JP2000290693A - 電子部品部材類の洗浄方法 - Google Patents
電子部品部材類の洗浄方法Info
- Publication number
- JP2000290693A JP2000290693A JP10353599A JP10353599A JP2000290693A JP 2000290693 A JP2000290693 A JP 2000290693A JP 10353599 A JP10353599 A JP 10353599A JP 10353599 A JP10353599 A JP 10353599A JP 2000290693 A JP2000290693 A JP 2000290693A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- ozone
- water
- hydrogen peroxide
- members
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子部品部材類を、硫酸・過酸化水素水混合
溶液等の薬品で洗浄する工程の後、残留する陰イオンを
すすぐ（リンス）工程において、洗浄に要する洗浄液の
加温設備を設けることなく、超純水の使用量を低減する
ことができ、しかも低温でも確実な洗浄を行うことがで
きる電子部品部材類の洗浄方法を提供すること。 【解決手段】 電子部品部材類の洗浄面に残留する陰イ
オンをオゾン溶解水により洗浄する電子部品部材類の洗
浄方法。
溶液等の薬品で洗浄する工程の後、残留する陰イオンを
すすぐ（リンス）工程において、洗浄に要する洗浄液の
加温設備を設けることなく、超純水の使用量を低減する
ことができ、しかも低温でも確実な洗浄を行うことがで
きる電子部品部材類の洗浄方法を提供すること。 【解決手段】 電子部品部材類の洗浄面に残留する陰イ
オンをオゾン溶解水により洗浄する電子部品部材類の洗
浄方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、ガラ
ス基板、電子部品又はこれらの製造装置部品等のような
電子部品部材類の洗浄方法に関するものである。
ス基板、電子部品又はこれらの製造装置部品等のような
電子部品部材類の洗浄方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ等の電子部品部材類の製造工程等
においては、表面を極めて清浄にすることが求められる
ことがある。例えばＬＳＩは、シリコンウエハ上に酸化
ケイ素の絶縁被膜を形成し、次いでこの被膜上に所定の
パターンにレジスト層を設け、レジスト層を設けていな
い部分の絶縁被膜をエッチング等によって除去して金属
シリコンを露出させ、この表面を洗浄した後、目的に応
じてｐ型あるいはｎ型の元素を導入し、アルミニウム等
の金属配線を埋め込む工程を繰り返して素子が製造され
るが、ｐ型、ｎ型の元素を導入する際や金属配線を埋め
込む際に、金属シリコン表面に微粒子等の異物や、金
属、有機物、自然酸化膜等が付着していると、金属シリ
コンと金属配線との接触不良や接触抵抗増大により、素
子の特性が不良となることがある。このためＬＳＩ製造
工程において、シリコンウエハ表面の洗浄工程は高性能
な素子を得る上で、非常に重要な工程であり、シリコン
ウエハ上の付着不純物は可能な限り取り除くことが必要
である。
においては、表面を極めて清浄にすることが求められる
ことがある。例えばＬＳＩは、シリコンウエハ上に酸化
ケイ素の絶縁被膜を形成し、次いでこの被膜上に所定の
パターンにレジスト層を設け、レジスト層を設けていな
い部分の絶縁被膜をエッチング等によって除去して金属
シリコンを露出させ、この表面を洗浄した後、目的に応
じてｐ型あるいはｎ型の元素を導入し、アルミニウム等
の金属配線を埋め込む工程を繰り返して素子が製造され
るが、ｐ型、ｎ型の元素を導入する際や金属配線を埋め
込む際に、金属シリコン表面に微粒子等の異物や、金
属、有機物、自然酸化膜等が付着していると、金属シリ
コンと金属配線との接触不良や接触抵抗増大により、素
子の特性が不良となることがある。このためＬＳＩ製造
工程において、シリコンウエハ表面の洗浄工程は高性能
な素子を得る上で、非常に重要な工程であり、シリコン
ウエハ上の付着不純物は可能な限り取り除くことが必要
である。
【０００３】従来、シリコンウエハの洗浄は、硫酸・過
酸化水素水混合溶液、塩酸・過酸化水素水混合溶液、フ
ッ酸溶液等による洗浄と、超純水による洗浄とを組み合
わせて行い、シリコンウエハ表面の原子レベルでの平坦
性を損なうことなく、シリコンウエハ表面に付着してい
る有機物、微粒子、金属、自然酸化膜等を除去してい
る。このうち、硫酸・過酸化水素水混合溶液は、シリコ
ンウエハ表面に付着している有機物や金属不純物を除去
するためのものであり、塩酸・過酸化水素水混合溶液
は、シリコンウエハ表面の金属不純物を除去するもので
あり、フッ酸溶液は、シリコンウエハ表面の自然酸化膜
を除去するためのものである。
酸化水素水混合溶液、塩酸・過酸化水素水混合溶液、フ
ッ酸溶液等による洗浄と、超純水による洗浄とを組み合
わせて行い、シリコンウエハ表面の原子レベルでの平坦
性を損なうことなく、シリコンウエハ表面に付着してい
る有機物、微粒子、金属、自然酸化膜等を除去してい
る。このうち、硫酸・過酸化水素水混合溶液は、シリコ
ンウエハ表面に付着している有機物や金属不純物を除去
するためのものであり、塩酸・過酸化水素水混合溶液
は、シリコンウエハ表面の金属不純物を除去するもので
あり、フッ酸溶液は、シリコンウエハ表面の自然酸化膜
を除去するためのものである。
【０００４】そして、この硫酸・過酸化水素水混合溶液
等の薬品による付着物除去工程後に実施されるすすぎ処
理は、ウエハ表面に残留する薬品のすすぎを行うもので
あって、当該すすぎ用の水には、通常超純水製造装置に
よって製造される超純水が使用される。また、硫酸・過
酸化水素水混合溶液による洗浄後に行われる超純水洗浄
工程では、硫酸イオンの粘性が高いためにシリコンウエ
ハ上から当該イオンの除去が容易ではなく、また、当該
イオンの残存に伴う後工程での金属及び微粒子による汚
染を受けやすくなるなどの点から、該すすぎ用の水は、
通常８０℃以上に加温された温超純水が使用されてい
る。
等の薬品による付着物除去工程後に実施されるすすぎ処
理は、ウエハ表面に残留する薬品のすすぎを行うもので
あって、当該すすぎ用の水には、通常超純水製造装置に
よって製造される超純水が使用される。また、硫酸・過
酸化水素水混合溶液による洗浄後に行われる超純水洗浄
工程では、硫酸イオンの粘性が高いためにシリコンウエ
ハ上から当該イオンの除去が容易ではなく、また、当該
イオンの残存に伴う後工程での金属及び微粒子による汚
染を受けやすくなるなどの点から、該すすぎ用の水は、
通常８０℃以上に加温された温超純水が使用されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな温超純水を使用することは熱エネルギーの負担を増
大する。例えば、洗浄機の前段に加温装置を設ける場
合、加温装置は加熱源や温度制御系などの付帯設備を備
えるためコスト高となる。また、設置スペースを予想外
に採るため、省スペース化が図れない。更に、加温装置
を設けることでより高度な安全管理基準が必要となる。
一方、超純水を加温せずに使用する場合、洗浄力が温超
純水と比べて低下するため大量の超純水が洗浄に必要と
なる。このため、超純水使用量増加によるコスト上昇に
つながるという問題がある。
うな温超純水を使用することは熱エネルギーの負担を増
大する。例えば、洗浄機の前段に加温装置を設ける場
合、加温装置は加熱源や温度制御系などの付帯設備を備
えるためコスト高となる。また、設置スペースを予想外
に採るため、省スペース化が図れない。更に、加温装置
を設けることでより高度な安全管理基準が必要となる。
一方、超純水を加温せずに使用する場合、洗浄力が温超
純水と比べて低下するため大量の超純水が洗浄に必要と
なる。このため、超純水使用量増加によるコスト上昇に
つながるという問題がある。
【０００６】したがって、本発明の目的は、電子部品部
材類を、硫酸・過酸化水素水混合溶液等の薬品で洗浄す
る工程の後、残留する陰イオンをすすぐ（リンス）工程
において、洗浄に要する洗浄液の加温設備を設けること
なく、超純水の使用量を低減することができ、しかも低
温でも確実な洗浄を行うことができる電子部品部材類の
洗浄方法を提供することにある。
材類を、硫酸・過酸化水素水混合溶液等の薬品で洗浄す
る工程の後、残留する陰イオンをすすぐ（リンス）工程
において、洗浄に要する洗浄液の加温設備を設けること
なく、超純水の使用量を低減することができ、しかも低
温でも確実な洗浄を行うことができる電子部品部材類の
洗浄方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】かかる実情において、本
発明者は鋭意検討を行った結果、電子部品部材類を、硫
酸・過酸化水素水混合溶液、塩酸・過酸化水素水混合溶
液又はフッ酸溶液で洗浄する工程の後、残留する洗浄液
をすすぐ（リンス）工程において、従来使用されていた
超純水や温超純水に代えて、オゾン溶解水を使用すれ
ば、洗浄液の加温設備を特に設けることなく、純水の使
用量を低減することができ、しかも低温でも確実な洗浄
を行うことができることを見出し、本発明を完成するに
至った。
発明者は鋭意検討を行った結果、電子部品部材類を、硫
酸・過酸化水素水混合溶液、塩酸・過酸化水素水混合溶
液又はフッ酸溶液で洗浄する工程の後、残留する洗浄液
をすすぐ（リンス）工程において、従来使用されていた
超純水や温超純水に代えて、オゾン溶解水を使用すれ
ば、洗浄液の加温設備を特に設けることなく、純水の使
用量を低減することができ、しかも低温でも確実な洗浄
を行うことができることを見出し、本発明を完成するに
至った。
【０００８】すなわち、本発明は、電子部品部材類の洗
浄面に残留する陰イオンをオゾン溶解水により洗浄する
ことを特徴とする電子部品部材類の洗浄方法を提供する
ものである。また、本発明は、電子部品部材類を、硫酸
・過酸化水素水混合溶液、塩酸・過酸化水素水混合溶液
又はフッ酸溶液で洗浄する工程の後に、該洗浄面をオゾ
ン溶解水により洗浄する工程を設けることを特徴とする
電子部品部材類の洗浄方法を提供するものである。
浄面に残留する陰イオンをオゾン溶解水により洗浄する
ことを特徴とする電子部品部材類の洗浄方法を提供する
ものである。また、本発明は、電子部品部材類を、硫酸
・過酸化水素水混合溶液、塩酸・過酸化水素水混合溶液
又はフッ酸溶液で洗浄する工程の後に、該洗浄面をオゾ
ン溶解水により洗浄する工程を設けることを特徴とする
電子部品部材類の洗浄方法を提供するものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明において、洗浄の対象とな
る電子部品部材類（「被洗浄物」ともいう）としては、
電子部品製造分野等において使用される種々の部品、材
料等が挙げられ、例えばシリコン基板、III −Ｖ族半導
体ウエハ等の半導体基板、液晶用ガラス基板等の基板材
料、メモリ素子、ＣＰＵ、センサー素子等の電子部品等
の完成品やその半製品、石英反応管、洗浄槽、基板キャ
リヤ等の電子部品製造装置用部品等が例示される。
る電子部品部材類（「被洗浄物」ともいう）としては、
電子部品製造分野等において使用される種々の部品、材
料等が挙げられ、例えばシリコン基板、III −Ｖ族半導
体ウエハ等の半導体基板、液晶用ガラス基板等の基板材
料、メモリ素子、ＣＰＵ、センサー素子等の電子部品等
の完成品やその半製品、石英反応管、洗浄槽、基板キャ
リヤ等の電子部品製造装置用部品等が例示される。
【００１０】本発明は、電子部品部材類を、例えば硫酸
・過酸化水素水混合溶液、塩酸・過酸化水素水混合溶液
又はフッ酸溶液で洗浄した後、洗浄面に残留する陰イオ
ンをオゾン溶解水により洗浄するものである。洗浄面に
残留する陰イオンとしては、硫酸イオン、硝酸イオン、
塩素イオン及びフッ素イオン等のハロゲンイオンなどが
挙げられる。このような電子部品部材類を洗浄する洗浄
工程の一例を次に示す。 （１）硫酸・過酸化水素水洗浄工程；硫酸：過酸化水素
水＝４：１（体積比）の混合溶液により、１３０℃で１
０分間洗浄する。 （２）オゾン溶解水洗浄工程；オゾン溶解水で５〜１０
分間洗浄する。 （３）フッ酸洗浄工程；０．５％のフッ酸により１分間
洗浄する。 （４）オゾン溶解水洗浄工程；オゾン溶解水で５〜１０
分間洗浄する。 （５）アンモニア・過酸化水素水洗浄工程；アンモニ
ア：過酸化水素水：超純水＝０．０５：１：５（体積
比）の混合溶液により、８０℃で１０分間洗浄する。 （６）超純水洗浄工程；超純水で１０分間洗浄する。 （７）フッ酸洗浄工程；０．５％のフッ酸により１分間
洗浄する。 （８）オゾン溶解水洗浄工程；オゾン溶解水で５〜１０
分間洗浄する。 （９）塩酸・過酸化水素水洗浄工程；塩酸：過酸化水素
水：超純水＝１：１：６（体積比）の混合溶液により８
０℃で１０分間洗浄する。 （１０）オゾン溶解水洗浄工程；オゾン溶解水で５〜１
０分間洗浄する。 （１１）フッ酸洗浄工程；０．５％のフッ酸により１分
間洗浄する。 （１２）オゾン溶解水洗浄工程；オゾン溶解水で５〜１
０分間洗浄する。 （１３）スピン乾燥又はＩＰＡ蒸気乾燥
・過酸化水素水混合溶液、塩酸・過酸化水素水混合溶液
又はフッ酸溶液で洗浄した後、洗浄面に残留する陰イオ
ンをオゾン溶解水により洗浄するものである。洗浄面に
残留する陰イオンとしては、硫酸イオン、硝酸イオン、
塩素イオン及びフッ素イオン等のハロゲンイオンなどが
挙げられる。このような電子部品部材類を洗浄する洗浄
工程の一例を次に示す。 （１）硫酸・過酸化水素水洗浄工程；硫酸：過酸化水素
水＝４：１（体積比）の混合溶液により、１３０℃で１
０分間洗浄する。 （２）オゾン溶解水洗浄工程；オゾン溶解水で５〜１０
分間洗浄する。 （３）フッ酸洗浄工程；０．５％のフッ酸により１分間
洗浄する。 （４）オゾン溶解水洗浄工程；オゾン溶解水で５〜１０
分間洗浄する。 （５）アンモニア・過酸化水素水洗浄工程；アンモニ
ア：過酸化水素水：超純水＝０．０５：１：５（体積
比）の混合溶液により、８０℃で１０分間洗浄する。 （６）超純水洗浄工程；超純水で１０分間洗浄する。 （７）フッ酸洗浄工程；０．５％のフッ酸により１分間
洗浄する。 （８）オゾン溶解水洗浄工程；オゾン溶解水で５〜１０
分間洗浄する。 （９）塩酸・過酸化水素水洗浄工程；塩酸：過酸化水素
水：超純水＝１：１：６（体積比）の混合溶液により８
０℃で１０分間洗浄する。 （１０）オゾン溶解水洗浄工程；オゾン溶解水で５〜１
０分間洗浄する。 （１１）フッ酸洗浄工程；０．５％のフッ酸により１分
間洗浄する。 （１２）オゾン溶解水洗浄工程；オゾン溶解水で５〜１
０分間洗浄する。 （１３）スピン乾燥又はＩＰＡ蒸気乾燥
【００１１】前記工程において、電子部品部材類を、硫
酸・過酸化水素水混合溶液、塩酸・過酸化水素水混合溶
液又はフッ酸溶液で洗浄する工程は、（１）、（３）、
（７）、（９）及び（１１）の工程である。前記工程に
おける洗浄方法としては、特に制限されず、例えば洗浄
液中に被洗浄物を浸漬して洗浄するバッチ洗浄法、洗浄
液を循環させながら被洗浄液と接触させて洗浄する循環
洗浄法、洗浄槽の底部側から洗浄液を供給し、洗浄槽の
上部からオーバーフローさせながら洗浄するフロー洗浄
法、被洗浄物に洗浄液をシャワー状に吹き掛けて洗浄す
る方法、高速回転させた被洗浄物に洗浄液を吹き掛けて
洗浄する方法等が挙げられる。
酸・過酸化水素水混合溶液、塩酸・過酸化水素水混合溶
液又はフッ酸溶液で洗浄する工程は、（１）、（３）、
（７）、（９）及び（１１）の工程である。前記工程に
おける洗浄方法としては、特に制限されず、例えば洗浄
液中に被洗浄物を浸漬して洗浄するバッチ洗浄法、洗浄
液を循環させながら被洗浄液と接触させて洗浄する循環
洗浄法、洗浄槽の底部側から洗浄液を供給し、洗浄槽の
上部からオーバーフローさせながら洗浄するフロー洗浄
法、被洗浄物に洗浄液をシャワー状に吹き掛けて洗浄す
る方法、高速回転させた被洗浄物に洗浄液を吹き掛けて
洗浄する方法等が挙げられる。
【００１２】前記硫酸・過酸化水素水混合溶液、塩酸・
過酸化水素水混合溶液又はフッ酸溶液により被洗浄物が
洗浄された後、該洗浄液が残存する洗浄面をオゾン溶解
水により洗浄する。該工程は、前記洗浄工程において
は、（２）、（４）、（８）、（１０）及び（１２）で
ある。この工程における洗浄方法を図１を参照して説明
する。図１は電子部品部材類をオゾン溶解水により洗浄
する方法を実施する洗浄装置の一例を示し、図中、１は
超純水製造装置、２はオゾンガス溶解槽、３は洗浄槽、
４はオゾン発生器を示す。この洗浄装置１０には更に必
要に応じ、超純水製造装置１で製造された超純水中に溶
解しているガスを除去するための脱ガス装置５が設けら
れる。
過酸化水素水混合溶液又はフッ酸溶液により被洗浄物が
洗浄された後、該洗浄液が残存する洗浄面をオゾン溶解
水により洗浄する。該工程は、前記洗浄工程において
は、（２）、（４）、（８）、（１０）及び（１２）で
ある。この工程における洗浄方法を図１を参照して説明
する。図１は電子部品部材類をオゾン溶解水により洗浄
する方法を実施する洗浄装置の一例を示し、図中、１は
超純水製造装置、２はオゾンガス溶解槽、３は洗浄槽、
４はオゾン発生器を示す。この洗浄装置１０には更に必
要に応じ、超純水製造装置１で製造された超純水中に溶
解しているガスを除去するための脱ガス装置５が設けら
れる。
【００１３】超純水製造装置１には、例えば、図では省
略する原水を凝集沈殿装置、砂濾過装置、活性炭濾過装
置で処理する前処理装置と、この前処理水を逆浸透膜装
置、２床３塔イオン交換装置、混床式イオン交換装置、
精密フィルターで処理して一次純水を得る一次純水製造
装置と、一次純水に紫外線照射、混床式ポリッシャー、
限外濾過膜処理を施して、一次純水中に残留する微粒
子、コロイド物質、有機物、金属イオン、陰イオン等を
除去する二次純水製造装置とを備えている。
略する原水を凝集沈殿装置、砂濾過装置、活性炭濾過装
置で処理する前処理装置と、この前処理水を逆浸透膜装
置、２床３塔イオン交換装置、混床式イオン交換装置、
精密フィルターで処理して一次純水を得る一次純水製造
装置と、一次純水に紫外線照射、混床式ポリッシャー、
限外濾過膜処理を施して、一次純水中に残留する微粒
子、コロイド物質、有機物、金属イオン、陰イオン等を
除去する二次純水製造装置とを備えている。
【００１４】上記超純水製造装置１で製造される超純水
は、例えば次のような水質を有しているものが好まし
い。すなわち、電気抵抗率１８．０M Ω・cm以上、全有
機炭素１０μgC/L以下、粒径０．０７μm 以上の微粒子
数１０個/ml 以下、生菌数１０個/L以下、シリカ１μgS
iO2/L 以下、ナトリウム０．０１μgNa/L 以下、鉄０．
０１μgFe/L 以下、銅０．０１μgCu/L 以下、塩化物イ
オン０．０１μgCl/L 以下、水素イオン濃度（ｐＨ）
７、過酸化水素濃度１５μg/l 以下のものである。この
うち、過酸化水素濃度は、その値を１５μg/l 以下とす
ることにより、超純水にオゾンを溶解させたオゾン水は
自己分解が抑制され、その寿命が著しく延びる点で好ま
しい。超純水中の過酸化水素濃度を１５μg/l 以下とす
る方法としては、超純水が超純水製造過程において紫外
線照射処理を受けない方法、紫外線照射処理を受けて
も、その後吸着材により過酸化水素を吸着もしくは分解
処理する方法、パラジウム担持担体イオン交換樹脂ある
いは金属イオン型陽イオン交換樹脂により分解処理する
方法などが挙げられる。
は、例えば次のような水質を有しているものが好まし
い。すなわち、電気抵抗率１８．０M Ω・cm以上、全有
機炭素１０μgC/L以下、粒径０．０７μm 以上の微粒子
数１０個/ml 以下、生菌数１０個/L以下、シリカ１μgS
iO2/L 以下、ナトリウム０．０１μgNa/L 以下、鉄０．
０１μgFe/L 以下、銅０．０１μgCu/L 以下、塩化物イ
オン０．０１μgCl/L 以下、水素イオン濃度（ｐＨ）
７、過酸化水素濃度１５μg/l 以下のものである。この
うち、過酸化水素濃度は、その値を１５μg/l 以下とす
ることにより、超純水にオゾンを溶解させたオゾン水は
自己分解が抑制され、その寿命が著しく延びる点で好ま
しい。超純水中の過酸化水素濃度を１５μg/l 以下とす
る方法としては、超純水が超純水製造過程において紫外
線照射処理を受けない方法、紫外線照射処理を受けて
も、その後吸着材により過酸化水素を吸着もしくは分解
処理する方法、パラジウム担持担体イオン交換樹脂ある
いは金属イオン型陽イオン交換樹脂により分解処理する
方法などが挙げられる。
【００１５】上記超純水製造装置１で製造された超純水
は、オゾンガス溶解槽２においてオゾンガスが溶解され
るが、その前に超純水中に溶解しているガスを脱ガス装
置５により除去しておくことが好ましい。脱ガス装置５
においては、特に超純水中に溶存している酸素ガス、窒
素ガス、炭酸ガスを除去することが好ましく、これらの
１種又は２種以上を組み合わせた溶存ガス濃度が１０ｐ
ｐｍ未満、好ましくは２ｐｐｍ以下となるように脱ガス
しておくことが好ましい。なお、溶存ガス濃度が１０ｐ
ｐｍ以上となると洗浄時に気泡が発生して被洗浄物に気
泡が付着し、気泡が付着した部分の洗浄効果が低下する
傾向となる。脱ガス装置５において、超純水中の溶存ガ
スの脱ガスを行う方法としては、ガス透過膜を介して真
空脱ガスする方法が好ましい。
は、オゾンガス溶解槽２においてオゾンガスが溶解され
るが、その前に超純水中に溶解しているガスを脱ガス装
置５により除去しておくことが好ましい。脱ガス装置５
においては、特に超純水中に溶存している酸素ガス、窒
素ガス、炭酸ガスを除去することが好ましく、これらの
１種又は２種以上を組み合わせた溶存ガス濃度が１０ｐ
ｐｍ未満、好ましくは２ｐｐｍ以下となるように脱ガス
しておくことが好ましい。なお、溶存ガス濃度が１０ｐ
ｐｍ以上となると洗浄時に気泡が発生して被洗浄物に気
泡が付着し、気泡が付着した部分の洗浄効果が低下する
傾向となる。脱ガス装置５において、超純水中の溶存ガ
スの脱ガスを行う方法としては、ガス透過膜を介して真
空脱ガスする方法が好ましい。
【００１６】脱ガス装置５で溶解している溶存ガスを脱
ガスした超純水は、オゾンガス溶解槽２においてオゾン
ガスが溶解される。オゾンガス溶解槽２で超純水にオゾ
ンガスが溶解して得られた洗浄液は、電子部品部材類の
表面に残留した、例えば硫酸・過酸化水素水混合溶液の
硫酸イオンの除去に好適な正の酸化還元電位を有する洗
浄液とすることができ、通常、溶存オゾン濃度が、２５
℃、１気圧下で０．０５〜２０ppm 、特に３〜１０ppm
となるようにオゾンガスを溶解させることが好ましい。
オゾン溶解濃度が２０ppm を越えると、配管等の接液部
部材の劣化を引き起こすため適切ではない。
ガスした超純水は、オゾンガス溶解槽２においてオゾン
ガスが溶解される。オゾンガス溶解槽２で超純水にオゾ
ンガスが溶解して得られた洗浄液は、電子部品部材類の
表面に残留した、例えば硫酸・過酸化水素水混合溶液の
硫酸イオンの除去に好適な正の酸化還元電位を有する洗
浄液とすることができ、通常、溶存オゾン濃度が、２５
℃、１気圧下で０．０５〜２０ppm 、特に３〜１０ppm
となるようにオゾンガスを溶解させることが好ましい。
オゾン溶解濃度が２０ppm を越えると、配管等の接液部
部材の劣化を引き起こすため適切ではない。
【００１７】超純水にオゾンガスを溶解させる方法とし
ては、特に制限されず、超純水にガス透過膜を介してオ
ゾンガスを注入して溶解させる膜溶解方法、超純水中に
オゾンガスをバブリングして溶解させる方法、超純水中
にエジェクターを介してオゾンガスを溶解させる方法、
ガス溶解槽に超純水を供給するポンプの上流側にオゾン
ガスを供給し、ポンプ内の攪拌によって溶解させる方法
等が挙げられる。上記膜溶解に用いられるガス透過性膜
としては、オゾンの強い酸化力に耐え得る、フッ素樹脂
系の疎水性多孔質膜が好適であるが、これに限定される
ものではない。また、オゾン発生器としては、無声放電
及び電解法等によるオゾン発生器が挙げられる。
ては、特に制限されず、超純水にガス透過膜を介してオ
ゾンガスを注入して溶解させる膜溶解方法、超純水中に
オゾンガスをバブリングして溶解させる方法、超純水中
にエジェクターを介してオゾンガスを溶解させる方法、
ガス溶解槽に超純水を供給するポンプの上流側にオゾン
ガスを供給し、ポンプ内の攪拌によって溶解させる方法
等が挙げられる。上記膜溶解に用いられるガス透過性膜
としては、オゾンの強い酸化力に耐え得る、フッ素樹脂
系の疎水性多孔質膜が好適であるが、これに限定される
ものではない。また、オゾン発生器としては、無声放電
及び電解法等によるオゾン発生器が挙げられる。
【００１８】オゾンガス溶解槽２においてオゾンガスが
溶解されたオゾン溶解水は、洗浄槽３に送られる。洗浄
槽３において被洗浄物を前記オゾン溶解水によって洗浄
する方法としては、前記硫酸・過酸化水素水混合溶液等
の薬品洗浄の場合と同様の方法が挙げられ、例えばオゾ
ン溶解水中に被洗浄物を浸漬して洗浄するバッチ洗浄
法、オゾン溶解水を循環させながら被洗浄液と接触させ
て洗浄する循環洗浄法、洗浄槽の底部側からオゾン溶解
水を供給し、洗浄槽の上部からオーバーフローさせなが
ら洗浄するフロー洗浄法、被洗浄物にオゾン溶解水をシ
ャワー状に吹き掛けて洗浄する方法、高速回転させた被
洗浄物にオゾン溶解水を吹き掛けて洗浄する方法等が挙
げられる。
溶解されたオゾン溶解水は、洗浄槽３に送られる。洗浄
槽３において被洗浄物を前記オゾン溶解水によって洗浄
する方法としては、前記硫酸・過酸化水素水混合溶液等
の薬品洗浄の場合と同様の方法が挙げられ、例えばオゾ
ン溶解水中に被洗浄物を浸漬して洗浄するバッチ洗浄
法、オゾン溶解水を循環させながら被洗浄液と接触させ
て洗浄する循環洗浄法、洗浄槽の底部側からオゾン溶解
水を供給し、洗浄槽の上部からオーバーフローさせなが
ら洗浄するフロー洗浄法、被洗浄物にオゾン溶解水をシ
ャワー状に吹き掛けて洗浄する方法、高速回転させた被
洗浄物にオゾン溶解水を吹き掛けて洗浄する方法等が挙
げられる。
【００１９】洗浄槽３にはヒーターを設け、必要に応じ
てオゾン溶解水の温度を調節するようにしてもよく、オ
ゾン溶解水を２０〜８０℃に温度調整して洗浄すること
がより優れた洗浄効果を得ることができる点で好まし
い。このように、被洗浄物をオゾン溶解水で洗浄する洗
浄時間は、特に制限されないが、例えば３〜２０分間、
好ましくは５〜１０分間である。
てオゾン溶解水の温度を調節するようにしてもよく、オ
ゾン溶解水を２０〜８０℃に温度調整して洗浄すること
がより優れた洗浄効果を得ることができる点で好まし
い。このように、被洗浄物をオゾン溶解水で洗浄する洗
浄時間は、特に制限されないが、例えば３〜２０分間、
好ましくは５〜１０分間である。
【００２０】本発明においては、電子部品部材類を、例
えば硫酸・過酸化水素水混合溶液、塩酸・過酸化水素水
混合溶液又はフッ酸溶液等の薬品で洗浄した後、オゾン
溶解水によりすすぐ（リンス）ことにより、洗浄面に残
留する硫酸イオン、塩化物イオン及びフッ化物イオン等
のハロゲンイオン等の陰イオンをオゾン溶解水への拡散
とオゾン溶解水の酸化力により、例えば残留陰イオン濃
度１×１０11atoms/cm 2 程度まで確実に除去できる。ま
た、洗浄液の加温設備を特に設けることがなく、且つ純
水の使用量を低減することができる。
えば硫酸・過酸化水素水混合溶液、塩酸・過酸化水素水
混合溶液又はフッ酸溶液等の薬品で洗浄した後、オゾン
溶解水によりすすぐ（リンス）ことにより、洗浄面に残
留する硫酸イオン、塩化物イオン及びフッ化物イオン等
のハロゲンイオン等の陰イオンをオゾン溶解水への拡散
とオゾン溶解水の酸化力により、例えば残留陰イオン濃
度１×１０11atoms/cm 2 程度まで確実に除去できる。ま
た、洗浄液の加温設備を特に設けることがなく、且つ純
水の使用量を低減することができる。
【００２１】
【実施例】次に、実施例を挙げて本発明を更に具体的に
説明する。 （洗浄装置）図２は、本発明の洗浄方法を実施する洗浄
装置の構成を示す概略フロー図である。図２中、図１と
同一構成要素については同一符号を付してその説明を省
略し、異なる点についてのみ説明する。すなわち、図２
において、符号１２〜２３はバッチ式シリコンウエハ用
洗浄装置を構成する各洗浄槽及びすすぎ槽を示し、これ
らの各槽のうち、１２は硫酸・過酸化水素水混合洗浄液
を用いる洗浄槽、１４、１８及び２２はフッ酸溶液を洗
浄液として用いる洗浄槽、２０は塩酸・過酸化水素水混
合洗浄液を用いる洗浄槽、１６はアンモニア・過酸化水
素水混合洗浄液を用いる洗浄槽であり、これらの各洗浄
槽のそれぞれの後段には、オゾン溶解水を用いるすすぎ
槽１３、１５、１９、２１、２３及び超純水を用いるす
すぎ槽１７がそれぞれ設けられている。そして、すすぎ
槽１３、１５、１９、２１、２３にはオゾン溶解水製造
装置１０ａからのオゾン溶解水が配水され、すすぎ槽１
７には超純水を脱ガス装置５により脱ガスした水が配水
される。
説明する。 （洗浄装置）図２は、本発明の洗浄方法を実施する洗浄
装置の構成を示す概略フロー図である。図２中、図１と
同一構成要素については同一符号を付してその説明を省
略し、異なる点についてのみ説明する。すなわち、図２
において、符号１２〜２３はバッチ式シリコンウエハ用
洗浄装置を構成する各洗浄槽及びすすぎ槽を示し、これ
らの各槽のうち、１２は硫酸・過酸化水素水混合洗浄液
を用いる洗浄槽、１４、１８及び２２はフッ酸溶液を洗
浄液として用いる洗浄槽、２０は塩酸・過酸化水素水混
合洗浄液を用いる洗浄槽、１６はアンモニア・過酸化水
素水混合洗浄液を用いる洗浄槽であり、これらの各洗浄
槽のそれぞれの後段には、オゾン溶解水を用いるすすぎ
槽１３、１５、１９、２１、２３及び超純水を用いるす
すぎ槽１７がそれぞれ設けられている。そして、すすぎ
槽１３、１５、１９、２１、２３にはオゾン溶解水製造
装置１０ａからのオゾン溶解水が配水され、すすぎ槽１
７には超純水を脱ガス装置５により脱ガスした水が配水
される。
【００２２】シリコンウエハ１１は以上のように配置さ
れた各槽１２〜２３を図中の矢印で示したように移送さ
れながら、順次に有機物除去、微粒子除去、付着金属除
去と、各洗浄工程後段でのフッ酸溶液による酸化膜除去
の洗浄処理が行われ、最終的にスピン乾燥器２４に移送
されて乾燥が行われる。
れた各槽１２〜２３を図中の矢印で示したように移送さ
れながら、順次に有機物除去、微粒子除去、付着金属除
去と、各洗浄工程後段でのフッ酸溶液による酸化膜除去
の洗浄処理が行われ、最終的にスピン乾燥器２４に移送
されて乾燥が行われる。
【００２３】実施例１及び実施例２ （超純水）本実施例において、超純水は原水を凝集沈澱
処理装置、逆浸透膜処理装置、２床３塔式イオン交換処
理装置、混床式イオン交換処理装置、精密フィルタによ
る膜処理装置に通して一次純水を製造する一次純水製造
装置と、次いでこの一次純水を更に混床式ポリッシャ
ー、限外濾過装置に通して超純水を製造する２次純水製
造装置（いずれも図では省略）とを備える超純水製造装
置１から製造され、その水質は前記に示したとおりであ
った。
処理装置、逆浸透膜処理装置、２床３塔式イオン交換処
理装置、混床式イオン交換処理装置、精密フィルタによ
る膜処理装置に通して一次純水を製造する一次純水製造
装置と、次いでこの一次純水を更に混床式ポリッシャ
ー、限外濾過装置に通して超純水を製造する２次純水製
造装置（いずれも図では省略）とを備える超純水製造装
置１から製造され、その水質は前記に示したとおりであ
った。
【００２４】６インチの大きさのシリコンウエハ１１を
１３０℃で１０分間、洗浄槽１２においてオーバーフロ
ー法により洗浄した。オーバーフロー洗浄は洗浄液をオ
ーバーフローさせることが可能な洗浄槽を用い、該槽内
でシリコンウエハを静止させて、洗浄液を線流速５ｍ／
ｈでオーバーフローさせながら洗浄処理を行った。洗浄
槽１２で使用する洗浄液には硫酸：過酸化水素水＝４：
１（体積比）の混合溶液を使用した。次いで、洗浄され
たシリコンウエハ１１をすすぎ槽１３に移送し、常温又
は８０℃の温度条件下ですすぎ処理した。すすぎ槽１３
で使用したオゾン溶解水は電解法オゾン発生器を使用
し、前記超純水に膜溶解方法により、オゾンガス５ppm
を溶解させて製造した。すすぎ処理はオゾン溶解水を用
いて、前記同様のオーバーフロー法により行った。すな
わち、オーバーフローさせることが可能なすすぎ槽を用
い、該槽内でシリコンウエハを静止させて、オゾン溶解
水量を線流速５ｍ／ｈで、５分間又は１０分間オーバー
フローさせながらすすぎ処理を行った。そして、すすぎ
処理後、シリコンウエハの洗浄表面について、残留イオ
ン濃度を測定した。測定は熱水抽出イオンクロマトグラ
フィ法により行った。結果を表１に示す。
１３０℃で１０分間、洗浄槽１２においてオーバーフロ
ー法により洗浄した。オーバーフロー洗浄は洗浄液をオ
ーバーフローさせることが可能な洗浄槽を用い、該槽内
でシリコンウエハを静止させて、洗浄液を線流速５ｍ／
ｈでオーバーフローさせながら洗浄処理を行った。洗浄
槽１２で使用する洗浄液には硫酸：過酸化水素水＝４：
１（体積比）の混合溶液を使用した。次いで、洗浄され
たシリコンウエハ１１をすすぎ槽１３に移送し、常温又
は８０℃の温度条件下ですすぎ処理した。すすぎ槽１３
で使用したオゾン溶解水は電解法オゾン発生器を使用
し、前記超純水に膜溶解方法により、オゾンガス５ppm
を溶解させて製造した。すすぎ処理はオゾン溶解水を用
いて、前記同様のオーバーフロー法により行った。すな
わち、オーバーフローさせることが可能なすすぎ槽を用
い、該槽内でシリコンウエハを静止させて、オゾン溶解
水量を線流速５ｍ／ｈで、５分間又は１０分間オーバー
フローさせながらすすぎ処理を行った。そして、すすぎ
処理後、シリコンウエハの洗浄表面について、残留イオ
ン濃度を測定した。測定は熱水抽出イオンクロマトグラ
フィ法により行った。結果を表１に示す。
【００２５】比較例１ オゾン溶解水の代わりに超純水を使用する以外は、実施
例１と同様の方法により行った。結果を表１に示す。
例１と同様の方法により行った。結果を表１に示す。
【００２６】
【表１】
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、電子部品部材類を、硫
酸・過酸化水素水混合溶液等の薬品で洗浄する工程の
後、残留する陰イオンを含む洗浄液を低温のオゾン溶解
水で充分に洗浄できる。このため、従来のように、洗浄
液の加温設備を設けることなく、電気使用量や付帯設備
コストを低減できる。また、洗浄効率が向上するためリ
ンス時間を短縮できると共に、純水の使用量を低減する
ことが可能である。また、洗浄工程の時間短縮により生
産性が向上する。
酸・過酸化水素水混合溶液等の薬品で洗浄する工程の
後、残留する陰イオンを含む洗浄液を低温のオゾン溶解
水で充分に洗浄できる。このため、従来のように、洗浄
液の加温設備を設けることなく、電気使用量や付帯設備
コストを低減できる。また、洗浄効率が向上するためリ
ンス時間を短縮できると共に、純水の使用量を低減する
ことが可能である。また、洗浄工程の時間短縮により生
産性が向上する。
【図１】本発明の電子部品部材類をオゾン溶解水により
洗浄する洗浄装置の構成を示す概略フロー図である。
洗浄する洗浄装置の構成を示す概略フロー図である。
【図２】本発明の洗浄方法を実施する洗浄装置の構成を
示す概略フロー図である。
示す概略フロー図である。
１ 超純水製造装置 ２ オゾンガス溶解槽 ３ 洗浄槽 ４ オゾン発生器 ５ 脱ガス装置 １０ 電子部品部材類洗浄装置 １１ シリコンウエハ １２〜２３ 洗浄槽又はすすぎ槽 ２４ スピン乾燥器
Claims (4)
- 【請求項１】 電子部品部材類の洗浄面に残留する陰イ
オンをオゾン溶解水により洗浄することを特徴とする電
子部品部材類の洗浄方法。 - 【請求項２】 電子部品部材類を、硫酸・過酸化水素水
混合溶液、塩酸・過酸化水素水混合溶液又はフッ酸溶液
で洗浄する工程の後に、該洗浄面をオゾン溶解水により
洗浄する工程を設けることを特徴とする電子部品部材類
の洗浄方法。 - 【請求項３】 前記オゾン溶解水は、過酸化水素濃度１
５μg/L 以下の水質を有する超純水にオゾンを溶解した
ものであることを特徴とする請求項１又は２記載の電子
部品部材類の洗浄方法。 - 【請求項４】 オゾン溶解水は、溶存オゾンガス濃度が
０．０５〜２０ppmであることを特徴とする請求項１〜
３のいずれか１項記載の電子部品部材類の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10353599A JP2000290693A (ja) | 1999-04-12 | 1999-04-12 | 電子部品部材類の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10353599A JP2000290693A (ja) | 1999-04-12 | 1999-04-12 | 電子部品部材類の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000290693A true JP2000290693A (ja) | 2000-10-17 |
Family
ID=14356565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10353599A Pending JP2000290693A (ja) | 1999-04-12 | 1999-04-12 | 電子部品部材類の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000290693A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002231677A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Kurita Water Ind Ltd | 電子材料の洗浄方法 |
| JP2007251127A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-09-27 | Elpida Memory Inc | 純水供給システム、純水を用いた洗浄システムおよび洗浄方法 |
| JP2008053392A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Dainippon Printing Co Ltd | 収納ケースの洗浄方法 |
| JP2010027853A (ja) * | 2008-07-18 | 2010-02-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体基板の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体基板およびエピタキシャルウエハ |
| WO2012048534A1 (zh) * | 2010-10-15 | 2012-04-19 | 北京通美晶体技术有限公司 | 化合物半导体晶片清洗方法 |
| JP2015106647A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの製造方法 |
| WO2016203681A1 (ja) * | 2015-06-18 | 2016-12-22 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの洗浄方法 |
| CN107639070A (zh) * | 2017-08-24 | 2018-01-30 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种硅片清洗设备及清洗工艺 |
| CN112652518A (zh) * | 2019-10-11 | 2021-04-13 | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 | 一种半导体器件的形成方法 |
| CN115274409A (zh) * | 2022-09-26 | 2022-11-01 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 半导体结构的清洗方法以及半导体结构的制造方法 |
-
1999
- 1999-04-12 JP JP10353599A patent/JP2000290693A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002231677A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Kurita Water Ind Ltd | 電子材料の洗浄方法 |
| JP4560966B2 (ja) * | 2001-01-31 | 2010-10-13 | 栗田工業株式会社 | 電子材料の洗浄方法 |
| JP2007251127A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-09-27 | Elpida Memory Inc | 純水供給システム、純水を用いた洗浄システムおよび洗浄方法 |
| JP2008053392A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Dainippon Printing Co Ltd | 収納ケースの洗浄方法 |
| JP2010027853A (ja) * | 2008-07-18 | 2010-02-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体基板の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体基板およびエピタキシャルウエハ |
| JP4697272B2 (ja) * | 2008-07-18 | 2011-06-08 | 住友電気工業株式会社 | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体基板の製造方法およびエピタキシャルウエハの製造方法 |
| WO2012048534A1 (zh) * | 2010-10-15 | 2012-04-19 | 北京通美晶体技术有限公司 | 化合物半导体晶片清洗方法 |
| US8691019B2 (en) | 2010-10-15 | 2014-04-08 | Beijing Tongmei Xtal Technology Co., Ltd. | Process for cleaning a compound semiconductor wafer |
| JP2015106647A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの製造方法 |
| WO2016203681A1 (ja) * | 2015-06-18 | 2016-12-22 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの洗浄方法 |
| JP2017011005A (ja) * | 2015-06-18 | 2017-01-12 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの洗浄方法 |
| CN107639070A (zh) * | 2017-08-24 | 2018-01-30 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种硅片清洗设备及清洗工艺 |
| CN112652518A (zh) * | 2019-10-11 | 2021-04-13 | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 | 一种半导体器件的形成方法 |
| CN112652518B (zh) * | 2019-10-11 | 2023-04-28 | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 | 一种半导体器件的形成方法 |
| CN115274409A (zh) * | 2022-09-26 | 2022-11-01 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 半导体结构的清洗方法以及半导体结构的制造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3409849B2 (ja) | 電子部品部材類洗浄用洗浄液の製造装置 | |
| US5635053A (en) | Method and apparatus for cleaning electronic parts | |
| US5783790A (en) | Wet treatment method | |
| JP4109455B2 (ja) | 水素溶解水製造装置 | |
| JP3296405B2 (ja) | 電子部品部材類の洗浄方法及び洗浄装置 | |
| US20030094610A1 (en) | Wash water or immersion water used during semiconductor manufacturing | |
| JP4480061B2 (ja) | 超純水製造装置及び該装置における超純水製造供給システムの洗浄方法 | |
| JP2000290693A (ja) | 電子部品部材類の洗浄方法 | |
| JP3332323B2 (ja) | 電子部品部材類の洗浄方法及び洗浄装置 | |
| JP3296407B2 (ja) | 電子部品部材類の洗浄方法及び洗浄装置 | |
| CN113460969A (zh) | 一种生产效率高且稳定性强的半导体级双氧水的制备方法 | |
| EP0641742A1 (en) | Method of producing pure water, system therefor and cleaning method | |
| JP3639102B2 (ja) | ウェット処理装置 | |
| WO2000033367A1 (fr) | Dispositif de lavage | |
| JP2006073747A (ja) | 半導体ウェーハの処理方法およびその装置 | |
| JP2010135810A (ja) | 水溶液のｐＨ及び酸化還元電位の制御方法及びその装置 | |
| JP3507588B2 (ja) | ウエット処理方法及び処理装置 | |
| JPH1129795A (ja) | 電子材料用洗浄水、その製造方法及び電子材料の洗浄方法 | |
| KR100424541B1 (ko) | 전자부품 부재류의 세정방법 및 세정장치 | |
| JPH10235358A (ja) | 電解水製造装置及び電解水製造方法 | |
| JPH0919661A (ja) | 電子部品等の洗浄方法及び装置 | |
| JP4357456B2 (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| JPH0924350A (ja) | ウエット処理方法及び処理装置 | |
| JP5729351B2 (ja) | 半導体ウェーハの洗浄方法 | |
| JPH10174854A (ja) | ガス溶解装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040406 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20050418 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20050425 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20050620 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20060414 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |