JP2000208900A - プリント配線板 - Google Patents

プリント配線板

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JP2000208900A
JP2000208900A JP1024299A JP1024299A JP2000208900A JP 2000208900 A JP2000208900 A JP 2000208900A JP 1024299 A JP1024299 A JP 1024299A JP 1024299 A JP1024299 A JP 1024299A JP 2000208900 A JP2000208900 A JP 2000208900A
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resist film
conductor pattern
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printed wiring
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良彦 桐谷
Yuji Igawa
裕二 井川
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Ibiden Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 外部接続用パッドの導体パターンに対する接
着強度が十分に確保できるプリント配線板を提供する。 【解決手段】 導体パターン3の表面にレジストを塗布
し、露光・現像後熱硬化したレジスト被膜5の所定の部
位に開口部5を形成したプリント配線板1において、レ
ジスト被膜4は、下端開口部5aの大きさを上端開口部
5bよりも5〜50μm大に形成したので、めっき膜6
は、レジスト被膜4の下に根が生えたように形成されて
導体パターン3との密着力が高くなる。同時にレジスト
被膜4もめっき膜6と強固に結合する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、導体パターンの表
面にレジスト被膜を形成し、レジスト被膜に形成した開
口部を介して導体パターンの表面にめっき被膜を形成し
たプリント配線板に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、プリント配線板に外部接続用パッ
ドを形成する場合には、導体パターンの表面に液体レジ
ストを塗布し、紫外線露光した後、Na2CO3によるア
ルカリ現像を行い、数回の水洗を行った後、熱硬化して
レジスト被膜を形成している。そして、パッドの位置に
開口部を形成した後、全体にNi或いは金めっき処理を
行い、導体パターンの表面にめっき被膜を形成してい
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】然しながら、紫外線露
光による開口部は、下端部が導体パターンに対して直角
に形成されているので、めっき液の流れの関係上、めっ
き被膜と導体パターンとの接着強度が十分でないという
問題がある。
【0004】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
ので、その目的は、外部接続用パッドの導体パターンに
対する接着強度が十分に確保できるプリント配線板を提
供するにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明が採った手段は、実施例で使用する符号を付し
て説明すると、導体パターン3の表面にレジストを塗布
し、露光・現像後熱硬化したレジスト被膜4の所定の部
位に開口部5を形成したプリント配線板1において、レ
ジスト被膜4は、下端開口部5aの大きさを上端開口部
5bよりも5〜50μm大に形成したので、めっき膜6
は、レジスト被膜4の下に根が生えたように形成されて
導体パターン3との密着力が高くなる。同時にレジスト
被膜4もめっき膜6と強固に結合する。
【0006】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例につき図
面を参照して説明する。
【0007】図2は本発明のレジスト被膜4が形成され
たプリント配線板1の断面図を表すもので、基板2の表
面に導体パターン3が形成されており、これの表面にレ
ジスト被膜4が後述の工程を経て形成されている。この
レジスト被膜4には所定の位置に開口部5が形成されて
いる。
【0008】この開口部5の大きさは、図1(a)に示
すように、導体パターン3に接する下端開口部5a(寸
法A)が若干大きい。そして、その径の差(A−B)
は、5〜50μmで、好ましくは、10〜40μmであ
る。
【0009】このように、下端部5aを径大に形成した
本実施例によれば、開口部5を外部接続用端子として利
用するため、導体パターン3の上にNiめっき或いは金
めっきを施すと、図1(b)に示すように、めっき膜6
は、レジスト被膜4の下に根が生えたように形成されて
導体パターン3との密着力が高くなる。同時にレジスト
被膜4もめっき膜6と強固に結合するという効果を奏す
るものである。
【0010】尚、下端開口部5aの広がり状態は、上端
開口部5bに対して径の差が5μm以下の場合は、導体
パターン3とめっき膜6との密着力が十分でなく、ま
た、その差が50μm以上ある場合は、レジスト被膜4
自体の接着力が急激に弱くなって剥離する虞がある。
【0011】尚、開口部5の形状は、図3及び図4に示
す形状であってもて良い。
【0012】次に、レジスト被膜4の下端開口部5aを
径大に形成するレジスト被膜の製造方法に関して説明す
る。図5に示すように、導体パターン3を前処理した
後、その表面に液体レジストを印刷する。そして、これ
を紫外線で300〜900mJ露光する。
【0013】つぎに、Na2CO3によるアルカリ現像を
行い、この溶液をリンスした後、それぞれ5〜30秒間
の水洗を数回行う。この水洗用の溶液は、イオン交換に
より生成された純水(以降単にイオン水という)にCa
Cl2 等を添加してCaイオン濃度を17〜20mg/
Lにした水溶液が利用される。この水溶液は、Mg,S
r,Ba,Raを含む同じイオン濃度でもよい。
【0014】そして、液切りして乾燥し、最後に紫外線
硬化、熱硬化を行う。
【0015】本発明のレジスト被膜の製造方法は、水洗
用液のCaイオン濃度を17〜20mg/Lにしたこと
により、レジスト被膜4の下端開口部5aは、上端開口
部5bよりも広がり状態に形成され、Naが完全に排除
されたときには、図1(a)に示すように、上端開口部
5bよりも5〜50μm径大に形成される。
【0016】つぎに、水洗溶液のCaイオン濃度とNa
との関係に関して説明する。図6は、Caイオン濃度と
Na残渣量との関係を示す。これによれば、Caイオン
濃度を17mg/L以上に設定すれば、Naの残渣量を
0にすることができる。
【0017】しかし、Caイオン濃度が20mg/Lで
あっても、水溶液を繰り返し使用すると、図7に示すよ
うにNa残渣量は漸次増加するので、水溶液の使用限度
を設定して常時管理する必要がある。
【0018】図8〜図10は、Caイオン濃度と開口部
5の下端開口部5aの広がりとの関係を示したものであ
る。これによれば、Na残渣量及び下端開口部5aの広
がりと、ともにCaイオン濃度を17mg/L〜20m
g/Lに設定すれば、良好な結果を得ることができる。
【0019】
【発明の効果】本発明は、導体パターンの表面にレジス
トを塗布し、露光・現像後熱硬化したレジスト被膜の所
定の部位に開口部を形成したプリント配線板において、
前記レジスト被膜は、下端開口部の大きさを上端開口部
よりも5〜50μm大に形成したので、外部接続用パッ
ドを形成するためにめっき膜を形成する場合には、導体
パターンとの密着力を高くするとともにめっき膜とレジ
スト被膜とを強固に結合することができるという効果を
奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図2における円形部の拡大断面図であり、
(a)は開口部の断面図、(b)は導体パターンにめっ
き膜を形成した図である。
【図2】 プリント配線板の断面図である。
【図3】 開口部の他の実施例における断面図である。
【図4】 開口部の異なる実施例における断面図であ
る。
【図5】 レジスト被膜の製造工程を示す図である。
【図6】 水洗溶液のCaイオン濃度とNa残渣量の関
係を示す図である。
【図7】 処理枚数に対するNa残渣量の関係を示す図
である。
【図8】 水洗溶液のCaイオン濃度とレジスト被膜開
口部の広がりの関係を示す図である。
【図9】 処理枚数に対するレジスト被膜開口部の広が
りの関係を示す図である。
【図10】 処理枚数に対するレジスト被膜開口部の広
がりの関係を示す図である。
【符号の説明】
1 プリント配線板 2 基板 3 導体パターン 4 レジスト被膜 5 開口部 5a下端開口部 5b上端開口部 6 めっき膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5E336 AA04 BB03 BC25 BC32 BC34 GG16 5E343 BB23 BB44 CC43 DD32 EE02 ER18 GG01

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 導体パターンの表面にレジストを塗布
    し、露光・現像後熱硬化したレジスト被膜の所定の部位
    に開口部を形成したプリント配線板において、 前記レジスト被膜は、下端開口部の大きさを上端開口部
    よりも5〜50μm大に形成したことを特徴とするプリ
    ント配線板。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006005112A (ja) * 2004-06-17 2006-01-05 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびこれに用いる回路基板
JP2013507777A (ja) * 2009-10-19 2013-03-04 巨擘科技股▲ふん▼有限公司 フレキシブル多層基板の金属層構造及びその製造方法

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