JP2016151735A - Lens array substrate, electro-optic device, electronic apparatus, and method for manufacturing lens array substrate - Google Patents

Lens array substrate, electro-optic device, electronic apparatus, and method for manufacturing lens array substrate Download PDF

Info

Publication number
JP2016151735A
JP2016151735A JP2015030391A JP2015030391A JP2016151735A JP 2016151735 A JP2016151735 A JP 2016151735A JP 2015030391 A JP2015030391 A JP 2015030391A JP 2015030391 A JP2015030391 A JP 2015030391A JP 2016151735 A JP2016151735 A JP 2016151735A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
light
lens
substrate
convex
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2015030391A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
康一郎 赤坂
Koichiro Akasaka
康一郎 赤坂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2015030391A priority Critical patent/JP2016151735A/en
Priority to US15/041,937 priority patent/US20160245961A1/en
Publication of JP2016151735A publication Critical patent/JP2016151735A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/01—Head-up displays
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00—Simple or compound lenses
    • G02B3/0006—Arrays
    • G02B3/0012—Arrays characterised by the manufacturing method
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00—Simple or compound lenses
    • G02B3/0006—Arrays
    • G02B3/0037—Arrays characterized by the distribution or form of lenses
    • G02B3/0056—Arrays characterized by the distribution or form of lenses arranged along two different directions in a plane, e.g. honeycomb arrangement of lenses
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00—Simple or compound lenses
    • G02B3/0006—Arrays
    • G02B3/0037—Arrays characterized by the distribution or form of lenses
    • G02B3/0062—Stacked lens arrays, i.e. refractive surfaces arranged in at least two planes, without structurally separate optical elements in-between
    • G02B3/0068—Stacked lens arrays, i.e. refractive surfaces arranged in at least two planes, without structurally separate optical elements in-between arranged in a single integral body or plate, e.g. laminates or hybrid structures with other optical elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133526—Lenses, e.g. microlenses or Fresnel lenses
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133388—Constructional arrangements; Manufacturing methods with constructional differences between the display region and the peripheral region
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a lens array substrate, an electro-optic device, an electronic apparatus, and a method for manufacturing a lens array, in which productivity can be improved while achieving improvement in use efficiency of light.SOLUTION: A microlens array substrate 10 includes: a substrate 11 having a plurality of recesses 12 in a display region E on a surface 11a thereof; a first lens layer 13 formed to cover the surface 11a and to fill the plurality of recesses 12; an intermediate layer 14 formed to cover the first lens layer 13; a light-shielding part 31 formed in a break line region BS on the intermediate layer 14; a second lens layer 15 that is formed to cover the intermediate layer 14 and the light-shielding part 31 and has a plurality of projections 16 disposed to overlap the respective recesses 12 in a plane view and a plurality of projections 17 disposed to overlap the light-shielding part 31 in a plane view; and an optical path length adjusting layer 32 formed to cover the second lens layer 15 and having a substantially flat surface. The plurality of projections 17 are formed in a single row to enclose the plurality of projections 16.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、レンズアレイ基板、電気光学装置、および電子機器、並びにレンズアレイ基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a lens array substrate, an electro-optical device, an electronic apparatus, and a method for manufacturing the lens array substrate.

素子基板と対向基板との間に、例えば、液晶などの電気光学物質を備えた電気光学装置が知られている。電気光学装置として、例えば、プロジェクターの液晶ライトバルブとして用いられる液晶装置を挙げることができる。液晶装置では、スイッチング素子や配線などが配置された領域に遮光部が設けられ、入射する光の一部は遮光部で遮光されて利用されない。そこで、一方の基板にレンズ（マイクロレンズ）を備え、液晶装置に入射する光のうち画素同士の境界に配置された遮光部で遮光されてしまう光を集光して画素の開口部内に入射させることにより、液晶装置における光の利用効率の向上を図る構成が知られている（例えば、特許文献１および特許文献２参照）。   There is known an electro-optical device including an electro-optical material such as liquid crystal between an element substrate and a counter substrate. Examples of the electro-optical device include a liquid crystal device used as a liquid crystal light valve of a projector. In the liquid crystal device, a light shielding portion is provided in a region where switching elements, wirings, and the like are arranged, and a part of incident light is shielded by the light shielding portion and is not used. In view of this, a lens (microlens) is provided on one of the substrates, and the light that is blocked by the light blocking portion disposed at the boundary between the pixels out of the light that enters the liquid crystal device is condensed and entered into the opening of the pixel. Thus, a configuration for improving the light use efficiency in the liquid crystal device is known (see, for example, Patent Document 1 and Patent Document 2).

特許文献１に記載の液晶装置では、表示領域の周囲の見切り領域（周辺見切り）に、クロム、ニッケル、アルミニウムなどの金属材料で遮光膜が形成されている。そして、表示領域には基板から外側に膨らむ凸状のマイクロレンズが配置され、見切り領域には遮光膜と平面視で重なるように基板から外側に膨らむ凸状のダミーマイクロレンズが配置されている。基板から外側に膨らむマイクロレンズは、感光性材料を感光させてパターニングし熱処理を施して形成したレンズ形状を、異方性エッチングにより基板に転写して形成される。この異方性エッチングの際、最外周部ではその内側よりも除去量が多くなりマイクロレンズの形状に差異が生じるため、マイクロレンズの特性にばらつきが生じてしまう。そこで、マイクロレンズの周囲に表示に寄与しないダミーマイクロレンズを配置することで、表示領域内でマイクロレンズの形状の差異が生じないようにしている。なお、ダミーマイクロレンズは、１水平走査方向の片側に複数形成され、その数は特に制限されていない。   In the liquid crystal device described in Patent Document 1, a light shielding film is formed of a metal material such as chromium, nickel, or aluminum in a parting area (peripheral parting) around the display area. A convex microlens bulging outward from the substrate is disposed in the display area, and a convex dummy microlens bulging outward from the substrate is disposed in the parting area so as to overlap the light shielding film in plan view. The microlens that bulges outward from the substrate is formed by transferring a lens shape formed by exposing a photosensitive material to patterning and applying heat treatment to the substrate by anisotropic etching. At the time of this anisotropic etching, the removal amount is larger at the outermost peripheral portion than at the inner side, and the shape of the microlens is different, resulting in variations in the characteristics of the microlens. Therefore, by arranging a dummy microlens that does not contribute to display around the microlens, a difference in the shape of the microlens does not occur in the display region. A plurality of dummy microlenses are formed on one side in one horizontal scanning direction, and the number thereof is not particularly limited.

特許文献２に記載の液晶装置では、基板の表示領域に凹部が形成され、見切り領域に溝部が形成されている。そして、樹脂や無機材料からなるレンズ層（充填層）で基板の凹部を充填することにより基板側に膨らむ凸状のマイクロレンズが形成され、レンズ層を覆うように、マイクロレンズの焦点距離を調整するための光路長調整層（カバー層）が樹脂や無機材料により形成される。見切り領域に溝部が形成されていない場合、見切り領域ではレンズ層が盛り上がるように形成されるため、表示領域と見切り領域とでレンズ層の表面に大きな段差が生じるので、レンズ層の表面を平坦化する研磨などの処理工数の増大を招いてしまう。そのため、見切り領域に溝部を形成することで、表示領域と見切り領域とでレンズ層の表面の段差を抑え、研磨などの平坦化処理の工数低減を図っている。   In the liquid crystal device described in Patent Document 2, a recess is formed in the display area of the substrate, and a groove is formed in the parting area. Then, by filling the concave portion of the substrate with a lens layer (filling layer) made of resin or inorganic material, a convex microlens that swells to the substrate side is formed, and the focal length of the microlens is adjusted so as to cover the lens layer An optical path length adjusting layer (cover layer) for this purpose is formed of a resin or an inorganic material. If no groove is formed in the parting area, the lens layer is formed so that it rises in the parting area, so a large step occurs on the surface of the lens layer between the display area and the parting area, so the surface of the lens layer is flattened. Increase the number of processing steps such as polishing. Therefore, by forming a groove in the parting area, a step on the surface of the lens layer is suppressed between the display area and the parting area, thereby reducing the number of steps of planarization processing such as polishing.

特開平１１−２０２３１４号公報JP-A-11-202314 特開２００９−２７１４６８号公報JP 2009-271468 A

ところで、特許文献１に記載の液晶装置では、感光性材料を感光させる際、見切り領域では金属材料で形成された遮光膜での反射光が加わることにより、感光性材料に照射される光の光量が表示領域よりも多くなる。そのため、見切り領域に形成されるダミーマイクロレンズの径は表示領域内のマイクロレンズの径よりも小さくなる。そうすると、凸状のマイクロレンズを覆うように光路長調整層を形成する場合、光路長調整層の表面には、表示領域のマイクロレンズと見切り領域の径が小さいダミーマイクロレンズとの異なる形状が反映される。そのため、光路長調整層の表面を平坦化する工程においては、このマイクロレンズとダミーマイクロレンズとの径の違いにより、研磨する際の光路長調整層の材料の単位体積当たりの密度が表示領域と見切り領域とで異なるため、平坦化処理の工数が増大する。しかしながら、特許文献１は、基板のマイクロレンズが形成された側にカバーガラスを接着剤で貼り合せる構造のため、マイクロレンズを覆うように光路長調整層を形成する場合の平坦化処理については考慮されていない。   By the way, in the liquid crystal device described in Patent Document 1, when the photosensitive material is exposed to light, reflected light from the light-shielding film formed of a metal material is added in the parting region, so that the amount of light irradiated to the photosensitive material. Becomes larger than the display area. For this reason, the diameter of the dummy microlens formed in the parting area is smaller than the diameter of the microlens in the display area. Then, when the optical path length adjustment layer is formed so as to cover the convex microlens, the surface of the optical path length adjustment layer reflects different shapes of the microlens in the display area and the dummy microlens having a small diameter in the parting area. Is done. Therefore, in the step of flattening the surface of the optical path length adjusting layer, the density per unit volume of the material of the optical path length adjusting layer during polishing is different from the display area due to the difference in diameter between the microlens and the dummy microlens. Since it differs depending on the parting area, the number of steps for the flattening process increases. However, since Patent Document 1 has a structure in which a cover glass is bonded to the side of the substrate on which the microlens is formed with an adhesive, the flattening process when the optical path length adjustment layer is formed so as to cover the microlens is considered. It has not been.

また、見切り領域において、ダミーマイクロレンズの周囲に、特許文献２に記載のような溝部をさらに形成することで、光路長調整層の表面に生じるダミーマイクロレンズが配置された領域とその外側の領域との大きな段差を抑えることが可能となる。しかしながら、その場合、マイクロレンズが配置された表示領域と、その周囲のダミーマイクロレンズが配置された領域と、さらにその周囲の溝部が形成された領域とで、光路長調整層の表面を平坦化する工程における光路長調整層の材料の単位体積当たりの密度が３段階で異なることとなる。そのため、溝部の深さや幅などの設定によっては、光路長調整層の表面を平坦化する研磨などの処理工数が増大し、生産性が低下してしまうおそれがある。   Further, in the parting area, by further forming a groove as described in Patent Document 2 around the dummy microlens, an area where the dummy microlens generated on the surface of the optical path length adjusting layer is disposed and an area outside the area It is possible to suppress a large level difference. However, in that case, the surface of the optical path length adjusting layer is flattened by the display area in which the microlens is arranged, the area in which the dummy microlens is arranged around the display area, and the area in which the surrounding groove is formed. In this step, the density per unit volume of the material of the optical path length adjusting layer is different in three stages. For this reason, depending on the settings such as the depth and width of the groove, the number of processing steps such as polishing for flattening the surface of the optical path length adjusting layer may increase, and the productivity may decrease.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

［適用例１］本適用例に係るレンズアレイ基板は、第１面の第１領域に複数の凹部を有する基板と、前記第１面を覆い前記複数の凹部を埋め込むように前記基板とは異なる光屈折率を有する材料で形成された第１レンズ層と、前記第１レンズ層を覆うように形成された第１透光層と、前記第１透光層上の前記第１領域を囲む第２領域に形成された遮光部と、前記第１透光層と前記遮光部とを覆うように形成され、前記第１領域に各々の前記凹部と平面的に重なるように配置された複数の第１凸部と、前記第２領域に前記遮光部と平面的に重なるように配置された複数の第２凸部と、を有する第２レンズ層と、前記第２レンズ層を覆うように前記第２レンズ層とは異なる光屈折率を有する材料で形成され、略平坦な表面を有する第２透光層と、を備え、前記複数の第２凸部は、前記複数の第１凸部を囲むように一列に配置されていることを特徴とする。   Application Example 1 A lens array substrate according to this application example is different from a substrate having a plurality of recesses in a first region of a first surface and a substrate covering the first surface and embedding the plurality of recesses. A first lens layer formed of a material having a refractive index; a first light-transmitting layer formed to cover the first lens layer; and a first region surrounding the first region on the first light-transmitting layer. A plurality of first light-shielding portions formed in two regions, the first light-transmitting layer, and the light-shielding portions so as to cover each of the concave portions. A second lens layer having one convex portion, and a plurality of second convex portions disposed on the second region so as to overlap the light shielding portion in a plan view, and the second lens layer so as to cover the second lens layer A second light-transmitting layer formed of a material having a refractive index different from that of the two lens layers and having a substantially flat surface; Wherein the plurality of second protrusions is characterized by being arranged in a row so as to surround the plurality of first protrusions.

本適用例の構成によれば、レンズアレイ基板は、第１領域に、基板の凹部を第１レンズ層で埋め込むことにより構成される基板側に膨らむレンズと、第２レンズ層の第１凸部を第２透光層で覆うことにより構成される基板とは反対側に膨らむレンズと、の２段のレンズアレイを有する。そして、レンズアレイ基板は、第２領域に、第２レンズ層の第１凸部の周囲に配置された第２凸部を第２透光層で覆うことにより構成され、遮光部と平面的に重なるダミーレンズを有している。したがって、感光性材料を感光させてパターニングし熱処理を施して形成したレンズ形状を異方性エッチングにより第２レンズ層に転写して第１凸部を形成する際、第１凸部の周囲に第２凸部を形成するので、第２凸部を形成しない場合と比べて、第１領域に配置される第１凸部の形状の差異を小さくしてレンズの特性を均一にできる。   According to the configuration of this application example, the lens array substrate includes, in the first region, a lens that swells toward the substrate configured by embedding the concave portion of the substrate with the first lens layer, and the first convex portion of the second lens layer. And a lens that swells on the opposite side of the substrate formed by covering the substrate with a second light-transmitting layer, and a two-stage lens array. The lens array substrate is configured by covering, in the second region, the second convex portion disposed around the first convex portion of the second lens layer with the second light-transmitting layer, and planarly with the light shielding portion. It has an overlapping dummy lens. Accordingly, when forming the first convex portion by transferring the lens shape formed by exposing the photosensitive material to patterning and applying heat treatment to the second lens layer by anisotropic etching, the first convex portion is formed around the first convex portion. Since the two convex portions are formed, the characteristic of the lens can be made uniform by reducing the difference in the shape of the first convex portions arranged in the first region as compared with the case where the second convex portions are not formed.

このようなレンズアレイ基板において、感光性材料を感光させてレンズ形状を形成する際、遮光部と平面的に重なる第２凸部の径は、遮光部での反射光が加わることにより第１凸部の径よりも小さくなる。そのため、第１凸部の形状と第２凸部の形状とが反映される第２透光層の表面を平坦化する際、第１凸部と第２凸部とが隣り合う部分では、第２透光層の材料の単位体積当たりの密度に差が生じる。ここで、本適用例では第１凸部の周囲に配置される第２凸部が一列であるので、第２凸部が複数列配置される場合と比べて、第１凸部が配置された第１領域と第２凸部が配置された第２領域とにおける第２透光層の材料の単位体積当たりの密度の差を小さくできる。これにより、レンズアレイ基板の表層となる第２透光層の表面の平坦性を向上できる。また、レンズアレイ基板を製造する工程における第２透光層の平坦化処理の工数を低減できるので、レンズアレイ基板の生産性を向上させることができる。   In such a lens array substrate, when the photosensitive material is exposed to form a lens shape, the diameter of the second convex portion that overlaps the light shielding portion in plan view is such that the reflected light from the light shielding portion is added to the first convexity. It becomes smaller than the diameter of the part. Therefore, when flattening the surface of the second light transmissive layer reflecting the shape of the first convex portion and the shape of the second convex portion, the first convex portion and the second convex portion are adjacent to each other in the first portion. A difference occurs in the density per unit volume of the material of the two light-transmitting layers. Here, in this application example, since the second convex portions arranged around the first convex portion are in one row, the first convex portions are arranged as compared to the case where the second convex portions are arranged in a plurality of rows. A difference in density per unit volume of the material of the second light-transmitting layer between the first region and the second region where the second protrusions are disposed can be reduced. Thereby, the flatness of the surface of the 2nd translucent layer used as the surface layer of a lens array board | substrate can be improved. Moreover, since the man-hour of the planarization process of the 2nd translucent layer in the process of manufacturing a lens array board | substrate can be reduced, the productivity of a lens array board | substrate can be improved.

［適用例２］上記適用例に係るレンズアレイ基板であって、前記第２レンズ層は、前記第２領域に前記遮光部と平面的に重なるように設けられ、前記複数の第２凸部を囲むように配置された第３凸部を有していることが好ましい。   Application Example 2 In the lens array substrate according to the application example, the second lens layer is provided on the second region so as to overlap the light shielding portion in a planar manner, and the plurality of second convex portions are provided. It is preferable to have the 3rd convex part arrange | positioned so that it may surround.

本適用例の構成によれば、第２レンズ層の第２凸部の周囲に第３凸部が配置されているので、第２凸部が配置された領域とさらにその周囲の第３凸部が配置された領域とにおける第２透光層の材料の単位体積当たりの密度の差を小さくできる。これにより、レンズアレイ基板の表面の平坦性をより向上できる。また、レンズアレイ基板を製造する工程における第２透光層の平坦化処理の工数をより低減できる。   According to the configuration of this application example, since the third convex portion is arranged around the second convex portion of the second lens layer, the region where the second convex portion is arranged and the third convex portion around the region. The difference in density per unit volume of the material of the second light-transmitting layer in the region where is disposed can be reduced. Thereby, the flatness of the surface of the lens array substrate can be further improved. Moreover, the man-hour of the planarization process of the 2nd translucent layer in the process of manufacturing a lens array board | substrate can be reduced more.

［適用例３］上記適用例に係るレンズアレイ基板であって、前記第３凸部は、枠状に設けられていることが好ましい。   Application Example 3 In the lens array substrate according to the application example described above, it is preferable that the third convex portion is provided in a frame shape.

本適用例の構成によれば、第１領域の周囲に一列に配置された第２凸部の周囲に第３凸部が枠状に設けられているので、枠状の各辺の位置において、一列に並ぶ第２凸部と連続する第３凸部が対向するように配置される。そのため、枠状の各辺の位置において、第２凸部が配置された領域と第３凸部が配置された領域とにおける第２透光層の材料の単位体積当たりの密度の差を小さくできる。   According to the configuration of this application example, since the third convex portion is provided in a frame shape around the second convex portion arranged in a line around the first region, at the position of each side of the frame shape, It arrange | positions so that the 3rd convex part which follows the 2nd convex part arranged in a line may oppose. Therefore, at the position of each side of the frame shape, the difference in density per unit volume of the material of the second light transmissive layer in the region where the second convex portion is arranged and the region where the third convex portion is arranged can be reduced. .

［適用例４］上記適用例に係るレンズアレイ基板であって、前記凹部と前記第１凸部と前記第２凸部とは、第１方向と前記第１方向と交差する第２方向とに沿って、略同一の配置ピッチで配置されており、前記第３凸部の前記第１方向に沿った部分の幅と前記第２方向に沿った部分の幅とは、前記配置ピッチの１／２以下であることが好ましい。   Application Example 4 In the lens array substrate according to the application example described above, the concave portion, the first convex portion, and the second convex portion are arranged in a first direction and a second direction that intersects the first direction. The width of the portion along the first direction and the width of the portion along the second direction of the third convex portion are 1 / of the arrangement pitch. It is preferable that it is 2 or less.

本適用例の構成によれば、第２凸部は第１方向と第２方向とに沿って略同一の配置ピッチで配置され、その周囲に枠状に配置された第３凸部の第１方向に沿った幅と第２方向に沿った幅とは、第２凸部の配置ピッチの１／２以下である。したがって、第３凸部の枠状の各辺の位置において、略同一の配置ピッチで一列に並ぶ第２凸部と、配置ピッチの１／２以下の幅で連続する第３凸部とが対向するように配置されるので、第２凸部が配置された領域と第３凸部が配置された領域とにおける第２透光層の材料の単位体積当たりの密度の差をより小さくすることができる。   According to the configuration of this application example, the second protrusions are arranged at substantially the same arrangement pitch along the first direction and the second direction, and the first of the third protrusions arranged in a frame shape around the second protrusions. The width along the direction and the width along the second direction are ½ or less of the arrangement pitch of the second protrusions. Therefore, at the position of each side of the frame shape of the third convex portion, the second convex portion arranged in a line at substantially the same arrangement pitch and the third convex portion continuous with a width of 1/2 or less of the arrangement pitch face each other. Therefore, the difference in density per unit volume of the material of the second translucent layer in the region where the second convex portion is arranged and the region where the third convex portion is arranged can be further reduced. it can.

［適用例５］上記適用例に係るレンズアレイ基板であって、前記第２凸部の径は、前記第１凸部の径よりも小さくてもよい。   Application Example 5 In the lens array substrate according to the application example described above, the diameter of the second convex portion may be smaller than the diameter of the first convex portion.

本適用例の構成によれば、第２凸部を第２透光層で覆うことにより構成されるダミーレンズは、遮光部と平面的に重なるように配置されているので、レンズアレイ基板に入射する光はダミーレンズを透過しない。したがって、第１凸部の径に対して第２凸部の径が小さいことにより、第１領域に配置されたレンズに対してダミーレンズの特性が異なっても、レンズアレイ基板を透過する光に影響を与えることはない。   According to the configuration of this application example, the dummy lens formed by covering the second convex portion with the second light-transmitting layer is disposed so as to overlap the light shielding portion in a plane, and thus enters the lens array substrate. The transmitted light does not pass through the dummy lens. Accordingly, since the diameter of the second convex portion is smaller than the diameter of the first convex portion, the light transmitted through the lens array substrate is transmitted even if the characteristics of the dummy lens differ from the lens arranged in the first region. There is no impact.

［適用例６］本適用例に係る電気光学装置は、画素毎に設けられた複数のスイッチング素子を有する第１基板と、請求項１から５のいずれか一項に記載のレンズアレイ基板を含み、前記第１基板と対向するように配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置された電気光学層と、を備え、前記凹部と前記第１凸部とは、前記画素の領域と平面的に重なるように配置されていることを特徴とする。   Application Example 6 An electro-optical device according to this application example includes the first substrate having a plurality of switching elements provided for each pixel and the lens array substrate according to any one of claims 1 to 5. A second substrate disposed to face the first substrate, and an electro-optic layer disposed between the first substrate and the second substrate, wherein the recess and the first protrusion Is arranged so as to overlap the pixel region in a planar manner.

本適用例の構成によれば、電気光学装置は、スイッチング素子を有する第１基板と、第１基板と対向するように配置された第２基板と、両者の間に配置された電気光学層とを備えている。第２基板は上記適用例のレンズアレイ基板を含むので、第２基板の表面の平坦性が向上するとともに、第２レンズ層の第１凸部で構成され均一な特性を有するレンズが画素の領域と平面的に重なるように配置される。これにより、明るい表示と優れた表示品質とを得ることができる電気光学装置を提供できる。   According to the configuration of this application example, the electro-optical device includes a first substrate having a switching element, a second substrate disposed so as to face the first substrate, and an electro-optical layer disposed between the two substrates. It has. Since the second substrate includes the lens array substrate of the above application example, the flatness of the surface of the second substrate is improved, and a lens having uniform characteristics formed by the first convex portion of the second lens layer is a pixel region. And are arranged so as to overlap with each other. Accordingly, an electro-optical device that can obtain bright display and excellent display quality can be provided.

［適用例７］本適用例に係る電子機器は、上記適用例の電気光学装置を備えていることを特徴とする。   Application Example 7 An electronic apparatus according to this application example includes the electro-optical device according to the application example described above.

本適用例の構成によれば、明るい表示と優れた表示品質とを有する電子機器を提供することができる。   According to the configuration of this application example, it is possible to provide an electronic device having a bright display and an excellent display quality.

［適用例８］本適用例に係るレンズアレイ基板の製造方法は、基板の第１面の第１領域に複数の凹部を形成する工程と、前記基板上に、前記基板とは異なる光屈折率を有する材料で前記第１面を覆い前記複数の凹部を埋め込むように第１レンズ層を形成する工程と、前記第１レンズ層を覆うように第１透光層を形成する工程と、前記第１透光層上の前記第１領域を囲む第２領域に遮光部を形成する工程と、前記第１透光層と前記遮光部とを覆うように第２レンズ層を形成する工程と、前記第２レンズ層を覆うように感光性材料層を形成する工程と、前記感光性材料層を感光させて分断し、前記第１領域に各々の前記凹部と平面的に重なるように配置された複数の第１島状部と、前記第２領域に前記遮光部と平面的に重なるとともに前記複数の第１島状部を囲むように一列に配置された複数の第２島状部と、前記複数の第２島状部を囲むように枠状に配置された枠状部と、を形成するパターニング工程と、前記複数の第１島状部と前記複数の第２島状部と前記枠状部とを加熱する熱処理工程と、前記複数の第１島状部と前記複数の第２島状部と前記枠状部と前記第２レンズ層とに異方性エッチングを施して、前記第２レンズ層の表面に、前記複数の第１島状部の形状が反映された複数の第１凸部と、前記複数の第２島状部の形状が反映された複数の第２凸部と、前記枠状部の形状が反映された第３凸部と、を形成するエッチング工程と、前記第３凸部の周縁部を前記第２レンズ層の表面側から所定の厚さ分だけ除去する工程と、前記第２レンズ層とは異なる光屈折率を有する材料で前記第２レンズ層を覆うように第２透光層を形成する工程と、前記第２透光層の表面を研磨して平坦化する平坦化処理工程と、を含むことを特徴とする。   Application Example 8 A method for manufacturing a lens array substrate according to this application example includes a step of forming a plurality of recesses in the first region of the first surface of the substrate, and an optical refractive index different from that of the substrate on the substrate. Forming a first lens layer so as to cover the first surface and embedding the plurality of recesses, and forming a first light-transmitting layer so as to cover the first lens layer; Forming a light-shielding portion in a second region surrounding the first region on one light-transmitting layer; forming a second lens layer so as to cover the first light-transmitting layer and the light-shielding portion; A step of forming a photosensitive material layer so as to cover the second lens layer; and a plurality of the photosensitive material layers arranged so as to be planarly overlapped with the respective concave portions by exposing and separating the photosensitive material layer The first island-shaped portion and the second region overlap with the light-shielding portion in a plan view, and A patterning step of forming a plurality of second island-shaped portions arranged in a row so as to surround one island-shaped portion and a frame-shaped portion arranged in a frame shape so as to surround the plurality of second island-shaped portions. A heat treatment step of heating the plurality of first island-shaped portions, the plurality of second island-shaped portions, and the frame-shaped portion, the plurality of first island-shaped portions, and the plurality of second island-shaped portions, A plurality of first convex portions in which the frame-shaped portion and the second lens layer are subjected to anisotropic etching, and the surface of the second lens layer reflects the shapes of the plurality of first island-shaped portions; An etching process for forming a plurality of second convex portions reflecting the shapes of the plurality of second island-shaped portions and a third convex portion reflecting the shapes of the frame-shaped portions; Removing a peripheral portion of the portion by a predetermined thickness from the surface side of the second lens layer, and a material having a different refractive index from that of the second lens layer. Forming a second transparent layer so as to cover the second lens layer, characterized in that it comprises a and a planarizing step of planarizing by polishing the surface of the second transparent layer.

本適用例の製造方法によれば、パターニング工程で感光性材料層を分断して第１島状部と第２島状部とを形成し、熱処理工程で第１島状部と第２島状部とをレンズ状の形状にして、エッチング工程でレンズ状の第１島状部の形状とレンズ状の第２島状部の形状とを第２レンズ層に転写する。エッチング工程において、最外周部ではその内側よりも除去量が多くなるが、第１島状部の周囲に第２島状部が配置されているので、第２島状部がない場合と比べて、第１島状部の形状が反映された第１凸部の形状の差異を小さくできる。これにより、第１領域に配置され、第１島状部の形状が反映された第２レンズ層の第１凸部と第２透光層とで構成されるレンズの特性を均一にできる。   According to the manufacturing method of this application example, the photosensitive material layer is divided in the patterning step to form the first island portion and the second island portion, and the first island portion and the second island shape are formed in the heat treatment step. The shape of the first island-like portion in the shape of a lens and the shape of the second island-like shape in the shape of a lens are transferred to the second lens layer in the etching process. In the etching process, the removal amount is larger at the outermost peripheral portion than the inside thereof, but since the second island-shaped portion is arranged around the first island-shaped portion, compared with the case where there is no second island-shaped portion. The difference in the shape of the first convex portion reflecting the shape of the first island-like portion can be reduced. Thereby, the characteristic of the lens comprised by the 1st convex part of the 2nd lens layer and the 2nd translucent layer which were arrange | positioned in a 1st area | region and the shape of the 1st island-shaped part was reflected can be made uniform.

また、パターニング工程で遮光部と平面的に重なるように配置される第２島状部の径が遮光部での反射光が加わることにより第１島状部の径よりも小さくなるため、エッチング工程で第２島状部の形状を反映して形成される第２凸部の径は、第１島状部の形状を反映して形成される第１凸部の径よりも小さくなる。そのため、平坦化処理工程で第１凸部の形状と第２凸部の形状とが反映された第２透光層の表面を平坦化する際、第１凸部と第２凸部とが隣り合う部分では、第２透光層の材料の単位体積当たりの密度に差が生じる。また、第２凸部の周囲に第３凸部が配置されているため、第２透光層の表面を平坦化する際、第２凸部と第３凸部とが隣り合う部分でも、第２透光層の材料の単位体積当たりの密度に差が生じる。ここで、本適用例では第１凸部の周囲に配置される第２凸部が一列であるので、第２凸部が複数列配置される場合と比べて、第１凸部が配置された第１領域と第２凸部が配置された領域とにおける第２透光層の材料の単位体積当たりの密度の差を小さくできる。また、第３凸部の周縁部が第２レンズ層の表面側から所定の厚さ分だけ除去されているので、第２凸部が配置された領域と第３凸部が配置された領域とにおける第２透光層の材料の単位体積当たりの密度の差を小さくできる。これにより、平坦化処理工程における研磨量が少なくなり処理工数を低減できるので、レンズアレイ基板の生産性を向上させることができる。また、レンズアレイ基板（第２透光層）の表面の平坦性を向上できる。   In addition, since the diameter of the second island-shaped portion disposed so as to overlap the light-shielding portion in the patterning process is smaller than the diameter of the first island-shaped portion due to the addition of reflected light from the light-shielding portion, the etching step Thus, the diameter of the second convex portion formed reflecting the shape of the second island-shaped portion is smaller than the diameter of the first convex portion formed reflecting the shape of the first island-shaped portion. Therefore, when flattening the surface of the second light-transmissive layer in which the shape of the first convex portion and the shape of the second convex portion are reflected in the flattening process, the first convex portion and the second convex portion are adjacent to each other. In the matching portion, a difference occurs in the density per unit volume of the material of the second light transmissive layer. Moreover, since the 3rd convex part is arrange | positioned around the 2nd convex part, even when the 2nd convex part and the 3rd convex part adjoin the part where the 2nd convex part is planarized when planarizing the surface of a 2nd translucent layer. A difference occurs in the density per unit volume of the material of the two light-transmitting layers. Here, in this application example, since the second convex portions arranged around the first convex portion are in one row, the first convex portions are arranged as compared to the case where the second convex portions are arranged in a plurality of rows. A difference in density per unit volume of the material of the second light transmissive layer between the first region and the region where the second protrusions are disposed can be reduced. In addition, since the peripheral portion of the third convex portion is removed by a predetermined thickness from the surface side of the second lens layer, the region where the second convex portion is arranged and the region where the third convex portion is arranged The difference in density per unit volume of the material of the second light transmissive layer can be reduced. As a result, the amount of polishing in the planarization process is reduced, and the number of processing steps can be reduced, so that the productivity of the lens array substrate can be improved. In addition, the flatness of the surface of the lens array substrate (second translucent layer) can be improved.

本実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略平面図。FIG. 2 is a schematic plan view showing the configuration of the liquid crystal device according to the embodiment. 本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram illustrating an electrical configuration of the liquid crystal device according to the embodiment. 本実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略断面図。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration of a liquid crystal device according to the present embodiment. 本実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の構成を示す概略図。Schematic which shows the structure of the micro lens array board | substrate which concerns on this embodiment. 本実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す概略図。Schematic which shows the manufacturing method of the micro lens array board | substrate which concerns on this embodiment. 本実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す概略図。Schematic which shows the manufacturing method of the micro lens array board | substrate which concerns on this embodiment. 本実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す概略図。Schematic which shows the manufacturing method of the micro lens array board | substrate which concerns on this embodiment. 本実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す概略図。Schematic which shows the manufacturing method of the micro lens array board | substrate which concerns on this embodiment. 本実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す概略図。Schematic which shows the manufacturing method of the micro lens array board | substrate which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る電子機器としてのプロジェクターの構成を示す概略図。Schematic which shows the structure of the projector as an electronic device which concerns on this embodiment.

以下、本発明を具体化した実施形態について図面を参照して説明する。使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大、縮小、あるいは誇張して表示している。また、説明に必要な構成要素以外は図示を省略する場合がある。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings. The drawings to be used are appropriately enlarged, reduced or exaggerated so that the part to be described can be recognized. In addition, illustrations of components other than those necessary for the description may be omitted.

なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。   In the following embodiments, for example, when “on the substrate” is described, the substrate is disposed so as to be in contact with the substrate, or is disposed on the substrate via another component, or the substrate. It is assumed that a part is arranged so as to be in contact with each other and a part is arranged via another component.

＜電気光学装置＞
本実施形態では、電気光学装置として、薄膜トランジスター（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、後述する投写型表示装置（プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。 <Electro-optical device>
In the present embodiment, an active matrix liquid crystal device including a thin film transistor (TFT) as a pixel switching element will be described as an example of an electro-optical device. This liquid crystal device can be suitably used, for example, as a light modulation element (liquid crystal light valve) of a projection display device (projector) described later.

まず、本実施形態に係る電気光学装置としての液晶装置について、図１、図２、および図３を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略平面図である。図２は、本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。図３は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略断面図である。詳しくは、図３は、図１のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図である。   First, a liquid crystal device as an electro-optical device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1, 2, and 3. FIG. 1 is a schematic plan view showing the configuration of the liquid crystal device according to the present embodiment. FIG. 2 is an equivalent circuit diagram showing an electrical configuration of the liquid crystal device according to the present embodiment. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the liquid crystal device according to the present embodiment. Specifically, FIG. 3 is a schematic cross-sectional view taken along the line A-A ′ of FIG. 1.

図１および図３に示すように、本実施形態に係る液晶装置１は、第１基板としての素子基板２０と、素子基板２０に対向配置された第２基板としての対向基板３０と、シール材４２と、電気光学層としての液晶層４０とを備えている。図１に示すように、素子基板２０は対向基板３０よりも大きく、両基板は、対向基板３０の縁部に沿って枠状に配置されたシール材４２を介して接合されている。   As shown in FIGS. 1 and 3, the liquid crystal device 1 according to the present embodiment includes an element substrate 20 as a first substrate, a counter substrate 30 as a second substrate disposed opposite to the element substrate 20, and a sealing material. 42 and a liquid crystal layer 40 as an electro-optical layer. As shown in FIG. 1, the element substrate 20 is larger than the counter substrate 30, and both the substrates are joined together via a sealing material 42 arranged in a frame shape along the edge of the counter substrate 30.

液晶層４０は、素子基板２０と対向基板３０とシール材４２とによって囲まれた空間に封入された、正または負の誘電異方性を有する液晶で構成されている。シール材４２は、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤からなる。シール材４２には、素子基板２０と対向基板３０との間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。   The liquid crystal layer 40 is composed of liquid crystal having positive or negative dielectric anisotropy enclosed in a space surrounded by the element substrate 20, the counter substrate 30, and the sealing material 42. The sealing material 42 is made of an adhesive such as a thermosetting or ultraviolet curable epoxy resin. Spacers (not shown) are mixed in the sealing material 42 to keep the distance between the element substrate 20 and the counter substrate 30 constant.

枠状に配置されたシール材４２の内側には、素子基板２０に設けられた遮光部２２，２６と、対向基板３０に設けられた遮光部３１とが配置されている。遮光部３１は枠状であり、遮光部２２，２６は遮光部３１と平面視で重なる枠状の周縁部を有している。枠状の遮光部３１および遮光部２２，２６の枠状の部分の内側は、複数の画素Ｐが配列された第１領域としての表示領域Ｅとなっている。画素Ｐは、略多角形の平面形状を有している。画素Ｐは、例えば、略矩形状を有し、マトリックス状に配列されている。   Inside the sealing material 42 arranged in a frame shape, the light shielding portions 22 and 26 provided on the element substrate 20 and the light shielding portion 31 provided on the counter substrate 30 are arranged. The light shielding portion 31 has a frame shape, and the light shielding portions 22 and 26 have a frame-shaped peripheral portion overlapping the light shielding portion 31 in plan view. Inside the frame-shaped light shielding portion 31 and the frame-shaped portions of the light shielding portions 22 and 26 is a display region E as a first region in which a plurality of pixels P are arranged. The pixel P has a substantially polygonal planar shape. The pixels P have, for example, a substantially rectangular shape and are arranged in a matrix.

表示領域Ｅは、液晶装置１において、実質的に表示に寄与する領域である。素子基板２０に設けられた遮光部２２，２６は、表示領域Ｅにおいて、複数の画素Ｐの開口領域を平面的に区画するように、例えば格子状に設けられている。表示領域Ｅの周囲は、枠状に設けられた遮光部３１および遮光部２２，２６の枠状の部分と平面視で重なり、実質的に表示に寄与しない第２領域としての見切り領域ＢＳとなっている（図３参照）。   The display area E is an area that substantially contributes to display in the liquid crystal device 1. The light shielding portions 22 and 26 provided on the element substrate 20 are provided, for example, in a lattice shape in the display region E so as to partition the opening regions of the plurality of pixels P in a plane. The periphery of the display area E is a parting area BS as a second area that overlaps the frame-shaped portions of the light-shielding portion 31 and the light-shielding portions 22 and 26 provided in a frame shape in plan view and does not substantially contribute to display. (See FIG. 3).

素子基板２０の第１辺に沿って形成されたシール材４２の表示領域Ｅと反対側には、第１辺に沿ってデータ線駆動回路５１および複数の外部接続端子５４が設けられている。また、その第１辺に対向する他の第２辺に沿ったシール材４２の表示領域Ｅ側には、検査回路５３が設けられている。さらに、これらの２辺と直交し互いに対向する他の２辺に沿ったシール材４２の内側には、走査線駆動回路５２が設けられている。   A data line driving circuit 51 and a plurality of external connection terminals 54 are provided along the first side on the side opposite to the display region E of the sealing material 42 formed along the first side of the element substrate 20. An inspection circuit 53 is provided on the display region E side of the sealing material 42 along the other second side facing the first side. Further, a scanning line driving circuit 52 is provided inside the sealing material 42 along the other two sides that are orthogonal to these two sides and face each other.

検査回路５３が設けられた第２辺のシール材４２の表示領域Ｅ側には、２つの走査線駆動回路５２を繋ぐ複数の配線５５が設けられている。これらデータ線駆動回路５１、走査線駆動回路５２に繋がる配線は、複数の外部接続端子５４に接続されている。また、対向基板３０の角部には、素子基板２０と対向基板３０との間で電気的導通をとるための上下導通部５６が設けられている。なお、検査回路５３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路５１と表示領域Ｅとの間のシール材４２の内側に沿った位置に設けてもよい。   On the display area E side of the sealing material 42 on the second side where the inspection circuit 53 is provided, a plurality of wirings 55 that connect the two scanning line driving circuits 52 are provided. Wirings connected to the data line driving circuit 51 and the scanning line driving circuit 52 are connected to a plurality of external connection terminals 54. In addition, a vertical conduction portion 56 is provided at a corner portion of the counter substrate 30 to establish electrical continuity between the element substrate 20 and the counter substrate 30. The arrangement of the inspection circuit 53 is not limited to this, and the inspection circuit 53 may be provided at a position along the inner side of the seal material 42 between the data line driving circuit 51 and the display area E.

以下の説明では、データ線駆動回路５１が設けられた第１辺に沿った方向を第１方向としてのＸ方向とし、この第１辺と直交し互いに対向する他の２辺に沿った方向を第２方向としてのＹ方向とする。Ｘ方向は、図１のＡ−Ａ’線に沿った方向である。遮光部２２，２６は、Ｘ方向とＹ方向とに沿った格子状に設けられている。画素Ｐの開口領域は、遮光部２２，２６によって格子状に区画され、Ｘ方向とＹ方向とに沿ったマトリックス状に配列されている。   In the following description, the direction along the first side in which the data line driving circuit 51 is provided is defined as the X direction as the first direction, and the direction along the other two sides that are orthogonal to the first side and face each other. The Y direction is the second direction. The X direction is a direction along the line A-A ′ in FIG. 1. The light shielding portions 22 and 26 are provided in a lattice shape along the X direction and the Y direction. The opening areas of the pixels P are partitioned in a lattice shape by the light shielding portions 22 and 26, and are arranged in a matrix shape along the X direction and the Y direction.

また、Ｘ方向およびＹ方向と直交し図１における上方に向かう方向をＺ方向とする。なお、本明細書では、液晶装置１の対向基板３０側表面の法線方向（Ｚ方向）から見ることを「平面視」という。   Further, a direction perpendicular to the X direction and the Y direction and directed upward in FIG. In this specification, viewing from the normal direction (Z direction) of the surface of the liquid crystal device 1 on the counter substrate 30 side is referred to as “plan view”.

図２に示すように、表示領域Ｅには、走査線２とデータ線３とが互いに交差するように形成され、走査線２とデータ線３との交差に対応して画素Ｐが設けられている。画素Ｐのそれぞれには、画素電極２８と、スイッチング素子としてのＴＦＴ２４とが設けられている。   As shown in FIG. 2, in the display area E, the scanning lines 2 and the data lines 3 are formed so as to intersect with each other, and pixels P are provided corresponding to the intersections of the scanning lines 2 and the data lines 3. Yes. Each pixel P is provided with a pixel electrode 28 and a TFT 24 as a switching element.

ＴＦＴ２４のソース電極（図示しない）は、データ線駆動回路５１から延在するデータ線３に電気的に接続されている。データ線３には、データ線駆動回路５１（図１参照）から画像信号（データ信号）Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが線順次で供給される。ＴＦＴ２４のゲート電極（図示しない）は、走査線駆動回路５２から延在する走査線２の一部である。走査線２には、走査線駆動回路５２から走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍが線順次で供給される。ＴＦＴ２４のドレイン電極（図示しない）は、画素電極２８に電気的に接続されている。   A source electrode (not shown) of the TFT 24 is electrically connected to the data line 3 extending from the data line driving circuit 51. Image signals (data signals) S1, S2,..., Sn are supplied to the data lines 3 from the data line driving circuit 51 (see FIG. 1) in a line sequential manner. A gate electrode (not shown) of the TFT 24 is a part of the scanning line 2 extending from the scanning line driving circuit 52. The scanning lines 2 are supplied with scanning signals G1, G2,..., Gm from the scanning line driving circuit 52 in a line sequential manner. A drain electrode (not shown) of the TFT 24 is electrically connected to the pixel electrode 28.

画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、ＴＦＴ２４を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線３を介して画素電極２８に所定のタイミングで書き込まれる。このようにして画素電極２８を介して液晶層４０に書き込まれた所定レベルの画像信号は、対向基板３０に設けられた共通電極３４（図３参照）との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。   The image signals S1, S2,..., Sn are written to the pixel electrode 28 through the data line 3 at a predetermined timing by turning on the TFT 24 for a certain period. The image signal of a predetermined level written in the liquid crystal layer 40 through the pixel electrode 28 in this manner is constant by the liquid crystal capacitance formed between the common electrode 34 (see FIG. 3) provided on the counter substrate 30. Hold for a period.

なお、保持された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎがリークするのを防止するため、走査線２に沿って形成された容量線４と画素電極２８との間に蓄積容量５が形成され、液晶容量と並列に配置されている。このように、各画素Ｐの液晶に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより液晶の配向状態が変化する。これにより、液晶層４０（図３参照）に入射した光が変調されて階調表示が可能となる。   In order to prevent the held image signals S1, S2,..., Sn from leaking, a storage capacitor 5 is formed between the capacitor line 4 formed along the scanning line 2 and the pixel electrode 28. Arranged in parallel with the liquid crystal capacitor. Thus, when a voltage signal is applied to the liquid crystal of each pixel P, the alignment state of the liquid crystal changes depending on the applied voltage level. As a result, the light incident on the liquid crystal layer 40 (see FIG. 3) is modulated to enable gradation display.

液晶層４０を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。例えば、ノーマリーホワイトモードの場合、各画素Ｐの単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少する。ノーマリーブラックモードの場合、各画素Ｐの単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加し、全体として液晶装置１からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が射出される。   The liquid crystal constituting the liquid crystal layer 40 modulates light and enables gradation display by changing the orientation and order of the molecular assembly depending on the applied voltage level. For example, in the normally white mode, the transmittance for incident light decreases according to the voltage applied in units of each pixel P. In the normally black mode, the transmittance for incident light increases in accordance with the voltage applied in units of each pixel P, and light having a contrast corresponding to an image signal is emitted from the liquid crystal device 1 as a whole.

図３に示すように、素子基板２０は、基板２１と、遮光部２２と、絶縁層２３と、ＴＦＴ２４と、絶縁層２５と、遮光部２６と、絶縁層２７と、画素電極２８と、配向膜２９とを備えている。基板２１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料からなる。   As shown in FIG. 3, the element substrate 20 includes a substrate 21, a light shielding part 22, an insulating layer 23, a TFT 24, an insulating layer 25, a light shielding part 26, an insulating layer 27, a pixel electrode 28, and an orientation. And a film 29. The substrate 21 is made of a light transmissive material such as glass or quartz.

遮光部２２は、基板２１上に設けられている。遮光部２２は、上層の遮光部２６に平面視で重なるように格子状に形成されている。遮光部２２および遮光部２６は、例えば、金属や金属化合物などで形成される。遮光部２２および遮光部２６は、素子基板２０の厚さ方向（Ｚ方向）において、ＴＦＴ２４を間に挟むように配置されている。遮光部２２は、ＴＦＴ２４の少なくともチャネル領域と平面視で重なっている。   The light shielding unit 22 is provided on the substrate 21. The light shielding part 22 is formed in a lattice shape so as to overlap with the upper light shielding part 26 in plan view. The light shielding part 22 and the light shielding part 26 are formed of, for example, a metal or a metal compound. The light shielding part 22 and the light shielding part 26 are arranged so as to sandwich the TFT 24 therebetween in the thickness direction (Z direction) of the element substrate 20. The light shielding portion 22 overlaps at least the channel region of the TFT 24 in plan view.

遮光部２２および遮光部２６が設けられていることにより、ＴＦＴ２４への光の入射が抑制されるので、ＴＦＴ２４における光リーク電流の増大や光による誤動作を抑えることができる。画素Ｐの領域のうち遮光部２２および遮光部２６と平面視で重なる領域が、光が透過しない遮光領域Ｓとなる。遮光部２２に囲まれた領域（開口部２２ａ内）、および、遮光部２６に囲まれた領域（開口部２６ａ内）は、平面視で互いに重なっており、画素Ｐの領域のうち光が透過する開口領域Ｔとなる。   Since the light shielding portion 22 and the light shielding portion 26 are provided, the incidence of light on the TFT 24 is suppressed, so that an increase in light leakage current in the TFT 24 and malfunction due to light can be suppressed. Of the region of the pixel P, a region that overlaps the light shielding unit 22 and the light shielding unit 26 in a plan view is a light shielding region S that does not transmit light. The region surrounded by the light shielding unit 22 (inside the opening 22a) and the region surrounded by the light shielding unit 26 (inside the opening 26a) overlap each other in plan view, and light is transmitted through the region of the pixel P. It becomes the opening area | region T which carries out.

絶縁層２３は、基板２１と遮光部２２とを覆うように設けられている。絶縁層２３は、例えば、ＳｉＯ2などの無機材料からなる。 The insulating layer 23 is provided so as to cover the substrate 21 and the light shielding portion 22. The insulating layer 23 is made of an inorganic material such as SiO 2 .

ＴＦＴ２４は、絶縁層２３上に設けられており、遮光部２２および遮光部２６と平面視で重なる領域に配置されている。ＴＦＴ２４は、画素電極２８を駆動するスイッチング素子である。ＴＦＴ２４は、図示しない半導体層、ゲート電極、ソース電極、およびドレイン電極で構成されている。半導体層には、ソース領域、チャネル領域、およびドレイン領域が形成されている。チャネル領域とソース領域、又は、チャネル領域とドレイン領域との界面にはＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域が形成されていてもよい。   The TFT 24 is provided on the insulating layer 23 and is disposed in a region overlapping the light shielding unit 22 and the light shielding unit 26 in plan view. The TFT 24 is a switching element that drives the pixel electrode 28. The TFT 24 includes a semiconductor layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode (not shown). A source region, a channel region, and a drain region are formed in the semiconductor layer. An LDD (Lightly Doped Drain) region may be formed at the interface between the channel region and the source region or between the channel region and the drain region.

ゲート電極は、素子基板２０において平面視で半導体層のチャネル領域と重なる領域に絶縁層２５の一部（ゲート絶縁膜）を介して形成されている。図示を省略するが、ゲート電極は、下層側に配置された走査線にコンタクトホールを介して電気的に接続されており、走査信号が印加されることによってＴＦＴ２４をオン／オフ制御している。   The gate electrode is formed on the element substrate 20 in a region overlapping with the channel region of the semiconductor layer in plan view via a part (gate insulating film) of the insulating layer 25. Although not shown, the gate electrode is electrically connected to the scanning line disposed on the lower layer side through a contact hole, and the TFT 24 is controlled to be turned on / off by applying a scanning signal.

絶縁層２５は、絶縁層２３とＴＦＴ２４とを覆うように設けられている。絶縁層２５は、例えば、ＳｉＯ2などの無機材料からなる。絶縁層２５は、ＴＦＴ２４の半導体層とゲート電極との間を絶縁するゲート絶縁膜を含む。絶縁層２５により、ＴＦＴ２４によって生じる表面の凹凸が緩和される。絶縁層２５上には、遮光部２６が設けられている。そして、絶縁層２５と遮光部２６とを覆うように、無機材料からなる絶縁層２７が設けられている。 The insulating layer 25 is provided so as to cover the insulating layer 23 and the TFT 24. The insulating layer 25 is made of an inorganic material such as SiO 2 , for example. The insulating layer 25 includes a gate insulating film that insulates between the semiconductor layer of the TFT 24 and the gate electrode. The insulating layer 25 relieves surface irregularities caused by the TFT 24. On the insulating layer 25, a light shielding portion 26 is provided. An insulating layer 27 made of an inorganic material is provided so as to cover the insulating layer 25 and the light shielding portion 26.

画素電極２８は、絶縁層２７上に、画素Ｐに対応して設けられている。画素電極２８は、遮光部２２の開口部２２ａおよび遮光部２６の開口部２６ａに平面視で重なる領域に配置されている。画素電極２８は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明導電膜からなる。配向膜２９は、画素電極２８を覆うように設けられている。液晶層４０は、素子基板２０側の配向膜２９と対向基板３０側の配向膜３５との間に封入されている。   The pixel electrode 28 is provided on the insulating layer 27 corresponding to the pixel P. The pixel electrode 28 is disposed in a region overlapping the opening 22a of the light shielding part 22 and the opening 26a of the light shielding part 26 in plan view. The pixel electrode 28 is made of a transparent conductive film such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide). The alignment film 29 is provided so as to cover the pixel electrode 28. The liquid crystal layer 40 is sealed between the alignment film 29 on the element substrate 20 side and the alignment film 35 on the counter substrate 30 side.

なお、図示を省略するが、平面視で遮光部２２および遮光部２６に重なる領域には、ＴＦＴ２４に電気信号を供給するための電極、配線、中継電極や、蓄積容量５（図２参照）を構成する容量電極などが設けられている。遮光部２２や遮光部２６がこれらの電極、配線、中継電極、容量電極などを含む構成であってもよい。   Although not shown, an electrode, a wiring, a relay electrode, and a storage capacitor 5 (see FIG. 2) for supplying an electrical signal to the TFT 24 are provided in a region overlapping the light shielding unit 22 and the light shielding unit 26 in plan view. A capacitive electrode or the like is provided. The light shielding part 22 and the light shielding part 26 may be configured to include these electrodes, wiring, relay electrodes, capacitor electrodes, and the like.

対向基板３０は、後述するレンズアレイ基板としてのマイクロレンズアレイ基板１０と、共通電極３４と、配向膜３５とを備えている。マイクロレンズアレイ基板１０は、各画素Ｐに第１マイクロレンズＭＬ１および第２マイクロレンズＭＬ２の２段のマイクロレンズを備えている。共通電極３４は、マイクロレンズアレイ基板１０（光路長調整層３２）を覆うように設けられている。共通電極３４は、複数の画素Ｐに跨って形成されている。共通電極３４は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明導電膜からなる。配向膜３５は、共通電極３４を覆うように設けられている。   The counter substrate 30 includes a microlens array substrate 10 as a lens array substrate described later, a common electrode 34, and an alignment film 35. The microlens array substrate 10 includes two stages of microlenses, a first microlens ML1 and a second microlens ML2, in each pixel P. The common electrode 34 is provided so as to cover the microlens array substrate 10 (optical path length adjustment layer 32). The common electrode 34 is formed across a plurality of pixels P. The common electrode 34 is made of a transparent conductive film such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide). The alignment film 35 is provided so as to cover the common electrode 34.

＜マイクロレンズアレイ基板＞
続いて、本実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板について、図３および図４を参照して説明する。図４は、本実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の構成を示す概略図である。詳しくは、図４（ａ）はマイクロレンズアレイ基板の構成を示す概略断面図であり、図４（ｂ）はマイクロレンズアレイ基板の構成を示す概略平面図である。なお、図４（ａ）は、図３の部分拡大図に相当し、図３とは上下方向（Ｚ方向）が反転している。図４（ｂ）は、マイクロレンズアレイ基板１０を、光路長調整層３２を除いた状態で第２レンズ層１５側から見た概略平面図である。 <Microlens array substrate>
Subsequently, the microlens array substrate according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 3 and 4. FIG. 4 is a schematic diagram showing the configuration of the microlens array substrate according to the present embodiment. Specifically, FIG. 4A is a schematic sectional view showing the configuration of the microlens array substrate, and FIG. 4B is a schematic plan view showing the configuration of the microlens array substrate. 4A corresponds to the partially enlarged view of FIG. 3, and the vertical direction (Z direction) is reversed from FIG. FIG. 4B is a schematic plan view of the microlens array substrate 10 viewed from the second lens layer 15 side with the optical path length adjustment layer 32 removed.

図４（ａ）に示すように、マイクロレンズアレイ基板１０は、基板１１と、第１レンズ層１３と、第１透光層としての中間層１４と、遮光部３１と、第２レンズ層１５と、第２透光層としての光路長調整層３２とを備えている。図４（ｂ）において、右下向きの斜線を付してある領域が遮光部３１が設けられた領域、すなわち見切り領域ＢＳである。   As shown in FIG. 4A, the microlens array substrate 10 includes a substrate 11, a first lens layer 13, an intermediate layer 14 as a first light transmitting layer, a light shielding portion 31, and a second lens layer 15. And an optical path length adjusting layer 32 as a second light transmissive layer. In FIG. 4 (b), a region with a diagonal line pointing downward to the right is a region where the light shielding portion 31 is provided, that is, a parting region BS.

図４（ａ）に示す基板１１は、例えば、ガラスや石英などの光透過性を有する無機材料からなる。基板１１の液晶層４０（図３参照）と対向する側の面を、第１面としての面１１ａとする。基板１１は、面１１ａの表示領域Ｅに形成された複数の凹部１２を有している。各凹部１２は、画素Ｐ毎に設けられ、表示領域Ｅに平面視でマトリックス状に配列されている（図４（ｂ）参照）。Ｘ方向およびＹ方向において隣り合う凹部１２同士は互いに接していることが好ましい。凹部１２の断面形状は、例えば、その中央部が曲面部であり、曲面部を囲む周縁部が傾斜面（いわゆるテーパー状の面）となっている。   The substrate 11 shown in FIG. 4A is made of a light-transmitting inorganic material such as glass or quartz. A surface of the substrate 11 facing the liquid crystal layer 40 (see FIG. 3) is a surface 11a as a first surface. The substrate 11 has a plurality of recesses 12 formed in the display area E of the surface 11a. Each recess 12 is provided for each pixel P, and is arranged in a matrix in the display area E in plan view (see FIG. 4B). It is preferable that the recesses 12 adjacent in the X direction and the Y direction are in contact with each other. As for the cross-sectional shape of the recessed part 12, the center part is a curved surface part, for example, and the peripheral part surrounding a curved surface part is an inclined surface (what is called a taper-shaped surface).

第１レンズ層１３は、基板１１の面１１ａを覆い凹部１２を埋め込むように、凹部１２の深さよりも厚く形成されている。第１レンズ層１３は、光透過性を有し、基板１１とは異なる光屈折率を有する材料からなる。本実施形態では、第１レンズ層１３は、基板１１よりも光屈折率の高い無機材料からなる。このような無機材料としては、例えばＳｉＯＮ、Ａｌ2Ｏ3などが挙げられる。 The first lens layer 13 is formed thicker than the depth of the recess 12 so as to cover the surface 11 a of the substrate 11 and embed the recess 12. The first lens layer 13 is made of a material having optical transparency and a light refractive index different from that of the substrate 11. In the present embodiment, the first lens layer 13 is made of an inorganic material having a higher refractive index than that of the substrate 11. Examples of such inorganic materials include SiON and Al 2 O 3 .

第１レンズ層１３を形成する材料で各凹部１２を埋め込むことにより、基板１１側に膨らむ凸形状の第１マイクロレンズＭＬ１が構成される。したがって、各第１マイクロレンズＭＬ１は、画素Ｐに対応して設けられている。複数の第１マイクロレンズＭＬ１により１段目のマイクロレンズアレイが構成される。第１レンズ層１３の表面は、基板１１の面１１ａに略平行で平坦な面となっている。   By embedding each recess 12 with a material forming the first lens layer 13, a convex first microlens ML1 that swells toward the substrate 11 is formed. Therefore, each first microlens ML1 is provided corresponding to the pixel P. A plurality of first microlenses ML1 form a first-stage microlens array. The surface of the first lens layer 13 is a flat surface that is substantially parallel to the surface 11 a of the substrate 11.

基板１１から第１マイクロレンズＭＬ１の中央部（曲面部）に入射する入射光は、基板１１と第１レンズ層１３との光屈折率の差（正の屈折力）により、第１マイクロレンズＭＬ１の中心（曲面部の焦点）へ向けて集光される。また、第１マイクロレンズＭＬ１の周縁部（傾斜面）に入射する入射光は、入射角度が略同一であれば略同一の角度で第１マイクロレンズＭＬ１の中心側へ屈折される。したがって、第１マイクロレンズＭＬ１全体が曲面部で構成される場合と比べて、入射する光の過度の屈折が抑えられ、液晶層４０に入射する光の角度のばらつきが抑えられる。   Incident light that enters the central portion (curved surface portion) of the first microlens ML1 from the substrate 11 is caused by the difference in optical refractive index (positive refractive power) between the substrate 11 and the first lens layer 13, and thus the first microlens ML1. Focused toward the center of the curved surface (focal point of the curved surface). Further, the incident light incident on the peripheral edge (inclined surface) of the first microlens ML1 is refracted toward the center of the first microlens ML1 at substantially the same angle if the incident angles are approximately the same. Therefore, compared to the case where the entire first microlens ML1 is formed of a curved surface portion, excessive refraction of incident light is suppressed, and variation in angle of light incident on the liquid crystal layer 40 is suppressed.

中間層１４は、第１レンズ層１３を覆うように形成されている。中間層１４は、光透過性を有し、例えば、基板１１とほぼ同じ光屈折率を有する無機材料からなる。このような無機材料としては、例えばＳｉＯ2などが挙げられる。中間層１４は、第１マイクロレンズＭＬ１から第２マイクロレンズＭＬ２までの距離を所望の値に合わせる機能を有する。したがって、中間層１４の層厚は、光の波長に応じた第１マイクロレンズＭＬ１の焦点距離などの光学条件に基づいて適宜設定される。なお、中間層１４は、第１レンズ層１３と同じ材料で形成されていてもよいし、第２レンズ層１５と同じ材料で形成されていてもよい。 The intermediate layer 14 is formed so as to cover the first lens layer 13. The intermediate layer 14 is light transmissive, and is made of, for example, an inorganic material having substantially the same refractive index as that of the substrate 11. Examples of such an inorganic material include SiO 2 . The intermediate layer 14 has a function of adjusting the distance from the first microlens ML1 to the second microlens ML2 to a desired value. Therefore, the thickness of the intermediate layer 14 is appropriately set based on optical conditions such as the focal length of the first microlens ML1 corresponding to the wavelength of light. The intermediate layer 14 may be formed of the same material as the first lens layer 13 or may be formed of the same material as the second lens layer 15.

遮光部３１は、中間層１４上に形成されている。遮光部３１は、例えばアルミニウム（Ａｌ）などの金属あるいは金属酸化物などで形成されている。遮光部３１は、上述したように、表示領域Ｅを囲む見切り領域ＢＳに枠状に設けられている。見切り領域ＢＳに入射する光は、遮光部３１で遮光または反射される。   The light shielding portion 31 is formed on the intermediate layer 14. The light shielding portion 31 is formed of a metal such as aluminum (Al) or a metal oxide, for example. As described above, the light shielding unit 31 is provided in a frame shape in the parting area BS surrounding the display area E. The light incident on the parting area BS is blocked or reflected by the light blocking unit 31.

第２レンズ層１５は、中間層１４と遮光部３１とを覆うように形成されている。第２レンズ層１５は、基板１１とは反対側（図３に示す液晶層４０側）に形成された、複数の第１凸部としての凸部１６と、複数の第２凸部としての凸部１７と、第３凸部としての凸部１８とを有している。凸部１６および凸部１７の断面形状は、例えば、略楕円球面などの曲面となっている。凸部１８の断面形状は、例えば、略楕円球面の略半分の円弧状である。   The second lens layer 15 is formed so as to cover the intermediate layer 14 and the light shielding portion 31. The second lens layer 15 is formed on the side opposite to the substrate 11 (on the liquid crystal layer 40 side shown in FIG. 3), and a plurality of convex portions 16 as first convex portions and a plurality of convex portions as second convex portions. It has the part 17 and the convex part 18 as a 3rd convex part. The cross-sectional shape of the convex portion 16 and the convex portion 17 is, for example, a curved surface such as a substantially elliptic spherical surface. The cross-sectional shape of the convex portion 18 is, for example, a substantially half circular arc shape of a substantially elliptic spherical surface.

図４（ｂ）に示すように、各凸部１６は、画素Ｐに対応して設けられている。したがって、各凸部１６は、表示領域Ｅに各凹部１２と平面視で重なるようにマトリックス状に配列されている。凸部１６のＸ方向およびＹ方向における配置ピッチは、凹部１２のＸ方向およびＹ方向における配置ピッチと略同一である。本実施形態では、Ｘ方向およびＹ方向において隣り合う凸部１６同士は互いに接しており、Ｘ方向およびＹ方向における凸部１６の配置ピッチは、凸部１６の径Ｄ１と同一である。   As shown in FIG. 4B, each convex portion 16 is provided corresponding to the pixel P. Accordingly, the convex portions 16 are arranged in a matrix so as to overlap the display area E with the concave portions 12 in plan view. The arrangement pitch of the convex portions 16 in the X direction and the Y direction is substantially the same as the arrangement pitch of the concave portions 12 in the X direction and the Y direction. In the present embodiment, the protrusions 16 adjacent in the X direction and the Y direction are in contact with each other, and the arrangement pitch of the protrusions 16 in the X direction and the Y direction is the same as the diameter D1 of the protrusions 16.

凸部１７および凸部１８は、見切り領域ＢＳに設けられている。凸部１７は、マトリックス状に配列された凸部１６を囲むように一列に配置されている。換言すれば、凸部１７は、表示領域Ｅの周囲に、Ｘ方向およびＹ方向それぞれに一列に配置されている。凸部１７の配置ピッチは、凸部１６の配置ピッチ（Ｄ１）と略同一である。Ｘ方向およびＹ方向における凸部１７の径Ｄ２は、凸部１６の径Ｄ１よりも小さい。凸部１７の径Ｄ２は、凸部１６の径Ｄ１に対して、例えば４％〜６％程度小さい。   The convex part 17 and the convex part 18 are provided in the parting area BS. The convex portions 17 are arranged in a row so as to surround the convex portions 16 arranged in a matrix. In other words, the projections 17 are arranged in a row around the display area E in each of the X direction and the Y direction. The arrangement pitch of the convex portions 17 is substantially the same as the arrangement pitch (D1) of the convex portions 16. The diameter D2 of the convex portion 17 in the X direction and the Y direction is smaller than the diameter D1 of the convex portion 16. The diameter D2 of the convex portion 17 is, for example, about 4% to 6% smaller than the diameter D1 of the convex portion 16.

凸部１８は、Ｘ方向およびＹ方向に一列に配置された凸部１７の周囲に枠状に設けられている。換言すれば、凸部１８は、一対のＸ方向に延在する部分と一対のＹ方向に延在する部分とが互いに接続された平面形状を有している。凸部１８のＸ方向に延在する部分とＹ方向に延在する部分とは、同じ幅Ｗを有している。凸部１８のＸ方向に延在する部分およびＹ方向に延在する部分の幅Ｗは、凸部１６の配置ピッチの１／２以下である。   The convex portions 18 are provided in a frame shape around the convex portions 17 arranged in a line in the X direction and the Y direction. In other words, the convex portion 18 has a planar shape in which a pair of portions extending in the X direction and a pair of portions extending in the Y direction are connected to each other. A portion extending in the X direction and a portion extending in the Y direction of the convex portion 18 have the same width W. The width W of the portion extending in the X direction and the portion extending in the Y direction of the convex portion 18 is ½ or less of the arrangement pitch of the convex portions 16.

図４（ａ）に戻り、第２レンズ層１５は、中間層１４側から構成された下地レンズ層１５ａと表層レンズ層１５ｂとで構成されている。下地レンズ層１５ａは、複数の凸部１６ａと、凸部１６ａの周囲に一列に配置された凸部１７ａと、凸部１７ａの周囲に枠状に配置された凸部１８ａとを有している。なお、下地レンズ層１５ａと表層レンズ層１５ｂとの境界では、第２レンズ層１５に入射する入射光の屈折や反射はほとんど無視することができる。   Returning to FIG. 4A, the second lens layer 15 is composed of a base lens layer 15a and a surface lens layer 15b formed from the intermediate layer 14 side. The base lens layer 15a includes a plurality of convex portions 16a, convex portions 17a arranged in a line around the convex portions 16a, and convex portions 18a arranged in a frame shape around the convex portions 17a. . Note that refraction and reflection of incident light incident on the second lens layer 15 can be almost ignored at the boundary between the base lens layer 15a and the surface lens layer 15b.

第２レンズ層１５（表層レンズ層１５ｂ）の凸部１６と凸部１７と凸部１８とは、下地レンズ層１５ａ上に表層レンズ層１５ｂを積層することで、凸部１６ａと凸部１７ａと凸部１８ａとの形状が拡大されて形成されたものである。したがって、凸部１６ａの径は凸部１６の径Ｄ１よりも小さく、凸部１７ａの径は凸部１７の径Ｄ２よりも小さく、凸部１８ａの幅は凸部１８の幅Ｗよりも小さい。   The convex portion 16, convex portion 17 and convex portion 18 of the second lens layer 15 (surface lens layer 15b) are formed by laminating the surface lens layer 15b on the base lens layer 15a, thereby forming the convex portion 16a and the convex portion 17a. The shape with the convex part 18a is enlarged and formed. Therefore, the diameter of the convex portion 16a is smaller than the diameter D1 of the convex portion 16, the diameter of the convex portion 17a is smaller than the diameter D2 of the convex portion 17, and the width of the convex portion 18a is smaller than the width W of the convex portion 18.

第２レンズ層１５（表層レンズ層１５ｂ）は、凸部１８の外側に、中間層１４からの高さが凸部１８の高さよりも低い略平坦な面を有する平坦部１９を有している。図４（ｂ）において、左下向きの斜線を付してある領域が平坦部１９が設けられた領域である。平坦部１９は、第２レンズ層１５の周縁部に、枠状の凸部１８を囲むように設けられている。   The second lens layer 15 (surface lens layer 15 b) has a flat portion 19 having a substantially flat surface outside the convex portion 18 and having a height from the intermediate layer 14 lower than the height of the convex portion 18. . In FIG. 4 (b), a region with a left-downward oblique line is a region where the flat portion 19 is provided. The flat part 19 is provided at the peripheral part of the second lens layer 15 so as to surround the frame-like convex part 18.

図４（ａ）に示すように、凸部１７と凸部１８との間の底部に対する凸部１８の最上部の高さをＨ１とし、凸部１８の最上部と平坦部１９との段差をＨ２とすると、段差Ｈ２は、例えば凸部１８の高さＨ１の１／２よりも小さい。換言すれば、平坦部１９の中間層１４からの高さは、凸部１８の高さＨ１の１／２よりも大きい。なお、本実施形態では、凸部１８の高さＨ１は、凸部１６および凸部１７の高さと同程度である。   As shown in FIG. 4A, the height of the uppermost part of the convex part 18 with respect to the bottom between the convex part 17 and the convex part 18 is H1, and the step between the uppermost part of the convex part 18 and the flat part 19 is If H2, the step H2 is smaller than 1/2 of the height H1 of the convex portion 18, for example. In other words, the height of the flat portion 19 from the intermediate layer 14 is larger than ½ of the height H1 of the convex portion 18. In the present embodiment, the height H <b> 1 of the convex portion 18 is approximately the same as the heights of the convex portion 16 and the convex portion 17.

下地レンズ層１５ａは、凸部１８の周囲に略平坦な面を有する平坦部１９ａを有している。第２レンズ層１５（表層レンズ層１５ｂ）の平坦部１９は、下地レンズ層１５ａ上に表層レンズ層１５ｂを積層することで平坦部１９ａが反映されて形成されたものである。   The base lens layer 15 a has a flat portion 19 a having a substantially flat surface around the convex portion 18. The flat portion 19 of the second lens layer 15 (surface lens layer 15b) is formed by reflecting the flat portion 19a by laminating the surface lens layer 15b on the base lens layer 15a.

第２レンズ層１５（下地レンズ層１５ａおよび表層レンズ層１５ｂ）は、例えば、第１レンズ層１３と同程度の光屈折率を有し、第１レンズ層１３と同様の材料で形成されている。下地レンズ層１５ａと表層レンズ層１５ｂとは、同一の材料で形成されており、同一の光屈折率を有する。   The second lens layer 15 (the base lens layer 15a and the surface lens layer 15b) has, for example, the same refractive index as that of the first lens layer 13 and is formed of the same material as that of the first lens layer 13. . The base lens layer 15a and the surface lens layer 15b are made of the same material and have the same optical refractive index.

光路長調整層３２は、凸部１６同士の間、凸部１６と凸部１７との間、凸部１７と凸部１８との間、および平坦部１９を埋めて第２レンズ層１５（表層レンズ層１５ｂ）を覆うように、凸部１８の高さＨ１よりも厚く形成されている。光路長調整層３２は、光透過性を有し、例えば、第２レンズ層１５よりも低い光屈折率を有する無機材料からなる。このような無機材料としては、例えばＳｉＯ2などが挙げられる。 The optical path length adjustment layer 32 fills the second lens layer 15 (surface layer) by filling the convex portions 16, the convex portions 16 and 17, the convex portions 17 and 18, and the flat portions 19. It is formed thicker than the height H1 of the convex portion 18 so as to cover the lens layer 15b). The optical path length adjustment layer 32 is light transmissive, and is made of, for example, an inorganic material having a lower light refractive index than the second lens layer 15. Examples of such an inorganic material include SiO 2 .

光路長調整層３２で凸部１６を覆うことにより、基板１１とは反対側（図３に示す液晶層４０側）に膨らむ凸形状の第２マイクロレンズＭＬ２が構成される。各第２マイクロレンズＭＬ２は、画素Ｐに対応して設けられている。複数の第２マイクロレンズＭＬ２により２段目のマイクロレンズアレイが構成される。第２マイクロレンズＭＬ２から光路長調整層３２に入射する入射光は、第２レンズ層１５と光路長調整層３２との光屈折率の差（正の屈折力）により、第２マイクロレンズＭＬ２の中心側へ向けて集光される。   By covering the convex portion 16 with the optical path length adjusting layer 32, a convex second microlens ML2 swelled on the side opposite to the substrate 11 (the liquid crystal layer 40 side shown in FIG. 3) is configured. Each second microlens ML2 is provided corresponding to the pixel P. A plurality of second microlenses ML2 constitute a second-stage microlens array. Incident light that enters the optical path length adjustment layer 32 from the second microlens ML2 is generated by the second microlens ML2 due to a difference in optical refractive index (positive refractive power) between the second lens layer 15 and the optical path length adjustment layer 32. Condensed toward the center.

また、光路長調整層３２で凸部１７を覆うことにより、基板１１とは反対側に膨らむ凸形状のダミーマイクロレンズＭＬｄが構成される。後述するが、ダミーマイクロレンズＭＬｄは、表示領域Ｅに配置される第２マイクロレンズＭＬ２の形状のばらつきを抑えるためのものである。ダミーマイクロレンズＭＬｄは、見切り領域ＢＳに、遮光部３１と平面視で重なるように配置される。そのため、ダミーマイクロレンズＭＬｄに入射する光はマイクロレンズアレイ基板を透過しない。したがって、ダミーマイクロレンズＭＬｄは、液晶装置１の表示に寄与しない。   Further, by covering the convex portion 17 with the optical path length adjusting layer 32, a convex dummy microlens MLd swelled on the side opposite to the substrate 11 is formed. As will be described later, the dummy microlens MLd is for suppressing variations in the shape of the second microlens ML2 arranged in the display region E. The dummy microlens MLd is disposed so as to overlap with the light shielding portion 31 in plan view in the parting area BS. Therefore, the light incident on the dummy microlens MLd does not pass through the microlens array substrate. Therefore, the dummy microlens MLd does not contribute to the display of the liquid crystal device 1.

光路長調整層３２は、第２マイクロレンズＭＬ２から遮光部２６（図３参照）までの距離を所望の値に合わせる機能を有する。したがって、光路長調整層３２の層厚は、光の波長に応じた第２マイクロレンズＭＬ２の焦点距離などの光学条件に基づいて適宜設定される。   The optical path length adjustment layer 32 has a function of adjusting the distance from the second microlens ML2 to the light shielding unit 26 (see FIG. 3) to a desired value. Therefore, the layer thickness of the optical path length adjustment layer 32 is appropriately set based on optical conditions such as the focal length of the second microlens ML2 corresponding to the wavelength of light.

光路長調整層３２は、第２レンズ層１５側から積層された第１光路長調整層３２ａと第２光路長調整層３２ｂとで構成されている。第１光路長調整層３２ａの表面は、略平坦な面となっている。第１光路長調整層３２ａは、隣り合う第２マイクロレンズＭＬ２同士の間の谷部（境界部）から液晶層４０（図３参照）側に延びるスリット３３を有している。スリット３３は、平面視で第２マイクロレンズＭＬ２を囲むように設けられている。   The optical path length adjustment layer 32 includes a first optical path length adjustment layer 32a and a second optical path length adjustment layer 32b laminated from the second lens layer 15 side. The surface of the first optical path length adjustment layer 32a is a substantially flat surface. The first optical path length adjustment layer 32a includes a slit 33 that extends from the valley (boundary portion) between the adjacent second microlenses ML2 toward the liquid crystal layer 40 (see FIG. 3). The slit 33 is provided so as to surround the second microlens ML2 in plan view.

スリット３３は、第１光路長調整層３２ａを各第２マイクロレンズＭＬ２に対応する部分に区画している。このスリット３３によって区画されて隣り合う第１光路長調整層３２ａの材料同士は、互いに接触しつつ結合関係を有していない。したがって、スリット３３は隣り合う第１光路長調整層３２ａの材料同士の界面となり、スリット３３に入射する光は反射される。   The slit 33 partitions the first optical path length adjustment layer 32a into portions corresponding to the respective second microlenses ML2. The materials of the first optical path length adjusting layer 32a adjacent to each other divided by the slit 33 are in contact with each other and do not have a coupling relationship. Therefore, the slit 33 becomes an interface between the materials of the adjacent first optical path length adjusting layers 32a, and light incident on the slit 33 is reflected.

第２光路長調整層３２ｂは、第１光路長調整層３２ａ上に積層形成されている。第２光路長調整層３２ｂの表面は、略平坦な面となっている。スリット３３は、第１光路長調整層３２ａと第２光路長調整層３２ｂとの境界で途切れている。したがって、第２光路長調整層３２ｂはスリット３３を有していない。   The second optical path length adjustment layer 32b is laminated on the first optical path length adjustment layer 32a. The surface of the second optical path length adjustment layer 32b is a substantially flat surface. The slit 33 is interrupted at the boundary between the first optical path length adjustment layer 32a and the second optical path length adjustment layer 32b. Therefore, the second optical path length adjustment layer 32 b does not have the slit 33.

図３に戻り、本実施形態に係る液晶装置１では、例えば、光源などから発せられた光は、マイクロレンズアレイ基板１０を備える対向基板３０（基板１１）側から入射する。入射する光のうち、対向基板３０（基板１１）の表面の法線方向に沿って第１マイクロレンズＭＬ１の中心に入射した光Ｌ１は、直進して第２マイクロレンズＭＬ２の中心に入射し、そのまま直進して画素Ｐの開口領域Ｔ内を透過し素子基板２０側に射出される。   Returning to FIG. 3, in the liquid crystal device 1 according to the present embodiment, for example, light emitted from a light source or the like is incident from the counter substrate 30 (substrate 11) side including the microlens array substrate 10. Of the incident light, the light L1 incident on the center of the first microlens ML1 along the normal direction of the surface of the counter substrate 30 (substrate 11) travels straight and enters the center of the second microlens ML2. As it goes straight, it passes through the opening region T of the pixel P and is emitted toward the element substrate 20 side.

なお、以下では、対向基板３０（基板１１）の表面の法線方向を単に「法線方向」という。「法線方向」は、図３のＺ方向に沿った方向であり、素子基板２０（基板２１）の法線方向と略同一の方向である。   In the following, the normal direction of the surface of the counter substrate 30 (substrate 11) is simply referred to as “normal direction”. The “normal direction” is a direction along the Z direction in FIG. 3 and is substantially the same as the normal direction of the element substrate 20 (substrate 21).

第１マイクロレンズＭＬ１の端部に法線方向に沿って入射した光Ｌ２は、仮にそのまま直進した場合、破線で示すように遮光部２６で遮光されてしまうが、基板１１と第１レンズ層１３との間の光屈折率の差（正の屈折力）により、第１マイクロレンズＭＬ１の中心側へ屈折して第２マイクロレンズＭＬ２に入射する。そして、第２マイクロレンズＭＬ２に入射した光Ｌ２は、第２レンズ層１５と光路長調整層３２との間の光屈折率の差（正の屈折力）により、第２マイクロレンズＭＬ２の中心側へさらに屈折して、画素Ｐの開口領域Ｔ内を透過し素子基板２０側に射出される。   If the light L2 incident on the end portion of the first microlens ML1 along the normal direction goes straight as it is, the light L2 is shielded by the light shielding portion 26 as shown by the broken line, but the substrate 11 and the first lens layer 13 are blocked. Refracted toward the center side of the first microlens ML1 due to the difference in optical refractive index (positive refractive power) between the first microlens and the second microlens ML2. The light L2 incident on the second microlens ML2 is located on the center side of the second microlens ML2 due to the difference in optical refractive index (positive refractive power) between the second lens layer 15 and the optical path length adjusting layer 32. The light is further refracted, passes through the opening region T of the pixel P, and is emitted toward the element substrate 20 side.

第１マイクロレンズＭＬ１の端部に法線方向に対して斜めに、かつ、第１マイクロレンズＭＬ１の中心に対して外側に向かって入射した光Ｌ３は、仮にそのまま直進した場合第２マイクロレンズＭＬ２の外側へ逸れてしまうが、第１マイクロレンズＭＬ１により中心側へ屈折して第２マイクロレンズＭＬ２に入射する。第２マイクロレンズＭＬ２に入射した光Ｌ３は、仮にそのまま直進した場合遮光部２６で遮光されてしまうが、第２マイクロレンズＭＬ２の中心側へさらに屈折し、画素Ｐの開口領域Ｔ内を透過して素子基板２０側に射出される。   The light L3 incident on the end portion of the first microlens ML1 obliquely with respect to the normal direction and toward the outside with respect to the center of the first microlens ML1 is assumed to travel straight as it is. The second microlens ML2 However, the light is refracted toward the center by the first microlens ML1 and is incident on the second microlens ML2. If the light L3 incident on the second microlens ML2 travels straight as it is, it is shielded by the light shielding portion 26, but is further refracted toward the center side of the second microlens ML2, and passes through the opening region T of the pixel P. Are emitted to the element substrate 20 side.

第１マイクロレンズＭＬ１の端部に法線方向に対して斜めに、かつ、第１マイクロレンズＭＬ１の外側から中心に向かって入射した光Ｌ４は、屈折により法線方向に対してより大きく傾いて第１マイクロレンズＭＬ１の中心と第２マイクロレンズＭＬ２の中心とを結ぶ線（図３に１点鎖線で示す）と交差し、第２マイクロレンズＭＬ２に入射する。第２マイクロレンズＭＬ２に入射した光Ｌ４は、仮にそのまま直進した場合遮光部２６で遮光されてしまうが、第２マイクロレンズＭＬ２により屈折して中心側へ戻され、法線方向に対する傾きが小さくなって画素Ｐの開口領域Ｔ内を透過し素子基板２０側に射出される。   The light L4 incident on the end of the first microlens ML1 obliquely with respect to the normal direction and from the outside of the first microlens ML1 toward the center is more greatly inclined with respect to the normal direction due to refraction. It intersects with a line (indicated by a one-dot chain line in FIG. 3) connecting the center of the first microlens ML1 and the center of the second microlens ML2, and enters the second microlens ML2. The light L4 incident on the second microlens ML2 is shielded by the light shielding unit 26 if it goes straight as it is, but is refracted by the second microlens ML2 and returned to the center side, and the inclination with respect to the normal direction becomes small. Then, the light passes through the opening region T of the pixel P and is emitted to the element substrate 20 side.

第１マイクロレンズＭＬ１の端部に法線方向に対してより大きく傾いて斜めに、かつ、第１マイクロレンズＭＬ１の中心から外側に向かって入射した光Ｌ５は、第１マイクロレンズＭＬ１および第２マイクロレンズＭＬ２のそれぞれで中心側へ屈折されるものの、屈折が十分でなく第２マイクロレンズＭＬ２の端部から射出される。第２マイクロレンズＭＬ２から射出された光Ｌ５は、仮にそのまま直進した場合遮光部２６で遮光されてしまうが、スリット３３で反射されて画素Ｐの開口領域Ｔ内を透過し素子基板２０側に射出される。   The light L5 incident on the end of the first microlens ML1 more obliquely with respect to the normal direction and obliquely toward the outside from the center of the first microlens ML1 is transmitted to the first microlens ML1 and the second microlens ML1. Although each of the microlenses ML2 is refracted toward the center, it is not sufficiently refracted and emitted from the end of the second microlens ML2. The light L5 emitted from the second microlens ML2 is shielded by the light shielding unit 26 if it travels straight as it is, but is reflected by the slit 33, passes through the opening region T of the pixel P, and exits to the element substrate 20 side. Is done.

第１マイクロレンズＭＬ１の端部に法線方向に対し光Ｌ５と同様に大きく傾いて斜めに、かつ、第１マイクロレンズＭＬ１の外側から中心に向かって入射した光Ｌ６は、法線方向に対してより大きく傾いて第１マイクロレンズＭＬ１の中心と第２マイクロレンズＭＬ２の中心とを結ぶ線（図３に１点鎖線で示す）と交差し、第２マイクロレンズＭＬ２の端部に入射する。第２マイクロレンズＭＬ２から射出された光Ｌ６は、屈折が十分でなく仮にそのまま直進した場合隣の画素Ｐ側へ逸れてしまうが、スリット３３で反射されて画素Ｐの開口領域Ｔ内を透過し素子基板２０側に射出される。   The light L6 incident on the end portion of the first microlens ML1 with a large inclination with respect to the normal direction is obliquely inclined in the same manner as the light L5 and from the outside of the first microlens ML1 toward the center. It is further inclined and intersects with a line (indicated by a one-dot chain line in FIG. 3) connecting the center of the first microlens ML1 and the center of the second microlens ML2, and enters the end of the second microlens ML2. The light L6 emitted from the second microlens ML2 is not sufficiently refracted and goes straight to the adjacent pixel P side, but is reflected to the adjacent pixel P side, but is reflected by the slit 33 and passes through the opening region T of the pixel P. Injected to the element substrate 20 side.

このように、液晶装置１では、そのまま直進した場合に遮光領域Ｓで遮光されてしまう光Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４を、２段の第１マイクロレンズＭＬ１および第２マイクロレンズＭＬ２の作用により、画素Ｐの開口領域Ｔの中心側へ屈折させて開口領域Ｔ内を透過させることができる。また、２段の第１マイクロレンズＭＬ１および第２マイクロレンズＭＬ２で屈折されても遮光領域Ｓで遮光されてしまう光Ｌ５や隣の画素Ｐ側へ逸れてしまう光Ｌ６を、スリット３３の作用により、画素Ｐの開口領域Ｔの中心側へ屈折させて開口領域Ｔ内を透過させることができる。この結果、素子基板２０側から射出される光の量を多くできるので、光の利用効率を高めることができる。   As described above, in the liquid crystal device 1, the light L2, L3, and L4 that are blocked by the light blocking region S when traveling straight as they are are converted into the pixel P by the action of the two-stage first microlens ML1 and second microlens ML2. Can be refracted toward the center of the opening region T and transmitted through the opening region T. Further, the light L5 that is refracted by the first microlens ML1 and the second microlens ML2 in the second stage and is shielded by the light shielding region S or the light L6 that is deflected to the adjacent pixel P side is caused by the action of the slit 33. Then, the light can be refracted toward the center of the opening region T of the pixel P and transmitted through the opening region T. As a result, since the amount of light emitted from the element substrate 20 side can be increased, the light utilization efficiency can be increased.

なお、本実施形態では、光路長調整層３２の光屈折率が第２レンズ層１５の光屈折率よりも低い構成としたが、光路長調整層３２の光屈折率が第２レンズ層１５の光屈折率よりも高い構成としてもよい。このような構成にすると、第２マイクロレンズＭＬ２に入射する光は、第２レンズ層１５と光路長調整層３２との間の光屈折率の差（負の屈折力）により、第２マイクロレンズＭＬ２の中心側から外側へ拡散される。したがって、第１マイクロレンズＭＬ１により集光され法線方向に対して傾いた光の角度を、第２マイクロレンズＭＬ２により小さくして法線方向に近付けることができる。   In the present embodiment, the optical refractive index of the optical path length adjustment layer 32 is lower than the optical refractive index of the second lens layer 15, but the optical refractive index of the optical path length adjustment layer 32 is that of the second lens layer 15. It is good also as a structure higher than a light refractive index. With such a configuration, the light incident on the second microlens ML <b> 2 is caused by the difference in optical refractive index (negative refractive power) between the second lens layer 15 and the optical path length adjusting layer 32. It is diffused outward from the center side of ML2. Therefore, the angle of the light condensed by the first microlens ML1 and tilted with respect to the normal direction can be reduced by the second microlens ML2 and brought closer to the normal direction.

液晶装置１をプロジェクターの液晶ライトバルブとして用いる場合、液晶装置１から射出される光の多くが法線方向に対して傾いた光であると、投写レンズの飲み込み角を超えてケラレが起きてしまい、結果として光の利用効率が低下してしまう場合がある。このような場合には、第２マイクロレンズＭＬ２が負の屈折力を持つ構成としてもよい。   When the liquid crystal device 1 is used as a liquid crystal light valve of a projector, if most of the light emitted from the liquid crystal device 1 is inclined with respect to the normal direction, vignetting occurs beyond the swallowing angle of the projection lens. As a result, the light utilization efficiency may decrease. In such a case, the second micro lens ML2 may have a negative refractive power.

また、本実施形態では、遮光部３１が見切り領域ＢＳに枠状に設けられている構成としたが、遮光部３１は、枠状の部分に加えて、ＴＦＴ２４に光が入射することを抑制するため、素子基板２０の遮光部２２および遮光部２６（図３参照）と平面視で重なる格子状の部分を有していてもよい。しかしながら、液晶装置１では第１光路長調整層３２ａにスリット３３を備えており、第１マイクロレンズＭＬ１および第２マイクロレンズＭＬ２による屈折が十分でなく開口領域Ｔ外へ向かって進んでしまう光をスリット３３で反射させて開口領域Ｔへ入射させることができるので、ＴＦＴ２４に光が入射することを十分に抑制できる。   In the present embodiment, the light shielding portion 31 is provided in a frame shape in the parting area BS. However, the light shielding portion 31 suppresses light from entering the TFT 24 in addition to the frame shape portion. Therefore, the light shielding portion 22 and the light shielding portion 26 (see FIG. 3) of the element substrate 20 may have lattice-like portions that overlap in a plan view. However, in the liquid crystal device 1, the first optical path length adjusting layer 32a includes the slit 33, and light that is not sufficiently refracted by the first microlens ML1 and the second microlens ML2 and travels outside the opening region T. Since the light can be reflected by the slit 33 and incident on the opening region T, it is possible to sufficiently suppress the light from entering the TFT 24.

さらに、本実施形態では第２マイクロレンズＭＬ２側（第２レンズ層１５）のみにダミーマイクロレンズＭＬｄを有する構成としたが、第１マイクロレンズＭＬ１側にもダミーマイクロレンズを有する構成としてもよい。   Furthermore, in this embodiment, the dummy microlens MLd is provided only on the second microlens ML2 side (second lens layer 15). However, the dummy microlens may be provided on the first microlens ML1 side.

＜マイクロレンズアレイ基板の製造方法＞
次に、本実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０の製造方法を説明する。図５〜図９は、本実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す概略図である。なお、図５〜図８の各図は、図４（ａ）に示す概略断面に相当する。また、図９（ａ）および（ｂ）は、図４（ｂ）に示す概略平面に相当する。 <Manufacturing method of microlens array substrate>
Next, a method for manufacturing the microlens array substrate 10 according to the present embodiment will be described. 5 to 9 are schematic views showing a method of manufacturing the microlens array substrate according to the present embodiment. Each of FIGS. 5 to 8 corresponds to the schematic cross section shown in FIG. 9A and 9B correspond to the schematic plane shown in FIG. 4B.

まず、図５（ａ）に示すように、石英などからなる光透過性を有する基板１１の面１１ａに、例えば、ＳｉＯ2などの酸化膜からなる制御膜７０を形成する。制御膜７０は、等方性エッチングにおけるエッチングレートが基板１１と異なっており、凹部１２を形成する際の深さ方向（Ｚ方向）のエッチングレートに対して幅方向（図４（ｂ）に示すＸ方向およびＹ方向）のエッチングレートを調整する機能を有する。 First, as shown in FIG. 5A, a control film 70 made of an oxide film such as SiO 2 is formed on the surface 11a of the light-transmitting substrate 11 made of quartz or the like. The control film 70 is different in etching rate in isotropic etching from that of the substrate 11 and is in the width direction (shown in FIG. 4B) with respect to the etching rate in the depth direction (Z direction) when the recess 12 is formed. It has a function of adjusting the etching rate in the X direction and the Y direction.

制御膜７０を形成した後、所定の温度で制御膜７０のアニールを行う。制御膜７０のエッチングレートは、アニール時の温度により変化する。したがって、アニール時の温度を適宜設定することにより、制御膜７０のエッチングレートを調整することができる。   After forming the control film 70, the control film 70 is annealed at a predetermined temperature. The etching rate of the control film 70 varies depending on the annealing temperature. Therefore, the etching rate of the control film 70 can be adjusted by appropriately setting the temperature during annealing.

次に、制御膜７０上にマスク層７２を形成する。そして、マスク層７２をパターニングして、マスク層７２に開口部７２ａを形成する。この開口部７２ａの平面的な中心の位置が、形成される凹部１２における中心となる。続いて、マスク層７２の開口部７２ａを介して、制御膜７０で覆われた基板１１に等方性エッチングを施す。図示を省略するがこの等方性エッチングにより、制御膜７０の開口部７２ａと重なる領域に開口部が形成され、その開口部を介して基板１１がエッチングされる。   Next, a mask layer 72 is formed on the control film 70. Then, the mask layer 72 is patterned to form openings 72 a in the mask layer 72. The position of the planar center of the opening 72a is the center of the recess 12 to be formed. Subsequently, isotropic etching is performed on the substrate 11 covered with the control film 70 through the opening 72 a of the mask layer 72. Although not shown, by this isotropic etching, an opening is formed in a region overlapping the opening 72a of the control film 70, and the substrate 11 is etched through the opening.

等方性エッチングには、制御膜７０のエッチングレートの方が基板１１のエッチングレートよりも大きくなるようなエッチング液（例えば、フッ酸溶液）を用いる。これにより、等方性エッチングにおける制御膜７０の単位時間当たりのエッチング量が基板１１の単位時間当たりのエッチング量よりも多くなるので、制御膜７０に形成された開口部の拡大に伴って、基板１１の幅方向におけるエッチング量が深さ方向におけるエッチング量よりも多くなる。   For the isotropic etching, an etching solution (for example, hydrofluoric acid solution) is used such that the etching rate of the control film 70 is larger than the etching rate of the substrate 11. As a result, the etching amount per unit time of the control film 70 in the isotropic etching is larger than the etching amount per unit time of the substrate 11, so that the substrate is expanded along with the enlargement of the opening formed in the control film 70. The etching amount in the width direction 11 is larger than the etching amount in the depth direction.

等方性エッチングにより、開口部７２ａから制御膜７０と基板１１とがエッチングされ、図５（ｂ）に示すように、基板１１の面１１ａ側に凹部１２が形成される。上述したエッチングレートの設定により、凹部１２の幅方向が深さ方向よりも拡大されて、凹部１２の周縁部にテーパー状の斜面が形成される。なお、図５（ｂ）には、マスク層７２および制御膜７０が除去された後の状態を示している。   By the isotropic etching, the control film 70 and the substrate 11 are etched from the opening 72a, and the recess 12 is formed on the surface 11a side of the substrate 11 as shown in FIG. By setting the etching rate as described above, the width direction of the recess 12 is expanded more than the depth direction, and a tapered slope is formed at the peripheral edge of the recess 12. FIG. 5B shows a state after the mask layer 72 and the control film 70 are removed.

本工程では、Ｘ方向およびＹ方向において隣り合う凹部１２同士が互いに接続されるまで等方性エッチングを行う。なお、等方性エッチングは、Ｘ方向およびＹ方向と交差する対角線方向において隣り合う凹部１２同士が互いに離間されている状態、すなわち対角線方向において隣り合う凹部１２同士の間に基板１１の面１１ａが残された状態で終了することが好ましい。   In this step, isotropic etching is performed until the recesses 12 adjacent in the X direction and the Y direction are connected to each other. In the isotropic etching, the recesses 12 adjacent in the diagonal direction intersecting the X direction and the Y direction are separated from each other, that is, the surface 11a of the substrate 11 is between the recesses 12 adjacent in the diagonal direction. It is preferable to end with the remaining state.

対角線方向において隣り合う凹部１２同士が互いに接続されるまで等方性エッチングを行うと、マスク層７２が基板１１から浮いて剥がれてしまうおそれがある。隣り合う凹部１２同士の間に基板１１の面１１ａが残っている状態で等方性エッチングを終了すれば、等方性エッチングが終了するまでマスク層７２を支持することができる。これにより、凹部１２の平面形状は、４隅の角部が丸くなった略矩形状となる（図４（ｂ）参照）。   If isotropic etching is performed until the recesses 12 adjacent to each other in the diagonal direction are connected to each other, the mask layer 72 may be lifted off from the substrate 11 and peeled off. If the isotropic etching is finished with the surface 11a of the substrate 11 remaining between the adjacent recesses 12, the mask layer 72 can be supported until the isotropic etching is finished. Thereby, the planar shape of the recessed part 12 becomes a substantially rectangular shape with rounded corners at four corners (see FIG. 4B).

なお、本実施形態では、周縁部にテーパー状の斜面を有する凹部１２を形成するが、周縁部にテーパー状の斜面を有しておらず全体が曲面部で構成された凹部１２を形成するようにしてもよい。この場合には、凹部１２を形成する際に制御膜７０を設けなくてもよい。   In the present embodiment, the concave portion 12 having a tapered slope is formed at the peripheral portion, but the concave portion 12 which does not have the tapered slope at the peripheral portion and is entirely constituted by a curved portion is formed. It may be. In this case, the control film 70 may not be provided when forming the recess 12.

次に、図５（ｃ）に示すように、基板１１の面１１ａ側を覆い凹部１２を埋め込むように、光透過性を有し、基板１１よりも高い光屈折率を有する無機材料を堆積して第１レンズ層１３を形成する。第１レンズ層１３は、例えばＣＶＤ法を用いて形成することができる。凹部１２を埋め込むように形成されるため、第１レンズ層１３の表面は、基板１１の凹部１２に起因する凹凸が反映された凹凸形状となる。   Next, as shown in FIG. 5C, an inorganic material having light transmittance and a higher refractive index than that of the substrate 11 is deposited so as to cover the surface 11 a side of the substrate 11 and fill the recess 12. Thus, the first lens layer 13 is formed. The first lens layer 13 can be formed using, for example, a CVD method. Since the concave portion 12 is formed so as to be embedded, the surface of the first lens layer 13 has an uneven shape reflecting the unevenness caused by the concave portion 12 of the substrate 11.

なお、基板１１と第１レンズ層１３との間に、第１マイクロレンズＭＬ１と第２マイクロレンズＭＬ２との位置合わせや、マイクロレンズアレイ基板１０（対向基板３０）と素子基板２０との位置合わせのためのアライメントマークを形成してもよい。アライメントマークは、図５（ｅ）に示す工程において遮光部３１が形成される見切り領域ＢＳに配置される。   In addition, between the board | substrate 11 and the 1st lens layer 13, position alignment with the 1st micro lens ML1 and 2nd micro lens ML2, and position alignment with the micro lens array board | substrate 10 (counter board | substrate 30) and the element board | substrate 20 are carried out. An alignment mark may be formed. The alignment mark is arranged in the parting area BS where the light shielding part 31 is formed in the step shown in FIG.

次に、図５（ｄ）に示すように、第１レンズ層１３に対して平坦化処理を施す。平坦化処理では、例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理などを用いて、第１レンズ層１３の上方側の凹凸が形成された部分を研磨して除去することにより、上面が平坦化される。そして、凹部１２に第１レンズ層１３の材料が埋め込まれることにより、第１マイクロレンズＭＬ１が構成される。   Next, as shown in FIG. 5D, the first lens layer 13 is flattened. In the flattening process, for example, the upper surface of the first lens layer 13 is flattened by polishing and removing the portion where the irregularities on the upper side of the first lens layer 13 are formed using a CMP (Chemical Mechanical Polishing) process or the like. Then, the first microlens ML <b> 1 is configured by embedding the material of the first lens layer 13 in the recess 12.

次に、図５（ｅ）に示すように、第１レンズ層１３を覆って、光透過性を有し、例えば基板１１と同程度の光屈折率を有する無機材料を堆積して中間層１４を形成する。中間層１４は、例えばＣＶＤ法を用いて形成することができる。そして、中間層１４上に、アルミニウム（Ａｌ）などの金属あるいは金属酸化物などで遮光部３１を形成する。遮光部３１は、凹部１２が形成された領域の周囲に枠状に形成される。遮光部３１と平面視で重なる領域が見切り領域ＢＳとなり、見切り領域ＢＳに囲まれた領域が表示領域Ｅとなる。   Next, as shown in FIG. 5 (e), the intermediate layer 14 is deposited by depositing an inorganic material that covers the first lens layer 13 and has optical transparency, for example, a light refractive index similar to that of the substrate 11. Form. The intermediate layer 14 can be formed using, for example, a CVD method. Then, the light shielding portion 31 is formed on the intermediate layer 14 with a metal such as aluminum (Al) or a metal oxide. The light shielding portion 31 is formed in a frame shape around the region where the recess 12 is formed. An area overlapping the light shielding unit 31 in plan view is a parting area BS, and an area surrounded by the parting area BS is a display area E.

次に、図６（ａ）に示すように、中間層１４と遮光部３１とを覆うように、光透過性を有し、基板１１よりも高い光屈折率を有する無機材料を堆積して下地レンズ層１５ａを形成する。下地レンズ層１５ａは、例えばＣＶＤ法を用いて形成することができる。   Next, as shown in FIG. 6A, an inorganic material having light transmittance and a higher refractive index than that of the substrate 11 is deposited so as to cover the intermediate layer 14 and the light shielding portion 31. The lens layer 15a is formed. The base lens layer 15a can be formed using, for example, a CVD method.

次に、図６（ｂ）に示すように、下地レンズ層１５ａ上に、感光性材料層としてのレジスト層７４を形成する。レジスト層７４は、例えば、露光部分が現像により除去されるポジ型の感光性レジストで形成する。レジスト層７４は、例えば、スピンコート法やロールコート法などで形成することができる。そして、凸部１６、凸部１７、凸部１８が形成されるそれぞれの位置に対応して遮光部７５ａ，７５ｂ，７５ｃが設けられたマスク７５を介して、レジスト層７４を露光して現像する。マスク７５において、凸部１６に対応する遮光部７５ａの大きさ（Ｘ方向およびＹ方向における径）は、凸部１７に対応する遮光部７５ｂの大きさと同じである。   Next, as shown in FIG. 6B, a resist layer 74 as a photosensitive material layer is formed on the base lens layer 15a. The resist layer 74 is formed of, for example, a positive photosensitive resist whose exposed portion is removed by development. The resist layer 74 can be formed by, for example, a spin coat method or a roll coat method. Then, the resist layer 74 is exposed and developed through the mask 75 provided with the light shielding portions 75a, 75b, and 75c corresponding to the positions where the convex portions 16, the convex portions 17, and the convex portions 18 are formed. . In the mask 75, the size (diameter in the X direction and Y direction) of the light shielding portion 75 a corresponding to the convex portion 16 is the same as the size of the light shielding portion 75 b corresponding to the convex portion 17.

図６（ｂ）に矢印で示すように、マスク７５の上方から露光光を照射してレジスト層７４を露光し現像する（パターニング工程）。これにより、図６（ｃ）に示すように、レジスト層７４のうち、マスクの遮光部７５ａ，７５ｂ，７５ｃと重なる領域以外の領域が露光されて除去され、遮光部７５ａ，７５ｂ，７５ｃと重なる部分がそれぞれ島状に残留する。すなわち、レジスト層７４がパターニングされて、第１島状部としての部分７６と、第２島状部としての部分７７と、枠状部としての部分７８とが形成される。   6B, the resist layer 74 is exposed and developed by irradiating exposure light from above the mask 75 (patterning step). As a result, as shown in FIG. 6C, areas of the resist layer 74 other than the areas that overlap the light shielding portions 75a, 75b, and 75c of the mask are exposed and removed and overlap the light shielding portions 75a, 75b, and 75c. Each part remains like an island. That is, the resist layer 74 is patterned to form a portion 76 as a first island-shaped portion, a portion 77 as a second island-shaped portion, and a portion 78 as a frame-shaped portion.

図９（ａ）に、レジスト層７４にパターニングを行った後の図６（ｃ）の状態における平面図を示す。図９（ａ）に示すように、下地レンズ層１５ａ上に部分７６と部分７７と部分７８とが形成されている。部分７６同士、部分７７同士、部分７６と部分７７と部分７８とは、Ｘ方向、Ｙ方向、および対角線方向において互いに離間されている。部分７６、部分７７、部分７８は、それぞれ、後の工程で形成される凸部１６、凸部１７、凸部１８に対応する。   FIG. 9A shows a plan view of the state of FIG. 6C after the resist layer 74 has been patterned. As shown in FIG. 9A, a portion 76, a portion 77, and a portion 78 are formed on the base lens layer 15a. The portions 76, 77, and the portions 76, 77, and 78 are separated from each other in the X direction, the Y direction, and the diagonal direction. The portion 76, the portion 77, and the portion 78 correspond to the convex portion 16, the convex portion 17, and the convex portion 18 that are formed in a later step, respectively.

部分７６は、Ｘ方向およびＹ方向に凸部１６の配置ピッチ（Ｄ１）と同じ配置ピッチでマトリックス状に配列される。部分７７は、部分７６と同じ配置ピッチで部分７６の周囲に一列に配置される。部分７８は、部分７７の周囲に枠状に配置される。   The portions 76 are arranged in a matrix at the same arrangement pitch as the arrangement pitch (D1) of the protrusions 16 in the X direction and the Y direction. The portions 77 are arranged in a line around the portions 76 at the same arrangement pitch as the portions 76. The portion 78 is arranged in a frame shape around the portion 77.

部分７６および部分７７の平面形状は、例えば、４隅の角部が丸く形成された略矩形状である。なお、部分７６および部分７７の４隅の角部を丸く形成する方法は、レジスト層７４を露光する際のマスクにおいて４隅の角部を丸くしてもよいし、マスクでは矩形の状態としてレジスト層７４を露光する際に４隅の角部を丸く形成するようにしてもよい。部分７８の平面形状は、一対のＸ方向に延在する部分と一対のＹ方向に延在する部分とが互いに接続された枠状である。   The planar shape of the portion 76 and the portion 77 is, for example, a substantially rectangular shape in which corners at four corners are rounded. Note that the corners of the four corners of the portion 76 and the portion 77 may be rounded by rounding the corners of the four corners in the mask when the resist layer 74 is exposed. When the layer 74 is exposed, the corners of the four corners may be rounded. The planar shape of the portion 78 is a frame shape in which a pair of portions extending in the X direction and a pair of portions extending in the Y direction are connected to each other.

ところで、レジスト層７４を露光する工程において、表示領域Ｅでは、レジスト層７４に照射された光は基板１１側へ透過する。一方、図９（ａ）に右下向きの斜線を付して示す見切り領域ＢＳでは、下地レンズ層１５ａと中間層１４との間に遮光部３１が配置されているので、レジスト層７４に照射された光は遮光部３１で遮光されるが、遮光部３１で反射された反射光がレジスト層７４側に戻る。したがって、レジスト層７４において、遮光部７５ｂと重なる部分の露光量は、遮光部７５ａと重なる部分の露光量よりも多くなる。   By the way, in the step of exposing the resist layer 74, in the display region E, the light applied to the resist layer 74 is transmitted to the substrate 11 side. On the other hand, in the parting area BS indicated by a right-downward oblique line in FIG. 9A, since the light shielding portion 31 is disposed between the base lens layer 15a and the intermediate layer 14, the resist layer 74 is irradiated. The reflected light is shielded by the light shielding portion 31, but the reflected light reflected by the light shielding portion 31 returns to the resist layer 74 side. Accordingly, in the resist layer 74, the exposure amount of the portion overlapping the light shielding portion 75b is larger than the exposure amount of the portion overlapping the light shielding portion 75a.

そのため、遮光部７５ｂと重なり残留した部分７７のＸ方向およびＹ方向における径Ｄ４は、遮光部７５ａと重なり残留した部分７６のＸ方向およびＹ方向における径Ｄ３よりも小さくなる。部分７７の径Ｄ４は、部分７６の径Ｄ３に対して、例えば４％〜６％程度小さくなる。また、遮光部７５ｃと重なる部分の露光量も多くなるため、残留した部分７８の大きさも小さくなる。なお、図９（ａ）には、遮光部３１で反射された反射光がない場合の部分７７および部分７８の外形を２点鎖線で比較して示している。   Therefore, the diameter D4 in the X direction and the Y direction of the portion 77 remaining overlapping with the light shielding portion 75b is smaller than the diameter D3 in the X direction and the Y direction of the portion 76 remaining overlapping with the light shielding portion 75a. The diameter D4 of the portion 77 is smaller than the diameter D3 of the portion 76 by, for example, about 4% to 6%. Further, since the exposure amount of the portion overlapping the light shielding portion 75c is increased, the size of the remaining portion 78 is also reduced. In FIG. 9A, the outer shapes of the portion 77 and the portion 78 in the case where there is no reflected light reflected by the light shielding portion 31 are shown by comparison with two-dot chain lines.

次に、図７（ａ）に示すように、レジスト層７４のうち残留した部分７６，７７，７８に、リフロー処理などの加熱処理を施すことにより軟化（溶融）させる。溶融した部分７６，７７，７８は、流動状態となり表面張力の作用で表面が曲面状に変形する。これにより、下地レンズ層１５ａ上に残留した部分７６，７７，７８から略楕円球面状の凸部７６ａ，７７ａ，７８ａが形成される。凸部７６ａ，７７ａ，７８ａの底部側（下地レンズ層１５ａ側）は平面視で４隅の角部が丸い略矩形状であるが、凸部７６ａ，７７ａ，７８ａの略球面状の先端側（上方）は平面視で略同心円状となる。   Next, as shown in FIG. 7A, the remaining portions 76, 77, 78 of the resist layer 74 are softened (melted) by performing a heat treatment such as a reflow treatment. The melted portions 76, 77, and 78 are in a fluid state, and the surface is deformed into a curved surface by the action of surface tension. Thereby, substantially elliptic spherical convex portions 76a, 77a, 78a are formed from the portions 76, 77, 78 remaining on the base lens layer 15a. The bottom side (the base lens layer 15a side) of the convex portions 76a, 77a, 78a has a substantially rectangular shape with rounded corners at four corners in plan view, but the substantially spherical tip side of the convex portions 76a, 77a, 78a ( The upper part is substantially concentric in plan view.

なお、図６（ｂ）に示す工程において、レジスト層７４に、例えば、グレイスケールマスクや面積階調マスクを用いて露光する方法、多段階露光する方法などを用いて、レジスト層７４から図７（ａ）に示す凸部７６ａ，７７ａ，７８ａの形状に加工するようにしてもよい。   In the step shown in FIG. 6B, the resist layer 74 is exposed to the resist layer 74 from the resist layer 74 using, for example, a gray scale mask or an area gradation mask, a multi-step exposure method, and the like. You may make it process into the shape of the convex part 76a, 77a, 78a shown to (a).

次に、図７（ｂ）に示すように、凸部７６ａ，７７ａ，７８ａと下地レンズ層１５ａとに上方側から、例えば、ドライエッチングなどの異方性エッチングを施す（エッチング工程）。このエッチング工程により、レジストからなる凸部７６ａ，７７ａ，７８ａが徐々に除去され、凸部７６ａ，７７ａ，７８ａの除去に伴って下地レンズ層１５ａの露出する部分がエッチングされて除去される。   Next, as shown in FIG. 7B, anisotropic etching such as dry etching is performed on the convex portions 76a, 77a, 78a and the base lens layer 15a from the upper side (etching step). By this etching process, the convex portions 76a, 77a, and 78a made of resist are gradually removed, and the exposed portions of the base lens layer 15a are etched and removed along with the removal of the convex portions 76a, 77a, and 78a.

凸部７６ａ，７７ａ，７８ａがすべて除去されると、下地レンズ層１５ａに凸部７６ａ，７７ａ，７８ａのそれぞれの形状が転写されて、凸部１６ａ，１７ａ，１８ａが形成される。本工程では、異方性エッチングにおける凸部７６ａ，７７ａ，７８ａの材料（レジスト）のエッチングレートと下地レンズ層１５ａの材料のエッチングレートとを略同一にできる条件とすることで、形成される凸部１６ａ，１７ａ，１８ａのそれぞれの形状を、凸部７６ａ，７７ａ，７８ａのそれぞれの形状と略同一とすることができる。   When all the convex portions 76a, 77a, and 78a are removed, the shapes of the convex portions 76a, 77a, and 78a are transferred to the base lens layer 15a to form the convex portions 16a, 17a, and 18a. In this step, the convexity formed by setting the etching rate of the material (resist) of the convex portions 76a, 77a, 78a and the etching rate of the material of the base lens layer 15a in anisotropic etching to be substantially the same. The shapes of the portions 16a, 17a, and 18a can be made substantially the same as the shapes of the convex portions 76a, 77a, and 78a.

エッチング工程では、第２マイクロレンズＭＬ２を構成するための凸部１６ａは、レジスト層７４がパターニングされ凸状に成形された凸部７６ａに沿って下地レンズ層１５ａがエッチングされることで形成される。したがって、表示領域Ｅ内に形成される複数の凸部１６ａのそれぞれは、周囲の凸部１６ａの影響を受けながら形成される。   In the etching process, the convex portion 16a for forming the second microlens ML2 is formed by etching the base lens layer 15a along the convex portion 76a formed by patterning the resist layer 74 and forming a convex shape. . Therefore, each of the plurality of convex portions 16a formed in the display region E is formed while being influenced by the surrounding convex portions 16a.

ここで、仮に、凸部１６ａだけを形成しその周囲に凸部１７ａを形成しない場合、エッチング工程において表示領域Ｅ内の最外周部に形成される凸部１６ａは、片側（外側）に隣り合う凸部１６ａが存在しないこととなる。そのため、最外周部に形成される凸部１６ａでは、周囲に隣り合う凸部１６ａが存在する凸部１６ａと比べて、エッチング工程における下地レンズ層１５ａの除去量が多くなり、形状に差異が生じる。その結果、最外周の第２マイクロレンズＭＬ２と、その内側に位置する他の第２マイクロレンズＭＬ２とで特性にばらつきが生じてしまう。   Here, if only the convex portion 16a is formed and the convex portion 17a is not formed around the convex portion 16a, the convex portion 16a formed on the outermost peripheral portion in the display region E in the etching process is adjacent to one side (outside). The convex part 16a does not exist. Therefore, in the convex portion 16a formed on the outermost peripheral portion, the removal amount of the base lens layer 15a in the etching process is increased and the shape is different as compared with the convex portion 16a where the adjacent convex portion 16a exists. . As a result, variations in characteristics occur between the outermost second microlens ML2 and the other second microlens ML2 located inside thereof.

そこで、本実施形態では、表示に寄与する第２マイクロレンズＭＬ２（凸部１６ａ）の周囲に表示に寄与しないダミーマイクロレンズＭＬｄ（凸部１７ａ）を配置することで、表示領域Ｅ内において第２マイクロレンズＭＬ２（凸部１６ａ）の形状の差異が生じないようにしている。また、ダミーマイクロレンズＭＬｄ（凸部１７ａ）の周囲に枠状の凸部１８ａを配置することで、表示領域Ｅ内における第２マイクロレンズＭＬ２（凸部１６ａ）の形状の差異がより小さく抑えられる。   Therefore, in the present embodiment, the dummy microlens MLd (convex portion 17a) that does not contribute to display is arranged around the second microlens ML2 (convex portion 16a) that contributes to display, so that the second microlens MLd (convex portion 17a) contributes to display. The difference in the shape of the microlens ML2 (convex portion 16a) is prevented from occurring. Further, by arranging the frame-shaped convex portion 18a around the dummy microlens MLd (convex portion 17a), the difference in the shape of the second microlens ML2 (convex portion 16a) in the display region E can be further reduced. .

本実施形態では、後の工程で形成される光路長調整層３２の表面を平坦化する際の平坦化処理の工数を低減するため、第２マイクロレンズＭＬ２（凸部１６ａ）の周囲に配置されるダミーマイクロレンズＭＬｄ（凸部１７ａ）を、Ｘ方向およびＹ方向において一列のみとしている。これについては、図８（ｃ）に示す平坦化処理工程において説明する。   In the present embodiment, it is arranged around the second microlens ML2 (convex portion 16a) in order to reduce the number of steps of the flattening process when flattening the surface of the optical path length adjusting layer 32 formed in a later step. The dummy microlenses MLd (convex portions 17a) are arranged in only one row in the X direction and the Y direction. This will be described in the planarization process shown in FIG.

次に、図７（ｃ）に示すように、下地レンズ層１５ａの凸部１８ａの周縁部を表面側から所定の厚さ分だけ除去して、略平坦な面を有する平坦部１９ａを形成する。平坦部１９ａを形成する方法は、例えば、下地レンズ層１５ａのうち平坦部１９ａを形成する領域以外を保護部材などで覆い、下地レンズ層１５ａにドライエッチングなどの異方性エッチングを施す。   Next, as shown in FIG. 7C, the peripheral portion of the convex portion 18a of the base lens layer 15a is removed by a predetermined thickness from the surface side to form a flat portion 19a having a substantially flat surface. . As a method of forming the flat portion 19a, for example, a region other than the region where the flat portion 19a is formed in the base lens layer 15a is covered with a protective member or the like, and the base lens layer 15a is subjected to anisotropic etching such as dry etching.

図９（ｂ）に、図７（ｃ）に示す工程を行った後の状態における下地レンズ層１５ａの平面図を示す。図９（ｂ）に示す凸部１６ａおよび凸部１７ａの平面形状は、図９（ａ）に示すパターニング工程を行った後の部分７６および部分７７の平面形状が転写されたものである。凸部１８ａは、Ｘ方向に延在する部分およびＹ方向に延在する枠状の部分のうち、内側の部分を幅Ｖだけ残してその外側がエッチングにより除去される。残される凸部１８ａの幅Ｖは、後の図８（ａ）に示す工程で下地レンズ層１５ａ上に表層レンズ層１５ｂを積層して形成される凸部１８の幅Ｗが凸部１６の配置ピッチの１／２以下となるように適宜設定される。   FIG. 9B is a plan view of the base lens layer 15a in a state after the process shown in FIG. 7C is performed. The planar shapes of the convex portions 16a and the convex portions 17a shown in FIG. 9B are obtained by transferring the planar shapes of the portions 76 and 77 after the patterning process shown in FIG. 9A. The convex portion 18a is removed by etching while leaving the inner portion of the portion extending in the X direction and the frame-shaped portion extending in the Y direction by a width V. The width V of the remaining convex portion 18a is such that the width W of the convex portion 18 formed by laminating the surface lens layer 15b on the base lens layer 15a in the process shown in FIG. It is appropriately set so as to be 1/2 or less of the pitch.

また、図７（ｃ）に示すように、平坦部１９ａを形成するために凸部１８ａの表面側から下地レンズ層１５ａを除去する所定の厚さ（深さ）をＨ３とすると、形成された平坦部１９ａと凸部１８ａの最上部との間に段差Ｈ３が形成される。段差Ｈ３は、後の図８（ａ）に示す工程で下地レンズ層１５ａ上に表層レンズ層１５ｂを積層して形成される平坦部１９と凸部１８の最上部との段差Ｈ２が凸部１８の高さＨ１の１／２よりも小さくなるように適宜設定される。   Further, as shown in FIG. 7C, when the predetermined thickness (depth) for removing the base lens layer 15a from the surface side of the convex portion 18a to form the flat portion 19a is H3, the flat portion 19a is formed. A step H3 is formed between the flat part 19a and the uppermost part of the convex part 18a. In the step H3, the step H2 between the flat portion 19 formed by laminating the surface lens layer 15b on the base lens layer 15a in the later step shown in FIG. It is appropriately set so as to be smaller than ½ of the height H1.

平坦部１９ａの形成は、後の工程で形成される光路長調整層３２の表面を平坦化する際の平坦化処理の工数を低減することを目的とする。これについても、図８（ｃ）に示す平坦化処理工程において説明する。   The formation of the flat portion 19a aims to reduce the number of steps of the flattening process when flattening the surface of the optical path length adjusting layer 32 formed in a later step. This will also be described in the planarization process shown in FIG.

次に、図８（ａ）に示すように、下地レンズ層１５ａ上に表層レンズ層１５ｂを積層して形成する。表層レンズ層１５ｂは、下地レンズ層１５ａと同一の材料を用い同様の方法で形成する。積層された下地レンズ層１５ａと表層レンズ層１５ｂとにより、第２レンズ層１５が構成される。上述したように、下地レンズ層１５ａと表層レンズ層１５ｂとの境界における光の屈折や反射はほとんど無視することができる。   Next, as shown in FIG. 8A, a surface lens layer 15b is laminated on the base lens layer 15a. The surface lens layer 15b is formed by the same method using the same material as the base lens layer 15a. The second lens layer 15 is constituted by the laminated base lens layer 15a and surface lens layer 15b. As described above, light refraction and reflection at the boundary between the base lens layer 15a and the surface lens layer 15b can be almost ignored.

下地レンズ層１５ａの凸部１６ａ，１７ａ，１８ａを覆うように表層レンズ層１５ｂを積層することにより、第２レンズ層１５（表層レンズ層１５ｂ）の表面に、凸部１６ａ，１７ａ，１８ａがそれぞれ拡大された凸部１６，１７，１８が形成される。この結果、Ｘ方向およびＹ方向において隣り合う凸部１６同士は互いに接続される。   By laminating the surface lens layer 15b so as to cover the convex portions 16a, 17a and 18a of the base lens layer 15a, the convex portions 16a, 17a and 18a are formed on the surface of the second lens layer 15 (surface lens layer 15b), respectively. Enlarged convex portions 16, 17, and 18 are formed. As a result, the convex portions 16 adjacent in the X direction and the Y direction are connected to each other.

なお、下地レンズ層１５ａと表層レンズ層１５ｂとを光屈折率が互いに異なる材料で形成する構成としてもよい。このような構成とする場合は、下地レンズ層１５ａと表層レンズ層１５ｂとの間で光の屈折が起きることとなる。この光の屈折を利用して入射する光を集光または拡散することにより、光の利用効率向上を図ることも可能である。   The base lens layer 15a and the surface lens layer 15b may be formed of materials having different optical refractive indexes. In such a configuration, light is refracted between the base lens layer 15a and the surface lens layer 15b. It is also possible to improve the light utilization efficiency by condensing or diffusing the incident light by utilizing this light refraction.

次に、図８（ｂ）に示すように、第２レンズ層１５を覆うように、光透過性を有し、第２レンズ層１５とは異なる光屈折率を有する無機材料を堆積して第１光路長調整層３２ａを形成する。第１光路長調整層３２ａは、例えばＣＶＤ法を用いて形成することができる。第１光路長調整層３２ａの表面は、第２レンズ層１５の凸部１６，１７，１８に起因する凹凸が反映された凹凸形状となる。   Next, as shown in FIG. 8B, an inorganic material having a light transmittance and a refractive index different from that of the second lens layer 15 is deposited so as to cover the second lens layer 15. One optical path length adjusting layer 32a is formed. The first optical path length adjustment layer 32a can be formed using, for example, a CVD method. The surface of the first optical path length adjusting layer 32a has a concavo-convex shape reflecting the concavo-convex caused by the convex portions 16, 17, and 18 of the second lens layer 15.

この工程では、第１光路長調整層３２ａが積層されるとともに、この第１光路長調整層３２ａの内部にスリット３３が形成される。第１光路長調整層３２ａは、第２レンズ層１５の凸部１６の形状を拡大するように成長する。凸部１６同士の間の谷部においては、その両側の凸部１６から略均一に成長が進むため、狭まった部分で両側の成長方向が交錯する。交錯した部分には、成長方向の境界線としてスリット３３が形成される。スリット３３は、第１光路長調整層３２ａの内部において、積層方向（Ｚ方向）に沿って成長する。   In this step, the first optical path length adjustment layer 32a is laminated, and the slit 33 is formed inside the first optical path length adjustment layer 32a. The first optical path length adjustment layer 32 a grows so as to enlarge the shape of the convex portion 16 of the second lens layer 15. In the valley portion between the convex portions 16, the growth proceeds substantially uniformly from the convex portions 16 on both sides thereof, so that the growth directions on both sides intersect at a narrowed portion. A slit 33 is formed as a boundary line in the growth direction at the crossed portion. The slit 33 grows along the stacking direction (Z direction) inside the first optical path length adjustment layer 32a.

次に、図８（ｃ）に示すように、第１光路長調整層３２ａに対して平坦化処理を施す（平坦化処理工程）。平坦化処理工程では、例えば、ＣＭＰ処理などを用いて、図８（ｂ）に示す第１光路長調整層３２ａの２点鎖線より上方側の凹凸が形成された部分を研磨して除去することにより、上面を平坦化する。平坦化処理工程においては、凸部１６，１７，１８に起因する個々の凹凸状の段差を緩和するとともに、表示領域Ｅおよび見切り領域ＢＳの全領域の大きな範囲の段差を緩和する必要がある。   Next, as shown in FIG. 8C, a planarization process is performed on the first optical path length adjustment layer 32a (a planarization process step). In the flattening process, for example, a CMP process or the like is used to polish and remove the portion of the first optical path length adjustment layer 32a shown in FIG. 8B where the irregularities above the two-dot chain line are formed. To flatten the upper surface. In the flattening process, it is necessary to alleviate individual uneven steps caused by the convex portions 16, 17, and 18 and to relax steps in a large range in the entire display region E and parting region BS.

ここで、凸部１７の径Ｄ２は凸部１６の径Ｄ１よりも小さい（図８（ａ）参照）ので、平坦化処理工程における第１光路長調整層３２ａの材料の単位体積当たりの密度は、凸部１６が配置された表示領域Ｅと凸部１７が配置された見切り領域ＢＳとで異なる。また、凸部１７とその周囲に配置された凸部１８との形状が異なるため、見切り領域ＢＳにおいても第１光路長調整層３２ａの材料の単位体積当たりの密度に差異が生じる。   Here, since the diameter D2 of the convex portion 17 is smaller than the diameter D1 of the convex portion 16 (see FIG. 8A), the density per unit volume of the material of the first optical path length adjusting layer 32a in the planarization process is The display area E where the convex portions 16 are arranged is different from the parting area BS where the convex portions 17 are arranged. Moreover, since the shape of the convex part 17 and the convex part 18 arrange | positioned in the circumference | surroundings differs, a difference arises in the density per unit volume of the material of the 1st optical path length adjustment layer 32a also in the parting area | region BS.

例えば、特許文献１に記載のように凸部１６の周囲に凸部１７が複数列配置されている場合は、凸部１６が配置された表示領域Ｅと見切り領域ＢＳにおける凸部１７が配置された領域とにおける第１光路長調整層３２ａの材料の単位体積当たりの密度の差がより大きくなる。   For example, as described in Patent Document 1, when a plurality of protrusions 17 are arranged around the protrusions 16, the display areas E where the protrusions 16 are arranged and the protrusions 17 in the parting area BS are arranged. The difference in density per unit volume of the material of the first optical path length adjustment layer 32a in the region is larger.

そのため、凸部１６が配置された表示領域Ｅと、見切り領域ＢＳにおいて凸部１７が配置された領域と、見切り領域ＢＳにおいて凸部１７の周囲の凸部１８が形成された領域とで、平坦化処理工程における第１光路長調整層３２ａの材料の単位体積当たりの密度が３段階で異なることとなる。したがって、凸部１６，１７，１８に起因する個々の凹凸を緩和しつつ、表示領域Ｅおよび見切り領域ＢＳの全領域の大きな範囲の段差を緩和するために、平坦化処理における第１光路長調整層３２ａの研磨量が多くなり処理工数が増大してしまう。   Therefore, the display area E in which the convex portion 16 is arranged, the area in which the convex portion 17 is arranged in the parting area BS, and the area in which the convex part 18 around the convex part 17 is formed in the parting area BS. The density per unit volume of the material of the first optical path length adjusting layer 32a in the crystallization process is different in three stages. Therefore, the first optical path length adjustment in the flattening process is performed in order to alleviate individual unevenness caused by the convex portions 16, 17, and 18 and alleviate a large step in the entire region of the display region E and the parting region BS. The amount of polishing of the layer 32a increases and the number of processing steps increases.

本実施形態では、凸部１６の周囲に配置される凸部１７が一列であるので、凸部１７が複数列配置される場合と比べて、凸部１６が配置された表示領域Ｅと、見切り領域ＢＳにおいて凸部１７が配置された領域とにおける第１光路長調整層３２ａの材料の単位体積当たりの密度の差を小さくできる。これにより、表示領域Ｅおよび見切り領域ＢＳの全領域の大きな範囲の密度の差に対して、凸部１７が配置された領域の密度の差の影響をより小さくできる。   In the present embodiment, since the convex portions 17 arranged around the convex portion 16 are in one row, the display area E in which the convex portions 16 are arranged and the parting are compared with the case where the convex portions 17 are arranged in a plurality of rows. A difference in density per unit volume of the material of the first optical path length adjustment layer 32a between the region BS and the region where the convex portions 17 are disposed can be reduced. Thereby, the influence of the density difference of the area | region where the convex part 17 is arrange | positioned can be made smaller with respect to the density difference of the large range of the display area E and the whole part area BS.

また、凸部１７の周囲に凸部１８がない場合は、第２レンズ層１５の上に形成される第１光路長調整層３２ａの表面に、表示領域Ｅと見切り領域ＢＳとの大きな段差が生じるため、平坦化処理工数が増大することとなる。本実施形態では、凸部１７の周囲に凸部１８が設けられるため、凸部１８がない場合と比べて、第１光路長調整層３２ａの表面における表示領域Ｅと見切り領域ＢＳとの段差を小さくできる。   Further, when there is no convex portion 18 around the convex portion 17, there is a large step between the display region E and the parting region BS on the surface of the first optical path length adjusting layer 32 a formed on the second lens layer 15. As a result, the number of planarization processing steps increases. In this embodiment, since the convex part 18 is provided around the convex part 17, compared with the case where there is no convex part 18, the level | step difference of the display area E and the parting area BS in the surface of the 1st optical path length adjustment layer 32a is made. Can be small.

さらに、凸部１８の周縁部に平坦部１９が形成されることで、凸部１８が幅Ｗの枠状となる。その枠状のＸ方向およびＹ方向に沿った各辺の位置において、一列に並ぶ凸部１７と連続する凸部１８が対向するように配置される。そのため、枠状の各辺の位置において、凸部１７が配置された領域と凸部１８が配置された領域とにおける光路長調整層３２の材料の単位体積当たりの密度の差を小さくできる。すなわち、見切り領域ＢＳの全領域における光路長調整層３２の材料の単位体積当たりの密度の差を小さくできる。   Furthermore, since the flat part 19 is formed in the peripheral part of the convex part 18, the convex part 18 becomes a frame shape of the width W. FIG. At the position of each side along the X direction and the Y direction of the frame shape, the protrusions 17 arranged in a row and the continuous protrusions 18 are arranged to face each other. Therefore, the difference in density per unit volume of the material of the optical path length adjusting layer 32 between the region where the convex portions 17 are arranged and the region where the convex portions 18 are arranged can be reduced at the position of each side of the frame shape. That is, the difference in density per unit volume of the material of the optical path length adjusting layer 32 in the entire parting region BS can be reduced.

これにより、平坦部１９が形成されない場合と比べて、表示領域Ｅと見切り領域ＢＳとにおける第１光路長調整層３２ａの材料の単位体積当たりの密度の差を小さくできる。なお、凸部１８の最上部と平坦部１９との段差Ｈ２と、凸部１８の幅Ｗとは、表示領域Ｅと見切り領域ＢＳとにおける第１光路長調整層３２ａの材料の単位体積当たりの密度の差ができるだけ小さくなるように設定される。   Thereby, compared with the case where the flat part 19 is not formed, the difference of the density per unit volume of the material of the 1st optical path length adjustment layer 32a in the display area E and the parting area BS can be made small. The step H2 between the uppermost portion of the convex portion 18 and the flat portion 19 and the width W of the convex portion 18 are per unit volume of the material of the first optical path length adjusting layer 32a in the display region E and the parting region BS. The density difference is set to be as small as possible.

この結果、本実施形態では、平坦化処理工程における第１光路長調整層３２ａの研磨量を少なくできるので、処理工数を低減できる。そして、第１光路長調整層３２ａの表面の平坦性を向上できる。   As a result, in the present embodiment, the amount of polishing of the first optical path length adjustment layer 32a in the planarization process can be reduced, so that the number of processing steps can be reduced. And the flatness of the surface of the 1st optical path length adjustment layer 32a can be improved.

次に、図４（ａ）に示すように、第１光路長調整層３２ａ上に、第２光路長調整層３２ｂを積層して形成する。第２光路長調整層３２ｂは、第１光路長調整層３２ａと同一の材料を用い同様の方法で形成する。そして、第２光路長調整層３２ｂの表面に平坦化処理を施して表面の平坦性をさらに向上させる。なお、第２光路長調整層３２ｂは、平坦化処理された第１光路長調整層３２ａの上に形成されるので、スリット３３が延長して形成されることはない。   Next, as shown in FIG. 4A, a second optical path length adjustment layer 32b is formed on the first optical path length adjustment layer 32a. The second optical path length adjustment layer 32b is formed by the same method using the same material as the first optical path length adjustment layer 32a. Then, the surface of the second optical path length adjusting layer 32b is subjected to a flattening process to further improve the flatness of the surface. Since the second optical path length adjustment layer 32b is formed on the planarized first optical path length adjustment layer 32a, the slit 33 is not formed by extending.

積層された第１光路長調整層３２ａと第２光路長調整層３２ｂとにより、光路長調整層３２が構成される。光路長調整層３２で凸部１６を覆うことにより、第２マイクロレンズＭＬ２が構成される。また、光路長調整層３２で凸部１７を覆うことにより、ダミーマイクロレンズＭＬｄが構成される。   The optical path length adjustment layer 32 is configured by the laminated first optical path length adjustment layer 32a and second optical path length adjustment layer 32b. The second microlens ML <b> 2 is configured by covering the convex portion 16 with the optical path length adjusting layer 32. Further, the dummy microlens MLd is configured by covering the convex portion 17 with the optical path length adjusting layer 32.

以上により、マイクロレンズアレイ基板１０が完成する。マイクロレンズアレイ基板１０が完成した後、図３に示すように、公知の技術を用いて、マイクロレンズアレイ基板１０上に共通電極３４と配向膜３５とを順に形成して対向基板３０を得る。また、基板２１上に、遮光部２２と、絶縁層２３と、ＴＦＴ２４と、絶縁層２５と、遮光部２６と、絶縁層２７と、画素電極２８と、配向膜２９とを順に公知の方法を用いて形成することにより、素子基板２０を得る。   As described above, the microlens array substrate 10 is completed. After the microlens array substrate 10 is completed, as shown in FIG. 3, the common electrode 34 and the alignment film 35 are sequentially formed on the microlens array substrate 10 using a known technique to obtain the counter substrate 30. Further, on the substrate 21, a known method is sequentially applied to the light shielding portion 22, the insulating layer 23, the TFT 24, the insulating layer 25, the light shielding portion 26, the insulating layer 27, the pixel electrode 28, and the alignment film 29. The element substrate 20 is obtained by forming using them.

続いて、素子基板２０と対向基板３０とを位置決めし、素子基板２０と対向基板３０との間に熱硬化性または光硬化性の接着剤をシール材４２（図１参照）として配置して硬化させて貼り合せる。そして、素子基板２０と対向基板３０とシール材４２とで構成される空間に液晶を封入して挟持することにより、液晶装置１が完成する。素子基板２０と対向基板３０とを貼り合せる前にシール材４２で囲まれた領域に液晶を配置することとしてもよい。   Subsequently, the element substrate 20 and the counter substrate 30 are positioned, and a thermosetting or photocurable adhesive is disposed between the element substrate 20 and the counter substrate 30 as a sealing material 42 (see FIG. 1) and cured. Let them stick together. The liquid crystal device 1 is completed by enclosing and sandwiching liquid crystal in a space formed by the element substrate 20, the counter substrate 30, and the sealing material 42. Before the element substrate 20 and the counter substrate 30 are bonded together, the liquid crystal may be disposed in a region surrounded by the sealant 42.

本実施形態に係る液晶装置１は、第１マイクロレンズＭＬ１と第２マイクロレンズＭＬ２との２段のマイクロレンズアレイを有し表面の平坦性が良好なマイクロレンズアレイ基板１０を、対向基板３０に備えている。したがって、光の利用効率を向上できるとともに、素子基板２０と対向基板３０とのギャップをより均一にできるので、明るい表示と優れた表示品質とを有する液晶装置１を提供できる。   In the liquid crystal device 1 according to the present embodiment, a microlens array substrate 10 having a two-stage microlens array of a first microlens ML1 and a second microlens ML2 and having good surface flatness is used as a counter substrate 30. I have. Therefore, the light use efficiency can be improved and the gap between the element substrate 20 and the counter substrate 30 can be made more uniform, so that the liquid crystal device 1 having a bright display and excellent display quality can be provided.

＜電子機器＞
次に、本実施形態に係る電子機器について図１０を参照して説明する。図１０は、本実施形態に係る電子機器としてのプロジェクターの構成を示す概略図である。 <Electronic equipment>
Next, an electronic apparatus according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a schematic diagram illustrating a configuration of a projector as an electronic apparatus according to the present embodiment.

図１０に示すように、本実施形態に係る電子機器としてのプロジェクター（投写型表示装置）１００は、偏光照明装置１１０と、２つのダイクロイックミラー１０４，１０５と、３つの反射ミラー１０６，１０７，１０８と、５つのリレーレンズ１１１，１１２，１１３，１１４，１１５と、３つの液晶ライトバルブ１２１，１２２，１２３と、クロスダイクロイックプリズム１１６と、投写レンズ１１７とを備えている。   As shown in FIG. 10, a projector (projection display device) 100 as an electronic apparatus according to this embodiment includes a polarization illumination device 110, two dichroic mirrors 104 and 105, and three reflection mirrors 106, 107, and 108. And five relay lenses 111, 112, 113, 114, 115, three liquid crystal light valves 121, 122, 123, a cross dichroic prism 116, and a projection lens 117.

偏光照明装置１１０は、例えば超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１０１と、インテグレーターレンズ１０２と、偏光変換素子１０３とを備えている。ランプユニット１０１と、インテグレーターレンズ１０２と、偏光変換素子１０３とは、システム光軸Ｌｘに沿って配置されている。   The polarization illumination device 110 includes a lamp unit 101 as a light source composed of a white light source such as an ultra-high pressure mercury lamp or a halogen lamp, an integrator lens 102, and a polarization conversion element 103. The lamp unit 101, the integrator lens 102, and the polarization conversion element 103 are disposed along the system optical axis Lx.

ダイクロイックミラー１０４は、偏光照明装置１１０から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１０５は、ダイクロイックミラー１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。   The dichroic mirror 104 reflects red light (R) and transmits green light (G) and blue light (B) among the polarized light beams emitted from the polarization illumination device 110. Another dichroic mirror 105 reflects the green light (G) transmitted through the dichroic mirror 104 and transmits the blue light (B).

ダイクロイックミラー１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１０６で反射した後にリレーレンズ１１５を経由して液晶ライトバルブ１２１に入射する。ダイクロイックミラー１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１１４を経由して液晶ライトバルブ１２２に入射する。ダイクロイックミラー１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１１１，１１２，１１３と２つの反射ミラー１０７，１０８とで構成される導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３に入射する。   The red light (R) reflected by the dichroic mirror 104 is reflected by the reflection mirror 106 and then enters the liquid crystal light valve 121 via the relay lens 115. The green light (G) reflected by the dichroic mirror 105 enters the liquid crystal light valve 122 via the relay lens 114. The blue light (B) transmitted through the dichroic mirror 105 is incident on the liquid crystal light valve 123 via a light guide system composed of three relay lenses 111, 112, 113 and two reflection mirrors 107, 108.

光変調素子としての透過型の液晶ライトバルブ１２１，１２２，１２３は、クロスダイクロイックプリズム１１６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１，１２２，１２３に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調され、クロスダイクロイックプリズム１１６に向けて射出される。   The transmissive liquid crystal light valves 121, 122, and 123 as light modulation elements are disposed to face the incident surfaces of the cross dichroic prism 116 for each color light. The color light incident on the liquid crystal light valves 121, 122, 123 is modulated based on video information (video signal) and emitted toward the cross dichroic prism 116.

クロスダイクロイックプリズム１１６は、４つの直角プリズムが貼り合わされて構成されており、その内面には赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投写光学系である投写レンズ１１７によってスクリーン１３０上に投写され、画像が拡大されて表示される。   The cross dichroic prism 116 is formed by bonding four right-angle prisms, and a dielectric multilayer film that reflects red light and a dielectric multilayer film that reflects blue light are formed in a cross shape on the inner surface thereof. Yes. The three color lights are synthesized by these dielectric multilayer films, and the light representing the color image is synthesized. The synthesized light is projected onto the screen 130 by the projection lens 117 which is a projection optical system, and the image is enlarged and displayed.

液晶ライトバルブ１２１は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２，１２３も同様である。液晶ライトバルブ１２１，１２２，１２３は、本実施形態に係る液晶装置１が適用されたものである。   The liquid crystal light valve 121 is arranged with a gap between a pair of polarizing elements arranged in crossed Nicols on the incident side and emission side of colored light. The same applies to the other liquid crystal light valves 122 and 123. The liquid crystal light valves 121, 122, and 123 are those to which the liquid crystal device 1 according to this embodiment is applied.

以上述べたように、本実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０、液晶装置１、およびプロジェクター１００、並びにマイクロレンズアレイ基板の製造方法によれば、以下の効果が得られる。   As described above, according to the microlens array substrate 10, the liquid crystal device 1, the projector 100, and the manufacturing method of the microlens array substrate according to the present embodiment, the following effects can be obtained.

（１）第２マイクロレンズＭＬ２（凸部１６）の周囲に配置されるダミーマイクロレンズＭＬｄ（凸部１７）が一列であるので、ダミーマイクロレンズＭＬｄが複数列配置される場合と比べて、第２マイクロレンズＭＬ２が配置された表示領域ＥとダミーマイクロレンズＭＬｄが配置された見切り領域ＢＳとにおける光路長調整層３２の材料の単位体積当たりの密度の差を小さくできる。これにより、マイクロレンズアレイ基板１０（光路長調整層３２）の表面の平坦性を向上できる。また、マイクロレンズアレイ基板１０を製造する工程における光路長調整層３２の平坦化処理の工数を低減できるので、マイクロレンズアレイ基板１０の生産性を向上させることができる。   (1) Since the dummy microlens MLd (convex portion 17) arranged around the second microlens ML2 (convex portion 16) is in a single row, the first microlens MLd is arranged in a plurality of rows compared to the case where the dummy microlenses MLd are arranged in a plurality of rows. The difference in density per unit volume of the material of the optical path length adjusting layer 32 between the display area E where the two microlenses ML2 are arranged and the parting area BS where the dummy microlenses MLd are arranged can be reduced. Thereby, the flatness of the surface of the microlens array substrate 10 (optical path length adjusting layer 32) can be improved. Moreover, since the man-hour for the planarization process of the optical path length adjustment layer 32 in the process of manufacturing the microlens array substrate 10 can be reduced, the productivity of the microlens array substrate 10 can be improved.

（２）第２レンズ層１５の凸部１７の周囲に凸部１８が配置されているので、見切り領域ＢＳにおける凸部１７が配置された領域とさらにその周囲の凸部１８が配置された領域とにおける光路長調整層３２の材料の単位体積当たりの密度の差を小さくできる。これにより、マイクロレンズアレイ基板１０（光路長調整層３２）の表面の平坦性をより向上できる。また、マイクロレンズアレイ基板１０を製造する工程における光路長調整層３２の平坦化処理の工数をより低減できる。   (2) Since the convex part 18 is arrange | positioned around the convex part 17 of the 2nd lens layer 15, the area | region where the convex part 17 in the parting area BS is arrange | positioned, and also the convex part 18 of the circumference | surroundings The difference in density per unit volume of the material of the optical path length adjusting layer 32 can be reduced. Thereby, the flatness of the surface of the microlens array substrate 10 (optical path length adjusting layer 32) can be further improved. Moreover, the man-hour of the planarization process of the optical path length adjustment layer 32 in the process of manufacturing the microlens array substrate 10 can be further reduced.

（３）一列に配置された凸部１７の周囲に凸部１８が枠状に設けられているので、その枠状のＸ方向およびＹ方向に沿った各辺の位置において、一列に並ぶ凸部１７と連続する凸部１８が対向するように配置される。そのため、枠状の各辺の位置において、凸部１７が配置された領域と凸部１８が配置された領域とにおける光路長調整層３２の材料の単位体積当たりの密度の差を小さくできる。   (3) Since the projections 18 are provided in a frame shape around the projections 17 arranged in a row, the projections arranged in a row at the positions of each side along the X direction and the Y direction of the frame shape. 17 and the convex part 18 which continues are arrange | positioned so that it may oppose. Therefore, the difference in density per unit volume of the material of the optical path length adjusting layer 32 between the region where the convex portions 17 are arranged and the region where the convex portions 18 are arranged can be reduced at the position of each side of the frame shape.

（４）凸部１７はＸ方向とＹ方向とに沿って略同一の配置ピッチＤ１で配置され、その周囲に枠状に配置された凸部１８のＸ方向およびＹ方向に沿った幅Ｗは、凸部１７の配置ピッチＤ１の１／２以下である。したがって、凸部１８の枠状のＸ方向およびＹ方向に沿った各辺の位置において、略同一の配置ピッチＤ１で一列に並ぶ凸部１７と、配置ピッチＤ１の１／２以下の幅Ｗで連続する凸部１８とが対向するように配置されるので、見切り領域ＢＳにおける凸部１７が配置された領域と凸部１８が配置された領域とにおける光路長調整層３２の材料の単位体積当たりの密度の差をより小さくすることができる。   (4) The convex portions 17 are arranged at substantially the same arrangement pitch D1 along the X direction and the Y direction, and the width W along the X direction and the Y direction of the convex portions 18 arranged in a frame shape around the convex portion 17 is as follows. , Which is 1/2 or less of the arrangement pitch D1 of the protrusions 17. Therefore, at the position of each side along the X direction and the Y direction of the frame shape of the convex portion 18, the convex portions 17 arranged in a line at substantially the same arrangement pitch D1 and the width W less than ½ of the arrangement pitch D1. Since the continuous convex portions 18 are arranged so as to face each other, per unit volume of the material of the optical path length adjustment layer 32 in the region where the convex portions 17 are arranged in the parting region BS and the region where the convex portions 18 are arranged. The difference in density can be further reduced.

（５）遮光部３１と平面的に重なる凸部１７を光路長調整層３２で覆うことにより構成されるダミーマイクロレンズＭＬｄは、遮光部３１と平面的に重なるように配置されているので、マイクロレンズアレイ基板１０に入射する光はダミーマイクロレンズＭＬｄを透過しない。したがって、凸部１６の径Ｄ１に対して凸部１７の径Ｄ２が小さいことにより、表示領域Ｅに配置された第２マイクロレンズＭＬ２に対してダミーマイクロレンズＭＬｄの特性が異なっても、マイクロレンズアレイ基板１０を透過する光に影響を与えることはない。   (5) Since the dummy microlens MLd formed by covering the convex portion 17 that overlaps the light shielding portion 31 with the optical path length adjustment layer 32 is disposed so as to overlap the light shielding portion 31 in a planar manner. The light incident on the lens array substrate 10 does not pass through the dummy microlens MLd. Therefore, even if the characteristic of the dummy microlens MLd differs from that of the second microlens ML2 disposed in the display region E because the diameter D2 of the convex portion 17 is smaller than the diameter D1 of the convex portion 16, the microlens. The light transmitted through the array substrate 10 is not affected.

（６）液晶装置１は、ＴＦＴ２４を有する素子基板２０と、素子基板２０と対向するように配置された対向基板３０と、素子基板２０と対向基板３０との間に配置された液晶層４０とを備えている。対向基板３０はマイクロレンズアレイ基板１０を含むので、対向基板３０の表面の平坦性が向上するとともに、第２レンズ層１５の凸部１６で構成され均一な特性を有する第２マイクロレンズＭＬ２が画素Ｐの開口領域Ｔと平面的に重なるように配置される。これにより、明るく優れた品質を有する画像を表示する液晶装置１を提供することができる。   (6) The liquid crystal device 1 includes an element substrate 20 having a TFT 24, a counter substrate 30 disposed so as to face the element substrate 20, and a liquid crystal layer 40 disposed between the element substrate 20 and the counter substrate 30. It has. Since the counter substrate 30 includes the microlens array substrate 10, the flatness of the surface of the counter substrate 30 is improved, and the second microlens ML <b> 2 that is configured by the convex portions 16 of the second lens layer 15 and has uniform characteristics is a pixel. It arrange | positions so that it may overlap with the opening area | region T of P planarly. Accordingly, it is possible to provide the liquid crystal device 1 that displays a bright and excellent quality image.

（７）プロジェクター１００は、複数の画素Ｐが高精細に配置されていても、明るい表示と優れた表示品質とを得ることができる液晶装置１を備えているので、明るい表示と優れた表示品質とを有するプロジェクター１００を提供することができる。   (7) Since the projector 100 includes the liquid crystal device 1 that can obtain a bright display and an excellent display quality even when the plurality of pixels P are arranged with high definition, the projector 100 has a bright display and an excellent display quality. Can be provided.

（８）マイクロレンズアレイ基板の製造方法では、第２レンズ層１５の凸部１６の周囲に配置される凸部１７が一列であるので、凸部１７が複数列配置される場合と比べて、凸部１６が配置された表示領域Ｅと凸部１７が配置された見切り領域ＢＳとにおける光路長調整層３２の材料の単位体積当たりの密度の差を小さくできる。また、凸部１８の周縁部が第２レンズ層１５の表面側から所定の厚さＨ２分だけ除去されているので、凸部１７が配置された領域と凸部１８が配置された領域とにおける光路長調整層３２の材料の単位体積当たりの密度の差を小さくできる。これにより、平坦化処理工程における研磨量が少なくなり処理工数を低減できるので、マイクロレンズアレイ基板１０の生産性を向上させることができる。また、マイクロレンズアレイ基板１０（光路長調整層３２）の表面の平坦性を向上できる。   (8) In the manufacturing method of the microlens array substrate, since the convex portions 17 arranged around the convex portions 16 of the second lens layer 15 are in a single row, compared to the case where the convex portions 17 are arranged in a plurality of rows, The difference in density per unit volume of the material of the optical path length adjusting layer 32 between the display area E where the convex portions 16 are arranged and the parting area BS where the convex portions 17 are arranged can be reduced. Further, since the peripheral edge portion of the convex portion 18 is removed from the surface side of the second lens layer 15 by a predetermined thickness H2, in the region where the convex portion 17 is disposed and the region where the convex portion 18 is disposed. The difference in density per unit volume of the material of the optical path length adjusting layer 32 can be reduced. As a result, the amount of polishing in the planarization process is reduced, and the number of processing steps can be reduced, so that the productivity of the microlens array substrate 10 can be improved. Further, the flatness of the surface of the microlens array substrate 10 (optical path length adjusting layer 32) can be improved.

上述した実施形態は、あくまでも本発明の一態様を示すものであり、本発明の範囲内で任意に変形および応用が可能である。変形例としては、例えば、以下のようなものが考えられる。   The above-described embodiments merely show one aspect of the present invention, and can be arbitrarily modified and applied within the scope of the present invention. As modifications, for example, the following can be considered.

（変形例）
本実施形態に係る液晶装置１を適用可能な電子機器は、プロジェクター１００に限定されない。液晶装置１は、例えば、投写型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型のビデオカメラ、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。 (Modification)
An electronic apparatus to which the liquid crystal device 1 according to the present embodiment can be applied is not limited to the projector 100. The liquid crystal device 1 is, for example, a projection-type HUD (head-up display), a direct-view type HMD (head-mounted display), an electronic book, a personal computer, a digital still camera, a liquid crystal television, a viewfinder type video camera, or a car navigation system. It can be suitably used as a display unit of an information terminal device such as a system, electronic notebook, or POS.

１…液晶装置（電気光学装置）、１０…マイクロレンズアレイ基板（レンズアレイ基板）、１１…基板、１１ａ…面（第１面）、１２…凹部、１３…第１レンズ層、１４…中間層（第１透光層）、１５…第２レンズ層、１６…凸部（第１凸部）、１７…凸部（第２凸部）、１８…凸部（第３凸部）、２０…素子基板（第１基板）、２２，２６，３１…遮光部、２４…ＴＦＴ（スイッチング素子）、３０…対向基板（第２基板）、３２…光路長調整層（第２透光層）、４０…液晶層（電気光学層）、７４…レジスト層（感光性材料層）、７６…部分（第１島状部）、７７…部分（第２島状部）、７８…部分（枠状部）、ＢＳ…見切り領域（第２領域）、Ｅ…表示領域（第１領域）、Ｐ…画素。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Liquid crystal device (electro-optical device), 10 ... Micro lens array substrate (lens array substrate), 11 ... Substrate, 11a ... Surface (first surface), 12 ... Recess, 13 ... First lens layer, 14 ... Intermediate layer (First translucent layer), 15 ... second lens layer, 16 ... convex part (first convex part), 17 ... convex part (second convex part), 18 ... convex part (third convex part), 20 ... Element substrate (first substrate) 22, 26, 31 ... light-shielding part, 24 ... TFT (switching element), 30 ... counter substrate (second substrate), 32 ... optical path length adjusting layer (second light transmitting layer), 40 ... liquid crystal layer (electro-optic layer), 74 ... resist layer (photosensitive material layer), 76 ... part (first island-like part), 77 ... part (second island-like part), 78 ... part (frame-like part) , BS ... parting area (second area), E ... display area (first area), P ... pixel.

Claims (8)

第１面の第１領域に複数の凹部を有する基板と、
前記第１面を覆い前記複数の凹部を埋め込むように前記基板とは異なる光屈折率を有する材料で形成された第１レンズ層と、
前記第１レンズ層を覆うように形成された第１透光層と、
前記第１透光層上の前記第１領域を囲む第２領域に形成された遮光部と、
前記第１透光層と前記遮光部とを覆うように形成され、前記第１領域に各々の前記凹部と平面的に重なるように配置された複数の第１凸部と、前記第２領域に前記遮光部と平面的に重なるように配置された複数の第２凸部と、を有する第２レンズ層と、
前記第２レンズ層を覆うように前記第２レンズ層とは異なる光屈折率を有する材料で形成され、略平坦な表面を有する第２透光層と、を備え、
前記複数の第２凸部は、前記複数の第１凸部を囲むように一列に配置されていることを特徴とするレンズアレイ基板。 A substrate having a plurality of recesses in the first region of the first surface;
A first lens layer formed of a material having an optical refractive index different from that of the substrate so as to cover the first surface and embed the plurality of concave portions;
A first light transmissive layer formed to cover the first lens layer;
A light-shielding portion formed in a second region surrounding the first region on the first light-transmitting layer;
A plurality of first convex portions formed so as to cover the first light-transmitting layer and the light shielding portion, and arranged to overlap each concave portion in the first region, and in the second region A second lens layer having a plurality of second convex portions arranged so as to overlap the light shielding portion in a plane;
A second light-transmitting layer formed of a material having a refractive index different from that of the second lens layer so as to cover the second lens layer, and having a substantially flat surface,
The plurality of second convex portions are arranged in a line so as to surround the plurality of first convex portions. 請求項１に記載のレンズアレイ基板であって、
前記第２レンズ層は、前記第２領域に前記遮光部と平面的に重なるように設けられ、前記複数の第２凸部を囲むように配置された第３凸部を有していることを特徴とするレンズアレイ基板。 The lens array substrate according to claim 1,
The second lens layer has a third convex portion that is provided in the second region so as to overlap the light shielding portion in a planar manner and is disposed so as to surround the plurality of second convex portions. A featured lens array substrate. 請求項２に記載のレンズアレイ基板であって、
前記第３凸部は、枠状に設けられていることを特徴とするレンズアレイ基板。 The lens array substrate according to claim 2,
The lens array substrate, wherein the third convex portion is provided in a frame shape. 請求項３に記載のレンズアレイ基板であって、
前記凹部と前記第１凸部と前記第２凸部とは、第１方向と前記第１方向と交差する第２方向とに沿って、略同一の配置ピッチで配置されており、
前記第３凸部の前記第１方向に沿った部分の幅と前記第２方向に沿った部分の幅とは、前記配置ピッチの１／２以下であることを特徴とするレンズアレイ基板。 The lens array substrate according to claim 3,
The concave portions, the first convex portions, and the second convex portions are arranged at substantially the same arrangement pitch along a first direction and a second direction intersecting the first direction,
The lens array substrate according to claim 1, wherein a width of a portion along the first direction of the third convex portion and a width of a portion along the second direction are equal to or less than ½ of the arrangement pitch. 請求項１から４のいずれか一項に記載のレンズアレイ基板であって、
前記第２凸部の径は、前記第１凸部の径よりも小さいことを特徴とするレンズアレイ基板。 The lens array substrate according to any one of claims 1 to 4,
The lens array substrate, wherein a diameter of the second convex portion is smaller than a diameter of the first convex portion. 画素毎に設けられた複数のスイッチング素子を有する第１基板と、
請求項１から５のいずれか一項に記載のレンズアレイ基板を含み、前記第１基板と対向するように配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置された電気光学層と、を備え、
前記凹部と前記第１凸部とは、前記画素の領域と平面的に重なるように配置されていることを特徴とする電気光学装置。 A first substrate having a plurality of switching elements provided for each pixel;
A second substrate including the lens array substrate according to any one of claims 1 to 5 and disposed to face the first substrate;
An electro-optic layer disposed between the first substrate and the second substrate,
The electro-optical device, wherein the concave portion and the first convex portion are arranged so as to overlap the pixel region in a planar manner. 請求項６に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 6. 基板の第１面の第１領域に複数の凹部を形成する工程と、
前記基板上に、前記基板とは異なる光屈折率を有する材料で前記第１面を覆い前記複数の凹部を埋め込むように第１レンズ層を形成する工程と、
前記第１レンズ層を覆うように第１透光層を形成する工程と、
前記第１透光層上の前記第１領域を囲む第２領域に遮光部を形成する工程と、
前記第１透光層と前記遮光部とを覆うように第２レンズ層を形成する工程と、
前記第２レンズ層を覆うように感光性材料層を形成する工程と、
前記感光性材料層を感光させて分断し、前記第１領域に各々の前記凹部と平面的に重なるように配置された複数の第１島状部と、前記第２領域に前記遮光部と平面的に重なるとともに前記複数の第１島状部を囲むように一列に配置された複数の第２島状部と、前記複数の第２島状部を囲むように枠状に配置された枠状部と、を形成するパターニング工程と、
前記複数の第１島状部と前記複数の第２島状部と前記枠状部とを加熱する熱処理工程と、
前記複数の第１島状部と前記複数の第２島状部と前記枠状部と前記第２レンズ層とに異方性エッチングを施して、前記第２レンズ層の表面に、前記複数の第１島状部の形状が反映された複数の第１凸部と、前記複数の第２島状部の形状が反映された複数の第２凸部と、前記枠状部の形状が反映された第３凸部と、を形成するエッチング工程と、
前記第３凸部の周縁部を前記第２レンズ層の表面側から所定の厚さ分だけ除去する工程と、
前記第２レンズ層とは異なる光屈折率を有する材料で前記第２レンズ層を覆うように第２透光層を形成する工程と、
前記第２透光層の表面を研磨して平坦化する平坦化処理工程と、を含むことを特徴とするレンズアレイ基板の製造方法。 Forming a plurality of recesses in the first region of the first surface of the substrate;
Forming a first lens layer on the substrate so as to cover the first surface with a material having an optical refractive index different from that of the substrate so as to embed the plurality of recesses;
Forming a first light transmissive layer so as to cover the first lens layer;
Forming a light shielding portion in a second region surrounding the first region on the first light-transmitting layer;
Forming a second lens layer so as to cover the first light-transmitting layer and the light-shielding portion;
Forming a photosensitive material layer so as to cover the second lens layer;
The photosensitive material layer is exposed to light and divided, and a plurality of first island portions arranged in the first region so as to overlap each of the concave portions in a plane, and the light shielding portion and the plane in the second region. And a plurality of second island-like portions arranged in a row so as to surround the plurality of first island-like portions and a frame shape arranged in a frame shape so as to surround the plurality of second island-like portions. A patterning process for forming a portion;
A heat treatment step of heating the plurality of first island-shaped portions, the plurality of second island-shaped portions, and the frame-shaped portion;
The plurality of first island-shaped portions, the plurality of second island-shaped portions, the frame-shaped portion, and the second lens layer are subjected to anisotropic etching, and the plurality of first island-shaped portions are formed on the surface of the second lens layer. The plurality of first convex portions reflecting the shape of the first island-shaped portion, the plurality of second convex portions reflecting the shape of the plurality of second island-shaped portions, and the shape of the frame-shaped portion are reflected. An etching step for forming the third protrusion,
Removing a peripheral portion of the third convex portion by a predetermined thickness from the surface side of the second lens layer;
Forming a second light transmissive layer so as to cover the second lens layer with a material having a refractive index different from that of the second lens layer;
And a flattening process step of polishing and flattening the surface of the second light transmitting layer.
JP2015030391A 2015-02-19 2015-02-19 Lens array substrate, electro-optic device, electronic apparatus, and method for manufacturing lens array substrate Withdrawn JP2016151735A (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015030391A JP2016151735A (en) 2015-02-19 2015-02-19 Lens array substrate, electro-optic device, electronic apparatus, and method for manufacturing lens array substrate
US15/041,937 US20160245961A1 (en) 2015-02-19 2016-02-11 Lens array substrate, electrooptical device, electronic apparatus, and method of manufacturing lens array substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015030391A JP2016151735A (en) 2015-02-19 2015-02-19 Lens array substrate, electro-optic device, electronic apparatus, and method for manufacturing lens array substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2016151735A true JP2016151735A (en) 2016-08-22

Family

ID=56690351

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015030391A Withdrawn JP2016151735A (en) 2015-02-19 2015-02-19 Lens array substrate, electro-optic device, electronic apparatus, and method for manufacturing lens array substrate

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20160245961A1 (en)
JP (1) JP2016151735A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021076734A (en) * 2019-11-11 2021-05-20 セイコーエプソン株式会社 Liquid crystal device and electronic apparatus
JP2021092673A (en) * 2019-12-11 2021-06-17 セイコーエプソン株式会社 Electro-optic device and electronic equipment

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102569315B1 (en) * 2015-07-27 2023-08-23 삼성디스플레이 주식회사 Display device
CN104950504B (en) * 2015-07-28 2018-01-09 深圳市华星光电技术有限公司 Display device and electronic equipment
CN106154633A (en) * 2016-09-21 2016-11-23 京东方科技集团股份有限公司 The manufacture method of display floater, display device and display floater
JP2022084273A (en) * 2020-11-26 2022-06-07 株式会社ジャパンディスプレイ Detection device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001042105A (en) * 1999-07-30 2001-02-16 Seiko Epson Corp Microlens substrate, counter substrate for liquid crystal panel, liquid crystal panel and projection type display device
US20040016718A1 (en) * 2002-03-20 2004-01-29 Ruey-Jen Hwu Micro-optic elements and method for making the same
JP2015022100A (en) * 2013-07-18 2015-02-02 セイコーエプソン株式会社 Electro-optic device, method for manufacturing electro-optic device, and electronic equipment

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6894840B2 (en) * 2002-05-13 2005-05-17 Sony Corporation Production method of microlens array, liquid crystal display device and production method thereof, and projector
JP2006184877A (en) * 2004-11-30 2006-07-13 Sanyo Electric Co Ltd Liquid crystal display device
JP6175761B2 (en) * 2012-12-03 2017-08-09 セイコーエプソン株式会社 Electro-optical device and electronic apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001042105A (en) * 1999-07-30 2001-02-16 Seiko Epson Corp Microlens substrate, counter substrate for liquid crystal panel, liquid crystal panel and projection type display device
US20040016718A1 (en) * 2002-03-20 2004-01-29 Ruey-Jen Hwu Micro-optic elements and method for making the same
JP2015022100A (en) * 2013-07-18 2015-02-02 セイコーエプソン株式会社 Electro-optic device, method for manufacturing electro-optic device, and electronic equipment

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021076734A (en) * 2019-11-11 2021-05-20 セイコーエプソン株式会社 Liquid crystal device and electronic apparatus
JP2021092673A (en) * 2019-12-11 2021-06-17 セイコーエプソン株式会社 Electro-optic device and electronic equipment
US11474391B2 (en) 2019-12-11 2022-10-18 Seiko Epson Corporation Electro-optical device, manufacturing method for electro-optical device, and electronic apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
US20160245961A1 (en) 2016-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6880701B2 (en) Electro-optics and electronic equipment
JP6221480B2 (en) Electro-optical device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus
JP6337604B2 (en) Electro-optical device manufacturing method, electro-optical device, and electronic apparatus
US9354467B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
US10241363B2 (en) Lens array substrate, method of manufacturing lens array substrate, electro-optical device, and electronic apparatus
JP6111601B2 (en) Microlens array substrate, microlens array substrate manufacturing method, electro-optical device, and electronic apparatus
JP6398164B2 (en) Microlens array substrate manufacturing method, microlens array substrate, electro-optical device, and electronic apparatus
JP6299431B2 (en) Microlens array substrate, electro-optical device, and electronic device
JP2018072757A (en) Microlens array substrate and method for manufacturing the same, electro-optical device, and method for manufacturing the same, and electronic apparatus
JP2016151735A (en) Lens array substrate, electro-optic device, electronic apparatus, and method for manufacturing lens array substrate
JP6179235B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP6398361B2 (en) Microlens array substrate, electro-optical device, and electronic device
US9217885B2 (en) Microlens array substrate, electro-optic device, and electronic apparatus
JP6318946B2 (en) Microlens array substrate, electro-optical device, and electronic device
JP6414256B2 (en) Microlens array substrate, microlens array substrate manufacturing method, electro-optical device, and electronic apparatus
JP6299493B2 (en) Microlens array substrate, electro-optical device, and electronic device
JP6318947B2 (en) Microlens array substrate, electro-optical device, and electronic device
JP2015138165A (en) Microlens array, method of manufacturing the microlens array, electro-optical device, and electronic apparatus
JP2018072756A (en) Microlens array substrate and method for manufacturing the same, electro-optical device and method for manufacturing the same, and electronic apparatus
JP2015094879A (en) Manufacturing method for microlens array substrate, electro-optical device, and electronic device
JP2015203744A (en) Electro-optic device and electronic equipment
JP2015210464A (en) Electro-optic device, method for manufacturing electro-optic device, and electronic equipment
JP2015087571A (en) Method for manufacturing microlens array substrate, microlens array substrate, electro-optic device, and electronic equipment
JP2015049412A (en) Electro-optic device, method for manufacturing electro-optic device, and electronic equipment

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20171019

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180725

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180807

RD05 Notification of revocation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425

Effective date: 20180904

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20181009