JP2000267588A - Electro-optic device and its production as well as projection type display device having the electro-optic device - Google Patents
Electro-optic device and its production as well as projection type display device having the electro-optic deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、一対の基板間に電
気光学材料として液晶を封入した電気光学装置に関する
ものである。特に、プロジェクター等の光変調手段とし
て用いられる液晶パネルに関する。また、その電気光学
装置を製造するための技術に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electro-optical device in which a liquid crystal is sealed between a pair of substrates as an electro-optical material. In particular, the present invention relates to a liquid crystal panel used as light modulation means of a projector or the like. The present invention also relates to a technique for manufacturing the electro-optical device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般的に液晶装置は、２枚の基板の一方
の周縁部に沿って熱硬化樹脂もしくは紫外線硬化樹脂か
らなるシール部材を塗布して基板同士を位置決めして接
合し、所定の間隔を保った状態でシール部材を熱又は紫
外線などにより硬化させ、その間隔内に液晶を注入して
液晶装置としている。2. Description of the Related Art Generally, in a liquid crystal device, a sealing member made of a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin is applied along one peripheral portion of two substrates, and the substrates are positioned and joined to each other. The seal member is cured by heat or ultraviolet rays while maintaining the interval, and liquid crystal is injected into the interval to form a liquid crystal device.
【０００３】より詳細に説明すると、例えば、アクティ
ブマトリクス型液晶装置の製造プロセスにおいては、一
方の基板上にマトリックス状の画素電極と該画素電極に
電圧を印加するスイッチング素子（例えばＴＦＴ：Thin
Film Transistor）を配設し、対向基板には前記画素電
極に対応してカラーフィルタ層および対向電極を形成し
て接合して液晶装置を構成しており、各画素電極とカラ
ーフィルタ層との位置がずれると開口率が低下したり表
示画質が低下する。そのため、２枚の基板を精度良く位
置合わせして、基板に圧力を加えながら加熱もしくは紫
外線を照射してシール材を硬化させて固定している。More specifically, for example, in a manufacturing process of an active matrix type liquid crystal device, a matrix-like pixel electrode and a switching element (for example, TFT: Thin) for applying a voltage to the pixel electrode on one substrate are provided.
A liquid crystal device is provided by forming a color filter layer and a counter electrode corresponding to the pixel electrode on the counter substrate and joining them to each other to form a liquid crystal device. If the position shifts, the aperture ratio decreases and the display quality deteriorates. Therefore, the two substrates are precisely positioned, and the sealing material is cured and fixed by heating or irradiating ultraviolet rays while applying pressure to the substrates.
【０００４】ところで、ノートパソコン又は小型情報機
器の表示部に用いられるいわゆる直視型の液晶表示装置
にあっては、基板間にスペーサ部材を介在させることに
よって基板間に間隔を面内で均一にしている。ところ
が、スクリーンに画像を拡大投射する投射型表示装置等
に用いる液晶装置にあっては、このスペーサ部材の使用
はあまり好ましくない。なぜならば、画像を拡大投射す
ることによってスペーサ部材の影も拡大投射されてしま
うので画像の品質低下につながるからである。Meanwhile, in a so-called direct-view type liquid crystal display device used for a display section of a notebook personal computer or a small information device, a spacer member is interposed between the substrates so that the distance between the substrates is made uniform in the plane. I have. However, in a liquid crystal device used for a projection display device or the like that enlarges and projects an image on a screen, the use of this spacer member is not so preferable. This is because, when the image is enlarged and projected, the shadow of the spacer member is also enlarged and projected, which leads to a reduction in image quality.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上記した投射型表示装
置にライトバルブとして用いられる液晶表示装置には主
として反射型ライトバルブと透過型ライトバルブがあ
る。The liquid crystal display device used as a light valve in the above-mentioned projection type display device mainly includes a reflection type light valve and a transmission type light valve.
【０００６】このうち、反射型のライトバルブにおいて
は反射性の画素電極を形成したシリコン基板を一方の基
板として用い、他方の基板としてガラス基板等が使用す
る場合がある。このような場合にあっては、２枚の基板
の熱膨張係数が異なるため、加熱もしくは紫外線を照射
してシール材を硬化させる際に、熱膨張係数の大きな基
板の方が膨張量が多いため、膨張量が異なる状態でシー
ル材が硬化して反射側基板と入射側基板とが接合され
る。そして、シール材が硬化して接合された各基板はそ
の温度が下がったときに収縮するので、２枚の基板間で
収縮量に差が生じる。そして、そのとき基板の剛性に差
があると一方の基板が湾曲してしまうこととなる。そし
てこの基板の湾曲に起因して２枚の基板間の間隔が面内
で不均一になってまい、その結果画像品質の低下をもた
らす場合がある。[0006] Of these, in a reflective light valve, a silicon substrate on which a reflective pixel electrode is formed may be used as one substrate, and a glass substrate or the like may be used as the other substrate. In such a case, since the thermal expansion coefficients of the two substrates are different, when the sealing material is cured by heating or irradiating ultraviolet rays, a substrate having a large thermal expansion coefficient has a larger expansion amount. The sealing material is cured in a state where the expansion amount is different, and the reflection side substrate and the incident side substrate are joined. Each of the substrates joined by the hardening of the sealing material contracts when the temperature decreases, so that a difference occurs in the amount of contraction between the two substrates. If there is a difference in the rigidity of the substrates at that time, one of the substrates will be curved. Then, due to the curvature of the substrates, the distance between the two substrates becomes non-uniform in the plane, and as a result, the image quality may be deteriorated.
【０００７】スペーサ部材を基板間に介在させた直視型
の液晶装置にあっては、基板間の間隔がスペーサ部材に
よって保持されるので、この問題はそれほど深刻ではな
いが、投射型表示装置のライトバルブにあっては、上記
したようにスペーサ部材を基板間に介在させないので、
この基板の湾曲に起因する画像品質の低下は極めて深刻
である。In a direct-view type liquid crystal device in which a spacer member is interposed between substrates, the distance between the substrates is held by the spacer member, so this problem is not so serious. In the valve, the spacer member is not interposed between the substrates as described above,
The deterioration of the image quality due to the curvature of the substrate is extremely serious.
【０００８】また、この課題は２枚の基板の熱膨張係数
が等しい場合であっても２枚の基板の熱膨張量が異なれ
ば起こりうる。例えば、２枚の基板が同一材質でその厚
みが異なる場合がそれである。つまり、この課題は反射
型のライトバルブに限ったものではなく、透過型のライ
トバルブにおいても起こりうる課題である。This problem can occur even when the thermal expansion coefficients of the two substrates are equal, if the thermal expansion amounts of the two substrates are different. For example, this is the case where the two substrates have the same material but different thicknesses. That is, this problem is not limited to the reflection-type light valve, but can also occur in the transmission-type light valve.
【０００９】なお、熱硬化型シール材を用いた場合には
基板温度が上昇して特性が劣化したり、樹脂が硬化する
までの時間が長いという不具合があるため、近年におい
ては紫外線硬化型シール材を用いる方式が多くなってき
ている。In the case where a thermosetting sealing material is used, there is a problem that the substrate temperature rises and the characteristics are deteriorated, and the time required for the resin to harden is long. Methods using materials are increasing.
【００１０】一方、紫外線硬化型シール材を使用した場
合には熱硬化型シール材を使用した場合に比べて基板温
度は低くて済むが、生産性および接着強度を上げるため
には紫外線の照度を高くする必要があり、それによって
基板は７０〜８０℃近くまで上昇するため、紫外線硬化
型シール材を使用した場合においても２つの基板の収縮
量の差異による基板の湾曲が無視できない程度になって
しまうという課題がある。On the other hand, when an ultraviolet-curable sealing material is used, the substrate temperature can be lower than when a thermosetting sealing material is used. However, in order to increase productivity and adhesive strength, the illuminance of ultraviolet light must be reduced. It is necessary to increase the temperature, and the temperature of the substrate rises to about 70 to 80 ° C., so that even if an ultraviolet-curable sealing material is used, the curvature of the substrate due to the difference in the amount of contraction between the two substrates cannot be ignored. There is a problem of getting it.
【００１１】本発明の第１の目的は、基板間の間隔が均
一である電気光学装置を実現することにあり、第２の目
的はその電気光学装置の製造を実現することにある。A first object of the present invention is to realize an electro-optical device having a uniform distance between substrates, and a second object is to realize the manufacture of the electro-optical device.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】上記した課題を解決する
ために本発明の電気光学装置は、同一条件下で加熱した
場合に互いに熱膨張量が異なる一対の基板間にシール部
材によって封止された電気光学材料を有し、前記シール
部材の内側領域には前記基板の間隔を保持するためのス
ペーサ部材が存在しない電気光学装置であって、少なく
とも一方の前記基板の前記電気光学材料側の面がその対
向面にたいして湾曲していることを特徴とする。In order to solve the above-mentioned problems, an electro-optical device according to the present invention is sealed by a sealing member between a pair of substrates having different thermal expansion amounts when heated under the same conditions. An electro-optical device having an electro-optical material, wherein a spacer member for maintaining a distance between the substrates does not exist in an inner region of the seal member, wherein at least one of the substrates has a surface facing the electro-optical material. Are characterized by being curved with respect to the facing surface.
【００１３】本発明の電気光学装置によれば、基板の熱
膨張量の違いに起因してその製造工程中に基板が反って
しまったとしても、一方の基板表面が湾曲しているの
で、基板間の間隔すなわち電気光学材料層の厚みが均一
に保てるという効果がある。According to the electro-optical device of the present invention, even if the substrate warps during the manufacturing process due to the difference in the amount of thermal expansion of the substrate, one of the substrate surfaces is curved. There is an effect that the spacing between the layers, that is, the thickness of the electro-optical material layer can be kept uniform.
