒータライン２３１ｃから、そのサブゾーン７００と径方向Ｄｒにおいて隣接するサブゾーン７００のサブヒータライン２３１ｃまでの間隔を含む。カーブ領域７５０ｃは、例えば周方向Ｄｃに沿ってカーブし、周方向Ｄｃに延びる。カーブ領域７５０ｃは、平面視において、中心ＣＴ１を中心とする環状である。 The inter-subzone region 750 has multiple curved regions 750c (curved region 751c and curved region 752c) that are curved in a plan view. The curved region 750c is a predetermined interval provided between adjacent subzones 700 in the radial direction Dr, for example. In other words, the curved region 750c includes the interval from the subheater line 231c of one subzone 700 to the subheater line 231c of the subzone 700 adjacent to that subzone 700 in the radial direction Dr. The curved region 750c curves along, for example, the circumferential direction Dc and extends in the circumferential direction Dc. The curved region 750c is annular about the center CT1 in a plan view.

具体的には、カーブ領域７５１ｃは、第１領域７０１と第２領域７０２との間に設けられ、カーブ領域７５２ｃは、第２領域７０２と第３領域７０３との間に設けられる。なお、径方向Ｄｒにおいて隣接するサブゾーン７００間に位置するサブゾーン間領域７５０の少なくとも一部は、周方向Ｄｃに沿ったカーブに限らず、周方向Ｄｃと異なる方向に沿ってカーブしてもよいし、直線状であってもよい。 Specifically, the curved region 751c is provided between the first region 701 and the second region 702, and the curved region 752c is provided between the second region 702 and the third region 703. Note that at least a portion of the inter-subzone region 750 located between adjacent subzones 700 in the radial direction Dr is not limited to a curve along the circumferential direction Dc, but may be curved along a direction different from the circumferential direction Dc, or may be linear.

サブゾーン間領域７５０は、さらに、複数の直線領域７５０ｒ（直線領域７５１ｒ～直線領域７５３ｒ）を有する。直線領域７５０ｒは、周方向Ｄｃにおいて隣接するサブゾーン７００同士の間に設けられた所定間隔である。つまり、直線領域７５０ｒは、１つのサブゾーン７００のサブヒータライン２３１ｃから、そのサブゾーン７００と周方向Ｄｃにおいて隣接するサブゾーン７００のサブヒータライン２３１ｃまでの間隔を含む。直線領域７５０ｒは、平面視において、径方向Ｄｒに延在する直線状である。 The inter-subzone region 750 further has multiple straight-line regions 750r (straight-line regions 751r to 753r). The straight-line regions 750r are a predetermined interval provided between adjacent subzones 700 in the circumferential direction Dc. In other words, the straight-line regions 750r include the interval from the subheater line 231c of one subzone 700 to the subheater line 231c of the subzone 700 adjacent to that subzone 700 in the circumferential direction Dc. The straight-line regions 750r are linear in shape extending in the radial direction Dr in a plan view.

具体的には、直線領域７５１ｒは、第１領域７０１のサブゾーン７００の間に設けられ、直線領域７５２ｒは、第２領域７０２のサブゾーン７００の間に設けられ、直線領域７５３ｒは、第３領域７０３のサブゾーン７００の間に設けられる。なお、周方向Ｄｃにおいて隣接するサブゾーン７００間に位置するサブゾーン間領域７５０の少なくとも一部は、径方向Ｄｒに延在する直線状に限らず、径方向Ｄｒとは異なる方向に沿って延在してもよいし、湾曲してもよい。 Specifically, the straight line region 751r is provided between the subzones 700 of the first region 701, the straight line region 752r is provided between the subzones 700 of the second region 702, and the straight line region 753r is provided between the subzones 700 of the third region 703. Note that at least a portion of the inter-subzone region 750 located between adjacent subzones 700 in the circumferential direction Dc is not limited to being linearly extending in the radial direction Dr, but may extend along a direction different from the radial direction Dr or may be curved.

サブゾーン間領域７５０の平面視における幅は、例えば０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下である。カーブ領域７５０ｃの幅Ｌ７５０ｃ（カーブ領域７５０ｃの径方向Ｄｒに沿った長さ）は、例えば０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下である。直線領域７５０ｒの幅Ｌ７５０ｒ（直線領域７５０ｒの周方向Ｄｃに沿った長さ）は、例えば０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下である。サブゾーン間領域７５０の平面視における幅は、一定でもよいし、その延在方向に沿って変化してもよい。 The width of the inter-subzone region 750 in plan view is, for example, 0.5 mm or more and 3 mm or less. The width L750c of the curved region 750c (the length of the curved region 750c along the radial direction Dr) is, for example, 0.5 mm or more and 3 mm or less. The width L750r of the straight region 750r (the length of the straight region 750r along the circumferential direction Dc) is, for example, 0.5 mm or more and 3 mm or less. The width of the inter-subzone region 750 in plan view may be constant or may vary along its extension direction.

図７は、実施形態に係る第２ヒータエレメントを模式的に表す平面図である。
図７に表したように、１つのメインゾーン６００は、２つのメイン給電部（１つの第１メイン給電部２３２ａ及び１つの第２メイン給電部２３２ｂ）と、１つのメインヒータライン２３２ｃと、を有する。メインヒータライン２３２ｃは、２つのメイン給電部（例えば第２給電部）を電気的に接続する。メインゾーン６００は、第１メイン給電部２３２ａと第２メイン給電部２３２ｂとを繋ぐ連続するメインヒータライン２３２ｃで構成される領域である。 FIG. 7 is a plan view that illustrates a schematic diagram of the second heater element according to the embodiment.
7, one main zone 600 has two main power feeders (one first main power feeder 232a and one second main power feeder 232b) and one main heater line 232c. The main heater line 232c electrically connects the two main power feeders (e.g., the second power feeder). The main zone 600 is an area formed by the continuous main heater line 232c connecting the first main power feeder 232a and the second main power feeder 232b.

１つの第１メイン給電部２３２ａは、１つのメインヒータライン２３２ｃの一端に設けられており、給電端子と電気的に接続される。第１メイン給電部２３２ａは、バイパス部２５１（第１メインバイパス部）を介して給電端子と接続されてもよいし、バイパス部２５１を介さずに給電端子と接続されてもよい。１つの第２メイン給電部２３２ｂは、当該メインヒータライン２３２ｃの他端に設けられており、別の給電端子と電気的に接続される。第２メイン給電部２３２ｂは、バイパス部２５１（第２メインバイパス部）を介して給電端子と接続されてもよいし、バイパス部２５１を介さずに給電端子と接続されてもよい。外部からの電流は、第２メイン給電部２３２ｂに接続された給電端子から、第２メイン給電部２３２ｂを介してメインヒータライン２３２ｃに流れる。メインヒータライン２３２ｃに流れた電流は、第１メイン給電部２３２ａから、第１メイン給電部２３２ａに接続された別の給電端子を介して、外部へ流れる。メインヒータライン２３２ｃは、電流が流れることにより発熱する。 One first main power supply 232a is provided at one end of one main heater line 232c and is electrically connected to the power supply terminal. The first main power supply 232a may be connected to the power supply terminal via the bypass section 251 (first main bypass section), or may be connected to the power supply terminal without the bypass section 251. One second main power supply 232b is provided at the other end of the main heater line 232c and is electrically connected to another power supply terminal. The second main power supply 232b may be connected to the power supply terminal via the bypass section 251 (second main bypass section), or may be connected to the power supply terminal without the bypass section 251. An external current flows from the power supply terminal connected to the second main power supply 232b to the main heater line 232c via the second main power supply 232b. The current flowing through the main heater line 232c flows from the first main power supply 232a to the outside via another power supply terminal connected to the first main power supply 232a. The main heater line 232c generates heat when a current flows through it.

メインヒータライン２３２ｃの平面視における幅は、例えば０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下、好ましくは０．８ｍｍ以上３ｍｍ以下である。メインヒータライン２３２ｃの平面視における幅は、一定でもよいし、その延在方向に沿って変化してもよい。 The width of the main heater line 232c in plan view is, for example, 0.5 mm or more and 5 mm or less, and preferably 0.8 mm or more and 3 mm or less. The width of the main heater line 232c in plan view may be constant or may vary along the extension direction.

なお、図７の例では、２つのメイン給電部の間には、メインヒータライン２３２ｃが配置されておらず、２つのメイン給電部が互いに近接している。ただし、メイン給電部の配置は、これに限らず、適宜変更することができる。例えば、図５の例のように、２つのメイン給電部は、互いに離れていてもよい。 In the example of FIG. 7, the main heater line 232c is not arranged between the two main power feed units, and the two main power feed units are close to each other. However, the arrangement of the main power feed units is not limited to this and can be changed as appropriate. For example, as in the example of FIG. 5, the two main power feed units may be separated from each other.

図８は、実施形態に係る第１ヒータエレメントのサブゾーンの一部を模式的に表す平面図である。
図８に表したように、１つのサブゾーン７００は、２つのサブ給電部（１つの第１サブ給電部２３１ａ及び１つの第２サブ給電部２３１ｂ）と、１つのサブヒータライン２３１ｃと、を有する。サブヒータライン２３１ｃは、２つのサブ給電部（例えば第１給電部）を電気的に接続する。サブゾーン７００は、第１サブ給電部２３１ａと第２サブ給電部２３１ｂとを繋ぐ連続するサブヒータライン２３１ｃで構成される領域である。なお、図８においては、各サブゾーン７００の範囲を二点鎖線で表している。 FIG. 8 is a plan view that illustrates a part of a subzone of a first heater element according to an embodiment.
As shown in Fig. 8, one subzone 700 has two sub-power feeders (one first sub-power feeder 231a and one second sub-power feeder 231b) and one sub-heater line 231c. The sub-heater line 231c electrically connects the two sub-power feeders (e.g., the first power feeder). The subzone 700 is an area formed by the continuous sub-heater line 231c connecting the first sub-power feeder 231a and the second sub-power feeder 231b. In Fig. 8, the range of each subzone 700 is indicated by a two-dot chain line.

１つの第１サブ給電部２３１ａは、１つのサブヒータライン２３１ｃの一端に設けられており、給電端子と電気的に接続される。第１サブ給電部２３１ａは、バイパス部２５１（例えば第１サブバイパス部）を介して給電端子と接続されてもよいし、バイパス部２５１を介さずに給電端子と接続されてもよい。１つの第２サブ給電部２３１ｂは、当該サブヒータライン２３１ｃの他端に設けられており、別の給電端子と電気的に接続される。第２サブ給電部２３１ｂは、バイパス部２５１（例えば第２サブバイパス部）を介して給電端子と接続されてもよいし、バイパス部２５１を介さずに給電端子と接続されてもよい。外部からの電流は、第２サブ給電部２３１ｂに接続された給電端子から、第２サブ給電部２３１ｂを介してサブヒータライン２３１ｃに流れる。サブヒータライン２３１ｃに流れた電流は、第１サブ給電部２３１ａから、第１サブ給電部２３１ａに接続された別の給電端子を介して、外部へ流れる。サブヒータライン２３１ｃは、電流が流れることにより発熱する。 One first sub-power supply unit 231a is provided at one end of one sub-heater line 231c and is electrically connected to the power supply terminal. The first sub-power supply unit 231a may be connected to the power supply terminal via the bypass unit 251 (e.g., the first sub-bypass unit), or may be connected to the power supply terminal without the bypass unit 251. One second sub-power supply unit 231b is provided at the other end of the sub-heater line 231c and is electrically connected to another power supply terminal. The second sub-power supply unit 231b may be connected to the power supply terminal via the bypass unit 251 (e.g., the second sub-bypass unit), or may be connected to the power supply terminal without the bypass unit 251. An external current flows from the power supply terminal connected to the second sub-power supply unit 231b to the sub-heater line 231c via the second sub-power supply unit 231b. The current flowing through the sub-heater line 231c flows from the first sub-power supply unit 231a to the outside via another power supply terminal connected to the first sub-power supply unit 231a. The sub-heater line 231c generates heat when a current flows through it.

サブヒータライン２３１ｃの平面視における幅ｔ４は、例えば０．１ｍｍ以上２ｍｍ以下、好ましくは０．３ｍｍ以上１．５ｍｍ以下である。サブヒータライン２３１ｃの平面視における幅は、一定でもよいし、その延在方向に沿って変化してもよい。 The width t4 of the sub-heater line 231c in a plan view is, for example, 0.1 mm or more and 2 mm or less, and preferably 0.3 mm or more and 1.5 mm or less. The width of the sub-heater line 231c in a plan view may be constant or may vary along the extension direction.

なお、図８の例では、２つのサブ給電部がサブゾーン７００の中央部に配置されている。ただし、サブ給電部の配置は、これに限らず、適宜変更することができる。例えば、図６のように２つのサブ給電部は、サブゾーン７００の外周部に配置され、互いに離れていてもよい。 In the example of FIG. 8, the two sub-power supply units are arranged in the center of the sub-zone 700. However, the arrangement of the sub-power supply units is not limited to this and can be changed as appropriate. For example, as shown in FIG. 6, the two sub-power supply units may be arranged on the outer periphery of the sub-zone 700 and separated from each other.

図９は、実施形態に係るバイパス層のバイパス部を例示する平面図である。
図１０（ａ）は、実施形態に係るバイパス層のバイパス部と第１ヒータエレメントとの接続を模式的に表す斜視図であり、図１０（ｂ）は、バイパス部の変形例を模式的に表す平面図である。
図９及び図１０（ａ）の例では、バイパス部２５１は、第１ヒータエレメント２３１のサブゾーン７００と電気的に接続される第１サブバイパス部２５１ａである。 FIG. 9 is a plan view illustrating a bypass portion of the bypass layer according to the embodiment.
FIG. 10A is a perspective view that illustrates the connection between the bypass portion of the bypass layer according to the embodiment and the first heater element, and FIG. 10B is a plan view that illustrates a modified example of the bypass portion.
In the examples of FIGS. 9 and 10A, the bypass portion 251 is a first sub-bypass portion 251 a that is electrically connected to the sub-zone 700 of the first heater element 231 .

図１０（ａ）に破線で表したように、この例では、第１サブバイパス部２５１ａは、複数のサブゾーン７００の第１サブ給電部２３１ａと電気的に接続されている。すなわち、１つのバイパス部２５１が、複数の第１サブ給電部２３１ａと接続されている。ただし、これに限らず、複数の第１サブバイパス部２５１ａを設け、各第１サブバイパス部２５１ａと、各第１サブ給電部２３１ａとを接続してもよい。１つの第１サブバイパス部２５１ａが接続される第１サブ給電部２３１ａの数（サブゾーンの数）は、任意である。例えば図１０（ｂ）に表したように、第１サブバイパス部２５１ａを８つのバイパス部２５１に分割してもよい。このように、複数のバイパス部２５１を設け、各バイパス部２５１に、複数の第１サブ給電部２３１ａを電気的に接続してもよい。バイパス部２５１を分割することにより、例えば１つのバイパス部２５１を流れる電流が大きくなり過ぎバイパス部２５１の発熱が大きくなり過ぎることを抑制することができる。また、図示を省略するが、この例では、複数のサブゾーン７００の第２サブ給電部２３１ｂのそれぞれには、複数の給電端子のそれぞれが接続されている。 As shown by the dashed lines in FIG. 10(a), in this example, the first sub-bypass section 251a is electrically connected to the first sub-power supply sections 231a of the multiple subzones 700. That is, one bypass section 251 is connected to multiple first sub-power supply sections 231a. However, this is not limited to this, and multiple first sub-bypass sections 251a may be provided and each first sub-bypass section 251a may be connected to each first sub-power supply section 231a. The number of first sub-power supply sections 231a (the number of subzones) to which one first sub-bypass section 251a is connected is arbitrary. For example, as shown in FIG. 10(b), the first sub-bypass section 251a may be divided into eight bypass sections 251. In this way, multiple bypass sections 251 may be provided and multiple first sub-power supply sections 231a may be electrically connected to each bypass section 251. By dividing the bypass section 251, it is possible to prevent, for example, the current flowing through one bypass section 251 from becoming too large, which would cause the bypass section 251 to generate too much heat. In addition, although not shown in the figure, in this example, each of the second sub-power supply sections 231b of the multiple subzones 700 is connected to a respective one of the multiple power supply terminals.

例えば、第１サブバイパス部２５１ａは、サブゾーン間領域７５０の配置に応じて設けられた網状である。第１サブバイパス部２５１ａは、Ｚ方向においてサブゾーン間領域７５０と重なる線状部分２８０を有する。線状部分２８０は、サブゾーン間領域７５０に沿って延びる。 For example, the first sub-bypass portion 251a is a mesh-like portion provided according to the arrangement of the inter-subzone region 750. The first sub-bypass portion 251a has a linear portion 280 that overlaps with the inter-subzone region 750 in the Z direction. The linear portion 280 extends along the inter-subzone region 750.

