JP2000193423A - 膜厚測定方法、研磨方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法、並びに薄膜磁気ヘッド形成用基板 - Google Patents
膜厚測定方法、研磨方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法、並びに薄膜磁気ヘッド形成用基板Info
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、基板上に形成された素子形成層の膜
厚を測定する膜厚測定方法に関し、研磨処理における研
磨対象膜の残膜厚を高精度で測定できる膜厚測定方法を
提供することを目的とする。 【解決手段】薄膜磁気ヘッドの製造方法において、下部
シールド層１６と共にダミー層５４を形成した後アルミ
ナで被覆し、ＣＭＰにより表面研磨して平坦化層２４を
形成する。次に、下部シールド層１６上に上部シールド
層３２を形成してアルミナで埋め込んで平坦化層３８を
形成する。非接触光学式膜厚測定装置でダミー層５４上
の埋め込み層３８の膜厚を計測し、当該膜厚に基づいて
上部シールド層３２の膜厚を測定する。
厚を測定する膜厚測定方法に関し、研磨処理における研
磨対象膜の残膜厚を高精度で測定できる膜厚測定方法を
提供することを目的とする。 【解決手段】薄膜磁気ヘッドの製造方法において、下部
シールド層１６と共にダミー層５４を形成した後アルミ
ナで被覆し、ＣＭＰにより表面研磨して平坦化層２４を
形成する。次に、下部シールド層１６上に上部シールド
層３２を形成してアルミナで埋め込んで平坦化層３８を
形成する。非接触光学式膜厚測定装置でダミー層５４上
の埋め込み層３８の膜厚を計測し、当該膜厚に基づいて
上部シールド層３２の膜厚を測定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に形成され
た素子形成層の膜厚を測定する膜厚測定方法及び、被研
磨物表面を研磨して平坦化する平坦化工程を有する薄膜
磁気ヘッドの製造方法、並びに、薄膜磁気ヘッドを構成
する素子が複数形成される薄膜磁気ヘッド形成用基板に
関する。
た素子形成層の膜厚を測定する膜厚測定方法及び、被研
磨物表面を研磨して平坦化する平坦化工程を有する薄膜
磁気ヘッドの製造方法、並びに、薄膜磁気ヘッドを構成
する素子が複数形成される薄膜磁気ヘッド形成用基板に
関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク装置の読み出し／書き込み
ヘッドとして用いられる薄膜磁気ヘッドの製造では、高
い平坦度を有する表面を形成する際に化学的機械研磨
（Ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｏｌｉ
ｓｈｉｎｇ；以下ＣＭＰという）が用いられる。ＣＭＰ
では、まず、回転する研磨定盤上に張り渡された研磨パ
ッドの研磨面と、研磨ヘッドに保持された被研磨物とし
ての基板の被研磨表面とを圧接させる。そして、研磨パ
ッドの研磨面に研磨剤であるスラリを供給しつつ、研磨
パッドと研磨ヘッドとをそれぞれ回転させながら、スラ
リを研磨パッドと被研磨表面との間に供給することによ
り、被研磨表面を化学的及び機械的に研磨するようにな
っている。このＣＭＰを用いた研磨により、局所的な平
坦度と共に大域的な所望の平坦度を得ることができるよ
うになる。
ヘッドとして用いられる薄膜磁気ヘッドの製造では、高
い平坦度を有する表面を形成する際に化学的機械研磨
（Ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｏｌｉ
ｓｈｉｎｇ；以下ＣＭＰという）が用いられる。ＣＭＰ
では、まず、回転する研磨定盤上に張り渡された研磨パ
ッドの研磨面と、研磨ヘッドに保持された被研磨物とし
ての基板の被研磨表面とを圧接させる。そして、研磨パ
ッドの研磨面に研磨剤であるスラリを供給しつつ、研磨
パッドと研磨ヘッドとをそれぞれ回転させながら、スラ
リを研磨パッドと被研磨表面との間に供給することによ
り、被研磨表面を化学的及び機械的に研磨するようにな
っている。このＣＭＰを用いた研磨により、局所的な平
坦度と共に大域的な所望の平坦度を得ることができるよ
うになる。
【０００３】さて、このＣＭＰを用いた表面研磨による
平坦化プロセスにおいて、研磨後の研磨対象膜が所定の
残膜厚を有するように研磨を制御することは、完成した
素子の性能を左右する点で極めて重要である。そのた
め、研磨対象膜の残膜厚を如何に高精度に測定できるか
がＣＭＰの平坦化プロセス上の課題となっている。
平坦化プロセスにおいて、研磨後の研磨対象膜が所定の
残膜厚を有するように研磨を制御することは、完成した
素子の性能を左右する点で極めて重要である。そのた
め、研磨対象膜の残膜厚を如何に高精度に測定できるか
がＣＭＰの平坦化プロセス上の課題となっている。
【０００４】従来、研磨対象膜の残膜厚の測定には非接
触式、及び接触式の膜厚測定装置が用いられている。非
接触式の膜厚測定装置としては、例えばナノスペック
（商品名；ナノメトリクス・ジャパン（株）製）の光学
式膜厚測定装置がある。この非接触光学式膜厚測定装置
は、被測定膜に光を入射させて、被測定膜表面で反射し
た光と、被測定膜を透過して下地層表面で反射した光と
の干渉に基づいて被測定膜の膜厚を測定するようになっ
ている。
触式、及び接触式の膜厚測定装置が用いられている。非
接触式の膜厚測定装置としては、例えばナノスペック
（商品名；ナノメトリクス・ジャパン（株）製）の光学
式膜厚測定装置がある。この非接触光学式膜厚測定装置
は、被測定膜に光を入射させて、被測定膜表面で反射し
た光と、被測定膜を透過して下地層表面で反射した光と
の干渉に基づいて被測定膜の膜厚を測定するようになっ
ている。
【０００５】図１０は、薄膜磁気ヘッドの製造工程の途
中のプロセスにおいて、上記の非接触光学式膜厚測定装
置を用いた残膜厚の測定方法を示している。図１０
（ａ）は、基板上に形成された素子１０１を基板面上方
から見た概略の状態を示しており、図１０（ｂ）は、図
１０（ａ）のＡ−Ａ線で切断した断面を示している。ま
ず簡単に図中に示した形成途中の素子１０１の構成を説
明する。アルティック（ＡｌＴｉＣ）基板１０２上に例
えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）からなり、ＣＭＰを用いて
平坦化された下部シールド層１０４が形成されている。
下部シールド層１０４上には、図示を省略したがＭＲ再
生素子及びそれを挟み込んだ絶縁層が形成されている。
そして、この絶縁層上にパーマロイを積層してパターニ
ングした上部シールド層（下部ポール；下部磁極）１０
６が形成されている。また、アルミナで上部シールド層
１０６を埋め込んで被覆してからＣＭＰを用いて平坦化
処理を施し、上部シールド層１０６と埋め込み層１０
８、１０８’による平坦化層が形成されている。
中のプロセスにおいて、上記の非接触光学式膜厚測定装
置を用いた残膜厚の測定方法を示している。図１０
（ａ）は、基板上に形成された素子１０１を基板面上方
から見た概略の状態を示しており、図１０（ｂ）は、図
１０（ａ）のＡ−Ａ線で切断した断面を示している。ま
ず簡単に図中に示した形成途中の素子１０１の構成を説
明する。アルティック（ＡｌＴｉＣ）基板１０２上に例
えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）からなり、ＣＭＰを用いて
平坦化された下部シールド層１０４が形成されている。
下部シールド層１０４上には、図示を省略したがＭＲ再
生素子及びそれを挟み込んだ絶縁層が形成されている。
そして、この絶縁層上にパーマロイを積層してパターニ
ングした上部シールド層（下部ポール；下部磁極）１０
６が形成されている。また、アルミナで上部シールド層
１０６を埋め込んで被覆してからＣＭＰを用いて平坦化
処理を施し、上部シールド層１０６と埋め込み層１０
８、１０８’による平坦化層が形成されている。
【０００６】さて、以上のようにして形成された上部シ
ールド層１０６の膜厚を非接触光学式膜厚測定装置によ
り測定する方法について簡単に説明する。この膜厚測定
装置から、スポット径１１０を約２０μｍ程度に絞った
光ビームを埋め込み層１０８’に照射する。光ビームは
一部の光が埋め込み層１０８’のアルミナ表面で反射
し、残りの光が透明なアルミナを透過して下部シールド
層１０４表面で反射する。膜厚測定装置は、これら２つ
の反射光を受光して両光を干渉させることにより埋め込
み層１０８’の膜厚を測定する。下部シールド層１０４
上面は、ＣＭＰにより平坦化されており、また、上部シ
ールド層１０６及び埋め込み層１０８、１０８’も、Ｃ
ＭＰにより平坦化されているので、埋め込み層１０８’
の膜厚は上部シールド層１０６の膜厚を表していること
になる。なお、下部シールド層１０４上の絶縁層の膜厚
は極めて薄いのでその膜厚は無視してもよいし、あるい
は、測定値から既知である絶縁層の膜厚分を減じて上部
シールド層１０６の膜厚としてももちろんよい。
ールド層１０６の膜厚を非接触光学式膜厚測定装置によ
り測定する方法について簡単に説明する。この膜厚測定
装置から、スポット径１１０を約２０μｍ程度に絞った
光ビームを埋め込み層１０８’に照射する。光ビームは
一部の光が埋め込み層１０８’のアルミナ表面で反射
し、残りの光が透明なアルミナを透過して下部シールド
層１０４表面で反射する。膜厚測定装置は、これら２つ
の反射光を受光して両光を干渉させることにより埋め込
み層１０８’の膜厚を測定する。下部シールド層１０４
上面は、ＣＭＰにより平坦化されており、また、上部シ
ールド層１０６及び埋め込み層１０８、１０８’も、Ｃ
ＭＰにより平坦化されているので、埋め込み層１０８’
の膜厚は上部シールド層１０６の膜厚を表していること
になる。なお、下部シールド層１０４上の絶縁層の膜厚
は極めて薄いのでその膜厚は無視してもよいし、あるい
は、測定値から既知である絶縁層の膜厚分を減じて上部
シールド層１０６の膜厚としてももちろんよい。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の膜
厚測定においては、形成中の素子領域内の表面に非接触
光学式膜厚測定装置の光ビームを照射して測定を行うよ
うにしている。ところが、近年の磁気記録装置の記録密
度はますます向上してきており、それに伴って薄膜磁気
ヘッドを構成する各素子の微細化、複雑化が一段と押し
進められてきている。そのため、素子上で測定に好適な
場所を求めることが難しくなりつつあり、場合によって
は非接触光学式膜厚測定装置の光ビームのスポット径１
１０が形成中の素子表面の照射領域内に入りきらず、光
ビームが測定領域からはみ出してしまい、測定に十分な
照射を行うことが困難になりつつあるという問題が生じ
ている。上述のように、図１０を用いて説明した光ビー
ムのスポット径１１０は現状２０μｍ程度であり、一
方、図１０に示した測定領域の埋め込み層１０８’の寸
法Ｗ３は２０μｍ以下になる微細化が進んでいる。素子
の微細化の要求に合わせるべく、現状のスポット径をさ
らに小さくすると測定位置決め精度の関係で測定前位置
確認に時間をとられ、結果として測定に要する時間が長
くなり量産上好ましくない。これを解決しようとすると
膜厚測定装置に対する技術的、コスト的負担が増大し、
結果として薄膜磁気ヘッドのコスト高を招くことになっ
てしまう。
厚測定においては、形成中の素子領域内の表面に非接触
光学式膜厚測定装置の光ビームを照射して測定を行うよ
うにしている。ところが、近年の磁気記録装置の記録密
度はますます向上してきており、それに伴って薄膜磁気
ヘッドを構成する各素子の微細化、複雑化が一段と押し
進められてきている。そのため、素子上で測定に好適な
場所を求めることが難しくなりつつあり、場合によって
は非接触光学式膜厚測定装置の光ビームのスポット径１
１０が形成中の素子表面の照射領域内に入りきらず、光
ビームが測定領域からはみ出してしまい、測定に十分な
照射を行うことが困難になりつつあるという問題が生じ
ている。上述のように、図１０を用いて説明した光ビー
ムのスポット径１１０は現状２０μｍ程度であり、一
方、図１０に示した測定領域の埋め込み層１０８’の寸
法Ｗ３は２０μｍ以下になる微細化が進んでいる。素子
の微細化の要求に合わせるべく、現状のスポット径をさ
らに小さくすると測定位置決め精度の関係で測定前位置
確認に時間をとられ、結果として測定に要する時間が長
くなり量産上好ましくない。これを解決しようとすると
膜厚測定装置に対する技術的、コスト的負担が増大し、
結果として薄膜磁気ヘッドのコスト高を招くことになっ
てしまう。
【０００８】このように、従来の膜厚測定方法では、素
子の微細化、複雑化に伴ってＣＭＰ等の研磨処理におけ
る残膜厚の測定が困難になるという問題を有している。
さらに、膜厚測定の困難性は直接的に素子の量産性に影
響してしまう。膜厚測定の困難性が高まるほど、素子製
造の歩留まりの低下が引き起こされる。また、製造工程
において膜厚測定に要する時間が増大して素子製造のス
ループットが低下し、これによる製品供給量の減少を引
き起こしてしまう可能性も有している。
子の微細化、複雑化に伴ってＣＭＰ等の研磨処理におけ
る残膜厚の測定が困難になるという問題を有している。
さらに、膜厚測定の困難性は直接的に素子の量産性に影
響してしまう。膜厚測定の困難性が高まるほど、素子製
造の歩留まりの低下が引き起こされる。また、製造工程
において膜厚測定に要する時間が増大して素子製造のス
ループットが低下し、これによる製品供給量の減少を引
き起こしてしまう可能性も有している。
【０００９】本発明の目的は、研磨処理における研磨対
象膜の残膜厚を高精度で測定できる膜厚測定方法を提供
することにある。また、本発明の目的は、研磨処理にお
ける研磨対象膜の残膜厚の測定領域が微細化しても高精
度で膜厚測定ができる膜厚測定方法を提供することにあ
る。さらに本発明の目的は、研磨処理における研磨対象
膜の残膜厚を高精度で測定して素子製造の歩留まりを向
上させた研磨方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供
することにある。また、本発明の目的は、上記薄膜磁気
ヘッドの製造方法により薄膜磁気ヘッドを構成する素子
を高精度で複数形成できる薄膜磁気ヘッド形成用基板を
提供することにある。
象膜の残膜厚を高精度で測定できる膜厚測定方法を提供
することにある。また、本発明の目的は、研磨処理にお
ける研磨対象膜の残膜厚の測定領域が微細化しても高精
度で膜厚測定ができる膜厚測定方法を提供することにあ
る。さらに本発明の目的は、研磨処理における研磨対象
膜の残膜厚を高精度で測定して素子製造の歩留まりを向
上させた研磨方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供
することにある。また、本発明の目的は、上記薄膜磁気
ヘッドの製造方法により薄膜磁気ヘッドを構成する素子
を高精度で複数形成できる薄膜磁気ヘッド形成用基板を
提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的は、素子の一部
を構成する素子形成層と、素子形成層より薄い所定の膜
厚を有し素子構成に寄与しない少なくとも１つのダミー
層とを基板上に形成し、素子形成層及びダミー層を所定
の埋め込み材料で埋め込んで被覆した後、素子形成層表
面が埋め込み層から露出するまで表面研磨して平坦化し
た平坦化層を形成し、ダミー層上の埋め込み層の膜厚を
計測し、前記膜厚に基づいて素子形成層の膜厚を測定す
ることを特徴とする膜厚測定方法によって達成される。
また、本発明の膜厚測定方法において、前記ダミー層
は、基板上に位置合わせ用のアライメントマークを形成
する際に同時に形成することを特徴とする。また、前記
ダミー層は、その表面で光を反射する材料で形成するこ
とを特徴とする。また、前記材料として金属を用いるこ
とを特徴とする。
を構成する素子形成層と、素子形成層より薄い所定の膜
厚を有し素子構成に寄与しない少なくとも１つのダミー
層とを基板上に形成し、素子形成層及びダミー層を所定
の埋め込み材料で埋め込んで被覆した後、素子形成層表
面が埋め込み層から露出するまで表面研磨して平坦化し
た平坦化層を形成し、ダミー層上の埋め込み層の膜厚を
計測し、前記膜厚に基づいて素子形成層の膜厚を測定す
ることを特徴とする膜厚測定方法によって達成される。
また、本発明の膜厚測定方法において、前記ダミー層
は、基板上に位置合わせ用のアライメントマークを形成
する際に同時に形成することを特徴とする。また、前記
ダミー層は、その表面で光を反射する材料で形成するこ
とを特徴とする。また、前記材料として金属を用いるこ
とを特徴とする。
【００１１】また、上記目的は、素子の一部を構成する
第１の素子形成層と素子構成に寄与しない少なくとも１
つのダミー層とを表面上に形成し、第１の素子形成層と
ダミー層とを埋め込んで被覆した後、第１の素子形成層
表面及びダミー層表面が露出するまで表面研磨して平坦
化した第１の平坦化層を形成し、第１の平坦化層上に素
子の一部を構成する第２の素子形成層を形成し、第２の
素子形成層を所定の埋め込み材料で埋め込んで被覆した
後、第２の素子形成層表面が埋め込み層から露出するま
で表面研磨して平坦化した第２の平坦化層を形成し、ダ
ミー層上の埋め込み層の膜厚を計測し、前記膜厚に基づ
いて第２の素子形成層の膜厚を測定することを特徴とす
る膜厚測定方法によって達成される。
第１の素子形成層と素子構成に寄与しない少なくとも１
つのダミー層とを表面上に形成し、第１の素子形成層と
ダミー層とを埋め込んで被覆した後、第１の素子形成層
表面及びダミー層表面が露出するまで表面研磨して平坦
化した第１の平坦化層を形成し、第１の平坦化層上に素
子の一部を構成する第２の素子形成層を形成し、第２の
素子形成層を所定の埋め込み材料で埋め込んで被覆した
後、第２の素子形成層表面が埋め込み層から露出するま
で表面研磨して平坦化した第２の平坦化層を形成し、ダ
ミー層上の埋め込み層の膜厚を計測し、前記膜厚に基づ
いて第２の素子形成層の膜厚を測定することを特徴とす
る膜厚測定方法によって達成される。
【００１２】そして、本発明の膜厚測定方法において、
第１の素子形成層とダミー層とは同一の成膜プロセスに
より同時に形成することを特徴とする。また本発明の膜
厚測定方法において、前記ダミー層は、膜厚測定する層
の数に応じて、膜厚測定の基準層に複数個設けることを
特徴とする。さらに本発明の膜厚測定方法において、第
２の素子形成層の形成時に少なくとも１つの第２のダミ
ー層を形成することを特徴とする。またさらに本発明の
膜厚測定方法において、第２の素子形成層と第２のダミ
ー層とは同一の成膜プロセスにより同時に形成すること
を特徴とする。
第１の素子形成層とダミー層とは同一の成膜プロセスに
より同時に形成することを特徴とする。また本発明の膜
厚測定方法において、前記ダミー層は、膜厚測定する層
の数に応じて、膜厚測定の基準層に複数個設けることを
特徴とする。さらに本発明の膜厚測定方法において、第
２の素子形成層の形成時に少なくとも１つの第２のダミ
ー層を形成することを特徴とする。またさらに本発明の
膜厚測定方法において、第２の素子形成層と第２のダミ
ー層とは同一の成膜プロセスにより同時に形成すること
を特徴とする。
【００１３】上記本発明の膜厚測定方法において、第２
のダミー層は、第１の平坦化層のダミー層上に積層する
ことを特徴とする。また、前記平坦化層は、化学的機械
研磨を用いた表面研磨により形成することを特徴とす
る。さらに、本発明の膜厚測定方法において、ダミー層
上面の面積は、素子形成層で構成される素子の一部領域
の面積より大きく形成することを特徴とする。そして、
上記本発明の膜厚測定方法において、埋め込み層の膜厚
は、埋め込み層に光を入射させて、埋め込み層表面で反
射した光と、埋め込み層を透過してダミー層表面で反射
した光との干渉に基づいて計測することを特徴とする。
のダミー層は、第１の平坦化層のダミー層上に積層する
ことを特徴とする。また、前記平坦化層は、化学的機械
研磨を用いた表面研磨により形成することを特徴とす
る。さらに、本発明の膜厚測定方法において、ダミー層
上面の面積は、素子形成層で構成される素子の一部領域
の面積より大きく形成することを特徴とする。そして、
上記本発明の膜厚測定方法において、埋め込み層の膜厚
は、埋め込み層に光を入射させて、埋め込み層表面で反
射した光と、埋め込み層を透過してダミー層表面で反射
した光との干渉に基づいて計測することを特徴とする。
【００１４】さらに上記目的は、被研磨物表面を研磨し
て平坦化する平坦化工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造
方法であって、平坦化工程は、上記本発明のいずれかの
膜厚測定方法を用いることを特徴とする薄膜磁気ヘッド
の製造方法によって達成される。本発明の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法において、第１の素子形成層は、薄膜磁気
ヘッドの下部シールド層を構成し、第２の素子形成層は
薄膜磁気ヘッドの上部シールド層を構成することを特徴
とする。また本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
て、所定の埋め込み材料は、透明の絶縁材料が用いられ
ることを特徴とする。さらに、絶縁材料は、アルミナで
あることを特徴とする。さらに上記目的は、被研磨物が
所定膜厚で平坦化されるように被研磨物表面を研磨する
研磨方法であって、所定膜厚を測定する際、上記本発明
のいずれかの膜厚測定方法を用いることを特徴とする研
磨方法によって達成される。またさらに上記目的は、薄
膜磁気ヘッドを構成する素子が複数形成される薄膜磁気
ヘッド形成用基板であって、上記本発明の膜厚測定方法
のいずれかで用いられるダミー層が形成されていること
を特徴とする薄膜磁気ヘッド形成用基板によって達成さ
れる。
て平坦化する平坦化工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造
方法であって、平坦化工程は、上記本発明のいずれかの
膜厚測定方法を用いることを特徴とする薄膜磁気ヘッド
の製造方法によって達成される。本発明の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法において、第１の素子形成層は、薄膜磁気
ヘッドの下部シールド層を構成し、第２の素子形成層は
薄膜磁気ヘッドの上部シールド層を構成することを特徴
とする。また本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
て、所定の埋め込み材料は、透明の絶縁材料が用いられ
ることを特徴とする。さらに、絶縁材料は、アルミナで
あることを特徴とする。さらに上記目的は、被研磨物が
所定膜厚で平坦化されるように被研磨物表面を研磨する
研磨方法であって、所定膜厚を測定する際、上記本発明
のいずれかの膜厚測定方法を用いることを特徴とする研
磨方法によって達成される。またさらに上記目的は、薄
膜磁気ヘッドを構成する素子が複数形成される薄膜磁気
ヘッド形成用基板であって、上記本発明の膜厚測定方法
のいずれかで用いられるダミー層が形成されていること
を特徴とする薄膜磁気ヘッド形成用基板によって達成さ
れる。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態による膜厚
測定方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を図１乃至図９
を用いて説明する。まず、本実施の形態による膜厚測定
方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法で用いられる化学的
機械研磨装置（以下、ＣＭＰ装置という）の基本的な構
成の概略を図１を用いて説明する。図１は、従来の一般
的な構成を有するＣＭＰ装置を示しており、また、被研
磨物としての基板８の表面を研磨パッドに圧接させてＣ
ＭＰによる平坦化研磨を実施している状態を示してい
る。なお、本実施の形態においては、従来用いられてい
る種々のＣＭＰ装置を用いることができる。図１におい
て、ＣＭＰ装置１は回転する研磨定盤（プラテン）２を
有している。研磨定盤２上面には研磨パッド（研磨布）
４が全面に張り渡されている。図示しない回転機構によ
り研磨定盤２を回転させることにより研磨パッド４を回
転させることができるようになっている。
測定方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を図１乃至図９
を用いて説明する。まず、本実施の形態による膜厚測定
方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法で用いられる化学的
機械研磨装置（以下、ＣＭＰ装置という）の基本的な構
成の概略を図１を用いて説明する。図１は、従来の一般
的な構成を有するＣＭＰ装置を示しており、また、被研
磨物としての基板８の表面を研磨パッドに圧接させてＣ
ＭＰによる平坦化研磨を実施している状態を示してい
る。なお、本実施の形態においては、従来用いられてい
る種々のＣＭＰ装置を用いることができる。図１におい
て、ＣＭＰ装置１は回転する研磨定盤（プラテン）２を
有している。研磨定盤２上面には研磨パッド（研磨布）
４が全面に張り渡されている。図示しない回転機構によ
り研磨定盤２を回転させることにより研磨パッド４を回
転させることができるようになっている。
【００１６】基板８は、研磨ヘッド６により回転可能に
保持され、被研磨表面である基板８表面は、回転する研
磨パッド４の研磨面に圧接している。また、研磨パッド
４の研磨面上方にスラリ（研磨剤）を供給するスラリ供
給管１０の供給口が位置している。
保持され、被研磨表面である基板８表面は、回転する研
磨パッド４の研磨面に圧接している。また、研磨パッド
４の研磨面上方にスラリ（研磨剤）を供給するスラリ供
給管１０の供給口が位置している。
【００１７】このような構成のＣＭＰ装置１によって基
板８表面を研磨するには、まず、被研磨物としての基板
８の表面が研磨パッド４側に対応するよう研磨ヘッド６
に保持する。そして、研磨パッド４の研磨面と基板８表
面との間で所定の圧力（例えば、４００ｇ／ｃｍ２）が
生じるように両者を圧接する。次に、スラリ供給管１０
からスラリを研磨パッド４の研磨面に供給しつつ、研磨
定盤２および研磨ヘッド６をそれぞれ回転させて研磨パ
ッド４と基板８表面と圧接させて回転させる。
板８表面を研磨するには、まず、被研磨物としての基板
８の表面が研磨パッド４側に対応するよう研磨ヘッド６
に保持する。そして、研磨パッド４の研磨面と基板８表
面との間で所定の圧力（例えば、４００ｇ／ｃｍ２）が
生じるように両者を圧接する。次に、スラリ供給管１０
からスラリを研磨パッド４の研磨面に供給しつつ、研磨
定盤２および研磨ヘッド６をそれぞれ回転させて研磨パ
ッド４と基板８表面と圧接させて回転させる。
【００１８】スラリ供給管１０から研磨パッド４上に供
給されたスラリは研磨パッド４の研磨面上に拡散し、基
板８表面と研磨パッド４の相対移動に伴って研磨パッド
４と基板８表面との間に供給される。スラリが研磨パッ
ド４と基板８表面との間に入り込み、スラリを介して研
磨パッド４と基板８表面とが擦れ合うことにより、基板
８表面がスラリによって化学的機械的に研磨され平坦化
が行われる。
給されたスラリは研磨パッド４の研磨面上に拡散し、基
板８表面と研磨パッド４の相対移動に伴って研磨パッド
４と基板８表面との間に供給される。スラリが研磨パッ
ド４と基板８表面との間に入り込み、スラリを介して研
磨パッド４と基板８表面とが擦れ合うことにより、基板
８表面がスラリによって化学的機械的に研磨され平坦化
が行われる。
【００１９】次に、本実施の形態による膜厚測定方法を
使用した薄膜磁気ヘッドの製造方法について図２乃至図
９を用いて説明する。本実施の形態では、誘導型の書込
用薄膜磁気ヘッド及び読取用のＭＲ再生素子を積層した
複合型ヘッドを例に取って説明する。以下の説明におい
て、図２（ａ）及び、図５（ａ）、図７（ａ）、図８
（ａ）は、磁気記録装置の記録媒体のトラック面に平行
な方向に切った薄膜磁気ヘッドの磁極部分の基板断面を
示している。また、図２（ｂ）及び、図５（ｂ）、図７
（ｂ）、図８（ｂ）は、本実施の形態による膜厚測定用
のダミー層が形成された領域の基板断面を示している。
まず、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、例えばアルテ
ィック（ＡｌＴｉＣ）からなる基板１２上に例えばアル
ミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる下地層としての絶縁層１４
を数μｍの厚さに堆積する。
使用した薄膜磁気ヘッドの製造方法について図２乃至図
９を用いて説明する。本実施の形態では、誘導型の書込
用薄膜磁気ヘッド及び読取用のＭＲ再生素子を積層した
複合型ヘッドを例に取って説明する。以下の説明におい
て、図２（ａ）及び、図５（ａ）、図７（ａ）、図８
（ａ）は、磁気記録装置の記録媒体のトラック面に平行
な方向に切った薄膜磁気ヘッドの磁極部分の基板断面を
示している。また、図２（ｂ）及び、図５（ｂ）、図７
（ｂ）、図８（ｂ）は、本実施の形態による膜厚測定用
のダミー層が形成された領域の基板断面を示している。
まず、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、例えばアルテ
ィック（ＡｌＴｉＣ）からなる基板１２上に例えばアル
ミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる下地層としての絶縁層１４
を数μｍの厚さに堆積する。
【００２０】次に、薄膜磁気ヘッド（素子）の一部を構
成する素子形成層としての下部シールド層を形成する
が、その前に、本実施の形態では図２（ｂ）に示すよう
に、下部シールド層より薄い所定の膜厚を有し薄膜磁気
ヘッドの素子構成に寄与しない少なくとも１つの膜厚測
定用のダミー層５０を基板１２上に形成する。ダミー層
５０は、基板１２上の各素子形成層を形成するフォトリ
ソグラフィ工程で使用される位置合わせ用のアライメン
トマークを形成する際に、アライメントマークと同時に
形成することができる。アライメントマークは、フォト
リソグラフィ工程において投影露光装置のアライメント
光学系で読みとることができるように、通常、その表面
で光を反射する金属材料で形成されており、従って同時
に形成されるダミー層５０も光を反射することができる
表面を有している。なお、アライメントマークとは別工
程の例えばスパッタリングなどによりダミー層５０を形
成することももちろん可能である。ダミー層５０の厚さ
は、次に形成する下部シールド層の膜厚が約３μｍであ
るのに対してそれより極めて薄い数ｎｍからせいぜい数
百ｎｍの範囲の予め決められた所定膜厚で形成される。
成する素子形成層としての下部シールド層を形成する
が、その前に、本実施の形態では図２（ｂ）に示すよう
に、下部シールド層より薄い所定の膜厚を有し薄膜磁気
ヘッドの素子構成に寄与しない少なくとも１つの膜厚測
定用のダミー層５０を基板１２上に形成する。ダミー層
５０は、基板１２上の各素子形成層を形成するフォトリ
ソグラフィ工程で使用される位置合わせ用のアライメン
トマークを形成する際に、アライメントマークと同時に
形成することができる。アライメントマークは、フォト
リソグラフィ工程において投影露光装置のアライメント
光学系で読みとることができるように、通常、その表面
で光を反射する金属材料で形成されており、従って同時
に形成されるダミー層５０も光を反射することができる
表面を有している。なお、アライメントマークとは別工
程の例えばスパッタリングなどによりダミー層５０を形
成することももちろん可能である。ダミー層５０の厚さ
は、次に形成する下部シールド層の膜厚が約３μｍであ
るのに対してそれより極めて薄い数ｎｍからせいぜい数
百ｎｍの範囲の予め決められた所定膜厚で形成される。
【００２１】図３は、基板１２上面から見たダミー層５
０の形状を示している。本実施の形態では、ダミー層５
０は、縦横の長さが１６０μｍの正方形形状に形成され
ている。なお、図２（ｂ）は図３のＢ−Ｂ断面で切断し
た状態を示している。図４は、基板１２をその上面から
観察した状態を示している。図４に示すように、本実施
の形態で用いている基板１２は、例えば直径３インチの
円形周囲を有する平板状であり、その周囲の一部が直線
的にカットされたオリエンテーションフラット（ＯＦ）
を有している。ＯＦは、搬送された基板１２を露光装置
のステージ等に載置する際の粗い位置合わせに用いられ
る。基板１２表面には図３に示したダミー層５０が１３
個形成されている。図４では、これらダミー層５０の形
成位置を連続する番号（１〜１３）で示している。これ
らダミー層５０は、薄膜磁気ヘッドの素子領域を避け
て、ＯＦとほぼ平行な２辺とそれらにほぼ垂直な２辺と
で構成される正方形の４頂点と４辺の中点、及び１対角
線上の５点の計１３点に形成されている。このようにし
て、薄膜磁気ヘッドを構成する素子が複数形成される薄
膜磁気ヘッド形成用基板であって、後程詳述する本実施
の形態による膜厚測定方法で用いられるダミー層５０が
形成された薄膜磁気ヘッド形成用基板が作成される。な
お、図４は例示であって、ダミー層５０が他の配列形状
及び個数であってももちろんよく、基板１２表面に１個
だけ形成されていてもよい。
０の形状を示している。本実施の形態では、ダミー層５
０は、縦横の長さが１６０μｍの正方形形状に形成され
ている。なお、図２（ｂ）は図３のＢ−Ｂ断面で切断し
た状態を示している。図４は、基板１２をその上面から
観察した状態を示している。図４に示すように、本実施
の形態で用いている基板１２は、例えば直径３インチの
円形周囲を有する平板状であり、その周囲の一部が直線
的にカットされたオリエンテーションフラット（ＯＦ）
を有している。ＯＦは、搬送された基板１２を露光装置
のステージ等に載置する際の粗い位置合わせに用いられ
る。基板１２表面には図３に示したダミー層５０が１３
個形成されている。図４では、これらダミー層５０の形
成位置を連続する番号（１〜１３）で示している。これ
らダミー層５０は、薄膜磁気ヘッドの素子領域を避け
て、ＯＦとほぼ平行な２辺とそれらにほぼ垂直な２辺と
で構成される正方形の４頂点と４辺の中点、及び１対角
線上の５点の計１３点に形成されている。このようにし
て、薄膜磁気ヘッドを構成する素子が複数形成される薄
膜磁気ヘッド形成用基板であって、後程詳述する本実施
の形態による膜厚測定方法で用いられるダミー層５０が
形成された薄膜磁気ヘッド形成用基板が作成される。な
お、図４は例示であって、ダミー層５０が他の配列形状
及び個数であってももちろんよく、基板１２表面に１個
だけ形成されていてもよい。
【００２２】次に、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、
全面に例えばパーマロイ層を約３μｍの厚さで形成した
後パターニングして素子形成層である下部シールド層１
６を形成する。図５（ａ）に示した部位の下部シールド
層のパターン幅Ｗ１は、約１００μｍである。下部シー
ルド層１６は、この後形成する再生へッドのＭＲ再生素
子を外部磁界の影響から保護する磁気シールドとして機
能する。この下部シールド層１６の形成工程において、
素子構成に寄与しない膜厚測定用の２つのダミー層５
２、５４をダミー層５０上に形成する。本実施の形態で
は、これら２つのダミー層５２、５４は下部シールド層
１６と同一の成膜プロセスにより同時に形成している
が、下部シールド層１６の形成工程とは別工程でダミー
層５２、５４を形成することも可能である。
全面に例えばパーマロイ層を約３μｍの厚さで形成した
後パターニングして素子形成層である下部シールド層１
６を形成する。図５（ａ）に示した部位の下部シールド
層のパターン幅Ｗ１は、約１００μｍである。下部シー
ルド層１６は、この後形成する再生へッドのＭＲ再生素
子を外部磁界の影響から保護する磁気シールドとして機
能する。この下部シールド層１６の形成工程において、
素子構成に寄与しない膜厚測定用の２つのダミー層５
２、５４をダミー層５０上に形成する。本実施の形態で
は、これら２つのダミー層５２、５４は下部シールド層
１６と同一の成膜プロセスにより同時に形成している
が、下部シールド層１６の形成工程とは別工程でダミー
層５２、５４を形成することも可能である。
【００２３】図６は、基板１２上面から見たダミー層５
０及びダミー層５０上に形成された２個のダミー層５
２、５４の形状を示している。本実施の形態での２個の
ダミー層５２、５４は、正方形形状のダミー層５０の対
角線上に中心を有し、直径６０μｍの円柱状にパターニ
ングされている。従って、ダミー層５２、５４上面の面
積は、下部シールド層１６及び後に形成される素子形成
層である上部シールド層に形成される埋め込み層の面積
より大きく形成されていると共に、膜厚測定装置の光ビ
ームのスポット径（２０μｍ）が十分入る面積を有して
いる。
０及びダミー層５０上に形成された２個のダミー層５
２、５４の形状を示している。本実施の形態での２個の
ダミー層５２、５４は、正方形形状のダミー層５０の対
角線上に中心を有し、直径６０μｍの円柱状にパターニ
ングされている。従って、ダミー層５２、５４上面の面
積は、下部シールド層１６及び後に形成される素子形成
層である上部シールド層に形成される埋め込み層の面積
より大きく形成されていると共に、膜厚測定装置の光ビ
ームのスポット径（２０μｍ）が十分入る面積を有して
いる。
【００２４】また、２個のダミー層５２、５４は、ダミ
ー層５０の正方形形状の対向する中点を結んだ２つの仮
想直線にダミー層５２、５４の円柱状の側壁が接するよ
うな位置関係にある。なお、図５（ｂ）は、図６のダミ
ー層５０の正方形の対角線（図中のＣ−Ｃ断面線）で切
断した状態を示している。従って、図５（ｂ）におい
て、ダミー層５２、５４間の間隔Ｗ２は約２８μｍ程度
となっている。本実施の形態において、２個のダミー層
５２、５４を形成したのは、この後順次形成する上部シ
ールド層及び、上部ポールを構成するポールチップの２
つの層の膜厚をそれぞれ測定するため、ダミー層の数を
膜厚測定をする層の数に対応させたからである。以降の
説明において、この２個のダミー層５２、５４が形成さ
れた層を必要に応じて膜厚測定の基準層と呼ぶことにす
る。
ー層５０の正方形形状の対向する中点を結んだ２つの仮
想直線にダミー層５２、５４の円柱状の側壁が接するよ
うな位置関係にある。なお、図５（ｂ）は、図６のダミ
ー層５０の正方形の対角線（図中のＣ−Ｃ断面線）で切
断した状態を示している。従って、図５（ｂ）におい
て、ダミー層５２、５４間の間隔Ｗ２は約２８μｍ程度
となっている。本実施の形態において、２個のダミー層
５２、５４を形成したのは、この後順次形成する上部シ
ールド層及び、上部ポールを構成するポールチップの２
つの層の膜厚をそれぞれ測定するため、ダミー層の数を
膜厚測定をする層の数に対応させたからである。以降の
説明において、この２個のダミー層５２、５４が形成さ
れた層を必要に応じて膜厚測定の基準層と呼ぶことにす
る。
【００２５】次に、下部シールド層１６上面を平坦化す
るため、アルミナを基板全面に堆積して被覆層を形成し
て下部シールド層１６及びダミー層５２、５４を埋め込
んで被覆する。次いで、図１に示したＣＭＰ装置を用い
たＣＭＰによる平坦化処理を行い、基板１２上面を平坦
化する。ＣＭＰによる平坦化では、図５（ａ）、（ｂ）
に示すように下部シールド層１６表面及びダミー層５
２、５４表面が露出するまで研磨を行い、最終的には下
部シールド層１６及びダミー層５２、５４と埋め込み層
１８、１８’で構成される平坦化層２４を形成する。こ
の平坦化層２４が形成された状態での下部シールド層１
６の所望の膜厚は２μｍである。
るため、アルミナを基板全面に堆積して被覆層を形成し
て下部シールド層１６及びダミー層５２、５４を埋め込
んで被覆する。次いで、図１に示したＣＭＰ装置を用い
たＣＭＰによる平坦化処理を行い、基板１２上面を平坦
化する。ＣＭＰによる平坦化では、図５（ａ）、（ｂ）
に示すように下部シールド層１６表面及びダミー層５
２、５４表面が露出するまで研磨を行い、最終的には下
部シールド層１６及びダミー層５２、５４と埋め込み層
１８、１８’で構成される平坦化層２４を形成する。こ
の平坦化層２４が形成された状態での下部シールド層１
６の所望の膜厚は２μｍである。
【００２６】このようにして下部シールド層１６が形成
されたら、形成された下部シールド層１６の膜厚を測定
する。この膜厚測定に際しては、従来と同様の非接触光
学式膜厚測定装置を用いることができる。まず、非接触
光学式膜厚測定装置のスポット径１１０を約２０μｍ程
度まで絞った光ビームを埋め込み層１８’に照射する。
光ビームの照射は、原則としてダミー層５０上の埋め込
み層１８、１８’であれば何処の位置でもかまわない
が、本実施の形態では図５（ｂ）及び図６に示すように
２つのダミー層５２、５４で挟まれたダミー層５０上の
埋め込み層１８’に照射するようにしている。
されたら、形成された下部シールド層１６の膜厚を測定
する。この膜厚測定に際しては、従来と同様の非接触光
学式膜厚測定装置を用いることができる。まず、非接触
光学式膜厚測定装置のスポット径１１０を約２０μｍ程
度まで絞った光ビームを埋め込み層１８’に照射する。
光ビームの照射は、原則としてダミー層５０上の埋め込
み層１８、１８’であれば何処の位置でもかまわない
が、本実施の形態では図５（ｂ）及び図６に示すように
２つのダミー層５２、５４で挟まれたダミー層５０上の
埋め込み層１８’に照射するようにしている。
【００２７】光ビームは一部の光がアルミナの埋め込み
層１８’表面で反射し、残りの光が透明なアルミナを透
過してダミー層５０表面で反射する。膜厚測定装置は、
これら２つの反射光を受光して両光を干渉させることに
より埋め込み層１８’の膜厚を測定する。下部シールド
層１６の下地層は平坦化されており、また、下部シール
ド層１６表面、ダミー層５２、５４表面、及び埋め込み
層１８、１８’表面はＣＭＰにより平坦化されているの
で、計測した埋め込み層１８’の膜厚から下部シールド
層１６の膜厚を正確に求めることができる。すなわち、
図５（ａ）、（ｂ）に示すように、下部シールド層１６
の膜厚Ｘは、計測された埋め込み層１８’の膜厚Ｘ１
に、予め所定の膜厚で形成しておいたダミー層５０の膜
厚Ｘ２を加えることにより求められる。なお、ダミー層
５０の膜厚は下部シールド層１６の膜厚と比較して極め
て薄いので、その膜厚を無視して計測した埋め込み層１
８’の膜厚Ｘ１を下部シールド層１６の膜厚Ｘとしても
よい。
層１８’表面で反射し、残りの光が透明なアルミナを透
過してダミー層５０表面で反射する。膜厚測定装置は、
これら２つの反射光を受光して両光を干渉させることに
より埋め込み層１８’の膜厚を測定する。下部シールド
層１６の下地層は平坦化されており、また、下部シール
ド層１６表面、ダミー層５２、５４表面、及び埋め込み
層１８、１８’表面はＣＭＰにより平坦化されているの
で、計測した埋め込み層１８’の膜厚から下部シールド
層１６の膜厚を正確に求めることができる。すなわち、
図５（ａ）、（ｂ）に示すように、下部シールド層１６
の膜厚Ｘは、計測された埋め込み層１８’の膜厚Ｘ１
に、予め所定の膜厚で形成しておいたダミー層５０の膜
厚Ｘ２を加えることにより求められる。なお、ダミー層
５０の膜厚は下部シールド層１６の膜厚と比較して極め
て薄いので、その膜厚を無視して計測した埋め込み層１
８’の膜厚Ｘ１を下部シールド層１６の膜厚Ｘとしても
よい。
【００２８】なお、上述の埋め込み層１８’の膜厚測定
は、図４に示した１３箇所のダミー層５０全てに対して
それぞれ行って、それらの測定値の平均値を下部シール
ド層１６の膜厚として用いるようにしてもよいし、１３
箇所のうち所定の複数箇所のデータを用いるようにして
もよく、要は測定精度と計測時間との兼ね合いで自由に
決めることができる。このように、本実施の形態の膜厚
測定によれば、形成中の微細素子領域内の表面に非接触
光学式膜厚測定装置の光ビームを照射せずに微細素子領
域内の膜厚測定を行うことができる。従って、薄膜磁気
ヘッドを構成する各素子の微細化、複雑化が進行しても
従来の非接触光学式膜厚測定装置を用いて極めて高精度
に所望の素子形成層の膜厚を測定することができるよう
になる。
は、図４に示した１３箇所のダミー層５０全てに対して
それぞれ行って、それらの測定値の平均値を下部シール
ド層１６の膜厚として用いるようにしてもよいし、１３
箇所のうち所定の複数箇所のデータを用いるようにして
もよく、要は測定精度と計測時間との兼ね合いで自由に
決めることができる。このように、本実施の形態の膜厚
測定によれば、形成中の微細素子領域内の表面に非接触
光学式膜厚測定装置の光ビームを照射せずに微細素子領
域内の膜厚測定を行うことができる。従って、薄膜磁気
ヘッドを構成する各素子の微細化、複雑化が進行しても
従来の非接触光学式膜厚測定装置を用いて極めて高精度
に所望の素子形成層の膜厚を測定することができるよう
になる。
【００２９】さて、形成された下部シールド層１６の膜
厚測定が終了したら、次に、図７（ａ）、（ｂ）に示す
ように、平坦化層２４上にスパッタリングによりアルミ
ナを所定の膜厚に堆積して絶縁層２６を形成する。次い
で、ＭＲ再生素子を構成する磁気抵抗効果を有する材料
を成膜してパターニングし、磁気抵抗層２８を形成す
る。このとき、基準層に形成したダミー層５２、５４の
うち、ダミー層５２上部の絶縁層２６上に、磁気抵抗層
２８と同一プロセスによる層を形成しパターニングして
ダミー層５６を形成する。
厚測定が終了したら、次に、図７（ａ）、（ｂ）に示す
ように、平坦化層２４上にスパッタリングによりアルミ
ナを所定の膜厚に堆積して絶縁層２６を形成する。次い
で、ＭＲ再生素子を構成する磁気抵抗効果を有する材料
を成膜してパターニングし、磁気抵抗層２８を形成す
る。このとき、基準層に形成したダミー層５２、５４の
うち、ダミー層５２上部の絶縁層２６上に、磁気抵抗層
２８と同一プロセスによる層を形成しパターニングして
ダミー層５６を形成する。
【００３０】次に、絶縁層３０を形成して磁気抵抗層２
８を絶縁層２６、３０間に埋設させる。次いで、パーマ
ロイ（ＮｉとＦｅの合金）を形成材料とした上部シール
ド層３２を約４．５μｍの膜厚に形成する。この上部シ
ールド層３２は、下部シールド層１６と共にＭＲ再生素
子を磁気的に遮蔽する機能を有する。この上部シールド
層３２の形成に際し、基準層に形成したダミー層５２、
５４のうちダミー層５２上の絶縁層３０上に、素子構成
に寄与しない膜厚測定用のダミー層５８を形成する。本
実施の形態では、このダミー層５８は上部シールド層３
２と同一の成膜プロセスにより同時に形成しているが、
上部シールド層３２の形成工程とは別工程で形成するこ
とも可能である。
８を絶縁層２６、３０間に埋設させる。次いで、パーマ
ロイ（ＮｉとＦｅの合金）を形成材料とした上部シール
ド層３２を約４．５μｍの膜厚に形成する。この上部シ
ールド層３２は、下部シールド層１６と共にＭＲ再生素
子を磁気的に遮蔽する機能を有する。この上部シールド
層３２の形成に際し、基準層に形成したダミー層５２、
５４のうちダミー層５２上の絶縁層３０上に、素子構成
に寄与しない膜厚測定用のダミー層５８を形成する。本
実施の形態では、このダミー層５８は上部シールド層３
２と同一の成膜プロセスにより同時に形成しているが、
上部シールド層３２の形成工程とは別工程で形成するこ
とも可能である。
【００３１】次に、上部シールド層３２上面を平坦化す
るため、アルミナを基板全面に堆積して被覆層を形成
し、上部シールド層３２、ダミー層５８を埋め込んで被
覆する。次に、図１に示したＣＭＰ装置によるＣＭＰを
行い、基板１２上面を平坦化する。ＣＭＰによる平坦化
では、図７に示すように、上部シールド層３２が露出す
るまで研磨を行い、最終的には上部シールド層３２、ダ
ミー層５８及び被覆層の残存膜で形成される埋め込み層
３４、３４’で構成される平坦化層３８を形成する。こ
の平坦化層３８が形成された状態での上部シールド層３
２の所望の膜厚は３．５μｍである。このようにして上
部シールド層３２が形成されたら、形成された上部シー
ルド層３２の膜厚を測定する。この膜厚測定も従来と同
様の非接触光学式膜厚測定装置を用いることができる。
まず、非接触光学式膜厚測定装置のスポット径１１０を
約２０μｍ程度まで絞った光ビームを埋め込み層３４’
下方のダミー層５４表面に向けて照射する。
るため、アルミナを基板全面に堆積して被覆層を形成
し、上部シールド層３２、ダミー層５８を埋め込んで被
覆する。次に、図１に示したＣＭＰ装置によるＣＭＰを
行い、基板１２上面を平坦化する。ＣＭＰによる平坦化
では、図７に示すように、上部シールド層３２が露出す
るまで研磨を行い、最終的には上部シールド層３２、ダ
ミー層５８及び被覆層の残存膜で形成される埋め込み層
３４、３４’で構成される平坦化層３８を形成する。こ
の平坦化層３８が形成された状態での上部シールド層３
２の所望の膜厚は３．５μｍである。このようにして上
部シールド層３２が形成されたら、形成された上部シー
ルド層３２の膜厚を測定する。この膜厚測定も従来と同
様の非接触光学式膜厚測定装置を用いることができる。
まず、非接触光学式膜厚測定装置のスポット径１１０を
約２０μｍ程度まで絞った光ビームを埋め込み層３４’
下方のダミー層５４表面に向けて照射する。
【００３２】光ビームは一部の光がアルミナの埋め込み
層３４’表面で反射し、残りの光が透明なアルミナを透
過してダミー層５４表面で反射する。膜厚測定装置は、
これら２つの反射光を受光して両光を干渉させることに
より埋め込み層３４’の膜厚及び絶縁層２６、３０の膜
厚を含んだ全体の厚さを測定する。上部シールド層３２
の下地層は平坦化されており、また、上部シールド層３
２表面、ダミー層５８表面、及び埋め込み層３４、３
４’表面はＣＭＰにより平坦化されているので、計測し
た埋め込み層３４’及び絶縁層２６、３０の膜厚から上
部シールド層３２の膜厚を正確に求めることができる。
すなわち、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、上部シー
ルド層３２の膜厚Ｙは、計測された埋め込み層３４’及
び絶縁層２６、３０の膜厚Ｙ１から、予め所定の膜厚で
形成しておいた絶縁層２６、３０の膜厚Ｙ２を減じるこ
とにより求められる。
層３４’表面で反射し、残りの光が透明なアルミナを透
過してダミー層５４表面で反射する。膜厚測定装置は、
これら２つの反射光を受光して両光を干渉させることに
より埋め込み層３４’の膜厚及び絶縁層２６、３０の膜
厚を含んだ全体の厚さを測定する。上部シールド層３２
の下地層は平坦化されており、また、上部シールド層３
２表面、ダミー層５８表面、及び埋め込み層３４、３
４’表面はＣＭＰにより平坦化されているので、計測し
た埋め込み層３４’及び絶縁層２６、３０の膜厚から上
部シールド層３２の膜厚を正確に求めることができる。
すなわち、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、上部シー
ルド層３２の膜厚Ｙは、計測された埋め込み層３４’及
び絶縁層２６、３０の膜厚Ｙ１から、予め所定の膜厚で
形成しておいた絶縁層２６、３０の膜厚Ｙ２を減じるこ
とにより求められる。
【００３３】なお、上述の埋め込み層３４’の膜厚測定
は、図４に示した１３箇所のダミー層５０上のダミー層
５４全てに対してそれぞれ行って、それらの測定値の平
均値を上部シールド層３２の膜厚として用いるようにし
てもよいし、１３箇所のうち所定の複数箇所のデータを
用いるようにしてもよく、要は測定精度と計測時間との
兼ね合いで自由に決めることができる。このように、本
実施の形態の膜厚測定によれば、上部シールド層３２の
素子領域内の微細な埋め込み層に非接触光学式膜厚測定
装置の光ビームを照射させずに上部シールド層３２の膜
厚測定を行うことができる。従って、薄膜磁気ヘッドを
構成する上部シールド層３２が微細化しても従来の非接
触光学式膜厚測定装置を用いて極めて高精度に膜厚を測
定することができるようになる。
は、図４に示した１３箇所のダミー層５０上のダミー層
５４全てに対してそれぞれ行って、それらの測定値の平
均値を上部シールド層３２の膜厚として用いるようにし
てもよいし、１３箇所のうち所定の複数箇所のデータを
用いるようにしてもよく、要は測定精度と計測時間との
兼ね合いで自由に決めることができる。このように、本
実施の形態の膜厚測定によれば、上部シールド層３２の
素子領域内の微細な埋め込み層に非接触光学式膜厚測定
装置の光ビームを照射させずに上部シールド層３２の膜
厚測定を行うことができる。従って、薄膜磁気ヘッドを
構成する上部シールド層３２が微細化しても従来の非接
触光学式膜厚測定装置を用いて極めて高精度に膜厚を測
定することができるようになる。
【００３４】さて、上部シールド層（下部ポール）３２
における平坦化層３８の形成が終了した後、図８
（ａ）、（ｂ）に示すように、平坦化層３８上に例えば
アルミナからなる非磁性材料を堆積してライトギャップ
層４０を形成する。この工程において少なくともダミー
層５８上部にライトギャップ層４０と同一の膜厚を有す
るアルミナからなるダミー層６０を形成しておく。その
後、例えばパーマロイや窒化鉄（ＦｅＮ）のような高飽
和磁束密度材料からなる上部ポールの一部を構成するポ
ールチップ４２を厚さ約５μｍに形成する。所定の形状
に成形されたポールチップ４２の幅でトラック幅が規定
される。
における平坦化層３８の形成が終了した後、図８
（ａ）、（ｂ）に示すように、平坦化層３８上に例えば
アルミナからなる非磁性材料を堆積してライトギャップ
層４０を形成する。この工程において少なくともダミー
層５８上部にライトギャップ層４０と同一の膜厚を有す
るアルミナからなるダミー層６０を形成しておく。その
後、例えばパーマロイや窒化鉄（ＦｅＮ）のような高飽
和磁束密度材料からなる上部ポールの一部を構成するポ
ールチップ４２を厚さ約５μｍに形成する。所定の形状
に成形されたポールチップ４２の幅でトラック幅が規定
される。
【００３５】次に、ポールチップ４２上面を平坦化する
ため、アルミナを基板全面に堆積して、ポールチップ４
２より厚い被覆層を形成してポールチップ４２を埋め込
んで被覆する。次いで、図１に示したＣＭＰ装置による
ＣＭＰを行い、基板１２上面を平坦化する。ＣＭＰによ
る平坦化では、図８（ａ）に示すように、ポールチップ
４２が露出するまで研磨を行い、最終的には埋め込み層
４４、４４’及びポールチップ４２で構成される平坦化
層４６を形成する。このときのポールチップ４２の所望
の膜厚は約４μｍである。このようにしてポールチップ
４２が形成されたら、形成されたポールチップ４２の膜
厚を測定する。この膜厚測定も従来と同様の非接触光学
式膜厚測定装置を用いることができる。まず、非接触光
学式膜厚測定装置のスポット径１１０を約２０μｍ程度
まで絞った光ビームを埋め込み層４４’下方のダミー層
５８表面に向けて照射する。
ため、アルミナを基板全面に堆積して、ポールチップ４
２より厚い被覆層を形成してポールチップ４２を埋め込
んで被覆する。次いで、図１に示したＣＭＰ装置による
ＣＭＰを行い、基板１２上面を平坦化する。ＣＭＰによ
る平坦化では、図８（ａ）に示すように、ポールチップ
４２が露出するまで研磨を行い、最終的には埋め込み層
４４、４４’及びポールチップ４２で構成される平坦化
層４６を形成する。このときのポールチップ４２の所望
の膜厚は約４μｍである。このようにしてポールチップ
４２が形成されたら、形成されたポールチップ４２の膜
厚を測定する。この膜厚測定も従来と同様の非接触光学
式膜厚測定装置を用いることができる。まず、非接触光
学式膜厚測定装置のスポット径１１０を約２０μｍ程度
まで絞った光ビームを埋め込み層４４’下方のダミー層
５８表面に向けて照射する。
【００３６】光ビームは一部の光がアルミナの埋め込み
層４４’表面で反射し、残りの光が透明なアルミナを透
過してダミー層５８表面で反射する。これら２つの反射
光を受光して両光を干渉させることにより埋め込み層４
４’の膜厚及びライトギャップ層４０と同等の膜厚を有
するダミー層６０の膜厚を含んだ全体の厚さが測定でき
る。ポールチップ４２の下地層は平坦化されており、ま
た、ポールチップ４２表面及び埋め込み層４４、４４’
表面はＣＭＰにより平坦化されているので、計測した埋
め込み層４４’及びダミー層６０の膜厚からポールチッ
プ４２の膜厚を正確に求めることができる。すなわち、
図８（ａ）、（ｂ）に示すように、ポールチップ４２の
膜厚Ｚは、計測された埋め込み層４４’及びダミー層６
０膜厚Ｚ１から、予め所定の膜厚で形成しておいたダミ
ー層６０の膜厚Ｚ２を減じることにより求められる。
層４４’表面で反射し、残りの光が透明なアルミナを透
過してダミー層５８表面で反射する。これら２つの反射
光を受光して両光を干渉させることにより埋め込み層４
４’の膜厚及びライトギャップ層４０と同等の膜厚を有
するダミー層６０の膜厚を含んだ全体の厚さが測定でき
る。ポールチップ４２の下地層は平坦化されており、ま
た、ポールチップ４２表面及び埋め込み層４４、４４’
表面はＣＭＰにより平坦化されているので、計測した埋
め込み層４４’及びダミー層６０の膜厚からポールチッ
プ４２の膜厚を正確に求めることができる。すなわち、
図８（ａ）、（ｂ）に示すように、ポールチップ４２の
膜厚Ｚは、計測された埋め込み層４４’及びダミー層６
０膜厚Ｚ１から、予め所定の膜厚で形成しておいたダミ
ー層６０の膜厚Ｚ２を減じることにより求められる。
【００３７】なお、上述の埋め込み層４４’及びダミー
層６０膜厚の膜厚測定は、図４に示した１３箇所のダミ
ー層５０上のダミー層５８全てに対してそれぞれ行っ
て、それらの測定値の平均値をポールチップ４２の膜厚
として用いるようにしてもよいし、１３箇所のうち所定
の複数箇所のデータを用いるようにしてもよく、要は測
定精度と計測時間との兼ね合いで自由に決めることがで
きる。このように、本実施の形態の膜厚測定によれば、
ポールチップ４２の素子領域内の微細な埋め込み層に非
接触光学式膜厚測定装置の光ビームを照射することなく
ポールチップ４２の膜厚測定を行うことができる。従っ
て、薄膜磁気ヘッドを構成するポールチップ４２が微細
化しても従来の非接触光学式膜厚測定装置を用いて極め
て高精度に膜厚を測定することができるようになる。
層６０膜厚の膜厚測定は、図４に示した１３箇所のダミ
ー層５０上のダミー層５８全てに対してそれぞれ行っ
て、それらの測定値の平均値をポールチップ４２の膜厚
として用いるようにしてもよいし、１３箇所のうち所定
の複数箇所のデータを用いるようにしてもよく、要は測
定精度と計測時間との兼ね合いで自由に決めることがで
きる。このように、本実施の形態の膜厚測定によれば、
ポールチップ４２の素子領域内の微細な埋め込み層に非
接触光学式膜厚測定装置の光ビームを照射することなく
ポールチップ４２の膜厚測定を行うことができる。従っ
て、薄膜磁気ヘッドを構成するポールチップ４２が微細
化しても従来の非接触光学式膜厚測定装置を用いて極め
て高精度に膜厚を測定することができるようになる。
【００３８】さて、ポールチップ４２における平坦化層
４６の形成が終了したら、図示は省略するが、例えば銅
からなる第１の薄膜コイルを形成し、第１の薄膜コイル
上に第１の絶縁膜を形成後、第２の薄膜コイルを形成す
る。次いで、第２の薄膜コイル上部に第２の絶縁膜を形
成する。
４６の形成が終了したら、図示は省略するが、例えば銅
からなる第１の薄膜コイルを形成し、第１の薄膜コイル
上に第１の絶縁膜を形成後、第２の薄膜コイルを形成す
る。次いで、第２の薄膜コイル上部に第２の絶縁膜を形
成する。
【００３９】次に、図９に示すように、ポールチップ４
２及び図示を省略した第２の絶縁膜上に、例えばパーマ
ロイからなるヨーク４８を所定の膜厚及び形状に形成す
る。次いで、基板上部にアルミナ等によるオーバーコー
ト層を堆積した後、磁気抵抗層２８及びライトギャップ
層４０近傍の側面を研磨して、磁気記録媒体に対向する
エアベアリング面（Ａｉｒ Ｂｅａｒｉｎｇ Ｓｕｒｆ
ａｃｅ：ＡＢＳ）を形成して薄膜磁気ヘッドの主要構成
要素の製造が完了する。この段階において、図４に既に
示したように、基板１２表面にはダミー層５０が１３個
形成され、そして、各ダミー層５０上にダミー層５２、
５４が形成され、さらにその上にダミー層５６、５８、
６０が形成された薄膜磁気ヘッド形成用基板が作成され
る。
２及び図示を省略した第２の絶縁膜上に、例えばパーマ
ロイからなるヨーク４８を所定の膜厚及び形状に形成す
る。次いで、基板上部にアルミナ等によるオーバーコー
ト層を堆積した後、磁気抵抗層２８及びライトギャップ
層４０近傍の側面を研磨して、磁気記録媒体に対向する
エアベアリング面（Ａｉｒ Ｂｅａｒｉｎｇ Ｓｕｒｆ
ａｃｅ：ＡＢＳ）を形成して薄膜磁気ヘッドの主要構成
要素の製造が完了する。この段階において、図４に既に
示したように、基板１２表面にはダミー層５０が１３個
形成され、そして、各ダミー層５０上にダミー層５２、
５４が形成され、さらにその上にダミー層５６、５８、
６０が形成された薄膜磁気ヘッド形成用基板が作成され
る。
【００４０】本発明は、上記実施の形態に限らず種々の
変形が可能である。上記実施の形態においては、薄膜磁
気ヘッドの下部シールド層、上部シールド層、及び上部
ポールを構成するポールチップの膜厚測定において、本
発明を適用したが、これらの層のいずれかについて本発
明を適用してももちろんよく、また、薄膜磁気ヘッドを
構成する他の層にも本発明の膜厚測定方法を適用するこ
とが可能である。また、上記実施の形態では、上部シー
ルド層３２やポールチップ等の膜厚を測定するためのダ
ミー層５２、５４等をダミー層５０上に形成したが、ダ
ミー層５０上以外の領域にダミー層５２、５４等を設け
るようにしても本発明は適用可能である。また、下地層
からの反射が得られる場合には、下部シールド層１６の
膜厚を測定するために用いるダミー層５０は形成する必
要はなく、下部シールド層１６の成膜と同時に下地の絶
縁層１４上にダミー層５２、５４を直接形成するように
してもよい。
変形が可能である。上記実施の形態においては、薄膜磁
気ヘッドの下部シールド層、上部シールド層、及び上部
ポールを構成するポールチップの膜厚測定において、本
発明を適用したが、これらの層のいずれかについて本発
明を適用してももちろんよく、また、薄膜磁気ヘッドを
構成する他の層にも本発明の膜厚測定方法を適用するこ
とが可能である。また、上記実施の形態では、上部シー
ルド層３２やポールチップ等の膜厚を測定するためのダ
ミー層５２、５４等をダミー層５０上に形成したが、ダ
ミー層５０上以外の領域にダミー層５２、５４等を設け
るようにしても本発明は適用可能である。また、下地層
からの反射が得られる場合には、下部シールド層１６の
膜厚を測定するために用いるダミー層５０は形成する必
要はなく、下部シールド層１６の成膜と同時に下地の絶
縁層１４上にダミー層５２、５４を直接形成するように
してもよい。
【００４１】また、上記実施の形態では、ＣＭＰによる
研磨を用いた平坦化処理に本発明を適用したが、これに
限られず、例えば機械研磨等による平坦化処理において
本発明の膜厚測定方法を適用することももちろん可能で
ある。またさらに、上記実施の形態では、薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を例にとって説明したが、本発明の膜厚測
定方法はこれに限られず、例えば半導体装置の製造方法
における膜厚測定に適用することが可能である。
研磨を用いた平坦化処理に本発明を適用したが、これに
限られず、例えば機械研磨等による平坦化処理において
本発明の膜厚測定方法を適用することももちろん可能で
ある。またさらに、上記実施の形態では、薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を例にとって説明したが、本発明の膜厚測
定方法はこれに限られず、例えば半導体装置の製造方法
における膜厚測定に適用することが可能である。
【００４２】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、研磨処理
における研磨対象膜の残膜厚を高精度で測定できるよう
になる。また、本発明によれば、研磨処理における研磨
対象膜の残膜厚の測定領域が微細化しても高精度で膜厚
の測定ができるようになる。さらに本発明によれば、研
磨処理における研磨対象膜の残膜厚を高精度で測定する
ことができるので、素子製造の歩留まりを向上させた薄
膜磁気ヘッドの製造方法を実現できる。
における研磨対象膜の残膜厚を高精度で測定できるよう
になる。また、本発明によれば、研磨処理における研磨
対象膜の残膜厚の測定領域が微細化しても高精度で膜厚
の測定ができるようになる。さらに本発明によれば、研
磨処理における研磨対象膜の残膜厚を高精度で測定する
ことができるので、素子製造の歩留まりを向上させた薄
膜磁気ヘッドの製造方法を実現できる。
【図１】本発明の一実施の形態に用いられるＣＭＰ装置
の概略の構成を示す図である。
の概略の構成を示す図である。
【図２】本発明の一実施の形態による膜厚測定方法及び
それを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するため
の基板断面図である。
それを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するため
の基板断面図である。
【図３】本発明の一実施の形態による膜厚測定方法及び
それを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するため
の基板平面図である。
それを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するため
の基板平面図である。
【図４】本発明の一実施の形態による膜厚測定方法及び
それを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法における薄膜磁
気ヘッド形成用基板を示す図である。
それを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法における薄膜磁
気ヘッド形成用基板を示す図である。
【図５】本発明の一実施の形態による膜厚測定方法及び
それを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するため
の基板断面図である。
それを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するため
の基板断面図である。
【図６】本発明の一実施の形態による膜厚測定方法及び
それを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するため
の基板平面図である。
それを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するため
の基板平面図である。
【図７】本発明の一実施の形態による膜厚測定方法及び
それを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するため
の基板断面図である。
それを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するため
の基板断面図である。
【図８】本発明の一実施の形態による膜厚測定方法及び
それを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するため
の基板断面図である。
それを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するため
の基板断面図である。
【図９】本発明の一実施の形態による膜厚測定方法及び
それを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するため
の基板断面図である。
それを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するため
の基板断面図である。
【図１０】従来の膜厚測定方法を説明する図である。
２ 研磨定盤（プラテン） ４ 研磨パッド（研磨布） ６ 研磨ヘッド ８ 基板 １０ スラリ供給管 １２ アルティック基板 １４ 絶縁層 １６ 下部シールド層 １８、１８’、３４、３４’、４４、４４’ 埋め込み
層 ２４、３８、４６ 平坦化層 ２６、３０ 絶縁層 ２８ 磁気抵抗層 ３２ 上部シールド層 ４２ ポールチップ ４８ ヨーク ５０、５２、５４、５６、５８、６０ ダミー層
層 ２４、３８、４６ 平坦化層 ２６、３０ 絶縁層 ２８ 磁気抵抗層 ３２ 上部シールド層 ４２ ポールチップ ４８ ヨーク ５０、５２、５４、５６、５８、６０ ダミー層
フロントページの続き (72)発明者 堀中 雄大 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 2F065 AA30 BB03 BB17 BB25 CC25 CC31 DD03 FF51 HH04 3C058 AA07 AC02 BA07 BB09 BC02 BC03 CB01 DA12 DA16 5D033 BA71 DA01 DA02
Claims (19)
- 【請求項１】素子の一部を構成する素子形成層と、前記
素子形成層より薄い所定の膜厚を有し素子構成に寄与し
ない少なくとも１つの膜厚測定用のダミー層とを基板上
に形成し、 前記素子形成層及び前記ダミー層を所定の埋め込み材料
で埋め込んで被覆した後、前記素子形成層表面が埋め込
み層から露出するまで表面研磨して平坦化した平坦化層
を形成し、 前記ダミー層上の前記埋め込み層の膜厚を計測し、前記
膜厚に基づいて前記素子形成層の膜厚を測定することを
特徴とする膜厚測定方法。 - 【請求項２】請求項１記載の膜厚測定方法であって、 前記ダミー層は、前記基板上に位置合わせ用のアライメ
ントマークを形成する際に同時に形成することを特徴と
する膜厚測定方法。 - 【請求項３】請求項１又は２に記載の膜厚測定方法であ
って、 前記ダミー層は、その表面で光を反射する材料で形成す
ることを特徴とする膜厚測定方法。 - 【請求項４】請求項３記載の膜厚測定方法であって、 前記材料は、金属であることを特徴とする膜厚測定方
法。 - 【請求項５】素子の一部を構成する第１の素子形成層と
素子構成に寄与しない少なくとも１つのダミー層とを表
面上に形成し、 前記第１の素子形成層と前記ダミー層とを埋め込んで被
覆した後、前記第１の素子形成層表面及び前記ダミー層
表面が露出するまで表面研磨して平坦化した第１の平坦
化層を形成し、 前記第１の平坦化層上に前記素子の一部を構成する第２
の素子形成層を形成し、 前記第２の素子形成層を所定の埋め込み材料で埋め込ん
で被覆した後、前記第２の素子形成層表面が埋め込み層
から露出するまで表面研磨して平坦化した第２の平坦化
層を形成し、 前記ダミー層上の前記埋め込み層の膜厚を計測し、前記
膜厚に基づいて前記第２の素子形成層の膜厚を測定する
ことを特徴とする膜厚測定方法。 - 【請求項６】請求項５記載の膜厚測定方法であって、 前記第１の素子形成層と前記ダミー層とは同一の工程に
より同時に形成することを特徴とする膜厚測定方法。 - 【請求項７】請求項５又は６に記載の膜厚測定方法であ
って、 前記ダミー層は、膜厚測定する層の数に応じて、膜厚測
定の基準層に複数個設けることを特徴とする膜厚測定方
法。 - 【請求項８】請求項５乃至７のいずれか１項に記載の膜
厚測定方法であって、 前記第２の素子形成層の形成時に少なくとも１つの第２
のダミー層を形成することを特徴とする膜厚測定方法。 - 【請求項９】請求項８記載の膜厚測定方法であって、 前記第２の素子形成層と前記第２のダミー層とは同一の
工程により同時に形成することを特徴とする膜厚測定方
法。 - 【請求項１０】請求項８又は９に記載の膜厚測定方法で
あって、 前記第２のダミー層は、前記第１の平坦化層のダミー層
上に積層することを特徴とする膜厚測定方法。 - 【請求項１１】請求項１乃至１０のいずれか１項に記載
の膜厚測定方法であって、 前記平坦化層は、化学的機械研磨を用いた表面研磨によ
り形成することを特徴とする膜厚測定方法。 - 【請求項１２】請求項１乃至１１のいずれか１項に記載
の膜厚測定方法であって、 前記ダミー層上面の面積は、前記素子形成層で構成され
る素子の一部領域の面積より大きく形成することを特徴
とする膜厚測定方法。 - 【請求項１３】請求項１乃至１２のいずれか１項に記載
の膜厚測定方法であって、 前記埋め込み層の膜厚は、前記埋め込み層に光を入射さ
せて、前記埋め込み層表面で反射した光と、前記埋め込
み層を透過して前記ダミー層表面で反射した光との干渉
に基づいて計測することを特徴とする膜厚測定方法。 - 【請求項１４】被研磨物表面を研磨して平坦化する平坦
化工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記平坦化工程は、請求項１乃至１３のいずれか１項に
記載の膜厚測定方法を用いることを特徴とする薄膜磁気
ヘッドの製造方法。 - 【請求項１５】請求項１４記載の薄膜磁気ヘッドの製造
方法であって、 第１の素子形成層は、薄膜磁気ヘッドの下部シールド層
を構成し、第２の素子形成層は薄膜磁気ヘッドの上部シ
ールド層を構成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの
製造方法。 - 【請求項１６】請求項１４又は１５に記載の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法であって、 前記所定の埋め込み材料は、透明の絶縁材料が用いられ
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１７】請求項１６記載の薄膜磁気ヘッドの製造
方法であって、 前記絶縁材料は、アルミナであることを特徴とする薄膜
磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１８】被研磨物が所定膜厚で平坦化されるよう
に前記被研磨物表面を研磨する研磨方法であって、 前記所定膜厚を測定する際、請求項１乃至１３のいずれ
か１項に記載の膜厚測定方法を用いることを特徴とする
研磨方法。 - 【請求項１９】薄膜磁気ヘッドを構成する素子が複数形
成される薄膜磁気ヘッド形成用基板であって、 請求項１乃至１３のいずれか１項に記載された膜厚測定
方法で用いられるダミー層が形成されていることを特徴
とする薄膜磁気ヘッド形成用基板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37221498A JP2000193423A (ja) | 1998-12-28 | 1998-12-28 | 膜厚測定方法、研磨方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法、並びに薄膜磁気ヘッド形成用基板 |
| US09/459,653 US6475062B1 (en) | 1998-12-28 | 1999-12-13 | Film thickness measuring method, polishing method, fabrication method of thin film magnetic head and substrate for forming the thin film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37221498A JP2000193423A (ja) | 1998-12-28 | 1998-12-28 | 膜厚測定方法、研磨方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法、並びに薄膜磁気ヘッド形成用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000193423A true JP2000193423A (ja) | 2000-07-14 |
Family
ID=18500056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP37221498A Pending JP2000193423A (ja) | 1998-12-28 | 1998-12-28 | 膜厚測定方法、研磨方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法、並びに薄膜磁気ヘッド形成用基板 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6475062B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000193423A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007139752A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-06-07 | Canon Inc | パターン形成装置、パターン形成方法およびパターン形成用モールド |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10060697B4 (de) * | 2000-12-07 | 2005-10-06 | Siltronic Ag | Doppelseiten-Polierverfahren mit reduzierter Kratzerrate und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
| US7296339B1 (en) | 2004-09-08 | 2007-11-20 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for manufacturing a perpendicular magnetic recording head |
| US7552523B1 (en) | 2005-07-01 | 2009-06-30 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for manufacturing a perpendicular magnetic recording transducer |
| US8333008B1 (en) | 2005-07-29 | 2012-12-18 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for manufacturing a perpendicular magnetic recording transducer |
| US7508627B1 (en) | 2006-03-03 | 2009-03-24 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing perpendicular magnetic recording transducers |
| US8141235B1 (en) | 2006-06-09 | 2012-03-27 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for manufacturing a perpendicular magnetic recording transducers |
| US7603762B2 (en) * | 2006-12-15 | 2009-10-20 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Optical lapping guide for use in the manufacture of perpendicular magnetic write heads |
| US8015692B1 (en) | 2007-11-07 | 2011-09-13 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for providing a perpendicular magnetic recording (PMR) head |
| US9099118B1 (en) | 2009-05-26 | 2015-08-04 | Western Digital (Fremont), Llc | Dual damascene process for producing a PMR write pole |
| US8486285B2 (en) | 2009-08-20 | 2013-07-16 | Western Digital (Fremont), Llc | Damascene write poles produced via full film plating |
| US8725931B1 (en) | 2010-03-26 | 2014-05-13 | Western Digital Technologies, Inc. | System and method for managing the execution of memory commands in a solid-state memory |
| US8782327B1 (en) | 2010-05-11 | 2014-07-15 | Western Digital Technologies, Inc. | System and method for managing execution of internal commands and host commands in a solid-state memory |
| US9026716B2 (en) | 2010-05-12 | 2015-05-05 | Western Digital Technologies, Inc. | System and method for managing garbage collection in solid-state memory |
| US9164886B1 (en) | 2010-09-21 | 2015-10-20 | Western Digital Technologies, Inc. | System and method for multistage processing in a memory storage subsystem |
| US9021192B1 (en) | 2010-09-21 | 2015-04-28 | Western Digital Technologies, Inc. | System and method for enhancing processing of memory access requests |
| US9158670B1 (en) | 2011-06-30 | 2015-10-13 | Western Digital Technologies, Inc. | System and method for dynamically adjusting garbage collection policies in solid-state memory |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4959705A (en) * | 1988-10-17 | 1990-09-25 | Ford Microelectronics, Inc. | Three metal personalization of application specific monolithic microwave integrated circuit |
| US5478782A (en) * | 1992-05-25 | 1995-12-26 | Sony Corporation | Method bonding for production of SOI transistor device |
| US5658183A (en) * | 1993-08-25 | 1997-08-19 | Micron Technology, Inc. | System for real-time control of semiconductor wafer polishing including optical monitoring |
| US6074287A (en) * | 1996-04-12 | 2000-06-13 | Nikon Corporation | Semiconductor wafer polishing apparatus |
| US6102775A (en) * | 1997-04-18 | 2000-08-15 | Nikon Corporation | Film inspection method |
| US6142855A (en) * | 1997-10-31 | 2000-11-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Polishing apparatus and polishing method |
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1998
- 1998-12-28 JP JP37221498A patent/JP2000193423A/ja active Pending
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1999
- 1999-12-13 US US09/459,653 patent/US6475062B1/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2007139752A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-06-07 | Canon Inc | パターン形成装置、パターン形成方法およびパターン形成用モールド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6475062B1 (en) | 2002-11-05 |
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| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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|
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