JP2000252624A

JP2000252624A - プリント基板検査用コンタクトプローブの製造方法

Info

Publication number: JP2000252624A
Application number: JP11055871A
Authority: JP
Inventors: Yosuke Itagaki; 洋輔板垣; Masaharu Sato; 正春佐藤; Hajime Kusumi; 肇久住
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1999-03-03
Filing date: 1999-03-03
Publication date: 2000-09-14

Abstract

(57)【要約】【課題】プローブ強度が高く、微細化が容易なコンタ
クトプローブの製造方法を提供する。【解決手段】プリント基板に酸化剤を混合した樹脂層
を形成し、リソグラフィ技術により前記プリント基板の
電極パッド上にレジストを残すようにパターニングし
て、ウエットエッチングにより必要部分以外を途中まで
除去し、さらにドライエッチングすることによりパター
ニングを行い、ついで導電性高分子のモノマーを樹脂中
で重合してパターンに導電層を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はプリント基板の電気
的検査用のコンタクトプローブの製造方法に関し、特に
微細な配線パッドにも対応可能な高導電性で柔軟性にも
富んだ電気検査用コンタクトプローブの製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】配線の微細化したプリント基板の配線
は、その断線、短絡等の不良の危険性が増しており、こ
の様な高密度化したプリント基板に対応した電気的なプ
リント基板検査方法の開発が望まれている。プリント基
板の検査方法としては、プリント基板上の電極パッドに
一括して電気的検査用のコンタクトプローブを接続し、
検査を行う方法が適当である。

【０００３】この方法を、微細化した配線を持つプリン
ト基板に適用する場合、パッドの幅、間隔がそれぞれ10
0μm以下の電極パッドに対し、安定的に接続できるコン
タクトプローブが必要となる。しかしながら、現在用い
られている検査方法の内、金属プローブを用いる方法で
は、金属プローブの最大径が100μm程度必要なため、微
細化、高密度化したプリント基板への適用が困難であ
る。また、柔軟性を有する高分子素材に導電性の金属や
カーボンの微粉末を分散させたプローブが用いられてい
るが、導電性の粒子の粒径が数十μm程度のため、微細
化が困難である。このため、微細化されたプリント基板
での電気的検査は行われていないのが現状である。

【０００４】一方、特開平7-235739号公報に記載されて
いるように、ポリピロールやポリアニリンなどは、導電
性を有する高分子として、電子部品の電極などに利用さ
れている。特願平10-137299号では感光性樹脂を高価数
の遷移金属塩からなる酸化剤と混合してパターニング
し、現像と同時、あるいは現像後に導電性高分子の形成
をおこなうことにより、柔軟で導電性を有するコンタク
トプローブを製造する方法が示されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特願平
10-137299号に示されたような、感光性樹脂を用いたパ
ターニング方法では、感光性樹脂中に含まれた酸化剤の
ため、感光性樹脂の重合が困難になり、重合度が低下す
るため、微細パターニングが困難になる上、プローブ強
度が低下する。ウエットエッチングによる方法では等方
性エッチングのため、微細パターンでは十分な高さのコ
ンタクトプローブを形成することができない。ドライエ
ッチングによる方法は薄膜への適用が主であるため、十
分な高さのプローブを形成する方法としては不適当であ
る。

【０００６】本発明の目的の一つは、プローブ強度が高
く、微細化が容易なコンタクトプローブの製造方法を提
供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明によるプリント基
板の配線パターン検査用コンタクトプローブの製造方法
は、プリント基板上に樹脂層を形成し、リソグラフィ技
術により前記プリント基板の電極パッド上にレジストを
残すようにパターニングして、ウエットエッチングによ
り必要部分以外を途中まで除去し、さらにドライエッチ
ングすることによりパターニングを行い、ついで導電性
高分子のモノマーを樹脂中で重合してパターンに導電層
を形成するコンタクトプローブの製造方法である。

【０００８】この様に、ドライエッチング前にウエット
エッチングによりあらかじめ一部を除去することによ
り、ドライエッチングによるパターン形成が容易にな
る。従って、微細パターンのプローブ形成が容易にな
る。

【０００９】本発明において、前記樹脂とはパターンを
形成するためのものであって、導電性高分子以外のポリ
マーをいう。本発明において樹脂として、特定の溶媒、
例えば有機溶剤、もしくは酸、もしくはアルカリに溶解
可能な樹脂が望ましい。中でも、ウレタン結合を有する
樹脂や、水酸基を有する樹脂、カルボキシル基を有する
樹脂等が適する。より好ましくは溶媒可溶な熱可塑性ポ
リウレタン、ブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム
等が挙げられる。

【００１０】また、前記導電性高分子とは、高い導電性
を有する高分子化合物であり、ドーパントを含むポリア
セチレンやポリパラフェニレン等のπ電子共役系高分子
が挙げられるが、樹脂との複合体の形成し易さや導電性
状態の安定性の観点から、ポリピロール、ポリエチレン
ジオキシチオフェン、およびポリアニリンから選ばれた
少なくとも１種を含んだものが好ましい。導電性高分子
モノマーの例は、ピロール、エチレンジオキシチオフェ
ン、アニリン等である。これらの導電性高分子モノマー
をアルコール系溶剤等に溶解したものを導電性高分子モ
ノマー液として用いることができる。

【００１１】また、前記導電性高分子モノマーを重合す
るために用いる酸化剤としては、高価数の遷移金属の塩
が好ましい。高価数の遷移金属の塩とは、Ｆｅ³⁺、Ｃｕ
²⁺、Ｃｒ⁶⁺、Ｍｎ⁷⁺やＳｎ⁴⁺等の多価金属をカチオンと
する塩であり、樹脂と高価数の遷移金属塩からなる酸化
剤とを含む混合物層を形成する方法としては、ディップ
コーター、スピンコーター、バーコーター、ロールコー
ター等の通常の塗膜形成方法を用いることができる。高
価数の遷移金属の塩からなる酸化剤の例は、ブチルナフ
タレンスルホン酸第二鉄、ｐ−トルエンスルホン酸第二
鉄、ドデシルベンゼンスルホン酸第二鉄、塩化第二鉄、
硝酸第二鉄等の鉄塩、ブチルナフタレンスルホン酸第二
銅、塩化第二銅、硝酸第二銅等の銅塩である。

【００１２】また、前記導電性高分子モノマーを重合す
る手段として、電解重合により重合することが可能であ
る。

【００１３】また、前記電極パッドとは検査用コンタク
トプローブの引き出し電極として用いるもので、その形
状、材質は特に限定されず、検査対象であるプリント基
板に応じた形状で、銅、金、チタン、インジウム等や各
種合金が用いられる。

【００１４】また、前記プリント基板とは電極パッドを
支持するもので、ガラス−エポキシ複合基板やポリイミ
ド基板等やセラミック基板やフレキシブル基板等のプリ
ント基板として従来公知のものであり、必要に応じて外
部端子から電極パッドまでの配線を設けて使用される。

【００１５】また、導電性高分子を形成した後、ドーピ
ングを行って導電率を増大させたり、耐熱性等の新たな
機能を付与することができる。このようなドーピング方
法としては導電性高分子を含む成形体をヨウ素等のガス
に接触させたり、各種のスルホン酸やカルボン酸、リン
酸等の溶液に浸漬したり、塩化第二鉄等の酸化剤溶液に
浸漬する方法等が挙げられる。この際、ドーピングの温
度、時間等は特に限定されず、使用する材料によって適
宜選択される。

【００１６】また、前記レジストとはウエットエッチン
グ、及びドライエッチング時に必要部分の樹脂を保護す
るために用いられる材料である。より具体的にはフォト
レジスト、感光性樹脂、金属があげられる。

【００１７】また、前記感光性樹脂としては、感光性ア
クリル樹脂、感光性エポキシ樹脂が望ましい。より好ま
しくは、トリメチロールプロパントリアクリレート等の
多官能アクリレート及びそれらのメタクリレートを含む
感光性樹脂である。

【００１８】また、前記金属としては、銅、金、銀、白
金、ニッケル、錫、クロム、アルミニウム、鉄もしくは
それらを含む合金があげられるが、これらに限定される
物ではない。好ましくは、腐食の危険の小さい、金、も
しくは白金を用いるか、金、もしくは白金を金属表面に
メッキする。

【００１９】また、前記導電性高分子モノマーを酸化剤
と反応させる手段として、前記導電性高分子モノマーを
気化させて前記樹脂層に照射することを用いる。

【００２０】また、前記導電性高分子モノマーを酸化剤
と反応させる手段として、前記導電性高分子モノマーを
含むアルコール溶液に前記樹脂層を浸すことを用いる。
ただし、溶媒としてアルコールのみに限定される物では
ない。

【００２１】また、前記ウエットエッチング方法とし
て、テトラヒドロフラン、もしくはジメチルホルムアミ
ド、もしくはメチルエチルケトン、もしくはアセトン、
もしくはシクロヘキサン、もしくはベンゾニトリル、も
しくは酸、もしくはアルカリ等を使用したウェットエッ
チングを用いるが、これらに限定される物ではなく、材
料により適宜選択される。

【００２２】また、前記ドライエッチング方法として
は、酸素ガスを使用した反応性イオンエッチングを用い
ることが好ましい。

【００２３】このように、樹脂層上にレジストを塗布
し、光化学反応によってパターンニングする、いわゆる
リソグラフィー技術により電極パッド上のレジストを残
して、ウェットエッチング後に反応性イオンエッチング
によってパッド以外の部分を除去している。このため、
微小なコンタクトプローブを容易に形成できるという効
果が得られる。

【００２４】

【発明の実施の形態】本発明の第1の実施の形態を、図
面を参照して詳細に説明する。

【００２５】図１を参照すると、本発明の製造方法で製
造しようとするプリント基板の配線パターン検査用コン
タクトプローブの構成図が示されている。プリント基板
1上に配線2及びそれにつながる電極パッド3が備えら
れ、その電極パッド上にコンタクトプローブ4が備えて
ある。これを被検査プリント基板の検査パッドにコンタ
クトプローブ4が電気的に接続されるように押しつけて
配線パターンの検査を行う。

【００２６】図２を参照すると、本発明の第1の実施の
形態は、ガラスエポキシ基板1上に樹脂5を塗布する（図
２(a)）。さらに、樹脂5上にレジスト6を塗布し、電極
パッド3上にのみ、紫外線8が照射されるよう、フォトマ
スク7を用いて露光する（図２(b)）。この結果、樹脂5
上に電極パッド3の真上に位置するようにレジスト6がパ
ターニングされる（図２(c)）。次に、ウエットエッチ
ングによって、レジスト6によるマスキングがなされて
いない部分の樹脂5を途中まで取り除く（図２(d)）。さ
らに反応性イオンエッチングによってウエットエッチン
グにより除去できなかった部分を取り除く（図２
(e)）。レジスト6を剥離して、導電性高分子モノマー9
を樹脂5に与える（図２(f)）。この結果、樹脂5に混合
されている酸化剤と導電性高分子モノマーが反応して、
図３のように電極パッド3上に導電性高分子形成体から
成るコンタクトプローブ10を形成する。

【００２７】次に、本発明の第2の実施の形態について
図面を参照して説明する。図４を参照すると、第1の実
施例と同様に樹脂5をプリント基板1上に塗布し、表面を
金属10でメッキする（図４(a)）。次に、金属10表面に
電極パッド3上をマスクするよう、レジスト11をパター
ニングする（図４(b)）。さらに金属10をウエットエッ
チングすることにより、電極パッド3上に金属10がパタ
ーニングされる（図４(c)）。さらに、ウエットエッチ
ングによって、レジスト6によるマスキングがなされて
いない部分の樹脂5を途中まで取り除く（図４(d)）。さ
らに反応性イオンエッチングによってウエットエッチン
グにより除去できなかった部分を取り除く（図４
(e)）。レジスト6を剥離して、導電性高分子モノマー9
を樹脂5に与える（図４(f)）。この結果、樹脂5に混合
されている酸化剤と導電性高分子モノマーが反応して、
図５のように電極パッド3上に上面が金属10で覆われた
導電性高分子形成体から成るコンタクトプローブ10を形
成する。

【００２８】

【実施例】本発明の好適な実施の形態の実施例につい
て、以下に説明する。なお、本発明は、これらの実施例
に限定されるものではない。

【００２９】（実施例１）パラトルエンスルホン酸第二
鉄を溶解したジメチルホルムアミド溶液（濃度60重量
%）をポリウレタン系熱可塑性樹脂5（日本ポリウレタン
工業株式会社製ミラクトン26S)を溶解したジメチルホル
ムアミド溶液（濃度15重量%）に10重量%混合し、ガラス
エポキシ基板1上にバーコーターを用いて塗布し、80℃
で30分減圧乾燥し、100μmの厚さを得た（図２(a)）。

【００３０】次に、フォトレジスト6（東京応化工業株
式会社製OFPR-800）を塗布して、80℃で30分ベークした
後、直径50μmの開口部を100μmピッチで有するフォト
マスク7を用い、紫外線8で露光し、耐食性画像を形成し
（図２(b)）、現像してレジストをパターニングした
（図２(c)）。

【００３１】これをジメチルホルムアミド中に含浸し、
ウエットエッチングを行い、深さ50μmまでエッチング
を行った（図２(d)）。これをさらに、Ｏ₂:２０SCCM、
ＣF₄:４０SCCMの混合ガスを利用した反応性イオンエッ
チングによってレジスト6でマスクされていない部分の
熱可塑性樹脂5を除去した（図２(e)）。

【００３２】レジスト6をはく離し、20重量%のピロー
ル、もしくはエチレンジオキシチオフェン、もしくはア
ニリンを含むメチルアルコール、もしくはエチルアルコ
ール、もしくはイソプロピルアルコール溶液9に10分間
含浸した（図２(f)）。

【００３３】この結果、熱可塑性樹脂5中のパラトルエ
ンスルホン酸第二鉄とピロールが反応し、熱可塑性樹脂
中でピロールが重合し、導電性のコンタクトプローブ4
を形成した(図３)。

【００３４】この成型体は電極パッド3付近の直径50μ
m、最小部分の径が20μm、高さ100μmの円柱であり、そ
の高さの50%までの弾性変形が可能であり、電気抵抗は1
0Ωであるため、プリント基板のオープン、ショート検
査、動作試験も可能であった。

【００３５】（実施例２）ブチルナフタレンスルホン酸
第二銅を溶解したトルエン溶液（濃度60重量%）をスチ
レンブタジエンゴム5を溶解したトルエン溶液（濃度10
重量%）に6重量%混合し、ガラスエポキシ基板1上に塗布
し80℃で60分減圧乾燥し、表面に銅メッキ10を施した
（図４(a)）。

【００３６】銅10表面にレジスト11をパターニングし
（図４(b)）、塩化銅によりエッチングを行い、パッド
の直上に銅によるパターンを形成し（図４(c)）、銅表
面に電解メッキにより金をメッキし、スチレンブタジエ
ンゴム加工のためのマスクとした。これをシクロヘキサ
ン中に含浸し、深さ40μmまでウエットエッチングを行
った（図４(d)）。

【００３７】さらにこれをＯ₂:４０SCCMの反応性イオン
エッチングにより、マスクされていない部分のゴム5を
除去した（図４(e)）。

【００３８】これを20重量%のピロールを含むメチルア
ルコール溶液9に10分間含浸した（図４(f)）。

【００３９】この結果、熱可塑性樹脂中のブチルナフタ
レンスルホン酸第二銅とピロールが反応し、熱可塑性樹
脂中でピロールが重合し、導電性のコンタクトプローブ
を形成した（図５）。この成型体は直径50μm、最小部
分の径が25μm、高さ100μmの円柱であり、その高さの4
0%までの弾性変形が可能であり、電気抵抗は100Ωであ
るため、プリント基板のオープン、ショート検査が可能
であった。

【００４０】（実施例３）ドデシルベンゼンスルホン酸
第二鉄を溶解したジメチルホルムアミド溶液（濃度60重
量%）をポリウレタン系熱可塑性樹脂5（日本ポリウレタ
ン工業株式会社製ミラクトン22S)を溶解したジメチルホ
ルムアミド溶液（濃度15重量%）に10重量%混合し、セラ
ミック基板1上にスピンコーターを用いて塗布し、80℃
で30分減圧乾燥することを繰り返した（図２(a)）。

【００４１】次に、トリメチロールプロパントリアクリ
レートを60重量%、2-ヒドロキシプロピルアクリレート
を40重量%の割合で混合し、α-ヒドロキシシクロヘキシ
ルフェニルケトンを5重量%添加した感光性樹脂6を塗布
して、直径80μmの開口部を150μmピッチで有するフォ
トマスク7を用い、窒素ガス雰囲気下で紫外線8を用いて
露光し、耐食性画像を形成し（図２(b)）、メチルアル
コールにより現像した（図２(c)）。

【００４２】これをジメチルホルムアミドもしくはテト
ラヒドロフラン中に含浸し、ウエットエッチングを行
い、深さ50μmまでエッチングを行った（図２(d)）。

【００４３】これをさらに、Ｏ₂:２０SCCMの反応性イオ
ンエッチングを行い、感光性樹脂6でマスクされていな
い部分の熱可塑性樹脂5を除去し（図２(e)）、感光性樹
脂6を除去するため、さらに反応性イオンエッチングを
行った。

【００４４】これに80℃に加熱したエチレンジオキシチ
オフェン9を照射した（図２(f)）。この結果、熱可塑性
樹脂中のドデシルベンゼンスルホン酸第二鉄とエチレン
ジオキシチオフェンが反応し、熱可塑性樹脂中でエチレ
ンジオキシチオフェンが重合し、導電性のコンタクトプ
ローブ4を形成した（図３）。この成型体は電極パッド
付近の直径80μm、最小部分の径が40μm、高さ120μmの
円柱であり、その高さの50%までの弾性変形が可能であ
り、電気抵抗は80Ωであるため、プリント基板のオープ
ン、ショート検査が可能であった。

【００４５】（実施例４）熱可塑性ポリウレタン樹脂5
（大日本インキ化学製パンデックスＴ-5205）を120℃に
熱し、バーコーターを用いてセラミック基板1上に塗布
した（図６(a)）。

【００４６】次に、ジペンタエリスリトールヘキサアク
リレートを80重量%、N-ビニルピロリドンを20重量%の割
合で混合し、α-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケ
トンを8重量%添加した感光性樹脂を塗布して、直径60μ
mの開口部を120μmピッチで有するフォトマスクを用
い、窒素ガス雰囲気下で紫外線を用いて露光し、耐食画
像を形成し（図６(b)）、イソプロピルアルコールで現
像した（図６(c)）。これをメチルエチルケトンを用い
てウエットエッチングを行い、深さ40μmまでエッチン
グを行った（図６(d)）。

【００４７】これをさらに、０₂:１５SCCM、ＣＦ₄:２５
SCCMの混合ガスを用いた反応性イオンエッチングを行
い、感光性樹脂でマスクされていない部分の熱可塑性樹
脂を除去し、さらに反応性イオンエッチングを行うこと
により感光性樹脂を除去した（図６(e)）。

【００４８】これを0.25mol/lのベンゼンスルホン酸テ
トラエチルアンモニウムと0.1mol/lのピロールを含有す
るアセトニトリル溶液からなる電解重合液13に含浸し、
電極パッド3を陽極とし、ニッケル板12を対極として10V
の電圧を印加した。5分後電圧を3.6Vに下げ180分間反応
を続けた（図６(f)）。

【００４９】この結果、樹脂中でピロールが重合し、導
電性のコンタクトプローブを形成した（図３）。この成
型体は電極パッド付近の直径60μm、最小部分の径が30
μm、高さ80μmの円柱であり、その高さの40%までの弾
性変形が可能であり、電気抵抗は200Ωであるため、プ
リント基板のオープン、ショート検査が可能であった。

【００５０】なお、本発明は上記各実施例に限定され
ず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施例は適
宜変更され得ることは明らかである。

【００５１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウエットエッチングとドライエッチングを併用すること
により、低抵抗かつ、高強度を有する微細なコンタクト
プローブの製造が容易になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態のコンタクトプロー
ブの構造を示す斜視図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態のコンタクトプロー
ブの製造方法を示す断面図である。

【図３】本発明の第１の実施の形態のコンタクトプロー
ブの構造を示す断面図である。

【図４】本発明の第２の実施の形態のコンタクトプロー
ブの製造方法を示す断面図である。

【図５】本発明の第２の実施の形態のコンタクトプロー
ブの構造を示す断面図である。

【図６】本発明の第３の実施の形態のコンタクトプロー
ブの製造方法を示す断面図である。

【符号の説明】

１プリント基板２配線３電極パッド４コンタクトプローブ５酸化剤を混合した樹脂６フォトレジスト７フォトマスク８紫外線９導電性高分子モノマー１０金属１１金属エッチング用レジスト１２電極板１３導電性高分子モノマーを含む電解液

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者久住肇東京都港区芝五丁目７番１号日本電気株式会社内Ｆターム(参考） 2G011 AA16 AA21 AB06 AB08 AC14 AE01 5E317 AA04 BB02 BB12 BB13 CC32 CC33 CD11 CD15 CD18 CD21 CD25 CD29 GG11 GG14

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】プリント基板上に塗布された樹脂上にレ
ジストによる耐食画像を形成し、前記樹脂をウエットエ
ッチングにより必要部分以外を途中まで除去した後、さ
らにドライエッチングすることによりパターニングを行
い、導電性高分子を形成するモノマーを樹脂中で重合す
ることにより、パターンに導電層を形成することを特徴
とするプリント基板検査用コンタクトプローブの製造方
法。
【請求項２】プリント基板上に塗布された樹脂上に金
属をメッキし、前記金属をパターニングし、前記金属を
マスクとして前記樹脂をウエットエッチング後、さらに
ドライエッチングしパターニングを行い、導電性高分子
を形成するモノマーを樹脂中で重合することにより、パ
ターンに導電層を形成することを特徴とするプリント基
板検査用コンタクトプローブの製造方法。
【請求項３】前記樹脂がポリウレタン、もしくはブタ
ジエンゴム、もしくはスチレンブタジエンゴムであるこ
とを特徴とする請求項１または２記載のプリント基板検
査用コンタクトプローブの製造方法。
【請求項４】前記樹脂に酸化剤が混合されていること
を特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のプリ
ント基板検査用コンタクトプローブの製造方法。
【請求項５】前記酸化剤が高価数の遷移金属の塩であ
ることを特徴とする請求１〜４のいずれか１項に記載の
プリント基板検査用コンタクトプローブの製造方法。
【請求項６】前記高価数の遷移金属の塩が、Ｆｅ³⁺、
Ｃｕ²⁺、Ｃｒ⁶⁺、Ｍｎ⁷⁺及びＳｎ⁴⁺のいずれかである多
価金属をカチオンとする塩であることを特徴とする請求
項１〜５のいずれか１項に記載のプリント基板検査用コ
ンタクトプローブの製造方法。
【請求項７】前記多価金属をカチオンとする塩が、パ
ラトルエンスルホン酸第二鉄、もしくはドデシルベンゼ
ンスルホン酸第二鉄、もしくはブチルナフタレンスルホ
ン酸第二銅であることを特徴とする請求項１〜６のいず
れか１項に記載のプリント基板検査用コンタクトプロー
ブの製造方法。
【請求項８】前記導電性高分子が電解重合により形成
されることを特徴とする請求項１または２記載のプリン
ト基板検査用コンタクトプローブの製造方法。
【請求項９】前記電解重合の電解液が、ピロール、エ
チレンジオキシチオフェン及びアニリンのうち少なくと
も１つ含むことを特徴とする請求項１、２、及び８記載
のプリント基板検査用コンタクトプローブの製造方法。
【請求項１０】前記レジストが感光性アクリル樹脂も
しくは感光性エポキシ樹脂であることを特徴とする請求
項１及び３〜９のいずれか１項に記載のプリント基板検
査用コンタクトプローブの製造方法。
【請求項１１】前記感光性アクリル樹脂が多官能アク
リル樹脂を含むことを特徴とする請求項１及び３〜１０
のいずれか１項に記載のプリント基板検査用コンタクト
プローブの製造方法。
【請求項１２】前記ウエットエッチング方法が、テト
ラヒドロフラン、もしくはジメチルホルムアミド、もし
くはシクロヘキサン、もしくはベンゾニトリル、もしく
は酸、もしくはアルカリを使用したウェットエッチング
であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項
に記載のプリント基板検査用コンタクトプローブの製造
方法。
【請求項１３】前記ドライエッチング方法が、酸素ガ
スを使用した反応性イオンエッチングであることを特徴
とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載のプリント
基板検査用コンタクトプローブの製造方法。
【請求項１４】前記導電性高分子を形成するモノマー
がピロール、エチレンジオキシチオフェン、またはアニ
リンであることを特徴とする請求項１〜７及び１０〜１
３のいずれか１項に記載のプリント基板検査用コンタク
トプローブの製造方法。
【請求項１５】前記金属が銅、金、銀、白金、ニッケ
ル、錫、クロム、アルミニウム、鉄もしくはそれらを含
むことを特徴とする請求項２〜１４のいずれか１項に記
載のプリント基板検査用コンタクトプローブの製造方
法。
【請求項１６】前記金属が、金、もしくは白金でメッ
キされていることを特徴とする請求項２〜１５のいずれ
か１項に記載のプリント基板検査用コンタクトプローブ
の製造方法。