JP3249911B2 - 温度測定装置、処理装置及び処理方法 - Google Patents
温度測定装置、処理装置及び処理方法Info
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- JP3249911B2 JP3249911B2 JP01846496A JP1846496A JP3249911B2 JP 3249911 B2 JP3249911 B2 JP 3249911B2 JP 01846496 A JP01846496 A JP 01846496A JP 1846496 A JP1846496 A JP 1846496A JP 3249911 B2 JP3249911 B2 JP 3249911B2
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、被処理基板を載置
する載置部材上で、被処理基板の面内温度をいわば模擬
的に測定するために用いる温度測定装置、当該温度測定
装置を用いるのに適した処理装置、及び前記温度測定装
置を用いて被処理基板に対して処理を行うための処理方
法に関するものである。
する載置部材上で、被処理基板の面内温度をいわば模擬
的に測定するために用いる温度測定装置、当該温度測定
装置を用いるのに適した処理装置、及び前記温度測定装
置を用いて被処理基板に対して処理を行うための処理方
法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスの製造プロセスにおいて
は、デバイスが形成される半導体ウエハ(以下、「ウエ
ハ」という)を加熱する処理が行われる。例えばレジス
ト液塗布後の乾燥のための加熱処理をはじめとして、露
光後の加熱処理(ポストエスクポージャベーキング)、
さらにはウエハ表面に所定の薄膜を形成する際のCVD
処理においては、ウエハWを載置する載置台に加熱装置
を設け、この加熱装置によって載置台上のウエハを所定
温度まで加熱する処理が行われている。この場合、歩留
まり向上のために、前記加熱によるウエハの面内温度は
なるべく均一にさせる必要がある。
は、デバイスが形成される半導体ウエハ(以下、「ウエ
ハ」という)を加熱する処理が行われる。例えばレジス
ト液塗布後の乾燥のための加熱処理をはじめとして、露
光後の加熱処理(ポストエスクポージャベーキング)、
さらにはウエハ表面に所定の薄膜を形成する際のCVD
処理においては、ウエハWを載置する載置台に加熱装置
を設け、この加熱装置によって載置台上のウエハを所定
温度まで加熱する処理が行われている。この場合、歩留
まり向上のために、前記加熱によるウエハの面内温度は
なるべく均一にさせる必要がある。
【0003】従って、載置台上に載置されるウエハの温
度分布を事前に測定して載置台上での温度特性を把握
し、その結果に基づいて適宜補正して、載置台上のウエ
ハを均一に加熱することが重要である。このような温度
分布の測定は、前記加熱処理みならず、他の処理プロセ
ス、例えばエッチング処理においても有益である。
度分布を事前に測定して載置台上での温度特性を把握
し、その結果に基づいて適宜補正して、載置台上のウエ
ハを均一に加熱することが重要である。このような温度
分布の測定は、前記加熱処理みならず、他の処理プロセ
ス、例えばエッチング処理においても有益である。
【0004】そして従来そのような載置台上のウエハの
温度分布を測定するにあたり、例えば図11に示したよ
うな温度測定用ウエハを用いて、より実際の処理に近づ
けた状態で、いわば模擬的に測定するようにしていた。
この温度測定用ウエハ101は、例えばシリコンなどの
基板102上に、温度検出用の熱電対103を接着剤等
で固定し、これら各熱電対103からの信号は、接着剤
等で基板102に貼りつけたケーブル104を介して引
き出すようにしていた。そして計器自体は、処理室の外
部に設置されているので、前記ケーブル104は処理室
を構成するチャンバの例えば蓋体を開放して、当該計器
に接続するようにしていた。
温度分布を測定するにあたり、例えば図11に示したよ
うな温度測定用ウエハを用いて、より実際の処理に近づ
けた状態で、いわば模擬的に測定するようにしていた。
この温度測定用ウエハ101は、例えばシリコンなどの
基板102上に、温度検出用の熱電対103を接着剤等
で固定し、これら各熱電対103からの信号は、接着剤
等で基板102に貼りつけたケーブル104を介して引
き出すようにしていた。そして計器自体は、処理室の外
部に設置されているので、前記ケーブル104は処理室
を構成するチャンバの例えば蓋体を開放して、当該計器
に接続するようにしていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらそのよう
に基板102上に熱電対103を接着剤で固定した構成
では、接着剤の外れ、接着状態による温度のばらつきが
あり、正確な温度測定に支障が生ずるおそれがあった。
また接着剤の剥がれにより、処理室内が汚染されるおそ
れもあった。またケーブルによって引き出すので、温度
測定の際には、例えばチャンバの蓋体全体を取り外して
設置する必要があり、面倒であった。しかも例えばプラ
ズマCVD装置のように、処理室内にプラズマを発生す
る装置では、熱電対やケーブルがプラズマによってスパ
ッタされるので、従来のこの種の温度測定用ウエハは、
処理室内にプラズマを発生させる環境では、温度測定が
不可能であった。
に基板102上に熱電対103を接着剤で固定した構成
では、接着剤の外れ、接着状態による温度のばらつきが
あり、正確な温度測定に支障が生ずるおそれがあった。
また接着剤の剥がれにより、処理室内が汚染されるおそ
れもあった。またケーブルによって引き出すので、温度
測定の際には、例えばチャンバの蓋体全体を取り外して
設置する必要があり、面倒であった。しかも例えばプラ
ズマCVD装置のように、処理室内にプラズマを発生す
る装置では、熱電対やケーブルがプラズマによってスパ
ッタされるので、従来のこの種の温度測定用ウエハは、
処理室内にプラズマを発生させる環境では、温度測定が
不可能であった。
【0006】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、その目的は、接着剤を使用せずに、温度検出部や
当該温度検出部からの信号伝達部を基板上に形成した、
温度測定装置を提供することを目的とするものである。
また本発明は、信号伝達部からの信号を外部の計器に伝
達するための従来のケーブルを不要とする、いわゆるケ
ーブルレスの温度測定装置を提供することもその目的と
するものである。さらに本発明の目的は、前記ケーブル
レスの温度測定装置を容易に使用できる処理装置を提供
することにもある。
