JP2000162455A - Bidirectional optical communication module, and optical communication system using same - Google Patents
Bidirectional optical communication module, and optical communication system using sameInfo
- Publication number
- JP2000162455A JP2000162455A JP33864398A JP33864398A JP2000162455A JP 2000162455 A JP2000162455 A JP 2000162455A JP 33864398 A JP33864398 A JP 33864398A JP 33864398 A JP33864398 A JP 33864398A JP 2000162455 A JP2000162455 A JP 2000162455A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- optical
- waveguide
- optical communication
- receiving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は光通信ネットワーク
における光通信モジュール、特に光導波路を用いた双方
向光通信モジュールに関するものである。The present invention relates to an optical communication module in an optical communication network, and more particularly to a bidirectional optical communication module using an optical waveguide.
【０００２】[0002]
【従来の技術】情報化社会の進展に伴い、光ファイバネ
ットワークが注目されているが、光モジュール部分の構
成がレンズ等の組み合わせによるマイクロオプティック
ス構造であることにより高コストであることが難点とな
っている。その解決策として、光導波路を用いて同一基
板上で光通信を実現する光集積化構造が検討されてい
る。2. Description of the Related Art With the progress of the information-oriented society, optical fiber networks have been attracting attention. However, it is disadvantageous that the cost is high because the configuration of the optical module is a micro-optics structure composed of a combination of lenses and the like. Has become. As a solution, an optical integrated structure for realizing optical communication on the same substrate using an optical waveguide is being studied.
【０００３】その一例として特開平４−２６３２０６号
公報に光回路が開示されている。この概略構成を図１２
に示す。基板１０１上に光導波路１０２が形成され、光
導波路１０２の一方の端面部は光パワー合分岐部１０７
を介して、送信用光導波路１０２ａ、受信用光導波路１
０２ｂに分岐され、それぞれ発光素子１０４、光受光素
子１０５に接続されている。また、光導波路１０２のも
う一方の端面部は光ファイバ１０３に接続されている。
また、送信用光導波路１０２ａと受信用光導波路１０２
ｂ間に遮閉板１０８が設けられている。As one example, an optical circuit is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-263206. This schematic configuration is shown in FIG.
Shown in An optical waveguide 102 is formed on a substrate 101, and one end surface of the optical waveguide 102 is
Via the transmission optical waveguide 102a and the reception optical waveguide 1
The light is branched into a light-emitting element 02b and connected to a light-emitting element 104 and a light-receiving element 105, respectively. The other end of the optical waveguide 102 is connected to the optical fiber 103.
The transmitting optical waveguide 102a and the receiving optical waveguide 102
A shielding plate 108 is provided between b.
【０００４】光ファイバ１０３より光導波路１０２に受
信された信号光は、光合分岐部１０７で光導波路１０２
ａ、１０２ｂに分岐されて受光素子１０５に受信され
る。一方発光素子１０４より送信された信号光は、光合
分岐部１０７及び光導波路１０２を介して光ファイバ１
０３に送信される。同時光通信を行う場合、発光素子１
０４より発せられた光信号のうち散乱光等光導波路１０
２ａに閉じ込められない迷光が、受光素子１０５に直接
結合されたりしてＳ／Ｎ比の悪化する。遮閉板１０８
を、送信用光導波路１０２ａと受信用光導波路１０２ｂ
の間に遮閉板１０８が設けて、迷光によるＳＮ比の悪化
を防止している。The signal light received by the optical waveguide 102 from the optical fiber 103 is transmitted to the optical waveguide
The light is branched into a and b and received by the light receiving element 105. On the other hand, the signal light transmitted from the light emitting element 104 is transmitted to the optical fiber 1 via the optical coupling / branching unit 107 and the optical waveguide 102.
03 is sent. When performing simultaneous optical communication, the light emitting element 1
Optical waveguide 10 such as scattered light out of the optical signal
The stray light that is not confined in 2a is directly coupled to the light receiving element 105, and the S / N ratio deteriorates. Shielding plate 108
To the transmission optical waveguide 102a and the reception optical waveguide 102b.
Between them, a shielding plate 108 is provided to prevent deterioration of the SN ratio due to stray light.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記開
示されている技術においては以下のような問題点を有し
ている。前記従来の光通信モジュールは送信用光源と光
検出器が同一の基板上に形成されているため、送信用光
源や送信側の光導波路からの漏れ光が、受光素子及び受
信側光導波路に直接入射するのを防止するため、２つの
光導波路の間に遮閉板等を設けているが、最も送信光の
漏れ光の出力が強い発光素子付近は遮閉板等で覆われて
いるが、光合分岐部や導波路の端面部において光学的に
結合している場合には光導波路を介して、受信器に結合
する。このような光分岐、結合器構造で同時に双方向光
通信を行った場合、光導波路が光学的に接続されている
と送信光側からでた光は導波路端面での反射により受信
光側にも到達することになり、混信がおこるためＳＮ比
が低下するといった問題があった。However, the disclosed technique has the following problems. In the conventional optical communication module, since the transmission light source and the photodetector are formed on the same substrate, light leaking from the transmission light source and the transmission-side optical waveguide is directly transmitted to the light-receiving element and the reception-side optical waveguide. In order to prevent incidence, a shielding plate or the like is provided between the two optical waveguides, but the vicinity of the light emitting element where the output of the leaked light of the transmission light is strong is covered with the shielding plate or the like, When optically coupled at the optical coupling / branching portion or at the end face of the waveguide, it is coupled to the receiver via the optical waveguide. When bidirectional optical communication is performed simultaneously with such an optical branching and coupler structure, when an optical waveguide is optically connected, light emitted from the transmission light side is reflected by the waveguide end face to the reception light side. And the signal-to-noise ratio decreases, and there is a problem that the SN ratio is lowered due to interference.
【０００６】高品質な同時双方向光通信を行うにはビッ
トエラーレートを１０-8か１０-9程度にする必要があ
り、そのためには受信光入力信号パワーに対し前記漏れ
光によるノイズパワーは１００分の１すなわち最低でも
−２０ｄＢ以下にする必要がある。さらに受信光入力信
号パワーは途中の光導波路や光ファイバでの伝搬損失、
結合損失を考慮すると、送信光出力パワーに対し−１０
〜−３０ｄＢ（１０〜１０００分の１）になっているの
で、受光素子に入る漏れ光の入力パワーは送信光出力パ
ワーに対して、（−１０〜−３０）＋（−２０）ｄＢす
なわち−３０〜−５０ｄＢ（１０００〜１０００００分
の１）に押さえる事が必要となるため、上記構成では不
十分である。In order to perform high-quality simultaneous bidirectional optical communication, it is necessary to set the bit error rate to about 10 −8 or 10 −9, and for that purpose, the noise power due to the leakage light is larger than the received light input signal power. It must be 1/100, that is, at least -20 dB or less. In addition, the received optical input signal power is the propagation loss in the optical waveguide and optical fiber in the middle,
Considering the coupling loss, the transmission light output power is -10
Since it is -30 dB (10-1000 times), the input power of the leak light entering the light receiving element is (-10 -30) + (-20) dB, that is,-with respect to the transmission light output power. The above configuration is not sufficient because it is necessary to suppress the voltage to 30 to -50 dB (1/1000 to 100,000).
【０００７】上記問題点に鑑み、本発明の目的とすると
ころは、一本のファイバで同時双方向光通信が可能であ
るような光モジュール、すなわち同一基板上に作製した
光モジュールの送信光が受信部へ入射し、混信を起こす
ことのなく、家庭用の機器間の接続に対応できるような
小型、低価格を達成できる光導波路型の双方向光通信モ
ジュールを提供することにある。In view of the above problems, it is an object of the present invention to provide an optical module capable of performing simultaneous two-way optical communication with one fiber, that is, transmitting light of an optical module manufactured on the same substrate. It is an object of the present invention to provide an optical waveguide type bidirectional optical communication module which can be made compact and inexpensive so as to be able to cope with a connection between household devices without being incident on a receiving unit and causing interference.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明の第１の同時双方
向光モジュールによれば信号光を生成する発光素子とそ
の発光素子からの信号光を光ファイバに導く送信用光導
波路と、信号光を受光し電気信号に変換する受光素子
と、光ファイバからの信号光を受光素子に導く受信用光
導波路とを同一基板上に有し、かつ上記送信用光導波路
と受信用光導波路は光学的に独立して設けられ、少なく
とも発光素子と受光素子の間に遮蔽板を有していること
を特徴としている。According to the first simultaneous bidirectional optical module of the present invention, a light emitting element for generating signal light, a transmission optical waveguide for guiding signal light from the light emitting element to an optical fiber, A light receiving element for receiving light and converting the light into an electric signal, and a receiving optical waveguide for guiding signal light from an optical fiber to the light receiving element are provided on the same substrate, and the transmitting optical waveguide and the receiving optical waveguide are optical. And a shielding plate between at least the light emitting element and the light receiving element.
【０００９】第２の光モジュールは前記遮蔽板が光導波
路の光軸に対しほぼ垂直に形成されていることを特徴と
している。A second optical module is characterized in that the shielding plate is formed substantially perpendicular to the optical axis of the optical waveguide.
【００１０】第３の光モジュールは信号光を生成する発
光素子とその発光素子からの信号光を光ファイバに導く
送信用光導波路と、信号光を受光し電気信号に変換する
受光素子と、光ファイバからの信号光を受光素子に導く
受信用光導波路とを同一基板上に有し、かつ上記送信用
光導波路と受信用光導波路は光学的に独立して設けら
れ、前記送信用導波路はＬ字型をなし、Ｌ字型の一方は
送信用導波路としての機能を有し、他方は遮蔽板として
の機能を有していることを特徴としている。The third optical module includes a light emitting element for generating signal light, a transmission optical waveguide for guiding the signal light from the light emitting element to an optical fiber, a light receiving element for receiving the signal light and converting it to an electric signal, A receiving optical waveguide for guiding signal light from the fiber to the light receiving element is provided on the same substrate, and the transmitting optical waveguide and the receiving optical waveguide are provided optically independently, and the transmitting waveguide is provided. It has an L-shape, and one of the L-shapes has a function as a transmission waveguide, and the other has a function as a shielding plate.
【００１１】第４の光モジュールは前記遮蔽板の長さは
少なくとも受光素子の一辺の長さ以上であることを特徴
としている。[0011] The fourth optical module is characterized in that the length of the shielding plate is at least as long as one side of the light receiving element.
【００１２】第５の光モジュールは前記発光素子がハイ
ブリッドに形成され、受光素子は基板にモノリシックに
形成されていることを特徴としている。A fifth optical module is characterized in that the light emitting elements are formed in a hybrid manner, and the light receiving elements are formed monolithically on a substrate.
【００１３】第６の光モジュールは前記基板の光ファイ
バに対向する端面は光ファイバ端面に対し傾斜している
ことを特徴としている。The sixth optical module is characterized in that the end face of the substrate facing the optical fiber is inclined with respect to the end face of the optical fiber.
【００１４】第７の光モジュールは前記送信用導波路と
受信用導波路の光軸は平行であり、かつ光ファイバの光
軸に対しては傾斜していることを特徴としている。The seventh optical module is characterized in that the optical axes of the transmitting waveguide and the receiving waveguide are parallel to each other and are inclined with respect to the optical axis of the optical fiber.
【００１５】第８の双方向光通信装置は信号光をマルチ
モードにて伝搬するための一本の光ファイバの両端面
に、上記に記載の双方向光通信モジュールを、それぞれ
光学的に結合することによって得られる。An eighth bidirectional optical communication device optically couples the bidirectional optical communication module described above to both end faces of one optical fiber for propagating signal light in multimode. Obtained by:
【００１６】第９の双方向光通信装置は上記光ファイバ
がプラスチック光ファイバあるいはポリマクラッド石英
光ファイバであることを特徴としている。A ninth bidirectional optical communication device is characterized in that the optical fiber is a plastic optical fiber or a polymer clad silica optical fiber.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）本発明の第
１の実施の形態について図面を参照して説明する。図１
は本発明の光通信モジュールの第１の実施例に関する概
略斜視図であり、図２はそのＣ−Ｃ’断面図である。図
１においてシリコン基板１にフォトダイオード５がモノ
リシックに形成されている。またその上にはバッファ層
８及び送信用光導波路２ａ、受信用光導波路２ｂ、チッ
プ状の半導体レーザ８がそれぞれ形成されいる。受信用
光導波路２ｂはフォトダイオード５上のバッファ層を除
去することにより光学的に結合されている。４４はシリ
コン基板１上に作製されたフォトダイオードの電気配線
層が埋め込まれている部分である。概略斜視図１でフォ
トダイオード５の位置が受信用光導波路２ｂよりはみ出
た様子になっているが、これは位置関係を理解しやすく
するためで、ＳＮ比向上のため現実には、図２の断面図
に示すようにフォトダイオード５は受信用光導波路２ｂ
内に収まっている構成としている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS (First Embodiment) A first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG.
