JP2000251980A - 低抵抗コネクタ - Google Patents
低抵抗コネクタInfo
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- JP2000251980A JP2000251980A JP11053991A JP5399199A JP2000251980A JP 2000251980 A JP2000251980 A JP 2000251980A JP 11053991 A JP11053991 A JP 11053991A JP 5399199 A JP5399199 A JP 5399199A JP 2000251980 A JP2000251980 A JP 2000251980A
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Abstract
は回路基板間の接続において安定した導通抵抗を得るこ
とが可能となり、マイグレーションによる短絡が発生せ
ず、酸化や硫化による絶縁物の形成がなく、液晶ディス
プレイ等のモジュールへの組み込み時に作業性の向上が
図られる低抵抗コネクタを提供する。 【解決手段】 銀を含む伝導性物質を使用している導電
性エラストマ層2と絶縁性エラストマ層1とをその接合
面が互いに平行となるように交互に、かつ多重に積層し
てなるエラスチックコネクタにおいて、コネクタの電極
とのコンタクト面以外の部位に保護層4を設ける。コネ
クタの電極とのコンタクト面以外の部位に設ける保護層
4が、硬度10°〜30°H、厚さ0.10〜5.00
mmである内層4bと、硬度70°〜95°H、厚さ
0.01〜0.5mmのである外層4aとからなること
ができる。
Description
(COG、TABタイプ)と回路基板との接続あるいは
電子回路基板間の接続等に用いられる低抵抗コネクタに
関する。
ラストマ層と絶縁性エラストマ層のゼブラ状となってい
る異方導電性コネクタが使われている。図1はその基本
的構成を示す模式的斜視図で、絶縁性エラストマ層1と
導電性エラストマ層2とが、右奥から左手前側に交互に
多重に積層されて、異方導電性コネクタ3となってい
る。導電性エラストマ層2は、絶縁性エラストマ中にカ
ーボン・金属等の導電性粒子や導電性繊維を含んでいる
(特願平10−44948号、特願平10−19147
5号等)。
面を有するものを使用した場合に、使用環境によって
は、使用環境下に晒されているコネクタの電極とコンタ
クトさせる面以外の部位で、銀表面にマイグレーション
現象を引き起こし易い。マイグレーション現象(以下、
単にマイグレーションという)は、銀に特に発生しやす
いといわれている。マイグレーションは、金属銀から酸
化銀を経て金属銀に至るまでの一連の電気化学的反応に
より起こる現象であって、銀酸化物の生成エネルギーが
他の元素と比較して著しく低く、若干の温度上昇でも分
解しやすく、かつ水への溶解度が適度に高いことに起因
している。電極間において与えられた電場と水分により
Agイオンは+極から−極へ向かい、OHイオンは−極
から+極に移動し、 Ag++OH−→AgOH→Ag2O+H2O の反応により酸化物を生成し、ついで、−極付近でAg
2Oが放電して樹枝状Agとして析出する。核が生成さ
れて樹枝状相が成長しはじめると、電流は樹枝の先端に
集まり、成長速度を増大させ、他の電極にまで接続して
別の電気回路を形成してしまう。こうして、隣接する電
極間に短絡を引き起こすことがあることが知られてい
る。
合物により硫化物を形成し易く、 Ag+O2→Ag2O Ag2O+H2S→Ag2S+H2O という反応が進みやすい。これらの酸化物や硫化物は絶
縁物なので、導通不良となる。また、コネクタは、モジ
ュールに組み込み後実装されるが、この時にコネクタに
は接続方向への圧縮により大きな力が負荷される。過大
な力がかかる場合、導電性エラストマ層と絶縁性エラス
トマ層との間、もしくは導電性エラストマ層内において
裂けが発生することがある。
み、本発明は、液晶ディスプレイと回路基板との接続あ
るいは回路基板間の接続において安定した導通抵抗を得
ることが可能となり、マイグレーションによる短絡が発
生せず、酸化や硫化による絶縁物の形成がなく、液晶デ
ィスプレイ等のモジュールへの組み込み時に作業性の向
上が図られる低抵抗コネクタを提供することにある。
題を解決するために、銀を含む伝導性物質を使用してい
る導電性エラストマ層と絶縁性エラストマ層とをその接
