JP2000304944A - 残留機械的ストレスを最大化する光ファイバ及びこれを利用した光ファイバ格子製造方法 - Google Patents

残留機械的ストレスを最大化する光ファイバ及びこれを利用した光ファイバ格子製造方法

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Yong-Woo Park
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、光ファイバに残留する機械的
ストレスを最大化できる物質をコアまたは被覆に添加し
て光ファイバ格子の製作に適合した光ファイバの提供及
び格子を製作する方法を提供する。 【解決手段】 残留機械的ストレスを最大化する光ファ
イバ及びこれを利用した光ファイバ格子に係り、特に光
ファイバ格子の製作のために機械的ストレスを最大化し
た光ファイバは、光を導波し実質的にシリカで形成され
たコア及びこのコア周囲を包み実質的にシリカにホウ素
をドーピングして形成された被覆を含んだり、光を導波
し実質的にシリカに燐をドーピングして形成されたコア
及びこのコア周囲を包み実質的にシリカで形成された被
覆を含んで光ファイバのコアまたは被覆に粘度を低める
効果が大きい燐やホウ素を添加することにより残留機械
的ストレスを大きくしてより効果的に光ファイバ格子を
製造できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、残留機械的ストレ
スを最大化する光ファイバ及びこれを利用した光ファイ
バ格子に係り、特に光ファイバ格子の製作のために機械
的ストレスを最大化した光ファイバの構造及びこれを利
用した光ファイバ及び光ファイバ格子製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】光信号フィルタは、光通信システムの性
能を改善することに重要な役割をする。最近、光ファイ
バ格子を用いたフィルタが多く注目を受けており、その
理由は、これを光ファイバ自体に直接こしらえることが
できて他の外部制御装置が要らないということにある。
光ファイバ格子フィルタは低損失、低費用で多様な光通
信及び光センサー分野に広く応用されている。光ファイ
バ格子は光ファイバコア内の屈折率変化の周期により、
ブラッグ格子(反射及び短周期格子)及び長周期格子(伝
送格子)に大別される。
【０００３】長周期光ファイバ格子は、光ファイバを紫
外線レーザーに露出させると、大きい屈折率変化が引き
起こされる現像に基礎を置いている。振幅マスク法が光
ファイバコアに格子を刻むのに主に用いられ、光ファイ
バにＨ2をローディングすることにより、その感度を向
上させることができる。従来の長周期光ファイバ格子
は、ゲルマニウムが添加されたコアでなった光ファイバ
を利用して製造されて、感光性を利用するので感光性が
ない光ファイバは用いられなかった。また、光ファイバ
の感光性を高めるために水素処理が必要であった。
【０００４】一方、感光性を利用しなく残余ストレスを
利用する方法が提案された。残余ストレスは、熱的スト
レスと機械的ストレスとに区分することができ、前者は
各層間の熱膨張係数の差に起因し、後者は各層間の粘度
差に起因し引き出し張力と大きく関係する。熱的ストレ
スは、引き出し張力に比例しなくて、その量も微弱なの
で残余ストレスは、主に機械的ストレスにより決定され
る。ところが、コア及び被覆に含まれた物質の種類によ
り、その粘度が違うために機械的ストレスを最大化する
ためにはその添加物質の選択が重要である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、光ファイバに残留する機械的ストレスを最大化でき
る物質をコアまたは被覆に添加して光ファイバ格子の製
作に適合した光ファイバを提供することにある。
【０００６】本発明の他の目的は、残留機械的ストレス
を最大化する物質が添加された光ファイバを利用して光
ファイバ格子を製作する方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るための本発明は、光を導波し、実質的にシリカで形成
されたコア及びこのコア周囲を包み、実質的にシリカに
ホウ素をドーピングして形成された被覆を含むことを特
徴とする光ファイバを提供する。
【０００８】また、本発明は、光を導波し、実質的にシ
リカに燐をドーピングして形成されたコア及びこのコア
周囲を包み、実質的にシリカで形成された被覆を含むこ
とを特徴とする光ファイバを提供する。
【０００９】また、本発明は、実質的にシリカにホウ素
がドーピングされて形成された被覆及び実質的にシリカ
で形成されたコアを含む光ファイバ母材を形成する段階
と、この光ファイバ母材に所定の張力を印加して光ファ
イバを引き出す段階と、この引き出された光ファイバに
周期的な間隔で一定部分をアニーリングして、この光フ
ァイバに残留されたストレスを弛緩させて格子を形成す
る段階とを含むことを特徴とする光ファイバ格子製造方
法を提供する。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明に従う好適な実施の
形態を添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１１】長周期光ファイバ格子を形成する際に純粹
シリカコア光ファイバの残余ストレスを利用することが
できる。光弾性効果により引き出し張力に起因する残余
ストレスにより、コアの屈折率が減少するようになる。
ＣＯ2レーザーまたは電気アークにより、コアの残余ス
トレスを周期的に一部分ずつ弛緩させると屈折率を元来
どおり回復して結果的に格子が形成される効果を示す。
【００１２】まず、ステップインデックス光ファイバの
残余ストレスに対して説明する。ステップインデックス
光ファイバは、各々異なる物質が添加されてその性質が
各々異なるコア及び被覆の二層で形成される。光ファイ
バを引き出し負荷と高い熱エネルギーとで引き出す時、
光ファイバの各層は相異なる転移温度で液体から固体に
変化し、各工程段階における熱により引張または圧縮ス
トレスを受ける。光ファイバが常温で冷却される時、異
なる種のストレスが機械的に誘導される。このような二
種の残余ストレスは持続的に光ファイバに残るようにな
る。
【００１３】従って、残余ストレスは、熱的ストレスと
機械的ストレスとに区分することができるが、前者は各
層間の熱膨張係数の差に起因し、後者は各層間の粘性度
差に起因し引き出し張力と大きく関係する。
【００１４】まず、熱的ストレスに対して説明すると、
光ファイバのコア及び被覆は異なる成分の物質が含まれ
ており、相異なるガラス転移温度で相異なる熱膨張係数
を持っている。各層液体の熱膨張係数は、固体の熱膨張
係数より約３倍程度さらに大きいことと知られている。
従って、ストレスプロファイルが複雑に現れる。しか
し、このような熱的ストレスは、機械的に誘導されたス
トレスに比べて相対的に低く、引き出し工程で容易に制
御されない。
【００１５】一方、コアと被覆との粘性度差により引き
起こされる機械的ストレスは引き出し張力に比例する。
従って、残余ストレスは引き出し張力を制御することに
より決定されることができる。
【００１６】機械的ストレスが発生されるメカニズムを
二段階に区分して説明することができ、最初の段階は高
温で引き出し張力が付加された段階であり、第二段階は
引き出し張力を除去して常温にいる段階である。
【００１７】最初の段階において高温で光ファイバを引
き出す時、各層にはその粘性度、断面積及び引き出し張
力により弾性及び非弾性に起因した変形比が変化する。
張力Ｆと母材溶融部分のストレスとの間の関係は次の式
（１）で表現される。
【数１】 ここで、ηは粘性度、Ａは断面積、Ｂは弾性係数、Ｖは
母材の溶融部分の移動速度、Ｚは光ファイバ軸方向から
の距離、そして下添字１及び２はコア及び被覆を各々示
す。
【００１８】母材の溶融部分の半径が軟化温度で光ファ
イバの半径に到達すれば初期ストレスは次の式（２）で
表現される。
【数２】 そして、初期変形は次のように表現される。
【数３】 ここで、ε１i及びε２iは、初期及び最終弾性変形を各
々示す。
【００１９】このような初期状態は、常温で引き出し張
力が除去される時まで持続される。初期状態から最終状
態に変われば、光ファイバは即刻平衡状態に回復して、
次のような二条件が適用される。すなわち、各層の弾性
変形を含む変形長さは、初期状態と最終状態とが相互同
一であり、各層が受けたストレスの合計は零になる。す
なわち、
【数４】 上記の二数学式を整理すると次の通りである。
【数５】 従って、最終状態におけるコアの変形は、次の式（６）
で表現される。
【数６】 従って、最終状態でコアにおける残余ストレスは、次の
式（７）で表現される。
【数７】
【００２０】同様に、被覆の変形及びストレスは、次の
式（８）で表現される。
【数８】
【００２１】熱的及び機械的ストレスにより、光ファイ
バに誘導された残余ストレスは、長周期光ファイバ格子
を製作することに利用できる。熱的ストレスは、引き出
し張力の効果を含まなく機械的ストレスに比べてそれに
よる屈折率変化が無視できる程度に小さい。しかし、機
械的ストレスは、引き出し張力に比例し、従って張力が
除去された状態でＣＯ2レーザービームで加熱して機械
的ストレスを弛緩させることができる。光ファイバにお
いて周期的にストレスが弛緩された部分とそうでない部
分とは互いに屈折率が異なるようになる。ストレスに起
因した反射率の変化に対する光弾性効果は次の式で表現
される。
【数９】 ここで、Ｃａ及びＣｂはＳｉＯ2の光弾性係数、Δｎは
屈折率の変化量、σはストレス、そしてｒ、θ及びｚは
半径成分、周辺成分及び軸成分を各々示す。光ファイバ
内に伝播される光信号に対して半径方向の屈折率が重要
である。単一モード光ファイバコアにおける軸方向のス
トレス及び半径方向の屈折率変化量は次の通りである。
【数１０】
【００２２】Ｃｂの値は−４．２×１−１０-12Ｐａ-1
であるために△ｎrは、伸張度σ１rに対して負の値を取
る。これは、結局引張及び圧縮ストレスが屈折率の減少
及び増加を各々引き起こすことを意味する。従って、長
周期光ファイバ格子を製造するために、高い引き出し張
力で、すなわち正常的な引き出し条件よりさらに低い温
度でさらに速い巻き速度で光ファイバを引き出す必要が
ある。
【００２３】以下、長周期光ファイバ格子に利用するた
めにシリカに添加される物質に対して説明する。
【００２４】光ファイバは、シリカにゲルマニウム、フ
ッ素、燐、ホウ素などをドーピングして作る。ＧｅＯ2
とＰ2Ｏ5とは、シリカの屈折率を高める反面、ＦとＢ2
Ｏ3とはシリカの屈折率を低める。Ｐ2Ｏ5とＢ2Ｏ3と
は、工程温度及び粘度を低めることに用いられる。
【００２５】ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5及びＢ2Ｏ3のモル(ｍｏｌ
ｅ)％が増えるによってそれがドーピングされたシリカ
の熱膨張係数が増加して、Ｆのモル(ｍｏｌｅ)％が増加
することによっては熱膨張係数が減る。シリカガラスの
粘度は、純粹シリカで最大になり、シリカに或る物質が
ドーピングされると粘度が低くなる。
【００２６】図１は、ドーピング物質の種と粘度との関
係を示すグラフである。少量のドーピング物質濃度の変
化による粘度感度係数(ｖｉｓｃｏｓｉｔｙ ｓｅｎｓ
ｉｔｉｖｉｔｙ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）は次の数学
式で表現される。
【数１１】 上記数学式からＦとＧｅＯ2とがドーピングされたシリ
カのログ粘度は、次の式（１２）、（１３）で各々表現
される。
【数１２】
【数１３】
【００２７】ここで、ＫOは純粹シリカのログ粘度であ
り、係数ＫF及びＫGeO2は上記数学式を満足する。Ｆ及
びＧｅＯ2のドーピングによる相対的な屈折率変化は各
々負の値及び正の値を有し、各々ー０．５及び１．５で
あることに知られている
【００２８】ドーピング濃度が小さい際、Ｆ及びＧｅＯ
2がドーピングされたシリカガラスのログ粘度の変化は
Ｆ及びＧｅＯ2により、各々誘導される変化の線形的な
合計になる。従って、Ｆ及びＧｅＯ2がドーピングされ
たシリカガラスのログ粘度は次の式（１４）で表現され
る。
【数１４】
【００２９】図２Ａは、Ｐ2Ｏ5−ＳｉＯ2コア及びＦ−
ＳｉＯ2被覆に形成された光ファイバ母材の相対的な屈
折率プロファイルを示し、図２ＢはＰ2Ｏ5−ＳｉＯ2コ
ア及びＦ−ＳｉＯ2被覆に形成された光ファイバ母材の
粘度プロファイルを示す。図２Ａ及び図２Ｂから相対的
な屈折率変化による粘度の変化が図３のように表現でき
る。
【００３０】Ｐ2Ｏ5の粘度感度係数は次の数学式で表現
され、−１５と−２３との間の値を有することが分か
る。すなわち、粘度感度係数はＫFより相対的に大き
く、その理由はＰ2Ｏ5及びＢ2Ｏ3が工程温度をさらに低
めてガラスの粘性度を大きく減少させるためである。
【数１５】
【００３１】従って、Ｐ2Ｏ5をドーピングすることによ
りＦやＧｅＯ2をドーピングしたことに比べてシリカの
粘度をさらに低めて、また工程温度を大幅低めることが
できる。一方、図１を参照する時、ＫＢ2Ｏ3の符号はＢ
2Ｏ3のドーピングにより誘導される屈折率変化が負の値
を有するために正の値になる。
【００３２】粘度は、ガラス転移温度(ｇｌａｓｓ ｔ
ｒａｎｓｉｅｎｔ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ)Ｔｇ、す
なわちガラスが液体から固体に変化される時の温度に深
く関係する。ガラスの粘度が低ければ低いほどそのガラ
ス転移温度はさらに低く現れる。なぜなら、ガラス転移
温度は約１０12.6Ｐａ・ｓの粘度で生じるためである。
【００３３】図４Ａ及び図４Ｂは、本発明による光ファ
イバのプロファイルを示す図面であり、長周期光ファイ
バ格子に適するように光ファイバに残留する機械的スト
レスを最大化するための構造を示す。光ファイバ引き出
し後、相対的に高い粘度を有する層は引張力が、相対的
に低い粘度を有する層は圧縮力が作用して光ファイバに
は機械的ストレスが残るようになる。
【００３４】図面において、実線で示したことは機械的
ストレスがない光ファイバのプロファイルを示して、点
線で示したことは機械的ストレスがある光ファイバのプ
ロファイルを示す。
【００３５】図４Ａに示された光ファイバにおいて、光
が導波される領域であるコア４１は実質的にシリカで形
成されて、コア４１周囲を包む被覆４２は実質的にシリ
カにホウ素をドーピングして形成される。被覆４２を包
むチューブ４３は実質的にシリカで形成され、粘度が相
対的に低くする。ここで、被覆４２にホウ素の添加によ
り、被覆４２の粘度を相対的に大幅低め、そして被覆４
２の屈折率はコア４１の屈折率より低くなる。コア４１
には屈折率を高める物質であるゲルマニウムがさらにド
ーピングされたり、被覆４２には屈折率を低めるフッ素
がさらにドーピングされる場合がある。
【００３６】図４Ｂに示された光ファイバにおいて、光
が導波される領域であるコア４６は実質的にシリカに燐
をドーピングして形成されて、コア４６周囲を包む被覆
４７は実質的にシリカで形成され、被覆４７を包むチュ
ーブ４８は実質的にシリカで形成されて粘度が相対的に
高くする。ここで、コア４６に燐の添加によりコア４６
の粘度を相対的に大幅低め、そしてコア４６の屈折率は
被覆４７の屈折率より高まる。コア４６には屈折率を高
める物質であるゲルマニウムがさらにドーピングされた
り、被覆４７には屈折率を低めるフッ素がさらにドーピ
ングされる場合がある。
【００３７】次に、ＣＯ2レーザーまたは電気アークを
利用して残余ストレスが誘導された光ファイバを利用し
て長周期光ファイバ格子を製作する方法に対して説明す
る。
【００３８】図５は、ＣＯ2レーザーを利用して長周期
光ファイバ格子を製造する装置を示す図面である。長周
期光ファイバ格子を製造する装置は、ＣＯ2レーザーシ
ステム５１、反射鏡５２、レンズ５３、旋盤５４及び制
御用コンピュータ５５で構成される。ＣＯ2レーザーシ
ステム５１は、レーザーヘッド、電力モジュール、遠隔
制御部及び連結ケーブルで構成され、レーザーはユーザ
ーが出力ビームとその電力とを調整できるようにパルス
形態に発生される。パルス幅と周期とは遠隔制御部や遠
隔制御部に連結されたパルス発生器により制御できる。
金でメッキされた反射鏡５２はビーム経路を制御するこ
とに用いられ、ＺｎＳｅで作られたレンズ５３はビーム
を適当な幅で焦点を合せることに用いられる。
【００３９】光ファイバ固定部がある旋盤５４は、高解
像度のステッピングモータにより動くことができ、ステ
ッピングモータはコンピュータ５５によりインタフェー
スバスの一種であるＧＰＩＢ５４aを通して制御され
る。白色光源及び光スペクトラム分析機が製造過程中長
周期光ファイバ格子の伝送スペクトラムを観察すること
に用いられる。
【００４０】図６は、シリカコア／ホウ素がドーピング
されたＤＩＣ光ファイバで製造された長周期光ファイバ
格子の伝送スペクトラムを示す図面である。図面におい
て点線で表示されたことは１０ｇ重の張力で、実線で表
示されたことは２２０ｇ重の張力で光ファイバを引き出
した場合であり、格子周期は５００μｍ、格子長さは２
ｃｍ、出力ビームの電力は１８Ｗ、露出時間は０．１
秒、そして位置(ｃ)におけるビームの幅は２００μｍ
(従って、エネルギー密度は１．７Ｊ／ｍｍ2）の同一な
条件で長周期光ファイバ格子を形成した場合である。
【００４１】図面を参照すると、１０ｇ重の張力で引き
出された光ファイバには、いかなるフィルタリング効果
も現れないが、２２０ｇ重で引き出された光ファイバに
は、１０００ｎｍで最大２０ｄＢのピーク値及び２５ｎ
ｍの帯域幅を有する帯域阻止フィルタ特性を示す。長周
期光ファイバ格子の屈折率変化は、周期的にビームに露
出された光ファイバ領域で残余ストレスが弛緩されて本
来の屈折率を回復することにより誘導される。
【００４２】図７と図８とは、各々Ｄ／ｄ＝４及び８の
際Ｐがドーピングされたコア／整合被覆光ファイバで製
造された長周期光ファイバ格子の伝送スペクトラムを示
す図面である。図面において点線で表示されたことはＨ
2がローディングされた場合を、実線で表示されたこと
はＨ2がローディングされない場合を示す。製造条件と
して格子周期は５００μｍ、格子長さは２ｃｍ、出力ビ
ームの電力は１２Ｗ、露出時間は０．２秒、そして位置
(ｂ)におけるビームの幅は３７７μｍ(従って、エネル
ギー密度は１．２Ｊ／ｍｍ2)である。
【００４３】残余ストレスに関する計算から予想される
ように、Ｄ／ｄ＝４及び８であるＰがドーピングされた
コア／整合被覆光ファイバに対する長周期光ファイバ格
子のフィルタリング効果は、コア層に張力を有する光フ
ァイバよりさらに弱いことが分かる。しかし、格子長さ
を増やしたり光ファイバをＨ2でローディングしてフィ
ルタリング効果を向上させることができる。１００℃、
１００ｂａｒ条件で７２時間の間Ｈ2ローディングを遂
行すれば刻み感度を向上させることができる反面、ピッ
チがさらに長い波長側に移動して発生される。
【００４４】図９は、電気的アークを用いて長周期光フ
ァイバ格子を製造する装置を示す図面である。一対の電
極９１は放電電圧を調整することに用いられ、光ファイ
バ９３はＶ−溝９２に装着されており、矢印９４方向に
光ファイバ９３が周期的に一定間隔ずつ移動する。
【００４５】図１０は、Ｄ／ｄ＝８であるＰがドーピン
グされたコア／整合被覆光ファイバに対して電気アーク
及びＣＯ2レーザーにより製造された長周期光ファイバ
格子の伝送スペクトラムを示すグラフである。これらを
相互比較すると、カップリングピークは同一な位置で発
生されれば、カップリングモードに対する電気アークの
効率はＣＯ2レーザーによることよりさらに弱いという
ことが分かる。なぜなら、電気アークの場合には放電時
間を調整することができないのみならず、電気アークに
よりアニーリングされる境界部分が明確でないためであ
る。
【００４６】残留機械的ストレスは、光ファイバの各層
間の粘度差が大きければ大きいほどまた引き出し張力が
大きければ大きいほど多く誘導され、それにより屈折率
変化と長周期格子の効果も大きくなるようになる。従っ
て、本発明では、粘度を低める効果が大きい燐やホウ素
を光ファイバに添加してより向上された性能を有する長
周期光ファイバ格子の製作が可能である。
【００４７】上述のように、本発明の好ましい実施の形
態を参照して説明したが該技術分野の熟練された当業者
であれば下記の特許請求の範囲に記載された本発明の事
象及び領域から外れない範囲内で本発明を多様に修正及
び変更させることができることを理解することができ
る。
【００４８】
【発明の効果】以上から述べてきたように、本発明は、
光ファイバのコアまたは被覆に粘度を低める効果が大き
い燐をコアに添加したりホウ素を被覆に添加することに
より残留機械的ストレスを大きくして、より効果的に長
周期光ファイバ格子を製作できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 ドーピング物質の種と粘度との関係を示すグ
ラフである。
【図２】（Ａ）Ｐ2Ｏ5−ＳｉＯ2コア及びＦ−ＳｉＯ2被
覆で形成された光ファイバ母材の相対的な屈折率プロフ
ァイルを示すグラフである。（Ｂ）その光ファイバ母材
の粘性度プロファイルを示すグラフである。
【図３】 相対的な屈折率変化による粘性度の変化を示
すグラフである。
【図４】 本発明による光ファイバのプロファイルを示
す図であり、（Ａ）第一の実施形態、（Ｂ）第二の実施
形態を示す図である。
【図５】 ＣＯ2レーザーを利用して長周期光ファイバ
格子を製造する装置を示す図である。
【図６】 シリカコア／ホウ素がドーピングされたＤＩ
Ｃ光ファイバで製造された長周期光ファイバ格子の伝送
スペクトラムを示す図面である。
【図７】 Ｄ／ｄ＝４の場合でＰがドーピングされたコ
ア／整合被覆光ファイバで製造された長周期光ファイバ
格子の伝送スペクトルを示す図である。
【図８】 Ｄ／ｄ＝８の際場合でＰがドーピングされた
コア／整合被覆光ファイバで製造された長周期光ファイ
バ格子の伝送スペクトルを示す図である。
【図９】 電気的アークを用いて長周期光ファイバ格子
を製造する装置を示す図面である。
【図１０】 Ｄ／ｄ＝８であるＰがドーピングされたコ
ア／整合被覆光ファイバに対して電気アーク及びＣＯ2
レーザーにより製造された長周期光ファイバ格子の伝送
スペクトラムを示すグラフである。
【符号の説明】
４１、４６コア ４２、４７被覆 ４３、４８チューブ
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｂ 6/16 Ｇ０２Ｂ 6/16 6/22 6/22 (72)発明者 朴 賢洙 大韓民国仁川廣域市延壽區東春洞925番地 ７號 (72)発明者 朴 用雨 大韓民国ソウル特別市瑞草區瑞草洞1562番 地２號 (72)発明者 郭 京昊 大韓民国京畿道水原市八達區梅灘洞（番地 なし）住公アパート516棟508號

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 光を導波し、実質的にシリカで形成され
    たコアと、 このコア周囲を包み、実質的にシリカにホウ素をドーピ
    ングして形成された被覆とを含むことを特徴とする光フ
    ァイバ。
  2. 【請求項２】 このコアには、 ゲルマニウムがさらにドーピングされたことを特徴とす
    る請求項１に記載の光ファイバ。
  3. 【請求項３】 この被覆には、 フッ素がさらにドーピングされたことを特徴とする請求
    項１に記載の光ファイバ。
  4. 【請求項４】 この被覆を包み実質的にシリカで形成さ
    れたチューブをさらに備えることを特徴とする請求項１
    に記載の光ファイバ。
  5. 【請求項５】 このコアに周期的な間隔で残留ストレス
    を弛緩させて形成された格子をさらに備えることを特徴
    とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の光
    ファイバ。
  6. 【請求項６】 光を導波し、実質的にシリカに燐をドー
    ピングして形成されたコアと、 このコア周囲を包み、実質的にシリカで形成された被覆
    とを含むことを特徴とする光ファイバ。
  7. 【請求項７】 このコアには、 ゲルマニウムがさらにドーピングされたことを特徴とす
    る請求項６に記載の光ファイバ。
  8. 【請求項８】 この被覆には、 フッ素がさらにドーピングされたことを特徴とする請求
    項６に記載の光ファイバ。
  9. 【請求項９】 この被覆を包み実質的にシリカで形成さ
    れたチューブをさらに備えることを特徴とする請求項６
    に記載の光ファイバ。
  10. 【請求項１０】 このコアに周期的な間隔で残留ストレ
    スを弛緩させて形成された格子をさらに備えることを特
    徴とする請求項６から請求項９のいずれか一項に記載の
    光ファイバ。
  11. 【請求項１１】 実質的にシリカにホウ素がドーピング
    されて形成された被覆及び実質的にシリカで形成された
    コアを含む光ファイバ母材を形成する段階と、 この光ファイバ母材に所定の張力を付与して光ファイバ
    を引き出す段階と、 この引き出された光ファイバに周期的な間隔で一定部分
    をアニーリングしてこの光ファイバに残留されたストレ
    スを弛緩させて格子を形成する段階とを含むことを特徴
    とする光ファイバ格子製造方法。
  12. 【請求項１２】 この格子形成段階でＣＯ2レーザーを
    利用してアニーリングすることを特徴とする請求項１１
    に記載の光ファイバ格子製造方法。
  13. 【請求項１３】 この格子形成段階で電気アークを利用
    してアニーリングすることを特徴とする請求項１１に記
    載の光ファイバ格子製造方法。
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