JP2000251776A - Image display device - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce color drift or distortion at an end of an image display region by providing a support frame that supports between a front surface plate and a rear surface plate and has, on its surface, a second conductive film electrically connected with a first conductive film included in the front surface plate. SOLUTION: A first conductive film 10 is formed from the periphery of an image forming member 6 on a front surface plate 7 to a joint portion with a support frame 9, the first conductive film 10 is electrically connected with the image forming member 6. A second conductive film 11 is formed on the support frame 9, from a joint portion with the front surface plate 7 to a joint portion with a rear surface plate 4. The first conductive film 10 is electrically connected with the second conductive film 11 at their joint portion. By considering structure parameters around the support frame 9 and, if necessary, setting sheet resistances of the first conductive film 10 and the second conductive film 11, voltages on the surface of the support frame 9 and around the image display member 6 on the front surface plate 7 are prevented from un- stabilizing during image display. Thus, the orbit of the electron beams emitted from an electron emitting element corresponding to the end of an image display region is not disturbed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、複数の電子放出素
子からなる電子源を有する画像形成装置に関する。The present invention relates to an image forming apparatus having an electron source including a plurality of electron-emitting devices.

【０００２】[0002]

【従来の技術】奥行きの薄い平板型ディスプレイは、省
スペースでかつ軽量であることから、ＣＲＴに置き換わ
るものとして注目されている。2. Description of the Related Art Flat-panel displays having a small depth are attracting attention as a replacement for CRTs because they are space-saving and lightweight.

【０００３】平板型ディスプレイとしては、液晶ディス
プレイ、ガス放電による紫外線発光を利用したプラズマ
ディスプレイ、複数の微小冷陰極電子放出素子からなる
電子源を用いたものなどがある。[0003] As the flat panel display, there are a liquid crystal display, a plasma display using ultraviolet light emission by gas discharge, and a display using an electron source composed of a plurality of minute cold cathode electron-emitting devices.

【０００４】微小冷陰極電子放出素子には、円錐状の突
起先端から電界放出により電子を引き出す電界放出型
（ＦＥ型）素子、金属／絶縁層／金属型（ＭＩＭ型）素
子や表面伝導型電子放出素子等がある。[0004] The micro-cathode electron emission device includes a field emission type (FE type) element for extracting electrons by field emission from the tip of a conical projection, a metal / insulating layer / metal type (MIM type) element, and a surface conduction type electron. There are emission elements and the like.

【０００５】基板上に形成された小面積の導電性薄膜
に、膜面に平行に電流を流すことにより、導電性薄膜内
に形成された電子放出部より電子を放出する表面伝導型
電子放出素子は、構造が単純で製造も容易であることか
ら、大面積にわたり多数の素子を形成することができ、
例えば画像形成装置等への応用に際して好適な微小冷陰
極電子放出素子である。A surface conduction electron-emitting device that emits electrons from an electron-emitting portion formed in a conductive thin film by passing a current through a small-area conductive thin film formed on a substrate in parallel with the film surface. Has a simple structure and is easy to manufacture, so a large number of elements can be formed over a large area,
For example, it is a micro cold cathode electron emission element suitable for application to an image forming apparatus or the like.

【０００６】表面伝導型電子放出素子を画像形成装置へ
と応用した例としては、本願出願人によるＵＳＰ５，０
６６，８８３や特開平６−３４２６３６号公報等があげ
られる。これらの公報では、基板上に設けられた一対の
素子電極とこれら素子電極対に接続する導電膜と、導電
膜内に形成した電子放出部からなる表面伝導型電子放出
素子を２次元的に複数配置し、それぞれの電子放出素子
から放出される放出電子を個別に選択するように電気的
な選択手段を設け、入力信号に応じて画像を形成する手
段と製造方法が記載されている。An example in which a surface conduction electron-emitting device is applied to an image forming apparatus is disclosed in US Pat.
66, 883 and JP-A-6-342636. In these publications, two-dimensionally a plurality of surface conduction electron-emitting devices including a pair of device electrodes provided on a substrate, a conductive film connected to these device electrode pairs, and an electron-emitting portion formed in the conductive film. The document describes a means for arranging and electrically selecting means for individually selecting emitted electrons emitted from each electron-emitting device, and forming an image in accordance with an input signal and a manufacturing method.

【０００７】このように数百μｍサイズの電子放出素子
を格子状に多数形成した電子源を用いた画像形成装置
は、自発光型であるためバックライトを必要としない点
や、広視野角性や高速応答性等で液晶ディスプレイに勝
る。また、ＣＲＴと同様に電子ビームの加速によって蛍
光体を発光させているため、プラズマディスプレイのよ
うにガス放電から生じる余計な発光色との混色も無く、
色再現性に優れている。An image forming apparatus using an electron source in which a large number of electron-emitting devices each having a size of several hundreds of μm are formed in a lattice pattern does not require a backlight because it is of a self-luminous type. Outperforms liquid crystal displays because of its high-speed response. In addition, since the phosphor emits light by accelerating the electron beam similarly to the CRT, there is no color mixing with an unnecessary emission color generated by gas discharge unlike a plasma display.
Excellent color reproducibility.

【０００８】[0008]

【発明が解決しようとする課題】上記微小冷陰極電子放
出素子を用いた画像形成装置は、主な構成部材として図
２に示すように、多数の冷陰極電子放出素子を配した電
子源２、並びに電子源２内のそれぞれの電子放出素子と
電気的に接続する配線群３が基体１上に形成された背面
版４と、ガラス基板５上に蛍光膜６が形成された前面版
７、そして前面版７と背面版４との間を支持する支持枠
９からなる。尚、蛍光膜６上にはメタルバックと呼ばれ
る金属の薄膜が形成される場合があり、また蛍光膜６と
ガラス基板５の間に透明電極が形成される場合もある。
ここで、８は高圧端子であり、蛍光膜もしくは前記メタ
ルバック乃至は前記透明電極に接続している。尚、図２
は説明のため一部の構成部材を切り欠いて図示してい
る。The image forming apparatus using the above-mentioned minute cold cathode electron-emitting device has an electron source 2 having a large number of cold cathode electron-emitting devices as main components as shown in FIG. A back plate 4 in which a wiring group 3 electrically connected to each electron-emitting device in the electron source 2 is formed on a base 1; a front plate 7 in which a fluorescent film 6 is formed on a glass substrate 5; It comprises a support frame 9 for supporting between the front plate 7 and the back plate 4. Note that a thin metal film called a metal back may be formed on the fluorescent film 6, and a transparent electrode may be formed between the fluorescent film 6 and the glass substrate 5.
Here, reference numeral 8 denotes a high voltage terminal, which is connected to the fluorescent film or the metal back or the transparent electrode. FIG.
In the figure, some components are cut away for illustration.

【０００９】上記画像形成装置内の電子源２を駆動し、
高圧端子８に高電圧を印加したときの図２中のＡ−Ａ’
断面図の様子を図３に示す。図３中、図２と同じ符号を
付した部材は図２と同じ部材を示す。尚、１４は前面板
７と支持枠９を接合するフリットガラス等からなる接合
材であり、同様に、１５は支持枠９と背面板４を接合す
る接合材である。The electron source 2 in the image forming apparatus is driven,
AA ′ in FIG. 2 when a high voltage is applied to the high voltage terminal 8
FIG. 3 shows a cross-sectional view. 3, the members denoted by the same reference numerals as those in FIG. 2 indicate the same members as those in FIG. In addition, 14 is a joining material made of frit glass or the like for joining the front plate 7 and the support frame 9, and similarly, 15 is a joining material for joining the support frame 9 and the back plate 4.

【００１０】図３中の前面板７と背面板４間の空間に示
す曲線は、等電位面を示す。The curve shown in the space between the front plate 7 and the back plate 4 in FIG. 3 indicates an equipotential surface.

【００１１】従来の平板型画像形成装置では、例えば図
３（ａ）に示すように、画像形成部材（受光膜やメタル
バック）周辺の露出したガラス基板表面と、支持枠のガ
ラス表面の抵抗分割による電界の歪みにより、画像形成
部材と電子源の間に形成されるべき平行電界が、画像形
成部材周辺領域では維持されない場合がある。このよう
な場合、特に画像表示領域端部の電子放出素子から放出
した電子ビームの軌道が、電界の歪みによる影響を受
け、画像表示領域の端部での色ずれや画像の歪みを発生
させる。In a conventional flat plate type image forming apparatus, for example, as shown in FIG. 3 (a), a resistive division between an exposed glass substrate surface around an image forming member (light receiving film and metal back) and a glass surface of a support frame is performed. In some cases, a parallel electric field to be formed between the image forming member and the electron source is not maintained in the peripheral region of the image forming member due to the electric field distortion caused by the image forming member. In such a case, the trajectory of the electron beam emitted from the electron-emitting device at the end of the image display area is particularly affected by the distortion of the electric field, causing color shift and image distortion at the end of the image display area.

【００１２】また、図３（ｂ）のように、ガラス等の絶
縁材料からなる支持枠表面や、ガラス基板からなる前面
板のガラス露出面などに、イオンなどが付着して帯電す
ることで、電界の歪みを生じる場合がある。このような
場合も、電子ビームの軌道が、電界の歪みによる影響を
受け、画像表示領域の端部での色ずれや画像の歪みを発
生させる。Further, as shown in FIG. 3B, ions and the like adhere to the surface of the support frame made of an insulating material such as glass or the exposed glass surface of the front plate made of a glass substrate, and are charged. Electric field distortion may occur. Also in such a case, the trajectory of the electron beam is affected by the distortion of the electric field, causing color shift and image distortion at the end of the image display area.

【００１３】一方で、背面板４の電子源２が形成されて
いる領域内にガラス基板等の絶縁性材料が露出している
場合も、露出した絶縁面が帯電することにより、電子ビ
ームの軌道が不安定になる場合がある。このような問題
を解決するための提案が、特開平２−７２５３４号公報
に開示されている。On the other hand, even when an insulating material such as a glass substrate is exposed in the region of the back plate 4 where the electron source 2 is formed, the exposed insulating surface is charged, thereby causing the trajectory of the electron beam. May become unstable. A proposal for solving such a problem is disclosed in JP-A-2-72534.

【００１４】しかし、上記公報で開示されている提案
は、電子放出素子のごく近傍の帯電現象を抑制するもの
であって、これだけでは、先述した画像表示領域の端部
での色ずれや画像の歪みを抑制するには不十分である。However, the proposal disclosed in the above-mentioned publication suppresses the charging phenomenon in the immediate vicinity of the electron-emitting device. It is not enough to suppress distortion.

【００１５】従って、本発明の目的は、画像表示領域の
端部の色ずれや歪みの少ない画像を安定して表示し、加
えて画像表示領域内の色ずれや歪みを低減した、画像形
成装置を提供することにある。Accordingly, an object of the present invention is to provide an image forming apparatus capable of stably displaying an image having little color shift or distortion at an end of an image display area and reducing color shift or distortion in the image display area. Is to provide.

【００１６】[0016]

【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
上記問題点を鑑みて検討した結果、第一の導電膜と画像
形成部材とを有する前面板と、複数の電子放出素子が配
置された背面版と、該前面板と背面版との間を支持し、
前記第一の導電膜と電気的に接続した第二の導電膜をそ
の表面に有する支持枠とからなる画像形成装置を提供す
るものである。Means for Solving the Problems Accordingly, the present inventors have:
As a result of studying in view of the above problems, a front plate having a first conductive film and an image forming member, a back plate on which a plurality of electron-emitting devices are arranged, and support between the front plate and the back plate And
It is an object of the present invention to provide an image forming apparatus comprising a support frame having a second conductive film electrically connected to the first conductive film on a surface thereof.

【００１７】また、本発明は、さらに、前記第一の導電
膜と前記画像形成部材とが電気的に接続してなることを
も含み、さらには、前記第一の導電膜と第二の導電膜と
が、前記支持枠と前面板との接合部にて電気的に接続さ
れてなることをも含み、そして、前記第一の導電膜と第
二の導電膜とが、導電性部材を介して接続されてなるこ
とをも含み、また、前記導電性部材が、前記支持枠と前
面板とを接合する導電性の接合部材であることをも含
み、また、前記支持枠の前記背面板との接合面に、前記
第二の導電膜と電気的に接続された電極が配されてなる
ことをも含むものである。Further, the present invention further includes that the first conductive film and the image forming member are electrically connected, and further, the first conductive film and the second conductive film are connected to each other. The film also includes being electrically connected at a joint between the support frame and the front plate, and the first conductive film and the second conductive film are connected via a conductive member. The conductive member also includes a conductive joining member that joins the support frame and the front plate, and the back plate of the support frame And an electrode electrically connected to the second conductive film is disposed on the bonding surface.

【００１８】また、本発明においては、前記画像形成部
材が、前記電子放出素子から放出された電子を受けて発
光する蛍光膜と、該電子を該蛍光膜に向けて加速する電
極からなることを含む。Further, in the present invention, the image forming member includes a fluorescent film that emits light by receiving electrons emitted from the electron-emitting device, and an electrode that accelerates the electrons toward the fluorescent film. Including.

【００１９】さらに、本発明は、前記背面板がさらに、
第三の導電膜を有することを特徴としするものである。Further, according to the present invention, the back plate further includes:
It is characterized by having a third conductive film.

【００２０】そして、本発明は、前記第一の導電膜のシ
ート抵抗が、１×１０¹¹Ω／□以下であることをも含
み、また、前記第二の導電膜のシート抵抗が、１×１０
⁸Ω／□以上１×１０¹¹Ω／□以下であることをも含む
ものである。The present invention also includes that the first conductive film has a sheet resistance of 1 × 10 ¹¹ Ω / □ or less, and the second conductive film has a sheet resistance of 1 × 10 ¹¹ Ω / □ or less. 10
^It includes that it is ⁸ Ω / □ or more and 1 × 10 ¹¹ Ω / □ or less.

【００２１】[0021]

【発明の実施の形態】以下に、上記課題を解決するため
の手段を詳しく説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The means for solving the above-mentioned problems will be described below in detail.

【００２２】図１は本発明画像形成装置の一部を示す断
面図であり、図２に示した従来の画像形成装置のＡ−
Ａ’断面図に相当する部位である。FIG. 1 is a sectional view showing a part of the image forming apparatus according to the present invention.
This is a portion corresponding to the A ′ cross-sectional view.

【００２３】図１中、１はガラス基板等からなる基体、
２は冷陰極電子放出素子が多数形成された電子源、３は
電子源２内のそれぞれの冷陰極電子放出素子と接続する
配線、４は基体１と電子源２そして配線３からなる背面
板である。５はガラス基板、６は蛍光膜および電子源か
ら放出された電子を加速するための電極とからなる画像
形成部材であり、ガラス基板５と画像形成部材６により
前面板７が構成される。尚、蛍光膜６上には前記電子を
加速するための電極として、メタルバックと呼ばれる金
属の薄膜が形成される場合や、蛍光膜６とガラス基板５
の間に透明電極が形成される場合がある。また蛍光膜６
は、モノクロームの場合は蛍光体のみからなるが、カラ
ーの場合は蛍光体の配列によりブラックストライプある
いはブラックマトリクス等と呼ばれる黒色導電材とＲＧ
Ｂの蛍光体からなる。上記蛍光膜、電子を加速するため
の電極（メタルバック及び、あるいは透明電極）を含め
て画像形成部材と呼び、これらは高圧端子を通じて高電
圧を印加できるようになっている。９はガラス等からな
る支持枠である。In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a base made of a glass substrate or the like;
Reference numeral 2 denotes an electron source on which a large number of cold cathode electron-emitting devices are formed. Reference numeral 3 denotes a wiring connected to each of the cold cathode electron-emitting devices in the electron source 2. is there. Reference numeral 5 denotes a glass substrate, and reference numeral 6 denotes an image forming member including a fluorescent film and an electrode for accelerating electrons emitted from the electron source. The glass substrate 5 and the image forming member 6 constitute a front plate 7. A metal thin film called a metal back is formed on the fluorescent film 6 as an electrode for accelerating the electrons.
A transparent electrode may be formed between them. Also, the fluorescent film 6
Is composed of only a phosphor in the case of monochrome, and a black conductive material called a black stripe or a black matrix depending on the arrangement of the phosphor in the case of color, and RG.
B phosphor. An image forming member including the fluorescent film and an electrode for accelerating electrons (metal back and / or transparent electrode) is referred to as an image forming member, and these can be applied with a high voltage through a high voltage terminal. Reference numeral 9 denotes a support frame made of glass or the like.

【００２４】前面板７と支持枠９は低融点のフリットガ
ラス等からなる接合材１４により接合されており、同様
に、背面板４と支持枠９も接合材１５により接合されて
いる。これにより、画像形成装置内部を密閉し、真空に
保つことができる。The front plate 7 and the support frame 9 are joined by a joining material 14 made of frit glass or the like having a low melting point. Similarly, the back plate 4 and the support frame 9 are joined by a joining material 15. Thus, the inside of the image forming apparatus can be sealed and kept in a vacuum.

【００２５】上記前面板７上の画像形成部材６の周辺か
ら支持枠９との接合部にかけて、第１の導電性膜１０が
形成されており、第１の導電膜１０と画像形成部材６と
は電気的に接続されている。支持枠９上には、前面板７
との接合部から背面板４との接合部にかけて第２の導電
膜１１が形成されている。また、第１の導電膜１０と第
２の導電膜１１は接合部分で電気的に接続している。電
気的接続をより確実にするために導電性部材１２を接合
部に被覆する等して、導電膜を介して、導電膜１０、１
１を接続する事が好ましい。また、導電性部材として、
接合材１４にＡｕやＡｇ等の導電性のフィラーを混合さ
せた導電性フリットガラスを用いて、電気的接続を確保
することもできるので、構成部材を減らすためには、導
電性の接合部材を用いることが好ましい。A first conductive film 10 is formed from the periphery of the image forming member 6 on the front plate 7 to the joint with the support frame 9, and the first conductive film 10 and the image forming member 6 Are electrically connected. On the support frame 9, the front plate 7
The second conductive film 11 is formed from the joint with the back plate 4 to the joint with the back plate 4. In addition, the first conductive film 10 and the second conductive film 11 are electrically connected at a joint portion. In order to further secure the electrical connection, the conductive member 12 is coated on the bonding portion or the like, and the conductive film 10, 1
1 is preferably connected. Also, as a conductive member,
Electrical connection can also be ensured by using a conductive frit glass in which a conductive filler such as Au or Ag is mixed into the bonding material 14, so that in order to reduce the number of constituent members, a conductive bonding member must be used. Preferably, it is used.

【００２６】第２の導電膜１１の背面板４との接合部分
は、電子源２を駆動する時の電位と近い電位になるよう
に維持するのが好ましく、例えば図１に示すように、支
持枠９の背面板４との接合端面に導電膜２と接触するよ
うに電極１３を形成し、電極１３を例えばグランド電位
に接続することが好ましい。The junction of the second conductive film 11 with the back plate 4 is preferably maintained at a potential close to the potential when the electron source 2 is driven. For example, as shown in FIG. It is preferable that an electrode 13 is formed on the joint end surface of the frame 9 with the back plate 4 so as to be in contact with the conductive film 2, and the electrode 13 is connected to, for example, a ground potential.

【００２７】第１の導電膜１０は、表面抵抗Ｒｓ（シー
ト抵抗）が１０¹¹Ω／□以下となるように形成する。な
おシート抵抗Ｒｓは、厚さがｔ、幅がｗで長さがｌの薄
膜の長さ方向に測定した抵抗値ＲをＲ＝Ｒｓ（ｌ／ｗ）
とおいたときに現れる値で、抵抗率をρとすれば、Ｒｓ
＝ρ／ｔである。シート抵抗Ｒｓを上記範囲に設定する
理由は、先述したイオンなどによる帯電を除去するため
にはＲｓが１０¹¹Ω／□以下であることが好ましいから
である。第２の導電膜１１のシート抵抗は、１０⁸Ω／
□〜１０¹¹Ω／□とするのが好ましい。これも、イオン
などによる帯電を除去するためにはＲｓが１０¹¹Ω／□
以下であることが好ましいからであり、また、画像形成
部材６に高電圧が印加された時に第２の導電膜１１を電
流が流れることにより消費される電力を抑えるためには
Ｒｓが１０⁸Ω／□以上であることが好ましいからであ
る。The first conductive film 10 is formed so that the surface resistance Rs (sheet resistance) is 10 ¹¹ Ω / □ or less. The sheet resistance Rs is represented by R = Rs (l / w), which is a resistance value R measured in the length direction of a thin film having a thickness t, a width w, and a length l.
If the resistivity is ρ, then Rs
= Ρ / t. The reason why the sheet resistance Rs is set in the above range is that Rs is preferably 10 ¹¹ Ω / □ or less in order to remove the above-mentioned charge due to ions and the like. The sheet resistance of the second conductive film 11 is 10 ⁸ Ω /
□ to 10 ¹¹ Ω / □ is preferred. This also requires that Rs be 10 ¹¹ Ω / □ in order to remove charges due to ions and the like.
In addition, Rs is preferably set to 10 ⁸ Ω in order to suppress the power consumed by the current flowing through the second conductive film 11 when a high voltage is applied to the image forming member 6. / □ or more is preferable.

【００２８】支持枠９周囲の構造パラメータを考慮し、
第１の導電膜１０および第２の導電膜１１のシート抵抗
を上記範囲内で適宜設定することで、支持枠周辺の電界
の乱れを制御することも可能である。ここで、画像形成
部材６に印加する高電圧の値をＶａとし、画像形成部材
６の端部から支持枠との接合部との距離をＬとし、支持
枠の高さをＨ、第１の導電膜と第２の導電膜のシート抵
抗をそれぞれＲｓ１，Ｒｓ２とする。例えば、Ｖａ／２
となる電位が前面板と支持枠との接合部位に来るように
するためには、前述の幅ｗが、第１の導電膜と第２の導
電膜で同じとすると、Ｒｓ１／Ｒｓ２＝Ｈ／Ｌとすれば
良い。また、Ｒｓ１／Ｒｓ２が極力小さくなるように設
定すれば、図１に示すように、画像形成部材６と電子源
２との間の平行電界を支持枠近傍まで継続させることが
できる。また、上記Ｌは、画像形成装置の大きさを大き
くしてしまうため、できるだけＬを小さくしたい。この
ような場合には高電圧Ｖａが、実質的に支持枠部に集中
する。このため、Ｒｓ１×Ｌ＜Ｒｓ２×Ｈであることが
好ましい。Considering the structural parameters around the support frame 9,
By appropriately setting the sheet resistance of the first conductive film 10 and the second conductive film 11 within the above range, it is also possible to control the disturbance of the electric field around the support frame. Here, the value of the high voltage applied to the image forming member 6 is Va, the distance from the end of the image forming member 6 to the joint with the support frame is L, the height of the support frame is H, The sheet resistances of the conductive film and the second conductive film are Rs1 and Rs2, respectively. For example, Va / 2
In order for the potential to be at the junction between the front plate and the support frame, if the width w is the same for the first conductive film and the second conductive film, Rs1 / Rs2 = H / L may be set. If Rs1 / Rs2 is set to be as small as possible, the parallel electric field between the image forming member 6 and the electron source 2 can be continued to the vicinity of the support frame as shown in FIG. Further, since L increases the size of the image forming apparatus, it is desirable to reduce L as much as possible. In such a case, the high voltage Va is substantially concentrated on the support frame. For this reason, it is preferable that Rs1 × L <Rs2 × H.

【００２９】上述のように、構成部材の構造パラメータ
を考慮して、導電膜１０、１１のシート抵抗を適宜設定
することで、画像表示中に支持枠表面や前面板上の画像
形成部材周辺の電位が不定になることを抑制できる。こ
れにより、画像表示領域端部に対応する電子放出素子か
ら放出される電子ビームの軌道を乱すことがなくなるた
め、画像表示領域の端部の色ずれや歪みの無い画像を安
定して表示する設計が可能となる。As described above, by appropriately setting the sheet resistances of the conductive films 10 and 11 in consideration of the structural parameters of the constituent members, during the image display, the surface of the support frame and the periphery of the image forming member on the front plate are displayed. The potential can be prevented from becoming unstable. As a result, since the trajectory of the electron beam emitted from the electron-emitting device corresponding to the edge of the image display area is not disturbed, a design for stably displaying an image without color shift or distortion at the edge of the image display area is achieved. Becomes possible.

【００３０】第１の導電膜１０並びに第２の導電膜１１
は同一の材料であってもよく、また、異なる材料からな
っても良い。これら導電膜の材料としては、真空容器中
での使用に適したガス放出の少ない材料であれば、導電
性を有する全ての材料を用いることができる。この中
で、炭素材料や酸化鈴、酸化クロム、ＩＴＯなどの金属
酸化物や、導電性材料が酸化シリコン等に分散されたも
のなどは、容易に且つ大面積にわたり均一な膜を形成で
きるため好適である。First conductive film 10 and second conductive film 11
May be the same material or may be made of different materials. As a material for these conductive films, any material having conductivity can be used as long as the material is suitable for use in a vacuum vessel and emits little gas. Among them, carbon materials, metal oxides such as tin oxide, chromium oxide, and ITO, and materials in which a conductive material is dispersed in silicon oxide or the like are preferable because a uniform film can be easily formed over a large area. It is.

【００３１】上記導電膜１０、１１の成膜方法として
は、スパッタ法、真空蒸着法、塗布法、電子ビームによ
る重合法、プラズマ法、ＣＶＤ法等が挙げられる。これ
らのいずれの方法によっても、安定した導電膜を容易に
得られる。Examples of the method for forming the conductive films 10 and 11 include a sputtering method, a vacuum evaporation method, a coating method, a polymerization method using an electron beam, a plasma method, and a CVD method. A stable conductive film can be easily obtained by any of these methods.

【００３２】次に、本発明の画像形成装置の第２の形態
を図４に示す。図４中、図１と同じ符号を付けた部材は
同じ物を示す。図４で示した画像形成装置と、図１で示
した画像形成装置との相違点は、ガラス等の絶縁性基体
上に形成された電子源２と配線３の、少なくとも周囲の
絶縁基板上に第３の導電性膜１６を有している点にあ
る。Next, a second embodiment of the image forming apparatus of the present invention is shown in FIG. 4, members denoted by the same reference numerals as those in FIG. 1 indicate the same members. The difference between the image forming apparatus shown in FIG. 4 and the image forming apparatus shown in FIG. 1 is that at least the electron source 2 and the wiring 3 formed on an insulating base such as glass are disposed on the surrounding insulating substrate. It has a third conductive film 16.

【００３３】これを図５を用いて更に詳しく説明する。
図５は背面板４の一部を拡大して示した概略図であり、
図５（ａ）は電子放出素子として表面伝導型電子放出素
子を形成した背面板、図５（ｂ）は電子放出素子として
ＭＩＭ型電子放出素子を形成した背面板の例を示してい
る。This will be described in more detail with reference to FIG.
FIG. 5 is an enlarged schematic view showing a part of the back plate 4.
FIG. 5A shows an example of a back plate on which a surface conduction electron-emitting device is formed as an electron-emitting device, and FIG. 5B shows an example of a back plate on which a MIM-type electron-emitting device is formed as an electron-emitting device.

【００３４】５２、５３は表面伝導型電子放出素子の一
対の素子電極、５４は素子電極対５２、５３に跨り形成
された導電性薄膜であり、導電性薄膜５４の一部の構造
の変化した部位に電子放出部を有している。５１はＸ方
向配線３ｘやＹ方向配線３ｙとの間を絶縁するための層
間絶縁層である。Reference numerals 52 and 53 denote a pair of device electrodes of the surface conduction electron-emitting device, and reference numeral 54 denotes a conductive thin film formed over the device electrode pairs 52 and 53. The structure of a part of the conductive thin film 54 is changed. It has an electron emitting portion at the site. Reference numeral 51 denotes an interlayer insulating layer for insulating between the X direction wiring 3x and the Y direction wiring 3y.

【００３５】また、５５はＭＩＭ型素子の下部電極と上
部電極５６の間に位置する絶縁層であり、上部電極５６
の形状に対応する膜厚の薄い領域と、配線３ｘと３ｙと
の電気的絶縁を確保するための厚い部分とからなる。Reference numeral 55 denotes an insulating layer located between the lower electrode and the upper electrode 56 of the MIM element.
And a thick portion for ensuring electrical insulation between the wirings 3x and 3y.

【００３６】また、図に示してはいないが、円錐状の突
起状電極とゲート電極を多数形成した電界放出型電子放
出素子等を用いて、同様なマトリックス状の電子源を形
成することができる。Although not shown in the figure, a similar matrix-like electron source can be formed by using a field emission type electron-emitting device having a large number of conical projecting electrodes and gate electrodes. .

【００３７】本発明によれば、上記背面板内の電極もし
くは導電性薄膜が形成されていない領域、例えば、各Ｘ
方向配線３ｘの間、各Ｙ方向配線３ｙの間、それぞれの
電子放出素子間に存在する基板１の表面等に、第３の導
電膜が形成される。そして、第３の導電膜は、電子放出
素子の駆動電圧に近い電位となるように、電極電位やグ
ランド電位などに電気的に接続されているため、これら
の領域が帯電することにより発生する電子ビーム軌道の
歪みや揺らぎを抑えることができる。第３の導電膜のシ
ート抵抗は、帯電を防止する観点から１０¹¹Ω／□以下
であることが好ましく、また、各配線や電極間の絶縁を
確保し、リーク電流による無効な消費電力を抑える観点
から１０⁸Ω／□以上であることが好ましい。第３の導
電膜を構成する材料や成膜方法は、第１の導電膜や第２
の導電膜と同じ材料や成膜方法を用いることができる。According to the present invention, a region in the back plate where no electrode or conductive thin film is formed, for example, each X
A third conductive film is formed between the direction wirings 3x, between the respective Y direction wirings 3y, on the surface of the substrate 1 existing between the respective electron-emitting devices, and the like. Since the third conductive film is electrically connected to an electrode potential, a ground potential, or the like so as to have a potential close to a driving voltage of the electron-emitting device, electrons generated by charging these regions are generated. The distortion and fluctuation of the beam trajectory can be suppressed. The sheet resistance of the third conductive film is preferably 10 ¹¹ Ω / □ or less from the viewpoint of preventing electrification. Further, insulation between wirings and electrodes is ensured, and invalid power consumption due to leak current is suppressed. From the viewpoint, it is preferably at least 10 ⁸ Ω / □. The material and the method of forming the third conductive film are the same as those of the first conductive film and the second conductive film.
The same material and film formation method as those of the conductive film can be used.

【００３８】第３の導電膜１６は、各配線や電極間の絶
縁を確保するような抵抗値に設定してあるため、電子源
を形成した背面板全体に成膜しても良く、また、予め基
板１上に第３の導電膜を成膜し、その上に電子源２や配
線群３を形成しても良い。Since the third conductive film 16 is set to have a resistance value that ensures insulation between the wirings and electrodes, the third conductive film 16 may be formed over the entire back plate on which the electron source is formed. A third conductive film may be formed on the substrate 1 in advance, and the electron source 2 and the wiring group 3 may be formed thereon.

【００３９】尚、本発明の画像形成装置は、図６や図７
に示すように、前面板と支持枠が一体形成されている場
合も含む。この場合、第１の導電膜１０と第２の導電膜
１１との電気的接続を確保して導電膜１０、１１を形成
するように注意する必要がある。It should be noted that the image forming apparatus of the present invention is applicable to the image forming apparatus shown in FIGS.
As shown in FIG. 1, the case where the front plate and the support frame are integrally formed is also included. In this case, care must be taken to secure the electrical connection between the first conductive film 10 and the second conductive film 11 to form the conductive films 10 and 11.

【００４０】次に、本発明の単純マトリクス配置の電子
源を用いて構成した表示パネルに、ＮＴＳＣ方式のテレ
ビ信号に基づいたテレビジョン表示を行う為の駆動回路
の構成例について、図１７を用いて説明する。図１７に
おいて、１０１は画像表示パネル、１０２は走査回路、
１０３は制御回路、１０４はシフトレジスタである。１
０５はラインメモリ、１０６は同期信号分離回路、１０
７は変調信号発生器、ＶｘおよびＶａは直流電圧源であ
る。Next, an example of the configuration of a drive circuit for performing a television display based on an NTSC television signal on a display panel configured using the electron sources of the simple matrix arrangement of the present invention will be described with reference to FIG. Will be explained. 17, 101 is an image display panel, 102 is a scanning circuit,
103 is a control circuit, and 104 is a shift register. 1
05 is a line memory, 106 is a synchronization signal separation circuit, 10
7 is a modulation signal generator, and Vx and Va are DC voltage sources.

【００４１】表示パネル１０１は、端子Ｄｏｘ１乃至Ｄ
ｏｘｍ、端子Ｄｏｙ１乃至Ｄｏｙｎ、及び高圧端子Ｈｖ
を介して外部の電気回路と接続している。端子Ｄｏｘ１
乃至Ｄｏｘｍには、表示パネル内に設けられている電子
源、即ち、Ｍ行Ｎ列状にマトリクス配線された冷陰極型
電子放出素子群を一行（Ｎ素子）ずつ順次駆動する為の
走査信号が印加される。The display panel 101 has terminals Dox1 to Dox
oxm, terminals Doy1 to Doyn, and high voltage terminal Hv
Connected to an external electric circuit via Terminal Dox1
To Doxm are scanning signals for sequentially driving electron sources provided in the display panel, that is, a group of cold-cathode electron-emitting devices arranged in a matrix of M rows and N columns, one row at a time (N elements). Applied.

【００４２】端子Ｄｙ１乃至Ｄｙｎには、前記走査信号
により選択された一行の冷陰極型放出素子の各素子の出
力電子ビームを制御する為の変調信号が印加される。高
圧端子Ｈｖには、直流電圧源Ｖａより、例えば１０ｋＶ
の直流電圧が供給されるが、これは表面伝導型電子放出
素子から放出される電子ビームに蛍光体を励起するのに
十分なエネルギーを付与する為の加速電圧である。To the terminals Dy1 to Dyn, a modulation signal for controlling an output electron beam of each element of the cold cathode type emission element of one row selected by the scanning signal is applied. For example, 10 kV from the DC voltage source Va is applied to the high voltage terminal Hv.
Is supplied to the electron beam emitted from the surface-conduction type electron-emitting device at an accelerating voltage for applying sufficient energy to excite the phosphor.

【００４３】走査回路１０２について説明する。同回路
は、内部にＭ個のスイッチング素子を備えたもので（図
中、Ｓ１ないしＳｍで模式的に示している）ある。各ス
イッチング素子は、直流電圧源Ｖｘの出力電圧もしくは
０Ｖ（グランドレベル）のいずれか一方を選択し、表示
パネル１０１の端子Ｄｘ１ないしＤｘｍと電気的に接続
される。Ｓ１乃至Ｓｍの各スイッチング素子は、制御回
路１０３が出力する制御信号Ｔｓｃａｎに基づいて動作
するものであり、例えばＦＥＴのようなスイッチング素
子を組み合わせることにより構成することができる。The scanning circuit 102 will be described. This circuit includes M switching elements inside (in the drawing, S1 to Sm are schematically shown). Each switching element selects either the output voltage of the DC voltage source Vx or 0 V (ground level), and is electrically connected to the terminals Dx1 to Dxm of the display panel 101. Each of the switching elements S1 to Sm operates based on the control signal Tscan output from the control circuit 103, and can be configured by combining switching elements such as FETs, for example.

【００４４】直流電圧源Ｖｘは、本例の場合には冷陰極
型電子放出素子の特性（電子放出しきい値電圧）に基づ
き走査されていない素子に印加される駆動電圧が電子放
出しきい値電圧以下となるような一定電圧を出力するよ
う設定されている。In the case of the present embodiment, the DC voltage source Vx uses a driving voltage applied to an unscanned element based on the characteristics (electron emission threshold voltage) of the cold cathode type electron emission element. It is set to output a constant voltage that is equal to or lower than the voltage.

【００４５】制御回路１０３は、外部より入力する画像
信号に基づいて適切な表示が行なわれるように各部の動
作を整合させる機能を有する。制御回路１０３は、同期
信号分離回路１０６より送られる同期信号Ｔｓｙｎｃに
基づいて、各部に対してＴｓｃａｎおよびＴｓｆｔおよ
びＴｍｒｙの各制御信号を発生する。The control circuit 103 has a function of matching the operation of each unit so that appropriate display is performed based on an image signal input from the outside. The control circuit 103 generates control signals Tscan, Tsft, and Tmry for each unit based on the synchronization signal Tsync sent from the synchronization signal separation circuit 106.

【００４６】同期信号分離回路１０６は、外部から入力
されるＮＴＳＣ方式のテレビ信号から同期信号成分と輝
度信号成分とを分離する為の回路で、一般的な周波数分
離（フィルター）回路等を用いて構成できる。同期信号
分離回路１０６により分離された同期信号は、垂直同期
信号と水平同期信号より成るが、ここでは説明の便宜上
Ｔｓｙｎｃ信号として図示した。前記テレビ信号から分
離された画像の輝度信号成分は便宜上ＤＡＴＡ信号と表
示した。該ＤＡＴＡ信号はシフトレジスタ１０４に入力
される。The synchronizing signal separating circuit 106 is a circuit for separating a synchronizing signal component and a luminance signal component from an NTSC television signal inputted from the outside, and uses a general frequency separating (filter) circuit or the like. Can be configured. The synchronizing signal separated by the synchronizing signal separating circuit 106 includes a vertical synchronizing signal and a horizontal synchronizing signal, but is shown here as a Tsync signal for convenience of explanation. The luminance signal component of the image separated from the television signal is represented as a DATA signal for convenience. The DATA signal is input to the shift register 104.

【００４７】シフトレジスタ１０４は、時系列的にシリ
アルに入力される前記ＤＡＴＡ信号を、画像の１ライン
毎にシリアル／パラレル変換するためのもので、前記制
御回路１０３より送られる制御信号Ｔｓｆｔに基づいて
動作する（即ち、制御信号Ｔｓｆｔは、シフトレジスタ
１０４のシフトクロックであるということもでき
る。）。シリアル／パラレル変換された画像１ライン分
（電子放出素子Ｎ素子分の駆動データに相当）のデータ
は、Ｉｄ１乃至ＩｄｎのＮ個の並列信号として前記シフ
トレジスタ１０４より出力される。The shift register 104 is for serially / parallel converting the DATA signal input serially in time series for each line of an image, and is based on a control signal Tsft sent from the control circuit 103. (Ie, the control signal Tsft can be said to be a shift clock of the shift register 104). The data for one line of the image subjected to the serial / parallel conversion (corresponding to drive data for N electron-emitting devices) is output from the shift register 104 as N parallel signals Id1 to Idn.

【００４８】ラインメモリ１０５は、画像１ライン分の
データを必要時間の間だけ記憶する為の記憶装置であ
り、制御回路１０３より送られる制御信号Ｔｍｒｙに従
って適宜Ｉｄ１乃至Ｉｄｎの内容を記憶する。記憶され
た内容は、Ｉ’ｄ１乃至Ｉ’ｄｎとして出力され、変調
信号発生器１０７に入力される。The line memory 105 is a storage device for storing data of one line of an image for a necessary time only, and stores the contents of Id1 to Idn as appropriate according to a control signal Tmry sent from the control circuit 103. The stored contents are output as I'd1 to I'dn and input to the modulation signal generator 107.

【００４９】変調信号発生器１０７は、画像データＩ’
ｄ１乃至Ｉ’ｄｎの各々に応じて表面伝導型電子放出素
子の各々を適切に駆動変調する為の信号源であり、その
出力信号は、端子Ｄｏｙ１乃至Ｄｏｙｎを通じて表示パ
ネル１０１内の表面伝導型電子放出素子に印加される。The modulation signal generator 107 outputs the image data I '
The signal source is a signal source for appropriately driving and modulating each of the surface conduction electron-emitting devices according to each of d1 to I'dn, and its output signal is supplied to the surface conduction electron-emitting device in the display panel 101 through terminals Doy1 to Doyn. Applied to the emitting element.

【００５０】本発明を適用可能な電子放出素子は放出電
流Ｉｅに対して以下の基本特性を有している。即ち、電
子放出には明確なしきい値電圧Ｖｔｈがあり、Ｖｔｈ以
上の電圧を印加された時のみ電子放出が生じる。電子放
出しきい値以上の電圧に対しては、素子への印加電圧の
変化に応じて放出電流も変化する。このことから、本素
子にパルス状の電圧を印加する場合、例えば電子放出閾
値以下の電圧を印加しても電子放出は生じないが、電子
放出閾値以上の電圧を印加する場合には電子ビームが出
力される。その際、パルスの波高値Ｖｍを変化させる事
により出力電子ビームの強度を制御することが可能であ
る。また、パルスの幅Ｐｗを変化させることにより出力
される電子ビームの電荷の総量を制御する事が可能であ
る。The electron-emitting device to which the present invention can be applied has the following basic characteristics with respect to the emission current Ie. That is, electron emission has a clear threshold voltage Vth, and electron emission occurs only when a voltage equal to or higher than Vth is applied. For a voltage equal to or higher than the electron emission threshold, the emission current also changes according to the change in the voltage applied to the device. From this, when a pulse-like voltage is applied to this element, for example, when a voltage lower than the electron emission threshold is applied, electron emission does not occur, but when a voltage higher than the electron emission threshold is applied, the electron beam is emitted. Is output. At that time, the intensity of the output electron beam can be controlled by changing the pulse peak value Vm. In addition, it is possible to control the total amount of charges of the output electron beam by changing the pulse width Pw.

【００５１】従って、入力信号に応じて、電子放出素子
を変調する方式としては、電圧変調方式、パルス幅変調
方式等が採用できる。電圧変調方式を実施するに際して
は、変調信号発生器１０７として、一定長さの電圧パル
スを発生し、入力されるデータに応じて適宜パルスの波
高値を変調するような電圧変調方式の回路を用いること
ができる。Therefore, as a method of modulating the electron-emitting device in accordance with the input signal, a voltage modulation method, a pulse width modulation method, or the like can be employed. When implementing the voltage modulation method, a circuit of a voltage modulation method that generates a voltage pulse of a fixed length and modulates the peak value of the pulse appropriately according to input data is used as the modulation signal generator 107. be able to.

【００５２】パルス幅変調方式を実施するに際しては、
変調信号発生器１０７として、一定の波高値の電圧パル
スを発生し、入力されるデータに応じて適宜電圧パルス
の幅を変調するようなパルス幅変調方式の回路を用いる
ことができる。When implementing the pulse width modulation method,
As the modulation signal generator 107, a pulse width modulation type circuit that generates a voltage pulse having a constant peak value and appropriately modulates the width of the voltage pulse according to input data can be used.

【００５３】シフトレジスタ１０４やラインメモリ１０
５は、デジタル信号式のものをもアナログ信号式のもの
をも採用できる。画像信号のシリアル／パラレル変換や
記憶が所定の速度で行なわれれば良いからである。The shift register 104 and the line memory 10
5 can be either a digital signal type or an analog signal type. This is because the serial / parallel conversion and storage of the image signal may be performed at a predetermined speed.

【００５４】デジタル信号式を用いる場合には、同期信
号分離回路１０６の出力信号ＤＡＴＡをデジタル信号化
する必要があるが、これには１０６の出力部にＡ／Ｄ変
換器を設ければ良い。これに関連してラインメモリ１０
５の出力信号がデジタル信号かアナログ信号かにより、
変調信号発生器１０７に用いられる回路が若干異なった
ものとなる。即ち、デジタル信号を用いた電圧変調方式
の場合、変調信号発生器１０７には、例えばＤ／Ａ変換
回路を用い、必要に応じて増幅回路などを付加する。パ
ルス幅変調方式の場合、変調信号発生器１０７には、例
えば高速の発振器および発振器の出力する波数を計数す
る計数器（カウンタ）及び計数器の出力値と前記メモリ
の出力値を比較する比較器（コンパレータ）を組み合せ
た回路を用いる。必要に応じて、比較器の出力するパル
ス幅変調された変調信号を表面伝導型電子放出素子の駆
動電圧にまで電圧増幅するための増幅器を付加すること
もできる。When the digital signal type is used, it is necessary to convert the output signal DATA of the synchronizing signal separating circuit 106 into a digital signal. For this purpose, an A / D converter may be provided at the output section of the synchronous signal separating circuit 106. In connection with this, the line memory 10
Depending on whether the output signal of 5 is a digital signal or an analog signal,
The circuit used for modulation signal generator 107 is slightly different. That is, in the case of the voltage modulation method using a digital signal, for example, a D / A conversion circuit is used as the modulation signal generator 107, and an amplification circuit and the like are added as necessary. In the case of the pulse width modulation method, the modulation signal generator 107 includes, for example, a high-speed oscillator, a counter for counting the number of waves output from the oscillator, and a comparator for comparing the output value of the counter with the output value of the memory. (Comparator) is used. If necessary, an amplifier for voltage-amplifying the pulse width modulated signal output from the comparator to the drive voltage of the surface conduction electron-emitting device can be added.

【００５５】アナログ信号を用いた電圧変換方式の場
合、変調信号発生器１０７には、例えばオペアンプなど
を用いた増幅回路を採用でき、必要に応じてレベルシフ
ト回路などを付加することもできる。パルス幅変調方式
の場合には、例えば、電圧制御型発振回路（ＶＯＣ）を
採用でき、必要に応じて表面伝導型電子放出素子の駆動
電圧まで電圧増幅するための増幅器を付加することもで
きる。In the case of the voltage conversion method using an analog signal, an amplification circuit using, for example, an operational amplifier can be used as the modulation signal generator 107, and a level shift circuit or the like can be added as needed. In the case of the pulse width modulation method, for example, a voltage-controlled oscillation circuit (VOC) can be employed, and an amplifier for amplifying the voltage up to the drive voltage of the surface conduction electron-emitting device can be added as necessary.

【００５６】このような構成をとり得る本発明の適用可
能な画像表示装置においては、各電子放出素子に、容器
外端子Ｄｏｘ１乃至Ｄｏｘｍ、Ｄｏｙ１乃至Ｄｏｙｎを
介して電圧を印加することにより、電子放出が生ずる。
高圧端子Ｈｖを介してメタルバック８５、あるいは透明
電極（不図示）に高圧を印加し、電子ビームを加速す
る。加速された電子は、蛍光膜８４に衝突し、発光が生
じて画像が形成される。In the image display apparatus to which the present invention can be applied, the electron emission element can be applied by applying a voltage to each of the electron emission elements via the external terminals Dox1 to Doxm and Doy1 to Doyn. Occurs.
A high voltage is applied to the metal back 85 or a transparent electrode (not shown) via the high voltage terminal Hv to accelerate the electron beam. The accelerated electrons collide with the fluorescent film 84 and emit light to form an image.

【００５７】ここで述べた画像表示装置の構成は、本発
明を適用可能な画像表示装置の一例であり、本発明の技
術思想に基づいて種々の変形が可能である。入力信号に
ついては、ＮＴＳＣ方式を挙げたが入力信号はこれに限
られるものではなく、ＰＡＬ、ＳＥＣＡＭ方式など他、
これよりも、多数の走査線からなるＴＶ信号（例えば、
ＭＵＳＥ方式をはじめとする高品位ＴＶ）方式をも採用
できる。The configuration of the image display device described here is an example of an image display device to which the present invention can be applied, and various modifications can be made based on the technical idea of the present invention. As for the input signal, the NTSC system has been described, but the input signal is not limited to this, and the PAL, SECAM system, etc.
A TV signal composed of a large number of scanning lines (for example,
A high-definition TV system such as the MUSE system can also be adopted.

【００５８】[0058]

【実施例】以下に、具体的な実施例を挙げて本発明を説
明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものでは
なく、本発明の目的が達成される範囲内で、各要素の置
換えや設計変更がなされたものを包含するものである。EXAMPLES The present invention will be described below with reference to specific examples. However, the present invention is not limited to these examples, and each element is set within a range in which the object of the present invention is achieved. And that the design is changed.

【００５９】〔実施例１〕本実施例は、図２中の電子源
として、表面伝導型電子放出素子を多数（１００行×３
００列）形成した単純マトリクス配線の電子源を用い、
本発明の画像形成装置を構成した例である。[Embodiment 1] In this embodiment, a large number of surface conduction electron-emitting devices (100 rows × 3 rows) were used as the electron sources in FIG.
00 column) using the formed simple matrix wiring electron source,
1 is an example in which the image forming apparatus of the present invention is configured.

【００６０】電子源の概略平面図を図８に示す。ここ
で、７１は基板、７２はＸ方向配線、７３はＹ方向配
線、７４は表面伝導型電子放出素子である。表面伝導型
電子放出素子７４の近傍を更に拡大した図を図９に示
す。図９（ａ）は平面図であり、図９（ｂ）は図９
（ａ）中のＡ−Ａ’断面図である。尚、図８、図９で同
じ記号で示したものは同じものを示す。ここで、４１、
４２は素子電極、４３は導電性薄膜、４４は電子放出
部、４５は素子電極４２とＹ方向配線７３を電気的に接
続するためのコンタクトホール、４６は層間絶縁層であ
る。FIG. 8 is a schematic plan view of the electron source. Here, 71 is a substrate, 72 is an X-direction wiring, 73 is a Y-direction wiring, and 74 is a surface conduction electron-emitting device. FIG. 9 shows a further enlarged view of the vicinity of the surface conduction electron-emitting device 74. FIG. 9A is a plan view, and FIG.
It is AA 'sectional drawing in (a). 8 and 9 indicate the same components. Where 41,
42 is a device electrode, 43 is a conductive thin film, 44 is an electron emitting portion, 45 is a contact hole for electrically connecting the device electrode 42 to the Y-directional wiring 73, and 46 is an interlayer insulating layer.

【００６１】以下に、本実施例の画像表示装置の製造方
法について、図２、図１０、図１１、図１２を参照しつ
つ説明する。Hereinafter, a method of manufacturing the image display device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 2, 10, 11, and 12.

【００６２】工程−ａ 清浄化したソーダライムガラス上に厚さ０．５μｍのシ
リコン酸化膜をスパッタ法で形成した基板７１上に、真
空蒸着により厚さ５ｎｍのＣｒ、厚さ６００ｎｍのＡｕ
を順次積層した後、フォトレジスト（ＡＺ１３７０ヘキ
スト社製）をスピンナーにより回転塗布、ベークした
後、フォトマスク像を露光、現像して、Ｙ方向配線７３
のレジストパターンを形成し、Ａｕ／Ｃｒ堆積膜をウェ
ットエッチングして、所望の形状のＹ方向配線７３を形
成する（図１０の（ａ））。Step-a A 5 nm thick Cr film and a 600 nm thick Au film are formed on a substrate 71 obtained by forming a 0.5 μm thick silicon oxide film on a cleaned soda lime glass by a sputtering method.
Are sequentially laminated, a photoresist (manufactured by Hoechst AZ1370) is spin-coated with a spinner and baked, and then a photomask image is exposed and developed to form a Y-directional wiring 73.
Is formed, and the Au / Cr deposited film is wet-etched to form a Y-directional wiring 73 having a desired shape (FIG. 10A).

【００６３】工程−ｂ 次に、厚さ１．０μｍのシリコン酸化膜からなる層間絶
縁層４６をＲＦスパッタ法により堆積する（図１０の
（ｂ））。Step-b Next, an interlayer insulating layer 46 made of a silicon oxide film having a thickness of 1.0 μm is deposited by RF sputtering (FIG. 10B).

【００６４】工程−ｃ 前記工程ｂで堆積したシリコン酸化膜にコンタクトホー
ル４５を形成するためのフォトレジストパターンを作
り、これをマスクとして層間絶縁層４６をエッチングし
てコンタクトホール４５を形成する。エッチングはＣＦ
₄とＨ₂ガスを用いたＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ
Ｅｔｃｈｉｎｇ）法によった（図１０の（ｃ））。Step-c A photoresist pattern for forming the contact hole 45 is formed in the silicon oxide film deposited in the step b, and the interlayer insulating layer 46 is etched using the photoresist pattern as a mask to form the contact hole 45. Etching is CF
(Reactive Ion) using methane ₄ and H ₂ gas
Etching) method (FIG. 10 (c)).

【００６５】工程−ｄ その後、素子電極４１、４２と素子電極間ギャップＧと
なるべきパターンをフォトレジスト（ＲＤ−２０００Ｎ
−４１日立化成社製）で形成し、真空蒸着法により、厚
さ５ｎｍのＴｉ、厚さ１００ｎｍのＮｉを順次堆積し
た。フォトレジストパターンを有機溶剤で溶解し、Ｎｉ
／Ｔｉ堆積膜をリフトオフし、素子電極間隔Ｇは３μ
ｍ、素子電極の幅は３００μｍとし、素子電極４１、４
２を形成した（図１０の（ｄ））。Step-d Thereafter, a pattern to be a gap G between the device electrodes 41 and 42 and the device electrode is formed by a photoresist (RD-2000N).
-41 manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), and a 5 nm-thick Ti and a 100 nm-thick Ni were sequentially deposited by a vacuum evaporation method. Dissolve the photoresist pattern with an organic solvent and add Ni
/ Ti deposited film is lifted off, and the element electrode interval G is 3 μm.
m, the width of the device electrode is 300 μm,
2 was formed (FIG. 10D).

【００６６】工程−ｅ 素子電極４１、４２の上にＸ方向配線７２のフォトレジ
ストパターンを形成した後、厚さ５ｎｍのＴｉ、厚さ５
００ｎｍのＡｕを順次、真空蒸着により堆積し、リフト
オフにより不要の部分を除去して、所望の形状のＸ方向
配線７２を形成した（図１１の（ｅ））。Step-e After forming a photoresist pattern of the X-directional wiring 72 on the device electrodes 41 and 42, a 5 nm thick Ti
Au having a thickness of 00 nm was sequentially deposited by vacuum evaporation, and unnecessary portions were removed by lift-off to form an X-directional wiring 72 having a desired shape (FIG. 11E).

【００６７】工程−ｆ 膜厚１００ｎｍのＣｒ膜４７を真空蒸着により堆積・パ
ターニングし、その上にＰｄアミン錯体の溶液（ｃｃｐ
４２３０奥野製薬（株）社製）をスピンナーにより回転
塗布、３００℃で１０分間の加熱焼成処理をした。ま
た、こうして形成された、主元素としてＰｄよりなる導
電性薄膜４３の膜厚は９．４ｎｍ、シート抵抗値は２．
３×１０⁴Ω／□であった（図１１の（ｆ））。Step-f A Cr film 47 having a thickness of 100 nm is deposited and patterned by vacuum evaporation, and a Pd amine complex solution (ccp
4230 Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.) was spin-coated with a spinner and heated and baked at 300 ° C. for 10 minutes. The conductive thin film 43 made of Pd as the main element thus formed has a thickness of 9.4 nm and a sheet resistance of 2.
It was 3 × 10 ⁴ Ω / □ ((f) in FIG. 11).

【００６８】工程−ｇ Ｃｒ膜４７及び焼成後の導電性薄膜４３を酸エッチャン
トによりエッチングして所望のパターンを形成した（図
１１の（ｇ））。Step-g The Cr film 47 and the fired conductive thin film 43 were etched with an acid etchant to form a desired pattern (FIG. 11 (g)).

【００６９】工程−ｈ コンタクトホール４５部分以外にレジストを塗布するよ
うなパターンを形成し、真空蒸着により厚さ５ｎｍのＴ
ｉ、厚さ５００ｎｍのＡｕを順次堆積した。リフトオフ
により不要の部分を除去することにより、コンタクトホ
ール４５を埋め込んだ（図１１の（ｈ））。Step-h A pattern is formed such that a resist is applied to portions other than the contact hole 45, and a 5 nm-thick T
i, Au having a thickness of 500 nm was sequentially deposited. Unnecessary portions were removed by lift-off to bury the contact holes 45 (FIG. 11H).

【００７０】以上の工程により基板１上に複数の導電性
薄膜４３が、Ｘ方向配線７２とＹ方向配線７３とにより
単純マトリクス配線された電子源を有する背面板を形成
した。Through the above steps, a back plate having an electron source in which a plurality of conductive thin films 43 were arranged on the substrate 1 by a simple matrix wiring of the X-directional wiring 72 and the Y-directional wiring 73 was formed.

【００７１】工程−ｉ 次に画像表示部分となる前面板７を作成した。前面板７
には、予めガラス基板５の片側全面にＩＴＯからなる透
明電極を設けておいた。ＩＴＯ膜は本発明における第１
の導電膜としての機能を備えており、シート抵抗は２×
１０³Ω／□とした。Step-i Next, a front plate 7 serving as an image display portion was prepared. Front panel 7
, A transparent electrode made of ITO was provided on the entire surface of one side of the glass substrate 5 in advance. The ITO film is the first in the present invention.
And has a sheet resistance of 2 ×
10 ³ Ω / □.

【００７２】画像形成部材であるところの蛍光膜６は、
カラーを実現するために、図１２に示すようにストライ
プ形状の蛍光体とし、先にブラックストライプ９１を形
成し、その間隙部にスラリー法により各色蛍光体９２を
塗布して蛍光膜６を作製した。ブラックストライプの材
料として通常良く用いられている黒鉛を主成分とする材
料を用いた。The fluorescent film 6, which is an image forming member,
In order to realize color, as shown in FIG. 12, a phosphor in the form of a stripe was formed, a black stripe 91 was formed first, and phosphors 92 of each color were applied to the gaps by a slurry method to form the phosphor film 6. . As the material for the black stripe, a material mainly containing graphite, which is generally used, was used.

【００７３】また、蛍光膜６の電子源に対向する面側に
はメタルバックを設けた。メタルバックは、蛍光膜６の
作製後、蛍光膜６の内面側表面の平滑化処理（通常、フ
ィルミングと呼ばれる）を行い、その後Ａｌを真空蒸着
することで作製した。A metal back is provided on the surface of the fluorescent film 6 facing the electron source. The metal back was manufactured by performing a smoothing process (usually called filming) on the inner surface of the fluorescent film 6 after the fluorescent film 6 was manufactured, and then performing vacuum deposition of Al.

【００７４】工程−ｊ 次に、支持枠９を作成した。支持枠９はソーダライムガ
ラスからなり、電子ビーム蒸着により酸化クロムからな
る第２の導電膜を成膜した。シート抵抗は３×１０¹⁰Ω
／□とした。また、支持枠９の背面板と接合される接合
面と第２の導電膜端部にかけて、Ａｌの蒸着膜からなる
電極を形成した。Step-j Next, a support frame 9 was prepared. The support frame 9 was made of soda lime glass, and a second conductive film made of chromium oxide was formed by electron beam evaporation. Sheet resistance is 3 × 10 ¹⁰ Ω
/ □. Further, an electrode made of a vapor-deposited Al film was formed over the joint surface of the support frame 9 joined to the back plate and the end of the second conductive film.

【００７５】工程−ｋ 以上のようにして多数の表面伝導型電子放出素子を作製
した背面板の３ｍｍ上方に、先ほど作成した前面板７を
支持枠９を介して配置し、前面板７と支持枠９との接合
部にはＡｕ微粒子のフィラーを混合させた導電性フリッ
トガラスを塗布し、支持枠９と背面板４との間には通常
の（絶縁性の）フリットガラスを塗布して、大気中で４
１０℃で１０分間焼成することで封着した。Step-k The front plate 7 prepared above is placed via the support frame 9 3 mm above the rear plate on which a number of surface conduction electron-emitting devices have been prepared as described above, and the front plate 7 is supported. A conductive frit glass mixed with a filler of Au fine particles is applied to a joint with the frame 9, and a normal (insulating) frit glass is applied between the support frame 9 and the back plate 4. 4 in the atmosphere
It sealed by baking at 10 degreeC for 10 minutes.

【００７６】前述の封着を行う際、カラーの場合は各色
蛍光体９２と表面伝導型電子放出素子７４とを対応させ
なくてはいけないため、十分な位置合わせを行った。At the time of performing the above-mentioned sealing, in the case of color, since the phosphors 92 of each color must correspond to the surface conduction electron-emitting device 74, sufficient alignment was performed.

【００７７】封着された前面板７、支持枠９、背面板４
からなる容器を、以降、外囲器と呼ぶ。The sealed front plate 7, support frame 9, back plate 4
Is hereinafter referred to as an envelope.

【００７８】続いてフォーミング及び活性化を行い、更
に安定化処理を行った。Subsequently, forming and activation were performed, and a stabilization process was further performed.

【００７９】本工程のフォーミング及び活性化、そして
次の工程であるエージング工程中、図１３に示す真空装
置を使用した。図１３において、１３１は製造工程下の
画像表示装置、１３２は排気管であり、製造工程下の画
像表示装置１３１と真空チャンバー１３３を接続してい
る。また、真空チャンバー１３３はゲートバルブ１３４
に連結されており、ゲートバルブ１３４は排気装置１３
５に連結されている。排気装置１３５は磁気浮上型のタ
ーボ分子ポンプと不図示のバルブを介して連結されたバ
ックアップ用のドライポンプによって構成されている。
また、真空チャンバー１３３には、内部の圧力をモニタ
ーする圧力計１３６と、真空チャンバー１３３内部の残
留ガス量を計測するための残留ガス分析装置１３７が装
備されている。更に、真空チャンバー１３３は、ガス導
入ライン１３８とガス導入ライン１３８の途中に設置さ
れたガス導入制御装置１３９を通じて、導入物質元１４
０が封入されたアンプルに連結されている。本実施例に
おいては、ガス導入制御装置として超高真空対応のスロ
ーリークバルブを用い、導入物質元としてベンゾニトリ
ルを用いた。During the forming and activation of this step and the aging step which is the next step, a vacuum apparatus shown in FIG. 13 was used. In FIG. 13, reference numeral 131 denotes an image display device in the manufacturing process, and 132 denotes an exhaust pipe, which connects the image display device 131 in the manufacturing process and the vacuum chamber 133. The vacuum chamber 133 is provided with a gate valve 134.
And the gate valve 134 is connected to the exhaust device 13.
5. The exhaust device 135 is constituted by a backup dry pump connected to a magnetic levitation type turbo molecular pump via a valve (not shown).
The vacuum chamber 133 is equipped with a pressure gauge 136 for monitoring the internal pressure and a residual gas analyzer 137 for measuring the residual gas amount inside the vacuum chamber 133. Further, the vacuum chamber 133 is connected to the gas introduction line 138 and a gas introduction control device 139 provided in the middle of the gas introduction line 138.
0 is connected to the enclosed ampule. In the present embodiment, a slow leak valve corresponding to an ultra-high vacuum was used as a gas introduction control device, and benzonitrile was used as a material to be introduced.

【００８０】工程−ｌ 先の工程を完了した外囲器８７内の気体を、排気管１３
２と真空チャンバー１３３を通じて排気装置 １３５に
て排気し、圧力計１３６の表示値で約１×１０^-3Ｐａに
達した後、図１４に示す装置を用いてフォーミングを行
った。Step-1 The gas in the envelope 87 which has completed the previous step is discharged to the exhaust pipe 13.
The gas was exhausted by the exhaust device 135 through the vacuum chamber 133 and the vacuum chamber 133, and after the pressure indicated by the pressure gauge 136 reached about 1 × 10 ⁻³ Pa, forming was performed using the device shown in FIG.

【００８１】図１４は、フォーミング工程において、製
造工程下の画像表示装置内の電子源への電圧印加方法を
説明するための図であり、本実施例においては、以降の
工程である活性化工程でも使用される。FIG. 14 is a diagram for explaining a method of applying a voltage to the electron source in the image display device under the manufacturing process in the forming process. In the present embodiment, the activation process which is a subsequent process is described. But also used.

【００８２】図１４に示すように、製造工程下の画像表
示装置１３１を構成する電子源基板１は、Ｙ方向配線Ｄ
ｙ１〜Ｄｙｎを共通結線してグランドに接続し、一方、
Ｘ方向配線Ｄｘ１〜Ｄｘｍは各々をスイッチボックス１
４３の対応する端子に接続している。スイッチボックス
１４３内の各端子は、電源１４１の出力電圧か、また
は、グランド電位のいずれかのレベルを選択できる。
尚、電源１４１から電子源へと流れる電流は電流計１４
２により計測できる。As shown in FIG. 14, the electron source substrate 1 constituting the image display device 131 in the manufacturing process has a Y-direction wiring D
y1 to Dyn are connected in common and connected to the ground.
Each of the X-direction wirings Dx1 to Dxm is a switch box 1
43 corresponding terminals. Each terminal in the switch box 143 can select either the output voltage of the power supply 141 or the ground potential.
The current flowing from the power source 141 to the electron source is measured by the ammeter 14.
2 can be measured.

【００８３】スイッチボックス１４３により、Ｘ方向配
線Ｄｘ１〜Ｄｘｍの中から１ラインを選択し、この選択
したラインに電流計１４２を通じて電源１４１からのパ
ルス電圧を印加する。なお、非選択のラインは、スイッ
チボックス１４３により、グランドに接続されている。
フォーミング処理はＸ方向の素子行に対し、１行毎に行
った。印加したパルスの波形は、図１５（ａ）に示すよ
うな矩形波パルスで、波高値（素子電極間の電圧差のピ
ーク）を０Ｖから徐々に上昇させた。パルス幅Ｔ１＝１
ｍｓｅｃ、パルス間隔Ｔ２＝１０ｍｓｅｃとした。ま
た、矩形波パルスの間に、波高値０．１Ｖの矩形波パル
スを挿入し、電流を測ることにより各行の抵抗値を測定
した。抵抗値が１素子あたり１ＭΩを越えたところで、
その行のフォーミングを終了し、次の行の処理に移っ
た。これをすべての行について行い、すべての前記導電
性薄膜のフォーミングを完了し各導電性膜に電子放出部
を形成して、複数の表面伝導型電子放出素子が単純マト
リクス配線された電子源を作成した。The switch box 143 selects one line from the X-direction wirings Dx1 to Dxm, and applies a pulse voltage from the power supply 141 to the selected line through the ammeter 142. The unselected lines are connected to the ground by the switch box 143.
The forming process was performed for each element row in the X direction. The waveform of the applied pulse was a rectangular pulse as shown in FIG. 15A, and the peak value (peak of the voltage difference between the device electrodes) was gradually increased from 0V. Pulse width T1 = 1
msec and the pulse interval T2 = 10 msec. A rectangular wave pulse having a peak value of 0.1 V was inserted between the rectangular wave pulses, and the current was measured to measure the resistance value of each row. When the resistance value exceeds 1 MΩ per element,
The forming of the line is completed, and the process proceeds to the next line. This process is performed for all the rows, the forming of all the conductive thin films is completed, and an electron emission portion is formed in each conductive film, and an electron source in which a plurality of surface conduction electron-emitting devices are arranged in a simple matrix is created. did.

【００８４】工程−ｍ 次に、真空チャンバー１３３内にベンゾニトリルを導入
し、圧力計１３６の表示値で約１×１０^-4Ｐａとなるよ
うに調整した。その際、残留ガス分析装置１３７を使用
して、確実にベンゾニトリルのガス分子が真空チャンバ
ー１３３内に導入されていることを確認している。Step-m Next, benzonitrile was introduced into the vacuum chamber 133 and adjusted so that the indicated value of the pressure gauge 136 became about 1 × 10 ⁻⁴ Pa. At this time, the residual gas analyzer 137 is used to confirm that the gas molecules of benzonitrile are surely introduced into the vacuum chamber 133.

【００８５】その後、フォーミング工程と同様に図１４
の装置を用いて、各Ｘ方向配線を通じてパルス電圧を印
加することにより各電子放出素子の活性化処理を行っ
た。Thereafter, as in the forming step, FIG.
Using the device described above, the activation process of each electron-emitting device was performed by applying a pulse voltage through each X-direction wiring.

【００８６】電源１４１により生成したパルス波形は図
１５（ｂ）に示した矩形波で、波高値１６Ｖ、パルス幅
Ｔ１＝６０μｓｅｃ、パルス間隔は６９μｓｅｃであ
る。スイッチボックス１４３により、パルスに同期して
選択ラインをＤｘ１〜Ｄｘｍまで順次切り替えることを
繰り返した。この結果、各素子行にはＴ１＝６０μｓｅ
ｃ、Ｔ２＝１６．６ｍｓｅｃの矩形波が行毎に位相を少
しずつシフトされて印加される。The pulse waveform generated by the power supply 141 is the rectangular wave shown in FIG. 15B, with a peak value of 16 V, a pulse width T1 = 60 μsec, and a pulse interval of 69 μsec. The switching of the selected line from Dx1 to Dxm sequentially by the switch box 143 in synchronization with the pulse was repeated. As a result, each element row has T1 = 60 μs
c, a rectangular wave of T2 = 16.6 msec is applied with its phase slightly shifted for each row.

【００８７】上記電圧パルスを６０分印加したところで
活性化ガスの導入を停止して、外囲器８７内から活性か
ガスを排気して活性化処理を終了した。When the voltage pulse was applied for 60 minutes, the introduction of the activation gas was stopped, and the activation gas was exhausted from the envelope 87 to complete the activation process.

【００８８】工程−ｎ 次に、安定化処理を行った。安定化処理は外囲器８７全
体を２００℃で１０時間加熱しながら真空排気すること
で行った。安定化処理終了後、室温における真空チャン
バー１３３内の圧力は約１×１０^-6Ｐａとなっていた。Step-n Next, a stabilizing treatment was performed. The stabilization process was performed by evacuating the entire envelope 87 while heating it at 200 ° C. for 10 hours. After completion of the stabilization process, the pressure in the vacuum chamber 133 at room temperature was about 1 × 10 ⁻⁶ Pa.

【００８９】工程−ｏ この後、封止後のパネル内の圧力を維持するために、高
周波加熱法で外囲器内に形成しておいたゲッターを加熱
し、Ｂａ等からなる蒸着膜を外囲器内部に形成する処理
を行った。次に、排気管１３２をガスバーナーで熱する
ことで溶着し、外囲器８７の封止を行った。Step-o After that, in order to maintain the pressure in the panel after sealing, the getter formed in the envelope is heated by a high frequency heating method to remove the deposited film made of Ba or the like. A process for forming the inside of the envelope was performed. Next, the exhaust pipe 132 was welded by heating with a gas burner, and the envelope 87 was sealed.

【００９０】次に、上記画像表示装置に対して、図１７
のシステムを用いて通常の画像表示を行った。画像表示
を行う際は、支持枠の背面板側端面に形成した電極をグ
ランド電位に接続し、一方、画像形成部材には高圧端子
を通じて８ｋＶの高電圧を印加した。Next, the image display device shown in FIG.
A normal image display was performed using the system described above. When displaying an image, the electrode formed on the end face on the back plate side of the support frame was connected to the ground potential, while a high voltage of 8 kV was applied to the image forming member through a high voltage terminal.

【００９１】本実施例の画像形成装置は、画像表示領域
端部に対応する電子放出素子から放出される電子ビーム
の軌道を乱すことがなく、画像表示領域の端部の色ずれ
や歪みの無い画像を安定して表示することができた。The image forming apparatus of this embodiment does not disturb the trajectory of the electron beam emitted from the electron-emitting device corresponding to the end of the image display area, and does not have color shift or distortion at the end of the image display area. Images could be displayed stably.

【００９２】〔実施例２〕本実施例は、図２中の電子源
として、図１６（ｅ）に示す表面伝導型電子放出素子を
多数（１００行×３００列）形成した単純マトリクス配
線の電子源を用い、本発明の画像形成装置を構成した例
である。[Embodiment 2] In this embodiment, as the electron source in FIG. 2, electrons of a simple matrix wiring in which a large number (100 rows × 300 columns) of surface conduction electron-emitting devices shown in FIG. 1 is an example in which an image forming apparatus of the present invention is configured using a source.

【００９３】図１６を参照しながら、製造方法を説明す
る。The manufacturing method will be described with reference to FIG.

【００９４】（工程１）ソーダライムガラス基板１を洗
剤と純水により洗浄した後、オフセット印刷法により、
素子電極５２、５３の形状のＭＯＤペースト（ＤＵ−２
１１０；ノリタケ（株）製）のパターンを形成した。該
ＭＯＤペーストは金属成分として、金を含むものであ
る。(Step 1) After the soda lime glass substrate 1 is washed with a detergent and pure water, the substrate is subjected to an offset printing method.
The MOD paste having the shape of the device electrodes 52 and 53 (DU-2)
110; a product of Noritake Co., Ltd.). The MOD paste contains gold as a metal component.

【００９５】印刷後、１１０℃で２０分乾燥し、次いで
熱処理装置によりピーク温度５８０℃ピーク保持時間８
分間の条件で上記ＭＯＤペーストを焼成し、厚さ０．３
μｍの素子電極５２、５３を形成した。素子電極間隔は
７０μｍとした（図１６（ａ））。After printing, drying was performed at 110 ° C. for 20 minutes.
The MOD paste is fired under the condition of
μm device electrodes 52 and 53 were formed. The device electrode interval was set to 70 μm (FIG. 16A).

【００９６】（工程２）次いで、金属成分として銀を含
むペースト材料（ＮＰ−４０２８Ａ；ノリタケ（株）
製）を用い、スクリーン印刷法によりＹ方向配線３ｙの
パターンを素子電極５３と接触するように形成し、工程
１と同様の条件で焼成してＹ方向配線を基板１上に形成
した（図１６（ｂ））。(Step 2) Next, a paste material containing silver as a metal component (NP-4028A; Noritake Co., Ltd.)
The pattern of the Y-direction wiring 3y was formed by screen printing so as to be in contact with the element electrode 53, and baked under the same conditions as in Step 1 to form the Y-direction wiring on the substrate 1 (FIG. 16). (B)).

【００９７】（工程３）次に、ＰｂＯを主成分とするペ
ーストを用い、層間絶縁層５１のパターンを印刷して工
程１、２と同様の条件で焼成し、層間絶縁層５１を形成
した（図１６（ｃ））。該層間絶縁層は素子電極５２
と、後の工程で形成するＸ方向配線とが接続されるよ
う、切り欠き部分を有している。(Step 3) Next, using a paste containing PbO as a main component, the pattern of the interlayer insulating layer 51 was printed and baked under the same conditions as in Steps 1 and 2 to form the interlayer insulating layer 51 ( FIG. 16 (c)). The interlayer insulating layer is a device electrode 52
And an X-direction wiring formed in a later step.

【００９８】（工程４）工程２と同様の方法で、Ｘ方向
配線３ｘを形成した（図１６（ｄ））。(Step 4) X-directional wiring 3x was formed in the same manner as in step 2 (FIG. 16D).

【００９９】（工程５）次いで、導電性薄膜５４を形成
した。有機パラジウム含有溶液を、バブルジェット方式
のインクジェット噴射装置を用いて、幅が２００マイク
ロメートルとなるように付与して行った。その後３５０
℃で１０分間の加熱処理を行って、酸化パラジウムから
成る導電性膜５４を得た（図１６（ｅ））。(Step 5) Next, a conductive thin film 54 was formed. An organic palladium-containing solution was applied by using a bubble jet type inkjet ejector so that the width became 200 micrometers. Then 350
Heat treatment was performed at 10 ° C. for 10 minutes to obtain a conductive film 54 made of palladium oxide (FIG. 16E).

【０１００】（工程６）次に、ＲＦマグネトロンスパッ
タによって、上記背面板の電子源が形成された側の前面
に、第３の導電膜を形成した。使用したターゲットは炭
素であり、膜厚は約２ｎｍである。このときのシート抵
抗値は５×１０⁸Ω／□程度であった。(Step 6) Next, a third conductive film was formed by RF magnetron sputtering on the front surface of the back plate on which the electron source was formed. The target used was carbon and the film thickness was about 2 nm. At this time, the sheet resistance was about 5 × 10 ⁸ Ω / □.

【０１０１】以上の工程により基板１上に複数の導電性
薄膜５４が、Ｘ方向配線３ｘとＹ方向配線３ｙとにより
単純マトリクス配線された電子源と第３の導電膜を有す
る背面板を形成した。Through the above steps, a back plate having an electron source in which a plurality of conductive thin films 54 are arranged in a simple matrix by the X-directional wiring 3x and the Y-directional wiring 3y on the substrate 1 and a third conductive film are formed. .

【０１０２】（工程７）次に画像表示部分となる前面板
７を作成した。(Step 7) Next, a front plate 7 serving as an image display portion was prepared.

【０１０３】画像形成部材であるところの蛍光膜６は、
カラーを実現するために、図１２に示すようにストライ
プ形状の蛍光体とし、先にブラックストライプを形成
し、その間隙部にスラリー法により各色蛍光体９２を塗
布して蛍光膜６を作製した。ブラックストライプの材料
として通常良く用いられている黒鉛を主成分とする材料
を用いた。The fluorescent film 6, which is an image forming member,
In order to realize a color, as shown in FIG. 12, a phosphor in the form of a stripe was formed, a black stripe was formed first, and phosphors 92 of each color were applied to the gaps by a slurry method to produce the phosphor film 6. As the material for the black stripe, a material mainly containing graphite, which is generally used, was used.

【０１０４】また、蛍光膜６の電子源に対向する面側に
はメタルバックを設けた。メタルバックは、蛍光膜６の
作製後、蛍光膜６の内面側表面の平滑化処理（通常、フ
ィルミングと呼ばれる）を行い、その後Ａｌを真空蒸着
することで作製した。Further, a metal back is provided on the surface of the fluorescent film 6 facing the electron source. The metal back was manufactured by performing a smoothing process (usually called filming) on the inner surface of the fluorescent film 6 after the fluorescent film 6 was manufactured, and then performing vacuum deposition of Al.

【０１０５】上記蛍光膜６とメタルバックからなる画像
形成部材を形成後、画像形成部材周辺のガラス基板上
に、炭素系薄膜からなる第１の導電膜１０を形成した。
第１の導電膜１０の形成は、粒径０．１μｍの炭素分散
材料を有機溶剤に分散した溶液をスプレーコートするこ
とにより行った。炭素分散材料は黒鉛を主成分として、
導電率を下げるためにＴｉＯ２を添加されているものを
用いた。また、塗布後に、上記炭素系薄膜を安定化する
ために２００℃で熱処理を行った。このように作成され
た第１の導電膜の膜厚は約１μｍであり、シート抵抗は
２×１０⁷Ω／□であった。After forming the image forming member composed of the fluorescent film 6 and the metal back, a first conductive film 10 composed of a carbon-based thin film was formed on the glass substrate around the image forming member.
The first conductive film 10 was formed by spray coating a solution in which a carbon dispersion material having a particle size of 0.1 μm was dispersed in an organic solvent. The carbon dispersion material is mainly composed of graphite,
The one to which TiO2 was added to lower the conductivity was used. After the application, a heat treatment was performed at 200 ° C. to stabilize the carbon-based thin film. The thickness of the first conductive film thus formed was about 1 μm, and the sheet resistance was 2 × 10 ⁷ Ω / □.

【０１０６】（工程８）次に、支持枠９を作成した。支
持枠９はソーダライムガラスからなり、電子ビーム蒸着
により酸化錫からなる第２の導電膜を成膜した。シート
抵抗は２×１０¹⁰Ω／□とした。また、支持枠９の背面
板と接合される接合面と第２の導電膜端部にかけて、Ａ
ｌの蒸着膜からなる電極を形成した。(Step 8) Next, a support frame 9 was formed. The support frame 9 was made of soda lime glass, and a second conductive film made of tin oxide was formed by electron beam evaporation. The sheet resistance was 2 × 10 ¹⁰ Ω / □. In addition, A between the joint surface of the support frame 9 joined to the back plate and the end of the second conductive film is A
1 was formed of the deposited film.

【０１０７】以降の工程は、実施例 １の工程−ｋと同
様に実施した。The subsequent steps were performed in the same manner as in Step-k of Example 1.

【０１０８】本実施例の画像形成装置は、画像表示領域
端部や画像表示領域内部に対応する電子放出素子から放
出される電子ビームの軌道の乱れやふらつきを低減し、
画像表示領域の端部や内部の色ずれや歪みの少ない画像
を安定して表示することができた。The image forming apparatus according to the present embodiment reduces the turbulence and wobble of the trajectory of the electron beam emitted from the electron-emitting device corresponding to the end of the image display area or the inside of the image display area.
It was possible to stably display an image with little color shift or distortion at the end or inside the image display area.

【０１０９】[0109]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
画像表示領域端部に対応する電子放出素子から放出され
る電子ビームの軌道の乱れやふらつきを低減し、画像表
示領域の端部の色ずれや歪みの少ない画像を安定して表
示することができた。As described above, according to the present invention,
The trajectory and wobble of the electron beam emitted from the electron-emitting device corresponding to the edge of the image display area are reduced, and images with little color shift and distortion at the edge of the image display area can be displayed stably. Was.

【０１１０】更には、画像表示領域端部と画像表示領域
内部に対応する電子放出素子から放出される電子ビーム
の軌道の乱れやふらつきを低減し、画像表示領域の端部
と内部の色ずれや歪みの少ない画像を安定して表示する
ことができた。Further, it is possible to reduce the turbulence and wobble of the trajectory of the electron beam emitted from the electron-emitting device corresponding to the end of the image display area and the inside of the image display area. An image with little distortion could be displayed stably.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の画像形成装置の一部を示す概略断面
図。FIG. 1 is a schematic sectional view showing a part of an image forming apparatus of the present invention.

【図２】従来の画像形成装置を示す概略斜視図。FIG. 2 is a schematic perspective view showing a conventional image forming apparatus.

【図３】画像を表示したときの従来の画像形成装置の一
部を示す概略断面図。FIG. 3 is a schematic sectional view showing a part of a conventional image forming apparatus when an image is displayed.

【図４】本発明の画像形成装置の一部を示す概略断面
図。FIG. 4 is a schematic sectional view showing a part of the image forming apparatus of the present invention.

【図５】本発明を適用可能な電子源を示す概略平面図。FIG. 5 is a schematic plan view showing an electron source to which the present invention can be applied.

【図６】本発明の画像形成装置の一部を示す概略断面
図。FIG. 6 is a schematic sectional view showing a part of the image forming apparatus of the present invention.

【図７】本発明の画像形成装置の一部を示す概略断面
図。FIG. 7 is a schematic sectional view showing a part of the image forming apparatus of the present invention.

【図８】実施例１で作成した電子源を示す概略平面図。FIG. 8 is a schematic plan view showing the electron source created in Example 1.

【図９】実施例１で作成した電子源の一部を拡大した概
略平面図並びに概略断面図。FIG. 9 is a schematic plan view and a schematic cross-sectional view in which a part of the electron source created in Example 1 is enlarged.

【図１０】電子源の製造工程を示す概略断面図。FIG. 10 is a schematic sectional view showing a manufacturing process of the electron source.

【図１１】電子源の製造工程を示す概略断面図。FIG. 11 is a schematic sectional view showing a manufacturing process of the electron source.

【図１２】蛍光膜を示す平面図。FIG. 12 is a plan view showing a fluorescent film.

【図１３】本発明の画像形成装置の製造工程中に使用す
る真空装置を示す概略図。FIG. 13 is a schematic diagram showing a vacuum device used during a manufacturing process of the image forming apparatus of the present invention.

【図１４】本発明の画像形成装置の製造工程中に使用す
る駆動回路のブロック図。FIG. 14 is a block diagram of a driving circuit used during a manufacturing process of the image forming apparatus of the present invention.

【図１５】本発明の画像形成装置のフォーミング工程中
及び活性化工程中に使用する電圧パルスを示す図であ
る。FIG. 15 is a diagram showing voltage pulses used during a forming step and an activation step of the image forming apparatus of the present invention.

【図１６】実施例２で作成した電子源を示す概略平面
図。FIG. 16 is a schematic plan view showing the electron source created in Example 2.

【図１７】本発明の画像形成装置に画像を表示するため
の駆動回路を示すブロック図。FIG. 17 is a block diagram showing a driving circuit for displaying an image on the image forming apparatus of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 基板 ２ 電子源 ３ 配線群 ４ 背面板 ５ ガラス基板 ６ 画像形成部材 ７ 前面板 ８ 高圧端子 ９ 支持枠 １０ 第１の導電膜 １１ 第２の導電膜 １２ 導電性材料 １３ 電極 １４ 接合材 １５ 接合材 １６ 第３の導電膜 ５１ 層間絶縁層 ５２，５３ 素子電極 ５４ 導電性薄膜 ５５ 絶縁膜 ５６ 金属薄膜 ４１ 素子電極 ４２ 素子電極 ４３ 導電性薄膜 ４４ 電子放出部 ４５ コンタクトホール ４６ 絶縁層 ４７ Ｃｒ膜 ７１ 電子源基板 ７２ Ｘ方向配線 ７３ Ｙ方向配線 ７４ 表面伝導型電子放出素子 ９１ 黒色導電材 ９２ 蛍光体 １０１ 画像表示装置 １０２ 走査回路 １０３ 制御回路 １０４ シフトレジスタ １０５ ラインメモリ １０６ 同期信号分離回路 １０７ 変調信号発生器 Ｖｘ 直流電圧源 Ｖａ 直流電圧源 １３１ 画像表示装置 １３２ 排気管 １３３ 真空チャンバー １３４ ゲートバルブ １３５ 排気装置 １３６ 圧力計 １３７ 残留ガス分析装置 １３８ ガス導入ライン １３９ 導入量制御手段 １４０ 導入物質源 １４１ 電源 １４２ 電流計 １４３ スイッチボックス Reference Signs List 1 substrate 2 electron source 3 wiring group 4 back plate 5 glass substrate 6 image forming member 7 front plate 8 high voltage terminal 9 support frame 10 first conductive film 11 second conductive film 12 conductive material 13 electrode 14 bonding material 15 bonding Material 16 Third conductive film 51 Interlayer insulating layer 52, 53 Device electrode 54 Conductive thin film 55 Insulating film 56 Metal thin film 41 Device electrode 42 Device electrode 43 Conductive thin film 44 Electron emission part 45 Contact hole 46 Insulating layer 47 Cr film 71 Electron source substrate 72 X-directional wiring 73 Y-directional wiring 74 Surface conduction electron-emitting device 91 Black conductive material 92 Phosphor 101 Image display device 102 Scanning circuit 103 Control circuit 104 Shift register 105 Line memory 106 Synchronous signal separation circuit 107 Modulation signal generation Vx DC voltage source Va DC voltage source 131 Image display device 132 Exhaust 133 vacuum chamber 134 gate valve 135 exhaust system 136 pressure gauge 137 residual gas analyzer 138 gas introduction line 139 introducing amount control means 140 introduced material source 141 power 142 ammeter 143 switch box

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5C032 AA01 BB16 DD02 DD10 DE01 DF05 DG02 5C036 EE06 EE09 EF01 EF06 EF09 EG01 EG02 EG50  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 5C032 AA01 BB16 DD02 DD10 DE01 DF05 DG02 5C036 EE06 EE09 EF01 EF06 EF09 EG01 EG02 EG50

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 第一の導電膜と画像形成部材とを有する
前面板と、複数の電子放出素子が配置された背面版と、
該前面板と背面版との間を支持し、前記第一の導電膜と
電気的に接続した第二の導電膜をその表面に有する支持
枠とからなることを特徴とする画像形成装置。A front plate having a first conductive film and an image forming member; a back plate on which a plurality of electron-emitting devices are arranged;
An image forming apparatus, comprising: a support frame that supports a space between the front plate and the back plate and has a second conductive film electrically connected to the first conductive film on a surface thereof. 【請求項２】 前記第一の導電膜と前記画像形成部材と
が電気的に接続してなることを特徴とする請求項１に記
載の画像形成装置。2. The image forming apparatus according to claim 1, wherein the first conductive film and the image forming member are electrically connected. 【請求項３】 前記第一の導電膜と第二の導電膜とが、
前記支持枠と前面板との接合部にて電気的に接続されて
なることを特徴とする請求項１乃至２に記載の画像形成
装置。3. The first conductive film and the second conductive film,
The image forming apparatus according to claim 1, wherein the image forming apparatus is electrically connected to a joint between the support frame and the front plate. 【請求項４】 前記第一の導電膜と第二の導電膜とが、
導電性部材を介して接続されてなることを特徴とする請
求項１乃至３に記載の画像形成装置。4. The method according to claim 1, wherein the first conductive film and the second conductive film are
The image forming apparatus according to claim 1, wherein the image forming apparatus is connected via a conductive member. 【請求項５】 前記導電性部材が、前記支持枠と前面板
とを接合する導電性の接合部材であることを特徴とする
請求項４に記載の画像形成装置。5. The image forming apparatus according to claim 4, wherein the conductive member is a conductive joining member that joins the support frame and the front plate. 【請求項６】 前記支持枠の前記背面板との接合面に、
前記第二の導電膜と電気的に接続された電極が配されて
なることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載
の画像形成装置。6. A bonding surface of the support frame with the back plate,
The image forming apparatus according to claim 1, further comprising an electrode electrically connected to the second conductive film. 【請求項７】 前記画像形成部材が、前記電子放出素子
から放出された電子を受けて発光する蛍光膜と、該電子
を該蛍光膜に向けて加速する電極からなることを特徴と
する請求項１乃至６に記載の画像形成装置。7. The image forming member comprises: a fluorescent film that emits light by receiving electrons emitted from the electron-emitting device; and an electrode that accelerates the electrons toward the fluorescent film. 7. The image forming apparatus according to any one of 1 to 6. 【請求項８】 前記背面板がさらに、第三の導電膜を有
することを特徴とする請求項１乃至７に記載の画像形成
装置。8. The image forming apparatus according to claim 1, wherein the back plate further includes a third conductive film. 【請求項９】 前記第一の導電膜のシート抵抗が、１×
１０¹¹Ω／□以下であることを特徴とする請求項１乃至
８のいずれかに記載の画像形成装置。9. The sheet resistance of the first conductive film is 1 ×
The image forming apparatus according to any one of claims 1 to 8, wherein the resistance is 10 ¹¹ Ω / □ or less. 【請求項１０】 前記第二の導電膜のシート抵抗が、１
×１０⁸Ω／□以上１×１０¹¹Ω／□以下であることを
特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の画像形成
装置。10. The sheet resistance of the second conductive film is 1
The image forming apparatus according to any one of claims 1 to 9, wherein the density is not less than × 10 ⁸ Ω / □ and not more than 1 × 10 ¹¹ Ω / □.