JP2000249769A

JP2000249769A - 放射線撮像パネル

Info

Publication number: JP2000249769A
Application number: JP11051961A
Authority: JP
Inventors: Koji Amitani; 幸二網谷
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 1999-02-26
Filing date: 1999-02-26
Publication date: 2000-09-14

Abstract

(57)【要約】【課題】Ｘ線吸収率がよく、製造も容易なＸ線撮像パネ
ルを提供する。【解決手段】Ｘ線撮像パネル１２は基板４０上に形成さ
れた光導電性を有する光導電層６２と、この光導電層と
基板との間であって、２次元的に配列された蓄積用コン
デンサ２４とスイッチング素子２６とで構成される。こ
の蓄積用コンデンサ、スイッチング素子およびこれらの
上面に位置する光導電層とによって、Ｘ線像を電気信号
に変換する変換セル２０が構成される。光導電層は基板
上に塗布しながら所定の厚みとなされた塗布層である。
光導電層としては、Ｂｉ₁₂ＧｅＯ₂₀，Ｂｉ₁₂ＳｉＯ₂₀
などのようにＸ線吸収率の高い光導電性無機化合物で構
成されている。その充填率も適切な値に選定されてい
る。光導電層がＸ線吸収率の高い光導電性物質であるた
めにＸ線画像信号のＳ／Ｎがよい。光導電層は塗布工程
で形成されるため、その製造が容易で、製造時間も短縮
されるためコストダウンを図れる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、Ｘ線などの放射
線撮像装置に適用して好適な放射線撮像パネルに関す
る。詳しくは、放射線撮像パネルを構成する光導電層と
して放射線の吸収率の高い無機化合物が使用されると共
に、この光導電層を基板上に塗布して形成することによ
って、安価にこの種放射線撮像パネルを製造できるよう
にしたものである。

【０００２】

【従来の技術】人体などの組織を放射線を利用して撮像
する放射線撮像装置が知られている。Ｘ線撮像装置を例
示すると、このＸ線撮像装置にあっては、近年Ｘ線用の
感光フィルムを使用する代わりに、Ｘ線像を２次元のＸ
線撮像パネルに導き、Ｘ線像（潜像）を電気信号（画像
信号）として得るようにした装置が開発されている。こ
のＸ線撮像装置には、Ｘ線像を一旦光信号に変換し、変
換した光信号を電気信号に変換するいわゆる間接方式の
他に、Ｘ線像を直接電気信号に変換できるいわゆる直接
方式のＸ線撮像装置が知られている。

【０００３】Ｘ線像を電気信号に変換するにあたって
は、直接方式は間接方式と違ってＸ線像を一旦光信号に
変換する必要がないので、鮮鋭性に優れた画像を得るこ
とができる。

【０００４】この直接方式によるＸ線撮像装置に使用さ
れるＸ線撮像パネルとしては図５に示すような構成が知
られている。図５において、撮像パネル１２は複数のゲ
ート線１４と信号線１６とがそれぞれ所定のピッチをも
ってマトリックス状に配列され、それらが交差する内部
が画素として機能する変換セル２０となる。

【０００５】変換セル２０は照射されたＸ線の強さに基
づいた電荷を生成する電荷生成部２２と、生成された電
荷を蓄積する蓄積用コンデンサ２４と、このコンデンサ
２４に蓄積された電荷を電気信号（画像信号）として信
号線１６に導くスイッチング素子２６とで構成されてい
る。スイッチング素子２６としては図示するように、薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ）などが使用される。

【０００６】図示する例では電荷生成部２２が変換セル
２０の半分程度の領域を占めるように描かれているが、
実際には図６に示すように変換セル２０の上部（Ｘ線照
射面）が電荷生成部２２となり、その下部にコンデンサ
２４およびスイッチング素子２６が設けられている。

【０００７】Ｘ線撮像パネル１２には電源部２８より所
定の高電圧（５０００ボルト程度）が印加され、これに
よって電荷生成部２２において生成された電荷（電子と
正孔）が分離されて、この電子または正孔がコンデンサ
２４に蓄積される。

【０００８】そして、垂直走査部３０から供給される垂
直走査用のゲート信号が対応するゲート線１４に加えら
れることによって、そのゲート線１４に接続されたスイ
ッチングトランジスタ２６がオンして、オンしたスイッ
チングトランジスタ２６に接続されたコンデンサ２４に
蓄積された電荷が対応する信号線１６を介して水平走査
部３２に導かれる。