あり、その目的は、接着剤を使用せずに、温度検出部や
当該温度検出部からの信号伝達部を基板上に形成した、
温度測定装置を提供することを目的とするものである。
また本発明は、信号伝達部からの信号を外部の計器に伝
達するための従来のケーブルを不要とする、いわゆるケ
ーブルレスの温度測定装置を提供することもその目的と
するものである。さらに本発明の目的は、前記ケーブル
レスの温度測定装置を容易に使用できる処理装置を提供
することにもある。
【0007】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
請求項1の温度測定装置は、被処理基板が載置される部
材上で、被処理基板の面内温度を模擬的に測定するため
に用いる装置であって、温度検出部と、この温度検出部
からの信号を端子部へと伝達する信号伝達部が、各々被
処理基板と同一材質の基板にパターン形成され、前記端
子部は、この基板の表面側から裏面側に形成された導通
貫通部を有し,かつ基板の裏面と同一平面をなすように
成形されていることを特徴としている。
請求項1の温度測定装置は、被処理基板が載置される部
材上で、被処理基板の面内温度を模擬的に測定するため
に用いる装置であって、温度検出部と、この温度検出部
からの信号を端子部へと伝達する信号伝達部が、各々被
処理基板と同一材質の基板にパターン形成され、前記端
子部は、この基板の表面側から裏面側に形成された導通
貫通部を有し,かつ基板の裏面と同一平面をなすように
成形されていることを特徴としている。
【0008】基板の材質としては、被処理基板となるウ
エハやLCD基板と同一の材質が好ましい。例えばシリ
コンや石英ガラスを用いることができる。また温度検出
部や信号伝達部を基板上にパターン形成するには、ウエ
ハやLCD基板の表面に半導体デバイスを形成する技
術、例えばCVD処理やエッチング処理などを用いて所
定の温度検出部、信号伝達部を形成することができる。
その他、プリント基板として形成してもよい。このよう
に接着剤を使用せず、温度検出部や信号伝達部を基板上
にパターン形成するため、温度検出部や信号伝達部の基
板上での形成状態は一様であり、従来のような接着剤の
外れ、接着状態による温度のばらつき、接着剤の剥がれ
による、処理室内の汚染の心配はない。
エハやLCD基板と同一の材質が好ましい。例えばシリ
コンや石英ガラスを用いることができる。また温度検出
部や信号伝達部を基板上にパターン形成するには、ウエ
ハやLCD基板の表面に半導体デバイスを形成する技
術、例えばCVD処理やエッチング処理などを用いて所
定の温度検出部、信号伝達部を形成することができる。
その他、プリント基板として形成してもよい。このよう
に接着剤を使用せず、温度検出部や信号伝達部を基板上
にパターン形成するため、温度検出部や信号伝達部の基
板上での形成状態は一様であり、従来のような接着剤の
外れ、接着状態による温度のばらつき、接着剤の剥がれ
による、処理室内の汚染の心配はない。
【0009】そして外部の計器に接続するための端子部
は基板の周縁部に形成されて、いわば集中しているの
で、ケーブルによって外部計器(例えば温度測定に用い
る各種測定機器)に引き出す際も、ケーブルは必要最小
限の長さで済む。
は基板の周縁部に形成されて、いわば集中しているの
で、ケーブルによって外部計器(例えば温度測定に用い
る各種測定機器)に引き出す際も、ケーブルは必要最小
限の長さで済む。
【0010】このような構成をとることにより、例えば
載置台に当該端子部と接触自在な導電性のピン等を設け
ることにより、端子部からの信号は当該ピン等を介し
て、載置台が収容されている処理室の外部へと導出させ
ることができる。従って、従来のような信号伝達のため
のケーブルは不要になり、処理空間内にケーブルが曝さ
れることはない。
載置台に当該端子部と接触自在な導電性のピン等を設け
ることにより、端子部からの信号は当該ピン等を介し
て、載置台が収容されている処理室の外部へと導出させ
ることができる。従って、従来のような信号伝達のため
のケーブルは不要になり、処理空間内にケーブルが曝さ
れることはない。
【0011】請求項2においては、基板の歪みを測定す
る歪測定部が、基板にパターン形成されているので、温
度測定と同時に、基板の反り等を測定することができ
る。これによって、被処理基板に対して処理する場合の
熱の影響による反り等を事前に知ることが可能になる。
基板の歪みを測定する歪測定部の例としては、例えば圧
力センサに使用されているような、素子の歪みによる抵
抗の変化によって圧力や変位を測定する素子、例えばス
トレン・ゲージを用いることができる。しかも金属スト
レンゲージのみならず、ゲージ率の高い半導体ストレン
・ゲージを用いればさらに精度の高い歪み測定が可能で
ある。
る歪測定部が、基板にパターン形成されているので、温
度測定と同時に、基板の反り等を測定することができ
る。これによって、被処理基板に対して処理する場合の
熱の影響による反り等を事前に知ることが可能になる。
基板の歪みを測定する歪測定部の例としては、例えば圧
力センサに使用されているような、素子の歪みによる抵
抗の変化によって圧力や変位を測定する素子、例えばス
トレン・ゲージを用いることができる。しかも金属スト
レンゲージのみならず、ゲージ率の高い半導体ストレン
・ゲージを用いればさらに精度の高い歪み測定が可能で
ある。
【0012】また半導体ストレン・ゲージは、フォトエ
ッチング等、半導体デバイスのプロセスを経て製作する
ことができるので、基板に歪測定部をパターン形成する
ことが容易であり、歪測定部からの信号伝達部(例えば
リード)も同時に基板にパターン形成することができ
る。
ッチング等、半導体デバイスのプロセスを経て製作する
ことができるので、基板に歪測定部をパターン形成する
ことが容易であり、歪測定部からの信号伝達部(例えば
リード)も同時に基板にパターン形成することができ
る。
【0013】請求項3においては、基板表面に露出した
前記記検出部や信号伝達部は、接地される導電性の被膜
で被覆され、さらに当該導電性の被膜の表面が絶縁被膜
で覆われているので、検出部や信号伝達部が外乱、例え
ばノイズの影響を受けて測定精度が低下することを防止
することができる。しかも導電性の被膜の表面はさらに
絶縁被膜で覆われているから、例えばプラズマ処理装置
内の載置台で使用することも可能である。従って、プラ
ズマ雰囲気中での測定も可能になる。これによって被処
理基板上のプラズマ分布(熱分布)を事前に知ることが
でき、予め分布の不均一を例えば排気手段の調整により
是正することができる。
前記記検出部や信号伝達部は、接地される導電性の被膜
で被覆され、さらに当該導電性の被膜の表面が絶縁被膜
で覆われているので、検出部や信号伝達部が外乱、例え
