JP2000188465A - Heating device and method - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce power consumption when the heat treatment to a body to be joined is not required by reducing the amount of gas supply heat when the heat treatment of an object to be heated is not required as compared with a case when the heat treatment is required by a device for controlling the amount of gas supply heat. SOLUTION: A circuit substrate 2 that is a body to be joined where parts 2a are placed on cream solder is carried from an inlet to an outlet by a transport part 3. The transport part 3 is contained and a heating gas is supplied via a heater 9c. A heating chamber 7a is provided for supplying a gas with a specific flow rate and temperature onto the body to be joined as a heat source and for heating and melting an object to be heated such as solder on the body to be joined. In the starting/preparing process of a reflow device, the temperature of heated air in each chamber is controlled by controlling the heater 9c via a temperature controller 20 with a controller 21 that is joined to a temperature-monitoring sensor 17c corresponding to the heat content of the circuit substrate 2. When the circuit substrate 2 is not subjected to reflow treatment, the temperature of each chamber is maintained at a lower temperature than a specific heat-treatment temperature.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、回路基板
や部品やウェハなどの被接合体に電子部品を接合材を介
して接合して実装する工程や、ウェハ状態でインターポ
ーザー用基板を半田バンプなどの接合材を介してウェハ
に接合する接合工程や、部品が搭載されていない状態で
部品搭載用のバンプなどの接合材を形成する工程など
で、被接合体上に位置する加熱対象物、例えば、電子部
品と被接合体とを接合する上記接合材、より具体的な例
としては、半田付け接合用半田の加熱、電子部品固定用
熱硬化性接着剤の硬化、又は、電子部品（例えばＩＣチ
ップ）の封止樹脂の硬化などを行う加熱装置と加熱方法
に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to, for example, a process of bonding and mounting an electronic component to a bonded body such as a circuit board, a component, or a wafer via a bonding material, and a method of soldering an interposer substrate in a wafer state. Heating objects located on the object to be bonded in the bonding process of bonding to the wafer via a bonding material such as bumps, or the process of forming a bonding material such as bumps for mounting components when no components are mounted For example, for example, the above-described joining material for joining an electronic component and a body to be joined, more specifically, heating of solder for joining by soldering, curing of a thermosetting adhesive for fixing an electronic component, or an electronic component ( The present invention relates to a heating device and a heating method for hardening a sealing resin of an IC chip, for example.

【０００２】[0002]

【従来の技術】近年、電子部品を回路基板に実装する技
術では、回路基板の多層化、実装の高密度化、両面実装
化等が要求されているとともに、一方では、地球環境の
問題から、その装置の消費電力の低減の要求も高まって
きている。2. Description of the Related Art In recent years, the technology for mounting electronic components on a circuit board has required a multilayered circuit board, a high-density mounting, a double-sided mounting, and the like. The demand for reducing the power consumption of such devices has been increasing.

【０００３】従来から、電子部品を回路基板に半田付け
するリフロー装置では、その加熱装置として、所定温度
に加熱した気体による加熱、赤外線等の輻射熱による加
熱、或いはこれらの組合せが使用されているが、加熱装
置の主体は、所定温度に加熱した気体による熱伝達であ
り、従来のリフロー方法とリフロー装置では、加熱した
気体の循環方法が種々工夫されている。Conventionally, in a reflow apparatus for soldering an electronic component to a circuit board, heating with a gas heated to a predetermined temperature, heating with radiant heat such as infrared rays, or a combination thereof has been used as a heating apparatus. The main component of the heating device is heat transfer by a gas heated to a predetermined temperature, and in the conventional reflow method and the reflow device, various methods of circulating the heated gas are devised.

【０００４】しかしながら、消費電力の低減を考えると
き、所定温度に到達するまでは生産が行えないことか
ら、生産時の消費電力の低減とともに、生産をしていな
いと時の消費電力の低減を達成しなければならない。However, when considering reduction of power consumption, since production cannot be performed until a predetermined temperature is reached, reduction of power consumption at the time of production and reduction of power consumption at the time of non-production are achieved. Must.

【０００５】加熱した気体の循環方法に関する従来例と
して、特開平６−６１６４０号公報に記載のものを図１
０，図１１，図１２，図１３に基づいて説明する。As a conventional example of a method of circulating a heated gas, a method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-61640 is shown in FIG.
0, FIG. 11, FIG. 12, and FIG.

【０００６】従来のリフロー装置は、回路基板９０ａを
入口から出口まで搬送する搬送部９０ｂと、予熱室９０
ｆと、リフロー加熱室９０ｈと、シロッコファン９０ｄ
によって空気を循環させる。空気循環路９０ｃと、上記
各空気循環路９０ｃ毎に設けられた空気加熱装置９０ｅ
とを有する。尚、予熱室９０ｆとリフロー加熱室９０ｈ
とを総称して炉体部と称している。[0006] The conventional reflow device comprises a transfer section 90b for transferring a circuit board 90a from an inlet to an outlet, and a preheating chamber 90b.
f, reflow heating chamber 90h, and sirocco fan 90d
To circulate the air. An air circulation path 90c and an air heating device 90e provided for each of the air circulation paths 90c.
And The preheating chamber 90f and the reflow heating chamber 90h
Are collectively referred to as a furnace body.

【０００７】回路基板９０ａは、クリーム半田を印刷さ
れ、印刷されたクリーム半田の上に電子部品を搭載し、
搬送部９０ｂによってリフロー装置内を搬送される。上
記各空気循環路９０ｃにおいて、各シロッコファン９０
ｄが所定量の空気を循環し、各空気加熱装置９０ｅが循
環する上記所定量の空気を所定温度に加熱する。上記に
より、搬送部９０ｂに搬送されている回路基板９０ａ
は、入口から出口に向かって並ぶ予熱室９０ｆとリフロ
ー加熱室９０ｈとにおいて、夫々の所定温度に加熱され
た循環空気を上面に受けて加熱され、予熱室９０ｆでは
所定温度に予備加熱され、次いでリフロー加熱室９０ｈ
では所定温度にリフロー加熱されてリフロー半田付けさ
れ、最後に、冷却室９０ｇで冷却空気を受けて冷却され
る。The circuit board 90a is printed with cream solder, and electronic components are mounted on the printed cream solder.
The inside of the reflow device is transported by the transport unit 90b. In each air circulation path 90c, each sirocco fan 90
d circulates a predetermined amount of air, and each air heating device 90e heats the predetermined amount of air circulating to a predetermined temperature. As described above, the circuit board 90a being transported to the transport unit 90b
In the preheating chamber 90f and the reflow heating chamber 90h arranged side by side from the inlet to the outlet, the circulating air heated to the respective predetermined temperature is received on the upper surface and heated, and the preheating chamber 90f is preheated to the predetermined temperature. Reflow heating chamber 90h
In this case, reflow soldering is performed at a predetermined temperature, and reflow soldering is performed. Finally, cooling air is received in a cooling chamber 90g to be cooled.

【０００８】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の従来例
の構成では、図１２に示すように、装置の運転状態、た
とえば装置内温度が所定温度で安定状態（搬入可能信号
であるREADY信号がONである状態）か調節状態（搬入可
能信号であるREADY信号がOFFである状態）であるか、又
は装置内の基板の有無などの、装置の運転状態に関わら
ず、各室にて夫々の所定温度に加熱された循環空気の流
量Ｑ１が一定であり、炉体内が安定状態までの到達時
間、消費電力を増加、浪費させる要因となっている。However, in the configuration of the above-mentioned conventional example, as shown in FIG. 12, the operation state of the apparatus, for example, the temperature inside the apparatus is stable at a predetermined temperature (when the READY signal which is a carry-in enable signal is Regardless of the operation state of the apparatus, whether it is in the ON state), the adjustment state (the READY signal, which is the carry-in enable signal is OFF), or the presence or absence of a substrate in the apparatus, each room has its own The flow rate Q1 of the circulating air heated to a predetermined temperature is constant, which is a factor of increasing the time required for the furnace to reach a stable state, increasing power consumption, and wasting.

【０００９】上記炉体内の安定状態までの装置の動作タ
イミングチャートを図１２，図１３に示す。加熱室の所
定温度を低温設定温度、高温設定温度を各々ｔ１，ｔ２
でかつ、ｔ１＜ｔ２とすると、図１２に示すように加熱
室の所定温度を低温ｔ１から高温ｔ２に設定変更するこ
とにより、加熱室内の雰囲気温度を低温ｔ１から高温ｔ
２に変更する場合、熱容量、伝熱速度の影響で、加熱室
を構成する壁面（たとえば珪酸カルシウムなどの断熱
材）の炉壁温度は、加熱室内の雰囲気温度より遅く高温
ｔ２に到達する。また、逆に、図１３に示すように加熱
室の所定温度を高温ｔ２から低温ｔ１に設定変更するこ
とにより、加熱室内の雰囲気温度を高温ｔ２から低温ｔ
１に変更する場合も、放熱速度の影響で、加熱室を構成
する壁面の炉壁温度は、加熱室内雰囲気温度より遅く低
温ｔ１に到達する。FIGS. 12 and 13 show operation timing charts of the apparatus up to a stable state in the furnace. The predetermined temperature of the heating chamber is set at a low temperature and the high temperature is set at t1 and t2, respectively.
Assuming that t1 <t2, as shown in FIG. 12, by changing the predetermined temperature of the heating chamber from the low temperature t1 to the high temperature t2, the atmosphere temperature in the heating chamber is changed from the low temperature t1 to the high temperature t2.
When changing to 2, the furnace wall temperature of the wall surface (for example, a heat insulating material such as calcium silicate) constituting the heating chamber reaches the high temperature t2 later than the atmospheric temperature in the heating chamber due to the influence of the heat capacity and the heat transfer rate. Conversely, as shown in FIG. 13, by changing the predetermined temperature of the heating chamber from the high temperature t2 to the low temperature t1, the atmospheric temperature in the heating chamber is changed from the high temperature t2 to the low temperature t1.
Even when the temperature is changed to 1, the furnace wall temperature of the wall constituting the heating chamber reaches the low temperature t1 later than the atmosphere temperature of the heating chamber due to the influence of the heat radiation rate.

【００１０】加熱室内の雰囲気温度が所定温度に到達し
た直後に、回路基板を加熱した場合、炉壁温度が安定し
ていないため、安定した時に比べ加熱温度に大きな差を
生じ、品質ばらつきの要因となるため、炉壁の温度が安
定するための時間を設け（例えば図１２及び図１３で
は、雰囲気温度が所定温度に到達した後、タイマーによ
り一定時間（３０分〜４５分程度）経過したのち）、回
路基板の装置内への搬入可能信号として出力する（すな
わち、搬入可能信号であるREADY信号をONにする）こと
で、回路基板の品質ばらつきを抑制している。しかしな
がら、この方法では、炉壁が所定温度に到達する所要時
間が長く、温度設定変更から加熱可能までの所要時間が
長く、その時間での消費電力をも増加させている。[0010] When the circuit board is heated immediately after the ambient temperature in the heating chamber reaches the predetermined temperature, the furnace wall temperature is not stable. Therefore, a time period for stabilizing the temperature of the furnace wall is provided (for example, in FIGS. 12 and 13, after a predetermined time (about 30 to 45 minutes) elapses by the timer after the ambient temperature reaches the predetermined temperature. ), By outputting the signal as a signal indicating that the circuit board can be carried into the apparatus (that is, turning on the READY signal, which is a signal indicating that the circuit board can be carried in), the quality variation of the circuit board is suppressed. However, in this method, the time required for the furnace wall to reach a predetermined temperature is long, the time required from the temperature setting change to heating is long, and the power consumption in that time is also increased.

【００１１】さらに、装置が加熱可能状態にあるとき、
回路基板が装置内に無い場合も、炉体内部雰囲気を一定
温度に保ち、回路基板が搬入された時に、回路基板毎の
加熱温度ばらつきを抑制するために必要な、所定流量の
加熱空気を循環させているため、装置内に基板が搬入さ
れていない時間での消費電力も増加させている。Further, when the apparatus is in a heatable state,
Even when the circuit board is not in the apparatus, the atmosphere inside the furnace body is kept at a constant temperature, and when the circuit board is carried in, the heating air at a predetermined flow rate necessary to suppress the variation in the heating temperature of each circuit board is circulated. As a result, the power consumption during the time when the substrate is not loaded into the apparatus is also increased.

【００１２】従って、本発明は、上記の問題を解決し、
被接合体の加熱処理が不要なときの消費電力を低減させ
ることができる加熱装置及び加熱方法を提供することを
目的とするものである。Accordingly, the present invention solves the above problems,
It is an object of the present invention to provide a heating device and a heating method which can reduce power consumption when heat treatment of an object to be joined is unnecessary.

【００１３】[0013]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は以下のように構成する。In order to achieve the above object, the present invention is configured as follows.

【００１４】本発明の第１態様によれば、加熱対象物を
介して電子部品と接合される被接合体を搬送する搬送部
と、加熱器により所定温度に加熱された所定流量の加熱
ガスを、加熱源として、上記搬送部により搬送される上
記被接合体上に供給し、上記被接合体上の上記加熱対象
物を加熱する加熱室と、上記加熱対象物に対する加熱処
理が不要なときの上記ガスの供給熱量を、上記加熱対象
物に対する加熱処理が必要なときの上記ガスの供給熱量
より低くするように、上記ガスの供給熱量を制御するガ
ス供給熱量制御装置を備えたことを特徴とする加熱装置
を提供する。According to the first aspect of the present invention, a transfer section for transferring an object to be bonded to an electronic component via an object to be heated, and a heating gas having a predetermined flow rate heated to a predetermined temperature by a heater. A heating chamber for heating the object to be heated, which is supplied onto the object to be conveyed by the conveyance unit as a heating source and heats the object to be heated on the object to be heated, when heating processing for the object to be heated is unnecessary. The apparatus further comprises a gas supply calorie control device that controls the amount of heat supplied to the gas so that the amount of heat supplied to the gas is lower than the amount of heat supplied to the gas when heat treatment of the object to be heated is required. A heating device is provided.

【００１５】本発明の第２態様によれば、上記ガス供給
熱量制御装置は、上記加熱対象物に対する加熱処理が不
要なときの上記ガスの供給熱量を、上記加熱対象物に対
する加熱処理が必要なときの上記ガスの供給熱量より低
くする一方、上記加熱室の温度を別の所定温度まで設定
変更を行うとき、上記ガスの供給熱量を、上記加熱室の
温度の設定変更を行わないときの上記ガスの供給熱量よ
りも増加させるように、上記ガス供給熱量を制御する第
１態様に記載の加熱装置を提供する。[0015] According to a second aspect of the present invention, the gas supply calorie control device determines the supply calorie of the gas when the heating process is not required for the object to be heated. When changing the setting of the temperature of the heating chamber to another predetermined temperature while lowering the supply heat amount of the gas at the time, the supply heat amount of the gas is changed when the setting change of the temperature of the heating chamber is not performed. The heating device according to the first aspect, wherein the gas supply heat amount is controlled so as to be greater than the gas supply heat amount.

【００１６】本発明の第３態様によれば、上記ガス供給
熱量制御装置は、上記加熱対象物に対する加熱処理が不
要なときの上記ガスの供給熱量を、上記加熱対象物に対
する加熱処理が必要なときの上記ガスの供給熱量より低
くする一方、上記加熱室の温度を別の所定温度まで設定
変更を行うとき、上記ガスの供給流量を、上記加熱室の
温度の設定変更を行わないときの上記ガスの供給流量よ
りも増加させるように、上記ガス供給流量を制御するガ
ス流量制御装置である第１態様に記載の加熱装置を提供
する。According to a third aspect of the present invention, the gas supply calorie control device determines the amount of heat supplied to the gas when the heating process is not required for the object to be heated. When changing the setting of the temperature of the heating chamber to another predetermined temperature while lowering the heat supply amount of the gas at the time, the supply flow rate of the gas is set when the setting of the temperature of the heating chamber is not changed. The heating device according to the first aspect, which is a gas flow control device that controls the gas supply flow rate so as to increase the gas supply flow rate so as to increase the gas supply flow rate, is provided.

【００１７】本発明の第４態様によれば、加熱対象物を
介して電子部品と接合される被接合体を搬送する搬送部
と、加熱器により所定温度に加熱された所定流量の加熱
ガスを、加熱源として、上記搬送部により搬送される上
記被接合体上に供給し、上記被接合体上の上記加熱対象
物を加熱する加熱室と、上記加熱室の温度を別の所定温
度まで設定変更を行うとき、上記ガスの供給流量を、上
記加熱室の温度の設定変更を行わないときの上記ガスの
供給流量よりも増加させるように、上記ガス供給流量を
制御するガス流量制御装置を備えたことを特徴とする加
熱装置を提供する。According to the fourth aspect of the present invention, the transfer section for transferring the article to be joined to the electronic component through the object to be heated, and the heating gas having a predetermined flow rate heated to a predetermined temperature by the heater. A heating chamber that supplies the object to be bonded conveyed by the conveyance unit as a heating source and heats the object to be heated on the object to be bonded, and sets the temperature of the heating chamber to another predetermined temperature. When performing the change, a gas flow control device that controls the gas supply flow rate is provided so that the supply flow rate of the gas is increased from the supply flow rate of the gas when the setting change of the temperature of the heating chamber is not performed. A heating device is provided.

【００１８】本発明の第５態様によれば、上記被接合体
上の加熱対象物は、上記電子部品と上記被接合体とを接
合する接合材である第１〜４のいずれかの態様に記載の
加熱装置を提供する。According to a fifth aspect of the present invention, the object to be heated on the object is a bonding material for bonding the electronic component and the object. A heating device is provided.

【００１９】本発明の第６態様によれば、上記被接合体
上の加熱対象物は、上記電子部品と上記被接合体とを接
合する半田若しくは電子部品固定用熱硬化性接着剤、又
は、上記電子部品を封止する電子部品封止樹脂である第
１〜４のいずれかの態様に記載の加熱装置を提供する。According to the sixth aspect of the present invention, the object to be heated on the object is a solder or a thermosetting adhesive for fixing the electronic component, which joins the electronic component and the object, or The heating device according to any one of the first to fourth aspects, which is an electronic component sealing resin for sealing the electronic component.

【００２０】本発明の第７態様によれば、上記被接合体
が加熱装置出入口を通過したことを検出する被接合体検
出装置をさらに備えて、上記被接合体検出装置により加
熱装置内の上記被接合体の有無を検知し、上記ガス供給
熱量制御装置は、上記加熱装置内に上記被接合体が有る
と検知されたとき、上記加熱対象物に対する加熱処理が
必要なときであると判断して上記ガスの供給熱量として
加熱処理用の供給熱量を供給する一方、上記加熱装置内
に上記被接合体が無いと検知されたとき、上記加熱対象
物に対する加熱処理が不要なときであると判断して上記
ガスの供給熱量として上記加熱処理用の供給熱量より低
い待機用の供給熱量を供給するように制御する第１〜６
のいずれかの態様に記載の加熱装置を提供する。According to a seventh aspect of the present invention, there is further provided a device for detecting a joined object, which detects that the object to be joined has passed through the inlet / outlet of the heating device. The presence / absence of the object to be bonded is detected, and the gas supply calorie control device determines that it is time to heat the object to be heated when it is detected that the object to be bonded is present in the heating device. When the supply heat amount for the heat treatment is supplied as the supply heat amount of the gas, when it is detected that the object to be bonded is not present in the heating device, it is determined that the heat treatment for the object to be heated is unnecessary. And controlling the supply heat amount of the gas to be smaller than the supply heat amount for the heat treatment.
The heating device according to any one of the above aspects is provided.

【００２１】本発明の第８態様によれば、上記ガス供給
熱量制御装置は、上記加熱装置内に上記被接合体が有る
と検知されたとき、上記加熱対象物に対する加熱処理が
必要なときであると判断して上記ガスの供給熱量として
加熱処理用の供給流量を供給する一方、上記加熱装置内
に上記被接合体が無いと検知されたとき、上記加熱対象
物に対する加熱処理が不要なときであると判断して上記
ガスの供給熱量として上記加熱処理用の供給流量より低
い待機用の供給流量を供給するように制御するガス供給
流量制御部を備えている第７態様に記載の加熱装置を提
供する。[0021] According to an eighth aspect of the present invention, the gas supply calorie control device determines whether the object to be heated needs to be heated when it is detected that the object to be bonded is present in the heating device. When it is determined that there is a supply flow rate for the heat treatment as the supply heat amount of the gas, and when it is detected that the object to be joined is not present in the heating device, when the heat treatment for the object to be heated is unnecessary. The heating apparatus according to the seventh aspect, further comprising: a gas supply flow rate control unit that controls the supply heat amount of the gas to be a standby supply flow rate lower than the heat treatment supply flow rate as the supply heat amount of the gas. I will provide a.

【００２２】本発明の第９態様によれば、上記ガス供給
熱量制御装置は、上記加熱装置内に上記被接合体が有る
と検知されたとき、上記加熱対象物に対する加熱処理が
必要なときであると判断して上記ガスの供給熱量として
加熱処理用の温度まで上記加熱ガスを加熱する一方、上
記加熱装置内に上記被接合体が無いと検知されたとき、
上記加熱対象物に対する加熱処理が不要なときであると
判断して上記ガスの供給熱量として上記加熱処理用の温
度より低い待機用の温度まで上記加熱ガスの温度を低下
させるように制御するガス温度制御部を備えている第７
態様に記載の加熱装置を提供する。According to a ninth aspect of the present invention, the gas supply calorie control device is configured to perform a heating process on the object to be heated when it is detected that the object to be bonded is present in the heating device. When it is determined that there is, while heating the heating gas to the temperature for heat treatment as the supply heat amount of the gas, when it is detected that there is no bonded object in the heating device,
A gas temperature which is determined to be a time when the heat treatment for the object to be heated is unnecessary, and is controlled so as to reduce the temperature of the heating gas to a standby temperature lower than the temperature for the heat treatment as a supply heat amount of the gas. Seventh equipped with control unit
A heating device according to an aspect is provided.

【００２３】本発明の第１０態様によれば、加熱室内に
おいて、所定温度に加熱された所定流量の加熱ガスを、
加熱源として、搬送部により搬送されかつ加熱対象物を
介して電子部品と接合される被接合体）上に供給し、上
記被接合体上の上記加熱対象物を加熱し、上記加熱対象
物に対する加熱処理が不要なときの上記ガスの供給熱量
を、上記加熱対象物に対する加熱処理が必要なときの上
記ガスの供給熱量より低くするように、上記ガスの供給
熱量を制御するようにしたことを特徴とする加熱方法を
提供する。According to the tenth aspect of the present invention, the heating gas heated to a predetermined temperature and having a predetermined flow rate is heated in the heating chamber.
As a heating source, it is supplied onto a workpiece (which is transported by a transport unit and joined to an electronic component via the heating object) to heat the heating object on the workpiece, and The heat supply amount of the gas when the heat treatment is unnecessary is controlled to be lower than the heat supply amount of the gas when the heat treatment is required for the object to be heated, so that the heat supply amount of the gas is controlled. A heating method is provided.

【００２４】本発明の第１１態様によれば、上記ガス供
給熱量制御を行うとき、上記加熱対象物に対する加熱処
理が不要なときの上記ガスの供給熱量を、上記加熱対象
物に対する加熱処理が必要なときの上記ガスの供給熱量
より低くする一方、上記加熱室の温度を別の所定温度ま
で設定変更を行うとき、上記ガスの供給熱量を、上記加
熱室の温度の設定変更を行わないときの上記ガスの供給
熱量よりも増加させるように、上記ガス供給熱量を制御
する第１０態様に記載の加熱方法を提供する。According to the eleventh aspect of the present invention, when performing the gas supply heat quantity control, the heat supply quantity of the gas when the heating processing for the heating target is unnecessary is determined by the heating processing for the heating target. When the setting change of the temperature of the heating chamber to another predetermined temperature is performed while lowering the supply heat amount of the gas at the time of the above, the supply heat amount of the gas is changed when the setting change of the temperature of the heating chamber is not performed. A heating method according to a tenth aspect, wherein the gas supply heat quantity is controlled so as to be greater than the gas supply heat quantity.

【００２５】本発明の第１２態様によれば、上記ガス供
給熱量制御を行うとき、上記加熱対象物に対する加熱処
理が不要なときの上記ガスの供給熱量を、上記加熱対象
物に対する加熱処理が必要なときの上記ガスの供給熱量
より低くする一方、上記加熱室の温度を別の所定温度ま
で設定変更を行うとき、上記ガスの供給流量を、上記加
熱室の温度の設定変更を行わないときの上記ガスの供給
流量よりも増加させるように、上記ガス供給流量を制御
する第１０態様に記載の加熱方法を提供する。According to the twelfth aspect of the present invention, when performing the gas supply heat amount control, the heat supply amount of the gas when the heat treatment for the object to be heated is unnecessary is determined by the heat treatment for the object to be heated. When the temperature of the heating chamber is set to be changed to another predetermined temperature while the temperature is set lower than the heat supply amount of the gas when the temperature is changed, the supply flow rate of the gas is changed when the setting of the temperature of the heating chamber is not changed. A heating method according to a tenth aspect is provided, wherein the gas supply flow rate is controlled so as to increase the supply flow rate of the gas.

【００２６】本発明の第１３態様によれば、加熱室内に
おいて、所定温度に加熱された所定流量の加熱ガスを、
加熱源として、搬送部により搬送されかつ加熱対象物を
介して電子部品と接合される被接合体上に供給し、上記
被接合体上の上記加熱対象物を加熱し、上記加熱室の温
度を別の所定温度まで設定変更を行うとき、上記ガスの
供給流量を、上記加熱室の温度の設定変更を行わないと
きの上記ガスの供給流量よりも増加させるように、上記
ガス供給流量を制御するようにしたことを特徴とする加
熱方法を提供する。According to a thirteenth aspect of the present invention, a heating gas at a predetermined flow rate heated to a predetermined temperature is heated in a heating chamber.
As a heating source, it is supplied onto a member to be joined which is conveyed by a conveying unit and joined to an electronic component via the object to be heated, and heats the object to be heated on the member to be joined, thereby reducing the temperature of the heating chamber. When the setting is changed to another predetermined temperature, the gas supply flow rate is controlled so that the supply flow rate of the gas is increased from the supply flow rate of the gas when the setting change of the temperature of the heating chamber is not performed. A heating method characterized by doing so is provided.

【００２７】本発明の第１４態様によれば、上記被接合
体上の加熱対象物は、上記電子部品と上記被接合体とを
接合する接合材である第１０〜１３のいずれかの態様に
記載の加熱方法を提供する。According to a fourteenth aspect of the present invention, the object to be heated on the object is any one of the tenth to thirteenth aspects, which is a joining material for joining the electronic component and the object. A heating method as described is provided.

【００２８】本発明の第１５態様によれば、上記被接合
体上の加熱対象物は、上記電子部品と上記被接合体とを
接合する半田若しくは電子部品固定用熱硬化性接着剤、
又は、上記電子部品を封止する電子部品封止樹脂である
第１０〜１３のいずれかの態様に記載の加熱方法を提供
する。According to a fifteenth aspect of the present invention, the object to be heated on the object is a solder or a thermosetting adhesive for fixing the electronic component, which joins the electronic component and the object.
Alternatively, the present invention provides the heating method according to any one of the tenth to thirteenth aspects, which is an electronic component sealing resin for sealing the electronic component.

【００２９】本発明の第１６態様によれば、上記被接合
体が上記加熱室を含む加熱装置の出入口を通過したか否
かを検知し、上記ガス供給熱量制御を行うとき、上記加
熱方法内に上記被接合体が有ると検知されたとき、上記
加熱対象物に対する加熱処理が必要なときであると判断
して上記ガスの供給熱量として加熱処理用の供給熱量を
供給する一方、上記加熱方法内に上記被接合体が無いと
検知されたとき、上記加熱対象物に対する加熱処理が不
要なときであると判断して上記ガスの供給熱量として上
記加熱処理用の供給熱量より低い待機用の供給熱量を供
給するように制御する第１０〜１５のいずれかの態様に
記載の加熱方法を提供する。According to a sixteenth aspect of the present invention, it is detected whether or not the object has passed through the entrance and exit of the heating device including the heating chamber, and when performing the gas supply heat quantity control, the heating method includes When it is detected that the object to be bonded is present, it is determined that the heating process is required for the object to be heated, and the supply heat amount for the heat treatment is supplied as the supply heat amount of the gas, while the heating method is used. When it is detected that the object to be bonded is not present, it is determined that the heating process for the object to be heated is unnecessary, and the supply heat amount of the gas is lower than the supply heat amount for the heating process. The heating method according to any one of the tenth to fifteenth aspects, wherein the heating method is controlled to supply heat.

【００３０】本発明の第１７態様によれば、上記ガス供
給熱量制御を行うとき、上記加熱方法内に上記被接合体
が有ると検知されたとき、上記加熱対象物に対する加熱
処理が必要なときであると判断して上記ガスの供給熱量
として加熱処理用の供給流量を供給する一方、上記加熱
方法内に上記被接合体が無いと検知されたとき、上記加
熱対象物に対する加熱処理が不要なときであると判断し
て上記ガスの供給熱量として上記加熱処理用の供給流量
より低い待機用の供給流量を供給するように制御するガ
ス供給流量制御部を備えている第１６態様に記載の加熱
方法を提供する。According to a seventeenth aspect of the present invention, when performing the gas supply heat quantity control, when it is detected that the object to be bonded is present in the heating method, when the object to be heated needs to be heated. While the supply flow rate for the heat treatment is supplied as the heat supply amount of the gas when it is determined that there is no object to be joined in the heating method, the heat treatment for the object to be heated is unnecessary. The heating according to the sixteenth aspect, further comprising: a gas supply flow rate control unit that controls to supply a standby supply flow rate lower than the heat treatment supply flow rate as the heat supply amount of the gas when it is determined that the heat supply time has elapsed. Provide a way.

【００３１】本発明の第１８態様によれば、上記ガス供
給熱量制御を行うとき、上記加熱方法内に上記被接合体
が有ると検知されたとき、上記加熱対象物に対する加熱
処理が必要なときであると判断して上記ガスの供給熱量
として加熱処理用の温度まで上記加熱ガスを加熱する一
方、上記加熱方法内に上記被接合体が無いと検知された
とき、上記加熱対象物に対する加熱処理が不要なときで
あると判断して上記ガスの供給熱量として上記加熱処理
用の温度より低い待機用の温度まで上記加熱ガスの温度
を下げるように制御するガス温度制御部を備えている第
１６態様に記載の加熱方法を提供する。According to the eighteenth aspect of the present invention, when performing the gas supply heat quantity control, when it is detected that the object to be bonded is present in the heating method, when the object to be heated needs to be heated. When the heating gas is heated to the temperature for the heat treatment as the heat supply amount of the gas and it is detected that the object to be joined is not present in the heating method, the heat treatment for the heating object is performed. And a gas temperature control unit that controls the temperature of the heated gas to be reduced to a standby temperature lower than the temperature for the heat treatment as a supply heat amount of the gas by determining that the temperature is unnecessary. There is provided a heating method according to the aspect.

【００３２】[0032]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を用いて説明する。なお、従来と同機能のものには
同符号を示す。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In addition, the same reference numerals are given to those having the same functions as those in the related art.

【００３３】（第１実施形態）図１は本発明の第１実施
形態の加熱装置及び方法の一例としてのリフロー装置及
び方法を実施するためのリフロー装置の側面図を示すも
のである。(First Embodiment) FIG. 1 is a side view of a reflow apparatus as an example of a heating apparatus and method according to a first embodiment of the present invention, and a reflow apparatus for carrying out the method.

【００３４】上記リフロー装置は、図１に示すように、
電子部品２ａが載置された被接合体を搬送する搬送部３
と、この搬送部３を包蔵し、加熱器（例えばヒータ９
ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ）を介して加熱ガスを供給させる
（言い換えれば、循環させつつ供給させる又は循環させ
ずに供給させる）ことにより所定温度に到達させ、上記
被接合体上に所定流量、所定温度の加熱ガスを加熱源と
して供給し、上記被接合体上の加熱対象物例えば半田を
加熱し、溶融する４つの加熱室６ａ，６ｂ，７ａ，７ｂ
と、上記加熱室の上記被接合体の搬送方向後方に隣接
し、溶融した半田を冷却固化させる冷却室８と、上記被
接合体が装置出入口４，５を通過したことを検出する基
板検出装置の一例としての回路基板通過監視センサ１８
ａ，１８ｂとを備えたリフロー装置において、上記加熱
室が所定温度に到達するまで、上記ガスの供給量を制御
する流量制御装置１４，２１を備える。以下、この装置
を図面を参照しながら具体的に説明する。As shown in FIG.
Conveying unit 3 for conveying the object on which electronic components 2a are mounted
And the transport unit 3 is enclosed, and a heater (for example, heater 9)
a, 9b, 9c, 9d) to supply a heating gas (in other words, to supply the gas while circulating or to supply it without circulating) so as to reach a predetermined temperature, and to supply a predetermined flow rate and Four heating chambers 6a, 6b, 7a, 7b for supplying a heating gas at a predetermined temperature as a heating source and heating and melting a heating object, for example, solder, on the object to be bonded.
A cooling chamber 8 that is adjacent to the heating chamber in the conveying direction of the object to be bonded and that cools and solidifies the molten solder; and a board detection device that detects that the object to be bonded has passed through the device entrances 4 and 5. Circuit board passage monitoring sensor 18 as one example
a and 18b are provided with flow control devices 14 and 21 for controlling the gas supply amount until the heating chamber reaches a predetermined temperature. Hereinafter, this device will be specifically described with reference to the drawings.

【００３５】上記第１実施形態のリフロー装置では、加
熱ガスの一例として加熱空気を使用し、部品が載置され
ている被接合体の一例として回路基板を使用する。しか
しながら、本発明はこれに限られるものではなく、加熱
ガスの他の例としては、窒素ガスなどの不活性ガスを使
用することもできる。さらに、被接合体の他の例として
は、電子部品を載置することができる部品を使用するこ
とができる。また、上記第１実施形態のリフロー装置で
は、加熱対象物は、一例として、電子部品２ａを回路基
板２に接合するための接合材の例としてのクリーム半田
となっているが、本発明はこれに限られるものではな
く、電子部品固定用熱硬化性接着剤や導電性接着剤、又
は、電子部品（例えばＩＣチップ）の封止樹脂とするこ
ともできる。また、上記第１実施形態のリフロー装置で
は、加熱室を、一例として、４つの加熱室、すなわち、
第１の予熱室６ａ、第２の予熱室６ｂ、第１のリフロー
加熱室７ａ、第２のリフロー加熱室７ｂを例示している
が、本発明はこれに限られるものではなく、１つのリフ
ロー加熱室であったり、１つの予備室と１つのリフロー
加熱室であってもよい。また、加熱装置の一例として、
上記被接合体上のリフロー用半田を加熱、溶融するリフ
ロー装置を例示しているが、本発明はこれに限られるも
のではなく、電子部品固定用熱硬化性接着剤又は導電性
接着剤又は、電子部品（例えばＩＣチップ）の封止樹脂
を硬化させる熱硬化装置にも適用することができる。In the reflow apparatus of the first embodiment, heated air is used as an example of a heating gas, and a circuit board is used as an example of a member on which components are mounted. However, the present invention is not limited to this, and an inert gas such as a nitrogen gas can be used as another example of the heating gas. Further, as another example of the object to be bonded, a component on which an electronic component can be mounted can be used. In the reflow apparatus of the first embodiment, the object to be heated is cream solder as an example of a joining material for joining the electronic component 2a to the circuit board 2 as an example. However, the present invention is not limited thereto, and a thermosetting adhesive or a conductive adhesive for fixing an electronic component, or a sealing resin for an electronic component (for example, an IC chip) may be used. In the reflow device of the first embodiment, the heating chamber is, for example, four heating chambers, that is,
Although the first preheating chamber 6a, the second preheating chamber 6b, the first reflow heating chamber 7a, and the second reflow heating chamber 7b are illustrated, the present invention is not limited to this. It may be a heating room, or one spare room and one reflow heating room. Also, as an example of a heating device,
Heating the reflow solder on the object to be bonded, a reflow apparatus that exemplifies the melting, but the present invention is not limited to this, a thermosetting adhesive or a conductive adhesive for fixing electronic components, or The present invention can also be applied to a thermosetting device that cures a sealing resin of an electronic component (for example, an IC chip).

【００３６】図２は、本発明の第１実施形態のリフロー
装置の正面図を示すものである。FIG. 2 is a front view of the reflow apparatus according to the first embodiment of the present invention.

【００３７】図３は、本発明の第１実施形態のリフロー
装置の制御関係の構成を示すブロック図を示すものであ
る。FIG. 3 is a block diagram showing a control-related configuration of the reflow apparatus according to the first embodiment of the present invention.

【００３８】図４は、本発明の第１実施形態のリフロー
装置の温度プロファイルを示す図である。この温度プロ
ファイルは、基板の種類や材質、基板上に接合されてい
る部品の種類や点数などによって異ならせることができ
るものであり、例えば、大きな基板に対して小さな基板
では高温ｔ２をより低く設定することができる。基本的
には、１種類の基板に対して１つの温度プロファイルを
適用することもできるが、複数種類の基板に対して１つ
の温度プロファイルを適用することもできる。FIG. 4 is a diagram showing a temperature profile of the reflow device according to the first embodiment of the present invention. This temperature profile can be varied depending on the type and material of the substrate, the type and the number of components bonded on the substrate, and for example, the high temperature t2 is set lower for a small substrate than for a large substrate. can do. Basically, one temperature profile can be applied to one type of substrate, but one temperature profile can also be applied to multiple types of substrates.

【００３９】図５は、本発明の第１実施形態のリフロー
装置の各室の加熱ガスの一例としての加熱空気の温度を
示す図である。FIG. 5 is a diagram showing the temperature of heated air as an example of the heated gas in each chamber of the reflow apparatus according to the first embodiment of the present invention.

【００４０】図６は、本発明の第１実施形態のリフロー
装置の温度上昇時の動作タイミングチャートである。FIG. 6 is an operation timing chart when the temperature of the reflow device according to the first embodiment of the present invention rises.

【００４１】図７は、本発明の第１実施形態のリフロー
装置の温度下降時の動作タイミングチャートである。FIG. 7 is an operation timing chart when the temperature of the reflow device according to the first embodiment of the present invention decreases.

【００４２】上記リフロー装置は、図２に示すように、
リフロー装置１の入口４から出口５まで回路基板２を搬
送するチェーンコンベヤなどの搬送部３と、入口４側か
ら出口５側に並んで、炉体部１ａを構成する第１の予熱
室６ａ、第２の予熱室６ｂ、第１のリフロー加熱室７
ａ、第２のリフロー加熱室７ｂと、冷却室８とを有す
る。上記第１、第２の予熱室６ａ，６ｂ、第１，第２の
リフロー加熱室７ａ，７ｂは、図１〜図３に示すよう
に、各々が、空気を循環するシロッコファン１２ａ，１
２ｂ，１２ｃ，１２ｄと、循環する空気１３を加熱する
ヒータ９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄを備えた熱風循環装置１
４を有する。この熱風循環装置１４とコントローラ２１
とによりガス供給熱量制御装置の一例を構成する。この
４個のシロッコファン１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ
には、回転数制御のための１つ又は１つ以上のインバー
ター２０を介し、電力供給源１５ｂから各々電力を供給
されている。なお、インバータ２０の設定はコントロー
ラ２１にて制御されており、インバータ２０とコントロ
ーラ２１により、ガス供給流量制御部の一例が構成され
る。また、ヒータ９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄは、搬送部３
の上方でかつ第１の予熱室６ａ、第２の予熱室６ｂ、第
１のリフロー加熱室７ａ、第２のリフロー加熱室７ｂに
設置されて、コントローラ２１にて制御される温調器１
９ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄを介し、電力供給源１５
ａから各々電力を供給されている。コントローラ２１と
温調器１９ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄとより、ガス温
度制御部の一例が構成される。なお、搬送部３の上方で
かつ第１の予熱室６ａ、第２の予熱室６ｂ、第１のリフ
ロー加熱室７ａ、第２のリフロー加熱室７ｂには、コン
トローラ２１に接続された温度管理用のセンサ１７ａ，
１７ｂ，１７ｃ，１７ｄが設置されており、加熱室及び
予熱室雰囲気温度は、それぞれ、コントローラ２１にて
制御されている。As shown in FIG.
A transporting unit 3 such as a chain conveyor for transporting the circuit board 2 from the inlet 4 to the outlet 5 of the reflow device 1 and a first preheating chamber 6a constituting the furnace body 1a, which is arranged side by side from the inlet 4 to the outlet 5; Second preheating chamber 6b, first reflow heating chamber 7
a, a second reflow heating chamber 7 b and a cooling chamber 8. As shown in FIGS. 1 to 3, the first and second preheating chambers 6a and 6b and the first and second reflow heating chambers 7a and 7b each have a sirocco fan 12a, 1 that circulates air.
Hot air circulation device 1 including 2b, 12c, 12d and heaters 9a, 9b, 9c, 9d for heating circulating air 13
4 The hot air circulation device 14 and the controller 21
This constitutes an example of the gas supply calorie control device. These four sirocco fans 12a, 12b, 12c, 12d
Are supplied with power from a power supply source 15b via one or more inverters 20 for controlling the rotation speed. The setting of the inverter 20 is controlled by the controller 21, and the inverter 20 and the controller 21 constitute an example of a gas supply flow control unit. Further, the heaters 9a, 9b, 9c, 9d
The temperature controller 1 which is installed above the first preheating chamber 6a, the second preheating chamber 6b, the first reflow heating chamber 7a, and the second reflow heating chamber 7b and controlled by the controller 21
9a, 19b, 19c, and 19d, the power supply 15
a. The controller 21 and the temperature controllers 19a, 19b, 19c, 19d constitute an example of a gas temperature controller. The first preheating chamber 6 a, the second preheating chamber 6 b, the first reflow heating chamber 7 a, and the second reflow heating chamber 7 b are provided above the transport section 3 for temperature control connected to the controller 21. Sensor 17a,
17b, 17c, and 17d are installed, and the atmosphere temperature of the heating chamber and the preheating chamber is controlled by the controller 21, respectively.

【００４３】この熱風循環装置１４の熱風吹出し口１４
ａは搬送部３の上方にあって、加熱空気を回路基板２の
上面に向けて吹き付ける。他方、熱風循環装置１４の熱
風吸込み口１４ｂは、搬送部３の下方にあって、上記加
熱空気を吸込む。The hot air outlet 14 of the hot air circulation device 14
“a” is located above the transport unit 3 and blows heated air toward the upper surface of the circuit board 2. On the other hand, the hot-air suction port 14b of the hot-air circulation device 14 is located below the transport unit 3 and sucks the heated air.

【００４４】冷却室８は、外気取り込み口１１ａと、冷
却用軸流ファン１１とで構成される。The cooling chamber 8 includes an outside air intake 11a and an axial fan 11 for cooling.

【００４５】さらに、リフロー装置入口４と出口５に、
それぞれ、回路基板２の通過監視センサ１８ａ，１８ｂ
が設置され、通過監視センサ１８ａ，１８ｂは、それぞ
れ、コントローラ２１に接続されて、通過監視センサ１
８ａ，１８ｂから出力される通過信号がコントローラ２
１に入力されるようになっている。Further, the reflow device inlet 4 and outlet 5
Passage monitoring sensors 18a, 18b of the circuit board 2, respectively
Are installed, and the passage monitoring sensors 18a and 18b are connected to the controller 21, respectively, and the passage monitoring sensor 1
8a and 18b pass through the controller 2
1 is input.

【００４６】次に、回路基板２を上記リフロー装置１で
リフロー処理する場合、回路基板２の上面で部品２ａが
クリーム半田上に載置された回路基板２が搬送部３によ
って入口４から出口５まで搬送される。Next, when the circuit board 2 is subjected to the reflow processing by the reflow device 1, the circuit board 2 on which the components 2a are mounted on the cream solder on the upper surface of the circuit board 2 is moved from the inlet 4 to the outlet 5 by the transfer unit 3. Transported to

【００４７】この場合、回路基板２が、第１の予熱室６
ａ、第２の予熱室６ｂ、第１のリフロー加熱室７ａ、第
２のリフロー加熱室７ｂをそれぞれ順に通過する際に、
図４及び図５に示すように、第１，第２の予熱室６ａ，
６ｂ内の予熱区間Ｔ１において約１５０℃まで加熱され
て半田を予備的に加熱し，第１，第２のリフロー加熱室
７ａ，７ｂ内のリフロー加熱区間Ｔ２において約２２０
℃まで加熱されて半田を溶融温度まで加熱して溶融し，
冷却室８において冷却されて溶融した半田を冷却固化さ
れるようにする。その際，第１，第２の予熱室６ａ，６
ｂのヒータ９ａ，９ｂの温度とシロッコファン１２ａ，
１２ｂの流量，第１，第２のリフロー加熱室７ａ，７ｂ
のヒータ９ｃ，９ｄの温度とシロッコファン１２ｃ，１
２ｄの流量とを，リフロー処理される回路基板２の熱容
量に対応した温度と流量とにコントローラ２１にて設定
する。すなわち，リフロー装置の立上げ，準備工程にお
いて，各室の加熱空気の温度言い換えれば各室の雰囲気
温度は，図６に示すようにそれぞれ上記回路基板２の熱
容量に対応した温度に制御される。なお，本第１実施形
態では，図３に示すように，予熱室６ａ，６ｂ、第１，
第２のリフロー加熱室７ａ，７ｂの温度監視センサ１７
ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄがコントローラ２１に接続
され，コントローラ２１により，温調器２０を介して各
ヒータヒータ９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄを制御することで
各室の加熱空気温度を制御している。In this case, the circuit board 2 is connected to the first preheating chamber 6
a, when passing sequentially through the second preheating chamber 6b, the first reflow heating chamber 7a, and the second reflow heating chamber 7b,
As shown in FIGS. 4 and 5, the first and second preheating chambers 6a,
6b, the solder is preliminarily heated by being heated to about 150 ° C. in the preheating section T1, and about 220 ° C. in the reflow heating section T2 in the first and second reflow heating chambers 7a and 7b.
℃ to melt the solder to the melting temperature
The solder cooled and melted in the cooling chamber 8 is cooled and solidified. At this time, the first and second preheating chambers 6a, 6
b and the temperature of the heaters 9a, 9b and the sirocco fans 12a,
12b, first and second reflow heating chambers 7a, 7b
Of the heaters 9c and 9d and the sirocco fans 12c and 1
The controller 21 sets the flow rate 2d to a temperature and a flow rate corresponding to the heat capacity of the circuit board 2 to be reflow-processed. That is, in the start-up and preparation steps of the reflow device, the temperature of the heated air in each chamber, in other words, the ambient temperature in each chamber is controlled to a temperature corresponding to the heat capacity of the circuit board 2 as shown in FIG. In the first embodiment, as shown in FIG. 3, the preheating chambers 6a and 6b,
Temperature monitoring sensor 17 of second reflow heating chambers 7a and 7b
a, 17b, 17c, and 17d are connected to the controller 21, and the controller 21 controls the heater heaters 9a, 9b, 9c, and 9d via the temperature controller 20, thereby controlling the temperature of the heated air in each room. .

【００４８】上記第１実施形態にかかるリフロー装置で
は，回路基板２をリフロー処理しないときには各室の温
度を所定の加熱処理温度より低くして維持することによ
り，消費電力を削減できるようにしているため，回路基
板２をリフロー処理する場合には，第１，第２の予熱室
６ａ，６ｂ、第１，第２のリフロー加熱室７ａ，７ｂの
温度設定変更を伴う。したがって、図６に示すように、
搬入可能信号であるREADY信号をON（回路基板搬入可能
状態）からOFF（回路基板搬入不可状態）にして第１、
第２の予熱室６ａ，６ｂ、第１，第２のリフロー加熱室
７ａ，７ｂの各雰囲気温度を低温ｔ１から高温ｔ２に温
度設定変更するときに、コントローラ２１により、イン
バータ２０でシロッコファン１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，
１２ｄの各流量をリフロー処理時の所定流量Ｑ１から設
定変更用所定流量Ｑ２（ただし、Ｑ２＞Ｑ１）に切替え
てヒータ９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄをそれぞれ通過する循
環空気を増加させることにより，予熱室６ａ，６ｂ、第
１，第２のリフロー加熱室７ａ，７ｂへの供給熱量をそ
れぞれ増加させる。これにより、予熱室６ａ，６ｂ、第
１，第２のリフロー加熱室７ａ，７ｂの各雰囲気温度が
低温ｔ１から所定設定変更温度の高温ｔ２に到達するま
での到達時間を短くすることができる。さらに、供給熱
量を増加させることにより、予熱室６ａ，６ｂ、第１，
第２のリフロー加熱室７ａ，７ｂを構成する各内壁の炉
壁温度上昇も加速され、予熱室６ａ，６ｂ、第１，第２
のリフロー加熱室７ａ，７ｂのそれぞれの各内壁の炉壁
温度が低温ｔ１から高温ｔ２の熱平衡状態になるまでの
到達時間を短くすることができる。In the reflow apparatus according to the first embodiment, when the circuit board 2 is not subjected to the reflow processing, the power consumption can be reduced by maintaining the temperature of each chamber lower than a predetermined heating processing temperature. Therefore, when the circuit board 2 is subjected to the reflow treatment, the temperature settings of the first and second preheating chambers 6a and 6b and the first and second reflow heating chambers 7a and 7b are changed. Therefore, as shown in FIG.
The READY signal, which is a carry-in enable signal, is changed from ON (circuit board carry-in possible state) to OFF (circuit board carry-in impossible state).
When the ambient temperature of each of the second preheating chambers 6a, 6b and the first and second reflow heating chambers 7a, 7b is changed from the low temperature t1 to the high temperature t2, the controller 20 causes the inverter 20 to use the sirocco fans 12a, 12b, 12c,
The pre-heating is performed by switching the respective flow rates 12d from the predetermined flow rate Q1 during the reflow process to the predetermined flow rate Q2 for setting change (where Q2> Q1) and increasing the circulating air passing through the heaters 9a, 9b, 9c and 9d, respectively. The amount of heat supplied to the chambers 6a and 6b and the first and second reflow heating chambers 7a and 7b is increased. As a result, it is possible to shorten the time required for the ambient temperatures of the preheating chambers 6a and 6b and the first and second reflow heating chambers 7a and 7b to reach the high temperature t2 of the predetermined setting change temperature from the low temperature t1. Further, by increasing the amount of supplied heat, the preheating chambers 6a and 6b,
The furnace wall temperature rise of each inner wall constituting the second reflow heating chambers 7a and 7b is also accelerated, and the preheating chambers 6a and 6b, the first and second
It is possible to shorten the time required for the furnace wall temperature of each inner wall of each of the reflow heating chambers 7a and 7b to reach the thermal equilibrium state from the low temperature t1 to the high temperature t2.

【００４９】ただし、上記低温ｔ１及び上記高温ｔ２
は、第１，第２の予熱室６ａ，６ｂ、第１，第２のリフ
ロー加熱室７ａ，７ｂの全ての室において又、雰囲気温
度と炉壁温度は各室において同一の低温ｔ１及び同一の
高温ｔ２にすることを意味するものではなく、各室又、
雰囲気温度と炉壁温度は各室においてそれぞれにおける
低温ｔ１と高温ｔ２を意味し、第１，第２の予熱室６
ａ，６ｂ、第１，第２のリフロー加熱室７ａ，７ｂのそ
れぞれの低温ｔ１は全て異なっていたり、予熱室同士又
はリフロー加熱室同士が同一の低温ｔ１であってもよ
い。また、第１，第２の予熱室６ａ，６ｂ、第１，第２
のリフロー加熱室７ａ，７ｂのそれぞれの高温ｔ２は全
て異なっていたり、予熱室同士又はリフロー加熱室同士
が同一の高温ｔ２であってもよい。また、上記流量Ｑ１
及び上記流量Ｑ２は、第１，第２の予熱室６ａ，６ｂ、
第１，第２のリフロー加熱室７ａ，７ｂの全ての室にお
いて同一の流量Ｑ１及び同一の流量Ｑ２にすることを意
味するものではなく、各室それぞれにおける流量Ｑ１と
流量Ｑ２を意味し、第１，第２の予熱室６ａ，６ｂ、第
１，第２のリフロー加熱室７ａ，７ｂのそれぞれの流量
Ｑ１は全て異なっていたり、予熱室同士又はリフロー加
熱室同士が同一の流量Ｑ１であってもよい。また、第
１，第２の予熱室６ａ，６ｂ、第１，第２のリフロー加
熱室７ａ，７ｂのそれぞれの流量Ｑ２は全て異なってい
たり、予熱室同士又はリフロー加熱室同士が同一の流量
Ｑ２であってもよい。However, the low temperature t1 and the high temperature t2
In all of the first and second preheating chambers 6a and 6b and the first and second reflow heating chambers 7a and 7b, the ambient temperature and the furnace wall temperature are the same low temperature t1 and the same in each chamber. It does not mean that the temperature is high t2.
The atmosphere temperature and the furnace wall temperature mean the low temperature t1 and the high temperature t2 in each chamber, respectively.
The low temperature t1 of each of the a, 6b, and the first and second reflow heating chambers 7a, 7b may be different, or the preheating chambers or the reflow heating chambers may have the same low temperature t1. In addition, the first and second preheating chambers 6a and 6b,
The high temperature t2 of each of the reflow heating chambers 7a and 7b may be different, or the preheating chambers or the reflow heating chambers may have the same high temperature t2. The flow rate Q1
And the flow rate Q2 is determined by the first and second preheating chambers 6a and 6b,
This does not mean that the same flow rate Q1 and the same flow rate Q2 are set in all of the first and second reflow heating chambers 7a and 7b, but the flow rates Q1 and Q2 in each chamber. The flow rates Q1 of the first and second preheating chambers 6a and 6b and the flow rates Q1 of the first and second reflow heating chambers 7a and 7b are all different, or the preheating chambers or the reflow heating chambers have the same flow rate Q1. Is also good. Further, the flow rates Q2 of the first and second preheating chambers 6a and 6b and the first and second reflow heating chambers 7a and 7b are all different, or the same flow rate Q2 is used for the preheating chambers or the reflow heating chambers. It may be.

【００５０】以上のことから、予熱室６ａ，６ｂ、第
１，第２のリフロー加熱室７ａ，７ｂのそれぞれの雰囲
気温度が所定温度の高温ｔ２に到達したことを温度管理
用のセンサ１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄによりそれ
ぞれ検出すると、コントローラ２１の制御の下に、シロ
ッコファン１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄのそれぞれ
の流量を設定変更用所定流量Ｑ２からリフロー処理時の
所定流量Ｑ１に切替えることにより、循環空気の流れが
安定するため、及び予熱室６ａ，６ｂ、第１，第２のリ
フロー加熱室７ａ，７ｂの炉壁温度が所定温度の高温ｔ
２で安定するための任意の時間（たとえば１〜２分
間）、コントローラ２０内のタイマーにてカウントし、
その後、コントローラ２１から搬入部３又はその上流側
の装置に対してリフロー処理の許可信号を出力している
（すなわち、搬入可能信号であるREADY信号をONにして
いる）。なお、リフロー処理時の所定流量Ｑ１は、循環
空気の流れが安定し、リフロー処理が円滑に行える流量
に設定されている。From the above, the temperature control sensors 17a, 17b indicate that the ambient temperatures of the preheating chambers 6a, 6b and the first and second reflow heating chambers 7a, 7b have reached the predetermined high temperature t2. , 17c, and 17d, respectively, under the control of the controller 21, the respective flow rates of the sirocco fans 12a, 12b, 12c, and 12d are switched from the setting change predetermined flow rate Q2 to the predetermined flow rate Q1 during the reflow process. The flow of the circulating air is stabilized, and the temperature of the furnace wall of the preheating chambers 6a and 6b and the first and second reflow heating chambers 7a and 7b is a predetermined high temperature t.
Any time for stabilizing at 2 (for example, 1 to 2 minutes) is counted by a timer in the controller 20,
Thereafter, the controller 21 outputs a reflow process permission signal to the loading unit 3 or a device upstream thereof (that is, the READY signal, which is a loading enable signal, is turned ON). The predetermined flow rate Q1 during the reflow processing is set to a flow rate at which the flow of the circulating air is stable and the reflow processing can be performed smoothly.

【００５１】一方、逆に、加熱処理すべき回路基板の種
類の変更などにおいて、搬入可能信号であるREADY信号
をON（回路基板搬入可能状態）からOFF（回路基板搬入
不可状態）にして、図７に示すように、第１，第２の予
熱室６ａ，６ｂ、第１，第２のリフロー加熱室７ａ，７
ｂの各雰囲気温度を高温ｔ２から低温ｔ１に温度設定変
更するときは、コントローラ２１により、インバータ２
０でシロッコファン１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの
各流量をリフロー処理時の所定流量Ｑ１から設定変更用
所定流量Ｑ２（ただし、Ｑ２＞Ｑ１）に切替えてヒータ
９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄをそれぞれ通過する循環空気を
増加させることにより、予熱室６ａ，６ｂ、第１，第２
のリフロー加熱室７ａ，７ｂでの循環空気による冷却を
加速させる。これにより、予熱室６ａ，６ｂ、第１，第
２のリフロー加熱室７ａ，７ｂの各雰囲気温度を高温ｔ
２から所定設定変更温度の低温ｔ１に達するまでの到達
時間を短くすることができる。さらに、循環空気の冷却
を加速させることにより、予熱室６ａ，６ｂ、第１，第
２のリフロー加熱室７ａ，７ｂを構成する各内壁の炉壁
温度降下も加速され、予熱室６ａ，６ｂ、第１，第２の
リフロー加熱室７ａ，７ｂのそれぞれの各内壁の炉壁温
度が高温ｔ２から低温ｔ２の熱平衡状態になるまでの到
達時間を短くすることができる。On the other hand, when the type of the circuit board to be heat-treated is changed, the READY signal, which is a carry-in signal, is changed from ON (circuit board can be loaded) to OFF (circuit board cannot be loaded). As shown in FIG. 7, first and second preheating chambers 6a and 6b, first and second reflow heating chambers 7a and 7
When the temperature setting of each of the atmospheres b is changed from the high temperature t2 to the low temperature t1, the controller 21
At 0, the respective flow rates of the sirocco fans 12a, 12b, 12c, and 12d are switched from the predetermined flow rate Q1 at the time of the reflow processing to the predetermined flow rate Q2 for setting change (where Q2> Q1) and passed through the heaters 9a, 9b, 9c, 9d, respectively. By increasing the amount of circulating air that flows, the preheating chambers 6a, 6b,
The cooling by the circulating air in the reflow heating chambers 7a and 7b is accelerated. As a result, the ambient temperatures of the preheating chambers 6a and 6b and the first and second reflow heating chambers 7a and 7b are increased to a high temperature t.
It is possible to shorten the time required to reach the low temperature t1 of the predetermined setting change temperature from 2. Further, by accelerating the cooling of the circulating air, the temperature drop of the furnace wall of each inner wall constituting the preheating chambers 6a, 6b and the first and second reflow heating chambers 7a, 7b is also accelerated, and the preheating chambers 6a, 6b, The time required for the furnace wall temperature of each inner wall of each of the first and second reflow heating chambers 7a and 7b to reach the thermal equilibrium state from the high temperature t2 to the low temperature t2 can be shortened.

【００５２】そして、予熱室６ａ，６ｂ、第１，第２の
リフロー加熱室７ａ，７ｂの各雰囲気温度が所定温度の
低温ｔ１にそれぞれ到達したことを温度管理用のセンサ
１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄによりそれぞれ検出す
ると、コントローラ２１の制御の下に、シロッコファン
１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄのそれぞれの流量を設
定変更用所定流量Ｑ２からリフロー処理時の所定流量Ｑ
１に切替えることにより、循環空気の流れが安定するた
め、及び予熱室６ａ，６ｂ、第１，第２のリフロー加熱
室７ａ，７ｂの炉壁温度が所定温度の低温ｔ１に安定す
るための任意の時間（たとえば１〜２分間）、コントロ
ーラ２１内のタイマーにてカウントし、その後、コント
ローラ２１から搬入部３又はその上流側の装置に対して
リフロー処理の許可信号を出力している（すなわち、搬
入可能信号であるREADY信号をONにしている）。Then, the temperature control sensors 17a, 17b, 17c, and 4c indicate that the ambient temperatures of the preheating chambers 6a and 6b and the first and second reflow heating chambers 7a and 7b have reached the predetermined low temperature t1, respectively. 17d, the flow rate of each of the sirocco fans 12a, 12b, 12c, and 12d is changed from the setting change predetermined flow rate Q2 to the predetermined flow rate Q during the reflow process under the control of the controller 21.
1 to stabilize the flow of the circulating air and stabilize the furnace wall temperatures of the preheating chambers 6a and 6b and the first and second reflow heating chambers 7a and 7b to a predetermined low temperature t1. (For example, 1 to 2 minutes), counting is performed by the timer in the controller 21, and thereafter, the controller 21 outputs a reflow processing permission signal to the loading unit 3 or a device on the upstream side thereof (ie, READY signal, which is a signal that can be carried in, is turned ON).

