JP2000188307A - 固定リードフレームおよびその製造方法 - Google Patents
固定リードフレームおよびその製造方法Info
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- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来半導体デバイスのアセンブリに使用され
るセラミックパッケージ等の平坦性精度は、 必ずしも
十分良好ではなくまた製造工程での製品バラツキも比較
的大きいため、半導体チップのバンプと配線の非接触、
もしくは接合強度不足などの不良を誘発する原因になっ
ていた。 【解決手段】 半導体チップ１のバンプ２の配置に合わ
せてリードフレームに突起３ａを設け、該突起の周囲の
凹部および開口部９を樹脂４で埋めたリードフレーム
に、半導体チップ１の表面に形成されたバンプ２を直接
接続するための固定リードフレーム３である。
るセラミックパッケージ等の平坦性精度は、 必ずしも
十分良好ではなくまた製造工程での製品バラツキも比較
的大きいため、半導体チップのバンプと配線の非接触、
もしくは接合強度不足などの不良を誘発する原因になっ
ていた。 【解決手段】 半導体チップ１のバンプ２の配置に合わ
せてリードフレームに突起３ａを設け、該突起の周囲の
凹部および開口部９を樹脂４で埋めたリードフレーム
に、半導体チップ１の表面に形成されたバンプ２を直接
接続するための固定リードフレーム３である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はフェイスダウンボン
ディングにより製造される半導体装置に使用されるリー
ドフレーム及びその製造方法に関し、特にバンプ電極を
有する半導体チップを回路基板上の突起電極に直接接合
するフェイスダウンボンディングにより製造される半導
体装置に使用する樹脂によって固定されたリードフレー
ム及びその製造方法に関する。
ディングにより製造される半導体装置に使用されるリー
ドフレーム及びその製造方法に関し、特にバンプ電極を
有する半導体チップを回路基板上の突起電極に直接接合
するフェイスダウンボンディングにより製造される半導
体装置に使用する樹脂によって固定されたリードフレー
ム及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般にフェイスダウンボンディングによ
り回路基板もしくはパッケージに半導体チップをマウン
トする場合は、バンプと呼ばれる電極をチップ表面に形
成し、パッケージ表面等に形成された電極との位置合わ
せを行い、熱、超音波または圧力などを加えて接合する
ことが多い。この場合、半導体チップ上に形成されるバ
ンプはハンダ、金、銀などの金属により形成されてい
る。一方、パッケージ等にはタングステンなどにより配
線が形成されているが、特にバンプと対応する位置の配
線部分にハンダ、金などでメッキされた電極が形成され
た誘電体基板、ガラスエポキシ基板、またはアルミナや
窒化アルミニウム等のセラミックパッケージ等が広く用
いられている。
り回路基板もしくはパッケージに半導体チップをマウン
トする場合は、バンプと呼ばれる電極をチップ表面に形
成し、パッケージ表面等に形成された電極との位置合わ
せを行い、熱、超音波または圧力などを加えて接合する
ことが多い。この場合、半導体チップ上に形成されるバ
ンプはハンダ、金、銀などの金属により形成されてい
る。一方、パッケージ等にはタングステンなどにより配
線が形成されているが、特にバンプと対応する位置の配
線部分にハンダ、金などでメッキされた電極が形成され
た誘電体基板、ガラスエポキシ基板、またはアルミナや
窒化アルミニウム等のセラミックパッケージ等が広く用
いられている。
【０００３】セラミックパッケージを用いた従来例につ
いて図７を用いての説明をする。セラミックパッケージ
７の表面にタングステン等により配線６が形成されてお
り、半導体チップ１のバンプ２と接続される部分には更
に金、ハンダなどのメッキが施されている。半導体チッ
プ１はフェイスダウンボンディングによりそのバンプ２
をパッケージ７に形成された配線６のあらかじめ金等に
よりメッキされた部分と位置合わせを行った後、熱等を
加えて接合したデバイスである。
いて図７を用いての説明をする。セラミックパッケージ
７の表面にタングステン等により配線６が形成されてお
り、半導体チップ１のバンプ２と接続される部分には更
に金、ハンダなどのメッキが施されている。半導体チッ
プ１はフェイスダウンボンディングによりそのバンプ２
をパッケージ７に形成された配線６のあらかじめ金等に
よりメッキされた部分と位置合わせを行った後、熱等を
加えて接合したデバイスである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】バンプ２を形成した半
導体チップ１を、フェイスダウンボンディングにより回
路基板もしくはセラミックパッケージ７に搭載する場
合、半導体チップ１内のすべてのバンプ２が均一に加圧
されて回路基板またはパッケージ７の電極と完全に接合
する必要がある。そのためには、回路基板またはパッケ
ージの配線６とバンプ２との接合面、つまり半導体チッ
プ１のチップ搭載エリア内の平坦性が非常に重要であ
る。特に、極小のバンプ２が形成された半導体チップ１
の場合は、その接合強度を確保する為に回路基板または
パッケージ７の半導体チップを搭載するチップ搭載エリ
ア内の平坦性が±１０μｍ以下であることが必要不可欠
となる。
導体チップ１を、フェイスダウンボンディングにより回
路基板もしくはセラミックパッケージ７に搭載する場
合、半導体チップ１内のすべてのバンプ２が均一に加圧
されて回路基板またはパッケージ７の電極と完全に接合
する必要がある。そのためには、回路基板またはパッケ
ージの配線６とバンプ２との接合面、つまり半導体チッ
プ１のチップ搭載エリア内の平坦性が非常に重要であ
る。特に、極小のバンプ２が形成された半導体チップ１
の場合は、その接合強度を確保する為に回路基板または
パッケージ７の半導体チップを搭載するチップ搭載エリ
ア内の平坦性が±１０μｍ以下であることが必要不可欠
となる。
【０００５】しかしながら、従来半導体デバイスのアセ
ンブリに使用される回路基板もしくはセラミックパッケ
ージ７等の平坦性は必ずしも十分ではない。また、製造
工程でのパッケージ７等の製品バラツキも比較的大き
い。このことが、半導体チップのバンプ２と回路基板等
の配線６との非接触、もしくは接合強度不足などの不良
を誘発する原因になっていた。このことにより、半導体
チップ１は電気的に十分な接合がなされないだけでな
く、半導体チップ１から発生する熱をセラミックパッケ
ージ７等に十分放熱できないという問題点があった。
ンブリに使用される回路基板もしくはセラミックパッケ
ージ７等の平坦性は必ずしも十分ではない。また、製造
工程でのパッケージ７等の製品バラツキも比較的大き
い。このことが、半導体チップのバンプ２と回路基板等
の配線６との非接触、もしくは接合強度不足などの不良
を誘発する原因になっていた。このことにより、半導体
チップ１は電気的に十分な接合がなされないだけでな
く、半導体チップ１から発生する熱をセラミックパッケ
ージ７等に十分放熱できないという問題点があった。
【０００６】また、金属であるリードフレームに対し直
接半導体チップをフェイスダウンボンディングした場
合、半導体チップの材料であるＧａＡｓ、シリコン等と
リードフレームの材料である金属との熱膨張係数の違い
により、フェイスダウンボンディング後の冷却時または
その他の熱履歴によりリードフレームに変形が生じやす
くなるので、バンプ２とリードフレームとの接合面で断
線が生じやすくなる。また、ハンドリング時に加わる外
部応力等によっても容易に接合面の断線が起こりやすい
という問題もあった。
接半導体チップをフェイスダウンボンディングした場
合、半導体チップの材料であるＧａＡｓ、シリコン等と
リードフレームの材料である金属との熱膨張係数の違い
により、フェイスダウンボンディング後の冷却時または
その他の熱履歴によりリードフレームに変形が生じやす
くなるので、バンプ２とリードフレームとの接合面で断
線が生じやすくなる。また、ハンドリング時に加わる外
部応力等によっても容易に接合面の断線が起こりやすい
という問題もあった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に記載の固定リードフレームは、表面にバ
ンプが形成された半導体チップが直接接合される固定リ
ードフレームであって、突起を有するリードフレームの
該突起の周辺部に前記半導体チップと同程度の熱膨張係
数を有する樹脂が埋め込まれることによって表面が平坦
になっていることを特徴としている。また、請求項２に
記載の半導体装置は、請求項１記載の固定リードフレー
ムの前記突起電極に前記半導体チップの表面に形成され
たバンプを直接接合したことを特徴としている。
に、請求項１に記載の固定リードフレームは、表面にバ
ンプが形成された半導体チップが直接接合される固定リ
