JP2000286449A - Iii族窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法 - Google Patents
Iii族窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2000286449A JP2000286449A JP9229199A JP9229199A JP2000286449A JP 2000286449 A JP2000286449 A JP 2000286449A JP 9229199 A JP9229199 A JP 9229199A JP 9229199 A JP9229199 A JP 9229199A JP 2000286449 A JP2000286449 A JP 2000286449A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- compound semiconductor
- iii nitride
- group iii
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
再現性良く製造する方法を提供する。 【構成】 シリコン基板11の側壁を拡散防止層18で
被覆した状態でIII族窒化物系化合物半導体を前記シリ
コン基板の上面に成長させる。
Description
導体素子及びその製造方法に関する。詳しくは、高品質
のIII族窒化物系化合物半導体層を得るためのIII族窒化
物系化合物半導体素子の製造方法の改良に関する。
窒化物系化合物半導体層を積層した構成の素子が知られ
ている。導電性のシリコン基板を用いることの利点とし
て、基板に直接電極を接続することが可能となり、電極
を接続するために半導体層を複雑にエッチングする工程
が不要となることが挙げられる。また、半導体素子のチ
ャージアップの問題も解消できる等の利点もある。III
族窒化物系化合物半導体素子は、短波長の発光素子、レ
ーザーダイオード、各種電子デバイスとして利用され
る。
良く、かつ高い歩留まりで得るためには、基板ウエハー
上にIII族窒化物系化合物半導体層をその全域において
均質に成長させる必要がある。しかしながら、本発明者
らが、シリコン基板上にMOCVD法により成長させた
III族窒化物系化合物半導体層を観察したところ、その
中央部分と周縁部分とで結晶の様子が異なっていた。す
なわち、中央部分では設計通りに結晶性良くIII族窒化
物系化合物半導体層がエピタキシャル成長しているもの
の、周縁部分ではIII族窒化物系化合物半導体層の結晶
性が低下していた。本発明者らの検討によれば、かかる
周縁部分での結晶性の低下はMOCVD法を実行すると
きの高温でシリコン基板の材料が蒸発し、III族窒化物
系化合物半導体層中へ拡散することによるものと考えら
れる。また、シリコンがIII族窒化物系化合物半導体層
中に拡散するとIII族窒化物系化合物半導体の伝導型及
び導電率にも影響がでるため好ましくない。
みてなされたものであり、高品質のIII族窒化物系化合
物半導体素子を得るための新規な製造方法を提供するこ
とを目的とする。その構成は以下の通りである。シリコ
ン基板の側壁を拡散防止層で被覆した状態でIII族窒化
物系化合物半導体を前記シリコン基板の上面に成長させ
る、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子
の製造方法。
化合物半導体層を成長させるとき当該III族窒化物系化
合物半導体層に最も近いシリコン基板の側壁が酸化シリ
コン層で覆われるため、基板材料であるシリコンがそこ
から蒸発することが防止される。これにより、基板由来
の不純物がIII族窒化物系化合物半導体層に拡散するこ
とが防止され、その結果、結晶性に優れ、かつ全域で均
質のIII族窒化物系化合物半導体層が形成される。ま
た、III族窒化物系化合物半導体層の伝導型及び導電率
も安定する。もって、高品質のIII族窒化物系化合物半
導体素子を再現性良く製造することができる。
族窒化物系化合物半導体を成長させるとき、その成長温
度及び環境において安定であって、シリコン基板の材料
が蒸発することを防止できるものであれば特にその材料
は限定されない。例えば、酸化シリコンや窒化シリコン
などを挙げることができる。かかる拡散防止層の形成方
法も特に限定されるものではなく、CVD法やスパッタ法
等の一般的な方法が採用できる。拡散防止層が酸化シリ
コン製のときは、基板を酸素や水の雰囲気下で高温処理
するか若しくは所定のエッチャント(H2O、H
2O2、NH3OH混合液)へ基板を浸漬することによ
りこれを形成することができる。なお、このような酸化
処理を行うとシリコン基板の裏面にも酸化シリコン層が
形成される場合があるが、この発明は基板裏面への酸化
シリコン層、即ち拡散防止層の形成を除外するものでは
ない。換言すれば、III族窒化物系化合物半導体を成長
させる面以外のシリコン基板の面を当該拡散防止層で被
覆する。
化物系化合物半導体層を成長させる前までに拡散防止層
はシリコン基板の側壁へ形成される。AlNやGaN等
のIII族窒化物系化合物半導体からなる低温成長バッフ
ァ層を用いるときは、その形成時にはシリコンの蒸発量
が少ない。従って、当該バッファ層を形成した後、シリ
コン基板を酸化処理して酸化シリコン製の拡散防止層を
形成する。なお、このときIII族窒化物系化合物半導体
からなるバッファ層は酸化処理の影響を受けない。ま
た、n層のIII族窒化物系化合物半導体にはシリコンが
拡散してもその伝導型に影響が出ないので、発光素子の
場合、nクラッド層を形成した後、活性層及びp型クラ
ッド層を形成する前に当該酸化処理を行っても良い。ま
た、シリコン基板表面へ酸化シリコンのストライプ層を
形成する所謂LEO法(Appl.Phys.Lett.