この例では、線状部分２８０は、平面視において湾曲した複数のカーブ部分２８０ｃ（カーブ部分２８１ｃ及びカーブ部分２８２ｃ）を有する。カーブ部分２８０ｃは、例えば周方向Ｄｃに沿ってカーブし、周方向Ｄｃに延びる。カーブ部分２８０ｃは、平面視において、中心ＣＴ１を中心とする環状である。なお、カーブ部分２８０ｃは、周方向Ｄｃに沿ったカーブに限らず、周方向Ｄｃと異なる方向に沿ってカーブしてもよい。 In this example, the linear portion 280 has multiple curved portions 280c (curved portion 281c and curved portion 282c) that are curved in a planar view. The curved portion 280c curves, for example, along the circumferential direction Dc and extends in the circumferential direction Dc. The curved portion 280c is annular about the center CT1 in a planar view. Note that the curved portion 280c is not limited to a curve along the circumferential direction Dc, and may be curved along a direction different from the circumferential direction Dc.

線状部分２８０は、さらに、複数の直線部分２８０ｒ（直線部分２８１ｒ～直線部分２８３ｒ）を有する。直線部分２８０ｒは、平面視において、径方向Ｄｒに延在する直線状であり、カーブ部分２８０ｃと接続されている。なお、直線部分２８０ｒは、径方向Ｄｒとは異なる方向に沿って延在していてもよい。 Linear portion 280 further has multiple straight portions 280r (straight portion 281r to straight portion 283r). Straight portion 280r is a straight line extending in radial direction Dr in plan view, and is connected to curved portion 280c. Straight portion 280r may extend in a direction different from radial direction Dr.

線状部分２８０の平面視における幅は、例えば０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下、好ましくは１ｍｍ以上２ｍｍ以下である。図９に示したカーブ部分２８０ｃの幅Ｌ２８０ｃ（カーブ部分２８０ｃの径方向Ｄｒに沿った長さ）及び、直線部分２８０ｒの幅Ｌ２８０ｒ（直線部分２８０ｒの周方向Ｄｃに沿った長さ）は、それぞれ、例えば０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下、好ましくは１ｍｍ以上２ｍｍ以下である。線状部分２８０の平面視における幅は、一定でもよいし、その延在方向に沿って変化してもよい。 The width of the linear portion 280 in plan view is, for example, 0.5 mm to 3 mm, preferably 1 mm to 2 mm. The width L280c of the curved portion 280c (the length of the curved portion 280c along the radial direction Dr) and the width L280r of the straight portion 280r (the length of the straight portion 280r along the circumferential direction Dc) shown in FIG. 9 are, for example, 0.5 mm to 3 mm, preferably 1 mm to 2 mm. The width of the linear portion 280 in plan view may be constant or may vary along its extension direction.

例えば、図１０（ａ）に表したように、バイパス部のカーブ部分２８０ｃは、Ｚ方向においてサブゾーン間領域７５０のカーブ領域７５０ｃと重なる。カーブ部分２８０ｃは、平面視においてカーブ領域７５０ｃに沿って延びている。より具体的には、平面視において、カーブ部分２８１ｃは、カーブ領域７５１ｃと重なり、カーブ領域７５１ｃに沿って延びている。カーブ部分２８２ｃは、カーブ領域７５２ｃと重なり、カーブ領域７５２ｃに沿って延びている。 For example, as shown in FIG. 10(a), curved portion 280c of the bypass portion overlaps with curved region 750c of inter-subzone region 750 in the Z direction. Curved portion 280c extends along curved region 750c in plan view. More specifically, curved portion 281c overlaps with curved region 751c and extends along curved region 751c in plan view. Curved portion 282c overlaps with curved region 752c and extends along curved region 752c.

例えば、平面視において、カーブ部分２８０ｃの曲率は、カーブ領域７５０ｃの曲率と同じである。なお、曲率は、例えば、平面視における外縁（内周縁または外周縁）の曲率である。曲率は、幅方向（径方向Ｄｒ）の中央線の曲率でもよい。例えば、カーブ部分２８０ｃの外縁または中央線と、カーブ領域７５０ｃの外縁または中央線と、は、互いに一定間隔を維持しながらＸ－Ｙ平面に沿って並行する曲線であり、同じ形状でもよい。 For example, in a plan view, the curvature of curved portion 280c is the same as the curvature of curved region 750c. Note that the curvature is, for example, the curvature of the outer edge (inner peripheral edge or outer peripheral edge) in a plan view. The curvature may be the curvature of a center line in the width direction (radial direction Dr). For example, the outer edge or center line of curved portion 280c and the outer edge or center line of curved region 750c are curves that run parallel to each other along the X-Y plane while maintaining a constant distance from each other, and may have the same shape.

また、例えば、バイパス部の直線部分２８０ｒは、Ｚ方向においてサブゾーン間領域７５０の直線領域７５０ｒと重なる。直線部分２８０ｒは、平面視において直線領域７５０ｒに沿って延びている。より具体的には、平面視において、直線部分２８１ｒは、直線領域７５１ｒと重なり、直線領域７５１ｒに沿って延びている。直線部分２８２ｒは、直線領域７５２ｒと重なり、直線領域７５２ｒに沿って延びている。直線部分２８３ｒは、直線領域７５３ｒと重なり、直線領域７５３ｒに沿って延びている。 Also, for example, the straight line portion 280r of the bypass portion overlaps with the straight line region 750r of the inter-subzone region 750 in the Z direction. The straight line portion 280r extends along the straight line region 750r in a planar view. More specifically, the straight line portion 281r overlaps with the straight line region 751r and extends along the straight line region 751r in a planar view. The straight line portion 282r overlaps with the straight line region 752r and extends along the straight line region 752r. The straight line portion 283r overlaps with the straight line region 753r and extends along the straight line region 753r.

例えば、直線部分２８０ｒの外縁または幅方向（周方向Ｄｃ）の中央線と、直線領域７５０ｒの外縁または幅方向（周方向Ｄｃ）の中央線と、は、互いに一定間隔を維持しながらＸ－Ｙ平面に沿って延在する平行線である。 For example, the outer edge or widthwise (circumferential direction Dc) center line of straight portion 280r and the outer edge or widthwise (circumferential direction Dc) center line of straight region 750r are parallel lines extending along the X-Y plane while maintaining a constant distance from each other.

例えば、隣接するサブゾーン７００間の短絡を防ぐために、サブゾーン７００同士の間には所定間隔のサブゾーン間領域７５０が設けられる。隣接するサブゾーン７００同士の間のサブゾーン間領域７５０は、サブヒータライン２３１ｃが配置されないため、温度が低いクールスポットとなり、面内の温度分布にムラが生じやすい。一方、ヒータ層に比べて発熱量は小さいが、バイパス部２５１においても、電流が流れることで熱が生じる。特に、線状部分２８０において電流が集中すると発熱量が増大する。これに対して、バイパス部２５１の線状部分２８０がサブゾーン間領域７５０と重なり、サブゾーン間領域７５０に沿って延びることにより、線状部分２８０の発熱によって、サブゾーン間領域７５０によって生じる面内の温度分布のムラを抑制することができる。これにより、処理対象物の面内の温度分布の均一性を向上させることができる。例えば、サブゾーン間領域７５０によって形成されるクールスポットの一部が、バイパス部２５１の線状部分の発熱（ホットスポット）の一部によって相殺され均熱化される。 For example, to prevent short circuits between adjacent subzones 700, a subzone region 750 is provided between the subzones 700 at a predetermined interval. The subzone region 750 between adjacent subzones 700 has no subheater line 231c, so it becomes a cool spot with a low temperature and is prone to unevenness in the temperature distribution in the plane. On the other hand, although the amount of heat generated is smaller than that of the heater layer, the bypass section 251 also generates heat when a current flows. In particular, when the current concentrates in the linear portion 280, the amount of heat generated increases. In contrast, the linear portion 280 of the bypass section 251 overlaps with the subzone region 750 and extends along the subzone region 750, so that the heat generated by the linear portion 280 can suppress unevenness in the temperature distribution in the plane caused by the subzone region 750. This can improve the uniformity of the temperature distribution in the plane of the object to be processed. For example, part of the cool spot formed by the inter-subzone region 750 is offset by part of the heat (hot spot) in the linear portion of the bypass section 251, resulting in uniform heating.

また、図６または図９に表したように、ヒータ部２００は、中央領域２００Ｃと、中央領域よりも外側に位置する外周領域２００Ｄと、を有する。中央領域２００Ｃは、平面視において、中心ＣＴ１を中心とする半径ＲＣの円形領域である。半径ＲＣは、ヒータ部２００の平面視における半径の半分の長さである。外周領域２００Ｄは、中央領域２００Ｃの外周端２００Ｃｐに接し、中央領域２００Ｃを囲む環状領域である。外周領域２００Ｄは、ヒータ部２００の外周端２００ｐを含む。 As shown in FIG. 6 or 9, the heater section 200 has a central region 200C and an outer peripheral region 200D located outside the central region. In a plan view, the central region 200C is a circular region of radius RC centered at center CT1. The radius RC is half the length of the radius of the heater section 200 in a plan view. The outer peripheral region 200D is an annular region that is in contact with the outer peripheral end 200Cp of the central region 200C and surrounds the central region 200C. The outer peripheral region 200D includes the outer peripheral end 200p of the heater section 200.

バイパス部２５１の線状部分２８０は、少なくとも外周領域２００Ｄに配置されたサブゾーン間領域７５０とＺ方向において重なり、少なくとも外周領域２００Ｄに配置されたサブゾーン間領域７５０に沿って延びることが好ましい。例えば、線状部分２８０の直線部分２８３ｒは、外周領域２００Ｄに配置されたサブゾーン間領域７５０の直線領域７５３ｒと重なり、直線領域７５３ｒに沿って延びる。例えば、線状部分２８０のカーブ部分２８２ｃは、外周領域２００Ｄに配置されたサブゾーン間領域７５０のカーブ領域７５２ｃと重なり、カーブ領域７５２ｃに沿って延びる。 It is preferable that the linear portion 280 of the bypass section 251 overlaps at least the inter-subzone region 750 arranged in the outer peripheral region 200D in the Z direction and extends at least along the inter-subzone region 750 arranged in the outer peripheral region 200D. For example, the straight line portion 283r of the linear portion 280 overlaps with the straight line region 753r of the inter-subzone region 750 arranged in the outer peripheral region 200D and extends along the straight line region 753r. For example, the curved portion 282c of the linear portion 280 overlaps with the curved region 752c of the inter-subzone region 750 arranged in the outer peripheral region 200D and extends along the curved region 752c.

ヒータ部２００において、外周領域２００Ｄの温度分布ばらつきは、中央領域２００Ｃの温度分布ばらつきよりも大きくなりやすい場合がある。静電チャックには外部からの熱と、静電チャック自体の熱の主に２種類の熱が加わる。外部からの熱として、例えば、静電チャックがエッチング装置に配置された場合には、プラズマ等からの入熱が挙げられる。こうした外部からの熱は、静電チャックにおいて特に外周領域２００Ｄを発熱させる（所謂エッジホット）。一方で、静電チャックにヒータ部２００が設けられる場合、外周領域よりも外側にはヒータ(発熱体)が存在しないため、外周領域が他の領域よりも低温となる。この外部からの入熱と静電チャック自体の熱のバランスによっては、外周領域２００Ｄの温度がばらつくこととなる。特にヒータを配置した静電チャックでは、外部からの入熱による影響（エッジホット）をヒータで打ち消すことができるが、その場合には外周領域２００Ｄにおける温度がより低くなる恐れがある。これに対して、外周領域２００Ｄのサブゾーン間領域７５０に沿ってバイパス部２５１の線状部分２８０を設けることにより、外周領域２００Ｄにおける温度分布のばらつきを抑制することができる。 In the heater section 200, the temperature distribution variation in the outer peripheral region 200D may be larger than that in the central region 200C. Two types of heat are mainly applied to the electrostatic chuck: heat from the outside and heat from the electrostatic chuck itself. For example, when the electrostatic chuck is placed in an etching device, heat input from plasma or the like is included as an example of heat from the outside. Such heat from the outside heats the electrostatic chuck, particularly the outer peripheral region 200D (so-called edge hot). On the other hand, when the heater section 200 is provided in the electrostatic chuck, there is no heater (heat generating element) outside the outer peripheral region, so the outer peripheral region is lower in temperature than other regions. Depending on the balance between this heat input from the outside and the heat of the electrostatic chuck itself, the temperature of the outer peripheral region 200D will vary. In particular, in an electrostatic chuck with a heater, the effect of heat input from the outside (edge hot) can be countered by the heater, but in that case, the temperature in the outer peripheral region 200D may become lower. In response to this, by providing the linear portion 280 of the bypass section 251 along the inter-subzone region 750 of the outer peripheral region 200D, it is possible to suppress the variation in temperature distribution in the outer peripheral region 200D.

例えば、図８では、バイパス部２５１の線状部分２８０の平面視における位置を、第１ヒータエレメント２３１に重ねて、模式的に破線で表している。図８に表したように、線状部分２８０の幅ｔ１は、サブゾーン間領域７５０の幅ｔ２と同じ、または幅ｔ２よりも狭い。 For example, in FIG. 8, the position of the linear portion 280 of the bypass section 251 in a plan view is shown by a dashed line, overlapping the first heater element 231. As shown in FIG. 8, the width t1 of the linear portion 280 is the same as or narrower than the width t2 of the inter-subzone region 750.

線状部分２８０の幅ｔ１がサブゾーン間領域７５０の幅ｔ２よりも広い場合、線状部分２８０の発熱がサブゾーン７００の温度に与える影響が大きくなり、温度設計が複雑になる場合がある。例えば、線状部分２８０の幅が広いと、発熱する線状部分２８０とサブヒータライン２３１ｃとが重なることとなり、ホットスポットが生じやすくなる恐れがある。これに対して、線状部分２８０の幅ｔ１がサブゾーン間領域７５０の幅ｔ２以下であることにより、線状部分２８０とサブゾーン７００と重なりが抑制される。これにより、線状部分２８０の発熱がサブゾーン７００の温度に与える影響を抑制し、処理対象物を載置する面全体の温度ばらつきを抑制することができる。 If the width t1 of the linear portion 280 is wider than the width t2 of the inter-subzone region 750, the effect of the heat generated by the linear portion 280 on the temperature of the subzone 700 may become large, and temperature design may become complicated. For example, if the width of the linear portion 280 is wide, the heated linear portion 280 may overlap with the sub-heater line 231c, which may cause hot spots to easily occur. In contrast, by making the width t1 of the linear portion 280 equal to or smaller than the width t2 of the inter-subzone region 750, the overlap between the linear portion 280 and the subzone 700 is suppressed. This suppresses the effect of the heat generated by the linear portion 280 on the temperature of the subzone 700, and suppresses temperature variation across the entire surface on which the object to be processed is placed.

例えば、線状部分２８０のカーブ部分２８０ｃの幅Ｌ２８０ｃ（図９参照）は、サブゾーン間領域７５０のカーブ領域７５０ｃの幅Ｌ７５０ｃ（図６参照）と同じ、又は、幅Ｌ７５０ｃより狭い。例えば、線状部分２８０の直線部分２８０ｒの幅Ｌ２８０ｒ（図９参照）は、サブゾーン間領域７５０の直線領域７５０ｒの幅Ｌ７５０ｒ（図６参照）と同じ、又は、幅Ｌ７５０ｒより狭い。 For example, the width L280c (see FIG. 9) of the curved portion 280c of the linear portion 280 is the same as or narrower than the width L750c (see FIG. 6) of the curved region 750c of the inter-subzone region 750. For example, the width L280r (see FIG. 9) of the straight portion 280r of the linear portion 280 is the same as or narrower than the width L750r (see FIG. 6) of the straight region 750r of the inter-subzone region 750.

また、図８に表したように、平面視において、線状部分２８０の幅ｔ１は、幅ｔ３よりも広い。幅ｔ３は、平面視において、サブゾーン７００の１つにおけるサブヒータライン２３１ｃの一部と、当該サブヒータライン２３１ｃの別の一部と、の間の最小間隔である。これにより、線状部分２８０の幅ｔ１が狭くなり線状部分２８０において過度な熱が生じることを抑制できる。 Also, as shown in FIG. 8, in a plan view, the width t1 of the linear portion 280 is wider than the width t3. The width t3 is the minimum distance between a part of the sub-heater line 231c in one of the subzones 700 and another part of the sub-heater line 231c in a plan view. This narrows the width t1 of the linear portion 280, thereby preventing excessive heat from being generated in the linear portion 280.

また、例えば、図８に表したように、平面視において、サブゾーン７００の１つにおけるサブヒータライン２３１ｃの幅ｔ４は、線状部分２８０の幅ｔ１よりも狭い。これにより、線状部分２８０の幅ｔ１が狭くなり線状部分２８０において過度な熱が生じることを抑制できる。 Also, for example, as shown in FIG. 8, in a plan view, the width t4 of the sub-heater line 231c in one of the subzones 700 is narrower than the width t1 of the linear portion 280. This narrows the width t1 of the linear portion 280, thereby preventing excessive heat from being generated in the linear portion 280.

なお、ある部分の幅（例えば幅ｔ１、幅ｔ２または幅ｔ４）は、平面視において、その部分の対向する２辺（その部分の延在方向に沿って延び、互いに離れた２辺）を結ぶ最短距離である。線状部分２８０の幅が、線状部分２８０の延在方向に沿って変化する場合、幅ｔ１は、線状部分２８０の最小幅である。同様に、サブゾーン間領域７５０の幅が、サブゾーン間領域７５０の延在方向に沿って変化する場合、幅ｔ２は、サブゾーン間領域７５０の最小幅である。サブヒータライン２３１ｃの幅が、サブヒータライン２３１ｃの延在方向に沿って変化する場合、幅ｔ４は、サブヒータライン２３１ｃの最小幅である。 The width of a portion (e.g., width t1, width t2, or width t4) is the shortest distance connecting two opposing sides of the portion (two sides that extend along the extension direction of the portion and are separated from each other) in a plan view. When the width of the linear portion 280 varies along the extension direction of the linear portion 280, width t1 is the minimum width of the linear portion 280. Similarly, when the width of the inter-subzone region 750 varies along the extension direction of the inter-subzone region 750, width t2 is the minimum width of the inter-subzone region 750. When the width of the sub-heater line 231c varies along the extension direction of the sub-heater line 231c, width t4 is the minimum width of the sub-heater line 231c.

サブゾーン７００（第１ゾーン）の数は、例えば５０以上である。第１ヒータエレメント２３１を細かく分割してサブゾーン７００の数を５０以上とすることにより、処理対象物の載置面の温度（ひいては処理対象物の面内の温度）の微調整を行うことができる。一方、サブゾーン７００の数が増えると、サブゾーン間領域７５０も増えることとなる。これに対して、実施形態においては、サブゾーン間領域７５０と重なるようにバイパス部２５１の線状部分２８０が配置されている。そのため、サブゾーン７００を細分化した場合であっても、処理対象物の面内の温度分布の均一性を向上させることができる。なお、第１ゾーンの数は、例えば２００ゾーン程度であるが、上限は特に限定されない。 The number of subzones 700 (first zones) is, for example, 50 or more. By dividing the first heater element 231 into fine parts to make the number of subzones 700 50 or more, it is possible to finely adjust the temperature of the surface on which the object is placed (and thus the temperature within the surface of the object). On the other hand, as the number of subzones 700 increases, the number of inter-subzone regions 750 also increases. In this embodiment, the linear portion 280 of the bypass section 251 is arranged so as to overlap with the inter-subzone regions 750. Therefore, even if the subzones 700 are divided into smaller parts, the uniformity of the temperature distribution within the surface of the object can be improved. The number of first zones is, for example, about 200 zones, but the upper limit is not particularly limited.

また、例えば図４に表したように、サブゾーン間領域７５０は、Ｚ方向においてメインゾーン間領域６５０と重なる重複領域７６０を有する。例えば、サブゾーン間領域７５０の一部（重複領域７６０）は、Ｚ方向においてメインゾーン間領域６５０と重なり、メインゾーン間領域６５０に沿って延びる。より具体的には、例えば、サブゾーン間領域７５０のカーブ領域７５２ｃ（図６参照）は、メインゾーン間領域６５２（図５参照）とＺ方向において重なる。例えば、平面視において、カーブ領域７５２ｃの曲率は、メインゾーン間領域６５２の曲率と同じである。例えば、カーブ領域７５２ｃの外縁または中央線と、メインゾーン間領域６５２の外縁または中央線とは、互いに一定間隔を維持しながらＸ－Ｙ平面に沿って並行する曲線であり、同じ形状でもよい。同様に、例えば、サブゾーン間領域７５０のカーブ領域７５１ｃ（図６参照）は、メインゾーン間領域６５１（図５参照）とＺ方向において重なる。 4, the subzone region 750 has an overlap region 760 that overlaps with the main zone region 650 in the Z direction. For example, a part of the subzone region 750 (overlapping region 760) overlaps with the main zone region 650 in the Z direction and extends along the main zone region 650. More specifically, for example, the curve region 752c (see FIG. 6) of the subzone region 750 overlaps with the main zone region 652 (see FIG. 5) in the Z direction. For example, in a plan view, the curvature of the curve region 752c is the same as the curvature of the main zone region 652. For example, the outer edge or center line of the curve region 752c and the outer edge or center line of the main zone region 652 are curves that run parallel to each other along the X-Y plane while maintaining a constant distance from each other, and may have the same shape. Similarly, for example, curved region 751c of inter-subzone region 750 (see FIG. 6) overlaps with inter-main zone region 651 (see FIG. 5) in the Z direction.

バイパス部２５１の線状部分２８０は、Ｚ方向において重複領域７６０と重なる。例えば、線状部分２８０は、重複領域７６０に沿って延びる。より具体的には、例えば線状部分２８０のカーブ部分２８２ｃ（図１０（ａ）参照）は、重複領域７６０の一部（カーブ領域７５２ｃの一部）とＺ方向において重なる。例えば、平面視において、カーブ部分２８２ｃの曲率は、重複領域７６０の当該一部の曲率と同じである。例えば、カーブ部分２８２ｃの外縁または中央線と、重複領域７６０の当該一部の外縁または中央線とは、互いに一定間隔を維持しながらＸ－Ｙ平面に沿って並行する曲線であり、同じ形状でもよい。同様に、例えば、線状部分２８０のカーブ部分２８１ｃ（図１０（ａ）参照）は、重複領域７６０の一部（カーブ領域７５１ｃの一部）とＺ方向において重なる。 The linear portion 280 of the bypass section 251 overlaps with the overlapping region 760 in the Z direction. For example, the linear portion 280 extends along the overlapping region 760. More specifically, for example, the curved portion 282c of the linear portion 280 (see FIG. 10(a)) overlaps with a part of the overlapping region 760 (a part of the curved region 752c) in the Z direction. For example, in a plan view, the curvature of the curved portion 282c is the same as the curvature of the part of the overlapping region 760. For example, the outer edge or center line of the curved portion 282c and the outer edge or center line of the part of the overlapping region 760 are curves that run parallel to each other along the X-Y plane while maintaining a constant distance from each other, and may have the same shape. Similarly, for example, the curved portion 281c of the linear portion 280 (see FIG. 10(a)) overlaps with a part of the overlapping region 760 (a part of the curved region 751c) in the Z direction.

隣接するメインゾーン６００同士の間のメインゾーン間領域６５０は、メインヒータライン２３２ｃが配置されないため、温度が低いクールスポットとなり、面内の温度分布にムラが生じやすい。例えば、サブゾーン間領域７５０とメインゾーン間領域６５０とが重なる重複領域は、クールスポットとなりやすい。これに対して、バイパス部２５１の線状部分２８０が重複領域７６０と重なることにより、線状部分２８０の発熱によって、重複領域７６０によって生じる面内の温度分布のムラを抑制することができる。これにより、処理対象物の面内の温度分布の均一性を向上させることができる。 The main zone inter-region 650 between adjacent main zones 600 has no main heater line 232c, and therefore becomes a cool spot with a low temperature, which is prone to unevenness in the temperature distribution within the surface. For example, the overlapping region where the subzone inter-region 750 and the main zone inter-region 650 overlap is prone to becoming a cool spot. In contrast, the linear portion 280 of the bypass section 251 overlaps with the overlapping region 760, and the heat generated by the linear portion 280 can suppress unevenness in the temperature distribution within the surface caused by the overlapping region 760. This can improve the uniformity of the temperature distribution within the surface of the object to be processed.

図１１は、実施形態に係るバイパス層のバイパス部の変形例を例示する平面図である
。
図１１の例においては、バイパス部２５１の線状部分２８０は、外周領域２００Ｄに配置されている。バイパス部２５１のうち中央領域２００Ｃに配置された部分２８５は、平面視において円形の板状（膜状）となっている。このように、バイパス部２５１の一部が線状部分２８０であればよく、バイパス部２５１は、幅の広い板状の部分を有していてもよい。 FIG. 11 is a plan view illustrating a modified example of the bypass portion of the bypass layer according to the embodiment.
11, the linear portion 280 of the bypass portion 251 is disposed in the outer peripheral region 200D. The portion 285 of the bypass portion 251 disposed in the central region 200C is in a circular plate shape (film shape) in a plan view. In this manner, it is sufficient that a part of the bypass portion 251 is the linear portion 280, and the bypass portion 251 may have a wide plate-like portion.

以上説明したように、実施形態においては、第１バイパス部（例えば第１サブバイパス部２５１ａ）は、Ｚ方向において第１ヒータエレメントの第１ゾーン間領域（例えばサブゾーン間領域７５０）と重なり、第１ゾーン間領域に沿って延びる線状部分を有する。
上記では、第１バイパス部が、サブゾーン７００に接続されるバイパス部２５１、すなわち第１サブバイパス部２５１ａである場合を例に挙げて説明した。ただし、第１バイパス部は、必ずしも第１サブバイパス部２５１ａに限らない。例えば、図示を省略するが、第１サブバイパス部２５１ａと同様に、任意の数の第２サブバイパス部、任意の数の第１メインバイパス部、及び、任意の数の第２メインバイパス部が設けられてもよい。各第２サブバイパス部は、任意の数の第２サブ給電部２３１ｂと接続さる。各第１メインバイパス部は、任意の数の第１メイン給電部２３２ａと接続される。各第２メインバイパス部は、任意の数の第２メイン給電部２３２ｂと接続される。複数のバイパス部２５１は、同一のＸ－Ｙ平面内に並べて配置されてもよいし、複数の層に適宜、分割して配置されてもよい。第１バイパス部は、第２サブバイパス部、第１メインバイパス部、または第２メインバイパス部であってもよい。つまり、第１ゾーン間領域と重なる線状部分は、例えばメインゾーン６００と接続されたバイパス部２５１に設けられたものでもよい。 As described above, in the embodiment, the first bypass portion (e.g., the first sub-bypass portion 251a) overlaps with the first inter-zone region (e.g., the inter-subzone region 750) of the first heater element in the Z direction and has a linear portion extending along the first inter-zone region.
In the above, the first bypass section is the bypass section 251 connected to the subzone 700, that is, the first sub-bypass section 251a. However, the first bypass section is not necessarily limited to the first sub-bypass section 251a. For example, although not shown, an arbitrary number of second sub-bypass sections, an arbitrary number of first main bypass sections, and an arbitrary number of second main bypass sections may be provided similarly to the first sub-bypass section 251a. Each second sub-bypass section is connected to an arbitrary number of second sub-power feed sections 231b. Each first main bypass section is connected to an arbitrary number of first main power feed sections 232a. Each second main bypass section is connected to an arbitrary number of second main power feed sections 232b. The multiple bypass sections 251 may be arranged side by side in the same XY plane, or may be appropriately divided and arranged in multiple layers. The first bypass section may be the second sub-bypass section, the first main bypass section, or the second main bypass section. In other words, the linear portion overlapping the first inter-zone region may be provided in the bypass section 251 connected to the main zone 600, for example.

また、上記では、第１ヒータ層が第１ヒータエレメント２３１であり第１ゾーンがサブゾーン７００であり第１ゾーン間領域がサブゾーン間領域７５０である場合を例に挙げて説明したが、第１ヒータ層が第２ヒータエレメント２３２であり第１ゾーンがメインゾーン６００であり第１ゾーン間領域がメインゾーン間領域６５０であってもよい。つまり、第１バイパス部の線状部分は、例えばメインゾーン間領域６５０と重なり、メインゾーン間領域６５０に沿って延びるものであってもよい。 In the above, an example has been described in which the first heater layer is the first heater element 231, the first zone is the subzone 700, and the first inter-zone region is the inter-subzone region 750, but the first heater layer may be the second heater element 232, the first zone is the main zone 600, and the first inter-zone region may be the inter-main zone region 650. In other words, the linear portion of the first bypass section may overlap with, for example, the inter-main zone region 650 and extend along the inter-main zone region 650.

図１２は、実施形態に係るウェーハ処理装置を模式的に表す断面図である。
図１２に表したように、実施形態に係るウェーハ処理装置５００は、処理容器５０１と、上部電極５１０と、静電チャック１０と、を備えている。処理容器５０１の天井には、処理ガスを内部に導入するための処理ガス導入口５０２が設けられている。処理容器５０１の底板には、内部を減圧排気するための排気口５０３が設けられている。また、上部電極５１０及び静電チャック１０には高周波電源５０４が接続され、上部電極５１０と静電チャック１０とを有する一対の電極が、互いに所定の間隔を隔てて平行に対峙するようになっている。 FIG. 12 is a cross-sectional view that illustrates a wafer processing apparatus according to an embodiment.
12, a wafer processing apparatus 500 according to the embodiment includes a processing vessel 501, an upper electrode 510, and an electrostatic chuck 10. A processing gas inlet 502 for introducing a processing gas into the processing vessel 501 is provided on the ceiling. An exhaust port 503 for decompressing and exhausting the inside of the processing vessel 501 is provided on the bottom plate of the processing vessel 501. A high frequency power supply 504 is connected to the upper electrode 510 and the electrostatic chuck 10, and a pair of electrodes including the upper electrode 510 and the electrostatic chuck 10 face each other in parallel with a predetermined gap therebetween.

ウェーハ処理装置５００において、上部電極５１０と静電チャック１０との間に高周波電圧が印加されると、高周波放電が起こり処理容器５０１内に導入された処理ガスがプラズマにより励起、活性化されて、処理対象物Ｗが処理されることになる。なお、処理対象物Ｗとしては、半導体基板（ウェーハ）を例示することができる。ただし、処理対象物Ｗは、半導体基板（ウェーハ）には限定されず、例えば、液晶表示装置に用いられるガラス基板等であってもよい。 In the wafer processing apparatus 500, when a high-frequency voltage is applied between the upper electrode 510 and the electrostatic chuck 10, a high-frequency discharge occurs, and the processing gas introduced into the processing vessel 501 is excited and activated by plasma, thereby processing the processing object W. An example of the processing object W is a semiconductor substrate (wafer). However, the processing object W is not limited to a semiconductor substrate (wafer), and may be, for example, a glass substrate used in a liquid crystal display device.

高周波電源５０４は、静電チャック１０のベースプレート３００と電気的に接続される。ベースプレート３００には、前述のように、アルミニウムなどの金属材料が用いられる。すなわち、ベースプレート３００は、導電性を有する。これにより、高周波電圧は、上部電極４１０とベースプレート３００との間に印加される。 The high frequency power supply 504 is electrically connected to the base plate 300 of the electrostatic chuck 10. As described above, the base plate 300 is made of a metal material such as aluminum. In other words, the base plate 300 is conductive. As a result, the high frequency voltage is applied between the upper electrode 410 and the base plate 300.

また、この例では、ヒータ部２００において、第１支持板２１０、第１絶縁層２２０、第１ヒータエレメント２３１、第２絶縁層２４０、第２ヒータエレメント２３２、第３絶縁層２４５、バイパス層２５０、第４絶縁層２６０、第２支持板２７０、が、この順に積層されている。ベースプレート３００は、第１支持板２１０及び第２支持板２７０と電気的に接続されている。これにより、ウェーハ処理装置５００では、第１支持板２１０と上部電極５１０との間、及び、第２支持板２７０と上部電極５１０との間にも高周波電圧が印加される。 In this example, the heater section 200 includes a first support plate 210, a first insulating layer 220, a first heater element 231, a second insulating layer 240, a second heater element 232, a third insulating layer 245, a bypass layer 250, a fourth insulating layer 260, and a second support plate 270, which are stacked in this order. The base plate 300 is electrically connected to the first support plate 210 and the second support plate 270. As a result, in the wafer processing device 500, a high-frequency voltage is applied between the first support plate 210 and the upper electrode 510, and between the second support plate 270 and the upper electrode 510.

このように、各支持板２１０、２７０と上部電極５１０との間に高周波電圧を印加する。これにより、ベースプレート３００と上部電極５１０との間のみに高周波電圧を印加する場合に比べて、高周波電圧を印加する場所を処理対象物Ｗにより近付けることができる。これにより、例えば、より効率的かつ低電位でプラズマを発生させることができる。 In this way, a high-frequency voltage is applied between each of the support plates 210, 270 and the upper electrode 510. This allows the location to which the high-frequency voltage is applied to be closer to the object to be processed W than when the high-frequency voltage is applied only between the base plate 300 and the upper electrode 510. This allows, for example, plasma to be generated more efficiently and at a lower potential.

ウェーハ処理装置５００のような構成の装置は、一般に平行平板型ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置と呼ばれるが、実施形態にかかる静電チャック１０は、この装置への適用に限定されるわけではない。例えば、ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）エッチング装置、誘電結合プラズマ処理装置、ヘリコン波プラズマ処理装置、プラズマ分離型プラズマ処理装置、表面波プラズマ処理装置、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）装置などのいわゆる減圧処理装置に広く適応することができる。このようなウェーハ処理装置５００は、例えば、半導体装置の製造に用いられる。ウェーハ処理装置５００は、例えば、半導体製造装置として使用される。 An apparatus having a configuration like the wafer processing apparatus 500 is generally called a parallel plate type RIE (Reactive Ion Etching) apparatus, but the electrostatic chuck 10 according to the embodiment is not limited to application to this apparatus. For example, it can be widely applied to so-called reduced pressure processing apparatuses such as ECR (Electron Cyclotron Resonance) etching apparatuses, dielectrically coupled plasma processing apparatuses, helicon wave plasma processing apparatuses, plasma separation type plasma processing apparatuses, surface wave plasma processing apparatuses, and plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatuses. Such a wafer processing apparatus 500 is used, for example, in the manufacture of semiconductor devices. The wafer processing apparatus 500 is used, for example, as a semiconductor manufacturing apparatus.

また、実施形態にかかる静電チャック１０は、露光装置や検査装置のように大気圧下で処理や検査が行われる基板処理装置に広く適用することもできる。ただし、実施形態にかかる静電チャック１０の有する高い耐プラズマ性を考慮すると、静電チャック１０をプラズマ処理装置に適用させることが好ましい。なお、これらの装置の構成の内、実施形態にかかる静電チャック１０以外の部分には公知の構成を適用することができるので、その説明は省略する。 The electrostatic chuck 10 according to the embodiment can also be widely applied to substrate processing apparatuses in which processing and inspection are performed under atmospheric pressure, such as exposure apparatuses and inspection apparatuses. However, considering the high plasma resistance of the electrostatic chuck 10 according to the embodiment, it is preferable to apply the electrostatic chuck 10 to a plasma processing apparatus. Note that, since known configurations can be applied to the parts of the configuration of these apparatuses other than the electrostatic chuck 10 according to the embodiment, a description thereof will be omitted.

実施形態に係るウェーハ処理装置５００（半導体製造装置）によれば、上述の静電チャック１０を備えることで、ヒータ部２００の面内の温度分布の均一性を向上させることができる。これにより、処理対象物Ｗの面内の温度分布の均一性を向上させることができる。 According to the wafer processing apparatus 500 (semiconductor manufacturing apparatus) of the embodiment, by providing the electrostatic chuck 10 described above, the uniformity of the temperature distribution within the surface of the heater section 200 can be improved. This makes it possible to improve the uniformity of the temperature distribution within the surface of the processing object W.

本願明細書において、「電気的に接続」には、直接接触して接続される場合の他に、他の導電性部材などを介して接続される場合も含む。
本願明細書において、「同じ」及び「一定」とは、厳密に同じ及び一定であることのみならず、略同じ及び略一定であればよい。例えば、「同じ」及び「一定」は、製造工程におけるばらつきなどの範囲を含んでもよい。
本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。 In this specification, "electrically connected" includes connection through direct contact as well as connection via other conductive members.
In the present specification, "the same" and "constant" do not only mean strictly the same and constant, but also mean approximately the same and approximately constant. For example, "the same" and "constant" may include a range such as variation in the manufacturing process.
In this specification, "vertical" and "parallel" do not only mean strictly vertical and strictly parallel, but also include, for example, variations in the manufacturing process, and may mean substantially vertical and substantially parallel.

実施形態は、以下の構成を含んでもよい。
（構成１）
処理対象物を載置する第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、を有するセラミック誘電体基板と、
前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、
前記セラミック誘電体基板を加熱するヒータ部と、
を備え、
前記ヒータ部は、第１ヒータ層を含む少なくとも１つのヒータ層と、前記少なくとも１つのヒータ層への給電経路である第１バイパス部と、を有し、
前記第１ヒータ層は、複数の第１ゾーンを有し、
前記複数の第１ゾーンのそれぞれは、２つの第１給電部と、前記２つの第１給電部を電気的に接続する第１ヒータラインと、を有し、
前記複数の第１ゾーンの１つは、前記複数の第１ゾーンの別の１つと、第１ゾーン間領域を介して隣接し、
前記第１バイパス部は、前記第１主面に対して垂直なＺ方向において前記第１ゾーン間領域と重なり、前記第１ゾーン間領域に沿って延びる線状部分を有する、静電チャック。
（構成２）
前記ヒータ部は、前記Ｚ方向に沿って見たときに、前記ヒータ部の中央に位置する中央領域と、前記中央領域よりも外側に位置し前記ヒータ部の外周端を含む外周領域と、を有し、
前記線状部分は、少なくとも前記外周領域に配置された前記第１ゾーン間領域と重なり、少なくとも前記外周領域に配置された前記第１ゾーン間領域に沿って延びる、構成１に記載の静電チャック。
（構成３）
平面視において、前記線状部分の幅は、前記第１ゾーン間領域の幅と同じ、または、前記第１ゾーン間領域の幅よりも狭い、構成１または２に記載の静電チャック。
（構成４）
平面視において、前記線状部分の幅は、前記複数の第１ゾーンの１つにおける前記第１ヒータラインの一部と前記第１ヒータラインの別の一部との間の最小間隔よりも広い、構成１～３のいずれか１つに記載の静電チャック。
（構成５）
平面視において、前記複数の第１ゾーンの１つにおける前記第１ヒータラインの幅は、前記第１ゾーン間領域の幅よりも狭い、構成１～４のいずれか１つに記載の静電チャック。
（構成６）
前記第１ヒータ層に含まれる前記複数の第１ゾーンの数は、５０以上である、構成１～５のいずれか１つに記載の静電チャック。
（構成７）
前記ヒータ部は、複数の第２ゾーンを有する第２ヒータ層をさらに有し、
前記複数の第２ゾーンのそれぞれは、２つの第２給電部と、前記２つの第２給電部を電気的に接続する第２ヒータラインと、を有し、
前記複数の第２ゾーンの数は、前記複数の第１ゾーンの数よりも少なく、
前記複数の第２ゾーンの１つは、前記複数の第２ゾーンの別の１つと第２ゾーン間領域を介して隣接し、
前記第１ゾーン間領域は、前記Ｚ方向において前記第２ゾーン間領域と重なる重複領域を有し、
前記線状部分は、前記Ｚ方向において前記重複領域と重なる、構成１～６のいずれか１つに記載の静電チャック。 The embodiment may include the following features.
(Configuration 1)
a ceramic dielectric substrate having a first main surface on which an object to be processed is placed and a second main surface opposite to the first main surface;
a base plate supporting the ceramic dielectric substrate;
a heater portion for heating the ceramic dielectric substrate;
Equipped with
the heater section has at least one heater layer including a first heater layer, and a first bypass section which is a power supply path to the at least one heater layer,
the first heater layer has a plurality of first zones;
Each of the plurality of first zones includes two first power feeders and a first heater line electrically connecting the two first power feeders;
one of the plurality of first zones is adjacent to another of the plurality of first zones via a first inter-zone region;
the first bypass portion overlaps with the first inter-zone region in a Z direction perpendicular to the first main surface and has a linear portion extending along the first inter-zone region.
(Configuration 2)
When viewed along the Z direction, the heater portion has a central region located at a center of the heater portion and an outer circumferential region located outside the central region and including an outer circumferential end of the heater portion,
2. The electrostatic chuck of claim 1, wherein the linear portion overlaps with and extends along at least the first inter-zone region disposed in the outer circumferential region.
(Configuration 3)
3. The electrostatic chuck of claim 1, wherein, in a plan view, the width of the linear portion is the same as or narrower than the width of the first inter-zone region.
(Configuration 4)
4. The electrostatic chuck of any one of configurations 1 to 3, wherein, in a plan view, a width of the linear portion is wider than a minimum spacing between a portion of the first heater line and another portion of the first heater line in one of the plurality of first zones.
(Configuration 5)
5. The electrostatic chuck of any one of configurations 1 to 4, wherein, in a plan view, a width of the first heater line in one of the plurality of first zones is narrower than a width of the region between the first zones.
(Configuration 6)
6. The electrostatic chuck of any one of configurations 1 to 5, wherein the number of the plurality of first zones included in the first heater layer is 50 or more.
(Configuration 7)
the heater portion further includes a second heater layer having a plurality of second zones;
Each of the second zones includes two second power feeders and a second heater line electrically connecting the two second power feeders;
the number of the second zones is less than the number of the first zones;
one of the plurality of second zones is adjacent to another of the plurality of second zones via an inter-second zone region;
the first inter-zone region has an overlap region that overlaps with the second inter-zone region in the Z direction;
7. The electrostatic chuck of any one of configurations 1 to 6, wherein the linear portion overlaps with the overlap region in the Z direction.

以上、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。前述の実施の形態に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、各要素の形状、寸法、材質、配置、設置形態などは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。 The above describes the embodiments of the present invention. However, the present invention is not limited to these descriptions. Any design modifications made by a person skilled in the art to the above-described embodiments are also included within the scope of the present invention as long as they include the characteristics of the present invention. For example, the shape, dimensions, materials, arrangement, installation form, etc. of each element are not limited to those exemplified, and can be modified as appropriate.
Furthermore, the elements of each of the above-described embodiments can be combined to the extent technically possible, and such combinations are also included within the scope of the present invention as long as they include the features of the present invention.

１０ 静電チャック
１００ セラミック誘電体基板
１０１ 第１主面
１０２ 第２主面
１１１ 電極層
１１３ 凸部
１１５ 溝
２００ ヒータ部
２００Ｃ 中央領域
２００Ｃｐ 外周端
２００Ｄ 外周領域
２００ｐ 外周端
２１０ 支持板
２２０ 絶縁層
２３１ 第１ヒータエレメント
２３１ａ 第１サブ給電部
２３１ｂ 第２サブ給電部
２３１ｃ サブヒータライン
２３２ 第２ヒータエレメント
２３２ａ 第１メイン給電部
２３２ｂ 第２メイン給電部
２３２ｃ メインヒータライン
２４０ 第２絶縁層
２４５ 第３絶縁層
２５０ バイパス層
２５１ バイパス部
２５１ａ 第１サブバイパス部
２６０ 絶縁層
２７０ 支持板
２８０ 線状部分
２８０ｃ カーブ部分
２８０ｒ 直線部分
２８１ｃ カーブ部分
２８１ｒ 直線部分
２８２ｃ カーブ部分
２８２ｒ 直線部分
２８３ｒ 直線部分
３００ ベースプレート
３０１ 連通路
３０３ 下面
３２１ 導入路
４０３ 接着層
４１０ 上部電極
５００ ウェーハ処理装置
５０１ 処理容器
５０２ 処理ガス導入口
５０３ 排気口
５０４ 高周波電源
５１０ 上部電極
６００、６０１～６０３ メインゾーン
６５０６５１６５２ メインゾーン間領域
７００ サブゾーン
７０１～７０３ 第１領域～第３領域
７５０ サブゾーン間領域
７５０ｃ カーブ領域
７５０ｒ 直線領域
７５１ｃ カーブ領域
７５１ｒ 直線領域
７５２ｃ カーブ領域
７５２ｒ 直線領域
７５３ｒ 直線領域
７６０ 重複領域
Ｂ１、Ｂ２ 領域
ＣＴ１、ＣＴ２ 中心
Ｄｃ 周方向
Ｄｒ 径方向
Ｌ２８０ｃ 幅
Ｌ２８０ｒ 幅
Ｌ７５０ｃ 幅
Ｌ７５０ｒ 幅
ＬＭ１ 幅
ＬＭ２ 幅
ＬＭ３ 幅
ＬＭａ 幅
ＬＭｂ 幅
ＬＳ１ 幅
ＬＳ２ 幅
ＬＳ３ 幅
ＲＣ 半径
Ｗ 処理対象物
ｔ１ 幅
ｔ２ 幅
ｔ３ 幅
ｔ４ 幅 REFERENCE SIGNS LIST 10 Electrostatic chuck 100 Ceramic dielectric substrate 101 First main surface 102 Second main surface 111 Electrode layer 113 Convex portion 115 Groove 200 Heater portion 200C Central region 200Cp Outer peripheral end 200D Outer peripheral region 200p Outer peripheral end 210 Support plate 220 Insulating layer 231 First heater element 231a First sub-power feeder 231b Second sub-power feeder 231c Sub-heater line 232 Second heater element 232a First main power feeder 232b Second main power feeder 232c Main heater line 240 Second insulating layer 245 Third insulating layer 250 Bypass layer 251 Bypass portion 251a First sub-bypass portion 260 Insulating layer 270 Support plate 280 Linear portion 280c curved portion 280r straight portion 281c curved portion 281r straight portion 282c curved portion 282r straight portion 283r straight portion 300 base plate 301 communicating path 303 lower surface 321 inlet path 403 adhesive layer 410 upper electrode 500 wafer processing apparatus 501 processing vessel 502 processing gas inlet 503 exhaust port 504 high frequency power supply 510 upper electrode 600, 601 to 603 main zone 650 651 652 region between main zones 700 subzone 701 to 703 first region to third region 750 region between subzones 750c curved region 750r straight region 751c curved region 751r straight region 752c curved region 752r Straight line region 753r Straight line region 760 Overlapping region B1, B2 Region CT1, CT2 Center Dc Circumferential direction Dr Radial direction L280c Width L280r Width L750c Width L750r Width LM1 Width LM2 Width LM3 Width LMa Width LMb Width LS1 Width LS2 Width LS3 Width RC Radius W Processing object t1 Width t2 Width t3 Width t4 Width

Claims (7)

処理対象物を載置する第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、を有するセラミック誘電体基板と、
前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、
前記セラミック誘電体基板を加熱するヒータ部と、
を備え、
前記ヒータ部は、第１ヒータ層を含む少なくとも１つのヒータ層と、前記少なくとも１つのヒータ層への給電経路である第１バイパス部と、を有し、
前記第１ヒータ層は、複数の第１ゾーンを有し、
前記複数の第１ゾーンのそれぞれは、２つの第１給電部と、前記２つの第１給電部を電気的に接続する第１ヒータラインと、を有し、
前記複数の第１ゾーンの１つは、前記複数の第１ゾーンの別の１つと、第１ゾーン間領域を介して隣接し、
前記第１バイパス部は、前記第１主面に対して垂直なＺ方向において前記第１ゾーン間領域と重なり、前記第１ゾーン間領域に沿って延びる線状部分を有する、静電チャック。 a ceramic dielectric substrate having a first main surface on which an object to be processed is placed and a second main surface opposite to the first main surface;
a base plate supporting the ceramic dielectric substrate;
a heater portion for heating the ceramic dielectric substrate;
Equipped with
the heater section has at least one heater layer including a first heater layer, and a first bypass section which is a power supply path to the at least one heater layer,
the first heater layer has a plurality of first zones;
Each of the plurality of first zones includes two first power feeders and a first heater line electrically connecting the two first power feeders;
one of the plurality of first zones is adjacent to another of the plurality of first zones via a first inter-zone region;
the first bypass portion overlaps with the first inter-zone region in a Z direction perpendicular to the first main surface and has a linear portion extending along the first inter-zone region. 前記ヒータ部は、前記Ｚ方向に沿って見たときに、前記ヒータ部の中央に位置する中央領域と、前記中央領域よりも外側に位置し前記ヒータ部の外周端を含む外周領域と、を有し、
前記線状部分は、少なくとも前記外周領域に配置された前記第１ゾーン間領域と重なり、少なくとも前記外周領域に配置された前記第１ゾーン間領域に沿って延びる、請求項１に記載の静電チャック。 When viewed along the Z direction, the heater portion has a central region located at a center of the heater portion and an outer circumferential region located outside the central region and including an outer circumferential end of the heater portion,
2. The electrostatic chuck of claim 1, wherein the linear portion overlaps with at least the first inter-zone region disposed in the outer circumferential region and extends along at least the first inter-zone region disposed in the outer circumferential region. 平面視において、前記線状部分の幅は、前記第１ゾーン間領域の幅と同じ、または、前記第１ゾーン間領域の幅よりも狭い、請求項１または２に記載の静電チャック。 The electrostatic chuck according to claim 1 or 2, wherein, in a plan view, the width of the linear portion is the same as or narrower than the width of the first inter-zone region. 平面視において、前記線状部分の幅は、前記複数の第１ゾーンの１つにおける前記第１ヒータラインの一部と前記第１ヒータラインの別の一部との間の最小間隔よりも広い、請求項１または２に記載の静電チャック。 The electrostatic chuck according to claim 1 or 2, wherein, in a plan view, the width of the linear portion is greater than the minimum distance between a portion of the first heater line and another portion of the first heater line in one of the first zones. 平面視において、前記複数の第１ゾーンの１つにおける前記第１ヒータラインの幅は、前記第１ゾーン間領域の幅よりも狭い、請求項１または２に記載の静電チャック。 The electrostatic chuck according to claim 1 or 2, wherein, in a plan view, the width of the first heater line in one of the first zones is narrower than the width of the region between the first zones. 前記第１ヒータ層に含まれる前記複数の第１ゾーンの数は、５０以上である、請求項１または２に記載の静電チャック。 The electrostatic chuck of claim 1 or 2, wherein the number of the first zones included in the first heater layer is 50 or more. 前記ヒータ部は、複数の第２ゾーンを有する第２ヒータ層をさらに有し、
前記複数の第２ゾーンのそれぞれは、２つの第２給電部と、前記２つの第２給電部を電気的に接続する第２ヒータラインと、を有し、
前記複数の第２ゾーンの数は、前記複数の第１ゾーンの数よりも少なく、
前記複数の第２ゾーンの１つは、前記複数の第２ゾーンの別の１つと第２ゾーン間領域を介して隣接し、
前記第１ゾーン間領域は、前記Ｚ方向において前記第２ゾーン間領域と重なる重複領域を有し、
前記線状部分は、前記Ｚ方向において前記重複領域と重なる、請求項６に記載の静電チャック。 the heater portion further includes a second heater layer having a plurality of second zones;
Each of the second zones includes two second power feeders and a second heater line electrically connecting the two second power feeders;
the number of the second zones is less than the number of the first zones;
one of the plurality of second zones is adjacent to another of the plurality of second zones via an inter-second zone region;
the first inter-zone region has an overlap region that overlaps with the second inter-zone region in the Z direction;
The electrostatic chuck of claim 6 , wherein the linear portion overlaps with the overlap region in the Z direction.
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