ードフレームであって、突起を有するリードフレームの
該突起の周辺部に前記半導体チップと同程度の熱膨張係
数を有する樹脂が埋め込まれることによって表面が平坦
になっていることを特徴としている。また、請求項２に
記載の半導体装置は、請求項１記載の固定リードフレー
ムの前記突起電極に前記半導体チップの表面に形成され
たバンプを直接接合したことを特徴としている。
【０００８】上記構成によれば、固定リードフレームの
突起の周辺に樹脂を注入することによってリードフレー
ムを固定してから、半導体チップをフェイスダウンボン
ディング接合すれば、熱膨張係数の違いによりリードフ
レームとバンプの接合面にかかる熱ストレスを緩和でき
る。また、固定リードフレームの半導体チップ搭載エリ
アを平坦にできるので、半導体チップ表面に形成された
すべてのバンプを固定リードフレームに確実に接続する
ことができる。更に、後工程の作業ハンドリング中に外
部からの衝撃などで接合面が剥離、もしくは断線する危
険性も非常に少ない。
突起の周辺に樹脂を注入することによってリードフレー
ムを固定してから、半導体チップをフェイスダウンボン
ディング接合すれば、熱膨張係数の違いによりリードフ
レームとバンプの接合面にかかる熱ストレスを緩和でき
る。また、固定リードフレームの半導体チップ搭載エリ
アを平坦にできるので、半導体チップ表面に形成された
すべてのバンプを固定リードフレームに確実に接続する
ことができる。更に、後工程の作業ハンドリング中に外
部からの衝撃などで接合面が剥離、もしくは断線する危
険性も非常に少ない。
【０００９】また、請求項３に記載の固定リードフレー
ムの製造方法は、半導体チップのバンプが接合されるリ
ードフレームの部位のみに突起を形成する工程と、リー
ドフレームの上記突起の周辺部に前記半導体チップと同
程度の熱膨張率を有する樹脂を前記突起と同じ高さまで
注入することによって表面を平坦にする工程とからなる
ことを特徴としている。
ムの製造方法は、半導体チップのバンプが接合されるリ
ードフレームの部位のみに突起を形成する工程と、リー
ドフレームの上記突起の周辺部に前記半導体チップと同
程度の熱膨張率を有する樹脂を前記突起と同じ高さまで
注入することによって表面を平坦にする工程とからなる
ことを特徴としている。
【００１０】上記製造方法によって突起を有し、かつ半
導体チップのボンディングエリア内の表面の平坦性を十
分に確保したリードフレームを容易に製造することがで
きる。
導体チップのボンディングエリア内の表面の平坦性を十
分に確保したリードフレームを容易に製造することがで
きる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示した実施
の形態に基づいて詳細に説明する。
の形態に基づいて詳細に説明する。
【００１２】図１（ａ）は本発明の実施の形態の突起を
有するリードフレームの平面図、同（ｂ）は同（ａ）の
Ｂ−Ｂ断面図、図２は金型を使用して本発明のリードフ
レームに樹脂を注入する場合の断面図、図３（ａ）は本
発明の突起を有するリードフレームの半導体チップ搭載
エリアに樹脂を注入して平坦化した固定リードフレーム
の平面図、同（ｂ）は同（ａ）のＣ−Ｃ断面図、図４
（ａ）は本発明の固定リードフレームに半導体チップを
直接接合した後の平面図、同（ｂ）は同（ａ）のＤ−Ｄ
断面図、図５（ａ）は本発明の固定リードフレームに直
接接合した半導体チップを樹脂封止した後の平面図、同
（ｂ）は同（ａ）のＥ−Ｅ断面図、図６（ａ）は本発明
の固定リードフレーム（樹脂封止パッケージに使用され
る半導体デバイス用のリードフレームの開口部または凹
部に樹脂を注入して固定したリードフレーム）を使用し
て製造したデバイスの平面図、同（ｂ）は同（ａ）のＦ
−Ｆ断面図である。
有するリードフレームの平面図、同（ｂ）は同（ａ）の
Ｂ−Ｂ断面図、図２は金型を使用して本発明のリードフ
レームに樹脂を注入する場合の断面図、図３（ａ）は本
発明の突起を有するリードフレームの半導体チップ搭載
エリアに樹脂を注入して平坦化した固定リードフレーム
の平面図、同（ｂ）は同（ａ）のＣ−Ｃ断面図、図４
（ａ）は本発明の固定リードフレームに半導体チップを
直接接合した後の平面図、同（ｂ）は同（ａ）のＤ−Ｄ
断面図、図５（ａ）は本発明の固定リードフレームに直
接接合した半導体チップを樹脂封止した後の平面図、同
（ｂ）は同（ａ）のＥ−Ｅ断面図、図６（ａ）は本発明
の固定リードフレーム（樹脂封止パッケージに使用され
る半導体デバイス用のリードフレームの開口部または凹