1 is a schematic perspective view relating to a first embodiment of the optical communication module of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line CC ′. In FIG. 1, a photodiode 5 is formed monolithically on a silicon substrate 1. A buffer layer 8, a transmission optical waveguide 2a, a reception optical waveguide 2b, and a chip-shaped semiconductor laser 8 are formed thereon. The receiving optical waveguide 2b is optically coupled by removing the buffer layer on the photodiode 5. Reference numeral 44 denotes a portion where the electric wiring layer of the photodiode manufactured on the silicon substrate 1 is embedded. In FIG. 1, the position of the photodiode 5 protrudes beyond the receiving optical waveguide 2b in FIG. 1. This is to make it easier to understand the positional relationship. As shown in the cross-sectional view, the photodiode 5 is a receiving optical waveguide 2b.
It is configured to fit inside.
【００１８】さらに光導波路の構成としてはコア層２
ａ，２ｂの上にオーバークラッド層９ａ，９ｂが形成さ
れており、コア層２ａとオーバークラッド層９ａをあわ
せて送信用光導波路７ａとしている。同様にコア層２ｂ
とオーバークラッド層９ｂをあわせて受信用光導波路７
ｂとしている。バッファ層及びオーバークラッド層は透
明でかつプレーナプロセスに適合した石英系若しくはポ
リマ系の材料であればよいが、コア層の屈折率より低い
構成としている。ここで送信用導波路の光軸方向の長さ
は受光用導波路より長く、その幅は受信用導波路の幅よ
り短く構成するのが好ましい。これはファイバを介して
受信用導波路に入射してくる光の利用効率を上げるため
に、ファイバ端面の面積に対する受信用導波路端面の面
積を大きくすなわち導波路幅を大きく構成し、また受信
用導波路での損失を小さくするという理由から導波路長
さをできるだけ短く構成する。Further, the configuration of the optical waveguide includes a core layer 2
Overcladding layers 9a and 9b are formed on a and 2b, and the core layer 2a and the overcladding layer 9a together form a transmission optical waveguide 7a. Similarly, the core layer 2b
And the over cladding layer 9b.
b. The buffer layer and the over cladding layer may be made of a transparent or quartz-based or polymer-based material suitable for the planar process, but have a lower refractive index than the core layer. Here, the length of the transmitting waveguide in the optical axis direction is preferably longer than that of the light receiving waveguide, and the width thereof is preferably shorter than the width of the receiving waveguide. This is to increase the area of the end face of the receiving waveguide relative to the area of the end face of the fiber, that is, to increase the waveguide width in order to increase the utilization efficiency of light incident on the receiving waveguide via the fiber. The waveguide length is made as short as possible to reduce the loss in the waveguide.
【００１９】送信用光導波路７ａの端面には発光素子で
ある例えばチップ状の半導体レーザ４がハイブリッド接
合され、受信用光導波路７ｂの底面の一端には受光素子
であるフォトダイオード５が接続されている。A semiconductor laser 4 as a light emitting element, for example, a chip-shaped semiconductor laser 4 is hybrid-joined to an end face of the transmitting optical waveguide 7a, and a photodiode 5 as a light receiving element is connected to one end of the bottom face of the receiving optical waveguide 7b. I have.
【００２０】また前記送信用光導波路７ａ、受信用光導
波路７ｂのもう一方の端面には光ファイバ３が接続され
ている。光ファイバ３はハードポリマクラッド石英光フ
ァイバまたはプラスチック光ファイバを使用する。光導
波路コアの材質はファイバコアとの接続性より厚膜化が
可能なポリマ系の材料を使用する。更に受光素子への漏
れ光の再結合を防止するため、受光素子と発光素子の間
に遮蔽板１１を設ける構成とする。この遮蔽板１１は光
導波路の光軸に対しほぼ垂直に設けまた導波路と同様の
材料、同工程で形成するためその高さは導波路の厚みと
同じである。An optical fiber 3 is connected to the other end surfaces of the transmitting optical waveguide 7a and the receiving optical waveguide 7b. The optical fiber 3 uses a hard polymer clad quartz optical fiber or a plastic optical fiber. As the material of the optical waveguide core, a polymer material that can be made thicker than the connectivity with the fiber core is used. Further, in order to prevent recombination of light leaking to the light receiving element, a shielding plate 11 is provided between the light receiving element and the light emitting element. The shielding plate 11 is provided substantially perpendicular to the optical axis of the optical waveguide, and is formed of the same material and in the same process as the waveguide, so that its height is the same as the thickness of the waveguide.
【００２１】図３は本発明の光通信モジュールＭ、Ｍ’
に光ファイバ３を接続してリンクを形成した図である。
図１、２に示したように本発明の光通信モジュールは発
信側と受信側の導波路が光学的に分離されかつ発光素子
４と受光素子５の間に光軸に対し垂直に遮蔽板１１が設
けられているため、光通信モジュールＭ及びＭ’から同
一波長で同時に信号が発せられても、光通信モジュール
Ｍから発せられた光信号はＭ自体の受光素子５では受信
されず、相手側の光通信モジュールＭ’の受光素子５’
に受信される。光通信モジュールＭ’から発せられた光
信号はＭ’自体の受光素子５’では受信されず、相手側
の光通信モジュールＭの受光素子５に受信され双方向光
通信が達成される。FIG. 3 shows the optical communication modules M and M 'of the present invention.
FIG. 3 is a diagram in which an optical fiber 3 is connected to a link to form a link.
As shown in FIGS. 1 and 2, in the optical communication module of the present invention, the transmitting and receiving waveguides are optically separated, and the shielding plate 11 is vertically disposed between the light emitting element 4 and the light receiving element 5 with respect to the optical axis. Is provided, even if signals are simultaneously emitted from the optical communication modules M and M ′ at the same wavelength, the optical signal emitted from the optical communication module M is not received by the light receiving element 5 of M itself, and Light receiving element 5 'of optical communication module M'
Is received. The optical signal emitted from the optical communication module M 'is not received by the light receiving element 5' of the optical communication module M 'itself, but is received by the light receiving element 5 of the optical communication module M on the other side, thereby achieving bidirectional optical communication.
【００２２】以上のように構成された本発明の光モジュ
ールについて、損失及び反射戻り光によるＳＮ比の性能
評価を行った。上記に示す図１の構成を実施例１として
説明する。Ｓｉ基板１上にＳｉＯ2膜でできた厚み５μ
ｍのバッファ層８を介してコア層２が形成されている。
コア層の材料は数百度の耐熱性がありかつ厚膜形成が可
能でバッファ層のＳｉＯ2より屈折率の高いポリイミド
やポリアミドイミド樹脂が良いが、中でも特に光透過性
の良いフッ素化ポリイミド（日立化成：ＯＰＩシリー
ズ）を用いた。またコアの膜厚は４０μｍ、受信側の導
波路幅は４００μｍ、長さ７００μｍであり送信側の導
波路幅は５０μｍ、長さ１０００μｍとしそれらの導波
路間隔は５０μｍとした。オーバークラッドは、コアよ
り屈折率の高い材料であればよいが、２μｍ厚のＣＶＤ
のＳｉＯ２を用いた。さらにその上には遮光膜としてＡ
ｌを０．２μｍ厚形成し、外光を遮断した。またシリコ
ン基板上にフォトダイオードがフォトリソ法で形成さ
れ、ファイバの接続面と反対側に光軸に対し垂直方向に
幅４５０μｍ、長さ５０μｍ、高さ４０μｍの光導波路
と同様の材料で遮蔽板１１を形成した。With respect to the optical module of the present invention configured as described above, the performance of the SN ratio by loss and reflected return light was evaluated. The configuration of FIG. 1 described above will be described as a first embodiment. 5μ thickness of SiO 2 film on Si substrate 1
The core layer 2 is formed via m buffer layers 8.
The material of the core layer is preferably a polyimide or a polyamideimide resin having a heat resistance of several hundred degrees and capable of forming a thick film and having a higher refractive index than SiO 2 of the buffer layer. Chemical: OPI series) was used. The thickness of the core was 40 μm, the waveguide width on the receiving side was 400 μm, and the length was 700 μm. The waveguide width on the transmitting side was 50 μm, the length was 1000 μm, and the interval between the waveguides was 50 μm. The over cladding may be made of a material having a higher refractive index than that of the core.
Was used. On top of that, A
1 was formed to a thickness of 0.2 μm to block external light. Further, a photodiode is formed on a silicon substrate by a photolithography method, and a shielding plate 11 made of a material similar to that of an optical waveguide having a width of 450 μm, a length of 50 μm, and a height of 40 μm in a direction perpendicular to an optical axis is provided on a side opposite to a fiber connection surface. Was formed.
【００２３】図４には上記の比較例として送信側と受信
側の導波路を分岐・結合構造としたものをを示す。各部
の材料、膜厚及びそれぞれの導波路幅は実施例１と同一
で、結合している部分の導波路幅は４５０μｍとした。FIG. 4 shows a comparative example in which the waveguides on the transmitting side and the receiving side have a branching / coupling structure. The material, film thickness, and waveguide width of each part were the same as in Example 1, and the waveguide width of the coupled part was 450 μm.
【００２４】尚、発光素子４には波長６５０ｎｍで大き
さ３００μｍ角のチップ状の半導体レーザをシリコン基
板１上にハイブリッド集積したものを用いて、送信用光
導波路７ａを介した光出力が０ｄＢｍ即ち１ｍＷになる
ように出力を制御した。また光ファイバには口径５００
μｍ長さ５０ｍのＰＭＭＡ製プラスチック光ファイバを
用いた。As the light emitting element 4, a chip-shaped semiconductor laser having a wavelength of 650 nm and a size of 300 μm square is hybrid-integrated on the silicon substrate 1, and the light output through the transmission optical waveguide 7a is 0 dBm. The output was controlled to 1 mW. The optical fiber has a diameter of 500
A 50 μm long PMMA plastic optical fiber was used.
【００２５】上記に示す構成を図５に示す実験モデルを
設定しての位置でのフォトダイオードで光量を測
定し、損失、ＳＮ比を求めて比較検討した。図６に示す
実験モデルは、は半導体レーザ４から出射した光が送
信側導波路７ａを経た位置での光量、は半導体レーザ
４から出射した光が導波路７ａ、７ｂ及び光ファイバ３
（反射を含む）を経てＰＤ５に入射した光量、は半導
体レーザ４から出射した光が送信側導波路７ａ及び光フ
ァイバ３を経てＰＤ５’に入射した光量、での測定を行
ったものである。上記の測定結果を表１に示す。The above configuration was measured by using a photodiode at the position where the experimental model shown in FIG. 5 was set, and the loss and S / N ratio were obtained and compared. The experimental model shown in FIG. 6 shows that the amount of light emitted from the semiconductor laser 4 at the position after passing through the transmission-side waveguide 7a, and the amount of light emitted from the semiconductor laser 4 is the waveguide 7a, 7b and the optical fiber 3
The amount of light incident on the PD 5 via the reflection (including reflection) is a value obtained by measuring the amount of light emitted from the semiconductor laser 4 and incident on the PD 5 ′ via the transmission waveguide 7 a and the optical fiber 3. Table 1 shows the measurement results.
【００２６】[0026]
【表１】 [Table 1]
【００２７】以上の結果から比較例で示したものは、導
波路が送信用と受信用の結合部分を有していることから
導波路内での反射により送信光が同モジュールの受信部
に入射し混信の原因となることがわかる。したがって送
信用導波路７ａと受信用導波路７ｂは独立して設けるこ
とが必要であり、かつ発光素子４、受光素子５の間に遮
蔽板１１を設けるような構成とすることで双方向の混信
を防止することができ、さらにモジュールを小型に構成
することが可能となり、低価格が実現できる。From the above results, in the case of the comparative example, since the waveguide has a coupling portion for transmission and reception, the transmission light is incident on the reception section of the module by reflection in the waveguide. It can be seen that it causes interference. Therefore, it is necessary to provide the transmission waveguide 7a and the reception waveguide 7b independently, and by providing the shielding plate 11 between the light emitting element 4 and the light receiving element 5, it is possible to provide two-way interference. Can be prevented, and the module can be reduced in size, thereby realizing low cost.
【００２８】（第２の実施の形態）本発明の第２の実施
の形態として図面を参照して説明する。図６には送信側
導波路７ａをＬ字型とした。光の光軸方向の導波路は送
信光伝達用の導波路であり、光軸にほぼ垂直な導波路は
遮蔽板１１としての役割を果たす。各部の材料、膜厚は
実施例１と同一である。(Second Embodiment) A second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In FIG. 6, the transmitting waveguide 7a is L-shaped. The waveguide in the direction of the optical axis of light is a waveguide for transmitting transmission light, and the waveguide substantially perpendicular to the optical axis serves as a shielding plate 11. The material and film thickness of each part are the same as in the first embodiment.
【００２９】図７には実施例３として送信側導波路７ａ
と受信側導波路７ｂの間に遮蔽板１１を挿入した構造と
した光モジュールを示す。各部の材料、膜厚は実施例１
と同一で導波路幅は送信用、受信用それぞれ５０μｍ、
３００μｍとし、その間に５０μｍの遮蔽板１１を挿入
した。導波路の長さは実施例１と同様であり、またここ
で採用した導波路及び遮蔽板１１の寸法は実施例１と同
サイズの基板上に作製可能なサイズである。FIG. 7 shows a transmission-side waveguide 7a as a third embodiment.
5 shows an optical module having a structure in which a shielding plate 11 is inserted between the optical waveguide and a receiving waveguide 7b. Example 1
The waveguide width is 50 μm for transmission and for reception.
The thickness was set to 300 μm, and a 50 μm shielding plate 11 was inserted between them. The length of the waveguide is the same as that of the first embodiment, and the dimensions of the waveguide and the shielding plate 11 adopted here are such that they can be manufactured on a substrate of the same size as the first embodiment.
【００３０】上記に示した実施例２及び実施例３を作製
し、実施例１と同様の実験及び評価を行った。それらの
結果を表２に示す。The above-described Examples 2 and 3 were manufactured, and the same experiment and evaluation as in Example 1 were performed. Table 2 shows the results.
【００３１】[0031]
【表２】 [Table 2]
【００３２】上記実施例２の結果から送信用導波路７ａ
をＬ字型の構成とし、Ｌ字型の一方を送信用導波路７ａ
として機能させ、他方を遮蔽板１１として機能させる構
造とすることで導波路と遮蔽板１１の形成に必要な溝を
なくすことができ漏れ光が完全になくなる。すなわち図
８に示すように半導体レーザ４からでた光が送信用導波
路端面、レーザ端面で反射を繰り返すため、少しでも隙
間があるとフォトダイオード５に入射する可能性が大き
い。したがって図６に示す導波路構造を採用することで
ＳＮ比は飛躍的に向上する。ここでは送信用導波路７ａ
構造をＬ字型としたがこれに限ったものではない。図９
（ａ）には送信用導波路７ａの他の形状例を示す。送信
用導波路幅Ｗ＝５０μｍ、半導体レーザの放射角θ＝２
０度、とした場合、導波路の側面と送信光の放射による
交点位置は半導体レーザ出射端面から距離Ｌ＝１４２μ
ｍ離れることになる。したがって遮蔽機能を有する導波
路は図９（ｂ）に示す位置でも光の損失はないことにな
る。実際上、放射角の誤差や半導体レーザ４の取り付け
誤差などの要因があるため、この構造ではＬは１００μ
ｍ以下とするのが妥当である。また送信用導波路７ａを
Ｌ字ではなく、フォトダイオードを囲むようにコの字に
しても良いことは明らかである。From the result of the second embodiment, the transmission waveguide 7a
Is an L-shaped configuration, and one of the L-shaped is a transmission waveguide 7a.
And the other function as the shielding plate 11, the groove necessary for forming the waveguide and the shielding plate 11 can be eliminated, and the leakage light can be completely eliminated. That is, as shown in FIG. 8, the light emitted from the semiconductor laser 4 is repeatedly reflected on the end face of the transmission waveguide and the end face of the laser, so that there is a high possibility that the light will enter the photodiode 5 if there is any gap. Therefore, the adoption of the waveguide structure shown in FIG. 6 dramatically improves the SN ratio. Here, the transmission waveguide 7a
Although the structure is L-shaped, it is not limited to this. FIG.
(A) shows another example of the shape of the transmission waveguide 7a. Transmitting waveguide width W = 50 μm, radiation angle θ of semiconductor laser = 2
When the angle is set to 0 degree, the intersection point between the side surface of the waveguide and the emission of the transmission light is located at a distance L = 142 μm from the semiconductor laser emitting end surface.
m away. Therefore, the waveguide having the shielding function has no light loss even at the position shown in FIG. Actually, there are factors such as a radiation angle error and a mounting error of the semiconductor laser 4, so that L is 100 μm in this structure.
m or less. It is apparent that the transmission waveguide 7a may be formed in a U-shape so as to surround the photodiode instead of the L-shape.
【００３３】実施例３の結果から実施例１及び２の場合
と比較してＳＮ比が低下しているが、双方向光通信とし
て使用可能なレベルであり、送信用導波路７ａと受信用
導波路７ｂの間に遮蔽板１１を設ける構成としても構わ
ない。この場合、図８に示したようにフォトダイオード
５に漏れ光が入射させないようにするためには、遮蔽板
１１の位置は送信用導波路７ａの端面と同様の位置程度
まで形成しておく必要がある。遮蔽板端面位置がこれ以
上短い場合は漏れ光がフォトダイオードに入射する可能
性があり、ＳＮ比が低下する。From the results of the third embodiment, the S / N ratio is lower than that of the first and second embodiments, but at a level usable for bidirectional optical communication, the transmission waveguide 7a and the reception waveguide A configuration in which the shielding plate 11 is provided between the wave paths 7b may be employed. In this case, as shown in FIG. 8, in order to prevent light from leaking into the photodiode 5, the position of the shielding plate 11 needs to be formed to a position similar to the end surface of the transmission waveguide 7a. There is. If the position of the end face of the shielding plate is shorter than this, there is a possibility that leaked light may enter the photodiode, and the S / N ratio is reduced.
【００３４】（第３の実施の形態）第３の実施の形態と
して上記実施の形態に示した方法とは別に、さらにＳＮ
比を向上させる方法として、下記の２方法がある。第１
に、光ファイバと導波路の光軸を送信側導波路がファイ
バ外側を向く方向に１０度程度傾斜させる方法である。
図１ではファイバの光軸３１と導波路の光軸７１は同一
であったが、ここでは送信用導波路の光軸と受信用導波
路の光軸は平行でその光軸７１とファイバの光軸３１は
１０度傾斜した構造とした。この構造を図１０に示す。
このような構造で上記に示したのと同様なＳＮ比の評価
を行った結果、ＳＮ比／は２５ｄＢとなり、実施例
１での結果より３ｄＢ程度ＳＮ比が向上した。(Third Embodiment) As a third embodiment, apart from the method shown in the above-described embodiment, SN
There are the following two methods for improving the ratio. First
Another method is to incline the optical axes of the optical fiber and the waveguide by about 10 degrees in a direction in which the transmission-side waveguide faces the outside of the fiber.
In FIG. 1, the optical axis 31 of the fiber and the optical axis 71 of the waveguide are the same, but here, the optical axis of the transmitting waveguide and the optical axis of the receiving waveguide are parallel and the optical axis 71 and the optical axis of the fiber are parallel. The shaft 31 has a structure inclined at 10 degrees. This structure is shown in FIG.
As a result of evaluating the S / N ratio similar to that shown above with such a structure, the S / N ratio was 25 dB, and the S / N ratio was improved by about 3 dB from the result in Example 1.
【００３５】第２に、シリコン基板１端面を光ファイバ
３端面に対し傾斜構造することで反射を防止することが
できる。図１１にこの断面構造を示す。ファイバに対向
する厚さ０．５のシリコン基板１の端面を４５度にスラ
イスすることで、シリコン基板１端面で反射した光がフ
ァイバ３に再び入射することがなくなった。上記の構造
を実施例１に採用することで５ｄＢ程度ＳＮ比を向上さ
せることができた。Second, reflection can be prevented by making the end face of the silicon substrate 1 inclined with respect to the end face of the optical fiber 3. FIG. 11 shows this cross-sectional structure. By slicing the end face of the silicon substrate 1 having a thickness of 0.5 facing the fiber at 45 degrees, light reflected on the end face of the silicon substrate 1 does not enter the fiber 3 again. By adopting the above structure in the first embodiment, the SN ratio could be improved by about 5 dB.
【００３６】これは図３に示すように光モジュールＭか
ら出射した光はファイバ３を介して他端の光モジュール
Ｍ’に到達する。光モジュールＭ’に到達した光は光モ
ジュールＭ’が作製されているシリコン基板で反射し、
再び光モジュールＭに戻る。この光が混信の原因となり
ＳＮ比が低下すると考えられる。The light emitted from the optical module M reaches the optical module M 'at the other end via the fiber 3 as shown in FIG. The light that reaches the optical module M ′ is reflected by the silicon substrate on which the optical module M ′ is manufactured,
Return to the optical module M again. It is considered that this light causes interference and lowers the SN ratio.
【００３７】上記ではシリコン基板１を光ファイバ３端
面に対し傾斜させることでファイバへの戻り光を防止し
たが、シリコン基板１端面に、例えば反射防止膜を設け
たり、黒色樹脂膜を塗布しても戻り光を防止でき上記と
同様の効果が得られる。In the above, return light to the fiber is prevented by inclining the silicon substrate 1 with respect to the end face of the optical fiber 3. However, for example, an anti-reflection film is provided on the end face of the silicon substrate 1 or a black resin film is applied. Can also prevent return light, and the same effect as described above can be obtained.
【００３８】以上のように上記構造をさらに上記実施例
で示した構造に付加することでより一層のＳＮ比の向上
が可能となった。As described above, the SN ratio can be further improved by adding the above structure to the structure shown in the above embodiment.
【００３９】[0039]
【発明の効果】上記構成によれば、発光素子光源からの
光出力及び、送信用導波路からの漏れ光が光検出器へ入
射するのを低減することができ、光検出出力のＳＮ比を
向上することができる。また遮蔽板を光軸に対し垂直に
構成するあるいは送信用導波路をＬ字型とすることで上
記効果をより一層増大できる。さらに基板の光ファイバ
に対向する端面は光ファイバ端面に対し傾斜している構
造にしたり、送信用導波路と受信用導波路の光軸は平行
であり、かつ光ファイバの光軸に対しては傾斜している
構造にすることでも更なるＳＮ比の向上が可能である。According to the above configuration, it is possible to reduce the light output from the light emitting element light source and the leakage light from the transmission waveguide to enter the photodetector, and to reduce the SN ratio of the light detection output. Can be improved. The above effect can be further increased by forming the shielding plate perpendicular to the optical axis or making the transmission waveguide L-shaped. Further, the end face of the substrate facing the optical fiber is configured to be inclined with respect to the end face of the optical fiber, or the optical axes of the transmission waveguide and the reception waveguide are parallel, and the optical axis of the optical fiber is Further improvement in the S / N ratio is possible by adopting a tilted structure.
【００４０】また受光素子を基板とモノリシックな構成
とすることで半導体の製造工程を使用でき、プレーナプ
ロセスでの作製が容易となり、小型化が可能になるとと
もにコストダウンが図れる。さらにマルチモード光ファ
イバを使用することが可能となり、コストダウンが図れ
る。Further, by forming the light receiving element monolithically with the substrate, a semiconductor manufacturing process can be used, the fabrication by the planar process becomes easy, the size can be reduced, and the cost can be reduced. Further, it becomes possible to use a multi-mode optical fiber, and the cost can be reduced.
【図１】本発明の第１の実施例に関する光通信モジュー
ル全体の概略斜視図である。FIG. 1 is a schematic perspective view of an entire optical communication module according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第１の実施例に関する断面図である。FIG. 2 is a sectional view relating to a first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の光通信モジュールを用いたリンクの概
略図である。FIG. 3 is a schematic diagram of a link using the optical communication module of the present invention.
【図４】本発明の実施例に対する比較例の概略斜視図で
ある。FIG. 4 is a schematic perspective view of a comparative example with respect to the example of the present invention.
【図５】本発明の光通信モジュールの評価方法の概略図
である。FIG. 5 is a schematic diagram of an optical communication module evaluation method of the present invention.
【図６】本発明の第２の実施例に関する概略斜視図であ
る。FIG. 6 is a schematic perspective view relating to a second embodiment of the present invention.
【図７】本発明の第３の実施例に関する概略斜視図であ
る。FIG. 7 is a schematic perspective view relating to a third embodiment of the present invention.
【図８】反射の例を示した図である。FIG. 8 is a diagram showing an example of reflection.
【図９】本発明のＬ型導波路の説明図と他の例を示した
図である。FIG. 9 is an explanatory view of an L-shaped waveguide according to the present invention and a view showing another example.
【図１０】本発明のファイバの光軸と導波路の光軸を傾
斜させる斜視図である。FIG. 10 is a perspective view inclining the optical axis of the fiber of the present invention and the optical axis of the waveguide.
【図１１】本発明の基板端面を傾斜させる説明図であ
る。FIG. 11 is an explanatory diagram for tilting a substrate end face of the present invention.
【図１２】従来の遮蔽板を用いた平面図である。FIG. 12 is a plan view using a conventional shielding plate.
１ シリコン基板 ２，２ａ，２ｂ 光導波路コア層 ３ 光ファイバ ４ 発光素子 ５ 受光素子（フォトダイオード） ６ａ 送信光 ６ｂ 受信光 ７ 光導波路 ７ａ 送信用光導波路 ７ｂ 受信用光導波路 ８，８ａ，８ｂ バッファ層 ９，９ａ，９ｂ オーバークラッド １０ 電気配線層 １１ 遮蔽板 ３１ 光ファイバの光軸 ７１ 光導波路の光軸 Ａ レーザ発光点 Ｍ、Ｍ’ 光モジュール Ｌ 放射状に出射する光の照射範囲と導波路の側面との
交点とレーザ出射端面との距離 Ｗ 導波路幅 θ 半導体レーザの放射角DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Silicon substrate 2, 2a, 2b Optical waveguide core layer 3 Optical fiber 4 Light emitting element 5 Light receiving element (photodiode) 6a Transmission light 6b Reception light 7 Optical waveguide 7a Transmission optical waveguide 7b Receiving optical waveguide 8, 8a, 8b Buffer Layer 9, 9a, 9b Over clad 10 Electrical wiring layer 11 Shielding plate 31 Optical axis of optical fiber 71 Optical axis of optical waveguide A Laser emission point M, M 'Optical module L Irradiation range of radially emitted light and waveguide Distance between the intersection with the side surface and the laser emitting end face W Waveguide width θ Radiation angle of semiconductor laser
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤田 英明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 石井 ▲頼▼成 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 倉田 幸夫 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 Ｆターム(参考） 2H037 AA01 BA02 BA11 BA21 CA34 2H047 MA05 MA07 QA05 QA07 RA00 TA23 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Hideaki Fujita 22-22, Nagaikecho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka Inside Sharp Co., Ltd. No. Sharp Corporation (72) Inventor Yukio Kurata 22-22 Nagaikecho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka F-term (reference) 2H037 AA01 BA02 BA11 BA21 CA34 2H047 MA05 MA07 QA05 QA07 RA00 TA23
Claims (9)
素子からの信号光を光ファイバに導く送信用光導波路
と、信号光を受光し電気信号に変換する受光素子と、光
ファイバからの信号光を受光素子に導く受信用光導波路
とを同一基板上に有し、かつ上記送信用光導波路と受信
用光導波路は光学的に独立して設けられ、 少なくとも発光素子と受光素子の間に遮蔽板を有してい
ることを特徴とする双方向光通信モジュール。A light-emitting element for generating signal light; a transmission optical waveguide for guiding the signal light from the light-emitting element to an optical fiber; a light-receiving element for receiving the signal light and converting the signal light into an electric signal; A receiving optical waveguide for guiding signal light to a light receiving element is provided on the same substrate, and the transmitting optical waveguide and the receiving optical waveguide are provided optically independently, at least between the light emitting element and the light receiving element. A bidirectional optical communication module having a shielding plate.
垂直に形成されていることを特徴とする請求項１記載の
双方向光通信モジュール。2. The bidirectional optical communication module according to claim 1, wherein said shielding plate is formed substantially perpendicular to the optical axis of the optical waveguide.
素子からの信号光を光ファイバに導く送信用光導波路
と、信号光を受光し電気信号に変換する受光素子と、光
ファイバからの信号光を受光素子に導く受信用光導波路
とを同一基板上に有し、かつ上記送信用光導波路と受信
用光導波路は光学的に独立して設けられ、 前記送信用導波路はＬ字型をなし、Ｌ字型の一方は送信
用導波路としての機能を有し、他方は遮蔽板としての機
能を有していることを特徴とする双方向光通信モジュー
ル。3. A light emitting element for generating a signal light, a transmission optical waveguide for guiding the signal light from the light emitting element to an optical fiber, a light receiving element for receiving the signal light and converting it to an electric signal, A receiving optical waveguide for guiding the signal light to the light receiving element is provided on the same substrate, and the transmitting optical waveguide and the receiving optical waveguide are provided optically independently; and the transmitting waveguide is L-shaped. A bidirectional optical communication module characterized in that one of the L-shapes has a function as a transmission waveguide and the other has a function as a shielding plate.
の一辺の長さ以上であることを特徴とする請求項１乃至
３何れかに記載の双方向光通信モジュール。4. The bidirectional optical communication module according to claim 1, wherein the length of the shielding plate is at least as long as one side of the light receiving element.
れ、受光素子は基板にモノリシックに形成されているこ
とを特徴とする請求項１乃至４何れかに記載の双方向光
通信モジュール。5. The bidirectional optical communication module according to claim 1, wherein said light emitting element is formed in a hybrid, and said light receiving element is formed monolithically on a substrate.
光ファイバ端面に対し傾斜していることを特徴とする請
求項１乃至５何れかに記載の双方向光通信モジュール。6. The bidirectional optical communication module according to claim 1, wherein an end face of the substrate facing the optical fiber is inclined with respect to the end face of the optical fiber.
は平行であり、かつ光ファイバの光軸に対しては傾斜し
ていることを特徴とする請求項１乃至６何れかに記載の
双方向光通信モジュール。7. The transmission waveguide and the reception waveguide have an optical axis parallel to each other, and are inclined with respect to an optical axis of the optical fiber. A bidirectional optical communication module as described in the above.
の一本の光ファイバの両端面に、上記請求項１乃至７何
れかに記載の双方向光通信モジュールを、それぞれ光学
的に結合することによって得られる双方向光通信装置。8. The two-way optical communication module according to claim 1, wherein both ends of one optical fiber for propagating signal light in a multi-mode are optically coupled. Bidirectional optical communication device obtained by this.
