JP2000221907A - エレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス表示装置Info
- Publication number
- JP2000221907A JP2000221907A JP11022158A JP2215899A JP2000221907A JP 2000221907 A JP2000221907 A JP 2000221907A JP 11022158 A JP11022158 A JP 11022158A JP 2215899 A JP2215899 A JP 2215899A JP 2000221907 A JP2000221907 A JP 2000221907A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tft
- display device
- organic
- channel
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 51
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 30
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 13
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 108010075750 P-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001024304 Mino Species 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108090000699 N-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 1
- 102000004129 N-Type Calcium Channels Human genes 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010025037 T140 peptide Proteins 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229920003217 poly(methylsilsesquioxane) Polymers 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＥＬ素子を駆動する第２のＴＦＴの特性変動
を抑制して本来ＥＬ素子に供給されるべき電流を供給し
て表示ムラの発生しないＥＬ表示装置を提供する。 【解決手段】 スイッチング用の第１のＴＦＴ３０と、
有機ＥＬ素子駆動用の第２のＴＦＴ４０と、陽極６１、
陰極６６及び該両電極の間に挟まれた発光素子層６５か
ら成る有機ＥＬ素子６０とを備えた有機ＥＬ表示装置で
あって、第２のＴＦＴ４０のチャネル４３ｃの上方に、
有機ＥＬ素子６０に電流を供給する駆動電源線５３の一
部を延在させた導電体５６を設けて陰極６６に印加され
る電圧によって生じるバックチャネルを抑制し、表示ム
ラを低減した有機ＥＬ表示装置を得る。
を抑制して本来ＥＬ素子に供給されるべき電流を供給し
て表示ムラの発生しないＥＬ表示装置を提供する。 【解決手段】 スイッチング用の第１のＴＦＴ３０と、
有機ＥＬ素子駆動用の第２のＴＦＴ４０と、陽極６１、
陰極６６及び該両電極の間に挟まれた発光素子層６５か
ら成る有機ＥＬ素子６０とを備えた有機ＥＬ表示装置で
あって、第２のＴＦＴ４０のチャネル４３ｃの上方に、
有機ＥＬ素子６０に電流を供給する駆動電源線５３の一
部を延在させた導電体５６を設けて陰極６６に印加され
る電圧によって生じるバックチャネルを抑制し、表示ム
ラを低減した有機ＥＬ表示装置を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロルミネ
ッセンス素子及び薄膜トランジスタを備えたエレクトロ
ルミネッセンス表示装置に関する。
ッセンス素子及び薄膜トランジスタを備えたエレクトロ
ルミネッセンス表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、エレクトロルミネッセンス（Elec
tro Luminescence：以下、「ＥＬ」と称する。）素子
を用いたＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示
装置として注目されており、例えば、そのＥＬ素子を駆
動させるスイッチング素子として薄膜トランジスタ（Th
in Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称する。）を
備えたＥＬ表示装置の研究開発も進められている。
tro Luminescence：以下、「ＥＬ」と称する。）素子
を用いたＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示
装置として注目されており、例えば、そのＥＬ素子を駆
動させるスイッチング素子として薄膜トランジスタ（Th
in Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称する。）を
備えたＥＬ表示装置の研究開発も進められている。
【０００３】図６に有機ＥＬ表示装置の１表示画素の等
価回路図を示し、図７に有機ＥＬ表示装置の１表示画素
を示す平面図を示し、図８（ａ）に図７中のＡ−Ａ線に
沿った断面図を示し、図８（ｂ）に図７中のＢ−Ｂ線に
沿った断面図を示す。
価回路図を示し、図７に有機ＥＬ表示装置の１表示画素
を示す平面図を示し、図８（ａ）に図７中のＡ−Ａ線に
沿った断面図を示し、図８（ｂ）に図７中のＢ−Ｂ線に
沿った断面図を示す。
【０００４】図６及び図７に示すように、ゲート信号線
５１とドレイン信号線５２とに囲まれた領域に表示画素
が形成されている。両信号線の交点付近にはスイッチン
グ素子である第１のＴＦＴ１３０が備えられており、そ
のＴＦＴ１３０のソース１３ｓは後述の保持容量電極線
５４との間で容量をなす容量電極５５を兼ねるととも
に、有機ＥＬ素子を駆動する第２のＴＦＴ１４０のゲー
ト４１に接続されている。第２のＴＦＴ１４０のソース
４３ｓは有機ＥＬ素子の陽極６１に接続され、他方のド
レイン４３ｄは有機ＥＬ素子を駆動する駆動電源線５３
に接続されている。
５１とドレイン信号線５２とに囲まれた領域に表示画素
が形成されている。両信号線の交点付近にはスイッチン
グ素子である第１のＴＦＴ１３０が備えられており、そ
のＴＦＴ１３０のソース１３ｓは後述の保持容量電極線
５４との間で容量をなす容量電極５５を兼ねるととも
に、有機ＥＬ素子を駆動する第２のＴＦＴ１４０のゲー
ト４１に接続されている。第２のＴＦＴ１４０のソース
４３ｓは有機ＥＬ素子の陽極６１に接続され、他方のド
レイン４３ｄは有機ＥＬ素子を駆動する駆動電源線５３
に接続されている。
【０００５】また、ＴＦＴの付近には、ゲート信号線５
１と並行に保持容量電極線５４が配置されている。この
保持容量電極線５４はクロム等から成っており、ゲート
絶縁膜１２を介してＴＦＴのソース１３ｓと接続された
容量電極５５との間で電荷を蓄積して容量を成してい
る。この保持容量１６０は、第２のＴＦＴ１４０のゲー
ト電極４１に印加される電圧を保持するために設けられ
ている。
１と並行に保持容量電極線５４が配置されている。この
保持容量電極線５４はクロム等から成っており、ゲート
絶縁膜１２を介してＴＦＴのソース１３ｓと接続された
容量電極５５との間で電荷を蓄積して容量を成してい
る。この保持容量１６０は、第２のＴＦＴ１４０のゲー
ト電極４１に印加される電圧を保持するために設けられ
ている。
【０００６】まず、スイッチング用のＴＦＴである第１
のＴＦＴ１３０について説明する。
のＴＦＴ１３０について説明する。
【０００７】図８（ａ）に示すように、石英ガラス、無
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、クロム
（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属からな
るゲート電極１１を兼ねたゲート信号線５１及びＡｌか
ら成るドレイン信号線５２を備えており、有機ＥＬ素子
の駆動電源でありＡｌから成る駆動電源線５３を配置す
る。
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、クロム
（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属からな
るゲート電極１１を兼ねたゲート信号線５１及びＡｌか
ら成るドレイン信号線５２を備えており、有機ＥＬ素子
の駆動電源でありＡｌから成る駆動電源線５３を配置す
る。
【０００８】続いて、ゲート絶縁膜１２、及びｐ−Ｓｉ
膜からなる能動層１３を順に形成し、その能動層１３に
は、いわゆるＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造が設
けられている。即ち、ゲート電極１１の両側に低濃度領
域１３ＬＤとその外側に高濃度領域のソース１３ｓ及び
ドレイン１３ｄが設けられている。
膜からなる能動層１３を順に形成し、その能動層１３に
は、いわゆるＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造が設
けられている。即ち、ゲート電極１１の両側に低濃度領
域１３ＬＤとその外側に高濃度領域のソース１３ｓ及び
ドレイン１３ｄが設けられている。
【０００９】そして、ゲート絶縁膜１２、能動層１３及
びストッパ絶縁膜１４上の全面には、ＳｉＯ2膜、Ｓｉ
Ｎ膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１５を
設け、ドレイン１３ｄに対応して設けたコンタクトホー
ルにＡｌ等の金属を充填してドレイン電極１６を設け
る。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にす
る平坦化絶縁膜１７を設ける。
びストッパ絶縁膜１４上の全面には、ＳｉＯ2膜、Ｓｉ
Ｎ膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１５を
設け、ドレイン１３ｄに対応して設けたコンタクトホー
ルにＡｌ等の金属を充填してドレイン電極１６を設け
る。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にす
る平坦化絶縁膜１７を設ける。
【００１０】次に、有機ＥＬ素子の駆動用のＴＦＴであ
る第２のＴＦＴ１４０について説明する。
る第２のＴＦＴ１４０について説明する。
【００１１】図８（ｂ）に示すように、石英ガラス、無
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、Ｃｒ、
Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極４１を設け、
ゲート絶縁膜１２、及びｐ−Ｓｉ膜からなる能動層４３
を順に形成し、その能動層４３には、ゲート電極４１上
方に真性又は実質的に真性であるチャネル４３ｃと、こ
のチャネル４３ｃの両側に、その両側にイオンドーピン
グを施してソース１３ｓ及びドレイン１３ｄが設けられ
ている。
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、Ｃｒ、
Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極４１を設け、
ゲート絶縁膜１２、及びｐ−Ｓｉ膜からなる能動層４３
を順に形成し、その能動層４３には、ゲート電極４１上
方に真性又は実質的に真性であるチャネル４３ｃと、こ
のチャネル４３ｃの両側に、その両側にイオンドーピン
グを施してソース１３ｓ及びドレイン１３ｄが設けられ
ている。
【００１２】そして、ゲート絶縁膜１２及び能動層４３
上の全面には、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順
に積層された層間絶縁膜１５を形成し、ドレイン４３ｄ
に対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属を充
填して駆動電源５０に接続された駆動電源線５３を配置
する。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦に
する平坦化絶縁膜１７を形成して、その平坦化絶縁膜１
７のソース４３ｓに対応した位置にコンタクトホールを
形成し、このコンタクトホールを介してソース１３ｓと
コンタクトしたＩＴＯ（Indium Thin Oxide）から成る
透明電極、即ち有機ＥＬ素子の陽極６１を平坦化絶縁膜
１７上に設ける。
上の全面には、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順
に積層された層間絶縁膜１５を形成し、ドレイン４３ｄ
に対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属を充
填して駆動電源５０に接続された駆動電源線５３を配置
する。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦に
する平坦化絶縁膜１７を形成して、その平坦化絶縁膜１
７のソース４３ｓに対応した位置にコンタクトホールを
形成し、このコンタクトホールを介してソース１３ｓと
コンタクトしたＩＴＯ（Indium Thin Oxide）から成る
透明電極、即ち有機ＥＬ素子の陽極６１を平坦化絶縁膜
１７上に設ける。
【００１３】有機ＥＬ素子１６０は、ＩＴＯ等の透明電
極から成る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ（4,4-bis(3-met hy
lphenylphenylamino)biphenyl）から成る第１ホール輸
送層６２、ＴＰＤ（4,4,4-tris(3-methylphenylphenyla
mino)triphenylanine）からなる第２ホール輸送層６
３、キナクリドン（Quinacridone）誘導体を含むＢｅｂ
ｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）
から成る発光層６４及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層
からなる発光素子層６５、マグネシウム・インジウム合
金から成る陰極６６がこの順番で積層形成された構造で
ある。この陰極６６は、図７に示した有機ＥＬ表示装置
を形成する基板１０の全面、即ち紙面の全面に設けられ
ている。
極から成る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ（4,4-bis(3-met hy
lphenylphenylamino)biphenyl）から成る第１ホール輸
送層６２、ＴＰＤ（4,4,4-tris(3-methylphenylphenyla
mino)triphenylanine）からなる第２ホール輸送層６
３、キナクリドン（Quinacridone）誘導体を含むＢｅｂ
ｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）
から成る発光層６４及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層
からなる発光素子層６５、マグネシウム・インジウム合
金から成る陰極６６がこの順番で積層形成された構造で
ある。この陰極６６は、図７に示した有機ＥＬ表示装置
を形成する基板１０の全面、即ち紙面の全面に設けられ
ている。
【００１４】また有機ＥＬ素子は、陽極から注入された
ホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内部で
再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子
が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から
光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板を介
して外部へ放出されて発光する。
ホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内部で
再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子
が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から
光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板を介
して外部へ放出されて発光する。
【００１５】ここで、図３に第２のＴＦＴの特性を示
す。
す。
【００１６】横軸に、図６中の駆動電源線５３と保持容
量１７０との交点１７３における電位を基準としたゲー
ト電圧Ｖｇｓを、縦軸にドレイン電流Ｉｄｓを示す。
量１７０との交点１７３における電位を基準としたゲー
ト電圧Ｖｇｓを、縦軸にドレイン電流Ｉｄｓを示す。
【００１７】陰極が第２のＴＦＴのチャネルの上方に無
い場合では、図３中の実線で示すような特性を示す。ま
た、陰極が有機ＥＬ表示装置の全面に形成されている場
合、即ち例えばこの陰極が−１０Ｖの電位をもつ場合、
ＴＦＴ特性は図３中の破線のように変化する。
い場合では、図３中の実線で示すような特性を示す。ま
た、陰極が有機ＥＬ表示装置の全面に形成されている場
合、即ち例えばこの陰極が−１０Ｖの電位をもつ場合、
ＴＦＴ特性は図３中の破線のように変化する。
【００１８】これは、チャネル４３ｃ上方に設けられた
有機ＥＬ素子１６０の陰極６６には電圧が印加されるが
その電圧によってチャネル４３ｃに対してバックチャネ
ルが発生するためである。即ち、図５（ｂ）に示したよ
うに、有機ＥＬ表示装置は基板１０上に第２のＴＦＴ１
４０を形成し、更にその上に有機ＥＬ素子１６０を設け
た構造であり、有機ＥＬ素子１６０の陰極６６が全面に
形成されている構造であるため、その陰極６６に電圧が
印加されるとその電圧によって生じる電界によって電荷
が生じ、いわゆるバックチャネルを生じてしまうためで
ある。
有機ＥＬ素子１６０の陰極６６には電圧が印加されるが
その電圧によってチャネル４３ｃに対してバックチャネ
ルが発生するためである。即ち、図５（ｂ）に示したよ
うに、有機ＥＬ表示装置は基板１０上に第２のＴＦＴ１
４０を形成し、更にその上に有機ＥＬ素子１６０を設け
た構造であり、有機ＥＬ素子１６０の陰極６６が全面に
形成されている構造であるため、その陰極６６に電圧が
印加されるとその電圧によって生じる電界によって電荷
が生じ、いわゆるバックチャネルを生じてしまうためで
ある。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】ところが、第２のＴＦ
Ｔ１４０は有機ＥＬ素子１６０を駆動する電源からの電
流を第２のＴＦＴ１４０のゲート４１に印加された電圧
に応じて制御して有機ＥＬ素子６０に供給する機能を有
しているが、この陰極の電位による特性変動の量（Δ
Ｖ）は、チャネル上にあるストッパ絶縁膜、平坦化絶縁
膜の膜厚、膜質によって決まり、これらが表示面内で変
動した場合、ΔＶは容易に変動することになる。ΔＶの
ばらつきはＥＬ発光素子層に流れる電流を変動させるこ
とになるため、各表示画素ごとに発光輝度のばらつきを
生じ表示にムラが発生するという欠点があった。
Ｔ１４０は有機ＥＬ素子１６０を駆動する電源からの電
流を第２のＴＦＴ１４０のゲート４１に印加された電圧
に応じて制御して有機ＥＬ素子６０に供給する機能を有
しているが、この陰極の電位による特性変動の量（Δ
Ｖ）は、チャネル上にあるストッパ絶縁膜、平坦化絶縁
膜の膜厚、膜質によって決まり、これらが表示面内で変
動した場合、ΔＶは容易に変動することになる。ΔＶの
ばらつきはＥＬ発光素子層に流れる電流を変動させるこ
とになるため、各表示画素ごとに発光輝度のばらつきを
生じ表示にムラが発生するという欠点があった。
【００２０】そこで本発明は、上記の従来の欠点に鑑み
て為されたものであり、第２のＴＦＴの特性の変動をな
くし本来ＥＬ素子に供給されるべき電流を供給して表示
ムラの発生しないＥＬ表示装置を提供することを目的と
する。
て為されたものであり、第２のＴＦＴの特性の変動をな
くし本来ＥＬ素子に供給されるべき電流を供給して表示
ムラの発生しないＥＬ表示装置を提供することを目的と
する。
【００２１】
【課題を解決するための手段】本発明のＥＬ表示装置
は、陽極と陰極との間に発光層を有するエレクトロルミ
ネッセンス素子と、非単結晶半導体膜からなる能動層の
ドレインがドレイン信号線に、ゲートがゲート信号線に
それぞれ接続された第１の薄膜トランジスタと、非単結
晶半導体膜からなる能動層のドレインが前記エレクトロ
ルミネッセンス素子の駆動電源に、前記能動層のチャネ
ルの下方に設けたゲートが前記第１の薄膜トランジスタ
のソースにそれぞれ接続された第２の薄膜トランジスタ
とを備えたエレクトロルミネッセンス表示装置であっ
て、該第２の薄膜トランジスタの能動層に設けられたチ
ャネルの上方に該チャネルを覆う導電体を設けているも
のである。
は、陽極と陰極との間に発光層を有するエレクトロルミ
ネッセンス素子と、非単結晶半導体膜からなる能動層の
ドレインがドレイン信号線に、ゲートがゲート信号線に
それぞれ接続された第１の薄膜トランジスタと、非単結
晶半導体膜からなる能動層のドレインが前記エレクトロ
ルミネッセンス素子の駆動電源に、前記能動層のチャネ
ルの下方に設けたゲートが前記第１の薄膜トランジスタ
のソースにそれぞれ接続された第２の薄膜トランジスタ
とを備えたエレクトロルミネッセンス表示装置であっ
て、該第２の薄膜トランジスタの能動層に設けられたチ
ャネルの上方に該チャネルを覆う導電体を設けているも
のである。
【００２２】また、上述のＥＬ表示装置の前記導電体は
前記駆動電源に接続された駆動電源線を前記チャネル上
方にまで延在させて設けたエレクトロルミネッセンス表
示装置である。
前記駆動電源に接続された駆動電源線を前記チャネル上
方にまで延在させて設けたエレクトロルミネッセンス表
示装置である。
【００２３】更に、上述のＥＬ表示装置の前記導電体は
前記ゲート信号線を前記チャネル上方にまで延在させて
設けたエレクトロルミネッセンス表示装置である。
前記ゲート信号線を前記チャネル上方にまで延在させて
設けたエレクトロルミネッセンス表示装置である。
【００２４】
【発明の実施の形態】本発明のＥＬ表示装置について以
下に説明する。 ＜第１の実施の形態＞図１に本発明を有機ＥＬ表示装置
に適用した場合の１表示画素を示す平面図を示し、図２
（ａ）に図１中のＡ−Ａ線に沿った断面図を示し、図２
（ｂ）に図１中のＢ−Ｂ線に沿った断面図を示す。
下に説明する。 ＜第１の実施の形態＞図１に本発明を有機ＥＬ表示装置
に適用した場合の１表示画素を示す平面図を示し、図２
（ａ）に図１中のＡ−Ａ線に沿った断面図を示し、図２
（ｂ）に図１中のＢ−Ｂ線に沿った断面図を示す。
【００２５】図１に示すように、ゲート信号線５１とド
レイン信号線５２とに囲まれた領域に表示画素が形成さ
れている。両信号線の交点付近には第１のＴＦＴ３０が
備えられており、そのＴＦＴ３０のソース１３ｓは保持
容量電極線５４との間で容量をなす容量電極５５を兼ね
るとともに、第２のＴＦＴ４０のゲート４１に接続され
ている。第２のＴＦＴのソース４３ｓは有機ＥＬ素子６
０の陽極６１に接続され、他方のドレイン４３ｄは有機
ＥＬ素子を駆動する駆動電源線５３に接続されている。
レイン信号線５２とに囲まれた領域に表示画素が形成さ
れている。両信号線の交点付近には第１のＴＦＴ３０が
備えられており、そのＴＦＴ３０のソース１３ｓは保持
容量電極線５４との間で容量をなす容量電極５５を兼ね
るとともに、第２のＴＦＴ４０のゲート４１に接続され
ている。第２のＴＦＴのソース４３ｓは有機ＥＬ素子６
０の陽極６１に接続され、他方のドレイン４３ｄは有機
ＥＬ素子を駆動する駆動電源線５３に接続されている。
【００２６】また、ＴＦＴの付近には、ゲート信号線５
１と並行に保持容量電極線５４が配置されている。この
保持容量電極線５４はクロム等から成っており、ゲート
絶縁膜１２を介してＴＦＴのソース１３ｓと接続された
容量電極５５との間で電荷を蓄積して容量を成してい
る。この保持容量は、第２のＴＦＴ４０のゲート電極４
１に印加される電圧を保持するために設けられている。
１と並行に保持容量電極線５４が配置されている。この
保持容量電極線５４はクロム等から成っており、ゲート
絶縁膜１２を介してＴＦＴのソース１３ｓと接続された
容量電極５５との間で電荷を蓄積して容量を成してい
る。この保持容量は、第２のＴＦＴ４０のゲート電極４
１に印加される電圧を保持するために設けられている。
【００２７】このように有機ＥＬ素子６０及びＴＦＴ３
０，４０を備えた表示画素が基板１０上にマトリクス状
に配置されることにより有機ＥＬ表示装置が形成され
る。
０，４０を備えた表示画素が基板１０上にマトリクス状
に配置されることにより有機ＥＬ表示装置が形成され
る。
【００２８】図２に示すように、有機ＥＬ表示装置は、
ガラスや合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する
基板あるいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び
有機ＥＬ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板１
０として導電性を有する基板及び半導体基板を用いる場
合には、これらの基板１０上にＳｉＯ2やＳｉＮなどの
絶縁膜を形成した上にＴＦＴ及び有機ＥＬ表示装置を形
成する。
ガラスや合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する
基板あるいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び
有機ＥＬ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板１
０として導電性を有する基板及び半導体基板を用いる場
合には、これらの基板１０上にＳｉＯ2やＳｉＮなどの
絶縁膜を形成した上にＴＦＴ及び有機ＥＬ表示装置を形
成する。
【００２９】本実施の形態においては、第１及び第２の
ＴＦＴ３０，４０ともに、ゲート電極を能動層１３の下
方に設けたいわゆるボトムゲート型のＴＦＴであり、能
動層として多結晶シリコン（Poly-Silicon、以下、「ｐ
−Ｓｉ」と称する。）膜を用いた場合を示す。またゲー
ト電極１１，４１がダブルゲート構造であるＴＦＴの場
合を示す。スイッチング用のＴＦＴである第１のＴＦＴ
３０は、図２（ａ）に示すように、従来の第１のＴＦＴ
１４０と同じ構造であるので説明は省略する。
ＴＦＴ３０，４０ともに、ゲート電極を能動層１３の下
方に設けたいわゆるボトムゲート型のＴＦＴであり、能
動層として多結晶シリコン（Poly-Silicon、以下、「ｐ
−Ｓｉ」と称する。）膜を用いた場合を示す。またゲー
ト電極１１，４１がダブルゲート構造であるＴＦＴの場
合を示す。スイッチング用のＴＦＴである第１のＴＦＴ
３０は、図２（ａ）に示すように、従来の第１のＴＦＴ
１４０と同じ構造であるので説明は省略する。
【００３０】次に、有機ＥＬ素子６０の駆動用のＴＦＴ
である第２のＴＦＴ４０について説明する。
である第２のＴＦＴ４０について説明する。
【００３１】図２（ｂ）に示すように、石英ガラス、無
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、Ｃｒ、
Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極４１を形成す
る。
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、Ｃｒ、
Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極４１を形成す
る。
【００３２】ゲート絶縁膜１２、及びｐ−Ｓｉ膜からな
る能動層４３を順に形成する。
る能動層４３を順に形成する。
【００３３】その能動層４３には、ゲート電極４１上方
に真性又は実質的に真性であるチャネル４３ｃと、この
チャネル４３ｃの両側に、その両側にイオンドーピング
してソース１３ｓ及びドレイン１３ｄが設けられてい
る。
に真性又は実質的に真性であるチャネル４３ｃと、この
チャネル４３ｃの両側に、その両側にイオンドーピング
してソース１３ｓ及びドレイン１３ｄが設けられてい
る。
【００３４】そして、ゲート絶縁膜１２及び能動層４３
上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順に
積層された層間絶縁膜１５を形成し、ドレイン４３ｄに
対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属を充填
して駆動電源５０に接続された駆動電源線５３を形成す
る。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にす
る平坦化絶縁膜１７を形成する。そして、その平坦化絶
縁膜１７のドレイン４３ｄに対応した位置にコンタクト
ホールを形成し、このコンタクトホールを介して駆動電
源線５３とコンタクトしＡｌからなる駆動電源線５３を
形成する。このとき、同時にその駆動電源線５３の一部
をチャネル４３ｃ上に延在させて覆う導電体５６を形成
する。また、その平坦化絶縁膜１７のソース４３ｓに対
応した位置にコンタクトホールを形成し、このコンタク
トホールを介してソース１３ｓとコンタクトしたＩＴＯ
から成る透明電極、即ち有機ＥＬ素子の陽極６１を平坦
化絶縁膜１７上に形成する。
上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順に
積層された層間絶縁膜１５を形成し、ドレイン４３ｄに
対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属を充填
して駆動電源５０に接続された駆動電源線５３を形成す
る。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にす
る平坦化絶縁膜１７を形成する。そして、その平坦化絶
縁膜１７のドレイン４３ｄに対応した位置にコンタクト
ホールを形成し、このコンタクトホールを介して駆動電
源線５３とコンタクトしＡｌからなる駆動電源線５３を
形成する。このとき、同時にその駆動電源線５３の一部
をチャネル４３ｃ上に延在させて覆う導電体５６を形成
する。また、その平坦化絶縁膜１７のソース４３ｓに対
応した位置にコンタクトホールを形成し、このコンタク
トホールを介してソース１３ｓとコンタクトしたＩＴＯ
から成る透明電極、即ち有機ＥＬ素子の陽極６１を平坦
化絶縁膜１７上に形成する。
【００３５】有機ＥＬ素子６０の構造も従来の技術で説
明した構造と同じであるので説明を省略する。
明した構造と同じであるので説明を省略する。
【００３６】このように、第２のＴＦＴ４０のチャネル
４３ｃ上方に駆動電源５３の一部からなる導電体５６を
形成することにより、陰極６６に印加される電圧による
電界によって生じるバックチャネルを抑制することがで
きる。即ち、陰極の電位による電界やチャネル上部の膜
質、膜厚等の変動による影響を受けず、本来のＴＦＴ特
性を保持することができることになる。従って、陰極の
電位による電界やチャネル上部の膜質、膜厚等の変動等
に起因する表示ムラを防止することができる。
４３ｃ上方に駆動電源５３の一部からなる導電体５６を
形成することにより、陰極６６に印加される電圧による
電界によって生じるバックチャネルを抑制することがで
きる。即ち、陰極の電位による電界やチャネル上部の膜
質、膜厚等の変動による影響を受けず、本来のＴＦＴ特
性を保持することができることになる。従って、陰極の
電位による電界やチャネル上部の膜質、膜厚等の変動等
に起因する表示ムラを防止することができる。
【００３７】また、第２のＴＦＴ４０がｐ型を呈する不
純物をドーピングしたソース及びドレインを備えた能動
層を備えたｐ型チャネルＴＦＴとすれば、Ｉd−Ｖd特性
において飽和する領域を広くすることができるため、Ｖ
dに応じてＩdが変化しにくくなる、即ちドレイン電圧の
変化に応じたドレイン電流値のばらつきが少なくなるの
で有機ＥＬ素子の発光輝度が再現性良く均一にすること
ができることから良好な階調表示を容易に得ることがで
きる。
純物をドーピングしたソース及びドレインを備えた能動
層を備えたｐ型チャネルＴＦＴとすれば、Ｉd−Ｖd特性
において飽和する領域を広くすることができるため、Ｖ
dに応じてＩdが変化しにくくなる、即ちドレイン電圧の
変化に応じたドレイン電流値のばらつきが少なくなるの
で有機ＥＬ素子の発光輝度が再現性良く均一にすること
ができることから良好な階調表示を容易に得ることがで
きる。
【００３８】特に多結晶シリコンＴＦＴでは、従来の技
術の欄で説明したように、結晶粒界が存在し、粒界にト
ラップされた電子によってポテンシャルバリアが形成さ
れ空乏層が広がる。このためドレイン電極エッジにおい
て粒界に強い電界がかかり、これにより加速された電子
が格子と衝突する衝突電離現象が発生するが、その現象
はｎ型チャネルＴＦＴの場合に比べｐ型チャネルの場合
の方が著しく小さいことから、ドレイン電流は飽和する
領域を示し良好な飽和特性を得ることができることか
ら、第２のＴＦＴとしてｐ型チャネルＴＦＴを用いるこ
とが好ましい。 ＜第２の実施の形態＞図４に本発明のＥＬ表示装置の表
示画素付近の平面図を示し、図５に図４中のＣ−Ｃ線に
沿った断面図を示す。
術の欄で説明したように、結晶粒界が存在し、粒界にト
ラップされた電子によってポテンシャルバリアが形成さ
れ空乏層が広がる。このためドレイン電極エッジにおい
て粒界に強い電界がかかり、これにより加速された電子
が格子と衝突する衝突電離現象が発生するが、その現象
はｎ型チャネルＴＦＴの場合に比べｐ型チャネルの場合
の方が著しく小さいことから、ドレイン電流は飽和する
領域を示し良好な飽和特性を得ることができることか
ら、第２のＴＦＴとしてｐ型チャネルＴＦＴを用いるこ
とが好ましい。 ＜第２の実施の形態＞図４に本発明のＥＬ表示装置の表
示画素付近の平面図を示し、図５に図４中のＣ−Ｃ線に
沿った断面図を示す。
【００３９】本実施の形態が第１の実施の形態と異なる
点は、図４に示すように、第２のＴＦＴ４０のチャネル
４３ｃ上方に設けた導電体５６が第２のＴＦＴ４０のゲ
ート電極４１の一部が延在して設けられている点であ
る。
点は、図４に示すように、第２のＴＦＴ４０のチャネル
４３ｃ上方に設けた導電体５６が第２のＴＦＴ４０のゲ
ート電極４１の一部が延在して設けられている点であ
る。
【００４０】図４及び図５に示すように、第２のＴＦＴ
は、ゲート電極４１、ゲート絶縁膜１２を積層した上に
設けたｐ−Ｓｉから成る能動層を備えている。そして、
その能動層には不純物がドーピングされているソース４
３ｓ及びドレイン４３ｄを備えている。
は、ゲート電極４１、ゲート絶縁膜１２を積層した上に
設けたｐ−Ｓｉから成る能動層を備えている。そして、
その能動層には不純物がドーピングされているソース４
３ｓ及びドレイン４３ｄを備えている。
【００４１】ゲート絶縁膜１２及び層間絶縁膜１５に設
けたコンタクトホールを介してゲート電極４１とコンタ
クトした導電体５６をチャネル４３ｃ上方にまで延在さ
せて設ける。即ち、ゲート電極４１と同じ電位の導電体
５６を設ける。
けたコンタクトホールを介してゲート電極４１とコンタ
クトした導電体５６をチャネル４３ｃ上方にまで延在さ
せて設ける。即ち、ゲート電極４１と同じ電位の導電体
５６を設ける。
【００４２】このように、ゲート電極４１と同電位の導
電体５６を設けることにより、従来発生していたバック
チャネルを抑制することができる。
電体５６を設けることにより、従来発生していたバック
チャネルを抑制することができる。
【００４３】そのため、有機ＥＬ素子６０に本来供給さ
れるべき電流が供給されて発光するので、各表示画素に
おける発光輝度のばらつきが無くなり、表示ムラの発生
しない有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
れるべき電流が供給されて発光するので、各表示画素に
おける発光輝度のばらつきが無くなり、表示ムラの発生
しない有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
【００４４】また、第２のＴＦＴを第１の実施の形態と
同様にｐ型チャネルを備えたＴＦＴとすることによりド
レイン電圧に対するドレイン電流のばらつきが少なく有
機ＥＬ素子の発光輝度が再現性良く均一にすることがで
き良好な階調表示を得ることができる有機ＥＬ表示装置
が得られる。
同様にｐ型チャネルを備えたＴＦＴとすることによりド
レイン電圧に対するドレイン電流のばらつきが少なく有
機ＥＬ素子の発光輝度が再現性良く均一にすることがで
き良好な階調表示を得ることができる有機ＥＬ表示装置
が得られる。
【００４５】なお、上述の各実施の形態においては、能
動層としてｐ−Ｓｉ膜を用いたが、微結晶シリコン膜又
は非晶質シリコン膜を用いても良い。
動層としてｐ−Ｓｉ膜を用いたが、微結晶シリコン膜又
は非晶質シリコン膜を用いても良い。
【００４６】更に、上述の各実施の形態においては、有
機ＥＬ表示装置について説明したが、本発明はそれに限
定されるものではなく、発光層が無機材料から成る無機
ＥＬ表示装置にも適用が可能であり、同様の効果が得ら
れる。
機ＥＬ表示装置について説明したが、本発明はそれに限
定されるものではなく、発光層が無機材料から成る無機
ＥＬ表示装置にも適用が可能であり、同様の効果が得ら
れる。
【００４７】
【発明の効果】本発明のＥＬ表示装置は、高速の書き込
みと保持特性が良い第１のＴＦＴと、電流制御性が良い
第２のＴＦＴとを備えているので、良好な階調表示が可
能なＥＬ表示装置を得ることができる。
みと保持特性が良い第１のＴＦＴと、電流制御性が良い
第２のＴＦＴとを備えているので、良好な階調表示が可
能なＥＬ表示装置を得ることができる。
【図１】本発明のＥＬ表示装置の第１の実施の形態を示
す平面図である。
す平面図である。
【図２】本発明のＥＬ表示装置の第１の実施の形態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図３】本発明のＥＬ表示装置に備えられたＴＦＴの特
性図である。
性図である。
【図４】本発明のＥＬ表示装置の第２の実施の形態を示
す平面図である。
す平面図である。
【図５】本発明のＥＬ表示装置の第２の実施の形態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図６】ＥＬ表示装置の等価回路図である。
【図７】従来のＥＬ表示装置の平面図である。
【図８】従来のＥＬ表示装置の断面図である。
１１，４１ ゲート １３ｓ、４３ｓ ソース １３ｄ、４３ｄ ドレイン １３ｃ、４３ｃ チャネル １３ｓ、４３ｓ ＬＤＤ領域 ３０ 第１のＴＦＴ ４０ 第２のＴＦＴ ５０ 駆動電源 ５６ 導電体 ６０ 有機ＥＬ素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/26 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１７Ｎ Ｆターム(参考） 3K007 AB17 BA06 CC00 DA01 DB03 EB00 EC03 FA01 GA04 5C058 AA12 AB01 AB06 BA35 5C094 AA04 AA06 AA07 AA09 AA13 AA48 AA54 BA03 BA09 BA12 BA27 CA19 CA24 CA25 DA13 DB04 EA01 EA04 EA07 EA10 FA01 FB12 FB14 FB16 5F110 AA18 AA30 BB20 CC07 CC08 DD02 DD03 DD05 DD13 DD14 EE04 EE28 EE30 EE37 GG02 GG13 GG14 GG15 GG35 HJ18 HL03 NN03 NN23 NN24 NN27 NN44 NN72 QQ19
Claims (3)
- 【請求項１】 陽極と陰極との間に発光層を有するエレ
クトロルミネッセンス素子と、非単結晶半導体膜からな
る能動層のドレインがドレイン信号線に、ゲートがゲー
ト信号線にそれぞれ接続された第１の薄膜トランジスタ
と、非単結晶半導体膜からなる能動層のドレインが前記
エレクトロルミネッセンス素子の駆動電源に、前記能動
層のチャネルの下方に設けたゲートが前記第１の薄膜ト
ランジスタのソースにそれぞれ接続された第２の薄膜ト
ランジスタとを備えたエレクトロルミネッセンス表示装
置であって、該第２の薄膜トランジスタの能動層に設け
られたチャネルの上方に該チャネルを覆う導電体を設け
ていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示
装置。 - 【請求項２】 前記導電体は前記駆動電源に接続された
駆動電源線を前記チャネル上方にまで延在させて設けた
ことを特徴とする請求項１に記載のエレクトロルミネッ
センス表示装置。 - 【請求項３】 前記導電体は前記ゲート信号線を前記チ
ャネル上方にまで延在させて設けたことを特徴とする請
求項１に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02215899A JP3649927B2 (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02215899A JP3649927B2 (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000221907A true JP2000221907A (ja) | 2000-08-11 |
| JP3649927B2 JP3649927B2 (ja) | 2005-05-18 |
Family
ID=12075039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02215899A Expired - Lifetime JP3649927B2 (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3649927B2 (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003186421A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-07-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び半導体装置の作製方法 |
| JP2004126106A (ja) * | 2002-10-01 | 2004-04-22 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| US6864508B2 (en) | 2001-07-17 | 2005-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US6894432B2 (en) | 2000-12-28 | 2005-05-17 | Nec Corporation | Light emitting device and production method thereof |
| US7109073B2 (en) | 2001-08-17 | 2006-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor device |
| US7112517B2 (en) | 2001-09-10 | 2006-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser treatment device, laser treatment method, and semiconductor device fabrication method |
| US7317205B2 (en) | 2001-09-10 | 2008-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing a semiconductor device |
| US7422987B2 (en) | 2001-08-30 | 2008-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP2012118533A (ja) * | 2000-09-29 | 2012-06-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| US8274207B2 (en) | 2010-09-29 | 2012-09-25 | Panasonic Corporation | EL display panel, EL display apparatus, and method of manufacturing EL display panel |
| US8482010B2 (en) | 2010-09-29 | 2013-07-09 | Panasonic Corporation | EL display panel, EL display apparatus, and method of manufacturing EL display panel |
| US8593380B2 (en) | 2006-02-20 | 2013-11-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same |
| US8791453B2 (en) | 2010-09-29 | 2014-07-29 | Panasonic Corporation | Thin-film semiconductor device for display apparatus, method for manufacturing thin-film semiconductor device for display apparatus, EL display panel, and EL display apparatus |
| US8895989B2 (en) | 2010-09-29 | 2014-11-25 | Panasonic Corporation | Thin-film semiconductor device for display apparatus, method for manufacturing thin-film semiconductor device for display apparatus, EL display panel, and EL display apparatus |
| JP2019174819A (ja) * | 2002-01-28 | 2019-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示パネル、電子機器 |
-
1999
- 1999-01-29 JP JP02215899A patent/JP3649927B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012118533A (ja) * | 2000-09-29 | 2012-06-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| US6894432B2 (en) | 2000-12-28 | 2005-05-17 | Nec Corporation | Light emitting device and production method thereof |
| US7485896B2 (en) | 2001-07-17 | 2009-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US6864508B2 (en) | 2001-07-17 | 2005-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US6952023B2 (en) | 2001-07-17 | 2005-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| JP4550162B2 (ja) * | 2001-07-17 | 2010-09-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
| JP2010157745A (ja) * | 2001-07-17 | 2010-07-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
| US7265390B2 (en) | 2001-07-17 | 2007-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US7109073B2 (en) | 2001-08-17 | 2006-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor device |
| US7393729B2 (en) | 2001-08-17 | 2008-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor device |
| US7422987B2 (en) | 2001-08-30 | 2008-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US7317205B2 (en) | 2001-09-10 | 2008-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing a semiconductor device |
| US7682949B2 (en) | 2001-09-10 | 2010-03-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser treatment device, laser treatment method, and semiconductor device fabrication method |
| US7112517B2 (en) | 2001-09-10 | 2006-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser treatment device, laser treatment method, and semiconductor device fabrication method |
| JP2003186421A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-07-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び半導体装置の作製方法 |
| JP2019174819A (ja) * | 2002-01-28 | 2019-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示パネル、電子機器 |
| JP2004126106A (ja) * | 2002-10-01 | 2004-04-22 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| US8593380B2 (en) | 2006-02-20 | 2013-11-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same |
| US8482010B2 (en) | 2010-09-29 | 2013-07-09 | Panasonic Corporation | EL display panel, EL display apparatus, and method of manufacturing EL display panel |
| US8558445B2 (en) | 2010-09-29 | 2013-10-15 | Panasonic Corporation | EL display panel, EL display apparatus, and method of manufacturing EL display panel |
| US8791453B2 (en) | 2010-09-29 | 2014-07-29 | Panasonic Corporation | Thin-film semiconductor device for display apparatus, method for manufacturing thin-film semiconductor device for display apparatus, EL display panel, and EL display apparatus |
| US8895989B2 (en) | 2010-09-29 | 2014-11-25 | Panasonic Corporation | Thin-film semiconductor device for display apparatus, method for manufacturing thin-film semiconductor device for display apparatus, EL display panel, and EL display apparatus |
| US8274207B2 (en) | 2010-09-29 | 2012-09-25 | Panasonic Corporation | EL display panel, EL display apparatus, and method of manufacturing EL display panel |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3649927B2 (ja) | 2005-05-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4334045B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
| KR100714946B1 (ko) | 일렉트로 루미네센스 표시 장치 | |
| KR100653297B1 (ko) | 일렉트로 루미네선스 표시 장치 | |
| JP4337171B2 (ja) | 表示装置 | |
| KR100637822B1 (ko) | 전자 발광 표시 장치 | |
| US6762564B2 (en) | Display apparatus | |
| JP4236150B2 (ja) | 製造工程が単純化されたアクティブマトリックス型有機電界発光素子及びその製造方法 | |
| US7649202B2 (en) | Transistor, method of fabricating the same, and light emitting display comprising the same | |
| JPH11231805A (ja) | 表示装置 | |
| JP4095830B2 (ja) | 有機ｌｅｄデバイスおよびその製造方法 | |
| KR100527029B1 (ko) | 일렉트로 루미네센스 표시 장치 | |
| JP2000242196A (ja) | エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
| JP2003257662A (ja) | エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 | |
| JP3649927B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
| JP2001110575A (ja) | エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
| JP2000276078A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
| JP2001100654A (ja) | Ｅｌ表示装置 | |
| JP2003223120A (ja) | 半導体表示装置 | |
| US10529786B2 (en) | Thin-film transistor and organic light-emitting display device including the same | |
| JP2001282137A (ja) | エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
| JP2001175200A (ja) | 表示装置 | |
| JP2000223279A (ja) | エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
| JP2001111053A (ja) | 薄膜トランジスタ及び表示装置 | |
| JP2001134214A (ja) | 表示装置 | |
| JP2001272930A (ja) | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041224 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050216 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090225 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090225 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100225 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110225 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110225 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120225 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120225 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130225 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130225 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140225 Year of fee payment: 9 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |