JP2000150438A - Substrate processing device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、単数または複数の
半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク
用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基
板」と称する）を処理液中に浸漬させることによって浸
漬処理を行う基板処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a method for treating a single or plural semiconductor substrates, a glass substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for a photomask, a substrate for an optical disk, etc. The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs immersion processing by immersion.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、上記基板には基板処理装置内
の処理槽において、薬液によるエッチング、純水よる洗
浄処理等の表面処理が順次施されて、一連の処理が達成
されている。このような基板処理装置としては、１つの
処理槽に基板を投入し、その処理槽内の処理液を薬液お
よび純水にて順次置換することによって処理を進行する
いわゆるワンバスタイプの装置と、薬液または純水を貯
留する専用の処理槽を複数備え、それら複数の処理槽に
基板を順次搬送することによって処理を進行するいわゆ
る多槽式の装置とがある。2. Description of the Related Art Conventionally, a substrate is subjected to a surface treatment such as etching with a chemical solution and a cleaning treatment with pure water in a processing tank in a substrate processing apparatus, so that a series of processing is achieved. As such a substrate processing apparatus, a so-called one-bath type apparatus in which a substrate is put into one processing tank, and the processing proceeds by sequentially replacing the processing liquid in the processing tank with a chemical solution and pure water, There is a so-called multi-tank type device that includes a plurality of dedicated processing tanks for storing a chemical solution or pure water, and performs processing by sequentially transporting substrates to the plurality of processing tanks.
【０００３】多槽式の基板処理装置においては、薬液を
貯留する薬液槽に基板を投入して当該基板に付着した不
純物の除去処理を行った後、純水を貯留する水洗槽にそ
の基板を投入して水洗処理を行うという工程を繰り返し
て一連の処理を達成している。[0003] In a multi-tank type substrate processing apparatus, a substrate is put into a chemical solution tank for storing a chemical solution to remove impurities adhering to the substrate, and then the substrate is placed in a washing tank for storing pure water. A series of processes is achieved by repeating the process of throwing in and washing with water.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
一連の処理の過程において、基板にパーティクル等の汚
染物質が付着するという問題がある。特に、薬液として
フッ酸（ＨＦ）を貯留する薬液槽にて基板のエッチング
処理を行った後、その基板を水洗槽に投入して水洗処理
を行うと、基板Ｗの表面に縦筋状パーティクル１０１が
付着することがある。However, in such a series of processing steps, there is a problem that contaminants such as particles adhere to the substrate. In particular, after the substrate is etched in a chemical solution tank storing hydrofluoric acid (HF) as a chemical solution, the substrate is put into a washing tank and the washing process is performed. May adhere.
【０００５】このような縦筋状パーティクル１０１は、
以下のようにして基板Ｗに付着するものと考えられる。
すなわち、表面に種々の不純物が付着した基板Ｗがフッ
酸を貯留する薬液槽に投入されると、不純物がフッ酸に
よって溶かし出されるとともに、基板Ｗの表面の一部に
Ｓｉが露出し、基板Ｗの表面にはＳｉの疎水部とＳｉＯ
2の親水部とが共存することとなる。溶かし出された不
純物はそのままの形態にてまたは何らかの化学反応によ
って汚染物質となり、薬液槽内の上方に向けた薬液の流
れ（アップフロー）によって薬液表面に流される。そし
て、その汚染物質は薬液表面、すなわち気液界面に漂う
ことになるのである。[0005] Such vertical streak-like particles 101
It is considered that it adheres to the substrate W as follows.
That is, when the substrate W having various impurities attached to its surface is put into a chemical solution tank storing hydrofluoric acid, the impurities are dissolved out by the hydrofluoric acid and Si is exposed on a part of the surface of the substrate W, and the substrate W On the surface of W, a hydrophobic portion of Si and SiO
The two hydrophilic portions coexist. The dissolved impurities become contaminants in the form as they are or by some kind of chemical reaction, and flow to the surface of the chemical solution by the upward flow of the chemical solution (upflow) in the chemical solution tank. Then, the contaminants float on the surface of the chemical solution, that is, the gas-liquid interface.
【０００６】エッチング処理の終了後、基板Ｗが薬液槽
から引き揚げられるのであるが、このときに基板Ｗは当
然気液界面を通過することとなり、フッ酸の表面に漂っ
ている汚染物質が基板Ｗに付着するのである。After the etching process is completed, the substrate W is lifted out of the chemical solution tank. At this time, the substrate W naturally passes through the gas-liquid interface, and contaminants floating on the surface of hydrofluoric acid are removed from the substrate W. It adheres to.
【０００７】その後、基板Ｗは純水を貯留する水洗槽に
投入され水洗処理に供される。基板Ｗが純水中に浸漬さ
れるときに、エッチング処理終了時に付着した汚染物質
は基板Ｗから剥離されるものの、その汚染物質もそのま
まの形態にてまたは何らかの化学反応によって新たな汚
染物質となり、上記と同様に、アップフローによって純
水表面に漂うこととなる。そして、水洗処理終了後、基
板Ｗを水洗槽から引き揚げるときに新たな汚染物質が再
び基板Ｗの表面に付着して、図８に示すような縦筋状パ
ーティクル１０１が発生するのである。After that, the substrate W is put into a washing tank for storing pure water and subjected to a washing process. When the substrate W is immersed in pure water, the contaminants attached at the end of the etching process are separated from the substrate W, but the contaminants become new contaminants in the same form or by some chemical reaction, In the same manner as above, the water will float on the pure water surface by the upflow. Then, when the substrate W is lifted out of the rinsing tank after the rinsing process, new contaminants adhere to the surface of the substrate W again, and the vertical streak particles 101 as shown in FIG. 8 are generated.
【０００８】以上は、フッ酸によるエッチング処理につ
いての説明であったが、同様の問題はその他の薬液によ
る表面処理やその後の水洗処理においても生じる。ま
た、ワンバスタイプの装置においても、最終の水洗処理
終了後は、基板Ｗが気液界面を通過することになるた
め、同様の問題が生じる。Although the above description has been given of the etching treatment with hydrofluoric acid, the same problem also occurs in the surface treatment with other chemicals and the subsequent water washing treatment. Also, in the one-bath type apparatus, the same problem occurs because the substrate W passes through the gas-liquid interface after the final rinsing process.
【０００９】換言すれば、処理槽（以下、「処理槽」と
いうときは、「薬液槽」および「水洗槽」を含む）に貯
留された処理液（以下、「処理液」というときは、「薬
液」および「純水」を含む）の気液界面を基板が通過す
る形式の基板処理装置においては、基板から剥離した汚
染物質や処理液中にて新たに生成した汚染物質がアップ
フローによって処理液表面に漂うこととなり、その処理
液表面を基板が通過するときに汚染物質が基板に付着す
るのである。In other words, the processing liquid (hereinafter, referred to as “processing liquid”, which includes “chemical liquid tank” and “washing tank”) stored in the processing tank (hereinafter, referred to as “processing liquid”) includes “ In a substrate processing apparatus in which the substrate passes through the gas-liquid interface of "chemical liquid" and "pure water"), contaminants separated from the substrate and contaminants newly generated in the processing liquid are processed by upflow. The liquid floats on the liquid surface, and contaminants adhere to the substrate when the substrate passes over the surface of the processing liquid.
【００１０】本発明は、上記課題に鑑みなされたもので
あり、基板への汚染物質の付着を抑制することができる
基板処理装置を提供することを目的とする。[0010] The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide a substrate processing apparatus capable of suppressing adhesion of contaminants to a substrate.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、基板を処理液中に浸漬させるこ
とによって浸漬処理を行う基板処理装置であって、(a)
前記処理液が貯留されて基板が浸漬される処理槽と、
(b) 前記処理槽の底部に設けられ、前記処理槽内に処理
液を供給する処理液供給手段と、(c) 前記基板を保持
し、前記処理槽の内部と前記処理槽の上方との間で前記
基板を昇降させる昇降手段と、を備え、前記処理槽の上
端部に凹凸パターンを形成し、前記凹凸パターンを、前
記処理槽の上端部のうち、少なくとも前記昇降手段によ
って保持される前記基板の主面を含む平面が前記処理槽
の上端部と交わる位置の両側に凹部を有するものとして
いる。According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing an immersion process by immersing a substrate in a processing solution.
A processing tank in which the processing liquid is stored and the substrate is immersed,
(b) a processing liquid supply means provided at the bottom of the processing tank, for supplying a processing liquid into the processing tank, and (c) holding the substrate, inside the processing tank and above the processing tank. Raising and lowering means for raising and lowering the substrate therebetween, forming an uneven pattern on the upper end of the processing tank, and holding the uneven pattern at least by the elevating means of the upper end of the processing tank. The flat surface including the main surface of the substrate has recesses on both sides of a position where the flat surface intersects the upper end of the processing bath.
【００１２】また、請求項２の発明は、複数の基板を処
理液中に浸漬させることによって浸漬処理を行う基板処
理装置であって、(a) 前記処理液が貯留されて複数の基
板が浸漬される処理槽と、(b) 前記処理槽の底部に設け
られ、前記処理槽内に処理液を供給する処理液供給手段
と、(c) 前記複数の基板を保持し、前記処理槽の内部と
前記処理槽の上方との間で前記複数の基板を昇降させる
昇降手段と、を備え、前記処理槽の上端部に凹凸パター
ンを形成し、前記凹凸パターンを、前記処理槽の上端部
のうち、少なくとも前記昇降手段によって保持される前
記複数の基板の主面を含む平面が前記処理槽の上端部と
交わるそれぞれの位置の両側に凹部を有するものとし、
前記凹部を、前記昇降手段によって保持される前記複数
の基板の保持間隔と同じ間隔にて形成している。Further, the invention of claim 2 is a substrate processing apparatus for performing immersion processing by immersing a plurality of substrates in a processing liquid, wherein (a) the processing liquid is stored and the plurality of substrates are immersed. Processing tank, (b) provided at the bottom of the processing tank, a processing liquid supply means for supplying a processing liquid into the processing tank, (c) holding the plurality of substrates, inside the processing tank And an elevating means for elevating the plurality of substrates between and above the processing tank, and forming an uneven pattern on an upper end of the processing tank, and forming the uneven pattern on the upper end of the processing tank. A plane including a main surface of the plurality of substrates held by at least the elevating means has recesses on both sides of each position intersecting an upper end of the processing bath,
The recesses are formed at the same intervals as the holding intervals of the plurality of substrates held by the elevating means.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【００１４】まず、本発明に係る基板処理装置の全体構
成について簡単に説明する。ここで説明する基板処理装
置は、多槽式の基板処理装置である。図１は、本発明に
係る基板処理装置の一例を示す正面概略図である。この
基板処理装置１００は、薬液槽ＣＢ１、ＣＢ２と、水洗
槽ＷＢ１、ＷＢ２、ＦＲと、乾燥部ＳＤと、基板を搬送
する基板搬送ロボットＴＲとを備えている。また、基板
処理装置１００は、その両端に、未処理基板Ｗを収納し
たカセットＣを載置するローダー部ＬＤと処理済みの基
板Ｗが格納されるカセットＣを載置するアンローダー部
ＵＬＤとを備えている。First, the overall configuration of the substrate processing apparatus according to the present invention will be briefly described. The substrate processing apparatus described here is a multi-tank type substrate processing apparatus. FIG. 1 is a schematic front view showing an example of the substrate processing apparatus according to the present invention. The substrate processing apparatus 100 includes chemical solution tanks CB1, CB2, washing tanks WB1, WB2, FR, a drying unit SD, and a substrate transport robot TR for transporting a substrate. Further, the substrate processing apparatus 100 has, at both ends thereof, a loader section LD for mounting a cassette C containing unprocessed substrates W and an unloader section ULD for mounting a cassette C for storing processed substrates W. Have.
【００１５】薬液槽ＣＢ１、ＣＢ２は硫酸、アンモニ
ア、塩酸、フッ酸、過酸化水素水またはそれらの混合液
などの薬液を収容可能な槽であるが、ここで考えている
例では、フッ酸を貯留し、基板に対してエッチング処理
を行うための処理槽である。また、水洗槽ＷＢ１、ＷＢ
２は純水を収容し、基板Ｗに付着したフッ酸を洗浄する
処理槽である。また、水洗槽ＦＲも純水を収容する洗浄
処理槽であるが、主として仕上げの洗浄として用いられ
る。さらに、乾燥部ＳＤは基板Ｗを回転させつつ当該基
板Ｗに付着した水滴を除去、乾燥させる処理部である。The chemical liquid tanks CB1 and CB2 are tanks capable of storing a chemical liquid such as sulfuric acid, ammonia, hydrochloric acid, hydrofluoric acid, aqueous hydrogen peroxide or a mixture thereof. In the example considered here, hydrofluoric acid is used. This is a processing tank for storing and performing an etching process on the substrate. Also, the washing tanks WB1, WB
Reference numeral 2 denotes a treatment tank that contains pure water and cleans hydrofluoric acid attached to the substrate W. The washing tank FR is also a washing tank containing pure water, and is mainly used for finishing washing. Further, the drying unit SD is a processing unit that removes water droplets attached to the substrate W while rotating the substrate W, and dries.
【００１６】基板搬送ロボットＴＲは、水平方向および
上下方向に移動可能であり、ローダー部ＬＤから未処理
の基板群（ロット）を払い出し、予め定められた処理手
順に従って上記各処理槽間でロットを循環搬送するとと
もに、処理済みのロットをアンローダー部ＵＬＤに渡す
ロボットである。基板搬送ロボットＴＲは、開閉自在の
一対のハンド１を備えており、ハンド１には、その内側
に基板Ｗを保持するための複数の溝が一定のピッチで平
行に設けられており（図示省略）、それら複数の溝によ
ってロットが保持されることとなる。この基板搬送ロボ
ットＴＲがローダー部ＬＤからロットを受け取る際に
は、カセットＣの下方に設けられた図示を省略するホル
ダによってカセットＣから上昇されたロットを基板搬送
ロボットＴＲの一対のハンド１が把持することによって
行われる。また、アンローダー部ＵＬＤにロットを渡す
場合には、上記とは逆に、ハンド１から図示を省略する
ホルダにロットが渡され、そのホルダが下降することに
よって、ロットがカセットＣ内部に格納される。The substrate transport robot TR is movable in the horizontal and vertical directions, pays out unprocessed substrate groups (lots) from the loader section LD, and transfers the lots between the processing tanks according to a predetermined processing procedure. A robot that circulates and transfers the processed lot to the unloader unit ULD. The substrate transport robot TR includes a pair of openable and closable hands 1, and a plurality of grooves for holding the substrate W are provided in the hand 1 in parallel at a constant pitch (not shown). ), The lot is held by the plurality of grooves. When the substrate transport robot TR receives the lot from the loader section LD, the pair of hands 1 of the substrate transport robot TR grips the lot raised from the cassette C by a holder (not shown) provided below the cassette C. It is done by doing. In the case of transferring the lot to the unloader unit ULD, the lot is transferred from the hand 1 to a holder (not shown), and the lot is stored in the cassette C by descending the holder. You.
【００１７】次に、基板処理装置１００に設けられた処
理槽の構成について説明する。ここでは、処理槽の一例
として水洗槽ＷＢ１について説明するが、他の処理槽、
すなわち薬液槽ＣＢ１、ＣＢ２および水洗槽ＷＢ２、Ｆ
Ｒについても同様である。Next, the configuration of a processing tank provided in the substrate processing apparatus 100 will be described. Here, the washing tank WB1 will be described as an example of the processing tank, but other processing tanks,
That is, the chemical solution tanks CB1, CB2 and the washing tanks WB2, F
The same applies to R.
【００１８】図２は水洗槽ＷＢ１の要部構成を示す正面
図であり、図３は水洗槽ＷＢ１の要部構成を示す側面図
である。基板処理装置１００は、水洗槽ＷＢ１に付随し
て吐出ノズル２０と、昇降機構４０とを設けている。FIG. 2 is a front view showing the structure of the main part of the washing tank WB1, and FIG. 3 is a side view showing the structure of the main part of the washing tank WB1. The substrate processing apparatus 100 is provided with a discharge nozzle 20 and an elevating mechanism 40 in association with the washing tank WB1.
【００１９】吐出ノズル２０は、水洗槽ＷＢ１の底部両
側のそれぞれに設けられ、水洗槽ＷＢ１内に純水を供給
するノズルである。吐出ノズル２０は、水洗槽ＷＢ１の
長手方向に沿って延びる円筒状のノズルであり、複数の
円形の吐出孔２０ａを備えている。また、吐出ノズル２
０は、水洗槽ＷＢ１外部の純水供給源２５に接続されて
おり、純水供給源２５から純水の供給を受けることがで
きる。The discharge nozzles 20 are provided on both sides of the bottom of the washing tank WB1 and supply pure water into the washing tank WB1. The discharge nozzle 20 is a cylindrical nozzle extending along the longitudinal direction of the washing tank WB1, and has a plurality of circular discharge holes 20a. Also, the discharge nozzle 2
Numeral 0 is connected to a pure water supply source 25 outside the washing tank WB1 and can receive pure water from the pure water supply source 25.
【００２０】純水供給源２５から供給された純水は、吐
出ノズル２０の吐出孔２０ａから水洗槽ＷＢ１内に吐出
される。ここで、吐出孔２０ａは水洗槽ＷＢ１の中央底
部に向けて設けられており、両側の吐出ノズル２０から
吐出された純水は水洗槽ＷＢ１の底壁と平行に流れ、や
がて水洗槽ＷＢ１底部中央にて衝突し、その後水洗槽Ｗ
Ｂ１の中央部近傍に上方に向けた純水の流れ（層流）を
形成することとなる。なお、吐出ノズル２０から供給さ
れた純水は水洗槽ＷＢ１の上部から順次溢れ出るように
されており、このときの様子については後述する。ま
た、複数の円形の吐出孔２０ａに代えて、１つのスリッ
ト状の吐出孔を設けるようにしてもよい。The pure water supplied from the pure water supply source 25 is discharged from the discharge hole 20a of the discharge nozzle 20 into the washing tank WB1. Here, the discharge hole 20a is provided toward the center bottom of the washing tank WB1, and the pure water discharged from the discharge nozzles 20 on both sides flows in parallel with the bottom wall of the washing tank WB1, and eventually the center of the bottom of the washing tank WB1. Collision at, then washing tank W
A flow (laminar flow) of pure water upward is formed near the center of B1. In addition, the pure water supplied from the discharge nozzle 20 is configured to overflow sequentially from the upper part of the washing tank WB1, and the state at this time will be described later. Further, one slit-shaped discharge hole may be provided in place of the plurality of circular discharge holes 20a.
【００２１】昇降機構４０は、水洗槽ＷＢ１に貯留され
ている純水に複数の基板Ｗを浸漬させる機構である。昇
降機構４０は、リフター４１と、リフターアーム４２
と、基板Ｗを保持する３本の保持部４３、４４、４５と
を備えている。３本の保持部４３、４４、４５のそれぞ
れには基板Ｗの外縁部がはまり込んで基板Ｗを起立姿勢
にて保持する複数の保持溝が所定間隔にて配列して設け
られている。３本の保持部４３、４４、４５はリフター
アーム４２に固設され、リフターアーム４２はリフター
４１によって鉛直方向に昇降可能に設けられている。The elevating mechanism 40 is a mechanism for immersing a plurality of substrates W in pure water stored in the washing tank WB1. The lifting mechanism 40 includes a lifter 41 and a lifter arm 42.
And three holding units 43, 44, and 45 for holding the substrate W. Each of the three holding portions 43, 44, and 45 is provided with a plurality of holding grooves arranged at predetermined intervals to hold the substrate W in an upright posture by fitting the outer edge portion of the substrate W. The three holding portions 43, 44, 45 are fixed to a lifter arm 42, and the lifter arm 42 is provided so as to be vertically movable by the lifter 41.
【００２２】このような構成により、昇降機構４０は３
本の保持部４３、４４、４５によって所定間隔にて平行
に配列されて保持された複数の基板Ｗを水洗槽ＷＢ１に
貯留された純水に浸漬する位置（図２の実線位置）と水
洗槽ＷＢ１の上方であって基板搬送ロボットＴＲとの基
板受け渡しを行う位置（図２の２点鎖線位置）との間で
昇降させることができる。なお、リフター４１には、リ
フターアーム４２を昇降させる機構として、ボールネジ
を用いた送りネジ機構やプーリとベルトを用いたベルト
機構など種々の機構を採用することが可能である。With such a configuration, the lifting mechanism 40 is
A position (solid line position in FIG. 2) where a plurality of substrates W arranged and held in parallel at predetermined intervals by the book holding units 43, 44 and 45 are immersed in pure water stored in a washing tank WB1, and a washing tank. It can be moved up and down between the position above the WB1 and the position where the substrate is transferred to and from the substrate transport robot TR (the position indicated by the two-dot chain line in FIG. 2). The lifter 41 may employ various mechanisms such as a feed screw mechanism using a ball screw and a belt mechanism using a pulley and a belt as a mechanism for moving the lifter arm 42 up and down.
【００２３】水洗槽ＷＢ１の上端部には鋸刃状の凹凸パ
ターン３０が形成されている。凹凸パターン３０は、水
洗槽ＷＢ１の上端部のうち、少なくとも昇降機構４０に
よって保持される複数の基板Ｗの主面を含む平面が水洗
槽ＷＢ１の上端部と交わる位置の両側に凹部３１を有す
るように構成されている（図３参照）。また、凹凸パタ
ーン３０の凹凸のピッチは、昇降機構４０によって保持
される複数の基板Ｗの保持間隔と同じ間隔にて凹部３１
が形成されるものとなっている。At the upper end of the washing tank WB1, a saw-toothed uneven pattern 30 is formed. The concavo-convex pattern 30 has concave portions 31 on both sides of a position where at least a plane including the main surfaces of the plurality of substrates W held by the elevating mechanism 40 intersects with the upper end of the washing tank WB1 in the upper end of the washing tank WB1. (See FIG. 3). Further, the pitch of the unevenness of the unevenness pattern 30 is set at the same interval as the holding interval of the plurality of substrates W held by the lifting mechanism 40.
Is formed.
【００２４】本実施形態の基板処理装置１００において
は、昇降機構４０によって保持される基板Ｗの主面と平
行な水洗槽ＷＢ１の槽壁上端部にも凹凸パターン３０が
形成されている（図２参照）。結局、水洗槽ＷＢ１の槽
壁上端部の全周に渡って凹凸パターン３０が形成されて
いるのである。In the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment, an uneven pattern 30 is also formed at the upper end of the tank wall of the washing tank WB1 parallel to the main surface of the substrate W held by the elevating mechanism 40. reference). As a result, the concavo-convex pattern 30 is formed over the entire periphery of the upper end of the tank wall of the washing tank WB1.
【００２５】上述のように、吐出ノズル２０から供給さ
れた純水は水洗槽ＷＢ１の上部から順次溢れ出る。この
ときに、水洗槽ＷＢ１の槽壁上端部に形成された凹凸パ
ターン３０のうち凹部３１から優先的に純水が流れ出る
のである。なお、水洗槽ＷＢ１から流れ出た純水は、回
収された後、装置外部に排出されたり、浄化されて循環
使用される。As described above, the pure water supplied from the discharge nozzle 20 sequentially overflows from the upper part of the washing tank WB1. At this time, pure water preferentially flows out of the concave portion 31 in the concave / convex pattern 30 formed on the upper end portion of the tank wall of the washing tank WB1. The pure water that has flowed out of the washing tank WB1 is recovered and then discharged to the outside of the apparatus, or purified and recycled.
【００２６】次に、基板処理装置１００における処理手
順について説明するが、本実施形態においては説明を簡
単にするため、ローダー部ＬＤから払い出された基板Ｗ
は、薬液槽ＣＢ１、水洗槽ＷＢ１、水洗槽ＦＲ、乾燥部
ＳＤの順に基板搬送ロボットＴＲによって搬送されるも
のとする。すなわち、薬液槽ＣＢ１はフッ酸を貯留する
処理槽であり、薬液槽ＣＢ１にてフッ酸によるエッチン
グ処理が施された基板Ｗは、純水を貯留する水洗槽ＷＢ
１に搬送され、水洗処理に供される。そして、水洗槽Ｗ
Ｂ１での水洗処理が終了した基板Ｗは、水洗槽ＦＲに搬
送され、最終の仕上げ水洗処理が行われた後、乾燥部Ｓ
Ｄにて乾燥されるのである。以下、各処理槽における処
理の態様についてさらに説明を続ける。なお、既述した
ように、薬液槽ＣＢ１および水洗槽ＦＲは、図２、図３
にて示した水洗槽ＷＢ１と同様の配置構成を有してお
り、図２、図３に示したのと同じ参照符号を用いて説明
する。Next, a processing procedure in the substrate processing apparatus 100 will be described. In the present embodiment, for simplicity of description, the substrate W discharged from the loader section LD is used.
Is transferred by the substrate transfer robot TR in the order of the chemical tank CB1, the washing tank WB1, the washing tank FR, and the drying unit SD. That is, the chemical solution tank CB1 is a processing tank for storing hydrofluoric acid, and the substrate W that has been subjected to the etching treatment with hydrofluoric acid in the chemical solution tank CB1 is used as a washing tank WB for storing pure water.
1 and subjected to a water washing process. And the washing tank W
The substrate W that has been subjected to the rinsing processing in B1 is transported to the rinsing tank FR, and after the final finishing rinsing processing is performed, the drying unit S
It is dried at D. Hereinafter, the mode of processing in each processing tank will be further described. As described above, the chemical solution tank CB1 and the washing tank FR correspond to FIGS.
Has the same arrangement configuration as that of the washing tank WB1 shown in FIG. 2 and will be described using the same reference numerals as those shown in FIGS.
【００２７】薬液槽ＣＢ１に付随して設けられた昇降機
構４０は、基板搬送ロボットＴＲから複数の基板Ｗを受
け取り、所定間隔にて保持した基板Ｗを薬液槽ＣＢ１中
に降下させる。薬液槽ＣＢ１にはフッ酸が貯留されてお
り、基板Ｗはそのフッ酸中に浸漬される。薬液槽ＣＢ１
に貯留されたフッ酸に浸漬された基板Ｗに対しては、エ
ッチング処理が進行される。このときに、基板Ｗの表面
に付着していた不純物はフッ酸によって溶かし出され、
そのままの形態にてまたは何らかの化学反応によって汚
染物質となる。その汚染物質は、吐出ノズル２０からの
液流によってフッ酸の表面（気液界面）に流される。The elevating mechanism 40 provided in association with the chemical tank CB1 receives a plurality of substrates W from the substrate transport robot TR and lowers the substrates W held at predetermined intervals into the chemical tank CB1. Hydrofluoric acid is stored in the chemical solution tank CB1, and the substrate W is immersed in the hydrofluoric acid. Chemical tank CB1
The etching process is performed on the substrate W immersed in the hydrofluoric acid stored in the substrate. At this time, impurities adhering to the surface of the substrate W are dissolved out by hydrofluoric acid,
It becomes a contaminant in its native form or by some chemical reaction. The contaminant is caused to flow on the surface of hydrofluoric acid (gas-liquid interface) by the liquid flow from the discharge nozzle 20.
【００２８】やがて、所定時間が経過し、エッチング処
理が終了すると、昇降機構４０が複数の基板Ｗをフッ酸
から引き揚げる。既述したように、液流によってフッ酸
の表面に流された汚染物質は気液界面を浮遊する傾向が
ある。基板Ｗを引き揚げる際には、基板Ｗが気液界面を
通過せざるを得ないのであるが、本発明に係る基板処理
装置においては、処理槽上端部に所定ピッチの凹凸パタ
ーンを形成しているため、基板Ｗへの汚染物質の付着が
抑制されるのである。このことを図４〜図６を用いて説
明する。After a predetermined time has elapsed and the etching process has been completed, the lifting mechanism 40 lifts the plurality of substrates W out of hydrofluoric acid. As described above, the contaminants that have flowed to the surface of hydrofluoric acid by the liquid flow tend to float at the gas-liquid interface. When the substrate W is lifted, the substrate W must pass through the gas-liquid interface. However, in the substrate processing apparatus according to the present invention, an uneven pattern having a predetermined pitch is formed at the upper end of the processing tank. Therefore, adhesion of the contaminant to the substrate W is suppressed. This will be described with reference to FIGS.
【００２９】図４は処理槽から処理液が流れ出る様子を
示す側面図であり、図５はその平面図である。また、図
６は処理槽内の処理液の流れの様子を示す図である。エ
ッチング処理の間は、吐出ノズル２０から連続してフッ
酸が吐出され続けているため、それに伴って薬液槽ＣＢ
１の上部からはフッ酸が溢れ出し続ける。そして、基板
Ｗが引き揚げられる段階においても、薬液槽ＣＢ１の上
部からはフッ酸が流れ出し続けている。ここで、図４に
示すように、薬液槽ＣＢ１の槽壁上端部には凹凸パター
ン３０が形成されており、凹凸パターン３０のうち凹部
３１から優先的にフッ酸が流れ出る。そして、凹部３１
は、昇降機構４０によって保持される基板Ｗの主面を含
む平面が薬液槽ＣＢ１の上端部と交わる位置の両側に設
けられている。従って、図５に示すように、昇降機構４
０によって保持される複数の基板Ｗのそれぞれの主面の
両側に位置する部分のフッ酸が優先的に槽外に流れ出る
こととなり、その結果、基板Ｗ間に浮遊する汚染物質を
効率よく槽外に排出することができるのである。FIG. 4 is a side view showing how the processing liquid flows out of the processing tank, and FIG. 5 is a plan view thereof. FIG. 6 is a view showing the state of the flow of the processing liquid in the processing tank. Since the hydrofluoric acid is continuously discharged from the discharge nozzle 20 during the etching process, the chemical solution tank CB is accordingly discharged.
Hydrofluoric acid continues to overflow from the top of 1. Then, even during the stage in which the substrate W is lifted, hydrofluoric acid continues to flow from the upper portion of the chemical solution tank CB1. Here, as shown in FIG. 4, an uneven pattern 30 is formed at the upper end of the tank wall of the chemical solution tank CB1, and hydrofluoric acid flows out from the concave portion 31 of the uneven pattern 30 preferentially. And the recess 31
Are provided on both sides of the position where the plane including the main surface of the substrate W held by the elevating mechanism 40 intersects the upper end of the chemical solution tank CB1. Therefore, as shown in FIG.
The hydrofluoric acid in the portions located on both sides of each main surface of the plurality of substrates W held by 0 flows out of the tank preferentially, and as a result, contaminants floating between the substrates W are efficiently removed from the outside of the tank. It can be discharged to
【００３０】これにより、昇降機構４０が基板Ｗを引き
揚げるときに、基板Ｗが気液界面を通過してもその基板
Ｗへの汚染物質の付着を抑制することができる。また、
基板Ｗへの汚染物質の付着を抑制することができるた
め、基板Ｗの引き揚げ速度を従来よりも速くすることが
できる。Thus, when the lifting mechanism 40 lifts the substrate W, even if the substrate W passes through the gas-liquid interface, it is possible to suppress the attachment of contaminants to the substrate W. Also,
Since contaminants can be prevented from adhering to the substrate W, the substrate W can be lifted at a higher speed than before.
【００３１】また、昇降機構４０によって保持される複
数の基板Ｗのそれぞれの主面の両側に位置する部分のフ
ッ酸が優先的に槽外に流れ出るのにともなって、図６に
示すように、複数の基板Ｗ間のフッ酸の流れが整流さ
れ、基板Ｗ間の薬液循環が効率よく行われることとな
る。つまり、薬液槽ＣＢ１内のフッ酸の出口を固定する
ことによって、槽内の流れを誘導し、安定したフッ酸の
流れを形成しているのである。これにより、昇降機構４
０によって保持される全ての基板Ｗの全面において、常
に一定濃度のフッ酸が安定して供給されることとなり、
エッチング処理の面内均一性が向上するとともに、基板
Ｗ間のばらつきも低減される。As the hydrofluoric acid of the portions located on both sides of each of the plurality of substrates W held by the elevating mechanism 40 flows out of the tank preferentially, as shown in FIG. The flow of hydrofluoric acid between the plurality of substrates W is rectified, and the circulation of the chemical solution between the substrates W is performed efficiently. That is, by fixing the hydrofluoric acid outlet in the chemical solution tank CB1, the flow in the tank is induced, and a stable hydrofluoric acid flow is formed. Thereby, the lifting mechanism 4
On the entire surface of all the substrates W held by 0, a constant concentration of hydrofluoric acid is always supplied stably,
In-plane uniformity of the etching process is improved, and variations between the substrates W are reduced.
【００３２】次に、昇降機構４０が複数の基板Ｗを薬液
槽ＣＢ１から完全に引き揚げると、基板搬送ロボットＴ
Ｒが基板Ｗを受け取って水洗槽ＷＢ１に搬送し、水洗槽
ＷＢ１に付随して設けられた昇降機構４０に複数の基板
Ｗを渡す。昇降機構４０は、基板Ｗを水洗槽ＷＢ１中に
降下させ、純水中に浸漬させる。純水に浸漬された基板
Ｗに対しては、水洗処理が進行される。Next, when the elevating mechanism 40 completely lifts the plurality of substrates W from the chemical solution tank CB1, the substrate transport robot T
R receives the substrate W, transports it to the washing tank WB1, and transfers the plurality of substrates W to the elevating mechanism 40 provided in association with the washing tank WB1. The elevating mechanism 40 lowers the substrate W into the washing tank WB1, and immerses the substrate W in pure water. With respect to the substrate W immersed in pure water, a washing process is performed.
【００３３】ここで、水洗処理の処理効率が最も高いの
は気液界面近傍である。従って、昇降機構４０が基板Ｗ
を降下させている段階において、基板Ｗの主面上を相対
移動中の気液界面近傍が最も効率よく洗浄されるのであ
る。このときに、基板Ｗの表面に付着しているフッ酸と
ともに、薬液槽ＣＢ１から引き揚げるときに若干付着し
た汚染物質も洗い出される。当該汚染物質は、そのまま
の形態にてまたは何らかの化学反応によって新たな汚染
物質となる。Here, the treatment efficiency of the water washing treatment is highest near the gas-liquid interface. Therefore, the elevating mechanism 40 moves the substrate W
In the stage where is lowered, the vicinity of the gas-liquid interface that is relatively moving on the main surface of the substrate W is most efficiently cleaned. At this time, the contaminants slightly adhered when being lifted from the chemical solution tank CB1 are washed out together with the hydrofluoric acid adhering to the surface of the substrate W. The contaminants become new contaminants in their native form or by some chemical reaction.
【００３４】薬液槽ＣＢ１におけるエッチング処理と同
様に、水洗処理の間も、吐出ノズル２０から連続して純
水が吐出され続けているため、それに伴って水洗槽ＷＢ
１の上部からは純水が溢れ出し続ける。また、水洗槽Ｗ
Ｂ１の槽壁上端部にも凹凸パターン３０が形成されてお
り、凹凸パターン３０のうち凹部３１から優先的に純水
が流れ出る。そして、凹部３１は、昇降機構４０によっ
て保持される基板Ｗの主面を含む平面が水洗槽ＷＢ１の
上端部と交わる位置の両側に設けられている。従って、
図５に示すように、昇降機構４０によって保持される複
数の基板Ｗのそれぞれの主面の両側に位置する部分の純
水が優先的に槽外に流れ出ることとなり、その結果、水
洗槽投入時に基板Ｗから剥離し、基板Ｗ間に浮遊する汚
染物質を効率よく槽外に排出することができるのであ
る。Similarly to the etching process in the chemical solution tank CB1, the pure water is continuously discharged from the discharge nozzle 20 during the water washing process.
Pure water continues to overflow from the top of 1. In addition, washing tank W
A concave / convex pattern 30 is also formed at the upper end of the tank wall of B1, and pure water preferentially flows out of the concave portion 31 of the concave / convex pattern 30. The concave portions 31 are provided on both sides of a position where a plane including the main surface of the substrate W held by the elevating mechanism 40 intersects the upper end of the washing tank WB1. Therefore,
As shown in FIG. 5, the pure water in the portions located on both sides of each of the main surfaces of the plurality of substrates W held by the elevating mechanism 40 flows out of the tank preferentially. The contaminants separated from the substrate W and floating between the substrates W can be efficiently discharged out of the tank.
【００３５】また、基板Ｗが純水中に完全に浸漬された
後に新たな汚染物質が生じることもある。その汚染物質
は、吐出ノズル２０からの液流によって純水の表面に流
される。やがて、所定時間が経過し、水洗処理が終了す
ると、昇降機構４０が複数の基板Ｗを純水から引き揚げ
る。このときにも、純水への投入時と同様に、昇降機構
４０によって保持される複数の基板Ｗのそれぞれの主面
の両側に位置する部分の純水が優先的に槽外に流れ出る
こととなり、基板Ｗ間に浮遊する汚染物質が基板Ｗに転
写する前に当該汚染物質を効率よく槽外に排出すること
ができるのである。これにより、昇降機構４０が基板Ｗ
を引き揚げるときに、基板Ｗが気液界面を通過してもそ
の基板Ｗへの汚染物質の付着を抑制することができる。Further, new contaminants may be generated after the substrate W is completely immersed in pure water. The contaminant is caused to flow on the surface of the pure water by the liquid flow from the discharge nozzle 20. Eventually, when a predetermined time elapses and the water washing process is completed, the elevating mechanism 40 lifts the plurality of substrates W from the pure water. Also at this time, similarly to the time of charging into pure water, the pure water in the portions located on both sides of each of the main surfaces of the plurality of substrates W held by the elevating mechanism 40 flows out of the tank preferentially. Before the contaminants floating between the substrates W are transferred to the substrates W, the contaminants can be efficiently discharged out of the tank. As a result, the lifting mechanism 40 moves the substrate W
When the substrate W is lifted, even if the substrate W passes through the gas-liquid interface, the adhesion of contaminants to the substrate W can be suppressed.
【００３６】さらに、昇降機構４０によって保持される
複数の基板Ｗのそれぞれの主面の両側に位置する部分の
純水が優先的に槽外に流れ出るのにともなって、図６に
示すように、複数の基板Ｗ間のフッ酸の流れが整流さ
れ、基板Ｗ間の純水循環が効率よく行われることとな
る。すなわち、上記と同様に、水洗槽ＷＢ１内の純水の
出口を固定することによって、槽内の流れを誘導し、安
定した純水流を形成しているのである。これにより、昇
降機構４０によって保持される全ての基板Ｗの全面にお
いて、常に新鮮な純水が安定して供給されることとな
り、水洗処理の面内均一性が向上するとともに、基板Ｗ
間のばらつきも低減される。Further, as the pure water in the portions located on both sides of each main surface of the plurality of substrates W held by the elevating mechanism 40 flows out of the tank preferentially, as shown in FIG. The flow of hydrofluoric acid between the plurality of substrates W is rectified, and the pure water circulation between the substrates W is efficiently performed. That is, similarly to the above, by fixing the outlet of the pure water in the washing tank WB1, the flow in the tank is induced, and a stable pure water flow is formed. Accordingly, fresh pure water is constantly supplied stably over the entire surface of all the substrates W held by the elevating mechanism 40, so that the in-plane uniformity of the rinsing process is improved and the substrate W
Variations between them are also reduced.
【００３７】また、水洗槽ＷＢ１内に安定した純水流が
形成されることは、水洗槽投入時に気液界面が基板Ｗに
及ぼす水洗効率の向上に繋がる。つまり、槽内の純水流
が安定していれば、気液界面近傍において基板Ｗから汚
染物質が剥離し易くなるのである。このため、水洗槽Ｗ
Ｂ１への基板Ｗの降下速度を従来よりも速くすることが
できる。The formation of a stable pure water flow in the washing tank WB1 leads to an improvement in the washing efficiency that the gas-liquid interface exerts on the substrate W when the washing tank is put into the washing tank. That is, if the pure water flow in the tank is stable, the contaminants are easily separated from the substrate W near the gas-liquid interface. Therefore, the washing tank W
The lowering speed of the substrate W to B1 can be made higher than before.
【００３８】次に、昇降機構４０が複数の基板Ｗを水洗
槽ＷＢ１から完全に引き揚げると、基板搬送ロボットＴ
Ｒが基板Ｗを受け取って水洗槽ＦＲに搬送し、水洗槽Ｆ
Ｒに付随して設けられた昇降機構４０に複数の基板Ｗを
渡す。水洗槽ＦＲにおいても、水洗槽ＷＢ１における処
理と同じ処理が行われる。従って、水洗槽ＦＲにおいて
も、基板Ｗが気液界面を通過するときの基板Ｗへの汚染
物質の付着を抑制することができるとともに、水洗処理
の効率を向上することができる。その結果、水洗槽ＦＲ
から引き揚げた後の基板Ｗに付着している汚染物質は著
しく低減されており、基板Ｗの清浄度は極めて高いもの
となっている。Next, when the lifting / lowering mechanism 40 completely lifts the plurality of substrates W from the washing tank WB1, the substrate transport robot T
R receives the substrate W and transports it to the washing tank FR, and the washing tank F
The plurality of substrates W are transferred to the elevating mechanism 40 provided in association with R. In the washing tank FR, the same processing as the processing in the washing tank WB1 is performed. Therefore, also in the washing tank FR, it is possible to suppress the adhesion of the contaminant to the substrate W when the substrate W passes through the gas-liquid interface, and to improve the efficiency of the washing process. As a result, the washing tank FR
The contaminants adhering to the substrate W after being lifted from the substrate are significantly reduced, and the cleanliness of the substrate W is extremely high.
【００３９】その後、基板Ｗは、乾燥部ＳＤにて乾燥さ
れ、さらにアンローダー部ＵＬＤに搬送されて一連の洗
浄処理が終了する。After that, the substrate W is dried in the drying section SD, and further transported to the unloader section ULD to complete a series of cleaning processes.
【００４０】以上のように、本発明に係る基板処理装置
においては、処理槽の上端部に凹凸パターン３０を形成
している。また、少なくとも昇降機構４０によって保持
される複数の基板Ｗの主面を含む平面が処理槽の上端部
と交わる位置の両側に凹部３１を設けるように凹凸パタ
ーン３０を形成している。そして、このような凹凸パタ
ーン３０によって、複数の基板Ｗのそれぞれの主面の両
側に位置する部分の処理液が優先的に槽外に流れ出るこ
ととなる。その結果、基板Ｗ間に浮遊する汚染物質を効
率よく槽外に排出することができ、基板Ｗが気液界面を
通過してもその基板Ｗへの汚染物質の付着を抑制するこ
とができるとともに、処理槽内の処理液の流れを安定さ
せて処理効率を向上することができるのである。As described above, in the substrate processing apparatus according to the present invention, the concavo-convex pattern 30 is formed at the upper end of the processing tank. Further, the concavo-convex pattern 30 is formed such that the concave portions 31 are provided on both sides of a position where at least a plane including the main surfaces of the plurality of substrates W held by the elevating mechanism 40 intersects the upper end of the processing tank. Then, due to such a concavo-convex pattern 30, portions of the processing liquid located on both sides of each of the main surfaces of the plurality of substrates W preferentially flow out of the tank. As a result, the contaminants floating between the substrates W can be efficiently discharged out of the tank, and even if the substrates W pass through the gas-liquid interface, the adhesion of the contaminants to the substrates W can be suppressed. In addition, the processing efficiency can be improved by stabilizing the flow of the processing liquid in the processing tank.
【００４１】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、この発明は上記の例に限定されるものではない。
例えば、上記実施形態では、多槽式の基板処理装置につ
いて説明したが、本発明に係る基板処理装置はワンバス
タイプの装置であってもよい。ワンバスタイプの装置に
おいても、処理槽内の処理液の流れを安定させて処理効
率を向上することができるとともに、最終の水洗処理終
了後は、基板Ｗが気液界面を通過することになるため、
そのときに基板Ｗへの汚染物質の付着を抑制することが
できる。すなわち、本発明に係る基板処理装置は、基板
を処理槽中の処理液に浸漬させ、液流を形成しつつ浸漬
処理を行う装置であって、気液界面を基板Ｗが通過する
工程を実行するような装置であれば適用できるのであ
る。Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above example.
For example, in the above embodiment, the multi-tank type substrate processing apparatus has been described, but the substrate processing apparatus according to the present invention may be a one-bus type apparatus. In the one-bath type apparatus as well, the processing efficiency can be improved by stabilizing the flow of the processing liquid in the processing tank, and the substrate W passes through the gas-liquid interface after the final rinsing processing. For,
At that time, the adhesion of the contaminant to the substrate W can be suppressed. That is, the substrate processing apparatus according to the present invention is an apparatus for immersing a substrate in a processing liquid in a processing bath and performing immersion processing while forming a liquid flow, and executes a process in which the substrate W passes through a gas-liquid interface. It can be applied to any device that does.
【００４２】また、上記実施形態においては、処理槽の
上端部に形成する凹凸パターン３０を鋸刃状のパターン
としていたが、これに限定されるものではなく、例え
ば、図７に示すような波状の凹凸パターンとしてもよ
い。すなわち、少なくとも昇降機構４０によって保持さ
れる複数の基板Ｗの主面を含む平面が処理槽の上端部と
交わる位置の両側に凹部３１を設けるような凹凸パター
ンであれば、その形状はいかなるものであっても良い。In the above embodiment, the concave / convex pattern 30 formed at the upper end of the processing tank is a saw-tooth pattern. However, the present invention is not limited to this. For example, a wavy pattern as shown in FIG. May be used. That is, any shape may be used as long as it is a concavo-convex pattern in which at least a plane including the main surfaces of the plurality of substrates W held by the elevating mechanism 40 intersects the upper end of the processing bath and the concave portions 31 are provided on both sides. There may be.
【００４３】また、昇降機構４０によって保持される基
板Ｗの主面と平行な水洗槽ＷＢ１の槽壁上端部に形成さ
れた凹凸パターン３０は必須のものではなく、少なくと
も昇降機構４０によって保持される複数の基板Ｗの主面
を含む平面が処理槽の上端部と交わる位置の両側に凹部
３１を設けるように凹凸パターン３０を形成していれば
よい。但し、処理槽内の薬液の濃度や純水の清浄度を均
一に保つことが望ましく、このためには水洗槽ＷＢ１の
槽壁の全周から均一に処理液を流し出さなければならな
い。そして、水洗槽ＷＢ１の槽壁上端部の全体に凹凸パ
ターン３０を形成しておけば、容易に水洗槽ＷＢ１の槽
壁の全周から均一に処理液を流し出すことができるので
ある。The uneven pattern 30 formed at the upper end of the tank wall of the washing tank WB1 parallel to the main surface of the substrate W held by the elevating mechanism 40 is not essential, and is at least held by the elevating mechanism 40. The concavo-convex pattern 30 may be formed so that the concave portions 31 are provided on both sides of the position where the plane including the main surfaces of the plurality of substrates W intersects the upper end of the processing tank. However, it is desirable to keep the concentration of the chemical solution in the treatment tank and the cleanliness of the pure water uniform. For this purpose, the treatment liquid must be uniformly poured from the entire periphery of the tank wall of the washing tank WB1. If the uneven pattern 30 is formed over the entire upper end of the tank wall of the washing tank WB1, the processing liquid can be easily and uniformly discharged from the entire periphery of the tank wall of the washing tank WB1.
【００４４】また、上記実施形態においては、複数の基
板Ｗを１つの基板群として搬送・処理していたが、１枚
の基板Ｗを搬送・処理するものであっても良い。Further, in the above embodiment, a plurality of substrates W are transported and processed as one substrate group, but a single substrate W may be transported and processed.
【００４５】また、基板処理装置１００における処理手
順も上述の説明に限定されるものではなく、例えば、さ
らに薬液槽ＣＢ２、水洗槽ＷＢ２を経由させるような手
順であっても良いことは勿論である。Further, the processing procedure in the substrate processing apparatus 100 is not limited to the above description, but may be, for example, a procedure in which the substrate is further passed through a chemical tank CB2 and a washing tank WB2. .
【００４６】[0046]
【発明の効果】以上、説明したように、請求項１の発明
によれば、処理槽の上端部には凹凸パターンを形成し、
その凹凸パターンを、処理槽の上端部のうち少なくとも
昇降手段によって保持される基板の主面を含む平面が処
理槽の上端部と交わる位置の両側に凹部を有するものと
しているため、基板周辺に浮遊する汚染物質を効率よく
槽外に排出することができ、基板が気液界面を通過して
もその基板への汚染物質の付着を抑制することができる
とともに、処理槽内の処理液の流れを安定させて処理効
率を向上することができる。As described above, according to the first aspect of the present invention, an uneven pattern is formed at the upper end of the processing tank.
The concave and convex pattern has recesses on both sides of a position including a main surface of the substrate held by at least the elevating means at the upper end of the processing tank and intersecting the upper end of the processing tank. Contaminants can be efficiently discharged out of the tank, and even if the substrate passes through the gas-liquid interface, the adhesion of the contaminant to the substrate can be suppressed and the flow of the processing liquid in the processing tank can be reduced. Processing efficiency can be improved by stabilization.
【００４７】また、請求項２の発明によれば、処理槽の
上端部には凹凸パターンを形成し、その凹凸パターン
を、処理槽の上端部のうち少なくとも昇降手段によって
保持される複数の基板の主面を含む平面が処理槽の上端
部と交わるそれぞれの位置の両側に凹部を有するものと
し、当該凹部を、昇降手段によって保持される複数の基
板の保持間隔と同じ間隔にて形成しているため、基板間
に浮遊する汚染物質を効率よく槽外に排出することがで
き、基板が気液界面を通過してもその基板への汚染物質
の付着を抑制することができるとともに、処理槽内の処
理液の流れを安定させて処理効率を向上することができ
る。According to the second aspect of the present invention, an uneven pattern is formed on the upper end of the processing tank, and the uneven pattern is formed on at least a plurality of substrates of the upper end of the processing tank held by the elevating means. It is assumed that the plane including the main surface has concave portions on both sides of each position intersecting with the upper end of the processing tank, and the concave portions are formed at the same interval as the holding interval of the plurality of substrates held by the elevating means. Therefore, the contaminants floating between the substrates can be efficiently discharged out of the tank, and even if the substrates pass through the gas-liquid interface, the adhesion of the contaminants to the substrates can be suppressed, and the inside of the processing tank can be suppressed. And the processing efficiency can be improved by stabilizing the flow of the processing liquid.
【図１】本発明に係る基板処理装置の一例を示す正面概
略図である。FIG. 1 is a schematic front view showing an example of a substrate processing apparatus according to the present invention.
【図２】図１の基板処理装置の水洗槽の要部構成を示す
正面図である。FIG. 2 is a front view showing a main configuration of a washing tank of the substrate processing apparatus of FIG. 1;
【図３】図１の基板処理装置の水洗槽の要部構成を示す
側面図である。FIG. 3 is a side view showing a main configuration of a washing tank of the substrate processing apparatus of FIG. 1;
【図４】処理槽から処理液が流れ出る様子を示す側面図
である。FIG. 4 is a side view showing a state in which a processing liquid flows out of a processing tank.
【図５】処理槽から処理液が流れ出る様子を示す平面図
である。FIG. 5 is a plan view showing a state in which a processing liquid flows out of a processing tank.
【図６】処理槽内の処理液の流れの様子を示す図であ
る。FIG. 6 is a diagram showing a state of a flow of a processing liquid in a processing tank.
【図７】凹凸パターンの他の例を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing another example of the concavo-convex pattern.
【図８】従来において、基板に付着していた縦筋状パー
ティクルを示す図である。FIG. 8 is a view showing vertical streak particles adhered to a substrate in the related art.
２０ 吐出ノズル ３０ 凹凸パターン ３１ 凹部 ４０ 昇降機構 １００ 基板処理装置 ＣＢ１、ＣＢ２ 薬液槽 ＷＢ１、ＷＢ２、ＦＲ 水洗槽 Ｗ 基板 Reference Signs List 20 discharge nozzle 30 concave / convex pattern 31 concave portion 40 elevating mechanism 100 substrate processing device CB1, CB2 chemical liquid tank WB1, WB2, FR water washing tank W substrate
Claims (2)
て浸漬処理を行う基板処理装置であって、 (a) 前記処理液が貯留されて基板が浸漬される処理槽
と、 (b) 前記処理槽の底部に設けられ、前記処理槽内に処理
液を供給する処理液供給手段と、 (c) 前記基板を保持し、前記処理槽の内部と前記処理槽
の上方との間で前記基板を昇降させる昇降手段と、を備
え、 前記処理槽の上端部には凹凸パターンが形成され、 前記凹凸パターンは、前記処理槽の上端部のうち、少な
くとも前記昇降手段によって保持される前記基板の主面
を含む平面が前記処理槽の上端部と交わる位置の両側に
凹部を有することを特徴とする基板処理装置。1. A substrate processing apparatus for performing immersion processing by immersing a substrate in a processing liquid, comprising: (a) a processing tank in which the processing liquid is stored and a substrate is immersed; A processing liquid supply unit provided at the bottom of the processing tank to supply a processing liquid into the processing tank; (c) holding the substrate, and holding the substrate between the inside of the processing tank and above the processing tank. An elevating means for raising and lowering, wherein an uneven pattern is formed at an upper end of the processing tank, and the uneven pattern is a main surface of the substrate held at least by the elevating means at an upper end of the processing tank A substrate processing apparatus, characterized in that the substrate processing apparatus has concave portions on both sides of a position where a plane including the above intersects with an upper end of the processing tank.
によって浸漬処理を行う基板処理装置であって、 (a) 前記処理液が貯留されて複数の基板が浸漬される処
理槽と、 (b) 前記処理槽の底部に設けられ、前記処理槽内に処理
液を供給する処理液供給手段と、 (c) 前記複数の基板を保持し、前記処理槽の内部と前記
処理槽の上方との間で前記複数の基板を昇降させる昇降
手段と、を備え、 前記処理槽の上端部には凹凸パターンが形成され、 前記凹凸パターンは、前記処理槽の上端部のうち、少な
くとも前記昇降手段によって保持される前記複数の基板
の主面を含む平面が前記処理槽の上端部と交わるそれぞ
れの位置の両側に凹部を有し、 前記凹部は、前記昇降手段によって保持される前記複数
の基板の保持間隔と同じ間隔にて形成されていることを
特徴とする基板処理装置。2. A substrate processing apparatus for performing immersion processing by immersing a plurality of substrates in a processing liquid, comprising: (a) a processing tank in which the processing liquid is stored and a plurality of substrates are immersed; b) a processing liquid supply means provided at the bottom of the processing tank and supplying a processing liquid into the processing tank; (c) holding the plurality of substrates, inside the processing tank and above the processing tank. Lifting means for raising and lowering the plurality of substrates between the processing tank, an uneven pattern is formed on the upper end of the processing tank, the uneven pattern is at least by the lifting means of the upper end of the processing tank A plane including a main surface of the plurality of substrates to be held has concave portions on both sides of each position intersecting an upper end of the processing bath, and the concave portion holds the plurality of substrates held by the elevating means. Be formed at the same interval as the interval And a substrate processing apparatus.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10325118A JP2000150438A (en) | 1998-11-16 | 1998-11-16 | Substrate processing device |
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|---|---|---|---|
| JP10325118A JP2000150438A (en) | 1998-11-16 | 1998-11-16 | Substrate processing device |
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|---|---|
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| JP10325118A Pending JP2000150438A (en) | 1998-11-16 | 1998-11-16 | Substrate processing device |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI508210B (en) * | 2012-01-27 | 2015-11-11 | Screen Holdings Co Ltd | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| CN111383958A (en) * | 2018-12-27 | 2020-07-07 | 东京毅力科创株式会社 | Substrate liquid processing apparatus |
-
1998
- 1998-11-16 JP JP10325118A patent/JP2000150438A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI508210B (en) * | 2012-01-27 | 2015-11-11 | Screen Holdings Co Ltd | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| CN111383958A (en) * | 2018-12-27 | 2020-07-07 | 东京毅力科创株式会社 | Substrate liquid processing apparatus |
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