JP2000183196A - 半導体チップマーキング方法 - Google Patents
半導体チップマーキング方法Info
- Publication number
- JP2000183196A JP2000183196A JP10354766A JP35476698A JP2000183196A JP 2000183196 A JP2000183196 A JP 2000183196A JP 10354766 A JP10354766 A JP 10354766A JP 35476698 A JP35476698 A JP 35476698A JP 2000183196 A JP2000183196 A JP 2000183196A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mark
- marking
- semiconductor chip
- resin
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体チップの裏面へのマーキングに際し、マ
ークミスをしても初回マークと同様な状態で再マークが
可能なマーキング方法を提供する。 【解決手段】本発明のマーキング方法は、半導体チップ
裏面にレーザ光により所定のマーキングを行う半導体チ
ップマーキング方法において、該半導体チップ裏面へ樹
脂系インクをレーザ光の到達深度より厚く被覆し、該樹
脂系インクの硬化前に所定のマーキングを行うレーザ光
を照射した後、該樹脂系インクを硬化するようにしたも
ので、樹脂系インク硬化前にレーザマークを行うため、
一度マークしたチップでも表面に被覆している樹脂系イ
ンクを除去すれば再マークを行うことが出来る。
ークミスをしても初回マークと同様な状態で再マークが
可能なマーキング方法を提供する。 【解決手段】本発明のマーキング方法は、半導体チップ
裏面にレーザ光により所定のマーキングを行う半導体チ
ップマーキング方法において、該半導体チップ裏面へ樹
脂系インクをレーザ光の到達深度より厚く被覆し、該樹
脂系インクの硬化前に所定のマーキングを行うレーザ光
を照射した後、該樹脂系インクを硬化するようにしたも
ので、樹脂系インク硬化前にレーザマークを行うため、
一度マークしたチップでも表面に被覆している樹脂系イ
ンクを除去すれば再マークを行うことが出来る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面電極形成面の
裏面側が外部に露出しているウエハー状、或いは個別の
半導体チップ、或いはチップキャリアなどに実装された
半導体チップの裏面へのマーキング方法に関するもので
ある。
裏面側が外部に露出しているウエハー状、或いは個別の
半導体チップ、或いはチップキャリアなどに実装された
半導体チップの裏面へのマーキング方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体関連製品の高集積化、小型
化に伴い、実装構造も従来の樹脂モールドパッケージに
変わり、半導体チップの電極形成面をフェイスダウンさ
せたフリップチップ構造のＣＳＰ（Chip Size／Scale
Package）、あるいはベアチップを直接基板へ実装す
ることが多くなっている。
化に伴い、実装構造も従来の樹脂モールドパッケージに
変わり、半導体チップの電極形成面をフェイスダウンさ
せたフリップチップ構造のＣＳＰ（Chip Size／Scale
Package）、あるいはベアチップを直接基板へ実装す
ることが多くなっている。
【０００３】これらの場合、表面電極形成面の裏面側が
上側にきており、品種やロットトレースのための識別表
示として製造ロット番号などのマークを、外部に露出し
ている半導体チップ裏面に直接行わなければならない。
上側にきており、品種やロットトレースのための識別表
示として製造ロット番号などのマークを、外部に露出し
ている半導体チップ裏面に直接行わなければならない。
【０００４】図４は、従来の技術での半導体チップの裏
面へのマーキング方法である。チップ２に直接凸版印刷
や凹版印刷でのインク塗布を行うインクマーク方式、ま
たはレーザ光照射によるレーザマーク方式での、マーク
６を行う方法が用いられてきた。
面へのマーキング方法である。チップ２に直接凸版印刷
や凹版印刷でのインク塗布を行うインクマーク方式、ま
たはレーザ光照射によるレーザマーク方式での、マーク
６を行う方法が用いられてきた。
【０００５】このうち、凸版印刷や凹版印刷でのインク
マーク方式では、マーク面の小さいものにマークする場
合、印字したマークがつぶれて鮮明なマークが出来ない
ことや、マークスタンプ自体の加工精度が高くないため
に位置決め精度が悪く、精度を上げる工夫が必要とな
り、そのためにマーキングのタクトタイムが長くなると
いう問題があった。
マーク方式では、マーク面の小さいものにマークする場
合、印字したマークがつぶれて鮮明なマークが出来ない
ことや、マークスタンプ自体の加工精度が高くないため
に位置決め精度が悪く、精度を上げる工夫が必要とな
り、そのためにマーキングのタクトタイムが長くなると
いう問題があった。
【０００６】一方、レーザマーク方式では上記のインク
マーク方式の不具合を解消出来るが、レーザ光によるチ
ップへのダメージが大きいことや、マークの色がマーク
面を焼いた色になり材質によっては鮮明なマーク印字を
期待できないのものがあった。特にシリコンチップにレ
ーザマークした場合、チップの光沢によりレーザマーク
部分が見えにくく、マーク検査で使用する画像処理装置
での２値化処理等が難しく、安定した検査が出来ない状
況であった。
マーク方式の不具合を解消出来るが、レーザ光によるチ
ップへのダメージが大きいことや、マークの色がマーク
面を焼いた色になり材質によっては鮮明なマーク印字を
期待できないのものがあった。特にシリコンチップにレ
ーザマークした場合、チップの光沢によりレーザマーク
部分が見えにくく、マーク検査で使用する画像処理装置
での２値化処理等が難しく、安定した検査が出来ない状
況であった。
【０００７】これらのことから、チップにダメージを与
えず鮮明なマークを行うためにチップ裏面へ樹脂などを
コーティングして樹脂硬化後レーザマークを行う方法も
あった（例えば、特開平４−５３２４９号公報）。
えず鮮明なマークを行うためにチップ裏面へ樹脂などを
コーティングして樹脂硬化後レーザマークを行う方法も
あった（例えば、特開平４−５３２４９号公報）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のマー
キング方法ではいずれも一度印字したものは消すことが
難しかったり、マークミスをした場合はチップごと廃棄
処分にしなければならなかった。また、マークミス面に
樹脂などを上塗りして再マークを行う方法も考えられる
が、初回の樹脂厚より厚くなり色も変わることから、初
回のものと差異が出る恐れがあった。
キング方法ではいずれも一度印字したものは消すことが
難しかったり、マークミスをした場合はチップごと廃棄
処分にしなければならなかった。また、マークミス面に
樹脂などを上塗りして再マークを行う方法も考えられる
が、初回の樹脂厚より厚くなり色も変わることから、初
回のものと差異が出る恐れがあった。
【０００９】したがって本発明の課題は、マークミスに
よる不良発生を防止するため、マークミスした場合でも
初回マークと同様の状態で再マークが可能なマーキング
方法を提供することにある。
よる不良発生を防止するため、マークミスした場合でも
初回マークと同様の状態で再マークが可能なマーキング
方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のマーキング方法
は、半導体チップ裏面にレーザ光により所定のマーキン
グを行う半導体チップマーキング方法において、該半導
体チップ裏面へ樹脂系インクをレーザ光の到達深度より
厚く被覆し、該樹脂系インクの硬化前に所定のマーキン
グを行うレーザ光を照射した後、該樹脂系インクを硬化
するようにしたものである。
は、半導体チップ裏面にレーザ光により所定のマーキン
グを行う半導体チップマーキング方法において、該半導
体チップ裏面へ樹脂系インクをレーザ光の到達深度より
厚く被覆し、該樹脂系インクの硬化前に所定のマーキン
グを行うレーザ光を照射した後、該樹脂系インクを硬化
するようにしたものである。
【００１１】
【作用】上記手段によれば、チップにダメージを与えず
高速でしかも鮮明にマークができ、樹脂系インク硬化前
にレーザマークするため、一度マークしたチップでも表
面に被覆している樹脂系インクを除去すれば再マークを
行うことが出来る。
高速でしかも鮮明にマークができ、樹脂系インク硬化前
にレーザマークするため、一度マークしたチップでも表
面に被覆している樹脂系インクを除去すれば再マークを
行うことが出来る。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の実施例を工程順に図１〜
図３に沿って説明する。なお、複数の図面にわたって同
一または相当するものには同一の符号を付し、説明の重
複を避けた。
図３に沿って説明する。なお、複数の図面にわたって同
一または相当するものには同一の符号を付し、説明の重
複を避けた。
【００１３】図１〜図３は、本発明の実施例のチップ部
断面図であり、全体構造としては、ＣＳＰなどの構造の
一部としても考えられる。
断面図であり、全体構造としては、ＣＳＰなどの構造の
一部としても考えられる。
【００１４】図１に示すように、チップ２のレーザマー
クするチップ面全体にレーザ光の到達深度より厚くなる
ようにレーザ光を照射すると色が変わる樹脂系インク１
をスクリーン印刷などの方法で被覆する。樹脂系インク
１の種類としては紫外線硬化型アクリル系樹脂を用い、
厚さは３０〜４０ｕｍとする。次に図２に示すように、
インク厚よりレーザ光の到達深度が短くなるように照射
レーザ光４により樹脂系インク１を焼き、レーザ光照射
によるマーク３を形成する。レーザはＹＡＧレーザを使
用し、３８０〜４００Ｊのエネルギー出力で到達深度は
２０ｕｍとする。この時点で、マークミスが判明した場
合は樹脂硬化前であるため、マーク面に被覆している樹
脂系インク１を有機溶剤で除去して再マークを行う。こ
の場合、樹脂層全体が焼けていないため有機溶剤による
除去が容易に可能である。続いて図３に示すように、レ
ーザ光照射によるマーク３を固定させるために、ＵＶ照
射器５をあて、樹脂系インク１を硬化させマークを固定
する。
クするチップ面全体にレーザ光の到達深度より厚くなる
ようにレーザ光を照射すると色が変わる樹脂系インク１
をスクリーン印刷などの方法で被覆する。樹脂系インク
１の種類としては紫外線硬化型アクリル系樹脂を用い、
厚さは３０〜４０ｕｍとする。次に図２に示すように、
インク厚よりレーザ光の到達深度が短くなるように照射
レーザ光４により樹脂系インク１を焼き、レーザ光照射
によるマーク３を形成する。レーザはＹＡＧレーザを使
用し、３８０〜４００Ｊのエネルギー出力で到達深度は
２０ｕｍとする。この時点で、マークミスが判明した場
合は樹脂硬化前であるため、マーク面に被覆している樹
脂系インク１を有機溶剤で除去して再マークを行う。こ
の場合、樹脂層全体が焼けていないため有機溶剤による
除去が容易に可能である。続いて図３に示すように、レ
ーザ光照射によるマーク３を固定させるために、ＵＶ照
射器５をあて、樹脂系インク１を硬化させマークを固定
する。
【００１５】なお、上記実施例では樹脂系インク１を紫
外線硬化型アクリル系樹脂としたが、熱硬化型樹脂で加
熱硬化前にマークを形成する方法やエポキシ系樹脂を使
用することも出来る。またインク厚やレーザの到達深度
に関しても、レーザの到達深度をもとに１．５〜２倍の
厚さにインクを被覆するという関係を保つことで調整可
能である。
外線硬化型アクリル系樹脂としたが、熱硬化型樹脂で加
熱硬化前にマークを形成する方法やエポキシ系樹脂を使
用することも出来る。またインク厚やレーザの到達深度
に関しても、レーザの到達深度をもとに１．５〜２倍の
厚さにインクを被覆するという関係を保つことで調整可
能である。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、一度マークミスを
したチップでもマーク面に被覆している樹脂系インクを
印字マークごと除去すれば、初回のマーク時と同一条件
の樹脂厚や色で再マークが可能である。またインクの色
を変えることでより鮮明なマークも可能である。したが
って、マークミスをしても廃棄処分しなくて済み、マー
クミスによる損益を防止できる。
したチップでもマーク面に被覆している樹脂系インクを
印字マークごと除去すれば、初回のマーク時と同一条件
の樹脂厚や色で再マークが可能である。またインクの色
を変えることでより鮮明なマークも可能である。したが
って、マークミスをしても廃棄処分しなくて済み、マー
クミスによる損益を防止できる。
【図１】本発明の実施例の樹脂系インクを被覆した状態
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】本発明の実施例のレーザマークを行った状態を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】本発明の実施例のＵＶ照射を行った状態を示す
断面図である。
断面図である。
【図４】従来のマーキング状態を示す断面図である。
１ 樹脂系インク ２ チップ ３ レーザ光照射によるマーク ４ 照射レーザ光 ５ ＵＶ照射器 ６ マーク
Claims (1)
- 【請求項１】半導体チップ裏面にレーザ光により所定の
マーキングを行う半導体チップマーキング方法におい
て、該半導体チップ裏面へ樹脂系インクをレーザ光の到
達深度より厚く被覆し、該樹脂系インクの硬化前に所定
のマーキングを行うレーザ光を照射した後、該樹脂系イ
ンクを硬化する工程を有することを特徴とする半導体チ
ップマーキング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10354766A JP2000183196A (ja) | 1998-12-14 | 1998-12-14 | 半導体チップマーキング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10354766A JP2000183196A (ja) | 1998-12-14 | 1998-12-14 | 半導体チップマーキング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000183196A true JP2000183196A (ja) | 2000-06-30 |
Family
ID=18439770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10354766A Pending JP2000183196A (ja) | 1998-12-14 | 1998-12-14 | 半導体チップマーキング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000183196A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005203696A (ja) * | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Casio Micronics Co Ltd | 半導体装置、その製造装置、および半導体装置へのマーキング方法 |
-
1998
- 1998-12-14 JP JP10354766A patent/JP2000183196A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005203696A (ja) * | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Casio Micronics Co Ltd | 半導体装置、その製造装置、および半導体装置へのマーキング方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4769975B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20060205116A1 (en) | Methods for packaging microfeature devices and microfeature devices formed by such methods | |
| US7279792B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing same | |
| JP2006332078A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
| JP2010093187A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| US8530279B2 (en) | Offset gravure printing process for improved mold compound and die attach adhesive adhesion on leadframe surface using selective adhesion promoter | |
| CN1518072A (zh) | 切割晶片的方法 | |
| JP2007081123A (ja) | 半導体装置の形成方法 | |
| JP2000183196A (ja) | 半導体チップマーキング方法 | |
| JP2002299500A (ja) | チップ状電子部品の製造方法及びチップ状電子部品、並びにその製造に用いる疑似ウェーハの製造方法及び疑似ウェーハ | |
| CN106505028B (zh) | 掩模图案的形成方法、基板的加工方法及元件芯片的制法 | |
| US8142694B2 (en) | Method for forming an imprint pattern | |
| JPH11274209A (ja) | バンプ電極形成方法 | |
| JP3999222B2 (ja) | フリップチップ実装方法およびフリップチップ実装構造 | |
| JP2005183691A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
| JPH06177268A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05218216A (ja) | 半導体装置用パッケージ等の物品へのマーク表示方法 | |
| JPH0770453B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TWI712092B (zh) | 具有標記圖案之基板及其製作方法，及半導體封裝元件的製作方法 | |
| KR20000025257A (ko) | 인쇄회로기판의 회로형성방법 | |
| JP5884319B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6226874A (ja) | 発光ダイオ−ドアレイのダイスボンデイング方法 | |
| JP2748657B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2001267342A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR20150025885A (ko) | 차량 블랙박스용 회로기판의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050207 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060609 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060620 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061017 |