JP2001319561A - Electron source and picture display device - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To restrain diffusion of Na ion from the inside of the substrate to the electron emitting section and to prevent deterioration of the electron source characteristics by preventing metal ion from diffusing from the wires to an uppermost surface of the SiO2 layer or an electron-conductive oxide layer at the same glass frit junction temperature at vacuum forming in the picture display device. SOLUTION: The electron source comprises a substrate, an antistatic film provided on the substrate, a plural number of electron emitting elements 76 laid on the antistatic film and metal-contained wires 73 connecting the electron emitting element 76. The electron emitting elements 76 are provided with a conductive film 4 including those on the electron emitting section laid on the antistatic film and are connected with the conductive film 4 and the wires 73 through a conductive material 77 cutting off the movement of the metal contained in the wires 73 to the conductive film 4.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電子源、該電子源
を用いた画像形成装置に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to an electron source and an image forming apparatus using the electron source.

【０００２】[0002]

【従来の技術】近年、表示デバイスとして、薄い平面型
の画像形成装置は設置スペースの利用性に優れているこ
とから開発が盛んであり、例えば液晶表示装置は携帯用
パーソナルコンピュータの表示部等に利用されていて既
に良く知られている。しかし、液晶表示装置は画像が暗
い、大画面化が困難、視野角が狭いという課題があり、
このため自発光型のディスプレイが注目されている。す
なわち、プラズマディスプレイ、電子放出素子をもちい
た自発光型ディスプレイは、液晶表示装置に比べて明る
く、大画面で視野角も広い。2. Description of the Related Art In recent years, as a display device, a thin flat type image forming apparatus has been actively developed due to its excellent use of installation space. For example, a liquid crystal display device is used for a display section of a portable personal computer. Used and already well known. However, liquid crystal display devices have problems such as dark images, difficulty in increasing the screen size, and a narrow viewing angle.
For this reason, self-luminous displays have attracted attention. That is, a self-luminous display using a plasma display or an electron-emitting device is brighter than a liquid crystal display device, and has a large screen and a wide viewing angle.

【０００３】従来より、電子放出素子としては大別して
熱電子放出素子と冷陰極電子放出素子を用いた２種類の
ものが知られている。冷陰極電子放出素子には電界放出
型（以下、「ＦＥ型」という。）、金属／絶縁層／金属
型（以下、「ＭＩＭ型」という。）や表面伝導型電子放
出素子等がある。ＦＥ型の例としてはＷ．Ｐ．Ｄｙｋｅ
＆ Ｗ．Ｗ．Ｄｏｌａｎ，”Ｆｉｅｌｄ ｅｍｉｓｓ
ｉｏｎ”，Ａｄｖａｎｃｅ ｉｎ Ｅｌｅｃｔｏｒｏｎ
Ｐｈｙｓｉｃｓ，８，８９（１９５６）、あるいは
Ｃ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔ，”ＰＨＹＳＩＣＡＬ Ｐｒｏｐ
ｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ ｆｉｅｌｄ
ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｃａｔｈｏｄｅｓｗｉｔｈ ｍｏ
ｌｙｂｄｅｎｉｕｍ ｃｏｎｅｓ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐ
ｈｙｓ．，４７，５２４８（１９７６）等に開示された
ものが知られている。ＭＩＭ型の例としてはＣ．Ａ．Ｍ
ｅａｄ，”Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ ｏｆ Ｔｕｎｎｅｌ−
Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ”，Ｊ．Ａｐｐｌ
ｙ．Ｐｈｙｓ．，３２，６４６（１９６１）等に開示さ
れたものが知られている。Conventionally, two types of electron-emitting devices using a thermionic electron-emitting device and a cold-cathode electron-emitting device have been known. The cold cathode electron emitting device includes a field emission type (hereinafter, referred to as “FE type”), a metal / insulating layer / metal type (hereinafter, referred to as “MIM type”), a surface conduction type electron emitting device, and the like. As an example of the FE type, W. P. Dyke
& W. W. Dolan, "Field emiss
ion ", Advance in Electron
Physics, 8, 89 (1956), or C.I. A. Spindt, "PHYSICAL Prop
artists of thin-film field
emission cathodeswith mo
lybdenium cones ", J. Appl. P
hys. , 47, 5248 (1976). Examples of the MIM type include C.I. A. M
ead, “Operation of Tunnel-
Emission Devices ", J. Appl.
y. Phys. , 32, 646 (1961).

【０００４】表面伝導型電子放出素子型の例としては、
Ｍ．Ｉ．Ｅｌｉｎｓｏｎ，Ｒｅｃｉｏ Ｅｎｇ．Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ Ｐｈｙｓ．，１０，１２９０，（１９６
５）等に開示されたものがある。表面伝導型電子放出素
子は、基板上に形成された小面積の薄膜に、膜面に平行
に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用
するものである。この表面伝導型電子放出素子として
は、前記エリンソン等によるＳｎＯ₂薄膜を用いたも
の、Ａｕ薄膜によるもの［Ｇ．Ｄｉｔｔｍｅｒ：”Ｔｈ
ｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ”，９，３１７（１９７
２）］，Ｉｎ₂Ｏ₃／ＳｎＯ₂薄膜によるもの［Ｍ．Ｈａ
ｒｔｗｅｌｌ ａｎｄ Ｃ．Ｇ．Ｆｏｎｓｔａｄ：”Ｉ
ＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ＥＤ Ｃｏｎｆ．”５１９（１９
７５）］、カーボン薄膜によるもの［荒木久 他：真
空、第２６巻、第１号、２２頁（１９８３）］等が報告
されている。Examples of the surface conduction electron-emitting device type include:
M. I. Elinson, Recio Eng. Ele
ctron Phys. , 10, 1290, (196
5) and the like. The surface conduction electron-emitting device utilizes the phenomenon that electron emission occurs when a current flows in a small-area thin film formed on a substrate in parallel with the film surface. Examples of the surface conduction electron-emitting device include a device using an SnO ₂ thin film by Elinson et al. And a device using an Au thin film [G. Dittmer: "Th
in Solid Films ", 9, 317 (197
2)], using an In ₂ O ₃ / SnO ₂ thin film [M. Ha
rtwell and C.I. G. FIG. Fonstad: "I
EEE Trans. ED Conf. "519 (19
75)], and those using a carbon thin film [Hisashi Araki et al .: Vacuum, Vol. 26, No. 1, p. 22, p. 22 (1983)] and the like have been reported.

【０００５】図１３は表面伝導型電子放出素子の一例を
示すもので、図１３（ａ）は素子構成の平面図、図１３
（ｂ）はその断面図である。同図において、６は絶縁性
の基板、２、３は電気的接続を得るための素子電極、４
は導電性膜、５は電子放出部である。図８は、上記表面
伝導型電子放出素子をマトリクス状に配列形成した電子
源を用いた画像形成装置の一例の模式図である。FIG. 13 shows an example of a surface conduction electron-emitting device. FIG. 13A is a plan view of the device structure, and FIG.
(B) is a sectional view thereof. In the figure, 6 is an insulating substrate, 2 and 3 are device electrodes for obtaining electrical connection, 4
Is a conductive film, and 5 is an electron emitting portion. FIG. 8 is a schematic diagram of an example of an image forming apparatus using an electron source in which the surface conduction electron-emitting devices are arranged in a matrix.

【０００６】図１３に示した素子構成は単位素子の構成
であり、図８に示した画像形成装置では、この単位素子
７６を画素に対応させて基板（リアプレート）８１上に
多数配列して電子源として備えている。そして、基板８
１上には、各素子を任意に選択するためＸ方向配線７２
とＹ方向配線７３とを不図示の絶縁層を挟んで設け、マ
トリクス配線としている。なお、基板８１にはガラス基
板を用いることが多い。The element configuration shown in FIG. 13 is a configuration of unit elements. In the image forming apparatus shown in FIG. 8, a large number of the unit elements 76 are arranged on a substrate (rear plate) 81 corresponding to pixels. Provided as an electron source. And the substrate 8
1, an X-direction wiring 72 for arbitrarily selecting each element.
And the Y-directional wiring 73 are provided with an insulating layer (not shown) interposed therebetween, to form a matrix wiring. Note that a glass substrate is often used for the substrate 81.

【０００７】またさらには、図８の画像形成装置におい
て、８８は外囲器、８６はフェースプレートである。外
囲器８８、リアプレート８１、フェースプレート８６の
各接続部を不図示の低融点ガラスフリット等の接合材に
より接合（封着）し、画像形成装置内部を真空に維持す
るための気密容器を構成している。この封着は、フリッ
トガラスを加熱、融着して行うのが一般的である。この
時の加熱温度は、４００〜５００℃程度が典型的で、時
間は外囲器８８の大きさなどによって異なるが、１０分
〜１時間程度が典型的である。Further, in the image forming apparatus shown in FIG. 8, reference numeral 88 denotes an envelope, and 86 denotes a face plate. An airtight container for joining (sealing) the connecting portions of the envelope 88, the rear plate 81, and the face plate 86 with a joining material such as a low-melting glass frit (not shown) to maintain the inside of the image forming apparatus in a vacuum. Make up. This sealing is generally performed by heating and fusing the frit glass. The heating temperature at this time is typically about 400 to 500 ° C., and the time varies depending on the size of the envelope 88 and the like, but is typically about 10 minutes to 1 hour.

【０００８】なお、外囲器８８の材質としては、フリッ
トガラスによる封着が容易で確実であるという点と比較
的安価であるという点から、青板ガラスを用いることが
好ましい。また、Ｎａの一部をＫに置換して歪み点を上
昇させた高歪み点ガラスもフリット封着が容易であるた
め、好ましく用いる事ができる。また、上記基板８１に
関してもその材質は、外囲器８８との封着の確実性か
ら、同様に青板ガラス、或いは上記の高歪み点ガラスを
用いることが好ましい。[0008] As the material of the envelope 88, it is preferable to use soda-lime glass from the viewpoint that sealing with frit glass is easy and reliable and that it is relatively inexpensive. High strain point glass in which a part of Na is replaced with K to increase the strain point can be easily used because frit sealing is easy. Further, as for the material of the substrate 81, similarly, it is preferable to use blue plate glass or the above-mentioned high strain point glass from the viewpoint of reliability of sealing with the envelope 88.

【０００９】フェースプレート８６の下面には、蛍光体
からなる蛍光膜８４が形成されている。そして、蛍光膜
８４のリアプレート側の面にはＡｌ等からなるメタルバ
ック８５が形成されている。カラー表示の場合には、赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の三原色の蛍光体（不図
示）が塗りわけられている。また、蛍光膜８４をなす上
記各蛍光体の間には黒色体（不図示）が配される。On the lower surface of the face plate 86, a phosphor film 84 made of a phosphor is formed. A metal back 85 made of Al or the like is formed on the surface of the fluorescent film 84 on the rear plate side. In the case of color display, phosphors (not shown) of three primary colors of red (R), green (G), and blue (B) are separately applied. In addition, a black body (not shown) is arranged between the respective phosphors constituting the phosphor film 84.

【００１０】上記気密容器の内部は１０^-4Ｐａよりも低
い圧力の真空に維持されている。この様にして、電子放
出素子が形成されたリアプレート８１と蛍光膜８４が形
成されたフェースプレート８６間は一般に数百μｍ〜数
ｍｍに保たれている。[0010] The inside of the hermetic container is maintained in a vacuum at a pressure lower than 10 ^-4 Pa. In this way, the distance between the rear plate 81 on which the electron-emitting devices are formed and the face plate 86 on which the fluorescent film 84 is formed is generally maintained at several hundred μm to several mm.

【００１１】以上説明した画像形成装置の駆動方法は、
容器外端子ＤｏＸ１〜ＤｏＸｍ、Ｄｏｙ１〜Ｄｏｙｎ、
及び配線７２、７３を通じて各電子放出素子７６に電圧
を印加することで、各素子７６から電子を放出する。そ
れと同時に、メタルバック８５に容器外端子Ｈｖを通じ
て数百Ｖ〜数ｋＶの高電圧を印加する。この様にする事
で、各素子７６から放出された電子を加速し、対応する
各色蛍光体に衝突させ、蛍光体が励起し発光する。The driving method of the image forming apparatus described above is as follows.
Outer container terminals DoX1 to DoXm, Doy1 to Doyn,
By applying a voltage to each electron-emitting device 76 through the wirings 72 and 73, electrons are emitted from each device 76. At the same time, a high voltage of several hundred V to several kV is applied to the metal back 85 through the external terminal Hv. By doing so, the electrons emitted from each element 76 are accelerated and collide with the corresponding color phosphor, so that the phosphor is excited and emits light.

【００１２】上記したマトリクス配線を設けた電子源基
板（リアプレート）はさまざまな製造方法により製作で
きるが、一つには素子電極、配線等を全てフォトリソグ
ラフィー法により製作する方法をとることができる。The electron source substrate (rear plate) provided with the matrix wirings described above can be manufactured by various manufacturing methods. One method is to manufacture all the device electrodes, wirings and the like by photolithography. .

【００１３】また、スクリーン印刷法、オフセット印刷
法などの印刷技術を転用して、電子源基板を製造するこ
ともできる。印刷法は大画面のパターンを形成するのに
適しており、これによれば基板上に多数の電子放出素子
を配列形成することを容易に行えるので非常に好まし
い。例えば、特開平０８−１８５８１８号公報、特開平
０８−０３４１１０号公報、特開平０８−２３６０１７
号公報、特開平０９−２８３０６１号公報などにはリア
プレートを印刷法により製作するようにした技術や、Ｘ
方向配線、層間絶縁層、Ｙ方向配線をスクリーン印刷法
により形成するようにした技術などが開示されている。The electron source substrate can also be manufactured by using a printing technique such as a screen printing method or an offset printing method. The printing method is suitable for forming a large-screen pattern, and is very preferable because it can easily form a large number of electron-emitting devices on a substrate. For example, JP-A-08-185818, JP-A-08-034110, and JP-A-08-236017
And Japanese Patent Application Laid-Open No. 09-283061 discloses a technique for manufacturing a rear plate by a printing method, and a technique for manufacturing a rear plate.
There is disclosed a technique in which a directional wiring, an interlayer insulating layer, and a Y-directional wiring are formed by a screen printing method.

【００１４】上記公報に掲載されている電子源基板の作
成方法の一例を図１４を用いて説明する。まず、リアプ
レート８１上に、一対の素子電極２、３をマトリクス状
に形成する（図１４（ａ））。そして、電極２を共通に
接続するように、ｎ本のＹ方向配線７３を導電性材料の
粒子を含むペーストを印刷し、焼成することで形成する
（ｂ）。次に、櫛歯状の絶縁層７４を、絶縁性の粒子
（ガラス粒子）を含むペーストを印刷し、焼成すること
で形成する（ｃ）。さらに、各絶縁層７４上にＸ方向配
線７２を電極３を共通に接続するように導電性材料の粒
子を含むペーストを印刷し、焼成することで形成する
（ｄ）。そして、素子電極２、３とをつなぐように、導
電性膜４を形成する（ｅ）。最後に導電性膜４に電流を
流すことで、導電性膜の一部に間隙を形成して電子放出
部５を形成する。An example of a method for manufacturing an electron source substrate disclosed in the above publication will be described with reference to FIG. First, a pair of device electrodes 2 and 3 are formed in a matrix on the rear plate 81 (FIG. 14A). Then, n Y-directional wirings 73 are formed by printing a paste containing particles of a conductive material and baking it so that the electrodes 2 are commonly connected (b). Next, the comb-like insulating layer 74 is formed by printing and firing a paste containing insulating particles (glass particles) (c). Further, a paste containing particles of a conductive material is printed on each insulating layer 74 so as to connect the electrodes 3 in common, and the paste is formed by firing (d). Then, a conductive film 4 is formed so as to connect the device electrodes 2 and 3 (e). Finally, a current is caused to flow through the conductive film 4 to form a gap in a part of the conductive film, thereby forming the electron-emitting portion 5.

【００１５】[0015]

【発明が解決しようとする課題】ところで、現在市場で
期待されている大画面ディスプレイを全面むらなく、高
輝度で表示させるには、マトリクス配線材料にＡｌ、Ｃ
ｕ、Ａｇ、Ｐｔなどの低抵抗金属が必要とされる。配線
を印刷法で形成する場合、特に、Ａｇはペースト状での
印刷が容易であることから好ましい配線材料である。ま
た素子電極材料としては、印刷性、耐熱性からＰｔが好
ましく使われるが、材料コストが高いという問題があっ
た。By the way, in order to display a large-screen display, which is currently expected in the market, with high brightness without unevenness, it is necessary to use Al, C
Low resistance metals such as u, Ag, and Pt are required. In the case where the wiring is formed by a printing method, Ag is a particularly preferable wiring material because printing in paste form is easy. Pt is preferably used as an element electrode material in view of printability and heat resistance, but there is a problem that the material cost is high.

【００１６】一方、図１３に示したような表面伝導型電
子放出素子の単位素子電子源において、長時間素子を駆
動し続けると、電界により基板内のＮａイオンが基板表
面に偏在し、電子源特性を劣化させるという問題があっ
た。ここで言う電子源特性の劣化とは、表面伝導型電子
放出素子の一対の素子電極に電圧を印加した際に、両電
極間を流れる電流（以下、「素子電流」または”Ｉｆ”
という。）が駆動時間の経過に伴い低下していく現象の
ことを言う。素子電流の低下は、真空中に放出される電
流（以下、「電子放出電流」または”Ｉｅ”という。）
の低下を招き、例えば蛍光体を画像形成部材とする画像
形成装置においては、次第に暗くなって高品位な画像を
保てなくなる。On the other hand, in the unit element electron source of the surface conduction electron-emitting device as shown in FIG. 13, when the device is driven for a long time, Na ions in the substrate are unevenly distributed on the substrate surface due to the electric field. There is a problem that the characteristics are deteriorated. The term “deterioration of the electron source characteristics” as used herein refers to a current flowing between both electrodes when a voltage is applied to a pair of device electrodes of a surface conduction electron-emitting device (hereinafter, “device current” or “If”).
That. ) Is a phenomenon that decreases as the drive time elapses. The decrease in the device current is caused by the current emitted into the vacuum (hereinafter referred to as “electron emission current” or “Ie”).
For example, in an image forming apparatus using a phosphor as an image forming member, the image gradually becomes dark, and a high-quality image cannot be maintained.

【００１７】この問題は、単位素子では、Ｎａを含むガ
ラス基板表面にＳｉＯ₂を主成分とする膜を形成させ、
Ｎａをブロックする事で回避できる。その際のＳｉＯ₂
膜厚はＮａ拡散を抑制する効果の点で、３００ｎｍ以上
とされるのが好ましく、膜の応力によるクラックの発生
や膜はがれを防止するという点で３μｍ以下であること
が好ましい。This problem is caused by the fact that in the unit element, a film mainly composed of SiO ₂ is formed on the surface of a glass substrate containing Na,
This can be avoided by blocking Na. SiO _{2 at} that time
The thickness is preferably 300 nm or more from the viewpoint of the effect of suppressing the diffusion of Na, and is preferably 3 μm or less from the viewpoint of preventing the occurrence of cracks and film peeling due to the stress of the film.

【００１８】また、Ｎａを含むガラス基板表面に電子伝
導性酸化物を含有する層を設けることによってもＮａ拡
散をある程度抑制できる。該電子伝導性酸化物層を設け
ることにより最表面のＳｉＯ₂層の膜厚を薄くする事が
でき、ＳｉＯ₂成膜プロセスの負荷を低減することがで
きる。ＳｉＯ₂膜厚は１００ｎｍ程度にすることができ
る。電子伝導性酸化物としては、例えば、Ｆｅ、Ｎｉ、
Ｃｕ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｒｅから選ばれ
る少なくとも一種類以上の元素の酸化物粒子である。ま
た、最表面層がＳｉＯ₂であることからこの電子伝導性
酸化物層もＳｉＯ₂を含有する層であることが好まし
い。Further, by providing a layer containing an electron conductive oxide on the surface of a glass substrate containing Na, diffusion of Na can be suppressed to some extent. By providing the electron conductive oxide layer, the thickness of the outermost SiO ₂ layer can be reduced, and the load of the SiO ₂ film forming process can be reduced. The SiO ₂ film thickness can be about 100 nm. As the electron conductive oxide, for example, Fe, Ni,
It is an oxide particle of at least one or more elements selected from Cu, Pd, Ir, In, Sn, Sb, and Re. Further, since the outermost surface layer is SiO ₂ , it is preferable that this electron conductive oxide layer is also a layer containing SiO ₂ .

【００１９】しかしながら、マトリクス配線材料にＡｇ
を用いた画像表示装置において、画像表示装置真空形成
時のガラスフリット接合温度（約４００℃）で、最表面
のＳｉＯ₂層あるいは電子伝導性酸化物層内に配線から
Ａｇイオンが拡散し、その結果Ｎａイオンが基板内から
電子放出部に拡散し易くなり、電子源特性が劣化すると
いう問題が生じていた。図１５にＡｇ拡散とＮａ拡散の
様子を示す。一般的に、ガラス基板中（ＳｉＯ₂）にお
いてＡｇイオンはＮａと置換され、ＮａはＮａイオンと
なり、Ｎａイオンはガラス基板から出ることが知られて
いる。そのガラス基板から排出されたＮａイオンが、電
子源特性を劣化させる。However, Ag is used as the matrix wiring material.
In an image display device using the above, at the glass frit bonding temperature (about 400 ° C.) at the time of vacuum formation of the image display device, Ag ions diffuse from the wiring into the SiO ₂ layer or the electron conductive oxide layer on the outermost surface, As a result, there has been a problem that Na ions are easily diffused from the inside of the substrate to the electron emission portion, and the electron source characteristics are deteriorated. FIG. 15 shows the states of Ag diffusion and Na diffusion. Generally, it is known that in a glass substrate (SiO ₂ ), Ag ions are replaced with Na, and Na becomes Na ions, and Na ions exit from the glass substrate. The Na ions discharged from the glass substrate deteriorate the electron source characteristics.

【００２０】そこで、本発明はかかる課題に鑑みてなさ
れたものであって、電子源、特にマトリクス配線材料に
Ａｇを用いた電子源において、画像表示装置真空形成時
のガラスフリット接合温度で、最表面のＳｉＯ₂層ある
いは電子伝導性酸化物層内に配線から金属イオン（Ａｇ
イオン等）が拡散するのを防止することでＮａイオンが
基板内から電子放出部に拡散するのを抑制し、電子源特
性の劣化を防止させ、明るく高品位な画像表示装置を提
供する事を目的とする。Accordingly, the present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and is intended to provide an electron source, particularly an electron source using Ag as a matrix wiring material, which has a maximum glass frit bonding temperature during vacuum formation of an image display device. Metal ions (Ag) from the wiring in the SiO ₂ layer or electron conductive oxide layer on the surface
To prevent Na ions from diffusing from the inside of the substrate to the electron-emitting portion, prevent deterioration of the electron source characteristics, and provide a bright and high-quality image display device. Aim.

【００２１】[0021]

【課題を解決するための手段】即ち、本発明の電子源
は、基板と、前記基板上に設けられた帯電防止膜と、前
記帯電防止膜上に配置された複数の電子放出素子及び前
記複数の電子放出素子を結線する金属を含む配線とを備
える電子源において、前記電子放出素子は、前記帯電防
止膜上に配置された電子放出部を含む導電性膜を備える
ものであって、前記導電性膜と前記配線とは前記配線に
含まれる金属の前記導電性膜への移動を遮断する導電性
部材にて接続されていることを特徴とする。That is, an electron source according to the present invention comprises a substrate, an antistatic film provided on the substrate, a plurality of electron-emitting devices arranged on the antistatic film, and the plurality of electron-emitting devices. Wherein the electron-emitting device comprises a conductive film including an electron-emitting portion disposed on the antistatic film, wherein the electron-emitting device comprises: The conductive film and the wiring are connected by a conductive member that blocks movement of a metal contained in the wiring to the conductive film.

【００２２】また、基板と、前記基板上に設けられた帯
電防止膜と、前記帯電防止膜上に配置された複数の電子
放出素子及び前記複数の電子放出素子を結線する金属を
含む配線とを備える電子源において、前記電子放出素子
は、前記帯電防止膜上に配置された電子放出部を含む導
電性膜を備えるものであって、前記導電性膜と前記配線
とは、前記配線と前記帯電防止膜との間に設けられた、
前記配線に含まれる金属の前記導電性膜への移動を遮断
する導電性部材を介して電気的に接続されていることを
特徴とする。Further, the substrate, an antistatic film provided on the substrate, a plurality of electron-emitting devices disposed on the antistatic film, and a wiring including a metal for connecting the plurality of electron-emitting devices. In the electron source provided, the electron-emitting device includes a conductive film including an electron-emitting portion disposed on the antistatic film, wherein the conductive film and the wiring include the wiring and the charging device. Provided between the protective film and
It is characterized by being electrically connected via a conductive member for blocking movement of a metal contained in the wiring to the conductive film.

【００２３】また、基板と、前記基板上に設けられた帯
電防止膜と、前記帯電防止膜上に配置された複数の電子
放出素子及び前記複数の電子放出素子を結線する金属を
含む配線とを備える電子源において、前記電子放出素子
は、前記帯電防止膜上に配置された、一対の電極及び前
記一対の電極間に接続配置された電子放出部を含む導電
性膜とを備えるものであって、前記導電性膜と前記配線
とは前記一対の電極によって接続されており、前記一対
の電極は、前記配線に含まれる金属の前記導電性膜への
移動を遮断する導電性部材にて構成されていることを特
徴とし、好ましくは、更に、前記配線と前記帯電防止膜
との間にも、前記配線に含まれる金属の前記導電性膜へ
の移動を遮断する導電性部材が配置されていることを特
徴とする。[0023] Further, a substrate, an antistatic film provided on the substrate, a plurality of electron-emitting devices disposed on the antistatic film, and a wiring including a metal for connecting the plurality of electron-emitting devices are formed. In the electron source provided, the electron-emitting device includes a pair of electrodes and a conductive film including an electron-emitting portion connected between the pair of electrodes and disposed on the antistatic film. The conductive film and the wiring are connected by the pair of electrodes, and the pair of electrodes is formed of a conductive member that blocks movement of metal included in the wiring to the conductive film. Preferably, furthermore, also between the wiring and the antistatic film, a conductive member that blocks movement of metal contained in the wiring to the conductive film is disposed. It is characterized by the following.

【００２４】更に、本発明の電子源は、ナトリウムを含
む基板と、前記基板上に設けられたナトリウム遮断膜
と、前記ナトリウム遮断膜上に配置された複数の電子放
出素子及び前記複数の電子放出素子を結線する金属を含
む配線とを備える電子源において、前記電子放出素子
は、前記ナトリウム遮断膜上に配置された電子放出部を
含む導電性膜を備えるものであって、前記導電性膜と前
記配線とは前記配線に含まれる金属の前記導電性膜への
移動を遮断する導電性部材にて接続されていることを特
徴とする。Further, the electron source of the present invention comprises a substrate containing sodium, a sodium blocking film provided on the substrate, a plurality of electron-emitting devices arranged on the sodium blocking film, and the plurality of electron-emitting devices. An electron source comprising: a wiring including a metal for connecting the element; wherein the electron-emitting device includes a conductive film including an electron-emitting portion disposed on the sodium barrier film; and The semiconductor device is characterized in that the semiconductor device is connected to the wiring by a conductive member that blocks movement of a metal included in the wiring to the conductive film.

【００２５】また、ナトリウムを含む基板と、前記基板
上に設けられたナトリウム遮断膜と、前記ナトリウム遮
断膜上に配置された複数の電子放出素子及び前記複数の
電子放出素子を結線する金属を含む配線とを備える電子
源において、前記電子放出素子は、前記ナトリウム遮断
膜上に配置された電子放出部を含む導電性膜を備えるも
のであって、前記導電性膜と前記配線とは、前記配線と
前記ナトリウム遮断膜との間に設けられた、前記配線に
含まれる金属の前記導電性膜への移動を遮断する導電性
部材を介して電気的に接続されていることを特徴とす
る。Also, the semiconductor device includes a substrate containing sodium, a sodium blocking film provided on the substrate, a plurality of electron-emitting devices disposed on the sodium blocking film, and a metal for connecting the plurality of electron-emitting devices. In the electron source including a wiring, the electron-emitting device includes a conductive film including an electron-emitting portion disposed on the sodium blocking film, wherein the conductive film and the wiring include the wiring And electrically connected via a conductive member provided between the conductive film and the sodium blocking film for blocking movement of a metal contained in the wiring to the conductive film.

【００２６】また、ナトリウムを含む基板と、前記基板
上に設けられたナトリウム遮断膜と、前記ナトリウム遮
断膜上に配置された複数の電子放出素子及び前記複数の
電子放出素子を結線する金属を含む配線とを備える電子
源において、前記電子放出素子は、前記ナトリウム遮断
膜上に配置された、一対の電極及び前記一対の電極間に
接続配置された電子放出部を含む導電性膜とを備えるも
のであって、前記導電性膜と前記配線とは前記一対の電
極によって接続されており、前記一対の電極は、前記配
線に含まれる金属の前記導電性膜への移動を遮断する導
電性部材にて構成されていることを特徴とし、好ましく
は、更に、前記配線と前記ナトリウム遮断膜との間に
も、前記配線に含まれる金属の前記導電性膜への移動を
遮断する導電性部材が配置されていることを特徴とす
る。In addition, the semiconductor device includes a substrate containing sodium, a sodium blocking film provided on the substrate, a plurality of electron-emitting devices disposed on the sodium blocking film, and a metal for connecting the plurality of electron-emitting devices. An electron source including a wiring, wherein the electron-emitting device includes: a pair of electrodes disposed on the sodium blocking film; and a conductive film including an electron-emitting portion disposed and connected between the pair of electrodes. The conductive film and the wiring are connected by the pair of electrodes, and the pair of electrodes is a conductive member that blocks movement of metal included in the wiring to the conductive film. Preferably, furthermore, between the wiring and the sodium barrier film, a conductive member for blocking movement of metal contained in the wiring to the conductive film. Characterized in that it is arranged.

【００２７】更に、本発明の電子源は、基板と、前記基
板上に設けられた金属酸化物が含有された絶縁材料膜
と、前記金属酸化物が含有された絶縁材料膜上に配置さ
れた複数の電子放出素子及び前記複数の電子放出素子を
結線する金属を含む配線とを備える電子源において、前
記電子放出素子は、前記金属酸化物が含有された絶縁材
料膜上に配置された電子放出部を含む導電性膜を備える
ものであって、前記導電性膜と前記配線とは前記配線に
含まれる金属の前記導電性膜への移動を遮断する導電性
部材にて接続されていることを特徴とする。Further, the electron source of the present invention is arranged on a substrate, an insulating material film containing a metal oxide provided on the substrate, and an insulating material film containing the metal oxide. An electron source comprising: a plurality of electron-emitting devices; and a wiring including a metal connecting the plurality of electron-emitting devices, wherein the electron-emitting device includes an electron emission device disposed on an insulating material film containing the metal oxide. Comprising a conductive film including a portion, wherein the conductive film and the wiring are connected by a conductive member that blocks movement of metal included in the wiring to the conductive film. Features.

【００２８】また、基板と、前記基板上に設けられた金
属酸化物が含有された絶縁材料膜と、前記金属酸化物が
含有された絶縁材料膜上に配置された複数の電子放出素
子及び前記複数の電子放出素子を結線する金属を含む配
線とを備える電子源において、前記電子放出素子は、前
記金属酸化物が含有された絶縁材料膜上に配置された電
子放出部を含む導電性膜を備えるものであって、前記導
電性膜と前記配線とは、前記金属酸化物が含有された絶
縁材料膜と前記配線との間に設けられた、前記配線に含
まれる金属の前記導電性膜への移動を遮断する導電性部
材を介して電気的に接続されていることを特徴とする。Also, a substrate, an insulating material film containing a metal oxide provided on the substrate, a plurality of electron-emitting devices arranged on the insulating material film containing the metal oxide, and An electron source including a wiring including a metal for connecting the plurality of electron-emitting devices, wherein the electron-emitting device includes a conductive film including an electron-emitting portion disposed on an insulating material film containing the metal oxide. Wherein the conductive film and the wiring are provided between the wiring and the insulating material film containing the metal oxide, and the conductive film of the metal contained in the wiring is provided. Characterized by being electrically connected via a conductive member that blocks movement.

【００２９】また、基板と、前記基板上に設けられた金
属酸化物が含有された絶縁材料膜と、前記金属酸化物が
含有された絶縁材料膜上に配置された複数の電子放出素
子及び前記複数の電子放出素子を結線する金属を含む配
線とを備える電子源において、前記電子放出素子は、前
記金属酸化物が含有された絶縁材料膜上に配置された、
一対の電極及び前記一対の電極間に接続配置された電子
放出部を含む導電性膜とを備えるものであって、前記導
電性膜と前記配線とは前記一対の電極によって接続され
ており、前記一対の電極は、前記配線に含まれる金属の
前記導電性膜への移動を遮断する導電性部材にて構成さ
れていることを特徴とし、好ましくは、更に、前記配線
と前記金属酸化物が含有された絶縁材料膜との間にも、
前記配線に含まれる金属の前記導電性膜への移動を遮断
する導電性部材が配置されていることを特徴とする。Further, a substrate, an insulating material film containing a metal oxide provided on the substrate, a plurality of electron-emitting devices arranged on the insulating material film containing the metal oxide, and An electron source comprising: a wiring including a metal for connecting a plurality of electron-emitting devices; wherein the electron-emitting devices are disposed on an insulating material film containing the metal oxide;
A conductive film including a pair of electrodes and an electron emitting portion connected and arranged between the pair of electrodes, wherein the conductive film and the wiring are connected by the pair of electrodes, The pair of electrodes is characterized by being constituted by a conductive member that blocks movement of metal included in the wiring to the conductive film, and preferably further includes the wiring and the metal oxide. Between the insulating material film
A conductive member for blocking movement of a metal contained in the wiring to the conductive film is provided.

