JP2000263556A - マイクロレンズ用金型の作製方法及びそれを用いたマイクロレンズの作製方法 - Google Patents

マイクロレンズ用金型の作製方法及びそれを用いたマイクロレンズの作製方法

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JP2000263556A
JP2000263556A JP7286999A JP7286999A JP2000263556A JP 2000263556 A JP2000263556 A JP 2000263556A JP 7286999 A JP7286999 A JP 7286999A JP 7286999 A JP7286999 A JP 7286999A JP 2000263556 A JP2000263556 A JP 2000263556A
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microlens
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hemispherical
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Yasuhiro Shimada
康弘 島田
Takayuki Yagi
隆行 八木
Takayuki Tejima
隆行 手島
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Abstract

(57)【要約】 【課題】大判化が容易で、作製プロセスが容易で且つ制
御性が高く、比較的安価なマイクロレンズ用金型の作製
方法、製造が容易なマイクロレンズアレイ等の作製方法
である。 【解決手段】マイクロレンズ用金型の作製方法は、導電
性の基板1表面にマスク層2を形成する工程、マスク層
2に開口部3を形成する工程、溶液中に陰極を設け、基
板1の表面を開口部3を通して溶液に晒し、基板1側を
陽極にして、陰極と陽極との間に電界をかけて開口部3
より基板1を加工し、開口部3を中心とする半球状或は
半円筒形状凹部6を形成する工程を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、アレイ化されたマ
イクロレンズ等用の金型の作製方法、及び該金型を用い
てマイクロレンズを作製する為の作製方法に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】マイクロレンズアレイは、直径数μmか
ら数100μmの微小な略半球状レンズを複数配置した
ものであり、液晶表示装置、受光装置、光通信システム
におけるファイバー間接続等の様々な用途に使用される
様になってきている。一方、発光素子間隔を狭くできア
レイ化が容易な面発光レーザー等の開発が進み、レンズ
アレイの間隔を狭くでき開口数(NA)の大きなマイク
ロレンズヘの要求が高まっている。
【0003】受光素子においても同様に、半導体プロセ
ス技術の発達に伴い、素子間隔が狭まり、CCD等に見
られる様に、ますます受光素子の小型化がなされてい
る。この結果、ここでも、レンズ間隔の狭い、開口数の
大きなマイクロレンズアレイが必要となっている。さら
に、今後期待される光情報処理分野である光並列処理・
演算、光インターコネクション等においても、同様の要
望がある。
【0004】また、エレクトロルミネッセンス(EL)
等の自発光型のディスプレイ装置の研究開発も盛んに行
われ、高精細且つ高輝度のディスプレイの提案がなされ
ている。この様なディスプレイにおいては、小型且つ開
口数の大きなマイクロレンズアレイに加えて、低コスト
で大面積のマイクロレンズアレイヘの要求がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】以上の様な状況におい
て、従来、イオン交換法(M.Oikawa, eta
l., Jpn. J. Appl. Phys. 2
0(4) L51−54, 1981)を用いて多成分
ガラスからなる基板上の複数の箇所を分布状態で高屈折
率化して、複数のレンズを形成するようにしたマイクロ
レンズアレイの作製方法が知られている。しかし、この
方法では、レンズ同士の間隔に比べてレンズ径を大きく
とれず、開口数の大きなレンズの設計が困難であった。
また、大面積のマイクロレンズアレイを作製するにはイ
オン拡散装置等の大規模な製造装置が必要とされ、製造
が容易でないという問題もあった。また、金型を用いた
モールディングに比べて、ガラス毎にイオン交換工程を
施す必要があり、製造装置の作製条件管理を十分に行わ
ないと、レンズの品質、例えば焦点距離のばらつきがロ
ット間で大きくなるという問題もあった。また、この方
法では、金型を用いた方法に比べて、割高になる。
【0006】さらに、イオン交換法では、ガラス基板中
に被イオン交換用のアルカリイオンが必須となり、基板
材料がアルカリガラスに限定され、ガラス基板そのもの
の熱膨張係数が受光装置や発光装置の基板の熱膨張係数
より大きくなって、素子の集積密度が増加するに伴い熱
膨張係数の不整合によるミスアライメントが発生する。
また、元来、ガラス表面のイオン交換法は、表面に圧縮