部に樹脂を注入して固定したリードフレーム）を使用し
て製造したデバイスの平面図、同（ｂ）は同（ａ）のＦ
−Ｆ断面図である。
【００１３】図１乃至図６において、１は半導体チッ
プ、２は半導体チップの表面に形成された金またはハン
ダ等のバンプ、３はリードフレーム、３ａはリードフレ
ームの突起、３ｂはリード、４はリードフレーム固定樹
脂、５は封止用樹脂、６はセラミックパッケージの配
線、７はセラミックパッケージ、８は樹脂注入金型、９
はリードフレームに設けられた凹部または開口部であ
る。
プ、２は半導体チップの表面に形成された金またはハン
ダ等のバンプ、３はリードフレーム、３ａはリードフレ
ームの突起、３ｂはリード、４はリードフレーム固定樹
脂、５は封止用樹脂、６はセラミックパッケージの配
線、７はセラミックパッケージ、８は樹脂注入金型、９
はリードフレームに設けられた凹部または開口部であ
る。
【００１４】また、リード３ｂは銅合金または鉄合金等
の半導体用リードフレームの所定部分を切断して形成さ
れているものであって、その先端部には突起３ａを有し
ている。リード３ｂのチップ搭載エリアは、突起３ａの
周辺の凹部および開口部を突起３ａの高さまで樹脂４で
埋められてその表面が平坦になっており、突起３ａの表
面のみが露出した構造となっている。
の半導体用リードフレームの所定部分を切断して形成さ
れているものであって、その先端部には突起３ａを有し
ている。リード３ｂのチップ搭載エリアは、突起３ａの
周辺の凹部および開口部を突起３ａの高さまで樹脂４で
埋められてその表面が平坦になっており、突起３ａの表
面のみが露出した構造となっている。
【００１５】ここで、使用する樹脂としては、加熱また
は冷却過程において半導体チップ１と樹脂４が同程度に
伸縮すればリードフレームとバンプとの接合面にかかる
応力を少なくすることができるので、半導体チップの熱
膨張率と同程度の熱膨張率をもつ樹脂が望ましい。例え
ば、半導体チップの基板がＧａＡｓの場合、トランスフ
ァモールド用樹脂（日立化成「ＣＥＬ９２００」等）が
望ましい。更に、半導体チップ１のバンプ２がリード３
ｂの突起３ａにフェイスダウンボンディングにより直接
接合され、更にモールドパッケージ用樹脂で封止されて
いる。この構造を有する半導体デバイスでは、半導体チ
ップ１内のすべてのバンプ２が均一に加圧されて、本発
明に係る固定リードフレーム３と接合される。
は冷却過程において半導体チップ１と樹脂４が同程度に
伸縮すればリードフレームとバンプとの接合面にかかる
応力を少なくすることができるので、半導体チップの熱
膨張率と同程度の熱膨張率をもつ樹脂が望ましい。例え
ば、半導体チップの基板がＧａＡｓの場合、トランスフ
ァモールド用樹脂（日立化成「ＣＥＬ９２００」等）が
望ましい。更に、半導体チップ１のバンプ２がリード３
ｂの突起３ａにフェイスダウンボンディングにより直接
接合され、更にモールドパッケージ用樹脂で封止されて
いる。この構造を有する半導体デバイスでは、半導体チ
ップ１内のすべてのバンプ２が均一に加圧されて、本発
明に係る固定リードフレーム３と接合される。
【００１６】次に、本発明に係る半導体デバイスの製造
方法を図１から図６を用いて説明する。
方法を図１から図６を用いて説明する。
【００１７】通常樹脂封止パッケージに用いる半導体デ
バイス用のリードフレームは圧延などにより素材を加工
して形成されるため、非常に良好な平坦性を持ってい
る。更に、エッチングまたはパンチング金型によるプレ
スでの打ち抜き加工後でも、その平坦性はセラミック等
と比べて非常に良好である。そこで、まず銅合金や鉄合
金のリードフレーム素材であって、通常使用されるリー
ドフレームの約２倍程度の厚さを有する素材を、エッチ
ングまたはパンチング金型によるプレスにより抜き加工
することによって開口部９を有するリードフレームを製
造する（図１）。
バイス用のリードフレームは圧延などにより素材を加工
して形成されるため、非常に良好な平坦性を持ってい
る。更に、エッチングまたはパンチング金型によるプレ
スでの打ち抜き加工後でも、その平坦性はセラミック等
と比べて非常に良好である。そこで、まず銅合金や鉄合
金のリードフレーム素材であって、通常使用されるリー
ドフレームの約２倍程度の厚さを有する素材を、エッチ
ングまたはパンチング金型によるプレスにより抜き加工
することによって開口部９を有するリードフレームを製
造する（図１）。
【００１８】この時、リードフレーム素材は良好な厚み
の均一性を持っている為、リードフレームのチップ搭載
エリアについては厚さ方向の加工はなるべく避けた方
が、フェイスボンディング時に、より良好な接合強度が
得られる。
の均一性を持っている為、リードフレームのチップ搭載
エリアについては厚さ方向の加工はなるべく避けた方
が、フェイスボンディング時に、より良好な接合強度が
得られる。
【００１９】次に、上記リードフレームの半導体チップ
１のバンプ２を直接接合する部分のみをマスクして、マ
スクされていない部分を通常使用されるリードフレーム
の厚さまでエッチングする。この結果、図１に示すよう
に突起３ａを有するリードフレーム３が形成される。
１のバンプ２を直接接合する部分のみをマスクして、マ
スクされていない部分を通常使用されるリードフレーム
の厚さまでエッチングする。この結果、図１に示すよう
に突起３ａを有するリードフレーム３が形成される。
【００２０】次に、図２に示すようにリードフレーム３
を金型８で挟んで固定し、突起３ａの周辺の凹部および
開口部９に樹脂４を注入する。この結果、半導体チップ
１搭載エリア内においてはリードフレームの突起以外の
部分は完全に樹脂４で覆われ、突起３ａの表面のみ露出
する平坦な形状の固定リードフレームとなる（図３）。
この時の樹脂４の形状については、チップ搭載エリア以
外は必ずしも平坦である必要はないが、少なくともチッ
プ搭載エリアについてはフレームの厚み以上に樹脂を介
在させると平坦性が悪くなり接合不良の原因となりやす
い。
を金型８で挟んで固定し、突起３ａの周辺の凹部および
開口部９に樹脂４を注入する。この結果、半導体チップ
１搭載エリア内においてはリードフレームの突起以外の
部分は完全に樹脂４で覆われ、突起３ａの表面のみ露出
する平坦な形状の固定リードフレームとなる（図３）。
この時の樹脂４の形状については、チップ搭載エリア以
外は必ずしも平坦である必要はないが、少なくともチッ
プ搭載エリアについてはフレームの厚み以上に樹脂を介
在させると平坦性が悪くなり接合不良の原因となりやす
い。
【００２１】次に、樹脂を十分に硬化させた固定リード
フレーム３をブラスター処理することにより、樹脂の回
り込みなどで発生する薄バリ等を剥離し、少なくとも固
定リードフレーム３の突起にバンプとのボンディングを
容易にするためのハンダ、金、銀等のメッキ処理、また
はディップ処理などを施してもよい（図示せず）。
フレーム３をブラスター処理することにより、樹脂の回
り込みなどで発生する薄バリ等を剥離し、少なくとも固
定リードフレーム３の突起にバンプとのボンディングを
容易にするためのハンダ、金、銀等のメッキ処理、また
はディップ処理などを施してもよい（図示せず）。
【００２２】次に、あらかじめ半導体チップ１の表面に
形成されたバンプ２を固定リードフレーム３の突起３ａ
の位置に位置合わせを行い、熱圧着などの方法でフェイ
スダウンボンディングによって直接接続する。尚、場合
によっては従来技術を用いて半導体チップ１と固定リー
ドフレーム３との隙間にアンダーフィル樹脂を注入して
もよい。
形成されたバンプ２を固定リードフレーム３の突起３ａ
の位置に位置合わせを行い、熱圧着などの方法でフェイ
スダウンボンディングによって直接接続する。尚、場合
によっては従来技術を用いて半導体チップ１と固定リー
ドフレーム３との隙間にアンダーフィル樹脂を注入して
もよい。
【００２３】その後、固定リードフレーム３にフェイス
ダウンボンディングされた半導体チップ１を完全にモー
ルド樹脂５で覆って封止を行う（図５）。最後に、固定
リードフレームからリード３ｂを切断し、デバイスが完
成する（図６）。
ダウンボンディングされた半導体チップ１を完全にモー
ルド樹脂５で覆って封止を行う（図５）。最後に、固定
リードフレームからリード３ｂを切断し、デバイスが完
成する（図６）。
【００２４】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、半導体チ
ップ１をフェイスダウンボンディングにより直接接続す
るリードフレームとして、本発明の固定リードフレーム
３を用いることにより、半導体チップ１内のすべてのバ
ンプ２が均一に加圧されて固定リードフレーム３の突起
３ａに接合することができる。このことにより、フェイ
スダウンボンディングの歩留まりが向上する。また、接
合強度が増すため、後工程の作業ハンドリング中に外部
からのショックなどで接合面で剥離、もしくは断線する
危険性も非常に少なく信頼性が向上する。更に、半導体
チップ１からの発熱をリードフレームに放熱しやすくな
る。
ップ１をフェイスダウンボンディングにより直接接続す
るリードフレームとして、本発明の固定リードフレーム
３を用いることにより、半導体チップ１内のすべてのバ
ンプ２が均一に加圧されて固定リードフレーム３の突起
３ａに接合することができる。このことにより、フェイ
スダウンボンディングの歩留まりが向上する。また、接
合強度が増すため、後工程の作業ハンドリング中に外部
からのショックなどで接合面で剥離、もしくは断線する
危険性も非常に少なく信頼性が向上する。更に、半導体
チップ１からの発熱をリードフレームに放熱しやすくな
る。
【００２５】更に、本発明の製造方法を用いることによ
り、上記固定リードフレームを、簡便かつ安価に得るこ
とが可能となる。
り、上記固定リードフレームを、簡便かつ安価に得るこ
とが可能となる。
【図１】（ａ）は本発明の実施の形態の突起を有するリ
ードフレームの平面図、（ｂ）はその断面図である。
ードフレームの平面図、（ｂ）はその断面図である。
【図２】金型を使用して本発明のリードフレームに樹脂
を注入する場合の断面図である。
を注入する場合の断面図である。
【図３】（ａ）は本発明の突起を有するリードフレーム
の半導体チップ搭載エリアに樹脂を注入して平坦化した
固定リードフレームの平面図、（ｂ）はその断面図であ
る。
の半導体チップ搭載エリアに樹脂を注入して平坦化した
固定リードフレームの平面図、（ｂ）はその断面図であ
る。
【図４】（ａ）は本発明の固定リードフレームに半導体
チップを直接接合した後の平面図、（ｂ）はその断面図
である。
チップを直接接合した後の平面図、（ｂ）はその断面図
である。
【図５】（ａ）は本発明の固定リードフレームに直接接
合した半導体チップを樹脂封止した後の平面図、（ｂ）
はその断面図である。
合した半導体チップを樹脂封止した後の平面図、（ｂ）
はその断面図である。
【図６】（ａ）は半導体デバイスを本発明の固定リード
フレームから切断した後の平面図、（ｂ）はその断面図
である。
フレームから切断した後の平面図、（ｂ）はその断面図
である。
【図７】セラミックパッケージを用いた従来例である。
１ 半導体チップ ２ 半導体チップの表面に形成されたバンプ ３ リードフレーム ３ａ 突起 ３ｂ リード ４ リードフレーム固定樹脂 ５ 封止用樹脂 ６ セラミックパッケージの配線 ７ セラミックパッケージ ８ 樹脂注入金型 ９ リードフレームに設けられた凹部または開口部
Claims (3)
- 【請求項１】 表面にバンプが形成された半導体チップ
が直接接合される固定リードフレームであって、突起を
有するリードフレームの該突起の周辺部に前記半導体チ
ップと同程度の熱膨張係数を有する樹脂が埋め込まれる
ことによって表面が平坦になっていることを特徴とする
固定リードフレーム。 - 【請求項２】 請求項１記載の固定リードフレームの前
記突起に前記半導体チップの表面に形成されたバンプを
直接接合したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 半導体チップのバンプが接合されるリー
ドフレームの部位のみに突起を形成する工程と、リード
フレームの上記突起の周辺部に前記半導体チップと同程
度の熱膨張率を有する樹脂を前記突起と同じ高さまで注
入することによって表面を平坦にする工程とからなるこ
とを特徴とする、請求項１記載の固定リードフレームの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36584398A JP3434226B2 (ja) | 1998-12-24 | 1998-12-24 | 固定リードフレームおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP2000188307A true JP2000188307A (ja) | 2000-07-04 |
| JP3434226B2 JP3434226B2 (ja) | 2003-08-04 |
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| JP (1) | JP3434226B2 (ja) |
-
1998
- 1998-12-24 JP JP36584398A patent/JP3434226B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP3434226B2 (ja) | 2003-08-04 |
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