【００３０】更に、本発明の電子源は、基板と、前記基
板上に設けられた金属酸化物が含有されたＳｉＯ₂膜
と、前記金属酸化物が含有されたＳｉＯ₂膜上に配置さ
れた複数の電子放出素子及び前記複数の電子放出素子を
結線する配線とを備える電子源において、前記電子放出
素子は、前記金属酸化物が含有されたＳｉＯ₂膜上に配
置された電子放出部を含む導電性膜を備えるものであっ
て、前記導電性膜と前記配線とはＩｎ₂Ｏ₃−ＳｎＯ₂を
構成成分とする部材にて接続されていることを特徴とす
る。Furthermore, the electron source of the present invention includes a substrate, a SiO ₂ film metal oxide arranged on the substrate is contained, the metal oxide is disposed on the SiO ₂ film which is contained In an electron source including a plurality of electron-emitting devices and a wiring connecting the plurality of electron-emitting devices, the electron-emitting device includes an electron-emitting portion disposed on an SiO ₂ film containing the metal oxide. A conductive film is provided, wherein the conductive film and the wiring are connected by a member having In ₂ O ₃ —SnO ₂ as a constituent component.

【００３１】また、基板と、前記基板上に設けられた金
属酸化物が含有されたＳｉＯ₂膜と、前記金属酸化物が
含有されたＳｉＯ₂膜上に配置された複数の電子放出素
子及び前記複数の電子放出素子を結線する配線とを備え
る電子源において、前記電子放出素子は、前記金属酸化
物が含有されたＳｉＯ₂膜上に配置された電子放出部を
含む導電性膜を備えるものであって、前記導電性膜と前
記配線とは、前記金属酸化物が含有されたＳｉＯ₂膜と
前記配線との間に設けられた、Ｉｎ₂Ｏ ₃−ＳｎＯ₂を構
成成分とする部材を介して電気的に接続されていること
を特徴とする。Also, a substrate and gold provided on the substrate
SiO containing metal oxide_TwoThe film and the metal oxide
SiO contained_TwoMultiple electron-emitting elements arranged on a film
And a wiring connecting the plurality of electron-emitting devices.
In the electron source, the electron-emitting device includes the metal oxide.
Containing SiO2_TwoThe electron emission part arranged on the film
Comprising a conductive film containing the conductive film and
The wiring means SiO 2 containing the metal oxide._TwoWith membrane
In between the wiring and In_TwoO _Three-SnO_TwoBe composed
Electrically connected via components as components
It is characterized by.

【００３２】また、基板と、前記基板上に設けられた金
属酸化物が含有されたＳｉＯ₂膜と、前記金属酸化物が
含有されたＳｉＯ₂上に配置された複数の電子放出素子
及び前記複数の電子放出素子を結線する配線とを備える
電子源において、前記電子放出素子は、前記金属酸化物
が含有されたＳｉＯ₂膜上に配置された、一対の電極及
び前記一対の電極間に接続配置された電子放出部を含む
導電性膜とを備えるものであって、前記導電性膜と前記
配線とは前記一対の電極によって接続されており、前記
一対の電極は、Ｉｎ₂Ｏ₃−ＳｎＯ₂を構成成分とするも
のであることを特徴とし、好ましくは、更に、前記配線
と前記金属酸化物が含有されたＳｉＯ₂膜との間にも、
Ｉｎ₂Ｏ₃−ＳｎＯ₂を構成成分とする部材が配置されて
いることを特徴とする。Also, a substrate, a SiO ₂ film containing a metal oxide provided on the substrate, a plurality of electron-emitting devices arranged on the SiO ₂ containing the metal oxide, and Wherein the electron-emitting device is disposed on the SiO ₂ film containing the metal oxide, and is disposed between the pair of electrodes and the pair of electrodes. A conductive film including an electron emitting portion, wherein the conductive film and the wiring are connected by the pair of electrodes, and the pair of electrodes is formed of In ₂ O ₃ —SnO _2. It is characterized in that it is a component, preferably, further, between the wiring and the SiO ₂ film containing the metal oxide,
A member having In ₂ O ₃ —SnO ₂ as a constituent component is disposed.

【００３３】本発明の電子源においては、前記金属酸化
物は、電子伝導性酸化物であることが好ましい。In the electron source of the present invention, the metal oxide is preferably an electron conductive oxide.

【００３４】また前記金属酸化物は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｒｅから選ばれる
金属の酸化物であることが好ましい。The metal oxide is Fe, Ni, C
It is preferably an oxide of a metal selected from u, Pd, Ir, In, Sn, Sb, and Re.

【００３５】また、前記ＳｉＯ₂膜上に更に、ＳｉＯ₂か
らなる膜が積層されていることが好ましい。It is preferable that a film made of SiO ₂ is further laminated on the SiO ₂ film.

【００３６】また、前記配線は、複数の行方向配線と複
数の列方向配線とからなり、前記複数の電子放出素子
は、前記複数の行方向配線及び前記複数の列方向配線と
によりマトリクス配線されていることが好ましい。Further, the wiring comprises a plurality of row wirings and a plurality of column wirings, and the plurality of electron-emitting devices are arranged in a matrix by the plurality of row wirings and the plurality of column wirings. Is preferred.

【００３７】更に、本発明の画像表示装置は、電子源と
前記電子源からの電子の照射により画像を表示する画像
表示部材とを備える画像表示装置であって、前記電子源
が上記いずれかに記載の電子源であることを特徴とす
る。Further, an image display device according to the present invention is an image display device comprising an electron source and an image display member for displaying an image by irradiating electrons from the electron source, wherein the electron source is any one of the above. The electron source described above.

【００３８】[0038]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【００３９】図１は、本発明における電子源基板の実施
形態を示す模式図、図２は図１のＡ−Ａ’断面図であ
る。FIG. 1 is a schematic view showing an embodiment of an electron source substrate according to the present invention, and FIG. 2 is a sectional view taken along line AA ′ of FIG.

【００４０】基板８１は、絶縁性の基板６と、帯電防止
膜、ナトリウム遮断膜、金属酸化物が含有された絶縁材
料膜または金属酸化物が含有されたＳｉＯ₂膜としての
導電性酸化物層６１と、ＳｉＯ₂からなる膜としてのＳ
ｉＯ₂を主成分とする層６２で構成される。The substrate 81 includes an insulating substrate 6 and an antistatic film, a sodium blocking film, a conductive oxide layer as an insulating material film containing a metal oxide or a SiO ₂ film containing a metal oxide. 61 and S as a film made of SiO ₂
It is composed of a layer 62 containing iO ₂ as a main component.

【００４１】基板６は、Ｎａを含有する、例えば、青板
ガラス、あるいは、Ｎａの一部をＫに置換して歪み点を
上昇させた高歪み点ガラスなどの基板である。The substrate 6 is a substrate containing Na, for example, a soda lime glass, or a high strain point glass in which a part of Na is replaced with K to increase the strain point.

【００４２】基板６上に配置される導電性酸化物層６１
は、金属酸化物としての電子導電性酸化物を含有した層
であり、電子放出素子が形成される基板表面の帯電を防
止する目的で設けられた層である。つまり、基板表面の
チャージアップを抑制し、以下で述べるＳｉＯ₂を主成
分とする層６２上に配置される電子放出素子７６の安定
した電子放出特性を得る事ができる。導電性酸化物層６
１の膜厚は特には規定されないが、基板表面のシート抵
抗値が１０⁸Ω／□〜１０¹³Ω／□の範囲内とされるこ
とがより十分な上記効果を得る上で特に好ましい。ま
た、導電性酸化物層６１は、電子導電性を示すので、基
板６からのＮａイオン拡散をある程度抑制できる。電子
伝導性酸化物としては、例えば、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐ
ｄ、Ｉｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｒｅから選ばれる少なく
とも一種類以上の元素の酸化物粒子である。また、最表
面層がＳｉＯ₂であることからこの電子伝導性酸化物層
もＳｉＯ₂を含有する層であることが好ましい。The conductive oxide layer 61 disposed on the substrate 6
Is a layer containing an electron conductive oxide as a metal oxide, and is a layer provided for the purpose of preventing charging on the surface of a substrate on which an electron-emitting device is formed. That is, charge-up on the substrate surface can be suppressed, and stable electron emission characteristics of the electron emission element 76 disposed on the layer 62 containing SiO ₂ as a main component can be obtained. Conductive oxide layer 6
Although the film thickness of No. 1 is not particularly limited, it is particularly preferable that the sheet resistance value of the substrate surface be in the range of 10 ⁸ Ω / □ to 10 ¹³ Ω / □ in order to obtain the above-mentioned effect more sufficiently. Further, since the conductive oxide layer 61 has electronic conductivity, diffusion of Na ions from the substrate 6 can be suppressed to some extent. Examples of the electron conductive oxide include Fe, Ni, Cu, P
It is an oxide particle of at least one element selected from d, Ir, In, Sn, Sb, and Re. Further, since the outermost surface layer is SiO ₂ , it is preferable that this electron conductive oxide layer is also a layer containing SiO ₂ .

【００４３】導電性酸化物層６１上に配置されるＳｉＯ
₂を主成分とした層６２は、主として、電子放出素子を
構成する部材へのＮａ拡散をブロックする目的で設けら
れた層であり、上記のＮａ拡散を抑制する点、さらに
は、上述した導電性酸化物層６１に含有される酸化物粒
子による電子放出素子が配置される基板表面での凹凸を
低減する上で、５０ｎｍ以上とされるのが好ましい。ま
た、電子放出素子が配置される基板表面のシート抵抗値
が上記の好ましい範囲内とされる上でＳｉＯ₂を主成分
とした層６２の厚さは３００ｎｍ以下とされるのが特に
好ましい。SiO 2 disposed on conductive oxide layer 61
_The layer 62 containing ₂ as a main component is a layer provided mainly for the purpose of blocking the diffusion of Na into the members constituting the electron-emitting device. In order to reduce unevenness on the surface of the substrate on which the electron-emitting devices are arranged due to the oxide particles contained in the conductive oxide layer 61, the thickness is preferably 50 nm or more. Further, it is particularly preferable that the thickness of the layer 62 containing SiO ₂ as a main component be 300 nm or less while the sheet resistance value on the substrate surface on which the electron-emitting devices are arranged is within the above-mentioned preferable range.

【００４４】基板８１上には、一対の素子電極２，３及
びその間に接続配置された電子放出部５を含む導電性膜
４とを備える電子放出素子７６が、第１の配線（Ｙ方向
配線）７３、第２の配線（Ｘ方向配線）７２によってマ
トリクス上に形成されている。第１の配線７３と基板８
１の間に、配線に含まれる金属の導電性膜４への移動を
遮断する導電性部材としての第３の層７７が設けられて
おり、素子電極２、３と第３の層７７は後述する同一材
料で形成されている。An electron-emitting device 76 having a pair of device electrodes 2 and 3 and a conductive film 4 including an electron-emitting portion 5 connected therebetween is provided on a substrate 81 by a first wiring (Y-direction wiring). ) 73 and a second wiring (X-directional wiring) 72 are formed on the matrix. First wiring 73 and substrate 8
1 is provided with a third layer 77 as a conductive member for blocking movement of metal contained in the wiring to the conductive film 4, and the element electrodes 2, 3 and the third layer 77 are described later. Formed of the same material.

【００４５】第１の配線７３と第２の配線７２の材料は
Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｔなどの低抵抗金属が好ましく、
配線を印刷法で形成する場合、Ａｇはペースト状での印
刷が容易であることから特に好ましい配線材料である。
第３の層７７の材料としては、第１の配線（Ａｇ）から
のＡｇの基板内拡散を防止するという点からＩｎ₂Ｏ₃−
ＳｎＯ₂が最も好ましい材料である。The material of the first wiring 73 and the second wiring 72 is preferably a low-resistance metal such as Al, Cu, Ag, or Pt.
When a wiring is formed by a printing method, Ag is a particularly preferable wiring material because it can be easily printed in paste form.
The material of the third layer 77 is In ₂ O ₃ − from the viewpoint of preventing the diffusion of Ag from the first wiring (Ag) into the substrate.
SnO ₂ is the most preferred material.

【００４６】次に、表面伝導型の電子放出素子７６につ
いて説明する。Next, the surface conduction electron-emitting device 76 will be described.

【００４７】対向する素子電極２、３の材料としては、
一般的な導体材料を用いる事ができ、例えば、Ｎｉ、Ｃ
ｒ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄ等
の金属あるいは合金、または、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、Ｒｕ
Ｏ₂、Ｐｄ−Ａｇ等の金属或いは金属酸化物とガラス等
から構成される印刷導体、または、Ｉｎ₂Ｏ₃−ＳｎＯ ₂
等の透明導伝体、または、ポリシリコン等の半導体導体
材料等から選択できる。本実施形態では、製造コスト削
減いう点から、第３の層７７と同一材料Ｉｎ₂Ｏ₃−Ｓｎ
Ｏ₂を選択し、後述する同一工程で形成した。The materials of the opposing device electrodes 2 and 3 are as follows.
General conductor materials can be used, for example, Ni, C
r, Au, Mo, W, Pt, Ti, Al, Cu, Pd, etc.
Metal or alloy, or Pd, Ag, Au, Ru
O_Two, Pd-Ag and other metals or metal oxides and glass
Printed conductor consisting of_TwoO_Three-SnO _Two
Etc., or semiconductor conductors such as polysilicon
It can be selected from materials and the like. In this embodiment, the manufacturing cost is reduced.
From the viewpoint of reduction, the same material In as the third layer 77 is used._TwoO_Three-Sn
O_TwoWas formed in the same step as described later.

【００４８】また、導電性膜４の材料としては、Ｐｄ、
Ｐｔ、Ｒｕ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｚ
ｎ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｄ等の金属、又は、ＰｄＯ、Ｓ
ｎＯ ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＰｂＯ、Ｓｂ₂Ｏ₃等の酸化物等の中
から選択する事ができる。導電性膜４としては、良好な
電子放出特性を得るために、１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内
の粒径を有する複数の微粒子で構成された微粒子膜であ
ることが好ましい。また、導電性膜４の膜厚は、好まし
くは１ｎｍ〜５０ｎｍの範囲とするのが良い。The material of the conductive film 4 is Pd,
Pt, Ru, Au, Ti, In, Cu, Cr, Fe, Z
metal such as n, Sn, Ta, W, Pd, or PdO, S
nO _Two, In_TwoO_Three, PbO, Sb_TwoO_ThreeIn oxides such as
You can choose from. As the conductive film 4,
In order to obtain electron emission characteristics, within the range of 1 nm to 20 nm
A fine particle film composed of a plurality of fine particles having a particle size of
Preferably. The thickness of the conductive film 4 is preferably
It is better to be in the range of 1 nm to 50 nm.

【００４９】また、電子放出部（間隙）５は、例えば、
素子電極２、３間に形成された導電性膜４に、後述する
フォーミング処理で亀裂を形成することにより形成され
る。The electron emitting portion (gap) 5 is, for example,
It is formed by forming a crack in the conductive film 4 formed between the device electrodes 2 and 3 by a forming process described later.

【００５０】また、導電性膜４上には炭素膜が形成され
ている事が、電子放出特性の向上及び電子放出特性の経
時的変化の低減の上で好ましい。この炭素膜は、例え
ば、図４（ａ）、（ｂ）に示されるように形成される。
ここで、図４（ａ）は炭素膜を有する表面伝導型電子放
出素子の導電性膜の間隙部付近を拡大した模式的平面
図、図４（ｂ）はそのＢ−Ｂ’断面図である。図４に示
されるように、炭素膜を有する表面伝導型電子放出素子
は、上記一対の導電性膜４で形成される間隙５よりも狭
い間隙８を形成するように、該導電性膜４に接続され
て、間隙５内の基板８１上及び導電性膜４上に炭素膜９
を有している。また、図５（ａ）、（ｂ）に示すよう
に、一対の導電性膜４の間隙５に面する両端に、上記同
様に炭素膜９を有する形態であっても上記同様の効果を
奏する。It is preferable that a carbon film is formed on the conductive film 4 in order to improve the electron emission characteristics and reduce the change over time in the electron emission characteristics. This carbon film is formed, for example, as shown in FIGS.
Here, FIG. 4A is a schematic plan view in which the vicinity of a gap between conductive films of a surface conduction electron-emitting device having a carbon film is enlarged, and FIG. 4B is a cross-sectional view taken along line BB ′. . As shown in FIG. 4, the surface conduction electron-emitting device having a carbon film is formed on the conductive film 4 so as to form a gap 8 narrower than the gap 5 formed by the pair of conductive films 4. The carbon film 9 is connected to the substrate 81 and the conductive film 4 in the gap 5.
have. Further, as shown in FIGS. 5A and 5B, the same effect can be obtained even when the carbon film 9 is provided at both ends of the pair of conductive films 4 facing the gap 5 in the same manner as described above. .

【００５１】次に、本発明における電子源の製造方法の
一例について説明する。Next, an example of a method for manufacturing an electron source according to the present invention will be described.