歪みを残すことが知られており、どうしてもガラス表面
の残留応力と反り変形の間にトレードオフの関係がある
という課題が生じ、マイクロレンズアレイが大判化する
に従い受光装置や発光装置の基板との接着接合が困難と
なってくる。
【0007】他の方法としては、レジストリフロー法
(D.Daly, et al.,Proc. Mic
rolens Arrays Teddingto
n.,p23−34,1991)がある。この方法で
は、基板上に形成した樹脂をフォトリソグラフィプロセ
スを利用して円筒状にパターニングし、これを加熱しリ
フローさせてマイクロレンズアレイを作製する。この方
法により、様々な形状のレンズが低コストで作製するこ
とが可能である。また、イオン交換法に比べて、熱膨張
係数や反り等の問題がない。しかしながら、この方法
は、マイクロレンズの形状が樹脂の厚み、基板と樹脂と
の濡れ性状態、及び加熱温度に強く依存しおり、単一基
板面内の作製再現性は高いが、ロット毎のばらつきが発
生しやすい。
【0008】更なる他の方法としては、マイクロレンズ
アレイの原版を作製し、原版にレンズ材料を塗布し、塗
布したレンズ材料を剥離してマイクロレンズアレイを作
製する方法がある。原版となる金型の作製に当たって
は、電子ビームを用いて描画する方法(特開平1−23
1601号公報)、金属板の一部をエッチングして形成
する方法(特開平5−303009号公報)がある。こ
の方法は、モールディングにてマイクロレンズを複製す
ることができ、ロット毎のばらつきが発生しにくく、ま
た低コストにて作製することが可能である。また、イオ
ン交換法に比べて、熱膨張係数や反り等の問題を回避で
きる。
【0009】しかしながら、電子ビームを用いる方法で
は、電子ビーム描画装置が高価であり多額の設備投資が
必要となる、描画面積が制限されているために、10c
m角以上の大面積の原版を作製することが困難である等
の問題がある。
【0010】また、エッチングする方法では、主として
化学反応を利用した等方性エッチングを用いるため、金
属板の組成や結晶構造が僅かでも変化すると、所望の形
状にエッチングできなくなるという問題がある。また、
エッチングする方法では、所望の形状が得られた時点で
直ちに水洗しないとエッチングが継続する。微少なマイ
クロレンズを形成する場合には、この様な所望の形状が
得られた時点から水洗に至るまでの時間に進行するエッ
チングにより、所望の形状から逸脱する場合がある。
【0011】本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑
みて成されたものであり、その目的は、(1)大判化が
容易な、(2)作製プロセスが容易で且つ制御性の高
い、(3)比較的安価なマイクロレンズ(直径ないし幅
ミクロンオーダーから数100μmの微小な半球状レン
ズ、フライアイレンズ、レンチキュラーレンズなどR面
を持つレンズを指す)用金型の作製方法、マイクロレン
ズアレイの品質のばらつきが小さく製造が容易なマイク
ロレンズアレイ等の作製方法、を提供することにある。
【0012】
【課題を解決する為の手段と作用】上記目的を達成する
本発明のマイクロレンズ用金型の作製方法は、(1)導
電性の基板表面にマスク層を形成する工程、(2)前記
マスク層に開口部を形成する工程、(3)溶液中に陰極
を設け、前記基板の表面を前記開口部を通して該溶液に
晒し、前記基板側を陽極にして、陰極と陽極との間に電
界をかけて前記開口部より前記基板を加工し、前記開口
部を中心とする半球状或は半円筒形状凹部を形成する工
程、の少なくとも(1)〜(3)の工程を有することを
特徴とする。
【0013】上記基本的構成において、以下の如き好適
なより具体的な態様が可能である。上記工程(3)の加
工が電解エッチングである。この場合、上記工程(1)
に記載の基板がシリコンを主材料とする基板でありう
る。
【0014】また、上記工程(3)に記載の加工が陽極
化成(陽極で導電体表面に処理液を接触させて化学反応
により化合物を形成すること)であり、これにより前記
開口部を中心とする性質の変化した半球部或は半円筒形
部を基板中に形成し、その後、該半球部或は半円筒形部
を選択的にエッチング除去する。この場合も、上記工程
(1)に記載の基板がシリコンを主材料とする基板であ
りうる。このとき、前記性質の変化した半球部或は半円
筒形部が多孔質シリコンでありうる。そして、多孔質シ
リコンよりなる前記半球部或は半円筒形部を熱酸化して
二酸化シリコンにした後に前記半球部或は半円筒形部を
選択的にエッチング除去してもよい。
【0015】また、前記開口部が円形或はスリット形状
を有する。円形であれば、半球状マイクロレンズを形成
する為の金型を製造できる。スリット形状であれば、レ
ンチキュラーマイクロレンズを形成する為の金型を製造
できる。
【0016】また、前記マスク層がフォトレジストより
なる。この場合、所望の開口部を容易に形成できる。
【0017】また、前記開口部が複数形成されている。
この場合、半球状マイクロレンズアレイ或はレンチキュ
ラーマイクロレンズアレイを形成する為の金型を製造で
きる。
【0018】更に、上記目的を達成する本発明のマイク
ロレンズアレイ等の作製方法は、上記方法により作製し
たマイクロレンズ用金型上にレンズ材料を塗布し、前記
金型より前記レンズ材料を剥離し形成することを特徴と
する。レンズ材料は樹脂より成り得る。
【0019】本発明の作用・原理を具体例に沿って説明
する。まず、本発明のマイクロレンズ用金型の第1の作
製方法を、図1および図2を用いて説明する。初めに、
基板1の表面にマスク層2を形成する。導電性の基板1
の材料は陽極化成により多孔質化(ポーラス化)の起こ
るSi、SiC、Ge、Al、Ti等の材料を用いる
が、最も容易にはP型のSi基板を用いる。マスク層2
の材料としては陽極化成に使用する溶液に対してエッチ
ング耐性のある材料が用いられる。次に、表面のマスク
層2をパターニングして、陽極化成用の開口部3を形成
する(図1(a)参照)。開口部3を中心として陽極化
成が基板中で等方的に進行するため、その形状は円形或
はスリット状であることが望ましい。
【0020】続いて、陽極化成により多孔質シリコンよ
りなる半球部6或は半円筒形部を基板1中に形成する
(図1(b)参照)。陽極化成の方法を図2に示す。基
板1の表面は溶液20に接している。基板1がシリコン
の場合、溶液20としては濃フッ酸(49%HF)或は
その希釈水溶液が用いられる。また、気泡の発生を防ぐ
目的でメタノール、エタノール、プロパノール、イソプ
ロパノール等のアルコールを加えても良い。溶液20側
に陰極4、また、基板1側に陽極がそれぞれ設けられて
いる。この状態で適正な電圧或は電流を印加することに
より、溶液20に接している開口部3のシリコンから多
孔質化が等方的に進行し、多孔質シリコンよりなる半球
部6或は半円筒形部が成長する。半球或は半円筒が所望
の大きさになったときに電圧を0にすることにより、陽
極化成が停止する。この方法により、真半球或は真半円
筒に近い半球部或は半円筒形部を制御性良く形成するこ
とができる。
【0021】次に、半球部或は半円筒形部の多孔質シリ
コン及びマスク層2を除去して半球状或は半円筒形状凹
部を形成する(図1(d)参照)。この際、直接、多孔
質シリコンをエッチング除去しても良いし、また、多孔
質シリコンを酸化ガスにより熱酸化して二酸化シリコン
6’にした後(図1(c)参照)、これを除去しても良
い。この方法により、半球状或は半円筒形状凹部の表面
を平滑にすることが可能である。また、この後さらに熱
酸化することにより、半球状或は半円筒形状凹部の表面
をさらに平滑にすることが可能である(図1(e)参
照)。以上の方法によりマイクロレンズ用金型を作製す
る。
【0022】次に、本発明のマイクロレンズ用金型の第
2の作製方法を、図4を用いて説明する。はじめに、基
板31の表面にマスク層32を形成する。基板31の材
料としては、電解エッチングの可能なCu,Al,A
u,Ag,Mo等の金属や、不純物を注入したシリコン
などを用いることが可能である。マスク層32としては
電解エッチング液に対して耐性のある材料が用いられ
る。次に、表面のマスク層32をパターニングして、電
解エッチング用の開口部33を形成する(図4(a)参
照)。開口部3を中心として電解エッチングが等方的に
進行するため、その形状は円形或はスリット状であるこ
とが望ましい。この辺の事情は第1の作製方法と同じで
ある。
【0023】次に、電解エッチングにより半球状或は半
円筒形状凹部37を形成する(図4(b)参照)。電解
エッチングの方法は図2に示した陽極化成の場合とほぼ
同じである。基板31の表面は溶液20に接している。
溶液20としては基板31の材料に応じた電解エッチン
グ液が選択される。溶液20側に陰極4、また、基板側
に陽極がそれぞれ設けられている。この状態で電圧を印
加することにより溶液に接している開口部33のシリコ
ンから電解エッチングが等方的に進行し、半球状或は半
円筒形状凹部37が成長する。凹部37が所望の大きさ
になったときに電圧を0にすることにより、電解エッチ
ングが停止する。この方法により、真半球或は真半円筒
形に近い半球状或は半円筒形状凹部を制御性良く形成す
ることができる。この後、マスク層32をエッチング除
去する(図4(c)参照)。基板31がシリコンの場合
は、この後さらに熱酸化して二酸化シリコンよりなる平
滑化層38を形成することにより、半球状或は半円筒形
状凹部37の表面をさらに平滑にすることが可能である
(図4(d)参照)。以上の方法によりマイクロレンズ
用金型を作製する。
【0024】上記の2つのマイクロレンズ用金型の製造
方法は、単純な化学エッチングにより凹部を形成する方
法に比べて、所望の形状が得られた時点で陰極4と陽極
との間に流れる電流を停止すれば陽極化成または電解エ
ッチングの進行を停止できるために、水洗までの時間で
エッチングされてしまうような不測の形状誤差を回避で
き、作製の制御性が良い。また、導電性の基板内では電
位の分布が開口部を中心として等方的であり、陽極化成
または電解エッチング時に基板の結晶性や溶液の濃度分
布、溶液の流れなどの影響を受けにくく、半球状或は半
円筒形状凹部の曲面を、単純な化学エッチングの場合と
比較して、より球面或は円筒面に近い形状にすることが
可能である。
【0025】また、高価な設備を必要とせず、低コスト
で作製でき、また容易に大判化することも可能となる。
マスク層に複数の開口部を形成することにより同様の方
