JP2000256621A - Film-forming composition, manufacture thereof and material for layer insulating film - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a composition which is excellent in uniformity of a coated film, dielectric characteristic, storage stability, O plasma ashing resistance, adhesion to an underlying layer and the like by including an alkoxysilane compound, a metal chelate compound, a propylene glycol monoalkyl ether and a β-diketone. SOLUTION: The composition comprises a hydrolyzate of a compound of the formula, R1nSi(OR2)4-n and/or its partial condensate, a metal chelate compound of the formula, R3tM(OR4)s-t, a propylene glycol monoalkyl ether and a β-diketone, in which it is preferred that the content of Na is 20 ppb or below, the content of β-diketone is not lower than 1 wt.%, and the content of an alcohol having a boiling point of 100 deg.C or below is not higher than 20 wt.%. In the formula, R1-2 represents 1-5C alkyl or 6-20C aryl; n is 0 to 2; R3 represents a chelating agent; M is a metal atom, preferably Ti, Zr or Al; R4 represents 2-5C alkyl or 6-20C aryl; s is a valence of M; and t is 1 to s. This composition is useful as a layer insulating film such as for semiconductor devices.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、膜形成用組成物に
関し、さらに詳しくは、半導体素子等における層間絶縁
膜として適当な、均一な厚さを有する塗膜が形成可能
な、しかも誘電率特性等に優れた膜形成用組成物であ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a film-forming composition, and more particularly, to a film having a uniform thickness suitable for an interlayer insulating film in a semiconductor device, etc. And the like.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来、半導体素子等における層間絶縁膜
として、ＣＶＤ法等の真空プロセスで以て形成されたシ
リカ（ＳｉＯ₂ ）膜が多用されている。そして、近年、
より均一な層間絶縁膜を形成することを目的として、Ｓ
ＯＧ（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）膜と呼ばれるテト
ラアルコキシシランの加水分解生成物を主成分とする塗
布型の絶縁膜も使用されるようになってきた。また半導
体素子等の高集積化に伴い、有機ＳＯＧと呼ばれるオル
ガノポリシロキサンを主成分とする低誘電率の層間絶縁
膜が開発されている。しかしながら、半導体素子等のさ
らなる高集積化に伴い、より優れた導体間の電気絶縁性
が要求されており、したがって、より低誘電率の層間絶
縁膜材料が求められるようになってきた。Conventionally, as an interlayer insulating film in semiconductor devices and the like, silica is formed Te than by a vacuum process such as CVD (SiO ₂₎ film is often used. And in recent years,
In order to form a more uniform interlayer insulating film, S
A coating-type insulating film mainly composed of a hydrolysis product of tetraalkoxysilane, called an OG (Spin on Glass) film, has also been used. Also, with the high integration of semiconductor elements and the like, an interlayer insulating film having a low dielectric constant, which is mainly composed of organopolysiloxane and is called organic SOG, has been developed. However, with higher integration of semiconductor devices and the like, better electrical insulation between conductors is required, and therefore, an interlayer insulating film material having a lower dielectric constant has been required.

【０００３】そこで、特開平６−１８１２０１号公報に
は、層間絶縁膜材料として、より低誘電率の絶縁膜形成
用塗布型組成物が開示されている。かかる塗布型組成物
は、吸水性が低く、耐クラック性に優れた半導体装置の
絶縁膜を提供することを目的としており、その構成は、
チタン、ジルコニウム、ニオブおよびタンタルから選ば
れる少なくとも１種の元素を含む有機金属化合物と、分
子内にアルコキシ基を少なくとも１個有する有機ケイ素
化合物とを縮重合させてなる、数平均分子量が５００以
上のオリゴマ−を主成分とする絶縁膜形成用塗布型組成
物である。この絶縁膜形成用塗布液に使用される反応溶
媒として、メタノ−ル、エタノ−ル、２−プロパノ−
ル、ＴＨＦ、ジオキサン、ジエチレングリコ−ルモノメ
チルエ−テルアセテ−ト等が、また、オリゴマ−を溶解
させるための溶媒として、２−プロパノ−ル、酢酸ブチ
ル等が開示されている．[0003] Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-181201 discloses a coating composition for forming an insulating film having a lower dielectric constant as an interlayer insulating film material. Such a coating composition has a low water absorption and is intended to provide an insulating film of a semiconductor device having excellent crack resistance, and the constitution is
Titanium, zirconium, niobium and tantalum; an organometallic compound containing at least one element selected from the group consisting of polycondensation of an organosilicon compound having at least one alkoxy group in the molecule; It is a coating type composition for forming an insulating film mainly comprising an oligomer. As a reaction solvent used in the coating liquid for forming an insulating film, methanol, ethanol, 2-propanol,
, THF, dioxane, diethylene glycol monomethyl ether acetate and the like, and as a solvent for dissolving the oligomer, 2-propanol and butyl acetate are disclosed.

【０００４】また、ＷＯ９６／００７５８号公報には、
多層配線基板の層間絶縁膜の形成に使用される、アルコ
キシシラン類、シラン以外の金属アルコキシドおよび有
機溶媒等からなる、厚膜塗布が可能で、かつ耐酸素プラ
ズマアッシング性に優れるシリカ系塗布型絶縁膜形成用
材料が開示されている。この塗布型絶縁膜形成用材料に
使用される有機溶媒として、メチルアルコ−ル、エチル
アルコ−ル、イソプロピンアルコ−ルなどの１価のアル
コ−ル類及びそのエステル類、エチレングリコ−ル、グ
リセリン、エチレングリコ−ルなどの多価アルコ−ル類
及びそのエ−テル又はエステル類、アセトン、メチルエ
チルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセト
ンなどのケトン類が挙げられている。[0004] WO96 / 00758 also discloses that
Silica-based insulation that is used for forming interlayer insulating films of multilayer wiring boards and that is composed of alkoxysilanes, metal alkoxides other than silane, organic solvents, etc., is capable of thick film coating and has excellent oxygen plasma ashing resistance. A film forming material is disclosed. Examples of the organic solvent used for the material for forming a coating type insulating film include monovalent alcohols such as methyl alcohol, ethyl alcohol, and isopropyl alcohol and esters thereof, ethylene glycol, and glycerin. And polyhydric alcohols such as ethylene glycol and ethers or esters thereof, and ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, and acetylacetone.

【０００５】また、特開平３−２０３７７号公報には、
電子部品等の表面平坦化、層間絶縁等に有用な酸化物被
膜形成用塗布液が開示されている。かかる酸化物被膜形
成用塗布液は、ゲル状物の発生のない均一な塗布液を提
供し、又、この塗布液を用いることにより、高温での硬
化、酸素プラズマによる処理を行った場合であっても、
クラックのない良好な酸化物被膜を得ることを目的とし
ている。そして、その構成は、所定のシラン化合物と、
同じく所定のキレ−ト化合物とを有機溶媒の存在化で加
水分解し、重合して得られる酸化物被膜形成用塗布液で
ある。Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 3-20377 discloses that
A coating liquid for forming an oxide film useful for flattening the surface of electronic components and the like, interlayer insulation, and the like is disclosed. The coating solution for forming an oxide film provides a uniform coating solution without generation of a gel-like substance. Further, by using this coating solution, curing at a high temperature and treatment by oxygen plasma are performed. Even
The purpose is to obtain a good oxide film without cracks. And the configuration is a predetermined silane compound,
Similarly, this is a coating solution for forming an oxide film obtained by hydrolyzing a predetermined chelate compound in the presence of an organic solvent and polymerizing the same.

【０００６】この被膜形成用組成物に使用される有機溶
媒としては、メタノ−ル、エタノ−ル、イソプロピルア
ルコ−ル、エチレングリコ−ルモノメチルエ−テル、エ
チレングリコ−ルモノビチルエ−テル、ジエチレングリ
コ−ルモノエチルエ−テル、ジエチレングリコ−ルジエ
チルエ−テル、プロピレングリコ−ルモノプロピルエ−
テル、ジプロピレングリコ−ルモノエチルエ−テル、エ
チレングリコ−ルモノメチルエ−テルアセテ−ト、ジエ
チレングリコ−ルモノプチルエ−テルアセテ−ト、エチ
レングリコ−ルジアセテ−ト、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセト
アミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルモアミドおよびＮ−メチ
ル−２−ピロリドンが記載されている。The organic solvent used in the composition for forming a film includes methanol, ethanol, isopropyl alcohol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monobityl ether, diethylene glycol monoethyl ether. , Diethylene glycol diethyl ether, propylene glycol monopropyl ether
Ter, dipropylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether teracetate, ethylene glycol diacetate, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide and N -Methyl-2-pyrrolidone is described.

【０００７】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た特開平６−１８１２０１号公報に記載された絶縁膜形
成用塗布液、ＷＯ９６／００７５８号公報に記載された
絶縁膜形成材料および特開平３−２０３７７号公報に記
載された酸化物被膜形成用塗布液は、いずれもアルコキ
シシラン系化合物を主成分として用いているが、当該ア
ルコキシシラン系化合物を溶解させるための有機溶媒と
して、適切な種類および使用量を選択していなかった。
したがって、これらの塗布液等から得られる層間絶縁膜
は、結果として塗布膜における厚さの均一性に乏しいと
いう問題があった。また、絶縁抵抗性や酸素プラズマア
ッシング耐性にも乏しく、さらには、下地に対する密着
性が乏しいという問題も見られた。However, the coating liquid for forming an insulating film described in JP-A-6-181201, the material for forming an insulating film described in WO96 / 00758, and JP-A-3-20377 are disclosed. The coating liquid for forming an oxide film described in Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. H06-27138 uses an alkoxysilane-based compound as a main component, but as an organic solvent for dissolving the alkoxysilane-based compound, an appropriate type and amount of the organic solvent are used. Was not selected.
Therefore, the interlayer insulating film obtained from such a coating solution or the like has a problem that the thickness of the coating film is poor in uniformity. In addition, there were problems that insulation resistance and oxygen plasma ashing resistance were poor, and that adhesion to a base was poor.

【０００８】また本発明の発明者らによって、乳酸エチ
ル、メトキシメチルプロピオネート、エトキシエチルプ
ロピオネート、メチルアミルケトンおよびプロピレング
リコールメチルエーテルアセテート等の有機溶媒を用い
ると、上記問題は解決できるものの、保存安定性に乏し
く、塗布性にも欠けるなどの新たな問題がでてくること
が明らかになっている。The above problems can be solved by the inventors of the present invention by using organic solvents such as ethyl lactate, methoxymethyl propionate, ethoxyethyl propionate, methyl amyl ketone and propylene glycol methyl ether acetate. It has been found that new problems such as poor storage stability and poor applicability arise.

【０００９】そこで、本発明の発明者らは、上記諸問題
を鋭意検討した結果、アルコキシシラン系化合物を溶解
させる際の有機溶媒の種類が、塗布膜の均一性や保存安
定性に密接に影響していることを見出し本発明を完成さ
せたものである。すなわち、アルコキシシラン系化合物
を溶解させる際の有機溶媒の種類、そしてより好ましく
は、当該有機溶媒の使用量をさらに特定範囲に限定する
ことにより、塗布膜の均一性、誘電率特性、保存安定
性、塗布性、酸素プラズマアッシング耐性および下地に
対する密着性等のバランスに優れた層間絶縁膜用材料を
提供することを目的とする。The inventors of the present invention have conducted intensive studies on the above problems, and as a result, the type of organic solvent used for dissolving the alkoxysilane-based compound has a close effect on the uniformity and storage stability of the coating film. The present invention has been completed and the present invention has been completed. That is, the type of the organic solvent when dissolving the alkoxysilane-based compound, and more preferably, by further limiting the amount of the organic solvent used to a specific range, uniformity of the coating film, dielectric constant characteristics, storage stability It is an object of the present invention to provide a material for an interlayer insulating film which is excellent in balance between coatability, oxygen plasma ashing resistance, adhesion to a base, and the like.

【００１０】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明は、膜形成用組成
物であって、 （Ａ）下記一般式（１）で表される化合物（以下、「化
合物（Ａ）」という）の加水分解物および／またはその
部分縮合物と（以下「（Ａ）成分）」という）、 Ｒ¹ _nＳｉ（ＯＲ²）_4-n （１） （Ｒ¹ およびＲ² は、同一でも異なっていても良く、そ
れぞれ炭素数１〜５のアルキル基または炭素数６〜２０
のアリール基を示し、ｎは０〜２の整数を表す。） （Ｂ）下記一般式（２）で表される金属キレート化合物
と、 Ｒ³ _tＭ（ＯＲ⁴）_s-t （２） （Ｒ³ はキレート剤、Ｍは金属原子、Ｒ⁴ は炭素数２〜
５のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基を示
し、ｓはＭの原子価、ｔは１〜ｓの整数を表す。） （Ｃ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルおよ
び （Ｄ）β―ジケトンとを含むことを特徴とする。The present invention relates to a composition for forming a film, comprising: (A) hydrolysis of a compound represented by the following general formula (1) (hereinafter referred to as "compound (A)"): And R ¹ _n Si (OR ² ) _4-n (1) (R ¹ and R ² may be the same or different An alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or 6 to 20 carbon atoms, respectively.
And n represents an integer of 0 to 2. (B) a metal chelate compound represented by the following general formula (2), and R ³ _t M (OR ⁴ ) _st (2) (R ³ is a chelating agent, M is a metal atom, and R ⁴ has 2 to 2 carbon atoms.
5 represents an alkyl group or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, s represents a valence of M, and t represents an integer of 1 to s. ) (C) propylene glycol monoalkyl ether and (D) β-diketone.

【００１１】（Ａ）成分 ここで、本発明に使用される化合物（Ａ）としては、具
体的に、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラ
ン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｉｓｏ−
プロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシシシラン、テ
トラ-s-ブトキシシシラン、テトラ-ｔ-ブトキシシシラ
ン、テトラフェノキシシシラン、メチルトリメトキシシ
ラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プ
ロポキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、メ
チルトリ−ｎ−ブトキシシラン、メチルトリ−ｓ−ブト
キシシラン、メチルトリ−ｔ−ブトキシシラン、メチル
トリフェノキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エ
チルトリエトキシシラン、エチルトリ−ｎ−プロポキシ
シラン、エチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリ
−ｎ−ブトキシシラン、エチルトリ−ｓ−ブトキシシラ
ン、エチルトリ−ｔ−ブトキシシラン、エチルトリフェ
ノキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−
プロピルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｎ−
プロポキシシラン、ｎ−プロピルトリイソプロポキシシ
ラン、ｎ−プロピルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｎ−プ
ロピルトリ−ｓ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−
ｔ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリフェノキシシラ
ン、イソプロピルトリメトキシシラン、イソプロピルト
リエトキシシラン、イソプロピルトリ−ｎ−プロポキシ
シラン、イソプロピルトリイソプロポキシシラン、イソ
プロピルトリ−ｎ−ブトキシシラン、イソプロピルトリ
−ｓ−ブトキシシラン、イソプロピルトリ−ｔ−ブトキ
シシラン、イソプロピルトリフェノキシシラン、ｎ−ブ
チルトリメトキシシラン、ｎ−ブチルトリエトキシシラ
ン、ｎ−ブチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｎ−ブチ
ルトリイソプロポキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｎ−ブ
トキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｓ−ブトキシシラン、
ｎ−ブチルトリ−ｔ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリ
フェノキシシラン、ｓ−ブチルトリメトキシシラン、ｓ
−ブチルイソトリエトキシシラン、ｓ−ブチルトリ−ｎ
−プロポキシシラン、ｓ−ブチルトリイソプロポキシシ
ラン、ｓ−ブチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｓ−ブチ
ルトリ−ｓ−ブトキシシラン、ｓ−ブチルトリ−ｔ−ブ
トキシシラン、ｓ−ブチルトリフェノキシシラン、ｔ−
ブチルトリメトキシシラン、ｔ−ブチルトリエトキシシ
ラン、ｔ−ブチルト−ｎ−プロポキシシラン、ｔ−ブチ
ルトリイソプロポキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｎ−ブ
トキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｓ−ブトキシシラン、
ｔ−ブチルトリ−ｔ−ブトキシシラン、ｔ−ブチルトリ
フェノキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェ
ニルトリエトキシシラン、フェニルトリ−ｎ−プロポキ
シシラン、フェニルトリイソプロポキシシラン、フェニ
ルトリ−ｎ−ブトキシシラン、フェニルトリ−ｓ−ブト
キシシラン、フェニルトリ−ｔ−ブトキシシラン、フェ
ニルトリフェノキシシラン、ジメチルジメトキシシラ
ン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジ−ｎ−プロ
ポキシシラン、ジメチルジイソプロポキシシラン、ジメ
チルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジメチルジ−ｓ−ブトキ
シシラン、ジメチルジ−ｔ−ブトキシシラン、ジメチル
ジフェノキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエ
チルジエトキシシラン、ジエチルジ−ｎ−プロポキシシ
ラン、ジエチルジイソプロポキシシラン、ジエチルジ−
ｎ−ブトキシシラン、ジエチルジ−ｓ−ブトキシシラ
ン、ジエチルジ−ｔ−ブトキシシラン、ジエチルジフェ
ノキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジメトキシシラン、ジ
−ｎ−プロピルジエトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジ
−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジイソプロ
ポキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジ−ｎ−ブトキシシラ
ン、ジ−ｎ−プロピルジ−ｓ−ブトキシシラン、ジ−ｎ
−プロピルジ−ｔ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−プロピル
ジ−フェノキシシラン、ジイソプロピルジメトキシシラ
ン、ジイソプロピルジエトキシシラン、ジイソプロピル
ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジイソプロピルジイソプロ
ポキシシラン、ジイソプロピルジ−ｎ−ブトキシシラ
ン、ジイソプロピルジ−ｓ−ブトキシシラン、ジイソプ
ロピルジ−ｔ−ブトキシシラン、ジイソプロピルジフェ
ノキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジメトキシシラン、ジ−
ｎ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジ−ｎ−
プロポキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジイソプロポキシシ
ラン、ジ−ｎ−ブチルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｎ
−ブチルジ−ｓ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジ−
ｔ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジ−フェノキシシ
ラン、ジ−ｓ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｓ−ブチ
ルジエトキシシラン、ジ−ｓ−ブチルジ−ｎ−プロポキ
シシラン、ジ−ｓ−ブチルジイソプロポキシシラン、ジ
−ｓ−ブチルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｓ−ブチル
ジ−ｓ−ブトキシシラン、ジ−ｓ−ブチルジ−ｔ−ブト
キシシラン、ジ−ｓ−ブチルジ−フェノキシシラン、ジ
−ｔ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｔ−ブチルジエト
キシシラン、ジ−ｔ−ブチルジ−ｎ−プロポキシシラ
ン、ジ−ｔ−ブチルジイソプロポキシシラン、ジ−ｔ−
ブチルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｔ−ブチルジ−ｓ
−ブトキシシラン、ジ−ｔ−ブチルジ−ｔ−ブトキシシ
ラン、ジ−ｔ−ブチルジ−フェノキシシラン、ジフェニ
ルジメトキシシラン、ジフェニルジ−エトキシシラン、
ジフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジフェニルジイ
ソプロポキシシラン、ジフェニルジ−ｎ−ブトキシシラ
ン、ジフェニルジ−ｓ−ブトキシシラン、ジフェニルジ
−ｔ−ブトキシシラン、ジフェニルジフェノキシシラ
ン、ジビニルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピル
トリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシ
シラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ
−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、γ−トリ
フルオロプロピルトリエトキシシラン等の１種または２
種以上が挙げられる。Component (A) The compound (A) used in the present invention is specifically exemplified by tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetra-n-propoxysilane, tetra-iso-
Propoxy silane, tetra-n-butoxy silane, tetra-s-butoxy silane, tetra-t-butoxy silane, tetraphenoxy silane, methyl trimethoxy silane, methyl triethoxy silane, methyl tri-n-propoxy silane, methyl Triisopropoxy silane, methyl tri-n-butoxy silane, methyl tri-s-butoxy silane, methyl tri-t-butoxy silane, methyl triphenoxy silane, ethyl trimethoxy silane, ethyl triethoxy silane, ethyl tri-n-propoxy silane, ethyl tri Isopropoxysilane, ethyltri-n-butoxysilane, ethyltri-s-butoxysilane, ethyltri-t-butoxysilane, ethyltriphenoxysilane, n-propyltrimethoxysilane, n-
Propyltriethoxysilane, n-propyltri-n-
Propoxysilane, n-propyltriisopropoxysilane, n-propyltri-n-butoxysilane, n-propyltri-s-butoxysilane, n-propyltri-
t-butoxysilane, n-propyltriphenoxysilane, isopropyltrimethoxysilane, isopropyltriethoxysilane, isopropyltri-n-propoxysilane, isopropyltriisopropoxysilane, isopropyltri-n-butoxysilane, isopropyltri-s-butoxy Silane, isopropyltri-t-butoxysilane, isopropyltriphenoxysilane, n-butyltrimethoxysilane, n-butyltriethoxysilane, n-butyltri-n-propoxysilane, n-butyltriisopropoxysilane, n-butyltri- n-butoxysilane, n-butyltri-s-butoxysilane,
n-butyltri-t-butoxysilane, n-butyltriphenoxysilane, s-butyltrimethoxysilane, s
-Butylisotriethoxysilane, s-butyltri-n
-Propoxysilane, s-butyltriisopropoxysilane, s-butyltri-n-butoxysilane, s-butyltri-s-butoxysilane, s-butyltri-t-butoxysilane, s-butyltriphenoxysilane, t-
Butyltrimethoxysilane, t-butyltriethoxysilane, t-butylto-n-propoxysilane, t-butyltriisopropoxysilane, t-butyltri-n-butoxysilane, t-butyltri-s-butoxysilane,
t-butyl tri-t-butoxy silane, t-butyl triphenoxy silane, phenyl trimethoxy silane, phenyl triethoxy silane, phenyl tri-n-propoxy silane, phenyl triisopropoxy silane, phenyl tri-n-butoxy silane, phenyl tri -S-butoxysilane, phenyltri-t-butoxysilane, phenyltriphenoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, dimethyldi-n-propoxysilane, dimethyldiisopropoxysilane, dimethyldi-n-butoxysilane, dimethyldi- s-butoxysilane, dimethyldi-t-butoxysilane, dimethyldiphenoxysilane, diethyldimethoxysilane, diethyldiethoxysilane, diethyldi-n-propoxysilane, diethyldiethyl Propoxysilane, diethyldi -
n-butoxysilane, diethyldi-s-butoxysilane, diethyldi-t-butoxysilane, diethyldiphenoxysilane, di-n-propyldimethoxysilane, di-n-propyldiethoxysilane, di-n-propyldi-n-propoxy Silane, di-n-propyldiisopropoxysilane, di-n-propyldi-n-butoxysilane, di-n-propyldi-s-butoxysilane, di-n
-Propyldi-t-butoxysilane, di-n-propyldi-phenoxysilane, diisopropyldimethoxysilane, diisopropyldiethoxysilane, diisopropyldi-n-propoxysilane, diisopropyldiisopropoxysilane, diisopropyldi-n-butoxysilane, diisopropyldi -S-butoxysilane, diisopropyldi-t-butoxysilane, diisopropyldiphenoxysilane, di-n-butyldimethoxysilane, di-
n-butyldiethoxysilane, di-n-butyldi-n-
Propoxysilane, di-n-butyldiisopropoxysilane, di-n-butyldi-n-butoxysilane, di-n
-Butyldi-s-butoxysilane, di-n-butyldi-
t-butoxysilane, di-n-butyldi-phenoxysilane, di-s-butyldimethoxysilane, di-s-butyldiethoxysilane, di-s-butyldi-n-propoxysilane, di-s-butyldiisopropoxy Silane, di-s-butyldi-n-butoxysilane, di-s-butyldi-s-butoxysilane, di-s-butyldi-t-butoxysilane, di-s-butyldi-phenoxysilane, di-t-butyldimethoxy Silane, di-t-butyldiethoxysilane, di-t-butyldi-n-propoxysilane, di-t-butyldiisopropoxysilane, di-t-
Butyldi-n-butoxysilane, di-t-butyldi-s
-Butoxysilane, di-tert-butyldi-tert-butoxysilane, di-tert-butyldi-phenoxysilane, diphenyldimethoxysilane, diphenyldi-ethoxysilane,
Diphenyldi-n-propoxysilane, diphenyldiisopropoxysilane, diphenyldi-n-butoxysilane, diphenyldi-s-butoxysilane, diphenyldi-t-butoxysilane, diphenyldiphenoxysilane, divinyltrimethoxysilane, γ- Aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltriethoxysilane, γ
One or two of trifluoropropyltrimethoxysilane, γ-trifluoropropyltriethoxysilane, etc.
Species or more.

【００１２】そして、本発明の膜形成用組成物におい
て、上記一般式（１）で表されるアルキルアルコキシシ
ランのうち、ｎ＝１のアルキルトリアルコキシシランを
使用することが好ましく、さらに、メチルトリメトキシ
シラン、メチルトリエトキシシラン、フェニルトリメト
キシシランおよびフェニルトリエトキシシランを使用す
ることが好ましく、さらに、メチルトリメトキシシラン
およびメチルトリエトキシシランを全アルキルアルコキ
シシランの５０ｍｏｌ％以上、特に７０モル％以上使用
することが好ましい。このような範囲でアルキルアルコ
キシシランを使用することで、より耐熱性と誘電性のバ
ランスのとれた硬化物が得られる点で好ましい。本発明
において、一般式（１）におけるｎが１である化合物
（完全加水分解縮合物換算）１００重量部に対し一般式
（１）におけるｎが０である化合物（完全加水分解縮合
物換算）の使用割合が０〜１００重量部、好ましくは３
〜７０重量部、さらに好ましくは５〜６０重量部であ
る。このように４官能アルコキシシランを含むことによ
り、膜形成用組成物における酸素プラズマアッシング耐
性をより向上させることができる。In the film-forming composition of the present invention, it is preferable to use an alkyltrialkoxysilane of n = 1 among the alkylalkoxysilanes represented by the above general formula (1). It is preferable to use methoxysilane, methyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, and phenyltriethoxysilane. Further, methyltrimethoxysilane and methyltriethoxysilane are used in an amount of 50 mol% or more, particularly 70 mol% or more of the total alkylalkoxysilane. It is preferred to use. Use of the alkylalkoxysilane in such a range is preferable in that a cured product having a better balance between heat resistance and dielectric properties can be obtained. In the present invention, the compound of formula (1) in which n is 0 (converted to a completely hydrolyzed condensate) is 100 parts by weight of the compound in which n is 1 in the formula (1) (converted to a completely hydrolyzed condensate). The use ratio is 0 to 100 parts by weight, preferably 3
７０70 parts by weight, more preferably 5-60 parts by weight. By including the tetrafunctional alkoxysilane in this manner, the oxygen plasma ashing resistance in the film forming composition can be further improved.

【００１３】また、化合物（Ａ）を加水分解、部分縮合
させる際に、−ＯＲ²で表される基１モル当たり、０．
３〜２．０モルの水を用いることが好ましく、０．４〜
１．５モルの水を加えることが特に好ましい。添加する
水の量が０．３〜２．０モルの範囲内の値であれば、塗
膜の均一性が低下するおそれがなく、また、膜形成用組
成物の保存安定性が低下するおそれも少ないためであ
る。When the compound (A) is hydrolyzed or partially condensed, the compound (A) is added in an amount of 0.1 mol per mol of the group represented by -OR ² .
It is preferable to use 3 to 2.0 moles of water,
It is particularly preferred to add 1.5 moles of water. If the amount of water to be added is within the range of 0.3 to 2.0 mol, there is no possibility that the uniformity of the coating film is reduced, and the storage stability of the film-forming composition is reduced. Is also less.

【００１４】（Ｂ）成分 一般式（２）で表される金属キレート化合物中の金属と
しては、チタン、アルミニウム、ジルコニウムが好まし
い。また、一般式（２）で表される金属キレート化合物
の具体例としては、トリエトキシ・モノ（アセチルアセ
トナート）チタン、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（アセ
チルアセトナート）チタン、トリイソプロポキシ・モノ
（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｎ−ブトキシ
・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ-s-ブト
キシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｔ
−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、ジ
エトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−
ｎ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタ
ン、ジイソプロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）
チタン、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナー
ト）チタン、ジ-s-ブトキシ・ビス（アセチルアセトナ
ート）チタン、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（アセチルアセ
トナート）チタン、モノエトキシ・トリス（アセチルア
セトナート）チタン、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス
（アセチルアセトナート）チタン、モノイソプロポキシ
・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｎ−
ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モ
ノ-s-ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタ
ン、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナー
ト）チタン、テトラキス（アセチルアセトナート）チタ
ン、トリエトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チ
タン、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセ
テート）チタン、トリイソプロポキシ・モノ（エチルア
セトアセテート）チタン、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ
（エチルアセトアセテート）チタン、トリ-s-ブトキシ
・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｔ−
ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、ジ
エトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ
−ｎ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チ
タン、ジイソプロポキシ・ビス（エチルアセトアセテー
ト）チタン、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（エチルアセトア
セテート）チタン、ジ-s-ブトキシ・ビス（エチルアセ
トアセテート）チタン、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（エチ
ルアセトアセテート）チタン、モノエトキシ・トリス
（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｎ−プロポ
キシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ
イソプロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チ
タン、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセ
テート）チタン、モノ-s-ブトキシ・トリス（エチルア
セトアセテート）チタン、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス
（エチルアセトアセテート）チタン、テトラキス（エチ
ルアセトアセテート）チタン、モノ（アセチルアセトナ
ート）トリス（エチルアセトアセテート）チタン、ビス
（アセチルアセトナート）ビス（エチルアセトアセテー
ト）チタン、トリス（アセチルアセトナート）モノ（エ
チルアセトアセテート）チタン、等のチタンキレート化
合物；トリエトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジ
ルコニウム、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（アセチルア
セトナート）ジルコニウム、トリイソプロポキシ・モノ
（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｎ−ブ
トキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、
トリ-s-ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジル
コニウム、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（アセチルアセト
ナート）ジルコニウム、ジエトキシ・ビス（アセチルア
セトナート）ジルコニウム、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス
（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジイソプロポ
キシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ
−ｎ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコ
ニウム、ジ-s-ブトキシ・ビス（アセチルアセトナー
ト）ジルコニウム、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（アセチル
アセトナート）ジルコニウム、モノエトキシ・トリス
（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｎ−プ
ロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウ
ム、モノイソプロポキシ・トリス（アセチルアセトナー
ト）ジルコニウム、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（アセ
チルアセトナート）ジルコニウム、モノ-s-ブトキシ・
トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−
ｔ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコ
ニウム、テトラキス（アセチルアセトナート）ジルコニ
ウム、トリエトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）
ジルコニウム、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（エチルア
セトアセテート）ジルコニウム、トリイソプロポキシ・
モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−
ｎ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコ
ニウム、トリ-s-ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテ
ート）ジルコニウム、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（エチ
ルアセトアセテート）ジルコニウム、ジエトキシ・ビス
（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｎ−プ
ロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウ
ム、ジイソプロポキシ・ビス（エチルアセトアセテー
ト）ジルコニウム、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（エチルア
セトアセテート）ジルコニウム、ジ-s-ブトキシ・ビス
（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｔ−ブ
トキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウ
ム、モノエトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）
ジルコニウム、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（エチル
アセトアセテート）ジルコニウム、モノイソプロポキシ
・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モ
ノ−ｎ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）
ジルコニウム、モノ-s-ブトキシ・トリス（エチルアセ
トアセテート）ジルコニウム、モノ−ｔ−ブトキシ・ト
リス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、テトラ
キス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ
（アセチルアセトナート）トリス（エチルアセトアセテ
ート）ジルコニウム、ビス（アセチルアセトナート）ビ
ス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリス
（アセチルアセトナート）モノ（エチルアセトアセテー
ト）ジルコニウム、等のジルコニウムキレート化合物；
トリエトキシ・モノ（アセチルアセトナート）アルミニ
ウム、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナ
ート）アルミニウム、トリイソプロポキシ・モノ（アセ
チルアセトナート）アルミニウム、トリ−ｎ−ブトキシ
・モノ（アセチルアセトナート）アルミニウム、トリ-s
-ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）アルミニウ
ム、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナー
ト）アルミニウム、ジエトキシ・ビス（アセチルアセト
ナート）アルミニウム、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（ア
セチルアセトナート）アルミニウム、ジイソプロポキシ
・ビス（アセチルアセトナート）アルミニウム、ジ−ｎ
−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）アルミニウ
ム、ジ-s-ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ア
ルミニウム、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（アセチルアセト
ナート）アルミニウム、モノエトキシ・トリス（アセチ
ルアセトナート）アルミニウム、モノ−ｎ−プロポキシ
・トリス（アセチルアセトナート）アルミニウム、モノ
イソプロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）アル
ミニウム、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（アセチルアセ
トナート）アルミニウム、モノ-s-ブトキシ・トリス
（アセチルアセトナート）アルミニウム、モノ−ｔ−ブ
トキシ・トリス（アセチルアセトナート）アルミニウ
ム、テトラキス（アセチルアセトナート）アルミニウ
ム、トリエトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ア
ルミニウム、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（エチルアセ
トアセテート）アルミニウム、トリイソプロポキシ・モ
ノ（エチルアセトアセテート）アルミニウム、トリ−ｎ
−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）アルミニ
ウム、トリ-s-ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテー
ト）アルミニウム、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（エチル
アセトアセテート）アルミニウム、ジエトキシ・ビス
（エチルアセトアセテート）アルミニウム、ジ−ｎ−プ
ロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）アルミニウ
ム、ジイソプロポキシ・ビス（エチルアセトアセテー
ト）アルミニウム、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（エチルア
セトアセテート）アルミニウム、ジ-s-ブトキシ・ビス
（エチルアセトアセテート）アルミニウム、ジ−ｔ−ブ
トキシ・ビス（エチルアセトアセテート）アルミニウ
ム、モノエトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）
アルミニウム、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（エチル
アセトアセテート）アルミニウム、モノイソプロポキシ
・トリス（エチルアセトアセテート）アルミニウム、モ
ノ−ｎ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）
アルミニウム、モノ-s-ブトキシ・トリス（エチルアセ
トアセテート）アルミニウム、モノ−ｔ−ブトキシ・ト
リス（エチルアセトアセテート）アルミニウム、テトラ
キス（エチルアセトアセテート）アルミニウム、モノ
（アセチルアセトナート）トリス（エチルアセトアセテ
ート）アルミニウム、ビス（アセチルアセトナート）ビ
ス（エチルアセトアセテート）アルミニウム、トリス
（アセチルアセトナート）モノ（エチルアセトアセテー
ト）アルミニウム、等のアルミニウムキレート化合物；
等の１種または２種以上が挙げられる。Component (B) As the metal in the metal chelate compound represented by the general formula (2), titanium, aluminum and zirconium are preferable. Specific examples of the metal chelate compound represented by the general formula (2) include triethoxy mono (acetylacetonate) titanium, tri-n-propoxy mono (acetylacetonate) titanium, and triisopropoxy mono ( Acetylacetonato) titanium, tri-n-butoxymono (acetylacetonato) titanium, tri-s-butoxymono (acetylacetonato) titanium, tri-t
-Butoxy mono (acetylacetonato) titanium, diethoxybis (acetylacetonato) titanium, di-
n-propoxy bis (acetylacetonate) titanium, diisopropoxy bis (acetylacetonate)
Titanium, di-n-butoxy bis (acetylacetonate) titanium, di-s-butoxy bis (acetylacetonate) titanium, di-t-butoxybis (acetylacetonate) titanium, monoethoxy tris (acetyl) Acetonato) titanium, mono-n-propoxy-tris (acetylacetonato) titanium, monoisopropoxy-tris (acetylacetonato) titanium, mono-n-
Butoxy tris (acetylacetonate) titanium, mono-s-butoxy tris (acetylacetonate) titanium, mono-t-butoxy tris (acetylacetonate) titanium, tetrakis (acetylacetonate) titanium, triethoxy mono ( Ethyl acetoacetate) titanium, tri-n-propoxy mono (ethyl acetoacetate) titanium, triisopropoxy mono (ethyl acetoacetate) titanium, tri-n-butoxy mono (ethyl acetoacetate) titanium, tri-s- Butoxy mono (ethylacetoacetate) titanium, tri-t-
Butoxy mono (ethyl acetoacetate) titanium, diethoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium, di-n-propoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium, diisopropoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium, di-n- Butoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium, di-s-butoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium, di-t-butoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium, monoethoxy tris (ethyl acetoacetate) titanium, mono -N-propoxy tris (ethyl acetoacetate) titanium, monoisopropoxy tris (ethyl acetoacetate) titanium, mono-n-butoxy tris (ethyl acetoacetate) titanium, mono-s-butoxy tris (ethyl acetoacetate) )Titanium Mono-t-butoxy tris (ethyl acetoacetate) titanium, tetrakis (ethyl acetoacetate) titanium, mono (acetylacetonate) tris (ethyl acetoacetate) titanium, bis (acetylacetonate) bis (ethyl acetoacetate) titanium, Titanium chelate compounds such as tris (acetylacetonate) mono (ethylacetoacetate) titanium; triethoxymono (acetylacetonato) zirconium, tri-n-propoxymono (acetylacetonato) zirconium, triisopropoxymono ( Acetylacetonate) zirconium, tri-n-butoxy mono (acetylacetonate) zirconium,
Tri-s-butoxy mono (acetylacetonate) zirconium, tri-t-butoxy mono (acetylacetonate) zirconium, diethoxybis (acetylacetonate) zirconium, di-n-propoxybis (acetylacetonate) Zirconium, diisopropoxy bis (acetylacetonate) zirconium, di-n-butoxybis (acetylacetonate) zirconium, di-s-butoxybis (acetylacetonate) zirconium, di-t-butoxybis ( (Acetylacetonate) zirconium, monoethoxy tris (acetylacetonate) zirconium, mono-n-propoxy tris (acetylacetonate) zirconium, monoisopropoxy tris (acetylacetonate) zirconium, mono- - butoxy tris (acetylacetonato) zirconium, mono -s- butoxy
Tris (acetylacetonate) zirconium, mono-
t-butoxy tris (acetylacetonate) zirconium, tetrakis (acetylacetonate) zirconium, triethoxy mono (ethylacetoacetate)
Zirconium, tri-n-propoxy mono (ethyl acetoacetate) zirconium, triisopropoxy
Mono (ethylacetoacetate) zirconium, tri-
n-butoxy mono (ethyl acetoacetate) zirconium, tri-s-butoxy mono (ethyl acetoacetate) zirconium, tri-t-butoxy mono (ethyl acetoacetate) zirconium, diethoxy bis (ethyl acetoacetate) zirconium, Di-n-propoxy bis (ethylacetoacetate) zirconium, diisopropoxy bis (ethylacetoacetate) zirconium, di-n-butoxybis (ethylacetoacetate) zirconium, di-s-butoxybis (ethylacetate) Acetate) zirconium, di-t-butoxybis (ethylacetoacetate) zirconium, monoethoxytris (ethylacetoacetate)
Zirconium, mono-n-propoxy tris (ethyl acetoacetate) zirconium, monoisopropoxy tris (ethyl acetoacetate) zirconium, mono-n-butoxy tris (ethyl acetoacetate)
Zirconium, mono-s-butoxy tris (ethyl acetoacetate) zirconium, mono-t-butoxy tris (ethyl acetoacetate) zirconium, tetrakis (ethyl acetoacetate) zirconium, mono (acetyl acetonate) tris (ethyl acetoacetate) Zirconium chelate compounds such as zirconium, bis (acetylacetonate) bis (ethylacetoacetate) zirconium, and tris (acetylacetonate) mono (ethylacetoacetate) zirconium;
Triethoxy mono (acetylacetonate) aluminum, tri-n-propoxy mono (acetylacetonate) aluminum, triisopropoxy mono (acetylacetonate) aluminum, tri-n-butoxy mono (acetylacetonate) aluminum, Bird-s
-Butoxy mono (acetylacetonato) aluminum, tri-t-butoxymono (acetylacetonato) aluminum, diethoxybis (acetylacetonato) aluminum, di-n-propoxybis (acetylacetonato) aluminum, Isopropoxy bis (acetylacetonate) aluminum, di-n
Aluminum butoxybis (acetylacetonate), aluminum di-s-butoxybis (acetylacetonate), aluminum di-t-butoxybis (acetylacetonate), aluminum monoethoxytris (acetylacetonate), Aluminum mono-n-propoxy tris (acetylacetonate), aluminum monoisopropoxy tris (acetylacetonate), aluminum mono-n-butoxy tris (acetylacetonate), mono-s-butoxy tris (acetylacetonate) Nath) aluminum, mono-t-butoxy tris (acetylacetonate) aluminum, tetrakis (acetylacetonate) aluminum, triethoxy mono (ethyl acetoacetate) aluminum, tri-n-pro Carboxylate mono (ethylacetoacetate) aluminum, tri-isopropoxy-mono (ethylacetoacetate) aluminum, tri -n
-Butoxy mono (ethyl acetoacetate) aluminum, tri-s-butoxy mono (ethyl acetoacetate) aluminum, tri-t-butoxy mono (ethyl acetoacetate) aluminum, diethoxy bis (ethyl acetoacetate) aluminum, di -N-propoxybis (ethylacetoacetate) aluminum, diisopropoxybis (ethylacetoacetate) aluminum, di-n-butoxybis (ethylacetoacetate) aluminum, di-s-butoxybis (ethylacetoacetate) ) Aluminum, di-t-butoxybis (ethylacetoacetate) aluminum, monoethoxytris (ethylacetoacetate)
Aluminum, mono-n-propoxy tris (ethyl acetoacetate) aluminum, monoisopropoxy tris (ethyl acetoacetate) aluminum, mono-n-butoxy tris (ethyl acetoacetate)
Aluminum, mono-s-butoxytris (ethylacetoacetate) aluminum, mono-t-butoxytris (ethylacetoacetate) aluminum, tetrakis (ethylacetoacetate) aluminum, mono (acetylacetonate) tris (ethylacetoacetate) Aluminum chelate compounds such as aluminum, bis (acetylacetonate) bis (ethylacetoacetate) aluminum, and tris (acetylacetonate) mono (ethylacetoacetate) aluminum;
And one or more of these.

【００１５】特に、（ＣＨ₃（ＣＨ₃）ＨＣＯ）_4-tＴｉ
（ＣＨ₃ＣＯＣＨ₂ＣＯＣＨ₃）_t，（ＣＨ₃（ＣＨ₃）ＨＣ
Ｏ）_4-tＴｉ（ＣＨ₃ＣＯＣＨ₂ＣＯＯＣ₂Ｈ₅）_t（Ｃ₄Ｈ₉
Ｏ） _4-tＴｉ（ＣＨ₃ＣＯＣＨ₂ＣＯＣＨ₃）_t,（Ｃ₄Ｈ
₉Ｏ）_4-tＴｉ（ＣＨ₃ＣＯＣＨ₂ＣＯＯＣ₂Ｈ₅）_t，（Ｃ₂
Ｈ₅（ＣＨ₃）ＣＯ）_4-tＴｉ（ＣＨ₃ＣＯＣＨ₂ＣＯＣ
Ｈ₃）_t,（Ｃ₂Ｈ₅（ＣＨ₃）ＣＯ）_4-tＴｉ（ＣＨ₃ＣＯＣ
Ｈ₂ＣＯＯＣ₂Ｈ₅）_t （ＣＨ₃（ＣＨ₃）ＨＣＯ）_4-tＺｒ（ＣＨ₃ＣＯＣＨ₂Ｃ
ＯＣＨ₃）_t （ＣＨ₃（ＣＨ₃）ＨＣＯ）_4-tＺｒ（ＣＨ₃ＣＯＣＨ₂Ｃ
ＯＯＣ₂Ｈ₅）_t（Ｃ₄Ｈ₉Ｏ）_4-tＺｒ（ＣＨ₃ＣＯＣＨ₂Ｃ
ＯＣＨ₃）_t,（Ｃ₄Ｈ₉Ｏ）_4-tＺｒ（ＣＨ₃ＣＯＣＨ ₂ＣＯ
ＯＣ₂Ｈ₅）_t，（Ｃ₂Ｈ₅（ＣＨ₃）ＣＯ）_4-tＺｒ（ＣＨ₃
ＣＯＣＨ₂ＣＯＣＨ ₃）_t,（Ｃ₂Ｈ₅（ＣＨ₃）ＣＯ）_4-tＺ
ｒ（ＣＨ₃ＣＯＣＨ₂ＣＯＯＣ₂Ｈ₅）_t （ＣＨ₃（ＣＨ₃）ＨＣＯ）_3-tＡｌ（ＣＨ₃ＣＯＣＨ₂Ｃ
ＯＣＨ₃）_t （ＣＨ₃（ＣＨ₃）ＨＣＯ）_3-tＡｌ（ＣＨ₃ＣＯＣＨ₂Ｃ
ＯＯＣ₂Ｈ₅）_t（Ｃ₄Ｈ₉Ｏ）_3-tＡｌ（ＣＨ₃ＣＯＣＨ₂Ｃ
ＯＣＨ₃）_t,（Ｃ₄Ｈ₉Ｏ）_3-tＡｌ（ＣＨ₃ＣＯＣＨ ₂ＣＯ
ＯＣ₂Ｈ₅）_t，（Ｃ₂Ｈ₅（ＣＨ₃）ＣＯ）_3-tＡｌ（ＣＨ₃
ＣＯＣＨ₂ＣＯＣＨ ₃）_t,（Ｃ₂Ｈ₅（ＣＨ₃）ＣＯ）_3-tＡ
ｌ（ＣＨ₃ＣＯＣＨ₂ＣＯＯＣ₂Ｈ₅）_t、等の１種または
２種以上がキレート化合物として好ましい。In particular, (CH_Three(CH_Three) HCO)_4-tTi
(CH_ThreeCOCH_TwoCOCH_Three)_t, (CH_Three(CH_Three) HC
O)_4-tTi (CH_ThreeCOCH_TwoCOOC_TwoH_Five)_t(C_FourH₉
O) _4-tTi (CH_ThreeCOCH_TwoCOCH_Three)_t,(C_FourH
₉O)_4-tTi (CH_ThreeCOCH_TwoCOOC_TwoH_Five)_t, (C_Two
H_Five(CH_Three) CO)_4-tTi (CH_ThreeCOCH_TwoCOC
H_Three)_t, (C_TwoH_Five(CH_Three) CO)_4-tTi (CH_ThreeCOC
H_TwoCOOC_TwoH_Five)_t (CH_Three(CH_Three) HCO)_4-tZr (CH_ThreeCOCH_TwoC
OCH_Three)_t (CH_Three(CH_Three) HCO)_4-tZr (CH_ThreeCOCH_TwoC
OOC_TwoH_Five)_t(C_FourH₉O)_4-tZr (CH_ThreeCOCH_TwoC
OCH_Three)_t,(C_FourH₉O)_4-tZr (CH_ThreeCOCH _TwoCO
OC_TwoH_Five)_t, (C_TwoH_Five(CH_Three) CO)_4-tZr (CH_Three
COCH_TwoCOCH _Three)_t, (C_TwoH_Five(CH_Three) CO)_4-tZ
r (CH_ThreeCOCH_TwoCOOC_TwoH_Five)_t (CH_Three(CH_Three) HCO)_3-tAl (CH_ThreeCOCH_TwoC
OCH_Three)_t (CH_Three(CH_Three) HCO)_3-tAl (CH_ThreeCOCH_TwoC
OOC_TwoH_Five)_t(C_FourH₉O)_3-tAl (CH_ThreeCOCH_TwoC
OCH_Three)_t,(C_FourH₉O)_3-tAl (CH_ThreeCOCH _TwoCO
OC_TwoH_Five)_t, (C_TwoH_Five(CH_Three) CO)_3-tAl (CH_Three
COCH_TwoCOCH _Three)_t, (C_TwoH_Five(CH_Three) CO)_3-tA
l (CH_ThreeCOCH_TwoCOOC_TwoH_Five)_t, Etc. or
Two or more are preferred as chelating compounds.

【００１６】また、一般式（２）で表される金属キレー
ト化合物の使用量は、一般式（１）で表されるアルキル
アルコキシランの加水分解物および／またはその部分縮
合物１００重量部に対して、通常、０．５〜３００ｍｍ
ｏｌ、好ましくは、０．５〜２００ｍｍｏｌ、より好ま
しくは１〜１００ｍｍｏｌの範囲内の値である。The amount of the metal chelate compound represented by the general formula (2) is based on 100 parts by weight of the hydrolyzate of the alkylalkoxylan represented by the general formula (1) and / or its partial condensate. And usually 0.5-300mm
ol, preferably in the range of 0.5 to 200 mmol, more preferably 1 to 100 mmol.

【００１７】一般式（２）で表される金属キレートの使
用量が０．５〜３００ｍｍｏｌの範囲内の値であれば、
硬化後の塗膜厚さが均一となり、また、硬化後の塗膜の
誘電率を低くすることができるためである。If the amount of the metal chelate represented by the general formula (2) is a value within the range of 0.5 to 300 mmol,
This is because the thickness of the cured coating film becomes uniform, and the dielectric constant of the cured coating film can be reduced.

【００１８】（Ｃ）成分 本発明において、プロピレングリコールモノアルキルエ
ーテルの例としては、プロピレングリコールモノプロピ
ルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテ
ル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピ
レングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノフェニルエーテル、等の１種または２種以上が
挙げられ、特にプロピレングリコールモノプロピルエー
テルが好ましい。(C) Component In the present invention, examples of propylene glycol monoalkyl ether include propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monophenyl ether, and the like. And propylene glycol monopropyl ether is particularly preferable.

【００１９】またプロピレングリコールモノアルキルエ
ーテルと共に、エステル系、アミド系等の溶媒が多少入
っていても良い。In addition to the propylene glycol monoalkyl ether, some solvent such as ester type and amide type may be contained.

【００２０】本発明においては、溶剤としてプロピレン
グリコールモノアルキルエーテルを使用する。プロピレ
ングリコールモノアルキルエーテルの使用量は、一般式
（１）で表されるアルキルアルコキシランの加水分解物
および／またはその部分縮合物１００重量部に対して、
２０〜４０００重量部、好ましくは１００〜２０００重
量部の範囲内の値とすることが好ましい。In the present invention, propylene glycol monoalkyl ether is used as a solvent. The amount of the propylene glycol monoalkyl ether used is based on 100 parts by weight of the hydrolyzate of the alkyl alkoxy lan represented by the general formula (1) and / or its partial condensate.
The value is preferably in the range of 20 to 4000 parts by weight, preferably 100 to 2000 parts by weight.

【００２１】（Ｄ）成分 さらに、本発明においてはβ−ジケトンを使用する。β
−ジケトンの好ましい具体例としては、アセチルアセト
ン、２，４−ヘキサンジオン、２，４−ヘプタンジオ
ン、３，５−ヘプタンジオン、２，４−オクタンジオ
ン、３，５−オクタンジオン、２，４−ノナンジオン、
３，５−ノナンジオン、５−メチル−２，４−ヘキサン
ジオン、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプ
タンジオン、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ
−２，４−ヘプタンジオン、等の１種または２種以上で
ある。β−ジケトンの使用量について特に限定されるも
のではないが、全溶剤の１〜５０重量％、特に３〜３０
重量％とすることが好ましい。このような範囲でβ−ジ
ケトンを添加すれば、一定の保存安定性が得られるとと
もに、膜形成用組成物の塗膜均一性等の特性が低下する
おそれが少ない。また、β−ジケトンは、上記一般式
（１）で表される化合物の加水分解、部分縮合を行った
後に添加するのが好ましい。このような添加方法を行う
ことにより、上記一般式（１）で表される化合物の加水
分解、部分縮合の反応時間を短時間で終了させることが
でき、また、膜形成用組成物の塗膜均一性等の特性が低
下するおそれが少ない。Component (D) In the present invention, β-diketone is used. β
Preferred examples of the -diketone include acetylacetone, 2,4-hexanedione, 2,4-heptanedione, 3,5-heptanedione, 2,4-octanedione, 3,5-octanedione, and 2,4-hexanedione. Nonanion,
3,5-nonanedione, 5-methyl-2,4-hexanedione, 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedione, 1,1,1,5,5,5-hexafluoro- One or more of 2,4-heptanedione and the like. The amount of the β-diketone is not particularly limited, but is preferably 1 to 50% by weight, particularly 3 to 30% by weight of the total solvent.
It is preferable to set the weight%. If the β-diketone is added in such a range, a certain storage stability can be obtained, and the property such as coating uniformity of the film-forming composition is less likely to deteriorate. The β-diketone is preferably added after the compound represented by the general formula (1) is hydrolyzed and partially condensed. By performing such an addition method, the reaction time of the hydrolysis and partial condensation of the compound represented by the general formula (1) can be completed in a short time, and the coating film of the film-forming composition There is little possibility that characteristics such as uniformity will be reduced.

【００２２】本発明の膜形成用組成物において、当該膜
形成用組成物中のナトリウム含量を２０ｐｐｂ以内の値
とするのが好ましい。このような範囲にナトリウム含量
を限定することにより、半導体等の層間絶縁膜用材料に
用いた場合でも、電気回路等の信頼性を低下させる恐れ
がない。。In the film forming composition of the present invention, the sodium content in the film forming composition is preferably set to a value within 20 ppb. By limiting the sodium content to such a range, there is no fear that the reliability of an electric circuit or the like will be reduced even when used for a material for an interlayer insulating film such as a semiconductor. .

【００２３】本発明の膜形成用組成物を構成するにあた
り、膜形成用組成物中の沸点１００℃以下のアルコール
含量が、２０重量％以下であること、特に５重量％以下
であることが好ましい。沸点１００℃以下のアルコール
は、上記一般式（１）で表される化合物の加水分解およ
び／またはその部分縮合の際に生じる場合があり、その
含量が２０重量％以下になるように蒸留等により除去す
る事が好ましい。膜形成用組成物中の沸点１００℃以下
のアルコール含量を２０重量％以下であれば、塗膜の均
一性を低下させる恐れがない。また添加剤として、オル
ソギ酸メチル等の脱水剤や更なる金属錯体やレベリング
剤を加えても良い。In constituting the film-forming composition of the present invention, the content of alcohol having a boiling point of 100 ° C. or less in the film-forming composition is preferably 20% by weight or less, particularly preferably 5% by weight or less. . The alcohol having a boiling point of 100 ° C. or lower may be generated during hydrolysis of the compound represented by the general formula (1) and / or partial condensation thereof, and the alcohol is subjected to distillation or the like so that the content is 20% by weight or less. Removal is preferred. When the content of alcohol having a boiling point of 100 ° C. or less in the film-forming composition is 20% by weight or less, there is no possibility that the uniformity of the coating film is reduced. As an additive, a dehydrating agent such as methyl orthoformate, a further metal complex, or a leveling agent may be added.

【００２４】また本発明の別な態様は、層間絶縁膜用材
料であって、上記の膜形成用組成物を含むことを特徴と
する。上記の膜形成用組成物は、均一な塗膜形成が可能
であり、また、誘電率が低く、層間絶縁膜用材料として
好ましいためである。According to another aspect of the present invention, there is provided a material for an interlayer insulating film, comprising the composition for forming a film. This is because the above film-forming composition can form a uniform coating film, has a low dielectric constant, and is preferable as a material for an interlayer insulating film.

【００２５】[0025]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を、
実施例に基づいて説明する。但し、以下の記載は、本発
明の態様例を概括的に示すものであり、特に理由なく、
かかる記載により本発明は限定されるものではない。ま
た、実施例および比較例中の部および％は、特記しない
限り、それぞれ重量部および重量％であることを示して
いる。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.
A description will be given based on examples. However, the following description generally shows an example of the embodiment of the present invention, and without any particular reason,
The description is not intended to limit the invention. Parts and% in Examples and Comparative Examples indicate parts by weight and% by weight, respectively, unless otherwise specified.

【００２６】（実施例１） （膜形成用組成物の調製）アルキルアルコキシシランと
してメチルトリメトキシシラン（ＭＴＭＳｉ）２０３部
（縮合物換算１００部）と、金属キレート化合物として
ジイソプロポキシチタンビスエチルアセチルアセテート
（ＤＩＰＴｉＥＡＡ、純度７８％）０．７部（１．３ｍ
ｍｏｌ）と、有機溶媒としてプロピレングリコールモノ
プロピルエーテル（ＰＦＧ）２５０部とを混合した後、
６０℃に加温した。イオン交換水４０部（メチルトリメ
トキシシランにおけるメトキシ基１ｍｏｌに対して０．
５ｍｏｌに相当）とＰＦＧ５０部との混合物を、スター
ラーで以て反応溶液を撹拌しながら、６０℃、１時間で
添加した。さらに、６０℃、１０時間の条件で反応させ
た。次いで、アセチルアセトン（ＡｃＡｃ）２７部を添
加した後、減圧下、４０℃で、メタノールを含む溶剤１
４５部を除去することにより、本発明の膜形成用組成物
を得た。得られた膜形成用組成物のメタノール含量をガ
スクロマトグラフィで測定したところ、組成物に対して
５重量％以下であった。(Example 1) (Preparation of composition for forming film) 203 parts (100 parts in terms of condensate) of methyltrimethoxysilane (MTMSi) as alkylalkoxysilane and diisopropoxytitanium bisethylacetyl acetate as metal chelate compound (DIPTiEAA, purity 78%) 0.7 parts (1.3 m
mol) and 250 parts of propylene glycol monopropyl ether (PFG) as an organic solvent,
Heated to 60 ° C. 40 parts of ion-exchanged water (0.1 part per mol of methoxy group in methyltrimethoxysilane).
(Equivalent to 5 mol) and 50 parts of PFG were added at 60 ° C. for 1 hour while stirring the reaction solution with a stirrer. Further, the reaction was carried out at 60 ° C. for 10 hours. Then, after adding 27 parts of acetylacetone (AcAc), the solvent 1 containing methanol at 40 ° C. under reduced pressure.
By removing 45 parts, a film-forming composition of the present invention was obtained. When the methanol content of the obtained film-forming composition was measured by gas chromatography, it was 5% by weight or less based on the composition.

【００２７】（膜形成用組成物の評価） １．塗膜の均一性 ４インチシリコンウエファー上に、スピンコーターを用
いて、上記膜形成用組成物を、回転数１５００ｒｐｍ、
３１秒の条件で以て塗布した。その後、８０℃の温度に
保持したホットプレートを用いて、膜形成用組成物を塗
布したシリコンウエファーを５分間加熱し、有機溶媒を
飛散させた。次いで、２００℃の温度に保持したホット
プレートを用いて、膜形成用組成物を塗布したシリコン
ウエファーを５分間加熱し、さらに、４５０℃の温度に
保持した真空オーブン（真空度≦１ｔｏｒｒ）を用いて
６０分間加熱し、シリコンウエファー上の塗膜を硬化さ
せた。(Evaluation of Film Forming Composition) Uniformity of coating film The composition for forming a film was coated on a 4-inch silicon wafer using a spin coater at a rotational speed of 1500 rpm.
The coating was performed under the condition of 31 seconds. Thereafter, using a hot plate maintained at a temperature of 80 ° C., the silicon wafer coated with the film forming composition was heated for 5 minutes to disperse the organic solvent. Next, the silicon wafer coated with the film-forming composition is heated for 5 minutes using a hot plate maintained at a temperature of 200 ° C., and furthermore, using a vacuum oven (degree of vacuum ≦ 1 torr) maintained at a temperature of 450 ° C. For 60 minutes to cure the coating on the silicon wafer.

【００２８】このようにして得られた塗膜の外観を目視
にて観察し、さらに、触針式表面粗さ計（日本真空技術
（株）製、Ｄｅｋｔａｋ３０３０）を用いて、当該塗膜
の表面粗さ（Ｒａ）を測定した。そして、塗膜の外観お
よび得られた表面粗さ（Ｒａ）の結果から塗膜の均一性
を、以下の基準で以て評価した。評価結果を表１に示
す。 〇：外観上、はじきやむらがなく、かつ、表面粗さ（Ｒ
ａ）の値が２００オングストローム未満。 △：外観上、はじきやむらがなく、かつ、表面粗さ（Ｒ
ａ）の値が２００オングストローム以上。 ×：外観上、はじきやむらがある。The appearance of the coating film thus obtained was visually observed, and the surface of the coating film was further measured using a stylus type surface roughness meter (Dektak 3030, manufactured by Japan Vacuum Engineering Co., Ltd.). The roughness (Ra) was measured. Then, from the results of the appearance of the coating film and the obtained surface roughness (Ra), the uniformity of the coating film was evaluated according to the following criteria. Table 1 shows the evaluation results. 〇: No repelling or unevenness in appearance, and surface roughness (R
The value of a) is less than 200 angstroms. Δ: No repelling or unevenness in appearance, and surface roughness (R
The value of a) is 200 Å or more. X: There are repelling and unevenness in appearance.

【００２９】２．密着性試験 上記外観観察を実施したと同様の塗膜に対して、ＰＣＴ
（ＰｒｅｓｓｕｒｅＣｏｏｋｅｒ Ｔｅｓｔ）装置（平
山製作所製、ＰＣ−２４２ＨＳ−Ａ）を用いて、１２７
℃、１００％ＲＨ、２．５気圧、１時間の条件で以て湿
熱処理を施した。その後、湿熱処理を施した塗膜に対し
て、ＪＩＳ Ｋ５４００に準拠して碁盤目試験（テープ
剥離試験）を施した。そして、１００個の碁盤目のう
ち、剥がれずに下地としてのシリコンウエファーから剥
がれが生じなかった碁盤目数の平均値（ｎ）を算出し、
下地に対する密着性として評価した。測定結果を表１に
示す。 〇：ｎが１００ △：ｎが５０以上 ×：ｎが５０未満2. Adhesion test PCT was applied to the same coating film as the above
(Pressure Cooker Test) device (PC-242HS-A, manufactured by Hirayama Seisakusho)
The wet heat treatment was performed under the conditions of ° C., 100% RH, 2.5 atm and 1 hour. Thereafter, the coating film subjected to the wet heat treatment was subjected to a grid test (tape peel test) in accordance with JIS K5400. Then, an average value (n) of the number of grids in which the peeling did not occur from the silicon wafer as a base without peeling out of the 100 grids,
It was evaluated as the adhesion to the substrate. Table 1 shows the measurement results. 〇: n is 100 Δ: n is 50 or more ×: n is less than 50

【００３０】３．誘電率 カバーメタルとして、ＴｉＮが積層されたＡｌスパッタ
シリコンウエファー上に、上記膜形成用組成物を、スピ
ンナーを用いて回転塗布した。その後、８０℃の温度に
保持したホットプレートを用いて、膜形成用組成物が積
層されたシリコンウエファーを５分間加熱し、有機溶媒
を飛散させた。次いで、２００℃の温度に保持したホッ
トプレートを用いて、膜形成用組成物が積層されたシリ
コンウエファーを５分間加熱し、さらに、４５０℃の温
度に保持した真空オーブン（真空度≦１ｔｏｒｒ）を用
いて６０分間加熱し、膜形成用組成物を硬化させた。得
られた塗膜に対して、周波数１ＭＨｚで以て、横河・ヒ
ューレットパッカード（株）製ＨＰ１６４５１Ｂ電極お
よびＨＰ４２８４ＡプレシジョンＬＣＲメータを用いて
当該塗膜の誘電率を測定した。結果を表１に示す。3. The above-mentioned composition for film formation was spin-coated on an Al sputtered silicon wafer on which TiN was laminated as a dielectric constant using a spinner. Thereafter, using a hot plate maintained at a temperature of 80 ° C., the silicon wafer on which the film-forming composition was laminated was heated for 5 minutes to disperse the organic solvent. Then, using a hot plate maintained at a temperature of 200 ° C., the silicon wafer on which the film-forming composition was laminated was heated for 5 minutes, and further, a vacuum oven (degree of vacuum ≦ 1 torr) maintained at a temperature of 450 ° C. And heated for 60 minutes to cure the film-forming composition. The dielectric constant of the obtained coating film was measured at a frequency of 1 MHz using an HP16451B electrode manufactured by Yokogawa-Hewlett-Packard Co., Ltd. and an HP4284A precision LCR meter. Table 1 shows the results.

【００３１】４．耐熱性 アルミパン中に上記膜形成用組成物を加え、その後、８
０℃の温度に保持したホットプレートを用いて、膜形成
用組成物が加えられたアルミパンを５分間加熱し、有機
溶媒を飛散させた。次いで、２００℃の温度に保持した
ホットプレートを用いて、アルミニムパンを５分間加熱
し、さらに、４５０℃の温度に保持した真空オーブン
（真空度≦１ｔｏｒｒ）を用いて６０分間加熱し、膜形
成用組成物を硬化させた。4. Heat resistance The composition for forming a film is added to an aluminum pan, and then,
Using a hot plate maintained at a temperature of 0 ° C., the aluminum pan to which the composition for film formation was added was heated for 5 minutes to disperse the organic solvent. Next, the aluminum pan was heated for 5 minutes using a hot plate maintained at a temperature of 200 ° C., and further heated for 60 minutes using a vacuum oven (degree of vacuum ≦ 1 torr) maintained at a temperature of 450 ° C. The composition was cured.

【００３２】このようにして得られた膜形成用組成物
を、セイコー電子工業（株）製のＳＳＣ５２００熱重量
分析装置（ＴＧＡ）を用いて、窒素雰囲気中、１０℃／
分の昇温速度で以て加熱し、当該膜形成用組成物の５％
重量減温度を測定した。測定結果を表１に示す。The thus-obtained film-forming composition was subjected to an SSC5200 thermogravimetric analyzer (TGA) manufactured by Seiko Denshi Kogyo KK in a nitrogen atmosphere at 10 ° C. /
For 5% of the film forming composition.
The weight loss temperature was measured. Table 1 shows the measurement results.

【００３３】５．保存安定性 ２５℃で３ヶ月保存した膜形成用組成物を、４インチシ
リコンウエファー上に、スピンコーターを用いて、回転
数１５００ｒｐｍ、３１秒の条件で以て塗布した。その
後、８０℃の温度に保持したホットプレートを用いて、
膜形成用組成物を塗布したシリコンウエファーを５分間
加熱し、有機溶媒を飛散させた。次いで、２００℃の温
度に保持したホットプレートを用いて、膜形成用組成物
を塗布したシリコンウエファーを５分間加熱し、シリコ
ンウエファー上に塗膜を形成させた。このようにして得
られた塗膜の膜厚を、触針式表面粗さ計（日本真空技術
（株）製、Ｄｅｋｔａｋ３０３０）を用いて測定した。
また、同様にして保存前の塗膜の膜厚を測定し、下式に
より求めた膜厚増加率により、保存安定性を評価した。
評価結果を表１に示す。 膜厚増加率（％）＝（（保存後の膜厚）−（保存前の膜
厚））÷（保存前の膜厚）×１００ 〇：膜厚変化率 ≦１０％ △：１０％＜ 膜厚変化率 ≦２０％ ×：２０％＜ 膜厚変化率5. Storage stability The film-forming composition stored at 25 ° C. for 3 months was applied onto a 4-inch silicon wafer using a spin coater under the conditions of a rotation speed of 1500 rpm and 31 seconds. After that, using a hot plate maintained at a temperature of 80 ° C.,
The silicon wafer coated with the film-forming composition was heated for 5 minutes to disperse the organic solvent. Next, using a hot plate maintained at a temperature of 200 ° C., the silicon wafer coated with the film-forming composition was heated for 5 minutes to form a coating film on the silicon wafer. The thickness of the coating film thus obtained was measured using a stylus type surface roughness meter (Dektak3030, manufactured by Japan Vacuum Engineering Co., Ltd.).
In addition, similarly, the film thickness of the coating film before storage was measured, and the storage stability was evaluated based on the film thickness increase rate determined by the following equation.
Table 1 shows the evaluation results. Film thickness increase rate (%) = ((film thickness after storage) − (film thickness before storage)) ÷ (film thickness before storage) × 100 〇: film thickness change rate ≦ 10% △: 10% <film Thickness change rate ≦ 20% ×: 20% <Thickness change rate

【００３４】（実施例２） （膜形成用組成物の調製）実施例１と比較して、金属キ
レート化合物および有機溶媒の使用量等を増加させて膜
形成用組成物を調製した。すなわち、アルキルアルコキ
シシランとしてメチルトリメトキシシラン（ＭＴＭＳ
ｉ）２０３部（縮合物換算１００部）と、金属キレート
化合物としてジイソプロポキシチタンビスエチルアセチ
ルアセテート（ＤＩＰＴｉＥＡＡ、純度７８％）７部
（１３ｍｍｏｌ）と、有機溶媒としてプロピレングリコ
ールモノプロピルエーテル（ＰＦＧ）６００部とを６０
℃に加温した。イオン交換水４０部（メチルトリメトキ
シシランにおけるメトキシ基１ｍｏｌに対して０．５ｍ
ｏｌに相当）とＰＦＧ５０部との混合物を、スターラー
で以て反応溶液を撹拌しながら、６０℃、１時間で添加
した。さらに、６０℃、１０時間の条件で以て反応させ
た。次いで、アセチルアセトン（ＡｃＡｃ）４５部を添
加して本発明の膜形成用組成物を得た。得られた膜形成
用組成物のメタノール含量をガスクロマトグラフィで測
定したところ、組成物に対して２０重量％以下であっ
た。(Example 2) (Preparation of film-forming composition) A film-forming composition was prepared by increasing the amount of the metal chelate compound and the organic solvent used in comparison with Example 1. That is, methyltrimethoxysilane (MTMS) is used as the alkylalkoxysilane.
i) 203 parts (100 parts in terms of condensate), 7 parts (13 mmol) of diisopropoxytitanium bisethylacetyl acetate (DIPTiEAA, purity 78%) as a metal chelate compound, and propylene glycol monopropyl ether (PFG) 600 as an organic solvent 60 parts
Warmed to ° C. 40 parts of ion-exchanged water (0.5 m for 1 mol of methoxy group in methyltrimethoxysilane)
ol) and 50 parts of PFG were added at 60 ° C. for 1 hour while stirring the reaction solution with a stirrer. Further, the reaction was carried out at 60 ° C. for 10 hours. Next, 45 parts of acetylacetone (AcAc) was added to obtain a film-forming composition of the present invention. The methanol content of the obtained film-forming composition was measured by gas chromatography and found to be 20% by weight or less based on the composition.

【００３５】（膜形成用組成物の評価）実施例１と同様
の条件で以て、塗膜における厚さの均一性、酸素プラズ
マアッシング性、密着性、誘電率特性、耐熱性を評価、
測定した。それぞれの測定結果等を表１に示す。なお、
以下の実施例３〜７および比較例１〜５についても同様
に塗膜における厚さの均一性等を評価した。(Evaluation of Film Forming Composition) Under the same conditions as in Example 1, the uniformity of the thickness of the coating film, oxygen plasma ashing property, adhesion, dielectric properties and heat resistance were evaluated.
It was measured. Table 1 shows the measurement results and the like. In addition,
In the following Examples 3 to 7 and Comparative Examples 1 to 5, the uniformity of the thickness of the coating film was similarly evaluated.

【００３６】（実施例３） （膜形成用組成物の調製）実施例１と比較して、金属キ
レート化合物の種類、並び有機溶媒の使用量等を代えて
膜形成用組成物を調製した。すなわち、アルキルアルコ
キシシランとしてメチルトリメトキシシラン（ＭＴＭＳ
ｉ）２０３部（縮合物換算１００部）と、金属キレート
化合物としてモノ-ｔ-ブトキシジルコニウムトリスエチ
ルアセチルアセテート（ＴＢＺｒＥＡＡ、純度７０％）
０．７部（１．０ｍｍｏｌ）と、有機溶媒としてプロピ
レングリコールモノプロピルエーテル（ＰＦＧ）２００
部とを６０℃に加温した。イオン交換水４０部（メチル
トリメトキシシランにおけるメトキシ基１ｍｏｌに対し
て０．５ｍｏｌに相当）とＰＦＧ５０部との混合物を、
スターラーで以て反応溶液を撹拌しながら、６０℃、１
時間で添加した。さらに、６０℃、１４時間の条件で以
て反応させた。次いで、アセチルアセトン（ＡｃＡｃ）
２５部を添加した後、減圧下、４０℃でメタノールを含
む溶剤１４５部を除去することにより、本発明の膜形成
用組成物を得た。得られた膜形成用組成物のメタノール
含量をガスクロマトグラフィで測定したところ、組成物
に対して５重量％以下であった。塗膜における厚さの均
一性等の測定結果等を表１に示す。(Example 3) (Preparation of film-forming composition) A film-forming composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the type of the metal chelate compound, the amount of the organic solvent used, and the like were changed. That is, methyltrimethoxysilane (MTMS) is used as the alkylalkoxysilane.
i) 203 parts (100 parts in terms of condensate) and mono-t-butoxyzirconium trisethylacetyl acetate (TBZrEAA, purity 70%) as a metal chelate compound
0.7 parts (1.0 mmol) and propylene glycol monopropyl ether (PFG) 200 as an organic solvent
Parts were heated to 60 ° C. A mixture of 40 parts of ion-exchanged water (corresponding to 0.5 mol with respect to 1 mol of methoxy group in methyltrimethoxysilane) and 50 parts of PFG,
While stirring the reaction solution with a stirrer,
Added in time. Further, the reaction was carried out at 60 ° C. for 14 hours. Then, acetylacetone (AcAc)
After adding 25 parts, 145 parts of a solvent containing methanol was removed at 40 ° C. under reduced pressure to obtain a film-forming composition of the present invention. When the methanol content of the obtained film-forming composition was measured by gas chromatography, it was 5% by weight or less based on the composition. Table 1 shows the measurement results such as the uniformity of the thickness of the coating film.

【００３７】（実施例４） （膜形成用組成物の調製）実施例１と比較して、金属キ
レート化合物の種類、並びに有機溶媒の使用量等を代え
て膜形成用組成物を調製した。すなわち、アルキルアル
コキシシランとしてメチルトリメトキシシラン（ＭＴＭ
Ｓｉ）２０３部（縮合物換算１００部）と、金属キレー
ト化合物としてアルミニウムジイソプロポキサイドエチ
ルアセトアセテート（ＡＬＣＡＴ、純度７５％）０．７
部（１．９ｍｍｏｌ）と、有機溶媒としてプロピレング
リコールモノプロピルエーテル（ＰＦＧ）２００部とを
６０℃に加温した。イオン交換水４０部（メチルトリメ
トキシシランにおけるメトキシ基１ｍｏｌに対して０．
５ｍｏｌに相当）とＰＦＧ５０部との混合物を、スター
ラーで以て反応溶液を撹拌しながら、６０℃、１時間で
添加した。さらに、６０℃、１４時間の条件で以て反応
させた。次いで、アセチルアセトン（ＡｃＡｃ）５０部
を添加した後、減圧下、４０℃でメタノールを含む溶剤
１４５部を除去することにより、本発明の膜形成用組成
物を得た。得られた膜形成用組成物のメタノール含量を
ガスクロマトグラフィで測定したところ、組成物に対し
て５重量％以下であった。塗膜における厚さの均一性等
の測定結果等を表１に示す。(Example 4) (Preparation of film-forming composition) A film-forming composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the kind of the metal chelate compound and the amount of the organic solvent used were changed. That is, methyltrimethoxysilane (MTM) is used as an alkylalkoxysilane.
Si) 203 parts (condensate conversion 100 parts) and aluminum diisopropoxide ethyl acetoacetate (ALCAT, purity 75%) 0.7 as a metal chelate compound
Part (1.9 mmol) and 200 parts of propylene glycol monopropyl ether (PFG) as an organic solvent were heated to 60 ° C. 40 parts of ion-exchanged water (0.1 part per mol of methoxy group in methyltrimethoxysilane).
(Equivalent to 5 mol) and 50 parts of PFG were added at 60 ° C. for 1 hour while stirring the reaction solution with a stirrer. Further, the reaction was carried out at 60 ° C. for 14 hours. Next, after adding 50 parts of acetylacetone (AcAc), 145 parts of a solvent containing methanol was removed at 40 ° C. under reduced pressure to obtain a film-forming composition of the present invention. When the methanol content of the obtained film-forming composition was measured by gas chromatography, it was 5% by weight or less based on the composition. Table 1 shows the measurement results such as the uniformity of the thickness of the coating film.

【００３８】（実施例５） （膜形成用組成物の調製）実施例１と比較して、アルキ
ルアルコキシシランの種類および使用量、金属キレート
化合物の使用量、並びに有機溶媒の使用量等を代えて膜
形成用組成物を調製した。すなわち、アルキルアルコキ
シシランとしてメチルトリメトキシシラン（ＭＴＭＳ
ｉ）１８３部とテトラメトキシシラン（ＴＭＯＳ）２５
部（それぞれ合計して縮合物換算１００部）と、金属キ
レート化合物としてジイソプロポキシチタンビスエチル
アセチルアセテート（ＤＩＰＴｉＥＡＡ、純度７８％）
７部（１３ｍｍｏｌ）と、有機溶媒としてプロピレング
リコールモノプロピルエーテル（ＰＦＧ）４５０部とを
６０℃に加温した。イオン交換水４０部（メチルトリメ
トキシシランおよびテトラメトキシシランにおけるメト
キシ基１ｍｏｌに対して０．５ｍｏｌに相当）とＰＦＧ
５０部との混合物を、スターラーで以て反応溶液を撹拌
しながら、６０℃、１時間で添加した。さらに、６０
℃、７時間の条件で以て反応させた。次いで、アセチル
アセトン（ＡｃＡｃ）７６部を添加した後、減圧下、４
０℃でメタノールを含む溶剤１４５部を除去することに
より、本発明の膜形成用組成物を得た。得られた膜形成
用組成物のメタノール含量をガスクロマトグラフィで測
定したところ、組成物に対して５重量％以下であった。
塗膜における厚さの均一性等の測定結果等を表１に示
す。Example 5 (Preparation of Composition for Forming Film) Compared with Example 1, the kind and amount of alkylalkoxysilane, the amount of metal chelate compound used, and the amount of organic solvent used were changed. Thus, a film-forming composition was prepared. That is, methyltrimethoxysilane (MTMS) is used as the alkylalkoxysilane.
i) 183 parts and tetramethoxysilane (TMOS) 25
Parts (total of 100 parts in terms of condensate) and diisopropoxytitanium bisethylacetyl acetate (DIPTiEAA, purity 78%) as a metal chelate compound
7 parts (13 mmol) and 450 parts of propylene glycol monopropyl ether (PFG) as an organic solvent were heated to 60 ° C. 40 parts of ion-exchanged water (corresponding to 0.5 mol per 1 mol of methoxy group in methyltrimethoxysilane and tetramethoxysilane) and PFG
The mixture with 50 parts was added at 60 ° C. for 1 hour while stirring the reaction solution with a stirrer. In addition, 60
The reaction was carried out at 7 ° C. for 7 hours. Then, after adding 76 parts of acetylacetone (AcAc),
By removing 145 parts of a solvent containing methanol at 0 ° C., a film-forming composition of the present invention was obtained. When the methanol content of the obtained film-forming composition was measured by gas chromatography, it was 5% by weight or less based on the composition.
Table 1 shows the measurement results such as the uniformity of the thickness of the coating film.

【００３９】（実施例６） （膜形成用組成物の調製）実施例１と比較して、アルキ
ルアルコキシシランの種類および使用量、金属キレート
化合物の使用量、並びに有機溶媒の使用量等を代えて膜
形成用組成物を調製した。すなわち、アルキルアルコキ
シシランとしてメチルトリメトキシシラン（ＭＴＭＳ
ｉ）１５８部とテトラメトキシシラン（ＴＭＯＳ）５０
部（それぞれ合計して縮合物換算１００部）と、金属キ
レート化合物としてジイソプロポキシチタンビスエチル
アセチルアセテート（ＤＩＰＴｉＥＡＡ、純度７８％）
７部（１３ｍｍｏｌ）と、有機溶媒としてプロピレング
リコールモノプロピルエーテル（ＰＦＧ）４５０部とを
６０℃に加温した。イオン交換水４０部（メチルトリメ
トキシシランおよびテトラメトキシシランにおけるメト
キシ基１ｍｏｌに対して０．５ｍｏｌに相当）とＰＦＧ
５０部との混合物を、スターラーで以て反応溶液を撹拌
しながら、６０℃、１時間で添加した。さらに、６０
℃、７時間の条件で以て反応させた。次いで、アセチル
アセトン（ＡｃＡｃ）７６部を添加した後、減圧下、４
０℃でメタノールを含む溶剤１４５部を除去することに
より、本発明の膜形成用組成物を得た。得られた膜形成
用組成物のメタノール含量をガスクロマトグラフィで測
定したところ、組成物に対して５重量％以下であった。
塗膜における厚さの均一性等の測定結果等を表１に示
す。(Example 6) (Preparation of film-forming composition) Compared with Example 1, the type and amount of alkylalkoxysilane, the amount of metal chelate compound used, and the amount of organic solvent used were changed. Thus, a film-forming composition was prepared. That is, methyltrimethoxysilane (MTMS) is used as the alkylalkoxysilane.
i) 158 parts and tetramethoxysilane (TMOS) 50
Parts (total of 100 parts in terms of condensate) and diisopropoxytitanium bisethylacetyl acetate (DIPTiEAA, purity 78%) as a metal chelate compound
7 parts (13 mmol) and 450 parts of propylene glycol monopropyl ether (PFG) as an organic solvent were heated to 60 ° C. 40 parts of ion-exchanged water (corresponding to 0.5 mol per 1 mol of methoxy group in methyltrimethoxysilane and tetramethoxysilane) and PFG
The mixture with 50 parts was added at 60 ° C. for 1 hour while stirring the reaction solution with a stirrer. In addition, 60
The reaction was carried out at 7 ° C. for 7 hours. Then, after adding 76 parts of acetylacetone (AcAc),
By removing 145 parts of a solvent containing methanol at 0 ° C., a film-forming composition of the present invention was obtained. When the methanol content of the obtained film-forming composition was measured by gas chromatography, it was 5% by weight or less based on the composition.
Table 1 shows the measurement results such as the uniformity of the thickness of the coating film.

【００４０】（実施例７） （膜形成用組成物の調製）実施例１と比較して、有機溶
媒の使用量および添加法等を代えて膜形成用組成物を調
製した。すなわち、アルキルアルコキシシランとしてメ
チルトリメトキシシラン（ＭＴＭＳｉ）２０３部（縮合
物換算１００部）、金属キレート化合物としてジイソプ
ロポキシチタンビスエチルアセチルアセテート（ＤＩＰ
ＴｉＥＡＡ、純度７８％）０．７部（１．３ｍｍｏｌ）
と、有機溶媒として、プロピレングリコールモノプロピ
ルエーテル（ＰＦＧ）１５０部とを６０℃に加温した。
イオン交換水４０部（メチルトリメトキシシランにおけ
るメトキシ基１ｍｏｌに対して０．５ｍｏｌに相当）と
ＰＦＧ５０部との混合物を、スターラーで以て反応溶液
を撹拌しながら、６０℃、１時間で添加した。さらに、
６０℃、４時間の条件で以て反応させ、アセチルアセト
ン（ＡｃＡｃ）２２部、プロピレングリコールモノプロ
ピルエーテル（ＰＦＧ）１５０部を添加した。次いで、
減圧下、４０℃でメタノールを含む溶剤１５０部を除去
することにより、膜形成用組成物を得た。得られた膜形
成用組成物のメタノール含量をガスクロマトグラフィで
測定したところ、組成物に対して５重量％以下であっ
た。塗膜における厚さの均一性等の測定結果等を表１に
示す。(Example 7) (Preparation of film-forming composition) A film-forming composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that the amount of the organic solvent used and the method of addition were changed. That is, 203 parts of methyltrimethoxysilane (MTMSi) (100 parts in terms of condensate) as an alkylalkoxysilane, and diisopropoxytitanium bisethylacetyl acetate (DIP) as a metal chelate compound
0.7 parts (1.3 mmol) of TiEAA, purity 78%)
And 150 parts of propylene glycol monopropyl ether (PFG) as an organic solvent were heated to 60 ° C.
A mixture of 40 parts of ion-exchanged water (corresponding to 0.5 mol per 1 mol of methoxy group in methyltrimethoxysilane) and 50 parts of PFG was added at 60 ° C. for 1 hour while stirring the reaction solution with a stirrer. . further,
The reaction was carried out at 60 ° C. for 4 hours, and 22 parts of acetylacetone (AcAc) and 150 parts of propylene glycol monopropyl ether (PFG) were added. Then
A film-forming composition was obtained by removing 150 parts of a solvent containing methanol at 40 ° C. under reduced pressure. When the methanol content of the obtained film-forming composition was measured by gas chromatography, it was 5% by weight or less based on the composition. Table 1 shows the measurement results such as the uniformity of the thickness of the coating film.

【００４１】（比較例１） （膜形成用組成物の調製）実施例２と比較して、金属キ
レート化合物を含まない以外は、同様の条件で以て膜形
成用組成物を調製した。すなわち、メチルトリメトキシ
シラン（ＭＴＭＳｉ）２０３部（縮合物換算１００部）
と、プロピレングリコールモノプロピルエーテル（ＰＦ
Ｇ）６００部とを６０℃に加温した。イオン交換水４０
部（メチルトリメトキシシランにおけるメトキシ基１ｍ
ｏｌに対して０．５ｍｏｌに相当）とＰＦＧ５０部との
混合物を、スターラーで以て反応溶液を撹拌しながら、
６０℃、１時間で添加した。さらに、６０℃、４時間の
条件で反応させた。次いで、アセチルアセトン（ＡｃＡ
ｃ）４５部を添加して膜形成用組成物を得た。塗膜にお
ける厚さの均一性等の測定結果等を表２に示す。Comparative Example 1 Preparation of Film Forming Composition A film forming composition was prepared under the same conditions as in Example 2 except that no metal chelate compound was contained. That is, 203 parts of methyltrimethoxysilane (MTMSi) (100 parts in terms of condensate)
And propylene glycol monopropyl ether (PF
G) 600 parts were heated to 60 ° C. Ion exchange water 40
Part (1m methoxy group in methyltrimethoxysilane)
of the PFG and 50 parts of PFG, while stirring the reaction solution with a stirrer,
It was added at 60 ° C. for 1 hour. Further, the reaction was carried out at 60 ° C. for 4 hours. Then, acetylacetone (AcA
c) 45 parts were added to obtain a film-forming composition. Table 2 shows the measurement results such as the uniformity of the thickness of the coating film.

【００４２】（比較例２） （膜形成用組成物の調製）実施例２と比較して、有機溶
媒として、本発明で限定する種類以外のものを用いた以
外は、実施例２と同様の条件で以て膜形成用組成物を調
製した。すなわち、メチルトリメトキシシラン（ＭＴＭ
Ｓｉ）２０３部（縮合物換算１００部）と、ジイソプロ
ポキシチタンビスエチルアセチルアセテート（ＤＩＰＴ
ｉＥＡＡ、純度７８％）７部（１３ｍｍｏｌ）と、イソ
プロピルアルコール（ＩＰ）６００部とを６０℃に加温
した。イオン交換水４０部（メチルトリメトキシシラン
におけるメトキシ基１ｍｏｌに対して０．５ｍｏｌに相
当）とＰＦＧ５０部との混合物を、スターラーで以て反
応溶液を撹拌しながら、６０℃、１時間で添加した。さ
らに、６０℃、１０時間の条件で反応させて、アセチル
アセトン（ＡｃＡｃ）４５部を添加して膜形成用組成物
を得た。膜形成用組成物を得た。塗膜における厚さの均
一性等の測定結果等を表２に示す。(Comparative Example 2) (Preparation of film-forming composition) The same procedure as in Example 2 was carried out except that an organic solvent other than the type limited in the present invention was used. Under the conditions, a film-forming composition was prepared. That is, methyltrimethoxysilane (MTM
Si) 203 parts (condensate conversion 100 parts) and diisopropoxytitanium bisethyl acetyl acetate (DIPT)
7 parts (13 mmol) of iEAA, purity 78%) and 600 parts of isopropyl alcohol (IP) were heated to 60 ° C. A mixture of 40 parts of ion-exchanged water (corresponding to 0.5 mol per 1 mol of methoxy group in methyltrimethoxysilane) and 50 parts of PFG was added at 60 ° C. for 1 hour while stirring the reaction solution with a stirrer. . Further, the mixture was reacted at 60 ° C. for 10 hours, and 45 parts of acetylacetone (AcAc) was added to obtain a film-forming composition. A composition for film formation was obtained. Table 2 shows the measurement results such as the uniformity of the thickness of the coating film.

【００４３】（比較例３） （膜形成用組成物の調製）実施例２と比較して、アセチ
ルアセトンを用いなかった以外は、実施例２と同様の条
件で以て膜形成用組成物を調製した。すなわち、メチル
トリメトキシシラン（ＭＴＭＳｉ）２０３部（縮合物換
算１００部）と、ジイソプロポキシチタンビスエチルア
セチルアセテート（ＤＩＰＴｉＥＡＡ）７部（１３ｍｍ
ｏｌ）と、プロピレングリコールモノプロピルエーテル
（ＰＦＧ）６００部とを６０℃に加温した。イオン交換
水４０部（メチルトリメトキシシランにおけるメトキシ
基１ｍｏｌに対して０．５ｍｏｌに相当）とＰＦＧ５０
部との混合物を、スターラーで以て反応溶液を撹拌しな
がら、６０℃、１時間で添加した。さらに、６０℃、１
０時間の条件で反応させて、膜形成用組成物を得た。塗
膜の均一性等の測定結果等を表２に示す。Comparative Example 3 Preparation of Film Forming Composition A film forming composition was prepared in the same manner as in Example 2 except that acetylacetone was not used. did. That is, 203 parts of methyltrimethoxysilane (MTMSi) (100 parts in terms of condensate) and 7 parts of diisopropoxytitanium bisethylacetyl acetate (DIPTiEAA) (13 mm
ol) and 600 parts of propylene glycol monopropyl ether (PFG) were heated to 60 ° C. 40 parts of ion-exchanged water (corresponding to 0.5 mol per 1 mol of methoxy group in methyltrimethoxysilane) and PFG50
The mixture was added at 60 ° C. for 1 hour while stirring the reaction solution with a stirrer. Furthermore, at 60 ° C, 1
The reaction was carried out for 0 hour to obtain a film-forming composition. Table 2 shows the measurement results such as the uniformity of the coating film.

【００４４】（比較例４） （膜形成用組成物の調製）実施例１と比較して、反応後
にメタノールを含む溶剤の除去を行わなかった以外は、
実施例１と同様の条件で以て膜形成用組成物を調製し
た。すなわち、アルキルアルコキシシランとしてメチル
トリメトキシシラン（ＭＴＭＳｉ）２０３部（縮合物換
算１００部）と、金属キレート化合物としてジイソプロ
ポキシチタンビスエチルアセチルアセテート（ＤＩＰＴ
ｉＥＡＡ、純度７８％）０．７部（１．３ｍｍｏｌ）
と、有機溶媒としてプロピレングリコールモノプロピル
エーテル（ＰＦＧ）２５０部とを６０℃に加温した。イ
オン交換水４０部（メチルトリメトキシシランにおける
メトキシ基１ｍｏｌに対して０．５ｍｏｌに相当）とＰ
ＦＧ５０部との混合物を、スターラーで以て反応溶液を
撹拌しながら、６０℃、１時間で添加した。さらに、６
０℃、１０時間の条件で反応させた。次いで、アセチル
アセトン（ＡｃＡｃ）２７部を添加し、膜形成用組成物
を得た。塗膜の均一性等の測定結果等を表２に示す。(Comparative Example 4) (Preparation of composition for forming film) Compared with Example 1, except that the solvent containing methanol was not removed after the reaction.
A film-forming composition was prepared under the same conditions as in Example 1. Specifically, 203 parts of methyltrimethoxysilane (MTMSi) (100 parts in terms of condensate) as alkylalkoxysilane and diisopropoxytitanium bisethylacetyl acetate (DIPT) as metal chelate compound
0.7 parts (1.3 mmol) of iEAA, purity 78%)
And 250 parts of propylene glycol monopropyl ether (PFG) as an organic solvent were heated to 60 ° C. 40 parts of ion-exchanged water (corresponding to 0.5 mol per 1 mol of methoxy group in methyltrimethoxysilane) and P
The mixture with 50 parts of FG was added at 60 ° C. for 1 hour while stirring the reaction solution with a stirrer. In addition, 6
The reaction was carried out at 0 ° C. for 10 hours. Next, 27 parts of acetylacetone (AcAc) was added to obtain a film-forming composition. Table 2 shows the measurement results such as the uniformity of the coating film.

【００４５】[0045]

【表１】 [Table 1]

【００４６】[0046]

【表２】 [Table 2]

【００４７】[0047]

【発明の効果】アルキルアルコキシランの加水分解物お
よび／またはその部分縮合物と、１種類以上の金属キレ
ート化合物と、特定の有機溶媒とを含んで膜形成用組成
物を構成することにより、塗布膜における厚さの均一
性、誘電率特性、保存安定性、塗布性、酸素プラズマア
ッシング耐性および下地に対する密着性等のバランスに
優れた膜形成用組成物（層間絶縁膜用材料）を提供する
ことが可能となった。また、膜形成用組成物中のナトリ
ウム含量を所定量以下とすることにより、当該膜形成用
組成物を半導体等の層間絶縁膜用材料に用いた場合で
も、電気回路等の腐食の発生をより効率的に防止しなが
ら均一な厚さの層間絶縁膜を形成することができる。According to the present invention, a film-forming composition comprising a hydrolyzate of alkylalkoxylane and / or a partial condensate thereof, at least one metal chelate compound, and a specific organic solvent is applied to form a coating composition. To provide a film-forming composition (material for an interlayer insulating film) having an excellent balance of thickness uniformity, dielectric constant characteristics, storage stability, coating properties, oxygen plasma ashing resistance, and adhesion to a base in a film. Became possible. Further, by setting the sodium content in the film-forming composition to a predetermined amount or less, even when the film-forming composition is used for a material for an interlayer insulating film such as a semiconductor, corrosion of an electric circuit or the like is more likely to occur. An interlayer insulating film having a uniform thickness can be formed while efficiently preventing the interlayer insulating film.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０９Ｄ 5/25 Ｃ０９Ｄ 5/25 7/12 7/12 Ｚ Ｈ０１Ｌ 21/312 Ｈ０１Ｌ 21/312 Ｃ 21/316 21/316 Ｇ Ｈ０５Ｋ 1/03 ６１０ Ｈ０５Ｋ 1/03 ６１０Ｈ ６１０Ｓ 3/46 3/46 Ｔ (72)発明者 松原 稔 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 (72)発明者 袴塚 聡子 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 Ｆターム(参考） 4J002 CP031 EC076 EE047 GQ05 4J038 DL021 DL031 JA23 JA26 JA34 JC32 JC38 NA21 PB09 5E346 AA02 AA12 CC08 DD03 HH01 HH11 HH13 5F058 AA03 AA10 AC03 AF04 AG01 AH01 AH02 BA06 BA20 BC02 BC05 BF46 BH01 BJ01 BJ02──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. ⁷ Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) C09D 5/25 C09D 5/25 7/12 7/12 Z H01L 21/312 H01L 21/312 C 21/316 21/316 G H05K 1/03 610 H05K 1/03 610H 610S 3/46 3/46 T (72) Inventor Minoru Matsubara 2-11-24 Tsukiji, Chuo-ku, Tokyo Inside JSR Corporation (72) Inventor Sakako Hakamukazuka F-term (reference) 4J002 CP031 EC076 EE047 GQ05 4J038 DL021 DL031 JA23 JA26 JA34 JC32 JC38 NA21 PB09 5E346 AA02 AA12 CC08 DD03 HH01 AH11 A11 AF04 AG01 AH01 AH02 BA06 BA20 BC02 BC05 BF46 BH01 BJ01 BJ02

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 （Ａ）下記一般式（１）で表される化合
物の加水分解物および／またはその部分縮合物、 Ｒ¹ _nＳｉ（ＯＲ²）_4-n （１） （Ｒ¹およびＲ² は、同一でも異なっていても良く、そ
れぞれ炭素数１〜５のアルキル基または炭素数６〜２０
のアリール基を示し、ｎは０〜２の整数を表す。） （Ｂ）下記一般式（２）で表される金属キレート化合
物、 Ｒ³ _tＭ（ＯＲ⁴）_s-t （２） （Ｒ³ はキレート剤、Ｍ金属原子、Ｒ⁴ は炭素数２〜５
のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基を示
し、sはＭの原子価、ｔは１〜ｓの整数を表す。） （Ｃ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルおよ
び （Ｄ）β―ジケトンを含むことを特徴とする膜形成用組
成物。(A) a hydrolyzate of a compound represented by the following general formula (1) and / or a partial condensate thereof: R ¹ _n Si (OR ² ) _4-n (1) (R ¹ and R ² may be the same or different and each is an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or 6 to 20 carbon atoms;
And n represents an integer of 0 to 2. (B) a metal chelate compound represented by the following general formula (2): R ³ _t M (OR ⁴ ) _st (2) (R ³ is a chelating agent, M metal atom, and R ⁴ has 2 to 5 carbon atoms)
Represents an alkyl group or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, s represents a valence of M, and t represents an integer of 1 to s. A film-forming composition comprising (C) a propylene glycol monoalkyl ether and (D) a β-diketone. 【請求項２】 請求項１に記載の膜形成用組成物におい
て、当該膜形成用組成物中のナトリウム含量が２０ｐｐ
ｂ以内であることを特徴とする膜形成用組成物。2. The film forming composition according to claim 1, wherein the sodium content in the film forming composition is 20 pp.
b. The composition for film formation, which is within b. 【請求項３】 請求項１に記載の膜形成用組成物におい
て、当該膜形成用組成物中のβ−ジケトン含量が１重量
％以上であることを特徴とする膜形成用組成物。3. The film forming composition according to claim 1, wherein the β-diketone content in the film forming composition is 1% by weight or more. 【請求項４】 請求項１に記載の膜形成用組成物におい
て、当該膜形成用組成物中の沸点１００℃以下のアルコ
ール含量が２０重量％以下であることを特徴とする膜形
成用組成物。4. The composition for forming a film according to claim 1, wherein the content of alcohol having a boiling point of 100 ° C. or less in the composition for forming a film is 20% by weight or less. . 【請求項５】 請求項１に記載の膜形成用組成物におい
て、当該膜形成用組成物中の一般式（１）のｎが０〜１
であることを特徴とする膜形成用組成物。5. The film forming composition according to claim 1, wherein n in the general formula (1) in the film forming composition is 0 to 1.
A composition for forming a film, which is: 【請求項６】 請求項６において、 当該膜形成用組成
物中の一般式（１）におけるｎが１である化合物（完全
加水分解縮合物換算）１００重量部に対し一般式（１）
におけるｎが０である化合物（完全加水分解縮合物換
算）の使用割合が０〜１００重量部であることを特徴と
する膜形成用組成物。6. The film forming composition according to claim 6, wherein 100 parts by weight of the compound (n) in the general formula (1) in the film forming composition (in terms of a complete hydrolysis condensate) is 100 parts by weight.
Wherein the proportion of the compound in which n is 0 (in terms of a completely hydrolyzed condensate) is 0 to 100 parts by weight. 【請求項７】 請求項１に記載の膜形成用組成物におい
て、当該膜形成用組成物中の一般式（２）におけるＭ
が、チタン、ジルコニウムおよびアルミニウムから選ば
れる少なくとも１種であることを特徴とする膜形成用組
成物。7. The composition for forming a film according to claim 1, wherein M in the general formula (2) in the composition for forming a film.
Is at least one selected from titanium, zirconium and aluminum. 【請求項８】 請求項１に記載の膜形成用組成物におい
て、当該膜形成用組成物中のプロピレングリコールモノ
アルキルエーテルが、プロピレングリコールモノメチル
エーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、
プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレ
ングリコールモノブチルエーテルから選ばれる少なくと
も１種であることを特徴とする膜形成用組成物。8. The film-forming composition according to claim 1, wherein the propylene glycol monoalkyl ether in the film-forming composition is propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether,
A film-forming composition comprising at least one selected from propylene glycol monopropyl ether and propylene glycol monobutyl ether. 【請求項９】 一般式（１）で表される化合物の加水分
解および／またはその部分縮合を行った後にβ−ジケト
ンを添加することを特徴とする請求項１に記載の膜形成
用組成物の製造方法。9. The film-forming composition according to claim 1, wherein β-diketone is added after the compound represented by the general formula (1) is hydrolyzed and / or partially condensed. Manufacturing method. 【請求項１０】 請求項１〜９のいずれか１項に記載の
膜形成用組成物を含むことを特徴とする層間絶縁膜用材
料。10. A material for an interlayer insulating film, comprising the film forming composition according to claim 1. Description: