JP5193487B2 - 蒸着装置および蒸着方法 - Google Patents
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- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims description 106
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 26
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 132
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 131
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 85
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 73
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 69
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 50
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims description 3
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 15
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 10
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013076 target substance Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
(A1)蒸着用物質を放出する蒸発源。
(A2)被蒸着基板を保持するホルダ。
(A3)蒸発源と、ホルダに保持された被蒸着基板との間に位置し、蒸発源から被蒸着基板へ向かう蒸着用物質の通過を制御するシャッター。
(A4)シャッターによって蒸着源から遮られることのない位置に設けられ、蒸着源からの蒸着用物質の蒸発レートを観測する第1のモニタ。
(A5)第1のモニタによって観測された蒸着用物質の蒸発レートが蒸着用物質の放出開始から所定時間内に目標値に達した場合にシャッターを開状態として蒸着用物質を通過させる一方、所定時間内に目標値に達しなかった場合には蒸発源からの蒸着用物質の放出を停止させる機能を有する制御部。
(B1)開閉可能なシャッターによって蒸発源と隔てられた位置に被蒸着基板を保持するステップ。
(B2)シャッターを閉じた状態のまま蒸発源から蒸着用物質を放出させ、第1のモニタにより蒸発源からの蒸着用物質の蒸発レートを観測するステップ。
(B3)第1のモニタにより観測された蒸発レートが蒸着用物質の放出開始から所定時間内に目標値に到達した場合にシャッタを開状態とし蒸着用物質を被蒸着基板に蒸着させる一方、所定時間内に目標値に達しなかった場合には蒸発源からの蒸着用物質の放出を停止させるステップ。
Claims (11)
- 蒸着用物質を放出する蒸発源と、
被蒸着基板を保持するホルダと、
前記蒸発源と前記ホルダに保持された前記被蒸着基板との間に位置し、前記蒸発源から前記被蒸着基板へ向かう前記蒸着用物質の通過を制御するシャッターと、
前記シャッターによって前記蒸着源から遮られることのない位置に設けられ、前記蒸着源からの前記蒸着用物質の蒸発レートを観測する第1のモニタと、
前記第1のモニタによって観測された前記蒸着用物質の蒸発レートが前記蒸着用物質の放出開始から所定時間内に目標値に達した場合に前記シャッターを開状態として前記蒸着用物質を通過させる一方、前記所定時間内に目標値に達しなかった場合には前記蒸発源からの蒸着用物質の放出を停止させる機能を有する制御部と
を備えたことを特徴とする蒸着装置。 - 前記制御部は、前記第1のモニタによる観測データに基づいて前記蒸着用物質の蒸発レートを制御する
ことを特徴とする請求項1記載の蒸着装置。 - 前記シャッターが開状態である場合に、前記蒸発源からの前記蒸着用物質の蒸発レートを観測する第2のモニタをさらに備えた
ことを特徴とする請求項1または請求項2記載の蒸着装置。 - 前記制御部は、前記第2のモニタによる観測データに基づいて前記蒸着用物質の蒸発レートを制御する
ことを特徴とする請求項3記載の蒸着装置。 - 前記制御部は、前記第2のモニタによって観測された前記蒸着用物質の蒸発レートが所定範囲から外れた場合に前記蒸発源からの蒸着用物質の放出を停止させる
ことを特徴とする請求項4記載の蒸着装置。 - 前記制御部は、前記第1のモニタによって得られた前記蒸発レートの観測データと、前記第2のモニタによって得られた前記蒸発レートの観測データとを対応づけるためのデータ変換を行う
ことを特徴とする請求項4または請求項5記載の蒸着装置。 - 開閉可能なシャッターによって蒸発源と隔てられた位置に被蒸着基板を保持するステップと、
前記シャッターを閉じた状態のまま前記蒸発源から蒸着用物質を放出させ、第1のモニタにより前記蒸発源からの前記蒸着用物質の蒸発レートを観測するステップと、
前記第1のモニタにより観測された前記蒸発レートが前記蒸着用物質の放出開始から所定時間内に目標値に到達した場合には前記シャッタを開状態とし前記蒸着用物質を前記被蒸着基板に蒸着させる一方、前記所定時間内に目標値に達しなかった場合には前記蒸発源からの蒸着用物質の放出を停止させるステップと
を含むことを特徴とする蒸着方法。 - 前記第1のモニタによる観測データに基づいて前記蒸発レートの制御を行うステップをさらに含む
ことを特徴とする請求項7記載の蒸着方法。 - 前記シャッターを開状態としたのち、第2のモニタにより前記蒸発源からの前記蒸着用物質の蒸発レートを観測し、その観測データに基づいて蒸発レートの制御を行うステップをさらに含む
ことを特徴とする請求項7または請求項8記載の蒸着方法。 - 前記第2のモニタによって観測された前記蒸着用物質の蒸発レートが所定範囲から外れた場合に前記蒸発源からの蒸着用物質の放出を停止させるステップをさらに含む
ことを特徴とする請求項9記載の蒸着方法。 - 前記第1のモニタによって得られた前記蒸発レートの観測データと、前記第2のモニタによって得られた前記蒸発レートの観測データとを対応づけるためのデータ変換を行うステップを含む
ことを特徴とする請求項9または請求項10記載の蒸着方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007093305A JP5193487B2 (ja) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | 蒸着装置および蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007093305A JP5193487B2 (ja) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | 蒸着装置および蒸着方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008248344A JP2008248344A (ja) | 2008-10-16 |
JP5193487B2 true JP5193487B2 (ja) | 2013-05-08 |
Family
ID=39973632
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007093305A Active JP5193487B2 (ja) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | 蒸着装置および蒸着方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5193487B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101365224B1 (ko) * | 2012-04-30 | 2014-02-19 | 부경대학교 산학협력단 | 박막의 미세성장제어장치 및 제어방법 |
KR102170662B1 (ko) * | 2017-12-18 | 2020-10-27 | 주식회사 엘지화학 | 유기막 증착 장치 및 방법 |
EP3749796B1 (en) * | 2018-02-05 | 2022-06-08 | Applied Materials, Inc. | Deposition apparatus for depositing evaporated material and methods therefor |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003328115A (ja) * | 2002-05-08 | 2003-11-19 | Nec Kansai Ltd | 蒸着装置及び方法 |
JP2004131782A (ja) * | 2002-10-09 | 2004-04-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 成膜装置、成膜方法および光学素子の製造方法 |
JP2006045581A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Nec Kansai Ltd | 真空蒸着装置およびその装置を用いた真空蒸着方法 |
-
2007
- 2007-03-30 JP JP2007093305A patent/JP5193487B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008248344A (ja) | 2008-10-16 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A711 | Notification of change in applicant |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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