合面が互いに平行となるように交互に、かつ多重に積層
してなるエラスチックコネクタにおいて、コネクタの電
極とのコンタクト面以外の部位に保護層を設ける。コネ
クタの電極とのコンタクト面以外の部位に設ける保護層
が、硬度70°H以上95°H未満で、厚さ0.01〜
0.5mmの絶縁性エラストマ層であることが好まし
い。コネクタの電極とのコンタクト面以外の部位に設け
る保護層が、硬度15°H以上30°H以下で、厚さ
0.10〜5.00mmの絶縁性エラストマ層である内
層と、硬度70°H以上95°H未満で、厚さ0.01
〜0.5mmの絶縁性エラストマ層である外層とからな
ることが、より好ましい。少なくとも表面に露出してい
る導電性エラストマ層をメルカプト系化合物により処理
することは、特に好ましい。
ンタクト面以外の部位に保護層を設けて、導電性物質と
しての銀表面を使用環境から遮断することを基本とす
る。本発明の低抵抗コネクタは、コネクタの電極とのコ
ンタクト面以外の部位に絶縁性エラストマからなる保護
層(以下保護層という)を設けることにより、要すれば
更に、少なくとも電極とのコンタクト面をメルカプト系
化合物により処理することにより、接続部以外の銀表面
を含んでいる導電性エラストマ層部分を保護する。すな
わち、使用環境下で水分に起因するマイグレーションに
より短絡が発生することを防ぎ、絶縁性物質である硫化
物や酸化物の生成を防止することが可能となる。更に、
コネクタがモジュールに組み込み・実装される際に、コ
ネクタに接続方向への圧縮により大きな力が負荷されて
も、導電性エラストマ層と絶縁性エラストマ層との間、
もしくは導電性エラストマ層内において裂けが発生する
ことを防げる。
る。はじめに、本発明の低抵抗コネクタを図2、3に示
す。図2は本発明の実施例1で得られる低抵抗コネクタ
の模式的平面図であり、図3は本発明の実施例2で得ら
れる低抵抗コネクタの模式的平面図である。ともに、一
部を拡大した図が付随している。なお、図1〜3はいず
れも模式図であって、各層の相対的な厚み等を必ずしも
反映していない。絶縁性エラストマ層1と導電性エラス
トマ層2とが交互に多数積層されてゼブラ状の異方導電
性コネクタ3部分を形成しており、その両側に保護層4
(図3では外層4aと内層4bとからなる)が形成され
て低抵抗コネクターを構成している。なお、図には明記
されていないが、全表面がメルカプト系化合物で被覆さ
れている。
は、形状的に安定し、自重で甚だしく変形したりせず、
硬化後に塑性変形しない弾性材料であればよく、これに
は天然ゴム、ブタジエン・スチレン、アクリロニトリル
・ブタジエン、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレ
ン、エチレン・スチレン、エチレン・プロピレン、エチ
レン・プロピレン・ジエン等の各共重合体ゴム、クロロ
プレンゴム、シリコーンゴム、ブタジエンゴム、イソプ
レンゴム、クロロスルホン化ポリエチレンゴム、ポリサ
ルファイドゴム、ブチルゴム、フッ素ゴム、ウレタンゴ
ム、ポリイソブチレンゴム等の合成ゴム類のほか、ポリ
エステルエラストマ等の熱可塑性エラストマ、塑性化塩
化ビニル系樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル・酢酸ビ
ニル共重合体樹脂などが例示される。これらの内では、
時効特性、電気絶縁性、耐熱性、圧縮永久歪、加工性等
に優れ、価格的にも安定しているシリコーンゴムが好ま
しい。
ル−、メチルフェニル−、メチルビニル−等の各ポリシ
ロキサン類、シリカのような充填剤を配合して適当なレ
オロジー特性が付与されたハロゲン化ポリシロキサン
類、または金属塩類でバルカナイズされ、もしくは硬化
されたハロゲン化ポリシロキサン類等が挙げられる。本
発明の導電部材は、母材としての絶縁性エラストマに導
電性材料を配合する。この母材としての絶縁性エラスト
マは、絶縁性エラストマ層用として上記したもののなか
から適宜選択される。絶縁性エラストマ層の絶縁性エラ
ストマと導電性材料を配合する母材としての絶縁性エラ
ストマとは、同じものであっても異なるものであっても
良い。
としては、少なくともその表面が金属で被覆されている
ものであればよく、例えば、金、銀、銅、ニッケル、コ
バルト、ステンレス鋼、黄銅等の金属単体からなる球状
もしくはフレーク状の粒子や繊維ばかりでなく、フェノ
ール樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹
脂等の熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、これらの焼成品、
カーボン、セラミックス、ガラス等の無機材料等の粉末
ないし繊維状のものを核材とし、その表面を前記金属に
よりメッキ、蒸着、スパッタ、CVD等の方法で被覆し
たもの、また、以上の2種以上を混合したもの等が挙げ
られる。本発明においては、少なくとも銀表面を有する
ものが含まれることとする。銀表面を有するものには、
銀単体からなるものはもとより、銀を被覆したものにあ
っては、銀含有率が20重量%以上のものであって、球
状、フレーク状又は繊維状のもの、もしくはこれらの混
合品が用いられ得る。銀を被覆したものの銀含有率が2
0重量%未満では核材全体を銀で被覆することができ
ず、安定した導通を得ることができなくなる。
樹脂原料100重量部に150〜500重量部混合され
る。150重量部未満では導電性物質の配合量が少な
く、導通がとれなくなるか、もしくは安定した抵抗値を
得ることができなくなる。500重量部を超えると、導
電性エラストマ層としての物性が低下して弾性が低くな
り、コネクタ材料としては不適当となる。メッキしてな
る銀粒子や銀単体からなる粒子を混合して用いる場合、
平均粒径が0.1〜1.0μmの細かい銀粒子と平均粒
径が2〜30μmの粗い銀粒子とを、混合したものが最
も低い電気抵抗値を示し、好ましい。ゼブラ状の異方導
電性コネクタは、導電性エラストマと絶縁性エラストマ
とを交互に多重に積層して得られる。すなわち、合成樹
脂フィルムの表面に絶縁性エラストマ層を成膜し、その
上に導電性エラストマ層を成膜した後、その2層素材を
合成樹脂フィルムから剥離して積層シートを得る。これ
を繰り返して得られた多数枚の2層積層シートを同じ順
に積層して積層ブロック体とする。積層ブロック体の両
最外層は、絶縁性エラストマ層とすることが望ましい。
この積層ブロック体を積層面を横切る方向にスライスし
て導電層と絶縁層とが交互に筋状に配列されているゼブ
ラシートを得る。このゼブラシートを、導電層と絶縁層
を横切る所定の幅で裁断して本発明の低抵抗コネクタを
得る。
となる合成樹脂フィルムとしては、OPP又はCPP
(ポリプロピレン)、ポリエチレン、塩化ビニール樹
脂、ポリエチレンテレフタレート、OPS(ポリスチレ
ン)等が挙げられる。中でもポリエチレンテレフタレー
トフィルムが好適である。積層シートを成膜するには、
印刷法やカレンダー法、コーター法、押し出し法等が利
用される。安定した生産性を考慮すると、導電層と絶縁
層をカレンダー法により積層して製造する方法が好まし
い。積層シートの各層を成膜する毎に、加熱硬化する。
また、積層ブロック体としたものは、加硫処理する。更
に、スライスして導電層と絶縁層とが交互に筋状に配列
されているゼブラシートも二次加硫することが好まし
い。ゼブラシートの段階で、積層面上に保護層を形成す
る。保護層とゼブラシートとの接着方法は、未加硫の絶
縁性エラストマ層を貼り付け、熱によって加硫させなが
ら接着を行う方法や、シリコーン系接着剤をスクリーン
印刷、塗布、コーティング等の方法で加硫済みの絶縁性
エラストマ層と合わせ、熱と圧力によって加硫、接着さ
せることが可能である。
マ層を形成する材料として適するとした材料が基本的に
用いられ得る。すなわち、天然ゴム、ブタジエン・スチ
レン、アクリロニトリル・ブタジエン、アクリロニトリ
ル・ブタジエン・スチレン、エチレン・スチレン、エチ
レン・プロピレン、エチレン・プロピレン・ジエン等の
各共重合体ゴム、クロロプレンゴム、シリコーンゴム、
ブタジエンゴム、イソプレンゴム、クロロスルホン化ポ
リエチレンゴム、ポリサルファイドゴム、ブチルゴム、
フッ素ゴム、ウレタンゴム、ポリイソブチレンゴム等の
合成ゴム類のほか、ポリエステルエラストマ等の熱可塑
性エラストマ、塑性化塩化ビニル系樹脂、酢酸ビニル樹
脂、塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体樹脂などが例示さ
れる。これらの内では、時効特性、電気絶縁性、耐熱
性、圧縮永久歪、加工性等に優れ、価格的にも安定して
いるシリコーンゴムが好ましい。保護層は、一層として
も良いし、内外二層からなるものでも良い。保護層を設
けることにより、電極とコンタクトする面以外の面の表
面に露出している導電性エラストマ層が被覆されるの
で、Agが環境雰囲気から保護される。一層の場合の保
