JPH11505040A - モードフィールド直径変換ファイバ、光ウェーブガイドの屈折率を局所的に変更するための方法、および光ウェーブガイドのプリフォームを製造するための方法 - Google Patents
モードフィールド直径変換ファイバ、光ウェーブガイドの屈折率を局所的に変更するための方法、および光ウェーブガイドのプリフォームを製造するための方法Info
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Abstract
Description
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.石英ガラスクラッディング(2)およびドーピングした石英ガラスコア( 3)を有するある長さの光ウェーブガイド(1)を備えるモードフィールド直径 変換ファイバにおいて、コア(3)の直径は1方の端部(4)に向かって増大す るように前記ある長さの光ウェーブガイド(1)に沿って変動し、前記光ウェー ブガイド(1)のコア(3)は窒素といったドープ剤でドーピングされ、ドープ 剤濃度は0.01 at.%から5 at.%であることを特徴とするモードフィールド直径 変換ファイバ。 2.クラッディング(2)とコア(3)とを備え、各々が石英ガラスをベース としそのうちの少なくとも一つがドーピングされているある長さの光ウェーブガ イド(1)を加熱するステップ、 前記クラッディング(2)に対し前記コア(3)の中に含まれた元素の局所的 熱拡散を提供し、および/または前記コア(3)に対し前記クラッディング(2 )の中に含まれた元素の局所的熱拡散を提供するステップ、 を有する光ウェーブガイド(1)の屈折率を局所的に変更する方法であって、 前記局所的熱拡散は、0.01 at.%から5 at.%の濃度で窒素でドーピングされ た前記コア(3)を有する前記ある長さの光ウェーブガイド(1)を加熱するこ とによって行なわれ、前記加熱は、アーク(10)の電流または赤外線レーザ(15 )の放射により提供されていることを特徴とする方法。 3.前記ある長さの光ウェーブガイド(1)の加熱が周期的に中断され、前記 周期的中断の間、屈折率変動の空間的間隔により分割可能な距離にて前記光ウェ ーブガイド(1)の軸に沿って加熱区域 が相対的に移動させられる請求項2に記載の方法。 4.前記局所的熱拡散が、リン、アルミニウム、ナトリウム、カリウム、リチ ウム、セリウム、ゲルマニウム、フッ素、ホウ素および/または少なくとも1つ の希土類元素といったようなドープ剤の局所的熱拡散である請求項2に記載の方 法。 5.前記ある長さの光ウェーブガイド(1)は、0.1秒から600分の時間、5mA 〜500mAの前記アーク(10)の電流により加熱され、前記アーク(10)は、前記 光ウェーブガイド(1)の軸に沿って1mmから15mmほどの大きい領域の中に位置 され、鋭い端部を有する電極(5)によって生成され、前記加熱の後、前記ある 長さの光ウェーブガイド(1)は予め定められたモードサイズに対応する領域内 でその軸に直角に切断される請求項2に記載の方法。 6.前記アーク(10)は、可変的速度で前記光ウェーブガイド(1)の軸に沿 って移動させられ、および/または前記アークの電流が変動させられる請求項2 に記載の方法。 7.前記熱拡散の前に前記光ウェーブガイド(1)と補助光ウェーブガイドが 継ぎ合される請求項2に記載の方法。 8.前記加熱がCOレーザ、CO2レーザ、エルビウムレーザまたはホルミウムレ ーザの放射(16)を用い実行される請求項2に記載の方法。 9.オキシ窒化ケイ素(Si3N4:SiO2)ベースのコアを有する前記ある長さの 光ウェーブガイド(1)が加熱される請求項2に記載の方法。 10.フッ素および/またはホウ素でドーピングされたクラッディング(2)を 有する前記ある長さの光ウェーブガイド(1)が加熱される請求項7に記載の方 法。 11.基板管(24)の中に窒素、酸素およびケイ素の原子を含む分 子状気体作用物質の混合物(25)を補給するステップ、 混合物内でマイクロ波放電(27)を励起するステップ、および 前記基板管(24)の内部表面(26)上に、混合物内で発生する反応の生成物を 被着させるステップ、 を有する、窒素ドーピングされた石英ガラスをベースとする光ウェーブガイドの ためのプリフォームの製造方法において、 前記基板管(24)に補給される前記分子状気体作用物質は、各々全てのケイ素 原子上に5個未満の酸素原子が落ち、酸素原子1000個毎に1つより多い窒素原子 が落ちるような形で混合されることを特徴とする製造方法。 12.分子状気体作用物質の前記混合物(25)は、SiCl4+O2+N3, SiCl4+O2 +NO2,SiCl4+O2+N2O3, SiCl4+O2+N2O4, SiCl4+O2+N2O,SiCl4+O2+NO および/またはSiCl4+O2+NH3、といった混合物のうちの少なくとも1つである 請求項11に記載の製造方法。 13.前記基板管(24)の温度が900℃から1300℃である請求項11に記載の方法 。 14.前記基板管(24)内の前記マイクロ波放電(32)を励起するのに必要とさ れる電力(27)が0.1kwから10kwである請求項11に記載の方法。 15.前記基板管(24)内の分子状気体作用物質が0.05mmHgから50mmHgの圧力下 にある請求項11に記載の方法。
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