法を用いてマイクロレンズアレイ用の金型を形成するこ
とができることは言うまでもない。
【0026】上記方法により作製したマイクロレンズ用
金型を用いモールディングによりマイクロレンズを作製
することができる。これにより、低コストで且つ容易
に、同一の形状のマイクロレンズを作製することが可能
となる。マイクロレンズの材料としては、マイクロレン
ズ用金型との剥離性が容易な材料が用いられる。ここで
は、樹脂よりなるマイクロレンズについて説明する。
【0027】図3(a)に示すように、前述した工程で
得られたマイクロレンズ用金型9上に、樹脂10を塗布
し、用いた樹脂の硬化条件に合わせて硬化させる。この
後、研磨により表面を平坦化させても良い(図3(b)
参照)。或は、図5(b)に示す様に支持基板41を樹
脂の上から載せ、樹脂が均一な平面を得てから、用いた
樹脂の硬化条件に合わせて硬化しても良い。熱硬化樹
脂、紫外線硬化樹脂、電子線硬化樹脂を夫々加熱、紫外
光照射、電子線照射等により硬化させる。紫外線照射の
際はマイクロレンズの裏面側より光を照射する。この
為、支持基板を使用する場合には光透過する支持基板を
使用する。硬化時には、気泡が形成されないようにす
る。樹脂を塗布する場合には、脱気を行うと良い。硬化
後に、樹脂及び支持基板を金型から剥離、または、金型
をエッチング除去してマイクロレンズが形成される。支
持基板はマイクロレンズから剥離して使用してもよい。
【0028】マイクロレンズとなる樹脂としては、マイ
クロレンズを用いる受光、または発光装置が利用する光
の波長領域で光透過可能な材料を用いる。上記方法でマ
イクロレンズを作製する場合には、アルカリガラスが必
須とはならず、イオン交換法と比べて、マイクロレン
ズ、支持基板の材料の制限を少なくすることができる。
樹脂の代わりに溶融したガラスを使用すれば、ガラスの
マイクロレンズを作製できる。
【0029】
【発明の実施の形態】以下、実施例を挙げて本発明を詳
細に説明する。
【0030】(第1実施例)本実施例は、本発明による
マイクロレンズアレイ用金型の製造方法の第1の態様、
及びこれを用いたマイクロレンズアレイの製造方法の例
である。図1(a)〜(e)は、本実施例の製造工程の
断面図を示す。図1において、6等で示す部分を半球状
であるとすれば、本実施例は半球状マイクロレンズアレ
イ用金型の製造方法などに係るが(ここではその様に説
明する)、これらの部分が紙面垂直方向にこのまま伸び
ているとすれば、本実施例はレンチキュラーレンズアレ
イ用金型の製造方法などに係ることになる。
【0031】図1に沿って第1実施例の製造工程を説明
する。まず、導電性基板1としてP型(100)の単結
晶シリコン基板(比抵抗0.1〜0.2Ωcm)を用意
し、アンモニアガスとジクロルシランガスを用いた低圧
化学気相成長法(LPCVD)により基板1の表面に窒
化シリコンを1μm成膜して、これをマスク層2とす
る。次に、表面のマスク層2をパターニングして、陽極
化成用の径5μm程度の開口部3を形成する(図1
(a)参照)。開口部3の数と配列形態は、目的とする
マイクロレンズの形態に応じて決めればよい。
【0032】次に、陽極化成により多孔質シリコンより
なる半径20μmの半球部6を基板1に形成する(図1
(b)参照)。陽極化成の方法を図2に示す。陽極板5
と共に陽極を構成する基板1の表面は開口部3付きマス
ク層2を介してエタノールを加えた濃フッ酸(49%H
F)溶液に接している。また、溶液20側に陰極4とし
て白金のメッシュ電極が設けられ、そして基板1の裏面
に接して上記陽極板5として金をコーティングした銅板
が設けられている。陽極化成は、陰極4と陽極間に接続
された電流源21を用いて電流密度50mA/cm
行なった。基板1の陽極化成処理中、溶液20は円形状
開口部3を通ってここから等方的に基板1に浸透して化
学反応を起こすので、多孔質シリコンとなる部分は、開
口部3を中心とした半球部6となる。処理時間により、
各半球部6の半径は制御できる。
【0033】次に、図1(b)の基板1を酸素雰囲気中
で、300℃、60分、熱酸化して、半球部6の多孔質
シリコンを二酸化シリコン6’とした(図1(c)参
照)。この際、基板1の裏面にも二酸化シリコン6’が
形成される。
【0034】次に、基板1表面のマスク層2を四フッ化
炭素ガスを用いたドライエッチングで除去した後、二酸
化シリコン半球部6’及び基板1裏面の二酸化シリコン
6’を、フッ酸とフッ化アンモニウムの混合水溶液によ
りエッチング除去する(図1(d)参照)。最後に、再
び基板1表面および裏面を酸化ガスを用いて熱酸化する
ことにより、二酸化シリコンよりなる平坦化層8を形成
する(図1(e)参照)。以上の方法によりマイクロレ
ンズ用金型9を作製した。
【0035】次に、上記のマイクロレンズ用金型9を用
いたマイクロレンズアレイの作製方法を図3を用いて説
明する。まず、紫外線硬化するフォトポリマーからなる
樹脂10を金型9に滴下し、ついで紫外線を照射して樹
脂10を硬化させた(図3(a)参照)。次に、厚さが
10μmとなる程度に樹脂10を研磨した(図3(b)
参照)。次に、金型9と樹脂10の界面で剥離した(図
3(c)参照)。以上の方法によりマイクロレンズアレ
イ12が作製される。
【0036】(第2実施例)本実施例は、本発明による
マイクロレンズ用金型の製造方法の第2の態様、及びこ
れを用いたマイクロレンズの製造方法の例である。図4
(a)〜(d)は、本実施例の製造工程の断面図を示
す。本実施例においても、第1実施例と同様なことが言
える。
【0037】まず、基板31としてN型(100)の単
結晶シリコン基板(比抵抗0.01〜0.02Ωcm)
の単結晶シリコン基板を用意し、アンモニアガスとジク
ロルシランガスを用いたLPCVDにより基板31の表
面に窒化シリコンを1μm成膜して、これをマスク層3
2とする。次に、表面のマスク層32をパターニングし
て、エッチング用の径5μm程の開口部33を形成する
(図4(a)参照)。
【0038】次に、電解エッチングにより半径20μm
の半球状凹部37を形成する(図4(b)参照)。この
とき、基板31の表面は、開口部33付きマスク層32
を介して5%のフッ酸水溶液に接している。電解エッチ
ングの方法は、ほぼ図2に示した陽極酸化ないし化成の
場合と同様である(溶液成分、電流密度等の条件を変え
て電解エッチングか陽極酸化かを選択する)。溶液20
側に陰極4として白金のメッシュ電極、また、基板の裏
面に接して陽極板5として金をコーティングした銅板を
それぞれ設け、電圧10V、電流密度0.5mA/cm
で電解エッチングをおこなう。
【0039】次に、基板31表面のマスク層32を四フ
ッ化炭素ガスを用いたドライエッチングで除去する(図
4(c)参照)。最後に、再び表面および裏面を酸化ガ
スを用いて熱酸化することにより、二酸化シリコンより
なる平坦化層38を形成する(図4(d)参照)。以上
の方法によりマイクロレンズ用金型39を作製した。
【0040】次に、上記のマイクロレンズ用金型39を
用いたマイクロレンズアレイの作製方法を図5を用いて
説明する。まず、紫外線硬化するフォトポリマーからな
る樹脂40を金型39に滴下する(図5(a)参照)。
次に、ガラスよりなる支持基板41を樹脂40の上から
載せ、樹脂40が均一な平面を得てから、紫外線を照射
して樹脂40を硬化させる(図5(b)参照)。次に、
支持基板41側を保護した後、金型39表面の二酸化シ
リコンをフッ酸とフッ化アンモニウムの混合水溶液を用
いてエッチング除去した後、金型39のシリコンを90
℃に加熱したテトラメチルアンモニウムヒドロキシド
(TMAH)の水溶液を用いてエッチング除去する(図
5(c)参照)。以上の方法によりマイクロレンズアレ
イ42を作製した。
【0041】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のマイクロ
レンズ用金型の作製方法では、基板上に設けた開口か
ら、電解エッチングまたは陽極酸化を用いて半球状等の
R面を持つ凹部を形成するため、金型の大判化が容易で
あり、また作製プロセスが容易で、かつ諸条件の制御に
よる制御性が高い。また、大型製造装置の不要な低コス
トなマイクロレンズ用金型が作製できる。
【0042】更に、この金型にて作製したマイクロレン
ズアレイ等はモールディングにて作製する為に製造が容
易であり、ロット間のばらつきが小さい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のマイクロレンズ用金型の作製方法の第
1実施例を説明する断面図である。
【図2】本発明のマイクロレンズ用金型の作製方法にお
ける半球部などのR面部の作製方法を示す図である。
【図3】本発明の第1実施例のマイクロレンズ用金型を
用いたマイクロレンズの作製方法を示す断面図である。
【図4】本発明のマイクロレンズ用金型の作製方法の第
2実施例を説明する断面図である。
【図5】本発明の第2実施例のマイクロレンズ用金型を
用いたマイクロレンズの作製方法を示す断面図である。
【符号の説明】
1、31 基板 2、32 マスク層 3、33 開口部 4 陰極 5 陽極板 6 半球部 6’ 二酸化シリコン部 7、37 半球状凹部 8、38 平滑化層 9、39 マイクロレンズ用金型 10、40 樹脂 11、41 支持基板 12、42 マイクロレンズアレイ 20 溶液 21 電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 手島 隆行 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 Fターム(参考) 4F202 AA44 AJ06 AJ09 CD01 CD24 CK89

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】マイクロレンズ用金型の作製方法であっ
    て、 (1)導電性の基板表面にマスク層を形成する工程、 (2)前記マスク層に開口部を形成する工程、 (3)溶液中に陰極を設け、前記基板の表面を前記開口
    部を通して該溶液に晒し、前記基板側を陽極にして、陰
    極と陽極との間に電界をかけて前記開口部より前記基板
    を加工し、前記開口部を中心とする半球状或は半円筒形
    状凹部を形成する工程、 の少なくとも(1)〜(3)の工程を有することを特徴
    とするマイクロレンズ用金型の作製方法。
  2. 【請求項2】前記工程(3)の加工が電解エッチングで
    あることを特徴とする請求項1記載のマイクロレンズ用
    金型の作製方法。
  3. 【請求項3】前記基板がシリコンを主材料とする基板で
    あることを特徴とする請求項2記載のマイクロレンズ用
    金型の作製方法。
  4. 【請求項4】前記工程(3)の加工が陽極化成であり、
    これにより前記開口部を中心とする性質の変化した半球
    部或は半円筒形部を基板中に形成し、その後、該半球部
    或は半円筒形部を選択的にエッチング除去することを特
    徴とする請求項1記載のマイクロレンズ用金型の作製方
    法。
  5. 【請求項5】前記工程(1)の基板がシリコンを主材料
    とする基板であることを特徴とする請求項4記載のマイ
    クロレンズ用金型の作製方法。
  6. 【請求項6】前記性質の変化した半球部或は半円筒形部
    が多孔質シリコン部であることを特徴とする請求項5記
    載のマイクロレンズ用金型の作製方法。
  7. 【請求項7】多孔質シリコンよりなる前記半球部或は半
    円筒形部を熱酸化して二酸化シリコン部にした後に該半
    球部或は半円筒形部を選択的にエッチング除去すること
    を特徴とする請求項6記載のマイクロレンズ用金型の作
    製方法。
  8. 【請求項8】前記開口部が円形或はスリット形状を有す
    ることを特徴とする請求項1乃至7の何れかに記載のマ
    イクロレンズ用金型の作製方法。
  9. 【請求項9】前記マスク層がフォトレジストよりなるこ
    とを特徴とする請求項1乃至8の何れかに記載のに記載
    のマイクロレンズ用金型の作製方法。
  10. 【請求項10】前記開口部が複数形成されていることを
    特徴とする請求項1乃至9の何れかに記載のマイクロレ
    ンズ用金型の作製方法。
  11. 【請求項11】請求項1乃至7の何れかに記載の方法に
    より作製したマイクロレンズ用金型上にレンズ材料を塗
    布し、前記金型より前記レンズ材料を剥離し形成するこ
    とを特徴とするマイクロレンズの作製方法。
  12. 【請求項12】レンズ材料が樹脂よりなることを特徴と
    する請求項11記載のマイクロレンズの作製方法。
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Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003255180A (ja) * 2002-03-06 2003-09-10 Yamaha Corp マイクロレンズアレイ結合系及びマイクロレンズアレイとその製法
JP2003270482A (ja) * 2002-03-15 2003-09-25 Yamaha Corp マイクロレンズアレイ結合系及びマイクロレンズアレイとその製法
JPWO2004017106A1 (ja) * 2002-08-13 2005-12-08 日本ゼオン株式会社 レンズアレイシート
WO2006123815A1 (en) * 2005-05-18 2006-11-23 Matsushita Electric Works, Ltd. Process of forming a curved profile on a semiconductor substrate
WO2006123816A3 (en) * 2005-05-18 2007-01-18 Matsushita Electric Works Ltd Process of making an optical lens
JP2007086805A (ja) * 2005-08-26 2007-04-05 Matsushita Electric Works Ltd 半導体レンズの製造方法
JP2007108776A (ja) * 2005-08-26 2007-04-26 Matsushita Electric Works Ltd 半導体レンズの製造方法
JP2007108777A (ja) * 2005-08-26 2007-04-26 Matsushita Electric Works Ltd 半導体レンズの製造方法
JP2007171170A (ja) * 2005-11-25 2007-07-05 Matsushita Electric Works Ltd 熱型赤外線検出装置の製造方法
JP2007171174A (ja) * 2005-11-25 2007-07-05 Matsushita Electric Works Ltd 熱型赤外線検出装置およびその製造方法
JP2007225932A (ja) * 2006-02-23 2007-09-06 Matsushita Electric Works Ltd 赤外線通信用モジュール
EP1917546A1 (en) * 2005-08-26 2008-05-07 Matsushita Electric Works, Ltd. Process of making a semiconductor optical lens and a semiconductor optical lens fabricated thereby
US7718970B2 (en) 2005-11-25 2010-05-18 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Infrared detection unit using a semiconductor optical lens
US7826042B2 (en) 2004-03-05 2010-11-02 Canon Kabushiki Kaisha Recognition chip for target substance, and detection method and device for the same
JP2010534927A (ja) * 2007-07-26 2010-11-11 ウニベルジテーツ コンスタンツ バックエッチングを施したエミッタを有するシリコン太陽電池および類似の太陽電池を形成する方法
CN102029722A (zh) * 2009-09-30 2011-04-27 夏普株式会社 透镜成型装置以及透镜成型方法
CN103482566A (zh) * 2013-09-30 2014-01-01 杭州士兰集成电路有限公司 用于mems工艺中的深槽制造方法
JP2014512673A (ja) * 2011-03-08 2014-05-22 アライアンス フォー サステイナブル エナジー リミテッド ライアビリティ カンパニー 向上された青色感度を有する効率的なブラックシリコン光起電装置
KR101765320B1 (ko) * 2015-12-23 2017-08-07 한국과학기술원 실리콘 마스터 몰드 및 그 제조방법
CN109052313A (zh) * 2018-08-16 2018-12-21 湖南文理学院 一种硅基凸面反射镜的制备方法
CN109056049A (zh) * 2018-08-16 2018-12-21 湖南文理学院 一种纳米多孔硅双凹透镜的制备方法
CN111689458A (zh) * 2019-03-13 2020-09-22 北京大学 一种高深宽高对称性高表面光滑度硅微半球曲面的制备***及其工艺方法
CN113651290A (zh) * 2021-07-07 2021-11-16 北京大学 一种新的硅基微纳结构的修饰方法

Cited By (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003255180A (ja) * 2002-03-06 2003-09-10 Yamaha Corp マイクロレンズアレイ結合系及びマイクロレンズアレイとその製法
JP2003270482A (ja) * 2002-03-15 2003-09-25 Yamaha Corp マイクロレンズアレイ結合系及びマイクロレンズアレイとその製法
JPWO2004017106A1 (ja) * 2002-08-13 2005-12-08 日本ゼオン株式会社 レンズアレイシート
US7826042B2 (en) 2004-03-05 2010-11-02 Canon Kabushiki Kaisha Recognition chip for target substance, and detection method and device for the same
US8023109B2 (en) 2004-03-05 2011-09-20 Canon Kabushiki Kaisha Recognition chip for target substance, and detection method and device for the same
KR100947483B1 (ko) * 2005-05-18 2010-03-17 파나소닉 전공 주식회사 광학 렌즈의 형성 공정
US8313632B2 (en) 2005-05-18 2012-11-20 Panasonic Corporation Process of making an optical lens
WO2006123816A3 (en) * 2005-05-18 2007-01-18 Matsushita Electric Works Ltd Process of making an optical lens
US7749868B2 (en) 2005-05-18 2010-07-06 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Process of forming a curved profile on a semiconductor substrate
WO2006123815A1 (en) * 2005-05-18 2006-11-23 Matsushita Electric Works, Ltd. Process of forming a curved profile on a semiconductor substrate
JP2007108776A (ja) * 2005-08-26 2007-04-26 Matsushita Electric Works Ltd 半導体レンズの製造方法
JP2007108777A (ja) * 2005-08-26 2007-04-26 Matsushita Electric Works Ltd 半導体レンズの製造方法