ばノイズの影響を受けて測定精度が低下することを防止
することができる。しかも導電性の被膜の表面はさらに
絶縁被膜で覆われているから、例えばプラズマ処理装置
内の載置台で使用することも可能である。従って、プラ
ズマ雰囲気中での測定も可能になる。これによって被処
理基板上のプラズマ分布(熱分布)を事前に知ることが
でき、予め分布の不均一を例えば排気手段の調整により
是正することができる。
【0014】本発明の処理装置は、被処理基板を載置す
る載置台を有する処理装置であって,前記載置台の上面
に複数設けられて前記被処理基板の下面を直接支持する
部材を有し,前記部材のうちいずれかは,この部材上に
載置される薄板形状の温度測定装置の裏面に形成された
端子部と接触自在な、導電性の接触部材であることを特
徴としている。 したがって、例えば請求項1に記載した
ような、基板の裏面側に端子部を有する温度測定装置を
そのまま使用することが可能になり、処理装置内におい
てケーブルレスの信号伝達経路を実現できる。
る載置台を有する処理装置であって,前記載置台の上面
に複数設けられて前記被処理基板の下面を直接支持する
部材を有し,前記部材のうちいずれかは,この部材上に
載置される薄板形状の温度測定装置の裏面に形成された
端子部と接触自在な、導電性の接触部材であることを特
徴としている。 したがって、例えば請求項1に記載した
ような、基板の裏面側に端子部を有する温度測定装置を
そのまま使用することが可能になり、処理装置内におい
てケーブルレスの信号伝達経路を実現できる。
【0015】本発明の処理方法は、処理装置において被
処理基板に対して処理を施す方法であって、この処理に
先立って、予め前記した請求項1〜3のいずれかに記載
の温度測定装置を用いて測定された処理装置内での温度
データに基づいて、前記処理装置における温度調整機構
を制御することを特徴とする。
処理基板に対して処理を施す方法であって、この処理に
先立って、予め前記した請求項1〜3のいずれかに記載
の温度測定装置を用いて測定された処理装置内での温度
データに基づいて、前記処理装置における温度調整機構
を制御することを特徴とする。
【0016】かかる処理方法によれば、既述した極めて
正確な温度データに基づいて所定の処理を実行すること
ができる。
正確な温度データに基づいて所定の処理を実行すること
ができる。
【0017】また本発明の他の処理方法は、処理装置に
おいて被処理基板に対して処理を施す方法であって、前
記処理に先立って、被処理基板を処理装置に搬入する前
段階において、請求項1に記載の温度測定装置を用いて
測定する工程と、被処理基板を処理装置に搬入した後に
この処理装置内において、請求項1に記載の温度測定装
置を用いて測定する工程とを有し、これら2つの工程に
よって得られた各温度データに基づいて、前記前段階に
おける温度調整機構を調整することを特徴とするもので
ある。
おいて被処理基板に対して処理を施す方法であって、前
記処理に先立って、被処理基板を処理装置に搬入する前
段階において、請求項1に記載の温度測定装置を用いて
測定する工程と、被処理基板を処理装置に搬入した後に
この処理装置内において、請求項1に記載の温度測定装
置を用いて測定する工程とを有し、これら2つの工程に
よって得られた各温度データに基づいて、前記前段階に
おける温度調整機構を調整することを特徴とするもので
ある。
【0018】ここにいう前段階とは、例えば処理装置に
接続されている真空予備室(ロードロックチャンバ)
や、被処理基板を処理装置へ搬入する搬送アームなどを
いう。既述した請求項2の温度測定装置は、いわゆるケ
ーブルレスタイプであるから、通常の被処理基板と同様
にしてこれを搬送、搬入することができる。従って、例
えば前段階において予備加熱するプロセスの場合、予備
加熱状態で待機していた被処理基板を処理装置内に搬入
した際、温度が低下し、処理装置内で再び加熱する必要
があるとき、予め前段階から処理装置に至るまでの温度
変化を測定して、低下の分を見越して予備加熱を余分に
行い、処理装置でのスループットを向上させることがで
きる。
接続されている真空予備室(ロードロックチャンバ)
や、被処理基板を処理装置へ搬入する搬送アームなどを
いう。既述した請求項2の温度測定装置は、いわゆるケ
ーブルレスタイプであるから、通常の被処理基板と同様
にしてこれを搬送、搬入することができる。従って、例
えば前段階において予備加熱するプロセスの場合、予備
加熱状態で待機していた被処理基板を処理装置内に搬入
した際、温度が低下し、処理装置内で再び加熱する必要
があるとき、予め前段階から処理装置に至るまでの温度
変化を測定して、低下の分を見越して予備加熱を余分に
行い、処理装置でのスループットを向上させることがで
きる。
【0019】以上の各処理方法における温度調整機構
は、加熱手段(例えば抵抗加熱線、セラミックヒータ、
ランプなどの加熱装置)、排気手段(例えば処理装置内
のガスを排気するターボ分子ポンプ、真空ポンプなどの
排気装置)、冷却手段(例えば載置台内に内蔵されてい
る循環冷却路や冷却ジャケット、被処理基板の裏面に供
給されるバッククーリングガス供給装置)、被処理基板
を保持する保持手段(例えば載置台上に被処理基板を保
持する静電チャック機構やメカクランプ機構)の中から
選択される、1又は2以上の組み合わせであってもよ
い。これら各手段の調整によって被処理基板の温度は変
化するからである。さらにまた本発明によれば,基板に
対して予備加熱を行う予備加熱装置と,基板に対して熱
処理を伴う処理を施す処理装置とを有する処理システム
において,前記予備加熱装置において基板の温度分布を
測定する工程と,前記処理装置において基板の温度分布
を測定する工程とを有し,前記2つの温度分布に基づい
て,予備加熱室での予備加熱を行うと共に,前記予備加
熱装置及び処理装置の載置台には,請求項1記載の温度
測定装置の端子部と接触自在な端子部が設けられ,前記
各温度分布の測定にあたっては,請求項1記載の温度測
定装置を用いるようにした処理方法が提供される。かか
る場合,前記予備加熱室から処理装置に至るまでの過程
での前記温度測定装置の温度の減衰状況に基づいて,前
記予備加熱装置での予備加熱を行うようにしてもよい。
これによって,予備加熱装置での加熱の際に予め減衰部
分を見越してその分余計に加熱することが正確に行え,
処理装置に基板を搬入したときは,直ちに所定の処理を
行うことが可能になり,加熱までの時間を減じてスルー
プットを向上させることができる。
は、加熱手段(例えば抵抗加熱線、セラミックヒータ、
ランプなどの加熱装置)、排気手段(例えば処理装置内
のガスを排気するターボ分子ポンプ、真空ポンプなどの
排気装置)、冷却手段(例えば載置台内に内蔵されてい
