JP2000252104A - 半導体セラミックおよび半導体セラミック素子 - Google Patents
半導体セラミックおよび半導体セラミック素子Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 優れた抵抗温度特性を有するランタンコバル
ト酸化物を用い、かつ抵抗率のばらつきが小さい安定性
に優れた半導体セラミック、および半導体セラミック素
子を提供する。 【解決手段】 ＬａxＣｏＯ3（ただし、０．６００≦ｘ
≦０．９９９）で表されるランタンコバルト酸化物を主
成分とする半導体セラミックであって、主成分中に存在
する酸化コバルトの平均結晶粒径が２０μｍ以下である
ことを特徴とする。
ト酸化物を用い、かつ抵抗率のばらつきが小さい安定性
に優れた半導体セラミック、および半導体セラミック素
子を提供する。 【解決手段】 ＬａxＣｏＯ3（ただし、０．６００≦ｘ
≦０．９９９）で表されるランタンコバルト酸化物を主
成分とする半導体セラミックであって、主成分中に存在
する酸化コバルトの平均結晶粒径が２０μｍ以下である
ことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体セラミック、
特に負の抵抗温度係数を有する半導体セラミック、およ
びそれを用いた半導体セラミック素子に関する。
特に負の抵抗温度係数を有する半導体セラミック、およ
びそれを用いた半導体セラミック素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、常温での抵抗値が高く、温度
の上昇とともに抵抗値が減少する負の抵抗温度特性（以
下、ＮＴＣ特性とする）を有する半導体セラミック素子
（以下、ＮＴＣ素子とする）がある。このＮＴＣ素子
は、その特性を生かして突入電流抑制、モータ起動遅
延、ハロゲンランプ保護など様々な用途に用いられてい
る。
の上昇とともに抵抗値が減少する負の抵抗温度特性（以
下、ＮＴＣ特性とする）を有する半導体セラミック素子
（以下、ＮＴＣ素子とする）がある。このＮＴＣ素子
は、その特性を生かして突入電流抑制、モータ起動遅
延、ハロゲンランプ保護など様々な用途に用いられてい
る。
【０００３】例えば、突入電流抑制用のＮＴＣ素子とし
ては、スイッチング電源で、スイッチを入れた瞬間に過
電流が流れ、その過電流がＩＣ、ダイオードなどの半導
体素子やハロゲンランプを破壊もしくは低寿命化させる
のを防ぐため、初期の突入電流を吸収して回路への過電
流を抑制し、その後、自己発熱により高温化して低抵抗
となり、定常状態では電力消費量を低減する。
ては、スイッチング電源で、スイッチを入れた瞬間に過
電流が流れ、その過電流がＩＣ、ダイオードなどの半導
体素子やハロゲンランプを破壊もしくは低寿命化させる
のを防ぐため、初期の突入電流を吸収して回路への過電
流を抑制し、その後、自己発熱により高温化して低抵抗
となり、定常状態では電力消費量を低減する。
【０００４】さらに、モータ起動用のＮＴＣ素子として
は、モータが起動してから潤滑油の供給が開始されるよ
うに構成された歯車装置のモータに、電流を通電して歯
車を直ちに高速回転させると、潤滑油の供給が不十分な
ため歯車が損傷したり、あるいは、砥石を回転させてセ
ラミックの表面を研磨するラップ盤において、駆動モー
タを起動した瞬間にラップ盤を高速回転させると、セラ
ミックが割れたりする。これらを防ぐため、モータ起動
時にはＮＴＣ素子によりモータ端子電圧を低くして起動
を遅らせ、その後にＮＴＣ素子が自己発熱により高温化
して低抵抗となり、定常状態ではモータは正常に回転す
ることになる。
は、モータが起動してから潤滑油の供給が開始されるよ
うに構成された歯車装置のモータに、電流を通電して歯
車を直ちに高速回転させると、潤滑油の供給が不十分な
ため歯車が損傷したり、あるいは、砥石を回転させてセ
ラミックの表面を研磨するラップ盤において、駆動モー
タを起動した瞬間にラップ盤を高速回転させると、セラ
ミックが割れたりする。これらを防ぐため、モータ起動
時にはＮＴＣ素子によりモータ端子電圧を低くして起動
を遅らせ、その後にＮＴＣ素子が自己発熱により高温化
して低抵抗となり、定常状態ではモータは正常に回転す
ることになる。
【０００５】これらのＮＴＣ素子を構成するＮＴＣ特性
を有する半導体セラミックには、Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃ
ｕ等の遷移金属元素からなるスピネル型複合酸化物が用
いられている。
を有する半導体セラミックには、Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃ
ｕ等の遷移金属元素からなるスピネル型複合酸化物が用
いられている。
【０００６】また、Ｖ．Ｇ．Ｂｈｉｄｅ、Ｄ．Ｓ．Ｒａ
ｊｏｒｉａの文献（Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ６，［３］，
１０７２、１９７２年）等には、ランタンコバルト系酸
化物が、Ｂ定数が温度依存性を持ち、高温になるほどＢ
定数が大きくなるようなＮＴＣ特性を有することが示さ
れている。さらに、ＬａxＣｏＯ3（０．６００≦ｘ≦
０．９９９）からなる主成分に、Ｓｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｓ
ｎ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ等の酸化物を添加することにより、
常温の抵抗率を２０Ω程度もしくはそれ以下としたうえ
で、Ｂ定数を３２００Ｋ以上に高められることが特開平
７−１７６４０６号公報に開示されている。
ｊｏｒｉａの文献（Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ６，［３］，
１０７２、１９７２年）等には、ランタンコバルト系酸
化物が、Ｂ定数が温度依存性を持ち、高温になるほどＢ
定数が大きくなるようなＮＴＣ特性を有することが示さ
れている。さらに、ＬａxＣｏＯ3（０．６００≦ｘ≦
０．９９９）からなる主成分に、Ｓｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｓ
ｎ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ等の酸化物を添加することにより、
常温の抵抗率を２０Ω程度もしくはそれ以下としたうえ
で、Ｂ定数を３２００Ｋ以上に高められることが特開平
７−１７６４０６号公報に開示されている。
【０００７】ところで、ＬａxＣｏＯ3で表されるランタ
ンコバルト酸化物を主成分とする半導体セラミックは、
ランタンがコバルトに対して過剰になる（ｘ＞１）と、
自然崩壊することが知られている。これは、セラミック
の粒界に析出した過剰分のランタンが吸水によってその
形態を酸化物から水酸化物に変えるときに、膨潤するこ
とが原因で生じる現象である。このため、ＬａxＣｏＯ3
を主成分とする半導体セラミックは、ＣｏがＬａに対し
て過剰となる（ｘ＜１）ように秤量、混合している。
ンコバルト酸化物を主成分とする半導体セラミックは、
ランタンがコバルトに対して過剰になる（ｘ＞１）と、
自然崩壊することが知られている。これは、セラミック
の粒界に析出した過剰分のランタンが吸水によってその
形態を酸化物から水酸化物に変えるときに、膨潤するこ
とが原因で生じる現象である。このため、ＬａxＣｏＯ3
を主成分とする半導体セラミックは、ＣｏがＬａに対し
て過剰となる（ｘ＜１）ように秤量、混合している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体セラミックにはランタンに比べコバルトが過剰に
存在しているため、ランタンコバルト酸化物ＬａＣｏＯ
3の結晶の他に、コバルト酸化物ＣｏＯあるいはＣｏ3Ｏ
4の結晶が混在している。
半導体セラミックにはランタンに比べコバルトが過剰に
存在しているため、ランタンコバルト酸化物ＬａＣｏＯ
3の結晶の他に、コバルト酸化物ＣｏＯあるいはＣｏ3Ｏ
4の結晶が混在している。
【０００９】ここで、ＬａＣｏＯ3は、常温の抵抗率が
２０Ω以下と低抵抗率であるのに対し、ＣｏＯやＣｏ3
Ｏ4は、常温の抵抗率が１ＭΩ以上と高抵抗率である。
したがって、このような低抵抗率物質と高抵抗率物質が
同時に磁器中に存在するために、遷移金属元素からなる
スピネル酸化物より抵抗率のばらつきが大きくなり、安
定性に欠けるという問題がある。
２０Ω以下と低抵抗率であるのに対し、ＣｏＯやＣｏ3
Ｏ4は、常温の抵抗率が１ＭΩ以上と高抵抗率である。
したがって、このような低抵抗率物質と高抵抗率物質が
同時に磁器中に存在するために、遷移金属元素からなる
スピネル酸化物より抵抗率のばらつきが大きくなり、安
定性に欠けるという問題がある。
【００１０】本発明の目的は、優れた抵抗温度特性を有
するランタンコバルト酸化物を用い、かつ抵抗率のばら
つきが小さい安定性に優れた半導体セラミック、および
半導体セラミック素子を提供することにある。
するランタンコバルト酸化物を用い、かつ抵抗率のばら
つきが小さい安定性に優れた半導体セラミック、および
半導体セラミック素子を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は上記のような目
的に鑑みてなされたものである。第１の発明の半導体セ
ラミックは、ＬａxＣｏＯ3（ただし、０．６００≦ｘ≦
０．９９９）で表されるランタンコバルト酸化物を主成
分とする半導体セラミックであって、前記主成分中に存
在する酸化コバルトの平均結晶粒径が２０μｍ以下であ
ることを特徴とする。
的に鑑みてなされたものである。第１の発明の半導体セ
ラミックは、ＬａxＣｏＯ3（ただし、０．６００≦ｘ≦
０．９９９）で表されるランタンコバルト酸化物を主成
分とする半導体セラミックであって、前記主成分中に存
在する酸化コバルトの平均結晶粒径が２０μｍ以下であ
ることを特徴とする。
【００１２】このような組成にすることによって、ラン
タンコバルト酸化物を主成分とし、かつ抵抗率のばらつ
きの小さい半導体セラミックとすることができる。
タンコバルト酸化物を主成分とし、かつ抵抗率のばらつ
きの小さい半導体セラミックとすることができる。
【００１３】また、第２の発明の半導体セラミック素子
は、第１の発明に記載の半導体セラミックの両主面に電
極を形成したことを特徴とする。
は、第１の発明に記載の半導体セラミックの両主面に電
極を形成したことを特徴とする。
【００１４】このような構成にすることにより、昇温状
態において、Ｂ定数が４０００Ｋ以上を維持でき、半導
体セラミックの抵抗値が低減するので、電力消費量を低
減することができる。また、低温状態において、Ｂ定数
がより小さくなり、半導体セラミックの抵抗値が適度に
上昇し、機器に過電流が流れることを防止するのに十分
な抵抗値を有するとともに、機器の起動が必要以上に遅
延することを防止した半導体セラミック素子とすること
ができる。
態において、Ｂ定数が４０００Ｋ以上を維持でき、半導
体セラミックの抵抗値が低減するので、電力消費量を低
減することができる。また、低温状態において、Ｂ定数
がより小さくなり、半導体セラミックの抵抗値が適度に
上昇し、機器に過電流が流れることを防止するのに十分
な抵抗値を有するとともに、機器の起動が必要以上に遅
延することを防止した半導体セラミック素子とすること
ができる。
【００１５】また、第３の発明の半導体セラミック素子
は、突入電流抑制用、モータ起動遅延用、ハロゲンラン
プ保護用、または温度補償型水晶発振器用のいずれかに
用いられることを特徴とする。
は、突入電流抑制用、モータ起動遅延用、ハロゲンラン
プ保護用、または温度補償型水晶発振器用のいずれかに
用いられることを特徴とする。
【００１６】このような用途に用いることによって、よ
り効果的に本発明の半導体セラミック素子の特性を生か
すことができる。
り効果的に本発明の半導体セラミック素子の特性を生か
すことができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の半導体セラミックは、ラ
ンタンコバルト酸化物を主成分とし、その中に含まれて
いる酸化ランタンの平均結晶粒径を２０μｍ以下として
いる。また、副成分として、Ｓｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，
Ｓｎ，Ｓｂ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔｅ，Ｃｅ，Ｎｉ，Ｃａのうち
少なくとも１種の酸化物が添加されている。
ンタンコバルト酸化物を主成分とし、その中に含まれて
いる酸化ランタンの平均結晶粒径を２０μｍ以下として
いる。また、副成分として、Ｓｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，
Ｓｎ，Ｓｂ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔｅ，Ｃｅ，Ｎｉ，Ｃａのうち
少なくとも１種の酸化物が添加されている。
【００１８】上記ランタンコバルト酸化物は、酸化ラン
タンの膨潤による磁器の崩壊を防ぐために、コバルトが
ランタンに対して過剰となっており、一般式で表すと、
ＬａxＣｏＯ3となる。このとき、ランタン量ｘの範囲
は、０．６００≦ｘ≦０．９９９である。これは、ラン
タン量ｘが０．６００より小さいの場合は、半導体セラ
ミックの抵抗率が増大し、Ｂ定数が小さくなってしまい
好ましくないからである。一方、ランタン量ｘが０．９
９９より大きい場合は、半導体セラミック中の未反応の
酸化ランタン（Ｌａ2Ｏ3）が大気中の水分などと反応し
て膨張して半導体セラミックが崩壊してしまい好ましく
ないからである。また、上記ランタンの一部をＰｒ，Ｎ
ｄ，Ｓｍ等の他の希土類元素や、Ｂｉ，Ｓｒ等の元素で
置換してもよい。
タンの膨潤による磁器の崩壊を防ぐために、コバルトが
ランタンに対して過剰となっており、一般式で表すと、
ＬａxＣｏＯ3となる。このとき、ランタン量ｘの範囲
は、０．６００≦ｘ≦０．９９９である。これは、ラン
タン量ｘが０．６００より小さいの場合は、半導体セラ
ミックの抵抗率が増大し、Ｂ定数が小さくなってしまい
好ましくないからである。一方、ランタン量ｘが０．９
９９より大きい場合は、半導体セラミック中の未反応の
酸化ランタン（Ｌａ2Ｏ3）が大気中の水分などと反応し
て膨張して半導体セラミックが崩壊してしまい好ましく
ないからである。また、上記ランタンの一部をＰｒ，Ｎ
ｄ，Ｓｍ等の他の希土類元素や、Ｂｉ，Ｓｒ等の元素で
置換してもよい。
【００１９】また、上記酸化コバルトはＣｏＯやＣｏ3
Ｏ4として磁器中に存在しており、抵抗率のばらつきを
低減するために、その平均結晶粒径を２０μｍ以下にし
ているが、好ましくは抵抗率のばらつきが顕著に小さく
なる１０μｍ以下である。
Ｏ4として磁器中に存在しており、抵抗率のばらつきを
低減するために、その平均結晶粒径を２０μｍ以下にし
ているが、好ましくは抵抗率のばらつきが顕著に小さく
なる１０μｍ以下である。
【００２０】また、副成分は１種の元素の酸化物から構
成されていてもよいし、複数種の元素の酸化物を含んで
いてもよい。
成されていてもよいし、複数種の元素の酸化物を含んで
いてもよい。
【００２１】また、本発明の半導体セラミック素子は、
上記半導体セラミックの両主面に電極を形成したもので
あるが、特にその形状などは限定しない。また、上記半
導体セラミック素子は突入電流抑制用、モータ起動遅延
用、ハロゲンランプ保護用、またはＴＣＸＯ用に特に有
用であるが、これらの用途に限定するものではなく、こ
の他にも他の温度補償回路や温度検知回路にも用いるこ
とができる。次に、本発明を実施例に基づきさらに具体
的に説明する。
上記半導体セラミックの両主面に電極を形成したもので
あるが、特にその形状などは限定しない。また、上記半
導体セラミック素子は突入電流抑制用、モータ起動遅延
用、ハロゲンランプ保護用、またはＴＣＸＯ用に特に有
用であるが、これらの用途に限定するものではなく、こ
の他にも他の温度補償回路や温度検知回路にも用いるこ
とができる。次に、本発明を実施例に基づきさらに具体
的に説明する。
【００２２】
【実施例】（実施例１）まず、出発原料としてＣｏ
3Ｏ4，Ｌａ2Ｏ3，Ｃｒ2Ｏ3を用意した。これらのモル比
率がＣｏ3Ｏ4：Ｌａ2Ｏ3：Ｃｒ2Ｏ3＝１．００：０．９
５：０．０１となるように秤量し、これに純水を加えて
コバルト金属ボールとともに湿式混合した後、乾燥させ
て混合粉末とした。このとき、湿式混合の時間を表１の
ように変えて、酸化コバルトの平均結晶粒径の粒径を変
化させた。得られた混合粉末を１０００℃で２時間仮焼
し、仮焼粉末を得た。次に、得られた仮焼粉末にバイン
ダーを加えてナイロンボールとともに混合し、得られた
バインダー混合粉末を円板状に加圧成形した後、１３０
０℃で２時間大気中で焼成して半導体セラミックとし
た。
3Ｏ4，Ｌａ2Ｏ3，Ｃｒ2Ｏ3を用意した。これらのモル比
率がＣｏ3Ｏ4：Ｌａ2Ｏ3：Ｃｒ2Ｏ3＝１．００：０．９
５：０．０１となるように秤量し、これに純水を加えて
コバルト金属ボールとともに湿式混合した後、乾燥させ
て混合粉末とした。このとき、湿式混合の時間を表１の
ように変えて、酸化コバルトの平均結晶粒径の粒径を変
化させた。得られた混合粉末を１０００℃で２時間仮焼
し、仮焼粉末を得た。次に、得られた仮焼粉末にバイン
ダーを加えてナイロンボールとともに混合し、得られた
バインダー混合粉末を円板状に加圧成形した後、１３０
０℃で２時間大気中で焼成して半導体セラミックとし
た。
【００２３】次に、得られた半導体セラミックの両主面
に銀ペーストを塗布し、９００℃で１０時間大気中で焼
き付けて電極を形成し、半導体セラミック素子とした。
に銀ペーストを塗布し、９００℃で１０時間大気中で焼
き付けて電極を形成し、半導体セラミック素子とした。
【００２４】上記のようにして得られた半導体セラミッ
ク素子の常温（２５℃）での抵抗率（ρ）、Ｂ定数と、
それらのばらつきを示す３ＣＶ、および半導体セラミッ
ク中に存在する酸化コバルト（ＣｏＯまたはＣｏ3Ｏ4）
の平均結晶粒径の測定を行った。その結果を表１に示
す。なお、※印は本発明の範囲外を示す。
ク素子の常温（２５℃）での抵抗率（ρ）、Ｂ定数と、
それらのばらつきを示す３ＣＶ、および半導体セラミッ
ク中に存在する酸化コバルト（ＣｏＯまたはＣｏ3Ｏ4）
の平均結晶粒径の測定を行った。その結果を表１に示
す。なお、※印は本発明の範囲外を示す。
【００２５】ここで、抵抗率ρおよびＢ定数のばらつき
を示す３ＣＶは、同じ条件で作製した半導体セラミック
１００個の抵抗率の標準偏差の３倍をその平均値で除し
て求めた。
を示す３ＣＶは、同じ条件で作製した半導体セラミック
１００個の抵抗率の標準偏差の３倍をその平均値で除し
て求めた。
【００２６】また、Ｂ定数は温度変化による抵抗変化を
示す定数であり、温度ＴおよびＴ0における抵抗率をそ
れぞれρ(Ｔ)，ρ(Ｔ0)、自然対数をｌｎとすると次式
のように定義される。 Ｂ定数＝［ｌｎρ(Ｔ0)−ｌｎρ(Ｔ)］／（１／Ｔ0−１
／Ｔ） この式をもとに、Ｂ(-10℃)およびＢ(140℃)を以下のよ
うにして求めた。 B(-10℃)＝[lnρ(-10℃)−lnρ(25℃)]／[1／(-10+273.
15)−1／(25+273.15)] B(140℃)＝[lnρ(140℃)−lnρ(25℃)]／[1／(140+273.
15)−1／(25+273.15)] また、半導体セラミック中の酸化コバルトの平均結晶粒
径はインターセプト法により測定した。
示す定数であり、温度ＴおよびＴ0における抵抗率をそ
れぞれρ(Ｔ)，ρ(Ｔ0)、自然対数をｌｎとすると次式
のように定義される。 Ｂ定数＝［ｌｎρ(Ｔ0)−ｌｎρ(Ｔ)］／（１／Ｔ0−１
／Ｔ） この式をもとに、Ｂ(-10℃)およびＢ(140℃)を以下のよ
うにして求めた。 B(-10℃)＝[lnρ(-10℃)−lnρ(25℃)]／[1／(-10+273.
15)−1／(25+273.15)] B(140℃)＝[lnρ(140℃)−lnρ(25℃)]／[1／(140+273.
15)−1／(25+273.15)] また、半導体セラミック中の酸化コバルトの平均結晶粒
径はインターセプト法により測定した。
【００２７】
【表１】
【００２８】表１に示すように、半導体セラミック内の
酸化コバルトの平均結晶粒径が２０μｍ以下のものは、
抵抗率ρが２０Ω以下、Ｂ定数が４０００Ｋ以上であ
り、３ＣＶが抵抗率、Ｂ定数とも大幅に小さくなってい
ることがわかる。
酸化コバルトの平均結晶粒径が２０μｍ以下のものは、
抵抗率ρが２０Ω以下、Ｂ定数が４０００Ｋ以上であ
り、３ＣＶが抵抗率、Ｂ定数とも大幅に小さくなってい
ることがわかる。
【００２９】（実施例２）実施例１の試料番号４のもの
について、出発原料を２４時間湿式混合したことと、焼
成温度を表２のように変えて、酸化コバルトの平均結晶
粒径の粒径を変化させたこと以外は実施例１と同様にし
て半導体セラミック、および半導体セラミック素子を作
製した。
について、出発原料を２４時間湿式混合したことと、焼
成温度を表２のように変えて、酸化コバルトの平均結晶
粒径の粒径を変化させたこと以外は実施例１と同様にし
て半導体セラミック、および半導体セラミック素子を作
製した。
【００３０】次に、得られた半導体セラミック素子の常
温（２５℃）での抵抗率（ρ）、Ｂ定数と、それらのば
らつきを示す３ＣＶ、および半導体セラミック中に存在
する酸化コバルト（ＣｏＯまたはＣｏ3Ｏ4）の平均結晶
粒径の測定を実施例１と同様にして行った。その結果を
表２に示す。なお、※印は本発明の範囲外を示す。
温（２５℃）での抵抗率（ρ）、Ｂ定数と、それらのば
らつきを示す３ＣＶ、および半導体セラミック中に存在
する酸化コバルト（ＣｏＯまたはＣｏ3Ｏ4）の平均結晶
粒径の測定を実施例１と同様にして行った。その結果を
表２に示す。なお、※印は本発明の範囲外を示す。
【００３１】
【表２】
【００３２】表２に示すように、半導体セラミック内の
酸化コバルトの平均結晶粒径が２０μｍ以下のものは、
抵抗率ρが２０Ω以下、Ｂ定数が４０００Ｋ以上であ
り、３ＣＶが抵抗率、Ｂ定数とも大幅に小さくなってい
ることがわかる。
酸化コバルトの平均結晶粒径が２０μｍ以下のものは、
抵抗率ρが２０Ω以下、Ｂ定数が４０００Ｋ以上であ
り、３ＣＶが抵抗率、Ｂ定数とも大幅に小さくなってい
ることがわかる。
【００３３】ここで、請求項１において酸化コバルトの
平均結晶粒径を２０μｍ以下に限定したのは、試料番号
１、２、１５、１６のように、抵抗率のばらつきを示す
３ＣＶが大幅に大きくなるため半導体セラミック素子の
抵抗率安定性に問題があり好ましくないからである。
平均結晶粒径を２０μｍ以下に限定したのは、試料番号
１、２、１５、１６のように、抵抗率のばらつきを示す
３ＣＶが大幅に大きくなるため半導体セラミック素子の
抵抗率安定性に問題があり好ましくないからである。
【００３４】
【発明の効果】本発明の半導体セラミックは、ＬａxＣ
ｏＯ3（ただし、０．６００≦ｘ≦０．９９９）で表さ
れるランタンコバルト酸化物を主成分とする半導体セラ
ミックであって、この主成分中に存在する酸化コバルト
の平均結晶粒径が２０μｍ以下にしているので、ランタ
ンコバルト酸化物を主成分とし、かつ抵抗率のばらつき
の小さい半導体セラミックとすることができる。
ｏＯ3（ただし、０．６００≦ｘ≦０．９９９）で表さ
れるランタンコバルト酸化物を主成分とする半導体セラ
ミックであって、この主成分中に存在する酸化コバルト
の平均結晶粒径が２０μｍ以下にしているので、ランタ
ンコバルト酸化物を主成分とし、かつ抵抗率のばらつき
の小さい半導体セラミックとすることができる。
【００３５】また、第２の発明の半導体セラミック素子
は、第１の発明に記載の半導体セラミックの両主面に電
極を形成したことを特徴とする。
は、第１の発明に記載の半導体セラミックの両主面に電
極を形成したことを特徴とする。
【００３６】このような構成にすることにより、昇温状
態において、Ｂ定数が４０００Ｋ以上を維持でき、半導
体セラミックの抵抗値が低減するので、電力消費量を低
減することができる。また、低温状態において、Ｂ定数
がより小さくなり、半導体セラミックの抵抗値が適度に
上昇し、機器に過電流が流れることを防止するのに十分
な抵抗値を有するとともに、機器の起動が必要以上に遅
延することを防止した半導体セラミック素子とすること
ができる。
態において、Ｂ定数が４０００Ｋ以上を維持でき、半導
体セラミックの抵抗値が低減するので、電力消費量を低
減することができる。また、低温状態において、Ｂ定数
がより小さくなり、半導体セラミックの抵抗値が適度に
上昇し、機器に過電流が流れることを防止するのに十分
な抵抗値を有するとともに、機器の起動が必要以上に遅
延することを防止した半導体セラミック素子とすること
ができる。
【００３７】また、第３の発明の半導体セラミック素子
は、突入電流抑制用、モータ起動遅延用、ハロゲンラン
プ保護用、または温度補償型水晶発振器用のいずれかに
用いられることを特徴とする。
は、突入電流抑制用、モータ起動遅延用、ハロゲンラン
プ保護用、または温度補償型水晶発振器用のいずれかに
用いられることを特徴とする。
【００３８】このような用途に用いることによって、よ
り効果的に本発明の半導体セラミック素子の特性を生か
すことができる。
り効果的に本発明の半導体セラミック素子の特性を生か
すことができる。
Claims (3)
- 【請求項１】 ＬａxＣｏＯ3（ただし、０．６００≦ｘ
≦０．９９９）で表されるランタンコバルト酸化物を主
成分とする半導体セラミックであって、 前記主成分中に存在する酸化コバルトの平均結晶粒径が
２０μｍ以下であることを特徴とする半導体セラミッ
ク。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体セラミックの両
主面に電極を形成したことを特徴とする半導体セラミッ
ク素子。 - 【請求項３】 突入電流抑制用、モータ起動遅延用、ハ
ロゲンランプ保護用、または温度補償型水晶発振器用の
いずれかに用いられることを特徴とする請求項２に記載
の半導体セラミック素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11056911A JP2000252104A (ja) | 1999-03-04 | 1999-03-04 | 半導体セラミックおよび半導体セラミック素子 |
| EP00103634A EP1033356A3 (en) | 1999-03-04 | 2000-02-21 | Semiconducting ceramic, semiconducting ceramic element and method for producing the semiconducting ceramic |
| KR1020000010014A KR100358301B1 (ko) | 1999-03-04 | 2000-02-29 | 반도체 세라믹, 반도체 세라믹 소자 및 반도체 세라믹의생산 방법 |
| US09/515,831 US6136741A (en) | 1999-03-04 | 2000-02-29 | Semiconducting ceramic, semiconducting ceramic element, and method for producing the semiconducting ceramic |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11056911A JP2000252104A (ja) | 1999-03-04 | 1999-03-04 | 半導体セラミックおよび半導体セラミック素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000252104A true JP2000252104A (ja) | 2000-09-14 |
Family
ID=13040655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11056911A Pending JP2000252104A (ja) | 1999-03-04 | 1999-03-04 | 半導体セラミックおよび半導体セラミック素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6136741A (ja) |
| EP (1) | EP1033356A3 (ja) |
| JP (1) | JP2000252104A (ja) |
| KR (1) | KR100358301B1 (ja) |
Families Citing this family (3)
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|---|---|---|---|---|
| US6358875B1 (en) * | 1999-01-25 | 2002-03-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductive ceramic material, semiconductive ceramic, and semiconductive ceramic element |
| US7138901B2 (en) * | 2004-03-30 | 2006-11-21 | General Electric Company | Temperature measuring device and system and method incorporating the same |
| KR101645838B1 (ko) * | 2012-04-06 | 2016-08-04 | 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤 | 산화물 소결체 및 그것을 이용한 배선 기판 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06171954A (ja) * | 1992-12-03 | 1994-06-21 | Mitsubishi Materials Corp | コバルト酸ランタンストロンチウム粉末の製造方法 |
| SG52415A1 (en) * | 1993-02-05 | 1998-09-28 | Murata Manufacturing Co | Semiconductive ceramics having negative temperature coefficient of resistance |
| JP3687696B2 (ja) * | 1996-02-06 | 2005-08-24 | 株式会社村田製作所 | 半導体磁器組成物とそれを用いた半導体磁器素子 |
| JP3286906B2 (ja) * | 1997-10-21 | 2002-05-27 | 株式会社村田製作所 | 負の抵抗温度特性を有する半導体セラミック素子 |
-
1999
- 1999-03-04 JP JP11056911A patent/JP2000252104A/ja active Pending
-
2000
- 2000-02-21 EP EP00103634A patent/EP1033356A3/en not_active Withdrawn
- 2000-02-29 KR KR1020000010014A patent/KR100358301B1/ko active IP Right Grant
- 2000-02-29 US US09/515,831 patent/US6136741A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100358301B1 (ko) | 2002-10-25 |
| US6136741A (en) | 2000-10-24 |
| EP1033356A2 (en) | 2000-09-06 |
| EP1033356A3 (en) | 2001-04-11 |
| KR20000062673A (ko) | 2000-10-25 |
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