【００１４】本発明の電気光学装置に用いる電気光学材
料としては、例えば、液晶材料を好適に利用することが
できる。また、シール部材としては、熱硬化性の樹脂
や、紫外線硬化性の樹脂中に基板間隔保持ようのスペー
サ部材を混入させたシール部材を好適に利用できる。As the electro-optical material used in the electro-optical device of the present invention, for example, a liquid crystal material can be suitably used. Further, as the sealing member, a thermosetting resin or a sealing member obtained by mixing a spacer member for keeping a space between substrates into an ultraviolet curing resin can be suitably used.
【００１５】尚、本発明の電気光学装置の好ましい形態
としては、少なくとも他方の前記基板は所定量反ってお
り、前記電気光学材料側の面の湾曲の程度は、前記基板
間の間隔が均一になるように、前記他方の基板の反りの
量に応じて設定されているとよい。In a preferred embodiment of the electro-optical device according to the present invention, at least the other substrate is warped by a predetermined amount, and the degree of curvature of the surface on the electro-optical material side is such that the distance between the substrates is uniform. It is preferable that the distance is set in accordance with the amount of warpage of the other substrate.
【００１６】また、本発明の電気光学装置の一の態様に
あっては、前記一対の基板は互いに異なる材質からなる
ことを特徴とする。In one aspect of the electro-optical device of the present invention, the pair of substrates are made of different materials.
【００１７】その場合の一例としては、一方の基板にシ
リコン基板に代表される半導体基板を用い、他方の基板
としてガラス基板を用いることができる。本態様にあっ
ては、材質の違いに起因して両基板の熱膨張係数が異な
るが、その熱膨張係数の違いによる製造工程中における
基板の反りに対応するように、一方の基板に湾曲を設け
ることにより、両基板の間隔を均一に保つことが可能と
なる。As an example of such a case, a semiconductor substrate typified by a silicon substrate can be used as one substrate, and a glass substrate can be used as the other substrate. In this embodiment, the two substrates have different coefficients of thermal expansion due to the difference in material, but one of the substrates has a curvature to accommodate the warpage of the substrate during the manufacturing process due to the difference in the coefficient of thermal expansion. By providing the same, it is possible to keep the distance between the two substrates uniform.
【００１８】また、本発明の電気光学装置の他の態様に
あっては、前記一対の基板は互いに同じ材質からなり、
それぞれの前記基板は互いにその厚みが異なることを特
徴とする。In another aspect of the electro-optical device of the present invention, the pair of substrates are made of the same material,
Each of the substrates has a different thickness.
【００１９】その場合の一例としては、基板としてガラ
ス基板等に代表される透明基板を用いることができる。
本態様にあっては、厚みの違いに起因して両基板の熱膨
張量が異なるが、その熱膨張量の違いによる製造工程中
における基板の反りに対応するように、一方の基板に湾
曲を設けることにより、両基板の間隔を均一に保つこと
が可能となる。As an example of such a case, a transparent substrate represented by a glass substrate or the like can be used as the substrate.
In this embodiment, the thermal expansion amounts of the two substrates are different due to the difference in the thickness, but one of the substrates is curved to correspond to the warpage of the substrate during the manufacturing process due to the difference in the thermal expansion amount. By providing the same, it is possible to keep the distance between the two substrates uniform.
【００２０】また、本発明の電気光学装置の他の形態に
あっては、前記一方の基板には反射性の電極が形成され
ており、前記電極の表面が湾曲状に形成されていること
を特徴とする。In another aspect of the electro-optical device according to the present invention, the one substrate is provided with a reflective electrode, and the surface of the electrode is formed in a curved shape. Features.
【００２１】反射性の電極としては、主としてアルミニ
ウムを主成分とする反射性の電極が好適に用いられる。
尚、アルミニウムの他にもクロム、銀でも代用可能であ
る。反射性の電極の下側には絶縁膜を形成してもよく、
その場合にあっては、その絶縁膜の表面を湾曲形状にし
その上に反射性の電極を設ければ反射性の電極表面は湾
曲状に形成できる。反射性電極の表面が鏡面状態である
場合にあっては、その表面を鏡面とするための研磨工程
において湾曲を形成できるので製造工程におけるメリッ
トもある。As the reflective electrode, a reflective electrode mainly containing aluminum as a main component is preferably used.
In addition, chromium and silver can be used instead of aluminum. An insulating film may be formed below the reflective electrode,
In that case, if the surface of the insulating film is formed into a curved shape and a reflective electrode is provided thereon, the reflective electrode surface can be formed into a curved shape. When the surface of the reflective electrode is mirror-finished, there is an advantage in the manufacturing process because a curved surface can be formed in a polishing process for making the surface a mirror-finished surface.
【００２２】また、本発明の電気光学装置の製造方法
は、同一条件下で加熱した場合に互いに熱膨張量が異な
る一対の基板間に介在させたシール部材に光又は熱を加
えることによって前記シール部材を硬化させる電気光学
装置の製造方法であって、 少なくとも一方の前記基板
の内面側を、その対向面に対して湾曲形状にする工程を
有することを特徴とする。Further, in the method of manufacturing an electro-optical device according to the present invention, when the seal member is heated under the same condition, light or heat is applied to a seal member interposed between a pair of substrates having different thermal expansion amounts from each other. A method of manufacturing an electro-optical device for curing a member, comprising a step of forming an inner surface of at least one of the substrates into a curved shape with respect to an opposing surface thereof.
【００２３】本発明の電気光学装置の製造方法によれ
ば、 一方の基板の内面側を、その対向面に対して湾曲
形状にする工程を有するので、シール部材に光又は熱を
加えることによってシール部材を硬化させる工程におい
て、基板に反りが生じたとしても一方の基板表面が湾曲
しているので、基板間の間隔すなわち電気光学材料層の
厚みが均一に保てるという効果がある。According to the method of manufacturing the electro-optical device of the present invention, since the step of forming the inner surface of one substrate into a curved shape with respect to the opposing surface is provided, the sealing is performed by applying light or heat to the sealing member. In the step of curing the member, even if the substrate is warped, the surface of one substrate is curved, so that the distance between the substrates, that is, the thickness of the electro-optical material layer can be kept uniform.
【００２４】本発明の電気光学装置の製造方法に用いる
同一条件下で加熱した場合に互いに熱膨張量が異なる一
対の基板の一例としては、互いに熱膨張係数の異なる基
板、例えば半導体基板とガラス基板があげられ、他例と
しては互いに熱膨張係数は等しいが熱膨張量は異なる基
板、例えば厚みがそれぞれ異なる２枚のガラス基板が好
適を好適に用いることができる。An example of a pair of substrates having different thermal expansion amounts when heated under the same conditions used in the method of manufacturing an electro-optical device of the present invention is a substrate having a different thermal expansion coefficient, for example, a semiconductor substrate and a glass substrate. As another example, substrates having the same coefficient of thermal expansion but different amounts of thermal expansion, for example, two glass substrates having different thicknesses can be preferably used.
【００２５】本発明の電気光学装置の製造方法の一の態
様としては、前記一方の基板の内面側に反射性電極を形
成する工程を更に備え、 前記反射性電極表面を湾曲形
状とすることを特徴とする。In one embodiment of the method for manufacturing an electro-optical device according to the present invention, the method further comprises the step of forming a reflective electrode on the inner surface of the one substrate, wherein the reflective electrode has a curved surface. Features.
【００２６】反射性電極を湾曲形状とする手段の一例と
しては、反射性電極の表面を直接研磨する方法があげら
れる。特に、反射性電極の表面を鏡面状にする電気光学
装置にあっては、鏡面とするために電極表面を研磨する
ので、その鏡面研磨と同工程で湾曲形状を造り込めば工
程上のメリットが大きいので、この反射性電極を直接研
磨する方法が有効である。As an example of the means for forming the reflective electrode into a curved shape, there is a method of directly polishing the surface of the reflective electrode. Particularly, in an electro-optical device in which the surface of a reflective electrode is made into a mirror surface, the electrode surface is polished to make it a mirror surface, so if a curved shape is formed in the same process as the mirror polishing, there is an advantage in the process. Since it is large, a method of directly polishing this reflective electrode is effective.
【００２７】また、本発明の電気光学装置の製造方法の
他の態様にあっては、前記基板の内面側であって前記電
極の下となる位置に凹凸を有する絶縁膜を形成する工程
と、前記絶縁膜の表面をＣＭＰ法によって研磨する工程
を更に備えており、前記絶縁膜上に前記反射性電極を形
成することによって、前記反射性電極の表面を湾曲状と
することを特徴とする。In another aspect of the method for manufacturing an electro-optical device according to the present invention, a step of forming an insulating film having projections and depressions at a position on the inner surface side of the substrate and below the electrode, The method further includes a step of polishing the surface of the insulating film by a CMP method, wherein the surface of the reflective electrode is curved by forming the reflective electrode on the insulating film.
【００２８】本態様は酸化シリコン膜に代表される絶縁
膜を研磨することによって湾曲を得るための具体例であ
る。本形態においては、絶縁膜に形成する凹凸の密度を
適宜変えることによって反射性電極表面の湾曲の曲率を
変化させることが可能である。つまり、表面が平坦なパ
フあるいは研磨板を用いて絶縁膜の研磨を行う場合にお
いて、凹凸の密度が高い部分の研磨量と密度の低い部分
の研磨量との違いによって湾曲の曲率を調整することが
可能となる。This embodiment is a specific example for obtaining a curvature by polishing an insulating film typified by a silicon oxide film. In this embodiment, the curvature of the surface of the reflective electrode can be changed by appropriately changing the density of the unevenness formed on the insulating film. In other words, when polishing an insulating film using a puff or polishing plate with a flat surface, the curvature of the curvature is adjusted by the difference between the polishing amount of the high density portion and the polishing amount of the low density portion. Becomes possible.
【００２９】また、本発明の電気光学装置の製造方法の
他の態様にあっては、前記一方の基板はガラス基板であ
り、前記一方の基板の内面側を湾曲形状にする工程は、
化学エッチングにより行われることを特徴とする。In another aspect of the method of manufacturing an electro-optical device according to the present invention, the one of the substrates is a glass substrate, and the step of forming an inner surface of the one of the substrates into a curved shape includes:
It is performed by chemical etching.
【００３０】本態様は、ガラス基板を湾曲形状とする手
段の一例である。つまり、フッ酸等を用いた化学エッチ
ングによりガラス自体の面を湾曲させるので、その上に
形成される電極なども湾曲形状となるので結果として基
板表面が湾曲形状となる。This embodiment is an example of a means for forming a glass substrate into a curved shape. That is, since the surface of the glass itself is curved by chemical etching using hydrofluoric acid or the like, the electrodes and the like formed thereon also have a curved shape, and as a result, the substrate surface has a curved shape.
【００３１】本発明の投射型表示装置は、照明装置から
の光をライトバルブによって変調し、その変調光を拡大
投射する投射型表示装置であって、 前記ライトバルブ
は、同一条件下で加熱した場合に互いに熱膨張量が異な
る一対の基板間にシール部材によって封止された電気光
学材料を有し、前記シール部材の内側領域には前記基板
の間隔を保持するためのスペーサ部材が存在せず、 少
なくとも一方の前記基板の前記電気光学材料側の面がそ
の対向面にたいして湾曲していることを特徴とする。The projection type display device of the present invention is a projection type display device in which light from an illuminating device is modulated by a light valve and the modulated light is enlarged and projected, wherein the light valve is heated under the same conditions. In the case where the electro-optical material is sealed by a seal member between a pair of substrates having different thermal expansion amounts from each other, a spacer member for maintaining an interval between the substrates is not present in an inner region of the seal member. The surface of the at least one substrate on the side of the electro-optical material is curved with respect to the opposing surface.
【００３２】本発明の投射型表示装置によれば、照明装
置から出射した光はライトバルブによって変調され、ス
クリーン等に投射される。本発明の投射型表示装置にあ
っては、そのライトバルブの基板間隔が均一であるた
め、照明光の変調がライトバルブ面内で均一に行われる
ので、表示ムラのないコントラスト特性が良好な投射画
像が得られる。According to the projection display device of the present invention, the light emitted from the lighting device is modulated by the light valve and projected on a screen or the like. In the projection type display device of the present invention, since the distance between the substrates of the light valve is uniform, the modulation of the illuminating light is performed uniformly within the light valve surface, so that projection with good display characteristics without display unevenness is achieved. An image is obtained.
【００３３】[0033]
【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）以下、本発
明の好適な実施例を図面に基づいて説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS (First Embodiment) A preferred embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００３４】図１は、本発明を反射型の液晶装置に適用
する場合の態様を示す。図１において、１１はガラス基
板からなる入射側基板、１２はシリコン基板等からなる
反射側基板、１３は反射側基板の内側の面に設けられた
反射性電極である。また、１４は２枚の基板１１と１２
を所定の間隔をおいて接合する熱硬化性樹脂もしくは紫
外線硬化樹脂からなるシール部材である。上記２枚の基
板１１、１２は、そのうち一方の基板の周縁部にシール
材を塗布し、他方の基板を対向接近させて光もしくは熱
線を照射して前記シール材を硬化させることで、接合さ
れる。そして、このシール材１３で囲まれた基板１１と
１２の隙間に液晶が注入され封止されて液晶装置が構成
される。FIG. 1 shows an embodiment in which the present invention is applied to a reflection type liquid crystal device. In FIG. 1, reference numeral 11 denotes an incident side substrate made of a glass substrate, 12 denotes a reflective side substrate made of a silicon substrate or the like, and 13 denotes a reflective electrode provided on an inner surface of the reflective side substrate. Reference numeral 14 denotes two substrates 11 and 12
Is a sealing member made of a thermosetting resin or an ultraviolet-curing resin which is joined at a predetermined interval. The two substrates 11 and 12 are joined by applying a sealing material to a peripheral portion of one of the substrates, and irradiating light or heat rays to the other substrate so as to oppose and cure the sealing material. You. Then, a liquid crystal is injected into a gap between the substrates 11 and 12 surrounded by the sealing material 13 and sealed to form a liquid crystal device.
【００３５】上記反射型の液晶装置のように２枚の基板
１１、１２の材質が異なると、熱膨張係数が異なるため
シール部を硬化させるために紫外線もしくは熱線を照射
したときに、それぞれの基板が異なる膨張量だけ膨張し
た状態で互いに接合され、紫外線もしくは熱線の照射が
終了して基板の温度が下がると少なくともどちらか一方
の基板が湾曲することとなる。このときの湾曲の状態
は、それぞれの基板の熱膨張量と剛性に応じて図１
（Ａ）〜（Ｄ）のいずれかに示す状態となる。If the materials of the two substrates 11 and 12 are different from each other as in the reflection type liquid crystal device, the substrates have different thermal expansion coefficients. Are joined to each other in a state where they are expanded by different expansion amounts, and when irradiation of ultraviolet rays or heat rays is completed and the temperature of the substrates is lowered, at least one of the substrates is bent. The state of the curvature at this time depends on the thermal expansion amount and the rigidity of each substrate.
The state shown in any of (A) to (D) is obtained.
【００３６】このうち、図１（Ａ），（Ｂ）は基板１２
の方が基板１１よりも熱膨張量が大きくかつ剛性が高い
場合であり、図１（Ｃ），（Ｄ）は基板１１の方が基板
１２よりも熱膨張量が大きくかつ剛性が高い場合であ
る。また、基板１１または１２が（Ａ）または（Ｃ）の
ように下向きに湾曲するか、（Ｂ）または（Ｄ）のよう
に上向きに湾曲するかは、基板１１または１２の表面状
態等に依存し、本発明者らの経験によるとパネルの構造
と紫外線もしくは熱線の照射の仕方が同じであれば同じ
向きに湾曲する。FIGS. 1A and 1B show the structure of the substrate 12.
1C shows the case where the thermal expansion is larger and the rigidity is higher than that of the substrate 11. FIGS. 1C and 1D show the case where the substrate 11 has the larger thermal expansion and the higher rigidity than the substrate 12. is there. Whether the substrate 11 or 12 bends downward as shown in (A) or (C) or upwards as shown in (B) or (D) depends on the surface condition of the substrate 11 or 12 or the like. However, according to the experience of the present inventors, if the structure of the panel and the manner of irradiation with ultraviolet rays or heat rays are the same, they are curved in the same direction.
【００３７】なお、基板１１としてアルカリガラスを使
用し、基板１２としてシリコン基板を使用した場合に
は、アルカリガラスの熱膨張係数が３．５×１０-6であ
るのに対し、シリコンの熱膨張係数は２．６×１０-6で
あるので、一見すると基板１１の方が、膨張量が大きい
ようにも考えられる。しかし、紫外線もしくは熱線の照
射の仕方や基板の厚みによっては基板１２の膨張量の方
が大きくなり、図１（Ａ）または（Ｂ）のように湾曲す
ることがある。また、上記以外にも両方の基板が湾曲す
る場合も当然考えられるが、２枚の基板の相対的な湾曲
状態を考え、湾曲の少ない方を平坦な基板とみなすと、
図１（Ａ）〜（Ｄ）の４つの態様に分類することができ
る。When an alkali glass is used as the substrate 11 and a silicon substrate is used as the substrate 12, the thermal expansion coefficient of the alkali glass is 3.5 × 10 −6 , whereas the thermal expansion coefficient of silicon is 3.5 × 10 −6. Since the coefficient is 2.6 × 10 −6 , at first glance, it can be considered that the expansion amount of the substrate 11 is larger. However, the amount of expansion of the substrate 12 may be larger depending on the method of irradiating ultraviolet rays or heat rays or the thickness of the substrate, and the substrate 12 may be curved as shown in FIG. 1A or 1B. In addition, it is naturally conceivable that both the substrates are curved in addition to the above, but considering the relative curved state of the two substrates, and considering the less curved one as a flat substrate,
1A to 1D can be classified.
【００３８】本発明の第１の実施形態では、図１（Ａ）
のように上側の基板１１が下向きに湾曲または（Ｄ）の
ように下側基板１２が上向きに湾曲したときは、基板１
２側に設けられる反射電極を、予め図２（Ａ）のよう
に、凹状に湾曲させておく。一方、図１（Ｂ）のように
上側の基板１１が上向きに湾曲または（Ｃ）のように下
側基板１２が下向きに湾曲したときは、基板１２側に設
けられる反射電極を、予め図２（Ｂ）のように、凸状に
湾曲させておく。In the first embodiment of the present invention, FIG.
When the upper substrate 11 is curved downward as shown in FIG. 4 or when the lower substrate 12 is curved upward as shown in FIG.
The reflection electrodes provided on the two sides are previously curved in a concave shape as shown in FIG. On the other hand, when the upper substrate 11 is curved upward as shown in FIG. 1B or the lower substrate 12 is curved downward as shown in FIG. As shown in (B), it is curved in a convex shape.
【００３９】これによって、シール部材１４が硬化され
２枚の基板が接合された後の状態では、基板１２側に設
けられる反射性電極の表面と対向基板である基板１１の
内側の面との間隔がパネル全体に亘りほぼ均一となる。
つまり、基板１１と１２との間に注入される液晶の厚み
が均一となる。その結果、反射性電極を有する直視型液
晶表示装置もしくはライトバルブとして用いた投射型表
示装置では、コントラストや明るさのむらがなくなり、
画質が向上する。Thus, in a state after the sealing member 14 is cured and the two substrates are joined, the distance between the surface of the reflective electrode provided on the substrate 12 and the inner surface of the substrate 11 which is the opposing substrate is set. Is substantially uniform over the entire panel.
That is, the thickness of the liquid crystal injected between the substrates 11 and 12 becomes uniform. As a result, in a direct-view liquid crystal display device having a reflective electrode or a projection display device used as a light valve, there is no unevenness in contrast or brightness,
Image quality is improved.
【００４０】なお、反射側基板に形成される反射性電極
を湾曲させる方法としては、アルミニウムなどの金属層
からなる反射電極の表面を直接研磨する方法と、反射性
電極を形成する前にその下方の層間絶縁膜の表面を研磨
により湾曲させてから、ほぼ均一な厚みに反射電極とな
る金属層を形成する方法とがある。また、反射性電極が
アルミニウム等の金属で形成されている場合には、アル
ミナ粒子を混入した研磨液を用いて研磨すればよい。ま
た、酸化シリコン膜のような絶縁膜を研磨する場合に
は、研磨液としてアルカリ溶液を使用したＣＭＰにより
研磨すると良い。The reflective electrode formed on the reflective substrate can be curved by directly polishing the surface of the reflective electrode made of a metal layer such as aluminum, or by lowering the surface of the reflective electrode before forming the reflective electrode. After the surface of the interlayer insulating film is curved by polishing, there is a method of forming a metal layer serving as a reflective electrode with a substantially uniform thickness. In the case where the reflective electrode is formed of a metal such as aluminum, polishing may be performed using a polishing liquid mixed with alumina particles. In the case where an insulating film such as a silicon oxide film is polished, the polishing is preferably performed by CMP using an alkaline solution as a polishing liquid.
【００４１】しかも、上記の場合、研磨の際に発泡ポリ
ウレタン等からなる平坦なバフもしくは研磨盤を使用し
ても、中央部と周辺部との研磨レートの差を利用してそ
の研磨時間を制御することで容易に所望の湾曲を反射電
極に形成することができる。すなわち、本発明者らの経
験によると、中央にはアルミニウム層からなる画素電極
としての反射電極が所定の間隔をおいて形成され、周辺
のシール部には平坦なアルミニウム層が形成されている
ような液晶パネルの場合には、平坦なバフもしくは研磨
盤で研磨を行なってもアルミニウム層の密度の高い周辺
に比べて密度の低い中央部の方がたくさん研磨されるた
め中央部が凹状になるように研磨面が形成される。Moreover, in the above case, even if a flat buff or a polishing disk made of foamed polyurethane or the like is used for polishing, the polishing time is controlled by utilizing the difference in the polishing rate between the central portion and the peripheral portion. By doing so, a desired curve can be easily formed on the reflective electrode. That is, according to the experience of the present inventors, a reflective electrode as a pixel electrode made of an aluminum layer is formed at a predetermined interval in the center, and a flat aluminum layer is formed in a peripheral seal portion. In the case of a liquid crystal panel, even if polishing is performed with a flat buff or polishing machine, the central part with a lower density is more polished than the peripheral part with a higher density of the aluminum layer, so the central part is concave. A polished surface is formed on the substrate.
【００４２】そこで、この実施例では、上記のような研
磨の特性を積極的に利用して、基板中央部を凹状にした
いときは周辺のシール部に平坦なアルミニウム層を形成
して密度を高くしておく。一方、基板中央部を凸状にし
たいときは周辺の画素電極よりも密度の低いアルミニウ
ムパターン層を形成しておく。また、湾曲の程度すなわ
ち曲率は、研磨時間を制御することで行なう。具体的に
は、湾曲の程度を大きくしたいときつまり曲率半径を小
さくしたいときは長時間研磨を行ない、湾曲の程度を小
さくしたいときは研磨時間を短くすれば良い。Therefore, in this embodiment, when the central portion of the substrate is to be made concave, a flat aluminum layer is formed in the peripheral seal portion to make the density higher by making the most of the above-mentioned polishing characteristics. Keep it. On the other hand, when it is desired to make the central portion of the substrate convex, an aluminum pattern layer having a lower density than the peripheral pixel electrodes is formed. The degree of curvature, that is, the curvature, is determined by controlling the polishing time. Specifically, when the degree of curvature is to be increased, that is, when the radius of curvature is to be reduced, polishing is performed for a long time, and when the degree of curvature is to be reduced, the polishing time may be shortened.
【００４３】一方、ＣＭＰにより反射性電極下方の酸化
シリコン膜のような層間絶縁膜を研磨してその表面を湾
曲させておく場合には、層間絶縁膜に生じる凹凸の密度
を変える。つまり、基板中央部を凹状にしたいときは周
辺部の層間絶縁膜の凹凸の密度を中央部の層間絶縁膜の
凹凸の密度よりも低くしておく。逆に、基板中央部を凸
状にしたいときは周辺部の層間絶縁膜の凹凸の密度を中
央部の層間絶縁膜の凹凸の密度よりも高くしておく。本
来の素子や電極の形成によって層間絶縁膜に生じる凹凸
の密度では不充分な場合には、ダミーの凹凸を設けて調
整してやればよい。On the other hand, when an interlayer insulating film such as a silicon oxide film below the reflective electrode is polished by CMP to have a curved surface, the density of irregularities generated in the interlayer insulating film is changed. That is, when it is desired to make the central portion of the substrate concave, the density of the unevenness of the interlayer insulating film in the peripheral portion is set lower than that of the interlayer insulating film in the central portion. Conversely, when it is desired to make the central portion of the substrate convex, the density of the unevenness of the interlayer insulating film in the peripheral portion is set higher than that of the interlayer insulating film in the central portion. In the case where the density of the irregularities generated in the interlayer insulating film due to the formation of the original elements and electrodes is not sufficient, dummy irregularities may be provided and adjusted.
【００４４】前記実施例を適用することにより、例えば
反射性電極側の基板として熱膨張係数が２．６×１０-6
のシリコン基板を、また対向基板として熱膨張係数が
３．５×１０-6の無アルカリガラスを使用し液晶パネル
のサイズを２０ｍｍ、厚みを１．７ｍｍとした場合に、
従来の方法ではパネルの中心部が周辺部に比べて１〜２
μｍたわんでしまうものを、中心部のたわみを０．３μ
ｍ以下に抑えることができることが分かった。By applying the above embodiment, for example, the substrate on the reflective electrode side has a coefficient of thermal expansion of 2.6 × 10 −6.
When a non-alkali glass having a thermal expansion coefficient of 3.5 × 10 -6 is used as a counter substrate and a liquid crystal panel is 20 mm in size and 1.7 mm in thickness,
In the conventional method, the center of the panel is 1-2 times smaller than the periphery.
μm deflection, 0.3μ deflection at the center
m.
【００４５】（第２の実施の形態）本発明の第２の実施
形態では、図１（Ａ）のように上側の基板１１が下向き
に湾曲または（Ｄ）のように下側基板１２が上向きに湾
曲したときは、ガラス基板１１の液晶側の面を、予め図
３（Ａ）のように、凹状に湾曲させておく。一方、図１
（Ｂ）のように上側の基板１１が上向きに湾曲または
（Ｃ）のように下側基板１２が下向きに湾曲したとき
は、ガラス基板１１の液晶側の面を、予め図３（Ｂ）の
ように、凸状に湾曲させておく。(Second Embodiment) In a second embodiment of the present invention, the upper substrate 11 is curved downward as shown in FIG. 1A or the lower substrate 12 is oriented upward as shown in FIG. When curved, the surface of the glass substrate 11 on the liquid crystal side is previously curved in a concave shape as shown in FIG. On the other hand, FIG.
When the upper substrate 11 is curved upward as in (B) or the lower substrate 12 is curved downward as in (C), the surface of the glass substrate 11 on the liquid crystal side is set in advance in FIG. So that it is curved in a convex shape.
【００４６】なお、この実施形態は、一方の基板１１が
ガラス基板で他方の基板１２がシリコン基板である反射
型の液晶装置に限定されず、２枚の基板が共にガラス基
板である液晶装置にも適用することができる。しかも、
その場合には、上側の基板１１の液晶側の面に湾曲を形
成する代わりに、下上側の基板１２の液晶側の面に湾曲
を形成するようにしてもよい。This embodiment is not limited to a reflection type liquid crystal device in which one substrate 11 is a glass substrate and the other substrate 12 is a silicon substrate, but is applicable to a liquid crystal device in which both substrates are glass substrates. Can also be applied. Moreover,
In this case, instead of forming a curve on the liquid crystal side surface of the upper substrate 11, a curve may be formed on the liquid crystal side surface of the lower upper substrate 12.
【００４７】これによって、第１の実施形態と同様な効
果が得られる。なお、予めガラス基板の表面に湾曲を形
成する方法としては、基板の表面を例えばフッ酸を用い
た化学エッチングによりエッチングして形成する方法が
ある。As a result, the same effect as in the first embodiment can be obtained. Note that as a method of forming a curve on the surface of the glass substrate in advance, there is a method of forming the surface of the glass substrate by etching the surface of the substrate by, for example, chemical etching using hydrofluoric acid.
【００４８】図４は、本発明を適用して特に有効な反射
型液晶パネルの反射電極側基板の断面構成例を示す。な
お、図４はマトリックス状に配置されている画素のうち
一画素部分の１つのＦＥＴと１つの保持容量の断面を示
す。 図４において、１０１は単結晶シリコンのような
Ｐ型半導体基板（Ｎ型半導体基板（Ｎ--）でもよい）、
１０２はこの半導体基板１０１の表面に形成されたＰ型
ウェル領域、１０３は半導体基板１０１の表面に形成さ
れた素子分離用のフィールド酸化膜（いわゆるＬＯＣＯ
Ｓ）である。前記ウェル領域１０２は、特に限定されな
いが、マトリックス状に画素が配置されてなる画素領域
の共通ウェル領域として形成され、サンプリング回路や
シフトレジスタ、タイミング制御回路等の周辺回路を構
成する素子が形成される部分のウェル領域とは分離して
形成されている。前記フィールド酸化膜１０３は選択熱
酸化によって５０００〜７０００オングストロームのよ
うな厚さに形成される。FIG. 4 shows an example of a sectional configuration of a reflective electrode side substrate of a reflective liquid crystal panel which is particularly effective by applying the present invention. FIG. 4 shows a cross section of one FET and one storage capacitor in one pixel portion among pixels arranged in a matrix. In FIG. 4, reference numeral 101 denotes a P-type semiconductor substrate such as single-crystal silicon (an N-type semiconductor substrate (N--) may be used);
Reference numeral 102 denotes a P-type well region formed on the surface of the semiconductor substrate 101, and reference numeral 103 denotes a field oxide film (so-called LOCO) for element isolation formed on the surface of the semiconductor substrate 101.
S). Although not particularly limited, the well region 102 is formed as a common well region of a pixel region in which pixels are arranged in a matrix, and elements forming peripheral circuits such as a sampling circuit, a shift register, and a timing control circuit are formed. Is formed separately from the well region of the portion. The field oxide film 103 is formed to a thickness of 5000 to 7000 angstroms by selective thermal oxidation.
【００４９】前記フィールド酸化膜１０３には一画素ご
とに６つの開口部が形成され、そのうち３つの開口部の
内側中央にはゲート酸化膜（絶縁膜）１０４ｂを介して
ポリシリコンあるいはメタルシリサイド等からなるゲー
ト電極１０４ａが形成され、このゲート電極１０４ａの
両側の基板表面には高不純物濃度のＮ型不純物導入層
（以下、ドーピング層という）からなるソース、ドレイ
ン領域１０５ａ，１０５ｂが形成され、ＭＯＳＦＥＴが
構成されている。ゲート電極１０４ａは走査線方向（画
素行方向）に延在されて、走査線を構成する。In the field oxide film 103, six openings are formed for each pixel. Of the three openings, the center inside the three openings is formed of polysilicon or metal silicide via a gate oxide film (insulating film) 104b. A gate electrode 104a is formed. Source and drain regions 105a and 105b are formed on the substrate surface on both sides of the gate electrode 104a. The source and drain regions 105a and 105b are formed of a high impurity concentration N-type impurity introduction layer (hereinafter referred to as a doping layer). It is configured. The gate electrode 104a extends in the scanning line direction (pixel row direction) to form a scanning line.
【００５０】また、前記フィールド酸化膜１０３に形成
された他の開口部の内側の基板表面にはＰ型ドーピング
領域１０８が形成されているとともに、このＰ型ドーピ
ング領域１０８の表面には絶縁膜１０９ｂを介してポリ
シリコンあるいはメタルシリサイド等からなる電極１０
９ａが形成され、この電極１０９ａと前記Ｐ型ドーピン
グ領域１０８との間に絶縁膜容量からなる保持容量が構
成されている。前記電極１０９ａは前記ＭＯＳＦＥＴの
ゲート電極１０４ａとなるポリシリコンあるいはメタル
シリサイド層と同一工程にて、また電極１０９ａの下の
絶縁膜１０９ｂはゲート絶縁膜１０４ｂとなる絶縁膜と
同一工程にてそれぞれ形成することができる。A P-type doping region 108 is formed on the surface of the substrate inside another opening formed in the field oxide film 103, and an insulating film 109b is formed on the surface of the P-type doping region 108. Electrode 10 made of polysilicon or metal silicide through
A storage capacitor 9a is formed between the electrode 109a and the P-type doping region. The electrode 109a is formed in the same step as the polysilicon or metal silicide layer serving as the gate electrode 104a of the MOSFET, and the insulating film 109b under the electrode 109a is formed in the same step as the insulating film serving as the gate insulating film 104b. be able to.
【００５１】前記絶縁膜１０４ｂ，１０９ｂは熱酸化に
よって前記開口部の内側半導体基板表面に４００〜８０
０オングストロームのような厚さに形成される。前記電
極１０４ａ，１０９ａは、ポリシリコン層を１０００〜
２０００オングストロームのような厚さに形成しその上
にＭｏあるいはＷのような高融点金属のシリサイド層を
１０００〜３０００オングストロームのような厚さに形
成した構造とされている。ソース、ドレイン領域１０５
ａ，１０５ｂは、前記ゲート電極１０４ａをマスクとし
てその両側の基板表面にＮ型不純物をイオン打ち込みで
注入することで自己整合的に形成される。The insulating films 104b and 109b are formed on the surface of the semiconductor substrate inside the opening by thermal oxidation by 400-80.
It is formed to a thickness such as 0 Å. The electrodes 104a and 109a are made of a polysilicon layer of 1000 to 1000
The structure is such that it is formed to a thickness of 2000 Å and a silicide layer of a high melting point metal such as Mo or W is formed thereon to a thickness of 1000 to 3000 Å. Source / drain region 105
A and 105b are formed in a self-aligned manner by ion-implanting N-type impurities into the surface of the substrate on both sides using the gate electrode 104a as a mask.
【００５２】前記電極１０４ａおよび１０９ａからフィ
ールド酸化膜１０３上にかけては第１の層間絶縁膜１０
６が形成され、この絶縁膜１０６上にはアルミニウムを
主体とするメタル層からなりＭＯＳＦＥＴのソース領域
１０５ａと前記保持容量の電極１０９ａとを接続するソ
ース電極１０７ａおよびＭＯＳＦＥＴのドレイン領域１
０５ｂと反射電極としての画素電極１１４とを接続する
ドレイン電極１０７ｂが設けられており、それぞれ絶縁
膜１０６に形成されたコンタクトホールにて接続されが
なされている。The first interlayer insulating film 10 extends from the electrodes 104 a and 109 a to the field oxide film 103.
A source electrode 107a made of a metal layer mainly composed of aluminum and connecting the source region 105a of the MOSFET and the electrode 109a of the storage capacitor, and a drain region 1 of the MOSFET are formed on the insulating film 106.
A drain electrode 107b that connects the pixel electrode 05b and the pixel electrode 114 serving as a reflective electrode is provided, and each is connected by a contact hole formed in the insulating film 106.
【００５３】前記ソース電極１０７ａおよびドレイン電
極１０７ｂから層間絶縁膜１０６上にかけては第２の層
間絶縁膜１１１が形成され、この第２層間絶縁膜１１１
上にはアルミニウムを主体とする二層目のメタル層１１
２からなる遮光膜が形成されている。この遮光膜を構成
する二層目のメタル層１１２は、画素領域の周囲に形成
される駆動回路等の周辺回路において素子間の接続用配
線を構成するメタル層と同一のメタル層で形成すること
ができる。従って、この遮光膜（１１２）のみを形成す
るために工程を追加する必要がなく、プロセスが簡略化
される。また、前記遮光膜（１１２）は、前記ドレイン
電極１０７ｂに対応する位置に、画素電極１１４と電気
的に接続するための柱状の接続プラグ１１５を貫通させ
るための開口部１１２ａが形成され、それ以外は画素領
域全面を覆うように形成される。これによって、基板上
方から入射する光をほぼ完全に遮断して画素スイッチン
グ用ＭＯＳＦＥＴのチャネル領域およびウェル領域を光
が通過してリーク電流が流れるのを防止することができ
る。A second interlayer insulating film 111 is formed from the source electrode 107a and the drain electrode 107b to the interlayer insulating film 106.
Above is a second metal layer 11 mainly composed of aluminum.
2 is formed. The second metal layer 112 constituting the light-shielding film should be formed of the same metal layer as the metal layer constituting the connection wiring between elements in a peripheral circuit such as a drive circuit formed around the pixel region. Can be. Therefore, there is no need to add a step for forming only the light shielding film (112), and the process is simplified. In the light-shielding film (112), an opening 112a is formed at a position corresponding to the drain electrode 107b so as to penetrate a columnar connection plug 115 for electrically connecting to the pixel electrode 114. Is formed so as to cover the entire pixel region. This makes it possible to almost completely block light incident from above the substrate, thereby preventing light from passing through the channel region and the well region of the pixel switching MOSFET and causing leakage current to flow.
【００５４】この実施例においては、前記遮光膜（１１
２）の上に第３層間絶縁膜１１３が形成され、この第３
層間絶縁膜１１３の上に、ほぼ１画素に対応した矩形状
をなす画素電極１１４が形成されている。この実施例に
おいては、このような画素電極１１４の表面が表示領域
全体として球面の一部をなすように湾曲形成されてい
る。上記画素電極１１２は、特に限定されないが、例え
ば低温スパッタ法によりアルミニウム層を３０００〜５
０００オングストロームのような厚さに形成し、パター
ニングによって一辺が１５〜２０μｍ程度の正方形のよ
うな形状とした後に、アルカリ液を研磨液とするＣＭＰ
法により表面を凹状または凸状に研磨することによって
湾曲が形成される。In this embodiment, the light shielding film (11
2) A third interlayer insulating film 113 is formed on
On the interlayer insulating film 113, a rectangular pixel electrode 114 corresponding to approximately one pixel is formed. In this embodiment, the surface of such a pixel electrode 114 is curved so as to form a part of a spherical surface as a whole display area. The pixel electrode 112 is not particularly limited.
CMP having a thickness of about 2,000 angstroms, forming a square having a side of about 15 to 20 μm by patterning, and then using an alkaline liquid as a polishing liquid
The curvature is formed by polishing the surface into a concave or convex shape by the method.
【００５５】なお、図４の実施例では、前記遮光膜（１
１２）に設けられた開口部１１２ａに対応してその内側
に位置するように、前記第３層間絶縁膜１１３および第
２層間絶縁膜１１１を貫通するコンタクトホール１１６
が設けられており、このコンタクトホール１１６内に前
記ドレイン電極１０７ｂと前記画素電極１１４とを電気
的に接続するタングステン等の高融点金属からなる柱状
の接続プラグ１１５が充填されている。さらに、前記画
素電極１１４の上には、パシベーション膜１１７が全面
的に形成されている。In the embodiment shown in FIG. 4, the light shielding film (1
A contact hole penetrating through the third interlayer insulating film 113 and the second interlayer insulating film 111 so as to be located inside and corresponding to the opening 112a provided in 12).
The contact hole 116 is filled with a columnar connection plug 115 made of a refractory metal such as tungsten for electrically connecting the drain electrode 107b and the pixel electrode 114. Further, a passivation film 117 is entirely formed on the pixel electrode 114.
【００５６】図５は前記液晶パネル基板を適用した反射
型液晶パネル３００の断面構成を示す。図５において、
１３１は前記実施例のように構成された反射側の液晶パ
ネル用基板で、この液晶パネル用基板１３１の上面側に
は、ＬＣコモン電位が印加される透明導電膜（ＩＴＯ）
からなる対向電極１３３を有する入射側のガラス基板１
３５が適当な間隔をおいて配置され、周囲をシール材１
３６で封止された間隙内に周知のＴＮ（Twisted Nemati
c）型液晶またはまたは電圧無印加状態で液晶分子がほ
ぼ垂直配向された ＳＨ（Super Homeotropic）型液晶１
３７などが充填されて液晶パネル１３０と して構成さ
れている。なお、外部から信号を入力したり、電源電圧
を供給するためのパッド領域１２６は前記シール材１３
６の外側に来るようにシール材を設ける位置が設定され
ている。FIG. 5 shows a sectional structure of a reflection type liquid crystal panel 300 to which the liquid crystal panel substrate is applied. In FIG.
Reference numeral 131 denotes a reflection-side liquid crystal panel substrate configured as in the above-described embodiment. On the upper surface side of the liquid crystal panel substrate 131, a transparent conductive film (ITO) to which an LC common potential is applied is provided.
Glass substrate 1 on the incident side having a counter electrode 133 made of
35 are disposed at appropriate intervals, and the surroundings thereof are sealing materials 1.
The well-known TN (Twisted Nemati)
c) Type liquid crystal or SH (Super Homeotropic) type liquid crystal 1 in which liquid crystal molecules are almost vertically aligned in the absence of voltage
The liquid crystal panel 130 is configured by being filled with 37 or the like. The pad region 126 for inputting a signal from the outside or supplying a power supply voltage is provided in the sealing material 13.
The position where the sealing material is provided is set so as to be outside of the reference numeral 6.
【００５７】１２５は周辺回路を覆うように形成される
遮光膜で、この遮光膜１２５は液晶１３７を介在して対
向基板１３５側の共通電極１３３と対向されるように構
成されている。そして、遮光膜１２５にＬＣコモン電位
を印加すれば、対向基板の共通電極１３３にはもともと
ＬＣコモン電位が印加されるので、その間に介在する液
晶には直流電圧が印加されなくなる。よってＴＮ型液晶
であれば常に液晶分子がほぼ９０°ねじれたままとな
り、ＳＨ型液晶であれば常に垂直配向された状態に液晶
分子が保たれる。Reference numeral 125 denotes a light-shielding film formed so as to cover the peripheral circuit. The light-shielding film 125 is configured to face the common electrode 133 on the counter substrate 135 with the liquid crystal 137 therebetween. When the LC common potential is applied to the light shielding film 125, the LC common potential is originally applied to the common electrode 133 of the opposing substrate, so that no DC voltage is applied to the liquid crystal interposed therebetween. Therefore, in the case of the TN type liquid crystal, the liquid crystal molecules are always kept twisted by about 90 °, and in the case of the SH type liquid crystal, the liquid crystal molecules are always kept in a vertically aligned state.
【００５８】図６は、液晶パネルを用いた電子機器の一
例であり、前記実施例の反射型液晶パネルをライトバル
ブとして用いたプロジェクタ（投射型表示装置）の要部
を平面的に見た概略構成図である。FIG. 6 is an example of an electronic apparatus using a liquid crystal panel, and is a schematic plan view of a main part of a projector (projection display device) using the reflective liquid crystal panel of the embodiment as a light valve. It is a block diagram.
【００５９】本例のプロジェクタは、システム光軸Ｌに
沿って配置した光源部４１０、インテグレータレンズ４
２０、偏光変換素子４３０から概略構成される偏光照明
装置、該偏光照明装置から出射されたＳ偏光光束をＳ偏
光光束反射面２０１により反射させる偏光ビームスプリ
ッタ２００、偏光ビームスプリッタ２００のＳ偏光反射
面２０１から反射された光のうち、青色光（Ｂ）の成分
を分離するダイクロイックミラー４１２、分離された青
色光（Ｂ）を青色光を変調する反射型液晶ライトバルブ
３００Ｂ、青色光が分離された後の光束のうち赤色光
（Ｒ）の成分を反射させて分離するダイクロイックミラ
ー４１３、分離された赤色光（Ｒ）を変調する反射型液
晶ライトバルブ３００Ｒ、ダイクロイックミラー４１３
を透過した残りの緑色光（Ｇ）を変調する反射型液晶ラ
イトバルブ３００Ｇ、３つの反射型液晶ライトバルブ３
００Ｒ、３００Ｇ、３００Ｂにて変調された光をダイク
ロイックミラー４１２，４１３，偏光ビームスプリッタ
２００にて合成し、この合成光をスクリーン６００に投
射する投射レンズからなる投射光学系５００から構成さ
れている。前記３つの反射型液晶ライトバルブ３００
Ｒ、３００Ｇ、３００Ｂには、それぞれ前述の液晶パネ
ルが用いられている。The projector of this embodiment has a light source section 410 and an integrator lens 4 arranged along the system optical axis L.
20, a polarization illuminating device schematically including a polarization conversion element 430, a polarizing beam splitter 200 for reflecting an S-polarized light beam emitted from the polarized light illuminating device by an S-polarized light beam reflecting surface 201, and an S-polarized light reflecting surface of the polarized beam splitter 200 Of the light reflected from 201, dichroic mirror 412 separating the blue light (B) component, reflective liquid crystal light valve 300B modulating the separated blue light (B) with blue light, and blue light separated. A dichroic mirror 413 that reflects and separates the red light (R) component of the subsequent light flux, a reflective liquid crystal light valve 300R that modulates the separated red light (R), and a dichroic mirror 413.
Reflective liquid crystal light valve 300G that modulates the remaining green light (G) transmitted through the three liquid crystal light valves 3
The light modulated by 00R, 300G, and 300B is combined by dichroic mirrors 412, 413, and polarizing beam splitter 200, and is configured by a projection optical system 500 including a projection lens that projects the combined light onto screen 600. The three reflective liquid crystal light valves 300
The above-described liquid crystal panels are used for R, 300G, and 300B, respectively.
【００６０】光源部４１０から出射されたランダムな偏
光光束は、インテグレータレンズ４２０により複数の中
間光束に分割された後、第２のインテグレータレンズを
光入射側に有する偏光変換素子４３０により偏光方向が
ほぼ揃った一種類の偏光光束（Ｓ偏光光束）に変換され
てから偏光ビームスプリッタ２００に至るようになって
いる。偏光変換素子４３０から出射されたＳ偏光光束
は、偏光ビームスプリッタ２００のＳ偏光光束反射面２
０１によって反射され、反射された光束のうち、青色光
（Ｂ）の光束がダイクロイックミラー４１２の青色光反
射層にて反射され、反射型液晶ライトバルブ３００Ｂに
よって変調される。また、ダイクロイックミラー４１１
の青色光反射層を透過した光束のうち、赤色光（Ｒ）の
光束はダイクロイックミラー４１３の赤色光反射層にて
反射され、反射型液晶ライトバルブ３００Ｒによって変
調される。The randomly polarized light beam emitted from the light source unit 410 is divided into a plurality of intermediate light beams by the integrator lens 420, and the polarization direction is substantially changed by the polarization conversion element 430 having the second integrator lens on the light incident side. After being converted into one kind of polarized light beam (S-polarized light beam), the light reaches the polarization beam splitter 200. The S-polarized light beam emitted from the polarization conversion element 430 is reflected by the S-polarized light beam reflection surface 2 of the polarizing beam splitter 200.
01, the blue light (B) of the reflected light is reflected by the blue light reflecting layer of the dichroic mirror 412 and modulated by the reflective liquid crystal light valve 300B. Also, dichroic mirror 411
Among the light beams transmitted through the blue light reflecting layer, the light beam of red light (R) is reflected by the red light reflecting layer of the dichroic mirror 413 and is modulated by the reflective liquid crystal light valve 300R.
【００６１】一方、ダイクロイックミラー４１３の赤色
光反射層を透過した緑色光（Ｇ）の光束は反射型液晶ラ
イトバルブ３００Ｇによって変調される。このようにし
て、それぞれの反射型液晶ライトバルブ３００Ｒ、３０
０Ｇ、３００Ｂによって変調されてダイクロイックミラ
ー４１２，４１３，偏光ビームスプリッタ２００にて合
成され、スクリーン６００に投射される。反射型液晶ラ
イトバルブ３００Ｒ、３００Ｇ、３００Ｂとなる反射型
液晶パネルは、ＴＮ型液晶（液晶分子の長軸が電圧無印
加時にパネル基板に略並行に配向された液晶）またはＳ
Ｈ型液晶（液晶分子の長軸が電圧無印加時にパネル基板
に略垂直に配向された液晶）を採用している。On the other hand, the light flux of the green light (G) transmitted through the red light reflecting layer of the dichroic mirror 413 is modulated by the reflection type liquid crystal light valve 300G. Thus, each of the reflective liquid crystal light valves 300R, 300R
The light is modulated by 0G and 300B, combined by the dichroic mirrors 412, 413, and the polarization beam splitter 200, and projected onto the screen 600. The reflection type liquid crystal panel which becomes the reflection type liquid crystal light valve 300R, 300G, 300B is a TN type liquid crystal (a liquid crystal in which the major axis of liquid crystal molecules is aligned substantially parallel to the panel substrate when no voltage is applied) or S
An H-type liquid crystal (a liquid crystal in which the major axis of liquid crystal molecules is aligned substantially perpendicular to the panel substrate when no voltage is applied) is employed.
【００６２】ＴＮ型液晶を採用した場合には、画素の反
射電極と、対向する基板の共通電極との間に挟持された
液晶層への印加電圧が液晶のしきい値電圧以下の画素
（ＯＦＦ画素）では、入射した色光は液晶層により楕円
偏光され、反射電極により反射され、液晶層を介して、
入射した色光の偏光軸とほぼ９０度ずれた偏光軸成分の
多い楕円偏光に近い状態の光として反射・出射される。
一方、液晶層に電圧印加された画素（ＯＮ画素）では、
入射した色光のまま反射電極に至り、反射されて、入射
時と同一の偏光軸のまま反射・出射される。反射電極に
印加された電圧に応じてＴＮ型液晶の液晶分子の配列角
度が変化するので、入射光に対する反射光の偏光軸の角
度は、画素のトランジスタを介して反射電極に印加する
電圧に応じて可変される。When the TN type liquid crystal is adopted, the voltage applied to the liquid crystal layer sandwiched between the reflective electrode of the pixel and the common electrode of the opposing substrate is lower than the threshold voltage of the liquid crystal (OFF). Pixel), the incident color light is elliptically polarized by the liquid crystal layer, is reflected by the reflective electrode, and passes through the liquid crystal layer.
The light is reflected and emitted as light in a state close to elliptically polarized light having a large polarization axis component substantially shifted by 90 degrees from the polarization axis of the incident color light.
On the other hand, in a pixel (ON pixel) applied with a voltage to the liquid crystal layer,
The incident color light reaches the reflective electrode as it is, is reflected, and is reflected and emitted with the same polarization axis as that at the time of incidence. Since the alignment angle of the liquid crystal molecules of the TN type liquid crystal changes according to the voltage applied to the reflective electrode, the angle of the polarization axis of the reflected light with respect to the incident light depends on the voltage applied to the reflective electrode via the transistor of the pixel. Variable.
【００６３】また、ＳＨ型液晶を採用した場合には、液
晶層の印加電圧が液晶のしきい値電圧以下の画素（ＯＦ
Ｆ画素）では、入射した色光のまま反射電極に至り、反
射されて、入射時と同一偏光軸のまま反射・出射され
る。一方、液晶層に電圧印加された画素（ＯＮ画素）で
は、入射した色光は液晶層にて楕円偏光され、反射電極
により反射され、液晶層を介して、入射光の偏光軸に対
して偏光軸がほぼ９０度ずれた偏光軸成分の多い楕円偏
光として反射・出射する。ＴＮ型液晶の場合と同様に、
反射電極に印加された電圧に応じてＴＮ型液晶の液晶分
子の配列角度が変化するので、入射光に対する反射光の
偏光軸の角度は、画素のトランジスタを介して反射電極
に印加する電圧に応じて可変される。When the SH type liquid crystal is adopted, the pixel (OF) whose applied voltage to the liquid crystal layer is lower than the threshold voltage of the liquid crystal is used.
F pixel), the incident color light reaches the reflective electrode as it is, is reflected, and is reflected and emitted with the same polarization axis as that at the time of incidence. On the other hand, in a pixel (ON pixel) to which a voltage is applied to the liquid crystal layer, the incident color light is elliptically polarized by the liquid crystal layer, reflected by the reflective electrode, and passes through the liquid crystal layer with respect to the polarization axis of the incident light. Is reflected and emitted as elliptically polarized light having a large polarization axis component shifted by about 90 degrees. As in the case of the TN type liquid crystal,
Since the alignment angle of the liquid crystal molecules of the TN type liquid crystal changes according to the voltage applied to the reflective electrode, the angle of the polarization axis of the reflected light with respect to the incident light depends on the voltage applied to the reflective electrode via the transistor of the pixel. Variable.
【００６４】これらの液晶パネルの画素から反射された
色光のうち、Ｓ偏光成分はＳ偏光を反射する偏光ビーム
スプリッタ２００を透過せず、一方、Ｐ偏光成分は透過
する。この偏光ビームスプリッタ２００を透過した光に
より画像が形成される。従って、投射される画像は、Ｔ
Ｎ型液晶を液晶パネルに用いた場合はＯＦＦ画素の反射
光が投射光学系５００に至りＯＮ画素の反射光はレンズ
に至らないのでノーマリーホワイト表示となり、ＳＨ液
晶を用いた場合はＯＦＦ画素の反射光は投射光学系に至
らずＯＮ画素の反射光が投射光学系５００に至るのでノ
ーマリーブラック表示となる。Of the color lights reflected from the pixels of the liquid crystal panel, the S-polarized light component does not pass through the polarization beam splitter 200 that reflects the S-polarized light, while the P-polarized light component does. An image is formed by the light transmitted through the polarizing beam splitter 200. Therefore, the projected image is T
When the N-type liquid crystal is used for the liquid crystal panel, the reflected light of the OFF pixel reaches the projection optical system 500 and the reflected light of the ON pixel does not reach the lens, so that a normally white display is obtained. The reflected light does not reach the projection optical system and the reflected light of the ON pixel reaches the projection optical system 500, so that normally black display is performed.
【００６５】反射型液晶パネルは、ガラス基板にＴＦＴ
アレーを形成したアクティブマトリクス型液晶パネルに
比べ、半導体技術を利用して画素が形成されるので画素
数をより多く形成でき、且つパネルサイズも小さくでき
るので、高精細な画像を投射できると共に、プロジェク
タを小型化できる。The reflection type liquid crystal panel has a TFT on a glass substrate.
Compared to an active matrix type liquid crystal panel having an array, the number of pixels can be formed more by using semiconductor technology, and the panel size can be made smaller, so that a high-definition image can be projected and a projector can be formed. Can be reduced in size.
【００６６】なお、ライトバルブとして使用される反射
型液晶装置は、使用中は光源からの光照射を受けて温度
が上昇するので、使用中の温度での相対的な反りの量を
考慮して予め基板に形成しておく湾曲の曲率を決定する
ようにしても良い。これにより、実使用状態での反射側
基板と入射側基板との間隔を一定にし、表示画質をさら
に向上させることができる。Since the temperature of the reflection type liquid crystal device used as a light valve rises due to light irradiation from the light source during use, the amount of relative warpage at the temperature during use is taken into consideration. The curvature of the curve formed on the substrate in advance may be determined. Thus, the distance between the reflection-side substrate and the incident-side substrate in the actual use state can be made constant, and the display image quality can be further improved.
【００６７】以上、一例として投射型表示装置のライト
バルブとして使用される反射型液晶装置を例にとって説
明したが、本発明は、熱膨張係数の異なる基板あるいは
同一材料でも厚みすなわち熱容量が異なる基板を使用す
る液晶装置一般、さらに液晶装置のみでなく２枚の基板
を接合し一方の側から紫外線を照射もしくは加熱してシ
ール材を硬化させて結合する場合に広く利用することが
できる。As described above, the reflection type liquid crystal device used as the light valve of the projection type display device has been described as an example. However, the present invention relates to a substrate having a different thermal expansion coefficient or a substrate having the same material but different thickness, that is, heat capacity. The present invention can be widely used not only for a liquid crystal device to be used, but also for a case where not only a liquid crystal device but also two substrates are joined together and ultraviolet rays are irradiated or heated from one side to cure and seal the sealing material.
【００６８】例えば直視型液晶表示装置では、入射側の
基板（実施例では上側基板）の上面（外面）に偏光板が
接合されるとともに、ＴＡＢ（Tape Automated Bondin
g：テープ自動化実装）方式にて駆動用ＩＣが実装され
た駆動回路基板が、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive F
ilm：異方性導電接着フィルム）を介して一方またはそ
れぞれの基板に接続される。また、ＣＯＧ（Chip On Gl
ass）方式により、駆動用ＩＣが各基板の端子電極上に
直接載置され実装される構造であってもよい。そして、
必要な電源回路や制御回路、光源などを含んで液晶表示
装置として構成される。直視型液晶表示装置では、下側
基板もガラス基板で構成されることが多い。ただし、上
側基板と下側基板が共にガラス基板である場合において
も、シール材部材硬化の際の両基板の熱膨張量が異なる
ことは充分にあり得るので本発明を適用することが有効
である。For example, in a direct-view type liquid crystal display device, a polarizing plate is bonded to the upper surface (outer surface) of a substrate on the incident side (upper substrate in the embodiment), and TAB (Tape Automated Bonding) is attached.
g: A drive circuit board on which the drive IC is mounted by the automated tape mounting (APC) method is an ACF (Anisotropic Conductive F
ilm: anisotropic conductive adhesive film) and connected to one or each substrate. COG (Chip On Gl
The driving IC may be directly mounted and mounted on the terminal electrode of each substrate by the ass) method. And
It is configured as a liquid crystal display device including necessary power supply circuits, control circuits, light sources, and the like. In a direct-view type liquid crystal display device, the lower substrate is often formed of a glass substrate. However, even when both the upper substrate and the lower substrate are glass substrates, it is sufficiently possible that the amounts of thermal expansion of the two substrates at the time of curing the sealing material member are sufficiently different, so that it is effective to apply the present invention. .
【００６９】[0069]
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、同一条
件下で加熱した場合に互いに熱膨張量の異なる２枚の基
板のうち一方の基板の周縁部にシール材を塗布し、他方
の基板を対向接近させて光もしくは熱線を照射して前記
シール材を硬化させて前記２枚の基板を適宜間隔を保っ
て接合させる液晶装置の製造方法において、前記接合さ
れる２枚の基板のうちいずれか一方の基板の液晶側の面
を、予め２枚の基板の相対的な反りの量に応じて湾曲さ
せておくようにしたので、接合される基板の間隔が基板
全体に亘って均一になるため、表示装置においては表示
画質が低下するのを防止することができるという効果が
ある。As described above, according to the present invention, when heated under the same condition, a sealing material is applied to the peripheral portion of one of two substrates having different thermal expansion amounts from each other, and the other is heated. In a method of manufacturing a liquid crystal device in which the substrates are opposed to each other and irradiated with light or heat rays to cure the sealing material and join the two substrates at appropriate intervals, the method includes the steps of: Since the liquid crystal side surface of one of the substrates is curved in advance in accordance with the relative amount of warpage of the two substrates, the distance between the substrates to be bonded is uniform over the entire substrate. Therefore, in the display device, there is an effect that the display image quality can be prevented from deteriorating.
【図１】図１は、本発明を反射型液晶装置に適用する場
合の態様を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment in which the present invention is applied to a reflection type liquid crystal device.
【図２】本発明の第１の実施形態における反射側基板の
反射電極の形状を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a shape of a reflection electrode of a reflection-side substrate according to the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第２の実施形態における入射側基板の
形状を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a shape of an incident-side substrate according to a second embodiment of the present invention.
【図４】本発明を適用して特に有効な反射型液晶パネル
の反射電極側基板の断面構成例を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a cross-sectional configuration example of a reflective electrode side substrate of a reflective liquid crystal panel which is particularly effective by applying the present invention.
【図５】図４の液晶パネル基板を適用した反射型液晶パ
ネルの構成例を示す断面図である。5 is a cross-sectional view showing a configuration example of a reflection type liquid crystal panel to which the liquid crystal panel substrate of FIG. 4 is applied.
【図６】実施例の反射型液晶パネルをライトバルブとし
て用いたプロジェクタ（投射型表示装置）の要部を平面
的に見た概略構成図である。FIG. 6 is a schematic configuration diagram of a main part of a projector (projection display device) using the reflection type liquid crystal panel of the embodiment as a light valve as viewed in plan.
【符号の説明】 １０ 液晶パネル １１ 入射側基板（ガラス基板） １２ 反射側基板（シリコン基板） １３ 反射電極 １４ シール材 １０１ 半導体基板 １０２ ウェル領域 １０３ フィールド酸化膜 １０４ ゲート線 １０４ａ ゲート電極 １０５ａ，１０５ｂ ソース・ドレイン領域 １０６ 第１層間絶縁膜 １０７ データ線 １０７ａ ソース電極 １０８ Ｐ型ドーピング領域 １０９ａ 保持容量の電極（導電層） １１１ 第２層間絶縁膜 １１２ 遮光膜 １１３ 第３層間絶縁膜 １１４ 画素電極（反射電極） １１５ 接続プラグ １１６ コンタクトホール １１７ パシベーション膜 １３１ 液晶パネル用基板 １３２ 支持基板 １３３ 共通電極 １３５ 入射側のガラス基板 １３６ シール材 １３７ 液晶 ２００ 偏光ビームスプリッタ ３００ ライトバルブ（反射型液晶パネル） ４１０ 光源部 ４１２，４１３ ダイクロイックミラー ５００ 投射光学系 ６００ スクリーンDESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Liquid crystal panel 11 Incident side substrate (glass substrate) 12 Reflective side substrate (silicon substrate) 13 Reflective electrode 14 Sealing material 101 Semiconductor substrate 102 Well region 103 Field oxide film 104 Gate line 104 a Gate electrode 105 a, 105 b Source Drain region 106 First interlayer insulating film 107 Data line 107a Source electrode 108 P-type doping region 109a Electrode of storage capacitor (conductive layer) 111 Second interlayer insulating film 112 Light shielding film 113 Third interlayer insulating film 114 Pixel electrode (reflective electrode) 115 connection plug 116 contact hole 117 passivation film 131 liquid crystal panel substrate 132 support substrate 133 common electrode 135 incident side glass substrate 136 sealing material 137 liquid crystal 200 polarization beam splitter 300 light valve ( Morphism liquid crystal panel) 410 light source 412 and 413 dichroic mirror 500 the projection optical system 600 screen
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H090 JA13 JA16 JA18 JB02 JB04 JC04 JC11 JD15 JD18 LA02 LA03 LA04 LA12 LA20 5C094 AA34 AA42 AA43 AA55 BA43 DA07 EB02 EC02 GB01 HA10 5G435 AA12 AA17 BB12 BB17 CC12 DD04 HH18 KK05 LL07 LL08 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page F-term (reference) 2H090 JA13 JA16 JA18 JB02 JB04 JC04 JC11 JD15 JD18 LA02 LA03 LA04 LA12 LA20 5C094 AA34 AA42 AA43 AA55 BA43 DA07 EB02 EC02 GB01 HA10 5G435 AA12 AA17 BB12 BB17 BB04
Claims (10)
量が異なる一対の基板間にシール部材によって封止され
た電気光学材料を有し、前記シール部材の内側領域には
前記基板の間隔を保持するためのスペーサ部材が存在し
ない電気光学装置であって、 少なくとも一方の前記基板の前記電気光学材料側の面が
その対向面にたいして湾曲していることを特徴とする電
気光学装置。An electro-optical material sealed by a seal member between a pair of substrates having different thermal expansion amounts when heated under the same condition, and an inner region of the seal member has a distance between the substrates. An electro-optical device having no spacer member for holding the substrate, wherein at least one of the substrates on the side of the electro-optical material is curved toward a facing surface thereof.
間隔が均一になるように、前記他方の基板の反りの量に
応じて設定されていることを特徴とする電気光学装置。2. The electro-optical device according to claim 1, wherein at least the other substrate is warped by a predetermined amount, and the degree of curvature of the surface on the electro-optical material side is uniform between the substrates. The electro-optical device is set according to the amount of warpage of the other substrate such that
とする電気光学装置。3. The electro-optical device according to claim 1, wherein the pair of substrates are made of different materials.
前記基板は互いにその厚みが異なることを特徴とする電
気光学装置。4. The electro-optical device according to claim 1, wherein the pair of substrates are made of the same material, and the substrates have different thicknesses.
記電極の表面が記湾曲状に形成されていることを特徴と
する電気光学装置。5. The electro-optical device according to claim 1, wherein a reflective electrode is formed on the one substrate, and a surface of the electrode is formed in a curved shape. Electro-optical device.
量が異なる一対の基板間に介在させたシール部材に光又
は熱を加えることによって前記シール部材を硬化させる
電気光学装置の製造方法であって、 少なくとも一方の前記基板の内面側を、その対向面に対
して湾曲形状にする工程を有することを特徴とする電気
光学装置の製造方法。6. A method of manufacturing an electro-optical device in which, when heated under the same conditions, light or heat is applied to a seal member interposed between a pair of substrates having different thermal expansion amounts to cure the seal member. A method of manufacturing an electro-optical device, comprising a step of forming an inner surface of at least one of the substrates into a curved shape with respect to an opposing surface thereof.
であって、 前記一方の基板の内面側に反射性電極を形成する工程を
更に備え、 前記反射性電極表面を湾曲形状とすることを特徴とする
電気光学装置の製造方法。7. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 6, further comprising a step of forming a reflective electrode on an inner surface side of said one substrate, wherein said reflective electrode surface has a curved shape. A method for manufacturing an electro-optical device, comprising:
であって、 前記基板の内面側であって前記電極の下となる位置に凹
凸を有する絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の表面
をＣＭＰ法によって研磨する工程を更に備えており、 前記絶縁膜上に前記反射性電極を形成することによっ
て、前記反射性電極の表面を湾曲状とすることを特徴と
する電気光学装置の製造方法。8. The method for manufacturing an electro-optical device according to claim 7, wherein: a step of forming an insulating film having irregularities at a position below the electrode on an inner surface side of the substrate; An electro-optical device further comprising a step of polishing a surface of the film by a CMP method, wherein the surface of the reflective electrode is curved by forming the reflective electrode on the insulating film. Manufacturing method.
であって、 前記一方の基板はガラス基板であり、前記一方の基板の
内面側を湾曲形状にする工程は、化学エッチングにより
行われることを特徴とする電気光学装置の製造方法。9. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 6, wherein the one substrate is a glass substrate, and the step of forming the inner surface of the one substrate into a curved shape is performed by chemical etching. A method for manufacturing an electro-optical device.
て変調し、その変調された光を拡大投射する投射型表示
装置であって、 前記電気光学装置は、同一条件下で加熱した場合に互い
に熱膨張量が異なる一対の基板間にシール部材によって
封止された電気光学材料を有し、前記シール部材の内側
領域には前記基板の間隔を保持するためのスペーサ部材
が存在せず、少なくとも一方の前記基板の前記電気光学
材料側の面がその対向面にたいして湾曲していることを
特徴とする投射型表示装置。10. A projection display device for modulating light from a lighting device with an electro-optical device and enlarging and projecting the modulated light, wherein the electro-optical devices are mutually heated when heated under the same conditions. An electro-optical material sealed by a seal member between a pair of substrates having different thermal expansion amounts, and a spacer member for maintaining a distance between the substrates does not exist in an inner region of the seal member, and at least one of the spacers does not exist. Wherein the surface of the substrate on the side of the electro-optical material is curved with respect to the opposing surface.
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