【００５３】なお、設定変更用所定流量Ｑ２は、各雰囲
気温度を低温から高温に上昇するときと、逆に、低温か
ら高温に下降させるときとで同一流量にするものに限定
されるものではなく、異なるようにしてもよい。The setting change predetermined flow rate Q2 is not limited to the same flow rate when the ambient temperature rises from a low temperature to a high temperature and, conversely, when the ambient temperature drops from a low temperature to a high temperature. , May be different.

【００５４】以上の構成によれば、第１，第２の予熱室
６ａ，６ｂ、第１，第２のリフロー加熱室７ａ，７ｂの
各雰囲気温度を設定変更するとき、コントローラ２１に
より、インバータ２０でシロッコファン１２ａ，１２
ｂ，１２ｃ，１２ｄの各流量をリフロー処理時の所定流
量Ｑ１より大きな設定変更用所定流量Ｑ２に切替えてヒ
ータ９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄをそれぞれ通過する循環空
気を増加させるように加熱空気の流量を制御することで
供給熱量を制御することができ、同時に、各加熱室が所
定温度に到達するまでの所要時間を短縮することがで
き、生産性を向上させ、さらに、予熱室６ａ，６ｂ、第
１，第２のリフロー加熱室７ａ，７ｂの温度設定変更に
要する時間が短縮されるため、消費電力を低減したリフ
ロー装置を実現できる。一例として、各加熱室が所定温
度に到達するまでの所要時間は、従来は３０分〜４５分
程度要していたのに対して、本実施形態では５分〜10分
程度まで短縮することができる。According to the above configuration, when the ambient temperature of each of the first and second preheating chambers 6a and 6b and the first and second reflow heating chambers 7a and 7b is changed, the controller 21 causes the inverter 20 to operate. Sirocco fans 12a and 12
The flow rate of the heated air is increased by switching the flow rates b, 12c, and 12d to the predetermined flow rate Q2 for setting change, which is larger than the predetermined flow rate Q1 at the time of the reflow process, and increasing the circulating air passing through the heaters 9a, 9b, 9c, 9d, respectively. , The amount of heat supplied can be controlled, at the same time, the time required for each heating chamber to reach a predetermined temperature can be shortened, productivity can be improved, and the preheating chambers 6a, 6b, Since the time required for changing the temperature settings of the first and second reflow heating chambers 7a and 7b is reduced, a reflow device with reduced power consumption can be realized. As an example, in the present embodiment, the time required for each heating chamber to reach a predetermined temperature has been reduced from about 30 minutes to 45 minutes to about 5 minutes to 10 minutes in the present embodiment. it can.

【００５５】また、このように短時間での各室の各雰囲
気温度を設定変更することができるため、上記基板２に
対するリフロー処理が不要なときの上記ガスの供給熱量
を、上記基板２に対するリフロー処理が必要なときの上
記ガスの供給熱量より低くしておき、上記基板２に対す
るリフロー処理が必要なときに上記ガスの供給熱量を増
加させることにより、生産性を大きく損なうことなく、
短時間で必要な上記ガスの供給熱量を確保することがで
きる。よって、上記基板２に対するリフロー処理が不要
なとき、すなわち、待機時の上記ガスの供給熱量を低減
させることができ、消費電力を低減させることができ
る。In addition, since the setting of the ambient temperature of each chamber can be changed in such a short time, the amount of heat supplied to the gas when the reflow process for the substrate 2 is unnecessary is reduced by the reflow process for the substrate 2. By reducing the supply heat amount of the gas when the processing is required and increasing the supply heat amount of the gas when the reflow processing on the substrate 2 is required, the productivity is not significantly impaired.
The required heat supply amount of the gas can be secured in a short time. Therefore, when the reflow process on the substrate 2 is unnecessary, that is, the amount of heat supplied to the gas during standby can be reduced, and power consumption can be reduced.

【００５６】（第２実施形態）図８は、本発明の第２実
施形態のリフロー装置及び方法の動作タイミングチャー
トである。(Second Embodiment) FIG. 8 is an operation timing chart of a reflow apparatus and method according to a second embodiment of the present invention.

【００５７】本第２実施形態は、図３に示すように、上
記第１実施形態のリフロー装置１における、装置入口４
と出口５に、回路基板の通過監視センサ１８ａ，１８ｂ
（図２参照）において検出された信号を、コントローラ
２０にそれぞれ入力し、リフロー装置内の回路基板２の
有無を検出し、シロッコファン１２ａ，１２ｂ，１２
ｃ，１２ｄの流量を切替えるものである。In the second embodiment, as shown in FIG. 3, the apparatus inlet 4 in the reflow apparatus 1 of the first embodiment is used.
And the exit 5 are provided with passage monitoring sensors 18a and 18b of the circuit board.
The signals detected in (see FIG. 2) are input to the controller 20, respectively, and the presence or absence of the circuit board 2 in the reflow device is detected, and the sirocco fans 12a, 12b, 12
The flow rates of c and 12d are switched.

【００５８】図８に示すように、回路基板２がリフロー
装置１内に無い時は、コントローラ２１により、シロッ
コファン１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの流量をリフ
ロー処理時の所定流量Ｑ１から待機用流量Ｑ３（ただ
し、Ｑ３＜Ｑ１）に切替えて、ヒータ９ａ，９ｂ，９
ｃ，９ｄをそれぞれ通過する循環空気を減少させること
により、予熱室６ａ，６ｂ、第１，第２のリフロー加熱
室７ａ，７ｂへの供給熱量をそれぞれ減少させる。この
時の予熱室６ａ，６ｂ、第１，第２のリフロー加熱室７
ａ，７ｂのそれぞれの各内壁の炉壁温度がリフロー処理
時の所定温度に保たれるように、上記待機用流量Ｑ３を
設定する。この時、予熱室６ａ，６ｂ、第１，第２のリ
フロー加熱室７ａ，７ｂへの供給熱量がリフロー処理時
より減少しているので、ヒータ９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ
の消費電力Ｗ２は、シロッコファン１２ａ，１２ｂ，１
２ｃ，１２ｄの流量がリフロー処理時の所定流量Ｑ１で
あるときの消費電力Ｗ１に比べて少なくなる。As shown in FIG. 8, when the circuit board 2 is not in the reflow device 1, the controller 21 changes the flow rates of the sirocco fans 12a, 12b, 12c and 12d from a predetermined flow rate Q1 during the reflow processing to a standby flow rate. Switching to Q3 (where Q3 <Q1), the heaters 9a, 9b, 9
The amount of heat supplied to the preheating chambers 6a, 6b and the first and second reflow heating chambers 7a, 7b is reduced by reducing the amount of circulating air passing through c, 9d, respectively. At this time, the preheating chambers 6a and 6b, the first and second reflow heating chambers 7
The standby flow rate Q3 is set so that the furnace wall temperature of each of the inner walls a and 7b is maintained at a predetermined temperature during the reflow process. At this time, since the amount of heat supplied to the preheating chambers 6a, 6b and the first and second reflow heating chambers 7a, 7b is smaller than that during the reflow processing, the heaters 9a, 9b, 9c, 9d are used.
Power consumption W2 of the sirocco fans 12a, 12b, 1
The power consumption W1 when the flow rates 2c and 12d are the predetermined flow rate Q1 at the time of the reflow process is smaller.

【００５９】一方、装置入口４の回路基板通過監視セン
サ１８ａが回路基板２の通過を検出した時、コントロー
ラ２１により、シロッコファン１２ａ，１２ｂ，１２
ｃ，１２ｄの流量を待機用流量Ｑ３からリフロー処理時
の所定流量Ｑ１に復帰させる。すなわち、装置入口４の
回路基板通過監視センサ１８ａが回路基板２の通過を検
出したのち、当該回路基板２が搬送部３で搬送されて最
初の加熱室である予備室６ａに入るときには、循環空気
流量がＱ３からＱ１に復帰しているようにコントローラ
２１により制御している。このときの流量Ｑ３は、例え
ば、リフロー処理時の所定流量Ｑ１の半分程度とする。On the other hand, when the circuit board passage monitoring sensor 18a at the apparatus entrance 4 detects the passage of the circuit board 2, the controller 21 causes the sirocco fans 12a, 12b, 12
The flow rates c and 12d are returned from the standby flow rate Q3 to the predetermined flow rate Q1 during the reflow process. That is, after the circuit board passage monitoring sensor 18a at the apparatus entrance 4 detects the passage of the circuit board 2, when the circuit board 2 is transferred by the transfer unit 3 and enters the preliminary chamber 6a which is the first heating chamber, the circulating air The controller 21 controls the flow rate to return from Q3 to Q1. At this time, the flow rate Q3 is, for example, about half of the predetermined flow rate Q1 during the reflow process.

【００６０】これらの動作については、作業者が装置内
の回路基板２の有無を確認し、手動にてシロッコファン
１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの流量設定を切替えて
もよい。Regarding these operations, the operator may check the presence or absence of the circuit board 2 in the apparatus and manually switch the flow rate setting of the sirocco fans 12a, 12b, 12c, 12d.

【００６１】以上の構成によれば、回路基板２が装置内
に無い場合に、加熱空気の流量をリフロー処理時の所定
流量Ｑ１より少ない待機用流量Ｑ３に切替えて制御する
ことで供給熱量を制御することができ、消費電力を低減
させることができるリフロー装置を実現できる。According to the above configuration, when the circuit board 2 is not in the apparatus, the flow rate of the heated air is controlled by switching the flow rate of the heated air to the standby flow rate Q3 smaller than the predetermined flow rate Q1 in the reflow process. And a reflow device capable of reducing power consumption can be realized.

【００６２】（第３実施形態）図９は、本発明の第３実
施形態のリフロー装置及び方法の動作タイミングチャー
トである。(Third Embodiment) FIG. 9 is an operation timing chart of a reflow apparatus and method according to a third embodiment of the present invention.

【００６３】本第３実施形態は、図３に示すように、上
記第１実施形態のリフロー装置１における、装置入口４
及び出口５において、回路基板の通過監視センサ１８
ａ，１８ｂにおいて検出された信号を、コントローラ２
０にそれぞれ入力し、リフロー装置内の回路基板２の有
無を検出し、予熱室６ａ，６ｂ、第１，第２のリフロー
加熱室７ａ，７ｂへの設定温度を高温ｔ３から低温ｔ４
に切替えるものである。In the third embodiment, as shown in FIG. 3, the apparatus inlet 4 in the reflow apparatus 1 of the first embodiment is used.
And at the outlet 5 a passage monitoring sensor 18 of the circuit board
a, 18b are sent to the controller 2
0, the presence or absence of the circuit board 2 in the reflow device is detected, and the set temperatures for the preheating chambers 6a and 6b and the first and second reflow heating chambers 7a and 7b are changed from the high temperature t3 to the low temperature t4.
Is switched to

【００６４】図９に示すように、回路基板２がリフロー
装置１内に無い時は、コントローラ２１により、ヒータ
９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄの加熱温度をリフロー処理時の
所定温度ｔ３から待機温度ｔ４（ただし、ｔ４＜ｔ３）
に切替え、予熱室６ａ，６ｂ、第１，第２のリフロー加
熱室７ａ，７ｂの各雰囲気温度を低下させることによ
り、ヒータ９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄの負荷を減少させ
る。この時のシロッコファン１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，
１２ｄの流量は、リフロー処理時の流量に保たれてい
る。この時、予熱室６ａ，６ｂ、第１，第２のリフロー
加熱室７ａ，７ｂへの供給熱量がリフロー処理時より減
少しているので、ヒータ９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄの消費
電力Ｗ２は、シロッコファン１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，
１２ｄの流量がリフロー処理時の所定流量Ｑ１であると
きの消費電力Ｗ１に比べて少なくなる。As shown in FIG. 9, when the circuit board 2 is not in the reflow device 1, the controller 21 changes the heating temperature of the heaters 9a, 9b, 9c, 9d from a predetermined temperature t3 during the reflow process to a standby temperature t4. (However, t4 <t3)
The load on the heaters 9a, 9b, 9c, 9d is reduced by lowering the ambient temperatures of the preheating chambers 6a, 6b and the first and second reflow heating chambers 7a, 7b. At this time, the sirocco fans 12a, 12b, 12c,
The flow rate of 12d is maintained at the flow rate during the reflow process. At this time, since the amount of heat supplied to the preheating chambers 6a, 6b and the first and second reflow heating chambers 7a, 7b is smaller than that during the reflow processing, the power consumption W2 of the heaters 9a, 9b, 9c, 9d is: Sirocco fans 12a, 12b, 12c,
The power consumption W1 when the flow rate of 12d is the predetermined flow rate Q1 during the reflow process is smaller.

【００６５】一方、装置入口４の回路基板通過監視セン
サ１８ａが回路基板２の通過を検出した時、コントロー
ラ２１により、ヒータ９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄの加熱温
度を待機温度ｔ４からリフロー処理時の所定温度ｔ３に
復帰させる。On the other hand, when the circuit board passage monitoring sensor 18a at the apparatus entrance 4 detects the passage of the circuit board 2, the controller 21 changes the heating temperature of the heaters 9a, 9b, 9c, 9d from the standby temperature t4 during the reflow process. The temperature is returned to the predetermined temperature t3.

【００６６】これらの動作については、作業者がリフロ
ー装置１内の回路基板２の有無を確認し、手動にて予熱
室６ａ，６ｂ、第１，第２のリフロー加熱室７ａ，７ｂ
のヒータ９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄの温度設定を切替えて
もよい。For these operations, the operator checks the presence or absence of the circuit board 2 in the reflow device 1 and manually operates the preheating chambers 6a and 6b, and the first and second reflow heating chambers 7a and 7b.
The temperature setting of the heaters 9a, 9b, 9c, 9d may be switched.

【００６７】以上の構成によれば、回路基板２が装置内
に無い場合に、ヒータ９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄの加熱温
度をリフロー処理時の所定温度ｔ３から待機温度ｔ４に
切替えて加熱空気の温度を制御することで供給熱量を制
御することができ、消費電力を低減させることができる
リフロー装置を実現できる。According to the above configuration, when the circuit board 2 is not in the apparatus, the heating temperature of the heaters 9a, 9b, 9c, 9d is switched from the predetermined temperature t3 at the time of the reflow process to the standby temperature t4 to change the heating air. By controlling the temperature, the amount of heat supplied can be controlled, and a reflow device that can reduce power consumption can be realized.

【００６８】また、上記各実施形態においては、上記リ
フロー装置１を用いて、各加熱室すなわち予熱室６ａ，
６ｂ、第１，第２のリフロー加熱室７ａ，７ｂの流量を
制御して、各加熱室内への供給熱量を制御し、各加熱室
を所定温度に安定させ、任意の生産条件に対して、半田
溶融による電子部品２ａの回路基板２への半田付けを行
うことができるが、これに限られるものではなく、同様
な構造でもっても、加熱対象物を電子部品固定用熱硬化
性接着剤又は電子部品（例えばＩＣチップ）の封止樹脂
として、その熱硬化性接着剤又は封止樹脂を予熱室６
ａ，６ｂで予備加熱したのち、第１，第２のリフロー加
熱室言い換えればこの例では硬化用加熱室７ａ，７ｂで
熱硬化性接着剤又は封止樹脂を硬化させることもでき
る。In each of the above embodiments, each of the heating chambers, ie, the preheating chambers 6a,
6b, controlling the flow rate of the first and second reflow heating chambers 7a and 7b to control the amount of heat supplied to each heating chamber, stabilizing each heating chamber at a predetermined temperature, and for any production conditions, The electronic component 2a can be soldered to the circuit board 2 by solder melting. However, the present invention is not limited to this. Even with a similar structure, the object to be heated may be a thermosetting adhesive for fixing the electronic component or As a sealing resin for an electronic component (for example, an IC chip), the thermosetting adhesive or the sealing resin is applied to the preheating chamber 6.
After preheating at a and 6b, the thermosetting adhesive or the sealing resin can be cured in the first and second reflow heating chambers, in other words, in this example, in the curing heating chambers 7a and 7b.

【００６９】このような加熱装置及び方法では、上記各
実施形態と同様の動作及び、効果を得ることができる。With such a heating device and method, the same operations and effects as those of the above embodiments can be obtained.

【００７０】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ものではなく、その他種々の態様で実施できる。The present invention is not limited to the above embodiment, but can be implemented in various other modes.

【００７１】例えば、予熱室６ａ、予熱室６ｂ、第１の
リフロー加熱室７ａ、第２のリフロー加熱室７ｂでのシ
ロッコファン１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの流量を
個別に制御させることもできる。また、予熱室６ａ、予
熱室６ｂは変更せずに、第１のリフロー加熱室７ａ、第
２のリフロー加熱室７ｂでのシロッコファン１２ｃ，１
２ｄの流量を個別に制御させることもできる。また、加
熱処理の待機時に、予熱室６ａ、予熱室６ｂ、第１のリ
フロー加熱室７ａ、第２のリフロー加熱室７ｂでのシロ
ッコファン１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの流量を順
に低下させるように制御することもできる。For example, the flow rates of the sirocco fans 12a, 12b, 12c, and 12d in the preheating chamber 6a, the preheating chamber 6b, the first reflow heating chamber 7a, and the second reflow heating chamber 7b can be individually controlled. Further, the sirocco fans 12c, 1 in the first reflow heating chamber 7a and the second reflow heating chamber 7b are not changed without changing the preheating chamber 6a and the preheating chamber 6b.
The flow rate of 2d can be individually controlled. In addition, during standby for the heating process, the flow rates of the sirocco fans 12a, 12b, 12c, and 12d in the preheating chamber 6a, the preheating chamber 6b, the first reflow heating chamber 7a, and the second reflow heating chamber 7b are sequentially reduced. It can also be controlled.

【００７２】また、本発明は、図１のように加熱空気を
循環させるのではなく、図１４〜図１５に示すように加
熱空気を供給する場合にも適用することができる。すな
わち、図１４は本発明の他の実施形態にかかる非循環タ
イプの加熱装置のノズル部の構成を示す。図１４におい
て、２０２ａはパネルヒーター、２０２ｂはノズル、１
６ａ，１６ｂは基板搬送部、２は電子部品実装基板、２
０２ｅはノズル２０２ｂにあけられた小孔の列を示す。
２０２ｆは加熱器である。外部より供給された空気は加
熱器２０２ｆにより所定の温度に加熱される。この加熱
された空気がノズル２０２ｂ内を通り、小孔列２０２ｅ
より熱風として吹き出される。搬送部１６ａ，１６ｂに
よって各加熱ゾーン内を通過する電子部品実装基板２
は、こうして上下面よりパネルヒータ２０２ａの発する
赤外線による加熱と、ノズル２０２ｂより吹き出す熱風
を媒体とする熱伝達による加熱の相方の手段によって、
基板２内部からも外表面からも加熱される。図１５は、
図１４に示す熱風吹き出しノズルである。図中、２０５
ａはパネルヒーター側へ４５℃の角度をもってあけられ
た熱風吹き出し孔である。２は、炉内へ搬送されてきた
電子部品実装基板である。図中矢印は炉内の空気の流れ
を示す。矢印２０５ｃはノズル２０２ｂから搬送面へ向
けて吹きつける一定温度の熱風の流れであり、矢印２０
５ｄはノズル２０２ｂから吹きつけられた熱風のはねか
えりによって得られる雰囲気の流れである。太い矢印２
０５ｅは、熱風吹き出し孔２０５ａによってつくられた
炉内雰囲気の流れである。以上の構成によれば、炉内へ
基板２が搬送されてくると、基板２は一定温度の熱風２
０５ｃとパネルヒーター２０５ｆの出す赤外線によって
加熱される。基板２へ熱を伝達した後の冷やされた熱風
２０５ｄは炉内に残るが、気流２０５ｅによってすみや
かに排気２０５ｇとなり炉外へ排出される。これによ
り、炉内雰囲気温度が基板２の搬入により低下してしま
うことがない為、パネルヒータ２０５ｆの温度も安定す
る。したがって、基板２の加熱は、一定温度の熱風と一
定温度のパネルヒータからの赤外線によって行うことが
できる。こうして、基板２が、逐次連続して炉内へ搬入
されてきても、基板２の半田付けにおいては常に同一の
温度プロファイルが得られることになる。更に、雰囲気
が炉内を常時循環排気する構造により、クリーム半田基
板２により生ずる加熱時の蒸発物の排気も非常にすみや
かに行われる。よって、本発明の上記各実施形態は、全
て、図１の循環タイプの加熱装置のみならず、図１４の
ような非循環タイプの加熱装置にも適用することができ
る。The present invention can be applied not only to the circulation of heated air as shown in FIG. 1, but also to the supply of heated air as shown in FIGS. That is, FIG. 14 shows a configuration of a nozzle portion of a non-circulation type heating device according to another embodiment of the present invention. 14, 202a is a panel heater, 202b is a nozzle, 1
Reference numerals 6a and 16b denote board transport units, 2 denotes an electronic component mounting board, 2
02e indicates a row of small holes formed in the nozzle 202b.
202f is a heater. The air supplied from the outside is heated to a predetermined temperature by the heater 202f. The heated air passes through the inside of the nozzle 202b to form a small hole row 202e.
It is blown out as hot air. Electronic component mounting board 2 that passes through each heating zone by transport units 16a and 16b
Is heated by the infrared rays emitted from the panel heater 202a from the upper and lower surfaces in this way, and by means of heating by heat transfer using hot air blown out from the nozzle 202b as a medium,
The substrate 2 is heated from both inside and outside. FIG.
It is a hot air blowing nozzle shown in FIG. In the figure, 205
“a” is a hot air blowing hole opened at an angle of 45 ° C. to the panel heater side. Reference numeral 2 denotes an electronic component mounting board that has been transported into the furnace. Arrows in the figure indicate the flow of air in the furnace. An arrow 205c indicates a flow of hot air having a constant temperature blown from the nozzle 202b toward the transfer surface.
5d is the flow of the atmosphere obtained by the rebound of the hot air blown from the nozzle 202b. Thick arrow 2
05e is a flow of the atmosphere in the furnace created by the hot-air blowing holes 205a. According to the above configuration, when the substrate 2 is transported into the furnace, the substrate 2
05c and the infrared rays emitted from the panel heater 205f. The cooled hot air 205d after transferring the heat to the substrate 2 remains in the furnace, but is quickly exhausted 205g by the airflow 205e and discharged to the outside of the furnace. Thus, the temperature of the panel heater 205f is stabilized because the furnace ambient temperature does not decrease due to the loading of the substrate 2. Therefore, the substrate 2 can be heated by hot air at a constant temperature and infrared rays from a panel heater at a constant temperature. Thus, even if the substrate 2 is successively and continuously carried into the furnace, the same temperature profile is always obtained in the soldering of the substrate 2. Further, due to the structure in which the atmosphere constantly circulates and exhausts the inside of the furnace, the evaporant generated by the cream solder substrate 2 at the time of heating is exhausted very quickly. Therefore, each of the above embodiments of the present invention can be applied not only to the circulation type heating device of FIG. 1 but also to a non-circulation type heating device as shown in FIG.

【００７３】また、本発明のさらに他の実施形態とし
て、図１６〜図１８に示すような遠赤外線タイプの加熱
装置に適用することもできる。すなわち、上記ヒータと
同様に、遠赤ヒータ４０１を制御させることもできる。
図において、４００は熱風ノズル、４０２は熱風、４０
３は遠赤輻射熱である。この場合、少なくとも、第１の
リフロー加熱室７ａ、第２のリフロー加熱室７ｂにおい
て遠赤外線のヒータ４０１の温度を制御して、待機時に
低下させることが好ましい。Further, as still another embodiment of the present invention, the present invention can be applied to a far-infrared type heating device as shown in FIGS. That is, the far-infrared heater 401 can be controlled similarly to the above-described heater.
In the figure, 400 is a hot air nozzle, 402 is hot air, 40
3 is far-infrared radiation heat. In this case, it is preferable to control the temperature of the far-infrared heater 401 in at least the first reflow heating chamber 7a and the second reflow heating chamber 7b to lower the temperature during standby.

【００７４】また、上記各実施形態においては、炉壁温
度が所定温度に達するまでタイマーにより所定時間経過
するまで待機するようにしているが、これに限らず、図
１及び図３に示すように、各室に炉壁温度センサ１１７
を設けて、炉壁温度センサ１１７により炉壁温度が所定
温度に達したことを検出すると、コントローラ２１の制
御により、リフロー処理の許可信号を出力するようにし
てもよい。このような構成によれば、炉壁温度が所定温
度に完全に達しなくとも、所定温度に達するまでの許容
範囲内に達したことを炉壁温度センサ１１７が検出する
と、リフロー処理の許可信号を出力するようにしてもよ
い。また、各実施形態の冷却室８の送風量についても同
様の制御を行っても良い。In each of the above embodiments, the timer waits until the furnace wall temperature reaches the predetermined temperature until a predetermined time elapses. However, the present invention is not limited to this. As shown in FIGS. , A furnace wall temperature sensor 117 in each chamber
When the furnace wall temperature sensor 117 detects that the furnace wall temperature has reached a predetermined temperature, the controller 21 may output a permission signal for reflow processing. According to such a configuration, even if the furnace wall temperature does not completely reach the predetermined temperature, the furnace wall temperature sensor 117 detects that the furnace wall temperature has reached the allowable range until the furnace temperature reaches the predetermined temperature, and then the reflow processing permission signal is output. You may make it output. Further, the same control may be performed on the amount of air blown from the cooling chamber 8 in each embodiment.

【００７５】また、上記各実施形態は、上記したように
部品が搭載された基板に限らず、例えば、ウェハ状態で
インターポーザー用基板が半田バンプなどの接合材を介
して接合されたウェハ、又は、部品が搭載されていない
状態で部品搭載用のバンプなどの接合材を有するウェハ
などの加熱処理に対して適用することにより、基板、ウ
ェハ、部品、接合材などに対して最適な状態で、加熱対
象物に対する加熱処理が不要なときの加熱ガスの供給熱
量（例えば流量や温度）を、上記加熱対象物に対する加
熱処理が必要なときの上記ガスの供給熱量（例えば流量
や温度）より低くするように、上記ガスの供給熱量（例
えば流量や温度）を制御することにより、被装着体の加
熱処理が不要なときの消費電力を低減させることができ
たり、又は、上記加熱室の雰囲気温度を設定変更すると
き、上記加熱室の温度を別の所定温度まで設定変更を行
うとき、上記ガスの供給熱量（例えば流量）を、上記加
熱室の温度の設定変更を行わないときの上記ガスの供給
熱量（例えば流量）よりも増加させるように、上記ガス
供給熱量（例えば流量）を制御するようにすれば、加熱
室が所定温度に到達するまでの所要時間を短縮すること
ができ、生産性を向上させ、さらに、加熱室の温度設定
変更に要する時間が短縮されるため、消費電力を低減さ
せることができる。よって、上記加熱装置及び加熱方法
での上記ガス供給熱量の制御動作において、基板や部品
などの被接合体の耐熱温度を考慮しつつより精度よく加
熱制御も行うことができるとともに、熱によるウェハな
どの被接合体の大きなそりの発生を抑制することもで
き、加熱対象物としての半田や接着剤などの接合材をそ
れらの最適温度により精度よく加熱制御することもでき
る。Further, each of the above embodiments is not limited to the substrate on which components are mounted as described above. For example, a wafer in which a substrate for an interposer is bonded via a bonding material such as a solder bump in a wafer state, or By applying to the heat treatment of a wafer with a bonding material such as a bump for component mounting in a state where the component is not mounted, in an optimal state for the substrate, wafer, component, bonding material, etc. The supply heat amount (for example, flow rate or temperature) of the heating gas when the heating process for the heating target is unnecessary is lower than the supply heat amount (for example, flow rate or temperature) of the gas when the heating process for the heating target is necessary. As described above, by controlling the amount of heat supplied to the gas (for example, the flow rate or the temperature), the power consumption when the heat treatment of the mounted body is unnecessary can be reduced, or When changing the setting of the ambient temperature of the heating chamber, when changing the setting of the temperature of the heating chamber to another predetermined temperature, the setting of the heat supply amount (for example, flow rate) of the gas is not changed. By controlling the gas supply heat quantity (for example, flow rate) so as to be greater than the gas supply heat quantity (for example, flow rate) at the time, the time required for the heating chamber to reach a predetermined temperature can be shortened. As a result, the productivity is improved, and the time required for changing the temperature setting of the heating chamber is reduced, so that the power consumption can be reduced. Therefore, in the control operation of the gas supply heat amount in the heating device and the heating method, the heating control can be performed more accurately while taking into consideration the heat-resistant temperature of the object to be bonded such as a substrate or a component, and a wafer or the like by heat. It is also possible to suppress the occurrence of large warpage of the object to be bonded, and to control the heating of the bonding material such as solder or adhesive as the object to be heated with high accuracy at their optimum temperature.

【００７６】上記実施形態のリフロー装置は、実験によ
ると、温度設定変更時にシロッコファンの流量を１．２
〜１．５倍の流量に切替えることで、約３０℃の温度設
定変更幅では、予熱室第１，第２のリフロー加熱室内部
が熱的に飽和状態になり、シロッコファンの流量をリフ
ロー処理時の所定流量に切替え、循環空気の流れ、及び
予熱室第１，第２のリフロー加熱室温度が安定していれ
ば、シロッコファンの流量を復帰直後から、回路基板の
リフロー処理ピーク温度の、回路基板間及び、時間変化
に対してのばらつきが約３℃以内に納まり、安定したリ
フロー処理が可能であることが実証されている。この
時、装置消費電力が室温からの設定変更時間が従来の約
４０分から、約３０分まで（約２５％削減）の削減効果
を得ると同時に、消費電力量が約１４ｋＷＨから、約１
０ｋＷＨ（約４０％削減）の削減効果を実証している。According to an experiment, the reflow apparatus of the above-described embodiment reduces the flow rate of the sirocco fan by 1.2 when the temperature setting is changed.
By switching the flow rate up to 1.5 times, in the temperature setting change range of about 30 ° C., the insides of the first and second reflow heating chambers are thermally saturated, and the flow rate of the sirocco fan is reflowed. Switch to the predetermined flow rate at the time, if the circulating air flow, and the preheating chamber first and second reflow heating chamber temperatures are stable, immediately after returning the flow rate of the sirocco fan, the reflow processing peak temperature of the circuit board, Variations between circuit boards and changes over time are kept within about 3 ° C., and it has been proved that stable reflow processing is possible. At this time, the setting change time of the apparatus power consumption from room temperature is reduced from about 40 minutes to about 30 minutes (reduced by about 25%), and the power consumption is reduced from about 14 kWH to about 1
It demonstrates a reduction effect of 0 kWH (about 40% reduction).

【００７７】さらに、温度変更幅が約３０℃付近である
と、その効果は大きく、設定変更時間が従来の約４０分
から、約１０分まで（約７５％削減）の削減効果を実証
している。Further, when the temperature change width is about 30 ° C., the effect is great, and the effect of reducing the setting change time from about 40 minutes to about 10 minutes (about 75% reduction) is demonstrated. .

【００７８】また、ほかの実験によると、待機時におい
て、リフロー処理時と比較してシロッコファンの流量を
２０％〜２５％減少させることにより、消費電力が約６
ｋＷから約５ｋＷになり、約１ｋＷ（約１０％削減）の
削減効果を実証している。この時も、シロッコファンの
流量を復帰直後から、回路基板のリフロー処理ピーク温
度の、回路基板間及び、時間変化に対してのばらつきが
約３℃以内に納まり、安定したリフロー処理が可能であ
ることが実証されている。According to another experiment, by reducing the flow rate of the sirocco fan by 20% to 25% in the standby state as compared with the reflow processing, the power consumption is reduced by about 6%.
The power consumption has been reduced from kW to about 5 kW, demonstrating a reduction effect of about 1 kW (about 10% reduction). Also at this time, immediately after the flow rate of the sirocco fan is restored, the variation in the peak temperature of the reflow processing of the circuit boards between the circuit boards and with respect to the time change falls within about 3 ° C., and the stable reflow processing is possible. Has been demonstrated.

【００７９】[0079]

【発明の効果】本発明によれば、加熱対象物に対する加
熱処理が不要なときの加熱ガスの供給熱量（例えば流量
や温度）を、上記加熱対象物に対する加熱処理が必要な
ときの上記ガスの供給熱量（例えば流量や温度）より低
くするように、上記ガスの供給熱量（例えば流量や温
度）を制御することにより、被接合体の加熱処理が不要
なときの消費電力を低減させることができる。According to the present invention, the amount of heat supplied (for example, the flow rate and the temperature) of the heating gas when the heating process is not required for the object to be heated is reduced by the amount of the gas supplied when the heating process is required for the object to be heated. By controlling the supply heat amount (for example, flow rate or temperature) of the gas so as to be lower than the supply heat amount (for example, flow rate or temperature), it is possible to reduce the power consumption when the heat treatment of the joined body is unnecessary. .

【００８０】また、本発明においては、上記加熱室の雰
囲気温度を設定変更するとき、上記加熱室の温度を別の
所定温度まで設定変更を行うとき、上記ガスの供給熱量
（例えば流量）を、上記加熱室の温度の設定変更を行わ
ないときの上記ガスの供給熱量（例えば流量）よりも増
加させるように、上記ガス供給熱量（例えば流量）を制
御するようにすれば、加熱室が所定温度に到達するまで
の所要時間を短縮することができ、生産性を向上させ、
さらに、加熱室の温度設定変更に要する時間が短縮され
るため、消費電力を低減させることができる。Further, in the present invention, when the setting of the atmosphere temperature of the heating chamber is changed, or when the setting of the temperature of the heating chamber is changed to another predetermined temperature, the supply heat amount (for example, the flow rate) of the gas is changed. If the gas supply heat quantity (for example, flow rate) is controlled so as to be higher than the gas supply heat quantity (for example, flow rate) when the setting change of the heating chamber temperature is not performed, the heating chamber becomes at a predetermined temperature. Can reduce the time it takes to reach, improve productivity,
Further, since the time required for changing the temperature setting of the heating chamber is reduced, power consumption can be reduced.

【００８１】また、本発明においては、上記構成におい
て、上記被接合体が上記加熱室を含む加熱装置の出入口
を通過したか否かを検知し、上記ガス供給熱量制御を行
うとき、上記加熱方法内に上記被接合体が有ると検知さ
れたとき、上記加熱対象物に対する加熱処理が必要なと
きであると判断して上記ガスの供給熱量（例えば流量や
温度）として加熱処理用の供給熱量（例えば流量や温
度）を供給する一方、上記加熱方法内に上記被接合体が
無いと検知されたとき、上記加熱対象物に対する加熱処
理が不要なときであると判断して上記ガスの供給熱量
（例えば流量や温度）として上記加熱処理用の供給熱量
（例えば流量や温度）より低い待機用の供給熱量（例え
ば流量や温度）を供給するように制御すれば、待機時の
上記ガスの供給熱量（例えば流量や温度）を低減させる
ことができ、消費電力を低減させることができる。Further, in the present invention, in the above configuration, it is detected whether or not the article to be bonded has passed through an entrance / exit of a heating device including the heating chamber, and when the gas supply calorie control is performed, the heating method is used. When it is detected that the object to be bonded is present within the object, it is determined that the heating process is required for the object to be heated, and the supply heat amount (for example, flow rate or temperature) of the gas is determined as the supply heat amount ( For example, while supplying the flow rate or temperature), when it is detected that the object to be bonded is not present in the heating method, it is determined that the heating process on the object to be heated is unnecessary, and the heat supply amount of the gas ( If the supply heat amount (for example, flow rate or temperature) for standby is lower than the supply heat amount for heat treatment (for example, flow rate or temperature) as the supply heat amount (for example, flow rate or temperature), the heat supply amount of the gas during standby (for example, flow rate or temperature) is controlled. If example it is possible to reduce the flow rate and temperature), power consumption can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】 本発明の第１，第２，第３実施形態のリフロ
ー装置の側面図である。FIG. 1 is a side view of a reflow device according to first, second, and third embodiments of the present invention.

【図２】 図１のリフロー装置の正面図である。FIG. 2 is a front view of the reflow device of FIG.

【図３】 図１のリフロー装置の制御関係の構成を示す
ブロック図である。FIG. 3 is a block diagram showing a configuration related to control of the reflow device of FIG. 1;

【図４】 図１のリフロー装置の温度プロファイルを示
す図である。FIG. 4 is a diagram showing a temperature profile of the reflow device of FIG. 1;

【図５】 図１のリフロー装置の各室の加熱空気温度を
示す図である。FIG. 5 is a view showing the temperature of heated air in each chamber of the reflow device of FIG. 1;

【図６】 本発明の第１実施形態のリフロー装置の動作
タイミングチャートである。FIG. 6 is an operation timing chart of the reflow device according to the first embodiment of the present invention.

【図７】 本発明の第１実施形態のリフロー装置の動作
タイミングチャートである。FIG. 7 is an operation timing chart of the reflow device according to the first embodiment of the present invention.

【図８】 本発明の第２実施形態のリフロー装置の動作
タイミングチャートである。FIG. 8 is an operation timing chart of the reflow device according to the second embodiment of the present invention.

【図９】 本発明の第３実施形態のリフロー装置の動作
タイミングチャートである。FIG. 9 is an operation timing chart of the reflow device according to the third embodiment of the present invention.

【図１０】 従来例のリフロー装置の正面図である。FIG. 10 is a front view of a conventional reflow apparatus.

【図１１】 その側面図である。FIG. 11 is a side view thereof.

【図１２】 従来例のリフロー装置の動作タイミングチ
ャートである。FIG. 12 is an operation timing chart of a conventional reflow apparatus.

【図１３】 従来例のリフロー装置の動作タイミングチ
ャートである。FIG. 13 is an operation timing chart of the conventional reflow apparatus.

【図１４】 本発明の他の実施形態にかかる非循環タイ
プの加熱装置の斜視図である。FIG. 14 is a perspective view of a non-circulation type heating device according to another embodiment of the present invention.

【図１５】 図１４の非循環タイプの加熱装置において
熱風噴出しを利用した炉内雰囲気の空気の流れ図であ
る。FIG. 15 is a flow chart of air in a furnace atmosphere using hot air jets in the non-circulation type heating device of FIG. 14;

【図１６】 本発明のさらに他の実施形態にかかる遠赤
外線タイプの加熱装置の概略側面図である。FIG. 16 is a schematic side view of a far-infrared type heating device according to still another embodiment of the present invention.

【図１７】 図１６の遠赤外線タイプの加熱装置の概略
正面図である。17 is a schematic front view of the far-infrared type heating device of FIG.

【図１８】 図１６の遠赤外線タイプの加熱装置の熱風
ノズル部分の概略拡大側面図である。18 is a schematic enlarged side view of a hot air nozzle part of the far-infrared ray type heating device of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ リフロー装置、 １ａ 炉体部、 ２ 回路基板、 ２ａ 電子部品、 ３ 搬送部、 ４ 装置入口、 ５ 装置出口、 ６ａ、６ｂ 予熱室、 ７ａ、７ｂ 加熱室、 ８ 冷却室、 ９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄ ヒータ、 １１ 冷却用軸流ファン、 １２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ シロッ
コファン、 １３ 循環空気流、 １４ 流量制御装置、 １５ａ、１５ｂ 電力供給源、 １７ａ、１７ｂ 予熱室温度監視センサ、 １７ｃ、１７ｄ 加熱室温度監視センサ、 １８ａ、１８ｂ 回路基板通過監視センサ、 １９ａ、１９ｂ 予熱室ヒータ用温調器、 １９ｃ、１９ｄ 加熱室ヒータ用温調器、 ２０ シロッコファン用インバータ、 ２１ コントローラ、 １１７ 炉壁温度センサ、 ２０２ａ パネルヒーター、 ２０２ｂ ノズル、 ２０２ｅ 小孔の列、 ２０２ｆ 加熱器、 ２０５ａ 熱風吹き出し孔、 ４００ 遠赤外線タイプの加熱装置の熱風ノ
ズル、 ４０１ 遠赤外線ヒータ、 ４０２ 熱風、 ４０３ 遠赤輻射熱DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Reflow apparatus, 1a furnace body part, 2 circuit board, 2a electronic component, 3 conveyance part, 4 apparatus entrance, 5 apparatus exit, 6a, 6b preheating room, 7a, 7b heating room, 8 cooling room, 9a, 9b, 9c , 9d heater, 11 cooling axial flow fan, 12a, 12b, 12c, 12d sirocco fan, 13 circulating air flow, 14 flow control device, 15a, 15b power supply source, 17a, 17b preheating chamber temperature monitoring sensor, 17c, 17d Heating room temperature monitoring sensor, 18a, 18b Circuit board passage monitoring sensor, 19a, 19b Preheating room heater temperature controller, 19c, 19d Heating room heater temperature controller, 20 Sirocco fan inverter, 21 controller, 117 furnace wall temperature Sensor, 202a panel heater, 202b nozzle, 202e row of small holes, 202f heater, 205a Wind blowing holes, 400 far hot air nozzles of the infrared type heating apparatus, 401 far infrared heater, 402 hot air, 403 far-radiant

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 永福 信育 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 松本 邦世 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────の Continuing on the front page (72) Nobunaga Eifuku 1006 Kazuma Kadoma, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (72) Kuniyo Matsumoto 1006 Kazama Kadoma Kadoma, Osaka Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Inside

Claims (18)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 加熱対象物を介して電子部品（２ａ）と
接合される被接合体（２）を搬送する搬送部（３）と、 加熱器（９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ）により所定温度に加
熱された所定流量の加熱ガスを、加熱源として、上記搬
送部により搬送される上記被接合体上に供給し、上記被
接合体上の上記加熱対象物を加熱する加熱室（６ａ，６
ｂ，７ａ，７ｂ）と、 上記加熱対象物に対する加熱処理が不要なときの上記ガ
スの供給熱量（Ｑ３，ｔ４）を、上記加熱対象物に対す
る加熱処理が必要なときの上記ガスの供給熱量（Ｑ１，
ｔ３）より低くするように、上記ガスの供給熱量を制御
するガス供給熱量制御装置（１４，２１）を備えたこと
を特徴とする加熱装置。1. A heating unit (9a, 9b, 9c, 9d) for transporting an object (2) to be joined to an electronic component (2a) via an object to be heated, and a heater (9a, 9b, 9c, 9d). The heating chamber (6a, 6a) which supplies the heating gas at a predetermined flow rate heated to the object to be conveyed by the conveyance unit as a heating source and heats the object to be heated on the object to be heated.
b, 7a, 7b) and the supply heat quantity (Q3, t4) of the gas when the heat treatment is not required for the heating target, and the supply heat quantity (Q3, t4) of the gas when the heat treatment is required for the heating target ( Q1,
A heating device comprising a gas supply calorie control device (14, 21) for controlling the supply calorie of the gas so as to make the temperature lower than t3). 【請求項２】 上記ガス供給熱量制御装置（１４，２
１）は、上記加熱対象物に対する加熱処理が不要なとき
の上記ガスの供給熱量を、上記加熱対象物に対する加熱
処理が必要なときの上記ガスの供給熱量より低くする一
方、上記加熱室の温度を別の所定温度まで設定変更を行
うとき、上記ガスの供給熱量を、上記加熱室の温度の設
定変更を行わないときの上記ガスの供給熱量よりも増加
させるように、上記ガス供給熱量を制御する請求項１に
記載の加熱装置。2. The gas supply calorie control device (14, 2).
1) The supply heat amount of the gas when the heat treatment is not required for the heating object is lower than the supply heat amount of the gas when the heat treatment is required for the heating object, while the temperature of the heating chamber is low. When changing the setting to another predetermined temperature, controlling the gas supply heat amount so that the supply heat amount of the gas is larger than the supply heat amount of the gas when the setting change of the temperature of the heating chamber is not performed. The heating device according to claim 1. 【請求項３】 上記ガス供給熱量制御装置（１４，２
１）は、上記加熱対象物に対する加熱処理が不要なとき
の上記ガスの供給熱量を、上記加熱対象物に対する加熱
処理が必要なときの上記ガスの供給熱量より低くする一
方、上記加熱室の温度を別の所定温度まで設定変更を行
うとき、上記ガスの供給流量（Ｑ２）を、上記加熱室の
温度の設定変更を行わないときの上記ガスの供給流量
（Ｑ１）よりも増加させるように、上記ガス供給流量を
制御するガス流量制御装置である請求項１に記載の加熱
装置。3. The gas supply calorie control device (14, 2).
1) The supply heat amount of the gas when the heat treatment is not required for the heating object is lower than the supply heat amount of the gas when the heat treatment is required for the heating object, while the temperature of the heating chamber is low. When the setting is changed to another predetermined temperature, the supply flow rate (Q2) of the gas is set to be larger than the supply flow rate (Q1) of the gas when the setting change of the temperature of the heating chamber is not performed. The heating device according to claim 1, wherein the heating device is a gas flow control device that controls the gas supply flow rate. 【請求項４】 加熱対象物を介して電子部品（２ａ）と
接合される被接合体（２）を搬送する搬送部（３）と、 加熱器（９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ）により所定温度に加
熱された所定流量の加熱ガスを、加熱源として、上記搬
送部により搬送される上記被接合体上に供給し、上記被
接合体上の上記加熱対象物を加熱する加熱室（６ａ，６
ｂ，７ａ，７ｂ）と、 上記加熱室の温度を別の所定温度まで設定変更を行うと
き、上記ガスの供給流量（Ｑ２）を、上記加熱室の温度
の設定変更を行わないときの上記ガスの供給流量（Ｑ
１）よりも増加させるように、上記ガス供給流量を制御
するガス流量制御装置（１４，２１）を備えたことを特
徴とする加熱装置。And a heater (9a, 9b, 9c, 9d) for transporting the article (2) to be joined to the electronic component (2a) via a heating object, and a heater (9a, 9b, 9c, 9d) to a predetermined temperature. The heating chamber (6a, 6a) which supplies the heating gas at a predetermined flow rate heated to the object to be conveyed by the conveyance unit as a heating source and heats the object to be heated on the object to be heated.
b, 7a, 7b) and when changing the setting of the temperature of the heating chamber to another predetermined temperature, changing the supply flow rate (Q2) of the gas to the gas when the setting of the temperature of the heating chamber is not changed. Supply flow rate (Q
A heating device comprising a gas flow control device (14, 21) for controlling the gas supply flow rate so as to increase the flow rate more than 1). 【請求項５】 上記被接合体上の加熱対象物は，上記電
子部品と上記被接合体とを接合する接合材である請求項
１〜４のいずれかに記載の加熱装置。5. The heating device according to claim 1, wherein the object to be heated on the object is a joining material for joining the electronic component and the object. 【請求項６】 上記被接合体上の加熱対象物は，上記電
子部品と上記被接合体とを接合する半田若しくは電子部
品固定用熱硬化性接着剤，又は，上記電子部品を封止す
る電子部品封止樹脂である請求項１〜４のいずれかに記
載の加熱装置。6. An object to be heated on the object to be joined may be a solder for joining the electronic component and the object to be joined or a thermosetting adhesive for fixing the electronic component, or an electronic material for sealing the electronic component. The heating device according to claim 1, wherein the heating device is a component sealing resin. 【請求項７】 上記被接合体が加熱装置出入口（４，
５）を通過したことを検出する被接合体検出装置（１８
ａ，１８ｂ）をさらに備えて，上記被接合体検出装置に
より加熱装置内の上記被接合体の有無を検知し，上記ガ
ス供給熱量制御装置（１４，２１）は，上記加熱装置内
に上記被接合体が有ると検知されたとき，上記加熱対象
物に対する加熱処理が必要なときであると判断して上記
ガスの供給熱量として加熱処理用の供給熱量を供給する
一方，上記加熱装置内に上記被接合体が無いと検知され
たとき，上記加熱対象物に対する加熱処理が不要なとき
であると判断して上記ガスの供給熱量として上記加熱処
理用の供給熱量より低い待機用の供給熱量を供給するよ
うに制御する請求項１〜６のいずれかに記載の加熱装
置。7. The heating device according to claim 6, wherein the object to be bonded is a heating device entrance / exit (4, 4).
5) A device for detecting a bonded object (18)
a, 18b), the presence / absence of the object in the heating device is detected by the object detection device, and the gas supply calorie control device (14, 21) is provided in the heating device. When it is detected that the joined body is present, it is determined that the heating process is required for the object to be heated, and the supply heat amount for the heating process is supplied as the supply heat amount of the gas, while the heating device is supplied into the heating device. When it is detected that there is no object to be joined, it is determined that the heating process on the object to be heated is unnecessary, and the supply heat amount of the gas, which is lower than the supply heat amount for the heat treatment, is supplied as the supply heat amount of the gas. The heating device according to any one of claims 1 to 6, wherein the heating device is controlled to perform heating. 【請求項８】 上記ガス供給熱量制御装置（１４，２
１）は，上記加熱装置内に上記被接合体が有ると検知さ
れたとき，上記加熱対象物に対する加熱処理が必要なと
きであると判断して上記ガスの供給熱量として加熱処理
用の供給流量を供給する一方，上記加熱装置内に上記被
接合体が無いと検知されたとき，上記加熱対象物に対す
る加熱処理が不要なときであると判断して上記ガスの供
給熱量として上記加熱処理用の供給流量より低い待機用
の供給流量を供給するように制御するガス供給流量制御
部（２０，２１）を備えている請求項７に記載の加熱装
置。8. The gas supply calorie control device (14, 2).
1) When it is detected that the object to be bonded is present in the heating device, it is determined that the heating process is required for the object to be heated, and the supply heat amount of the gas is determined as the supply heat amount of the gas. On the other hand, when it is detected that the object to be bonded is not present in the heating device, it is determined that the heating process for the object to be heated is unnecessary, and the supply heat amount of the gas is used as the heating amount for the heating process. The heating device according to claim 7, further comprising a gas supply flow rate control unit (20, 21) for controlling supply of a standby supply flow rate lower than the supply flow rate. 【請求項９】 上記ガス供給熱量制御装置（１４，２
１）は，上記加熱装置内に上記被接合体が有ると検知さ
れたとき，上記加熱対象物に対する加熱処理が必要なと
きであると判断して上記ガスの供給熱量として加熱処理
用の温度まで上記加熱ガスを加熱する一方，上記加熱装
置内に上記被接合体が無いと検知されたとき，上記加熱
対象物に対する加熱処理が不要なときであると判断して
上記ガスの供給熱量として上記加熱処理用の温度より低
い待機用の温度まで上記加熱ガスの温度を低下させるよ
うに制御するガス温度制御部（１９ａ，１９ｂ，１９
ｃ，１９ｄ，２１）を備えている請求項７に記載の加熱
装置。9. The gas supply calorie control device (14, 2)
1) When it is detected that the object to be bonded is present in the heating device, it is determined that heat treatment is required for the object to be heated, and the heat supply amount of the gas is reduced to a temperature for heat treatment. On the other hand, when it is detected that the object to be bonded is not present in the heating device while the heating gas is being heated, it is determined that the heating process for the object to be heated is unnecessary, and the heating amount of the gas is determined as the heat supply amount of the gas. A gas temperature control unit (19a, 19b, 19) for controlling the temperature of the heating gas to lower to a standby temperature lower than the processing temperature.
The heating device according to claim 7, comprising (c, 19d, 21). 【請求項１０】 加熱室（６ａ，６ｂ，７ａ，７ｂ）内
において，所定温度に加熱された所定流量の加熱ガス
を，加熱源として，搬送部（３）により搬送されかつ加
熱対象物を介して電子部品（２ａ）と接合される被接合
体（２）上に供給し，上記被接合体上の上記加熱対象物
を加熱し，上記加熱対象物に対する加熱処理が不要なと
きの上記ガスの供給熱量（Ｑ３，ｔ４）を，上記加熱対
象物に対する加熱処理が必要なときの上記ガスの供給熱
量（Ｑ１，ｔ３）より低くするように，上記ガスの供給
熱量を制御するようにしたことを特徴とする加熱方法。10. In a heating chamber (6a, 6b, 7a, 7b), a heating gas of a predetermined flow rate heated to a predetermined temperature is transferred by a transfer unit (3) as a heating source and is passed through an object to be heated. And supplying the gas to the object (2) to be joined to the electronic component (2a) to heat the object to be heated on the object to be joined. The heat supply amount of the gas is controlled so that the heat supply amount (Q3, t4) is lower than the heat supply amount (Q1, t3) of the gas when the heating process is required for the object to be heated. Characteristic heating method. 【請求項１１】 上記ガス供給熱量制御を行うとき，上
記加熱対象物に対する加熱処理が不要なときの上記ガス
の供給熱量を，上記加熱対象物に対する加熱処理が必要
なときの上記ガスの供給熱量より低くする一方，上記加
熱室の温度を別の所定温度まで設定変更を行うとき，上
記ガスの供給熱量を，上記加熱室の温度の設定変更を行
わないときの上記ガスの供給熱量よりも増加させるよう
に，上記ガス供給熱量を制御する請求項１０に記載の加
熱方法。11. When performing the gas supply heat quantity control, the supply heat quantity of the gas when the heat treatment for the heating target is unnecessary is determined by the supply heat quantity of the gas when the heat treatment for the heating target is required. On the other hand, when changing the setting of the temperature of the heating chamber to another predetermined temperature, the supply heat amount of the gas is increased more than the supply heat amount of the gas when the setting change of the temperature of the heating chamber is not performed. The heating method according to claim 10, wherein the gas supply heat amount is controlled so as to perform the heating. 【請求項１２】 上記ガス供給熱量制御を行うとき，上
記加熱対象物に対する加熱処理が不要なときの上記ガス
の供給熱量を，上記加熱対象物に対する加熱処理が必要
なときの上記ガスの供給熱量より低くする一方，上記加
熱室の温度を別の所定温度まで設定変更を行うとき，上
記ガスの供給流量（Ｑ２）を，上記加熱室の温度の設定
変更を行わないときの上記ガスの供給流量（Ｑ１）より
も増加させるように，上記ガス供給流量を制御する請求
項１０に記載の加熱方法。12. When performing the gas supply heat quantity control, the supply heat quantity of the gas when the heating processing for the heating target is unnecessary is determined by the supply heat quantity of the gas when the heating processing for the heating target is required. On the other hand, when the temperature of the heating chamber is changed to another predetermined temperature, the supply flow rate (Q2) of the gas is changed to the supply flow rate of the gas when the temperature setting of the heating chamber is not changed. The heating method according to claim 10, wherein the gas supply flow rate is controlled so as to increase the flow rate more than (Q1). 【請求項１３】 加熱室（６ａ，６ｂ，７ａ，７ｂ）内
において，所定温度に加熱された所定流量の加熱ガス
を，加熱源として，搬送部（３）により搬送されかつ加
熱対象物を介して電子部品（２ａ）と接合される被接合
体（２）上に供給し，上記被接合体上の上記加熱対象物
を加熱し，上記加熱室の温度を別の所定温度まで設定変
更を行うとき，上記ガスの供給流量（Ｑ２）を，上記加
熱室の温度の設定変更を行わないときの上記ガスの供給
流量（Ｑ１）よりも増加させるように，上記ガス供給流
量を制御するようにしたことを特徴とする加熱方法。13. In a heating chamber (6a, 6b, 7a, 7b), a heating gas of a predetermined flow rate heated to a predetermined temperature is transported as a heating source by a transport unit (3) and passed through an object to be heated. To the object (2) to be joined to the electronic component (2a) to heat the object to be heated on the object and change the setting of the temperature of the heating chamber to another predetermined temperature. At this time, the gas supply flow rate is controlled so that the gas supply flow rate (Q2) is larger than the gas supply flow rate (Q1) when the setting of the temperature of the heating chamber is not changed. A heating method, characterized in that: 【請求項１４】 上記被接合体上の加熱対象物は，上記
電子部品と上記被接合体とを接合する接合材である請求
項１０〜１３のいずれかに記載の加熱方法。14. The heating method according to claim 10, wherein the object to be heated on the object to be joined is a joining material for joining the electronic component and the object to be joined. 【請求項１５】 上記被接合体上の加熱対象物は，上記
電子部品と上記被接合体とを接合する半田若しくは電子
部品固定用熱硬化性接着剤，又は，上記電子部品を封止
する電子部品封止樹脂である請求項１０〜１３のいずれ
かに記載の加熱方法。15. An object to be heated on the object to be joined may be a solder for joining the electronic component and the object to be joined or a thermosetting adhesive for fixing the electronic component, or an electronic material for sealing the electronic component. The heating method according to any one of claims 10 to 13, which is a component sealing resin. 【請求項１６】 上記被接合体が上記加熱室を含む加熱
装置の出入口（４，５）を通過したか否かを検知し、 上記ガス供給熱量制御を行うとき、上記加熱方法内に上
記被接合体が有ると検知されたとき、上記加熱対象物に
対する加熱処理が必要なときであると判断して上記ガス
の供給熱量として加熱処理用の供給熱量を供給する一
方、上記加熱方法内に上記被接合体が無いと検知された
とき、上記加熱対象物に対する加熱処理が不要なときで
あると判断して上記ガスの供給熱量として上記加熱処理
用の供給熱量より低い待機用の供給熱量を供給するよう
に制御する請求項１０〜１５のいずれかに記載の加熱方
法。16. Detecting whether or not the object to be bonded has passed through the entrance and exit (4, 5) of a heating device including the heating chamber, and performing the gas supply heat quantity control, the method includes: When it is detected that there is a joined body, it is determined that it is necessary to perform the heating process on the object to be heated, and the supply heat amount for the heat treatment is supplied as the supply heat amount of the gas, while the heating method is included in the heating method. When it is detected that there is no object to be bonded, it is determined that the heating process on the object to be heated is unnecessary, and the supply heat amount of the gas that is lower than the supply heat amount for the heat treatment is supplied as the supply heat amount of the gas. The heating method according to any one of claims 10 to 15, wherein the heating method is controlled to perform heating. 【請求項１７】 上記ガス供給熱量制御を行うとき、上
記加熱方法内に上記被接合体が有ると検知されたとき、
上記加熱対象物に対する加熱処理が必要なときであると
判断して上記ガスの供給熱量として加熱処理用の供給流
量を供給する一方、上記加熱方法内に上記被接合体が無
いと検知されたとき、上記加熱対象物に対する加熱処理
が不要なときであると判断して上記ガスの供給熱量とし
て上記加熱処理用の供給流量より低い待機用の供給流量
を供給するように制御するガス供給流量制御部（２０，
２１）を備えている請求項１６に記載の加熱方法。17. When performing the gas supply calorie control, when it is detected that the object to be bonded is present in the heating method,
When it is determined that the heating process is required for the object to be heated and the supply flow rate for the heating process is supplied as the supply heat amount of the gas, while it is detected that the object to be bonded is not present in the heating method. A gas supply flow control unit that determines that the heating process on the heating target is unnecessary, and controls the supply heat amount of the gas to supply a standby supply flow rate lower than the heat treatment supply flow rate; (20,
21. The heating method according to claim 16, further comprising: 【請求項１８】 上記ガス供給熱量制御を行うとき、上
記加熱方法内に上記被接合体が有ると検知されたとき、
上記加熱対象物に対する加熱処理が必要なときであると
判断して上記ガスの供給熱量として加熱処理用の温度ま
で上記加熱ガスを加熱する一方、上記加熱方法内に上記
被接合体が無いと検知されたとき、上記加熱対象物に対
する加熱処理が不要なときであると判断して上記ガスの
供給熱量として上記加熱処理用の温度より低い待機用の
温度まで上記加熱ガスの温度を下げるように制御するガ
ス温度制御部（１９ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄ，２
１）を備えている請求項１６に記載の加熱方法。18. When performing the gas supply calorie control, when it is detected that the object to be bonded is present in the heating method,
It is determined that heat treatment is required for the object to be heated, and the heating gas is heated to the temperature for heat treatment as the amount of heat supplied to the gas, while it is detected that the object to be joined is not present in the heating method. When it is determined that the heating process on the object to be heated is unnecessary, control is performed such that the temperature of the heating gas is reduced to a standby temperature lower than the temperature for the heating process as a supply heat amount of the gas. Gas temperature control units (19a, 19b, 19c, 19d, 2)
17. The heating method according to claim 16, comprising the following: