JP2000206051A - 半導体検査装置 - Google Patents
半導体検査装置Info
- Publication number
- JP2000206051A JP2000206051A JP11010724A JP1072499A JP2000206051A JP 2000206051 A JP2000206051 A JP 2000206051A JP 11010724 A JP11010724 A JP 11010724A JP 1072499 A JP1072499 A JP 1072499A JP 2000206051 A JP2000206051 A JP 2000206051A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image
- defect
- pattern
- wafer
- seen
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】ウェーハ上のチップを比較検査する半導体用の
欠陥検査装置において、複雑なパターンの欠陥を見易く
する。 【解決手段】同一形状を持っている二つの対象物の比較
を行い、取り込んだ画像の濃淡を反転させる。同一構造
をした異なるチップ(あるいは同一のマスクで製造され
た異なるウェーハ)の二つを一方はネガ画像、一方はポ
ジ画像で認識し、二つを重ね合わせる。 【効果】無欠陥であればお互いの画像が打ち消し合うの
で平坦な像しか見えず、欠陥が存在すれば打ち消さない
ため欠陥部だけが見えるようになる。
欠陥検査装置において、複雑なパターンの欠陥を見易く
する。 【解決手段】同一形状を持っている二つの対象物の比較
を行い、取り込んだ画像の濃淡を反転させる。同一構造
をした異なるチップ(あるいは同一のマスクで製造され
た異なるウェーハ)の二つを一方はネガ画像、一方はポ
ジ画像で認識し、二つを重ね合わせる。 【効果】無欠陥であればお互いの画像が打ち消し合うの
で平坦な像しか見えず、欠陥が存在すれば打ち消さない
ため欠陥部だけが見えるようになる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はウェーハ上のチップ
を比較検査する半導体用の欠陥検査装置に関する。
を比較検査する半導体用の欠陥検査装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の場合ウェーハを検査する時には以
下のような方法を用いた。
下のような方法を用いた。
【0003】隣接するチップ同士での同一地点の比較
検査を行なう(図1)。
検査を行なう(図1)。
【0004】レーザー光を用いたウェーハ表面の突起
物の検査を行なう(図2)。
物の検査を行なう(図2)。
【0005】隣接するチップ同士での同一地点の比較
を行なう場合、微細な領域(一辺が約0.25〜1μm程
度)を比較検査するため、ウェーハ上の全面領域を測定
する場合、多くの時間を要する(図1)。
を行なう場合、微細な領域(一辺が約0.25〜1μm程
度)を比較検査するため、ウェーハ上の全面領域を測定
する場合、多くの時間を要する(図1)。
【0006】パターンを誤認検出しないようにするた
めには、レーザーの方向をS方向かP方向で揃え、パタ
ーンの直線とその直線と直行するようなパターンの誤認
検出を抑えるような方法を使っていた(図2)。
めには、レーザーの方向をS方向かP方向で揃え、パタ
ーンの直線とその直線と直行するようなパターンの誤認
検出を抑えるような方法を使っていた(図2)。
【0007】このような方法ではパターンとパターンを
ショートさせるような高さの無い欠陥原因を探し出す事
は出来ない。結果的にレーザー光を用いた場合、主にウ
ェーハ上の突起物しか測定できない。そのためパターン
のサイズ以下の異物は測定しにくかった(図2)。
ショートさせるような高さの無い欠陥原因を探し出す事
は出来ない。結果的にレーザー光を用いた場合、主にウ
ェーハ上の突起物しか測定できない。そのためパターン
のサイズ以下の異物は測定しにくかった(図2)。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】図3のように同一構造
をした異なるチップ(或いは同一のマスクで製造された
異なるウェーハ)の二つを一方はネガ画像、一方はポジ
画像で認識し、二つを重ね合わせる。無欠陥であればお
互いの色調が打ち消しあうので平坦な像しか見えず、欠
陥が存在すれば色調を打ち消さないため欠陥の存在する
場所が一見して分かる。
をした異なるチップ(或いは同一のマスクで製造された
異なるウェーハ)の二つを一方はネガ画像、一方はポジ
画像で認識し、二つを重ね合わせる。無欠陥であればお
互いの色調が打ち消しあうので平坦な像しか見えず、欠
陥が存在すれば色調を打ち消さないため欠陥の存在する
場所が一見して分かる。
【0009】
【課題を解決するための手段】この発明は、ネガとポジ
の画像を重ねて画像を単純化しようとするものである。
の画像を重ねて画像を単純化しようとするものである。
【0010】
【作用】この発明は欠陥がある場合、単純化された画像
上にその欠陥が映し出される。
上にその欠陥が映し出される。
【0011】
【発明の実施の形態】実施の一例について説明する。図
3はポジ画像、ネガ画像をそれぞれに示し、欠陥がある
場合と無い場合で合成した画像を示したものである。
3はポジ画像、ネガ画像をそれぞれに示し、欠陥がある
場合と無い場合で合成した画像を示したものである。
【0012】
【発明の効果】以上のようにこの発明によればパターン
が存在するウェーハ上でも欠陥の検出がより容易に行わ
れる。
が存在するウェーハ上でも欠陥の検出がより容易に行わ
れる。
【図1】隣り合うチップに同一座標の測定ポイントを示
している。
している。
【図2】A:ウェーハの断面図である。その上に異物と
パターンが乗っており、レーザーの入射と反射を示して
いる。 B:ウェーハの上面図である。その上に異物とパターン
が乗っており、レーザーの入射と反射を示している。
パターンが乗っており、レーザーの入射と反射を示して
いる。 B:ウェーハの上面図である。その上に異物とパターン
が乗っており、レーザーの入射と反射を示している。
【図3】C:欠陥が存在しない場合のパターンと別のパ
ターンの反転画像と合成像を示したものである。 D:欠陥が存在する場合のパターンと別のパターンの欠
陥の無い反転画像と合成像を示したものである。 E:上下ともポジ画像 F:上下ともネガ画像 G:ポジ+ネガの合成像である。
ターンの反転画像と合成像を示したものである。 D:欠陥が存在する場合のパターンと別のパターンの欠
陥の無い反転画像と合成像を示したものである。 E:上下ともポジ画像 F:上下ともネガ画像 G:ポジ+ネガの合成像である。
1 欠陥座標 2 欠陥座標 3 比較するチップ 4 比較されるチップ 5 入射光S(P)波 6 入射光S(P)波 7 異物 8 ウェーハ 9 反射光(散乱光) 10 反射光S(P)波 11 パターン 12 欠陥(見えにくい) 13 欠陥(見やすい)
Claims (1)
- 【請求項1】同一形状を持っている二つの対象物の比較
を行ない、取り込んだ画像の色調を反転させることを特
徴とした半導体検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11010724A JP2000206051A (ja) | 1999-01-19 | 1999-01-19 | 半導体検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11010724A JP2000206051A (ja) | 1999-01-19 | 1999-01-19 | 半導体検査装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000206051A true JP2000206051A (ja) | 2000-07-28 |
Family
ID=11758249
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11010724A Withdrawn JP2000206051A (ja) | 1999-01-19 | 1999-01-19 | 半導体検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000206051A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007086065A (ja) * | 2005-09-16 | 2007-04-05 | Suss Microtec Test Systems Gmbh | 様々な反復する構造の検査プロセス |
JP2016039878A (ja) * | 2014-08-13 | 2016-03-24 | 株式会社東芝 | 放射線治療システム |
-
1999
- 1999-01-19 JP JP11010724A patent/JP2000206051A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007086065A (ja) * | 2005-09-16 | 2007-04-05 | Suss Microtec Test Systems Gmbh | 様々な反復する構造の検査プロセス |
JP2016039878A (ja) * | 2014-08-13 | 2016-03-24 | 株式会社東芝 | 放射線治療システム |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060404 |