JP2000304458A - Baking setter and method for baking - Google Patents
Baking setter and method for bakingInfo
- Publication number
- JP2000304458A JP2000304458A JP11110339A JP11033999A JP2000304458A JP 2000304458 A JP2000304458 A JP 2000304458A JP 11110339 A JP11110339 A JP 11110339A JP 11033999 A JP11033999 A JP 11033999A JP 2000304458 A JP2000304458 A JP 2000304458A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- baking
- setter
- processing
- processing substrate
- pdp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Furnace Charging Or Discharging (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、加工用素材の焼成
処理を行う焼成処理に関し、特に、プラズマディスプレ
イ用の基板の加工用素材の焼成処理に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a baking process for baking a processing material, and more particularly to a baking process for a processing material of a substrate for a plasma display.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、プラズマディスプレイパネル(以
下PDPとも記す)は、その奥行きの薄いこと、軽量で
あること、更に鮮明な表示と液晶パネルに比べ視野角が
広いことにより、種々の表示装置に利用されつつある。
一般に、プラズマディスプレイパネル(PDP)は、2
枚の対向するガラス基板にそれぞれ規則的に配列した一
対の電極を設け、その間にネオン、キセノン等を主体と
するガスを封入した構造となっている。そして、これら
の電極間に電圧を印加し、電極周辺の微小なセル内で放
電を発生させることにより、各セルを発光させて表示を
行うようにしている。特に情報表示をするためには、規
則的に並んだセルを選択的に放電発光させている。2. Description of the Related Art In recent years, plasma display panels (hereinafter, also referred to as PDPs) have been used in various display devices because of their small depth, light weight, clear display, and wide viewing angle compared to liquid crystal panels. It is being used.
Generally, a plasma display panel (PDP) has two
A pair of regularly arranged electrodes are provided on a pair of opposed glass substrates, and a gas mainly containing neon, xenon, or the like is sealed between the pair of electrodes. Then, a voltage is applied between these electrodes, and a discharge is generated in minute cells around the electrodes, so that each cell emits light and display is performed. In particular, in order to display information, regularly arranged cells are selectively discharged to emit light.
【0003】ここで、PDPの構成を、図7に示すAC
型PDPの1例を挙げて説明しておく。図7はPDP構
成斜視図であるが、分かり易くするため前面板(ガラス
基板710)、背面板(ガラス基板720)とを実際よ
り離して示してある。図7に示すように、2枚のガラス
基板710、720が互いに平行に且つ対向して配設さ
れており、両者は背面板となるガラス基板720上に互
いに平行に設けられた障壁(セル障壁とも言う)730
により、一定の間隔に保持されている。前面板となるガ
ラス基板710の背面側には、放電維持電極である透明
電極740とバス電極である金属電極750とで構成さ
れる複合電極が互いに平行に形成され、これを覆って、
誘電体層760が形成されており、更にその上に保護層
(MgO層)770が形成されている。また、背面板と
なるガラス基板720の前面側には前記複合電極と直交
するように障壁730間に位置してアドレス電極780
が互いに平行に形成されており、更に障壁730の壁面
とセル底面を覆うように螢光面790が設けられてい
る。障壁730は放電空間を区画するためのもので、区
画された各放電空間をセルないし単位発光領域と言う。
このAC型PDPは面放電型であって、前面板上の複合
電極間に交流電圧を印加して放電させる構造である。こ
の場合、交流をかけているために電界の向きは周波数に
対応して変化する。そして、この放電により生じる紫外
線により螢光体790を発光させ、前面板を透過する光
を観察者が視認できるものである。なお、DC型PDP
にあっては、電極は誘電体層で被膜されていない構造を
有する点でAC型と相違するが、その放電効果は同じで
ある。また、図7に示すものは、ガラス基板720の一
面に下地層767を設けその上に誘電体層765を設け
た構造となっているが、下地層767、誘電体層765
は必ずしも必要としない。Here, the configuration of the PDP is shown in FIG.
An example of the type PDP will be described. FIG. 7 is a perspective view of the PDP structure, but shows a front plate (glass substrate 710) and a rear plate (glass substrate 720) apart from the actual case for easy understanding. As shown in FIG. 7, two glass substrates 710 and 720 are arranged in parallel and opposed to each other, and both are provided on a glass substrate 720 serving as a back plate in parallel with each other (cell barrier). 730)
Are held at regular intervals. On the back side of the glass substrate 710 serving as a front plate, composite electrodes composed of a transparent electrode 740 serving as a discharge sustaining electrode and a metal electrode 750 serving as a bus electrode are formed in parallel with each other.
A dielectric layer 760 is formed, and a protective layer (MgO layer) 770 is further formed thereon. In addition, on the front side of a glass substrate 720 serving as a back plate, an address electrode 780 is positioned between barriers 730 so as to be orthogonal to the composite electrode.
Are formed in parallel with each other, and a fluorescent surface 790 is provided so as to cover the wall surface of the barrier 730 and the cell bottom surface. The barrier 730 is for defining a discharge space, and each partitioned discharge space is called a cell or a unit light emitting region.
This AC type PDP is a surface discharge type, and has a structure in which an AC voltage is applied between composite electrodes on the front panel to cause discharge. In this case, since the alternating current is applied, the direction of the electric field changes according to the frequency. The fluorescent material 790 emits light by the ultraviolet light generated by the discharge, and the light transmitted through the front plate can be visually recognized by an observer. In addition, DC type PDP
In the above, the electrode is different from the AC type in that the electrode has a structure not coated with the dielectric layer, but the discharge effect is the same. 7 has a structure in which an underlayer 767 is provided on one surface of a glass substrate 720 and a dielectric layer 765 is provided thereon, but the underlayer 767 and the dielectric layer 765 are not provided.
Is not necessarily required.
【0004】そして、AC型のプラズマディスプレイ
(PDP)は、例えば、図6に示すようにして、作製さ
れていた。図6はAC型のPDP作製工程を示したもの
で、背面板、前面板をそれぞれ別個の工程で作製し、両
者を用いてPDPをアセンブリするものである。先ず、
背面板の作製工程を説明する。尚、S51〜S74は処
理ステップを表す。はじめに、ガラス基板を用意し(S
51)、ガラス基板上に電極配線用ペーストを一面に塗
布、乾燥し、これを製版処理を経て、所定形状に加工し
て、あるいは、ガラス基板に厚膜印刷法により電極配線
用ペーストを所定形状に印刷した後、これを焼成し、電
極配線を形成する。(S52) 次いで、形成された電極上にガラス基板面を覆うように
全面に誘電体層を形成する。(S53) 次いで、このガラス基板の誘電体層上に障壁(バリアリ
ブとも言う)を、印刷法ないしサンドブラスト法により
形成する。(S54) 印刷法の場合、ガラス基板に厚膜印刷法により障壁(バ
リアリブ)形成用ペーストを所定のパターンに印刷し、
これを乾燥する。障壁の層厚は厚く(例えば100〜2
00μmの厚さ)1回の厚膜印刷ではこの膜厚が得られ
ないため、障壁形成用ペーストの印刷および乾燥は複数
回行う。所定の膜厚が得られた後、ペーストの焼成がな
される。サンドブラスト法の場合は、障壁形成材料をガ
ラス基板上に塗布し、更にこの上に所定のレシストパタ
ーンを形成した後、研磨砂を吹きかけレジストパターン
に対応した形状に障壁形成材料を加工して、これを焼成
して障壁を形成する。更に、障壁が形成された基板に厚
膜印刷法により蛍光体用ペースト(例えば、酸化インジ
ウム含有の螢光体用ペースト)を所定パターンに印刷
し、次いでその乾燥及び焼成を行い(S55)、背面板
を形成する。(S56)An AC type plasma display (PDP) has been manufactured, for example, as shown in FIG. FIG. 6 shows an AC type PDP manufacturing process, in which a back plate and a front plate are manufactured in separate steps, respectively, and a PDP is assembled using both. First,
The manufacturing process of the back plate will be described. Note that S51 to S74 represent processing steps. First, prepare a glass substrate (S
51) An electrode wiring paste is applied on one surface of a glass substrate, dried, and processed into a predetermined shape through a plate making process, or the electrode wiring paste is formed on a glass substrate by a thick film printing method. Then, it is baked to form an electrode wiring. (S52) Next, a dielectric layer is formed on the entire surface of the formed electrode so as to cover the glass substrate surface. (S53) Next, a barrier (also called a barrier rib) is formed on the dielectric layer of the glass substrate by a printing method or a sandblast method. (S54) In the case of the printing method, a paste for forming a barrier (barrier rib) is printed in a predetermined pattern on a glass substrate by a thick film printing method,
This is dried. The thickness of the barrier is large (for example, 100 to 2).
(Thickness of 00 μm) Since this film thickness cannot be obtained by one thick film printing, printing and drying of the barrier forming paste are performed a plurality of times. After a predetermined film thickness is obtained, the paste is fired. In the case of the sand blast method, a barrier forming material is applied on a glass substrate, and a predetermined resist pattern is further formed thereon. This is fired to form a barrier. Further, a paste for a phosphor (for example, a paste for a phosphor containing indium oxide) is printed in a predetermined pattern on the substrate on which the barrier is formed by a thick film printing method, and then dried and fired (S55). Form a face plate. (S56)
【0005】次に、前面板の作製工程を説明する。先
ず、ガラス基板を用意し(S61)、ガラス基板に例え
ばITO(Indium Tin Oxide)の蒸着
層をパターニングする。(S62) パターニングは通常のフォトリソ工程(リソグラフィー
技術)により行う。次いで、Cr−Cu−Cr(クロ
ム、銅、クロム)の3層を蒸着やスパッタリングにより
成膜し、同様にフォトリソ工程(リソグラフィー技術)
によりパターニングして、パターニングされたITO膜
とともに、放電用の電極配線を形成する。(S63) 次いで、ペースト状にした低融点ガラスのベタ印刷によ
り、透明誘電体層を形成して(S64)、前面板が得ら
れる。(S65)Next, a process for manufacturing the front plate will be described. First, a glass substrate is prepared (S61), and a deposition layer of, for example, ITO (Indium Tin Oxide) is patterned on the glass substrate. (S62) The patterning is performed by a normal photolithography process (lithography technology). Next, three layers of Cr-Cu-Cr (chromium, copper, chromium) are formed by vapor deposition or sputtering, and a photolithography process (lithography technology) is performed similarly.
To form an electrode wiring for discharge together with the patterned ITO film. (S63) Next, a transparent dielectric layer is formed by solid printing of paste-like low melting point glass (S64), and a front plate is obtained. (S65)
【0006】次いで、このようにして得られた、背面
板、前面板を用い、以下のようにしてPDPを作製す
る。先ず、前面板及び背面板の位置合わせを行い、その
状態で両基板の縁部分にシール用鉛ガラスを塗布し、次
いでシールが行われる。(S71) 次に、両基板(背面板と前面板)及びシール部で囲われ
る空隙内が排気管を介して排気された後、この排気管を
介して上述の空隙に放電ガスが封入される。(S72) その後、排気管の焼きちぎり(チップオフ)を行い、ド
ライバIC取付けを行い(S73)、PDP(プラズマ
ディスプレイパネル)が得られる。(S74) 上記のように、PDPの作製に際し、これに使用する背
面板、前面板は、それぞれ、各種工程を経て、電極配線
部、障壁部、螢光体部、誘電体層部等が形成され、併せ
てPDPとなる。Next, a PDP is manufactured using the back plate and the front plate thus obtained as follows. First, the front plate and the back plate are aligned, and in that state, lead glass for sealing is applied to the edges of both substrates, and then sealing is performed. (S71) Next, after the inside of the gap surrounded by both substrates (the back plate and the front plate) and the seal portion is exhausted through the exhaust pipe, the discharge gas is sealed in the above-mentioned gap through the exhaust pipe. . (S72) Thereafter, the exhaust pipe is burned off (chip off), and a driver IC is mounted (S73), whereby a PDP (plasma display panel) is obtained. (S74) As described above, the back plate and the front plate used for the production of the PDP are subjected to various processes to form an electrode wiring portion, a barrier portion, a phosphor portion, a dielectric layer portion, and the like. In addition, it becomes a PDP.
【0007】このようなPDPの作製においては、最近
では、生産性、品質面等から、電極配線部の形成、障壁
の形成等をサンドブラスト処理により行うようになって
きた。このサンドブラスト処理は、電極配線部、障壁形
成用の低融点ガラスペーストからなる加工用素材を、そ
れぞれ、ガラス基板上に塗布し、更にこの上に所定のレ
シストパターンを形成した後、研磨砂を吹きかけレジス
トパターンに対応した形状に障壁形成材料を加工して、
これを焼成処理して、それぞれ、電極配線部、障壁を形
成するものである。ここで言う焼成処理とは、低融点ガ
ラスペーストからなる加工用素材をガラス基板上に形成
した後に、加工用素材を焼成するキープ温度で、所定時
間保持した後、ガラス基板の歪点まで徐冷し、さらに常
温まで冷却するのもので、各処理におけるガラス基板自
体の伸縮も制御している。尚、焼成処理のピーク温度
は、通常、加工用素材を焼結するための温度で、所定時
間、このピーク温度で保持するため、これをキープ温度
とも言っている。また、ガラス基板の歪点とは、この温
度からどんなに急冷しても、その急冷のために新しく永
久歪を生ぜしめる可能性が全くない温度である。また、
通常、電極配線形成用の導電性ペーストは、金属微粒子
(例えばAg)、低融点ガラスフリット、樹脂、溶剤か
らなり、誘電体層形成用のペーストは、低融点ガラスフ
リット、樹脂、溶剤からなり、必要に応じフィラー、顔
料等も加えたものである。また、障壁形成用のペースト
は、低融点ガラスフリット、フィラー(アルミナ、ジル
コニア等)、顔料、樹脂、溶剤からなる。これらのペー
ストは、焼成過程で流動して固着するための低融点ガラ
スフリットを主成分とし含むことから、一般に、低融点
ガラスないし低融点ガラスペーストと呼ばれる。In the production of such a PDP, formation of an electrode wiring portion, formation of a barrier, and the like have recently been performed by sandblasting in terms of productivity, quality, and the like. In this sandblasting process, a processing material composed of a low-melting glass paste for forming an electrode wiring portion and a barrier is applied onto a glass substrate, respectively, and a predetermined resist pattern is formed thereon. Processing the barrier forming material into a shape corresponding to the spray resist pattern,
This is fired to form an electrode wiring portion and a barrier, respectively. The firing treatment referred to here means that after a processing material made of a low-melting glass paste is formed on a glass substrate, the processing material is kept at a keeping temperature for firing, for a predetermined time, and then gradually cooled to a strain point of the glass substrate. In addition, the glass substrate is further cooled to room temperature, and also controls expansion and contraction of the glass substrate itself in each processing. The peak temperature of the baking treatment is usually a temperature for sintering the working material, and is maintained at this peak temperature for a predetermined time, and is also referred to as a keep temperature. Further, the strain point of the glass substrate is a temperature at which there is no possibility of generating any new permanent strain due to the rapid cooling, no matter how rapid cooling is performed from this temperature. Also,
Usually, the conductive paste for forming the electrode wiring is made of fine metal particles (for example, Ag), a low-melting glass frit, a resin, and a solvent. The paste for forming the dielectric layer is made of a low-melting glass frit, a resin, and a solvent. If necessary, fillers, pigments and the like are added. Further, the paste for forming the barrier is made of a low melting point glass frit, a filler (alumina, zirconia, etc.), a pigment, a resin, and a solvent. These pastes are generally referred to as low-melting glass or low-melting glass paste because they contain, as a main component, a low-melting glass frit for flowing and fixing in a firing process.
【0008】このような焼成処理は、PDPの作製にお
いては、処理基板がたわむほど(熱変形するほど)の温
度に上げて焼成する為、また、搬送による処理基板への
傷の発生を防止する為、処理基板の搬送方法としては、
通常、図5(a)に示すように、セッター510と呼ば
れる耐熱ガラス基板上に処理基板520を載せてローラ
ー式コンベアにより焼成炉540中を搬送する方式が採
られている。尚、図5(b)は図5(a)のC0側から
みた図で、図5中、530は搬送ローラーである。従
来、セッター510は、図5(b)に示すように、ベタ
状で開口部は設けられていない。セッター510として
は、一般には、約5mm厚のネオセラムN−0(日本電
気硝子製の結晶化ガラス基板)が用いられているが、他
ではセラミックス等が適用可能である。しかし、この方
法の場合、セッター510は、処理基板520(通常約
2〜3mmの厚さ)よりも厚く、その熱容量は大きいた
め、所定の焼成温度(上記キープ温度)を得るまでに時
間がかかり過ぎ、且つ、冷却する際にも時間がかかり過
ぎるため、この対応が求められていた。即ち、PDPの
背面板の形成においては、焼成処理が複数回行われるた
めに、セッターの熱容量が大きいと、これに起因した熱
エネルギーのロス、生産性の低下が大きくなり、この対
応が求められていた。[0008] Such a baking treatment is performed in order to raise the temperature of the PDP so as to bend (thermally deform) in the production of the PDP and to perform baking. Therefore, as a method of transporting the processing substrate,
Normally, as shown in FIG. 5A, a method is adopted in which a processing substrate 520 is placed on a heat-resistant glass substrate called a setter 510 and transported in a firing furnace 540 by a roller type conveyor. FIG. 5B is a view from the C0 side of FIG. 5A, and in FIG. 5, reference numeral 530 is a transport roller. Conventionally, as shown in FIG. 5B, the setter 510 is solid and has no opening. As the setter 510, Neoceram N-0 (a crystallized glass substrate manufactured by Nippon Electric Glass) having a thickness of about 5 mm is generally used, but ceramics or the like can be used in other cases. However, in the case of this method, since the setter 510 is thicker than the processing substrate 520 (typically about 2-3 mm thick) and has a large heat capacity, it takes time to obtain a predetermined firing temperature (the above-mentioned keep temperature). This has been sought, as it takes too much time for cooling. That is, in the formation of the back plate of the PDP, since the firing process is performed a plurality of times, if the heat capacity of the setter is large, the loss of heat energy and the decrease in productivity due to this become large, and this measure is required. I was
【0009】[0009]
【発明が解決しようとする課題】このような状況のも
と、近年のPDPの大型化、高品質化、量産化が求めら
れる中、このようなPDP作製における焼成処理を効率
的に行う方法が求められていた。本発明は、これに対応
するもので、具体的には、PDP用の背面板、前面板の
作製において、焼成処理時間をできるだけ短縮でき、省
エネと生産性向上が図れる方法を提供しようとするもの
である。Under these circumstances, in recent years, PDPs have been required to be large, high quality, and mass-produced. Was sought. The present invention responds to this problem. Specifically, it is intended to provide a method capable of shortening the baking time as much as possible, and contributing to energy saving and productivity improvement in manufacturing a back plate and a front plate for a PDP. It is.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明の焼成処理用セッ
ターは、プラズマディスプレイ用の処理基板を搬送しな
がら処理基板の加工用素材を焼成するための焼成処理に
用いられる、処理基板を搭載するための焼成処理用セッ
ターであって、貫通した開口部を設けていることを特徴
とするものである。そして、上記において、貫通した開
口部は、少なくとも処理基板搭載領域全面にわたり均一
に設けられていることを特徴とするものであり、該貫通
した開口部は円形状であることを特徴とするものであ
る。そして、上記において、円形状の開口部の各円の中
心位置は、それぞれ、処理基板の面上に隙間なく配置す
ることができる正三角形の各頂点に位置するものである
ことを特徴とするものであり、該貫通した円形状の開口
部の占める割合が、処理基板搭載領域において、10%
〜60%であることを特徴とするものである。A baking processing setter according to the present invention mounts a processing substrate used in a baking process for baking a processing material of a processing substrate while transporting a processing substrate for a plasma display. For sintering processing for providing a through-hole. In the above, the penetrating opening is characterized in that it is provided uniformly over at least the entire surface of the processing substrate mounting region, and the penetrating opening is circular. is there. In the above, the center position of each circle of the circular opening is located at each vertex of an equilateral triangle that can be arranged on the surface of the processing substrate without any gap. The ratio occupied by the penetrating circular opening is 10% in the processing substrate mounting area.
6060%.
【0011】本発明の焼成処理方法は、上記本発明の焼
成処理用セッターを用いて、処理基板の加工用素材を焼
成することを特徴とするものである。The sintering method according to the present invention is characterized in that a material for processing a substrate to be processed is baked using the sintering setter according to the present invention.
【0012】[0012]
【作用】本発明の焼成処理用セッターは、このような構
成にすることにより、PDP用の背面板、前面板の作製
において、焼成処理時間をできるだけ短縮でき、省エネ
と生産性向上が図れる方法の提供を可能としている。即
ち、セッターに貫通した開口を設けることにより、セッ
ターの熱容量を減らし、結果、処理基板の加熱、冷却を
容易としている。具体的には、プラズマディスプレイ用
の処理基板を搬送しながら処理基板の加工用素材を焼成
するための焼成処理に用いられる、処理基板を搭載する
ための焼成処理用セッターであって、貫通した開口部を
設けていることにより、更には、該貫通した開口部は、
少なくとも処理基板搭載領域全面にわたり均一に設けら
れていることにより、これを達成している。そして、貫
通した開口部が円形状であることにより、開口の方向に
よらないセッターの強度を容易に確保できるものとし、
特に、開口部が円形状で、開口部の各円の中心位置は、
それぞれ、処理基板の面上に隙間なく配置することがで
きる正三角形の各頂点に位置するものであることによ
り、セッターの処理基板搭載領域全面にわたり均一な強
度が得られるものとしている。この場合、貫通した開口
部全体の開口の占める割合は、処理基板搭載領域におい
て、60%以下であるこが、品質面、強度面で好まし
く、省エネ、生産性向上の面からは、少なくとも10%
以上であることが好ましい。The firing setter according to the present invention has a structure as described above, whereby the baking time can be reduced as much as possible in the production of the back plate and the front plate for the PDP, and the energy can be saved and the productivity can be improved. It is possible to provide. That is, by providing an opening penetrating the setter, the heat capacity of the setter is reduced, and as a result, heating and cooling of the processing substrate are facilitated. Specifically, it is a baking process setter for mounting a processing substrate, which is used in a baking process for baking a processing material of a processing substrate while transporting a processing substrate for a plasma display. By providing the portion, further, the opening that penetrates,
This is achieved by being provided uniformly over at least the entire surface of the processing substrate mounting area. And since the penetrating opening has a circular shape, the strength of the setter regardless of the direction of the opening can be easily secured,
In particular, the opening is circular, and the center position of each circle of the opening is
Each of them is located at each vertex of an equilateral triangle that can be arranged on the surface of the processing substrate without any gap, so that uniform strength can be obtained over the entire processing substrate mounting area of the setter. In this case, it is preferable that the ratio of the opening of the entire penetrating opening to the processing substrate mounting area is 60% or less in terms of quality and strength, and at least 10% in terms of energy saving and productivity improvement.
It is preferable that it is above.
【0013】本発明の焼成処理方法は、このような構成
にすることにより、PDP用の背面板、前面板の作製に
おいて、省エネと生産性向上を可能としている。The sintering method of the present invention having such a structure enables energy saving and improvement in productivity in manufacturing a back plate and a front plate for a PDP.
【0014】[0014]
【発明の実施の形態】本発明の焼成処理用セッターの実
施の形態の例を挙げて説明する。図1(a)は本発明の
焼成処理用セッターの実施の形態の1例の平面図で、図
1(b)は図1(a)のA0部を拡大して示した図で、
図2は図1に示すセッターを用いた場合の、セッターへ
の処理基板の搭載と、セッターからの処理基板の分離を
説明するための図で、図3は図2(a)のB1 −B2に
おける断面を示した図で、図4(a)、図4(b)は、
それぞれ、他の焼成処理用セッターの例の平面図であ
る。図1〜図3中、110はセッター、111はガラス
部、115、115Aは開口部、118は処理基板搭載
領域、120は処理基板、150は搬送ローラー、16
0は処理基板持ち上げ用ピン、170はロボットハン
ド、175は吸着部である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A sintering setter according to the present invention will be described by way of an embodiment. FIG. 1A is a plan view of an example of an embodiment of a baking treatment setter according to the present invention, and FIG. 1B is an enlarged view of a portion A0 in FIG.
FIG. 2 is a view for explaining the mounting of the processing substrate on the setter and the separation of the processing substrate from the setter when the setter shown in FIG. 1 is used, and FIG. 3 is a view showing B1-B2 of FIG. 4 (a) and 4 (b) are cross-sectional views of FIG.
It is a top view of the example of another setter for baking processing, respectively. 1 to 3, 110 is a setter, 111 is a glass part, 115 and 115A are openings, 118 is a processing substrate mounting area, 120 is a processing substrate, 150 is a transport roller, 16
Reference numeral 0 denotes a processing substrate lifting pin, 170 denotes a robot hand, and 175 denotes a suction unit.
【0015】図1に示す例の焼成処理用セッター110
は、障壁形成のための低融点ガラスペーストからなる加
工用素材を設けたPDP用の背面板(処理基板)をほぼ
水平にして搬送しながら処理基板の加工用素材を焼成す
るための焼成処理に用いられる、PDP用の背面板(処
理基板)を搭載するための、耐熱ガラスからなる焼成処
理用セッターで、処理基板搭載領域118全面にわた
り、円形状の貫通した開口部115が、均一に設けられ
ている。図1(a)に示すように、処理基板搭載領域1
18全面にわたり、円形状の貫通した開口部115が均
一に設けられている。図1(a)の各円形状の開口部1
15は、図1(b)に示すように、各円の中心位置を、
それぞれ、処理基板の面上に隙間なく配置することがで
きる正三角形の各頂点に位置させている。これにより、
円形状の開口部115を処理基板搭載領域118全面に
わたり、均一に配置するとともに、互いに円間の距離を
大きくしており、セッター強度を各方向に対し均一に強
いものとしている。このような開口部を設けた場合、貫
通した開口部全体の開口の占める割合は、処理基板搭載
領域において、60%以下であるこが、品質面、強度面
で好ましく、省エネ、生産性向上の面からは、少なくと
も10%以上であることが好ましい。The baking setter 110 of the embodiment shown in FIG.
Is applied to a baking process for baking the processing material of the processing substrate while transporting the back plate (processing substrate) for the PDP provided with the processing material made of the low melting point glass paste for forming the barrier substantially horizontally. A baking setter made of heat-resistant glass for mounting a back plate (processing substrate) for PDP to be used. A circular through-hole 115 is provided uniformly over the entire processing substrate mounting area 118. ing. As shown in FIG. 1A, the processing substrate mounting area 1
18, a circular penetrating opening 115 is provided uniformly over the entire surface. Each circular opening 1 in FIG.
15 indicates the center position of each circle as shown in FIG.
Each is located at each vertex of an equilateral triangle that can be arranged on the surface of the processing substrate without gaps. This allows
The circular openings 115 are uniformly arranged over the entire surface of the processing substrate mounting area 118, and the distance between the circles is increased, so that the setter strength is uniformly increased in each direction. In the case where such an opening is provided, the ratio of the opening occupied by the entire penetrating opening is preferably 60% or less in the processing substrate mounting area in terms of quality and strength, energy saving and productivity improvement. Therefore, the content is preferably at least 10% or more.
【0016】図1に示すセッターの場合、図2に示すよ
うな、セッターへの処理基板の搭載、セッターからの処
理基板の分離が可能で、処理性も優れたものとなる。図
2に基づいてこれを簡単に説明しておく。尚、既に述べ
た通り、図3は図2(a)のB1−B2における断面を
示した図である。図2(a)に示すように、セッター1
10上の処理基板120は、処理基板持ち上げ用ピン1
60に支持された状態で保持され、持ち上げられる。処
理基板持ち上げ用ピン160は、所定の範囲で上下方向
に移動できるもので、且つ、セッター110の処理基板
持ち上げ用ピン160は、処理基板との位置関係が適当
にとられている場合には、セッター120に設けられた
開口115Aを通り抜けるように、配設されているた
め、処理基板を所定の位置を置くことにより、処理基板
持ち上げ用ピン160の移動に伴い処理基板120を上
下移動させることができる。図2(a)の状態から、処
理基板持ち上げ用ピン160が下方向移動して、処理基
板120をセッター110上に搭載して、図2(b)の
ようになる。また、図2(b)のように、セッター11
0上に搭載されている処理基板120は、処理基板持ち
上げ用ピン160が上方向移動して、処理基板120を
セッターから分離して、図2(a)のようになる。In the case of the setter shown in FIG. 1, the processing substrate can be mounted on the setter and the processing substrate can be separated from the setter as shown in FIG. 2, and the processability is excellent. This will be briefly described with reference to FIG. As described above, FIG. 3 is a diagram showing a cross section taken along line B1-B2 in FIG. As shown in FIG.
The processing substrate 120 on the processing substrate 10 is
It is held and lifted while being supported by 60. The processing substrate lifting pin 160 can be moved up and down within a predetermined range, and the processing substrate lifting pin 160 of the setter 110 has a proper positional relationship with the processing substrate. Since the processing substrate is disposed so as to pass through the opening 115A provided in the setter 120, the processing substrate can be moved up and down with the movement of the processing substrate lifting pins 160 by placing the processing substrate at a predetermined position. it can. From the state of FIG. 2A, the processing substrate lifting pins 160 move downward, and the processing substrate 120 is mounted on the setter 110, as shown in FIG. 2B. Also, as shown in FIG.
2A, the processing substrate 120 mounted on the substrate 0 is separated from the setter by moving the processing substrate lifting pins 160 upward.
【0017】次に、図2(a)の状態から、図2(c)
に示すように、ロボットハンド170をセッター11
0、処理基板120間へ挿入し、処理基板持ち上げ用ピ
ン160を下方向に下げ、ロボットハンド170の吸着
部175にて処理基板120を保持した状態とし、更
に、処理基板持ち上げ用ピン160を下方向に移動させ
ると、処理基板120は、図2(d)のように、ロボッ
トハンド170のみにより保持された状態となり、ロボ
ットハンド170の動きにより、所定の位置に移動でき
る。このようにして、セッター110からの処理基板1
20の分離は行われる。また、図2(d)の状態の、処
理基板120がセッター110上所定の位置にある場
合、処理基板持ち上げ用ピン160を上方向に上げ、処
理基板持ち上げ用ピン160のみで処理基板を保持した
状態とし、更に、処理基板持ち上げ用ピン160を上方
向に上げ、ロボットハンド170をこの位置から除去し
た状態(図2(a)の状態)で、処理基板持ち上げ用ピ
ン160を下方向に移動して、図2(b)に示すよう
に、セッター110上に処理基板120を搭載する。こ
のようにして、ロボットハンド170から、セッター1
10上へ処理基板120を搭載できる。このようにセッ
ターに開口115Aを設けおくことにより、処理性も良
くすることがてきる。Next, from the state of FIG.
As shown in FIG.
0, the processing substrate 120 is inserted between the processing substrates 120, the processing substrate lifting pins 160 are lowered, and the processing substrate 120 is held by the suction unit 175 of the robot hand 170, and the processing substrate lifting pins 160 are further lowered. 2D, the processing substrate 120 is held only by the robot hand 170 as shown in FIG. 2D, and can be moved to a predetermined position by the movement of the robot hand 170. Thus, the processing substrate 1 from the setter 110
A separation of 20 is performed. In the state of FIG. 2D, when the processing substrate 120 is at a predetermined position on the setter 110, the processing substrate lifting pins 160 are raised upward, and the processing substrate is held only by the processing substrate lifting pins 160. In this state, the processing substrate lifting pins 160 are lifted upward, and the processing substrate lifting pins 160 are moved downward in a state where the robot hand 170 is removed from this position (the state shown in FIG. 2A). Then, as shown in FIG. 2B, the processing substrate 120 is mounted on the setter 110. Thus, from the robot hand 170, the setter 1
The processing substrate 120 can be mounted on the substrate 10. By providing the opening 115A in the setter in this way, the processability can be improved.
【0018】図1に示すセッターの例は、上記の通りで
あるが、これに必ずしも、限定されない、場合によって
は、図4(a)、図4(b)に示すような開口部115
を設けても良い。The example of the setter shown in FIG. 1 is as described above, but is not necessarily limited thereto. In some cases, the opening 115 shown in FIGS. 4A and 4B is used.
May be provided.
【0019】図1に示す例の焼成処理用セッター110
を用いて、実際に焼成処理を行ってみた。セッターの各
形状(処理例〜、比較例)と、加熱時間、冷却時間
との関係は、下記の表1のようになった。但し、図1
(b)に示すL0は50mmで、円の径を変えて、開口
部全体の開口が占める面積を変えたもので、開口面積率
(%)は、処理基板搭載領域118に対する開口部全体
の開口が占める面積の割合を示している。The baking setter 110 of the example shown in FIG.
Was used to actually perform the baking treatment. Table 1 below shows the relationship between each shape of the setter (processing example to comparative example), heating time, and cooling time. However, FIG.
L0 shown in (b) is 50 mm, the diameter of the circle is changed, and the area occupied by the entire opening is changed. The opening area ratio (%) is the opening of the entire opening relative to the processing substrate mounting region 118. Indicates the ratio of the area occupied by.
【表1】 これからも、貫通した開口部の占める割合が、処理基板
搭載領域において、10%以上は必要と判断される。[Table 1] From this, it is determined that the ratio of the penetrating opening is required to be 10% or more in the processing substrate mounting area.
【0020】[0020]
【発明の効果】本発明は、上記のように、PDP作製に
おける、加工用素材の焼成処理を効率的に行うことがで
きる焼成処理方法の提供を可能とした。結果、PDPの
大型化、高品質化、量産化に対応できるものとした。As described above, the present invention has made it possible to provide a baking treatment method capable of efficiently performing a baking treatment of a processing material in PDP production. As a result, the PDP can respond to the increase in size, quality, and mass production of PDPs.
【図1】図1(a)は本発明の焼成処理用セッターの実
施の形態の1例の平面図図で、図1(b)は図1(a)
のA0部を拡大して示した図である。FIG. 1 (a) is a plan view of an example of an embodiment of a baking treatment setter according to the present invention, and FIG. 1 (b) is FIG. 1 (a).
FIG. 3 is an enlarged view of an A0 part of FIG.
【図2】図1に示すセッターを用いた場合の、セッター
への処理基板の搭載と、セッターからの処理基板の分離
を説明するための図FIG. 2 is a view for explaining mounting of a processing substrate on the setter and separation of the processing substrate from the setter when the setter shown in FIG. 1 is used.
【図3】図2(a)のB1 −B2における断面を示した
図FIG. 3 is a diagram showing a cross section taken along B1-B2 in FIG.
【図4】図4(a)、図4(b)は、それぞれ、他の焼
成処理用セッターの例の平面図である。FIGS. 4 (a) and 4 (b) are plan views of examples of other baking treatment setters, respectively.
【図5】従来の焼成処理を説明するための図FIG. 5 is a view for explaining a conventional firing process.
【図6】PDPの製造工程を説明するための工程図FIG. 6 is a process chart for explaining a PDP manufacturing process.
【図7】PDP基板を説明するための図FIG. 7 is a diagram illustrating a PDP substrate.
110 セッター 111 ガラス部 115、115A 開口部 118 処理基板搭載領域 120 処理基板 150 搬送ローラー 160 処理基板持ち上げ用ピン 170 ロボットハンド 175 吸着部 110 setter 111 glass section 115, 115A opening 118 processing substrate mounting area 120 processing substrate 150 transport roller 160 processing substrate lifting pin 170 robot hand 175 suction section
Claims (6)
送しながら処理基板の加工用素材を焼成するための焼成
処理に用いられる、処理基板を搭載するための焼成処理
用セッターであって、貫通した開口部を設けていること
を特徴とする焼成処理用セッター。1. A baking processing setter for mounting a processing substrate, which is used in a baking processing for baking a processing material of the processing substrate while transporting the processing substrate for a plasma display, wherein the through-hole is provided. A baking process setter, characterized by having a section.
少なくとも処理基板搭載領域全面にわたり均一に設けら
れていることを特徴とする焼成処理用セッター。2. The method according to claim 1, wherein the penetrating opening is
A baking processing setter characterized by being provided uniformly over at least the entire surface of a processing substrate mounting area.
形状であることを特徴とする焼成処理用セッター。3. The baking setter according to claim 2, wherein the penetrating opening has a circular shape.
位置は、それぞれ、処理基板の面上に隙間なく配置する
ことができる正三角形の各頂点に位置するものであるこ
とを特徴とする焼成処理用セッター。4. The method according to claim 3, wherein the center position of each circle of the opening is located at each vertex of an equilateral triangle which can be arranged on the surface of the processing substrate without any gap. Baking setter.
める割合が、処理基板搭載領域において、10%〜60
%であることを特徴とする焼成処理用セッター。5. The method according to claim 4, wherein the ratio of the penetrating opening is 10% to 60% in the processing substrate mounting area.
% For baking treatment.
ターを用いて、処理基板の加工用素材を焼成することを
特徴とする焼成処理方法。6. A baking treatment method, comprising baking a processing substrate material using the baking processing setter according to claim 1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11110339A JP2000304458A (en) | 1999-04-19 | 1999-04-19 | Baking setter and method for baking |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11110339A JP2000304458A (en) | 1999-04-19 | 1999-04-19 | Baking setter and method for baking |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000304458A true JP2000304458A (en) | 2000-11-02 |
Family
ID=14533257
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11110339A Pending JP2000304458A (en) | 1999-04-19 | 1999-04-19 | Baking setter and method for baking |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000304458A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7063584B2 (en) | 2001-05-30 | 2006-06-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing gas discharge display panel, support table, and method of manufacturing support table |
-
1999
- 1999-04-19 JP JP11110339A patent/JP2000304458A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7063584B2 (en) | 2001-05-30 | 2006-06-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing gas discharge display panel, support table, and method of manufacturing support table |
KR100895370B1 (en) * | 2001-05-30 | 2009-04-29 | 파나소닉 주식회사 | Method of manufacturing gas discharge display panel, and support table |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101169106B1 (en) | Multi-stage baking apparatus for plasma display panel | |
JP3953687B2 (en) | Baking treatment method and baking furnace | |
JP2000304458A (en) | Baking setter and method for baking | |
CN100578720C (en) | Manufacturing method of plasma display panel and baking device | |
KR100710333B1 (en) | Burning apparatus for plasma display panel and manufacturing method of plasma display panel using the same | |
US7083489B2 (en) | Plasma display panels manufacturing method and sintering device | |
JP4204019B2 (en) | Firing equipment | |
JP2001002440A (en) | Process and equipment for firing treatment | |
KR100453171B1 (en) | Method of Fabricating Rib of Plasma Display Panel | |
JP2003208851A (en) | Ac type gas discharge display device and method of manufacturing the display device | |
JP4082082B2 (en) | Method for manufacturing plasma display panel | |
JP4036029B2 (en) | Method for manufacturing plasma display panel | |
JP2001110313A (en) | Baking treatment apparatus | |
TW564455B (en) | Manufacturing method for gas discharge display panel, holder, and manufacturing method for holder | |
JP2004243243A (en) | Production method of thick film sheet | |
JPH11306981A (en) | Manufacture of back plate and front plate for plasma display panel | |
JP2002373572A (en) | Calcining treatment method | |
JP2010048513A (en) | Burning device and method of manufacturing flat panel display | |
WO2003102995A1 (en) | Plasma display panel producing method and baking device | |
KR100433220B1 (en) | Method of Fabricating Back Plate in Plasma Display Panel | |
JP2009210166A (en) | Baking device of plasma display panel | |
JP2003208853A (en) | Gas discharge display device and method of manufacturing the device | |
KR100433224B1 (en) | Method of Fabricating Rib of Plasma Display Panel | |
JP2008305760A (en) | Manufacturing method and manufacturing device of plasma display panel | |
KR100452702B1 (en) | Method of Fabricating Rib of Plasma Display Panel |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050603 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070131 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080415 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080808 |