JP2000305284A - アッシング装置 - Google Patents
アッシング装置Info
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- JP2000305284A JP2000305284A JP11111905A JP11190599A JP2000305284A JP 2000305284 A JP2000305284 A JP 2000305284A JP 11111905 A JP11111905 A JP 11111905A JP 11190599 A JP11190599 A JP 11190599A JP 2000305284 A JP2000305284 A JP 2000305284A
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体製品製造工程におけるバッチ式のレジ
ストアッシング処理において、アッシングレートのばら
つきを低減させることが可能なアッシング装置を提供す
る。 【解決手段】 トンネル型のアッシング処理室１と、ア
ッシング処理室１内に載置される複数のダミー基板２〜
５のそれぞれの温度を測定する温度測定器１０と、アッ
シング処理室１の壁に沿うように近接して設けられ、ア
ッシング処理室１の長手方向に複数に分割されたヒータ
ー１２〜１９と、前記測定されたそれぞれのダミー基板
２〜５の温度に基づいてアッシング処理室１内の温度ま
たはアッシング速度が均一になるように、前記分割され
たそれぞれのヒーター１２〜１９を温度制御するヒータ
ー制御装置１１を備えたものである。
ストアッシング処理において、アッシングレートのばら
つきを低減させることが可能なアッシング装置を提供す
る。 【解決手段】 トンネル型のアッシング処理室１と、ア
ッシング処理室１内に載置される複数のダミー基板２〜
５のそれぞれの温度を測定する温度測定器１０と、アッ
シング処理室１の壁に沿うように近接して設けられ、ア
ッシング処理室１の長手方向に複数に分割されたヒータ
ー１２〜１９と、前記測定されたそれぞれのダミー基板
２〜５の温度に基づいてアッシング処理室１内の温度ま
たはアッシング速度が均一になるように、前記分割され
たそれぞれのヒーター１２〜１９を温度制御するヒータ
ー制御装置１１を備えたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はアッシング装置、特
に、半導体製品製造工程におけるバッチ式のレジストア
ッシング処理をするにあたり、バッチ内の処理精度のば
らつきを最小限にするアッシング装置に関するものであ
る。
に、半導体製品製造工程におけるバッチ式のレジストア
ッシング処理をするにあたり、バッチ内の処理精度のば
らつきを最小限にするアッシング装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体製品などの製造工程において従来
から使用されているバッチ式のレジストアッシング処理
においては、アッシング処理装置の真空処理を行うアッ
シング処理室内の一部分の雰囲気温度を常に測定し、そ
れに基づいて温度制御装置がアッシング処理室左右に１
台ずつ設けられているヒーターを制御し、アッシング処
理室内の雰囲気温度を一定の温度に保つ構造になってお
り、以下、図面を参照しながら説明する。
から使用されているバッチ式のレジストアッシング処理
においては、アッシング処理装置の真空処理を行うアッ
シング処理室内の一部分の雰囲気温度を常に測定し、そ
れに基づいて温度制御装置がアッシング処理室左右に１
台ずつ設けられているヒーターを制御し、アッシング処
理室内の雰囲気温度を一定の温度に保つ構造になってお
り、以下、図面を参照しながら説明する。
【０００３】図３は従来のアッシング装置の一例を示す
概略図であり、図中、４６はアッシング装置の真空処理
を行うトンネル型のアッシング処理室で、通常円筒形の
トンネル型をしており、ガラス材などからなる。４７
は、このアッシング処理室４６内に半導体基板などを複
数枚設置し、例えば酸素プラズマを発生させてレジスト
アッシングを行っている最中に雰囲気温度を測定する熱
電対、４８は熱電対４７からの起電力を温度に換算する
温度測定器、４９は、熱電対４７で測定された温度を予
め設定された温度と比較し、ヒーター電力を調整して設
定温度になるように温度制御を行うヒーター制御装置、
５０および５１はヒーターで、アッシング処理室４６の
外側の一部を取り巻くように２つに分割され、ほぼ左右
対称に配置されているものである。そして半導体集積回
路等を形成した製品になるべき基板は半導体基板５３
で、両端と中央にはダミー基板５２がいずれも円筒形の
アッシング処理室４６の長手方向に対して直角にしかも
長手方向に並べて置かれ、このすべてで１バッチを形成
している。熱電対４７は主としてダミー基板５２付近の
温度を測定しているものである。
概略図であり、図中、４６はアッシング装置の真空処理
を行うトンネル型のアッシング処理室で、通常円筒形の
トンネル型をしており、ガラス材などからなる。４７
は、このアッシング処理室４６内に半導体基板などを複
数枚設置し、例えば酸素プラズマを発生させてレジスト
アッシングを行っている最中に雰囲気温度を測定する熱
電対、４８は熱電対４７からの起電力を温度に換算する
温度測定器、４９は、熱電対４７で測定された温度を予
め設定された温度と比較し、ヒーター電力を調整して設
定温度になるように温度制御を行うヒーター制御装置、
５０および５１はヒーターで、アッシング処理室４６の
外側の一部を取り巻くように２つに分割され、ほぼ左右
対称に配置されているものである。そして半導体集積回
路等を形成した製品になるべき基板は半導体基板５３
で、両端と中央にはダミー基板５２がいずれも円筒形の
アッシング処理室４６の長手方向に対して直角にしかも
長手方向に並べて置かれ、このすべてで１バッチを形成
している。熱電対４７は主としてダミー基板５２付近の
温度を測定しているものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのよう
なアッシング処理室の内部構成、特に、プラズマ発生時
の温度測定や温度制御のための構成では、アッシング処
理室内の半導体基板温度が１バッチ内の基板間でばらつ
き、レジストエッチング速度のようなレジストアッシン
グ処理精度が低下する等のアッシングレートにばらつき
が生じ、場合によっては半導体基板上のレジスト残渣等
の品質異常を発生させていた。また、アッシング処理室
内のダミー基板の温度を測定し、それに対応してヒータ
ー温度を制御しただけではアッシングレートのばらつき
を低減させるには至らない等、種々の問題点があった。
なアッシング処理室の内部構成、特に、プラズマ発生時
の温度測定や温度制御のための構成では、アッシング処
理室内の半導体基板温度が１バッチ内の基板間でばらつ
き、レジストエッチング速度のようなレジストアッシン
グ処理精度が低下する等のアッシングレートにばらつき
が生じ、場合によっては半導体基板上のレジスト残渣等
の品質異常を発生させていた。また、アッシング処理室
内のダミー基板の温度を測定し、それに対応してヒータ
ー温度を制御しただけではアッシングレートのばらつき
を低減させるには至らない等、種々の問題点があった。
【０００５】本発明は上記従来の問題点を解決したもの
であり、半導体製品製造工程におけるバッチ式のレジス
トアッシング処理において、アッシングレートのばらつ
きを低減させることが可能なアッシング装置を提供する
ことを目的とする。
であり、半導体製品製造工程におけるバッチ式のレジス
トアッシング処理において、アッシングレートのばらつ
きを低減させることが可能なアッシング装置を提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のアッシング装置
は、トンネル型のアッシング処理室と、前記アッシング
処理室内に載置される複数のダミー基板のそれぞれの温
度を測定する手段と、前記アッシング処理室の壁に沿う
ように近接して設けられ、前記アッシング処理室の長手
方向に複数に分割されたヒーターと、前記測定されたそ
れぞれのダミー基板の温度に基づいて前記アッシング処
理室内の温度またはアッシング速度が均一になるよう
に、前記分割されたそれぞれのヒーターを温度制御する
手段を備えたものである。
は、トンネル型のアッシング処理室と、前記アッシング
処理室内に載置される複数のダミー基板のそれぞれの温
度を測定する手段と、前記アッシング処理室の壁に沿う
ように近接して設けられ、前記アッシング処理室の長手
方向に複数に分割されたヒーターと、前記測定されたそ
れぞれのダミー基板の温度に基づいて前記アッシング処
理室内の温度またはアッシング速度が均一になるよう
に、前記分割されたそれぞれのヒーターを温度制御する
手段を備えたものである。
【０００７】この発明によれば、アッシングレートのば
らつきを低減させることができ、処理速度、再現性に優
れた半導体集積回路などの半導体製品の製造が容易とな
る。
らつきを低減させることができ、処理速度、再現性に優
れた半導体集積回路などの半導体製品の製造が容易とな
る。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下本発明の各実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。なお、前記従来のもの
および各実施の形態において同一部分は同一符号を用い
るものとする。
て図面を参照しながら説明する。なお、前記従来のもの
および各実施の形態において同一部分は同一符号を用い
るものとする。
【０００９】（実施の形態１）図１は本発明のアッシン
グ装置の実施の形態１における構成を示す概略図であ
る。図１において、１はアッシング装置の真空処理を行
うトンネル型のアッシング処理室であり、従来同様円筒
形のトンネル型でガラス材などから構成されている。２
〜５はダミー基板であり、これも従来のように本来の加
工をすべき半導体基板５３の配置の中でその両端と中央
に設置される。６〜９は感温部である熱電対でダミー基
板２〜５に対応して４個あり、それぞれの熱電対６〜９
の先端はそれぞれのダミー基板２〜５に接触している。
１０は温度測定器で熱電対６〜９のそれぞれの熱起電力
を温度信号に変換する機能を有する。１１はヒーター制
御装置で、特に酸素プラズマ等を発生させてアッシング
している途中で各ダミー基板位置での測定温度を設定温
度と比較し、それに基づきヒーター電力が設定温度にな
るように制御する。
グ装置の実施の形態１における構成を示す概略図であ
る。図１において、１はアッシング装置の真空処理を行
うトンネル型のアッシング処理室であり、従来同様円筒
形のトンネル型でガラス材などから構成されている。２
〜５はダミー基板であり、これも従来のように本来の加
工をすべき半導体基板５３の配置の中でその両端と中央
に設置される。６〜９は感温部である熱電対でダミー基
板２〜５に対応して４個あり、それぞれの熱電対６〜９
の先端はそれぞれのダミー基板２〜５に接触している。
１０は温度測定器で熱電対６〜９のそれぞれの熱起電力
を温度信号に変換する機能を有する。１１はヒーター制
御装置で、特に酸素プラズマ等を発生させてアッシング
している途中で各ダミー基板位置での測定温度を設定温
度と比較し、それに基づきヒーター電力が設定温度にな
るように制御する。
【００１０】１２〜１９はアッシング処理室１内部の特
に半導体基板５３、ダミー基板２〜５付近の温度を制御
するヒーターである。このヒーター１２〜１９は図１で
はその断面を示したものであるが、実際には例えばヒー
ター１２とヒーター１６はアッシング処理室１の左右に
対になって取り付けられ、しかもアッシング処理室１を
ほとんど取り囲むようになっていて、アッシング処理室
１のアッシング用ガス導入管や真空排気管が設けられて
いる箇所だけは設置されていない。この位置関係は、ヒ
ーター１３とヒーター１７、ヒーター１４とヒーター１
８、ヒーター１５とヒーター１９の対についても同様で
ある。このように本実施の形態ではヒーターは８個に分
割されている。なお、この円筒型のアッシング装置では
アッシング処理室１内でプラズマを発生させるために、
アッシング処理室１外部に高周波誘導コイルが巻かれる
が、そのコイルはヒーター１２〜１９の内側にある（図
示せず）。
に半導体基板５３、ダミー基板２〜５付近の温度を制御
するヒーターである。このヒーター１２〜１９は図１で
はその断面を示したものであるが、実際には例えばヒー
ター１２とヒーター１６はアッシング処理室１の左右に
対になって取り付けられ、しかもアッシング処理室１を
ほとんど取り囲むようになっていて、アッシング処理室
１のアッシング用ガス導入管や真空排気管が設けられて
いる箇所だけは設置されていない。この位置関係は、ヒ
ーター１３とヒーター１７、ヒーター１４とヒーター１
８、ヒーター１５とヒーター１９の対についても同様で
ある。このように本実施の形態ではヒーターは８個に分
割されている。なお、この円筒型のアッシング装置では
アッシング処理室１内でプラズマを発生させるために、
アッシング処理室１外部に高周波誘導コイルが巻かれる
が、そのコイルはヒーター１２〜１９の内側にある（図
示せず）。
【００１１】次に図１を用いてその動作を説明する。ま
ず、酸素プラズマを発生させ、レジストアッシングが開
始されると同時にアッシング処理室１内のダミー基板２
〜５の温度を、これらに取り付けられた熱電対６〜９に
よって測定し、測定されたそれぞれのダミー基板２〜５
の温度に対応する熱起電力は温度測定器１０に入力さ
れ、温度に対応した電気信号に変換される。この信号は
温度測定器１０からヒーター制御装置１１に送信される
が、ここで各ダミー基板２〜５のそれぞれの温度と設定
温度とが比較され、それに対応したヒーター電力制御信
号が各ヒーター１２〜１９に送られる。すなわち、ダミ
ー基板２〜５の温度が設定温度より低ければヒーター投
入電力を増加させる信号が与えられ、高ければその反対
の信号が与えられる。このようにしてダミー基板２〜５
およびその付近の温度が一定に制御されるので、その間
に置かれた本来の製品となるべき半導体基板５３もほぼ
設定温度となり、全体としてアッシング処理室１の内部
温度が制御されるのである。
ず、酸素プラズマを発生させ、レジストアッシングが開
始されると同時にアッシング処理室１内のダミー基板２
〜５の温度を、これらに取り付けられた熱電対６〜９に
よって測定し、測定されたそれぞれのダミー基板２〜５
の温度に対応する熱起電力は温度測定器１０に入力さ
れ、温度に対応した電気信号に変換される。この信号は
温度測定器１０からヒーター制御装置１１に送信される
が、ここで各ダミー基板２〜５のそれぞれの温度と設定
温度とが比較され、それに対応したヒーター電力制御信
号が各ヒーター１２〜１９に送られる。すなわち、ダミ
ー基板２〜５の温度が設定温度より低ければヒーター投
入電力を増加させる信号が与えられ、高ければその反対
の信号が与えられる。このようにしてダミー基板２〜５
およびその付近の温度が一定に制御されるので、その間
に置かれた本来の製品となるべき半導体基板５３もほぼ
設定温度となり、全体としてアッシング処理室１の内部
温度が制御されるのである。
【００１２】以上のように本実施の形態によれば、複数
の熱電対によりダミー基板それぞれの温度を直接測定で
き、また、温度を制御するヒーターを８個に分割したの
で部分的により精密に温度調節できるようになる。した
がって従来のアッシング装置の構成と比較して、アッシ
ング中の温度が非常に均一となってアッシングレートの
ばらつきが低減され、アッシング処理室内に設置された
１バッチの半導体基板全体でレジストエッチング速度が
一定となるからレジスト残渣等の品質異常の発生も防止
することができる。
の熱電対によりダミー基板それぞれの温度を直接測定で
き、また、温度を制御するヒーターを８個に分割したの
で部分的により精密に温度調節できるようになる。した
がって従来のアッシング装置の構成と比較して、アッシ
ング中の温度が非常に均一となってアッシングレートの
ばらつきが低減され、アッシング処理室内に設置された
１バッチの半導体基板全体でレジストエッチング速度が
一定となるからレジスト残渣等の品質異常の発生も防止
することができる。
【００１３】（実施の形態２）図２は本発明のアッシン
グ装置の実施の形態２における構成を示す概略図であ
り、アッシング装置を横から見た図を示している。図２
において、２０はアッシング装置の真空処理を行う円筒
形のアッシング処理室、２１〜２４はダミー基板、２５
〜２８は感温部である熱電対、２９〜３２は真空継ぎ
手、３３〜３６は駆動シリンダーである。この駆動シリ
ンダー３３〜３６の先端には熱電対２５〜２８が接続さ
れ、それぞれ真空継ぎ手２９〜３２を通して外部大気圧
雰囲気からアッシング処理室２０内部の減圧雰囲気へ上
下運動を伝達できるようになっている。３７は基板収納
絶縁ボート位置決め部、３８は基板収納絶縁ボート設置
部、３９は基板収納絶縁ボートでダミー基板２１〜２
４、半導体製品を形成すべき半導体基板５３をアッシン
グ処理中固定する。
グ装置の実施の形態２における構成を示す概略図であ
り、アッシング装置を横から見た図を示している。図２
において、２０はアッシング装置の真空処理を行う円筒
形のアッシング処理室、２１〜２４はダミー基板、２５
〜２８は感温部である熱電対、２９〜３２は真空継ぎ
手、３３〜３６は駆動シリンダーである。この駆動シリ
ンダー３３〜３６の先端には熱電対２５〜２８が接続さ
れ、それぞれ真空継ぎ手２９〜３２を通して外部大気圧
雰囲気からアッシング処理室２０内部の減圧雰囲気へ上
下運動を伝達できるようになっている。３７は基板収納
絶縁ボート位置決め部、３８は基板収納絶縁ボート設置
部、３９は基板収納絶縁ボートでダミー基板２１〜２
４、半導体製品を形成すべき半導体基板５３をアッシン
グ処理中固定する。
【００１４】４０は温度測定器であり、熱電対２５〜２
８で測定された熱起電力を温度に対応する信号に変換す
る。４１はヒーター制御装置で、温度測定器４０の信号
に基づいて予め設定された温度になるようにヒーターに
信号を送る役目をする。４２〜４５はアッシング処理室
２０内部の温度を制御するヒーターである。ヒーター４
２〜４５は、他の部分例えば半導体基板５３や基板収納
絶縁ボート３９などを明示するためにそれらのごく一部
分のみを表示しているものである。したがってヒーター
４２〜４５は実際にはアッシング処理室２０の外側の左
右にそれぞれ４個、合計８個に分割して設けられ、図２
ではそのうちの４個が見えているのである。さらにヒー
ター４２〜４５は、アッシング処理室２０から外部に突
き出たアッシングガス導入ライン、ガス排気ライン（共
に図示せず）の部分を避けてできる限りアッシング処理
室２０を取り囲むように設けられている。
８で測定された熱起電力を温度に対応する信号に変換す
る。４１はヒーター制御装置で、温度測定器４０の信号
に基づいて予め設定された温度になるようにヒーターに
信号を送る役目をする。４２〜４５はアッシング処理室
２０内部の温度を制御するヒーターである。ヒーター４
２〜４５は、他の部分例えば半導体基板５３や基板収納
絶縁ボート３９などを明示するためにそれらのごく一部
分のみを表示しているものである。したがってヒーター
４２〜４５は実際にはアッシング処理室２０の外側の左
右にそれぞれ４個、合計８個に分割して設けられ、図２
ではそのうちの４個が見えているのである。さらにヒー
ター４２〜４５は、アッシング処理室２０から外部に突
き出たアッシングガス導入ライン、ガス排気ライン（共
に図示せず）の部分を避けてできる限りアッシング処理
室２０を取り囲むように設けられている。
【００１５】次にその動作を説明する。まずアッシング
処理室２０内に基板収納絶縁ボート３９に収納された基
板が設置される際、基板収納絶縁ボート３９の下部にあ
る基板収納絶縁ボート位置決め部３７が基板収納絶縁ボ
ート設置部３８に設けられた場所に設置される。その
後、アッシング処理室２０内と大気とを遮断する真空継
ぎ手２９〜３２によって真空を保持されたアッシング処
理室２０内部の熱電対２５〜２８が、駆動シリンダー３
３〜３６によって上方に移動し、ダミー基板２１〜２４
の裏面に接触する。
処理室２０内に基板収納絶縁ボート３９に収納された基
板が設置される際、基板収納絶縁ボート３９の下部にあ
る基板収納絶縁ボート位置決め部３７が基板収納絶縁ボ
ート設置部３８に設けられた場所に設置される。その
後、アッシング処理室２０内と大気とを遮断する真空継
ぎ手２９〜３２によって真空を保持されたアッシング処
理室２０内部の熱電対２５〜２８が、駆動シリンダー３
３〜３６によって上方に移動し、ダミー基板２１〜２４
の裏面に接触する。
【００１６】そしてアッシング処理するための酸素プラ
ズマ発生後、ダミー基板２１〜２４の温度を測定し、熱
電対２５〜２８のそれぞれの測定されたダミー基板２１
〜２４の温度に対応する熱起電力は温度測定器４０で電
気信号に変換され、ヒーター制御装置４１に送信され
る。ダミー基板２１〜２４の温度を均一に制御するため
に、ヒーター制御装置４１は予め設定された温度と各熱
電対２５〜２８で測定された温度とを比較し、ヒーター
４２〜４５を制御し、アッシング処理室２０内部の１バ
ッチ内の基板温度を常に均一に保つ。その理由は前記実
施の形態１の場合と同様である。
ズマ発生後、ダミー基板２１〜２４の温度を測定し、熱
電対２５〜２８のそれぞれの測定されたダミー基板２１
〜２４の温度に対応する熱起電力は温度測定器４０で電
気信号に変換され、ヒーター制御装置４１に送信され
る。ダミー基板２１〜２４の温度を均一に制御するため
に、ヒーター制御装置４１は予め設定された温度と各熱
電対２５〜２８で測定された温度とを比較し、ヒーター
４２〜４５を制御し、アッシング処理室２０内部の１バ
ッチ内の基板温度を常に均一に保つ。その理由は前記実
施の形態１の場合と同様である。
【００１７】以上のように本実施の形態によれば、複数
の熱電対によりダミー基板それぞれの温度を直接測定で
き、また、温度を制御するヒーターを８個に分割したの
で部分的により精密に温度調節できるは勿論、さらに熱
電対が、ダミー基板の温度を測定しなければならないと
きのみ基板裏面に接触するので、半導体基板やダミー基
板の真空処理室内部への設置が簡単になるという利点が
ある。
の熱電対によりダミー基板それぞれの温度を直接測定で
き、また、温度を制御するヒーターを８個に分割したの
で部分的により精密に温度調節できるは勿論、さらに熱
電対が、ダミー基板の温度を測定しなければならないと
きのみ基板裏面に接触するので、半導体基板やダミー基
板の真空処理室内部への設置が簡単になるという利点が
ある。
【００１８】以上の各実施の形態においては、アッシン
グ処理室全体にわたって少なくともプラズマが発生して
いる間の基板温度を一定にすることに主眼をおいている
が、現実には円筒形のアッシング処理室の両端と中央で
プラズマ密度やプラズマ電力の不均一が存在することが
あり、このような場合にもアッシング速度に不均一が生
じる可能性がある。
グ処理室全体にわたって少なくともプラズマが発生して
いる間の基板温度を一定にすることに主眼をおいている
が、現実には円筒形のアッシング処理室の両端と中央で
プラズマ密度やプラズマ電力の不均一が存在することが
あり、このような場合にもアッシング速度に不均一が生
じる可能性がある。
【００１９】本発明はこのようなときにも有効であり、
アッシング処理室全体にわたってアッシング速度が均一
になるように各部の温度を調整することによってアッシ
ング速度の均一化を達成することができる。ただし、こ
のときはアッシング速度を均一にするのであるからアッ
シング処理室の各部によって温度が異なるように調整さ
れることはいうまでもない。さらに本発明はアッシング
装置だけでなく、処理条件の半導体基板５３バッチ内で
の不均一性を有する他の装置、例えば炉やＣＶＤ装置に
対しても必要ならば応用可能である。
アッシング処理室全体にわたってアッシング速度が均一
になるように各部の温度を調整することによってアッシ
ング速度の均一化を達成することができる。ただし、こ
のときはアッシング速度を均一にするのであるからアッ
シング処理室の各部によって温度が異なるように調整さ
れることはいうまでもない。さらに本発明はアッシング
装置だけでなく、処理条件の半導体基板５３バッチ内で
の不均一性を有する他の装置、例えば炉やＣＶＤ装置に
対しても必要ならば応用可能である。
【００２０】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、アッシン
グレートのばらつきを低減させることができ、処理速
度、再現性に優れた半導体集積回路などの半導体製品の
製造が容易になるという有利な効果が得られる。
グレートのばらつきを低減させることができ、処理速
度、再現性に優れた半導体集積回路などの半導体製品の
製造が容易になるという有利な効果が得られる。
【図１】本発明のアッシング装置の実施の形態１におけ
る構成を示す概略図
る構成を示す概略図
【図２】本発明のアッシング装置の実施の形態２におけ
る構成を示す概略図
る構成を示す概略図
【図３】従来のアッシング装置の一例を示す概略図
１ アッシング処理室 ２〜５ ダミー基板 ６〜９ 熱電対 １０ 温度測定器 １１ ヒーター制御装置 １２〜１９ ヒーター ５３ 半導体基板
Claims (3)
- 【請求項１】 トンネル型のアッシング処理室と、前記
アッシング処理室内に載置される複数のダミー基板のそ
れぞれの温度を測定する手段と、前記アッシング処理室
の壁に沿うように近接して設けられ、前記アッシング処
理室の長手方向に複数に分割されたヒーターと、前記測
定されたそれぞれのダミー基板の温度に基づいて前記ア
ッシング処理室内の温度が均一になるように、前記分割
されたそれぞれのヒーターを温度制御する手段を備えた
ことを特徴とするアッシング装置。 - 【請求項２】 トンネル型のアッシング処理室と、前記
アッシング処理室内に載置される複数のダミー基板のそ
れぞれの温度を測定する手段と、前記アッシング処理室
の壁に沿うように近接して設けられ、前記アッシング処
理室の長手方向に複数に分割されたヒーターと、前記測
定されたそれぞれのダミー基板の温度に基づいて前記ア
ッシング処理室内のアッシング速度が均一になるよう
に、前記分割されたそれぞれのヒーターを温度制御する
手段を備えたことを特徴とするアッシング装置。 - 【請求項３】 複数のダミー基板のそれぞれの温度を測
定する手段は、その感温部を前記複数のダミー基板のそ
れぞれの温度を測定する時に、前記アッシング処理室の
外部から前記それぞれのダミー基板に接触させる機構を
有することを特徴とする請求項１または請求項２記載の
アッシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11111905A JP2000305284A (ja) | 1999-04-20 | 1999-04-20 | アッシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11111905A JP2000305284A (ja) | 1999-04-20 | 1999-04-20 | アッシング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000305284A true JP2000305284A (ja) | 2000-11-02 |
Family
ID=14573075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11111905A Pending JP2000305284A (ja) | 1999-04-20 | 1999-04-20 | アッシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000305284A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015015315A (ja) * | 2013-07-03 | 2015-01-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び制御装置 |
-
1999
- 1999-04-20 JP JP11111905A patent/JP2000305284A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015015315A (ja) * | 2013-07-03 | 2015-01-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び制御装置 |
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