【０００９】水平走査部３２では各信号線１６から導か
れた画像信号が変換セル２０ごとに順次水平方向に走査
されて１ライン分のＸ線用画像信号が得られ、これが後
段の信号処理回路３４に導かれる。水平方向の走査は、
信号線をいくつかのブロックに分けたブロック毎に並列
処理的に行ってもよく、このブロック処理の場合はＸ線
画像信号の読み取り時間を短縮できる。

【００１０】信号処理回路３４においては、このＸ線画
像信号がディジタル信号に変換されたり、ノイズ除去処
理、感度ムラや画素欠陥の補正、階調処理や周波数処理
などの各種信号処理や画像処理が施される。Ｘ線画像信
号はモニタに表示したり、メモリ手段に保存したり、感
光フィルム等の記録材料に現像したり、遠隔地に伝送し
たりすることができる。

【００１１】図６はＸ線撮像パネル１２の一部断面構成
を示すもので、変換セル２０を中心に図示されている。
所定の厚みを有するガラスなどの基板４０上には蓄積用
コンデンサ２４となる一方の電極４２が被着形成される
と共に、絶縁層４４を介して対極となる電極４６が被着
形成されて所定容量のコンデンサ２４が形成される。

【００１２】コンデンサ２４に隣接してスイッチング素
子として機能するＴＦＴトランジスタ２６が形成され
る。このＴＦＴトランジスタ２６の構成も周知であっ
て、ゲートＧとなるゲート電極５０がガラス基板４０上
に形成され、このゲート電極５０を覆うように絶縁層５
２が被着形成され、その上の所定位置にドレインＤとな
るドレイン電極５４とソースＳとなるソース電極５６が
それぞれ被着形成される。ソース電極５６とコンデンサ
２４用の電極４６とは一体形成される。ドレイン電極５
４は信号線１６としても使用される。

【００１３】基板４０上に形成されたこれらコンデンサ
２４およびＴＦＴトランジスタ２６のさらに上面には電
荷生成部２２として機能する光導電層６２が所定の厚み
となるように形成される。光導電層６２はアモルファス
セレン（ａ−Ｓｅ）などが使用されると共に、この光導
電層６２は通常蒸着によって形成される。光導電層６２
の上面には共通電極６０が被着形成されて、変換セル２
０が得られる。

【００１４】電極４２と６０との間には上述したような
高電圧が電源部２８より印加され、この高電界の印加状
態にあるとき、例えばパネル正面１２ａ側から人体等の
被写体を透過したＸ線が照射される。光導電層６２内に
入射したＸ線によって光導電層６２の内部にはＸ線エネ
ルギーの強さに応じた電荷が生成される。この電荷は電
極４２、６０間に印加された高電圧（高電界）によって
分離されて、マイナス電荷の電子とプラス電荷の正孔は
電極６０側または電極４６、５６側に引き寄せられる。
電極４６、５６側に引き寄せられた電荷はコンデンサ２
４によって捕集されて、Ｘ線エネルギーに対応した電荷
がコンデンサ２４の両極４２、４６内に蓄積されること
になる。コンデンサ２４に蓄積された電荷はＴＦＴトラ
ンジスタ２６がオンすることによってドレイン電極５４
に接続された信号線１６を介して水平走査部３２に導か
れる。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うに電荷生成部２２として機能する光導電層６２は通常
蒸着によって形成される。そして、Ｘ線吸収率を高くす
るためには光導電層６２を厚くすればよい。例えば５０
０μｍ以上の厚みとなるように製膜すればよい。厚膜化
すると鮮鋭度が劣化するようにも考えられるが、この種
電荷生成方式では電極間に充分な電界を印加しておけ
ば、光導電層６２を厚膜化しても鮮鋭度が殆ど劣化しな
い。したがって厚膜化によって画質が向上する。

【００１６】一方、光導電層６２は蒸着などの気相堆積
法によって製膜される場合が多いが、上述したような５
００μｍ以上の厚みとなるまで光導電層６２を成長させ
るには相当な時間がかかり、生産性の低下を招く。

【００１７】またその製膜管理も大変である。厚膜化す
ると製膜作製時に亀裂が発生したり、異常成長等を起こ
しやすくなり、画像欠陥が発生しやすいという問題を惹
起する。また作製後に温度変化があると、基板４０と光
導電層６２との間の熱膨張係数の違い等によって、光導
電層６２の剥がれや亀裂発生を起こし易くなる。このこ
とは結局のところ製造コストの上昇や信頼性の低下につ
ながり、Ｘ線撮像パネル１２のコストアップを招来する
ことになっている。

【００１８】このような問題点を内包した気相堆積法で
はなく、塗布方法によって光導電層６２を製膜すること
が考えられる。塗布方法であれば、光導電層のバインダ
ーが光導電粒子を網目状に繋ぐことで厚膜化しても塗膜
物性を維持でき、亀裂などの発生を抑えることができ
る。そのため、極めて高画質の画像を提供できるものと
考えられる。

【００１９】しかし、光導電層６２内の光導電物質が分
散することによる連続性に欠けるため、電荷のモビリテ
ィーμが低くなるという欠点がある。モビリティーが低
いと折角光導電層６２内に生成された電荷を効率よく捕
集できなくなって、結果的に画質を改善できなくなるか
らである。このモビリティーは光導電物質の充填率に大
きく依存する。

【００２０】そこで、この発明はこのような従来の課題
を解決したものであって、光導電層を蒸着によるのでは
なく、塗布などの分散工程を採用することによって、所
定厚みの光導電層を短時間で形成できるようにすると共
に、光導電層の充填率を適切な値とすることによって、
最適な光電変換効率を高めると共に、コストダウンを図
った放射線撮像パネルを提案するものである。

【００２１】

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、請求項１に記載したこの発明に係る放射線撮像パネ
ルは、人体等の被写体を透過したＸ線が投影されるＸ線
撮像パネルであって、この撮像パネルは基板上に形成さ
れたＸ線吸収率が高く、光導電性を有する光導電層と、
この光導電層と上記基板との間であって、２次元的に配
列された蓄積用コンデンサとスイッチング素子とで構成
され、この蓄積用コンデンサ、スイッチング素子および
これらの上面に位置する上記光導電層とによって、Ｘ線
像を電気信号に変換する変換セルが構成され、上記光導
電層は上記基板上に塗布しながら所定の厚みとなされた
塗布層であって、上記光導電層を構成する光導電物質の
充填率を３０〜９０％、好ましくは５０〜８５％に選定
したことを特徴とする。

【００２２】この発明では、光導電層としてＸ線吸収率
の高い光導電性を有する化合物を使用する。この化合物
はバインダーによって混成された状態で、ガラス基板上
に塗布される。

【００２３】このようにＸ線吸収率が高く、光導電性を
有する化合物を使用することによって、電荷生成部に入
射したＸ線を効率よく電荷に変換できるので、Ｘ線画像
信号のＳＮ比が向上する。また、光導電層を蒸着ではな
く塗布工程で形成したので、所定の厚みとなるまでの形
成時間を蒸着工程によって生成する場合よりも短縮でき
る。これによってＸ線撮像パネルの製造コストを低減で
きる。

【００２４】また、光導電物質の充填率を所定の範囲内
にすることによって、亀裂の発生や異常成長を起こすこ
となく所定の厚みまで製膜できるから、厚みを厚くして
も生産性の向上を図ることができる。

【００２５】

【発明の実施の形態】続いて、この発明に係る放射線撮
像パネルの一実施形態をＸ線撮像パネルに適用した場合
について、図面を参照して詳細に説明する。

【００２６】この発明においても、人体などの被写体を
透過した放射線の一種であるＸ線はこの発明に係るＸ線
撮像パネル（ＦＰＤ；Flat Panel Detector）に投影さ
れ、この撮像パネル内ではＸ線像が直接電気信号（Ｘ線
画像信号）に変換されて出力される。

【００２７】Ｘ線撮像パネル１２自身の基本的な構成も
従来と同様であって、その基本単位である変換セル２０
は、電荷生成部２２の他に、生成電荷を蓄積するコンデ
ンサ２４および蓄積電荷を取り出すＴＦＴ構成のスイッ
チングトランジスタ２６を有する。そしてその断面構成
は図１の通りである。

【００２８】この断面構成もその基本構成は従来と同様
であって、基板例えばガラス基板４０の上にマトリック
ス状に複数の変換セル２０が形成される。そのため、ガ
ラス基板４０上には電極４２、４６および絶縁層｛（Ｓ
ｉＯ₂）などの誘電体層｝４４がそれぞれ被着形成され
てコンデンサ２４が構成される。

【００２９】またコンデンサ２４に隣接してＴＦＴトラ
ンジスタ２６が設けられるのも従来と同じである。この
ＴＦＴトランジスタ２６は図示するようにゲート電極５
０、ドレイン電極５４およびソース電極５６がそれぞれ
被着形成されて構成されるものであり、ソース電極５６
はコンデンサ用電極５６と連結される。

【００３０】コンデンサ２４およびスイッチング用トラ
ンジスタ２６の上面には所定の厚みＬを有する電荷生成
部２２が設けられる。この電荷生成部２２を構成する光
導電層６２としてこの発明では、Ｘ線吸収率が高く、光
導電性を有する無機化合物が用いられる。

【００３１】つまり、従来ではこの光導電層６２として
アモルファスセレンなどが使用されているが、この発明
ではこのようなＸ線吸収材料ではなく、特にＸ線吸収率
や光導電性を考慮した化合物が使用される。このような
化合物を使用するのは、Ｘ線の電荷変換効率を改善する
ことと、光導電層の製造を容易にするためである。上述
した無機化合物としては、酸化ビスマス系複合酸化物
（その組成式は、ＢｉｘＭＯｙ）を使用することができ
る。

【００３２】組成式が（ＢｉｘＭＯｙ）で表現される酸
化ビスマス系複合酸化物にあって、ＭはＧｅ、Ｓｉ，Ｔ
ｉ，ＧａおよびＡＩの中の少なくとも１種であり、ｘは
１０≦ｘ≦１４の条件を満たす数であり、ｙは上記Ｍお
よびｘにより化学量論的に酸素原子数である。

【００３３】この酸化ビスマス系複合酸化物としては、
薄板状γ型結晶体構造のものが使用されるものであり、
また分散、塗布する酸化ビスマス系複合酸化物として
は、ビスマスＢｉおよびＭの金属アルコキシドを加水分
解して得られたゾル若しくはゲルを焼結処理したものが
使用される。

【００３４】上記組成式のＭとしては、ＧｅおよびＳｉ
が好適であって、そのうちの何れか一方が含まれること
はもちろんのこと、その双方が含まれる複合酸化物であ
ってもよい。例えば組成式のＭとしてＧｅを選んだとき
には、上記×が１２、ｙが２０である酸化ビスマス系複
合酸化物（Ｂｉ₁₂ＧｅＯ₂₀）が好適である。

【００３５】組成式のＭとしてＳｉを選んだときには、
上記×が１２、ｙが２０である酸化ビスマス系複合酸化
物（Ｂｉ_12SiＯ₂₀）が好適である。

【００３６】光導電層６２としてはこれらの無機化合物
を図２に示すバインダー６４中に混成したものが使用さ
れ、粒状をなすこの無機化合物６６を混成したバインダ
ー６４が基板４０上に所定の厚みＬ（図１）となるまで
塗布される。つまり、分散型の光導電層６２として形成
するのがこの発明の大きな特徴となる。光導電層６２の
上面にはさらに従来と同じく共通電極６０が被着形成さ
れてＸ線撮像パネル１２が構成される。

【００３７】電荷生成層６２の厚みＬは７００〜３００
０μｍ程度である。７００μｍ以下では充分なＸ線光吸
収効果が得られず、３０００μｍ以上の厚みになると、
ひび割れなどを起こし易くなるなどの理由で、上述のよ
うな範囲内で使用した方が好適である。

【００３８】また電荷生成量と無機化合物の充填率との
関係を次に説明する。充填率を測定するために以下のよ
うな手法を採用して無機化合物の体積充填率を求めた。

【００３９】まず、チョクラルスキー法によって製造し
た無機化合物例えばＢｉ₁₂ＧｅＯ₂₀のγ型単結晶を粉砕
して分散することによって、粒子径が１０〜８０μｍの
単結晶粒子を用意する。

【００４０】一方、テトラヒドロフランにポリエステル
樹脂（例えば、東洋紡製バイロン２００）を溶解し、ポ
リエステル樹脂が１５重量％となるように濃度の調節を
行う。

【００４１】次に、このポリエステル樹脂溶液中に上述
したγ型単結晶粒子を添加したのち充分撹拌混合して分
散液を得る。この分散液をワイヤーバーを用いて、ＴＦ
Ｔトランジスタ２６や蓄積コンデンサ２４が形成された
基板４０上に所定の厚みとなるまで塗布する。分散液を
塗布して分散液塗膜を製膜したのち、この塗膜を含む基
板を大気の中で６０℃の温度で４時間加熱乾燥する。

【００４２】さらに、大気中で、１２０℃の温度下で２
０時間加熱乾燥したのち、塗膜表面全体に電極６０を被
着形成することによってＸ線撮像パネルを得る。

【００４３】さて、上述した分散液をＰＥＴフィルム
（厚さ８０μｍ、１００ｃｍ²の大きさのフィルム）上
に塗布した試料を形成し、これを加熱乾燥させて塗布膜
の厚さと重量を測定する。

【００４４】その後、この試料を６００℃で焼成するこ
とによってポリエステル樹脂とＰＥＴフィルムを蒸発さ
せる。これによって残余の試料はγ型単結晶粒子のみと
なる。そしてこのγ型単結晶粒子の重量を求める。

【００４５】これらの測定結果と、γ型単結晶粒子とポ
リエステル樹脂との重量混合比、さらにはγ型単結晶粒
子、ポリエステル樹脂、ＰＥＴフィルムの各重量からγ
型単結晶粒子の体積充填率が算出される。

【００４６】そして、上述したような製法によって作製
された撮像パネルに対して５０００ボルトの電圧をかけ
ながら、１２０ｋＶPのＸ線をこの撮像パネルに照射し
て、撮像パネルの両電極４２，６０の電位差が１００ボ
ルト低下するのに必要なＸ線量（ｍＲ）を、γ型単結晶
粒子の体積充填率を変えながら測定すると図３に示すよ
うな結果が得られた。両電極４２，６０間の電位差を測
定するのは、発生電荷量に比例して電圧が降下するから
である。

【００４７】図３からも明らかなように、光導電物質と
して無機化合物を用いた電荷生成層６２の厚みが増える
にしたがって電位を１００ボルト降下させるに必要なＸ
線量が少なくて済むことが判る。特に、厚みが１０００
μｍ以上になると必要なＸ線量が大幅に減少する。その
減少率は無機化合物の体積充填率に大きく依存し、バイ
ンダ中の充填率が３０％以上、就中３０〜９０％程度と
することによって少ないＸ線量でも十分な電荷が生成さ
れることになるから、少ないＸ線量で両電極４２，６０
間の電位を１００ボルトまで降下させることができる。
特に無機化合物の体積充填率が５０〜８５％で空隙率が
１５％以下が好ましい値となる。この範囲では電位を１
００ボルト降下させるに必要なＸ線量の減少率が顕著に
なるからである。

【００４８】このように空隙率を低くした場合には、発
生電荷の捕集効果が高まり、電気ノイズの影響が小さく
なるから、画像の粒状性が改善される。

【００４９】続いて、図１に示すこの発明に係るＸ線撮
像パネル１２の製造方法の一実施形態を図４に示す。同
図Ａのように所定の大きさと厚みを有するガラス基板４
０が用意され、その上面に蓄積用コンデンサ２４とスイ
ッチング素子として機能する薄膜電界効果トランジスタ
（ＴＦＴ）２６が所定のピッチをもって従来と同様な手
法で形成される。これらコンデンサ２４およびＴＦＴト
ランジスタ２６を形成することによって、ゲート線１４
（＝５０）および信号線１６が同時にガラス基板４０上
に形成されたことになる。

【００５０】続いて、同図Ｂのようにコンデンサ２４お
よびトランジスタ２６の上面を覆うように光導電層６２
が所定の厚みＬとなるように塗布される。光導電層６２
は上述したようにバインダー６４に、Ｘ線吸収率が高
く、光導電性のよい無機化合物が所定量混成されたもの
である。

【００５１】光導電層６２が所定の厚みＬとなるまで塗
布されると、同図Ｃに示すようにその上面に共通電極６
０が従来手法によって被着形成されて、Ｘ線撮像パネル
１２が完成する。

【００５２】このようにＸ線吸収率が高く、光導電性を
有する化合物を使用することによって、電荷生成部２２
に入射したＸ線を効率よく電荷に変換できるので、Ｘ線
画像信号のＳＮ比が向上する。特に、光導電物質である
無機化合物の体積充填率を適切な値に選定することによ
って電荷生成効率を大幅に改善できる。また、電荷生成
層６２を蒸着ではなく塗布工程で形成したので、所定の
厚みとなるまでの形成時間を蒸着工程によって生成する
場合よりも短縮できる。これによってＸ線撮像パネルの
製造コストを安くできる。

【００５３】上述した放射線としてはＸ線の他に、γ
線、α線などの放射線が考えられる。

【００５４】

【発明の効果】以上説明したようにこの発明では光導電
性の良好な光導電層を利用するに当たり、この光導電層
を塗布による分散法によってパネル基板上に形成すると
共に、光導電層の充填率を適切な値に選定したものであ
る。

【００５５】これによれば、Ｘ線吸収率が高く、光導電
性が良好な光導電層であるために、照射されたＸ線エネ
ルギーによって効率よく対応する量の電荷を生成できる
ようになるから、Ｓ／ＮのよいＸ線画像信号を得ること
ができる。

【００５６】またこの発明では塗布によって所定厚みの
光導電層を形成したので、所定厚みの光導電層の製造が
容易になり、その時間も短縮できるから、それに伴って
Ｘ線撮像パネルの製造コストを低減できる特徴を有す
る。したがってこの発明はＸ線撮像装置などに適用して
極めて好適である。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る放射線撮像パネルをＸ線撮像パ
ネルに適用したときの一実施形態を示す一部の断面構成
図である。

【図２】光導電層の組成内容を示す図である。

【図３】Ｘ線量と光導電物質の充填率との関係を示す図
である。

【図４】この発明に係るＸ線撮像パネルの製造方法の一
実施形態を示す製造工程図である。

【図５】Ｘ線撮像装置の一部の構成を示す図である。

【図６】Ｘ線撮像パネルの一部断面図である。

【符号の説明】

１２Ｘ線撮像パネル１４ゲート線１６信号線２０変換セル２２電荷生成部２４蓄積用コンデンサ２６スイッチング素子（ＴＦＴ）２８電源部４０ガラス基板６２光導電層６４バインダー６６無機化合物

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】人体等の被写体を透過した放射線が投影
される放射線撮像パネルであって、この撮像パネルは基板上に形成された放射線吸収率が高
く、光導電性を有する光導電層と、この光導電層と上記基板との間であって、２次元的に配
列された蓄積用コンデンサとスイッチング素子とで構成
され、この蓄積用コンデンサ、スイッチング素子およびこれら
の上面に位置する上記光導電層とによって、放射線像を
電気信号に変換する変換セルが構成され、上記光導電層は上記基板上に塗布しながら所定の厚みと
なされた塗布層であって、上記光導電層を構成する光導
電物質の充填率を３０〜９０％、好ましくは５０〜８５
％に選定したことを特徴とする放射線撮像パネル。
【請求項２】上記放射線はＸ線であることを特徴とす
る請求項１記載の放射線撮像パネル。
【請求項３】上記光導電層を構成する物質は放射線吸
収率が高く、光導電性が良好な無機化合物であって、組
成式ＢｉｘＭＯｙ（ただし、ＭはＧｅ、Ｓｉ，Ｔｉ，ＧａおよびＡｌの中
の少なくとも１種であり、ｘは１０≦ｘ≦１４の条件を
満たす数であり、ｙは上記Ｍおよびｘにより化学量論的
に酸素原子数を表す。）で表される酸化ビスマス系複合
酸化物が使用されることを特徴とする請求項１記載の放
射線撮像パネル。
【請求項４】上記酸化ビスマス系複合酸化物が薄板状
γ型結晶体であることを特徴とする請求項３記載の放射
線撮像パネル。
【請求項５】上記組成式のＭがＧｅおよびＳｉのうち
の何れか一方若しくはその双方であることを特徴とする
請求項３記載の放射線撮像パネル。
【請求項６】上記組成式のＭがＧｅであり、上記ｘが
１２、ｙが２０であることを特徴とする請求項３記載の
放射線撮像パネル。
【請求項７】上記組成式のＭがＳｉであり、上記ｘが
１２、ｙが２０であることを特徴とする請求項３記載の
放射線撮像パネル。
【請求項８】上記酸化ビスマス系複合酸化物は、ビス
マスおよびＭの金属アルコキシドを加水分解して得られ
たゾル若しくはゲルを焼結処理したものであることを特
徴とする請求項３記載の放射線撮像パネル。