る循環冷却路や冷却ジャケット、被処理基板の裏面に供
給されるバッククーリングガス供給装置)、被処理基板
を保持する保持手段(例えば載置台上に被処理基板を保
持する静電チャック機構やメカクランプ機構)の中から
選択される、1又は2以上の組み合わせであってもよ
い。これら各手段の調整によって被処理基板の温度は変
化するからである。さらにまた本発明によれば,基板に
対して予備加熱を行う予備加熱装置と,基板に対して熱
処理を伴う処理を施す処理装置とを有する処理システム
において,前記予備加熱装置において基板の温度分布を
測定する工程と,前記処理装置において基板の温度分布
を測定する工程とを有し,前記2つの温度分布に基づい
て,予備加熱室での予備加熱を行うと共に,前記予備加
熱装置及び処理装置の載置台には,請求項1記載の温度
測定装置の端子部と接触自在な端子部が設けられ,前記
各温度分布の測定にあたっては,請求項1記載の温度測
定装置を用いるようにした処理方法が提供される。かか
る場合,前記予備加熱室から処理装置に至るまでの過程
での前記温度測定装置の温度の減衰状況に基づいて,前
記予備加熱装置での予備加熱を行うようにしてもよい。
これによって,予備加熱装置での加熱の際に予め減衰部
分を見越してその分余計に加熱することが正確に行え,
処理装置に基板を搬入したときは,直ちに所定の処理を
行うことが可能になり,加熱までの時間を減じてスルー
プットを向上させることができる。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
基づいて説明する。図1は、本実施形態にかかる温度測
定装置としての温度測定用ウエハ1の平面、図2は同側
面を示しており、この温度測定ウエハ1の基板2は、通
常の半導体デバイスが形成されるウエハと同一のシリコ
ンから形成されている。
基づいて説明する。図1は、本実施形態にかかる温度測
定装置としての温度測定用ウエハ1の平面、図2は同側
面を示しており、この温度測定ウエハ1の基板2は、通
常の半導体デバイスが形成されるウエハと同一のシリコ
ンから形成されている。
【0021】この温度測定用ウエハ1の上面には、温度
測定ポイントが例えば5行5列、即ち温度測定ポイント
A1〜A5、B1〜B5、C1〜C5、D1〜D5、E1〜E5ま
で形成されている。これら各温度測定ポイントA1〜E5
は、基板2に対してパターン形成されたものであり、そ
の素子構造は、一般的な半導体デバイス製造プロセスで
あるエッチングや成膜処理を用いて、基板2にパターン
形成されている。例えばアルメル−クロメル熱電対(al
umel-chromel-thermocouple)を利用した素子の場合に
は、図3に示したように、シリコンの基板2の上に形成
された層間絶縁膜3をエッチングによって所定のパター
ンに基づいて例えば縦方向の溝状に削り取り、その後メ
タル成膜によってアルメル4を当該溝内に埋め込み、さ
らに今度はクロメル5を横方向に帯状にパタンーニング
形成し、その接点を温度測定ポイントとして使用するよ
うにしてもよい。
測定ポイントが例えば5行5列、即ち温度測定ポイント
A1〜A5、B1〜B5、C1〜C5、D1〜D5、E1〜E5ま
で形成されている。これら各温度測定ポイントA1〜E5
は、基板2に対してパターン形成されたものであり、そ
の素子構造は、一般的な半導体デバイス製造プロセスで
あるエッチングや成膜処理を用いて、基板2にパターン
形成されている。例えばアルメル−クロメル熱電対(al
umel-chromel-thermocouple)を利用した素子の場合に
は、図3に示したように、シリコンの基板2の上に形成
された層間絶縁膜3をエッチングによって所定のパター
ンに基づいて例えば縦方向の溝状に削り取り、その後メ
タル成膜によってアルメル4を当該溝内に埋め込み、さ
らに今度はクロメル5を横方向に帯状にパタンーニング
形成し、その接点を温度測定ポイントとして使用するよ
うにしてもよい。
【0022】このようなプロセスを経て基板2に対して
パターン形成された各温度測定ポイントA1〜E5は、従
来の接着剤を用いた基板への貼りつけと異なり、基板2
に対してパターン形成されているので、全て一様な形成
状態となっている。従って、従来のような接着剤の外
れ、接着状態による温度のばらつき、接着剤の剥がれに
よる処理室内の汚染の心配はない。
パターン形成された各温度測定ポイントA1〜E5は、従
来の接着剤を用いた基板への貼りつけと異なり、基板2
に対してパターン形成されているので、全て一様な形成
状態となっている。従って、従来のような接着剤の外
れ、接着状態による温度のばらつき、接着剤の剥がれに
よる処理室内の汚染の心配はない。
【0023】前記各温度測定ポイントA1〜E5からの信
号は、信号伝達部6を通じて、基板2のオリフラ部分に
設けられている端子部7へと伝達される。この信号伝達
部6は、例えば層間絶縁膜3内に形成してもよく、基板
2の表面に形成したり、基板2表面に形成した後さらに
適宜の絶縁膜で被覆してもよい。
号は、信号伝達部6を通じて、基板2のオリフラ部分に
設けられている端子部7へと伝達される。この信号伝達
部6は、例えば層間絶縁膜3内に形成してもよく、基板
2の表面に形成したり、基板2表面に形成した後さらに
適宜の絶縁膜で被覆してもよい。
【0024】前記端子部7は既存の端子構成で足り、そ
こから例えば適宜の引き出しケーブル8を引き出すよう
にすれば、既述した従来の温度測定用ウエハと全く同様
にして使用することができる。
こから例えば適宜の引き出しケーブル8を引き出すよう
にすれば、既述した従来の温度測定用ウエハと全く同様
にして使用することができる。
【0025】本実施形態にかかる温度測定用ウエハ1
は、以上の構成を有しており、温度測定ポイントA1〜
E5は、基板2に対して一様にパターン形成されている
ので接着状態による温度のばらつき等はなく、極めて正
確な温度測定が行える。しかも接着剤を用いていないの
で、処理室内の雰囲気を汚染することもない。またパタ
ーン形成することで、幾層にも重畳させることが容易で
あるから、図1に示したような5行5列の整然とした測
定ポイントの分布を実現させることが容易で、かつこれ
らの各測定ポイントから端子部7への信号伝達部6の形
成も容易である。
は、以上の構成を有しており、温度測定ポイントA1〜
E5は、基板2に対して一様にパターン形成されている
ので接着状態による温度のばらつき等はなく、極めて正
確な温度測定が行える。しかも接着剤を用いていないの
で、処理室内の雰囲気を汚染することもない。またパタ
ーン形成することで、幾層にも重畳させることが容易で
あるから、図1に示したような5行5列の整然とした測
定ポイントの分布を実現させることが容易で、かつこれ
らの各測定ポイントから端子部7への信号伝達部6の形