71(18)、3 Nov.1997参照)を実行すると
きには、当該酸化シリコンのストライプ層を形成するス
テップを実行する際に、若しくはそのステップの前後に
当該シリコン基板の側面へ酸化シリコン層を形成するこ
とが好ましい。拡散防止層の膜厚は特に限定されない
が、0.02〜1.0μmとすることが好ましい。
してAlXGaYIn1ーXーYN(0≦X≦1、0≦
Y≦1、0≦X+Y≦1)で表されるものであるが、更
にIII族元素としてボロン(B)、タリウム(Tl)を
含んでもよく、また、窒素(N)の一部を、リン
(P)、ヒ素(As)、アンチモン(Sb)、ビスマス
(Bi)で置き換えても良い。III族窒化物系化合物半
導体は任意のドーパントを含むものであっても良い。II
I族窒化物系化合物半導体層の形成方法は特に限定され
ないが、例えば、周知の有機金属化合物気相成長法(こ
の明細書で、「MOCVD法」という。)により形成さ
れる。また、周知の分子線結晶成長法(MBE法)やハ
ライド系気相成長法(HVPE法)等によっても形成す
ることができる。III族窒化物系化合物半導体の層は素
子の種類、目的に応じて複数設ける。例えば、後述の実
施例における発光素子では、n型III族窒化物系化合物
半導体層、発光層、p型III族窒化物系化合物半導体層
を形成する。
ときの温度が高いほど、シリコン基板からのシリコンの
脱離量が多くなる。従って、その成長温度が800〜1
200℃であるIII族窒化物系化合物半導体を成長させ
る前までに、シリコン基板の側壁に拡散防止層を形成し
ておくことが好ましい。したがって,
後、拡散防止層を除去する。この拡散防止層を残存させ
ても良い。
発光素子10の構成を示す。各層のスペックは次の通り
である。 層 : 組成:ドーパント (膜厚) pクラッド層 17 : p−GaN:Mg (0.3μm) 発光層 16 : 超格子構造 量子井戸層 :In0.15Ga0.85N (35Å) バリア層 :GaN (35Å) 量子井戸とバリア層の繰り返し数:1〜10 nクラッド層 15 : n−GaN:Si (4μm) バッファ層 14 : Al0.9Ga0.1N (150Å) TiN層 13 : TiN単結晶 (3000Å) 基板 11 : Si(111) (300μm) バッファ層14及び各半導体層の成長はMOCVD法に
より行われる。この成長法においては、アンモニアガス
とIII族元素のアルキル化合物ガス、例えばトリメチル
ガリウム(TMG)、トリメチルアルミニウム(TM
A)やトリメチルインジウム(TMI)とを適当な温度
に加熱された基板上に供給して熱分解反応させ、もって
所望の結晶を基板の上に成長させる。勿論、各半導体層
の形成方法はこれに限定されるものではなく、周知のM
BE法によっても形成することができる。
濃度n−層とバッファ層14側の高電子濃度n+層とな
る2層構造とすることができる。発光層16は超格子構
造のものに限定されない。発光素子の構成としてはシン
グルへテロ型、ダブルへテロ型及びホモ接合型のものな
どを用いることができる。発光層16とpクラッド層1
7との間にマグネシウム等のアクセプタをドープしたバ
ンドキャップの広いAlXGaYIn1−X−YN(0
≦X≦1、0≦Y≦1、X+Y≦1)層を介在させるこ
とができる。これは発光層16の中に注入された電子が
pクラッド層17に拡散するのを防止するためである。
pクラッド層17を発光層16側の低ホール濃度p−層
と電極側の高ホール濃度p+層とからなる2層構造とす
ることができる。
の発光素子10の製造方法を説明する。まず、Si(1
11)面にTiN層13が形成される。成長の方法はT
hinSolid Films 271(1995)
108〜116頁を参照されたい。その後、TiN/S
iサンプルをスパッタ装置からMOCVD装置のチャン
バ内に移し変える。このチャンバ内へ水素ガスを流通さ
せながら当該サンプルを1000℃まで昇温させて5分
間維持する。
させる(図2(a))。次に、バッファ層/TiN/S
iサンプル30を一旦MOCVD装置のチャンバ内から
取りだし、水蒸気で酸化する装置へ移す。そして、当該
酸化膜形成装置内で900℃の条件下15分間放置す
る。これにより、基板11の側面11s及び底面11b
の表面が酸化され、酸化シリコンからなる拡散防止層1
8が形成される(図2(b))。本実施例では、水蒸気
による酸化処理をMOCVD装置とは別の装置で行った
が、もちろんMOCVD装置チャンバ内で同様の処理を
行うこともできる。また、酸化処理は水蒸気によるもの
に限られず、他の一般的な方法を採用できることは言う
までもない。
チャンバ内にもどし、常法に従いnクラッド層15、発
光層16、及びpクラッド層17が順次積層される(図
2(c))。各半導体層の成長は約1000℃の高温で
行われるが、予め基板側面及び底面が高温に安定な酸化
シリコンにより被覆されているため、基板材料であるシ
リコンが基板表面より蒸発し各半導体層に拡散すること
が防止される。これにより、結晶性に優れた各半導体層
を成長させることができる。また、基板由来のシリコン
がIII族窒化物系化合物半導体層に拡散すればドナー不
純物として挙動するためIII族窒化物系化合物半導体層
の導電率に影響するが、かかるシリコンの拡散を防止す
ることにより半導体層の導電率を変化させるおそれがな
くなる。その結果、所望の伝導型及び導電率を有するII
I族窒化物系化合物半導体層を再現性良く成長させるこ
とができる。
チング等のエッチングにより拡散防止層18を除去する
(図2(d))。
クラッド層17の上面の実質的な全面を覆って積層され
る。p電極20も金を含む材料で構成されており、蒸着
により透光性電極19の上に形成される。なお、Si基
板11がn電極となる。そして、その所望の位置にワイ
ヤーがボンディングされる。
に係る製造方法を示す。この実施例では、まずシリコン
基板11の全面に酸化シリコン層38を形成する。そし
て、シリコン基板11の上面の酸化シリコン層を常法に
よりパターンニングしてELOパターン31を形成する
(図3(a)参照)。その後、MOCVD法を実行して
基板11の上面にn−GaN層35を形成する。このn
−GaN層35はELO(Eptaxial Late
ral Overgrowth)成長により好適な結晶
性を有する(図3(b)参照)。続いて、発光層36及
びp−GaN層37を同じくMOCVD法で形成する。
これらIII族窒化物系化合物半導体層35〜37は前の
実施例のIII族窒化物系化合物半導体層15〜17とそ
れぞれ同等の層である(図3(c)参照)。そして、酸
化シリコン層38を除去し、透光性電極39を蒸着して
図3(d)の素子構成を得る。
オードに限定されるものではなく、受光ダイオード、レ
ーザダイオード、太陽電池等の光素子の他、整流器、サ
イリスタ及びトランジスタ等のバイポーラ素子、FET
等のユニポーラ素子並びにマイクロウェーブ素子などの
電子デバイスにも適用できる。また、これらの素子の中
間体としての積層体にも本発明は適用されるものであ
る。
施例の説明に何ら限定されるものではない。特許請求の
範囲の記載を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲
で種々の変形態様もこの発明に含まれる。
層で被覆した状態でIII族窒化物系化合物半導体を前記
シリコン基板の上面に成長させる、ことを特徴とする積
層体の製造方法。 (12) 前記III族窒化物系化合物半導体の成長温度
は800〜1200℃である、ことを特徴とする(1
1)に記載の製造方法。 (13) 前記拡散防止層は酸化シリコン又は窒化シリ
コンからなる、ことを特徴とする(11)又は(12)
に記載の製造方法。 (14) 前記拡散防止層を除去するステップが更に含
まれる、ことを特徴とする(11)〜(13)のいずれ
かに記載の製造方法。 (15) シリコン基板上とその上に形成されたIII族
窒化物系化合物半導体層からなる積層体であって、前記
III族窒化物系化合物半導体層は前記シリコン基板の側
壁を拡散防止層で被覆した状態で形成されたものであ
る、ことを特徴とする積層体。 (16) 前記III族窒化物系化合物半導体の成長温度
は800〜1200℃である、ことを特徴とする(1
5)に記載の積層体。 (17) 前記拡散防止層は酸化シリコン又は窒化シリ
コンからなる、ことを特徴とする(15)又は(16)
に記載の積層体。 (21) シリコン基板にIII族窒化物系化合物半導体
層を形成するステップと、少なくとも一層のIII族窒化
物系化合物半導体層を形成した後に前記シリコン基板の
前記III族窒化物系化合物半導体層が形成されない面に
酸化シリコン層を形成するステップと、を含んでなるII
I族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。 (22) シリコン基板にIII族窒化物系化合物半導体
層を形成するステップと、前記ステップにより形成され
たIII族窒化物系化合物半導体層/シリコン基板積層体
において前記シリコン基板を選択的に酸化するステップ
と、を含んでなるIII族窒化物系化合物半導体素子の製
造方法。 (23) シリコン基板に少なくとも一層のIII族窒化
物系化合物半導体層を形成するステップと、前記III族
窒化物系化合物半導体層/シリコン基板積層体において
少なくとも前記シリコン基板の側面にシリコンが前記II
I族窒化物系化合物半導体層に拡散することを防止する
拡散防止層を形成するステップと、を含んでなるIII族
窒化物系化合物半導体素子の製造方法。 (24) 前記拡散防止層は酸化シリコン又は窒化シリ
コンである、ことを特徴とする(24)に記載の製造方
法。 (25) 前記拡散防止層を除去するステップが更に含
まれている、ことを特徴とする(23)又は(24)に
記載の製造方法。 (51) シリコン基板にIII族窒化物系化合物半導体
層を形成するステップと、少なくとも一層のIII族窒化
物系化合物半導体層を形成した後に前記シリコン基板の
前記III族窒化物系化合物半導体層が形成されない面に
酸化シリコン層を形成するステップと、を含んでなる積
層体の製造方法。 (52) シリコン基板にIII族窒化物系化合物半導体
層を形成するステップと、前記ステップにより形成され
たIII族窒化物系化合物半導体層/シリコン基板積層体
において前記シリコン基板を選択的に酸化するステップ
と、を含んでなる積層体の製造方法。 (53) シリコン基板に少なくとも一層のIII族窒化
物系化合物半導体層を形成するステップと、前記III族
窒化物系化合物半導体層/シリコン基板積層体において
少なくとも前記シリコン基板の側面にシリコンが前記II
I族窒化物系化合物半導体層に拡散することを防止する
拡散防止層を形成するステップと、を含んでなる積層体
の製造方法。 (54) 前記拡散防止層は酸化シリコン又は窒化シリ
コンである、ことを特徴とする請求項(53)に記載の
製造方法。 (55) 前記拡散防止層を除去するステップが更に含
まれている、ことを特徴とする請求項(53)又は(5
4)に記載の製造方法。
る。
である。
ある。
Claims (7)
- 【請求項1】 シリコン基板の側壁を拡散防止層で被覆
した状態でIII族窒化物系化合物半導体を前記シリコン
基板の上面に成長させる、ことを特徴とするIII族窒化
物系化合物半導体素子の製造方法。 - 【請求項2】 前記III族窒化物系化合物半導体の成長
温度は800〜1200℃である、ことを特徴とする請
求項1に記載の製造方法。 - 【請求項3】 前記拡散防止層は酸化シリコン又は窒化
シリコンからなる、ことを特徴とする請求項1又は2に
記載の製造方法。 - 【請求項4】 前記拡散防止層を除去するステップが更
に含まれる、ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか
に記載の製造方法。 - 【請求項5】 シリコン基板上に形成されたIII族窒化
物系化合物半導体層を有する素子であって、 前記III族窒化物系化合物半導体層は前記シリコン基板
の側壁を拡散防止層で被覆した状態で形成されたもので
ある、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素
子。 - 【請求項6】 前記III族窒化物系化合物半導体の成長
温度は800〜1200℃である、ことを特徴とする請
求項5に記載の素子。 - 【請求項7】 前記拡散防止層は酸化シリコン又は窒化
シリコンからなる、ことを特徴とする請求項5又は6に
記載の素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9229199A JP3760663B2 (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9229199A JP3760663B2 (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000286449A true JP2000286449A (ja) | 2000-10-13 |
JP3760663B2 JP3760663B2 (ja) | 2006-03-29 |
Family
ID=14050324
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9229199A Expired - Fee Related JP3760663B2 (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3760663B2 (ja) |
Cited By (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003007616A (ja) * | 2001-03-23 | 2003-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体膜の製造方法 |
US6541799B2 (en) | 2001-02-20 | 2003-04-01 | Showa Denko K.K. | Group-III nitride semiconductor light-emitting diode |
JP2006278999A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Eudyna Devices Inc | 半導体基板、半導体結晶成長用基板、半導体装置、光半導体装置およびそれらの製造方法 |
WO2007036163A1 (fr) * | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Lattice Power (Jiangxi) Corporation | Procede de fabrication d'un film mince en nitrure d'aluminium gallium indium sur un substrat de silicium |
US7312472B2 (en) * | 2001-01-15 | 2007-12-25 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Compound semiconductor element based on Group III element nitride |
WO2008051503A2 (en) * | 2006-10-19 | 2008-05-02 | Amberwave Systems Corporation | Light-emitter-based devices with lattice-mismatched semiconductor structures |
JP2009038070A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Toyota Motor Corp | 窒化物半導体装置とその製造方法 |
US7777250B2 (en) | 2006-03-24 | 2010-08-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures and related methods for device fabrication |
US7799592B2 (en) | 2006-09-27 | 2010-09-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Tri-gate field-effect transistors formed by aspect ratio trapping |
US7875958B2 (en) | 2006-09-27 | 2011-01-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Quantum tunneling devices and circuits with lattice-mismatched semiconductor structures |
US8173551B2 (en) | 2006-09-07 | 2012-05-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Defect reduction using aspect ratio trapping |
US8237151B2 (en) | 2009-01-09 | 2012-08-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Diode-based devices and methods for making the same |
US8253211B2 (en) | 2008-09-24 | 2012-08-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor sensor structures with reduced dislocation defect densities |
US8274097B2 (en) | 2008-07-01 | 2012-09-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Reduction of edge effects from aspect ratio trapping |
US8304805B2 (en) | 2009-01-09 | 2012-11-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor diodes fabricated by aspect ratio trapping with coalesced films |
US8324660B2 (en) | 2005-05-17 | 2012-12-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication |
US8329541B2 (en) | 2007-06-15 | 2012-12-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | InP-based transistor fabrication |
US8344242B2 (en) | 2007-09-07 | 2013-01-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Multi-junction solar cells |
US8384196B2 (en) | 2008-09-19 | 2013-02-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Formation of devices by epitaxial layer overgrowth |
JP2013065703A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
US8624103B2 (en) | 2007-04-09 | 2014-01-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Nitride-based multi-junction solar cell modules and methods for making the same |
US8629446B2 (en) | 2009-04-02 | 2014-01-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Devices formed from a non-polar plane of a crystalline material and method of making the same |
US8822248B2 (en) | 2008-06-03 | 2014-09-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Epitaxial growth of crystalline material |
US8981427B2 (en) | 2008-07-15 | 2015-03-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Polishing of small composite semiconductor materials |
JP2015529016A (ja) * | 2012-07-23 | 2015-10-01 | ▲東▼莞市中▲か▼半▲導▼体科技有限公司Sino Nitride Semiconductor Co, Ltd | 金属拡散を防止する保護層付きの複合基板 |
US9153645B2 (en) | 2005-05-17 | 2015-10-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication |
US9508890B2 (en) | 2007-04-09 | 2016-11-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photovoltaics on silicon |
US9984872B2 (en) | 2008-09-19 | 2018-05-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Fabrication and structures of crystalline material |
CN110226214A (zh) * | 2017-01-24 | 2019-09-10 | 应用材料公司 | 用于介电膜的选择性沉积的方法及设备 |
CN117810324A (zh) * | 2024-02-29 | 2024-04-02 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
-
1999
- 1999-03-31 JP JP9229199A patent/JP3760663B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (79)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7312472B2 (en) * | 2001-01-15 | 2007-12-25 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Compound semiconductor element based on Group III element nitride |
US6541799B2 (en) | 2001-02-20 | 2003-04-01 | Showa Denko K.K. | Group-III nitride semiconductor light-emitting diode |
JP2003007616A (ja) * | 2001-03-23 | 2003-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体膜の製造方法 |
JP4522301B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2010-08-11 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体基板および半導体装置 |
JP2006278999A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Eudyna Devices Inc | 半導体基板、半導体結晶成長用基板、半導体装置、光半導体装置およびそれらの製造方法 |
US8519436B2 (en) | 2005-05-17 | 2013-08-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication |
US8629477B2 (en) | 2005-05-17 | 2014-01-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication |
US11251272B2 (en) | 2005-05-17 | 2022-02-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication |
US9431243B2 (en) | 2005-05-17 | 2016-08-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication |
US9219112B2 (en) | 2005-05-17 | 2015-12-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication |
US8796734B2 (en) | 2005-05-17 | 2014-08-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication |
US9153645B2 (en) | 2005-05-17 | 2015-10-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication |
US8324660B2 (en) | 2005-05-17 | 2012-12-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication |
US8987028B2 (en) | 2005-05-17 | 2015-03-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication |
US10522629B2 (en) | 2005-05-17 | 2019-12-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication |
WO2007036163A1 (fr) * | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Lattice Power (Jiangxi) Corporation | Procede de fabrication d'un film mince en nitrure d'aluminium gallium indium sur un substrat de silicium |
US10074536B2 (en) | 2006-03-24 | 2018-09-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures and related methods for device fabrication |
US8878243B2 (en) | 2006-03-24 | 2014-11-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures and related methods for device fabrication |
US7777250B2 (en) | 2006-03-24 | 2010-08-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures and related methods for device fabrication |
US8847279B2 (en) | 2006-09-07 | 2014-09-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Defect reduction using aspect ratio trapping |
US9318325B2 (en) | 2006-09-07 | 2016-04-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Defect reduction using aspect ratio trapping |
US8173551B2 (en) | 2006-09-07 | 2012-05-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Defect reduction using aspect ratio trapping |
US9818819B2 (en) | 2006-09-07 | 2017-11-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Defect reduction using aspect ratio trapping |
US8216951B2 (en) | 2006-09-27 | 2012-07-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Quantum tunneling devices and circuits with lattice-mismatched semiconductor structures |
US9105522B2 (en) | 2006-09-27 | 2015-08-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Quantum tunneling devices and circuits with lattice-mismatched semiconductor structures |
US9559712B2 (en) | 2006-09-27 | 2017-01-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Quantum tunneling devices and circuits with lattice-mismatched semiconductor structures |
US8629047B2 (en) | 2006-09-27 | 2014-01-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Quantum tunneling devices and circuits with lattice-mismatched semiconductor structures |
US7875958B2 (en) | 2006-09-27 | 2011-01-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Quantum tunneling devices and circuits with lattice-mismatched semiconductor structures |
US7799592B2 (en) | 2006-09-27 | 2010-09-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Tri-gate field-effect transistors formed by aspect ratio trapping |
US8860160B2 (en) | 2006-09-27 | 2014-10-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Quantum tunneling devices and circuits with lattice-mismatched semiconductor structures |
US8502263B2 (en) | 2006-10-19 | 2013-08-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Light-emitter-based devices with lattice-mismatched semiconductor structures |
US10468551B2 (en) | 2006-10-19 | 2019-11-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Light-emitter-based devices with lattice-mismatched semiconductor structures |
WO2008051503A3 (en) * | 2006-10-19 | 2008-07-31 | Amberwave Systems Corp | Light-emitter-based devices with lattice-mismatched semiconductor structures |
WO2008051503A2 (en) * | 2006-10-19 | 2008-05-02 | Amberwave Systems Corporation | Light-emitter-based devices with lattice-mismatched semiconductor structures |
US9853118B2 (en) | 2007-04-09 | 2017-12-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Diode-based devices and methods for making the same |
US9449868B2 (en) | 2007-04-09 | 2016-09-20 | Taiwan Semiconductor Manufacutring Company, Ltd. | Methods of forming semiconductor diodes by aspect ratio trapping with coalesced films |
US9508890B2 (en) | 2007-04-09 | 2016-11-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photovoltaics on silicon |
US9543472B2 (en) | 2007-04-09 | 2017-01-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Diode-based devices and methods for making the same |
US8624103B2 (en) | 2007-04-09 | 2014-01-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Nitride-based multi-junction solar cell modules and methods for making the same |
US9231073B2 (en) | 2007-04-09 | 2016-01-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Diode-based devices and methods for making the same |
US9853176B2 (en) | 2007-04-09 | 2017-12-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Nitride-based multi-junction solar cell modules and methods for making the same |
US9040331B2 (en) | 2007-04-09 | 2015-05-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Diode-based devices and methods for making the same |
US10680126B2 (en) | 2007-04-09 | 2020-06-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photovoltaics on silicon |
US8329541B2 (en) | 2007-06-15 | 2012-12-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | InP-based transistor fabrication |
US9780190B2 (en) | 2007-06-15 | 2017-10-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | InP-based transistor fabrication |
JP2009038070A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Toyota Motor Corp | 窒化物半導体装置とその製造方法 |
US10002981B2 (en) | 2007-09-07 | 2018-06-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Multi-junction solar cells |
US8344242B2 (en) | 2007-09-07 | 2013-01-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Multi-junction solar cells |
US9365949B2 (en) | 2008-06-03 | 2016-06-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Epitaxial growth of crystalline material |
US8822248B2 (en) | 2008-06-03 | 2014-09-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Epitaxial growth of crystalline material |
US10961639B2 (en) | 2008-06-03 | 2021-03-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Epitaxial growth of crystalline material |
US9356103B2 (en) | 2008-07-01 | 2016-05-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Reduction of edge effects from aspect ratio trapping |
US8274097B2 (en) | 2008-07-01 | 2012-09-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Reduction of edge effects from aspect ratio trapping |
US8994070B2 (en) | 2008-07-01 | 2015-03-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Reduction of edge effects from aspect ratio trapping |
US8629045B2 (en) | 2008-07-01 | 2014-01-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Reduction of edge effects from aspect ratio trapping |
US9640395B2 (en) | 2008-07-01 | 2017-05-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Reduction of edge effects from aspect ratio trapping |
US9607846B2 (en) | 2008-07-15 | 2017-03-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Polishing of small composite semiconductor materials |
US8981427B2 (en) | 2008-07-15 | 2015-03-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Polishing of small composite semiconductor materials |
US9287128B2 (en) | 2008-07-15 | 2016-03-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Polishing of small composite semiconductor materials |
US9984872B2 (en) | 2008-09-19 | 2018-05-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Fabrication and structures of crystalline material |
US9934967B2 (en) | 2008-09-19 | 2018-04-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Formation of devices by epitaxial layer overgrowth |
US8384196B2 (en) | 2008-09-19 | 2013-02-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Formation of devices by epitaxial layer overgrowth |
US8253211B2 (en) | 2008-09-24 | 2012-08-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor sensor structures with reduced dislocation defect densities |
US9105549B2 (en) | 2008-09-24 | 2015-08-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor sensor structures with reduced dislocation defect densities |
US8809106B2 (en) | 2008-09-24 | 2014-08-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for semiconductor sensor structures with reduced dislocation defect densities |
US9455299B2 (en) | 2008-09-24 | 2016-09-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods for semiconductor sensor structures with reduced dislocation defect densities |
US8304805B2 (en) | 2009-01-09 | 2012-11-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor diodes fabricated by aspect ratio trapping with coalesced films |
US8237151B2 (en) | 2009-01-09 | 2012-08-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Diode-based devices and methods for making the same |
US9029908B2 (en) | 2009-01-09 | 2015-05-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor diodes fabricated by aspect ratio trapping with coalesced films |
US8765510B2 (en) | 2009-01-09 | 2014-07-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor diodes fabricated by aspect ratio trapping with coalesced films |
US9576951B2 (en) | 2009-04-02 | 2017-02-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Devices formed from a non-polar plane of a crystalline material and method of making the same |
US9299562B2 (en) | 2009-04-02 | 2016-03-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Devices formed from a non-polar plane of a crystalline material and method of making the same |
US8629446B2 (en) | 2009-04-02 | 2014-01-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Devices formed from a non-polar plane of a crystalline material and method of making the same |
JP2013065703A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP2015529016A (ja) * | 2012-07-23 | 2015-10-01 | ▲東▼莞市中▲か▼半▲導▼体科技有限公司Sino Nitride Semiconductor Co, Ltd | 金属拡散を防止する保護層付きの複合基板 |
CN110226214A (zh) * | 2017-01-24 | 2019-09-10 | 应用材料公司 | 用于介电膜的选择性沉积的方法及设备 |
CN110226214B (zh) * | 2017-01-24 | 2023-11-03 | 应用材料公司 | 用于介电膜的选择性沉积的方法及设备 |
CN117810324A (zh) * | 2024-02-29 | 2024-04-02 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
CN117810324B (zh) * | 2024-02-29 | 2024-05-24 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3760663B2 (ja) | 2006-03-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3760663B2 (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 | |
KR100424759B1 (ko) | 질화 알루미늄 단결정층의 성장 방법 및 상기 방법을 포함하는 ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 소자의 제조 방법 | |
US7760785B2 (en) | Group-III nitride semiconductor device | |
US6329667B1 (en) | Nitride semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof | |
JP3700492B2 (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体素子 | |
JP3728332B2 (ja) | 化合物半導体発光素子 | |
JP2003229645A (ja) | 量子井戸構造およびそれを用いた半導体素子ならびに半導体素子の製造方法 | |
JP3269344B2 (ja) | 結晶成長方法および半導体発光素子 | |
JP2001230447A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 | |
JP2000091234A (ja) | 窒化物系iii−v族化合物半導体の製造方法 | |
JP3898798B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 | |
JP2001185498A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体膜の成長方法及びiii族窒化物系化合物半導体素子 | |
US6881601B2 (en) | Nitride compound semiconductor, nitride compound semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same | |
JP4465748B2 (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 | |
JP2003023179A (ja) | p型III族窒化物半導体およびその作製方法および半導体装置およびその作製方法 | |
JP2001135854A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体素子 | |
JP5105738B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体積層物の製造方法 | |
JP3403665B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
JP3642199B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 | |
JP3219231B2 (ja) | 化合物半導体発光素子およびその製造方法 | |
JPH11224859A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体のドーピング方法および半導体素子の製造方法 | |
JP4057473B2 (ja) | 化合物半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP2001119105A (ja) | 半導体発光素子 | |
JPH10290048A (ja) | 化合物半導体の形成方法及び半導体装置 | |
JP3556593B2 (ja) | 化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20031224 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040223 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051004 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051108 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051220 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060102 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3760663 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090120 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100120 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100120 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110120 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120120 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130120 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140120 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |