JP2000265160A - 高速鏡面研磨用研磨材 - Google Patents
高速鏡面研磨用研磨材Info
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- JP2000265160A JP2000265160A JP6631999A JP6631999A JP2000265160A JP 2000265160 A JP2000265160 A JP 2000265160A JP 6631999 A JP6631999 A JP 6631999A JP 6631999 A JP6631999 A JP 6631999A JP 2000265160 A JP2000265160 A JP 2000265160A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 研磨速度が著しく向上し、短時間で鏡面が
得られて生産性が向上した高速鏡面研磨用研磨材を提供
することを課題とする。 【解決手段】 粒径 0.1μｍ以下の炭化珪素微粒子
と、該炭化珪素微粒子以外の砥粒微粒子とを少なくとも
含有するように高速鏡面研磨用研磨材を構成する。
得られて生産性が向上した高速鏡面研磨用研磨材を提供
することを課題とする。 【解決手段】 粒径 0.1μｍ以下の炭化珪素微粒子
と、該炭化珪素微粒子以外の砥粒微粒子とを少なくとも
含有するように高速鏡面研磨用研磨材を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウエハ等
の半導体ウエハ、水晶、石英、サファイアなどの光学結
晶、光学レンズ等のガラス基材、磁気ディスク、各種金
属材料、各種セラミックス材料等の被研磨加工物を高速
度で鏡面研磨することが可能な高速鏡面研磨用研磨材に
関する。
の半導体ウエハ、水晶、石英、サファイアなどの光学結
晶、光学レンズ等のガラス基材、磁気ディスク、各種金
属材料、各種セラミックス材料等の被研磨加工物を高速
度で鏡面研磨することが可能な高速鏡面研磨用研磨材に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコンウエハ、ＧａＡｓウエハ
などの鏡面研磨には、例えば、コロイダルシリカやＣｅ
Ｏ2 微粒子を用いた研磨用スラリーや研磨用砥石が使用
されていた。
などの鏡面研磨には、例えば、コロイダルシリカやＣｅ
Ｏ2 微粒子を用いた研磨用スラリーや研磨用砥石が使用
されていた。
【０００３】〔問題点〕しかしながら、これらの研磨材
料を用いて研磨すると、研磨速度が著しく低く、鏡面を
得るには長時間を要し、生産性が低いものであった。更
に、研磨速度が低いため、鏡面研磨の前加工処理とし
て、ラッピング加工や研削加工を行い、エッチング処理
により加工ダメージ層を除去した後に鏡面研磨をしなけ
ればならず、極めて生産性の悪い鏡面研磨プロセスであ
った。
料を用いて研磨すると、研磨速度が著しく低く、鏡面を
得るには長時間を要し、生産性が低いものであった。更
に、研磨速度が低いため、鏡面研磨の前加工処理とし
て、ラッピング加工や研削加工を行い、エッチング処理
により加工ダメージ層を除去した後に鏡面研磨をしなけ
ればならず、極めて生産性の悪い鏡面研磨プロセスであ
った。
【０００４】一方、研磨速度が高い研磨材として、粒径
がサブμｍ以上の炭化珪素粒子と、アルミナ粒子または
シリカ粒子を含む研磨材が知られているが、このような
砥粒を含有する研磨材を用いて被研磨加工物を研磨する
と、比較的高い研磨速度を達成できるものの、鏡面が得
られず、得られる研磨体の表面粗さ（Ｒａ）はせいぜい
数十〜数百ｎｍ程度であった。なお、「表面粗さ（Ｒ
ａ）」とは、接触指針型表面粗さ計等で測定される、研
磨体表面における凸部と凹部の段差の平均（中心線平均
粗さ）をいうものとする。
がサブμｍ以上の炭化珪素粒子と、アルミナ粒子または
シリカ粒子を含む研磨材が知られているが、このような
砥粒を含有する研磨材を用いて被研磨加工物を研磨する
と、比較的高い研磨速度を達成できるものの、鏡面が得
られず、得られる研磨体の表面粗さ（Ｒａ）はせいぜい
数十〜数百ｎｍ程度であった。なお、「表面粗さ（Ｒ
ａ）」とは、接触指針型表面粗さ計等で測定される、研
磨体表面における凸部と凹部の段差の平均（中心線平均
粗さ）をいうものとする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の技術
が有する上記問題点に鑑みなされたものであって、その
ために具体的に設定された課題は、研磨速度が著しく向
上し、短時間で鏡面が得られて生産性が向上した高速鏡
面研磨用研磨材を提供することにある。
が有する上記問題点に鑑みなされたものであって、その
ために具体的に設定された課題は、研磨速度が著しく向
上し、短時間で鏡面が得られて生産性が向上した高速鏡
面研磨用研磨材を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題は、粒径 0.1μ
ｍ以下の炭化珪素微粒子と、該炭化珪素微粒子以外の砥
粒微粒子とを少なくとも含有する研磨材により、解決す
ることができる。ここに、前記炭化珪素微粒子の配合割
合は、前記炭化珪素微粒子と前記炭化珪素微粒子以外の
砥粒微粒子との合量に対して、 0.1〜 60 重量％である
ことが好ましい。また、前記炭化珪素微粒子以外の砥粒
微粒子は、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、Ｃｅ
Ｏ2 、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｆｅ3 Ｏ4 、Ｃｒ2 Ｏ3 、Ｍｎ
Ｏ2 、ＢａＣＯ3、ＣａＣＯ3 からなる群から選ばれた
少なくとも１種であることが好ましい。
ｍ以下の炭化珪素微粒子と、該炭化珪素微粒子以外の砥
粒微粒子とを少なくとも含有する研磨材により、解決す
ることができる。ここに、前記炭化珪素微粒子の配合割
合は、前記炭化珪素微粒子と前記炭化珪素微粒子以外の
砥粒微粒子との合量に対して、 0.1〜 60 重量％である
ことが好ましい。また、前記炭化珪素微粒子以外の砥粒
微粒子は、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、Ｃｅ
Ｏ2 、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｆｅ3 Ｏ4 、Ｃｒ2 Ｏ3 、Ｍｎ
Ｏ2 、ＢａＣＯ3、ＣａＣＯ3 からなる群から選ばれた
少なくとも１種であることが好ましい。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を具体
的に説明する。ただし、この実施の形態は、発明の趣旨
をより良く理解させるため具体的に説明するものであ
り、特に指定のない限り、発明内容を限定するものでは
ない。
的に説明する。ただし、この実施の形態は、発明の趣旨
をより良く理解させるため具体的に説明するものであ
り、特に指定のない限り、発明内容を限定するものでは
ない。
【０００８】本実施の形態に係る研磨材は、砥粒とし
て、粒径 0.1μｍ以下の炭化珪素微粒子と、該炭化珪素
微粒子以外の砥粒微粒子とを少なくとも含有する。前記
炭化珪素微粒子は、どのような方法で製造されたもので
あっても良いが、例えば、非酸化性雰囲気のプラズマ中
にシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素とから
なる原料ガスを導入し、反応系の圧力を１気圧未満から
0.1 torr の範囲で制御しつつ気相反応させることによ
って製造されたもの（以下、「プラズマ気相合成法で得
られた炭化珪素微粒子」という）が、次に記す研磨メカ
ニズムが生起しやすく、球状、かつ微細であり、また高
純度である点で好適である。
て、粒径 0.1μｍ以下の炭化珪素微粒子と、該炭化珪素
微粒子以外の砥粒微粒子とを少なくとも含有する。前記
炭化珪素微粒子は、どのような方法で製造されたもので
あっても良いが、例えば、非酸化性雰囲気のプラズマ中
にシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素とから
なる原料ガスを導入し、反応系の圧力を１気圧未満から
0.1 torr の範囲で制御しつつ気相反応させることによ
って製造されたもの（以下、「プラズマ気相合成法で得
られた炭化珪素微粒子」という）が、次に記す研磨メカ
ニズムが生起しやすく、球状、かつ微細であり、また高
純度である点で好適である。
【０００９】本研磨材による被研磨加工物の研磨メカニ
ズムは、必ずしも明確でないが、粒径 0.1μｍ以下の炭
化珪素微粒子はその表面が非常に活性であり、被研磨加
工物との真実接触点で、両者の固相反応或いは被研磨加
工物表面の酸化反応が起こり、この生成層が炭化珪素微
粒子、及び炭化珪素微粒子以外の研磨微粒子により除去
されることにより、高い鏡面研磨速度が得られるものと
考えられる。即ち、微粒子炭化珪素砥粒の添加は、従来
の鏡面研磨用砥粒による研磨に研磨促進効果が付加され
ることにより、高速鏡面研磨が達成されるものと考えら
れる。
ズムは、必ずしも明確でないが、粒径 0.1μｍ以下の炭
化珪素微粒子はその表面が非常に活性であり、被研磨加
工物との真実接触点で、両者の固相反応或いは被研磨加
工物表面の酸化反応が起こり、この生成層が炭化珪素微
粒子、及び炭化珪素微粒子以外の研磨微粒子により除去
されることにより、高い鏡面研磨速度が得られるものと
考えられる。即ち、微粒子炭化珪素砥粒の添加は、従来
の鏡面研磨用砥粒による研磨に研磨促進効果が付加され
ることにより、高速鏡面研磨が達成されるものと考えら
れる。
【００１０】前記研磨材において、前記炭化珪素微粒子
の配合割合は、前記炭化珪素微粒子と前記炭化珪素微粒
子以外の砥粒微粒子との合量に対して、 0.1〜 60 重量
％であることが好ましい。前記炭化珪素微粒子の砥粒総
量に対する割合が 0.1重量％未満となると、本発明の目
的である高速鏡面研磨を達成することができず、また、
前記割合が 60 重量％を超えても鏡面研磨速度は向上し
ないのでコスト面で不利となる。
の配合割合は、前記炭化珪素微粒子と前記炭化珪素微粒
子以外の砥粒微粒子との合量に対して、 0.1〜 60 重量
％であることが好ましい。前記炭化珪素微粒子の砥粒総
量に対する割合が 0.1重量％未満となると、本発明の目
的である高速鏡面研磨を達成することができず、また、
前記割合が 60 重量％を超えても鏡面研磨速度は向上し
ないのでコスト面で不利となる。
【００１１】前記炭化珪素微粒子以外の砥粒微粒子は、
ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、ＣｅＯ2 、Ｆｅ2 Ｏ
3 、Ｆｅ3 Ｏ4 、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＭｎＯ2 、ＢａＣＯ3 、
ＣａＣＯ3 からなる群から選ばれた少なくとも１種、特
にＳｉＯ2 、ＣｅＯ2 、Ｆｅ 2 Ｏ3 、Ｃｒ2 Ｏ3 、Ｍｎ
Ｏ2 、ＢａＣＯ3 、ＣａＣＯ3 からなる群から選ばれた
少なくとも１種であることが、メカノケミカル鏡面研磨
が促進される点で好適である。また、前記炭化珪素微粒
子以外の砥粒微粒子の粒径は、特に限定されるものでは
なく、例えば、砥粒として通常用いられている程度のも
ので良い。
ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、ＣｅＯ2 、Ｆｅ2 Ｏ
3 、Ｆｅ3 Ｏ4 、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＭｎＯ2 、ＢａＣＯ3 、
ＣａＣＯ3 からなる群から選ばれた少なくとも１種、特
にＳｉＯ2 、ＣｅＯ2 、Ｆｅ 2 Ｏ3 、Ｃｒ2 Ｏ3 、Ｍｎ
Ｏ2 、ＢａＣＯ3 、ＣａＣＯ3 からなる群から選ばれた
少なくとも１種であることが、メカノケミカル鏡面研磨
が促進される点で好適である。また、前記炭化珪素微粒
子以外の砥粒微粒子の粒径は、特に限定されるものでは
なく、例えば、砥粒として通常用いられている程度のも
ので良い。
【００１２】前記研磨材を用いた代表的な研磨方法を例
示すると、前記研磨材を加えて分散させたスラリーやペ
ーストを研磨クロスと被研磨加工物との間に供給しつつ
回転させて湿式鏡面研磨を行う方法、或いは前記研磨材
を砥石状、テープ状に成形し、または発泡体中に固定さ
せた研磨体を被研磨加工物に接触させて鏡面研磨を行う
方法などがある。
示すると、前記研磨材を加えて分散させたスラリーやペ
ーストを研磨クロスと被研磨加工物との間に供給しつつ
回転させて湿式鏡面研磨を行う方法、或いは前記研磨材
を砥石状、テープ状に成形し、または発泡体中に固定さ
せた研磨体を被研磨加工物に接触させて鏡面研磨を行う
方法などがある。
【００１３】前記砥石状に成形するには、前記研磨材に
より砥石全体を成形する場合や砥石の被研磨加工物との
接触部を部分的に形成させる場合とがあり、また砥石に
も研磨材を結合材なしで固化させたもの（ボンドレス砥
石）と、レジノイドボンド等の結合剤を使用して固化し
成形させたもの（レジノイドボンド砥石）があり得る。
この砥石における砥粒率（砥石中に占める砥粒の容積比
率）は、特に限定されるものではなく、通常 5〜 95 容
量％程度で良い。
より砥石全体を成形する場合や砥石の被研磨加工物との
接触部を部分的に形成させる場合とがあり、また砥石に
も研磨材を結合材なしで固化させたもの（ボンドレス砥
石）と、レジノイドボンド等の結合剤を使用して固化し
成形させたもの（レジノイドボンド砥石）があり得る。
この砥石における砥粒率（砥石中に占める砥粒の容積比
率）は、特に限定されるものではなく、通常 5〜 95 容
量％程度で良い。
【００１４】レジノイドボンド砥石の形成に用いるレジ
ノイドボンドは、公知の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、
水溶性高分子樹脂などの単体または混合物を用いること
ができる。また、レジノイドボンド砥石またはボンドレ
ス砥石の成形は、一般に用いられる公知の成形技術を用
いて形成することができる。
ノイドボンドは、公知の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、
水溶性高分子樹脂などの単体または混合物を用いること
ができる。また、レジノイドボンド砥石またはボンドレ
ス砥石の成形は、一般に用いられる公知の成形技術を用
いて形成することができる。
【００１５】一方、前記研磨材を加えて分散させたスラ
リー（研磨液）とするには、粒径 0.1μｍ以下の炭化珪
素微粒子を１次粒子程度近くまで解砕し分散させておく
のが好ましい。その場合、ポリカルボン酸系界面活性剤
などを併用するとよい。
リー（研磨液）とするには、粒径 0.1μｍ以下の炭化珪
素微粒子を１次粒子程度近くまで解砕し分散させておく
のが好ましい。その場合、ポリカルボン酸系界面活性剤
などを併用するとよい。
【００１６】研磨液における砥粒量については、特に制
限されるものではないが、好ましい砥粒量としては 1〜
15 重量％程度である。この砥粒量が少なすぎると研磨
速度が低下しすぎて実用性に欠け、又、砥粒量が多すぎ
ると研磨加工に寄与しない砥粒が多くなり、研磨液コス
トが上昇して研磨加工コストの上昇を招くので好ましく
ない。
限されるものではないが、好ましい砥粒量としては 1〜
15 重量％程度である。この砥粒量が少なすぎると研磨
速度が低下しすぎて実用性に欠け、又、砥粒量が多すぎ
ると研磨加工に寄与しない砥粒が多くなり、研磨液コス
トが上昇して研磨加工コストの上昇を招くので好ましく
ない。
【００１７】このような例示した研磨方法の場合、被研
磨加工物の種類に応じて、適切に酸やアルカリ成分を含
有させた溶液を、前記研磨体と被研磨加工物との間に滴
下して研磨すると効果的である。
磨加工物の種類に応じて、適切に酸やアルカリ成分を含
有させた溶液を、前記研磨体と被研磨加工物との間に滴
下して研磨すると効果的である。
【００１８】このような実施の形態によれば、粒径 0.1
μｍ以下の炭化珪素微粒子と、該炭化珪素微粒子以外の
砥粒微粒子とからなる砥粒を研磨材として用いるため、
鏡面研磨中に被研磨加工物表面に加工ダメージを与える
ことなく高速鏡面研磨が可能となる。
μｍ以下の炭化珪素微粒子と、該炭化珪素微粒子以外の
砥粒微粒子とからなる砥粒を研磨材として用いるため、
鏡面研磨中に被研磨加工物表面に加工ダメージを与える
ことなく高速鏡面研磨が可能となる。
【００１９】このため、これらの研磨方法を実施するこ
とにより、従来の鏡面研磨材の性能、特に鏡面研磨速度
を大幅に向上させることができるので、ラッピング加工
や研削加工後、直ちに表面粗さ（Ｒａ）が例えば１ｎｍ
程度の鏡面研磨加工が可能となり、シリコンウエハやＧ
ａＡｓなどの半導体ウエハの他、水晶、ＬｉＮｂＯ3、
サファイアなどの光学結晶、液晶、光学レンズ、ブラウ
ン管、フォトマスクなどのガラス基材、磁気ディスク、
各種金属材料、各種セラミックス材料などの被研磨加工
物を、高生産性と低コストとを両立させて鏡面研磨仕上
げをすることができる。
とにより、従来の鏡面研磨材の性能、特に鏡面研磨速度
を大幅に向上させることができるので、ラッピング加工
や研削加工後、直ちに表面粗さ（Ｒａ）が例えば１ｎｍ
程度の鏡面研磨加工が可能となり、シリコンウエハやＧ
ａＡｓなどの半導体ウエハの他、水晶、ＬｉＮｂＯ3、
サファイアなどの光学結晶、液晶、光学レンズ、ブラウ
ン管、フォトマスクなどのガラス基材、磁気ディスク、
各種金属材料、各種セラミックス材料などの被研磨加工
物を、高生産性と低コストとを両立させて鏡面研磨仕上
げをすることができる。
【００２０】
【実施例】〔実施例１〕コロイダルシリカを含むシリコ
ンウエハ１次ポリッシング用スラリー（フジミインコー
ポレーテッド（株）製） 100ｍｌに、プラズマ気相合成
法で得られた炭化珪素微粒子（住友大阪セメント（株）
製、粒径 0.05 μｍ以下、平均粒径 30ｎｍ）を水 1900
ｍｌに分散させた分散液を添加・混合し、超音波を用
いて分散させ、研磨用スラリー（総砥粒含有量 5重量
％、総砥粒量に対する炭化珪素微粒子量 10 重量％）と
した。この研磨用スラリーを使用して表１に示した研磨
条件でラップドＳｉウエハを研磨した（研磨時間 30
分）。その結果を表３に示した。なお、表面粗さ（Ｒ
ａ）は接触指針型表面粗さ計により測定した。
ンウエハ１次ポリッシング用スラリー（フジミインコー
ポレーテッド（株）製） 100ｍｌに、プラズマ気相合成
法で得られた炭化珪素微粒子（住友大阪セメント（株）
製、粒径 0.05 μｍ以下、平均粒径 30ｎｍ）を水 1900
ｍｌに分散させた分散液を添加・混合し、超音波を用
いて分散させ、研磨用スラリー（総砥粒含有量 5重量
％、総砥粒量に対する炭化珪素微粒子量 10 重量％）と
した。この研磨用スラリーを使用して表１に示した研磨
条件でラップドＳｉウエハを研磨した（研磨時間 30
分）。その結果を表３に示した。なお、表面粗さ（Ｒ
ａ）は接触指針型表面粗さ計により測定した。
【００２１】〔実施例２〕プラズマ気相合成法で得られ
た炭化珪素微粒子の総砥粒含有量に対する割合を20 重
量％とした他は実施例１に準じてラップドＳｉウエハを
研磨した。その結果を表３に示した。
た炭化珪素微粒子の総砥粒含有量に対する割合を20 重
量％とした他は実施例１に準じてラップドＳｉウエハを
研磨した。その結果を表３に示した。
【００２２】〔実施例３〕酸化セリウム微粒子（信越化
学工業（株）製、平均粒径 100ｎｍ）を 10 重量％分散
させた水分散液 100ｍｌに、プラズマ気相合成法で得ら
れた炭化珪素微粒子（住友大阪セメント（株）製、粒径
0.05 μｍ以下、平均粒径 30 ｎｍ）を水1900 ｍｌ分
散させた分散液を添加・混合し、超音波を用いて分散さ
せ、研磨用スラリー（総砥粒含有量 5重量％、総砥粒量
に対する炭化珪素微粒子量 20 重量％）とした。この研
磨用スラリーを使用して表１に示した研磨条件で光学ガ
ラスＢＫ−７を研磨した。その結果を表３に示した。
学工業（株）製、平均粒径 100ｎｍ）を 10 重量％分散
させた水分散液 100ｍｌに、プラズマ気相合成法で得ら
れた炭化珪素微粒子（住友大阪セメント（株）製、粒径
0.05 μｍ以下、平均粒径 30 ｎｍ）を水1900 ｍｌ分
散させた分散液を添加・混合し、超音波を用いて分散さ
せ、研磨用スラリー（総砥粒含有量 5重量％、総砥粒量
に対する炭化珪素微粒子量 20 重量％）とした。この研
磨用スラリーを使用して表１に示した研磨条件で光学ガ
ラスＢＫ−７を研磨した。その結果を表３に示した。
【００２３】〔実施例４〕シリカパウダー（日本アエロ
ジル（株）製、平均粒径 30 ｎｍ） 855ｇ、プラズマ気
相合成法で得られた炭化珪素微粒子（住友大阪セメント
（株）製、粒径 0.05 μｍ以下、平均粒径 30 ｎｍ） 9
5 ｇ、フェノール樹脂（住友デュレズ（株）製） 50 ｇ
を混合し、砥石を成形した（総砥粒量に対する炭化珪素
微粒子量 10 重量％）。この砥石を用い、表２に示した
研磨条件でラップドＳｉウエハの研磨を 30 分間行い、
その結果を表３に示した。
ジル（株）製、平均粒径 30 ｎｍ） 855ｇ、プラズマ気
相合成法で得られた炭化珪素微粒子（住友大阪セメント
（株）製、粒径 0.05 μｍ以下、平均粒径 30 ｎｍ） 9
5 ｇ、フェノール樹脂（住友デュレズ（株）製） 50 ｇ
を混合し、砥石を成形した（総砥粒量に対する炭化珪素
微粒子量 10 重量％）。この砥石を用い、表２に示した
研磨条件でラップドＳｉウエハの研磨を 30 分間行い、
その結果を表３に示した。
【００２４】〔実施例５〕プラズマ気相合成法で得られ
た炭化珪素微粒子の総砥粒含有量に対する割合を30 重
量％とした他は実施例４に準じてラップドＳｉウエハの
研磨を行い、表３にその結果を示した。
た炭化珪素微粒子の総砥粒含有量に対する割合を30 重
量％とした他は実施例４に準じてラップドＳｉウエハの
研磨を行い、表３にその結果を示した。
【００２５】〔実施例６〕シリカパウダーを酸化セリウ
ム微粒子（信越化学工業（株）製、平均粒径 100ｎｍ）
に変更した他は実施例４に準じて砥石を成形した。この
砥石を用い実施例４に準じて光学ガラスＢＫ−７の研磨
を行い、表３に結果を示した。
ム微粒子（信越化学工業（株）製、平均粒径 100ｎｍ）
に変更した他は実施例４に準じて砥石を成形した。この
砥石を用い実施例４に準じて光学ガラスＢＫ−７の研磨
を行い、表３に結果を示した。
【００２６】〔比較例１〕コロイダルシリカを含むシリ
コンウエハ１次ポリッシング用スラリー（フジミインコ
ーポレーテッド（株）製）を用いた他は、実施例１に準
じて、ラップドＳｉウエハを研磨した。その結果を表３
に示した。
コンウエハ１次ポリッシング用スラリー（フジミインコ
ーポレーテッド（株）製）を用いた他は、実施例１に準
じて、ラップドＳｉウエハを研磨した。その結果を表３
に示した。
【００２７】〔比較例２〕シリカパウダー（日本アエロ
ジル（株）製、平均粒径 30 ｎｍ） 875ｇ、フェノール
樹脂（住友デリュレズ（株）製） 50 ｇを混合し、砥石
を成形した。実施例１に準じて、ラップドＳｉウエハを
研磨した。その結果を表３に示した。
ジル（株）製、平均粒径 30 ｎｍ） 875ｇ、フェノール
樹脂（住友デリュレズ（株）製） 50 ｇを混合し、砥石
を成形した。実施例１に準じて、ラップドＳｉウエハを
研磨した。その結果を表３に示した。
【００２８】〔比較例３〕粒径 0.3μｍの炭化珪素微粒
子（イビデン（株）製）を用いた他は、実施例１に準
て、ラップドＳｉウエハを研磨した。その結果を表３に
示した。
子（イビデン（株）製）を用いた他は、実施例１に準
て、ラップドＳｉウエハを研磨した。その結果を表３に
示した。
【００２９】〔比較例４〕粒径 0.3μｍの炭化珪素微粒
子（イビデン（株）製）を用いた他は、実施例４に準じ
て、砥石を成形した。実施例４に準じてラップドＳｉウ
エハを研磨した。その結果を表３に示した。
子（イビデン（株）製）を用いた他は、実施例４に準じ
て、砥石を成形した。実施例４に準じてラップドＳｉウ
エハを研磨した。その結果を表３に示した。
【００３０】〔比較例５〕酸化セリウム（信越化学工業
（株）製、平均粒径 100nm） 50 ｇを水 950ｇに添加・
混合し、超音波を用いて分散させ、研摩スラリー（砥粒
含有量 5重量％）とした。この研摩用スラリーを使用し
て表１に示した研磨条件で光学ガラスＢＫ−７を研磨し
た。その結果を表３に示した。
（株）製、平均粒径 100nm） 50 ｇを水 950ｇに添加・
混合し、超音波を用いて分散させ、研摩スラリー（砥粒
含有量 5重量％）とした。この研摩用スラリーを使用し
て表１に示した研磨条件で光学ガラスＢＫ−７を研磨し
た。その結果を表３に示した。
【００３１】〔比較例６〕酸化セリウム（信越化学工業
（株）製、平均粒径 100ｎｍ） 950ｇ、フェノール樹脂
（住友デュレズ（株）製） 50 ｇを混合し、砥石を成形
した。この砥石を用い、表２に示した研磨条件で光学ガ
ラスＢＫ−７の研磨を 30 分間行い、その結果を表３に
示した。
（株）製、平均粒径 100ｎｍ） 950ｇ、フェノール樹脂
（住友デュレズ（株）製） 50 ｇを混合し、砥石を成形
した。この砥石を用い、表２に示した研磨条件で光学ガ
ラスＢＫ−７の研磨を 30 分間行い、その結果を表３に
示した。
【００３２】〔比較例７〕プラズマ気相合成法で得られ
た炭化珪素微粒子（住友大阪セメント（株）製、粒径
0.05 μｍ以下、平均粒径 30 ｎｍ） 50 ｇを水 950ｇ
に添加・混合し、超音波を用いて分散させ、研摩スラリ
ー（砥粒含有量 5重量％）とした。この研摩用スラリー
を使用して表１に示した研磨条件でラップドＳｉウエハ
を研磨した。その結果を表３に示した。
た炭化珪素微粒子（住友大阪セメント（株）製、粒径
0.05 μｍ以下、平均粒径 30 ｎｍ） 50 ｇを水 950ｇ
に添加・混合し、超音波を用いて分散させ、研摩スラリ
ー（砥粒含有量 5重量％）とした。この研摩用スラリー
を使用して表１に示した研磨条件でラップドＳｉウエハ
を研磨した。その結果を表３に示した。
【００３３】〔比較例８〕プラズマ気相合成法で得られ
た炭化珪素微粒子（住友大阪セメント（株）製、粒径
0.05 μｍ以下、平均粒径 30 ｎｍ） 950ｇ、フェノー
ル樹脂（住友デュレズ（株）製） 50 ｇを混合し、砥石
を成形した。この砥石を用い、表２に示した研磨条件で
ラップドＳｉウエハの研磨を 30 分間行い、その結果を
表３に示した。
た炭化珪素微粒子（住友大阪セメント（株）製、粒径
0.05 μｍ以下、平均粒径 30 ｎｍ） 950ｇ、フェノー
ル樹脂（住友デュレズ（株）製） 50 ｇを混合し、砥石
を成形した。この砥石を用い、表２に示した研磨条件で
ラップドＳｉウエハの研磨を 30 分間行い、その結果を
表３に示した。
【００３４】
【表１】
【００３５】
【表２】
【００３６】
【表３】
【００３７】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、請求項１
に係る高速鏡面研磨用研磨材では、粒径 0.1μｍ以下の
炭化珪素微粒子と該炭化珪素微粒子以外の砥粒微粒子と
を少なくとも含有するように研磨材を構成したことによ
り、従来の鏡面研磨材の性能、特に鏡面研磨速度を大幅
に向上させることができるので、ラッピング加工や研削
加工後、直ちに表面粗さ（Ｒａ）が例えば 1.0ｎｍ程度
の鏡面研磨加工が可能となり、シリコンウエハやＧａＡ
ｓなどの半導体ウエハの他、水晶、ＬｉＮｂＯ3、サフ
ァイアなどの光学結晶、液晶、光学レンズ、ブラウン
管、フォトマスクなどのガラス基材、磁気ディスク、各
種金属材料、各種セラミックス材料などの被研磨加工物
を、高生産性と低コストを両立させて鏡面研磨仕上げ加
工をすることができる。
に係る高速鏡面研磨用研磨材では、粒径 0.1μｍ以下の
炭化珪素微粒子と該炭化珪素微粒子以外の砥粒微粒子と
を少なくとも含有するように研磨材を構成したことによ
り、従来の鏡面研磨材の性能、特に鏡面研磨速度を大幅
に向上させることができるので、ラッピング加工や研削
加工後、直ちに表面粗さ（Ｒａ）が例えば 1.0ｎｍ程度
の鏡面研磨加工が可能となり、シリコンウエハやＧａＡ
ｓなどの半導体ウエハの他、水晶、ＬｉＮｂＯ3、サフ
ァイアなどの光学結晶、液晶、光学レンズ、ブラウン
管、フォトマスクなどのガラス基材、磁気ディスク、各
種金属材料、各種セラミックス材料などの被研磨加工物
を、高生産性と低コストを両立させて鏡面研磨仕上げ加
工をすることができる。
【００３８】また、請求項２に係る高速鏡面研磨用研磨
材では、前記炭化珪素微粒子の配合割合は、前記炭化珪
素微粒子と前記炭化珪素微粒子以外の砥粒微粒子との合
量に対して、 0.1〜 60 重量％であることにより、効率
良く高速に鏡面研磨できて、生産性が向上する。
材では、前記炭化珪素微粒子の配合割合は、前記炭化珪
素微粒子と前記炭化珪素微粒子以外の砥粒微粒子との合
量に対して、 0.1〜 60 重量％であることにより、効率
良く高速に鏡面研磨できて、生産性が向上する。
【００３９】また、請求項３に係る高速鏡面研磨用研磨
材では、前記炭化珪素微粒子以外の砥粒微粒子が、Ｓｉ
Ｏ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、ＣｅＯ2 、Ｆｅ2 Ｏ3 、
Ｆｅ 3 Ｏ4 、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＭｎＯ2 、ＢａＣＯ3 、Ｃａ
ＣＯ3 からなる群から選ばれた少なくとも１種であるこ
とから、メカノケミカル鏡面研磨による高速な鏡面研磨
ができる。
材では、前記炭化珪素微粒子以外の砥粒微粒子が、Ｓｉ
Ｏ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、ＣｅＯ2 、Ｆｅ2 Ｏ3 、
Ｆｅ 3 Ｏ4 、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＭｎＯ2 、ＢａＣＯ3 、Ｃａ
ＣＯ3 からなる群から選ばれた少なくとも１種であるこ
とから、メカノケミカル鏡面研磨による高速な鏡面研磨
ができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/304 ６２２ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６２２Ｂ (72)発明者 山本 良貴 千葉県船橋市豊富町585番地 住友大阪セ メント株式会社新規技術研究所内 Ｆターム(参考） 3C063 AA01 AB01 BB01 BB04 BB07 BB19 BC02 BC03 EE10 FF23
Claims (3)
- 【請求項１】粒径 0.1μｍ以下の炭化珪素微粒子と、該
炭化珪素微粒子以外の砥粒微粒子とを少なくとも含有す
ることを特徴とする高速鏡面研磨用研磨材。 - 【請求項２】前記炭化珪素微粒子の配合割合は、前記炭
化珪素微粒子と前記炭化珪素微粒子以外の砥粒微粒子と
の合量に対して、 0.1〜 60 重量％である請求項１記載
の高速鏡面研磨用研磨材。 - 【請求項３】前記炭化珪素微粒子以外の砥粒微粒子は、
ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、ＣｅＯ2 、Ｆｅ2 Ｏ
3 、Ｆｅ3 Ｏ4 、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＭｎＯ2 、ＢａＣＯ3 、
ＣａＣＯ3 からなる群から選ばれた少なくとも１種であ
ることを特徴とする請求項１または２記載の高速鏡面研
磨用研磨材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6631999A JP2000265160A (ja) | 1999-03-12 | 1999-03-12 | 高速鏡面研磨用研磨材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6631999A JP2000265160A (ja) | 1999-03-12 | 1999-03-12 | 高速鏡面研磨用研磨材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000265160A true JP2000265160A (ja) | 2000-09-26 |
Family
ID=13312408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6631999A Pending JP2000265160A (ja) | 1999-03-12 | 1999-03-12 | 高速鏡面研磨用研磨材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000265160A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002072726A1 (fr) * | 2001-03-09 | 2002-09-19 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Materiau abrasif a base de cerium, suspension de materiau abrasif et procede de production de ce materiau abrasif a base de cerium |
| WO2009107567A1 (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-03 | 住友電気工業株式会社 | 窒化物半導体ウエハーの加工方法と窒化物半導体ウエハー及び窒化物半導体デバイスの製造方法並びに窒化物半導体デバイス |
| JP2009231833A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-10-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化物半導体ウエハ− |
| CN103484867A (zh) * | 2013-09-23 | 2014-01-01 | 无锡阳工机械制造有限公司 | 一种金属抛光防腐浆料 |
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| CN103498159A (zh) * | 2013-09-23 | 2014-01-08 | 无锡阳工机械制造有限公司 | 一种抛光浆料 |
| JP2015147922A (ja) * | 2014-11-26 | 2015-08-20 | アサヒ化成工業株式会社 | 複合砥粒とその製造方法と研磨方法と研磨装置 |
| US10005171B2 (en) | 2013-06-24 | 2018-06-26 | 3M Innovative Properties Company | Abrasive particles, method of making abrasive particles, and abrasive articles |
| CN112226205A (zh) * | 2020-09-29 | 2021-01-15 | 江西庞泰环保股份有限公司 | 一种机械研磨浆液的制备方法 |
-
1999
- 1999-03-12 JP JP6631999A patent/JP2000265160A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US8101523B2 (en) | 2008-02-27 | 2012-01-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of processing of nitride semiconductor wafer, nitride semiconductor wafer, method of producing nitride semiconductor device and nitride semiconductor device |
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| CN103484867A (zh) * | 2013-09-23 | 2014-01-01 | 无锡阳工机械制造有限公司 | 一种金属抛光防腐浆料 |
| CN103498158A (zh) * | 2013-09-23 | 2014-01-08 | 无锡阳工机械制造有限公司 | 一种抛光浆料 |
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