成も容易である。
【0026】また外乱に対処するため、接地される導体
層(例えば導電性の金属による薄い被膜)を基板2の表
面に形成すれば、ノイズ等を遮断することができ、測定
精度が向上すると共に、安定した測定ができる。
層(例えば導電性の金属による薄い被膜)を基板2の表
面に形成すれば、ノイズ等を遮断することができ、測定
精度が向上すると共に、安定した測定ができる。
【0027】さらにまた前記温度測定用ウエハ1におい
ては、温度測定ポイントA1〜E5が検出した信号(アナ
ログ信号)を、直接端子部7から取り出すようにしてあ
ったが、例えば端子部7内に適宜の演算回路素子を設け
て、アナログ信号をディジタル信号に変換するように構
成すれば、端子部7に設ける端子数を例えば2つに減じ
ることができ、それに伴って引き出すためのケーブル8
の本数も低減し、外乱に影響されにくくなる。また装置
回りも簡素化される。
ては、温度測定ポイントA1〜E5が検出した信号(アナ
ログ信号)を、直接端子部7から取り出すようにしてあ
ったが、例えば端子部7内に適宜の演算回路素子を設け
て、アナログ信号をディジタル信号に変換するように構
成すれば、端子部7に設ける端子数を例えば2つに減じ
ることができ、それに伴って引き出すためのケーブル8
の本数も低減し、外乱に影響されにくくなる。また装置
回りも簡素化される。
【0028】前記温度測定用ウエハ1においては、温度
測定ポイントA1〜E5が行列形式で配置されていたが、
もちろん図4に示した温度測定用ウエハ11のように、
中心に温度測定ポイントA1、その外周に温度測定ポイ
ントB1〜B8、さらにその外周に温度測定ポイントC1
〜C8を、同心円状に並べると共に、各円に同数の温度
測定ポイントを配置して、放射状にすることも容易であ
る。
測定ポイントA1〜E5が行列形式で配置されていたが、
もちろん図4に示した温度測定用ウエハ11のように、
中心に温度測定ポイントA1、その外周に温度測定ポイ
ントB1〜B8、さらにその外周に温度測定ポイントC1
〜C8を、同心円状に並べると共に、各円に同数の温度
測定ポイントを配置して、放射状にすることも容易であ
る。
【0029】また前記温度測定用ウエハ1における端子
部7は、基板2上面のオリフラ部分に形成してあった
が、図5に示した温度測定用ウエハ21のように、基板
22の内部に端子部23を形成してもよい。この場合に
は、端子部23を絶縁層で保護することができ、また特
にパーティクルが発生しやすい端子部23とケーブル8
との接続部分が、被膜で覆われているので、汚染防止効
果をさらに向上させることができる。
部7は、基板2上面のオリフラ部分に形成してあった
が、図5に示した温度測定用ウエハ21のように、基板
22の内部に端子部23を形成してもよい。この場合に
は、端子部23を絶縁層で保護することができ、また特
にパーティクルが発生しやすい端子部23とケーブル8
との接続部分が、被膜で覆われているので、汚染防止効
果をさらに向上させることができる。
【0030】図6に示した温度測定用ウエハ31は、基
板32の裏面側に端子部33を形成したものである。こ
のように基板32の裏面側に端子部を形成するには、図
7に示したように、例えば前出温度測定用ウエハ1の端
子部7から上下に導通貫通部34を形成すればよい。な
おこの端子部33は、基板32の裏面と面一になるよう
に成形すれば、後述のような優れた効果を得やすい。も
ちろん下面に凸や下面に凹の形態を持たせてもよい。
板32の裏面側に端子部33を形成したものである。こ
のように基板32の裏面側に端子部を形成するには、図
7に示したように、例えば前出温度測定用ウエハ1の端
子部7から上下に導通貫通部34を形成すればよい。な
おこの端子部33は、基板32の裏面と面一になるよう
に成形すれば、後述のような優れた効果を得やすい。も
ちろん下面に凸や下面に凹の形態を持たせてもよい。
【0031】例えば前記温度測定用ウエハ31を使用す
るのに適した処理装置の例について説明すると、図8は
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいて、デバイ
スが形成されるシリコンウエハの上面にフォトレジスト
を塗布した後にこのシリコンウエハを加熱処理するベー
キング装置41の断面を示しており、このベーキング装
置41には、略箱形の容器42と、排気管43を有する
開閉自在なシャッタ44を有し、前記容器42内に被処
理基板である半導体ウエハを載置して、これを加熱する
ための載置台45が収容されている。
るのに適した処理装置の例について説明すると、図8は
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいて、デバイ
スが形成されるシリコンウエハの上面にフォトレジスト
を塗布した後にこのシリコンウエハを加熱処理するベー
キング装置41の断面を示しており、このベーキング装
置41には、略箱形の容器42と、排気管43を有する
開閉自在なシャッタ44を有し、前記容器42内に被処
理基板である半導体ウエハを載置して、これを加熱する
ための載置台45が収容されている。
【0032】前記載置台45の内部には、加熱するため
のヒータ46、冷却するための冷媒循環路47が設けら
れており、載置台45表面を所定の温度に維持すること
が可能である。
のヒータ46、冷却するための冷媒循環路47が設けら
れており、載置台45表面を所定の温度に維持すること
が可能である。
【0033】また載置台45には、半導体ウエハの授受
の際に載置台45から突出して当該半導体ウエハの下面
を支持するための複数、例えば3本の昇降ピン48が、
上下動自在に設けられており、これら昇降ピン48の下
端部は、昇降支持体49を介して、適宜の昇降機構(図
示せず)に連結されている。
の際に載置台45から突出して当該半導体ウエハの下面
を支持するための複数、例えば3本の昇降ピン48が、
上下動自在に設けられており、これら昇降ピン48の下
端部は、昇降支持体49を介して、適宜の昇降機構(図
示せず)に連結されている。
【0034】さらに載置台45の上面には、載置される
半導体ウエハを直接支持するための接触部材、例えばプ
ロミキシピン50が複数設けられ、さらに所定位置に接
触端子51が形成されている。この接触端子51は、載
置台45内からベーキング装置41外部へと導出される
リード52を介して、温度検出器53が接続されてい
る。なおこの場合、接触端子51でプロミキシピン50
のうちのいずれかを代用するように構成してもよい。
半導体ウエハを直接支持するための接触部材、例えばプ
ロミキシピン50が複数設けられ、さらに所定位置に接
触端子51が形成されている。この接触端子51は、載
置台45内からベーキング装置41外部へと導出される
リード52を介して、温度検出器53が接続されてい
る。なおこの場合、接触端子51でプロミキシピン50
のうちのいずれかを代用するように構成してもよい。
【0035】このような構成にかかるベーキング装置4
1に、前出温度測定用ウエハ31を用いると、実際のプ
ロセスと全く同一の雰囲気、条件で被処理基板内の温度
分布の測定が可能である。即ち、通常の半導体ウエハの
処理と全く同様にして、温度測定用ウエハ31を容器4
2内に搬入して昇降ピン48の上に載置させ、次いで昇
降ピン48を降下させると、プロミキシピン50に載置
されると共に、温度測定用ウエハ31の下面の端子部3
3が、接触端子51と接触して導通する。
1に、前出温度測定用ウエハ31を用いると、実際のプ
ロセスと全く同一の雰囲気、条件で被処理基板内の温度
分布の測定が可能である。即ち、通常の半導体ウエハの
処理と全く同様にして、温度測定用ウエハ31を容器4
2内に搬入して昇降ピン48の上に載置させ、次いで昇
降ピン48を降下させると、プロミキシピン50に載置
されると共に、温度測定用ウエハ31の下面の端子部3
3が、接触端子51と接触して導通する。
【0036】そうすると、温度測定ポイントからの信号
が、端子部33→接触端子51→リード52→温度検出
器へと送られ、被処理基板内の温度分布を模擬的に測定
することができる。従って、従来この種の温度測定用ウ
エハから引き出されていた引き出しケーブルが不要とな
り、いわゆるケーブルレスで温度測定が可能になるので
ある。従って、従来ケーブルによって容器内雰囲気が微
妙な影響を受け、必ずしも実際の処理環境と同一でなか
った状況と比べて、より実際の条件に近い環境で温度測
定が可能になる。
が、端子部33→接触端子51→リード52→温度検出
器へと送られ、被処理基板内の温度分布を模擬的に測定
することができる。従って、従来この種の温度測定用ウ
エハから引き出されていた引き出しケーブルが不要とな
り、いわゆるケーブルレスで温度測定が可能になるので
ある。従って、従来ケーブルによって容器内雰囲気が微
妙な影響を受け、必ずしも実際の処理環境と同一でなか
った状況と比べて、より実際の条件に近い環境で温度測
定が可能になる。
【0037】前記ベーキング装置は、プラズマを発生さ
せない熱処理装置であるが、ケーブルが容器内に曝され
ることはないので、プラズマを容器内に発生させる装
置、例えばプラズマエッチング装置やプラズマCVD装
置として構成すれば、従来不可能であった、プラズマ雰
囲気での温度測定を実現できる。なおこの場合、前出温
度測定ポイントA1〜E5は金属からなっているので、温
度測定用ウエハ31の表面を絶縁材料、例えば耐熱性も
良好なポリイミド系樹脂で被覆すれば、温度測定ポイン
トA1〜E5がプラズマ下でスパッタされることはない。
またこの場合、接地される導電層を前記絶縁材料の下に
形成しておけば、外乱、例えば高周波ノイズによって温
度検出の信号が影響を受けることを防止でき、極めて正
確な温度測定が可能になる。
せない熱処理装置であるが、ケーブルが容器内に曝され
ることはないので、プラズマを容器内に発生させる装
置、例えばプラズマエッチング装置やプラズマCVD装
置として構成すれば、従来不可能であった、プラズマ雰
囲気での温度測定を実現できる。なおこの場合、前出温
度測定ポイントA1〜E5は金属からなっているので、温
度測定用ウエハ31の表面を絶縁材料、例えば耐熱性も
良好なポリイミド系樹脂で被覆すれば、温度測定ポイン
トA1〜E5がプラズマ下でスパッタされることはない。
またこの場合、接地される導電層を前記絶縁材料の下に
形成しておけば、外乱、例えば高周波ノイズによって温
度検出の信号が影響を受けることを防止でき、極めて正
確な温度測定が可能になる。
【0038】前記温度測定用ウエハ31、及びベーキン
グ装置41に適用したような、被処理基板を載置する載
置台に接触端子を形成する技術を用いれば、例えばプレ
ヒーティングを伴うプロセスにおいて、より厳密な温度
測定の下で歩留まりの向上、スループットの向上を図る
ことができる。これを図10に基づいて説明すれば、図
10は適宜の熱処理を伴う処理装置51、及びこの処理
装置61にゲートバルブ62を介して隣接した搬送室
(トランスファーチャンバとも称される)71、そして
該搬送室71にゲートバルブ72を介して隣接した予備
加熱室81を有する処理システムが示されている。
グ装置41に適用したような、被処理基板を載置する載
置台に接触端子を形成する技術を用いれば、例えばプレ
ヒーティングを伴うプロセスにおいて、より厳密な温度
測定の下で歩留まりの向上、スループットの向上を図る
ことができる。これを図10に基づいて説明すれば、図
10は適宜の熱処理を伴う処理装置51、及びこの処理
装置61にゲートバルブ62を介して隣接した搬送室
(トランスファーチャンバとも称される)71、そして
該搬送室71にゲートバルブ72を介して隣接した予備
加熱室81を有する処理システムが示されている。
【0039】処理装置61は、適宜の処理ガスを容器6
3内に導入すると共に、被処理基板を載置する載置台6
4内に内蔵したヒータ65でこの被処理基板を加熱して
当該被処理基板に対して所定の処理、例えば成膜処理を
行うように構成されている。また搬送室71は、被処理
基板を保持して、処理装置61と予備加熱室81との間
でこれを搬送する搬送アーム73を容器74内に備えて
いる。また予備加熱室81は、その容器82内に被処理
基板を載置する載置台83を備え、該載置台83内に
は、載置台83上に載置される被処理基板を加熱するヒ
ータ84が設けられている。
3内に導入すると共に、被処理基板を載置する載置台6
4内に内蔵したヒータ65でこの被処理基板を加熱して
当該被処理基板に対して所定の処理、例えば成膜処理を
行うように構成されている。また搬送室71は、被処理
基板を保持して、処理装置61と予備加熱室81との間
でこれを搬送する搬送アーム73を容器74内に備えて
いる。また予備加熱室81は、その容器82内に被処理
基板を載置する載置台83を備え、該載置台83内に
は、載置台83上に載置される被処理基板を加熱するヒ
ータ84が設けられている。
【0040】そして処理装置61の載置台64、搬送室
71の搬送アーム73、及び予備加熱室81の載置台8
3の各上面(載置面)には、それぞれ温度測定用ウエハ
31の下面に形成した端子部33と接触自在な対応する
接触端子66、75、85が設けられている。
71の搬送アーム73、及び予備加熱室81の載置台8
3の各上面(載置面)には、それぞれ温度測定用ウエハ
31の下面に形成した端子部33と接触自在な対応する
接触端子66、75、85が設けられている。
【0041】このように構成された処理装置61、搬送
室71の及び予備加熱室81を有する処理システムにお
いては、まず予備加熱室81において予め所定の温度に
まで被処理基板を加熱しておき、ついで搬送アーム73
によって当該被処理基板を処理装置61内の載置台64
へと搬送し、次いで所定の処理温度まで被処理基板を加
熱して処理を施すプロセスが行われる。
室71の及び予備加熱室81を有する処理システムにお
いては、まず予備加熱室81において予め所定の温度に
まで被処理基板を加熱しておき、ついで搬送アーム73
によって当該被処理基板を処理装置61内の載置台64
へと搬送し、次いで所定の処理温度まで被処理基板を加
熱して処理を施すプロセスが行われる。
【0042】この場合、既述したように処理装置61の
載置台64、搬送室71の搬送アーム73、及び予備加
熱室81の載置台83の各上面(載置面)には、それぞ
れ温度測定用ウエハ31の下面に形成した端子部33と
接触自在な対応する接触端子66、75、85が設けら
れているので、予備加熱室81での温度分布、搬送室7
1での温度分布、及び処理装置61での温度分布を実際
の処理のプロセスと全く同一条件でそれぞれ、かつ連続
して測定することができる。
載置台64、搬送室71の搬送アーム73、及び予備加
熱室81の載置台83の各上面(載置面)には、それぞ
れ温度測定用ウエハ31の下面に形成した端子部33と
接触自在な対応する接触端子66、75、85が設けら
れているので、予備加熱室81での温度分布、搬送室7
1での温度分布、及び処理装置61での温度分布を実際
の処理のプロセスと全く同一条件でそれぞれ、かつ連続
して測定することができる。
【0043】従って、予備加熱室81から処理装置61
に至るまでの過程での温度測定用ウエハ31の温度の減
衰状況を把握することができる。そうすると事前にこの
ような温度変化を調べておき、例えば予備加熱室81の
載置台83での加熱の際に、予め減衰部分を見越してそ
の分余計に加熱することが正確に行え、処理装置61に
搬入したときは、直ちに所定の処理を行うように各装置
を制御することができる。その結果、従来のように、処
理装置61で再び所定の処理温度まで加熱するための時
間を大幅に減じることができ、スループットを向上させ
ることができるものである。
に至るまでの過程での温度測定用ウエハ31の温度の減
衰状況を把握することができる。そうすると事前にこの
ような温度変化を調べておき、例えば予備加熱室81の
載置台83での加熱の際に、予め減衰部分を見越してそ
の分余計に加熱することが正確に行え、処理装置61に
搬入したときは、直ちに所定の処理を行うように各装置
を制御することができる。その結果、従来のように、処
理装置61で再び所定の処理温度まで加熱するための時
間を大幅に減じることができ、スループットを向上させ
ることができるものである。
【0044】以上説明した発明の実施形態においては、
温度測定用ウエハに対して、温度測定ポイントを設けた
例について詳述したが、これに限らず基板の歪みを測定
する歪測定部を、基板に併せてパターン形成してもよ
い。そうすれば、温度測定と同時に、基板の反り等を測
定することができる。従って、より実際のプロセスに適
した熱環境を創出して歩留まりの向上を図ることが可能
である。例えば事前に測定した被処理基板の面内温度分
布と共に、被処理基板の反り等を測定し、それに対応し
て温度環境に影響を与える機構や部材を予め微調整して
おくことにより、処理温度の均一性を向上させ、その結
果処理の均一性を実現して歩留まりの向上を図ることが
できる。
温度測定用ウエハに対して、温度測定ポイントを設けた
例について詳述したが、これに限らず基板の歪みを測定
する歪測定部を、基板に併せてパターン形成してもよ
い。そうすれば、温度測定と同時に、基板の反り等を測
定することができる。従って、より実際のプロセスに適
した熱環境を創出して歩留まりの向上を図ることが可能
である。例えば事前に測定した被処理基板の面内温度分
布と共に、被処理基板の反り等を測定し、それに対応し
て温度環境に影響を与える機構や部材を予め微調整して
おくことにより、処理温度の均一性を向上させ、その結
果処理の均一性を実現して歩留まりの向上を図ることが
できる。
【0045】
【発明の効果】請求項1〜3に記載の温度装置によれ
ば、温度検出部と信号伝達部が基板上にパターン形成さ
れているため、測定精度が正確でかつ安定している。接
着剤を使用していないので、従来のような接着剤の外
れ、接着状態による温度のばらつき、接着剤の剥がれに
よる処理室内の汚染の心配もない。
ば、温度検出部と信号伝達部が基板上にパターン形成さ
れているため、測定精度が正確でかつ安定している。接
着剤を使用していないので、従来のような接着剤の外
れ、接着状態による温度のばらつき、接着剤の剥がれに
よる処理室内の汚染の心配もない。
【0046】本発明によれば,端子部が基板の裏面側に
形成されているので、例えば載置台に当該端子部と接触
自在な導電性のピン等を設けることにより、端子部から
の信号は当該ピン等を介して、載置台が収容されている
処理室の外部へと導出させることができる。従って、従
来のような信号伝達のためのケーブルは不要になる。
形成されているので、例えば載置台に当該端子部と接触
自在な導電性のピン等を設けることにより、端子部から
の信号は当該ピン等を介して、載置台が収容されている
処理室の外部へと導出させることができる。従って、従
来のような信号伝達のためのケーブルは不要になる。
【0047】さらに請求項2の温度測定装置において
は、基板の歪みを測定する歪測定部が、基板にパターン
形成されているので、温度測定と同時に基板の反り等を
測定することができ、被処理基板に対して処理する場合
の熱の影響による反り等を事前に知ることが可能にな
る。請求項3の温度測定装置においては、検出部や伝達
部が外乱、例えばノイズの影響を受けて測定精度が低下
することを防止することができる。しかも導電性の被膜
の表面はさらに絶縁被膜で覆われているから、例えばプ
ラズマ処理装置内の載置台で使用することも可能であ
る。
は、基板の歪みを測定する歪測定部が、基板にパターン
形成されているので、温度測定と同時に基板の反り等を
測定することができ、被処理基板に対して処理する場合
の熱の影響による反り等を事前に知ることが可能にな
る。請求項3の温度測定装置においては、検出部や伝達
部が外乱、例えばノイズの影響を受けて測定精度が低下
することを防止することができる。しかも導電性の被膜
の表面はさらに絶縁被膜で覆われているから、例えばプ
ラズマ処理装置内の載置台で使用することも可能であ
る。
【0048】そして本発明の処理装置においては、請求
項1に記載したような、基板の裏面側に端子部を有する
温度測定装置を使用することが可能になり、処理装置内
においてケーブルレスの信号伝達経路を実現できる。
項1に記載したような、基板の裏面側に端子部を有する
温度測定装置を使用することが可能になり、処理装置内
においてケーブルレスの信号伝達経路を実現できる。
【0049】本発明の処理方法によれば、極めて正確な
温度データに基づいて所定の処理を実行することがで
き、歩留まりの向上を図ることができる。
温度データに基づいて所定の処理を実行することがで
き、歩留まりの向上を図ることができる。
【0050】また本発明の処理方法によれば、処理装置
でのスループットを向上させることができる。
でのスループットを向上させることができる。
【0051】そして本発明の処理方法によれば、被処理
基板の面内温度分布の調整を、最適化して、歩留まりを
向上させたり、スループットを向上させることが可能で
ある。そして予備加熱装置での加熱の際に予め減衰部分
を見越してその分余計に加熱することが正確に行え,処
理装置に基板を搬入したときは,直ちに所定の処理を行
うことが可能になり,加熱までの時間を減じてスループ
ットを向上させることができる。
基板の面内温度分布の調整を、最適化して、歩留まりを
向上させたり、スループットを向上させることが可能で
ある。そして予備加熱装置での加熱の際に予め減衰部分
を見越してその分余計に加熱することが正確に行え,処
理装置に基板を搬入したときは,直ちに所定の処理を行
うことが可能になり,加熱までの時間を減じてスループ
ットを向上させることができる。
【図1】本発明の実施形態にかかる温度測定用ウエハの
平面図である。
平面図である。
【図2】図1の温度測定用ウエハの側面図である。
【図3】図1の温度測定用ウエハにおける温度測定ポイ
ントの構造を要部を示す説明図である。
ントの構造を要部を示す説明図である。
【図4】温度測定ポイントを放射状に配置した温度測定
用ウエハの平面図である。
用ウエハの平面図である。
【図5】端子部を基板内に形成した温度測定用ウエハの
側面図である。
側面図である。
【図6】端子部を基板の裏面に形成した温度測定用ウエ
ハの一部断面側面図である。
ハの一部断面側面図である。
【図7】端子部が基板の裏面に形成されている温度測定
用ウエハの要部拡大縦断面図である。
用ウエハの要部拡大縦断面図である。
【図8】載置台の上面に接触端子を形成したベーキング
装置の断面説明図である。
装置の断面説明図である。
【図9】図8のベーキング装置における載置台の斜視図
である。
である。
【図10】本発明の実施形態にかかる処理方法を実施す
るための処理システムの説明図である。
るための処理システムの説明図である。
【図11】従来技術にかかる温度測定用ウエハの斜視図
である。
である。
1 温度測定用ウエハ 2 基板 3 層間絶縁膜 A1〜E5 温度測定ポイント 7 端子部 41 ベーキング装置 51 接触端子 61 処理装置 64 載置台 66 接触端子
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−254331(JP,A) 特開 平4−290245(JP,A) 特開 平2−171626(JP,A) 特開 平4−297054(JP,A) 特開 平5−29232(JP,A) 特開 平3−54844(JP,A) 特開 平6−310580(JP,A) 実開 平3−120560(JP,U) 実開 平5−85036(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01K 1/00 - 13/08 H01L 21/00 - 21/68
Claims (9)
- 【請求項1】 被処理基板が載置される部材上で、被処
理基板の面内温度を模擬的に測定するために用いる装置
であって、 温度検出部と、この温度検出部からの信号を端子部へと
伝達する信号伝達部が、各々被処理基板と同一材質の基
板にパターン形成され、 前記端子部は、この基板の表面側から裏面側に形成され
た導通貫通部を有し,かつ基板の裏面と同一平面をなす
ように成形されていることを特徴とする、温度測定装
置。 - 【請求項2】 基板の歪みを測定する歪測定部が、基板
にパターン形成されたことを特徴とする、請求項1に記
載の温度測定装置。 - 【請求項3】 基板表面に露出した前記温度検出部や信
号伝達部は、接地される導電性の被膜で被覆され、さら
に当該導電性の被膜の表面が絶縁被膜で覆われたことを
特徴とする、請求項1又は2に記載の温度測定装置。 - 【請求項4】 被処理基板を載置する載置台を有する処
理装置であって,前記載置台の上面に複数設けられて前
記被処理基板の下面を直接支持する部材を有し,前記部
材のうちいずれかは,この部材上に載置される薄板形状
の温度測定装置の裏面に形成された端子部と接触自在
な、導電性の接触部材であることを特徴とする、処理装
置。 - 【請求項5】 処理装置において被処理基板に対して処
理を施す方法であって、 前記処理に先立って、予め請求項1〜3のいずれかに記
載の温度測定装置を用いて測定された処理装置内での温
度データに基づいて、前記処理装置における温度調整機
構を制御することを特徴とする、処理方法。 - 【請求項6】 処理装置において被処理基板に対して処
理を施す方法であって、 前記処理に先立って、被処理基板を処理装置に搬入する前段階において、請求
項1に記載の温度測定装置を用いて測定する工程と、 被処理基板を処理装置に搬入した後にこの処理装置内に
おいて、請求項1に記載 の温度測定装置を用いて測定す
る工程とを有し、 前記2つの工程によって得られた各温度データに基づい
て、前記前段階における温度調整機構を調整する ことを
特徴とする、処理方法。 - 【請求項7】 温度調整機構は、加熱手段、排気手段、
冷却手段、被処理基板を保持する保持手段のうちの、1
又は2以上の組み合わせであることを特徴とする、請求
項5又は6に記載の処理方法。 - 【請求項8】 基板に対して予備加熱を行う予備加熱装
置と,基板に対して熱処理を伴う処理を施す処理装置と
を有する処理システムにおいて, 前記予備加熱装置において基板の温度分布を測定する工
程と, 前記処理装置において基板の温度分布を測定する工程と
を有し, 前記2つの温度分布に基づいて,予備加熱室での予備加
熱を行なうと共に, 前記予備加熱装置及び処理装置の載置台には,請求項1
記載の温度測定装置の端子部と接触自在な端子部が設け
られ,前記各温度分布の測定にあたっては,請求項1記
載の温度測定装置を用いることを特徴とする, 処理方
法。 - 【請求項9】 前記予備加熱室から処理装置に至るまで
の過程での前記温度測定装置の温度の減衰状況に基づい
て,前記予備加熱装置での予備加熱を行うことを特徴と
する,請求項8に記載の処理方法。
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