【００５２】まず、電子源基板８１の作製法を説明す
る。First, a method for manufacturing the electron source substrate 81 will be described.

【００５３】青板ガラス、高歪み点ガラスなどのＮａ含
有基板６を洗剤、純水及び有機溶剤等を用いて十分に洗
浄し、かかる基板６上に導電性酸化物層６１を形成す
る。導電性酸化物層６１の材料としては、電子伝導性酸
化物となる化合物、具体的には前述したようにＦｅ、Ｎ
ｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｒｅから選
ばれる少なくとも一種類以上の元素の酸化物である。こ
こで、導電性酸化物層６１の形成法としては、スパッタ
法、真空蒸着法等の物理的成膜法や微粒子分散塗布法等
を用いることができるが、微粒子分散塗布法を用いるの
が好ましい。まず、上述した電子伝導性酸化物の粒子を
基板６に分散塗布する。このとき、上記分散溶液中に、
珪素化合物を混入させておくことにより前述したＳｉＯ
₂を含有する導電性酸化物層６１を形成することができ
る。The Na-containing substrate 6 such as blue plate glass or high strain point glass is sufficiently washed with a detergent, pure water, an organic solvent or the like, and a conductive oxide layer 61 is formed on the substrate 6. As a material of the conductive oxide layer 61, a compound to be an electron conductive oxide, specifically, as described above, Fe, N
It is an oxide of at least one element selected from i, Cu, Pd, Ir, In, Sn, Sb, and Re. Here, as a method for forming the conductive oxide layer 61, a physical film formation method such as a sputtering method or a vacuum evaporation method, a fine particle dispersion coating method, or the like can be used, but the fine particle dispersion coating method is preferably used. . First, the above-described electron conductive oxide particles are dispersed and applied to the substrate 6. At this time, in the dispersion solution,
By mixing a silicon compound, the above-mentioned SiO
_The conductive oxide layer 61 containing ₂ can be formed.

【００５４】続いて、上記分散溶媒を乾燥させた後、そ
の上に、ＳｉＯ₂を主成分とする層６２の原料である珪
素化合物、例えば有機珪素を含有する溶液を塗布する。
その後、基板６ごとオーブンで加熱焼成し、基板６上に
導電性酸化物層６１とＳｉＯ ₂を主成分とする層６２を
形成することができる。この手法は、特に、酸化物粒子
を含む導電性酸化物層６１の表面が凹凸を有するため、
ＳｉＯ₂を主成分とする層６２を上記方法で更に形成す
ることによって、電子源基板８１の表面が比較的平坦と
なり、電子放出素子を形成しやすくするため好ましく用
いられる。Subsequently, after the dispersion solvent is dried,
On top of SiO_TwoIs the raw material of the layer 62 containing
A solution containing an elemental compound, for example, organic silicon, is applied.
Then, the substrate 6 is baked by heating in an oven.
Conductive oxide layer 61 and SiO _TwoA layer 62 mainly composed of
Can be formed. This technique is especially useful for oxide particles
Since the surface of the conductive oxide layer 61 containing
SiO_TwoIs further formed by the above method.
This makes the surface of the electron source substrate 81 relatively flat.
And preferably used to facilitate formation of electron-emitting devices.
Can be.

【００５５】以上のようにして、基板６上に、導電性酸
化物層６１、ＳｉＯ₂を主成分とする層６２がこの順に
て積層された電子源基板８１が作製される。As described above, the electron source substrate 81 in which the conductive oxide layer 61 and the layer 62 mainly composed of SiO ₂ are laminated on the substrate 6 in this order is manufactured.

【００５６】次に、図３を参照しながら、本発明におけ
る電子源の配線形成、導電性膜の形成方法の一例につい
て説明する。Next, an example of a method of forming a wiring of an electron source and a method of forming a conductive film according to the present invention will be described with reference to FIG.

【００５７】まず、図３（ａ）に示すように、真空蒸着
法、スパッタ法等により、Ｉｎ₂Ｏ₃−ＳｎＯ₂を堆積
後、例えばフォトリソグラフィー技術を用いてＳｉＯ₂
を主成分とする層６２表面にｎ本の第３の層７７とそれ
ぞれｎ×ｍ個の素子電極２、３を形成する。そして、図
３（ｂ）に示すように、ｎ本の第１の配線（Ｙ方向）７
３をＡｇの粒子を含むペーストを印刷し、焼成すること
で形成する。First, as shown in FIG. 3A, after In ₂ O ₃ -SnO ₂ is deposited by a vacuum evaporation method, a sputtering method, or the like, SiO ₂ is deposited by using, for example, a photolithography technique.
Are formed on the surface of the layer 62 mainly composed of n and the n × m element electrodes 2 and 3 respectively. Then, as shown in FIG. 3B, n first wirings (Y direction) 7
3 is formed by printing a paste containing Ag particles and baking it.

【００５８】次に、図３（ｃ）に示すように、櫛歯状の
絶縁層７４を、絶縁性の粒子（ガラス粒子）を含むペー
ストを印刷し、焼成することで形成する。さらに、図３
（ｄ）に示すように、各絶縁層７４上に第２の配線（Ｘ
方向）７２を電極３を共通に接続するようにＡｇ粒子を
含むペーストを印刷し、焼成することで形成する。第
１、第２の配線７３，７２はそれぞれ外部端子として引
き出されている。Next, as shown in FIG. 3C, the comb-like insulating layer 74 is formed by printing and firing a paste containing insulating particles (glass particles). Further, FIG.
As shown in (d), a second wiring (X
The direction 72 is formed by printing and baking a paste containing Ag particles so as to connect the electrodes 3 in common. The first and second wirings 73 and 72 are led out as external terminals.

【００５９】そして、図３（ｅ）に示すように、素子電
極２、３とをつなぐように、ＳｉＯ ₂を主成分とする層
６２上に、有機金属溶液を塗布して、有機金属薄膜を形
成する。有機金属溶液には、前述の導電性膜４の材料の
金属を主元素とする有機金属化合物の溶液を用いること
ができる。有機金属薄膜を加熱焼成処理し、リフトオ
フ、エッチング等によりパターニングし、導電性膜４を
形成する。ここでは、有機金属溶液の塗布法をあげて説
明したが、導電性膜４の形成はこれに限られるものでな
く、分散塗布法、スパッタ法、ディッピング法等を用い
ることもできる。Then, as shown in FIG.
To connect poles 2 and 3 _TwoLayer mainly composed of
62, an organometallic solution is applied to form an organometallic thin film.
To achieve. The organic metal solution contains the material of the conductive film 4 described above.
Using a solution of an organometallic compound containing a metal as the main element
Can be. The organic metal thin film is heated and baked, and lifted
The conductive film 4 is patterned by etching and etching.
Form. Here, the method of applying the organometallic solution is described.
As described above, the formation of the conductive film 4 is not limited to this.
Using a dispersion coating method, a sputtering method, a dipping method, etc.
You can also.

【００６０】以上述べた電子源を用いた画像形成装置の
構成と作製例について以下に説明する。The configuration and manufacturing example of an image forming apparatus using the above-described electron source will be described below.

【００６１】図１において、第２の配線７２には、Ｘ方
向に配列した表面伝導型放出素子７６の行を、選択する
ための走査信号を印加する不図示の走査信号印加手段が
接続される。一方、第１の配線７３には、Ｙ方向に配列
した表面伝導型放出素子７６の各列を入力信号に応じ
て、変調するための不図示の変調信号発生手段が接続さ
れる。各電子放出素子に印加される駆動電圧は、当該素
子に印加される走査信号と変調信号の差電圧として供給
される。上記構成においては、単純なマトリクス配線を
用いて、個別の素子を選択し、独立に駆動可能とするこ
とができる。In FIG. 1, a scanning signal applying means (not shown) for applying a scanning signal for selecting a row of the surface conduction electron-emitting devices 76 arranged in the X direction is connected to the second wiring 72. . On the other hand, a modulation signal generating means (not shown) for modulating each column of the surface conduction electron-emitting devices 76 arranged in the Y direction according to an input signal is connected to the first wiring 73. The driving voltage applied to each electron-emitting device is supplied as a difference voltage between a scanning signal and a modulation signal applied to the device. In the above configuration, individual elements can be selected and driven independently using a simple matrix wiring.

【００６２】このような単純マトリクス配置の電子放出
素子を用いた画像形成装置の表示パネルの構成は、従来
の技術で示したものとほぼ同一構成である。図８を用い
て説明する。The configuration of a display panel of an image forming apparatus using such a simple matrix arrangement of electron-emitting devices is almost the same as that shown in the prior art. This will be described with reference to FIG.

【００６３】図８において、８１は電子放出素子を複数
配した電子源基板、８６はガラス基板８３の内面に蛍光
膜８４とメタルバック８５等が形成されたフェースプレ
ートである。８２は、支持枠であり該支持枠８２には、
電子源基板８１、フェースプレート８６が低融点のフリ
ットガラスなどを用いて、接合される。７２、７３は、
表面伝導型電子放出素子の一対の素子電極と接続された
第２の配線及び第１の配線である。外囲器８８は、上述
の如く、フェースープレート８６、支持枠８２、電子源
基板８１で構成される。一方、フェースープレート８
６、電子源基板８１間に、スペーサーとよばれる不図示
の支持体を設置することにより、大気圧に対して十分な
強度をもつ外囲器８８を構成することもできる。In FIG. 8, reference numeral 81 denotes an electron source substrate provided with a plurality of electron-emitting devices, and 86 denotes a face plate in which a fluorescent film 84 and a metal back 85 are formed on the inner surface of a glass substrate 83. Reference numeral 82 denotes a support frame.
The electron source substrate 81 and the face plate 86 are joined using low melting point frit glass or the like. 72, 73 are
The second wiring and the first wiring connected to a pair of device electrodes of the surface conduction electron-emitting device. The envelope 88 includes the face plate 86, the support frame 82, and the electron source substrate 81 as described above. On the other hand, face-plate 8
6. By installing a support (not shown) called a spacer between the electron source substrates 81, the envelope 88 having sufficient strength against atmospheric pressure can be formed.

【００６４】図８に示した画像形成装置の製造方法の一
例を以下に説明する。図９はこの工程に用いる装置の概
要を示す模式図である。外囲器８８は、排気管１３２を
介して真空チャンバー１３３に連結され、さらにゲート
バルブ１３４を介して排気装置１３５に接続されてい
る。真空チャンバー１３３には、内部の圧力及び雰囲気
中の各成分の分圧を測定するために、圧力計１３６、四
重極質量分析器１３７等が取り付けられている。外囲器
８８内部の圧力などを直接測定することは困難であるた
め、該真空チャンバー１３３内の圧力などを測定し、処
理条件を制御する。真空チャンバー１３３には、さらに
必要なガスを真空チャンバー内に導入して雰囲気を制御
するため、ガス導入ライン１３８が接続されている。該
ガス導入ライン１３８の他端には導入物質源１４０が接
続されており、導入物質がアンプルやボンベなどに入れ
て貯蔵されている。ガス導入ラインの途中には、導入物
質を導入するレートを制御するための導入制御手段１３
９が設けられている。該導入量制御手段としては具体的
には、スローリークバルブなど逃す流量を制御可能なバ
ルブや、マスフローコントローラーなどが、導入物質の
種類に応じて、それぞれ使用が可能である。An example of a method for manufacturing the image forming apparatus shown in FIG. 8 will be described below. FIG. 9 is a schematic diagram showing an outline of an apparatus used in this step. The envelope 88 is connected to the vacuum chamber 133 via the exhaust pipe 132, and further connected to the exhaust device 135 via the gate valve 134. The vacuum chamber 133 is provided with a pressure gauge 136, a quadrupole mass analyzer 137, and the like for measuring the internal pressure and the partial pressure of each component in the atmosphere. Since it is difficult to directly measure the pressure inside the envelope 88, the pressure inside the vacuum chamber 133 is measured to control the processing conditions. A gas introduction line 138 is connected to the vacuum chamber 133 in order to introduce necessary gas into the vacuum chamber and control the atmosphere. An introduction substance source 140 is connected to the other end of the gas introduction line 138, and the introduction substance is stored in an ampoule or a cylinder. In the middle of the gas introduction line, introduction control means 13 for controlling the rate at which the introduced substance is introduced.
9 are provided. As the introduction amount control means, specifically, a valve such as a slow leak valve capable of controlling the flow rate to be released, a mass flow controller, or the like can be used according to the type of the substance to be introduced.

【００６５】図９の装置により外囲器８８の内部を排気
し、フォーミングを行う。この際、例えば図１１に示す
ように、第１の配線７３を共通電極１４１に接続し、第
２の配線７２の内の一つに接続された素子に電源１４２
によって、同時に電圧パルスを印加して、フォーミング
を行うことができる。パルスの形状や、処理の終了の判
定などの条件は、個別素子のフォーミングについての既
述の方法に準じて選択すればよい。また、複数のＸ方向
配線に、位相をずらせたパルスを順次印加（スクロー
ル）することにより、複数のＸ方向配線に接続された素
子をまとめてフォーミングする事も可能である。図中１
４３は電流測定用抵抗を、１４４は、電流測定用のオシ
ロスコープを示す。The inside of the envelope 88 is evacuated by the apparatus shown in FIG. 9 to perform forming. At this time, for example, as shown in FIG. 11, the first wiring 73 is connected to the common electrode 141, and the element connected to one of the second wirings 72 is connected to the power supply 142.
Accordingly, forming can be performed by applying a voltage pulse at the same time. Conditions such as the shape of the pulse and the determination of the end of the processing may be selected according to the above-described method for forming the individual elements. Also, by sequentially applying (scrolling) a pulse with a phase shifted to a plurality of X-direction wirings, it is possible to form elements connected to the plurality of X-direction wirings collectively. 1 in the figure
Reference numeral 43 denotes a current measuring resistor, and 144 denotes a current measuring oscilloscope.

【００６６】このフォーミング工程の方法の一例として
通電処理による方法を説明する。素子電極２，３間に、
電源１４２を用いて、通電を行うと、導電性膜４の部位
に、構造の変化した電子放出部５が形成される。通電フ
ォーミングによれば導電性膜４に局所的に破壊、変形も
しくは変質等の構造の変化した部位が形成される。該部
位が電子放出部５を構成する。As an example of the method of the forming step, a method by an energization process will be described. Between the device electrodes 2 and 3
When power is supplied using the power supply 142, the electron-emitting portion 5 having a changed structure is formed at the portion of the conductive film 4. According to the energization forming, a portion of the conductive film 4 where a structure such as destruction, deformation or alteration is locally changed is formed. This portion constitutes the electron emission section 5.

【００６７】通電フォーミングの電圧波形の例を図１０
に示す。電圧波形は、パルス波形が、好ましい。これに
はパルス波高値を定電圧としたパルスを連続的に印加す
る図１０（ａ）に示した手法とパルス波高値を増加させ
ながら、電圧パルスを印加する図１０（ｂ）に示した手
法がある。図１０（ａ）におけるＴ１及びＴ２は電圧波
形のパルス幅とパルス間隔である。通常Ｔ１は１μｓｅ
ｃ．〜１０ｍｓｅｃ．、Ｔ２は、１０μｓｅｃ．〜１０
ｍｓｅｃ．の範囲で設定される。三角波の波高値（通電
フォーミング時のピーク電圧）は、表面伝導型電子放出
素形態に応じて適宜選択される。このような条件のも
と、例えば、数秒から数十分間電圧を印加する。パルス
波形は三角波に限定されるものではなく、矩形波など所
望の波形を採用することができる。図１０（ｂ）におけ
るＴ１及びＴ２は、図１０（ａ）に示したのと同様とす
ることができる。三角波の波高値（通電フォーミング時
のピーク電圧）は、例えば０．１Ｖステップ程度づつ、
増加させることができる。通電フォーミング処理の終了
は、パルス間隔Ｔ２中に、導電性膜４を局所的に破壊、
変形しない程度の電圧を印加し、電流を測定して検知す
ることができる。例えば０．１Ｖ程度の電圧印加により
流れる素子電流を測定し、抵抗値を求めて、１ＭΩ以上
の抵抗を示した時、通電フォーミングを終了させる。FIG. 10 shows an example of the voltage waveform of the energization forming.
Shown in The voltage waveform is preferably a pulse waveform. The method shown in FIG. 10A in which a pulse with a constant pulse peak value is applied continuously and the method shown in FIG. 10B in which a voltage pulse is applied while increasing the pulse peak value are used for this purpose. There is. T1 and T2 in FIG. 10A are the pulse width and pulse interval of the voltage waveform. Normally T1 is 1 μs
c. -10 msec. , T2 is 10 μsec. -10
msec. Is set in the range. The peak value of the triangular wave (peak voltage at the time of energization forming) is appropriately selected according to the form of the surface conduction electron-emitting device. Under such conditions, for example, a voltage is applied for several seconds to several tens minutes. The pulse waveform is not limited to a triangular wave, and a desired waveform such as a rectangular wave can be adopted. T1 and T2 in FIG. 10B can be the same as those shown in FIG. The peak value of the triangular wave (peak voltage during energization forming) is, for example, in steps of about 0.1 V,
Can be increased. The end of the energization forming process is to locally destroy the conductive film 4 during the pulse interval T2.
By applying a voltage that does not cause deformation, the current can be measured and detected. For example, an element current flowing by applying a voltage of about 0.1 V is measured, and a resistance value is obtained. When the resistance value indicates 1 MΩ or more, the energization forming is terminated.

【００６８】フォーミングを終えた素子には活性化工程
と呼ばれる処理を施すのが好ましい。活性化工程とは、
この工程により、素子電流Ｉｆ、放出電流Ｉｅが、著し
く変化する工程である。活性化工程は、例えば、有機物
質のガスを含有する雰囲気下で、通電フォーミングと同
様に、パルスの印加を繰り返すことで行うことができ
る。この雰囲気は、例えば油拡散ポンプやロータリーポ
ンプなどを用いて真空容器内を排気した場合に雰囲気内
に残留する有機ガスを利用して形成することができる
他、イオンポンプなどにより一旦十分に排気した真空中
に適当な有機物質のガスを導入することによっても得ら
れる。このときの好ましい有機物質のガス圧は、真空容
器の形状や、有機物質の種類などにより異なるため場合
に応じ適宜設定される。適当な有機物質としては、アル
カン、アルケン、アルキンの脂肪族炭化水素類、芳香族
炭化水素類、アルコール類、アルデヒド類、ケトン類、
アミン類、フェノール、カルボン、スルホン酸等の有機
酸類等を挙げることが出来、具体的には、メタン、エタ
ン、プロパンなどＣ_nＨ_2n+2で表される飽和炭化水素、
エチレン、プロピレンなどＣ_nＨ_2n等の組成式で表され
る不飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、メタノール、
エタノール、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ア
セトン、メチルエチルケトン、メチルアミン、エチルア
ミン、フェノール、蟻酸、酢酸、プロピオン酸等あるい
はこれらの混合物が使用できる。It is preferable to perform a process called an activation step on the device after the forming. The activation step
In this step, the element current If and the emission current Ie change significantly. The activation step can be performed, for example, by repeatedly applying a pulse in an atmosphere containing a gas of an organic substance, similarly to the energization forming. This atmosphere can be formed by using an organic gas remaining in the atmosphere when the inside of the vacuum vessel is evacuated using, for example, an oil diffusion pump or a rotary pump, or is sufficiently evacuated once by an ion pump or the like. It can also be obtained by introducing a gas of an appropriate organic substance into a vacuum. The preferable gas pressure of the organic substance at this time varies depending on the shape of the vacuum vessel, the type of the organic substance, and the like, and is appropriately set according to the case. Suitable organic substances include alkanes, alkenes, alkyne aliphatic hydrocarbons, aromatic hydrocarbons, alcohols, aldehydes, ketones,
Examples thereof include organic acids such as amines, phenol, carboxylic acid, and sulfonic acid. Specific examples thereof include methane, ethane, and saturated hydrocarbons represented by C _n H _{2n + 2} such as propane;
Ethylene, propylene C _n H _2n such unsaturated hydrocarbon represented by composition formula such as benzene, toluene, methanol,
Ethanol, formaldehyde, acetaldehyde, acetone, methyl ethyl ketone, methylamine, ethylamine, phenol, formic acid, acetic acid, propionic acid and the like or a mixture thereof can be used.

【００６９】この処理により、雰囲気中に存在する有機
物質から、炭素あるいは炭素化合物が素子上に堆積し、
素子電流Ｉｆ，放出電流Ｉｅが、著しく変化するように
なる。活性化工程の終了判定は、素子電流Ｉｆと放出電
流Ｉｅを測定しながら、適宜行う。なおパルス幅、パル
ス間隔、パルス波高値などは適宜設定される。上記炭素
及び炭素化合物とは、例えばグラファイト（いわいるＨ
ＯＰＧ，ＰＧ（，ＧＣ）を包含する、ＨＯＰＧはほぼ完
全なグラファイトの結晶構造、ＰＧは結晶粒が２０ｎｍ
程度で結晶構造がやや乱れたもの、ＧＣは結晶粒が２ｎ
ｍ程度になり結晶構造の乱れがさらに大きくなったもの
を指す。）、非晶質カーボン（アモルファスカーボン及
び、アモルファスカーボンと前記グラファイトの微結晶
の混合物を指す）であり、その膜厚は、５０ｎｍ以下の
範囲とするのが好ましく、３０ｎｍ以下の範囲とするこ
とがより好ましい。By this treatment, carbon or a carbon compound is deposited on the device from organic substances existing in the atmosphere,
The element current If and the emission current Ie change remarkably. The end of the activation step is determined as appropriate while measuring the device current If and the emission current Ie. The pulse width, pulse interval, pulse crest value, and the like are set as appropriate. The carbon and the carbon compound include, for example, graphite (so-called H
HOPG containing OPG and PG (, GC) has a crystal structure of almost perfect graphite, and PG has a crystal grain of 20 nm.
The crystal structure is slightly disturbed to the extent that GC has 2n crystal grains.
m, which indicates that the disorder of the crystal structure is further increased. ), Amorphous carbon (refers to amorphous carbon and a mixture of amorphous carbon and the above-mentioned graphite microcrystals), and the film thickness thereof is preferably 50 nm or less, more preferably 30 nm or less. More preferred.

【００７０】外囲器８８内は、十分に排気した後、有機
物質がガス導入ライン１３８から導入される。あるい
は、上述のように、まず油拡散ポンプやロータリーポン
プで排気し、これによって真空雰囲気中に残留する有機
物質を用いても良い。また、必要に応じて有機物質以外
の物質も導入される場合がある。この様にして形成し
た、有機物質を含む雰囲気中で、各電子放出素子に電圧
を印加することにより、炭素あるいは炭素化合物、ない
し両者の混合物が電子放出部に堆積し、電子放出量がド
ラスティックに上昇する。このときの電圧の印加方法
は、上記フォーミングの場合と同様の結線により、一つ
の方向配線につながった素子に、同時の電圧パルスを印
加すればよい。After exhausting the inside of the envelope 88 sufficiently, the organic substance is introduced from the gas introduction line 138. Alternatively, as described above, first, the organic substance remaining in the vacuum atmosphere may be used by evacuating with an oil diffusion pump or a rotary pump. In addition, substances other than organic substances may be introduced as necessary. By applying a voltage to each electron-emitting device in an atmosphere containing an organic substance formed in this manner, carbon or a carbon compound, or a mixture of both, is deposited on the electron-emitting portion, and the amount of emitted electrons is drastic. To rise. At this time, the voltage may be applied by applying the same voltage pulse to the elements connected to one direction wiring by the same connection as in the above-described forming.

【００７１】活性化工程終了後は、安定化工程を行うこ
とが好ましい。この工程は、外囲器８８内の有機物質を
排気する工程である。外囲器８８内の有機成分の分圧
は、上記の炭素及び炭素化合物がほぼ新たに堆積しない
分圧で１．３×１０^-6Ｐａ以下が好ましく、さらには
１．３×１０^-8Ｐａ以下が特に好ましい。さらに外囲器
８８内を排気するときには、外囲器８８全体を加熱し
て、外囲器８８内壁や、電子放出素子に吸着した有機物
質分子を排気しやすくするのが好ましい。このときの加
熱条件は、８０〜２５０℃、好ましくは１５０℃以上
で、できるだけ長時間処理するのが望ましいが、特にこ
の条件に限るものではなく、真空容器の大きさや形状、
電子放出素子の構成などの諸条件により適宜選ばれる条
件により行う。外囲器８８内の圧力は極力低くすること
が必要で、１×１０^-5Ｐａ以下が好ましく、さらに１．
３×１０^-6Ｐａ以下が特に好ましい。After the activation step, a stabilization step is preferably performed. This step is a step of exhausting the organic substance in the envelope 88. The partial pressure of the organic component in the envelope 88 is preferably 1.3 × 10 ⁻⁶ Pa or less, more preferably 1.3 × 10 ⁻⁸ Pa, at a partial pressure at which the carbon and the carbon compound hardly newly accumulate. The following are particularly preferred. Further, when the inside of the envelope 88 is evacuated, it is preferable that the entire envelope 88 be heated so that the organic substance molecules adsorbed on the inner wall of the envelope 88 and the electron-emitting device are easily evacuated. The heating conditions at this time are desirably 80 to 250 ° C., preferably 150 ° C. or more, and it is desirable to perform the treatment as long as possible. However, the present invention is not particularly limited to this condition, and the size and shape of the vacuum
This is performed under conditions appropriately selected according to various conditions such as the configuration of the electron-emitting device. The pressure in the envelope 88 needs to be as low as possible, and is preferably 1 × 10 ⁻⁵ Pa or less.
Particularly preferred is 3 × 10 ⁻⁶ Pa or less.

【００７２】安定化工程を行った後の、駆動時の雰囲気
は、上記安定化処理終了時の雰囲気を維持するのが好ま
しいが、これに限るものではなく、有機物質が十分除去
されていれば、真空度自体は多少低下しても十分安定な
特性を維持することが出来る。このような真空雰囲気を
採用することにより、新たな炭素あるいは炭素化合物の
堆積を抑制でき、また真空容器や基板などに吸着したＨ
₂Ｏ，Ｏ₂なども除去でき、結果として素子電流Ｉｆ，放
出電流Ｉｅが、安定する。The atmosphere at the time of driving after performing the stabilization step is preferably the same as the atmosphere at the end of the stabilization treatment, but is not limited to this. If the organic substance is sufficiently removed, Even if the degree of vacuum itself is slightly reduced, sufficiently stable characteristics can be maintained. By adopting such a vacuum atmosphere, the deposition of new carbon or a carbon compound can be suppressed, and H
₂ O, O _{2 and the} like can also be removed, and as a result, the element current If and the emission current Ie are stabilized.

【００７３】上記好ましい圧力にした後、排気管をバー
ナーで熱して溶解させて封じきる。外囲器８８の封止後
の圧力を維持するために、ゲッター処理を行なうことも
できる。これは、外囲器８８の封止を行う直前あるいは
封止後に、抵抗加熱あるいは高周波加熱等を用いた加熱
により、外囲器８８内の所定の位置（不図示）に配置さ
れたゲッターを加熱し、蒸着膜を形成する処理である。
ゲッターは通常ばＢａ等が主成分であり、該蒸着膜の吸
着作用により、外囲器８８内の雰囲気を維持するもので
ある。After the above preferable pressure is reached, the exhaust pipe is heated by a burner to be melted and sealed. In order to maintain the pressure after the envelope 88 is sealed, a getter process may be performed. This is because the getter disposed at a predetermined position (not shown) in the envelope 88 is heated by heating using resistance heating, high-frequency heating, or the like immediately before or after the envelope 88 is sealed. This is a process for forming a deposited film.
The getter is usually composed mainly of Ba or the like, and maintains the atmosphere in the envelope 88 by the adsorption action of the deposited film.

【００７４】次に、単純マトリクス配置の電子源を用い
て構成した表示パネルに、ＮＴＳＣ方式のテレビ信号に
基づいたテレビジョン表示を行う為の駆動回路の構成例
について、図１２を用いて説明する。図１２において、
１０１は画像表示表示パネル、１０２は走査回路、１０
３は制御回路、１０４はシフトレジスタである。１０５
はラインメモリ、１０６は同期信号分離回路、１０７は
変調信号発生器、ＶｘおよびＶａは直流電圧源である。
表示パネル１０１は、端子Ｄｏｘ１乃至Ｄｏｘｍ、端子
Ｄｏｙ１乃至Ｄｏｙｎ、及び高圧端子Ｈｖを介して外部
の電気回路と接続している。端子Ｄｏｘ１乃至Ｄｏｘｍ
には、表示パネル内に設けられている電子源、即ち、Ｍ
行Ｎ列の行列状にマトリクス配線された表面伝導型電子
放出素子群を一行（Ｎ素子）ずつ順次駆動する為の走査
信号が印加される。端子Ｄｏｙ１乃至Ｄｏｙｎには、前
記走査信号により選択された一行の表面伝導型電子放出
素子の各素子の出力電子ビームを制御する為の変調信号
が印加される。高圧端子Ｈｖには、直流電圧源Ｖａよ
り、例えば１０ｋＶの直流電圧が供給されるが、これは
表面伝導型電子放出素子から放出される電子ビームに蛍
光体を励起するのに十分なエネルギーを付与する為の加
速電圧である。Next, an example of the configuration of a driving circuit for performing television display based on NTSC television signals on a display panel configured using electron sources in a simple matrix arrangement will be described with reference to FIG. . In FIG.
101 is an image display panel, 102 is a scanning circuit, 10
3 is a control circuit, and 104 is a shift register. 105
Is a line memory, 106 is a synchronizing signal separation circuit, 107 is a modulation signal generator, and Vx and Va are DC voltage sources.
The display panel 101 is connected to an external electric circuit via terminals Dox1 to Doxm, terminals Doy1 to Doyn, and a high voltage terminal Hv. Terminals Dox1 to Doxm
Has an electron source provided in the display panel, that is, M
A scanning signal is applied to sequentially drive the surface-conduction electron-emitting device groups arranged in a matrix of N rows and N columns, one row at a time (N elements). To the terminals Doy1 to Doyn, a modulation signal for controlling the output electron beam of each element of the one row of surface conduction electron-emitting devices selected by the scanning signal is applied. The high-voltage terminal Hv is supplied with a DC voltage of, for example, 10 kV from a DC voltage source Va, which applies sufficient energy to an electron beam emitted from the surface conduction electron-emitting device to excite the phosphor. This is the accelerating voltage to perform.

【００７５】走査回路１０２について説明する。同回路
は、内部にＭ個のスイッチング素子を備えたもので（図
中，Ｓ１ないしＳｍで模式的に示している）ある。各ス
イッチング素子は、直流電圧源Ｖｘの出力電圧もしくは
０Ｖ（グランドレベル）のいずれか一方を選択し、表示
パネル１０１の端子Ｄｏｘ１ないしＤｏｘｍと電気的に
接続される。Ｓ１乃至Ｓｍの各スイッチング素子は、制
御回路１０３が出力する制御信号Ｔｓｃａｎに基づいて
動作するものであり、例えばＦＥＴのようなスイッチン
グ素子を組み合わせることにより構成することができ
る。The scanning circuit 102 will be described. This circuit includes M switching elements inside (in the figure, S1 to Sm are schematically shown). Each switching element selects either the output voltage of the DC voltage source Vx or 0 V (ground level), and is electrically connected to the terminals Dox1 to Doxm of the display panel 101. Each of the switching elements S1 to Sm operates based on the control signal Tscan output from the control circuit 103, and can be configured by combining switching elements such as FETs, for example.

【００７６】直流電圧源Ｖｘは、本例の場合には表面伝
導型電子放出素子の特性（電子放出しきい値電圧）に基
づき走査されていない素子に印加される駆動電圧が電子
放出しきい値電圧以下となるような一定電圧を出力する
よう設定されている。制御回路１０３は、外部より入力
する画像信号に基づいて適切な表示が行なわれるように
各部の動作を整合させる機能を有する。制御回路１０３
は、同期信号分離回路１０６より送られる同期信号Ｔｓ
ｙｎｃに基づいて、各部に対してＴｓｃａｎおよびＴｓ
ｆｔおよびＴｍｒｙの各制御信号を発生する。同期信号
分離回路１０６は、外部から入力されるＮＴＳＣ方式の
テレビ信号から同期信号成分と輝度信号成分とを分離す
る為の回路で、一般的な周波数分離（フィルター）回路
等を用いて構成できる。同期信号分離回路１０６により
分離された同期信号は、垂直同期信号と水平同期信号よ
り成るが、ここでは説明の便宜上Ｔｓｙｎｃ信号として
図示した。前記テレビ信号から分離された画像の輝度信
号成分は便宜上ＤＡＴＡ信号と表した。該ＤＡＴＡ信号
はシフトレジスタ１０４に入力される。In the case of the present embodiment, the DC voltage source Vx uses a driving voltage applied to an unscanned element based on the characteristics (electron emission threshold voltage) of the surface conduction electron-emitting element. It is set to output a constant voltage that is equal to or lower than the voltage. The control circuit 103 has a function of matching the operation of each unit so that appropriate display is performed based on an image signal input from the outside. Control circuit 103
Is the synchronization signal Ts sent from the synchronization signal separation circuit 106.
Tscan and Ts for each part based on the sync
ft and Tmry control signals are generated. The synchronizing signal separation circuit 106 is a circuit for separating a synchronizing signal component and a luminance signal component from an NTSC television signal input from the outside, and can be configured using a general frequency separation (filter) circuit or the like. The synchronizing signal separated by the synchronizing signal separating circuit 106 includes a vertical synchronizing signal and a horizontal synchronizing signal, but is shown here as a Tsync signal for convenience of explanation. The luminance signal component of the image separated from the television signal is referred to as a DATA signal for convenience. The DATA signal is input to the shift register 104.

【００７７】シフトレジスタ１０４は、時系列的にシリ
アルに入力される前記ＤＡＴＡ信号を、画像の１ライン
毎にシリアル／パラレル変換するためのもので、前記制
御回路１０３より送られる制御信号Ｔｓｆｔに基づいて
動作する（即ち、制御信号Ｔｓｆｔは，シフトレジスタ
１０４のシフトクロックであるということもでき
る。）。シリアル／パラレル変換された画像１ライン分
（電子放出素子Ｎ素子分の駆動データに相当）のデータ
は、Ｉｄ１乃至ＩｄｎのＮ個の並列信号として前記シフ
トレジスタ１０４より出力される。ラインメモリ１０５
は、画像１ライン分のデータを必要時間の間だけ記憶す
る為の記憶装置であり、制御回路１０３より送られる制
御信号Ｔｍｒｙに従って適宜Ｉｄ１乃至Ｉｄｎの内容を
記憶する。記憶された内容は、Ｉ’ｄ１乃至Ｉ’ｄｎと
して出力され、変調信号発生器１０７に入力される。変
調信号発生器１０７は、画像データＩ’ｄ１乃至Ｉ’ｄ
ｎの各々に応じて表面伝導型電子放出素子の各々を適切
に駆動変調する為の信号源であり、その出力信号は、端
子Ｄｏｙ１乃至Ｄｏｙｎを通じて表示パネル１０１内の
表面伝導型電子放出素子に印加される。The shift register 104 is for serially / parallel converting the DATA signal input serially in time series for each line of an image, and is based on a control signal Tsft sent from the control circuit 103. (Ie, the control signal Tsft can be said to be a shift clock of the shift register 104). The data for one line of the image subjected to the serial / parallel conversion (corresponding to drive data for N electron-emitting devices) is output from the shift register 104 as N parallel signals Id1 to Idn. Line memory 105
Is a storage device for storing data for one line of an image for a required time only, and stores the contents of Id1 to Idn as appropriate according to a control signal Tmry sent from the control circuit 103. The stored contents are output as I'd1 to I'dn and input to the modulation signal generator 107. The modulation signal generator 107 outputs the image data I′d1 to I ′d
n is a signal source for appropriately driving and modulating each of the surface conduction electron-emitting devices in accordance with each of n, and the output signal is applied to the surface conduction electron-emitting device in the display panel 101 through terminals Doy1 to Doyn. Is done.

【００７８】ここで前述した表面伝導型電子放出素子は
放出電流Ｉｅに対して以下の基本特性を有している。即
ち、電子放出には明確なしきい値電圧Ｖｔｈがあり、Ｖ
ｔｈ以上の電圧を印加された時のみ電子放出が生じる。
電子放出しきい値以上の電圧に対しては、素子への印加
電圧の変化に応じて放出電流も変化する。このことか
ら、本素子にパルス状の電圧を印加する場合、例えば電
子放出閾値以下の電圧を印加しても電子放出は生じない
が、電子放出閾値以上の電圧を印加する場合には電子ビ
ームが出力される。その際、パルスの波高値Ｖｍを変化
させる事により出力電子ビームの強度を制御することが
可能である。また、パルスの幅Ｐｗを変化させることに
より出力される電子ビームの電荷の総量を制御する事が
可能である。従って、入力信号に応じて、電子放出素子
を変調する方式としては、電圧変調方式、パルス幅変調
方式等が採用できる。電圧変調方式を実施するに際して
は、変調信号発生器１０７として、一定長さの電圧パル
スを発生し、入力されるデータに応じて適宜パルスの波
高値を変調するような電圧変調方式の回路を用いること
ができる。The surface conduction electron-emitting device described above has the following basic characteristics with respect to the emission current Ie. That is, the electron emission has a clear threshold voltage Vth,
Electron emission occurs only when a voltage greater than th is applied.
For a voltage equal to or higher than the electron emission threshold, the emission current also changes according to the change in the voltage applied to the device. From this, when a pulse-like voltage is applied to this element, for example, when a voltage lower than the electron emission threshold is applied, electron emission does not occur, but when a voltage higher than the electron emission threshold is applied, the electron beam is emitted. Is output. At that time, the intensity of the output electron beam can be controlled by changing the pulse peak value Vm. Further, by changing the pulse width Pw, it is possible to control the total amount of charges of the output electron beam. Therefore, a voltage modulation method, a pulse width modulation method, or the like can be adopted as a method of modulating the electron-emitting device according to the input signal. When implementing the voltage modulation method, a circuit of a voltage modulation method that generates a voltage pulse of a fixed length and modulates the peak value of the pulse appropriately according to input data is used as the modulation signal generator 107. be able to.

【００７９】パルス幅変調方式を実施するに際しては、
変調信号発生器１０７として、一定の波高値の電圧パル
スを発生し、入力されるデータに応じて適宜電圧パルス
の幅を変調するようなパルス幅変調方式の回路を用いる
ことができる。When implementing the pulse width modulation method,
As the modulation signal generator 107, a pulse width modulation type circuit that generates a voltage pulse having a constant peak value and appropriately modulates the width of the voltage pulse according to input data can be used.

【００８０】シフトレジスタ１０４やラインメモリ１０
５は、デジタル信号式のものをもアナログ信号式のもの
をも採用できる。画像信号のシリアル／パラレル変換や
記憶が所定の速度で行なわれれば良いからである。The shift register 104 and the line memory 10
5 can be either a digital signal type or an analog signal type. This is because the serial / parallel conversion and storage of the image signal may be performed at a predetermined speed.

【００８１】デジタル信号式を用いる場合には、同期信
号分離回路１０６の出力信号ＤＡＴＡをデジタル信号化
する必要があるが、これには１０６の出力部にＡ／Ｄ変
換器を設ければ良い。これに関連してラインメモリ１０
５の出力信号がデジタル信号かアナログ信号かにより、
変調信号発生器１０７に用いられる回路が若干異なった
ものとなる。即ち、デジタル信号を用いた電圧変調方式
の場合、変調信号発生器１０７には、例えばＤ／Ａ変換
回路を用い、必要に応じて増幅回路などを付加する。パ
ルス幅変調方式の場合、変調信号発生器１０７には、例
えば高速の発振器および発振器の出力する波数を計数す
る計数器（カウンタ）及び計数器の出力値と前記メモリ
の出力値を比較する比較器（コンパレータ）を組み合せ
た回路を用いる。必要に応じて、比較器の出力するパル
ス幅変調された変調信号を表面伝導型電子放出素子の駆
動電圧にまで電圧増幅するための増幅器を付加すること
もできる。When the digital signal type is used, it is necessary to convert the output signal DATA of the synchronizing signal separation circuit 106 into a digital signal. For this purpose, an A / D converter may be provided at the output section of the synchronization signal 106. In connection with this, the line memory 10
Depending on whether the output signal of 5 is a digital signal or an analog signal,
The circuit used for modulation signal generator 107 is slightly different. That is, in the case of the voltage modulation method using a digital signal, for example, a D / A conversion circuit is used as the modulation signal generator 107, and an amplification circuit and the like are added as necessary. In the case of the pulse width modulation method, the modulation signal generator 107 includes, for example, a high-speed oscillator, a counter for counting the number of waves output from the oscillator, and a comparator for comparing the output value of the counter with the output value of the memory. (Comparator) is used. If necessary, an amplifier for amplifying the voltage of the pulse width modulated signal output from the comparator to the drive voltage of the surface conduction electron-emitting device can be added.

【００８２】アナログ信号を用いた電圧変調方式の場
合、変調信号発生器１０７には、例えばオペアンプなど
を用いた増幅回路を採用でき、必要に応じてレベルシフ
ト回路などを付加することもできる。パルス幅変調方式
の場合には、例えば、電圧制御型発振回路（ＶＯＣ）を
採用でき、必要に応じて表面伝導型電子放出素子の駆動
電圧まで電圧増幅するための増幅器を付加することもで
きる。このような構成をとり得る本発明を適用可能な画
像表示装置においては、各電子放出素子に、容器外端子
Ｄｏｘ１乃至Ｄｏｘｍ、Ｄｏｙ１乃至Ｄｏｙｎを介して
電圧を印加することにより、電子放出が生ずる。高圧端
子Ｈｖを介してメタルバック８５、あるいは透明電極
（不図示）に高圧を印加し、電子ビームを加速する。加
速された電子は、蛍光膜８４に衝突し、発光が生じて画
像が形成される。In the case of the voltage modulation method using an analog signal, an amplification circuit using, for example, an operational amplifier can be used as the modulation signal generator 107, and a level shift circuit and the like can be added as needed. In the case of the pulse width modulation method, for example, a voltage-controlled oscillation circuit (VOC) can be employed, and an amplifier for amplifying the voltage up to the drive voltage of the surface conduction electron-emitting device can be added as necessary. In the image display apparatus to which the present invention can be applied, an electron emission is generated by applying a voltage to each electron-emitting device via the external terminals Dox1 to Doxm and Doy1 to Doyn. A high voltage is applied to the metal back 85 or a transparent electrode (not shown) via the high voltage terminal Hv to accelerate the electron beam. The accelerated electrons collide with the fluorescent film 84 and emit light to form an image.

【００８３】ここで述べた画像形成装置の構成は、本発
明を適用可能な画像形成装置の一例であり、本発明の技
術思想に基づいて種々の変形が可能である。入力信号に
ついては、ＮＴＳＣ方式を挙げたが入力信号はこれに限
られるものではなく、ＰＡＬ，ＳＥＣＡＭ方式など他、
これよりも、多数の走査線からなるＴＶ信号（例えば、
ＭＵＳＥ方式をはじめとする高品位ＴＶ）方式をも採用
できる。The configuration of the image forming apparatus described here is an example of an image forming apparatus to which the present invention can be applied, and various modifications can be made based on the technical idea of the present invention. As for the input signal, the NTSC system has been described, but the input signal is not limited to this, and PAL, SECAM system, etc.
A TV signal composed of a large number of scanning lines (for example,
A high-definition TV system such as the MUSE system can also be adopted.

【００８４】[0084]

【実施例】以下、具体的な実施例を挙げて本発明を詳し
く説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の目的が達成される範囲内での各要素
の置換や設計変更がなされたものをも包含する。EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to specific examples, but the present invention is not limited to these examples, and each element within a range in which the object of the present invention is achieved. This also includes those in which substitutions or design changes have been made.

【００８５】本実施例では、図１に示す電子源基板８１
を、図３（ａ）〜（ｅ）に示す製造工程に従って作製
し、実施の形態で記述したように外囲器８８を作製し
た。In this embodiment, the electron source substrate 81 shown in FIG.
Was manufactured according to the manufacturing steps shown in FIGS. 3A to 3E, and the envelope 88 was manufactured as described in the embodiment.

【００８６】まず、図１に示した電子源基板を作製す
る。First, the electron source substrate shown in FIG. 1 is manufactured.

【００８７】（工程１）基板６としての青板ガラス（Ｓ
ｉＯ₂：７４％、Ｎａ₂Ｏ：１２％、ＣａＯ：９％、Ｋ₂
Ｏ：３％、ＭｇＯ：２％）を良く洗浄し、スパッタリン
グ法により、ＳｉＯ₂を含有するＳｎＯ₂を主成分とする
導電性酸化物層６１を形成した。この時の導電性酸化物
層６１の厚さは約３００ｎｍである。(Step 1) Blue glass (S
iO ₂ : 74%, Na ₂ O: 12%, CaO: 9%, K ₂
(O: 3%, MgO: 2%) was thoroughly washed, and a conductive oxide layer 61 containing SnO ₂ containing SiO ₂ as a main component was formed by a sputtering method. At this time, the thickness of the conductive oxide layer 61 is about 300 nm.

【００８８】（工程２）続いてＣＶＤ法によりＳｉＯ₂
を主成分とする層６２を形成した。使用したソースはＴ
ＥＯＳ（テトラエトキシシリカ（Ｓｉ（ＯＣ
₂Ｈ₅）₄））である。ＳｉＯ₂を主成分とする層６２の厚
さは、約１００ｎｍになるように形成した。(Step 2) Subsequently, SiO _{2 was formed} by CVD.
Was formed as a main component. The source used was T
EOS (tetraethoxysilica (Si (OC
₂ H ₅₎ is _4)). The layer 62 mainly composed of SiO ₂ was formed to have a thickness of about 100 nm.

【００８９】（工程３）以上の工程１、２にて作製され
た電子源基板８１上に、表面伝導型電子放出素子の一対
の素子電極２、３と第３の層７７を形成する。(Step 3) The pair of device electrodes 2 and 3 of the surface conduction electron-emitting device and the third layer 77 are formed on the electron source substrate 81 manufactured in the above steps 1 and 2.

【００９０】まず、工程１、２にて作製された電子源基
板８１上にスパッタリング法によりＩｎ₂Ｏ₃−ＳｎＯ₂
を厚さ１００ｎｍとなるように成膜した。続いて、フォ
トリソグラフィーを用いて、図３（ａ）に示すパターン
に一対の素子電極２、３と第３の層７７を形成した。こ
こで、第３の層７７の幅Ｗ２（図１）は１２０μｍで、
第１の配線７３の幅Ｗ１（図１）１００μｍより広くし
た。First, In ₂ O ₃ —SnO ₂ was formed on the electron source substrate 81 manufactured in Steps 1 and 2 by sputtering.
Was formed to a thickness of 100 nm. Subsequently, a pair of device electrodes 2 and 3 and a third layer 77 were formed in a pattern shown in FIG. 3A by using photolithography. Here, the width W2 (FIG. 1) of the third layer 77 is 120 μm,
The width W1 of the first wiring 73 (FIG. 1) was made wider than 100 μm.

【００９１】また、実施例２として、第３の層７７の幅
Ｗ２を８０μｍで、第１の配線７３の幅Ｗ１の１００μ
ｍより狭くし、両側に１０μｍ第１の配線７３がはみ出
すようなパターンも作製した。In the second embodiment, the width W2 of the third layer 77 is 80 μm, and the width W1 of the first wiring 73 is 100 μm.
m, and a pattern in which the first wiring 73 protrudes 10 μm on both sides was also manufactured.

【００９２】また、比較例として、以下の工程３’によ
り、従来の素子電極を用いた電子源基板８１も作製し
た。なお、比較例の工程４以降の工程は、実施例１，２
と同様である。As a comparative example, an electron source substrate 81 using a conventional device electrode was also manufactured by the following step 3 '. In addition, the process after the process 4 of a comparative example is Example 1, 2
Is the same as

【００９３】（工程３’）工程１、２にて作製された電
子源基板８１上にオフセット印刷法により、素子電極
２、３の形状の白金ＭＯレジネートペースト（エヌ イ
ー ケムキャット社製）のパターンを形成した。(Step 3 ′) A pattern of a platinum MO resinate paste (manufactured by NE Chemcat Corporation) in the shape of the device electrodes 2 and 3 was formed on the electron source substrate 81 prepared in steps 1 and 2 by offset printing. Formed.

【００９４】オフセット印刷後、８０℃で２０分乾燥
し、次いで熱処理装置によりピーク温度５２０℃保持時
間８分間の条件で上記ペーストを焼成し、厚さ４０ｎｍ
の素子電極２、３を形成した。素子電極間隔は２０μｍ
とした。After offset printing, the paste was dried at 80 ° C. for 20 minutes, and then baked by a heat treatment apparatus under the conditions of a peak temperature of 520 ° C. and a holding time of 8 minutes, and a thickness of 40 nm.
The device electrodes 2 and 3 were formed. Device electrode spacing is 20 μm
And

【００９５】（工程４）次いで、金属成分として銀を含
むペースト材料（ＮＰ−４０２８Ａ：ノリタケ社製）を
用い、スクリーン印刷法により第１の配線７３のパター
ンを形成し、工程３と同様の条件で焼成して第１の配線
７３を形成した（図３（ｂ））。この時の配線幅を１０
０μｍとした。(Step 4) Next, using a paste material containing silver as a metal component (NP-4028A: manufactured by Noritake Co., Ltd.), a pattern of the first wiring 73 is formed by screen printing, and the same conditions as in step 3 are used. To form a first wiring 73 (FIG. 3B). The wiring width at this time is 10
It was set to 0 μm.

【００９６】（工程５）次に、ＰｂＯを主成分とするペ
ーストを用い、絶縁層７４のパターンを印刷して工程３
と同様の条件で焼成し、絶縁層７４を形成した（図３
（ｃ））。該絶縁層７４は素子電極３と、後の工程で形
成する第２の配線７２とが電気的に接続されるよう、切
り抜き部分を有している。(Step 5) Next, using a paste containing PbO as a main component, the pattern of the insulating
The insulating layer 74 was formed by firing under the same conditions as in FIG.
(C)). The insulating layer 74 has a cut-out portion so that the element electrode 3 is electrically connected to a second wiring 72 formed in a later step.

【００９７】（工程６）工程４と同様の方法で、第２の
配線７２を形成し（図３（ｄ））、複数の第１の配線７
３及び第２の配線７２からなるマトリクス配線を形成し
た。(Step 6) In the same manner as in step 4, a second wiring 72 is formed (FIG. 3D), and a plurality of first wirings 7 are formed.
A matrix wiring including the third and second wirings 72 was formed.

【００９８】（工程７）次いで、上記各一対の素子電極
２、３間に、導電性膜４を形成した。有機パラジウム含
有溶液を、バブルジェット（登録商標）方式のインクジ
ェット噴射装置を用いて、幅が１００μｍとなるように
付与して行った。その後３５０℃で１０分間の加熱処理
を行って、酸化パラジウム微粒子からなる導電性膜４を
得た（図３（ｅ））。(Step 7) Next, a conductive film 4 was formed between the pair of device electrodes 2 and 3. An organic palladium-containing solution was applied by using a bubble jet (registered trademark) type inkjet ejector so that the width became 100 μm. Thereafter, a heat treatment was performed at 350 ° C. for 10 minutes to obtain a conductive film 4 made of fine palladium oxide particles (FIG. 3E).

【００９９】（工程８）図８のように、上記工程１〜７
で製造した電子源基板８１とフェースプレート８６（ガ
ラス基板８３の内面に蛍光膜８４、メタルバック８５が
形成されている）、支持枠８２を組み合わせて封着し
た。電子源基板８１とフェースプレート８６との距離は
２ｍｍとした。なお、外囲器８８内に不図示であるが高
周波加熱用ゲッタが配置されており、同じく不図示であ
るが外囲器８８内の雰囲気を制御するための排気管が外
囲器８８内に取り付けられている。封着は、封着部にフ
リットガラスを塗布し、大気中で、４５０℃１０分間の
加熱処理を行うことにより行った。(Step 8) As shown in FIG.
The electron source substrate 81 and the face plate 86 (the fluorescent film 84 and the metal back 85 are formed on the inner surface of the glass substrate 83) and the support frame 82 are combined and sealed. The distance between the electron source substrate 81 and the face plate 86 was 2 mm. A high-frequency heating getter (not shown) is disposed in the envelope 88, and an exhaust pipe (not shown) for controlling the atmosphere in the envelope 88 is also provided in the envelope 88. Installed. Sealing was performed by applying frit glass to the sealed portion and performing heat treatment at 450 ° C. for 10 minutes in the air.

【０１００】（工程９）外囲器８８の内部を排気管（不
図示）を通じて排気装置（主ポンプとして油拡散ポンプ
を使用）により排気し、圧力を１．３×１０^-3Ｐａ以下
にまで下げた後、第２の配線７２及び第１の配線７３を
通じて複数の一対の素子電極２、３間にパルス電圧を繰
り返し印加するフォーミング処理を行った。フォーミン
グ処理には、図１０（ｂ）に示すパルスを用い、Ｔ１＝
１ｍｓｅｃ、Ｔ２＝１０ｍｓｅｃとして、複数の各導電
性膜４に図２に示された間隙５の形成を行った。この処
理は第２の配線７２の一本に接続された素子の配線毎に
行い、１素子あたりの抵抗値が１ＭΩを超えたところ
で、その配線の処理を終了し、次の配線に移る。これを
繰り返して全ての素子の処理を行った。(Step 9) The inside of the envelope 88 is exhausted by an exhaust device (using an oil diffusion pump as a main pump) through an exhaust pipe (not shown), and the pressure is reduced to 1.3 × 10 ⁻³ Pa or less. After the lowering, a forming process of repeatedly applying a pulse voltage between the pair of element electrodes 2 and 3 through the second wiring 72 and the first wiring 73 was performed. In the forming process, the pulse shown in FIG.
The gap 5 shown in FIG. 2 was formed in each of the plurality of conductive films 4 at 1 msec and T2 = 10 msec. This processing is performed for each wiring of the element connected to one of the second wirings 72, and when the resistance value per element exceeds 1 MΩ, the processing of that wiring is finished and the next wiring is started. This was repeated to process all the elements.

【０１０１】（工程１０）続いて、活性化処理を施し
た。活性化工程は、実施の形態で説明したように、外囲
器８８内にアセトンの蒸気をガス導入ライン１３８から
導入し、圧力を７×１０^-1Ｐａとし、波高値１８Ｖの矩
形波パルスを各素子行に順次印加することを繰り返して
行った。次いで、排気装置を主ポンプに磁気浮上型ター
ボポンプを用いたものに切り替えて、外囲器８８全体を
２００℃加熱しながら排気しすることにより、安定化処
理を行った。次に、高周波加熱法によるゲッタ処理を行
った後、排気管を加熱、融着して封じ切った。(Step 10) Subsequently, an activation treatment was performed. In the activation step, as described in the embodiment, a vapor of acetone is introduced into the envelope 88 from the gas introduction line 138, the pressure is set to 7 × 10 ⁻¹ Pa, and a rectangular wave pulse having a peak value of 18 V is generated. The application to each element row was sequentially repeated. Next, a stabilization process was performed by switching the exhaust device to a device using a magnetic levitation type turbo pump as a main pump and exhausting the entire envelope 88 while heating it at 200 ° C. Next, after performing a getter process by a high-frequency heating method, the exhaust pipe was heated, fused and sealed.

【０１０２】上記１〜１０の工程終了後、外囲器８８内
の各素子ごとに矩形波パルス電圧を５０時間印加し、素
子電流Ｉｆと放出電流Ｉｅの経時変化を測定し、実施例
１，２、比較例の外囲器８８内の各任意の１０素子に関
して測定し、比較した。波高値１８Ｖ、パルス幅１ｍｓ
ｅｃ、パルス間隔１０ｍｓｅｃ、メタルバック８５の電
位は１ｋＶとした。After the above steps 1 to 10 were completed, a rectangular wave pulse voltage was applied to each element in the envelope 88 for 50 hours, and changes with time in the element current If and the emission current Ie were measured. 2. Measured and compared for each arbitrary 10 elements in the envelope 88 of the comparative example. Peak value 18V, pulse width 1ms
ec, the pulse interval was 10 msec, and the potential of the metal back 85 was 1 kV.

【０１０３】図６に素子電流Ｉｆと放出電流Ｉｅの経時
変化の様子を表すグラフ（実施例１，２、比較例の各素
子を代表する１素子のグラフ）を示す。図６において、
比較例より実施例１の方が、電子源の劣化（Ｉｆ、Ｉｅ
の経時的減少）が大幅に改善していることが伺える。ま
た、実施例２では、第３の層の効果は弱く、上記電子源
の劣化の改善は薄い。FIG. 6 shows a graph (a graph of one element representing each element of Examples 1 and 2 and Comparative Example) showing how the element current If and the emission current Ie change with time. In FIG.
In the first embodiment, the deterioration of the electron source (If, Ie)
Over time) has been greatly improved. In the second embodiment, the effect of the third layer is weak, and the improvement in the deterioration of the electron source is small.

【０１０４】表１に素子電流変化率と放出電流変化率の
実施例１，２、比較例の各１０素子の範囲を比較した表
を示す。ここで素子電流変化率＝（（Ｉｆ最大値−Ｉｆ
最小値）／Ｉｆ平均値）×１００（％）放出電流変化率
＝（（Ｉｅ最大値−Ｉｅ最小値）／Ｉｅ平均値）×１０
０（％）である。Table 1 shows a comparison between the ranges of the element current change rate and the emission current change rate of the ten elements of Examples 1 and 2 and Comparative Example. Here, the element current change rate = ((If maximum value−If)
(Minimum value) / If average value) × 100 (%) emission current change rate = ((Ie maximum value−Ie minimum value) / Ie average value) × 10
0 (%).

【０１０５】[0105]

【表１】 [Table 1]

【０１０６】次に、測定後、外囲器８８を解体して、評
価した各電子放出素子の電子放出部（間隙５）の深さ方
向のＳＩＭＳ分析（２次イオン質量分析）を行った。結
果を図７に示す。実施例２、比較例においては、最表面
のＳｉＯ₂層にＡｇイオンが実施例１より多い。また、
実施例２、比較例においては、Ａｇイオンの存在によ
り、最表面のＳｉＯ₂層にＮａイオンが実施例１より多
く存在する。前記表１の結果は、このＮａイオンの有無
で説明される。Next, after the measurement, the envelope 88 was disassembled, and SIMS analysis (secondary ion mass spectrometry) was performed in the depth direction of the electron-emitting portion (gap 5) of each of the evaluated electron-emitting devices. FIG. 7 shows the results. In Example 2 and Comparative Example, the outermost SiO ₂ layer has more Ag ions than in Example 1. Also,
In Example 2 and Comparative Example, more Na ions were present in the outermost SiO ₂ layer than in Example 1 due to the presence of Ag ions. The results in Table 1 are explained by the presence or absence of this Na ion.

【０１０７】図６、図７、表１の結果より、実施例１
は、比較例と比較して、電子源の劣化が小さく（素子電
流変化率、放出電流変化率が小さく）安定性に優れてい
る。つまり、第３の層（Ｉｎ₂Ｏ₃−ＳｎＯ₂）を電子源
基板８１と第１の配線の間に配置することで、Ａｇ拡散
を抑制し、その結果Ｎａ拡散を抑え、電子源の劣化を大
幅に低減できる。また、実施例２と比較して、電子源の
劣化が小さく（素子電流変化率、放出電流変化率が小さ
く）安定性に優れている。つまり、第３の層幅が第１の
配線幅より大きい条件（Ｗ１＜Ｗ２）が好ましい。From the results shown in FIGS. 6 and 7 and Table 1, Example 1 was obtained.
Is excellent in stability with less deterioration of the electron source (lower change rate of element current and lower change rate of emission current) than the comparative example. That is, by arranging the third layer (In ₂ O ₃ —SnO ₂ ) between the electron source substrate 81 and the first wiring, Ag diffusion is suppressed, and as a result, Na diffusion is suppressed and deterioration of the electron source is suppressed. Can be greatly reduced. Further, as compared with Example 2, the electron source is less deteriorated (the element current change rate and the emission current change rate are smaller) and the stability is excellent. That is, it is preferable that the third layer width be larger than the first wiring width (W1 <W2).

【０１０８】[0108]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、電子源、特にマトリクス配線材料にＡｇを用
いた電子源において、配線と基板との間に、配線に含ま
れる金属の導電性膜への移動を遮断する導電性部材（Ｉ
ｎ₂Ｏ₃−ＳｎＯ₂等）を設ける事で、ガラスフリット接
合温度による配線に含まれる金属イオン（Ａｇイオン
等）の拡散を防止することでＮａイオンが基板内から電
子放出部に拡散するのを抑制し、電子源特性の劣化を防
止できる。それにより明るく高品位な画像表示装置を提
供する事が可能になる。As is apparent from the above description, according to the present invention, in an electron source, particularly an electron source using Ag as a matrix wiring material, the metal contained in the wiring is disposed between the wiring and the substrate. A conductive member (I) that blocks movement to the conductive film
n ₂ O ₃ -SnO ₂ ) prevents diffusion of metal ions (Ag ions, etc.) contained in the wiring due to the glass frit bonding temperature, and thereby Na ions diffuse from the substrate to the electron emission portion. And the deterioration of the electron source characteristics can be prevented. Thus, a bright and high-quality image display device can be provided.

【０１０９】また、素子電極部材を、配線に含まれる金
属の導電性膜への移動を遮断する導電性部材（Ｉｎ₂Ｏ₃
−ＳｎＯ₂等）にし、配線と同工程で形成することでコ
スト高なＰｔ素子電極よりも、低コストで素子電極を形
成することができる。Further, the element electrode member is formed of a conductive member (In ₂ O ₃₎ that blocks movement of metal contained in the wiring to the conductive film.
-SnO _2, etc.) and forming them in the same step as the wiring, the device electrodes can be formed at lower cost than the costly Pt device electrodes.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の電子源基板の一例を示す模式図。FIG. 1 is a schematic view showing an example of an electron source substrate of the present invention.

【図２】本発明の電子源基板の断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view of the electron source substrate of the present invention.

【図３】本発明に関する電子源基板の製造手順を説明す
るための模式図。FIG. 3 is a schematic diagram for explaining a manufacturing procedure of the electron source substrate according to the present invention.

【図４】本発明の電子源に適用される表面伝導型電子放
出素子の一例を示す模式的部分拡大図であり、（ａ）は
平面図、（ｂ）は断面図。FIGS. 4A and 4B are schematic partial enlarged views showing an example of a surface conduction electron-emitting device applied to the electron source of the present invention, wherein FIG. 4A is a plan view and FIG.

【図５】本発明の電子源に適用される表面伝導型電子放
出素子の別の例を示す模式的部分拡大図であり、（ａ）
は平面図、（ｂ）は断面図。FIG. 5 is a schematic partial enlarged view showing another example of the surface conduction electron-emitting device applied to the electron source of the present invention, and FIG.
Is a plan view, and (b) is a sectional view.

【図６】本発明の実施例１、２、比較例の電子放出特性
（Ｉｆ，Ｉｅ）の時間変化を示す図。FIG. 6 is a diagram showing a change over time in electron emission characteristics (If, Ie) of Examples 1 and 2 of the present invention and a comparative example.

【図７】本発明の実施例１、２、比較例の電子放出部位
のＳＩＭＳ分析結果を示す図。FIG. 7 is a diagram showing SIMS analysis results of electron emission sites in Examples 1 and 2 of the present invention and Comparative Example.

【図８】本発明の画像形成装置の構成を示す模式図。FIG. 8 is a schematic diagram illustrating a configuration of an image forming apparatus according to the present invention.

【図９】画像形成装置の製造に用いる装置の概要を示す
模式図。FIG. 9 is a schematic diagram illustrating an outline of an apparatus used for manufacturing an image forming apparatus.

【図１０】本発明に関する電子源の製造に用いるパルス
電圧波形の模式図。FIG. 10 is a schematic diagram of a pulse voltage waveform used for manufacturing an electron source according to the present invention.

【図１１】本発明の画像形成装置の、フォーミング、活
性化工程のための結線方法を示す模式図。FIG. 11 is a schematic diagram showing a connection method for forming and activating steps of the image forming apparatus of the present invention.

【図１２】駆動回路の一例を示すブロック図。FIG. 12 is a block diagram illustrating an example of a driver circuit.

【図１３】表面伝導型電子放出素子の一例を示す模式図
であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図。13A and 13B are schematic diagrams illustrating an example of a surface conduction electron-emitting device, wherein FIG. 13A is a plan view and FIG. 13B is a cross-sectional view.

【図１４】従来の電子源基板の製造手順を説明するため
の模式図。FIG. 14 is a schematic view for explaining a conventional procedure for manufacturing an electron source substrate.

【図１５】Ａｇ配線を用いた場合の、基板内へのＡｇイ
オン拡散、基板表面へのＮａイオン拡散を示す模式図。FIG. 15 is a schematic diagram showing diffusion of Ag ions into a substrate and diffusion of Na ions to a substrate surface when an Ag wiring is used.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

２，３： 素子電極 ４： 導電性膜 ５： 電子放出部 ６： 基板 ８： 炭素膜によってできる間隙 ９： 炭素膜 ６１： 導電性酸化物層 ６２： ＳｉＯ₂を主成分とする膜 ７２： 第２の配線 ７３： 第１の配線 ７４： 絶縁層 ７６： 電子放出素子 ７７： 第３の配線 ８１： 電子源基板 ８２： 支持枠 ８３： （フェースプレートの）ガラス基板 ８４： 蛍光膜 ８５： メタルバック ８６： フェースプレート ８８： 外囲器 １０１： 画像形成装置 １０２： 走査回路 １０３： 制御回路 １０４： シフトレジスタ １０５： ラインメモリ １０６： 同期信号分離回路 １０７： 変調信号発生回路 １３２： 排気管 １３３： 真空チャンバー １３４： ゲートバルブ １３５： 排気装置 １３６： 圧力計 １３７： 四重極質量分析器 １３８： ガス導入ライン １３９： 導入量制御手段 １４０： 導入物質源 １４１： 共通電極 １４２： 電源 １４３： 電流測定用抵抗 １４４： オシロスコープ2, 3: Device electrode 4: Conductive film 5: Electron emitting portion 6: Substrate 8: Gap formed by carbon film 9: Carbon film 61: Conductive oxide layer 62: Film mainly composed of SiO ₂ 72: First 2nd wiring 73: first wiring 74: insulating layer 76: electron emitting element 77: third wiring 81: electron source substrate 82: support frame 83: glass substrate (of a face plate) 84: fluorescent film 85: metal back 86: face plate 88: envelope 101: image forming apparatus 102: scanning circuit 103: control circuit 104: shift register 105: line memory 106: synchronization signal separation circuit 107: modulation signal generation circuit 132: exhaust pipe 133: vacuum chamber 134: Gate valve 135: Exhaust device 136: Pressure gauge 137: Quadrupole mass spectrometer 138: Gas introduction line 1 39: Introduced amount control means 140: Introduced substance source 141: Common electrode 142: Power supply 143: Current measuring resistor 144: Oscilloscope

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 榎本 隆 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 5C031 DD17 5C036 EE09 EF01 EF06 EG02 EG12 EG13 EH06 EH08 EH18  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Takashi Enomoto 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo F-term in Canon Inc. (reference) 5C031 DD17 5C036 EE09 EF01 EF06 EG02 EG12 EG13 EH06 EH08 EH18

Claims (21)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 基板と、前記基板上に設けられた帯電防
止膜と、前記帯電防止膜上に配置された複数の電子放出
素子及び前記複数の電子放出素子を結線する金属を含む
配線とを備える電子源において、前記電子放出素子は、
前記帯電防止膜上に配置された電子放出部を含む導電性
膜を備えるものであって、前記導電性膜と前記配線とは
前記配線に含まれる金属の前記導電性膜への移動を遮断
する導電性部材にて接続されていることを特徴とする電
子源。A substrate, an antistatic film provided on the substrate, a plurality of electron-emitting devices disposed on the antistatic film, and a wiring including a metal connecting the plurality of electron-emitting devices. In the electron source provided, the electron-emitting device includes:
A conductive film including an electron emitting portion disposed on the antistatic film, wherein the conductive film and the wiring block movement of a metal contained in the wiring to the conductive film. An electron source, which is connected by a conductive member. 【請求項２】 基板と、前記基板上に設けられた帯電防
止膜と、前記帯電防止膜上に配置された複数の電子放出
素子及び前記複数の電子放出素子を結線する金属を含む
配線とを備える電子源において、前記電子放出素子は、
前記帯電防止膜上に配置された電子放出部を含む導電性
膜を備えるものであって、前記導電性膜と前記配線と
は、前記配線と前記帯電防止膜との間に設けられた、前
記配線に含まれる金属の前記導電性膜への移動を遮断す
る導電性部材を介して電気的に接続されていることを特
徴とする電子源。2. A substrate, an antistatic film provided on the substrate, a plurality of electron-emitting devices disposed on the antistatic film, and a wiring including a metal connecting the plurality of electron-emitting devices. In the electron source provided, the electron-emitting device includes:
What is provided with a conductive film including an electron emitting portion disposed on the antistatic film, wherein the conductive film and the wiring, provided between the wiring and the antistatic film, An electron source electrically connected through a conductive member that blocks movement of a metal contained in a wiring to the conductive film. 【請求項３】 基板と、前記基板上に設けられた帯電防
止膜と、前記帯電防止膜上に配置された複数の電子放出
素子及び前記複数の電子放出素子を結線する金属を含む
配線とを備える電子源において、前記電子放出素子は、
前記帯電防止膜上に配置された、一対の電極及び前記一
対の電極間に接続配置された電子放出部を含む導電性膜
とを備えるものであって、前記導電性膜と前記配線とは
前記一対の電極によって接続されており、前記一対の電
極は、前記配線に含まれる金属の前記導電性膜への移動
を遮断する導電性部材にて構成されていることを特徴と
する電子源。3. A substrate, an antistatic film provided on the substrate, a plurality of electron-emitting devices disposed on the antistatic film, and a wiring including a metal connecting the plurality of electron-emitting devices. In the electron source provided, the electron-emitting device includes:
A conductive film including a pair of electrodes and an electron-emitting portion connected and disposed between the pair of electrodes, the conductive film and the wiring being disposed on the antistatic film. An electron source, wherein the electron source is connected by a pair of electrodes, and the pair of electrodes is formed of a conductive member that blocks movement of a metal included in the wiring to the conductive film. 【請求項４】 更に、前記配線と前記帯電防止膜との間
にも、前記配線に含まれる金属の前記導電性膜への移動
を遮断する導電性部材が配置されている請求項３に記載
の電子源。4. The conductive member according to claim 3, further comprising a conductive member disposed between the wiring and the antistatic film to block movement of a metal contained in the wiring to the conductive film. Electron source. 【請求項５】 ナトリウムを含む基板と、前記基板上に
設けられたナトリウム遮断膜と、前記ナトリウム遮断膜
上に配置された複数の電子放出素子及び前記複数の電子
放出素子を結線する金属を含む配線とを備える電子源に
おいて、前記電子放出素子は、前記ナトリウム遮断膜上
に配置された電子放出部を含む導電性膜を備えるもので
あって、前記導電性膜と前記配線とは前記配線に含まれ
る金属の前記導電性膜への移動を遮断する導電性部材に
て接続されていることを特徴とする電子源。5. A substrate including sodium, a sodium blocking film provided on the substrate, a plurality of electron-emitting devices disposed on the sodium blocking film, and a metal connecting the plurality of electron-emitting devices. In an electron source including a wiring, the electron-emitting device includes a conductive film including an electron-emitting portion disposed on the sodium blocking film, wherein the conductive film and the wiring are connected to the wiring. An electron source, wherein the electron source is connected by a conductive member that blocks movement of contained metal to the conductive film. 【請求項６】 ナトリウムを含む基板と、前記基板上に
設けられたナトリウム遮断膜と、前記ナトリウム遮断膜
上に配置された複数の電子放出素子及び前記複数の電子
放出素子を結線する金属を含む配線とを備える電子源に
おいて、前記電子放出素子は、前記ナトリウム遮断膜上
に配置された電子放出部を含む導電性膜を備えるもので
あって、前記導電性膜と前記配線とは、前記配線と前記
ナトリウム遮断膜との間に設けられた、前記配線に含ま
れる金属の前記導電性膜への移動を遮断する導電性部材
を介して電気的に接続されていることを特徴とする電子
源。6. A substrate including sodium, a sodium blocking film provided on the substrate, a plurality of electron-emitting devices disposed on the sodium blocking film, and a metal connecting the plurality of electron-emitting devices. In the electron source including a wiring, the electron-emitting device includes a conductive film including an electron-emitting portion disposed on the sodium blocking film, wherein the conductive film and the wiring include the wiring Wherein the electron source is electrically connected via a conductive member provided between the conductive film and the sodium blocking film for blocking movement of a metal contained in the wiring to the conductive film. . 【請求項７】 ナトリウムを含む基板と、前記基板上に
設けられたナトリウム遮断膜と、前記ナトリウム遮断膜
上に配置された複数の電子放出素子及び前記複数の電子
放出素子を結線する金属を含む配線とを備える電子源に
おいて、前記電子放出素子は、前記ナトリウム遮断膜上
に配置された、一対の電極及び前記一対の電極間に接続
配置された電子放出部を含む導電性膜とを備えるもので
あって、前記導電性膜と前記配線とは前記一対の電極に
よって接続されており、前記一対の電極は、前記配線に
含まれる金属の前記導電性膜への移動を遮断する導電性
部材にて構成されていることを特徴とする電子源。7. A substrate including sodium, a sodium blocking film provided on the substrate, a plurality of electron-emitting devices disposed on the sodium blocking film, and a metal connecting the plurality of electron-emitting devices. An electron source including a wiring, wherein the electron-emitting device includes: a pair of electrodes disposed on the sodium blocking film; and a conductive film including an electron-emitting portion disposed and connected between the pair of electrodes. The conductive film and the wiring are connected by the pair of electrodes, and the pair of electrodes is a conductive member that blocks movement of metal included in the wiring to the conductive film. An electron source characterized by comprising: 【請求項８】 更に、前記配線と前記ナトリウム遮断膜
との間にも、前記配線に含まれる金属の前記導電性膜へ
の移動を遮断する導電性部材が配置されている請求項７
に記載の電子源。8. A conductive member for blocking movement of a metal contained in the wiring to the conductive film is further provided between the wiring and the sodium barrier film.
The electron source according to 1. 【請求項９】 基板と、前記基板上に設けられた金属酸
化物が含有された絶縁材料膜と、前記金属酸化物が含有
された絶縁材料膜上に配置された複数の電子放出素子及
び前記複数の電子放出素子を結線する金属を含む配線と
を備える電子源において、前記電子放出素子は、前記金
属酸化物が含有された絶縁材料膜上に配置された電子放
出部を含む導電性膜を備えるものであって、前記導電性
膜と前記配線とは前記配線に含まれる金属の前記導電性
膜への移動を遮断する導電性部材にて接続されているこ
とを特徴とする電子源。9. A substrate, an insulating material film containing a metal oxide provided on the substrate, a plurality of electron-emitting devices arranged on the insulating material film containing the metal oxide, and An electron source comprising: a wiring including a metal for connecting the plurality of electron-emitting devices; wherein the electron-emitting device includes a conductive film including an electron-emitting portion disposed on an insulating material film containing the metal oxide. An electron source, wherein the conductive film and the wiring are connected by a conductive member that blocks movement of a metal included in the wiring to the conductive film. 【請求項１０】 基板と、前記基板上に設けられた金属
酸化物が含有された絶縁材料膜と、前記金属酸化物が含
有された絶縁材料膜上に配置された複数の電子放出素子
及び前記複数の電子放出素子を結線する金属を含む配線
とを備える電子源において、前記電子放出素子は、前記
金属酸化物が含有された絶縁材料膜上に配置された電子
放出部を含む導電性膜を備えるものであって、前記導電
性膜と前記配線とは、前記金属酸化物が含有された絶縁
材料膜と前記配線との間に設けられた、前記配線に含ま
れる金属の前記導電性膜への移動を遮断する導電性部材
を介して電気的に接続されていることを特徴とする電子
源。10. A substrate, an insulating material film containing a metal oxide provided on the substrate, a plurality of electron-emitting devices arranged on the insulating material film containing the metal oxide, and An electron source including a wiring including a metal for connecting the plurality of electron-emitting devices, wherein the electron-emitting device includes a conductive film including an electron-emitting portion disposed on an insulating material film containing the metal oxide. Wherein the conductive film and the wiring are provided between the wiring and the insulating material film containing the metal oxide, and the conductive film of the metal contained in the wiring is provided. An electron source electrically connected via a conductive member that blocks movement of the electron source. 【請求項１１】 基板と、前記基板上に設けられた金属
酸化物が含有された絶縁材料膜と、前記金属酸化物が含
有された絶縁材料膜上に配置された複数の電子放出素子
及び前記複数の電子放出素子を結線する金属を含む配線
とを備える電子源において、前記電子放出素子は、前記
金属酸化物が含有された絶縁材料膜上に配置された、一
対の電極及び前記一対の電極間に接続配置された電子放
出部を含む導電性膜とを備えるものであって、前記導電
性膜と前記配線とは前記一対の電極によって接続されて
おり、前記一対の電極は、前記配線に含まれる金属の前
記導電性膜への移動を遮断する導電性部材にて構成され
ていることを特徴とする電子源。11. A substrate, an insulating material film containing a metal oxide provided on the substrate, a plurality of electron-emitting devices arranged on the insulating material film containing the metal oxide, and An electron source comprising: a wiring including a metal for connecting a plurality of electron-emitting devices; wherein the electron-emitting device is disposed on an insulating material film containing the metal oxide, and includes a pair of electrodes and the pair of electrodes. A conductive film including an electron emitting portion connected and disposed therebetween, wherein the conductive film and the wiring are connected by the pair of electrodes, and the pair of electrodes are connected to the wiring. An electron source, comprising: a conductive member that blocks movement of contained metal to the conductive film. 【請求項１２】 更に、前記配線と前記金属酸化物が含
有された絶縁材料膜との間にも、前記配線に含まれる金
属の前記導電性膜への移動を遮断する導電性部材が配置
されている請求項１１に記載の電子源。12. A conductive member for blocking movement of a metal contained in the wiring to the conductive film is also provided between the wiring and the insulating material film containing the metal oxide. The electron source according to claim 11, wherein 【請求項１３】 基板と、前記基板上に設けられた金属
酸化物が含有されたＳｉＯ₂膜と、前記金属酸化物が含
有されたＳｉＯ₂膜上に配置された複数の電子放出素子
及び前記複数の電子放出素子を結線する配線とを備える
電子源において、前記電子放出素子は、前記金属酸化物
が含有されたＳｉＯ₂膜上に配置された電子放出部を含
む導電性膜を備えるものであって、前記導電性膜と前記
配線とはＩｎ₂Ｏ₃−ＳｎＯ₂を構成成分とする部材にて
接続されていることを特徴とする電子源。13. A substrate, a SiO ₂ film containing a metal oxide provided on the substrate, a plurality of electron-emitting devices arranged on the SiO ₂ film containing the metal oxide, and An electron source including a wiring for connecting a plurality of electron-emitting devices, wherein the electron-emitting device includes a conductive film including an electron-emitting portion disposed on the SiO ₂ film containing the metal oxide. An electron source, wherein the conductive film and the wiring are connected by a member containing In ₂ O ₃ —SnO ₂ as a component. 【請求項１４】 基板と、前記基板上に設けられた金属
酸化物が含有されたＳｉＯ₂膜と、前記金属酸化物が含
有されたＳｉＯ₂膜上に配置された複数の電子放出素子
及び前記複数の電子放出素子を結線する配線とを備える
電子源において、前記電子放出素子は、前記金属酸化物
が含有されたＳｉＯ₂膜上に配置された電子放出部を含
む導電性膜を備えるものであって、前記導電性膜と前記
配線とは、前記金属酸化物が含有されたＳｉＯ₂膜と前
記配線との間に設けられた、Ｉｎ₂Ｏ ₃−ＳｎＯ₂を構成
成分とする部材を介して電気的に接続されていることを
特徴とする電子源。14. A substrate, and a metal provided on the substrate
SiO containing oxide_TwoA film and the metal oxide
SiO having_TwoMultiple electron-emitting devices arranged on a film
And wiring for connecting the plurality of electron-emitting devices.
In the electron source, the electron-emitting device may include the metal oxide
Containing SiO_TwoIncluding the electron-emitting part arranged on the film
A conductive film, the conductive film and the
The wiring means SiO 2 containing the metal oxide._TwoMembrane and front
In between the wirings_TwoO _Three-SnO_TwoConfigure
That they are electrically connected through the components
Characterized electron source. 【請求項１５】 基板と、前記基板上に設けられた金属
酸化物が含有されたＳｉＯ₂膜と、前記金属酸化物が含
有されたＳｉＯ₂上に配置された複数の電子放出素子及
び前記複数の電子放出素子を結線する配線とを備える電
子源において、前記電子放出素子は、前記金属酸化物が
含有されたＳｉＯ₂膜上に配置された、一対の電極及び
前記一対の電極間に接続配置された電子放出部を含む導
電性膜とを備えるものであって、前記導電性膜と前記配
線とは前記一対の電極によって接続されており、前記一
対の電極は、Ｉｎ₂Ｏ₃−ＳｎＯ₂を構成成分とするもの
であることを特徴とする電子源。15. A substrate, a SiO ₂ film containing a metal oxide provided on the substrate, a plurality of electron-emitting devices arranged on the SiO ₂ containing the metal oxide, and the plurality of Wherein the electron-emitting device is disposed on the SiO ₂ film containing the metal oxide, and is disposed between the pair of electrodes and the pair of electrodes. A conductive film including an electron emitting portion, wherein the conductive film and the wiring are connected by the pair of electrodes, and the pair of electrodes is formed of In ₂ O ₃ —SnO _2. An electron source characterized by comprising: 【請求項１６】 更に、前記配線と前記金属酸化物が含
有されたＳｉＯ₂膜との間にも、Ｉｎ₂Ｏ₃−ＳｎＯ₂を構
成成分とする部材が配置されている請求項１５に記載の
電子源。16. The member according to claim 15, further comprising a member containing In ₂ O ₃ —SnO ₂ as a constituent between the wiring and the SiO ₂ film containing the metal oxide. Electron source. 【請求項１７】 前記金属酸化物は、電子伝導性酸化物
である請求項９〜１６のいずれかに記載の電子源。17. The electron source according to claim 9, wherein the metal oxide is an electron conductive oxide. 【請求項１８】 前記金属酸化物は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｒｅから選ばれる
金属の酸化物である請求項９〜１６のいずれかに記載の
電子源。18. The method according to claim 18, wherein the metal oxide is Fe, Ni, C
The electron source according to any one of claims 9 to 16, wherein the electron source is an oxide of a metal selected from u, Pd, Ir, In, Sn, Sb, and Re. 【請求項１９】 前記ＳｉＯ₂膜上に更に、ＳｉＯ₂から
なる膜が積層されている請求項１３〜１６のいずれかに
記載の電子源。19. The electron source according to claim 13, wherein a film made of SiO ₂ is further laminated on said SiO ₂ film. 【請求項２０】 前記配線は、複数の行方向配線と複数
の列方向配線とからなり、前記複数の電子放出素子は、
前記複数の行方向配線及び前記複数の列方向配線とによ
りマトリクス配線されている請求項１〜１９のいずれか
に記載の電子源。20. The wiring comprises a plurality of row wirings and a plurality of column wirings, wherein the plurality of electron-emitting devices are:
20. The electron source according to claim 1, wherein the plurality of row-directional wirings and the plurality of column-directional wirings are arranged in a matrix. 【請求項２１】 電子源と前記電子源からの電子の照射
により画像を表示する画像表示部材とを備える画像表示
装置であって、前記電子源が請求項１〜２０のいずれか
に記載の電子源であることを特徴とする画像表示装置。21. An image display device comprising: an electron source; and an image display member that displays an image by irradiating electrons from the electron source, wherein the electron source is any one of claims 1 to 20. An image display device, which is a source.