護層と、二層の場合の外層とは、同じであるので、二層
の場合について説明を続ける。
製造の安定性、厚み精度を考慮すると好ましくは70°
H以上85°H未満にすることにより、絶縁性エラスト
マによるべたつきがなくなり、特に組み込み時の滑り性
が向上され、作業性の向上を図ることが可能となる。
また、コネクタに接続方向への圧縮により大きな力が負
荷されても、導電性エラストマ層と絶縁性エラストマ層
との間、もしくは導電性エラストマ層内において裂けが
発生することが防ぐことができる。保護層の硬度が70
°H未満の場合、組み込み時の作業性が低下することは
もちろんのこと、モジュールへの組み込み時に、ホルダ
ーの内壁、もしくはホルダー内の脱落防止のために設け
ているリブに引っかかってしまい、当初設計したような
寸法におさめることができなくなり、初期接続性が劣っ
てしまい、結果として液晶の点灯不良となってしまう。
厚さは、厚くするとコネクタ全体が硬くなってしまい、
小型化が望まれているモジュールには使用しにくくなっ
てしまうので、作業性の向上、マイグレーション等の防
止、裂けの防止が可能であればよく、0.01〜0.5
mm、好ましくは0.01〜0.25mmあれば十分で
ある。0.01mmに達しない場合には、Agを環境雰
囲気から保護する面で、また、強度的にも、不十分であ
る。内層は、クッション性を有するようにすることによ
り、実装時の圧縮荷重の低減を図ることが可能となる。
圧縮されたときにコネクタは横方向に膨らむが、低硬度
のクッション層があるとこの膨らみを吸収する働きがあ
り、ホルダーへの圧迫を緩和することができる。そのた
めには、内層の硬度は、10°H〜30°H、硬度の安
定性、製造加工性を考慮すると好ましくは20°H〜3
0°Hであることが望ましい。30°Hを超えると、圧
縮荷重の低減がそれほど大きくならなくなり、クッショ
ン層を設ける意味がなくなってしまう。また、10°H
より小さいと柔らか過ぎて層として役に立たない。内層
は、発泡層とすることもできる。発泡層とするために
は、内層を形成させるエラストマ中に、発泡剤を混合し
ておく。現在、携帯電話等はCOGタイプが多く、ガラ
スと基板とを接続することが多いが、ガラスの薄いCO
Gタイプでは荷重の低いコネクタが望まれている。保護
層内に硬度10°H以上30°H以下のクッション層を
設けることにより、低い圧縮荷重で安定した接続抵抗を
得ることができる。
基板あるいは回路基板間でエラスチックコネクタを上下
に狭持する面であり、保護層はコンタクト面と直交し、
導電性エラストマ層と絶縁性エラストマ層の積層方向に
設ける。実装したままで良い場合には以上の保護層でも
すむが、検査装置の電気的接続のように、接続・解放が
繰り返され、コンタクト面が直接環境雰囲気の晒される
時間が長いような場合には、コンタクト面に露出する導
電性エラストマ層内の銀表面が保護されることが望まし
い。表面に露出している銀は、酸化物や硫化物を生成し
やすく、これらは絶縁物質であるため、製造した銀粒子
含有のコネクタを空気中に放置しておくと、酸化や硫化
が進行してしまい、接触抵抗値の上昇を招く恐れがあ
る。少なくともコンタクト部分にメルカプト系化合物を
溶剤もしくは水に溶解させて塗布、コーティングする
か、コネクタを浸漬することによって、露出する銀表面
の酸化、硫化を防ぐことが可能となり、安定した抵抗値
を得ることができる。メルカプト系化合物は、保護層が
ない状態で全周面に処理してもよいし、保護層を設けた
後に、少なくともコンタクト面に処理してもよい。メル
カプト系化合物により処理しておくことは、コネクタの
保管・移送中の保護としても有利であることはいうまで
もない。メルカプト系化合物としては、チオール系のも
のが好ましく使用できる。また、溶剤としては、塩化メ
チレン、塩化エチレンが使用できる。メルカプト系化合
物による被覆層の厚みは、格別制限されないが、概ね1
00Å程度であることが望ましい。なお、本発明では、
硬度の測定方法は、JIS K−6253(ISO 7
619)に規定されている試験方法で測定される。
0.5μmのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に、絶縁性シリコーンゴムコンパウンド(商品名:KE
−971U、信越化学工業(株)製)を厚さ0.03m
mとなるようにカレンダーで分出しし、200℃の加熱
炉中で硬化して絶縁性エラストマ層を形成した。同じ絶
縁性シリコーンゴムコンパウンド100重量部に、0.
1〜10μmの銀単体粒子を500重量部配合し、混練
して導電性シリコーンゴムコンパウンドとした。この導
電性シリコーンゴムコンパウンドを先に形成した絶縁性
エラストマ層上に、厚さ0.03mmとなるようにカレ
ンダーで分出しして導電層を形成し、硬化した。これか
らベースフィルムを剥離して積層シートとし、この操作
を繰り返して多数の積層シートを作製した後、積層シー
トを同順に多数枚積層して積層ブロック体とし、加硫処
理後、スライスし、さらに二次加硫して硬度を60°H
(JIS K−6253に基づき測定)とした。保護層
として、絶縁性エラストマ(商品名:KE−981U8
0°H、信越化学工業(株)製)に、可硫剤(商品名:
C−19A/B、信越化学工業(株)製)を混練し、厚
さ0.2mmになるように積層ブロック体の積層最外層
の上にカレンダーで分出しし、120℃10分加熱し、
これを所定の寸法に断裁しコネクタ原形とした。更に、
イミダゾールメルカプト系化合物を水に10%濃度とな
るようにしたものに浸漬して乾燥後、低抵抗コネクタと
した。
KE−981U80°H、前出)に、可硫剤(商品名:
C−19A/B、同前)を混練し、カレンダーで分出し
し、120℃10分間で加硫させた保護層外層0.2m
mを作製し、別に絶縁性クッション層として絶縁性エラ
ストマ(商品名:KE−951U、信越化学工業(株)
製)に可硫剤(商品名:C−19A/B、同前)、発泡
剤(商品名:OSペースト、信越ポリマー(株)製)を
混練し、カレンダーで分出しして保護層内層とし、保護
層外層と一体に接合してから、プレス成形で発泡させて
保護層内層が厚さ0.50mm、20°Hとなるように
作製し、その後、接着剤として商品名:KE−1800
A/B、信越化学工業(株)製)0.03mmとなるよ
うにスクリーン印刷にて印刷し、積層ブロック体と合わ
せ、120℃10分間、5kg/cm2 の圧力で加硫
させた以外は、実施例1と同様の方法で低抵抗コネクタ
とした。
化合物による処理を行わなかった以外は実施例1と同様
の方法で低抵抗コネクタとした。(比較例2)保護層を
絶縁性エラストマ(商品名:KE−941U、信越化学
工業(株)製)と可硫剤(商品名:C−19A/b、前
出)を混練し、厚さ0.2mmになるようにカレンダー
で分出しし、厚さ0.5mm硬度40°Hとした以外は
実施例1と同様の方法で低抵抗コネクタとした。以上の
実施例1、2及び比較例1、2で得られた低抵抗コネク
タを評価・比較した。その結果を表1に示す。なお、表
1における評価方法は、以下の通りである。
かりがなく入れば○、浮いてしまいつっかかってしまう
時は×。 H2 Sテスト:硫化水素 15ppm、40℃、80%
RHの環境下に12時間放置し、その後抵抗値を測定。
その結果が、100Ω以下なら○、それ以上なら×。 マイグレーションテスト:20℃と80℃、ともに90
%RHの二環境下に8時間サイクルで250時間放置
し、この間コネクタに10Vの電圧をかけておき、ショ
ートして0.01mA以上の電流が流れれば×、流れな
ければ○。 初期抵抗:製品後、10%圧縮したときに、抵抗値が2
0Ω以下ならば○、これ以上ならば×。 傷の発生:キャリアテープへの自動供給機を使用して、
供給するときにパーツフィーダーにおいて機械的な摩擦
によってコネクタ表面に傷が発生しないか確認し、傷が
見られなければ○、見られたら×。
や硫化物の生成を防ぐことにより抵抗値の不安定要素を
取り除くことができ、銀のマイグレーションの発生も防
止することが可能で、高湿環境下でもショートが起こら
なくできる。また、圧縮過剰が発生したときにも導電層
と絶縁層での裂けを防止することが可能となり、モジュ
ールへの組み込み作業性が向上し、モジュールのホルダ
ーへのつっかかりがなくなり、組み込み不良の低減が図
られて、点灯不良が減少し、実装時の品質が向上する。
図である。
式的平面図である。一部拡大図が付されている。
式的平面図である。一部拡大図が付されている。
題を解決するために、銀を含む導電性物質を使用してい
る導電性エラストマ層と絶縁性エラストマ層とをその接
合面が互いに平行となるように交互に、かつ多重に積層
してなるエラスチックコネクタにおいて、コネクタの電
極とのコンタクト面以外の部位に保護層を設ける。コネ
クタの電極とのコンタクト面以外の部位に設ける保護層
が、硬度70°H以上95°H未満で、厚さ0.01〜
0.5mmの絶縁性エラストマ層であることが好まし
い。コネクタの電極とのコンタクト面以外の部位に設け
る保護層が、硬度15°H以上30°H以下で、厚さ
0.10〜5.00mmの絶縁性エラストマ層である内
層と、硬度70°H以上95°H未満で、厚さ0.01
〜0.5mmの絶縁性エラストマ層である外層とからな
ることが、より好ましい。少なくとも表面に露出してい
る導電性エラストマ層をメルカプト系化合物により処理
することは、特に好ましい。
基板あるいは回路基板間でエラスチックコネクタが上下
から挟持される面であり、保護層はコンタクト面と直交
し、導電性エラストマ層と絶縁性エラストマ層とがゼブ
ラ状に積層されているのが見える切り口の面に設ける。
実装したままで良い場合には以上の保護層でもすむが、
検査装置の電気的接続のように、接続・解放が繰り返さ
れ、コンタクト面が直接環境雰囲気の晒される時間が長
いような場合には、コンタクト面に露出する導電性エラ
ストマ層内の銀表面が保護されることが望ましい。表面
に露出している銀は、酸化物や硫化物を生成しやすく、
これらは絶縁物質であるため、製造した銀粒子含有のコ
ネクタを空気中に放置しておくと、酸化や硫化が進行し
てしまい、接触抵抗値の上昇を招く恐れがある。少なく
ともコンタクト部分にメルカプト系化合物を溶剤もしく
は水に溶解させて塗布、コーティングするか、コネクタ
を浸漬することによって、露出する銀表面の酸化、硫化
を防ぐことが可能となり、安定した抵抗値を得ることが
できる。メルカプト系化合物は、保護層がない状態で全
周面に処理してもよいし、保護層を設けた後に、少なく
ともコンタクト面に処理してもよい。メルカプト系化合
物により処理しておくことは、コネクタの保管・移送中
の保護としても有利であることはいうまでもない。メル
カプト系化合物としては、チオール系のものが好ましく
使用できる。また、溶剤としては、塩化メチレン、塩化
エチレンが使用できる。メルカプト系化合物による被覆
層の厚みは、格別制限されないが、概ね100Å程度で
あることが望ましい。なお、本発明では、硬度の測定方
法は、JIS K−6253(ISO 7619)に規
定されている試験方法で測定される。
0.5μmのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に、絶縁性シリコーンゴムコンパウンド(商品名:KE
−971U、信越化学工業(株)製)を厚さ0.03m
mとなるようにカレンダーで分出しし、200℃の加熱
炉中で硬化して絶縁性エラストマ層を形成した。同じ絶
縁性シリコーンゴムコンパウンド100重量部に、0.
1〜10μmの銀単体粒子を500重量部配合し、混練
して導電性シリコーンゴムコンパウンドとした。この導
電性シリコーンゴムコンパウンドを先に形成した絶縁性
エラストマ層上に、厚さ0.03mmとなるようにカレ
ンダーで分出しして導電層を形成し、硬化した。これか
らベースフィルムを剥離して積層シートとし、この操作
を繰り返して多数の積層シートを作製した後、積層シー
トを同順に多数枚積層して積層ブロック体とし、加硫処
理後、スライスし、さらに二次加硫して硬度を60°H
(JIS K−6253に基づき測定)とした。保護層
として、絶縁性エラストマ(商品名:KE−981U8
0°H、信越化学工業(株)製)に、加硫剤(商品名:
C−19A/B、信越化学工業(株)製)を混練し、厚
さ0.2mmになるように積層ブロック体の積層最外層
の上にカレンダーで分出しし、120℃10分加熱し、
これを所定の寸法に断裁しコネクタ原形とした。更に、
イミダゾールメルカプト系化合物を水に10%濃度とな
るようにしたものに浸漬して乾燥後、低抵抗コネクタと
した。
KE−981U80°H、前出)に、加硫剤(商品名:
C−19A/B、同前)を混練し、カレンダーで分出し
し、120℃10分間で加硫させた保護層外層0.2m
mを作製し、別に絶縁性クッション層として絶縁性エラ
ストマ(商品名:KE−951U、信越化学工業(株)
製)に加硫剤(商品名:C−19A/B、同前)、発泡
剤(商品名:SOペースト、信越ポリマー(株)製)を
混練し、カレンダーで分出しして保護層内層とし、保護
層外層と一体に接合してから、プレス成形で発泡させて
保護層内層が厚さ0.50mm、20°Hとなるように
作製し、その後、接着剤として商品名:KE−1800
A/B、信越化学工業(株)製)0.03mmとなるよ
うにスクリーン印刷にて印刷し、積層ブロック体と合わ
せ、120℃10分間、5kg/cm2 の圧力で加硫
させた以外は、実施例1と同様の方法で低抵抗コネクタ
とした。
化合物による処理を行わなかった以外は実施例1と同様
の方法で低抵抗コネクタとした。 (比較例2)保護層を絶縁性エラストマ(商品名:KE
−941U、信越化学工業(株)製)と加硫剤(商品
名:C−19A/B、前出)を混練し、厚さ0.2mm
になるようにカレンダーで分出しし、厚さ0.5mm硬
度40°Hとした以外は実施例1と同様の方法で低抵抗
コネクタとした。 以上の実施例1、2及び比較例1、2で得られた低抵抗
コネクタを評価・比較した。その結果を表1に示す。な
お、表1における評価方法は、以下の通りである。
Claims (4)
- 【請求項1】 銀を含む導電性物質を使用している導電
性エラストマ層と絶縁性エラストマ層とをその接合面が
互いに平行となるように交互に、かつ多重に積層してな
るエラスチックコネクタにおいて、コネクタの電極との
コンタクト面以外の部位に保護層を設けたことを特徴と
する低抵抗コネクタ。 - 【請求項2】 コネクタの電極とのコンタクト面以外の
部位に設ける保護層が、硬度70°H以上95°H未満
で、厚さ0.01〜0.5mmの絶縁性エラストマ層で
あることを特徴とする、請求項1に記載された低抵抗コ
ネクタ。 - 【請求項3】 コネクタの電極とのコンタクト面以外の
部位に設ける保護層が、硬度10°H以上30°H以下
で、厚さ0.10〜5.00mmの絶縁性エラストマ層
である内層と、硬度70°H以上95°H未満で、厚さ
0.01〜0.5mmの絶縁性エラストマ層である外層
とからなることを特徴とする、請求項1に記載された低
抵抗コネクタ。 - 【請求項4】 少なくとも表面に露出している導電性エ
ラストマ層がメルカプト系化合物により処理されている
ことを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載され
た低抵抗コネクタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11053991A JP2000251980A (ja) | 1999-03-02 | 1999-03-02 | 低抵抗コネクタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11053991A JP2000251980A (ja) | 1999-03-02 | 1999-03-02 | 低抵抗コネクタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000251980A true JP2000251980A (ja) | 2000-09-14 |
Family
ID=12958096
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11053991A Pending JP2000251980A (ja) | 1999-03-02 | 1999-03-02 | 低抵抗コネクタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000251980A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011150838A (ja) * | 2010-01-20 | 2011-08-04 | Jsr Corp | 回路接続部材、導電性粒子および導電性粒子の製造方法 |
JP2016085920A (ja) * | 2014-10-28 | 2016-05-19 | 矢崎総業株式会社 | 弾性接点部材及びコネクタ |
-
1999
- 1999-03-02 JP JP11053991A patent/JP2000251980A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011150838A (ja) * | 2010-01-20 | 2011-08-04 | Jsr Corp | 回路接続部材、導電性粒子および導電性粒子の製造方法 |
JP2016085920A (ja) * | 2014-10-28 | 2016-05-19 | 矢崎総業株式会社 | 弾性接点部材及びコネクタ |
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