US8591716B2 (en) 2005-08-26 2013-11-26 Panasonic Corporation Process of making a semiconductor optical lens and a semiconductor optical lens fabricated thereby
JP2007086805A (ja) * 2005-08-26 2007-04-05 Matsushita Electric Works Ltd 半導体レンズの製造方法
EP1917546A1 (en) * 2005-08-26 2008-05-07 Matsushita Electric Works, Ltd. Process of making a semiconductor optical lens and a semiconductor optical lens fabricated thereby
JP4586798B2 (ja) * 2005-08-26 2010-11-24 パナソニック電工株式会社 半導体レンズの製造方法
JP4586796B2 (ja) * 2005-08-26 2010-11-24 パナソニック電工株式会社 半導体レンズの製造方法
JP4586797B2 (ja) * 2005-08-26 2010-11-24 パナソニック電工株式会社 半導体レンズの製造方法
JP2007171174A (ja) * 2005-11-25 2007-07-05 Matsushita Electric Works Ltd 熱型赤外線検出装置およびその製造方法
US7718970B2 (en) 2005-11-25 2010-05-18 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Infrared detection unit using a semiconductor optical lens
JP2007171170A (ja) * 2005-11-25 2007-07-05 Matsushita Electric Works Ltd 熱型赤外線検出装置の製造方法
JP2007225932A (ja) * 2006-02-23 2007-09-06 Matsushita Electric Works Ltd 赤外線通信用モジュール
JP2010534927A (ja) * 2007-07-26 2010-11-11 ウニベルジテーツ コンスタンツ バックエッチングを施したエミッタを有するシリコン太陽電池および類似の太陽電池を形成する方法
JP2013080954A (ja) * 2007-07-26 2013-05-02 Universitat Konstanz バックエッチングを施したエミッタを有するシリコン太陽電池および類似の太陽電池を形成する方法
US8586396B2 (en) 2007-07-26 2013-11-19 Universität Konstanz Method for producing a silicon solar cell with a back-etched emitter as well as a corresponding solar cell
CN102029722A (zh) * 2009-09-30 2011-04-27 夏普株式会社 透镜成型装置以及透镜成型方法
US8815129B2 (en) 2009-09-30 2014-08-26 Sharp Kabushiki Kaisha Device and method for forming lens
JP2014512673A (ja) * 2011-03-08 2014-05-22 アライアンス フォー サステイナブル エナジー リミテッド ライアビリティ カンパニー 向上された青色感度を有する効率的なブラックシリコン光起電装置
US11251318B2 (en) 2011-03-08 2022-02-15 Alliance For Sustainable Energy, Llc Efficient black silicon photovoltaic devices with enhanced blue response
CN103482566A (zh) * 2013-09-30 2014-01-01 杭州士兰集成电路有限公司 用于mems工艺中的深槽制造方法
KR101765320B1 (ko) * 2015-12-23 2017-08-07 한국과학기술원 실리콘 마스터 몰드 및 그 제조방법
CN109052313A (zh) * 2018-08-16 2018-12-21 湖南文理学院 一种硅基凸面反射镜的制备方法
CN109056049A (zh) * 2018-08-16 2018-12-21 湖南文理学院 一种纳米多孔硅双凹透镜的制备方法
CN109052313B (zh) * 2018-08-16 2020-11-20 湖南文理学院 一种硅基凸面反射镜的制备方法
CN111689458A (zh) * 2019-03-13 2020-09-22 北京大学 一种高深宽高对称性高表面光滑度硅微半球曲面的制备***及其工艺方法
CN113651290A (zh) * 2021-07-07 2021-11-16 北京大学 一种新的硅基微纳结构的修饰方法

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