JPH0637025A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
- Publication number
- JPH0637025A JPH0637025A JP19118992A JP19118992A JPH0637025A JP H0637025 A JPH0637025 A JP H0637025A JP 19118992 A JP19118992 A JP 19118992A JP 19118992 A JP19118992 A JP 19118992A JP H0637025 A JPH0637025 A JP H0637025A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heater
- process tube
- heat treatment
- temperature sensor
- treatment apparatus
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】熱処理体の支持装置などが原因するプロセス管
内の上下の温度差を無くして半導体ウェハなどの酸化膜
や導入不純物拡散層の厚さを均一にする。 【構成】プロセス管3は、半導体ウェハなどの熱処理体
1を支持する支持装置2を収納し、周りを2分割した上
ヒータ14aと下ヒータ14bとで囲み、上下に上温度
センサ15aと下温度センサ15bを配置する。各温度
センサ15aと15bの信号によりそれぞれのヒータ1
4aと14bの出力を制御器16で制御し、プロセス管
3内の上下の温度が同一になるように制御する。
内の上下の温度差を無くして半導体ウェハなどの酸化膜
や導入不純物拡散層の厚さを均一にする。 【構成】プロセス管3は、半導体ウェハなどの熱処理体
1を支持する支持装置2を収納し、周りを2分割した上
ヒータ14aと下ヒータ14bとで囲み、上下に上温度
センサ15aと下温度センサ15bを配置する。各温度
センサ15aと15bの信号によりそれぞれのヒータ1
4aと14bの出力を制御器16で制御し、プロセス管
3内の上下の温度が同一になるように制御する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば、拡散炉や減
圧CVD(Chemical Vapor Deposition)装置などにおい
て、例えば、半導体ウェハなどの熱処理体のための熱処
理装置に関する。
圧CVD(Chemical Vapor Deposition)装置などにおい
て、例えば、半導体ウェハなどの熱処理体のための熱処
理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図3は従来例の熱処理装置の断面図であ
る。図において、この熱処理装置の構成は、多数の半導
体ウェハなどの熱処理体1を支持するウェハボートとも
いわれる支持装置2と、この支持装置2を内側に載せて
収納する石英などの筒状のプロセス管3と、このプロセ
ス管3を囲む筒状のヒータ4と、前記プロセス管3の温
度を検出する熱電対などの温度センサ5とからなる。こ
の温度センサ5の信号により前記ヒータ4の出力を図示
しない制御器で制御してプロセス管3内の温度を制御す
る。
る。図において、この熱処理装置の構成は、多数の半導
体ウェハなどの熱処理体1を支持するウェハボートとも
いわれる支持装置2と、この支持装置2を内側に載せて
収納する石英などの筒状のプロセス管3と、このプロセ
ス管3を囲む筒状のヒータ4と、前記プロセス管3の温
度を検出する熱電対などの温度センサ5とからなる。こ
の温度センサ5の信号により前記ヒータ4の出力を図示
しない制御器で制御してプロセス管3内の温度を制御す
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】前記従来例において、
プロセス管3の底部に接触している支持装置2は、例え
ば半導体ウェハを150枚を支持して全長が700mm
におよぶこともあり、高純度の石英からなって大きな熱
容量を持ち、しかも底部に偏って存在している。そして
プロセス管3内にはガスの熱対流がある。このようなプ
ロセス管3の熱容量と偏在及びガスの熱対流のために、
プロセス管3の内部は下方で温度が低く上方で温度が高
い。この温度差はそのまま半導体ウェハの温度差とな
り、酸化膜の厚さの均一性や導入不純物拡散層の厚さの
均一性を損ない、後工程において、製品の特性を悪くす
る。
プロセス管3の底部に接触している支持装置2は、例え
ば半導体ウェハを150枚を支持して全長が700mm
におよぶこともあり、高純度の石英からなって大きな熱
容量を持ち、しかも底部に偏って存在している。そして
プロセス管3内にはガスの熱対流がある。このようなプ
ロセス管3の熱容量と偏在及びガスの熱対流のために、
プロセス管3の内部は下方で温度が低く上方で温度が高
い。この温度差はそのまま半導体ウェハの温度差とな
り、酸化膜の厚さの均一性や導入不純物拡散層の厚さの
均一性を損ない、後工程において、製品の特性を悪くす
る。
【0004】この発明の目的は、支持装置などが原因す
るプロセス管内の上下の温度差を無くして酸化膜や導入
不純物拡散層の厚さの均一性を向上できる熱処理装置を
提供することにある。
るプロセス管内の上下の温度差を無くして酸化膜や導入
不純物拡散層の厚さの均一性を向上できる熱処理装置を
提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】この発明の熱処理装置
