JP2000223346A

JP2000223346A - 薄膜積層体の製造方法

Info

Publication number: JP2000223346A
Application number: JP11025977A
Authority: JP
Inventors: Koichi Naito; 浩一内藤; Yoshimasa Yamada; 義正山田
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 1999-02-03
Filing date: 1999-02-03
Publication date: 2000-08-11

Abstract

(57)【要約】【課題】基板上に形成された多層膜上に、開口部が形
成された薄膜層を形成するとき、薄膜層に開口部を形成
する多層膜上の領域をレジスト層で覆った後、多層膜お
よびレジスト層上全面に薄膜層を積層し、レジスト層上
に積層された薄膜層ごとレジスト層を除去する方法、い
わゆるリフトオフを用いることができるが、レジスト除
去液でレジストを除去する従来の方法は時間がかかると
いう欠点があった。【解決手段】薄膜層１４の下層部にあるレジスト層１３
をレーザの照射によって除去することにより、レジスト
層１３の除去にかかる時間を著しく短縮できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上、あるいは
基板上に形成された単層または多層の膜上に絶縁層、磁
性層、または導電層などの薄膜層を積層する際に、薄膜
層に開口部を形成する領域をレジスト層で覆い、薄膜層
を積層した後に、レジスト層を除去する工程、いわゆる
リフトオフ工程を有する薄膜積層体の製造方法に係り、
特に、薄膜層を積層した後、薄膜層の上から光エネルギ
ーを与えることによって、レジスト層を除去する薄膜積
層体の製造方法に関わる。

【０００２】

【従来の技術】基板上、あるいは基板上に形成された単
層または多層の膜上に絶縁層、磁性層、または導電層な
どの薄膜層を積層して、薄膜磁気素子、薄膜インダク
タ、あるいは薄膜トランスを形成する過程において、電
極の取り出し穴など、薄膜層に開口部を形成する場合が
ある。

【０００３】このとき、薄膜層に開口部を形成する領域
をレジスト層で覆った後、基板または膜上の全面に薄膜
層を積層し、レジスト層上に積層された薄膜層とレジス
トを除去することによって、薄膜層に開口部を形成する
方法、いわゆるリフトオフ法を用いることができる。

【０００４】図１５から図２０は、従来のリフトオフ法
を説明する断面図である。まず、図１５に示されるよう
に、基板１上に形成された単層または多層の膜２上の全
面にリフトオフ用のレジスト層３が形成される。多層の
膜２の場合、最上層は、例えば、銅などの導電性材料か
らなる導電層や軟磁性材料からなる磁性層である。膜２
の上層に、例えば絶縁層などの薄膜層が積層されるが、
その前に、図１６に示すように、レジスト層３を、多層
膜２上の薄膜層に開口部を形成する領域を残してフォト
・エッチングによって除去する。

【０００５】次に、図１７に示されるように、多層膜２
およびレジスト層３の上に、薄膜層４が、スパッタ法な
どによって積層される。薄膜層４は、例えばＡｌ₂Ｏ₃や
ＳｉＯ₂からなる絶縁層などである。

【０００６】薄膜層４によって表面が覆われた基板を、
Ｎ−メチル−２−ピロリドンなどのレジスト除去液に漬
浸させる。レジスト除去液を、レジスト３の角部３ａ上
などの薄膜層４の薄いところから浸透させて、レジスト
層３を溶解させ、図１８に示すように、レジスト層３を
膜２上から剥離する。その結果、図１９に示すように、
レジスト層３の上にある薄膜層４ｂが除去され、膜２上
に残された薄膜層４ａに開口部４ｆが形成される。

【０００７】レジスト層３上に積層されていた薄膜層４
ｂを剥離させた直後においては、図１９のように薄膜層
４の剥離部周辺にバリ４ｅが生じるので、このバリ４ｅ
をクリーンワイパーによって擦りとる。

【０００８】さらにイソプロピルアルコールを用いて基
板を洗浄し、窒素ガス中で乾燥させると、図２０に示さ
れるように、多層膜２上に積層された薄膜層４に開口部
４ｆが形成された薄膜積層体が得られる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかし、薄膜層４を積
層した後に、Ｎ−メチル−２−ピロリドンなどのレジス
ト除去液を、薄膜層４に浸透させて、レジスト層３を溶
出させ、薄膜層４の下層にあるレジスト層３を剥離する
という従来のリフトオフ法では、レジスト層３およびそ
の上に積層された薄膜層４ｂを除去するために時間がか
かってしまうという問題があった。その理由は以下の通
りである。

【００１０】通常、スパッタ法によって基板上に薄膜層
を積層するとき、基板に入射するスパッタ原子は、基板
に対して、垂直方向に入射するだけでなく、斜め方向か
らも入射する。したがって、レジスト層３の角部３ａ上
にも、主に斜め方向から入射するスパッタ原子によっ
て、薄膜層が積層され、多層膜２上に積層された薄膜層
４ａとレジスト層３上に積層された薄膜層４ｂとがつな
がる。

【００１１】その結果、レジスト層３は、薄膜層４によ
って完全に覆われてしまう。したがって、レジスト除去
液を、薄膜層４を浸透させてレジスト層３にまで与える
のが困難であり、レジスト層３が剥離されなかったり、
あるいは剥離されるまでにきわめて長い時間を要する。

【００１２】そこで、レジスト層を除去する前に、薄膜
層４が積層された基板表面をクリーンワイパーによって
擦ることにより、薄膜層４上にキズ４ｃ（図１８参照）
を生じさせ、レジスト除去液の、薄膜層４への浸透を促
すことも行われている。それでも、液体であるレジスト
除去液が、キズ４ｃのような狭い通路をとおり、レジス
ト層３上に積層された薄膜層４ｂの下層に流出して、レ
ジスト層３を剥離させるに至るまで１時間以上かかる。

【００１３】本発明は、上記従来の課題を解決するため
のものであり、リフトオフ工程を有する薄膜積層体の製
造方法において、上層に薄膜層が積層された状態のレジ
スト層を迅速に除去することにより、リフトオフ工程の
迅速化を図ることができ、薄膜積層体の製造工程全体を
効率化することのできる薄膜積層体の製造方法を提供す
ることを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に、あ
るいは基板上に形成された膜上に、絶縁層、磁性層、ま
たは導電層などの薄膜層を積層する際に、前記薄膜層に
開口部を形成する薄膜積層体の製造方法において、
（ａ）前記基板上に、あるいは基板上に形成された膜上
に、前記開口部に対応するレジスト層をパターン形成す
る工程と、（ｂ）前記レジスト層の上および前記レジス
ト層が形成されていない領域にかけて前記薄膜層を積層
する工程と、（ｃ）前記薄膜層上から前記レジスト層に
光エネルギーを与えて前記薄膜層の下層にある前記レジ
スト層を分解しまたは気化させ、前記薄膜層の前記レジ
スト層上に積層されている領域を除去して前記開口部を
形成する工程と、を有することを特徴とするものであ
る。

【００１５】上記発明において、さらに（ｄ）残存して
いる前記レジスト層を、溶解させる工程を加えてもよ
い。

【００１６】さらに前記（ｄ）の工程の後に、（ｅ）前
記薄膜層の前記開口部の周縁に残されたバリを除去する
工程と、（ｆ）前記バリを除去した基板表面を液体洗浄
する工程と、（ｇ）前記液体洗浄された基板表面を乾燥
させる工程と、を有するようにしてもよい。

【００１７】本発明の薄膜積層体の製造方法の特徴は、
前記（ｃ）の工程、すなわち、レジスト層がパターン形
成された基板上、あるいは基板上に形成された膜上に、
薄膜層を積層した後に、薄膜層の下層にあるレジスト層
を除去する工程において、薄膜層の下層にあるレジスト
層の除去をレーザの照射などの光エネルギーによって行
う点にある。

【００１８】光エネルギーを与えるためには、例えば、
ＫｒＦエキシマレーザ、ＸｅＣｌエキシマレーザ、Ａｒ
Ｆエキシマレーザなどエキシマレーザが使用できる。エ
キシマレーザは、短波長のレーザを生成することができ
る。

【００１９】前記薄膜層を積層した後、前記薄膜層上
に、エキシマレーザなどのレーザを照射すると、レーザ
は、前記薄膜層には損傷を与えず、前記薄膜層の下層に
あるレジスト層を光化学分解し、気化させる。気化した
レジスト層は膨張して、上層に接していた薄膜層を押し
上げ、剥離させる。

【００２０】前記レジスト層の気化は、レジスト層の上
層にある薄膜層にレーザが照射されたときに、瞬間的に
生じる。したがって、レジスト除去液を用いて、レジス
ト層を溶出させていた従来のレジスト層を除去する方法
と比較して、レジスト層を除去するためにかかる時間を
大幅に短縮することができる。

【００２１】前記（ｃ）の工程において、レーザなどの
光エネルギーを前記薄膜層全面に与えるようにしてもよ
いし、光エネルギーを前記レジスト層と前記薄膜層が積
層している領域のみに照射して与えるようにしてもよ
い。

【００２２】レーザなどの光エネルギーは、前記薄膜層
の下層にレジスト層が存在しない場合は、薄膜層には損
傷を与えない。また、前記薄膜層の下層にレジスト層が
存在する場合には、レジスト層のみを気化させる。した
がって、光エネルギーを前記薄膜層全面に与えても、前
記薄膜層自体に損傷を与えることはなく、前記薄膜層の
下層に前記レジスト層が存在しない領域で薄膜層が剥離
されることはない。

【００２３】また、レーザなどの光エネルギーを前記レ
ジスト層と前記薄膜層が積層している領域のみに照射す
るようにすると、レーザのエネルギー効率を向上させる
ことができる。

【００２４】レーザが、前記薄膜層に損傷を与えないよ
うにするためには、前記レーザのエネルギーが前記薄膜
層を透過し、前記レジスト層で反射または吸収される波
長を有するようにすれば良い。

【００２５】さらに、レーザの波長が、６００ｎｍ以下
であると、レーザの熱的効果が低く、光化学分解などの
光的効果が高くなるのでより好ましい。

【００２６】また、レーザのエネルギーの強さは、前記
薄膜層を破壊せず、薄膜層の下層にあるレジスト層のみ
を分解する範囲であることが好ましい。

【００２７】レーザは、前記薄膜層を損傷させないよう
な波長を選択しうるが、適切な波長のレーザを選択して
も、照射するレーザのエネルギーが大きくなりすぎる
と、前記薄膜層も破壊されるようになり、下層にレジス
ト層が存在しない領域の薄膜層、すなわち、除去されて
はならない薄膜層まで剥離してしまうことになる。

【００２８】さらに、レーザのエネルギーの強さは、薄
膜層の下層にあるレジスト層を完全には分解しない範囲
であることがより好ましい。

【００２９】薄膜層の下層にあるレジスト層を完全に分
解する強さのエネルギーを持つレーザを照射すると、レ
ジスト層の下層にある基板または基板上に形成された多
層膜が損傷する場合がある。

【００３０】上述の条件を満たすレーザのエネルギーの
強さの範囲は例えば、１パルス当たり５０〜１００ｍＪ
／ｃｍ²である。本発明では、レジスト層にレーザを１
パルスだけ与えてもよいし、数パルス与えてもよい。

【００３１】

【発明の実施の形態】図１から図７は、本発明の薄膜積
層体の製造方法におけるリフトオフの工程を説明する断
面図である。まず、図１に示されるように、基板１１上
に、導電層、絶縁層、磁性層などが積層されることによ
り形成された多層膜１２上の全面にリフトオフ用のレジ
スト層１３が形成される。多層膜１２の最上層は、例え
ば、銅などの導電性材料からなる導電層や軟磁性材料か
らなる磁性層である。

【００３２】なお、本発明では、基板１１の上に直接に
レジスト層１３が形成されてもよく、あるいは基板１１
表面の単層膜上にレジスト層１３が形成されてもよい。

【００３３】多層膜１２の上層に、さらに、例えば絶縁
層などの薄膜層が積層されるが、まず、図２のように、
レジスト層１３を、多層膜１２上の薄膜層に開口部を形
成する領域を残してフォト・エッチングによって除去す
ることによりパターン形成する。

【００３４】次に、図３に示されるように、多層膜１２
およびレジスト層１３上に、薄膜層１４が、スパッタ法
や蒸着法などによって積層される。薄膜層１４は、例え
ばＡｌ₂Ｏ₃やＳｉＯ₂からなる絶縁層である。レジスト
層１３の角部１３ａ上には、主に斜め方向から入射する
スパッタ原子によって、薄膜層が積層され、多層膜１２
上に積層された薄膜層１４ａとレジスト層1３上に積層
された薄膜層1４ｂとがつながり、レジスト層１３は薄
膜層１４によって完全に覆われる。

【００３５】次に、薄膜層１４上にレーザＰを１パルス
または数パルス照射する。レーザＰの波長とエネルギー
の強さは、後述するように、レーザＰが、薄膜層１４に
損傷を与えず、薄膜層１４の下層にあるレジスト層１３
のみを分解するような範囲に設定されていると、レジス
ト層１３のみが光化学分解・気化する。気化したレジス
ト層１３は、膨張して、図５のように、レジスト層１３
上に積層されていた薄膜層１４ｂを押し上げ、剥離させ
る。

【００３６】レーザＰが、薄膜層１４に損傷を与えず、
薄膜層１４の下層にあるレジスト層１３のみを光化学分
解するための設定項目として、レーザＰの波長とエネル
ギーの強さなどがある。レーザＰの波長は、薄膜層１４
を透過し、レジスト層１３によって反射または吸収され
る範囲とすることが好ましい。さらに、レーザＰの波長
が、６００ｎｍ以下であると、レーザＰの熱膨張作用な
どの熱的効果が低く、光化学分解などの光的効果が高く
なるのでより好ましくなる。

【００３７】このような条件を満たすレーザＰとして、
本実施の形態においては、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキ
シマ・レーザを使用する。または、波長３０８ｎｍのＸ
ｅＣｌエキシマ・レーザ、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキ
シマ・レーザや、エキシマ・レーザ以外のパルス状の出
力ビームである固体レーザ、半導体レーザを使用しても
良い。

【００３８】また、レーザＰのエネルギーの強さが、薄
膜層１４を破壊せず、薄膜層１４の下層にあるレジスト
層１３のみを分解する範囲に設定され、下層にレジスト
層が存在せず多層膜１２上に直接積層されている薄膜層
１４ａが剥離しないようにされていることが好ましい。

【００３９】さらに、レーザＰのエネルギーの強さが、
薄膜層１４の下層にあるレジスト層１３を完全には分解
しない範囲に設定されているとより好ましい。薄膜層１
４の下層にあるレジスト層１３を完全に分解する強さの
エネルギーを持つレーザＰを照射すると、レジスト層１
３の下層にある多層膜１２まで損傷する場合がある。

【００４０】上述の条件を満たすレーザＰのエネルギー
の強さの範囲は例えば、１パルス当たり５０〜１００ｍ
Ｊ／ｃｍ²であり、本実施の形態においては、１パルス
当たり６０ｍＪ／ｃｍ²に設定している。なお、レーザ
の１パルス当たりの照射時間は、２０〜２５ナノ秒であ
る。このレーザを数パルスだけ照射することが好まし
い。

【００４１】通常は、レジスト層１３が光化学分解して
気化したときに、上に積層されていた薄膜層１４ｂが押
し上げられて剥離する。次に、Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドンなどのレジスト除去液によって、残存しているレジ
スト層１３を溶出させる。レジスト層１３が光化学分解
して気化したときの圧力だけで、薄膜層１４ｂが完全に
剥離しないときは、この、レジスト除去液によって残存
しているレジスト層１３を溶出させる工程で、薄膜層１
４ｂを剥離させる。

【００４２】レジスト層１３上に積層されていた薄膜層
１４ｂが剥離した直後においては、図６のように多層膜
１２上に直接積層されている薄膜層１４ｂの剥離部周辺
にバリ１４ｃが生じるので、このバリ１４ｃをクリーン
ワイパーによって擦りとる。

【００４３】さらにイソプロピルアルコールを用いて基
板を洗浄し、窒素ガス中で乾燥させると、図７に示され
るように、多層膜１２上に、積層された薄膜層４に開口
部１４ｄが形成された薄膜積層体が得られる。

【００４４】なお、本実施の形態では、レーザＰを、薄
膜層１４上に照射するとき、照射面積が５ｍｍ四方のレ
ーザＰを用いて薄膜層１４上の全面を順送りに照射して
いる。レーザＰは、薄膜層１４には損傷を与えず、レジ
スト層１３のみを気化させるので、レーザＰを薄膜層１
４上全面に照射しても、レーザＰが薄膜層１４自体に損
傷を与えることはなく、また、薄膜層１４の下層に前記
レジスト層が存在しない薄膜層１４ａの領域で剥離され
ることもない。なお、照射面積が５ｍｍ四方のレーザＰ
を用いて薄膜層１４上の全面を順送りに照射する方法を
用いた場合、レジスト層の除去にかかる時間はウェハー
１枚あたり１分程度となる。従来の製造方法では、ウェ
ハー１枚あたり１時間以上かかっていたので、本発明に
よって薄膜積層体の製造効率が著しく向上することがわ
かる。

【００４５】ただし、レーザＰをレジスト層１３と薄膜
層１４が積層している薄膜層１４ｂの領域にのみ照射す
るようにしてもよい。レーザＰを薄膜層１４ｂの領域の
みに照射すれば、レーザＰのエネルギー効率を向上させ
ることができる。

【００４６】本発明の薄膜積層体の製造方法は、例え
ば、絶縁層、磁性層、導電層などの薄膜層を積層して薄
膜インダクタや薄膜磁気ヘッドなどの薄膜磁気素子を形
成するときに、絶縁層によって隔てられる、絶縁層の下
層にある第１の導電層あるいは磁性層と、絶縁層の上層
にある第２の導電層あるいは磁性層を接続させるため
に、絶縁層を成膜するときに、絶縁層に開口部を形成し
ておくことが必要となるときに利用できる。

【００４７】図８は、薄膜インダクタの断面図である。
この薄膜インダクタは、絶縁基板２１上に、取出し電極
２２が形成され、さらにその上に、絶縁層２３ａ、磁性
層２４ａ、絶縁層２３ｂ、コイル２５、絶縁層２３ｃ、
磁性層２４ｂが順次積層されている。磁性層２４ａと磁
性層２４ｂは、端部で磁気的に接合している。

【００４８】取り出し電極２２とコイル２５は、絶縁層
２３ａおよび絶縁層２３ｂによって隔てられている。こ
の取り出し電極２２とコイル２５は、接続部２６によっ
て接続されている。接続部２６は、絶縁層２３ａおよび
絶縁層２３ｂを成膜するときに、接続部２６を形成する
ための開口部を開けておき、コイル２５をＣｕなどのメ
ッキによって形成するときに、前記開口部にもＣｕを流
し込むことにより形成される。絶縁層２３ａおよび絶縁
層２３ｂに開口部を形成するときに本発明の薄膜積層体
の製造方法を利用することができる。

【００４９】なお、本発明は、薄膜トランスのコイルと
取り出し電極の接続部を形成するための、絶縁層の開口
部の形成にも用いることができる。

【００５０】ここまでは、本発明の実施の形態として、
Ａｌ₂Ｏ₃やＳｉＯ₂などの酸化物系絶縁材料からなる薄
膜層に開口部を形成する必要がある薄膜積層体の製造方
法について説明したが、本発明は、金属材料からなる薄
膜層に開口部を形成する必要がある薄膜積層体の製造方
法としても利用できる。

【００５１】図９は、読み込み用のＭＲ薄膜磁気ヘッド
の正面図である。このＭＲ薄膜磁気ヘッドは、アルミナ
チタンカーバイドからなるスライダ３１上に、下部シー
ルド３２、下部ギャップ３３、ＭＲ素子３４、ハードバ
イアス３５、、上部ギャップ３６および、上部シールド
３７が積層されて形成されている。ハードバイアス３
５，３５は電極（図示せず）と導通接続されており、Ｍ
Ｒ素子３４に与えられる電流の通り路にもなっている。
このハードバイアス３５，３５を形成するときに、本発
明の薄膜積層体の製造方法を利用することができる。

【００５２】図１０〜図１４は、図９のＭＲ薄膜磁気ヘ
ッドのハードバイアス３５の積層過程を示す断面図であ
る。図１０に示されるように、スライダ３１となるウェ
ハー４６に、下部シールド３２、下部ギャップ３３とな
る下部ギャップ層４７が積層され、その上にＭＲ素子３
４となるＭＲ層４８が積層される。さらに、ＭＲ層４８
上の全面が、リフトオフ用のレジスト層４９よって覆わ
れる。なお、ＭＲ磁気ヘッド部は、ウェハー上で同時に
複数個形成される。図１０〜図１４では、隣り合った２
個のＭＲ磁気ヘッドの形成過程を図示している。

【００５３】次に、レジスト層４９をパターンニングし
て、エッチングし、図１１に示されるように、１対の開
口部４９ａ、４９ａが形成される。この時、ＭＲ層４８
もエッチングされ、下部ギャップ層４７が露出される。
下部ギャップ層４７が露出された後、ハードバイアス４
５となるハードバイアス層５０を積層すると、図１２の
ようになる。

【００５４】図１２の状態でハードバイアス層５０上の
全面にレーザＰを照射し、レジスト層４９を光化学分解
・気化させて除去する。レジスト層４９が除去される
と、レジスト層４９の上層に接していた領域のハードバ
イアス層５０が剥離する。

【００５５】残存したレジスト層をＮ−メチル−２−ピ
ロリドンなどのレジスト除去液で除去すると、図１３の
ように、ハードバイアス３５，３５が形成された状態と
なる。この後、ハードバイアス３５，３５の間にあるＭ
Ｒ層４８ａのみを残して、残りのＭＲ層４８ｂがイオン
ミリングなどによって除去され、図１４のようにハード
バイアス３５，３５の形成が完了する。

【００５６】さらに、図９の上部ギャップ３６、電極
（図示せず）、上部シールド３７が積層されて、ＭＲ薄
膜磁気ヘッドが形成される。通常は、ＭＲ薄膜磁気ヘッ
ドの上層に、さらに、書き込み用のインダクティブヘッ
ドが形成され、ＭＲ／インダクティブ複合型磁気ヘッド
が形成される。

【００５７】上述したように、本発明は、金属材料であ
るハードバイアス層に開口部を形成する必要がある薄膜
積層体の製造方法としても利用できる。また、ここで
は、図示しないが、ハードバイアス３５，３５の形成
後、前記電極を形成する工程において、電極層を積層
し、前記電極層に開口部を形成する必要があるときに
も、本発明を利用することができる。

【００５８】

【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、薄膜層を
積層するときに、該薄膜層に開口部を形成する工程を有
する薄膜積層体の製造方法において、上層に薄膜層が積
層された状態のレジスト層をレーザの照射によって、迅
速に除去することができるので、薄膜積層体の製造工程
を効率化することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態における、基板上に形成さ
れた多層膜上に、リフトオフ用のレジスト層が積層され
た状態を示す断面図。

【図２】図１のレジスト層を、パターン形成した状態を
示す断面図。

【図３】図２の多層膜およびレジスト層上に、絶縁層な
どの薄膜層を積層した状態を示す断面図。

【図４】図２の薄膜層上にレーザを照射して、レジスト
層を光化学分解させた状態を示す断面図。

【図５】薄膜層の、レジスト層上に接していた領域が剥
離した状態を示す断面図。

【図６】図５において残存していたレジスト層をレジス
ト除去液によって除去した状態を示す断面図。

【図７】薄膜層が剥離した周辺部に生じたバリを除去
し、洗浄・乾燥させた状態を示す断面図。

【図８】本発明の薄膜積層体の製造方法を用いて形成さ
れた薄膜インダクタの断面図。

【図９】ＭＲ薄膜磁気ヘッドの正面図。

【図１０】図９のＭＲ磁気ヘッドの形成過程における、
ウェハー上に下部シールド層、下部ギャップ層、ＭＲ層
およびレジスト層が積層された状態を示す断面図。

【図１１】図１１のレジスト層およびＭＲ層がエッチン
グされて、下部ギャップ層が露出された状態を示す断面
図。

【図１２】図１２のレジスト層および下部ギャップ層上
に、ハードバイアス層が積層された状態を示す断面図。

【図１３】図１２のハードバイアス層上にレーザが照射
されて、レジスト層が分解・気化し、レジスト層上に接
していた領域のハードバイアス層が剥離した状態を示す
断面図。

【図１４】ハードバイアス層の形成が完了した状態を示
す断面図。

【図１５】従来の薄膜積層体の製造方法における、基板
上に形成された多層膜上に、リフトオフ用のレジスト層
が積層された状態を示す断面図。

【図１６】図１５のレジスト層を、パターン形成した状
態を示す断面図。

【図１７】図１６の多層膜およびレジスト層上に、絶縁
層などの薄膜層を積層した状態を示す断面図。

【図１８】図１７のレジスト層をレジスト除去液によっ
て溶出させた状態を示す断面図。

【図１９】薄膜層の、レジスト層上に接していた領域が
剥離した状態を示す断面図。

【図２０】薄膜層が剥離した周辺部に生じたバリを除去
し、洗浄・乾燥させた状態を示す断面図。

【符号の説明】

１１基板１２多層膜１３レジスト層１４薄膜層Ｐレーザ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、あるいは基板上に形成された
膜上に、絶縁層、磁性層、または導電層などの薄膜層を
積層する際に、前記薄膜層に開口部を形成する薄膜積層
体の製造方法において、（ａ）前記基板上に、あるいは基板上に形成された膜上
に、前記開口部に対応するレジスト層をパターン形成す
る工程と、（ｂ）前記レジスト層の上および前記レジスト層が形成
されていない領域にかけて前記薄膜層を積層する工程
と、（ｃ）前記薄膜層上から前記レジスト層に光エネルギー
を与えて前記薄膜層の下層にある前記レジスト層を分解
しまたは気化させ、前記薄膜層の前記レジスト層上に積
層されている領域を除去して前記開口部を形成する工程
と、を有することを特徴とする薄膜積層体の製造方法。
【請求項２】（ｄ）前記（ｃ）の工程で残存している
前記レジスト層を除去する工程を含む請求項１記載の薄
膜積層体の製造方法。
【請求項３】（ｅ）前記薄膜層の前記開口部の周縁に
残されたバリを除去する工程を含む請求項１または２記
載の薄膜積層体の製造方法。
【請求項４】（ｆ）前記バリを除去した基板表面を液
体洗浄する工程と、（ｇ）前記液体洗浄された基板表面を乾燥させる工程
と、を有する請求項３記載の薄膜積層体の製造方法。
【請求項５】前記（ｃ）の工程において、前記光エネ
ルギーを前記薄膜層全面に与える請求項１または２に記
載の薄膜積層体の製造方法。
【請求項６】前記（ｃ）の工程において、前記光エネ
ルギーを前記レジスト層と前記薄膜層が積層している領
域のみに与える請求項１または２に記載の薄膜積層体の
製造方法。
【請求項７】前記光エネルギーは、前記薄膜層を透過
し、レジスト層で反射または吸収される波長を有するレ
ーザにより与えられる請求項１ないし６のいずれかに記
載の薄膜積層体の製造方法。
【請求項８】前記レーザの波長は、６００ｎｍ以下で
ある請求項７に記載の薄膜積層体の製造方法。
【請求項９】前記レーザにより与えられる光エネルギ
ーの強さは、前記薄膜層を破壊せず、薄膜層の下層にあ
るレジスト層のみを分解する範囲である請求項７または
８記載の薄膜積層体の製造方法。
【請求項１０】前記レーザにより与えられる光エネル
ギーの強さは、前記薄膜層の下層にあるレジスト層を完
全には分解しない範囲である請求項７または８記載の薄
膜積層体の製造方法。
【請求項１１】前記レーザは、エネルギーの強さが１
パルス当たり５０〜１００ｍＪ／ｃｍ²となるようにパ
ルス照射される請求項７ないし１０のいずれかに記載の
薄膜積層体の製造方法。