JP2000150895A - 薄膜トランジスタ及び画像表示装置の駆動装置 - Google Patents
薄膜トランジスタ及び画像表示装置の駆動装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 回路の中の薄膜トランジスタが回路の通常動
作中に生じた経時変化を熱的に回復させて、特性劣化を
初期状態に回復させる。 【解決手段】 薄膜トランジスタ１０は、ゲート電極
１、ゲート絶縁膜及び半導体層２を積層してなる。ゲー
ト電極１に抵抗体を使用し、ゲート電極１には二つの通
電用端子５、６を接続している。これら通電用端子５、
６間に、配線１１を介して電流を通してゲート電極１に
隣接するゲート絶縁膜及び半導体層２を加熱する外部電
源が設けられている。外部電源９が、ゲート電極１に薄
膜トランジスタ駆動用信号が与えられていない時、二つ
の通電用端子５、６に電流を通じ、薄膜トランジスタの
経時変化を熱的に回復できる。また、この薄膜トランジ
スタ１０を用いた画像表示装置の駆動装置は、薄膜トラ
ンジスタ１０によってそのトランジスタの経時変化を熱
的に回復でき、回路全体の信頼性を向上できる。
作中に生じた経時変化を熱的に回復させて、特性劣化を
初期状態に回復させる。 【解決手段】 薄膜トランジスタ１０は、ゲート電極
１、ゲート絶縁膜及び半導体層２を積層してなる。ゲー
ト電極１に抵抗体を使用し、ゲート電極１には二つの通
電用端子５、６を接続している。これら通電用端子５、
６間に、配線１１を介して電流を通してゲート電極１に
隣接するゲート絶縁膜及び半導体層２を加熱する外部電
源が設けられている。外部電源９が、ゲート電極１に薄
膜トランジスタ駆動用信号が与えられていない時、二つ
の通電用端子５、６に電流を通じ、薄膜トランジスタの
経時変化を熱的に回復できる。また、この薄膜トランジ
スタ１０を用いた画像表示装置の駆動装置は、薄膜トラ
ンジスタ１０によってそのトランジスタの経時変化を熱
的に回復でき、回路全体の信頼性を向上できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、経時変化による特
性の劣化を回復する機能を有する薄膜トランジスタ及び
それを用いた画像表示装置の駆動装置に関する。
性の劣化を回復する機能を有する薄膜トランジスタ及び
それを用いた画像表示装置の駆動装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の薄膜トランジスタのうち、ボトム
ゲート型であってアモルファスシリコンを半導体層に持
つ薄膜トランジスタを例に説明する。なお、トップゲー
ト型、またはポリシリコンを用いた従来の薄膜トランジ
スタにおいても、基本的動作に違いはない。図９に示す
ように、ボトムゲート型薄膜トランジスタ１００は、ゲ
ート端子１０１、ソース端子１０３、ドレイン端子１０
４から成る三端子素子であり、ゲート端子１０１はゲー
ト電極１０５に電圧を供給する役割を担い、この端子に
電流が流れることはない。ソース端子１０３及びドレイ
ン端子１０４はそれぞれ、ソース電極１０６及びドレイ
ン電極１０７が接続している。このような薄膜トランジ
スタは、半導体層１０２、及び半導体層１０２とゲート
電極１０５との間に介在するゲート絶縁膜（図示を省略
した）にかかる電界により、ゲート絶縁膜、半導体層１
０２及びそれらの界面に電荷がトラップされ、スレッシ
ョルド電圧のシフト等の電気特性の劣化があることが一
般的に知られている。スレッショルド電圧のシフトは、
ゲート電圧の絶対値が大きいほど、雰囲気の温度が高い
ほど、電圧印加時間が長いほど、大きくなる。
ゲート型であってアモルファスシリコンを半導体層に持
つ薄膜トランジスタを例に説明する。なお、トップゲー
ト型、またはポリシリコンを用いた従来の薄膜トランジ
スタにおいても、基本的動作に違いはない。図９に示す
ように、ボトムゲート型薄膜トランジスタ１００は、ゲ
ート端子１０１、ソース端子１０３、ドレイン端子１０
４から成る三端子素子であり、ゲート端子１０１はゲー
ト電極１０５に電圧を供給する役割を担い、この端子に
電流が流れることはない。ソース端子１０３及びドレイ
ン端子１０４はそれぞれ、ソース電極１０６及びドレイ
ン電極１０７が接続している。このような薄膜トランジ
スタは、半導体層１０２、及び半導体層１０２とゲート
電極１０５との間に介在するゲート絶縁膜（図示を省略
した）にかかる電界により、ゲート絶縁膜、半導体層１
０２及びそれらの界面に電荷がトラップされ、スレッシ
ョルド電圧のシフト等の電気特性の劣化があることが一
般的に知られている。スレッショルド電圧のシフトは、
ゲート電圧の絶対値が大きいほど、雰囲気の温度が高い
ほど、電圧印加時間が長いほど、大きくなる。
【０００３】また、このような薄膜トランジスタは、図
１１に示すような液晶表示装置等の画像表示装置の駆動
装置におけるシフトレジスタに応用されている。シフト
レジスタは複数のシフトレジスタ段１３０からなり、シ
フトレジスタ段１３０は前段からの信号をあるタイミン
グで次段に転送する機能を有する。
１１に示すような液晶表示装置等の画像表示装置の駆動
装置におけるシフトレジスタに応用されている。シフト
レジスタは複数のシフトレジスタ段１３０からなり、シ
フトレジスタ段１３０は前段からの信号をあるタイミン
グで次段に転送する機能を有する。
【０００４】以下に、このシフトレジスタの動作の概略
を図１２に示すタイミングチャートとともに説明する。
図１２においてΦＡ、ΦＢ、ΦＣは端子に供給されるク
ロックであり、Ｇi-2、Ｇi-1、Ｇi、Ｇi+1、Ｇi+2はシ
フトレジスタが動作することによって発生した信号であ
る。シフトレジスタ段１３０に入力された前段の信号Ｇ
i-1は薄膜トランジスタ１３２を介しコンデンサ１３５
に保持される。コンデンサ１３５に保持された信号がハ
イの場合、薄膜トランジスタ１３１がオン状態になり、
クロックΦＢがハイのタイミングで信号Ｇiがハイとな
る。コンデンサ１３５に保持された信号がローの場合、
薄膜トランジスタ１３１はオフ状態のままであり、クロ
ックΦＢがハイになっても信号Ｇiはローのままであ
る。更にクロックΦＣがハイのタイミングで薄膜トラン
ジスタ１３４がオン状態になり、Ｇiは強制的にローに
なり、クロックΦＤがハイのタイミングで薄膜トランジ
スタ１３３がオン状態になり、コンデンサ１３５に保持
された信号はリセットされる。
を図１２に示すタイミングチャートとともに説明する。
図１２においてΦＡ、ΦＢ、ΦＣは端子に供給されるク
ロックであり、Ｇi-2、Ｇi-1、Ｇi、Ｇi+1、Ｇi+2はシ
フトレジスタが動作することによって発生した信号であ
る。シフトレジスタ段１３０に入力された前段の信号Ｇ
i-1は薄膜トランジスタ１３２を介しコンデンサ１３５
に保持される。コンデンサ１３５に保持された信号がハ
イの場合、薄膜トランジスタ１３１がオン状態になり、
クロックΦＢがハイのタイミングで信号Ｇiがハイとな
る。コンデンサ１３５に保持された信号がローの場合、
薄膜トランジスタ１３１はオフ状態のままであり、クロ
ックΦＢがハイになっても信号Ｇiはローのままであ
る。更にクロックΦＣがハイのタイミングで薄膜トラン
ジスタ１３４がオン状態になり、Ｇiは強制的にローに
なり、クロックΦＤがハイのタイミングで薄膜トランジ
スタ１３３がオン状態になり、コンデンサ１３５に保持
された信号はリセットされる。
【０００５】薄膜トランジスタ１３１は、シフトレジス
タの出力特性を決定するものであるが、クロックの約２
倍の電圧が印加されるので、回路全体の経時変化をも決
定するものである。図１０は横軸をゲート電圧、縦軸を
ドレイン電流として薄膜トランジスタ１３１の経時変化
を示すグラフであり、１０００００秒の回路動作後、点
線に示すように約５Ｖのスレッショルド電圧のシフトを
生じている。従来は、このような劣化を低減するため
に、ゲート電極への印加電圧を下げて電界を小さくした
り、ゲート電極に定常的な電圧がかからないようにする
等の対策がとられていた。
タの出力特性を決定するものであるが、クロックの約２
倍の電圧が印加されるので、回路全体の経時変化をも決
定するものである。図１０は横軸をゲート電圧、縦軸を
ドレイン電流として薄膜トランジスタ１３１の経時変化
を示すグラフであり、１０００００秒の回路動作後、点
線に示すように約５Ｖのスレッショルド電圧のシフトを
生じている。従来は、このような劣化を低減するため
に、ゲート電極への印加電圧を下げて電界を小さくした
り、ゲート電極に定常的な電圧がかからないようにする
等の対策がとられていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、薄膜ト
ランジスタは、その半導体層の特性により一般に移動度
が低く、ゲート電圧を下げた場合、駆動能力を得るため
にトランジスタ自体のサイズを大きくする必要が生じ
る。したがってより集積化が要求されるシステムにおい
て限界がある。またゲートに定常的な電圧がかからない
ようにする方法においても、経時変化の度合を小さくで
きるものの、本質的な解決とは成りえていない。そこで
本発明は、回路の中の薄膜トランジスタが通常動作中に
生じた経時変化を熱的回復させて、特性劣化を初期状態
に回復させる薄膜トランジスタ及びそれを用いた画像表
示装置の駆動装置を提供することにある。
ランジスタは、その半導体層の特性により一般に移動度
が低く、ゲート電圧を下げた場合、駆動能力を得るため
にトランジスタ自体のサイズを大きくする必要が生じ
る。したがってより集積化が要求されるシステムにおい
て限界がある。またゲートに定常的な電圧がかからない
ようにする方法においても、経時変化の度合を小さくで
きるものの、本質的な解決とは成りえていない。そこで
本発明は、回路の中の薄膜トランジスタが通常動作中に
生じた経時変化を熱的回復させて、特性劣化を初期状態
に回復させる薄膜トランジスタ及びそれを用いた画像表
示装置の駆動装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る薄膜トラン
ジスタは、ゲート電極、ゲート絶縁膜及び半導体層を積
層してなり、上記ゲート電極に抵抗体を使用し、上記ゲ
ート電極に二つの通電用端子を接続し、これら通電用端
子間に電流を通してゲート電極に隣接する上記ゲート絶
縁膜及び半導体層を加熱する手段を具備している。
ジスタは、ゲート電極、ゲート絶縁膜及び半導体層を積
層してなり、上記ゲート電極に抵抗体を使用し、上記ゲ
ート電極に二つの通電用端子を接続し、これら通電用端
子間に電流を通してゲート電極に隣接する上記ゲート絶
縁膜及び半導体層を加熱する手段を具備している。
【０００８】係る薄膜トランジスタは、加熱手段が、ゲ
ート電極に薄膜トランジスタ駆動用信号が与えられてい
ない時、上記二つの通電用端子に電流を通じ、薄膜トラ
ンジスタの経時変化を熱的に回復できる構造としたた
め、回路全体の信頼性を向上できるという効果が得られ
る。また通常動作モードにおいては、従来の薄膜トラン
ジスタと機能的に何ら変わるところはなく、そのまま使
用でき、従来回路との適合性が優れている。
ート電極に薄膜トランジスタ駆動用信号が与えられてい
ない時、上記二つの通電用端子に電流を通じ、薄膜トラ
ンジスタの経時変化を熱的に回復できる構造としたた
め、回路全体の信頼性を向上できるという効果が得られ
る。また通常動作モードにおいては、従来の薄膜トラン
ジスタと機能的に何ら変わるところはなく、そのまま使
用でき、従来回路との適合性が優れている。
【０００９】上記抵抗体としては、配線抵抗に対しある
程度大きな抵抗を形成することができ、ゲート電極とし
ても適合するものであれば、その材料を限定されるもの
ではないが、クロム（Ｃr）、タンタル（Ｔa）、モリブ
デン（Ｍo）等高融点金属が比抵抗、ゲート電極材料と
しての安定性の点から好ましい。また上記加熱手段は、
例えば外部電源と、それを薄膜トランジスタの二つの通
電用端子に接続するための配線とからなる。
程度大きな抵抗を形成することができ、ゲート電極とし
ても適合するものであれば、その材料を限定されるもの
ではないが、クロム（Ｃr）、タンタル（Ｔa）、モリブ
デン（Ｍo）等高融点金属が比抵抗、ゲート電極材料と
しての安定性の点から好ましい。また上記加熱手段は、
例えば外部電源と、それを薄膜トランジスタの二つの通
電用端子に接続するための配線とからなる。
【００１０】本発明に係る薄膜トランジスタは、画像表
示装置の駆動装置として使用することができる。画像表
示装置としては、例えば液晶表示装置である。
示装置の駆動装置として使用することができる。画像表
示装置としては、例えば液晶表示装置である。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の薄膜トランジスタ
の実施の形態を図面を参照して説明する。図１は、本発
明の薄膜トランジスタの原理を示す平面摸式図である。
ゲート電極１上に図示を省略したゲート絶縁膜を介して
半導体層２が形成され、その上部にソース電極３、ドレ
イン電極４が半導体層２と一部重ねらせて形成されて、
薄膜トランジスタ１０が構成される。ゲート電極１に
は、両端にそれぞれ通電用の端子５、６が電気的に接続
している。ゲート電極１は金属例えばクロム（Ｃr）、
タンタル（Ｔa）、モリブデン（Ｍo）等で形成され、通
電用の端子５、６間で抵抗体となっている。
の実施の形態を図面を参照して説明する。図１は、本発
明の薄膜トランジスタの原理を示す平面摸式図である。
ゲート電極１上に図示を省略したゲート絶縁膜を介して
半導体層２が形成され、その上部にソース電極３、ドレ
イン電極４が半導体層２と一部重ねらせて形成されて、
薄膜トランジスタ１０が構成される。ゲート電極１に
は、両端にそれぞれ通電用の端子５、６が電気的に接続
している。ゲート電極１は金属例えばクロム（Ｃr）、
タンタル（Ｔa）、モリブデン（Ｍo）等で形成され、通
電用の端子５、６間で抵抗体となっている。
【００１２】この薄膜トランジスタは、通常動作モード
とリフレッシュ動作モードの二つの動作態を有する。通
常動作モードでは、通電用端子６はフローティングと
し、普通の薄膜トランジスタとして動作させる。リフレ
ッシュ動作モードでは、通電用端子５と６の間に配線１
１を介し外部電源９を接続することにより、ゲート電極
１を発熱させる。薄膜トランジスタは図示を省略したガ
ラス基板上に形成されており、その断熱性ゆえにチャネ
ル部１２のみが加熱される。図示を省略したゲート絶縁
膜、半導体層２及びそれらの界面にトラップされた電荷
は、加熱による熱エネルギによりトラップから解放さ
れ、これにより薄膜トランジスタ１０自体の電気特性が
初期状態に回復する。なお、端子５、６、外部電源９及
び配線１１が、本発明の薄膜トランジスタにおける加熱
手段を構成する。
とリフレッシュ動作モードの二つの動作態を有する。通
常動作モードでは、通電用端子６はフローティングと
し、普通の薄膜トランジスタとして動作させる。リフレ
ッシュ動作モードでは、通電用端子５と６の間に配線１
１を介し外部電源９を接続することにより、ゲート電極
１を発熱させる。薄膜トランジスタは図示を省略したガ
ラス基板上に形成されており、その断熱性ゆえにチャネ
ル部１２のみが加熱される。図示を省略したゲート絶縁
膜、半導体層２及びそれらの界面にトラップされた電荷
は、加熱による熱エネルギによりトラップから解放さ
れ、これにより薄膜トランジスタ１０自体の電気特性が
初期状態に回復する。なお、端子５、６、外部電源９及
び配線１１が、本発明の薄膜トランジスタにおける加熱
手段を構成する。
【００１３】図２は及び図３は、図１に示した薄膜トラ
ンジスタの原理を具現化した本発明の第１の実施の形態
を示す図である。ガラス基板２５（図２では図示を省
略）上の蛇行形状のゲート電極１３は、シート抵抗が約
２Ω／□であるクロム（Ｃr）から形成されている。こ
のゲート電極１３上にゲート絶縁膜２４（図２では図示
を省略）を介して半導体層１４が形成され、更に半導体
層１４上に櫛歯状のソース電極１５及びドレイン電極１
６が互いに切り欠き部分に入り組んだ形で形成されてい
る。これらソース電極１５及びドレイン電極１６にそれ
ぞれソース用端子２０、ドレイン用端子１９が電気的に
接続している。
ンジスタの原理を具現化した本発明の第１の実施の形態
を示す図である。ガラス基板２５（図２では図示を省
略）上の蛇行形状のゲート電極１３は、シート抵抗が約
２Ω／□であるクロム（Ｃr）から形成されている。こ
のゲート電極１３上にゲート絶縁膜２４（図２では図示
を省略）を介して半導体層１４が形成され、更に半導体
層１４上に櫛歯状のソース電極１５及びドレイン電極１
６が互いに切り欠き部分に入り組んだ形で形成されてい
る。これらソース電極１５及びドレイン電極１６にそれ
ぞれソース用端子２０、ドレイン用端子１９が電気的に
接続している。
【００１４】外部電源２１は、外部スイッチ２２、２３
を介し通電用端子１７、１８に電気的に接続されてお
り、外部スイッチ２２、２３が同時に閉じることによ
り、加熱手段となる。外部スイッチ２２、２３が開いて
いるときは、薄膜トランジスタは、ゲート電極１３にゲ
ート電圧が印加されたタイミングで通常の薄膜トランジ
スタとして機能する。
を介し通電用端子１７、１８に電気的に接続されてお
り、外部スイッチ２２、２３が同時に閉じることによ
り、加熱手段となる。外部スイッチ２２、２３が開いて
いるときは、薄膜トランジスタは、ゲート電極１３にゲ
ート電圧が印加されたタイミングで通常の薄膜トランジ
スタとして機能する。
【００１５】この薄膜トランジスタを、シフトレジスタ
に適用した実施の形態について図４、図５、図６を用い
て説明する。
に適用した実施の形態について図４、図５、図６を用い
て説明する。
【００１６】図４は液晶表示装置全体の回路構成の概略
を示す。液晶表示装置はゲート走査線５１、それに交差
するデータ線５２及びこれらの交差部に位置する画素容
量５４、画素薄膜トランジスタ５３を基本要素として、
更にゲート走査線５１を走査するためのゲートドライバ
５５、データ線５２に信号を供給するデータドライバ５
６からなる。本実施の形態においては、ゲートドライバ
５５を薄膜トランジスタによるシフトレジスタで構成し
た。
を示す。液晶表示装置はゲート走査線５１、それに交差
するデータ線５２及びこれらの交差部に位置する画素容
量５４、画素薄膜トランジスタ５３を基本要素として、
更にゲート走査線５１を走査するためのゲートドライバ
５５、データ線５２に信号を供給するデータドライバ５
６からなる。本実施の形態においては、ゲートドライバ
５５を薄膜トランジスタによるシフトレジスタで構成し
た。
【００１７】図５は上記シフトレジスタの回路図を示
す。図５において、ΦＡ、ΦＢ、ΦＣ、ΦＤは端子に供
給されるクロックであり、Ｇi-2、Ｇi-1、Ｇi、Ｇi+1、
Ｇi+2はシフトレジスタが動作することによって発生し
た信号である。シフトレジスタ段３０において薄膜トラ
ンジスタ３１は、図２、３に示した薄膜トランジスタで
ある。他のトランジスタ３２、３３、３４、３６は、薄
膜トランジスタ３１のように通電用端子１７、１８を持
たない通常の薄膜トランジスタである。本回路は、通常
動作モードとリフレッシュ動作モードの二つの動作態を
有する。
す。図５において、ΦＡ、ΦＢ、ΦＣ、ΦＤは端子に供
給されるクロックであり、Ｇi-2、Ｇi-1、Ｇi、Ｇi+1、
Ｇi+2はシフトレジスタが動作することによって発生し
た信号である。シフトレジスタ段３０において薄膜トラ
ンジスタ３１は、図２、３に示した薄膜トランジスタで
ある。他のトランジスタ３２、３３、３４、３６は、薄
膜トランジスタ３１のように通電用端子１７、１８を持
たない通常の薄膜トランジスタである。本回路は、通常
動作モードとリフレッシュ動作モードの二つの動作態を
有する。
【００１８】初めに通常動作モードの動作について説明
する。図５に示したモード切り替え信号Ｖｒは動作態を
決める信号であり、通常動作モードではゼロ電位に保た
れる。したがってシフトレジスタ段３０の薄膜トランジ
スタ３６は、常時オフ状態になる。シフトレジスタ段３
０に入力された前段の信号Ｇi-1は薄膜トランジスタ３
２を介しコンデンサ３５に保持される。コンデンサ３５
に保持された信号がハイの場合、薄膜トランジスタ３１
はオン状態になり、クロックΦＢがハイのタイミングで
信号Ｇiがハイとなる。コンデンサ３５に保持された信
号がローの場合、薄膜トランジスタ３１はオフ状態のま
まであり、クロックΦＢがハイになっても信号Ｇiはロ
ーのままである。更にクロックΦＣがハイのタイミング
で薄膜トランジスタ３４はオン状態になり、信号Ｇiは
強制的にローになって、クロックΦＤがハイのタイミン
グで薄膜トランジスタ３３がオン状態になり、コンデン
サ３５に保持された信号はリセットされる。以上の動作
を繰り返すことにより、前段の信号を順次次段に転送す
る動作を実現している。
する。図５に示したモード切り替え信号Ｖｒは動作態を
決める信号であり、通常動作モードではゼロ電位に保た
れる。したがってシフトレジスタ段３０の薄膜トランジ
スタ３６は、常時オフ状態になる。シフトレジスタ段３
０に入力された前段の信号Ｇi-1は薄膜トランジスタ３
２を介しコンデンサ３５に保持される。コンデンサ３５
に保持された信号がハイの場合、薄膜トランジスタ３１
はオン状態になり、クロックΦＢがハイのタイミングで
信号Ｇiがハイとなる。コンデンサ３５に保持された信
号がローの場合、薄膜トランジスタ３１はオフ状態のま
まであり、クロックΦＢがハイになっても信号Ｇiはロ
ーのままである。更にクロックΦＣがハイのタイミング
で薄膜トランジスタ３４はオン状態になり、信号Ｇiは
強制的にローになって、クロックΦＤがハイのタイミン
グで薄膜トランジスタ３３がオン状態になり、コンデン
サ３５に保持された信号はリセットされる。以上の動作
を繰り返すことにより、前段の信号を順次次段に転送す
る動作を実現している。
【００１９】次にリフレッシュ動作モードの動作を説明
する。図６に示したモード切り替え信号Ｖｒは負電位に
保たれる。したがってシフトレジスタ段３０の薄膜トラ
ンジスタ３６はオン状態になる。クロックΦＤがハイの
タイミングで薄膜トランジスタ３３がオン状態になり、
薄膜トランジスタ３３、３６を介し薄膜トランジスタ３
１の通電用端子に電流が流れる。これにより薄膜トラン
ジスタ３１の特性回復作用がなされる。薄膜トランジス
タ３１のゲート電位は負電位であり、薄膜トランジスタ
31は常にオフ状態である。薄膜トランジスタ３４はクロ
ックΦＣがハイのタイミングでオン状態になり、信号Ｇ
iは常にゼロ電位に保たれる。
する。図６に示したモード切り替え信号Ｖｒは負電位に
保たれる。したがってシフトレジスタ段３０の薄膜トラ
ンジスタ３６はオン状態になる。クロックΦＤがハイの
タイミングで薄膜トランジスタ３３がオン状態になり、
薄膜トランジスタ３３、３６を介し薄膜トランジスタ３
１の通電用端子に電流が流れる。これにより薄膜トラン
ジスタ３１の特性回復作用がなされる。薄膜トランジス
タ３１のゲート電位は負電位であり、薄膜トランジスタ
31は常にオフ状態である。薄膜トランジスタ３４はクロ
ックΦＣがハイのタイミングでオン状態になり、信号Ｇ
iは常にゼロ電位に保たれる。
【００２０】なお、上記リフレッシュ動作モードは、薄
膜トランジスタ特性の経時変化により、回路動作に支障
が生じた時に随時行えばよいが、電源投入直後など適当
なタイミングで自動的に起動されるようにしても構わな
い。
膜トランジスタ特性の経時変化により、回路動作に支障
が生じた時に随時行えばよいが、電源投入直後など適当
なタイミングで自動的に起動されるようにしても構わな
い。
【００２１】次に本発明の薄膜トランジスタを用いたシ
トレジスタの他の実施の形態を、図７、図８を用いて説
明する。図７においてΦＡ、ΦＢ、ΦＣ、ΦＤは端子に
供給されるクロックであり、Ｇi-2、Ｇi-1、Ｇi、Ｇi+
1、Ｇi+2はシフトレジスタが動作することによって発生
した信号である。シフトレジスタ段４０において薄膜ト
ランジスタ４１は、図２及び図３に示した薄膜トランジ
スタである。他のトランジスタ４２、４３、４４、４６
は、薄膜トランジスタ４１のように通電用端子１７、１
８を持たない通常の薄膜トランジスタである。本回路も
通常動作モードとリフレッシュ動作モードの二つの動作
態を有する。
トレジスタの他の実施の形態を、図７、図８を用いて説
明する。図７においてΦＡ、ΦＢ、ΦＣ、ΦＤは端子に
供給されるクロックであり、Ｇi-2、Ｇi-1、Ｇi、Ｇi+
1、Ｇi+2はシフトレジスタが動作することによって発生
した信号である。シフトレジスタ段４０において薄膜ト
ランジスタ４１は、図２及び図３に示した薄膜トランジ
スタである。他のトランジスタ４２、４３、４４、４６
は、薄膜トランジスタ４１のように通電用端子１７、１
８を持たない通常の薄膜トランジスタである。本回路も
通常動作モードとリフレッシュ動作モードの二つの動作
態を有する。
【００２２】通常動作モードでは図８のタイミングチャ
ートに示すようにクロックΦＡ、ΦＢ、ΦＣ、ΦＤは２
値のクロックであり、シフトレジスタ段４０の薄膜トラ
ンジスタ４６は常時オフ状態になる。シフトレジスタ段
４０に入力された前段の信号Ｇi-1は薄膜トランジスタ
４２を介しコンデンサ４５に保持される。コンデンサ４
５に保持された信号がハイの場合、薄膜トランジスタ４
１はオン状態になり、クロックΦＢがハイのタイミング
で信号Ｇiがハイとなる。コンデンサ４５に保持された
信号がローの場合、薄膜トランジスタ４１はオフ状態の
ままであり、クロックΦＢがハイになっても信号Ｇiは
ローのままである。更にクロックΦＣがハイのタイミン
グで薄膜トランジスタ４４がオン状態になり、信号Ｇi
は強制的にローになって、クロックΦＤがハイのタイミ
ングで薄膜トランジスタ４３がオン状態になり、コンデ
ンサ４５に保持された信号はリセットされる。以上の動
作を繰り返すことにより、前段の信号を順次次段に転送
する動作を実現している。
ートに示すようにクロックΦＡ、ΦＢ、ΦＣ、ΦＤは２
値のクロックであり、シフトレジスタ段４０の薄膜トラ
ンジスタ４６は常時オフ状態になる。シフトレジスタ段
４０に入力された前段の信号Ｇi-1は薄膜トランジスタ
４２を介しコンデンサ４５に保持される。コンデンサ４
５に保持された信号がハイの場合、薄膜トランジスタ４
１はオン状態になり、クロックΦＢがハイのタイミング
で信号Ｇiがハイとなる。コンデンサ４５に保持された
信号がローの場合、薄膜トランジスタ４１はオフ状態の
ままであり、クロックΦＢがハイになっても信号Ｇiは
ローのままである。更にクロックΦＣがハイのタイミン
グで薄膜トランジスタ４４がオン状態になり、信号Ｇi
は強制的にローになって、クロックΦＤがハイのタイミ
ングで薄膜トランジスタ４３がオン状態になり、コンデ
ンサ４５に保持された信号はリセットされる。以上の動
作を繰り返すことにより、前段の信号を順次次段に転送
する動作を実現している。
【００２３】次にリフレッシュ動作モードでは、図８に
示すようにクロックΦＡ、ΦＢ、ΦＣ、ΦＤは正電位、
ゼロ電位、負電位の３値をとる。シフトレジスタ段４０
の薄膜トランジスタ４１の通電端子には、クロックΦＢ
が負電位でクロックΦＤが正電位のタイミングで、薄膜
トランジスタ４３、４６を介し電流が流れる。これによ
り薄膜トランジスタ４１の特性回復作用がなされる。
示すようにクロックΦＡ、ΦＢ、ΦＣ、ΦＤは正電位、
ゼロ電位、負電位の３値をとる。シフトレジスタ段４０
の薄膜トランジスタ４１の通電端子には、クロックΦＢ
が負電位でクロックΦＤが正電位のタイミングで、薄膜
トランジスタ４３、４６を介し電流が流れる。これによ
り薄膜トランジスタ４１の特性回復作用がなされる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、薄膜トランジスタの経時変化を熱的に回復できる構
造としたため、回路全体の信頼性を向上できるという効
果が得られる。また通常動作モードにおいては、従来の
薄膜トランジスタと機能的に何ら変わるところはなく、
そのまま置換でき、従来回路との適合性が優れている。
ば、薄膜トランジスタの経時変化を熱的に回復できる構
造としたため、回路全体の信頼性を向上できるという効
果が得られる。また通常動作モードにおいては、従来の
薄膜トランジスタと機能的に何ら変わるところはなく、
そのまま置換でき、従来回路との適合性が優れている。
【図１】本発明の薄膜トランジスタの原理を示す平面模
式図である。
式図である。
【図２】本発明の薄膜トランジスタの実施の形態を示す
平面図である。
平面図である。
【図３】図２のIII−IIIに沿った断面図である。
【図４】図２に示した薄膜トランジスタを使用した液晶
表示装置の概略を示す図である。
表示装置の概略を示す図である。
【図５】図４に示した液晶表示装置のシフトレジスタを
示す回路図である。
示す回路図である。
【図６】図５に示したシフトレジスタの動作を示す駆動
タイミングチャートである。
タイミングチャートである。
【図７】図２に示した薄膜トランジスタを使用した他の
シフトレジスタを示す回路図である。
シフトレジスタを示す回路図である。
【図８】図７に示したシフトレジスタの動作を示す駆動
タイミングチャートである。
タイミングチャートである。
【図９】従来の薄膜トランジスタの平面図である。
【図１０】図９に示した薄膜トランジスタの電気特性の
経時変化を示す図である。
経時変化を示す図である。
【図１１】図９に示した薄膜トランジスタを使用したシ
フトレジスタを示す回路図である。
フトレジスタを示す回路図である。
【図１２】図１１に示したシフトレジスタの動作を示す
駆動タイミングチャートである。
駆動タイミングチャートである。
１, １３ ゲート電極 ２，１４ 半導体層 ３，１５ ソース電極 ４，１６ ドレイン電極 ５，６，１７，１８ 通電用端子 ７，２０ ソース端子 ８，１９，１０４ ドレイン端子 ９，２１ 外部電源 １０，３１，４１ 薄膜トランジスタ １１ 配線 ２２，２３ 外部スイッチ ２４ ゲート絶縁膜 ２５ ガラス基板 ３０，４０ シフトレジスタ段
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H092 JA05 JA24 JA26 JA34 JA36 JA37 KA05 MA29 MA51 NA21 NA30 PA01 PA06 5C006 AF72 BB16 BC06 BC08 BC20 BF03 BF31 BF37 FA18 FA33 5C080 AA10 BB05 DD20 DD25 FF11 JJ02 JJ03 JJ04 JJ05 JJ06 5F110 AA14 CC07 EE04 EE11 EE24 EE37 EE50 GG02 GG15 HM04 HM17 NN72
Claims (2)
- 【請求項１】 ゲート電極、ゲート絶縁膜及び半導体層
を積層してなり、前記ゲート電極に抵抗体を使用し、前
記ゲート電極に二つの通電用端子を接続し、これら通電
用端子間に電流を通してゲート電極に隣接する前記ゲー
ト絶縁膜及び半導体層を加熱する手段を具備したことを
特徴とする薄膜トランジスタ。 - 【請求項２】 請求項１記載の薄膜トランジスタを有す
ることを特徴とする画像表示装置の駆動装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32501598A JP2000150895A (ja) | 1998-11-16 | 1998-11-16 | 薄膜トランジスタ及び画像表示装置の駆動装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32501598A JP2000150895A (ja) | 1998-11-16 | 1998-11-16 | 薄膜トランジスタ及び画像表示装置の駆動装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000150895A true JP2000150895A (ja) | 2000-05-30 |
Family
ID=18172196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32501598A Withdrawn JP2000150895A (ja) | 1998-11-16 | 1998-11-16 | 薄膜トランジスタ及び画像表示装置の駆動装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000150895A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002197885A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-12 | Casio Comput Co Ltd | シフトレジスタ回路及びその駆動制御方法並びに表示駆動装置、読取駆動装置 |
| US7312568B2 (en) | 2003-12-29 | 2007-12-25 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Organic electro luminescence device having TFT with protrusions |
| US7436384B2 (en) | 2001-12-26 | 2008-10-14 | Lg Display Co., Ltd. | Data driving apparatus and method for liquid crystal display |
| US7723721B2 (en) | 2001-11-09 | 2010-05-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device having TFT |
| JP2011061184A (ja) * | 2009-09-14 | 2011-03-24 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光表示装置及びその動作方法 |
| JP2012022316A (ja) * | 2001-05-29 | 2012-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | ゲートドライバ |
| US8368674B2 (en) | 2004-08-10 | 2013-02-05 | Lg Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent device including thin film transistor and method of fabricating the same |
| JP2015065433A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-04-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置 |
| CN111679479A (zh) * | 2020-07-21 | 2020-09-18 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板、显示面板的驱动方法及显示装置 |
| JP2021157185A (ja) * | 2009-03-26 | 2021-10-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
-
1998
- 1998-11-16 JP JP32501598A patent/JP2000150895A/ja not_active Withdrawn
Cited By (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002197885A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-12 | Casio Comput Co Ltd | シフトレジスタ回路及びその駆動制御方法並びに表示駆動装置、読取駆動装置 |
| JP2012022316A (ja) * | 2001-05-29 | 2012-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | ゲートドライバ |
| US10304399B2 (en) | 2001-05-29 | 2019-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse output circuit, shift register, and display device |
| US9590632B2 (en) | 2001-05-29 | 2017-03-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse output circuit, shift register, and display device |
| US9024930B2 (en) | 2001-05-29 | 2015-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse output circuit, shift register, and display device |
| US9054199B2 (en) | 2001-11-09 | 2015-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US11063102B2 (en) | 2001-11-09 | 2021-07-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US8324618B2 (en) | 2001-11-09 | 2012-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US9905624B2 (en) | 2001-11-09 | 2018-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US8154015B2 (en) | 2001-11-09 | 2012-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device including thin film transistor |
| US8648338B2 (en) | 2001-11-09 | 2014-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device comprising an organic compound layer |
| US9577016B2 (en) | 2001-11-09 | 2017-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US10461140B2 (en) | 2001-11-09 | 2019-10-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US10680049B2 (en) | 2001-11-09 | 2020-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US7723721B2 (en) | 2001-11-09 | 2010-05-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device having TFT |
| US7436384B2 (en) | 2001-12-26 | 2008-10-14 | Lg Display Co., Ltd. | Data driving apparatus and method for liquid crystal display |
| US7312568B2 (en) | 2003-12-29 | 2007-12-25 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Organic electro luminescence device having TFT with protrusions |
| US8716704B2 (en) | 2004-08-10 | 2014-05-06 | Lg Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent device and method of fabricating the same |
| US8368674B2 (en) | 2004-08-10 | 2013-02-05 | Lg Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent device including thin film transistor and method of fabricating the same |
| KR20220039692A (ko) * | 2009-03-26 | 2022-03-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| JP2021157185A (ja) * | 2009-03-26 | 2021-10-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP7106029B1 (ja) | 2009-03-26 | 2022-07-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP2022130455A (ja) * | 2009-03-26 | 2022-09-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| US11514871B2 (en) | 2009-03-26 | 2022-11-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device, driving method of the same, and electronic device including the same |
| KR102515892B1 (ko) | 2009-03-26 | 2023-03-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| JP7437352B2 (ja) | 2009-03-26 | 2024-02-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP2011061184A (ja) * | 2009-09-14 | 2011-03-24 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光表示装置及びその動作方法 |
| US8531363B2 (en) | 2009-09-14 | 2013-09-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device and method of driving the same |
| JP2015065433A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-04-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置 |
| CN111679479A (zh) * | 2020-07-21 | 2020-09-18 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板、显示面板的驱动方法及显示装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060207 |