は、熱処理体を支持する支持装置と、この支持装置を内
側に載せて収納する筒状のプロセス管と、このプロセス
管を囲むヒータと、前記プロセス管の温度を検出する温
度センサと、この温度センサの信号により前記ヒータの
出力を制御する制御器からなる熱処理装置において、前
記ヒータを上下に2分割して上ヒータと下ヒータとから
構成するものである。このとき、前記温度センサを前記
プロセス管の上部の内側又は外側の上温度センサと前記
プロセス管の下部の内側又は外側の下温度センサとから
構成するようにしたり、前記上ヒータ及び前記下ヒータ
の断面をほぼ半円形とするようにする。
は、熱処理体を支持する支持装置と、この支持装置を内
側に載せて収納する筒状のプロセス管と、このプロセス
管を囲むヒータと、前記プロセス管の温度を検出する温
度センサと、この温度センサの信号により前記ヒータの
出力を制御する制御器からなる熱処理装置において、前
記ヒータを上下に2分割して上ヒータと下ヒータとから
構成するものである。このとき、前記温度センサを前記
プロセス管の上部の内側又は外側の上温度センサと前記
プロセス管の下部の内側又は外側の下温度センサとから
構成するようにしたり、前記上ヒータ及び前記下ヒータ
の断面をほぼ半円形とするようにする。
【0006】
【作用】図1を参照する。上ヒータ14aと下ヒータ1
4bとに上下に2分割し、個別に出力を制御できるか
ら、支持装置2などが原因するプロセス管3内の上下の
温度差を無くして酸化膜や導入不純物拡散層の厚さの均
一性を向上できる。このとき、上温度センサ15aと下
温度センサ15bとに分割すれば、上下の温度を個別に
確実に計測できるし、上ヒータ14a及び下ヒータ14
bの断面をほぼ半円形とすれば、ヒータ間の隙間による
低温度領域を無くすることができる。
4bとに上下に2分割し、個別に出力を制御できるか
ら、支持装置2などが原因するプロセス管3内の上下の
温度差を無くして酸化膜や導入不純物拡散層の厚さの均
一性を向上できる。このとき、上温度センサ15aと下
温度センサ15bとに分割すれば、上下の温度を個別に
確実に計測できるし、上ヒータ14a及び下ヒータ14
bの断面をほぼ半円形とすれば、ヒータ間の隙間による
低温度領域を無くすることができる。
【0007】
【実施例】図1は実施例の熱処理装置の断面図、図2は
図1の縦断面図である。図において、この熱処理装置の
構成は、多数の半導体ウェハなどの熱処理体1を支持す
る支持装置2と、この支持装置2を内側に載せて収納す
る石英などの筒状のプロセス管3と、このプロセス管3
を囲むヒータと、プロセス管3の温度を検出する温度セ
ンサとからなる。前記ヒータを上下に2分割した上ヒー
タ14aと下ヒータ14bとから構成し、図示しない炉
材で囲む。、また前記温度センサをプロセス管3の上部
の外側の上温度センサ15aとプロセス管3の下部の内
側の下温度センサ15bとから構成する。ヒータ断面を
ほぼ半円形とするとよいし、上温度センサ15aをプロ
セス管3の内側に、下温度センサ15bを外側に配置し
てもよい。各温度センサ15aと15bの信号によりそ
れぞれのヒータ14a、と14bの出力を制御器16で
制御してプロセス管3内の上下の温度が同一になるよう
に制御する。
図1の縦断面図である。図において、この熱処理装置の
構成は、多数の半導体ウェハなどの熱処理体1を支持す
る支持装置2と、この支持装置2を内側に載せて収納す
る石英などの筒状のプロセス管3と、このプロセス管3
を囲むヒータと、プロセス管3の温度を検出する温度セ
ンサとからなる。前記ヒータを上下に2分割した上ヒー
タ14aと下ヒータ14bとから構成し、図示しない炉
材で囲む。、また前記温度センサをプロセス管3の上部
の外側の上温度センサ15aとプロセス管3の下部の内
側の下温度センサ15bとから構成する。ヒータ断面を
ほぼ半円形とするとよいし、上温度センサ15aをプロ
セス管3の内側に、下温度センサ15bを外側に配置し
てもよい。各温度センサ15aと15bの信号によりそ
れぞれのヒータ14a、と14bの出力を制御器16で
制御してプロセス管3内の上下の温度が同一になるよう
に制御する。
【0008】また、インラインでフィードバックをかけ
るならば、各温度センサの出力をモニタし、その値が例
えば、プロセス管3の下部の温度が設定温度よりも高い
場合には下ヒータの出力を下げ、逆に設定温度よりも低
い場合には下ヒータの出力を上げるように各ヒータにフ
ィードバックをかければ、常にプロセス管3内の温度は
上下に均一に設定温度を保つことができる。更に、プロ
セス管3内の上下の温度が同一になるようなヒータ14
a、と14bの出力の割合、差又は時間、温度若しくは
出力についての関数をあらかじめ測定しておき、これら
のデータを制御器16に入力しておいてもよい。このと
き、温度センサ15aと15bのいずれかが不要になる
し、配置場所も任意に選ぶことができる。
るならば、各温度センサの出力をモニタし、その値が例
えば、プロセス管3の下部の温度が設定温度よりも高い
場合には下ヒータの出力を下げ、逆に設定温度よりも低
い場合には下ヒータの出力を上げるように各ヒータにフ
ィードバックをかければ、常にプロセス管3内の温度は
上下に均一に設定温度を保つことができる。更に、プロ
セス管3内の上下の温度が同一になるようなヒータ14
a、と14bの出力の割合、差又は時間、温度若しくは
出力についての関数をあらかじめ測定しておき、これら
のデータを制御器16に入力しておいてもよい。このと
き、温度センサ15aと15bのいずれかが不要になる
し、配置場所も任意に選ぶことができる。
【0009】
【発明の効果】この発明の熱処理装置によれば、支持装
置などが原因するプロセス管内の上下の温度差を無くし
て酸化膜や導入不純物拡散層の厚さの均一性を向上でき
るという効果がある。このとき、上温度センサと下温度
センサとに分割すれば、上下の温度を個別に確実に計測
できるし、上ヒータ及び下ヒータの断面をほぼ半円形と
すれば、ヒータ間の隙間による低温度領域を無くするこ
とができるという効果がある。
置などが原因するプロセス管内の上下の温度差を無くし
て酸化膜や導入不純物拡散層の厚さの均一性を向上でき
るという効果がある。このとき、上温度センサと下温度
センサとに分割すれば、上下の温度を個別に確実に計測
できるし、上ヒータ及び下ヒータの断面をほぼ半円形と
すれば、ヒータ間の隙間による低温度領域を無くするこ
とができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例の断面図
【図2】図1の縦断面図
【図3】従来例の断面図
1 熱処理体 2 支持装置 3 プロセス管 4 ヒータ 5 温度センサ 14a 上ヒータ 14b 下ヒータ 15a 上温度センサ 15b 下温度センサ 16 制御器
Claims (3)
- 【請求項1】熱処理体を支持する支持装置と、この支持
装置を内側に載せて収納する筒状のプロセス管と、この
プロセス管を囲むヒータと、前記プロセス管の温度を検
出する温度センサと、この温度センサの信号により前記
ヒータの出力を制御する制御器からなる熱処理装置にお
いて、前記ヒータを上下に2分割して上ヒータと下ヒー
タとから構成することを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項2】請求項1記載の熱処理装置において、前記
温度センサを前記プロセス管の上部の内側又は外側の上
温度センサと前記プロセス管の下部の内側又は外側の下
温度センサとから構成することを特徴とする熱処理装
置。 - 【請求項3】請求項1又は2記載の熱処理装置におい
て、前記上ヒータ及び前記下ヒータの断面をほぼ半円形
とすることを特徴とする熱処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19118992A JPH0637025A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19118992A JPH0637025A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 熱処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0637025A true JPH0637025A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16270386
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19118992A Pending JPH0637025A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0637025A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5676869A (en) * | 1994-11-07 | 1997-10-14 | Tokyo Electron Limited | Vertical heat treatment apparatus |
WO1999040497A1 (fr) * | 1998-02-03 | 1999-08-12 | Komatsu Ltd. | Regulateur de temperature pour appareil de chauffage a separation de zones |
JP2000021890A (ja) * | 1997-07-31 | 2000-01-21 | Toshiba Ceramics Co Ltd | カーボンヒータ |
JP2015015382A (ja) * | 2013-07-05 | 2015-01-22 | 株式会社島津製作所 | 成膜装置及び成膜方法 |
-
1992
- 1992-07-20 JP JP19118992A patent/JPH0637025A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5676869A (en) * | 1994-11-07 | 1997-10-14 | Tokyo Electron Limited | Vertical heat treatment apparatus |
JP2000021890A (ja) * | 1997-07-31 | 2000-01-21 | Toshiba Ceramics Co Ltd | カーボンヒータ |
WO1999040497A1 (fr) * | 1998-02-03 | 1999-08-12 | Komatsu Ltd. | Regulateur de temperature pour appareil de chauffage a separation de zones |
JP2015015382A (ja) * | 2013-07-05 | 2015-01-22 | 株式会社島津製作所 | 成膜装置及び成膜方法 |
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