バあるいはポリマクラッド石英光ファイバであることを
特徴とする請求項８記載の双方向光通信装置。9. The two-way optical communication device according to claim 8, wherein said optical fiber is a plastic optical fiber or a polymer clad silica optical fiber.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33864398A JP2000162455A (en) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | Bidirectional optical communication module, and optical communication system using same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33864398A JP2000162455A (en) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | Bidirectional optical communication module, and optical communication system using same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000162455A true JP2000162455A (en) | 2000-06-16 |
Family
ID=18320114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33864398A Pending JP2000162455A (en) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | Bidirectional optical communication module, and optical communication system using same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000162455A (en) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002148490A (en) * | 2000-11-09 | 2002-05-22 | Toshiba Corp | Optical module |
| JP2003107302A (en) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Sony Corp | Optical transmitter/receiver |
| KR100484998B1 (en) * | 2001-09-21 | 2005-04-25 | 가부시키가이샤 시티즌 덴시 | Bidirectional optical transmission device |
| US6956980B2 (en) | 2000-09-18 | 2005-10-18 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Optical waveguide type optical modulator and production method therefor |
| JP2009522608A (en) * | 2006-10-02 | 2009-06-11 | ホアウェイ・テクノロジーズ・カンパニー・リミテッド | Method and system for integrated DWDM transmitter |
| JP2009224371A (en) * | 2008-03-13 | 2009-10-01 | Nec Corp | End face incident type light receiving element, and optical coupling method and optical coupling structure thereof |
| US8050525B2 (en) | 2006-10-11 | 2011-11-01 | Futurewei Technologies, Inc. | Method and system for grating taps for monitoring a DWDM transmitter array integrated on a PLC platform |
| US8285151B2 (en) | 2006-10-20 | 2012-10-09 | Futurewei Technologies, Inc. | Method and system for hybrid integrated 1XN DWDM transmitter |
| US8285150B2 (en) | 2006-10-02 | 2012-10-09 | Futurewei Technologies, Inc. | Method and system for integrated DWDM transmitters |
| CN104065417A (en) * | 2014-07-02 | 2014-09-24 | 潘国新 | Integrated optical transmitting-receiving assembly |
-
1998
- 1998-11-30 JP JP33864398A patent/JP2000162455A/en active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6956980B2 (en) | 2000-09-18 | 2005-10-18 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Optical waveguide type optical modulator and production method therefor |
| JP2002148490A (en) * | 2000-11-09 | 2002-05-22 | Toshiba Corp | Optical module |
| KR100484998B1 (en) * | 2001-09-21 | 2005-04-25 | 가부시키가이샤 시티즌 덴시 | Bidirectional optical transmission device |
| US6899469B2 (en) | 2001-09-21 | 2005-05-31 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Bidirectional optical transmission device |
| JP2003107302A (en) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Sony Corp | Optical transmitter/receiver |
| WO2003029868A1 (en) * | 2001-09-28 | 2003-04-10 | Sony Corporation | Optical transmitter/receiver |
| JP2009522608A (en) * | 2006-10-02 | 2009-06-11 | ホアウェイ・テクノロジーズ・カンパニー・リミテッド | Method and system for integrated DWDM transmitter |
| JP4938027B2 (en) * | 2006-10-02 | 2012-05-23 | ホアウェイ・テクノロジーズ・カンパニー・リミテッド | Method and system for integrated DWDM transmitter |
| US8285149B2 (en) | 2006-10-02 | 2012-10-09 | Futurewei Technologies, Inc. | Method and system for integrated DWDM transmitters |
| US8285150B2 (en) | 2006-10-02 | 2012-10-09 | Futurewei Technologies, Inc. | Method and system for integrated DWDM transmitters |
| US8050525B2 (en) | 2006-10-11 | 2011-11-01 | Futurewei Technologies, Inc. | Method and system for grating taps for monitoring a DWDM transmitter array integrated on a PLC platform |
| US8285151B2 (en) | 2006-10-20 | 2012-10-09 | Futurewei Technologies, Inc. | Method and system for hybrid integrated 1XN DWDM transmitter |
| JP2009224371A (en) * | 2008-03-13 | 2009-10-01 | Nec Corp | End face incident type light receiving element, and optical coupling method and optical coupling structure thereof |
| CN104065417A (en) * | 2014-07-02 | 2014-09-24 | 潘国新 | Integrated optical transmitting-receiving assembly |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6515307B2 (en) | Bidirectional optical semiconductor apparatus | |
| JP3758526B2 (en) | Bidirectional optical communication device, bidirectional optical communication device, and bidirectional optical communication device assembling method | |
| US7526156B2 (en) | Optical fiber for out-coupling optical signal and apparatus for detecting optical signal using the same optical fiber | |
| Kinoshita et al. | Polymer optical waveguides with GI and W-shaped cores for high-bandwidth-density on-board interconnects | |
| JPH11248954A (en) | Optical hybrid module | |
| US6157760A (en) | Two-way optical communication device and two-way optical communication apparatus | |
| US7024079B2 (en) | Optical waveguide module | |
| JP2000162455A (en) | Bidirectional optical communication module, and optical communication system using same | |
| US7039274B2 (en) | Light signal transmitting device and signal processing device | |
| JP2000009968A (en) | Photodetecting module | |
| JP2004170668A (en) | Optical transmitting/receiving module, its manufacturing method and optical communication system | |
| JP2022080627A (en) | Optical module | |
| US6868210B2 (en) | Optical waveguide and their application of the optical communication system | |
| JP3642967B2 (en) | Optical communication device and bidirectional optical communication apparatus | |
| Chen et al. | 10Gbps multi-mode waveguide for optical interconnect | |
| JP3834178B2 (en) | Bidirectional optical communication device and bidirectional optical communication device | |
| JP5337637B2 (en) | Optical module and manufacturing method thereof | |
| Matsubara et al. | Three dimensional optical interconnect on organic circuit board | |
| Kohmu et al. | High-efficiency optical coupling between VCSEL and 90-degree-bent graded-index core polymer waveguide with numeral aperture optimization | |
| Takayama et al. | Significant reduction of crossing loss using polynorbornene based GI-core optical waveguide | |
| Suzuki et al. | High optical coupling efficiency using 45°-ended fibre for low-height and low-cost optical interconnect modules | |
| US6603584B1 (en) | System and method for bi-directional optical communication | |
| Takanashi et al. | High-uniformity star coupler using diffused light transmission | |
| JP4112093B2 (en) | Optical transceiver module | |
| JP2005078023A (en) | Optical transmission module |